DE10041790B4 - Verfahren und Vorrichtung zum Anordnen von Substraten und Prozessiereinrichtung für Substrate - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Anordnen von Substraten und Prozessiereinrichtung für Substrate Download PDF

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Abstract

Substratanordnungsverfahren mit folgenden Schritten:
Vorsehen eines eine Substratgruppe aufweisenden Behälters (C), wobei die Substratgruppe aus mehreren Substraten besteht, die vertikal in dem Behälter in regelmäßigen Abständen angeordnet sind;
Herausnehmen der Substratgruppe aus dem Behälter;
Aufteilen der Substratgruppe in eine erste Substratgruppe (300) und eine zweite Substratgruppe (301), wobei die Substrate der ersten und zweiten Substratgruppe aufeinanderfolgend in den gleichen regelmäßigen Abständen wie die Substrate der Substratgruppe des Behälters angeordnet sind, und wobei die Substrate der ersten Substratgruppe (300) aus einem Teil der Substrate der Substratgruppe hervorgehen, und die Substrate der zweiten Substratgruppe (301) aus dem anderen Teil der Substrate der Substratgruppe hervorgehen;
Bewegen der Substrate der zweiten Substratgruppe (300) relativ in Bezug auf die Substrate der ersten Substratgruppe (300), wodurch mindestens ein Substrat der zweiten Substratgruppe (301) zwischen jeweiligen Substraten der ersten Substratgruppe (300) positioniert wird;
Einfügen der Substrate der zweiten Substratgruppe (301) zwischen die...

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren der Anordnung von Substraten, wie Halbleiterwafern, und eine Vorrichtung zum Anordnen der Substrate.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Beispielsweise wird beim Herstellungsprozess von Halbleitervorrichtungen eine Reinigungseinrichtung zum Abspülen von Halbleiterwafern (im Folgenden als "Wafer" bezeichnet) als Substraten mittels einer bestimmten chemischen Flüssigkeit oder einer Reinigungsflüssigkeit, so wie demineralisiertem Wasser, verwendet, um dadurch verschiedene Verunreinigungen zu entfernen, die an den Oberflächen der Wafer haften, zum Beispiel Partikel, organische Verunreinigungen, metallische Fremdstoffe, etc. Insbesondere gibt es eine weitverbreitete Reinigungseinrichtung, welche die Wafer in ein Reinigungsbad taucht, welches mit der Reinigungsflüssigkeit gefüllt ist, um die Wafer zu reinigen.
  • Das japanische Patent Nr. 2634350 offenbart die oben genannte Reinigungseinrichtung. In der Reinigungseinrichtung werden zwei Träger beladen und zu einer Aufnahmeplattform transportiert. In jedem Träger befinden sich zum Beispiel 26 Waferplatten vor der Reinigung. An der Aufnahmeplattform werden dann 26 Waferplatten gemeinsam aus einem Träger herausgenommen. 26 in der oben beschriebenen Weise aus einem Träger herausgenommene Wafer werden zu einer Wafergruppen-Bildungsstufe bewegt, um eine Wafergruppe zu bilden. Anschließend werden 26 Waferplatten aus dem anderen Träger gemeinsam herausgenommen, und die Wafer werden auf die Oberseite der 26 Waferplatten bewegt, welche auf der Wafergruppen-Bildungsstufe stehen. Anschließend werden die aus dem letzteren Träger herausgenommenen Wafer abgesenkt und der Reihe nach zwischen die entsprechenden Wafer eingefügt, die aus dem ersten Träger herausgenommen worden waren, wodurch eine Gruppe aus 52 Waferplatten (gleich der Anzahl von Platten aus zwei Trägern) entsteht. Auf diese Weise wird die entstehende Gruppe aus 52 Waferplatten zu einem Reinigungs- und Trocknungsabschnitt zum Reinigen und Trocknen der Wafer als Stapel transportiert.
  • Vor dem Formen der Wafergruppe wird die Anpassung der Positionen ausgeführt, um die 26 Waferplatten, die aus dem zweiten Träger herausgenommen worden sind, zwischen die 26 Waferplatten zu positionieren, die aus dem ersten Träger herausgenommen worden sind. Während dieser Einfügung ist es wichtig, dass die 26 Waferplatten, die aus dem ersten Träger herausgenommen worden sind, nicht in Berührung mit den 26 Waferplatten geraten, die aus dem letzteren Träger herausgenommen worden sind.
  • In der im japanischen Patent Nr. 2634350 offenbarten Reinigungseinrichtung entsteht jedoch leicht eine Abweichung der Position, da alle aus beiden Trägern herausgenommenen Wafer von der Aufnahmestufe zu der Wafergruppen-Bildungsstufe transportiert und der Einstellung der Position unterworfen werden, während die Wafer der Umgebung ausgesetzt sind. Beim Einführen der Wafer einer Gruppe zwischen die Wafer der anderen Gruppe können sie daher in Kontakt miteinander gebracht und so beschädigt werden. In dieser Weise ist die herkömmliche Reinigungseinrichtung unsicher bei der Bildung der Wafergruppen von 52 Waferplatten. Um den wechselseitigen Kontakt der Wafer zu verhindern, muss die Wafergruppen-Bildungsstufe alternativ mit einem Feedback-Mechanismus zum Erfassen und Korrigieren der positionellen Abweichung der 26 aus jedem Träger herausgenommenen Wafer ausgestattet werden, wodurch die Einrichtung kompliziert und zeitvergeudend wird. Außerdem wird, da es lange dauert, die Wafer von der Aufnahmestufe zu der Wafergruppen-Bildungsstufe zu bewegen, der Durchsatz der Einrichtung verschlechtert. Aufgrund des Vorsehens der von der Aufnahmestufe unterschiedlichen Wafergruppen-Bildungsstufe ist die Einrichtung außerdem groß.
  • Die EP-A-908 927 beschreibt eine Transfervorrichtung für Halbleiterwafer, bei der eine Anzahl von Wafern in regelmäßigen Abständen (erste Wafergruppe) auf einem Paar drehbarer Säulen angeordnet sind. Die zwei Säulen besitzen eine Mehrzahl von Kerben, in denen die Wafer angeordnet sind. Es verbleiben jedoch ein oder zwei Kerben zwischen zwei benachbarten Wafern auf der Säule unbesetzt. In einem anschließenden Schritt werden eine Anzahl von Wafern (zweite Wafergruppe), die in den gleichen regelmäßigen Abständen wie die Wafer der ersten Gruppe angeordnet sind, auf die Säule derart platziert, dass jeweilige Wafer der zweiten Gruppe zwischen jeweiligen Wafern der ersten Gruppe eingefügt werden. Dementsprechend sind zwei Entnahmeschritte zum Entnehmen der beiden Wafergruppen aus dem Behälter, der die Wafer enthält, notwendig.
  • Weiterhin beschreibt die US-B-5,299,901 eine Transfervorrichtung für Halbleiterwafer, bei der entweder sämtliche Wafer einer Wafergruppe oder nur ein Teil dieser Wafergruppe zwischen einem ersten und einem zweiten Behälter bewegt werden kann, ohne dass die Wafer beim Transfer beschädigt werden, und ohne dass sich Staub auf den Wafern ansammeln kann.
  • Weitere ähnliche Vorrichtungen und Verfahren sind aus der US-B-6,092,980; der US-B-5,620,295 sowie der US-B-5,655,871 bekannt.
    •
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Entsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Anordnung von Substraten zu schaffen, welches es ermöglicht, eine Substratgruppe (eine Gruppe aus Substraten) sicher in einer kurzen Zeit zu bilden, und eine Substratanordnungsvorrichtung zu schaffen, die geeignet ist, das oben genannte Substratanordnungsverfahren auszuführen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Substratanordnungsverfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche 1 und 8, und durch eine Substratanordnungsvorrichtung mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs 10 gelöst. Bevorzugte Merkmale des beanspruchten Verfahrens sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche 2 bis 7 und 9, und der beanspruchten Vorrichtung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche 11 bis 16.
  • Das erste Merkmal der Erfindung liegt in einem Substratanordnungsverfahren mit den Schritten des Anspruch 1.
  • Gemäß der Erfindung wird zum Beispiel auf einer Stufe das Herausnehmen mehrerer Substrate aus einem Behälter ausgeführt. Anschließend wird auf derselben Stufe das Herausnehmen von mehreren Substraten aus dem anderen Behälter und das Einfügen der mehreren Substrate aus dem zweiten Behälter zwischen die mehreren Substrate des ersten Behälters ausgeführt, wobei eine Gruppe von Substraten in der Anzahl aus zwei Behältern entsteht, wo die entstehenden Substrate im Wesentlichen mit der Hälfte der regelmäßigen Abstände angeordnet sind. Aufgrund der Bildung der Gruppe von Substraten auf derselben Stufe zum Zeitpunkt des Herausnehmens der mehreren Substrate aus dem anderen Behälter kann auf diese Weise die gleiche Anordnung stabil in einer kurzen Zeit erreicht werden. Da darüber hinaus keine Notwendigkeit zur Vorbereitung einer zusätzlichen Stufe oder eines Raums zum Bilden der Gruppe von Substraten besteht, ist es möglich, eine Prozessiereinrichtung zum Prozessieren der Gruppe von Substraten klein zu machen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung werden außerdem die mehreren Substrate aus dem ersten Behälter zu der Oberseite des zweiten Behälters relativ bewegt, wodurch die Substrate aus dem ersten Behälter in Draufsicht zwischen die Substrate in dem zweiten Behälter positioniert werden. Besonders wenn die Substrate direkt oberhalb des zweiten Behälters bewegt werden, ist es möglich, jedes der mehreren Substrate aus dem zweiten Behälter und auch geführt durch Nuten zwischen aneinandergrenzende Substrate aus dem ersten Behälter einzuführen. Mit dem Verhindern des Kontakts zwischen den entsprechenden Substraten aus dem ersten und aus dem zweiten Behälter ist es möglich, die Bildung der Gruppen von Substraten stabil zu erreichen. Da außerdem entsprechende Positionen der mehreren Substrate in dem zweiten Behälter fixiert sind, ist es möglich, das Positionieren der entsprechenden Substrate aus dem ersten Behälter leicht auszuführen. Entsprechend kann gemäß der vorliegenden Erfindung ein komplizierter Mechanismus zum Erfassen und Korrigieren von positionellen Abweichungen der entsprechenden Substrate vermieden werden.
  • Bevorzugt kann das erfindungsgemäße Substratanordnungsverfahren weiter folgende Schritte beinhalten: Das Umwenden der entsprechenden Substrate der ersten Substratgruppe, wobei der Umwendungsschritt zwischen dem Herausnehmen der ersten Substratgruppe aus dem ersten Behälter und dem Einführen der entsprechenden Substrate der zweiten Substratgruppe zwischen die entsprechenden Substrate der ersten Substratgruppe, welche oberhalb des zweiten Behälters angeordnet sind, ausgeführt wird, wobei die dritte Substratgruppe gebildet wird, die aus den Substraten aus zwei Behältern besteht, wobei die Substrate der dritten Substratgruppe in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, die im Wesentlichen der Hälfte der regelmäßigen Abstände der Substrate der ersten und der zweiten Substratgruppen entsprechen.
  • Gemäß dem oben genannten Verfahren wird nach dem Umwenden der entsprechenden Substrate aus dem ersten Behälter das Einfügen der Substrate zum Bilden der Gruppe von Substraten ausgeführt. In einer solchen Gruppe von Substraten können daher die Vorder- und die Rückseite eines Substrats der Vorderseite bzw. der Rückseite des benachbarten Substrats gegenüberliegen. Daher ist es zum Beispiel möglich, zu verhindern, dass Partikel, die von der Rückseite des Substrats herunterfallen, an der Vorderseite des benachbarten Substrats haften bleiben.
  • Bevorzugt kann bei dem erfindungsgemäßen Substratanordnungsverfahren der Schritt des Positionierens der Substrate der ersten Substratgruppe zwischen den entsprechenden Substraten der zweiten Gruppe in Draufsicht durch relatives Bewegen der ersten Substratgruppe nach oberhalb des zweiten Behälters ausgeführt wird, während die erste Substratgruppe, die aufwärts gedrückt wird, gehalten wird; und der Schritt des Einfügens der entsprechenden Substrate der zweiten Substratgruppe zwischen die entsprechenden Substrate der ersten Substratgruppe, welche oberhalb des zweiten Behälters angeordnet sind, wobei die dritte Substratgruppe entsteht, während die Substrate der zweiten Gruppe aus dem zweiten Behälter herausgehoben werden, wird durch Heraufdrücken der Substrate der zweiten Substratgruppe ausgeführt, während diese durch Nuten in dem zweiten Behälter geführt werden.
  • Erfindungsgemäß wird eine Substratanordnungseinrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 10 vorgesehen.
  • Gemäß dieser Erfindung werden beispielsweise zwei Behälter auf einer Plattform befestigt. Danach nimmt ein Trägermittel mehrere Substrate aus einem Behälter und ordnet die Substrate in regelmäßigen Abständen an. Dann übernimmt ein Beförderungsmittel die mehreren Substrate von dem Trägermittel. Anschließend nimmt das Trägermittel mehrere Substrate aus dem anderen Behälter unter der Bedingung, dass diese in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, und fügt weiter die entsprechenden Substrate von dem anderen Behälter zwischen die entsprechenden Substrate ein, welche mittels des Beförderungsmittels getragen werden. Auf diese Weise wird auf dem Trägermittel eine Substratgruppe aufgebaut, wo die Substrate aus zwei Behältern mit im Wesentlichen der Hälfte der oben genannten regelmäßigen Abstände angeordnet sind. Daher wird auf der gleichen Plattform das Herausnehmen der mehreren Substrate aus den Behältern und das Bilden der Substratgruppe ausgeführt.
  • Im Falle eines Anbringplatzes für einen Behälter auf der Plattform wird zunächst der Behälter an einer Seite auf der Plattform befestigt. Nach dem Herausnehmen der mehreren Substrate wird der leere Behälter entfernt, um Platz auf der Plattform zu schaffen. Anschließend wird der Behälter auf der anderen Seite auf der Plattform angebracht, und dann werden die mehreren Substrate aus dem Behälter herausgenommen, wodurch die Gruppe von Substraten gebildet wird.
  • Bevorzugt kann die erfindungsgemäße Substratanordnungseinrichtung, welche weiter eine Plattform zum Anbringen der Behälter und einen Transfertisch zum Lagern des Behälters von seiner Unterseite her umfassen, um den Behälter auf die Plattform herauf- und von dieser herunterzuladen.
  • Bevorzugt kann bei der erfindungsgemäßen Substratanordnungseinrichtung der Transfertisch mit einem Sensor zum Erfassen einer Bedingung ausgestattet sein, dass die Substrate sich in dem Behälter befinden.
  • Bevorzugt enthält die Substratanordnungseinrichtung einen Lagerabschnitt zum Lagern des Behälters, wobei der Transfertisch das Laden des Behälters in den Lagerabschnitt und das Herausladen des Behälters aus dem Lagerabschnitt ausführt.
  • Bevorzugt beinhaltet die Substratanordnungseinrichtung eine erste Plattform zum Anbringen des ersten Behälters darauf und eine zweite Plattform zum Anbringen des zweiten Behälters darauf; wobei das Substrathalteelement von der ersten Plattform zu der zweiten Plattform beweglich ist; und wobei das Substrathalteelement beinhaltet: ein erstes Substrathalteelement zum Herausnehmen der Substrate der ersten Substratgruppe aus dem ersten Behälter und zum Befördern der Substrate der ersten Substratgruppe zu dem Substratbeförderungselement, wobei das erste Substrathalteelement unterhalb der ersten Plattform angeordnet ist; und ein zweites Substrathalteelement zum Herausnehmen der Substrate der zweiten Gruppe aus dem zweiten Behälter und zum Übernehmen der Substrate der ersten Substratgruppe von dem Substratbeförderungselement, wobei das zweite Substrathalteelement unterhalb der zweiten Plattform angeordnet ist.
  • Bevorzugt ist das Substrathalteelement oder das Substratbeförderungselement drehbar ausgeführt.
  • Ein weiteres erfindungsgemäße Substratanordnungsverfahren umfasst die Merkmale des Anspruchs 8.
  • Erfindungsgemäß werden die mehreren Substrate in dem Behälter in zwei allgemeine Hälften geteilt: eine Gruppe und die andere Gruppe von Substraten. Anschließend wird entweder das Einfügen der Substrate einer Gruppe zwischen die Substrate der anderen Gruppe ausgeführt oder das Einfügen der letzteren Substrate zwischen die ersteren Substrate, wodurch eine Gruppe von Substraten entsteht, welche im Wesentlichen mit der Hälfte der regulären Abstände angeordnet sind. Die so entstandene Gruppe ermöglicht es, die Breite der gesamten Substrate auf die Hälfte der Breite der in den regelmäßigen Abständen angeordneten Substrate zu reduzieren. Entsprechend ist es mit der Reduzierung der Breite der gesamten Substrate, die prozessiert werden sollen, möglich, eine Größe der Prozessiereinrichtung zum Prozessieren der so angeordneten Substrate zu reduzieren. Darüber hinaus ist es mit der Reduzierung der Größe der Einrichtung auch möglich, den Verbrauch von Prozessierflüssigkeit und Prozessiergas in der Einrichtung zu reduzieren.
