JP2969034B2 - 搬送方法および搬送装置 - Google Patents

搬送方法および搬送装置

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JP2969034B2 JP5172672A JP17267293A JP2969034B2 JP 2969034 B2 JP2969034 B2 JP 2969034B2 JP 5172672 A JP5172672 A JP 5172672A JP 17267293 A JP17267293 A JP 17267293A JP 2969034 B2 JP2969034 B2 JP 2969034B2
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、搬送方法および搬送装
置に関し、さらに詳しくは、半導体ウェハの移載方法お
よびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウェハあるいはＬＣＤ基
板等の被処理基板を対象とする装置の一例として、レジ
スト塗布装置や現像装置がある。
【０００３】図１３には、上記装置のひとつであるレジ
スト塗布装置の概略構成が示されており、このレジスト
塗布装置１００は、搬送路１０２をはさんで両側に各種
処理部を備えている。すなわち、搬送路１０２には、こ
の延長方向に沿って移動可能な搬送機構１０４が配置さ
れており、搬送路１０２をはさんで一方の側には、レジ
スト塗布工程前のウェハＷ（以下、ウェハという）を収
容した処理前ウェハ用キャリア１０６が、また、処理前
ウェハ用キャリア１０６に隣合う位置にはレジスト塗布
後のウェハを収容する処理後ウェハ用キャリア１０８が
それぞれ配置されている。
【０００４】さらに、搬送路をはさんで他方の側には、
処理前ウェハ用キャリア１０６から搬送されたウェハＷ
を所定温度、例えば、２３℃程度に調整するための冷却
機構１１０と、冷却機構１１０から搬送されたウェハＷ
にレジスト膜を形成するためのレジスト塗布機構１１２
と、塗布工程後、ウェハ上のレジスト膜を加熱処理する
ベーク機構１１４とがそれぞれ搬送路の延長方向に沿っ
て配置されている。なお、図１３に示すレジスト塗布装
置では、レジスト塗布機構１１２が２列配置されてい
る。
【０００５】上記搬送機構には、一例として、真空吸着
可能な構造を備えたアームあるいはピンセット１１６が
装備されており、このピンセット１１６は、上下２段に
設けられている。そして、搬送機構１０４は、ピンセッ
ト１１６が独立して処理前ウェハ用キャリア１０６およ
び処理後ウェハ用キャリア１０８さらには上記各処理機
構１１０、１１２、１１４のウェハ載置位置まで移動す
ることができる。従って、搬送機構１０４を搬送路１０
２に沿って移動させると共に、搬送機構１０４のアーム
あるいはピンセット１１６を移動機構によって移動させ
ることで処理前ウェハ用キャリア１０６からウェハＷを
取出して各処理機構１１０、１１２、１１４に順次搬入
し、処理を終えたウェハＷを各機構から搬出すると共に
最終処理後には、処理後ウェハ用キャリア１０８に向け
搬入する。
【０００６】そして、このようなピンセット１１６によ
る搬入・搬出動作は、図１４に示す手順で行なわれる。
【０００７】図１４は、２段のピンセット１１６におけ
る下段に処理前のウェハＷが保持され、処理機構の載置
部に処理後のウェハが存在している場合を対象として移
載手順を示している。まず、ピンセット１１６の上段
は、処理機構に載置されているウェハＷの下面に挿入さ
れる位置に待機され、この状態でウェハ下面に向け前進
する（図１４（Ａ）参照）。このとき、ピンセット１１
６の上段の位置は、ウェハ下面に当接しない位置に設定
される。そして、ピンセット１１６の上段が前進するこ
とでウェハ下面に位置すると上昇してウェハＷを持上げ
る（図１４（Ｂ）参照）。ウェハＷを持上げて載置面か
ら離した状態を設定されたピンセット１１６の上段は、
ウェハＷを載置した状態で後退する（図（Ｃ）、（Ｄ）
参照）。ピンセット１１６の上段が、初期位置、つま
り、前進する前の位置に後退すると、上下のピンセット
１１６を装備している搬送機構１０４（図１３参照）の
ピンセット支持部１１８が上昇し、下段のピンセットを
処理機構における載置部の上方まで移動させる（図１４
（Ｅ）参照）。そして、この状態で下段のピンセット１
１６が載置部に向け前進し（図１４（Ｆ）参照）、ウェ
ハＷを載置部上方に対向させた時点で下降し、ウェハを
載置部に載置する（図１４（Ｇ））。このようにして下
段から処理前のウェハＷが処理機構の載置部に載置され
