DE10020523B4 - Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines Gegenstandes - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines Gegenstandes Download PDF

Info

Publication number
DE10020523B4
DE10020523B4 DE10020523A DE10020523A DE10020523B4 DE 10020523 B4 DE10020523 B4 DE 10020523B4 DE 10020523 A DE10020523 A DE 10020523A DE 10020523 A DE10020523 A DE 10020523A DE 10020523 B4 DE10020523 B4 DE 10020523B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
container
processing
processing chamber
chamber
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10020523A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10020523A1 (de
Inventor
Kyouji Hachioji Kohama
Eiji Shimbo
Yuji Kamikawa
Takayuki Toshima
Hiroki Machida Ohno
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP11995799A external-priority patent/JP3910757B2/ja
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of DE10020523A1 publication Critical patent/DE10020523A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10020523B4 publication Critical patent/DE10020523B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/102—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration with means for agitating the liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

Eine Bearbeitungseinrichtung weist im wesentlichen einen drehbaren Rotor 21 zum Tragen von Halbleiterwafern W auf, einen Motor 22 für den Drehantrieb des Rotors 21, mehrere Bearbeitungskammern zum Umgeben der Wafer W, die von dem Rotor 21 getragen werden, beispielsweise eine innere Kammer 23 und eine äußere Kammer 24, eine Chemikalienzufuhreinheit 50, eine IPA-Zufuhreinheit 60, eine Spülzufuhreinheit 70 und eine Trocknungsfluidzufuhreinheit 80. Durch diesen Aufbau der Einrichtung ist es möglich, eine Verunreinigung der Wafer infolge der Reaktion von Behandlungsflüssigkeiten unterschiedlicher Arten zu verhindern, zusammen mit der Verbesserung des Bearbeitungswirkungsgrades und der Miniaturisierung der Einrichtung.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Bearbeitung eines Gegenstandes aus einer Gruppe, umfassend Wafer, LCD-Substrate, Glas-, Keramik- und Metallsubstrate, Leiterplatten und Photoplatten, in mehreren Bearbeitungsgängen.
  • Aus der DE 38 09 855 A1 ist eine Vorrichtung zum Reinigen und Abfüllen von Flaschen bekannt, welche aufeinanderfolgend längs einer Transportbahn einer Reinigungs- und Abfüllanlage zugeführt werden. Dabei werden die aufeinanderfolgend zugeführten Flaschen beim Fördern längs dieser Transportbahn in einer ersten Behandlungsphase einem Reinigungsvorgang unterworfen und danach in einer weiteren Behandlungsphase mit einer Flüssigkeit gefüllt. Dabei ist jede Flasche als Behandlungsgegenstand nur ein Behälter vorgesehen in Form einer Glocke, welche relativ zur Flasche längs einer zentralen Achse derart beweglich ist, dass sie die Flasche umgibt. Bei dieser bekannten Vorrichtung ist zwar ein weiterer Behälter vorgesehen, der aber erst dann wirksam wird, wenn der erste glockenförmige Behälter gereinigt wird und die Flasche, welche den eigentlichen Behandlungsgegenstand darstellt, aus der Behandlungsvorrichtung bereits entfernt ist.
  • Des weiteren ist aus der US 4 300 581 eine Reinigungs- und Trocknungseinrichtung bekannt mit einer Bearbeitungskammer, die auf ihrer einen Seite mit einer Öffnung zum Laden/Entladen von Gegenständen wie z. B. Wafer versehen ist, und mit einer Tür zum Schließen dieser Öffnung; einen Rotor, der in der Kammer angeordnet ist, um einen Träger zu drehen, der die Wafer oder dergleichen schräg zur Horizontalachse aufnimmt, sowie mit einer Flüssigkeitszufuhrvorrichtung zum Zuführen von Flüssigkeit an die Wafer oder dergleichen, und mit einer Gaszufuhrvorrichtung zum Zuführen von Gas an die Wafer oder dergleichen.