  • Bevorzugt beinhaltet das erfindungsgemäße Substratanordnungsverfahren weiter die Schritte des Umwendens der Substrate entweder der ersten Substratgruppe oder der zweiten Substratgruppe, wobei der Umwendeschritt zwischen dem Herausnehmen der Substrate aus dem Behälter, wodurch die Substrate in die erste Substratgruppe und die zweite Substratgruppe aufgeteilt werden, die in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, und dem Bilden der dritten Gruppe von Substraten ausgeführt wird, wo die Substrate in der Anzahl eines Behälters in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, die im Wesentlichen der Hälfte der regelmäßigen Abstände der Substrate der ersten und der zweiten Substratgruppe entsprechen.
  • Gemäß wird nach dem Umwenden der entsprechenden Substrate der einen oder der anderen Gruppe entweder das Einfügen der entsprechenden Substrate einer Gruppe zwischen die entsprechenden Substrate der anderen Gruppe oder das Einfügen der letzteren Substrate zwischen die ersteren Substrate ausgeführt. Daher können auch in der Gruppe von Substraten, die im Wesentlichen mit der Hälfte der regelmäßigen Abstände angeordnet sind, sowohl die Vorder- als auch die Rückseite eines Substrats der Vorderseite bzw. der Rückseite des benachbarten Substrats gegenüberliegen. Das heißt, es ist möglich, beispielsweise zu verhindern, dass ein Partikel, der sich von der Rückseite der Substrate löst, an der Vorderseite des benachbarten Substrats anhaftet.
  • Bevorzugt wird der Umwendungsschritt durch Drehen der Substrate der ersten Substratgruppe oder der Substrate der zweiten Substratgruppe um ihre vertikale Achse ausgeführt.
  • Bevorzugt wird der Schritt des Teilens der Substrate in die erste Substratgruppe und die zweite Substratgruppe durch relatives Bewegen der Substrate der ersten Substratgruppe bezüglich der Substrate der zweiten Substratgruppe nach oben und nach unten ausgeführt.
  • In diesem Fall kann sowohl die eine als auch die andere Gruppe nach oben und unten bewegt werden. Natürlich können beide Gruppen nach oben und unten bewegt werden.
  • Bevorzugt erfolgt der Schritt des Teilens der Substrate in die erste Substratgruppe und die zweite Substratgruppe durch relatives Bewegen der Substrate der ersten Substratgruppe bezüglich der Substrate der zweiten Substratgruppe in horizontaler Richtung.
  • Auch in diesem Fall kann jede der beiden Gruppen horizontal bewegt werden. Natürlich können beide Gruppen horizontal bewegt werden.
  • Bevorzugt werden die Substrate, die aus dem ersten Behälter herausgenommen und in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, auf dem Substrathalteelement angebracht; im Wesentlichen die Hälfte der Substrate auf einer Seite des Substrathalteelements werden als die erste Substratgruppe durch das Substratbeförderungselement gehalten; die andere Hälfte der Substrate auf der einen Seite des Substrathalteelements werden als die zweite Substratgruppe unterhalb der ersten Substratgruppe positioniert; und die horizontale Bewegung zum Positionieren der entsprechenden Substrate der zweiten Substratgruppe zwischen die entsprechenden Substrate der ersten Substratgruppe in Draufsicht wird ausgeführt durch Drehen des Substrathalteelements um eine vertikale Achse, die durch eine Position führt, welche von dem Zentrum des Substrathalteelements beabstandet ist.
  • Bevorzugt beinhaltet das Substratanordnungsverfahren, welches nach dem Bilden der dritten Substratgruppe, wo die Substrate aus einem Behälter in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, die im Wesentlichen der Hälfte der regulären Abstände der Substrate der ersten und der zweiten Substratgruppe entsprechen, weiterfolgende Schritte: das Bilden einer vierten Substratgruppe, wo die Substrate aus einem Behälter in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, die im Wesentlichen der Hälfte der regulären Abstände der Substrate der ersten und der zweiten Substratgruppe entsprechen, in gleicher Weise wie die dritte Gruppe gebildet wird; und das Anordnen der dritten Substratgruppe benachbart zu der vierten Substratgruppe in Serie.
  • Wenn zum Beispiel zwei kleine Gruppen aus mehreren Substraten, die im Wesentlichen mit der Hälfte der regulären Abstände angeordnet sind, benachbart in Serie angeordnet werden, dann hat die entstehende große Gruppe eine Anzahl von Substraten entsprechend zwei Behältern, während sie dieselbe Breite wie die mehreren Substrate (einer kleinen Gruppe) hat, welche in den regelmäßigen Abständen angeordnet sind. Entsprechend kann in der Prozessiereinrichtung zum Prozessieren solcher Substrate eine Verbesserung des Durchsatzes erreicht werden, ohne dass die Prozessiereinrichtung vergrößert wird.
  • Bevorzugt kann das Substratanordnungsverfahren folgende Schritte aufweisen: das Bewegen eines ersten Behälters zu einer Plattform, wobei der erste Behälter mehrere Substrate in regelmäßigen Abständen angeordnet hat; das Herausnehmen der Substrate in regelmäßigen Abständen aus dem ersten Behälter heraus an der Plattform, wodurch eine erste Substratgruppe entsteht, wo die Substrate in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, welche im Wesentlichen der Hälfte der regulären Abstände entsprechen; das Bewegen eines zweiten Behälters zu der Plattform, wobei der zweite Behälter auch mehrere Substrate in regelmäßigen Abständen angeordnet hat; das Herausnehmen der Substrate in regelmäßigen Abständen aus dem zweiten Behälter heraus an der Plattform, wodurch eine zweite Substratgruppe entsteht, wo die Substrate in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, welche im Wesentlichen der Hälfte der regulären Abstände entsprechen; und das Anordnen der ersten Substratgruppe benachbart zu der zweiten Substratgruppe in Serie, wodurch eine dritte Gruppe entsteht, wo eine Entfernung zwischen dem äußersten Substrat der ersten Substratgruppe und dem äußersten Substrat der zweiten Substratgruppe auch im Wesentlichen der Hälfte der regulären Abstände entspricht.
  • Bevorzugt umfasst das Substratanordnungsverfahren weiter die folgenden Schritte: Es wird der ersten Substratgruppe erlaubt, oberhalb der Plattform zu warten, nachdem die erste Substratgruppe gebildet worden ist; und es wird der ersten. Substratgruppe erlaubt, oberhalb der Plattform zu warten, um gegenüber der zweiten Substratgruppe abgesenkt zu werden, nachdem die zweite Substratgruppe ausgebildet worden ist, wodurch die dritte Substratgruppe gebildet wird.
  • Weiter kann die erfindungsgemäße Substratanordnungseinrichtung aufweisen: ein Substrathalteelement, welches geeignet ist, Substrate in regelmäßigen Intervallen von (1/2)L zu halten, welche der halben Länge von Substrataufnahmezwischenräumen in einem Träger entsprechen; ein erstes Substratbeförderungselement, welches geeignet ist, Substrate mit im Wesentlichen der halben Anzahl von Substraten aufzunehmen, die mittels des Substrathalteelements gehalten und in dem Behälter in regelmäßigen Abständen L aufgenommen sind, von dem Substrathalteelement, um so die Substrate zu halten; und ein zweites Substratbeförderungselement, welches geeignet ist, die gesamte Anzahl von Substraten, die sich in dem Behälter befinden, in regelmäßigen Intervallen von (1/2)L von dem Substrathalteelement zu übernehmen, um so die Substrate zu halten.
  • Bevorzugt beinhaltet die Substratanordnungseinrichtung eine Plattform zum Anbringen des Behälters und einen Transfertisch zum Lagern des Behälters von seiner Unterseite her, zum Aufladen des Behälters auf die Plattform und vom Herunterladen des Behälters von der Plattform.
  • Bevorzugt umfasst die Substratanordnungseinrichtung weiter einen Lagerabschnitt zum Lagern des Behälters, wobei der Transfertisch sowohl das Ladendes Behälters in den Lagerabschnitt und das Herausladen des Behälters aus dem Lagerabschnitt ausführt.
  • Bevorzugt ist der Transfertisch mit einem Sensor zum Erfassen der Bedingung ausgerüstet, dass die Substrate sich in dem Behälter befinden.
  • Bevorzugt ist das Substrathalteelement relativ auf und ab bezüglich des Behälters beweglich; und zumindest entweder das Substrathalteelement oder das erste Substratbeförderungselement, oder zumindest entweder das Substrathalteelement oder das zweite Substratbeförderungselement, ist in einer horizontalen Ebene drehbar.
  • Bevorzugt ist das zweite Substratbeförderungselement oberhalb des ersten Substratbeförderungselements angeordnet, und das erste Substratbeförderungselement und das zweite Substratbeförderungselement sind relativ bezüglich des Substrathalteelement aufwärts und abwärts beweglich.
  • Bevorzugt sind das erste Substratbeförderungselement und das zweite Substratbeförderungselement relativ bezüglich der Substrathalteelemente horizontal beweglich.
    •
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Reinigungseinrichtung, welche mit einer Waferanordnungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgestattet ist;
  • 2 ist eine Draufsicht der Reinigungseinrichtung von 1;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Trägers;
  • 4 ist eine vergrößerte Draufsicht eines wesentlichen Teils der Reinigungseinrichtung von 1;
  • 5 ist eine perspektivische Ansicht einer Beladungsstufe, einer Entladungsstufe, einer Aufnahme- und Unterbringungsstufe und eines bewegbaren Tisches, wobei 5 einen Zustand zeigt, um den Träger zu bewegen;
  • 6 ist eine Ansicht im Längsschnitt entlang einer Linie A-A aus 4;
  • 7 ist eine perspektivische Ansicht von Bewegungsmitteln;
  • 8 ist ein erläuterndes Diagramm der Waferanordnungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung, gesehen von der Vorderseite der Reinigungseinrichtung aus;
  • 9 ist eine Seitenansicht der Waferanordnungseinrichtung aus 8;
  • 10 ist eine perspektivische Ansicht eines Abstandsveränderers und eines Wafergreifers;
  • 11 ist eine Draufsicht des Wafergreifers;
  • 12 ist eine Draufsicht von Trägermitteln;
  • 13 ist ein erläuterndes Diagramm des ersten Prozesses zum Anordnen der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 8;
  • 14 ist ein erläuterndes Diagramm des zweiten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 8;
  • 15 ist ein erläuterndes Diagramm des dritten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 8;
  • 16 ist ein erläuterndes Diagramm des vierten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 8;
  • 17 ist ein erläuterndes Diagramm des fünften Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 8;
  • 18 ist ein erläuterndes Diagramm des sechsten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 8;
  • 19 ist ein erläuterndes Diagramm des siebten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 8;
  • 20 ist ein erläuterndes Diagramm des achten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 8;
  • 21 ist ein erläuterndes Diagramm des neunten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 8;
  • 22 ist ein erläuterndes Diagramm des zehnten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 8;
  • 23 ist eine Draufsicht, die eine Situation nach 16 zeigt;
  • 24 ist eine Draufsicht, die eine Situation nach 17 zeigt;
  • 25 ist ein erläuterndes Diagramm des ersten Prozesses zum Umwenden jedes der 26 Wafer, welche aus einem Träger herausgenommen worden sind, auf eine Seite;
  • 26 ist ein erläuterndes Diagramm des zweiten Prozesses zum Umwenden jedes der 26 Wafer, welche aus einem Träger herausgenommen worden sind, auf eine Seite;
  • 27 ist ein erläuterndes Diagramm der Waferanordnungseinrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung, gesehen von der Vorderseite der Reinigungseinrichtung aus;
  • 28 ist eine vergrößerte Draufsicht eines wesentlichen Teils der Reinigungsvorrichtung, welche mit der Waferanordnungseinrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der Erfindung ausgestattet ist;
  • 29 ist eine perspektivische Ansicht eines Waferspannfutters eines Transferarms an der Reinigungsvorrichtung nach 28;
  • 30A ist ein erläuterndes Diagramm des ersten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Reinigungseinrichtung nach 28;
  • 30B ist ein Diagramm, gesehen in einer Richtung A von 30A;
  • 31A ist ein erläuterndes Diagramm des zweiten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Reinigungseinrichtung nach 28;
  • 31B ist ein Diagramm, gesehen in einer Richtung A von 31A;
  • 32A ist ein erläuterndes Diagramm des dritten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Reinigungseinrichtung nach 28;
  • 32B ist ein Diagramm, gesehen in einer Richtung A von 32A;
  • 33A ist ein erläuterndes Diagramm des vierten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Reinigungseinrichtung nach 28;
  • 33B ist ein Diagramm, gesehen in einer Richtung A von 33A;
  • 34A ist ein erläuterndes Diagramm des fünften Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Reinigungseinrichtung nach 28;
  • 34B ist ein Diagramm, gesehen in einer Richtung A von 34A;
  • 35A ist ein erläuterndes Diagramm des sechsten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Reinigungseinrichtung nach 28;
  • 35B ist ein Diagramm, gesehen in einer Richtung A von 35A;
  • 36A ist ein erläuterndes Diagramm des siebten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Reinigungseinrichtung nach 28;
  • 36B ist ein Diagramm, gesehen in einer Richtung A von 36A;
  • 37A ist ein erläuterndes Diagramm des achten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Reinigungseinrichtung nach 28;
  • 37B ist ein Diagramm, gesehen in einer Richtung A von 37A;
  • 38A ist ein erläuterndes Diagramm des neunten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Reinigungseinrichtung nach 28;
  • 38B ist ein Diagramm, gesehen in einer Richtung A von 38A;
  • 39 ist eine vergrößerte Draufsicht eines wesentlichen Teils der Reinigungseinrichtung in der Anwendung der Waferanordnungseinrichtung gemäß der vierten Ausführungsform der Erfindung;
  • 40 ist ein perspektivische Ansicht der Beladungsstufe, der Entladungsstufe, der Aufnahme- und Unterbringungsstufe und des beweglichen Tisches, wobei ein Zustand gezeigt ist, um den Träger zu bewegen;
  • 41 ist ein erläuterndes Diagramm der Waferanordnungseinrichtung gemäß der vierten Ausführungsform der Erfindung, gesehen von der Vorderseite der Reinigungseinrichtung aus;
  • 42 ist eine perspektivische Ansicht des Abstandsveränderers und des Wafergreifers;
  • 43A ist ein erläuterndes Diagramm, welches den Wafergreifer in seiner Draufsicht zeigt;
  • 43B ist ein erläuterndes Diagramm, welches den Wafergreifer in seiner Seitenansicht zeigt;
  • 44 ist eine Draufsicht eines ersten Trageelements;
  • 45 ist eine Draufsicht eines zweiten Trageelements;
  • 46 ist ein erläuterndes Diagramm des ersten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 47 ist ein erläuterndes Diagramm des zweiten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 48 ist ein erläuterndes Diagramm des dritten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 49 ist ein erläuterndes Diagramm des vierten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 50 ist ein erläuterndes Diagramm des fünften Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 51 ist ein erläuterndes Diagramm des sechsten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 52 ist ein erläuterndes Diagramm des siebten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 53 ist ein erläuterndes Diagramm des achten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 54 ist ein erläuterndes Diagramm des neunten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 55 ist ein erläuterndes Diagramm des zehnten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 56 ist ein erläuterndes Diagramm des elften Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 57 ist ein erläuterndes Diagramm des 12. Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 58 ist ein erläuterndes Diagramm des 13. Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 59 ist ein erläuterndes Diagramm des 14. Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 60 ist ein erläuterndes Diagramm des 15. Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 61 ist ein erläuterndes Diagramm des 16. Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 62 ist ein erläuterndes Diagramm des 17. Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 63 ist ein erläuterndes Diagramm des 18. Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 64 ist ein erläuterndes Diagramm des 19. Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 41;
  • 65 ist eine Draufsicht, welche eine Situation nach 49 zeigt;
  • 66 ist eine Seitenansicht, welche die Situation nach 49 zeigt;
  • 67 ist eine Draufsicht, welche eine Situation nach 51 zeigt;
  • 68 ist eine Seitenansicht, welche die Situation nach 51 zeigt;
  • 69 ist eine Draufsicht, welche eine Situation nach 55 zeigt;
  • 70 ist eine Seitenansicht, welche die Situation nach 55 zeigt;
  • 71 ist eine Draufsicht, welche eine Situation nach 60 zeigt;
  • 72 ist eine Seitenansicht, welche die Situation nach 60 zeigt;
  • 73 ist eine vergrößerte Draufsicht eines wesentlichen Teils der Waferanordnungseinrichtung gemäß der fünften Ausführungsform der Erfindung;
  • 74 ist ein erläuterndes Diagramm des ersten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 73;
  • 75 ist ein erläuterndes Diagramm des zweiten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 73;
  • 76 ist ein erläuterndes Diagramm des dritten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 73;
  • 77 ist ein erläuterndes Diagramm des vierten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 73;
  • 78 ist ein erläuterndes Diagramm des fünften Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 73;
  • 79 ist ein erläuterndes Diagramm des sechsten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 73;
  • 80 ist ein erläuterndes Diagramm des siebten Prozesses zur Anordnung der Wafer in der Waferanordnungseinrichtung nach 73;
  • 81 ist eine Draufsicht, welche eine Situation nach 77 zeigt;
  • 82 ist eine Seitenansicht, welche die Situation nach 77 zeigt;
  • 83 ist eine Draufsicht, welche eine Situation nach 79 zeigt;
  • 84 ist eine Seitenansicht, welche die Situation nach 79 zeigt;
  • 85 ist eine Draufsicht der Waferanordnungseinrichtung nach 73, welche eine Situation zeigt, um den Wafergreifer an die Unterseite des ersten Trageelements horizontal zu bewegen; und
  • 86 ist eine Seitenansicht der Waferanordnungseinrichtung nach 73, wobei eine Situation gezeigt wird, um den Wafergreifer an die Unterseite des ersten Trageelements horizontal zu bewegen.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden beschrieben, mit Bezug auf die Zeichnungen. In einer Reinigungseinrichtung, die so aufgebaut ist, dass ein Beladungsprozess für einen Stapel von Wafern, ein Reinigungsprozess, ein Trocknungsprozess und ein Entladungsprozess in Folge ausgeführt werden können, bezieht sich diese erste Ausführungsform auf eine Waferanordnungseinrichtung als Bestandteil der Reinigungseinrichtung. 1 ist eine perspektivische Ansicht der Reinigungseinrichtung 1, welche mit der Waferanordnungsvorrichtung 22 der ersten Ausführungsform ausgestattet ist. 2 ist eine Draufsicht der Reinigungseinrichtung 1.