ると、下段のピンセットが後退して初期位置まで移動す
る（図１４（Ｈ）参照）。
【０００８】また、図１５は、初期位置にあるピンセッ
ト１１６が、上段に処理前のウェハＷを保持し、下段に
処理後のウェハを取り出す場合を示しており、この場合
においては、下段のピンセットがウェハの下面に対向す
る位置まで上昇し、初期位置を設定される（図１５
（Ａ）参照）。そして、下段のピンセットはウェハの下
面に向け前進したうえで上昇し、ウェハを持ち上げると
ともに、後退して初期位置まで戻る（図１５（Ｂ）、
（Ｃ）、（Ｄ）参照）。次いで、上段のピンセットがウ
ェハを保持した状態で処理部の載置部に向け前進し、載
置部上で下降することによりウェハを載置部に載置する
（図１５（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｇ）参照）。そして、ウェ
ハの載置が終了すると上段のピンセットは初期位置に向
け後退する（図１６（Ｈ）参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このようなウェハの移
載を行なう構造では、図７（Ｂ）に示すタイミングチャ
ートからも明らかなように、上下段のピンセットがそれ
ぞれ独自に載置のための動作を連続して行なうようにな
っている。つまり、先行する側のピンセットの動作が終
了してから後続のピンセットの動作が開始されることに
なる。このため、ウェハの移載が終了するまでにかなり
の時間が必要となり、搬送工程でのスループットが悪化
する虞れがある。特に、大径の被処理基板、一例として
ＬＣＤ基板などを対象とした場合には、搬入・搬出のた
めの移動ストロークが大きくなることにより移載時間が
長大化する傾向にある。このように、移載時間が長くな
ると、被処理基板保持部に担持されている処理前の被処
理基板は、処理後に取り出された被処理基板の温度によ
る伝熱作用あるいは雰囲気温度の影響を受けてしまい、
冷却機構１１０において所定温度に冷却された面内での
所定温度が上昇することになる。このため、レジスト塗
布機構１１２において塗布された被処理基板面内での膜
厚の均一性が損ねられてしまう場合がある。
【００１０】そこで、本発明の目的とするところは、上
記従来の搬送方法における問題に鑑み、簡単な動作を設
定するだけでスループットを向上させることによって被
処理基板の面内での膜厚の均一性を確保することができ
る搬送方法および装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、上下方向に並列された複数
の被処理基板保持部を有する搬送手段を備え、上記被処
理基板の処理部に対して、一の被処理基板保持部により
処理済の被処理基板を搬出し、他の被処理基板保持部に
より未処理の被処理基板を搬入する方法において、一の
上記被処理基板保持部が後退する時期に合わせて他の上
記被処理基板保持部を被処理基板の処理部に向け前進さ
せて、一の上記被処理基板保持部の後退時期と他の上記
被処理基板保持部の前進時期とをオーバーラップさせ、
上記オーバーラップ時間内において、上記被処理基板保
持部が上昇若しくは下降動作を併せて行なうことを特徴
としている。
【００１２】請求項２記載の発明は、上側位置、中間位
置および下側位置の範囲を昇降可能な支持部と、前記支
持部に上下方向に並列され、かつ前記支持部に独立的に
進退可能に支持された上側および下側の被処理基板保持
部と、を具備する搬送手段を用い、前記上側および下側
の被処理基板保持部がそれらの前進と後退および上昇と
下降動作により、前記被処理基板の処理部が備える載置
部に支持された第１の被処理基板を前記載置部上から前
記上側被処理基板保持部により除去すると共に、前記下
側被処理基板保持部に保持された第２の被処理基板を前
記載置部上に載置する被処理基板の搬送方法であって、
前記支持部の上側位置は、被処理基板を保持した前記下
側被処理基板保持部が、前記被処理基板が前記載置部に
接触せず、かつ前記載置部上方に位置するように設定さ
れ、前記支持部の中間位置は、前記下側被処理基板保持
部が、前記載置部上の被処理基板に接触せず、かつ前記
載置部の上面下方に位置するように設定され、加えて、
被処理基板を保持した前記上側被処理基板保持部が、前
記被処理基板が前記載置部に接触せず、かつ前記載置部
上方に位置するように設定され、前記支持部の下側位置
は、前記上側被処理基板保持部が、前記載置部上の被処
理基板に接触せず、かつ前記載置部の上面下方に位置す
るように設定され、前記上側および下側の被処理基板保
持部を後退させた状態で、前記支持部を前記下側位置に
