DE19910478A1 - Substrattransportverfahren, Substrattransportvorrichtung und Substratbearbeitungssystem - Google Patents
Substrattransportverfahren, Substrattransportvorrichtung und SubstratbearbeitungssystemInfo
- Publication number
- DE19910478A1 DE19910478A1 DE19910478A DE19910478A DE19910478A1 DE 19910478 A1 DE19910478 A1 DE 19910478A1 DE 19910478 A DE19910478 A DE 19910478A DE 19910478 A DE19910478 A DE 19910478A DE 19910478 A1 DE19910478 A1 DE 19910478A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- arm
- processing unit
- wafer
- feed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Das Substrattransportverfahren weist auf (a) das Eingeben der Verfahrensdaten, (b) das Bestimmen, ob eine Anzahl von Einheiten, die für das Bearbeiten der Halbleiterscheiben erforderlich ist, gerade oder ungerade ist, (c1) wenn aus der Bestimmung des Schrittes (b) eine ungerade Zahl resultiert, das Transportieren des Wafers, (d1) Entnehmen des Wafers durch den zweiten Arm (20b) aus dem Kassettenbereich (2, 13), (1) Laden/Zuführen des Wafers durch den zweiten Arm (20b) zu einer Einheit mit einer ungeraden Nummer (6, 6A), (f1) Entnehmen des Wafers durch den dritten Arm (20c) aus einer Einheit mit einer ungeraden Nummer (6, 6A), ausgenommen es handelt sich um eine letzte Einheit (8, 8A), (g1) Zuführen des Wafers durch den dritten Arm (20c) zu einer Einheit mit einer geraden Nummer, (h1) Entnehmen des Wafers durch den zweiten Arm (20b) aus einer Einheit mit einer geraden Nummer (7, 7a), und (i1) Entnehmen des Wafers aus der letzten Einheit durch den ersten Arm (20a) und Zuführen des Wafers durch den ersten Arm (20a) in den Kassettenbereich (2, 13), und (c2) wenn aus der Bestimmung des Schrittes (b) eine gerade Zahl resultiert, Transportieren des Wafers (d2), Entnehmen des Wafers durch den dritten Arm (20c) aus dem Kassettenbereich (2, 13), (e2) Laden des Wafers durch den dritten Arm (20c) in eine Einheit mit einer ungeraden Nummer, (f2) Laden des Wafers durch den zweiten Arm (20b) in eine Einheit (7, 7A) mit einer ungeraden Nummer, (g2) Laden des Wafers durch den zweiten ...
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Substrattrans
portverfahren und eine Vorrichtung zum Transportieren eines Sub
strates zu einem Bearbeitungsbereich, um die Oberfläche des Sub
strates zu reinigen, und sie bezieht sich weiterhin auf ein Sub
stratbearbeitungssystem mit einer derartigen Substrattransport
vorrichtung.
Bei einem photolithographischen Verfahren zum Herstellen von
Halbleiterbauelementen ist es sehr wichtig, die Oberfläche des
Wafers bzw. der Halbleiterscheibe rein zu halten. Dies ist ins
besondere deshalb wichtig, da Verunreinigungen, wie z. B. Par
tikel, organische Substanzen und metallische Ionen an der Ober
fläche des Wafers haften, und diese ein Schaltbild der Halblei
terbauelemente signifikant schädigen können. Dementsprechend
wird bei einem photolithographischen Verfahren die Oberfläche
des Wafers gewöhnlicherweise gewaschen bzw. gereinigt, wenn es
notwendig ist. Die Verunreinigungen werden von dem Wafer z. B.
durch Bürsten mittels einer Bürste entfernt, wobei eine chemi
sche Waschlösung auf die Oberfläche des Wafers gegeben bzw.
übergossen wird. Eine derartige Waschbehandlung wird üblicher
weise in einer Waschvorrichtung durchgeführt, die mit einem Ro
tationsspannfutter und einer Rotationsbürste ausgestattet ist.
Wie in Fig. 1 gezeigt, hat ein konventionell verwendetes Sub
stratbearbeitungssystem 100 einen Bearbeitungsbereich 104 zum
Waschen der Oberfläche des Wafers W mit einer chemischen Lösung
und Trocknen desselben, und einen Substrattransportarmmechanis
mus 105 zum Transportieren des Wafers zu dem Bearbeitungsbereich
104. Der Bearbeitungsbereich 104 hat drei Bearbeitungseinheiten
101, 102, 103. Die Substrattransportvorrichtung 105 hat drei
Arme 106a, 106b, 106c. Die Bearbeitungseinheiten 101, 102, 103
haben jeweils Zuführ-/Entnahmeöffnungen 101a, 102a, 103a. Der
Wafer W wird jeweils durch die Zuführ-/Entnahmeöffnungen 101a,
102a, 103a den Einheiten 101, 102, 103 zugeführt bzw. aus ihnen
entnommen.
Die Substrattransportvorrichtung 105 hat einen X-Achsen-An
triebsmechanismus zum Bewegen eines Armteiles 106 in eine X-Ach
sen-Richtung, eine Z-Achsen-Antriebsmechanismus 107 zum Bewegen
des Armteils 106 in eine Z-Achsen-Richtung, eine θ-Achsen-An
triebsmechanismus zum Drehen des Armteils 106 um die Z-Achse,
und einen Vorwärts- und Rückwärts-Bewegungsmechanismus zum Bewe
gen eines jeden der Arme 106a, 106b, 106c in Rückwärtsrichtung
und Vorwärtsrichtung. Der Z-Achsen-Antriebsmechanismus 107 hat
eine einzige Kugelumlaufspindel 110 deren Drehbewegung durch
einen Motor 109 angetrieben wird. Der Motor 109 und die Kugel
umlaufspindel 110 sind von einer Abdeckung 108 in einer dehnba
ren bzw. expandierbaren Balgform umgeben.
Wenn jedoch der Z-Achsen-Antriebsmechanismus 107 über einen lan
gen Zeitraum eingesetzt wird, werden manchmal Partikel von der
Abdeckung 108 in Form eines Balges erzeugt, die auch auf dem
Wafer haften bzw. hängen bleiben.
Wie in Fig. 2 gezeigt, ist die vertikale Öffnungslänge der Zu
führ-/Entnahmeöffnung 101a in der konventionellen Vorrichtung
größer als die vertikale Abmessung einer Anordnung von drei Ar
men 106a, 106b, 106c. Somit ist es wahrscheinlich, daß die Par
tikel in die Bearbeitungseinheit 101 eindringen, wenn der Wafer
W zugeführt bzw. entnommen wird.
Zusätzlich wird ein Verschluß 130 über eine große Distanz bewegt
und somit ist eine lange Zeitspanne erforderlich, um die Zuführ-
/Entnahmeöffnung 101a zu öffnen bzw. zu schließen. Als ein Er
gebnis hiervon verringert sich der Durchsatz der Bearbeitung.
Weiterhin nimmt es einen langen Zeitraum in Anspruch, zwischen
den an der obersten Stufe bzw. auf oberster Ebene angeordneten
ersten Arm 106a und den an unterster Stufe angeordneten dritten
Arm 106c umzuwechseln, so daß der Durchsatz verringert ist.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Substrat
transportverfahren, eine Substrattransportvorrichtung und ein
Substratbearbeitungssystem bereitzustellen, mittels derer die
Zeit für das Zuführen in eine Bearbeitungseinheit und das Ent
nehmen daraus verringert ist, wodurch der Durchsatz erhöht wird.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Sub
strattransportvorrichtung bereitzustellen, die einen An
triebsmechanismus hat, der es den Partikeln nicht ermöglicht,
nach außen zu entweichen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Trans
portieren eines Substrats unter Verwendung einer Substrattrans
portvorrichtung bereitgestellt, die aufweist:
mindestens einen ersten, zweiten, und dritten Arm, die ver tikal in mehreren Stufen bzw. Ebenen angeordnet sind,
eine Vielzahl von Bearbeitungseinheiten, die jeweils eine Zuführ-/Entnahmeöffnung zum Zuführen bzw. Entnehmen des Substrates aufweisen,
wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
mindestens einen ersten, zweiten, und dritten Arm, die ver tikal in mehreren Stufen bzw. Ebenen angeordnet sind,
eine Vielzahl von Bearbeitungseinheiten, die jeweils eine Zuführ-/Entnahmeöffnung zum Zuführen bzw. Entnehmen des Substrates aufweisen,
wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
- a) Eingeben von Daten der Bearbeitungsbedingungen zum Bearbeiten des Substrates;
- b) Bestimmen, ob eine Anzahl von Bearbeitungseinheiten, die für die Bearbeitung des Substrates erforderlich ist, eine gerade oder ungerade Zahl ist.
- c) in dem Fall, daß das Bestimmungsergebnis des Schrittes
(b) eine ungerade Zahl ist,
das Substrat gemäß den folgenden Schritten (d1) bis (i1) transportiert wird:- 1. Entnehmen bzw. Herausnehmen des Substrates durch den zweiten Arm aus einem Substratzuführ-/entnah mebereich;
- 2. Zuführen des Substrates durch den zweiten Arm zu einer Bearbeitungseinheit mit einer ungeraden Nummer;
- 3. Entnehmen des Substrates durch den dritten Arm aus einer Bearbeitungseinheit mit einer ungeraden Nummer; ausgenommen es liegt eine letzte Bearbei tungseinheit vor;
- 4. Zuführen des Substrates durch den dritten Arm zu einer Bearbeitungseinheit mit einer geraden Num mer;
- 5. Entnehmen des Substrates durch den zweiten Arm von einer Bearbeitungseinheit mit einer geraden Nummer; und
- 6. Entnehmen des Substrates von der letzten Bearbei tungseinheit durch den ersten Arm und Zuführen des Substrates durch den ersten Arm in den Sub stratzuführ-/entnahmebereich;
- d) und
- e) wenn ein Bestimmungsergebnis des Schrittes (b) eine
gerade Nummer ist,
Transportieren des Substrates gemäß den folgenden Schritten (d2) bis (i2);- 1. Entnehmen bzw. Herausnehmen des Substrates durch den dritten Arm aus dem Substratzuführ-/entnahme bereich;
- 2. Zuführen des Substrates durch den dritten Arm in eine Bearbeitungseinheit mit einer ungeraden Num mer;
- 3. Entnehmen des Substrates durch den zweiten Arm aus einer Bearbeitungseinheit mit einer ungeraden Nummer;
- 4. Zuführen des Substrates durch den zweiten Arm in eine Bearbeitungseinheit mit einer geraden Num mer;
- 5. Entnehmen des Substrates durch den dritten Arm von einer Bearbeitungseinheit mit einer geraden Nummer, ausgenommen der Fall, daß es eine letzte Bearbeitungseinheit ist; und
- 6. Entnehmen des Substrates durch den ersten Arm aus der letzten Bearbeitungseinheit und Zuführen des Substrates durch den ersten Arm in den Substrat zuführ-/entnahmebereich.
Dabei kann ein zweites Substrat, das als nächstes verwendet wer
den soll, aus dem Substratzuführ-/entnahmebereich bereits im
voraus durch den zweiten Arm während einer Zeitdauer von Schritt
(e1) bis (f1) entnommen werden.
Darüber hinaus kann das zweite Substrat von einer Bearbeitungs
einheit mit einer Nummer ungerader Parität bereits im voraus
durch den dritten Arm während einer Zeitdauer von Schritt (g1)
bis (h1) entnommen werden.
Weiterhin kann das zweite Substrat von dem Substratzuführ-/ent
nahmebereich bereits im voraus durch den dritten Arm während
einer Zeitdauer von Schritt (e2) bis (f2) entnommen werden.
Weiterhin kann das zweite Substrat bereits im voraus während
einer Zeitdauer von dem Schritt (g2) bis (h2) aus einer Bearbei
tungseinheit mit einer ungeraden Nummer entnommen werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Substratbearbeitungs
system bereitgestellt, das folgendes aufweist:
- 1. einen Substratzuführ-/entnahmebereich zum Aufnehmen einer Vielzahl von Substraten und zum sequentiellen bzw. aufein anderfolgenden vereinzelten Ausgeben der Substrate;
- 2. einen Bearbeitungsbereich mit einer Vielzahl von Bearbei tungseinheiten, die jeweils eine Zuführ-/Entnahmeöffnung zum Zuführen und Entnehmen der Substrate aufweisen;
- 3. eine Substrattransportvorrichtung, die mindestens einen ersten, zweiten und dritten Arm aufweist, die jeweils be weglich zwischen dem Substratzuführ-/entnahmebereich und dem Bearbeitungsbereich angeordnet sind und die vertikal in mehreren Stufen angeordnet sind, wobei die Substrat transportvorrichtung einen Rückwärts- und Vorwärtsbewe gungsmechanismus für die Arme, zum Bewegen eines jeden des ersten, zweiten und dritten Armes in Rückwärts- und Vor wärtsrichtung, aufweist;
- 4. einen Kontroll- bzw. Steuerbereich zum Kontrollieren bzw. Steuern einer Operation bzw. Betätigung der Substrattrans portvorrichtung; und
- 5. Dateneingabemittel zum Eingeben von Daten der Bearbeitungs bedingungen zum Bearbeiten des Substrates in den Steuerbe reich.
Der Steuerbereich steuert die Substrattransportvorrichtung durch
- 1. Bestimmen auf Basis der Daten der Bearbeitungsbedingungen, ob eine Nummer von Bearbeitungseinheiten, die für die Bear beitung des Substrates erforderlich ist, ungerade oder ge rade ist;
- 2. wenn aus der Bestimmung eine ungerade Nummer resultiert,
Entnehmen des Substrates durch den zweiten Arm aus dem Substratzuführ-/entnahmebereich;
Zuführen des Substrates durch den zweiten Arm zu einer Bearbeitungseinheit mit einer ungeraden Nummer;
Entnehmen des Substrates durch den dritten Arm aus einer Bearbeitungseinheit mit einer ungeraden Nummer, ausgenommen der Fall, daß es sich um eine letzte Be arbeitungseinheit handelt;
Zuführen des Substrates durch den dritten Arm zu einer Bearbeitungseinheit mit einer geraden Nummer;
Entnehmen des Substrates durch den zweiten Arm von einer Bearbeitungseinheit mit einer geraden Nummer;
Entnehmen des Substrates durch den ersten Arm aus der letzten Bearbeitungseinheit; und weiterhin
Zuführen des Substrates durch den ersten Arm in den Substratzuführ-/Entnahmebereich;
und - 3. wenn aus der Bestimmung eine gerade Nummer resultiert,
Entnehmen des Substrates durch den dritten Arm aus dem Substratzuführ-/entnahmebereich;
Zuführen des Substrates durch den dritten Arm zu einer Bearbeitungseinheit mit einer ungeraden Nummer;
Entnehmen des Substrates durch den zweiten Arm aus einer Bearbeitungseinheit mit einer ungeraden Nummer;
Zuführen des Substrates durch durch den zweiten Arm einer Bearbeitungseinheit mit einer geraden Nummer;
Entnehmen des Substrates durch den dritten Arm von einer Bearbeitungseinheit mit einer geraden Nummer, ausgenommen der Fall, daß es sich um eine letzte Be arbeitungseinheit handelt;
Entnehmen des Substrates durch den ersten Arm aus der letzten Bearbeitungseinheit; und weiterhin
Zuführen des Substrates durch den ersten Arm in den Substratzuführ-/Entnahmebereich.