  • Die Reinigungseinrichtung 1 beinhaltet einen Träger-Beladungs- und -Entladungsabschnitt 2 zum Ausführen der Beladung und der Entladung von Behältern, zum Beispiel Träger C, einen Lagerabschnitt 3 zum Lagern der Träger C und einen Reinigungs- und Trocknungsabschnitt 4 zur Anwendung eines bestimmten Reinigungsprozesses auf Wafer W.
  • Der Träger-Beladungs- und -Entladungsabschnitt 2 ist so aufgebaut, dass eine Reihe von Aktionen ausgeführt werden können von der Beladung jedes Trägers C, welcher die nicht gereinigten Wafer W aufnimmt, bis die Wafer W aus jedem Träger C herausgenommen werden, und auch eine Reihe von Aktionen von der Unterbringung der gereinigten Wafer W in dem Träger C, bis dieser entladen wird.
  • In dem Lagerabschnitt 3 sind angeordnet eine Lagereinheit 5 zum vertikalen Lagern der Träger C, ein Anhebemechanismus 6 zum Bewegen der Träger C aufwärts und abwärts, und eine Lagereinheit 7 in einer Reihe. In diesem Fall ist der Anhebemechanismus 6 so aufgebaut, dass er den Träger C von einem beweglichen Tisch 23, der später beschrieben wird, aufnehmen kann; um weiter den so hergebrachten Träger C aufwärts und abwärts zu bewegen, um ihn in eine leere Position der linken Lagereinheit 5 oder der rechten Lagereinheit 7 hineinzubewegen; und auch um den Träger C von der Lagereinheit 5 oder der Lagereinheit 7 zu entladen, um den Träger C zu dem beweglichen Tisch 23 zu befördern. Weiter können die Lagereinheiten 5, 7 so ausgerüstet sein, dass die den Träger C aufwärts und abwärts bewegen können, wobei der Träger C zwischen den Lagereinheiten 5, 7 und dem Anhebemechanismus 6 frei bewegt werden kann.
  • Der Reinigungs- und Trocknungsabschnitt 4 ist mit einem Transferarm 8 zum Transferieren der Wafer W an und von dem Trägerbeladungs- und -Entladungsabschnitt 2 ausgestattet. Der Transferarm 8 kann sich öffnen und schließen und beinhaltet auch zwei Waferspannfutter 8a, 8b, welche in der Richtung Y von 2 erweiterbar sind. Außerdem sind in dem Reinigungs- und Trocknungsabschnitt 4 in Richtung von dem Trägerbeladungs- und -Entladungsabschnitt 2 her eine Trocknungseinrichtung 9 zum Trocknen der Wafer W mittels zum Beispiel IPA (Isopropylalkohol)-Dampf, eine chemische Spülreinigungseinrichtung 10, welche ein chemische Reinigung (eine chemische Behandlung) der Wafer W ausführt, während eine Reinigungsflüssigkeit verwendet wird, die im Wesentlichen aus chemischen Komponenten besteht, und eine nachfolgende Spülreinigung (eine Spülbehandlung) des Wafers W, während das demineralisierte Wasser verwendet wird, eine Waferspannfutter-Reinigungs- und -Trocknungseinrichtung 11 zum Reinigen und Trocknen der Waferspannfutter 8a, 8b des Transferarms 8 und eine chemische Spülreinigungseinrichtung 12, welche eine chemische Reinigung (eine chemische Behandlung) des Wafers W ausführt, während eine Reinigungsflüssigkeit verwendet wird, die im Wesentlichen aus chemischen Komponenten besteht, die von denen der oben genannten Einrichtung 10 verschieden sind, und eine nachfolgende Spülreinigung (eine Spülbehandlung) des Wafers W, während das demineralisierte Wasser verwendet wird.
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht des Trägers C. Der Träger C ist an jeder seiner Seiten symmetrisch mit 26 Nuten 15 zum Halten der Wafer W in aufrechter Stellung versehen. Diese Nuten 16 sind in regelmäßigen Abständen L (z.B. 6,35 mm im Falle von 8-Inch-Wafern) angeordnet. Daher kann der Träger C 26 Waferplatten W in regelmäßigen Abständen L aufnehmen. Entsprechende Flächen Wa der Wafer W, welche in dem Träger C aufgenommen sind, weisen alle in die gleiche Richtung. In dem in 3 gezeigten Zustand weisen die Flächen Wa der Wafer W alle nach hinten (Rückseite von 3), während die Rückseiten Wb der Wafer W nach vorne zeigen (Vorderseite von 3). Eine Öffnung 16 ist auf der Unterseite des Trägers C definiert. Auf einer Plattform, zum Beispiel einer Aufnahme- und Unterbringungsplattform 24, die später beschrieben wird, stehen 26 Waferplatten W zusammen von dem Träger C nach oben vor, wenn ein Wafergreifer 74 sich durch die Öffnung 16 in den Träger C nach oben erstreckt. Jeder Wafer W ist kreisförmig und, teilweise an seinem Umfang, mit einem "Kerbe Wc" bezeichneten Ausschnitt versehen.
  • Wie in 4 gezeigt, beinhaltet der Trägerbeladungs- und -Entladungsabschnitt 2 eine Beladungsstufe 20 zum Laden der Träger C da hinein, eine Entladungsstufe 21 zum Entladen der Träger C von dieser Stufe, eine Waferanordnungseinrichtung 22 der ersten Ausführungsform und einen Transfertisch 23 zum Bewegen der Träger C zwischen der Beladungsstufe 20, der Entladungsstufe 21 und der Waferanordnungseinrichtung 22. In der Waferanordnungseinrichtung 22 ist die Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 vorgesehen, um die Wafer W vor der Reinigung aus dem Träger C herauszunehmen und auch, um die gereinigten Wafer W in dem Träger C unterzubringen. Zwischen der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 und der Beladungsstufe 20 und auch zwischen der Stufe 24 und der Entladungsstufe 21 ist eine Transferpassage 25 vorgesehen, auf welcher sich der Transfertisch 23 horizontal bewegt.
  • Die Beladungsstufe 20 ist an Seitenwänden 26, 27 befestigt, während die Entladungsstufe 21 an Seitenwänden 27, 28 befestigt ist. Wie in 5 gezeigt, ist die Beladungsstufe 20 auf ihrer Oberseite mit geöffneten Stationen 30, 31 versehen. In gleicher Weise sind entsprechende Stationen 32, 33 auf einer Oberseite der Entladungsstufe 21 ausgeformt. Entsprechende Stationen 34, 35 sind auf einer Oberseite der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 ausgeformt. Der Träger C ist durch seine Unterseite daran angepasst, auf entsprechenden Außenflächen der geöffneten Stationen 30 bis 35 zu sitzen. Wenn der Träger C zum Beispiel auf der Beladungsstufe 20 angebracht ist, werden die Wafer W in dem Träger C so angeordnet, dass die Kerben Wc nach oben weisen, mittels einer Ausrichtungseinheit (nicht dargestellt). In dem in 5 gezeigten Beispiel zeigen die Oberflächen Waferanordnungseinrichtung der Wafer W in den Trägern C, welche auf der Beladungsstufe 20 und der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 angebracht sind, zur Vorderseite der Reinigungseinrichtung 1 (d.h. zur Vorderseite der 5).
  • 6 ist eine Längsschnittansicht entlang einer Linie A-A aus 4. Wie in der Figur gezeigt, ist ein Anhebemechanismus 38 unterhalb einer Beladungsöffnung 36, die zum Laden der Träger C auf die Beladungsstufe 20 dient, angeordnet, um einen Schließer 37 hinauf- und hinunterzubewegen. Wie in 4 gezeigt, ist ein Anhebemechanismus (nicht dargestellt) unterhalb einer Entladungsöffnung 40, die zum Entladen der Träger C auf der Entladestufe 21 dient, angeordnet, um den Schließer 37 hinauf- und hinunterzubewegen.
  • Wie in den 6 und 7 gezeigt, ist ein Bewegungsmittel 50 zum Bewegen des Transfertisches 23 unterhalb der Beladungsstufe 20, der Entladungsstufe 21 und der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 vorgesehen. Dieses Bewegungsmittel 50 beinhaltet einen Anhebemechanismus 53 zum Tragen des Transfertisches 23 mittels einer Anhebewelle 52 und zum Hinauf- und Hinunterbewegen des Tisches 23 (Z-Richtung in 6 und 7), eine Führungsschiene 55, welche mit dem Anhebemechanismus 53 durch ein Gleitelement 54 verbunden ist, zum Verschieben des Mechanismus 53 in Längsrichtung (R-Richtung in 6 und 7), eine Basis 56, auf der die Führungsschiene 55 befestigt ist, und ein Drehmechanismus 58, welcher die Basis 56 mittels einer rotierenden Welle 57 trägt, um so den Transfertisch 23 und die Führungsschiene 55 in einer horizontalen Ebene (θ-Richtung in 6 und 7) zu drehen. Der Drehmechanismus 58 ist gleitbar auf einer Basis 58 angebracht. Das Bewegungsmittel 50 ist also so aufgebaut, dass es horizontal entlang der Anordnungsrichtung der Stationen 30, 31, 32, 33 (Y-Richtung in 2, 4 und 7) beweglich ist.
  • Der Transfertisch 23 ist in der Draufsicht im Wesentlichen H-förmig, und er ist mit Vorsprüngen 23a versehen, welche Nuten 60 zur Aufnahme der unteren Fläche des Trägers C aufweisen. Durch Anheben, horizontales Bewegen und Drehen mittels des Bewegungsmittels 50 ist der Transfertisch 23 daher geeignet, die Träger C aufzunehmen, die an den Stationen 30 bis 35 angebracht sind. Infolgedessen können die Träger C zum Beispiel von der Beladungsstufe 20 zu der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 und auch von der Stufe 24 zu der Entladungsstufe 21 transportiert werden. Es wird darauf hingewiesen, dass der Transfertisch 23 mit einem Waferzähler 62 ausgestattet ist, welcher ein Paar von optischen Sensoren 61a, 61b aufweist und der es erlaubt, sowohl die Anzahl der Wafer W als auch die übersprungenen Schlitze beim Aufnehmen des Trägers C zu zählen.
  • Die so aufgebaute Reinigungseinrichtung 1 ist mit der Waferanordnungseinrichtung 22 der ersten Ausführungsform ausgestattet. Wie in den 8 bis 10 gezeigt, beinhaltet die Waferanordnungseinrichtung 22 eine Platte 70, welche an der Seitenwand 1a der Reinigungseinrichtung 1 angebracht ist, und ein Gehäuse 71. Führungsschienen 72, 72 sind an dem unteren Teil der Platte 70 angebracht und auch in gleitendem Eingriff mit Gleitelementen 73, 73, welche auf der Rückseite des Gehäuses 71 vorgesehen sind. Daher ist das Gehäuse 71 so ausgestaltet, dass es horizontal (Y-Richtung in 8 bis 10) beweglich ist. Die Oberseite des Gehäuses 71 bildet die Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24. Unterhalb der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 ist ein Trägermittel, wie Wafergreifer 74, 74, vorgesehen. Jeder Wafergreifer 74 ist so ausgestaltet, dass er 26 Waferplatten W in den Träger C einsetzen und aus diesem herausnehmen kann, während diese in regelmäßigen Abständen L angeordnet sind. Der Wafergreifer 74 ist außerdem fähig, 52 Waferplatten W zu tragen, während diese in gleichmäßigen Abständen L/2 angeordnet sind, welche im Wesentlichen der Hälfte der oben genannten Abstände L entsprechen. Mit einer solchen Ausgestaltung, in der der Wafergreifer 74 ein Substratträger ist, besteht keine Notwendigkeit, eine andere Stelle mit einem Raum oder einer Anordnung zum Anbringen der Wafer W darauf in regelmäßigen Abständen von L/2 vorzusehen. Des Weiteren ist es möglich, die Betriebszeit der Vorrichtung zu verkürzen, verglichen mit dem Fall, in dem die Wafer W an der anderen Stelle angebracht werden.
  • Wie in 11 gezeigt, sind 52 Nuten 75 auf dem Wafergreifer 74 ausgeformt in regelmäßigen Abständen von L/2. Wie in 8 und 9 gezeigt, wird jeder Waferträger 74 durch eine drehbare Anhebewelle 77 eines drehbaren Anhebemechanismus 76 getragen. Der drehbare Anhebemechanismus 76 ist auf einem Anhebeelement 79 befestigt, welcher sich entlang einer Führungsschiene 78 nach oben und nach unten bewegt. So kann der Wafergreifer 74 sich um die drehbare Anhebewelle 77 in einer horizontalen Ebene (θ-Richtung in 8 und 9) drehen und sich ebenso nach oben und nach unten bewegen (Z- Richtung in 8 und 9). Im Falle des Anbringens des Trägers C, in welchem 26 Waferplatten W untergebracht sind, an der Seite der Station 34 der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 werden, wenn der Wafergreifer 74 der gleichen Seite angehoben wird, um 26 Waferplatten W aus dem Inneren des Trägers C vorstehen zu lassen, die unteren Flächen der Wafer W in 52 Nuten 75 in abwechselnde Nuten einegeführt.
  • Oberhalb der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 ist eine Abstandsveränderungseinheit oder ein Abstandsveränderer 80 als Beförderungsmittel zum Geben und Nehmen der Wafer W bezüglich des Wafergreifers 74 vorgesehen. Der Abstandsveränderer 80 hat Gleitelemente 82, 82, welche an der Rückseite eines Anhebemechanismus 95 vorgesehen sind, der später erwähnt wird. Diese Gleitelemente 82, 82 sind gleitend im Eingriff mit Führungsschienen 81, 81, welche an dem oberen Teil der Platte 70 befestigt sind. Infolgedessen kann sich der Abstandsveränderer 80 horizontal (in Y-Richtung in 8 bis 10) bewegen. Der Abstandsveränderer 80 ist mit einem Paar von Links/Rechts-Trägerelementen 83a, 83b zum Tragen des Wafers W ausgestattet.
  • Die Trägerelemente 83a, 83b sind mit einem Lager 85 mittels Lagerwellen 84a bzw. 84b verbunden. Ein nicht dargestellter Motor ist in dem Lager 85 zum Drehen der Trägerelemente 83a um die Lagerwelle 84a (θ-Richtung in 10) und auch des Trägerelements 83b um die Trägerwelle 84b (θ-Richtung in 10) vorgesehen. Die Trägerelemente (3a, 83b, welche in durchgezogenen Linien in 10 gezeigt sind, zeigen deren horizontale Stellung, die durch den Betrieb des Motors erreicht wird. Die Trägerelemente 83a, 83b sind so ausgestaltet, dass sie die Wafer W in deren horizontaler Stellung tragen können. Außerdem ist der Abstandsveränderer 80 so ausgestaltet, dass er die so getragenen Wafer W aus den Trägerelementen 83a, 83b auslösen kann, wenn diese um einen Winkel von 90 Grad durch den Motor gedreht und in ihre vertikale Position gebracht werden, welche durch Linien mit zwei Punkten und einem Strich 83a', 83b' (10) dargestellt sind. Durch das Ausfahren und Zurückziehen der Lagerwellen 84a, 84b können die Trägerelemente 83a, 83b sich horizontal nach vorne und hinten (in X-Richtung in 10) bewegen.