  • Aus der US 5 221 360 A eine Einrichtung bekannt, welche eine für Wartungszwecke abnehmbare Bearbeitungskammer aufweist. Weiterhin weist diese Reinigungs- und Trocknungseinrichtung einen derartigen Aufbau auf, dass ein Motor und Düsen an einer Anbringungsplatte zusammen mit der voranstehend erwähnten Bearbeitungskammer angebracht sind, wie die US 5 022 419 zeigt.
  • Weiterhin ist aus der US 5 095 927 A eine Reinigungs- und Trocknungseinrichtung bekannt, die in einer Auslassleitung in Verbindung mit einer Bearbeitungskammer eine Gas-Flüssigkeits-Trennvorrichtung aufweist, welche die Bearbeitungsflüssigkeit in Flüssigkeit und Gas zum Ausstoßen trennt. In diesem Zusammenhang ist aus der US 5 154 199 A auch eine Anordnung bekannt, bei welcher die Gas-Flüssigkeits-Trennvorrichtung mit einem Sensor ausgerüstet ist. In der Reinigungs- und Trocknungseinrichtung werden, nachdem die Bearbeitungskammer geschlossen wurde, in welcher eine Kassette, welche die mehreren Wafer oder dergleichen aufnimmt, in einem Rotor gehaltert ist, der Rotor und die Wafer gedreht, während eine Reinigungsflüssigkeit zugeführt wird. Nach Beendigung des Reinigungsvorgangs wird trockenes Gas zugeführt, wobei sich die Wafer oder dergleichen zusammen mit dem Rotor drehen. Bei einer ähnlichen werden die Wafer oder dergleichen direkt durch eine vordere Fläche geladen, ohne eine derartige Kassette zu verwenden, wie aus der US 5 678 320 A und aus der US 5 784 797 A hervorgeht. Bei einer weiteren Bearbeitungseinrichtung gemäß der JP 4-34 902 A eine Dreheinrichtung für einzelne Wafer mit mehreren Bearbeitungskammern (Bechern) versehen, die an ihrer Oberseite offen sind.
  • Weitere herkömmliche Vorrichtungen und Verfahren zur Bearbeitung von Gegenständen sind aus der DE 198 32 038 A1 , DE 691 08 689 T2 und DE 689 08 435 T2 bekannt sowie auch aus der US 5 884 009 A und der US 5 381 808 A .
  • Dabei ist es bekannt, dass bei herkömmlichen Reinigungsvorrichtungen zur Reinigung von Behandlungsgegenständen unterschiedliche Arten von Reinigungsflüssigkeiten verwendet werden, beispielsweise Chemikalien für das Entfernen von Photolack und zum Entfernen von Polymeren, Lösungsmittel für diese Chemikalien (beispielsweise IPA: Isopropylalkohol), während als ein Bearbeitungsfluid beispielsweise ein trockenes Gas (Inertgas (beispielsweise N2-Gas) und frische Luft verwendet werden.
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Bearbeitung eines Gegenstandes gemäß der eingangs genannten Art bereitzustellen, um mit einfachen Mitteln eine vielseitig gestaltbare Bearbeitung von Gegenständen in mehreren Bearbeitungsgängen zu ermöglichen, ohne dass es dabei zu unerwünschten Reaktionen zwischen den an den aufeinanderfolgenden Bearbeitungsgängen jeweils beteiligten Substanzen kommen kann.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einer Vorrichtung nach dem Patentanspruch 1 bzw. mit einem Verfahren nach dem Patentanspruch 10 gelöst.
  • Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den diesen Patentansprüchen jeweils nachgeordneten Unteransprüchen.