Die Substrattransportvorrichtung weist auf:
- 1. einen θ Rotationsantriebsmechanismus zum Drehen um einem Winkel von θ um jede vertikale Achse des ersten, zweiten und dritten Armes;
- 2. einen Rückwärts- und Vorwärts-Bewegungsmechanismus zum Be wegen eines jeden ersten, zweiten und dritten Armes in eine Rückwärts- und Vorwärtsrichtung;
- 3. einem Z-Achsen-Antriebsmechanismus zum Bewegen des ersten, zweiten und dritten Armes in Z-Achsen-Richtung; und
- 4. einer Abdeckungsanordnung, die eine Vielzahl von
Gleitabdeckungen aufweist, die den Z-Achsen-Antriebsmecha
nismus umgeben und miteinander verschiebbar angeordnet
sind, wobei ein Durchmesser einer oberen Gleitabdeckung
größer als der Durchmesser einer unteren Gleitabdeckung
ist.
In diesem Fall ist vorzugsweise die Abdeckungsanordnung durch eine konzentrische Anordnung einer Vielzahl von zy lindrischen Gleitabdeckungen gebildet.
Weiterhin ist es in diesem Fall vorteilhaft, daß die Zu führ-/Entnahmeöffnung der Bearbeitungseinheit hinreichend groß ist, so daß zwei Arme des ersten, zweiten und dritten Armes zum Zuführen und Entnehmen verwendet werden können.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Substrat transportvorrichtung zum Transportieren von Substraten von einem Substratzuführ-/entnahmebereich zu einem Bearbei tungsbereich bereitgestellt, wobei die Zuführung der Sub strate einzeln aufeinanderfolgend erfolgt. Sie weist auf:- 1. eine Vielzahl von Armen zum Halten eines Substrates;
- 2. einen θ-Rotationsantriebsmechanismus zum Drehen der Vielzahl von Armen gleichzeitig um eine vertikale Ach se um einen Winkel θ;
- 3. einen Rückwärts- und Vorwärtsbewegungsmechanismus zum Bewegen eines jeden der Vielzahl von Armen in eine Rückwärts- und Vorwärtsrichtung;
- 4. einen Z-Achsen-Antriebsmechanismus zum Bewegen der Vielzahl von Armen simultan bzw. gleichzeitig aufwärts und abwärts; und
- 5. eine Abdeckungsanordnung, die den Z-Achsen-An
triebsmechanismus umgibt, derartig, daß der Z-Achsen-
Antriebsmechanismus von einem Außenraum getrennt bzw.
abgeschottet ist, wobei die Abdeckungsbauänordnung
eine Vielzahl von zylindrischen Gleitabdeckungen auf
weist, die in konzentrischer Weise gleitfähig angeord
net sind,
wobei, wenn die Vielzahl von Armen von dem Z-Achsen- Antriebsmechanismus nach oben bewegt wird, eine äußere Gleitabdeckung gleitfähig zu einer inneren Gleitab deckung bewegt wird, bzw. sich bewegt, mit dem Ergeb nis, daß die äußere Gleitabdeckung oberhalb der inne ren Gleitabdeckung angeordnet ist.
Die Abdeckungsanordnung weist auf:- 1. ein unbewegliches Gleitabdeckungsglied, das nicht durch die Aufwärts- und Abwärtsbewegung des Z- Achsen-Antriebsmechanismus angetrieben wird bzw. antreibbar ist und somit unbeweglich angeordnet ist;
- 2. eine erste bewegliche Gleitabdeckung, die durch die Aufwärts- und Abwärtsbewegung des Z-Achsen- Antriebsmechanismus relativ zu der unbeweglichen Gleitabdeckung gleitfähig antreibbar ist; und
- 3. eine zweite bewegbare Gleitabdeckung, die durch die Aufwärts- und Abwärtsbewegung des Z-Achsen- Antriebmechanismus relativ zu der ersten bewegli chen Gleitabdeckung gleitfähig antreibbar ist.
- 1. einen ersten Kugelumlaufspindelmechanismus zum Bewegen der ersten beweglichen Gleitabdeckung aufwärts und abwärts relativ zu der unbeweglichen Gleitabdeckung; und
- 2. einen zweiten Kugelumlaufspindelmechanismus zum
Bewegen der zweiten beweglichen Gleitabdeckung
aufwärts und abwärts relativ zu der ersten beweg
lichen Gleitabdeckung.
In diesem Fall weist der erste Kugelumlaufspin delmechanismus vorteilhafterweise auf: - 3. ein unbewegliches Trägerglied, das mit der unbeweglichen Gleitabdeckung verbunden ist;
- 4. eine erste Kugelumlaufspindel, die mit dem unbeweglichen Trägerglied verbunden ist;
- 5. eine erste Mutter, die mit der ersten Kugel umlaufspindel im Eingriff ist;
- 6. einen Gurt, der um die erste Mutter gelegt ist bzw. sie umgibt; und
- 7. einen gemeinsamen Motor zum Übertragen des
Antriebsdrehmoments auf den Gurt;
und
wobei der zweite Kugelumlaufspindelmechanismus aufweist: - 8. ein erstes bewegliches Trägerglied, das mit dem ersten beweglichen Trägerglied verbunden ist;
- 9. ein zweites bewegliches Trägerglied, das mit der zweiten beweglichen Gleitabdeckung verbunden ist;
- 10. eine zweite Mutter, die mit der zweiten Kugelum laufspindel im Eingriff ist und mit dem zweiten beweglichen Trägerglied verbunden ist; und
- 11. eine Riemenscheibe, um die der Gurt gelegt ist und die an einem unteren Teil der zweiten Kugel umlaufspindel angepaßt bzw. an diesem befestigt ist.
- 1. einen ersten Zahnstangenantriebsmechanismus bzw. Rast antriebsmechanismus zum Bewegen der ersten beweglichen Gleitabdeckung aufwärts und abwärts relativ zu der un beweglichen Gleitabdeckung; und
- 2. einem zweiten Zahnstangenantriebsmechanismus bzw.
Rastantriebsmechanismus zum Bewegen der zweiten beweg
lichen Gleitabdeckung aufwärts und abwärts relativ zu
der ersten beweglichen Gleitabdeckung.
In diesem Fall weist der erste Rastantriebsmechanismus bzw. Zahnstangenantriebsmechanismus vorteilhafterweise auf:- 1. eine erste Zahnstange bzw. Raststange, die mit der unbeweglichen Gleitabdeckung verbunden ist;
- 2. ein gemeinsames kleines Zahnrad bzw. Ritzel, das mit der ersten Zahnstange im Eingriff ist; und
- 3. einen gemeinsamen Motor zum Übertragen des An
triebsdrehmomentes auf das gemeinsame Zahnrad,
und
wobei der zweite Zahnstangen- bzw. Raststangenmecha nismus aufweist: - 4. ein zweites bewegliches Trägerglied, das mit der zweiten beweglichen Gleitabdeckung verbunden ist; und
- 5. eine zweite Zahnstange bzw. Raststange, die mit dem zweiten beweglichen Trägerglied verbunden bzw. eingepaßt ist und mit dem gemeinsamen Zahn rad im Eingriff ist.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Zeit, die
für die Zuführung des Substrates in die Bearbeitungseinheit bzw.
die Entnahme des Substrates aus der Bearbeitungseinheit erfor
derlich ist, zu verringern. Der Öffnungsbereich der Zuführungs-
und Entnahmeöffnung ist verringert. Es ist dementsprechend mög
lich, zu verhindern, daß ein innerer Raum bzw. eine innere Atmo
sphäre der Bearbeitungseinheit, die eine chemische Substanz bzw.
chemische Substanzen enthält, in eine äußere Atmosphäre gelangt,
und weiterhin das Eindringen von Partikeln in den Innenraum der
Bearbeitungseinheit auf ein Minimum zu reduzieren.
Unabhängig von der Anzahl der Bearbeitungseinheiten, das heißt,
unabhängig, ob es eine gerade oder ungerade Anzahl ist, kann der
Armteil nur um die Wegstrecke bewegt werden, die zwei Schritten
in der letzten Bearbeitungseinheit entspricht. Dementsprechend
ist der Durchsatz erhöht und die Haltbarkeit bzw. Dauerhaftig
keit der Substrattransportvorrichtung verbessert. Als ein Er
gebnis hiervon wird erfolgreich eine Energieeinsparung des Sub
stratbearbeitungssystems erreicht.
Zusätzliche Ziele und Vorteile der Erfindung werden nachstehend
in der Beschreibung weiter erläutert und werden teilweise aus
der Beschreibung ersichtlich, oder können durch Anwendung bzw.
Einsatz der Erfindung in Erfahrung gebracht werden. Die Ziele
und Vorteile der Erfindung können durch die nachfolgend be
schriebenen Mittel und Kombinationen realisiert werden.
Die beiliegenden Zeichnungen, die in der Beschreibung angeführt
werden gebracht zeigen bevorzugte Ausführungsformen der Erfin
dung und dienen zusammen mit der vorstehenden allgemeinen Be
schreibung und der nachstehend detaillierten Beschreibung als
Erklärung der Erfindung.
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht einer herkömmlichen
Substrattransportvorrichtung;
Fig. 2 ist eine Seitenansicht der herkömmlichen Substrat
transportvorrichtung;
Fig. 3 ist eine Draufsicht auf ein Substratbearbeitungssystem
zum Waschen eines Wafers;
Fig. 4 ist eine perspektivische Ansicht des Substratbearbei
tungssystems zum Waschen eines Wafers;
Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht einer Substrattrans
portvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vor
liegenden Erfindung;
Fig. 6 ist eine Querschnittansicht eines Rückwärts- und Vor
wärtsbewegungsmechanismus für die Arme aus Sicht einer
Rückwärts- und Vorwärtsbewegungsrichtung;
Fig. 7 ist eine Ansicht, die einen wesentlichen Teil des
Rückwärts- und Vorwärtsbewegungsmechanismus für die
Arme zeigt;
Fig. 8 ist eine Schnittansicht einer Substrattransportvor
richtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung mit einem Blockdiagramm peripherer Elemente;
Fig. 9 ist eine Schnittansicht der Substrattransportvorrich
tung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Er
findung mit einem Blockdiagramm peripherer Elemente;
Fig. 10 ist eine perspektivische Ansicht einer konzentrisch
angeordneten mehrstufigen Abdeckung zum Abdecken eines
anhebbaren Mechanismus;
Fig. 11 ist eine Schnittansicht einer Wascheinheit zum Waschen
einer Oberfläche eines Wafers mit einer chemischen
Lösung, zusammen mit einem Blockdiagramm peripherer
Elemente;
Fig. 12 ist eine Draufsicht auf einen Arm und ein Rotations
spannfutter;
Fig. 13 ist eine Schnittansicht einer Substratüber
führungsvorrichtung gemäß einer anderen Ausführungs
form der vorliegenden Erfindung, zusammen mit einem
Blockdiagramm peripherer Elemente;
Fig. 14 ist eine perspektivische Ansicht der Substrattrans
portvorrichtung und der Wascheinheit;
Fig. 15 ist eine schematische Ansicht einer Substrattransport
vorrichtung, die gegenüber bzw. vor der Wascheinheit
angeordnet ist.
Fig. 16 ist ein Flußdiagramm, das die Schritte eines Verfah
rens zum Transportieren eines Substrates gemäß einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 17A bis 17F sind perspektivische Ansichten, die die Sub
stratüberführungsvorrichtung und die Wascheinheit
zeigt, um zu verdeutlichen, wie ein Wafer überführt
wird, wenn eine ungerade Anzahl von Schritten für das
Waschverfahren erforderlich ist;
Fig. 18 ist ein Flußdiagramm, das die Schritte eines Verfah
rens zum Transportieren eines Substrates gemäß einer
anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
zeigt;
Fig. 19A bis 19D sind perspektivische Ansichten, welche die Sub
stratüberführungsvorrichtung und die Wascheinheit zei
gen, um zu erläutern, wie ein Wafer überführt wird,
wenn eine gerade Anzahl von Schritten für das Wasch
verfahren erforderlich ist; und
Fig. 20 ist eine Draufsicht auf ein Substratbearbeitungssystem
gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung.
Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegen
den Erfindung mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen erläu
tert.
Wie in den Fig. 3 und 4 gezeigt hat ein Substratbearbeitungssys
tem 1 einen Zuführ-/Entnahmebereich 2, einen Bearbeitungsbereich
3 und einen Überführungsbereich 5. Der Zuführ-/Entnahmebereich
2, der als ein Substratzuführungs-/Entnahmebereich bzw. Sub
stratlade-/entladebereich dient, weist einen Tisch 2a auf, der
sich in die X-Achsen-Richtung erstreckt. An einer Vorderflächen
seite des Tisches 2A ist ein (nicht gezeigter) Kassettentrans
portdurchlass angeordnet. Eine Kassette C wird entlang des
Transportdurchlasses mittels eines (nicht gezeigten) Transport
roboters transportiert und auf den Tisch 2a gesetzt. Zum Bei
spiel werden zwei oder drei Kassetten C auf dem Tisch 2a aufge
baut. 25 Lagen Wafer bzw. Halbleiterscheiben W, die einen Satz
bilden, werden in jeder Kassette untergebracht.
Erste, zweite, und dritte Bearbeitungseinheiten 6, 7, 8 sind
Seite an Seite in der genannten Reihenfolge in dem Bearbeitungs
bereich 3 angeordnet. Vierte, fünfte und sechste Einheiten 9,
10, 11 sind entsprechend unterhalb der ersten, zweiten, dritten
Einheiten 6, 7, 8 angeordnet. Da die Einheiten 9-11 im wesentli
chen die gleichen sind wie die Einheiten 6-8, wird hierzu kei
ne detaillierte Erläuterung abgegeben.
Die Kassette 2a des Zuführ-/Entnahmebereichs 2 ist in einen Zu
führungsabschnitt 12 und einen Entnahmeabschnitt 13 unterteilt.
Ungewaschene Halbleiterwafer W werden in einer Kassette C, die
in dem Zuführungsabschnitt 12 angeordnet ist, gespeichert. Gewa
schene Wafer W werden in einer Kassette C, die in dem Entnahme
abschnitt 13 angeordnet ist, gelagert. Wenn die Kassette C mit
den gewaschenen Wafern W gefüllt ist, wird sie mittels des
(nicht gezeigten) Transportroboter aus dem Waschsystem 1 heraus
genommen.