  • Wie in 12 gezeigt, sind in dem Trägerelement 83a Nuten 90a und Zwischenräume 91a am Umfang der rechten Seite (auf der rechten Seite des gleichen Elements in 12) auf der Oberseite vorgesehen, abwechselnd in regelmäßigen Abständen von L/2, und in gleicher Weise sind Nuten 92a und Zwischenräume 93a am Umfang der linken Seite (auf der linken Seite des gleichen Elements in 12) an der Unterseite vorgesehen, abwechselnd in regelmäßigen Intervallen von L/2. Diese Nuten 90a, 92a und die Zwischenräume 91a, 93a sind jeweils an 26 Stellen ausgeformt. Die Nuten 90a sind in regelmäßigen Abständen von L vorgesehen, und die anderen Nuten 92a sind auch in regelmäßigen Abständen von L vorgesehen. Die Zwischenräume 91a, 93a sind jeweils mit einer ausreichenden Breite (Länge) versehen, so dass die Außenflächen der Wafer W, die durch den Wafergreifer 74 getragen werden, durch die Zwischenräume 91a, 93a hindurchtreten können, wenn das Trägerelement 83a in seiner horizontalen Stellung angehoben und abgesenkt wird. Auch in dem Trägerelement 83b sind Nuten 90b und Zwischenräume 91b am Umfang der linken Seite (auf der linken Seite des gleichen Elements in 12) auf der Oberseite ausgeformt, abwechselnd in regelmäßigen Abständen von L/2, und in gleicher Weise sind Nuten 92b und Zwischenräume 93b am Umfang der rechten Seite (auf der rechten Seite des gleichen Elements in 12) auf der Unterseite vorgesehen, abwechselnd in regelmäßigen Abständen von L/2. Diese Nuten 90b, 92b und die Zwischenräume 91b, 93b sind jeweils an 26 Stellen ausgeformt. Die Nuten 90b sind in regelmäßigen Abständen von L vorgesehen, und die anderen Nuten 92b sind auch in regelmäßigen Abständen von L vorgesehen. Die Zwischenräume 91b, 93b haben auch eine ausreichende Breite (Länge), so dass die Außenflächen der Wafer W, welche durch den Waferträger 74 getragen werden, durch die Zwischenräume 91a, 93a hindurchtreten können, wenn das Trägerelement 83b in seiner horizontalen Stellung angehoben und abgesenkt wird.
  • In dem in 10 gezeigten Beispiel sind die Nuten 90a und die Nuten 90b so angeordnet, dass sie einander gegenüberliegen, und sie sind auch so ausgeformt, dass sie 26 Waferplatten W vor der Reinigung in regelmäßigen Abständen von L tragen können. Wenn die Trägerelemente 83a, 83b dagegen um einen Winkel von 180 Grad gedreht werden, dann liegen sich die Nuten 92a und die Nuten 92 gegenüber, so dass 26 Waferplatten W nach der Reinigung durch die Nuten 92a, 92b in regelmäßigen Abständen von L getragen werden können. Das heißt, sogar wenn Partikel, die sich von den Wafern W vor der Reinigung lösen, in nachteiliger Weise in den Nuten 90a, 90b haften bleiben, ist es möglich, das Anhaften aus den Nuten 90a, 90b an den gereinigten Wafern W zu verhindern, da diese mittels der Nuten 92a, 92b getragen werden.
  • Das Lager 85 ist mit einer Anhebewelle 96 des vorgenannten Anhebemechanismus 95 verbunden. Durch Ausfahren und Einziehen oder durch Hinauf- und Hinuntergleiten an der Anhebewelle 96 (Z-Richtung in 8 bis 10) mit Hilfe des Anhebemechanismus 95 können das Lager 85 und die Trägerelemente 83a, 83b sich hinauf- und hinunterbewegen (Z-Richtung aus 8 bis 10).
  • Anschließend werden der Betrieb und die Wirkung der oben beschriebenen Waferanordnungseinrichtung 22 der ersten Ausführungsform beschrieben, auf der Basis eines bestimmten Reinigungsprozesses für die Wafer W in der Reinigungseinrichtung 1. Zunächst lädt zum Beispiel ein Arbeiter in einer Fabrik zwei Träger C, in welchen sich zum Beispiel jeweils 26 Waferplatten W befinden, auf die Beladungsstufe 20. Dann bewegt der Transfertisch 23 die Träger C, die auf den Stationen 31, 30 angebracht sind, zu der Waferanordnungseinrichtung 22 und platziert die Träger C auf der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24.
  • Nun wird das Anordnungsverfahren beschrieben, das in der Waferanordnungseinrichtung 22 ausgeführt wird, mit Bezug auf die erläuternden Diagramme des ersten bis 19. Prozesses, die in den 13 bis 22 gezeigt sind. Zunächst wird ein Träger C auf der Seite der Station 34 (auf der linken Seite in den 12 bis 22) der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 gesetzt, und der andere Träger C wird auf die Seite der Station 35 (auf der rechten Seite in den 12 bis 22) der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 gesetzt. Wie in 13 gezeigt, wird ein Waferträger 74 angehoben, um in die Station 34 einzutreten, während der andere Wafergreifer 74 auch ausgefahren wird, um in die Station 35 einzutreten. Die Trägerelemente 83a, 83b stehen auf einer Seite oberhalb des Trägers C bereit. In dem Träger C sind 26 Wafer W in regelmäßigen Abständen von L angeordnet. Die Flächen Wa der entsprechenden Wafer W zeigen zur Vorderseite der Reinigungseinrichtung 1 (zur rechten Seite in 13). Anschließend senken sich, wie in 14 gezeigt, die Trägerelemente 83a, 83b bis direkt oberhalb des Trägers C auf einer Seite ab. Wie in 15 gezeigt, wird dann der Wafergreifer 74 auf der Seite der Station 34 angehoben, um 26 Waferplatten W aus dem Träger C auf einer Seite hinauszuheben. Zu diesem Zeitpunkt hebt der Wafergreifer 74 auf der Seite der Station 34 26 Waferplatten W auf eine Höhe an, in der sie die Bewegung der Trägerelemente 83a, 83b aus ihrer vertikalen Lage in ihre horizontale Lage nicht behindern. Dann werden in dem Wafergreifer 74 der Seite der Station 34 die unteren Flächen der Wafer W in jede zweite von 52 Nuten 75 eingesetzt, so dass 26 Waferplatten W, die aus dem Träger C herausgenommen worden sind, auf einer Seite in regelmäßigen Abständen von L angeordnet sind. Während dessen werden die Trägerelemente 83a, 83b aus ihrer vertikalen Lage um 90 Grad in die horizontale Lage gedreht.
  • Wie in 16 gezeigt, senkt sich dann der Wafergreifer 74 auf der Seite der Station 34 ab und befördert 26 Waferplatten W, welche aus dem Träger C auf einer Seite herausgenommen worden sind, zu den Trägerelementen 83a, 83b, während sich der Wafergreifer absenkt. 23 zeigt die Situation der Wafer zu diesem Zeitpunkt in Draufsicht. In 23 tragen die Trägerelemente 83a, 83b 26 Waferplatten W, die aus dem Träger C auf einer Seite herausgenommen worden sind, während die Außenflächen der entsprechenden Wafer W in die Nuten 90a, 90b eingeführt sind. Anschließend bewegen sich die Trägerelemente 83a, 83b zu der Oberseite des Trägers C auf der anderen Seite, wie in 17 gezeigt. Dann werden die Lagerwellen 84a, 84b leicht geschrumpft, um die Trägerelemente 83a, 83b zurückzuziehen. 24 zeigt die Situation der Wafer zu diesem Zeitpunkt in Draufsicht. In 24 sind die Rückziehabstände der Trägerelemente 83a, 83b so gewählt, dass die entsprechenden Wafer W (26 Platten), welche aus dem Träger C auf einer Seite herausgenommen worden sind, zwischen den entsprechenden Wafern (26 Platten) in dem Träger C auf der anderen Seite angeordnet werden können, in regelmäßigen Intervallen von L/2, welche im Wesentlichen der Hälfte der oben genannten Intervalle L entsprechen.
  • Wie in 18 gezeigt, senken sich die Trägerelemente 83a, 83b anschließend bis direkt oberhalb des anderen Trägers C. In diesem Fall ist die Höhe des Lagers 85 bis zum Anschlag abgesenkt. Zum Beispiel kann die Höhe des Lagers so ausgestaltet sein, dass in Vorderansicht die untersten Teile der Wafer W, die mittels der Trägerelemente 83a, 83b getragen werden, die obersten Teile der Wafer W in dem Träger C entweder berühren oder sich teilweise mit diesen überlappen. Alternativ kann das Lager in seiner untersten Stellung sein, wo die Trägerelemente 83a, 83b zumindest nicht in Wechselwirkung mit dem Träger C geraten. Wie in 19 gezeigt, hebt sich dann der Wafergreifer 74 auf der Seite der Station 35, um die 26 Waferplatten W aus dem anderen Träger C auf der anderen Seite herauszuheben, und er fügt die Wafer W zwischen die entsprechenden (26) Waferplatten W, die aus dem Träger C auf einer Seite herausgenommen worden sind, wodurch eine Wafergruppe 100 entsteht, in der 52 (gleich der Anzahl von Wafern aus zwei Trägern C) Waferplatten W in regelmäßigen Abständen von L/2 angeordnet sind, welche im Wesentlichen der Hälfte der Intervalle L entsprechen. Infolgedessen werden die Wafer W nicht eher aus dem Träger C herausgehoben, als dass die Wafer W, die mittels der Trägerelemente 83a, 83b getragen werden, sich mit den Wafern W überlappen, die aus dem Träger C herausgehoben werden, und zwar in Vorderansicht. Daher wird fast der gesamte Einführvorgang der Wafer W (26 Platten) in die anderen Wafer W (26 Platten) ausgeführt, während die Wafer W mittels der Nuten 91a, 91b der Trägerelemente 83a, 83b und auch mittels der Nuten 15 des Trägers C geführt werden. Zu diesem Zeitpunkt treten die linken und rechten Außenflächen der Wafer W, die aus dem anderen Träger C herausgenommen worden sind, durch die Zwischenräume 91a, 91b der Trägerelemente 83a, 83b ohne wechselseitige Berührung. In diesem Zustand hat die Wafergruppe 100 eine Breite, die im Wesentlichen der Breite des Trägers C entspricht, der 26 Waferplatten W in einem regelmäßigen Abstand L angeordnet hat.
  • Auf diese Weise werden die folgenden Schritte (Prozesse) ausgeführt: das Herauf drücken der 26 Waferplatten W, welche in regelmäßigen Abständen von L in einem Träger C angeordnet sind, um die Wafer W so zu tragen, wie sie sind; das Halten der so getragenen Wafer W, während sie in regelmäßigen Abständen von L angeordnet sind; und das Herauf drücken der 26 Waferplatten W, welche in regelmäßigen Abständen von L in dem anderen Träger C angeordnet sind, um die so heraufgedrückten Wafer W zwischen die ersten Wafer W einzuführen, welche aus dem ersten Träger C herausgenommen worden sind, um so die 52 Waferplatten W zu tragen, die in regelmäßigen Abständen von L/2 angeordnet sind.
  • Zwischen dem oben genannten Schritt des Haltens der so getragenen Wafer W, die in regelmäßigen Abständen von L angeordnet sind, und dem anderen Schritt des Tragens der 52 Waferplatten W, die in regelmäßigen Abständen von L/2 angeordnet sind, wird weiter das Bewegen der so getragenen Wafer W direkt oberhalb des anderen Trägers C ausgeführt, wodurch die entsprechenden Wafer W zwischen die anderen Wafer W in dem anderen Träger in Draufsicht positioniert werden. Nach Abschluss dieser Positionierung ist es möglich, die 26 Waferplatten W, die aus dem anderen Träger C herausgenommen worden sind, durch die Nuten 15 zwischen die entsprechenden 26 Waferplatten W, die aus dem Träger C auf einer Seite herausgenommen worden sind, einzuführen. Infolgedessen können die Wafer W, die aus dem Träger C auf einer Seite herausgenommen worden sind, davon abgehalten werden, im Kontakt mit den anderen Wafern W zu gelangen, die aus dem anderen Träger C herausgenommen worden sind, wodurch die Bildung der Wafergruppe 100 stabil abgeschlossen werden kann. Es wird darauf hingewiesen, dass, wenn die Wafer W aus beiden Trägern C herausgenommen werden, um die Wafer W zu positionieren, wie in dem herkömmlichen Verfahren, die positionelle Abweichung zwischen den Wafern W auftreten kann, weil jeder Wafer W der Umgebung ausgesetzt ist. Nach der Ausführungsform kann dagegen, da die Ausrichtung der Wafer W durch das Bewegen der 26 Waferplatten W aus dem einen Träger gegenüber den Wafern W, die sich in dem anderen Träger befinden, ausgeführt wird, die Ausrichtungsstabilität und Genauigkeit verbessert werden, um die Ausrichtung der Wafer W einfach auszuführen. Es ist daher möglich, das Auftreten von positionellen Abweichungen der Wafer zu verhindern, und eine Vielzahl von komplizierten Mechanismen zum Erfassen und Korrigieren der positionellen Abweichung wird nutzlos.
  • Wie in 20 gezeigt, drehen sich anschließend die Trägerelemente 83a, 83b um 90 Grad aus der horizontalen Lage in die vertikale Lage. Wie in 21 gezeigt, bewegen sich die Trägerelemente 83a, 83b dann nach oberhalb der Wafergruppe 100, und, wie in 22 gezeigt, bewegen sich diese Elemente 83a, 83b dann in Richtung der Station 34, während sich der Wafergreifer 74 auf der Seite der Station 35 um 90 Grad dreht, so dass die Anordnungsrichtung der Wafer W in der Wafergruppe 100 so geändert wird, dass sie in Richtung des Lagerabschnitts 3 (zur rechten Seite von 22) zeigt.
  • Anschließend hält der Transferarm 8 die auf dem Wafergreifer 74 angeordnete Wafergruppe 100 auf der Seite der Station 35 und befördert sie in Richtung des Reinigungs- und Trocknungsabschnitts 4. In dem Abschnitt 4 wird das Waschen und Trocknen der Wafergruppe 100 ausgeführt. Es wird darauf hingewiesen, dass die Wafergruppe 100 52 Waferplatten W trotz der Breite eines Trägers C beinhaltet. Daher ist in jeder chemischen Spül- und Reinigungseinrichtung 10, 12 zum Reinigen der Wafergruppe 10 die Anzahl der Wafer, die die Einrichtung während einer Reinigung prozessieren kann, zweimal so groß wie in der herkömmlichen Einrichtung, ohne dass die Größe der Einrichtung anstiege, und außerdem ist es möglich, den Verbrauch der Reinigungsflüssigkeit zu senken.
  • Schließlich wird die Wafergruppe 100 mittels der Trocknungseinrichtung 9 getrocknet und wieder zu der Waferanordnungseinrichtung 22 zurückgebracht. Nach Vervollständigen der oben genannten Prozesse in im Wesentlichen umgekehrter Richtung unter Benutzung der Wafergreifer 74, 74 und des Abstandsveränderers 80 werden die Wafer W in zwei Trägern C untergebracht. Anschließend wird das Entladen und das Bewegen der Träger C zu der Stufe 21 ausgeführt.
  • Da die Wafergruppe 100 durch das Aufnehmen der 26 Waferplatten W aus dem anderen Träger C auf der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 gebildet wird, ist es gemäß dem oben beschriebenen Waferanordnungsverfahren und der Vorrichtung 22 möglich, den herkömmlichen Arbeitsgang des Bewegens der Wafer W zu der Stufe zum Bilden der Wafergruppe 100 einzusparen, wodurch die Bildung der Wafergruppe 100 in einer kurzen Zeit stabil ausgefüllt werden kann. Darüber hinaus besteht keine Notwendigkeit, eine zusätzliche Stufe oder einen Raum vorzubereiten, auf dem die Wafergruppe 100 ausgeformt wird, abgesehen von der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24, so dass es möglich wird, die Reinigungseinrichtung 1 zum Reinigen der Gruppe 100 klein zu halten.