設定する第１の工程と、前記上側被処理基板保持部を前
記載置部の下方へ移動させる第２の工程と、前記支持部
を上昇させ、前記上側被処理体基板保持部によって前記
載置部上から前記第１の基板を持ち上げる第３の工程
と、前記支持部を前記上側位置までさらに上昇させると
ともに、前記上側被処理基板保持部を後退させながら、
前記第２の基板を保持する前記下側被処理基板保持部を
前記載置部へ向けて前進させる第４の工程と、前記支持
部を前記中間位置まで下降させ、前記下側被処理基板保
持部から前記載置部上へ前記第２の基板を移載した後、
前記下側被処理基板保持部を後退させる第５の工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１３】請求項３記載の発明は、上側位置、中間位
置および下側位置の範囲を昇降可能な支持部と、前記支
持部に上下方向に並列され、かつ前記支持部に独立的に
進退可能に支持された上側および下側の被処理基板保持
部と、を具備する搬送手段を用い、前記上側および下側
の被処理基板保持部がそれらの前進と後退および上昇と
下降動作により、前記被処理基板の処理部が備える載置
部に支持された第１の被処理基板を前記載置部上から前
記下側被処理基板保持部により除去すると共に、前記上
側被処理基板保持部に保持された第２の被処理基板を前
記載置部上に載置する被処理基板の搬送方法であって、
前記支持部の上側位置は、被処理基板を保持した前記下
側被処理基板保持部が、前記被処理基板が前記載置部に
接触せず、かつ前記載置部上方に位置するように設定さ
れ、前記支持部の中間位置は、前記下側被処理基板保持
部が、前記載置部上の被処理基板に接触せず、かつ前記
載置部の上面下方に位置するように設定され、加えて、
被処理基板を保持した前記上側被処理基板保持部が、前
記被処理基板が前記載置部に接触せず、かつ前記載置部
上方に位置するように設定され、前記支持部の下側位置
は、前記上側被処理基板保持部が、前記載置部上の被処
理基板に接触せず、かつ前記載置部の上面下方に位置す
るように設定され、前記上側および下側の被処理基板保
持部を後退させた状態で、前記支持部を前記中間位置に
設定する第１の工程と、前記下側被処理基板保持部を前
記載置部へ向けて前進させながら、前記第２の被処理基
板を保持する前記上側被処理基板保持部を前記載置部へ
向けて前進させる第２の工程と、前記支持部を前記上側
位置まで上昇させ、前記下側被処理体基板保持部によっ
て前記載置部上から前記第１の基板を持ち上げる第３の
工程と、前記第１の基板を保持する前記下側被処理基板
保持部を後退させるとともに、前記支持部を下降させる
第４の工程と、前記支持部を前記下側位置まで下降さ
せ、前記第２の被処理基板を保持する前記上側被処理基
板保持部から前記載置部上へ前記第２の基板を移載した
後、前記上側被処理基板保持部を後退させる第５の工程
と、を含むことを特徴とする。
【００１４】請求項４記載の発明は、処理部に対して独
立して進退可能な複数の被処理基板保持部を上下に並列
させて備えている搬送手段と、上記被処理基板保持部毎
に設けられている進退駆動部と、を、備え、上記進退駆
動部は、一の上記被処理基板保持部が後退する時期に合
わせて他の上記被処理基板保持部を被処理基板の処理部
に向け前進させて、一の上記被処理基板保持部の後退時
期と他の上記被処理基板保持部の前進時期とをオーバー
ラップさせ、上記搬送手段は、上記オーバーラップ時間
内において、上記被処理基板保持部を上昇若しくは下降
させることを特徴としている。
【００１５】
【作用】本発明では、先行する被処理基板保持部の後退
時に後続の被処理基板保持部の前進を併せて実施するこ
とで、後退時と前進時とをオーバーラップさせることが
できる。この結果、後退と前進との移動ストロークが同
じであれば、後退後に前進移動を開始する場合の待機時
間を不要にすることができる。従って、搬送時でのスル
ープット、さらには処理全体のスループットを改善して
被処理基板の面内での温度分布が変化するような事態が
防止されるので、膜厚の均一性を確保することができ
る。
【００１６】また本発明では、スループットを改善する
ために、先行する被処理基板保持部の後退時と後続の被
処理基板保持部の前進時とをオーバーラップさせるのに
併せて昇降動作を行なっている。従って、単独に昇降動
作を行なうために要する時間を被処理基板保持部の進退
動作時間内に含めることによって、動作時間の短縮が図
れる。
【００１７】
【実施例】以下、図示実施例により本発明の詳細を説明
する。
【００１８】図１は、本発明に係る方法をレジスト塗布