  • Insbesondere kann eine erfindungsgemäße Bearbeitungsvorrichtung mehrere Behälter aufweisen, die beweglich so angeordnet sind, dass sie sowohl eine Umgebungsposition einnehmen, um zumindest einen zu bearbeitenden Gegenstand zu umgeben, sowie eine Bereitschaftsposition, in welcher sie nicht den Gegenstand umgeben, eine Bewegungsvorrichtung zum Bewegen eines festgelegten Behälters unter den Behältern so, dass der festgelegte Behälter in der Umgebungsposition angeordnet wird, und eine Bearbeitungsvorrichtung zum Einsatz eines festgelegten Vorgangs bei dem Gegenstand in der Umgebungsposition.
  • Wenn dann aufeinanderfolgende Bearbeitungsgänge unter Verwendung mehrerer Bearbeitungsfluide durchgeführt werden, ist es möglich, unterschiedliche Bearbeitungskammern zum Umfang des Gegenstands zu bewegen, entsprechend den Arten der Bearbeitungsfluide. Selbst wenn die jeweiligen Bearbeitungsfluide in den jeweiligen Bearbeitungskammern bleiben, ist daher keine Möglichkeit dafür vorhanden, dass unterschiedliche Bearbeitungsfluide in derselben Kammer sind. Daher ist es möglich, zu verhindern, dass der Bearbeitungsgegenstand durch die Reaktion unterschiedlicher Bearbeitungsfluide verunreinigt wird.
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass die mehreren Behälter so angeordnet sind, dass sie im Eingriff miteinander stehen, und darüber hinaus so ausgebildet sind, dass sie einzeln zu dem Gegenstand bewegt werden können, wobei dann, wenn der festgelegte Vorgang bei dem Gegenstand in dem festgelegten Behälter unter den mehreren Behältern durchgeführt wird, die Bewegungsvorrichtung den anderen Behälter innerhalb des festgelegten Behälters in die Bereitschaftsposition bewegt.
  • In diesem Fall ist es möglich, die mehreren Behälter zwischen der Umgebungsposition und der Bereitschaftsposition einfach zu bewegen, und ebenfalls möglich, die Behälter kompakt aufzunehmen. Daher kann die gesamte Bearbeitungseinrichtung mit kleinen Abmessungen ausgebildet werden.
  • Vorzugsweise besteht die Bearbeitungseinrichtung aus einem Paar aus einer ersten und einer zweiten Wand, die so angeordnet sind, dass sie einander gegenüberliegen, und voneinander getrennt sind; einen Träger, der auf der ersten Wand dazu vorgesehen ist, zumindest einen Gegenstand zwischen der ersten Wand und der zweiten Wand zu tragen; und mehrere Peripheriewände, die jeweils von der ersten Wand zu der zweiten Wand verlaufen, um hierdurch einen Bearbeitungsraum zum Bearbeiten des Gegenstands zusammen mit der ersten und zweiten Wand auszubilden; wobei die mehreren Peripheriewände überlappt sind, während sie gegenseitig ineinander eingeschoben werden, und einzeln so ausgebildet sind, daß sie zwischen einer Umgebungsposition, zur Ausbildung des Bearbeitungsraums zusammen mit der ersten und zweiten Wand, und einer Bereitschaftsposition bewegbar sind, in welcher kein Gegenstand umgeben wird; eine Bewegungsvorrichtung zum Bewegen einer festgelegten Peripheriewand unter den mehreren Peripheriewänden, um hierdurch die festgelegte Peripheriewand in der Umgebungsposition anzuordnen, während eine andere Peripheriewand innerhalb der festgelegten Peripheriewand bewegt wird, um hierdurch die andere Peripheriewand in der Bereitschaftsposition anzuordnen; und eine Bearbeitungsvorrichtung zur Durchführung eines festgelegten Vorgangs bei dem Gegenstand in der Umgebungsposition.