  • In dem Waferanordnungsverfahren kann zwischen einem Schritt des Herausnehmens der 26 Waferplatten W aus dem Träger C auf einer Seite und dem anderen Schritt des Ausbildens der Wafergruppe 100, in der 52 Waferplatten W in regelmäßigen Abständen von L/2 angeordnet werden, ein neuer Schritt des Umwendens der entsprechenden Wafer W, die aus dem oben genannten Träger herausgenommen worden sind, ausgeführt werden. Das heißt, in dem Anordnungsverfahren, das mittels der Waferanordnungseinrichtung 22 ausgeführt wird, wird der Wafergreifer 74 auf der Seite der Station 34 angehoben, um die 26 Waferplatten W aus dem Träger C herauszuheben (siehe 25), nachdem die Trägerelemente 83a, 83b sich bis direkt oberhalb des Trägers auf einer Seite abgesenkt haben, wie in 14 gezeigt. Zu diesem Zeitpunkt drückt der Wafergreifer 74 auf der Seite der Station 34 die 26 Waferplatten W auf einen Level hoch, auf dem sie beim Drehen nicht in wechselseitigen Kontakt mit dem Lager 85 geraten. Anschließend dreht sich, wie in 26 gezeigt, der Wafergreifer 74 auf der Seite der Station 34 um einen Winkel von 180 Grad, um jede Vorderseite Wa und jede Rückseite Wb der 26 Waferplatten W umzudrehen, welche aus dem Träger C auf einer Seite aufgenommen worden sind. Infolgedessen zeigen die Rückseiten Wb der entsprechenden Wafer W in Richtung der Vorderseite der Reinigungseinrichtung 1 (der Vorderseite in 26). Anschließend werden die Prozesse nach 16 bis 22 ausgeführt.
  • Nach dem oben genannten Verfahren werden nach dem Umdrehen der Vorderseiten Wa und der Rückseiten Wb der 26 Waferplatten W, die aus dem Träger C auf einer Seite herausgenommen worden sind, die Wafer eingesetzt, um die Wafergruppe 100 zu bilden. In einer solchen Wafergruppe 100 können die Vorderseite Wa und die Rückseite Wb eines Wafers W der Vorderseite Wa bzw. der Rückseite Wb des benachbarten Wafers W gegenüberliegen. Daher wird es möglich, zum Beispiel zu verhindern, dass Partikel, die von der Rückseite Wb eines Wafers W fallen, an der Vorderseite Wa des benachbarten Wafers W haften bleiben.
  • Als Nächstes wird eine Waferanordnungseinrichtung 110 gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Wie in 27 gezeigt, ist die Waferanordnungseinrichtung 110 mit einer Aufnahme- und Unterbringungsstufe 111 versehen, welche einen Anbringungsraum für einen einzelnen Träger C hat. Die Aufnahme- und Unterbringungsstufe 110 beinhaltet nur die Station 34, wodurch die entsprechenden seitlichen Breiten eines Gehäuses 112 und einer Platte 113 reduziert werden. Das Gehäuse 112 ist mit dem einzelnen Wafergreifer 74 ausgestattet. Der Aufbau der Waferanordnungseinrichtung 110 ist identisch mit dem der vorgenannten Waferanordnungseinrichtung 22, abgesehen davon, dass ein Anbringungsplatz für einen Träger C vorgesehen ist. Elemente, die denen der Einrichtung 22 in Struktur und Funktion gleichen, sind daher mit den gleichen Bezugsziffern versehen, und sich überlappende Beschreibungen werden weggelassen.
  • Nun wird das Anordnungsverfahren beschrieben, das mittels der Waferanordnungseinrichtung 110 ausgeführt wird. Zuerst wird ein Träger C, welcher zum Beispiel an der Station 31 angebracht ist, zu der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 111 bewegt. Nach Beendigung der Schritte, die denen der 14 bis 16 entsprechen, werden anschließend 26 Waferplatten W aus dem oben genannten Träger C an der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 111 herausgenommen und kontinuierlich zu den Trägerelementen 83a, 83 befördert. Anschließend werden die Trägerelemente 83a, 83b angehoben, um zu ermöglichen, dass die 26 Waferplatten W, welche aus dem Träger C aufgenommen worden sind, an der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 111 bereitstehen. Anschließend wird der leere Träger C von der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 111 zurückgezogen, um einen Platz darauf zu schaffen. Anschließend wird der andere Träger C, welcher an der Station 30 angebracht ist, zu der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 111 befördert. Nach Vervollständigung der Schritte, die denen nach 17 bis 22 gleichen, werden anschließend 26 Waferplatten W aus dem anderen Träger C herausgenommen, und anschließend wird die Wafergruppe 100 gebildet, in der die ersten Wafer W (26 Platten) aus dem Träger C auf einer Seite und die zweiten Wafer W (26 Platten) von dem Träger C auf der anderen Seite abwechselnd in regelmäßigen Abständen von L/2 angeordnet werden, d.h., in im Wesentlichen der Hälfte der oben genannten Abstände L.
  • In dem oben genannten Waferanordnungsverfahren ist es auch möglich, die Bildung der Wafergruppe 100 stabil zu gestalten. Gemäß der Waferanordnungseinrichtung 110 ist es außerdem möglich, eine Größe der Vorrichtung zu reduzieren, da es nur notwendig ist, einen Anbringplatz für einen Träger C zur Verfügung zu stellen. Es wird darauf hingewiesen, dass ähnlich der ersten Ausführungsform das oben beschriebene Anordnungsverfahren einen zusätzlichen Schritt des Umdrehens der Vorderseiten Wa und der Rückseiten Wb der 26 Waferplatten W beinhalten kann, die aus dem Träger C auf einer Seite herausgenommen worden sind.
  • Es wird nun die Waferanordnungseinrichtung 120 gemäß der dritten Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Wie in 28 gezeigt, hat die Waferanordnungseinrichtung 120 Aufnahme- und Unterbringungsstufen 121, 122, welche jeweils einen Anbringplatz für einen Träger C haben. Die Station 34 ist auf der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 121 definiert, während die Station 35 auf der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 122 definiert ist. Diese Aufnahme- und Unterbringungsstufen 121, 122 können sich horizontal (Y- Richtung) und auf und ab (Z-Richtung) bewegen und sich auch in der horizontalen Ebene (θ-Richtung in 28) mittels eines nicht dargestellten Antriebsmechanismus drehen. Die Waferanordnungseinrichtung 120 ist mit dem einzelnen Wafergreifer 74 ausgestattet. Ein Transferarm 123 ist zum Geben und Nehmen der Wafer W bezüglich dem Wafergreifer 74 angebracht.
  • Der Transferarm 123 ist mit Waferspannfuttern 124a, 124b versehen, welche sich öffnen und schließen sowie ausfahren und zurückfahren können. Diese Waferspannfutter 124a, 124b sind so ausgebildet, dass sie 26 Waferplatten W in regelmäßigen Abständen von L und auch 52 Waferplatten W in regelmäßigen Abständen von L/2 aufnehmen können. Wie in 29 gezeigt, hat das Waferspannfutter 124a im einzelnen Nuten 125a und Zwischenräume 126a, welche abwechselnd an dem oberen Teil in regelmäßigen Abständen von L/2 ausgeformt sind, während das Waferspannfutter 124b Nuten 125b und Zwischenräume 126b aufweist, welche abwechselnd an dem oberen Teil ebenfalls in regelmäßigen Abständen von L/2 ausgeformt sind. Diese Nuten 125a, 125b und die Zwischenräume 126a, 126b sind jeweils an 26 Stellen ausgeformt. Die Abstände zwischen den benachbarten Nuten 125a und die Abstände zwischen den benachbarten Zwischenräumen 125b sind identisch mit den regelmäßigen Abständen L. Außerdem hat das Waferspannfutter 124a 52 Nuten 127a, die an dem unteren Teil in regelmäßigen Abständen von L/2 ausgeformt sind, während das Waferspannfutter 124b 52 Nuten 127b aufweist, welche an dem unteren Teil ebenfalls in regelmäßigen Abständen von L/2 ausgeformt sind.
  • Anschließend wird das Anordnungsverfahren beschrieben, welches mittels der Waferanordnungseinrichtung 120 durchgeführt wird, mit Bezug auf das erste bis neunte Prozessdiagramm, welche in 30A, 30B bis 38A, 38B gezeigt sind. Es wird darauf hingewiesen, dass 30B bis 38B die Waferspannfutter 124a, 124b zeigen, und zwar jeweils aus A-Richtung in 30A bis 38B gesehen. Zunächst drehen sich die Aufnahme- und Unterbringungsstufen 121, 122 um 90 Grad, um die Stationen 34, 35 in Richtung der Entladestufe 21 auszurichten. Nachdem die Träger C, welche an den Stationen 30, 31 angebracht sind, zu den Stationen 34 bzw. 35 bewegt worden sind, drehen sich anschließend die Aufnahme- und Unterbringungsstufen 121, 122 wiederum um 90 Grad, um die Stationen 34, 35 in Richtung des Lagerabschnitts 3 auszurichten. Wie in 30A und 30B gezeigt, bewegt sich anschließend der Transferarm 123 zu der Seite der Waferanordnungseinrichtung 120 und bewegt weiter die Waferspannfutter 124a, 124b oberhalb der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 122. Es wird darauf hingewiesen, dass in dieser Waferanordnungseinrichtung 120 der Träger C, der auf der Seite der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 122 vorgesehen ist (d.h. auf der rechten Seite in 30A bis 38A) als Träger C auf der einen Seite definiert ist, während der Träger C, welcher an der Seite der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 121 (d.h. auf der linken Seite in 30A bis 38A) vorgesehen ist, als anderer Träger C auf der anderen Seite definiert ist.
  • Wie in den 31A und 31B gezeigt, wird anschließend der Wafergreifer 74 auf der Seite der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 121 angehoben, um die 26 Waferplatten W von dem Träger C auf einer Seite aufzunehmen. Wie in 32A und 32B gezeigt, schließen sich anschließend die Waferspannfutter 124a und 124b auf ihren oberen Seiten und halten die oben genannten Wafer W mittels der Nuten 125a, 125b. Wie in den 33A und 33B gezeigt, wird anschließend der Wafergreifer 74 abgesenkt, um die 26 Waferplatten, welche aus dem Träger C aufgenommen worden sind, zu den Waferspannfuttern 124a, 124b zu befördern. Wie in den 34A und 34B gezeigt, bewegen sich anschließend beide Aufnahme- und Unterbringungsstufen 121, 122 zu der Seite des Lagerabschnitts 3 (rechte Seite in 34A), um den anderen Träger C unterhalb der Waferspannfutter 124a, 124b zu bewegen. Entsprechend der Beschreibung von 24 wird dann die Bewegung der Aufnahme- und Unterbringungsstufen 121, 122 so durchgeführt, dass beim Bewegen des anderen Trägers C unterhalb der Waferspannfutter 124a, 124b die 26 Waferplatten W von dem Träger C entsprechend zwischen den entsprechenden Wafern W von dem anderen Träger C positioniert werden, wobei die Abstände zwischen den benachbarten Wafern W jeweils ungefähr L/2 in Draufsicht entsprechen.
  • Wie in 35A und 35B gezeigt, wird anschließend die Aufnahme- und Unterbringungsstufe 121 angehoben, um so die Wafer W, welche aus dem Träger C auf einer Seite aufgenommen worden sind, direkt oberhalb des anderen Trägers C zu bewegen. Wie in 36A und 36B gezeigt, erhebt sich anschließend der Wafergreifer 74, um die 26 Waferplatten W aus dem anderen Träger C herauszunehmen und die Wafergruppe 100 zu bilden. Wie in 37A und 37B gezeigt, schließen sich anschließend die Waferspannfutter 124a, 124b an ihren unteren Seiten und halten die 52 Waferplatten W mittels der Nuten 127a, 127b in regelmäßigen Abständen von L/2 (ungefähr die Hälfte der Abstände L). Wie in den 38A und 38B gezeigt, wird anschließend die Aufnahme- und Unterbringungsstufe 121 abgesenkt. Da der Transferarm 123 schon die Wafergruppe 100 trägt, kann diese sofort zu dem Reinigungs- und Trocknungsabschnitt 4 bewegt werden.
  • Gemäß dem oben genannten Anordnungsverfahren und der Einrichtung 120 ist es, da der Transferarm 123 auch als der oben genannte Abstandsveränderer 80 funktioniert, möglich, den Zeitraum von der Bildung der Wafergruppe 100 bis zum Trocknungsprozess an dem Reinigungs- und Trocknungsabschnitt 4 zu verkürzen. Entsprechend kann der Durchsatz der Einrichtung 120, verglichen mit der der Waferanordnungseinrichtungen 22 und 110 verbessert werden. Außerdem kann die Einrichtung selbst stärker vereinfacht werden. Ähnlich der ersten und zweiten Ausführungsform kann das oben genannte Anordnungsverfahren einen zusätzlichen Schritt des Umdrehens der Vorderseiten Wa und der Rückseiten Wb der 26 Waferplatten W beinhalten, welche aus dem Träger C auf einer Seite herausgenomen worden sind.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass die vorliegende Erfindung nicht nur auf die oben beschriebenen Ausführungsformen begrenzt ist und dass sie daher in verschiedenen Abänderungen verwendbar ist. In der ersten und der zweiten Ausführungsform kann der Abstandsveränderer so ausgeführt werden, dass jede Vorderseite und jede Rückseite der 26 Waferplatten W, welche aus dem Träger C auf einer Seite herausgenommen worden sind, umgedreht werden. In der dritten Ausführungsform kann der Transferarm so ausgestaltet werden, dass er jede Vorderseite und jede Rückseite der 26 Waferplatten W umdreht, welche aus dem Träger C herausgenommen worden sind.
  • Obwohl die oben beschriebenen Ausführungsformen mit Bezug auf eine Reinigungseinrichtung zum Reinigen der Wafer in Stapeln beschrieben worden sind, ist die Erfindung nicht auf die oben genannte Vorrichtung begrenzt, sondern sie ist auf die andere Vorrichtung zum Ausführen einer bestimmen Behandlung anwendbar, zum Beispiel auf eine Vorrichtung zum Aufbringen einer bestimmten Behandlungsflüssigkeit auf die Wafer. Obwohl außerdem die Wafer für die Ausführungsformen als Substrate bezeichnet worden sind, ist die Erfindung nicht auf solche Ausführungsformen begrenzt, sondern auch auf andere Substrate, zum Beispiel LCD-Substrate, etc., anwendbar.
  • Eine Waferanordnungseinrichtung 222 gemäß der vierten Ausführungsform wird im Folgenden beschrieben. Genauso wie die Waferanordnungseinrichtung 22 der ersten Ausführungsform wird die Waferanordnungseinrichtung 222 auf die Reinigungseinrichtung 1 der 1 und 2 angewendet, wobei ebenfalls der Träger, wie in 3 gezeigt, verwendet wird.
  • Anders als bei der Waferanordnungseinrichtung 22, welche mit zwei Stationen an der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 24 versehen ist, hat die Waferanordnungseinrichtung 222 eine einzelne Station 234 an einer Aufnahme- und Unterbringungsstufe 224, wie in 39 und 40 gezeigt. In der Anordnung ist der Träger C an der Außenfläche einer Öffnung der Station 234 angebracht, durch den Rand der Unterseite des Trägers. Es wird darauf hingewiesen, dass auch das Bewegungsmittel 50, der Transfertisch 23, etc. der 6 und 7 in dieser Ausführungsform verwendet werden.
  • Die 41 und 42 zeigen die Waferanordnungseinrichtung 222, welche unterhalb der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 224 mit einem Wafergreifer 270 versehen ist. Der Wafergreifer 270 ist so aufgebaut, dass er 26 Waferplatten W in den Träger C hinein- und aus diesem herausbefördern kann, während diese in regelmäßigen Abständen von L angeordnet sind. Weiter ist der Wafergreifer 270 so aufgebaut, dass er 52 Waferplatten W tragen kann, während diese in regelmäßigen Abständen L/2 angeordnet sind. Wie in 43A gezeigt, hat der Wafergreifer 270 52 Nuten 271, welche in regelmäßigen Abständen von L/2 ausgeformt sind. In 41 und 43B stützt eine drehbare Anhebewelle 273 eines drehbaren Anhebemechanismus 272 den Wafergreifer 270. Die drehbare Anhebewelle 273 ist exzentrisch mit dem Wafergreifer 270 verbunden. Der Wafergreifer 270 ist so aufgebaut, dass er um die drehbare Anhebewelle 273 in einer horizontalen Ebene (θ-Ebene in 43B) drehbar ist aufgrund des drehbaren Anhebemechanismus 272. Wie in 41 gezeigt, ist der drehbare Anhebemechanismus 272 außerdem an der Oberseite eines Anhebeelements 275 befestigt, welches sich entlang einer ersten Führungsschiene 274 auf und ab bewegt. Die erste Führungsschiene 274 ist in ihrem unteren Teil gleitbar an einer zweiten Führungsschiene 276 befestigt, welche sich entlang einer Vor- und Rückwärtsrichtung (X-Richtung) der Reinigungseinrichtung 1 erstreckt. So kann sich der Wafergreifer 270 entlang einer Auf- und Abrichtung (Z-Richtung in 41) und auch in der Vor- und Rückwärtsrichtung (X-Richtung in 41) bewegen. Wenn der Träger C mit 26 darin untergebrachten Waferplatten W an der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 224 angebracht ist, und wenn der Wafergreifer 270 mittels des drehbaren Anhebemechanismus 272 und des Anhebeelements 275 angehoben wird, um die Wafer W aus dem Träger C herausstehen zu lassen, werden mit der oben genannten Anordnung die unteren Flächen der Wafer W abwechselnd in die 52 Nuten 271 eingeführt.