に実施する場合のレジスト塗布装置を示している。すな
わち、このレジスト塗布装置１０は、被処理基板、例え
ば半導体ウェハ（以下、ウェハという）Ｗに対して種々
の処理を実行する処理機構が配備された処理機構ユニッ
ト１２と、処理機構ユニット１２に対してウェハＷを搬
入・搬出するための搬送機構１４とを備えている。
【００１９】搬入・搬出機構１４は、処理前のウェハＷ
を収容しておくためのウェハキャリア１６、処理後のウ
ェハを格納しておくためのウェハキャリア１８を備え、
これら各ウェハキャリアから搬送アームあるいはピンセ
ット２０によって搬入・搬出することができる。このた
め、搬送アームあるいはピンセット２０は、Ｘ方向、Ｙ
方向およびθ方向に移動することができ、これらの移動
は、例えば、ステッピングモータとボールネジとを組み
合わせて構成されたＸ方向移動機構２２、Ｙ方向移動機
構２４およびステッピングモータのみを備えたθ方向移
動機構２６によって行なわれる。そして、各キャリアに
対して搬入・搬出されるウェハＷは、処理機構ユニット
１２との間での受渡し箇所に設置されている載置台２８
上に載置される。
【００２０】一方、処理機構ユニット１２には、アドヒ
ージョン処理機構３０、塗布機構３２、３４、冷却機構
３６、ベーク機構３８がそれぞれ配置されている。アド
ヒージョン処理機構３０は、ウェハＷとレジストとの密
着性を向上させるためのものであり、塗布機構３２、３
４は、一例としてスピンコータからなるレジスト膜の塗
布機構である。また、冷却機構３６は、レジスト塗布前
のウェハＷを所定の温度（例えば、２３℃）に調整する
ためのものであり、さらに、ベーク機構３８は、ウェハ
Ｗ上に塗布されたレジスト膜中に残存する溶剤を蒸発さ
せるためのものである。図１に示したレジスト塗布装置
では、レジスト塗布処理工程でのスループットを向上さ
せるために、塗布機構３２、３４を２台設置し、また、
ベーク機構３８では、ベークユニットを垂直方向に多段
に積層配置し、複数枚のウェハＷを一括して加熱できる
構造にしてある。
【００２１】そして、処理機構ユニット１２には、上記
各処理機構３０〜３８に対してウェハＷを搬入・搬出す
るための搬送装置４０が設けられている。
【００２２】搬送装置４０は、上記各処理機構の間でそ
の処理機構が並べられている方向に沿って延長方向を設
定された搬送路４２を備えている。この搬送路４２に
は、往復動自在かつ昇降可能な支持部をなす搬送台４４
が設けられており、この搬送台４４には、上下方向で被
処理基板保持部材をなす第１のピンセット４６（以下、
上段のピンセットという）および第２のピンセット４８
（以下、下段のピンセットという）が取り付けられてい
る。上下各段のピンセット４６、４８は、上下で独立し
て前進および後退することが可能であり、特に前進と後
退とを同じ時期に行なうようになっている。このような
ピンセット４６、４８の駆動機構としては、例えば、ス
テッピングモータおよびこれに連動するボールネジ等の
回転駆動機構あるいはベルト駆動によるスライド機構な
どが用いられる。また、上段のピンセット４６、および
下段のピンセット４８の先端には、図２に示すように、
ウェハＷの外形に合わせてリング状に形成された断熱材
からなるウェハ保持部４６Ａ、４８Ａが設けられてい
る。そして、この保持部４６Ａ、４８Ａの一部には切欠
きが形成されていて、この切欠き内に、例えば、載置部
５０をなすスピンチャックの回転軸５２が入り込めるよ
うになっている。
【００２３】上記上段のピンセット４６における基部に
は、図２に示すように、先端に向けた延長方向を設定さ
れたスリット４６Ｂが形成されている。このスリット４
６Ｂは、下段のピンセット４８側でのウェハＷの存否を
検知するためのものである。このため、図３に示すよう
に、上段のピンセット４６が前進した場合にスリット４
６Ｂと対向する上方位置には、図示しない反射型の光学
センサが配置されており、このスリット４６Ｂを透して
初期位置、換言すれば、後退位置にある下段のピンセッ
ト４８上でのウェハＷの存否を検出することができる。
なお、このようなウェハＷの存否検出は、各ピンセット
にウェハＷが保持された際に作動するタッチセンサ等の
直接検出が可能な手段に置き換えても良い。
【００２４】そして、上段および下段のピンセット４
６、４８は、処理部に載置されているウェハＷの下面に
対向できる位置まで移動することができる前進および後
退ストロークを設定されるとともに、図４に示すよう
に、少なくとも、上段のピンセット４６がウェハＷの持
ち上げを開始できる位置（Ｓ１）から下段のピンセット
４８がウェハＷの載置を開始できる位置（Ｓ２）までの