  • Wenn daher der festgelegte Vorgang unter Verwendung mehrerer Bearbeitungsfluide durchgeführt wird, ist es möglich, unterschiedliche Bearbeitungskammern zur Peripherie des Gegenstands zu bewegen, entsprechend den Arten der Bearbeitungsfluide. Selbst wenn die jeweiligen Bearbeitungsfluide in den jeweiligen Bearbeitungskammern bleiben, besteht daher keine Möglichkeit dafür, dass sich unterschiedliche Bearbeitungsfluide in derselben Kammer befinden. Daher ist es möglich zu verhindern, dass der Gegenstand durch die Reaktion unterschiedlicher Bearbeitungsfluide verunreinigt wird.
  • Zusätzlich ist es möglich, die mehreren Behälter kompakt aufzunehmen, wodurch die gesamte Bearbeitungseinrichtung kleine Abmessungen aufweisen kann.
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass die Peripheriewände die Form von Zylindern aufweisen.
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass die Peripheriewände so ausgebildet sind, dass sie zwischen der Umgebungsposition und der Bereitschaftsposition in einer Richtung zwischen der ersten Wand und der zweiten Wand bewegt werden können.
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass jeder der Behälter in seinem Inneren mit einer Bearbeitungsfluidzufuhröffnung versehen ist, welche ein Bearbeitungsfluid zur Durchführung eines festgelegten Vorgangs bei dem Gegenstand zuführen kann.
  • In diesem Fall ist es möglich, die Bearbeitungsfluide entsprechend den jeweiligen Peripheriewänden zuzuführen, wodurch die Mischung unterschiedlicher Fluide verhindert werden.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass das Bearbeitungsfluid entweder eine Flüssigkeit oder ein Gas ist. Daher ist es möglich, nicht nur eine chemische Behandlung durchzuführen, sondern auch eine Trocknung, so dass eine Reihe von Vorgängen kontinuierlich in derselben Einrichtung durchgeführt werden können.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass jeder der Behälter mit einer Auslaßöffnung versehen ist, um das Bearbeitungsfluid auszustoßen, das zur Bearbeitung des Gegenstands vorgesehen ist. Daher ist es möglich, die jeweiligen Bearbeitungsfluide unabhängig entsprechend den jeweiligen Peripheriewänden auszustoßen, wodurch das Vorhandensein unterschiedlicher Fluide in demselben Behälter verhindert werden kann.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass jeweilige Außenprofile der Behälter so verjüngt ausgebildet sind, dass deren lokaler Durchmesser allmählich bei Annäherung an die Auslassöffnung ansteigt. Daher ist es möglich, die Bearbeitungsfluide in den Behältern und jene, die an den Innenwänden der Behälter anhaften, wirksam in die Auslassöffnungen einzuführen. Insbesondere da das Bearbeitungsfluid der Auslassöffnung durch sich drehende Ströme zugeführt wird, die sich infolge der Drehung des Gegenstands ergeben, ist es möglich, ein wirksames Ausstoßen zu erzielen.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass der Träger mit einer Antriebseinheit zum Drehen des Gegenstands versehen ist. Daher kann der Kontakt des Bearbeitungsfluids mit dem Gegenstand prompt erfolgen. Zusätzlich ist es möglich, das benutzte Bearbeitungsfluid von dem Gegenstand herunter zu blasen, was den Bearbeitungswirkungsgrad der Einrichtung erhöht.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass der Gegenstand in dem Träger gehaltert wird, so dass die Oberfläche des Gegenstands entlang einer Richtung von oben nach unten verläuft, und der Gegenstand durch die Antriebseinheit gedreht wird, so dass eine Drehachse in Horizontalrichtung der Bearbeitungseinrichtung verläuft. In diesem Fall ist es möglich, einfach das Bearbeitungsfluid zu entfernen, das an der Oberfläche des Gegenstands anhaftet.