Der Transportbereich 5 ist an einer Rückseite bzw. hinteren Flä
che des Tisches 2a vorgesehen. Der Transportbereich 5 weist eine
eine Substrattransportvorrichtung 4 auf.
Wie in Fig. 8 gezeigt, hat die Substrattransportvorrichtung 4
einen Armteil 20, einen Rückwärts- und Vorwärts-Bewegungsmecha
nismus 21 für die Arme, eine Abdeckungsanordnung 22, einen Ba
sistisch 23, einen θ-Rotationsantriebsmechanismus 24, einen Z-
Achsen-Antriebsmechanismus 47, einen X-Achsen-Antriebsmechanis
mus 60, und eine Steuereinheit 70. Der Armteil 20 weist in die
ser Reihenfolge von oben nach unten einen ersten Arm 20a, einen
zweiten Arm 20b, und einen dritten Arm 20c auf.
Die Steuereinheit 70 steuert bzw. kontrolliert jede Operation
der Antriebsmechanismen 21, 24, 47, 60 auf Basis von anfänglich
eingegebenen Daten. Ein Schienenpaar 15, das sich in die X-Rich
tung erstreckt, liegt auf dem Boden des Transportbereichs 5. Die
Substrattransportvorrichtung 4 wird entlang des Schienenpaares
15 in X-Achsen-Richtung durch den in Fig. 8 gezeigten X-Achsen-
Antriebsmechanismus 60 bewegt.
Ein (nicht gezeigter) Zuführ-/Zwischenspeichermechanismus ist an
einer der Seiten des Überführungsbereichs 5 angeordnet, und ein
(nicht gezeigter) Entnahme-/Zwischenspeichermechanismus ist an
der anderen Seite des Überführungsbereichs 5 angeordnet. Der un
gewaschene Wafer W wird von der Kassette C mittels des zweiten
Armes 20b und bzw. oder dritten Armes 20c der Substratüberfüh
rungsvorrichtung 4 entnommen und zeitweise in dem Zuführ-/Zwi
schenspeichermechanismus gespeichert. Weiterhin wird der gewa
schene Wafer von dem Entnahme-/Zwischenspeichermechanismus durch
den ersten Arm 20a der Substratüberführungsvorrichtung 4 entnom
men und in der Kassette C gespeichert.
Wie in Fig. 5 gezeigt, hat der Armteil 20 drei Arme 20a, 20b,
20c zum Halten des Wafers W. Jeder der Arme 20a, 20b, 20c wird
durch den Rückwärts- und Vorwärts-Bewegungsmechanismus 21 der
artig getragen, daß er individuell in Rückwärtsrichtung und Vor
wärtsrichtung bewegbar ist.
Wie in den Fig. 6 und 7 gezeigt, hat der Rückwärts- und Vor
wärtsbewegungsmechanismus 21 für die Arme Trägerglieder 21a,
21b, 21c, ein Endloslaufgurt 21d, ein Paar von Riemenscheiben
21e, 21f, und einen (nicht gezeigten) Schrittmotor. Ein Ende des
ersten Trägergliedes 21a ist horizontal mit einem nähergelegenen
Ende des Armes 20a (20b, 20c) verbunden. Das obere Ende des Trä
gergliedes 21b ist vertikal mit dem anderen Ende des ersten Trä
gergliedes 21a verbunden. Ein Ende des dritten Trägergliedes 21c
ist horizontal mit dem unteren Ende des zweiten Trägergliedes
21b verbunden. Weiterhin ist das andere Ende des dritten Träger
gliedes 21c in den Basistisch 23 durch eine Öffnung 23a einge
fügt und mit dem Endloslaufgurt 21d verbunden. Der Endlos
laufgurt 21d wird zwischen der Antriebsriemenscheibe 21e und der
Folgeriemenscheibe 21f gespannt. Die Antriebsriemenscheibe 21e
ist mit einer Rotationsantriebsachse (die nicht gezeigt ist) des
Schrittmotors verbunden.
Der erste Arm 20a, der zweite Arm 20b, und der dritte Arm 20c
der Substrattransportvorrichtung 4 werden selektiv eingesetzt,
um die Reinheit des Wafers W aufrechtzuerhalten, der eine Reihe
von Behandlungen in den ersten, zweiten, und dritten Bearbei
tungseinheiten 6, 7, 8 unterzogen wurde. Um es detaillierter zu
beschreiben, der Wafer W wird mittels des zweiten Armes 20b und
des dritten Armes 20c von der Kassette C des Zuführungsab
schnitts 12 entnommen, der ersten Bearbeitungseinheit 6 zuge
führt und von ihr entnommen, der zweiten Bearbeitungseinheit 7
zugeführt und von ihr entnommen, und der dritten Bearbeitungs
einheit 8 zugeführt. Auf der anderen Seite wird der Wafer nur
durch den ersten Arm 20a aus der dritten Bearbeitungseinheit 8
entnommen und in der Kassette C des Entnahmeabschnitt 13 gespei
chert. Dies geschieht, weil dabei die geringste Möglichkeit bzw.
Wahrscheinlichkeit für die Partikel gegeben ist, auf den durch
den ersten Arm 20a gehaltenen Wafer W zu fallen.
In der Zwischenzeit variiert das Verfahren zum Transportieren
der Halbleiterscheibe in Abhängigkeit davon, ob der Wafer W ent
weder in einer Bearbeitungseinheit mit einer ungeraden Nummer
oder geraden Nummer bearbeitet wird. Wenn der Waschvorgang in
einer Bearbeitungseinheit mit einer ungeraden Nummer durchge
führt wird, steuert die Steuereinheit 70 die Substrattransport
vorrichtung derartig, daß zuerst der Wafer W von der Kassette C
des Zuführungsabschnitts 12 durch den zweiten Arm 20b entnommen
wird. In diesem Fall wird der Wafer W durch den zweiten Arm 20b
in die Bearbeitungseinheiten 6, 8 mit einer ungeraden Nummer
(erste, dritte) zugeführt. Der Wafer W wird dann von dem dritten
Arm 20c von einer ersten Bearbeitungseinheit 6 mit einer ungera
den Nummer entnommen, ausgenommen der Fall, es handelt sich um
eine letzte Bearbeitungseinheit 8. Der Wafer W wird einer
(zweiten) Bearbeitungseinheit 7 mit einer geraden Nummer mittels
des dritten Armes 20c zugeführt bzw. von ihr entnommen.
Wenn andererseits die Anzahl der Wascheinheiten mit einer gera
den Zahl ist, steuert die Steuereinheit 70 die Substratüberfüh
rungsvorrichtung 4 derartig, daß zuerst der Wafer W von der Kas
sette C des Zuführungsbereichs 12 durch den dritten Arm 20c ent
nommen wird. In diesem Fall wird der Wafer W durch den dritten
Arm 20c einer (ersten) Bearbeitungseinheit 7 (oder 6) mit einer
ungeraden Nummer zugeführt. Der Wafer W wird von der Bearbei
tungseinheit 7 (oder 6) durch den zweiten Arm 20b entnommen und
in eine (zweite) Bearbeitungseinheit 8 mit einer geraden Nummer
geladen bzw. zugeführt.
Wie in Fig. 8 gezeigt, ist der θ-Rotationsantriebsmechanismus 24
rechts unterhalb des Armteils 20 angebracht, wobei der
Basistisch 23 zwischen ihnen angeordnet ist. Der θ-Rotationsan
triebsmechanismus 24 weist eine Welle 24a, die mit dem
Basistisch 23 verbunden ist, und einen Schrittmotor 24b zum Dre
hen der Welle 24a auf. Der Armteil 20 wird um einen Winkel θ um
die Z-Achse durch den Mechanismus 24 gedreht.
Der X-Achsen-Bewegungsmechanismus 60 hat einen Motor 61, eine
Welle 62, Räder 63 und einen Lagerbock 64. Die Welle 62 ist mit
einer Antriebswelle des Motors 61 verbunden und wird von den
Lagerbock über Lager drehbar gestützt. Es ist anzumerken, daß
der Lagerbock 64 an der unteren Fläche der Basisplatte 16 ange
bracht ist. Die Räder 63 sind an der Welle 62 angebracht und auf
den Schienen 15 bewegbar angeordnet.
Nachstehend wird der Z-Achsen-Antriebsmechanismus 47 mit Bezug
auf die Fig. 8 bis 10 erklärt.
Der Z-Achsen-Antriebsmechanismus 47 hat eine Abdeckungsanordnung
22, die eine erste, zweite, dritte Gleitabdeckung 22a, 22b, 22c,
ein unbewegliches Trägerglied 30, erste und zweite bewegliche
Trägerglieder 31, 32 und den ersten und zweiten Kugelumlaufspin
delmechanismus 33, 34 aufweist. Das unbewegliche Trägerglied 30
ist an der Basisplatte 16 zusammen mit der ersten Gleitabdeckung
22a befestigt. Das unbewegbare Trägerglied 30 ist zylindrisch
geformt und umgibt einen ersten Kugelumlaufspindelmechanismus 33
und einen Teil eines zweiten Kugelumlaufspindelmechanismus 34.
Das unbewegliche Trägerglied 30 ist von der ersten Gleitabdeckung
22a umgeben, die mit seinem äußeren Bereich in Kontakt ist.
Am Boden des unbeweglichen Trägergliedes 30 ist ein Abluftaus
gang 30b ausgebildet, der mit einer (nicht gezeigten) Abluft
durchlaßanordnung der Fabrik verbunden ist. Ein Innenraum 48 der
Abdeckungsanordnung 22 wird durch den Abluftausgang 30b
entleert.
Das erste bewegliche Trägerglied 31 ist ein Hohlzylinder, der
mit einem Bodenteil 31a geschlossen ist, und umgibt einen Teil
des ersten Kugelumlaufspindelmechanismus 33 und eines zweiten
Kugelumlaufspindelmechanismus. Eine Gleitdichtung 31c ist in dem
unteren äußeren Bereich des ersten beweglichen Trägergliedes 31
bereitgestellt. Das erste bewegliche Trägerglied 31 und das un
bewegliche Trägerglied 30 sind gleitend aneinander mit der
Gleitdichtung 31c zwischen ihnen befestigt. Der obere Endteil
des ersten beweglichen Trägergliedes 31 ist mit der zweiten
Gleitabdeckung 22b verbunden. Die zweite Gleitabdeckung 22b wird
durch den ersten Kugelumlaufspindelmechanismus 33 zusammen mit
dem ersten beweglichen Trägerglied 31 nach oben und unten be
wegt. Es wird angemerkt, daß das erste bewegliche Trägerglied 31
von einer zweiten Gleitabdeckung 22b umgeben ist, wobei es mit
seinem äußeren Bereich mit dieser in Kontakt ist.
Das zweite bewegliche Trägerglied 32 ist ein Hohlzylinder, der
mit einem Bodenteil 32a geschlossen ist, und der einen Teil des
zweiten Kugelumlaufspindelmechanismus 34 und einen Teil des A-
Rotationsantriebsmechanismus 24 umgibt. Eine Gleitdichtung 32c
befindet sich in dem unteren äußeren Bereich des zweiten beweg
lichen Trägergliedes 32. Das erste und zweite bewegliche Träger
glied 31 und 32 sind gleitbar aneinander befestigt, wobei sich
die Gleitabdichtung 32c zwischen ihnen befindet. Weiterhin ist
das obere Endteil des zweiten beweglichen Trägergliedes 32 mit
der dritten Gleitabdeckung 22c verbunden und bewegt sich zusam
men mit dem zweiten Trägerglied 32 durch den zweiten Kugelum
laufspindelmechanismus 34 aufwärts und abwärts. Es wird ange
merkt, daß das zweite Trägerglied 32 von der dritten Gleitab
deckung 22c umgeben ist, wobei sein äußerer Bereich mit dieser
in Kontakt ist. Es wird angemerkt, daß der obere Endteil der
dritten Gleitabdeckung 22c mit dem unteren Teil des Rahmens des
θ-Rotationsantriebsmechanismus 24 verbunden ist.
Wie in Fig. 10 gezeigt, sind die erste, zweite, dritte Gleitab
deckung 22a, 22b, 22c, welche die Abdeckungsanordnung 22 bilden,
konzentrisch angeordnete Hohlzylinder. Diese Gleitabdeckungen
sind aus nichtrostendem Stahl gebildet und sind mit Fluor-halti
gem Harz beschichtet.
Die erste Gleitabdeckung 22a ist innerhalb der zweiten Gleitab
deckung 22b angeordnet. Die zweite Gleitabdeckung 22b ist inner
halb der dritten Gleitabdeckung 22c angeordnet. Mit anderen Wor
ten, der Außendurchmesser der ersten Gleitabdeckung 22a ist
kleiner als der Innendurchmesser der zweiten Gleitabdeckung 22b.
Der Außendurchmesser der zweiten Gleitabdeckung 22b ist kleiner
als der Innendurchmesser der dritten Gleitabdeckung 22c. Das
unbewegliche Trägerglied 30 ist andererseits außerhalb des er
sten beweglichen Trägergliedes 31 angeordnet. Das erste bewegli
che Trägerglied 31 ist außerhalb des zweiten beweglichen Träger
gliedes 32 angeordnet. Mit anderen Worten - der Innendurchmesser
des unbeweglichen Trägergliedes 30 ist größer als der Außen
durchmesser des ersten beweglichen Trägergliedes 31. Der Innen
durchmesser des ersten beweglichen Trägergliedes 31 ist größer
als der Außendurchmesser des zweiten, beweglichen Trägergliedes
32. Wenn, zum Beispiel, der Wafer W mit einem Durchmesser von 12
Inch verwendet wird, hat das unbewegliche Trägerglied 30 einen
Innendurchmesser von 280 mm und eine Länge von 400-500 mm. Das
erste bewegliche Trägerglied 31 hat einen Innendurchmesser von
260 mm und eine Länge von 400-500 mm. Das zweite bewegliche Trä
gerglied 32 hat einen Innendurchmesser von 240 mm und eine Länge
von 400-500 mm.
Nachstehend werden der erste und zweite Kugelumlaufspindelmecha
nismus 33, 34 noch detaillierter mit Bezug auf die Fig. 8 und 9
erklärt.
Der erste und zweite Kugelumlaufspindelmechanismus 33, 34 haben
jeweils Gewindespindeln 35, 40 und Muttern 36, 45, und einen ge
meinsamen Motor 42. Der gemeinsame Motor 42 ist an dem Bodenteil
31a des ersten beweglichen Trägergliedes 31 befestigt. Dessen
Welle 43 ragt unten aus dem Bodenteil 31a heraus. Die erste
Gewindespindel 35 ist im Eingriff mit einer ersten Mutter 36.