間の昇降ストロークを設定されて移動する。これは、上
段のピンセット４６が後退すると同時に下段のピンセッ
ト４８が前進する場合に下段のピンセット４８がスピン
チャックの載置部５０に干渉することがないようにする
ため、および、後続のピンセットが前進するまでに位置
決めを終了させておくためである。従って、例えば、上
段のピンセット４６が先行してウェハを取り出して後退
し、この後退に併せて後続のピンセットに相当する下段
のピンセット４８が前進する場合には、後続のピンセッ
ト４８が載置部に対してウェハＷを載置できる状態が設
定されていることになる。
【００２５】このような構成によるレジスト塗布装置
は、図５以下に示す手順によってウェハの搬入・搬出を
実施する。
【００２６】すなわち、図５には、上段のピンセット４
６によってスピンチャックの載置部５０から処理済みの
ウェハＷを搬出し、図６に示すように、下段のピンセッ
ト４８に保持されている処理前のウェハＷを載置部に搬
入する場合が示されている。この場合には、ピンセット
４６，４８が支持された支持部が下側位置に設定される
と共に、図４において符号Ｓ１で示した位置に上段のピ
ンセット４６が位置決めされ（図５（Ａ）参照）、この
状態で先行のピンセットに相当する上段のピンセット４
６が前進して載置部のウェハＷ下面に保持部４６Ａを対
峙させる（図５（Ｂ）参照）。そして、支持部が上側位
置まで上昇されることにより、図４において符号Ｓ２で
示した位置に後続のピンセットに相当する下段のピンセ
ット４８が上昇して位置決めされる（図５（Ｃ）参
照）。このときには、上段のピンセット４６によってウ
ェハＷが持上げられる。次いで、上段のピンセット４６
が初期位置に後退するのと同時に下段のピンセット４８
が前進し、下段のピンセット４８が載置部５０に対して
ウェハＷを載置できる状態に位置決めされる（図５
（Ｄ）、（Ｅ）参照）。そして、支持部が中間位置まで
下降されることにより、下段のピンセット４８は、この
位置から下降して載置部５０にウェハＷを載置し（図５
（Ｆ）参照）、その後、初期位置に後退する（図５
（Ｇ）参照）。
【００２７】このような動作に要する時間は、図７に示
すタイミングチャートの通りである。つまり、図７は、
本発明による搬送方法と従来の搬送方法との移載時間を
比較したタイミングチャートであって、（Ａ）は本発明
実施例によるものであり、（Ｂ）は従来方法によるもの
である。図７から明らかなように、本実施例において
は、先行するピンセットの後退時と後続のピンセットの
前進時とを同じ時期に設定して、いわゆる、オーバーラ
ップする期間を設定したので、従来方法に比較して、前
後進動作に要する時間を短縮することができる。このた
め、搬出されたウェハからの熱履歴の影響が搬入される
ウェハに波及する現象が抑えられることになる。
【００２８】また、図８には、図５に示した場合との違
いとして、図９に示すように、上段のピンセット４６に
処理前のウェハＷを保持し、下段のピンセット４８によ
って処理後のウェハＷを搬出する場合が示されている。
この場合には、ピンセット４６，４８が支持された支持
部が中間位置に設定されると共に、先行するピンセット
に相当する下段のピンセット４８が、図４において符号
Ｓ１で示した位置に位置決めされる（図８（Ａ）参
照）。そして、下段のピンセット４８は前進して保持部
４８Ａを載置部５０のウェハ下面に対峙させる（図８
（Ｂ）参照）。そして、支持部が上側位置まで上昇され
ることにより、下段のピンセット４８は、符号Ｓ１で示
した位置から上昇してウェハＷを持ち上げる（図８
（Ｃ）参照）。この場合には、後続のピンセットに相当
する上段のピンセット４６は、一応、符号Ｓ２で示した
位置に相当しているが、図５に示した場合と比べてＳ２
としての位置が上方にある。これは、符号Ｓ１で示す位
置に位置決めされるピンセットの種類により、下段のピ
ンセット４８を符号Ｓ１で示す位置に位置決めした場合
の方が上昇する量が多くなることに起因している。しか
し、このような現象が発生しても、ウェハＷを載置する
だけであることを考慮すれば、上昇しすぎることに何ら
障害はない。そして、下段のピンセット４８によりウェ
ハＷが持ち上げられると、下段のピンセット４８が後退
するとともに後続のピンセットに相当する上段のピンセ
ット４６が前進し、ウェハＷを載置できる状態に位置決
めされる（図８（Ｄ）、（Ｅ）参照）。そして、支持部
が下側位置まで下降されることにより、上段のピンセッ
ト４６は、この位置から下降して載置部５０にウェハＷ
を載置し（図８（Ｆ）参照）、その後、初期位置に後退
する（図８（Ｇ）参照）。