  • Wie in 42 gezeigt, ist an der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 224 ein Abstandsveränderer 280 als Beförderungsmittel vorgesehen, welcher die Wafer W zu dem Wafergreifer 270 hin- und von diesem wegbefördert. Der Abstandsveränderer 280 ist mit linken und rechten ersten Trägerelementen 281a, 281b in Paaren und mit zweiten linken und rechten Trägerelementen 282a, 282b in Paaren zum Tragen der Wafer W ausgestattet.
  • Das erste Trägerelement 281a und das erste Trägerelement 281b sind zusammen mit einem ersten Lager 284 durch eine Lagerwelle 283a bzw. eine Lagerwelle 283b verbunden. Das erste Lager 284 beinhaltet einen Antriebsmechanismus (nicht dargestellt), welcher es ermöglicht, dass das erste Trägerelement 281a und das erste Trägerelement 281b sich um die Lagerwelle 283a bzw. die Lagerwelle 283b (θ-Richtung in 43B) drehen können. Die ersten Trägerelemente 281a, 281b, welche mit durchgezogenen Linien in 42 dargestellt sind, repräsentieren deren horizontale Lage, welche sie aufgrund des Betriebs des Antriebsmechanismus einnehmen. Die Wafer W werden mittels der ersten Trägerelemente 281a, 281b in ihrer horizontalen Lage getragen. Aufgrund des Betriebs des Antriebsmechanismus ermöglicht, wenn die ersten Trägerelemente 281a, 281b um 90 Grad in ihre vertikalen Positionen 281a', 281b' gedreht werden, welche mit Linien aus zwei Punkten und einem Strich dargestellt sind, die resultierende Anordnung es, dass die Wafer W aus den ersten Trägerelementen 281a, 281b freigegeben werden und zwischen den zweiten Trägerelementen 282a, 282b hindurchtreten. Durch Ausfahren und Einziehen der Lagerwelle 283a kann sich außerdem das erste Trägerelement 281a horizontal nach vorne und hinten (X-Richtung in 42) bewegen. Durch Ausfahren und Einziehen der Lagerwelle 283b kann sich in gleicher Weise das erste Trägerelement 281b horizontal nach vorne und hinten (X-Richtung in 42) bewegen.
  • Wie in 44 gezeigt, sind in dem ersten Trägerelement 281a Nuten 285a und Zwischenräume 286a am Umfang der rechten Seite (auf der rechten Seite desselben Elements in 44) an der Oberseite vorgesehen, abwechselnd in regelmäßigen Abständen von L/2, und in gleicher Weise sind Nuten 285b und Zwischenräume 286b am Umfang der linken Seite (auf der linken Seite desselben Elements in 44) an der Unterseite vorgesehen, abwechselnd in regelmäßigen Abständen von L/2. Diese Nuten 285a, 285b und die Zwischenräume 286a, 286b sind jeweils an 13 Stellen ausgeformt. Die Nuten 285a sind in regelmäßigen Abständen von L angeordnet, und die anderen Nuten 285b sind auch in regelmäßigen Abständen von L angeordnet. Die Zwischenräume 286a, 286b sind entsprechend mit ausreichenden Breiten (Längen) vorgesehen, so dass die Außenflächen der Wafer W, welche mittels des Waferträgers 270 getragen werden, durch die Zwischenräume 286a, 286b hindurchtreten können, wenn das Trägerelement 281a in der horizontalen Lage angehoben und abgesenkt wird. Auch in dem ersten Trägerelement 281b sind Nuten 287a und Zwischenräume 288a am Umfang der linken Seite (auf der linken Seite desselben Elements in 44) an der Oberseite ausgeformt, abwechselnd in regelmäßigen Abständen von L/2, und in gleicher Weise sind Nuten 287b und Zwischenräume 288b am Umfang der rechten Seite (auf der rechten Seite desselben Elements in 44) an der Unterseite vorgesehen, abwechselnd in regelmäßigen Abständen von L/2. Diese Nuten 287a, 287b und die Zwischenräume 288a, 288b sind jeweils an 13 Stellen ausgeformt. Die Nuten 288a sind in regelmäßigen Abständen von L vorgesehen, und die anderen Nuten 288b sind auch in regelmäßigen Abständen von L vorgesehen. Die Zwischenräume 288a, 288b sind auch mit ausreichenden Breiten (Längen) vorgesehen, so dass die Außenflächen der Wafer W, welche mittels des Wafergreifers 270 getragen werden, durch die Zwischenräume 288a, 288b hindurchtreten können, wenn das Trägerelement 281b in der horizontalen Lage angehoben und abgesenkt wird.
  • In dem Beispiel in 42 sind die Nuten 285a und die Nuten 287a so angeordnet, dass sie einander gegenüberliegen, und sie sind auch so ausgestaltet, dass sie 13 Waferplatten W vor dem Reinigen in regelmäßigen Abständen von L tragen können. Wenn die ersten Trägerelemente 281a, 281b um 180 Grad gedreht werden, dann liegen sich andererseits die Nuten 285b und die Nuten 287b gegenüber, so dass 13 Waferplatten W nach dem Reinigen mittels der Nuten 285b, 287b in regelmäßigen Abständen von L gehalten werden können. Sogar wenn daher Partikel, welche sich vor dem Reinigen von den Wafern W lösen, in ungünstiger Weise an den Nuten 285a, 287a anhaften, ist es möglich, das Anhaften der Partikel aus den Nuten 285a, 287a an den gereinigten Wafern W zu verhindern, da diese mittels der Nuten 285b, 287b getragen werden.
  • Das zweite Trägerelement 282a und das zweite Trägerelement 282b sind zusammen mit einem zweiten Lager 290 mittels einer Lagerwelle 289a bzw. einer Lagerwelle 289b verbunden. In gleicher Weise wie die ersten Trägerelemente 281a, 281b sind die zweiten Trägerelemente 282a, 282b so aufgebaut, dass sie drehbar (θ-Richtung in 42) und horizontal nach vorne und hinten beweglich (X-Richtung in 42) sind. Die zweiten Trägerelemente 282a, 282b, gezeigt mit durchgezogenen Linien in 42, repräsentieren deren horizontalen Lagen, während die gleichen Elemente 282a, 282b, gezeigt mit Linien aus zwei Punkten und einem Strich in 42, deren vertikale Lagen darstellen.
  • Wie in 45 gezeigt, sind in dem zweiten Trägerelement 282a 26 Nuten zu 291a am Umfang der rechten Seite (auf der rechten Seite desselben Elements in 45) an der Oberseite ausgeformt, in regelmäßigen Intervallen von L/2. In gleicher Weise sind 26 Nuten 291b am Umfang der linken Seite (auf der linken Seite desselben Elements in 45) an der Unterseite in regelmäßigen Abständen von L/2 ausgeformt. Weiter sind in dem zweiten Trägerelement 282b 26 Nuten 292a am Umfang der linken Seite (auf der linken Seite desselben Elements in 45) an der Oberseite in regelmäßigen Abständen von L/2 ausgeformt. In gleicher Weise sind 26 Nuten 292b am Umfang der rechten Seite (auf der rechten Seite desselben Elements in 45) auf der Unterseite in regelmäßigen Abständen von L/2 ausgeformt.
  • In dem Beispiel nach 42 sind die Nuten 291 des zweiten Trägerelements 282a und die Nuten 292a des zweiten Trägerelements 282b so angeordnet, dass sie einander gegenüberliegen, und sie sind auch so ausgestaltet, dass sie 26 Waferplatten W vor der Reinigung in regelmäßigen Abständen von L/2 tragen können. Ähnlich wie die ersten Trägerelemente 281a, 281b sind die zweiten Trägerelemente 282a, 282b so ausgestaltet, dass sie 26 Waferplatten W nach der Reinigung mittels der Nuten 289b, 291b in regelmäßigen Abständen von L/2 tragen können. Daher ist es möglich, zu verhindern, dass Partikel an den gereinigten Wafern W anhaften.
  • Sowohl das erste Lager 284 als auch das zweite Lager 290 sind so an einer Führungsschiene 295 angebracht, dass sie auf und ab bewegt werden können (Z-Richtung in 42). Die Führungsschiene 295 ist mittels eines Lagers 296 gelagert, welches auf der Oberseite der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 224 befestigt ist. Daher sind die ersten Trägerelemente 281a, 281b und die zweiten Trägerelemente 282a, 282b alle auf- und abwärtsbeweglich ausgestaltet.
  • Anschließend beschreiben wir den Betrieb und die Wirkung der oben beschriebenen Waferanordnungseinrichtung 222 gemäß der vierten Ausführungsform, auf der Basis des bestimmten Reinigungsprozesses der Wafer W in der Reinigungseinrichtung 1.
  • Beispielsweise wird durch einen Arbeiter in einer Fabrik das Beladen zweier Träger C, welche zum Beispiel jeweils 26 Waferplatten W aufnehmen, in die Beladungsstufe 20 ausgeführt. Zunächst bewegt der Transfertisch 23 den Träger C, welcher auf der Station 31 angebracht ist, zu der Waferanordnungseinrichtung 222 und platziert den Träger C auf der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 224.
  • Nun wird das Anordnungsverfahren beschrieben, welches in der Waferanordnungseinrichtung 222 durchgeführt wird, mit Bezug auf die erläuternden Prozessdiagramme der ersten bis 19. Prozessschritte, welche in 46 bis 64 gezeigt sind.
  • Wie in 46 gezeigt, befinden sich die ersten Trägerelemente 281a, 281b und die zweiten Trägerelemente 282a, 282b zunächst in der vertikalen Lage. In dem Träger C sind 26 Waferplatten W in regelmäßigen Intervallen von L angeordnet, während ihre Vorderseiten Wa zur Vorderseite der Reinigungseinrichtung 1 (zur Vorderseite der 46) zeigen. Der Wafergreifer 270 tritt in die Station 234 durch die Aufwärtsbewegung des drehbaren Anhebemechanismus 272 ein. Wie in 47 gezeigt, hebt anschließend der Antrieb des drehbaren Anhebemechanismus 272 den Wafergreifer 270 an, so dass die Wafer W aus dem Träger C herausgenommen werden. Dann drückt der Wafergreifer 270 die Wafer W auf eine Höhe, wo sie die Bewegung der ersten Trägerelemente 281a, 281b von der vertikalen Lage in die horizontale Lage nicht stören. Zu diesem Zeitpunkt sind, da die Unterseiten der Wafer W abwechselnd in 52 Nuten 271 des Wafergreifers 270 eingeführt sind, 26 Waferplatten W in regelmäßigen Abständen von L auf dem Wafergreifer 270 angeordnet. Wie in 48 gezeigt, werden anschließend die ersten Trägerelemente 281a, 281b um 90 Grad aus der vertikalen Lage in die horizontale Lage gedreht.
  • Wie in 49 gezeigt, wird der Wafergreifer anschließend leicht mittels des Betriebs des drehbaren Anhebemechanismus 272 abgesenkt, um die 13 Waferplatten W, welche der hinteren Hälfte der 26 Wafer W entsprechen, zu den Trägerelementen 281a, 281b zu befördern. 65 zeigt eine Situation zu diesem Zeitpunkt in Draufsicht. 66 zeigt die Situation zu diesem Zeitpunkt in Seitenansicht. Wie in 65 und 66 gezeigt, sind daher die 13 Waferplatten W der hinteren Hälfte mit ihren Außenflächen in die Nuten 285a, 287a eingesetzt, so dass die ersten Trägerelemente 281a, 281b die Wafer W tragen. Wie in 50 gezeigt, erheben sich mit der Aufwärtsbewegung des ersten Lagers 284 die ersten Trägerelemente 281a, 281b, um die 26 Wafer W, die aus dem Träger C herausgenommen worden sind, in die erste Wafergruppe 300 (auf einer Seite) zu teilen, wo die 13 Waferplatten W, die mittels des Abstandsveränderers 280 getragen werden, in regelmäßigen Abständen von L angeordnet sind, und in die zweite Wafergruppe 301 (auf der anderen Seite), wo 13 Waferplatten W, die mittels des Waferträgers 270 getragen werden, in regelmäßigen Abständen von L angeordnet sind.
  • Wie in 51 gezeigt, dreht sich anschließend der Wafergreifer 270 um 180 Grad, um die Vorderseiten Wa und die Rückseiten Wb der Wafer W der zweiten Wafergruppe 301 umzukehren. Infolgedessen zeigen die Rückseiten Wb der Wafer W der zweiten Wafergruppe 301 zur Vorderseite der Reinigungseinrichtung 1 (zur Vorderseite des Raums von 51). Mit dieser Umwendung bewegt sich die zweite Wafergruppe 301 unterhalb der ersten Wafergruppe 300. Diese Umwendung und Bewegung wird erzielt durch Drehen der zweiten Wafergruppe 301 um die drehbare Anhebewelle 273 (vertikale Achse), welche durch einen von dem Zentrum des Wafergreifers 270 (entsprechend dem Zentrum dieser Wafer in dem Fall, dass 26 Waferplatten W in regelmäßigen Intervallen an dem Wafergreifer 270 angeordnet sind) beabstandeten Punkt verläuft. 67 zeigt eine Situation zu diesem Zeitpunkt in Draufsicht. 68 zeigt die Situation zu diesem Zeitpunkt in Seitenansicht. Hierbei ist die Exzentrizität der drehbaren Anhebewelle 273 so bestimmt, dass, wenn die zweite Wafergruppe 301 sich unterhalb der ersten Wafergruppe 300 bewegt, die entsprechenden Wafer W der ersten Wafergruppe 300 zwischen den entsprechenden Wafern W der zweiten Wafergruppe 301 in Draufsicht positioniert werden, wobei die Abstände der Wafer W, die in Draufsicht benachbart sind, gleich L/2 sind, d.h. im Wesentlichen die Hälfte der Abstände L. Infolgedessen sind die Wafer W der zweiten Wafergruppe 301 und die Wafer W der ersten Wafergruppe 300 in regelmäßigen Abständen von L/2, die im Wesentlichen der Hälfte der Abstände L entsprechen, abwechselnd angeordnet.
  • Wie in 52 gezeigt, senken sich die ersten Trägerelemente 281a, 281b anschließend durch die Abwärtsbewegung des ersten Lagers 284, wodurch die Wafer W der ersten Wafergruppe 300 in die Wafer W der zweiten Gruppe 301 eingefügt werden. Zu diesem Zeitpunkt treten die Außenflächen der Wafer W der zweiten Wafergruppe 301 durch die Zwischenräume 286a, 288a der ersten Trägerelemente 281a bzw. 281b. Wie in 53 gezeigt, wird der Wafergreifer 270 anschließend mittels des Betriebs des drehbaren Anhebemechanismus 272 angehoben, um die zweite Wafergruppe 201 von den ersten Trägerelementen 281a, 281b aufzunehmen, wodurch die dritte Wafergruppe 302 gebildet wird, wo 26 Waferplatten W auf dem Wafergreifer 270 in regelmäßigen Abständen von L/2 angeordnet sind, welche im Wesentlichen der Hälfte der regelmäßigen Intervalle L entsprechen. Dann werden die ersten Trägerelemente 281a, 281b um 90 Grad aus der horizontalen in die vertikale Lage gedreht, während die zweiten Trägerelemente 282a, 282b unterhalb der dritten Wafergruppe 302 in eine solche Stellung abgesenkt werden, wo die Wafer W nicht durch die Drehung dieses Elements von der vertikalen in die horizontale Lage gestört würden. Es wird darauf hingewiesen, dass die dritte Wafergruppe 302 eine Breite hat, welche im Wesentlichen der Hälfte der Breite der Anordnung entspricht, wo 26 Waferplatten W in dem Träger C in regelmäßigen Abständen L untergebracht sind. Außerdem liegen sich in der dritten Wafergruppe 302 die Vorderseiten Wa, Wa der benachbarten Wafer W gegenüber, und auch die Rückseiten Wb, Wb liegen einander gegenüber, da die Vorderseiten Wa und die Rückseiten Wb der Wafer W der zweiten Gruppe 301 umgewendet worden sind, wie oben ausgeführt.