Die zweite Gewindespindel 40 ist mit einer Folgeriemenscheibe 45
ausgestattet. Die Welle 43 des gemeinsamen Motors 42 ist mit
einer Antriebsriemenscheibe 44 ausgestattet. Ein Gurt 46 ist
zwischen der Mutter 36 und den Scheiben 44, 45 gespannt. Wenn
der gemeinsame Motor 42 angetrieben wird, wird das Antriebsmo
ment auf die Mutter 36 und die Riemenscheibe 45, jeweils indi
viduell übertragen. Hieraus folgt, daß sich die Mutter 36 rela
tiv zu der Gewindespindel 35 aufwärts und abwärts bewegt. Syn
chron dazu wird die Riemenscheibe 45 zusammen mit der Spindel 40
nach oben und unten bewegt.
Die erste Gewindespindel 35 ist an der Basisplatte 16 und an der
ersten Gleitabdeckung 22a am unteren Ende befestigt. Der obere
Teil davon verläuft durch den Bodenteil 31a und reicht bis in
nerhalb des ersten beweglichen Trägergliedes 31. Die zweite
Gewindespindel 40 ist mit der Folgeriemenscheibe 45 am unteren
Ende verbunden. Der obere Teil verläuft durch den Bodenteil 32a
und reicht bis in das zweite bewegliche Trägerglied 32. Der obe
re Teil der zweiten Gewindespindel 40 ist mit einer zweiten Mut
ter 41 innerhalb des zweiten beweglichen Trägergliedes 32 ver
bunden. Es wird angemerkt, daß die erste Gewindespindel 35 durch
Führungslöcher, die in den Bodenteilen 31a, 32a ausgebildet
sind, ragt. (Nicht gezeigte) Lager sind an den Bodenteilen 31a,
32a, durch welche die zweite Gewindespindel 40 ragt, vorgesehen.
Fig. 8 zeigt eine Substrattransportvorrichtung 4, deren Abdeckungs
anordnung 22 im am weitesten auseinandergezogenen Zustand
ist.
In dem in Fig. 8 gezeigten Zustand beträgt, wenn ein Wafer W mit
einem Durchmesser von 12 Inch verwendet wird, die Höhe L1 von
der Basisplatte 16 bis zu dem Armteil 20 ungefähr 1000 bis 1300
mm. In diesem Fall befindet sich die dritte Gleitabdeckung 22c,
die an der äußersten Seite positioniert ist, in der höchsten
Position. Fig. 9 zeigt die Substrattransportvorrichtung, deren
Abdeckungsanordnung 22 am weitesten zusammengezogen ist. In dem
in Fig. 9 gezeigten Zustand beträgt, wenn ein Wafer W mit einem
Durchmesser von 12 Inch verwendet wird, die Höhe L2 von der Ba
sisplatte 16 bis zum Armteil 20 ungefähr zwischen 300 und 500
mm. In diesem Fall wird der Z-Achsen-Antriebsmechanismus 47 aus
reichend durch mehrere Gleitabdeckungen, nämlich die erste,
zweite und dritte Gleitabdeckung 22a, 22b, 22c, geschützt, was
zur Folge hat, daß zu keiner Zeit Partikel entweichen.
Aufgrund des verringerten Abstandes zwischen einem jeden der An
triebsmechanismen 23, 24, 47 und dem Bodenabluftausgang 30b ist
die Wirksamkeit der Evakuierung des Innenraumes 48 der Ab
deckungsanordnung beträchtlich erhöht. Daraus resultiert, daß
die Anzahl der in der Abdeckungsanordnung der vorliegenden Er
findung erzeugten Partikel, insbesondere im Vergleich zu der
konventionellen Abdeckung 108 (siehe Fig. 1), in der Balgform
beträchtlich reduziert ist.
Weiterhin tritt, selbst bei Entweichen der Lösung, keine chemi
sche Waschlösung in den Innenraum 48 ein, da die Gleitabdeckung
22c mit einem größeren Durchmesser höher angeordnet ist als die
Gleitabdeckungen 22a, 22b mit einem kleineren Durchmesser. Der
Antriebsmechanismus 47 innerhalb des Innenraumes kann geschützt
werden.
Da die zweite und dritte Gleitabdeckung 22b, 22c synchron auf
wärts und abwärts bewegt werden, kann das Armteil 20 schnell die
Zuführ-/Entnahmeöffnung 101a (102a, 103a) der Bearbeitungsein
heit erreichen, wodurch der Durchsatz erhöht wird. Überdies kann
die Größe der Substrattransportvorrichtung reduziert werden, da
der einzige Motor 42 gemeinsam für zwei Kugelumlaufspindeln 33,
34 genutzt wird.
Die Vielzahl der Bearbeitungseinheiten kann in verschiedenenen
Kombinationen, je nach den Waschbedingungen, genutzt werden. Zum
Beispiel kann eine eine bestimmte Einheit von den Bearbeitungs
einheiten zurückgezogen werden und umgekehrt kann eine andere
Einheit hinzugefügt werden. In dem Substratbearbeitungssystem
kann die Anzahl der Bearbeitungseinheiten, die für das Bearbei
ten des Wafers W erforderlich sind, einzeln oder in der Kombina
tion von zwei oder drei eingesetzt werden.
Nachstehend wird die Bearbeitungseinheit mit Bezug auf die Fig.
11 und 12 erklärt. Die Bearbeitungseinheiten 6-11 sind im we
sentlichen von gleicher Struktur, so daß die erste und zweite
Einheit 6, 7 stellvertretend erklärt werden.
In dieser Ausführung wird ein mechanisches Spannfutter als Sub
strathalteteil verwendet. Wie in Fig. 11 gezeigt, ist das mecha
nische Spannfutter 80 innerhalb eines Ablauftopfes bzw. einer
tassenartigen oder topfartigen Ablaufeinrichtung 90 vorgesehen.
Der Ablauftopf 90 hat einen beweglichen Ablauftopfteil 90a und
einen unbeweglichen Ablaufteil 90b. Das bewegliche Ablauftopf
teil 90a ist mit einer Stange 98a eines Zylinders 98 durch die
Öffnungen 90c, 90f verbunden. Wenn die Stange 98a aus dem Zylin
der 98 herausragt, bewegt sich das bewegliche Ablauftopfteil 90a
nach oben. Wenn die Stange 98a wieder im Zylinder 98 in einge
zogener Position ist, bewegt sich das bewegliche Ablauftopfteil
90a nach unten.
Eine Antriebswelle 83a eines Motors 83 passiert den mittleren
vorstehenden Teil 90g des unbeweglichen Topfteiles 90b und ist
mit einer Bodenplatte 81 des mechanischen Spannfutters 80 ver
bunden. Ein gedichtetes Lager 90h ist zwischen der Antriebswel
le 83s und dem mittleren vorstehenden Teil 90g positioniert. Ab
lauflöcher 90d sind in dem unbeweglichen Ablauftopf 90b angemes
sen ausgeformt. Die Drainage des Waschmittels aus dem Topf 80
erfolgt über die Ablauflöcher 90d.
Die Bodenplatte 81 des mechanischen Spannfutters 80 hat die
gleiche Größe bzw. Abmessung wie der Durchmesser des Wafers W.
Sechs ausgewählte oder vorstehende Teilbereiche 84 werden im
äußeren Bereich der Bodenplatte 81 vorgesehen. Ein Waferhalte
teil 85 ist für jedes ausgewählte Teil 84 vorgesehen. Der untere
halbe Innenumfangteil des Waferhalteteiles 85 ist nach innen ge
neigt, so daß es eine geneigte Fläche bildet. Die Außenumfangs
fläche des Wafers ist in Kontakt mit der Oberseite der geneigten
Fläche des Waferhalteteiles 85. Das Waferhalteteil 85 ist an dem
ausgewählten Teil 84 über eine horizontale Achse 86 angebracht.
Zusätzlich umgibt das Halteteil 85 ein Gewicht (nicht darge
stellt).
Der Wafer W wird in das mechanische Spannfutter 80 mittels des
Überführungsarms 20a (20b, 20c), wie in Fig. 12 dargestellt,
überführt. Der Überführungsarm 20a (20b, 20c) ist ein ringför
miges Element bzw. Ringelement (teilweise ausgeschnitten), des
sen Innendurchmesser größer ist als derjenige der Bodenplatte
81. Waferaufnahmeteile 88, die sich nach innen erstrecken, sind
an drei Teilabschnitten innerhalb des Ringelementes vorgesehen.
Der Wafer W ist an dem vorstehenden Teil 88a, das an dem Spit
zenbereich des Waferaufnahmeteiles 88 ausgebildet ist, aufgenom
men.
Der Ausschnitt 81a ist an der Bodenplatte 81 entsprechend des
Waferaufnahmeteiles 88 ausgebildet, so daß er an dem Waferauf
nahmeteil 88 entlangbewegt werden kann. Der Wafer, der von dem
Überführungsarm 20a (20b, 20c) gehalten wird, wird zum Waferhal
teteil 85 des mechanischen Spannfutters 80 geführt, indem der
Überführungsarm 20a (20b, 20c) von einer vorbestimmten Position
oberhalb des mechanischen Spannfutters 80 durch den Ausschnitt
81a hindurch abwärts bewegt wird.
Eine Scheibenbürste 91 wird von einem Bewegungsmechanismus
(nicht gezeigt) über den Arm 91a beweglich gehalten. Eine erste
Düse 92 wird von einem Bewegungsmechanismus (nicht gezeigt) mit
tels eines Armes 92a beweglich gehalten. Weiterhin wird eine
zweite Düse 93 von einem (nicht gezeigten) Bewegungsmechanismus
über einen Arm 93a beweglich gehalten. Die Bürste 91 und die
Düsen 92, 93 werden von der Ruhestellungs-Position in die Be
triebsposition durch jeweilige Bewegungsmechanismen bewegt, so
daß sie dem Wafer W gegenüberliegen.
Die erste Düse 92 ist unabhängig mit Versorgungsquellen 71, 72
für die chemischen Lösungen über ein Verteilerventil 77 verbun
den. Die erste Versorgungsquelle 71 der ersten Bearbei
tungseinheit 6 enthält z. B. eine Lösung aus einer Mischung von
Ammoniak/Wasserstoffperoxid (nachstehend "APM-Lösung" genannt).
Die zweite Versorgungsquelle 72 zum Waschen für eine chemische
Waschlösung enthält eine Lösung aus einer Mischung von Chlorwas
serstoffsäure (Salzsäure)/Wasserstoffperoxid (nachstehend "HPM-
Lösung" genannt). Der Stromkreis für die Stromversorgung des
Verteilerventils 77 ist an die Steuereinheit 70 angeschlossen.
Die Steuereinheit 70 steuert den Betrieb des Verteilerventils 77
auf Basis der eingegebenen Daten der Bearbeitungsbedingungen, um
für die Zufuhr von Bearbeitungslösung zu der ersten Düse 92
zwischen den Lösungen APM und HPM umzuschalten.
Auf der anderen Seite enthält die erste Versorgungsquelle 71 für
eine chemische Waschlösung der zweiten Bearbeitungseinheit 7
eine Mischung von Lösungen aus Ammoniak/Wasserstoffperoxid
(nachstehend "APM-Lösung" genannt). Die zweite Versorgungsquelle
72 für eine chemische Waschlösung enthält eine Lösung aus Fluor
wasserstoffsäure (nachstehend "DHF-Lösung" genannt). Die Steuer
einheit steuert den Betrieb des Verteilerventils 77 auf Basis
der eingegebenen Daten der Bearbeitungsbedingungen, d. h. es
schaltet die Zufuhr von Bearbeitungslösung zu der ersten Düse 92
zwischen den Lösungen APM und DHF um.
Die zweite Düse 93 ist mit einer Versorgungsquelle 73 für eine
Spüllösung, die als dritte Versorgungsquelle dient, verbunden.
Die Spüllösungsversorgungsquelle 73 enthält reines Wasser. Eine
jede der Lösungsversorgungsquellen 71, 72, 73 weist einen
Flußratenreglereinheit auf. Die Steuereinheit 70 steuert den
jeweiligen Betrieb der Versorgungsquellen 71, 72, 73 und stellt
die Flußrate für die Versorgung mit der Bearbeitungslösung ein.
Es ist anzumerken, daß die Versorgungsquellen 71, 72 der anderen
Bearbeitungseinheiten 8, 9, 10, 11 irgendeine bzw. jede der Lö
sungen, APM, HPM und DHF enthalten.
Nachstehend wird die Substrattransportvorrichtung 4A einer ande
ren Ausführungsform mit Bezug auf die Fig. 13 erklärt.
Die Substrattransportvorrichtung 4A hat einen Z-Achsen-Antriebs
mechanismus 50 als Mittel zum Bewegen des Armteiles 20 nach un
ten und nach oben. Der Z-Achsen-Antriebsmechanismus 50 hat einen
ersten und zweiten Zahnstangen- bzw. Raststangenmechanismus 51,
52. Der erste Zahnstangenmechanismus 51 bewegt die zweite Gleit
abdeckung 22b aufwärts und abwärts relativ zu der Gleitabdeckung
22a. Der zweite Zahnstangenmechanismus 52 bewegt die dritte
Gleitabdeckung 22c aufwärts und abwärts relativ zu der zweiten
Gleitabdeckung 22b.
Der erste Zahnstangenmechanismus 51 hat eine erste Zahnstange 53
und ein gemeinsames Zahnrad bzw. Ritzel 54, die miteinander im
Eingriff sind. Der zweite Zahnstangenmechanismus 52 hat eine
zweite Zahnstange 55 und ein gemeinsames Zahnrad bzw. Ritzel 54,
die miteinander im Eingriff sind. Die Welle des gemeinsamen
Zahnrades 54 ist mit einer Antriebswelle (hier nicht gezeigt)
eines Motors (hier nicht gezeigt) über ein Untersetzungsgetriebe
bzw. ein drehzahlverringerndes Getriebe (hier nicht gezeigt)
verbunden. Die erste Zahnstange 53 ist an der Basisplatte 16 und
der ersten Gleitabdeckung 22a am unteren Ende befestigt. Das
obere Teil der ersten Zahnstange 53 verläuft durch das Bodenteil
31a und reicht bis in das bewegliche Trägerglied 31 hinein. Die
zweite Zahnstange 55 ist mit dem Bodenteil 32a des zweiten be
weglichen Trägergliedes am oberen Ende verbunden. Das untere
Teilstück der zweiten Zahnstange 55 verläuft durch das Bodenteil
31a und reicht bis in das unbewegliche Trägerglied 30 hinein. Es
ist anzumerken, daß sowohl die erste als auch die zweite Zahn
stange 53, 55 durch die Führungslöcher (hier nicht gezeigt) im
Bodenteil 31a verlaufen.
Wie in Fig. 14 und 15 gezeigt, haben die erste, zweite und drit
te Einheit 6, 7, 8 entsprechende Zuführ-/Entnahmeöffnungen 6a,
7a, 8a in den Vorderflächen. Die Größe L3 in Längsrichtung der
Zuführ-/Entnahmeöffnung 6a (7a, 8a) ist ausreichend groß, um
eine Zuführung zu der Bearbeitungseinheit 6 (7, 8) mit wenig
stens zwei Armen 20a, 20c gleichzeitig zu ermöglichen. Mit ande
ren Worten - es ist wünschenswert, daß L3 der Höhe von zwei Ar
men 20a und 20b entspricht (alternativ 20b und 20c). Wenn z. B.
ein Wafer W von 12 Inches verwendet wird, liegt die Größe L3 der
Zuführ-/Entnahmeöffnung 6a (7a, 8a) ungefähr zwischen 50 und 80
mm. Bei dieser Struktur ist es, selbst beim Zuführen bzw. Ent
nehmen der Wafer, schwierig, daß von außen Partikel in die Bear
beitungseinheit 6 eindringen können.