【００２９】図８に示した場合においても、先行するピ
ンセットに相当する下段のピンセット４８の後退動作に
併せて後続のピンセットに相当する上段のピンセット４
６が前進するので、図７に示したオーバーラップ期間が
設定されることになる。
【００３０】ところで、本発明では、上記したオーバー
ラップ期間の設定による移載時間の短縮を図るために、
次のような方法を実行することも可能である。
【００３１】すなわち、先行するピンセットの後退動作
と後続のピンセットの前進動作とを併せることに加えて
昇降動作も同時に行なう。つまり、図５に示した場合で
説明すると、図５（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示した工程
に代えて、先行するピンセットに相当する上段のピンセ
ット４６が後退するときに併せて後続のピンセットに相
当する下段のピンセット４８の前進動作と上昇動作とを
同時に行なう。また、これとは逆に、先行するピンセッ
ト４６が後退する動作に併せて下降動作を同時に行なう
ようにしても良い。このため、上段および下段のピンセ
ット４６、４８の移動軌跡は、先行、後続の順によっ
て、初期位置から載置部５０に向け、図５において、保
持部４６Ａおよび４８Ａが左斜め上方あるいは右斜め下
方に移動する軌跡が得られる。
【００３２】また、本発明では、先行するピンセットと
後続のピンセットとを同じ時期にスピンチャックの載置
部に向け初期位置から前進させることも可能である。つ
まり、一例として、図１０に示すように、先行するピン
セットに相当する下段のピンセット４８によって処理後
のウェハＷを搬出し、後続のピンセットに相当する上段
のピンセット４６により処理前のウェハＷを搬入する場
合で説明すると、次のとおりである。
【００３３】すなわち、ピンセット４６，４８が支持さ
れた支持部が中間位置に設定し、上段および下段のピン
セット４６、４８を同時に初期位置から前進させる（図
１０（Ａ）参照）。この時の下段のピンセット４８は、
図４において符号Ｓ１で示した位置に位置決めされる。
そして、支持部を上側位置まで上昇させ、下段のピンセ
ット４８を上昇させることでウェハＷを持ち上げたうえ
で下段のピンセット４８のみを初期位置に後退させる
（図１０（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）参照）。次いで、支持
部を下側位置まで下降させ、上段のピンセット４６を下
降させてウェハＷを載置部５０に載置し（図１０（Ｅ）
参照）、上段のピンセット４６を初期位置に後退させる
（図１０（Ｅ）（Ｆ）参照）。
【００３４】この場合には、下段のピンセット４６が符
号Ｓ１で示す位置に位置決めされるのに対して、上段の
ピンセット４６は、載置部５０との干渉を防止する意味
で、下段のピンセット４８との間の間隔を大きくする必
要がある。そこで、このような間隔を大きく設定する場
合の構造として、図１１に示す構造がある。
【００３５】すなわち、図１１に示すピンセット１５０
は、３段の基板保持部を備えている。そして、上段のピ
ンセット１５２は、例えば、冷却工程からレジスト塗布
工程を実施するためにウェハＷを搬入・搬出するときに
用いられ、また、中段および下段のピンセット１５４、
１５６は、上記工程以外でのウェハＷの搬入・搬出に用
いられる。このため、上段のピンセット１５２とこの下
方に位置するピンセットとの間には断熱材１５８が介在
させてあり、下方に位置するピンセットに担持されてい
るウェハへの熱伝達を遮断するようになっている。
【００３６】これら各段のピンセット１５２〜１５６
は、いずれも、図示しない移動機構によってＸ方向、Ｙ
方向およびθ方向に移動することができる。このような
ピンセットのうちの上段と下段に位置するピンセット１
５２、１５６を用いることで、これらピンセット間の間
隔を大きく設定することができる。また、このように、
複数段のピンセットを用いる場合、下段に位置するピン
セット１５６上のウェハの存否は、例えば、図１２に示
すように、上段および中段のピンセットの間に位置する
断熱材１５８の下面に、あるいは、中段および下段のピ
ンセットの間に配置したダミーの支持板１６０の下面
で、初期位置にある各ピンセットの基板保持部に対向さ
せてそれぞれ反射型の光学センサ１６２を配置すること
で検出が可能である。
【００３７】なお、本発明は、上記実施例に示したレジ
スト塗布装置を対象とすることに限らず、例えば、マル
チチャンバー方式を採用するプラズマ処理装置あるいは
ＣＶＤ装置でのウェハの搬入・搬出を対象とすることも