  • Wie in 54 gezeigt, werden anschließend die zweiten Trägerelemente 282a, 282b um 90 Grad aus der vertikalen in die horizontale Lage gedreht. Wie in 55 gezeigt, senkt sich anschließend der Wafergreifer 270 auf die Höhe der Station 234 ab, während die dritte Wafergruppe 302 zu den zweiten Trägerelementen 282a, 282b auf dem Weg des Greifers zu der Station 234 befördert werden. 69 zeigt eine Situation zu diesem Zeitpunkt in Draufsicht. 70 zeigt die Situation zu diesem Zeitpunkt in Seitenansicht. Das heißt, die Außenflächen der Wafer W der dritten Wafergruppe 302 werden in die Nuten 291a, 292a eingefügt, so dass die zweiten Trägerelemente 282a, 282b die dritte Wafergruppe 302 tragen, wie in 69 und 70 gezeigt. Wie in 56 gezeigt, werden anschließend die zweiten Trägerelemente 282a, 282b in ihre ursprüngliche Stellung angehoben.
  • Anschließend wird, nach dem Zurückziehen des zweiten Trägers C von der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 224, wie in 57 gezeigt, der Träger C, welcher an der Beladungsstufe 20 an die Station 30 angebracht ist, zu der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 224 bewegt, wie in 58 gezeigt. Es wird darauf hingewiesen, dass der so zurückgezogene Träger C entweder zum Beispiel zu dem Lagerabschnitt 3 zur Lagerung bewegt oder aus der Reinigungseinrichtung 1 entfernt wird.
  • Nach der Wiederholung von Vorgängen, wie denen nach 47 bis 52, wird anschließend eine vierte Wafergruppe 303 gebildet, wo 26 Waferplatten W in regelmäßigen Abständen von L/2 (ungefähr die Hälfte der Abstände L) angeordnet sind an dem Wafergreifer 270. Anschließend wird mittels des Wafergreifers 270 die vierte Wafergruppe 303 oberhalb des ersten Lagers 284 bewegt, wie in 59 gezeigt. Anschließend dreht sich der Wafergreifer 270 um die drehbare Anhebewelle 273 als Zentrum um einen Winkel von 180 Grad, so dass 26 leere Nuten 271 an dem Wafergreifer 270 unterhalb der dritten Wafergruppe 302 gedreht werden, welche mittels der zweiten Trägerelemente 282a, 282b getragen werden, wie in 60 gezeigt. 71 zeigt eine Situation zu diesem Zeitpunkt in Draufsicht. 72 zeigt die Situation zu diesem Zeitpunkt in Seitenansicht. Das heißt, in dem Wafergreifer 270, welcher geeignet ist, 52 Waferplatten W in regelmäßigen Abständen von L/2 (ungefähr der Hälfte der Intervalle L) zu tragen, wird ein Raum zur Verfügung gestellt, um 26 Wafer W in regelmäßigen Intervallen von L/2 (ungefähr der Hälfte der Intervalle L) zu tragen, wie in 71 und 72 gezeigt. Daher werden die Wafer W der dritten Wafergruppe 302 in 26 leere Nuten 26 an der rückwärtigen Hälfte des Wafergreifers 270 eingefügt. Wie in 61 gezeigt, werden anschließend die zweiten Trägerelemente 282a, 282b mit der Abwärtsbewegung des zweiten Lagers 290 abgesenkt, so dass die dritte Wafergruppe 302 hinter die vierte Wafergruppe 303 eingefügt wird. Dann ist die dritte Wafergruppe 302 um den Abstand von L/2 (ungefähr die Hälfte des Abstands L) der vierten Wafergruppe 303 benachbart. Auf diese Weise wird eine fünfte Wafergruppe 304 auf dem Wafergreifer 270 vervollständigt, während 52 Waferplatten W in regelmäßigen Abständen von L/2 angeordnet sind. Es wird darauf hingewiesen, dass die Anordnungsbreite der fünften Wafergruppe 304 im Wesentlichen gleich der Breite der Anordnung ist, wo 26 Wafer W in dem Träger C in regelmäßigen Abständen von L angeordnet sind.
  • Auf diese Weise werden die folgenden Schritte ausgeführt: (a) das Heraufdrücken von 26 Wafern W, welche in regelmäßigen Abständen von L in dem Träger C angeordnet sind, um diese so oberhalb des Trägers C zu halten; (b) das Anheben von 13 Waferplatten W der so gehaltenen 26 Wafer W in regelmäßigen Abständen von L, um sie so zu halten; (c) das Einfügen der 13 Waferplatten W, welche mittels der ersten Trägerelemente 281a, 281b getragen werden, zwischen die übrigen Wafer W (13 Platten) und das Herauf drücken von 26 Waferplatten W, während diese in Abständen von L/2 angeordnet sind, welche im Wesentlichen der Hälfte der Intervalle L entsprechen, um sie so zu halten; (d) das Anheben der so angehaltenen Wafer W (26 Platten) in Abständen von L/2, um sie so zu halten; (e) das Ausführen der Schritte (a), (b) und (c) mit 26 Waferplatten W, die in dem anderen Träger in regelmäßigen Abständen von L angeordnet sind; (f) das Anordnen der Wafer W (26 Platten), die im Schritt (d) gehalten werden, benachbart zu den Wafern W (26 Platten), die im Schritt (e) gehalten werden; und (g) das Herauf drücken von 52 Waferplatten W (der Anzahl von zwei Trägern C), während diese in Abständen von L/2 angeordnet sind, und das Tragen dieser Wafer.
  • Wie in 62 gezeigt, werden anschließend die zweiten Trägerelemente 282a, 282b um 90 Grad aus der horizontalen in die vertikale Lage gedreht. Nachdem sich das zweite Lager 290 oberhalb der fünften Wafergruppe 304 bewegt hat, wie in 63 gezeigt, dreht sich der Wafergreifer 270 um 90 Grad, um so die Anordnungsrichtung der Wafer W der fünften Wafergruppe 304 von einer Ausrichtung von der Vorderseite zur Rückseite der Reinigungseinrichtung 1 (X-Richtung in 2 bis 39) zu einer Ausrichtung von der linken zur rechten Seite der Reinigungseinrichtung 1 (Y-Richtung in 2 bis 39) zu verändern, so dass die Wafer W in Richtung des Lagerabschnitts 3 (zur rechten Seite von 64) zeigen.
  • Anschließend wird die fünfte Wafergruppe 304 (52 Waferplatten W mit einer Breite, die dem einzelnen Träger C entspricht) zu dem Transferarm 8 befördert. Anschließend wird dieselbe Gruppe 304 zu den chemischen Spüleinrichtungen 10, 12 und zu der Reinigungseinrichtung 9 in dieser Reihenfolge transportiert und dann wieder zu der Waferanordnungseinrichtung 222 zurückbefördert. Mittels der Nuten 285b, 287b der ersten Trägerelemente 281a, 181b und auch der Nuten 291b, 292b des zweiten Trägerelements 282a, 282b führt der Abstandsveränderer 280 die oben beschriebenen Schritte in im Wesentlichen umgekehrter Reihenfolge aus, um so die vierte Wafergruppe 304 in zwei Trägern C unterzubringen. Diese Träger C werden dann über die Entladungsstufe 21 nach außen befördert.
  • Da gemäß dem oben beschriebenen Waferanordnungseinrichtung und der Einrichtung 222 26 Waferplatten W in regelmäßigen Abständen von L/2 (ungefähr der Hälfte der Abstände L) in der dritten Wafergruppe 302 bzw. der vierten Wafergruppe 303 angeordnet sind, kann die Anordnungsbreite der gesamten Wafer W ungefähr auf die Hälfte reduziert werden, verglichen mit der Anordnung, in der 26 Waferplatten W in dem Träger C in regelmäßigen Abständen von L angeordnet sind. Entsprechend kann die fünfte Wafergruppe 304, die durch Kombinieren der dritten Wafergruppe 302 mit der vierten Wafergruppe 303 entsteht, 52 Waferplatten W auf einer Breite aufnehmen, die der Breite einer Anordnung entspricht, in der 26 Waferplatten in regelmäßigen Abständen von L angeordnet sind. Daher kann der Durchsatz der chemischen Spüleinrichtungen 10, 12 zum Reinigen der fünften Wafergruppe 304 ohne Vergrößern der Einrichtung verbessert werden.
  • In der fünften Wafergruppe 304 liegen außerdem die Vorderseite Wa und die Rückseite Wb eines Wafers W der Vorderseite Wa bzw. der Rückseite Wb des benachbarten Wafers W gegenüber. Daher ist es möglich, zu verhindern, dass Partikel etc., welche zum Beispiel von der Rückseite Wb eines Wafers W während des Reinigungsprozesses abgefallen sind, an der Vorderseite Wa des benachbarten Wafers W anhaften.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass die dritte Wafergruppe 302 und die vierte Wafergruppe 303 entsprechend und individuell prozessiert werden können. Da dann, wie oben beschrieben, die dritte Wafergruppe 302 und die vierte Wafergruppe 303, die gereinigt und getrocknet werden sollen, jeweils eine Breite haben, die im Wesentlichen der Hälfte der Breite einer Anordnung von 26 Waferplatten W in dem Träger C in regelmäßigen Abständen von L entspricht, ist es möglich, die entsprechenden chemischen Spüleinrichtungen 10, 12 und auch die Trocknungseinrichtung 9 klein zu halten, wodurch die Aufstandsfläche der Reinigungseinrichtung 1 gering gehalten wird. Außerdem ist es möglich, den Verbrauch von verschiedenen Arten von chemischen Flüssigkeiten und IPA zu reduzieren.
  • Anschließend wird eine Waferanordnungseinrichtung 310 gemäß der fünften Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Wie in 73 gezeigt, kann die Waferanordnungseinrichtung 310 26 Waferplatten W, die aus dem Träger C herausgenommen worden sind, in die erste Wafergruppe 300 und die zweite Wafergruppe 301 teilen, da die Lagerwellen 283a, 283b ausgeschoben und eingefahren werden, um die zweiten Trägerelemente 282a, 282b horizontal zu bewegen.
  • Während die Breite einer Aufnahme- und Unterbringungsstufe 311 in der Waferanordnungseinrichtung 310 vergrößert wird, wird daher der Abstandsveränderer 280 hinter der Reinigungseinrichtung 1 angeordnet, verglichen mit der Anordnung des Wechslers nach 2, 39 und 42. Wenn die ersten Trägerelemente 281a, 281b oberhalb des Wafergreifers 270 horizontal bewegt werden, wodurch das erste Trägerelement 281a und das erste Trägerelement 281b horizontal (X-Richtung) zu entsprechenden Positionen bewegt werden, die durch Linien mit zwei Punkten und einem Strich 281a' und 281b' dargestellt sind, wird folglich der Abstandsveränderer 280 von der Oberseite des Wafergreifers 270 abgezogen. Der gleiche Vorgang ist wieder auf die zweiten Trägerelemente 282a, 282b anwendbar. Abgesehen von der gezeigten Anordnung des Abstandsveränderers 280 ist der Aufbau der Einrichtung 310 identisch mit dem der oben genannten Waferanordnungseinrichtung 222. Daher sind in der Waferanordnungseinrichtung 310 Elemente, die denen der Einrichtung 222 in Funktion und Aufbau gleichen, mit denselben Bezugsziffern bezeichnet, und deren überlappende Beschreibungen sind weggelassen.
  • Anschließend wird das Waferanordnungsverfahren, welches mittels der Waferanordnungseinrichtung 310 durchgeführt wird, mit Bezug auf das erste bis siebte Prozessdiagramm in 74 bis 80 beschrieben. Wie in 74 gezeigt, wird zunächst der Träger C auf der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 311 angebracht. In diesem Zustand wird der Wafergreifer 270 angehoben mittels des Antriebs des drehbaren Anhebemechanismus 272, um die Wafer W aus dem Träger C hinauszuheben, wie in 75 gezeigt. Anschließend drehen sich die ersten Trägerelemente 281a, 281b um 90 Grad aus der vertikalen in die horizontale Lage (76).
  • Wie in 77 gezeigt, wird anschließend der Wafergreifer 270 mittels des drehbaren Anhebemechanismus 272 leicht abgesenkt, und anschließend werden die ersten Trägerelemente 281a, 281b von der Oberseite des Wafergreifers 270 abgezogen, um so die Wafer W in die erste Wafergruppe 300 und die zweite Wafergruppe 301 aufzuteilen. 81 ist eine Draufsicht der Anordnung 310, während 82 eine Seitenansicht der Anordnung 310 ist, und beide zeigen den oben beschriebenen Zustand.
  • Wie in 78 gezeigt, dreht sich dann der Wafergreifer 270 um die drehbare Anhebewelle 273 um 180 Grad, um die Vorderseiten Wa und die Rückseiten Wb der Wafer W der zweiten Gruppe 301 umzukehren. Wie in 79 gezeigt, werden dann die ersten Trägerelemente 281a, 28b oberhalb des Wafergreifers 270 horizontal bewegt, um so die erste Wafergruppe 300 oberhalb der zweiten Wafergruppe 301 zu positionieren. 83 ist eine Draufsicht, die diese Situation zeigt, und 84 ist die Seitenansicht, die dieselbe Situation zeigt. Wie in 80 gezeigt, wird dann der Wafergreifer 270 angehoben, um die Wafer W der ersten Wafergruppe 300 zwischen die Wafer W der zweiten Wafergruppe 301 einzufügen. Nach der Einfügung werden die ersten Trägerelemente 281a, 281b und die zweiten Trägerelemente 282a, 282b abgesenkt, so dass der Wafergreifer 270 die erste Wafergruppe 300 aufnimmt, wodurch eine dritte Wafergruppe 302 auf dem Wafergreifer 270 gebildet wird, gleich dem oben genannten Fall von 53. Auf diese Weise wird das Bewegen des Trägers C mit 26 Waferplatten W in regelmäßigen Abständen L zu der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 311 durchgeführt. An dieser Stufe 311 werden die Wafer W aus dem Träger C herausgenommen, um die dritte Wafergruppe 302 zu bilden, wo die so herausgenommenen Wafer W in regelmäßigen Abständen von L/2 angeordnet sind. Anschließend werden die gleichen Schritte wiederholt. Das heißt, der andere Träger C wird zu der Aufnahme- und Unterbringungsstufe 311 bewegt. An dieser Stufe 311 werden 26 Waferplatten W aus dem anderen Träger C herausgenommen, wodurch eine vierte Wafergruppe 303 gebildet wird, wo die so herausgenommenen Wafer W in regelmäßigen Abständen von L/2 angeordnet sind. Durch Ausbilden einer Breite zwischen dem Ende der dritten Wafergruppe 302 und dem Ende der vierten Wafergruppe 303 als Abstand L/2 wird schließlich die fünfte Wafergruppe 304 gebildet, in welcher die dritte Wafergruppe 302 und die vierte Wafergruppe 303 hintereinander angeordnet sind.
  • Gemäß dem oben genannten Verfahren erlaubt die horizontale Bewegung der ersten Trägerelemente 281a, 281b auch die Aufteilung der Wafer W in die erste Wafergruppe 300 und die zweite Wafergruppe 301. Zusätzlich ist es möglich, die Wafer W zwischen dem Wafergreifer 270 und dem Abstandsveränderer 280 hin- und herzubefördern.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass nach dem Drehen des Wafergreifers 270 um die drehbare Anhebewelle 273 um 180 Grad, wodurch die Vorderseiten Wa und die Rückseiten Wb der Wafer W der zweiten Gruppe 301 umgekehrt werden, das Bewegen des Wafergreifers 270 unterhalb der ersten Trägerelemente 281a, 281b ausgeführt werden kann, wie in 85 und 86 gezeigt. Mit dem anschließenden Absenken der ersten Trägerelemente 281a, 281b können dann die Wafer W der ersten Wafergruppe 300 zwischen die Wafer W der zweiten Wafergruppe 301 eingefügt werden. Auf diese Weise erlaubt die horizontale Bewegung der zweiten Wafergruppe 301 unterhalb der ersten Wafergruppe 300 auch, dass die Wafer W derselben Gruppe 300 zwischen die entsprechenden Wafer W der zweiten Wafergruppe 301 in Draufsicht eingefügt werden.