Ein Verschluß 30 ist an jeder der Zuführ-/Entnahmeöffnung 6a,
7a, 8a angebracht. Ein jeder der Verschlüsse wird durch einen
darunter befindlichen Zylindermechanismus (nicht gezeigt) nach
abwärts und aufwärts bewegt. Die Hubbewegung des Verschlusses 30
entspricht der Distanz zwischen vertikal aneinander angrenzenden
Armen 20a und 20b (alternativ, 20b und 20c).
Nachstehend wird der Fall erklärt, bei dem der Wafer W der
Waschbehandlung einer ungeradzahligen Anzahl von Vorgängen un
terzogen wird, indem alle drei Bearbeitungseinheiten 6, 7, 8 mit
Bezug auf die Fig. 16, 17A bis 17F verwendet werden.
Zuerst wird eine Kassette C in den Zuführ-/Entnahmebereich 2
durch einen Transportroboter (nicht gezeigt) (Schritt S1) einge
legt bzw. geladen. Die Kassette C faßt 25 unbearbeitete Wafer W
(8 Inch oder 12 Inch Durchmesser). Ein Identifikationscode, der
die Daten für die Bearbeitungsbedingungen des Wafers enthält,
wird in einem geeigneten Teil der Kassette C angezeigt. Der op
tische Sensor (nicht gezeigt) liest den Identifikationscode gibt
diese gelesenen Daten in die Steuereinheit 70 (Schritt S2) ein.
Die Steuereinheit bestimmt auf Basis der eingegebenen Daten der
Bearbeitungsbedingungen, daß die Anzahl der Bearbeitungseinhei
ten, die für die Bearbeitung des Satzes eingesetzt werden, eine
ungerade Zahl ist. Basierend auf diesen Bestimmungsresultaten
werden Instruktionssignale zur Substrattransportvorrichtung 4
und Wascheinheit 3 gesendet.
Wie in Fig. 9 gezeigt, befindet sich der Spitzenbereich des Arm
teiles 20 gegenüber dem Zuführ-/Entnahmeteilstückes 2, während
sich die Abdeckung 22 in der am stärksten zusammengezogenen
Stellung befindet. Die zweite Gleitabdeckung 22b und die dritte
Gleitabdeckung 22c werden gleichzeitig angehoben, bis die Höhe
des Armteiles 20 gleich ist mit dem Niveau der Zuführ-/Entnahme
öffnung 6a (7a, 8a) der Bearbeitungseinheit. Auf diese Weise
wird die Abdeckung 22 schnell verlängert. Wie in Fig. 8 darge
stellt, bewegt sich das Armteil 20 nach oben zu dem Niveau bzw.
Ebene der Kassette C, um den zweiten Arm 20b in die Kassette C
einzuführen. Anschließend wird der zweite Arm 20b vorwärts be
wegt, um einen ersten Wafer W1 aus der Kassette durch den zwei
ten Arm 20b zu entnehmen (Schritt S3).
Wenn das Armteil 20 nach unten bewegt wird, werden die zweite
Gleitabdeckung 22b und die dritte Gleitabdeckung 22c gleichzei
tig nach unten bewegt, indem der Motor 42 rückwärts dreht. Auf
diese Weise wird die Abdeckung 22, wie in Fig. 9 dargestellt,
schnell zusammengezogen.
Wie in Fig. 17A dargestellt, bewegt sich der Verschluß 30 der
ersten Einheit 6 nach unten, um den Wafer W1 in die erste Ein
heit 6 durch die Zuführ-/Entnahmeöffnung 6a (Schritt S4) zuzu
führen. Wenn der erste Wafer W1 in das Rotationsspannfutter 80
überführt ist, wird der zweite Arm 20b zurückgezogen und danach
die Zuführ-/Entnahmeöffnung 6a geschlossen. Anschließend wird
der Wafer W1, während er durch das Rotationsspannfutter 80 ge
dreht wird und ihm von der ersten Düse 92 die Lösung Ammoniak/
Wasserstoffperoxid zugeführt wird, mittels einer Rotationsbürste
91 gebürstet, um die Oberfläche des Wafers W1 mit der APM-Lösung
zu waschen (Schritt S5). Nachdem der Waschvorgang mit der APM-
Lösung abgeschlossen ist, wird reines Wasser, das als Spüllösung
dient, durch die zweite Düse 93 dem Wafer W1 zugeführt, um den
Wafer W1 zu spülen. Weiterhin wird die Halbleiterscheibe bzw.
Wafer mit hoher Drehzahl durch das Rotationsspannfutter 80 ge
dreht, um die aufgetragene Lösung von dem Wafer W1 zu trennen
und zu entfernen (Schritt S6). Auf diese Weise wird der erste
Wafer W1 getrocknet.
Daraufhin wird die Zuführ-/Entnahmeöffnung 6a geöffnet. Dann
wird der dritte Arm 20c in die erste Einheit 6 eingeführt, um
den ersten Wafer W1 aus der ersten Einheit 6 durch den dritten
Arm 20c (wie in Fig. 17b dargestellt) zu entnehmen (Schritt S7).
Während dieses Zeitraumes bzw. zur gleichen Zeit wird der Wafer
W2 im voraus aus der Kassette C durch den zweiten Arm 20b ent
nommen und der Wafer W1 wird in die zweite Bearbeitungseinheit 7
durch den dritten Arm 20c geladen bzw. zugeführt.
Weiterhin wird, wie in Fig. 17 angezeigt, die Zuführ-/Entnahme
öffnung 7a der zweiten Einheit 7 geöffnet, um den ersten Wafer
W1 in die zweite Einheit 7 durch den dritten Arm 20c zu laden
(Schritt S8). Wenn der erste Wafer W1 in das Rotationsspannfut
ter 80 überführt ist, wird der dritte Arm 20c zurückgezogen und
die Zuführ-/Entnahmeöffnung 7a geschlossen. Nachfolgend wird,
während der Wafer W1 mittels des Rotationsspannfutters 80 ge
dreht wird und auf ihn eine Chlorwasserstoffsäure/ Wasserstoff
peroxid Lösung durch die erste Düse 92 aufgetragen wird, der
Wafer W1 mit der Rotationsbürste 91 gebürstet, um die Oberfläche
des Wafers W1 mit der HPM-Lösung zu waschen (Schritt S9).
Nachdem der Waschvorgang mit der HPM-Lösung abgeschlossen ist,
wird reines Wasser, welches als Spüllösung dient, auf den Wafer
W1 mittels der zweiten Düse 93 aufgetragen, um den Wafer W1 ab
zuspülen. Danach wird der Wafer W1 mit hoher Drehzahl mittels
des Rotationsspannfutters 80 gedreht, um die aufgetragene Lösung
von dem Wafer W1 zu trennen und zu entfernen (Schritt S10). Auf
diese Art wird die Oberfläche des Wafers W1 getrocknet.
Auf der anderen Seite wird der Wafer W2, der als nächstes ver
wendet werden soll, im voraus während des Ablaufs der Schritte
55 und 56 durch den zweiten Arm 20b aus dem Zuführ-/Entnahmebe
reich 2 entnommen (Schritt 21). Wie in Fig. 17B dargestellt,
bewegt sich der Verschluß 30 der ersten Einheit 6 nach unten, um
den zweiten Wafer W2 in die erste Einheit 6 durch die Zuführ-
/Entnahmeöffnung 6a (Schritt S22) einzuführen bzw. zu laden.
Wenn der zweite Wafer W2 in das Rotationsspannfutter 80 über
führt ist, wird der zweite Arm 20b zurückgezogen und der Ver
schluß 30 nach oben bewegt. Dann wird die Zuführ-/Entnahmeöff
nung geschlossen. Nachfolgend wird, während der Wafer W2 mittels
des Rotationsspannfutters 80 gedreht wird, auf diesen eine Ammo
niak/Wasserstoffperoxid-Lösung durch die erste Düse 92 aufgetra
gen und der Wafer W2 wird mit der Rotationsbürste 91 gebürstet,
um die Oberfläche des Wafers W2 mit der APM-Lösung zu waschen
(Schritt S23).
Nachdem der Waschvorgang mit der APM-Lösung abgeschlossen ist,
wird reines Wasser, welches als Spüllösung dient, dem Wafer W2
zugeführt, um den Wafer W2 abzuspülen. Danach wird der Wafer W2
mit hoher Drehzahl mittels des Rotationsspannfutters 80 gedreht,
um die aufgetragene Lösung von dem Wafer W2 zu trennen und zu
entfernen (Schritt S24). Auf diese Art wird die Oberfläche des
zweiten Wafers W2 getrocknet.
Weiterhin wird die Zuführ-/Entnahmeöffnung 6a der ersten Einheit
6 geöffnet. Anschließend wird der dritte Arm 20a in die erste
Einheit 6 eingeführt, um den zweiten Wafer W2 von der ersten
Einheit durch den dritten Arm 20c, wie in Fig. 17B dargestellt,
zu entnehmen (Schritt S25). Danach wird die Zuführ-/Entnahmeöff
nung 7a der zweiten Einheit 7, wie in Fig. 17C dargestellt, ge
öffnet, um den zweiten Wafer W2 in die zweite Einheit 7 durch
den dritten Arm 20c zu laden (Schritt S26). Wenn der zweite Wa
fer W2 in das Rotationsspannfutter 80 überführt ist, wird der
dritte Arm 20c zurückgezogen und der Verschluß 30 nach unten
bewegt, um die Zuführ-/Entnahmeöffnung 7a zu schließen. Während
der Wafer W2 durch das Rotationsspannfutter 80 gedreht wird und
dabei auf den Wafer W2 die Chlorwasserstoffsäure/Wasserstoff
peroxid-Lösung mittels der ersten Düse 92 aufgetragen wird, wird
der Wafer W2 mit der Rotationsbürste 91 gebürstet, um die Ober
fläche des Wafers W2 mit der HPM Lösung zu waschen (Schritt
S27). Nachdem der Waschvorgang mit der HPM Lösung abgeschlossen
ist, wird reines Wasser, welches als Spüllösung dient, dem Wafer
W2 zugeführt, um den Wafer W2 abzuspülen. Danach wird der Wafer
W2 mit hoher Drehzahl mittels des Rotationsspannfutters 80 ge
dreht, um die aufgetragenen Lösung von dem Wafer W2 zu trennen
und zu entfernen (Schritt S28). Auf diese Art wird die Oberflä
che des zweiten Wafers W2 getrocknet.
Vor dem Schritt S26 wird die Zuführ-/Entnahmeöffnung 7a der
zweiten Einheit 7 geöffnet. Anschließend wird der zweite Arm 20b
in die zweite Einheit 7 eingeführt, um den ersten Wafer W1 von
der zweiten Einheit durch den zweiten Arm 20b, wie in Fig. 17D
dargestellt, zu entnehmen (Schritt S11). Danach wird die Zuführ-
/Entnahmeöffnung 8a der dritten Einheit 8, wie in Fig. 17C dar
gestellt, geöffnet, um den ersten Wafer W1 in die dritte Einheit
8 durch den zweiten Arm 20b (Schritt S12) zu laden.
Wenn der erste Wafer W1 in das Rotationsspannfutter 80 überführt
ist, wird der zweite Arm 20b zurückgezogen und die Zuführungs-
/Entnahmeöffnung 8a wird geschlossen. Während der Wafer W1 durch
das Rotationsspannfutter 80 gedreht wird und dabei auf den Wafer
W1 die Fluorwasserstoffsäure-Lösung mittels der ersten Düse 92
aufgetragen wird, wird der Wafer W1 mit der Rotationsbürste 91
gebürstet, um die Oberfläche des Wafers W1 mit der DHF-Lösung zu
waschen (Schritt S13). Nachdem der Waschvorgang mit der DHF-Lö
sung abgeschlossen ist, wird reines Wasser, welches als Spüllö
sung dient, dem Wafer W1 mittels der zweiten Düse 93 zugeführt,
um den Wafer W1 abzuspülen. Danach wird der Wafer W1 mit hoher
Drehzahl mittels des Rotationsspannfutters 80 gedreht, um die
aufgetragene Lösung von dem Wafer W1 zu trennen und zu entfernen
(Schritt S14). Auf diese Art wird die Oberfläche des ersten
Wafers W1 getrocknet.
Die Zuführ-/Entnahmeöffnung 8a der dritten Einheit 8 wird geöff
net. Anschließend wird der erste Arm 20a in die dritte Einheit 8
eingeführt, um den ersten Wafer W1 aus der dritten Einheit 8
durch den ersten Arm 20a (Schritt S15), wie in Fig. 17F darge
stellt, zu entnehmen. Die Substrattransportvorrichtung befindet
sich wieder gegenüber dem Zuführ-/Entnahmebereich 2 von der
Wascheinheit 3. Danach wird der erste Arm 20a in Vorwärtsrich
tung bewegt, um den ersten Wafer W1 in die Kassette C (Schritt
S16) zu laden.
Nach dem Schritt S15 wird die Zuführ-/Entnahmeöffnung 7a der
zweiten Einheit 7 geöffnet. Anschließend wird der zweite Arm 20b
in die zweite Einheit 7 eingeführt, um den zweiten Wafer W2 von
der zweiten Einheit 7 durch den zweiten Arm 20b zu entnehmen
(Schritt 29), wie in Fig. 17 D dargestellt. Danach wird die Zu
führ-/Entnahmeöffnung 8a der dritten Einheit 8, wie in Fig. 17E
dargestellt, geöffnet, um den zweiten Wafer W2 in die dritte
Einheit durch den zweiten Arm 20b (Schritt S30) zu laden. Wenn
der zweite Wafer W2 in das Rotationsspannfutter 80 überführt
ist, wird der zweite Arm 20b zurückgezogen und die Zuführ-/Ent
nahmeöffnung 8a geschlossen. Nachfolgend wird, während der Wafer
W2 mittels des Rotationsspannfutters 80 gedreht wird und dabei
auf den Wafer W2 die Fluorwasserstoffsäure-Lösung mittels der
ersten Düse 92 aufgetragen wird, der Wafer W2 mit der Rota
tionsbürste 91 gebürstet, um die Oberfläche des Wafers W2 mit
der DHF-Lösung zu waschen (Schritt S31). Nachdem der Waschvor
gang mit der DHF-Lösung abgeschlossen ist, wird reines Wasser,
welches als Spüllösung dient, dem Wafer W2 mittels der zweiten
Düse 93 zugeführt, um den Wafer W2 abzuspülen. Danach wird der
Wafer W2 mit hoher Drehzahl mittels des Rotationsspannfutters 80
gedreht, um die aufgetragene Lösung von dem Wafer W2 zu trennen
und zu entfernen (Schritt S32). Auf diese Art wird die Oberflä
che des zweiten Wafers W2 getrocknet.