可能である。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、先
行する被処理基板保持部の後退と後続の被処理基板保持
部の前進とを同じ時期に動作させて、所謂、動作時間を
オーバーラップさせるようにしたので、個々の被処理基
板保持部の動作を連続させる場合に比べて搬送処理工程
での移載時間を短縮してスループットを向上させること
ができる。しかも、ウェハ移載に要する時間を短縮する
ことによって、搬出された被処理基板からの熱履歴の影
響を搬入される被処理基板に及ぼすことが抑えられるの
で、被処理基板の面内での温度分布の変化を防止して膜
厚の均一性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による回転処理装置の一例であるレジス
ト塗布装置の要部構成を説明するための模式的な平面図
である。
【図２】図１に示したレジスト塗布装置に用いられる被
処理基板保持部をなすピンセットの構造を示す斜視図で
ある。
【図３】図２に示したピンセットにおける被処理基板の
検知構造を示す平面図である。
【図４】図２に示したピンセットの位置決め位置を説明
するための模式的な側面図である。
【図５】本発明方法による搬送手順を説明するための模
式図である。
【図６】図５に示した搬送手順が対象とする被処理基板
の移載初期状態を説明するための模式的な側面図であ
る。
【図７】図５に示した搬送手順と従来の搬送手順との時
間的な比較を説明するためのタイミングチャートであ
り、（Ａ）は、本発明方法の搬送手順によるタイミング
チャート、（Ｂ）は従来の搬送手順によるタイミングチ
ャートである。
【図８】本発明方法の別な例による搬送手順を説明する
ための模式図である。
【図９】図８に示した搬送手順が対象とする被処理基板
の移載初期状態を説明するための模式的な側面図であ
る。
【図１０】本発明方法の他の例による搬送手順を説明す
るための模式図である。
【図１１】図１０に示した搬送手順に用いられる被処理
基板保持部をなすピンセットの構成を示す斜視図であ
る。
【図１２】図１１に示したピンセットにおける被処理基
板の検出構造を示す模式図である。
【図１３】従来の搬送装置を適用する一例であるレジス
ト塗布装置の構成を示す模式図である。
【図１４】図１３に示したレジスト塗布装置における搬
送手順を説明するための模式図である。
【図１５】図１４に示した搬送手順と異なる搬送手順を
説明するための模式図である。
【符号の説明】 １０ レジスト塗布装置 ４４ 搬送装置 ４６ 一の被処理基板保持部をなす第１のピンセット ４８ 他の被処理基板保持部をなす第２のピンセット

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上下方向に並列された複数の被処理基板
    保持部を有する搬送手段を備え、上記被処理基板の処理
    部に対して、一の被処理基板保持部により処理済の被処
    理基板を搬出し、他の被処理基板保持部により未処理の
    被処理基板を搬入する方法において、 一の上記被処理基板保持部が後退する時期に合わせて他
    の上記被処理基板保持部を被処理基板の処理部に向け前
    進させて、一の上記被処理基板保持部の後退時期と他の
    上記被処理基板保持部の前進時期とをオーバーラップさ
    せ、 上記オーバーラップ時間内において、上記被処理基板保
    持部が上昇若しくは下降動作を併せて行なうことを特徴
    とする搬送方法。
  2. 【請求項２】 上側位置、中間位置および下側位置の範
    囲を昇降可能な支持部と、前記支持部に上下方向に並列
    され、かつ前記支持部に独立的に進退可能に支持された
    上側および下側の被処理基板保持部と、を具備する搬送
    手段を用い、前記上側および下側の被処理基板保持部が
    それらの前進と後退および上昇と下降動作により、前記
    被処理基板の処理部が備える載置部に支持された第１の
    被処理基板を前記載置部上から前記上側被処理基板保持
    部により除去すると共に、前記下側被処理基板保持部に
    保持された第２の被処理基板を前記載置部上に載置する
    被処理基板の搬送方法であって、 前記支持部の上側位置は、被処理基板を保持した前記下
    側被処理基板保持部が、前記被処理基板が前記載置部に
    接触せず、かつ前記載置部上方に位置するように設定さ
    れ、 前記支持部の中間位置は、前記下側被処理基板保持部
    が、前記載置部上の被処理基板に接触せず、かつ前記載
    置部の上面下方に位置するように設定され、加えて、被