  • Weiter kann die drehbare Anhebewelle 273 mit dem Wafergreifer 270 verbunden werden, so dass die Mittelachse des Wafergreifers 270 koaxial mit der Mittelachse der drehbaren Anhebewelle 273 verläuft. In diesem Fall bewegt sich der Wafergreifer 270 horizontal um eine Entfernung entsprechend dem Abstand L/2 nach seiner Drehung um 180 Grad, um die Vorderseiten Wa und die Rückseiten Wb der Wafer W der zeiten Wafergruppe 301 umzukehren. Diese horizontale Bewegung erlaubt es auch, dass die Wafer W der ersten Wafergruppe 300 zwischen die Wafer W der zweiten Wafergruppe 301 in Draufsicht eingefügt werden, und außerdem können die benachbarten Wafer W in regelmäßigen Abständen von L/2 in Draufsicht angeordnet werden, welche im Wesentlichen der Hälfte der regelmäßigen Abstände L entsprechen. Alternativ kann die zweite Wafergruppe 301 unterhalb der ersten Wafergruppe 300 horizontal bewegt werden, ohne dass die Vorderseiten Wa und die Rückseiten Wb der Wafer W der zweiten Wafergruppe 301 umgekehrt werden, so dass die Wafer W der ersten Gruppe 300 zwischen die Wafer der zweiten Gruppe 301 eingefügt werden, wobei sich die Vorderseite und die Rückseite der benachbarten Wafer W gegenüberliegen.
  • Die vorliegende Erfindung ist beschrieben worden für ein Beispiel, in dem 26 (eine gerade Anzahl) in jedem von zwei Trägern C angeordnet sind. In dem Fall, dass 25 (eine ungerade Anzahl) Waferplatten in jedem Träger C untergebracht sind, kann der Reinigungs- und Trocknungsprozess ausgeführt werden, da der Wafergreifer 270 und der Abstandsveränderer 280 es erlauben, 50 Waferplatten W mit einer Anordnungsbreite anzuordnen, die im Wesentlichen der Anordnungsbreite in dem Fall entspricht, dass 25 Waferplatten W in dem Träger C in regelmäßigen Abständen von L angeordnet sind. Dann ist der Wafergreifer 270 so ausgeführt, dass er 25 Waferplatten W in den Träger C hineinsetzen und aus diesem herausnehmen kann, während diese in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, und dass er 50 Waferplatten in regelmäßigen Abständen von L/2 tragen kann. Andererseits ist der Abstandsveränderer 280 so aufgebaut, dass er die 25 Waferplatten W, die mittels des Wafergreifers 270 heraufgedrückt werden, in zwei Wafergruppen aus einer geraden und einer ungeraden Anzahl aufteilt, und dass er die Wafer einer Wafergruppe zwischen die Wafer der anderen Wafergruppe einfügt. Auf diese Weise sind das Waferanordnungsverfahren und die Einrichtungen 222, 230 gemäß der Erfindung auf die Wafer W anwendbar, unabhängig davon, ob ihre Anzahl gerade oder ungerade ist.
  • Der Abstandsveränderer mag wiederum so aufgebaut sein, dass er die Vorder- und Rückseiten der Wafer umkehren kann. In einem solchen Fall wird, nachdem der Abstandsveränderer die Vorder- und Rückseiten der Wafer umgekehrt hat, das erste Trägerelement horizontal versetzt, um die erste Wafergruppe oberhalb der zweiten Wafergruppe zu bringen. Alternativ wird der Wafergreifer horizontal versetzt, um die zweite Wafergruppe unterhalb der ersten Wafergruppe zu bringen, so dass die Wafer der zweiten Wafergruppe zwischen den Wafern der ersten Wafergruppe in Draufsicht angeordnet sind. Mit dem oben genannten Aufbau und Verfahren werden die Wafer W der ersten Gruppe nach und nach zwischen die Wafer W der zweiten Gruppe eingefügt, wodurch die dritte Wafergruppe gebildet wird.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung beispielhaft für eine Reinigungseinrichtung beschrieben worden ist, welche einen Stapel von Wafern reinigt, ist die Erfindung nicht nur auf die oben genannte Einrichtung begrenzt. Die vorliegende Erfindung ist also auch auf eine andere Einrichtung anwendbar, welche eine bestimmte Behandlung ausführt, zum Beispiel auf eine Einrichtung zum Aufbringen einer bestimmten Behandlungsflüssigkeit auf die Wafer. Obwohl außerdem die Wafer durch die Ausführungsformen hindurch als Substrate bezeichnet worden sind, ist die vorliegende Erfindung nicht auf solche Ausführungsformen begrenzt und auch anwendbar auf andere Substrate, zum Beispiel auf LCD-Substrate, etc.
  • Wie oben beschrieben, ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, die Bildung einer Gruppe von Substraten stabil in einer kurzen Zeit durchzuführen. Da außerdem keine Notwendigkeit für eine andere Stufe oder einen anderen Raum zum Bilden der Gruppe von Substraten separat von dieser Stufe besteht, ist es möglich, die Prozessiereinrichtung zum Prozessieren der Gruppe von Substraten klein zu halten. Da außerdem die Nuten des anderen Behälters zum Einfügen der Substrate verwendet werden können, ist es möglich, zu verhindern, dass die entsprechenden Substrate, die aus dem Behälter auf einer Seite herausgenommen worden sind, die entsprechenden Substrate berühren, die aus dem Behälter auf der anderen Seite herausgenommen worden sind, wodurch die Bildung der Gruppe von Substraten stabilisiert wird. Durch die Möglichkeit des Verhinderns des Auftretens von positionellen Abweichungen kann die vorliegende Erfindung einen komplizierten Mechanismus zum Erfassen und Korrigieren dieser positionellen Abweichungen der entsprechenden Substrate vermeiden. Gemäß dem Merkmal des Anspruchs 3 können außerdem die Vorder- und Rückseiten eines Substrats der Vorderseite bzw. der Rückseite des benachbarten Substrats gegenüberliegen. Daher ist es möglich, zum Beispiel zu verhindern, dass ein Partikel, der sich von der Rückseite des Substrats löst, an der Vorderseite des benachbarten Substrats anhaftet. Außerdem ist es möglich, eine kleine und einfache Prozessiereinrichtung zu schaffen und auch eine Prozessiereinrichtung mit einem verbesserten Durchsatz.
  • Außerdem ist es gemäß der vorliegenden Erfindung durch das Verringern der Abstände zwischen den benachbarten Substraten möglich, eine Breite der gesamten Substratanordnung zu verringern. Demzufolge ist es möglich, die Prozessiereinrichtung zum Prozessieren der Substrate klein auszugestalten oder den Durchsatz der Einrichtung zu verbessern. Da außerdem die Vorder- und Rückseiten eines Substrats der Vorderseite bzw. der Rückseite des benachbarten Substrats gegenüberliegen können, ist es möglich, zu verhindern, dass Partikel etc., welche sich von der Rückseite eines Substrats während des Prozessierens lösen, an der Vorderseite des benachbarten Substrats anhaften. Außerdem können mehrere Substrate geeignet in Hälften geteilt werden, und dadurch ist es möglich, eine Gruppe von Substraten zu bilden, welche in vorteilhafter Weise in im Wesentlichen der Hälfte der Abstände angeordnet sind. Außerdem kann wiederum das Befördern der Substrate zwischen dem Trägermittel und dem Beförderungsmittel durchgeführt werden.

Claims (16)

  1. Substratanordnungsverfahren mit folgenden Schritten: Vorsehen eines eine Substratgruppe aufweisenden Behälters (C), wobei die Substratgruppe aus mehreren Substraten besteht, die vertikal in dem Behälter in regelmäßigen Abständen angeordnet sind; Herausnehmen der Substratgruppe aus dem Behälter; Aufteilen der Substratgruppe in eine erste Substratgruppe (300) und eine zweite Substratgruppe (301), wobei die Substrate der ersten und zweiten Substratgruppe aufeinanderfolgend in den gleichen regelmäßigen Abständen wie die Substrate der Substratgruppe des Behälters angeordnet sind, und wobei die Substrate der ersten Substratgruppe (300) aus einem Teil der Substrate der Substratgruppe hervorgehen, und die Substrate der zweiten Substratgruppe (301) aus dem anderen Teil der Substrate der Substratgruppe hervorgehen; Bewegen der Substrate der zweiten Substratgruppe (300) relativ in Bezug auf die Substrate der ersten Substratgruppe (300), wodurch mindestens ein Substrat der zweiten Substratgruppe (301) zwischen jeweiligen Substraten der ersten Substratgruppe (300) positioniert wird; Einfügen der Substrate der zweiten Substratgruppe (301) zwischen die jeweiligen Substrate der ersten Substratgruppe (300), in dem die Substrate der zweiten Substratgruppe (301) in vertikaler Richtung relativ zur ersten Substratgruppe (300) bewegt werden, und dabei eine dritte Substratgruppe (302) gebildet wird, und wobei die Anzahl der Substrate der dritten Substratgruppe (302) der Anzahl der Substrate der Substratgruppe des Behälters entsprechen und in regelmäßigen Abständen angeordnet werden, und wobei der Abstand der Substrate der dritten Substratgruppe im Wesentlichen dem halben Abstand der Substrate der Substratgruppe des Behälters entspricht.
  2. Substratanordnungsverfahren nach Anspruch 1, des Weiteren mit dem Schritt des Umkehrens der Substrate entweder der ersten Substratgruppe (300) oder der zweiten Substratgruppe (301), wobei der Umkehrschritt zwischen dem Schritt des Aufteilens der Substratgruppe in die erste Substratgruppe (300) und die zweite Substratgruppe (301) und dem Schritt des Einfügens der Substrate der zweiten Substratgruppe zwischen die Substrate der ersten Substratgruppe ausgeführt wird.
  3. Substratanordnungsverfahren nach Anspruch 2, wobei der Umkehrschritt durch Drehen der Substrate der ersten Substratgruppe (300) oder der Substrate der zweiten Substratgruppe (301) um eine vertikale Achse derselben ausgeführt wird.
  4. Substratanordnungsverfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Aufteilens der Substrate in die erste Substratgruppe (300) und die zweite Substratgruppe (301) durch vertikales Bewegen der Substrate der ersten Substratgruppe (300) in Bezug auf die Substrate der zweiten Substratgruppe (301) ausgeführt wird.
  5. Substratanordnungsverfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Aufteilens der Substrate in die erste Substratgruppe (300) und die zweite Substratgruppe (301) durch horizontales Bewegen der Substrate der ersten Substratgruppe (300) in Bezug auf die Substrate der zweiten Substratgruppe (301) ausgeführt wird.
  6. Substratanordnungsverfahren nach Anspruch 1, mit folgenden weiteren Schritten: Anbringen der Substrate der aus dem Behälter herausgenommenen Substratgruppe auf ein Substrathalteelement (270) derart, dass die Substrate in regelmäßigen Abständen auf dem Halteelement angeordnet sind; Bewegen des Substrathalteelements (270) in vertikaler Richtung; in Eingriff bringen im Wesentlichen einer Hälfte der auf einer Seite des Substrathalteelements angebrachten Substrate mit einem Substratübergabeelement (281a, 281b), wobei die Hälfte der Substrate den Substraten der ersten Substratgruppe entspricht; Positionieren der verbleibenden Hälfte der Substrate auf der anderen Seite des Substrathalteelements (270) unterhalb der Substrate der ersten Substratgruppe (300), wobei die verbleibende Hälfte der Substrate den Substraten der zweiten Substratgruppe entspricht; Bewegen der jeweiligen Substrate der zweiten Substratgruppe (301) in horizontaler Richtung zwischen die jeweiligen Substrate der ersten Substratgruppe (300) durch Drehen des Substrathalteelements (270) um eine vertikale Achse, die durch einen Punkt auf dem Substrathalteelement (270) verläuft, der von der Mitte des Substrathaltelements (270) beabstandet ist.
  7. Substratanordnungsverfahren nach Anspruch 1, wobei das Verfahren nach dem Schritt des Bildens der dritten Substratgruppe (302) des Weiteren die Schritte umfasst: Bilden einer vierten Substratgruppe (303) auf gleiche Weise wie das Bilden der dritten Substratgruppe (302), wobei die Substrate der vierten Substratgruppe anzahlmäßig denen eines Behälters entsprechen, und wobei die Substrate der vierten Substratgruppe in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, die im Wesentlichen dem halben Abstand der regelmäßigen Abstände der Substrate der ersten und zweiten Substratgruppe (300, 301) entsprechen; und Anordnen der dritten Substratgruppe (302) in Reihe benachbart der vierten Substratgruppe (303).
  8. Substratanordnungsverfahren mit folgenden Schritten: Bewegen eines ersten Behälters zu einer Plattform, wobei der erste Behälter eine Mehrzahl von Substraten aufweist, die in regelmäßigen ersten Abständen angeordnet sind; Herausnehmen der in regelmäßigen ersten Abständen angeordneten Substrate aus dem ersten Behälter auf der Plattform, und dadurch Bilden einer Substratgruppe (302), in der die Substrate in regelmäßigen zweiten Abständen angeordnet sind, die im Wesentlichen dem halben Abstand der regelmäßigen ersten Abstände entsprechen; Bewegen eines zweiten Behälters zu der Plattform, wobei der zweite Behälter eine Mehrzahl von Substraten aufweist, die in regelmäßigen ersten Abständen angeordnet sind; Herausnehmen der in regelmäßigen ersten Abständen angeordneten Substrate aus dem zweiten Behälter auf der Plattform, und dadurch Bilden einer vierten Substratgruppe (303), in der die Substrate in regelmäßigen zweiten Abständen angeordnet sind, die im Wesentlichen dem halben Abstand der regelmäßigen ersten Abstände entsprechen; und Anordnen der dritten Substratgruppe (302) in Reihe benachbart der vierten Substratgruppe (303), und dadurch Bilden einer fünften Substratgruppe (304), in der der Abstand zwischen dem am weitesten außen gelegenen Substrat der dritten Substratgruppe (302) und dem am weitesten außen gelegenen Substrat der vierten Substratgruppe (303) ebenso im Wesentlichen dem halben Abstand der regelmäßigen ersten Abstände entspricht.
  9. Substratanordnungsverfahren nach Anspruch 8, mit folgenden weiteren Schritten: Zurücklassen der dritten Substratgruppe (302) oberhalb der Plattform, und zwar nach dem Bilden der dritten Substratgruppe (302) und bis zum Bilden der vierten Substratgruppe (303); Absenken der dritten Substratgruppe (302) hin zur vierten Substratgruppe (303), und dadurch Bilden der fünften Substratgruppe (304).
  10. Substratanordnungsvorrichtung umfassend: ein Substrathalteelement (270), das derart ausgebildet ist, dass Substrate eines Behälters (C) in regelmäßigen Abständen (L) entsprechend den regelmäßigen Abständen der Substrate in dem Behälter (C) von dem Substrathalteelement (270) gehalten werden können, oder dass Substrate zweier Behälter (C) in regelmäßigen Abständen (L/2) von dem Substrathalteelement (270) gehalten werden können; ein erstes Substratübergabeelement (281a, 281b), das derart ausgebildet ist, dass im Wesentlichen die Hälfte der von dem Substrathalteelement (270) gehaltenen Substrate in regelmäßigen Abständen (L) von dem Substratübergabeelement (281a, 281b) aufgenommen werden können; und ein zweites Substratübergabeelement (282a, 282b), das derart ausgebildet ist, dass im Wesentlichen alle Substrate eines Behälters in regelmäßigen Abständen (L/2) von dem Substrathalteelement (270) aufgenommen werden können; wobei das Substrathalteelement (279) relativ in Bezug auf das erste Substratübergabeelement (281a, 281b) und das zweite Substratübergabeelement (282a, 282b) in einer horizontalen Ebene drehbar ist.
  11. Substratanordnungsvorrichtung nach Anspruch 10, des Weiteren umfassend eine Plattform (224) zum Anbringen des Behälters (C) und einen Substrat-Transfertisch (23), der den Behälter (C) von unterhalb trägt sowohl zum Laden und Entladen des Behälters (C) auf die und von der Plattform (224).
  12. Substratanordnungsvorrichtung nach Anspruch 11, des Weiteren umfassend einen Lagerabschnitt (3) zum Lagern des Behälters, wobei der Transfertisch (23) sowohl das Laden des Behälters (C) in den Lagerabschnitt (3) als auch das Entnehmen des Behälters (C) von dem Lagerabschnitt (3) ausführt.
  13. Substratanordnungsvorrichtung nach Anspruch 11, wobei der Transfertisch (23) mit einem Sensor (62) versehen ist zum Erfassen von Substraten in dem Behälter (C).
  14. Substratanordnungsvorrichtung nach Anspruch 10, wobei das Substrathalteelement (270) nach oben und nach unten relativ in Bezug auf den Behälter (C) bewegbar ist.
  15. Substratanordnungsvorrichtung nach Anspruch 10, wobei das zweite Substratübergabeelement (282a, 282b) oberhalb des ersten Substratübergabeelements (281a, 281b) angeordnet ist, und das erste Substratübergabeelement (281a, 281b) und das zweite Substratübergabeelement (282a, 282b) nach oben und nach unten relativ in Bezug auf das Substrathalteelement (270) bewegbar sind.
  16. Substratanordnungsvorrichtung nach Anspruch 10, wobei das erste Substratübergabeelement (281a, 281b) und das zweite Substratübergabeelement (282a, 282b) in horizontaler Richtung relativ zu dem Substrathalteelement (270) bewegbar sind.
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