Die Zuführ-/Entnahmeöffnung 8a der dritten Einheit 8 wird geöff
net. Anschließend wird der erste Arm 20a in die dritte Einheit 8
eingeführt, um den zweiten Wafer W2 aus der dritten Einheit 8
durch den ersten Arm 20a, wie in Fig. 17F gezeigt, zu entnehmen
(Schritt S33). Dann befindet sich die Substrattransportvorrich
tung 4 wiederum gegenüber des Zuführ-/Entnahmebereiches 2 von
dem Waschbereich 3. Der erste Arm 20a wird in Vorwärtsrichtung
bewegt, um den zweiten Wafer W2 in die Kassette C zu laden
(Schritt S34). Während die Ab- und Aufwärtsbewegung des Armtei
les 20 der Substrattransportvorrichtung 4 wiederholt wird, wird
der Wafer W zu den Bearbeitungseinheiten 9, 10, 11 in der unte
ren Stufe bzw. Ebene der Substrattransportvorrichtung 4 über
führt und der Wafer W zu den Bearbeitungseinheiten 6, 7, 8 in
der oberen Stufe bzw. Ebene überführt.
Nachdem die gewaschenen fünfundzwanzig Wafer, W1 bis W25 konti
nuierlich in der Kassette C gespeichert sind, wird die Kassette
C aus dem System 1 durch den Zuführ-/Entnahmeteil 2 mittels des
Transportroboters (nicht gezeigt) entnommen und in einem näch
sten Verfahren geladen (Schritt S35).
Nachstehend wird der Fall erklärt, bei dem der Wafer W eine ge
radzahlige Anzahl (zwei Mal) unter Einsatz von zwei Bearbei
tungseinheiten 7, 8 (mit Bezug auf die Fig. 18 und 19A bis 19D)
gewaschen wird.
Die Kassette C wird in den Zuführ-/Entnahmebereich 2 durch den
Transportroboter (nicht dargestellt) (Schritt S41) eingeführt
bzw. geladen. Die Kassette C faßt 25 Wafer W. Ein Identifika
tionscode, der die Daten für die Bearbeitungsbedingungen ent
hält, wird in einem entsprechenden Teil der Kassette C wiederge
geben. Ein optischer Sensor (nicht gezeigt) liest den Identifi
kationscode und gibt die ausgelesenen Daten an die Steuereinheit
70 weiter (Schritt S42). Die Steuereinheit 70 bestimmt auf Basis
der eingegebenen Daten der Bearbeitungsbedingungen, daß eine
geradzahlige Anzahl (zwei) von Bearbeitungseinheiten für die
Bearbeitung des Satzes erforderlich ist. Basierend auf diesen
Bestimmungsresultaten werden Instruktionssignale jeweils zur
Substrattransportvorrichtung 4 und Wascheinheit 3 gesendet.
Wie in Fig. 9 gezeigt, befindet sich der Spitzenbereich des Arm
teiles 20 gegenüber dem Zuführ-/Entnahmebereich 2, während sich
die Abdeckung 22 in der am stärksten zusammengezogenen Stellung
befindet. Die zweite Gleitabdeckung 22b und die dritte Gleit
abdeckung 22c werden gleichzeitig angehoben, bis die Höhe des
Armteils 20 gleich ist mit dem Niveau der Zuführ-/Entnahmeöff
nung 6a (7a, 8a) der Bearbeitungseinheiten. Auf diese Weise ge
langt die Abdeckung 22 schnell in die ausgezogene Position. Wie
in Fig. 8 dargestellt, bewegt sich das Armtteil 2 in einem Hub
nach oben, bis es sich auf dem Niveau der ersten Bearbei
tungseinheit 6 befindet, um damit zu ermöglichen, daß der dritte
Arm 20c in die zweite Bearbeitungseinheit 7 eingeführt wird.
Anschließend wird der dritte Arm 20c vorwärts bewegt, um den er
sten Wafer W1 aus der Kassette C durch den dritten Arm 20c zu
entnehmen (Schritt S43). Wenn das Armteil 20 in Abwärtsrichtung
bewegt wird, dreht der Motor rückwärts, um die zweite und dritte
Abdeckung 22b, 22c gleichzeitig zu bewegen. Auf diese Weise wird
die Abdeckung 22 schnell, wie Fig. 9 dargestellt, zusammengezo
gen.
Wie in Fig. 19a dargestellt, wird der Verschluß 30 der zweiten
Einheit 7 in Abwärtsrichtung bewegt, um den ersten Wafer W1 in
die zweite Einheit 7 durch die Zuführ-/Entnahmeöffnung 7a mit
tels des dritten Armes 20c zu laden (Schritt S44). Der erste
Wafer W1 wird in das Rotationsspannfutter 80 überführt, der
dritte Arm 20c wird zurückgezogen, und dann wird die Zuführ-
/Entnahmeöffnung 7a geschlossen. Nachfolgend wird, während der
Wafer W1 mittels des Rotationsspannfutters 80 gedreht wird und
dabei auf den Wafer W1 die Ammoniak/Wasserstoffperoxid-Lösung
mittels der ersten Düse 92 zugeführt wird, der Wafer W1 mit der
Rotationsbürste 91 gebürstet, um die Oberfläche des Wafers W1
mit der APM-Lösung zu waschen (Schritt S45). Nachdem der Wasch
vorgang mit der APM-Lösung abgeschlossen ist, wird reines Was
ser, welches als Spüllösung dient, dem Wafer W1 mittels der
zweiten Düse 93 zugeführt, um den Wafer W1 abzuspülen. Danach
wird der Wafer W1 mit hoher Drehzahl mittels des Rotationsspann
futters 80 gedreht, um die aufgetragene Lösung von dem Wafer W1
zu trennen und zu entfernen (Schritt S46). Auf diese Art wird
die Oberfläche des ersten Wafers W1 getrocknet.
Anschließend wird wie in Fig. 19B gezeigt die Zuführ-/Entnahme
öffnung 7a geöffnet. Dann wird der zweite Arm 20b in die zweite
Einheit 7 eingeführt, um den ersten Wafer W1 aus der zweiten
Einheit 7 durch den zweiten Arm 20b zu entnehmen (Schritt S47).
Weiterhin wird die Zuführ-/Entnahmestation 8a der dritten Ein
heit 8, wie in Fig. 19C gezeigt, geöffnet, um den ersten Wafer
W1 in die dritte Einheit 8 durch den zweiten Arm 20b zu laden
(Schritt S48). Wenn der erste Wafer W1 in das Rota
tionsspannfutter 80 überführt ist, wird der zweite Arm 20b zu
rückgezogen und die Zuführ-/Entnahmestation 8a geschlossen.
Nachfolgend wird, während der Wafer W1 mittels des Rotations
spannfutters 80 gedreht wird und dabei auf den Wafer W1 die Flu
orwasserstoffsäure-Lösung mittels der ersten Düse 92 aufgetragen
wird, der Wafer W1 mit der Rotationsbürste 91 gebürstet, um die
Oberfläche des Wafers W1 mit der DHF-Lösung zu waschen (Schritt
S49). Nachdem der Waschvorgang mit der DHF-Lösung abgeschlossen
ist, wird reines Wässer, welches als Spüllösung dient, dem Wafer
W1 mittels der zweiten Düse 93 zugeführt, um den Wafer W1 abzu
spülen. Danach wird der Wafer W1 mit hoher Drehzahl mittels des
Rotationsspannfutters 80 gedreht, um die aufgetragene Lösung von
dem Wafer W1 zu trennen und zu entfernen (Schritt S50). Auf die
se Art wird die Oberfläche des ersten Wafers W1 getrocknet.
Wie in Fig. 19D dargestellt, wird anschließend die Zuführ-/Ent
nahmeöffnung 8a der dritten Einheit 8 geöffnet. Dann wird der
erste Arm 20a in die dritte Einheit 8 eingeführt, um den ersten
Wafer W1 aus der dritten Einheit 8 durch den ersten Arm 20a zu
entnehmen (Schritt S51). Die Substrattransportvorrichtung 4 be
findet sich nun wieder gegenüber des Zuführ/Entnahmebereiches 2
von der Wascheinheit 3. Anschließend wird der erste Arm 20a in
Vorwärtsrichtung bewegt, um den ersten Wafer W in die Kassette C
zu laden (Schritt S52).
Andererseits entnimmt der dritte Arm 20c den Wafer W2, der als
nächstes verwendet werden soll, im voraus aus dem Zuführ-/Ent
nahmebereich 2 während des Ablaufs der Schritte S45 und S46
(Schritt S61). Wie in Fig. 19A gezeigt, wird der Verschluß 30
der zweiten Einheit 7 nach unten bewegt, um den zweiten Wafer W2
in die zweite Einheit 7 durch die Zuführ-/Entnahmeöffnung 7a zu
laden (Schritt S62). Wenn der zweite Wafer W2 in das Rotations
spannfutter 80 überführt ist, wird der dritte Arm 20c zurückge
zogen und der Verschluß 30 nach oben bewegt, und anschließend
wird die Zuführ-/Entnahmeöffnung 7a geschlossen. Im Anschluß
daran, während der Wafer W2 mittels des Rotationsspannfutters 80
gedreht wird und dabei auf den Wafer W2 die Ammoniak/Wasser
stoffperoxid-Lösung mittels der ersten Düse 92 aufgetragen wird,
wird der Wafer W2 mit der Rotationsbürste 91 gebürstet, um die
Oberfläche des Wafers W2 mit der APM-Lösung zu waschen (Schritt
S63). Nachdem der Waschvorgang mit der APM-Lösung abgeschlossen
ist, wird reines Wasser, welches als Spüllösung dient, auf dem
Wafer W2 mittels der zweiten Düse 93 zugeführt, um den Wafer W2
W2 abzuspülen. Danach wird den Wafer W2 mit hoher Drehzahl mit
tels des Rotationsspannfutters 80 gedreht, um die aufgetragene
Lösung von dem Wafer W2 zu trennen und zu entfernen (Schritt
S50). Auf diese Art wird die Oberfläche des zweiten Wafers W2
getrocknet.
Dann wird die Zuführ-/Entnahmestation 7a der zweiten Einheit 7,
wie in Fig. 19B gezeigt, geöffnet. Anschließend wird der zweite
Arm 20b in die zweite Einheit 7 eingeführt, um den zweiten Wafer
W2 aus der zweiten Einheit 7 durch den zweiten Arm 20b zu ent
nehmen (Schritt S65).
Weiterhin, wie in Fig. 19C gezeigt, wird die Zuführ-/Entnahme
öffnung 8a der dritten Einheit 8 geöffnet, um den zweiten Wafer
W2 in die dritte Einheit 8 durch den zweiten Arm 20b zu laden
(Schritt S66). Wenn der zweite Wafer W2 in das Rotationsspann
futter 80 überführt ist, wird der zweite Arm 20b zurückgezogen
und der Verschluß 30 nach oben bewegt, um die Zuführ-/Entnahme
öffnung 8a zu schließen. Während der Wafer W2 mittels des Rota
tionsspannfutters 80 gedreht wird und dabei auf den Wafer W2 die
Fluorwasserstoffsäure-Lösung mittels der ersten Düse 92 aufge
tragen wird, wird der Wafer W2 mit der Rotationsbürste 91 gebür
stet, um die Oberfläche des Wafers W2 mit der DHF-Lösung zu wa
schen (Schritt S67). Nachdem der Waschvorgang mit der DHF-Lösung
abgeschlossen ist, wird reines Wasser, welches als Spüllösung
dient, dem Wafer W2 zugeführt, um den Wafer W2 abzuspülen. Da
nach wird der Wafer W2 mit hoher Drehzahl mittels des Rotations
spannfutters 80 gedreht, um die aufgetragene Lösung von dem Wa
fer W2 zu trennen und zu entfernen (Schritt S68). Auf diese Art
wird die Oberfläche des zweiten Wafers W2 getrocknet.
Wie in Fig. 19D dargestellt, wird die Zuführ-/Entnalimeöffnung
der dritten Einheit 8 geöffnet. Anschließend wird der erste Arm
20a in die dritte Einheit 8 eingeführt, um den zweiten Wafer W2
aus der dritten Einheit 8 durch den ersten Arm 20a zu entnehmen
(Schritt S69). Weiterhin wird die Substrattransportvorrichtung 4
wieder dem Zuführ-/Entnahmebereiches 2 von der Wascheinheit 3
gegenübergestellt. Dann wird der erste Arm 20a in Vorwärtsrich
tung bewegt, um den zweiten Wafer W2 in die Kassette C zu laden
(Schritt S70). Während die Aufwärts-und-Abwärts-Bewegung des
Armteiles 20 wiederholt wird, wird der Wafer W zu den Bearbei
tungseinheiten 9, 10, 11 auf die untere Stufe bzw. Ebene der
Substrattransportvorrichtung weitergeleitet und der Wafer W zu
den Bearbeitungseinheiten 6, 7, 8 in der oberen Stufe bzw. Ebene
überführt.
Nachdem die gewaschenen ersten bis fünfundzwanzigsten Wafer W
fortlaufend in der Kassette C gespeichert sind, wird die Kasset
te C aus dem System 1 durch das Zuführ-/Entnahmeteil 2 mittels
des Transportroboters (nicht gezeigt) entnommen und in einem
nächsten Verfahren geladen (Schritt S71).
Bei den vorgenannten Ausführungen handelt es sich um zwei oder
drei Bearbeitungseinheiten. Jedoch beschränkt sich die vorlie
gende Erfindung nicht darauf. Die vorliegende Erfindung kann
auch in dem Fall angewandt werden, wenn die Halbleiterscheibe in
vier, sechs oder fünf oder sieben Bearbeitungseinheiten behan
delt werden soll.
Gemäß den Ausführungen, werden der erste, zweite, dritte Arm
20a, 20b, 20c separat in Abhängigkeit von ihrer jeweiligen Funk
tion eingesetzt. Darum haften selten Schmutzstoffe wie Partikel
an den gereinigten Halbleiterscheiben. Daraus resultiert, daß
die Oberfläche der Halbleiterscheibe sauber gehalten werden
kann.
Im Vergleich zu herkömmlichen Fällen ist die Bewegungsdistanz
bzw. -strecke des Verschlusses verringert, wenn die Zuführ-/Ent
nahmeöffnung geöffnet und geschlossen wird. Aus diesem Grund
kann der Durchsatz verbessert werden. Da die Bewegungsstrecke
des Armteiles reduziert ist, wenn 04961 00070 552 001000280000000200012000285910485000040 0002019910478 00004 04842der Arm für das Zuführen und
Entnehmen ausgetauscht bzw. gewechselt wird (da der Arm über
eine Strecke, die zwei Stufen bzw. Ebenen des Armes entspricht,
bewegt wird), wird der Durchsatz verbessert.