    処理基板を保持した前記上側被処理基板保持部が、前記
    被処理基板が前記載置部に接触せず、かつ前記載置部上
    方に位置するように設定され、 前記支持部の下側位置は、前記上側被処理基板保持部
    が、前記載置部上の被処理基板に接触せず、かつ前記載
    置部の上面下方に位置するように設定され、 前記上側および下側の被処理基板保持部を後退させた状
    態で、前記支持部を前記下側位置に設定する第１の工程
    と、 前記上側被処理基板保持部を前記載置部の下方へ移動さ
    せる第２の工程と、 前記支持部を上昇させ、前記上側被処理体基板保持部に
    よって前記載置部上から前記第１の基板を持ち上げる第
    ３の工程と、 前記支持部を前記上側位置までさらに上昇させるととも
    に、前記上側被処理基板保持部を後退させながら、前記
    第２の基板を保持する前記下側被処理基板保持部を前記
    載置部へ向けて前進させる第４の工程と、 前記支持部を前記中間位置まで下降させ、前記下側被処
    理基板保持部から前記載置部上へ前記第２の基板を移載
    した後、前記下側被処理基板保持部を後退させる第５の
    工程と、を含むことを特徴とする被処理基板の搬送方
    法。
  3. 【請求項３】 上側位置、中間位置および下側位置の範
    囲を昇降可能な支持部と、前記支持部に上下方向に並列
    され、かつ前記支持部に独立的に進退可能に支持された
    上側および下側の被処理基板保持部と、を具備する搬送
    手段を用い、前記上側および下側の被処理基板保持部が
    それらの前進と後退および上昇と下降動作により、前記
    被処理基板の処理部が備える載置部に支持された第１の
    被処理基板を前記載置部上から前記下側被処理基板保持
    部により除去すると共に、前記上側被処理基板保持部に
    保持された第２の被処理基板を前記載置部上に載置する
    被処理基板の搬送方法であって、 前記支持部の上側位置は、被処理基板を保持した前記下
    側被処理基板保持部が、前記被処理基板が前記載置部に
    接触せず、かつ前記載置部上方に位置するように設定さ
    れ、 前記支持部の中間位置は、前記下側被処理基板保持部
    が、前記載置部上の被処理基板に接触せず、かつ前記載
    置部の上面下方に位置するように設定され、加えて、被
    処理基板を保持した前記上側被処理基板保持部が、前記
    被処理基板が前記載置部に接触せず、かつ前記載置部上
    方に位置するように設定され、 前記支持部の下側位置は、前記上側被処理基板保持部
    が、前記載置部上の被処理基板に接触せず、かつ前記載
    置部の上面下方に位置するように設定され、 前記上側および下側の被処理基板保持部を後退させた状
    態で、前記支持部を前記中間位置に設定する第１の工程
    と、 前記下側被処理基板保持部を前記載置部へ向けて前進さ
    せながら、前記第２の被処理基板を保持する前記上側被
    処理基板保持部を前記載置部へ向けて前進させる第２の
    工程と、 前記支持部を前記上側位置まで上昇させ、前記下側被処
    理体基板保持部によって前記載置部上から前記第１の基
    板を持ち上げる第３の工程と、 前記第１の基板を保持する前記下側被処理基板保持部を
    後退させるとともに、前記支持部を下降させる第４の工
    程と、 前記支持部を前記下側位置まで下降させ、前記第２の被
    処理基板を保持する前記上側被処理基板保持部から前記
    載置部上へ前記第２の基板を移載した後、前記上側被処
    理基板保持部を後退させる第５の工程と、を含むことを
    特徴とする被処理基板の搬送方法。
  4. 【請求項４】 処理部に対して独立して進退可能な複数
    の被処理基板保持部を上下に並列させて備えている搬送
    手段と、 上記被処理基板保持部毎に設けられている進退駆動部
    と、 を、備え、 上記進退駆動部は、一の上記被処理基板保持部が後退す
    る時期に合わせて他の上記被処理基板保持部を被処理基
    板の処理部に向け前進させて、一の上記被処理基板保持
    部の後退時期と他の上記被処理基板保持部の前進時期と
    をオーバーラップさせ、 上記搬送手段は、上記オーバーラップ時間内において、
    上記被処理基板保持部を上昇若しくは下降させることを
    特徴とする搬送装置。
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