Weiterhin kann die gegenseitige Wechselwirkung zwischen der in
neren Atmosphäre der Bearbeitungseinheiten 6 bis 11 und der äu
ßeren Atmosphäre verringert werden, weil die Öffnungsflächen der
Zuführungs-/Entnahmeöffnungen 6a bis 11a reduziert sind.
Weiterhin bewegt sich der Armteil schnell nach oben, indem die
zweite und dritte Gleitabdeckung 22b, 22c gleichzeitig nach oben
bewegt werden. Auch wenn die Substrattransportvorrichtung über
einen langen Zeitraum eingesetzt wird, läßt die Luftundurchläs
sigkeit bzw. Dichtheit nicht nach und es werden im wesentlichen
keine Partikel erzeugt.
Darüberhinaus dringt aufgrund der Struktur keine Flüssigkeit ins
Innere der Abdeckung ein, auch dann nicht, wenn eine Leckage
auftritt mit dem Ergebnis, daß der innere Antriebsmechanismus
nicht durch Rost zerstört wird. Außerdem wird eine Vielzahl von
Antriebsmechanismen durch einen gemeinsamen Motor und ein ge
meinsames Ritzel bzw. Zahnrad betrieben, so daß die Substrat
transportvorrichtung in der Größe reduziert ist.
Nachstehend wird ein Substratbearbeitungssystem in einer anderen
Ausführung mit Bezug auf die Fig. 20 erklärt.
Ein Substratbearbeitungssystem 1A hat einen Kassettenbereich 2,
einen ersten und zweiten Substrattransportarmmechanismus 4, 12,
einen Bearbeitungsbereich 3A und einen Zwischenspeichermechanis
mus, der als Substratzuführ-/entnahmebereich dient. Der Kasset
tenbereich 2 und der erste Substrattransportarmmechanismus 4
sind gleich denen der vorher genannten Ausführungsform. Der Be
arbeitungsbereich 3A hat eine Vielzahl von Bearbeitungseinheiten
6A-11A und den zweiten Substrattransportarmmechanismus 12 und
den Zwischenspeichermechanismus 13. Die Bearbeitungseinheiten
6A-11A gleichen im wesentlichen den Bearbeitungseinheiten 6-11
in der vorgenannten Ausführungsform. Der Substrattransportarmme
chanismus 12 ist in einem Transportabschnitt 5A des Bearbei
tungsbereiches 3A angeordnet. Der zweite Substrattransportarmme
chanismus 12 hat drei Arme 12a, 12b, 12c, die jeweils den Wafer
W halten, einen Rückwärts- und Vorwärtsbewegungsmechanismus zum
Bewegen eines jeden der Arme 12a, 12b, 12c in Rückwärts- und
Vorwärtsrichtung, einen Z-Achsen-Antriebsmechanismus zum Bewegen
eines Armteiles nach unten und nach oben, und einen θ-Rotations-
Mechanismus zum Drehen des Armteiles um die Z-Achse. Solch eine
Transportvorrichtung 12 ist in dem US-Patent Nr. 5,664,254 of
fenbart.
Die Bearbeitungseinheiten 6A-11A und der Zwischenspeichermecha
nismus 13 sind so angeordnet, daß sie den zweiten Substrattrans
portarmmechanismus 12 umgeben. Der Zwischenspeichermechanismus
13 ist zwischen dem ersten Transportabschnitt 5 und dem zweiten
Transportabschnitt 5A angeordnet. Der Wafer W wird über den Zwi
schenspeichermechanismus 13 von dem Substrattransportarmmecha
nismus 4 zu dem zweiten Substrattransportarmmechanismus 12 wei
tergeleitet.
Bei den vorgenannten Ausführungsformen wird der Zwischenspei
chermechanismus 13 als Substratzuführ-/entnahmebereich
eingesetzt. Die vorliegende Erfindung beschränkt sich nicht dar
auf. Der erste und zweite Substrattransportarmmechanismus 4, 12
können in Kombination als Substratzuführ-/entnahmebereich einge
setzt werden. Insbesondere kann der Wafer W direkt zwischen dem
ersten Substrattransportarmmechanismus 4 und dem zweiten Sub
strattransportarmmechanismus 12 transportiert werden, ohne daß
er durch den Zwischenspeichermechanismus 13 läuft. In diesem
Fall kann der Zeitraum, der für das Weiterleiten des Wafers W
erforderlich ist, reduziert werden und der Durchsatz erhöht wer
den.
Vorteile und Änderungen sind dem Fachmann ersichtlich. Aus die
sem Grund beschränkt sich die Erfindung in ihren breiten Aspek
ten nicht auf die spezifischen Details und Ausführungsformen,
die hier aufgezeigt und beschrieben werden. Dementsprechend kön
nen viele Änderungen innerhalb des erfindungsgemäßen Konzeptes,
wie es in den beigefügten Ansprüchen und deren Äquivalente defi
niert ist, durchgeführt werden.
Claims (17)
1. Verfahren zum Transportieren eines Substrates unter Verwen
dung einer Substrattransportvorrichtung, die aufweist:
- 1. mindestens einen ersten, zweiten und dritten Arm (20a, 20b, 20c), die vertikal in mehreren Stufen angeordnet sind,
- 2. eine Vielzahl von Bearbeitungseinheiten (6 bis 11, 6A bis 11A), von denen jede mit einer Zuführ-/Entnahme öffnung (6a bis 11a) zum Zuführen und Entnehmen des Substrates ausgestattet ist,
- a) Eingeben von Daten der Bearbeitungsbedingungen zum Bearbeiten des Substrates;
- b) Bestimmen, ob eine Anzahl von Bearbeitungseinheiten, die für die Bearbeitung des Substrates erforderlich ist, eine gerade oder ungerade Zahl ist;
- c) wenn aus der Bestimmung des Schrittes b) eine ungerade
Anzahl resultiert,
- 1. Transportieren des Substrates gemäß den nachfol gend aufgeführten Schritten (d1) bis (i1):
- 2. Entnehmen des Substrates durch den zweiten Arm (20b) aus einem Substratzuführ-/entnah mebereich (2, 13);
- 3. Zuführen bzw. Laden des Substrates durch den zweiten Arm (20b) in eine Bearbeitungsein heit (6, 6A) mit einer ungeraden Nummer;
- 4. Entnehmen des Substrates durch den dritten Arm (20c) aus einer Bearbeitungseinheit (6, 6A) mit einer ungeraden Nummer; ausgenommen, es handelt sich um eine letzte Bearbeitungs einheit (8, 8A);
- 5. Zuführen des Substrates durch den dritten Arm (20c) in eine Bearbeitungseinheit (7, 7A) mit einer geraden Nummer;
- 6. Entnehmen des Substrates durch den zweiten Arm (20b) aus einer Bearbeitungseinheit (7, 7A) mit einer geraden Nummer; und
- 7. Entnehmen des Substrates aus der letzten
Bearbeitungseinheit (8) durch den ersten Arm
(20a) und Zuführen des Substrates durch den
ersten Arm (20a) in den Zuführ-/Entnahmebe
reich (2, 13);
und
- d) wenn aus der Bestimmung des Schrittes b) eine gerade
Anzahl resultiert,
- 1. Transportieren des Substrates gemäß den nachfol gend aufgeführten Schritten (d2) bis (i2);
- 2. Entnehmen des Substrates durch den dritten Arm (20c) aus dem Zuführ-/Entnahmebereich (2, 13);
- 3. Zuführen des Substrates durch den dritten Arm (20c) in eine Bearbeitungseinheit (7, 7A) mit einer ungeraden Nummer;
- 4. Entnehmen des Substrates durch den zweiten Arm (20b) aus einer Bearbeitungseinheit (7, 7A) mit einer ungeraden Nummer;
- 5. Zuführen des Substrates durch den zweiten Arm (20b) in eine Bearbeitungseinheit (8, 8A) mit einer geraden Nummer;
- 6. Entnehmen des Substrates durch den dritten Arm (20c) aus einer Bearbeitungseinheit mit einer geraden Nummer, ausgenommen es handelt sich um eine letzte Bearbeitungseinheit (8, 8A); und
- 7. Entnehmen des Substrates durch den ersten Arm (20a) aus der letzten Bearbei tungseinheit (8, 8A) und Zuführen des Sub strates durch den ersten Arm (20a) in den Zuführ-/Entnahmebereich (2, 13).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in
der Bearbeitungseinheit (6 bis 11, 6A bis 11A) Schmutzstof
fe von einer Oberfläche des Substrates durch Reiben bzw.
Bürsten der Oberfläche des Substrates mit einer Bürste ent
fernt werden, während eine Waschlösung auf das Substrat ge
schüttet bzw. gegossen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein
zweites Substrat (W2), das als nächstes zu verwenden ist,
aus dem Zuführ-/Entnahmebereich (2, 13) im voraus durch den
zweiten Arm (20b) während einer Zeitdauer von Schritt (e1)
bis (f1) entnommen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das
zweite Substrat (W2) aus der Bearbeitungseinheit (6, 6A)
mit einer ungeraden Nummer im voraus durch den dritten Arm
(20c) während einer Zeitdauer von Schritt (g1) bis (h1)
entnommen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
zweite Substrat (W2) aus dem Substratzuführ-/entnahme
bereich (2, 13) im voraus durch den dritten Arm (20c) wäh
rend einer Zeitdauer von Schritt (e2) bis (f2) entnommen
wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das
zweite Substrat (W2) aus einer Bearbeitungseinheit (7, 7A)
mit einer ungeraden Nummer im voraus während einer Zeitdau
er von Schritt (g2) bis (h2) entnommen wird.
7. Substratbearbeitungssystem, das aufweist:
- 1. einen Substratzuführ-/entnahmebereich zum Aufnehmen einer Vielzahl von Substraten und sequentielles, ver einzeltes Ausgeben der Substrate;
- 2. einen Bearbeitungsbereich (3, 3A), mit einer Vielzahl von Bearbeitungseinheiten (6 bis 11, 6A bis 11A), von denen jede eine Zuführ-/Entnahmeöffnung (6a bis 11a) zum Zuführen und Entnehmen des Substrates aufweist;
- 3. eine Substrattransportvorrichtung (4, 4A, 12), die mindestens einen ersten, zweiten und dritten Arm (20a, 20b, 20c) hat, welche beweglich zwischen dem Substrat zuführ-/entnahmebereich (2, 13) und dem Bearbeitungs bereich und vertikal in mehreren Stufen bzw. Ebenen angeordnet sind und die einen Rückwärts- und Vorwärts bewegungsmechanismus zum Bewegen des ersten, zweiten und dritten Armes (20a, 20b, 20c) nach hinten und vorn aufweist;
- 4. einen Steuerbereich (70) zum Steuern bzw. Kontrollie ren eines Betriebes der Substrattransportvorrichtung (4, 4A, 12); und
- 5. Dateneingabemitteln zum Eingeben der Daten der Bear
beitungsbedingungen des Substrates in den Steuerbe
reich (70);
wobei der Steuerbereich (70) die Substrattransportvor richtung (4, 4A, 12) steuert mittels- 1. Bestimmen auf Basis der Daten der Bearbeitungs bedingungen, ob eine Anzahl von Bearbeitungsein heiten, die für das Bearbeiten des Substrates erforderlich sind, ungerade oder gerade ist; und
- 2. wenn aus dem Bestimmen eine ungerade Anzahl re
sultiert,
Entnehmen des Substrates durch den zweiten Arm (20b) aus dem Substratzuführ-/Entnahmebereich (2, 13);
Zuführen des Substrates durch den zweiten Arm (20b) zu einer Bearbeitungseinheit (6, 6A) mit ungerader Nummer;
Entnehmen des Substrates durch den dritten Arm (20c) aus einer Bearbeitungseinheit (6, 6A) mit einer ungeraden Nummer, ausgenommen es handelt sich um eine letzte Bearbeitungseinheit (8, 8A);
Zuführen des Substrates durch den dritten Arm (20c) in eine Bearbeitungseinheit mit einer gera den Nummer;
Entnehmen des Substrates durch den zweiten Arm (20b) aus einer Bearbeitungseinheit (7, 7A) mit einer geraden Nummer;
Entnehmen des Substrates durch den ersten Arm (20a) aus der letzten Bearbeitungseinheit (8, 8A); und weiterhin
Zuführen des Substrates durch den ersten Arm (20a) zu dem Substratzuführ-/entnahmebereich (2, 13);
und - 3. wenn aus dem Bestimmen eine gerade Anzahl resul
tiert,
Entnehmen des Substrates durch den dritten Arm (20c) aus dem Substratzuführ-/entnahmebereich (2, 13);
Zuführen des Substrates durch den dritten Arm (20c) zu einer Bearbeitungseinheit (6, 6A) mit einer ungeraden Nummer;
Entnehmen des Substrates durch den zweiten Arm (20b) aus einer Bearbeitungseinheit (6, 6A) mit einer ungeraden Nummer;
Zuführen des Substrates durch den zweiten Arm (20b) zu einer Bearbeitungseinheit (7, 7A) mit einer geraden Nummer; Entnehmen des Substrates durch den dritten Arm (20c) aus einer Bearbeitungseinheit mit einer geraden Nummer, ausgenommen es handelt sich um die letzte Bearbeitungseinheit (8, 8A);
Entnehmen des Substrates durch den ersten Arm aus der letzten Bearbeitungseinheit; und weiterhin
Zuführen des Substrates durch den ersten Arm (20a) in den Substratzuführ-/entnahmebereich (2, 13).
8. System nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
in der Bearbeitungseinheit (6 bis 11, 6A bis 11A) Schmutz
teile von einer Oberfläche des Substrates während der Zu
fuhr einer Waschlösung auf das Substrat durch Reiben bzw.
Bürsten der Oberfläche des Substrates mit einer Bürste ent
fernbar sind.
9. System nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die
Substrattransportvorrichtung (4, 4A, 12) folgendes auf
weist:
- 1. einen θ-Rotationsantriebsmechanismus (24) zum Drehen um einen Winkel von θ um jede der vertikalen Achsen des ersten, zweiten und dritten Armes (20a, 20b, 20c);
- 2. Rückwärts- und Vorwärtsbewegungsmechanismus (21) zum Bewegen eines jeden ersten, zweiten und dritten Armes (20a, 20b, 20c) nach vorn und nach hinten;
- 3. einen Z-Achsen-Antriebsmechanismus (48, 50) zum Bewe gen des ersten, zweiten und dritten Armes (20a, 20b, 20c) in Z-Achsen-Richtung; und
- 4. eine Abdeckungsanordnung (22), die eine Vielzahl von Gleitabdeckungen (22a, 22b, 22c) aufweist, welche den Z-Achsen-Antriebsmechanismus (48, 50) umgeben und miteinander gleitfähig angeordnet sind, wobei ein Durchmesser einer oberen Gleitabdeckung (22b, 22c) größer ist als ein Durchmesser einer unteren Gleitab deckung (22a).
10. System nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die
Abdeckungsanordnung durch eine konzentrische Anordnung ei
ner Vielzahl zylindrischer Gleitabdeckungen (22a, 22b, 22c)
gebildet ist.
11. System nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die
Zuführ-/Entnahmeöffnung (6a bis 11a) der Bearbeitungsein
heit (6 bis 11) ausreichend groß ist, um mittels zweier
Arme des ersten, zweiten und dritten Armes zuzuführen und
zu entnehmen.
12. Substrattransportvorrichtung zum sequentiellen, vereinzel
ten Transportieren von Substraten aus einem Substratzuführ-
/entnahmebereich (2, 13) zu einem Bearbeitungsbereich (3,
3A), die aufweist:
- 1. eine Vielzahl von Armen (20a, 20b, 20c) zum Halten eines Substrates;
- 2. einen 6-Rotations-Antriebsmechanismus (24) zum gleich zeitigen-Drehen der Vielzahl von Armen (20a, 20b, 20c) um eine vertikale Achse um einen Winkel θ;
- 3. einen Rückwärts- und Vorwärtsbewegungsmechanismus (21) zum Bewegen der Vielzahl von Armen (20a, 20b, 20c) rückwärts und vorwärts;
- 4. einen Z-Achsen-Antriebsmechanismus (48, 50) für eine gleichzeitige Aufwärts- und Abwärtsbewegung der Viel zahl von Arme (20a, 20b, 20c) und;
- 5. eine Abdeckungsanordnung (22), welche den Z-Achsen-
Antriebsmechanismus (48, 50) umgibt, wodurch der Z-
Achsen-Antriebsmechanismus von einer Außenatmosphäre
abgeschottet ist,
wobei die Abdeckungsanordnung (22) eine Vielzahl von zylindrischen Gleitabdeckungen (22a, 22b, 22c) auf weist, die gleitfähig konzentrisch angeordnet sind, wobei bei einer Aufwärtsbewegung der Vielzahl von Ar men (20a, 20b, 20c) durch den Z-Achsen-Antriebsmecha nismus (48, 50) eine äußere Gleitabdeckung (22b, 22c) gleitend zu einer inneren Gleitabdeckung (22a) beweg bar ist, wodurch die äußere Gleitabdeckung (22b, 22c) oberhalb der inneren Gleitabdeckung (22a) angeordnet ist.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
die Abdeckungsanordnung (22) folgendes aufweist:
- 1. eine unbewegliche Gleitabdeckung (22a), die von der Aufwärts- und Abwärtsbewegung des Z-Achsen-Antriebs mechanismus (48, 50) unantreibbar und deshalb unbeweg lich ist;
- 2. eine erste bewegliche Gleitabdeckung (22b), die durch die Aufwärts- und Abwärtsbewegung des Z-Achsen-An triebsmechanismus relativ zu der unbeweglichen Gleit abdeckung (22a) gleitfähig antreibbar ist; und
- 3. eine zweite bewegliche Gleitabdeckung (22c), die durch die Aufwärts- und Abwärtsbewegung des Z-Achsen-An triebsmechanismus relativ zu der ersten beweglichen Gleitabdeckung (22b) gleitfähig antreibbar ist.
14. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei der Z-Achsen-Antriebs
mechanismus (48) aufweist:
- 1. einen ersten Kugelumlaufspindelmechanismus (33) zum Bewegen der ersten beweglichen Gleitabdeckung (22b) aufwärts und abwärts relativ zu der unbeweglichen Gleitabdeckung (22a); und
- 2. einen zweiten Kugelumlaufspindelmechanismus (34) zum Bewegen der zweiten Gleitabdeckung (22c) aufwärts und abwärts relativ zu der ersten beweglichen Gleitabdeckung (22b).
15. Vorrichtung gemäß Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
- 1. der erste Kugelumlaufspindelmechanismus (33) aufweist:
ein unbewegliches Trägerglied (30), das mit der unbe weglichen Gleitabdeckung (20a) verbunden ist;
eine erste Kugelumlaufspindel (35), die an dem unbe weglichen Trägerglied (30) befestigt ist;
eine erste Mutter (36), die im Eingriff mit der ersten Kugelumlaufspindel (35) ist;
einen Gurt (46), der um die erste Mutter (36) gelegt ist; und
einen gemeinsamen Motor (42) zum Übertragen des An triebsdrehmoments auf den Gurt (46);
und - 2. der zweite Kugelumlaufspindelmechanismus (34) auf
weist:
ein erstes bewegliches Trägerglied (31), das mit der ersten beweglichen Gleitabdeckung (22b) verbunden ist; ein zweites beweglichen Trägerglied (32), das mit ei ner zweiten beweglichen Gleitabdeckung (22c) verbunden ist;
eine zweite Mutter (41), die mit der zweiten Kugelum laufspindel (40) im Eingriff und an dem zweiten beweg lichen Trägerglied (32) befestigt ist; und
eine Riemenscheibe, um welche der Gurt (46) gelegt ist und die an einem unteren Teil der zweiten Kugelum laufspindel (40) befestigt ist.
16. Vorrichtung gemäß Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß
der Z-Achsen-Antriebsmechanismus (50) aufweist:
- 1. einen ersten Raststangenmechanismus bzw. Zahnstangen mechanismus (51) zum Bewegen der ersten beweglichen Gleitabdeckung (22b) aufwärts und abwärts relativ zu der unbeweglichen Gleitabdeckung (22a); und
- 2. einen zweiten Raststangenmechanismus bzw. Zahnstangen mechanismus (52) zum Bewegen der zweiten beweglichen Gleitabdeckung (22c) aufwärts und abwärts relativ zu der ersten beweglichen Abdeckung (22b).
17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß
der erste Zahnstangenantriebsmechanismus (51) aufweist:
- 1. eine erste Zahnstange (53), die an der unbeweglichen Gleitabdeckung (22a) befestigt ist;
- 2. ein gemeinsames Zahnrad, das im Eingriff mit der er sten Zahnstange (53) ist; und
- 3. einen gemeinsamen Motor zum Übertragen des Antriebs drehmoments auf das gemeinsame Zahnrad (54), und
- 1. ein zweites bewegliches Trägerglied (32), das mit der zweiten beweglichen Gleitabdeckung (22c) verbunden ist; und
- 2. eine zweite Zahnstange (55), die mit dem zweiten be weglichen Trägerglied (32) verbunden und mit dem ge meinsamen Zahnrad (54) im Eingriff ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19964235A DE19964235B4 (de) | 1998-03-12 | 1999-03-10 | Substrattransportvorrichtung |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8268498A JPH11260890A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 搬送装置 |
JP8252398 | 1998-03-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19910478A1 true DE19910478A1 (de) | 1999-12-16 |
DE19910478C2 DE19910478C2 (de) | 2002-02-28 |
Family
ID=26423544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19910478A Expired - Fee Related DE19910478C2 (de) | 1998-03-12 | 1999-03-10 | Substrattransportverfahren und Substratbearbeitungssystem |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6245156B1 (de) |
KR (1) | KR100479344B1 (de) |
DE (1) | DE19910478C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10239578A1 (de) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Mattson Wet Products Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten |
DE102008062153A1 (de) * | 2008-12-17 | 2010-12-30 | Grenzebach Maschinenbau Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Schnelltransport von Glasplatten |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6543461B2 (en) * | 1999-02-11 | 2003-04-08 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Buffer system for a wafer handling system field of the invention |
JP2003179025A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-06-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP3916148B2 (ja) * | 2002-11-15 | 2007-05-16 | Tdk株式会社 | ウェハーマッピング機能を備えるウェハー処理装置 |
US20060157080A1 (en) * | 2005-01-20 | 2006-07-20 | Teng-Chun Tsai | Cleaning method for semiconductor wafer |
JP4541966B2 (ja) * | 2005-05-06 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法及び塗布処理装置並びにコンピュータプログラム |
CN102117736B (zh) * | 2006-02-22 | 2013-06-05 | 株式会社荏原制作所 | 基板处理装置、基板搬运装置、基板把持装置以及药液处理装置 |
JP2008246644A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Daihen Corp | 搬送装置 |
DE102008023836B4 (de) * | 2007-05-17 | 2020-10-29 | Denso Wave Inc. | Roboter mit einem linear beweglichen Unterstützungsteil, das an einer Greifvorrichtung befestigt ist |
JP4940123B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4950247B2 (ja) * | 2009-05-12 | 2012-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置、基板処理システム、洗浄方法、プログラムおよび記憶媒体 |
JP5059054B2 (ja) * | 2009-05-25 | 2012-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板検出装置および基板検出方法 |
US8549432B2 (en) * | 2009-05-29 | 2013-10-01 | Apple Inc. | Radial menus |
JP5060517B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム |
JP2011205004A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
US9368381B2 (en) | 2010-12-24 | 2016-06-14 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Transfer robot, its substrate transfer method and substrate transfer relay device |
JP6559087B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR102236398B1 (ko) | 2020-09-22 | 2021-04-02 | 에스케이씨 주식회사 | 웨이퍼의 세정방법 및 불순물이 저감된 웨이퍼 |
CN113894106B (zh) * | 2021-10-09 | 2023-01-13 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 一种洗净机自动上下料系统及操作方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2670811A (en) * | 1949-01-17 | 1954-03-02 | Towmotor Corp | Multicylinder hydraulic lift truck |
US3760956A (en) * | 1971-08-23 | 1973-09-25 | Burch Controls Inc | Industrial robot |
US4026432A (en) * | 1972-07-06 | 1977-05-31 | Linde Aktiengesellschaft | Lift-vehicle assembly |
BG27536A3 (en) * | 1974-06-26 | 1979-11-12 | Linde Aktiengesellschaft | Telescopic gieting apparatus for highlifters |
US4337868A (en) * | 1980-02-19 | 1982-07-06 | Harnischfeger Corporation | Telescopic crane boom having rotatable extend/retract screws |
DE3745134C2 (de) * | 1986-05-16 | 1999-03-04 | Silicon Valley Group | Verfahren und Einrichtung zur Übertragung eines Wafers von einer Quelle zu einem Zielort |
JP2559617B2 (ja) * | 1988-03-24 | 1996-12-04 | キヤノン株式会社 | 基板処理装置 |
US5125789A (en) * | 1990-01-02 | 1992-06-30 | Peerless Automation | Molded parts removal and transfer robot |
JP2677913B2 (ja) * | 1991-05-13 | 1997-11-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置のシール機構および半導体装置の製造方法 |
JP2969034B2 (ja) * | 1993-06-18 | 1999-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送方法および搬送装置 |
US5562387A (en) * | 1993-10-04 | 1996-10-08 | Tokyo Electron Limited | Device for transferring plate-like objects |
JPH07297258A (ja) * | 1994-04-26 | 1995-11-10 | Tokyo Electron Ltd | 板状体の搬送装置 |
JP3249309B2 (ja) * | 1994-09-13 | 2002-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の搬送装置及び基板の搬送方法並びに塗布現像処理装置 |
JP3328869B2 (ja) * | 1995-06-27 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
TW309503B (de) * | 1995-06-27 | 1997-07-01 | Tokyo Electron Co Ltd | |
US5733096A (en) * | 1995-09-13 | 1998-03-31 | Silicon Valley Group, Inc. | Multi-stage telescoping structure |
JPH1022358A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US6009890A (en) * | 1997-01-21 | 2000-01-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate transporting and processing system |
JP3850952B2 (ja) * | 1997-05-15 | 2006-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
JPH1126550A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置およびそれを用いた基板処理装置 |
-
1999
- 1999-03-10 DE DE19910478A patent/DE19910478C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-11 US US09/266,576 patent/US6245156B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-12 KR KR10-1999-0008361A patent/KR100479344B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-11-14 US US09/710,889 patent/US6520733B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10239578A1 (de) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Mattson Wet Products Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten |
DE102008062153A1 (de) * | 2008-12-17 | 2010-12-30 | Grenzebach Maschinenbau Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Schnelltransport von Glasplatten |
US8911197B2 (en) | 2008-12-17 | 2014-12-16 | Grenzebach Maschinenbau Gmbh | Method and apparatus for the rapid transport of glass sheets |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19910478C2 (de) | 2002-02-28 |
KR100479344B1 (ko) | 2005-03-25 |
US6245156B1 (en) | 2001-06-12 |
KR19990077841A (ko) | 1999-10-25 |
US6520733B1 (en) | 2003-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19910478C2 (de) | Substrattransportverfahren und Substratbearbeitungssystem | |
DE10164192B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Substraten | |
DE69838273T2 (de) | Verfahren zum Reinigen und Trocknen von zu verarbeitenden Objekte | |
DE69837364T2 (de) | Reinigungs- und Trocknungsvorrichtung von zu behandelnden Gegenständen | |
DE69736378T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von zu verarbeitenden Objekte | |
DE69424016T2 (de) | Poliergerät | |
DE69417368T2 (de) | Reinigungsbehälter für Halbleitersubstrate | |
DE69631566T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Waschbehandlung | |
DE69833832T2 (de) | Vorrichtung zum Reinigen und Trocknen, Scheibenprozesssystem und Scheibenprozessverfahren | |
DE69505060T2 (de) | Reinigungsvorrichtung mit Bürsten und diese verwendendes Reinigungssystem für scheibenförmige Gegenstände | |
DE10059637B4 (de) | Gerät und Verfahren zur Substratbearbeitung | |
DE69601292T2 (de) | Plättchenbehandlungssystem | |
DE69835988T2 (de) | Doppelseitenreinigungsmaschine für ein Substrat | |
DE102007047437B4 (de) | Substratbearbeitungsverfahren, Substratbearbeitungseinrichtung und Speichermedium | |
DE3909669C2 (de) | ||
DE69735042T2 (de) | Bearbeitungsvorrichtung zur Bearbeitung von Objekten | |
DE10353326B4 (de) | Substratverarbeitungsgerät und Verfahren zum Verarbeiten eines Substrats unter Steuerung der Kontaminierung in einem Substrattransfermodul | |
DE69712658T2 (de) | Poliergerät | |
DE10041790B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Anordnen von Substraten und Prozessiereinrichtung für Substrate | |
DE19914347C2 (de) | Waschvorrichtung und Waschverfahren | |
DE102006028057A1 (de) | Vorrichtung zum Lagern von kontaminationsempfindlichen, plattenförmigen Gegenständen, insbesondere zum Lagern von Halbleiterwafern | |
DE19781822B4 (de) | Reinigungsstation zur Verwendung bei einem System zum Reinigen, Spülen und Trocknen von Halbleiterscheiben | |
DE3237047A1 (de) | Waermebehandlungs-einrichtung | |
DE10039672A1 (de) | Substratverarbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats | |
DE69719151T2 (de) | Verarbeitungssystem |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 19964235 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 19964235 |
|
AH | Division in |
Ref country code: DE Ref document number: 19964235 Format of ref document f/p: P |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20121002 |