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass die mehreren Gegenstände einander gegenüberliegend entlang der Drehachse angeordnet sind, und die Bearbeitungsfluidzufuhröffnung Düsenöffnungen aufweist, deren Anzahl größer oder gleich der Anzahl an Gegenständen ist. Da das identische Bearbeitungsfluid für die mehreren Gegenstände zugeführt wird, kann daher die Behandlung der Gegenstände angeglichen werden.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass die Behälter dazu befähigt sind, den Gegenstand so zu umgeben, daß dieser abgedichtet in den Behältern enthalten ist.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass die Behälter ihre Innenatmosphären gegenüber ihre Außenatmosphären isolieren können, selbst wenn sich die Behälter in den Bereitschaftspositionen befinden.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass zumindest ein Behälter unter den Behältern dazu befähigt ist, seine Innenatmosphäre gegenüber den Außenatmosphären der anderen Behälter zu isolieren.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass die zweite Wand oberhalb der ersten Wand angeordnet ist, und die Peripheriewände so angeordnet sind, daß ihre Achse in Richtung nach oben und unten verlaufen. Dann ist es möglich, die Flüssigkeit innerhalb der Außenumfangswand aufzubewahren, so daß der Gegenstand in die Flüssigkeit eingetaucht werden kann.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass die Peripheriewände und die erste Wand so konstruiert sind, daß eine Flüssigkeit in einem Raum aufbewahrt werden kann, der durch die Peripheriewände und die erste Wand festgelegt wird. In diesem Fall ist es möglich, einen ausreichenden Kontakt der Chemikalien, der Reinigungsflüssigkeit usw. mit dem Gegenstand zu erzielen, wodurch die geeignete Reaktion und die darauffolgende Reinigung erreicht werden.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass die zweite Wand mit einem Deckel versehen ist, der geöffnet und geschlossen werden kann, um den Gegenstand in die Bearbeitungseinrichtung einzuladen, und den Gegenstand aus dieser zu entladen. Daher kann der Gegenstand durch das obere Teil des Behälters eingeladen und ausgeladen werden.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass die Bearbeitungseinrichtung einen festen Behälter aufweist, der fest an einer Umgebungsposition angeordnet ist, in welcher der feste Behälter einen zu bearbeitenden Gegenstand umgibt; und einen oder mehrere bewegliche Behälter, die beweglich sind, und zwischen einer Umgebungsposition, in welcher der bewegliche Behälter den Gegenstand umgibt, und einer Bereitschaftsposition angeordnet sind, in welcher der bewegliche Behälter nicht den Gegenstand umgibt; wobei der eine oder die mehreren beweglichen Behälter in der Bereitschaftsposition angeordnet sind, wenn der Gegenstand in einem derartigen Zustand bearbeitet wird, in welchem der feste Behälter den Gegenstand umgibt.
  • Die Lebensdauer des festen Behälters kann verlängert werden und eine Antriebseinheit für den festen Behälter kann weggelassen werden.
  • Eine erfindungsgemäßes Bearbeitungsverfahren zum Bearbeiten zumindest eines zu bearbeitenden Gegenstands kann darin bestehen, dass ein oder mehrere Behälter vorgesehen werden, die beweglich angeordnet sind, so dass sie sowohl eine Umgebungsposition zum Umgeben des Gegenstands und eine Bereitschaftsposition einnehmen, in welcher kein Gegenstand umgeben wird, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
    Anordnen eines festgelegten Behälters unter den Behältern in der Umgebungsposition, um einen festgelegten Vorgang bei dem Gegenstand durchzuführen;
    Bewegen des festgelegten Behälters in die Bereitschaftsposition; und
    Anordnen des anderen Behälters unter den Behältern in der Umgebungsposition, um den festgelegten Vorgang bei dem Gegenstand durchzuführen.
  • Auch in diesem Fall ist es möglich, wenn ein festgelegter Vorgang unter Verwendung mehrerer Bearbeitungsfluide durchgeführt wird, unterschiedliche Bearbeitungskammern zur Peripherie des Gegenstands zu bewegen, entsprechend den Arten der Bearbeitungsfluide.
  • Selbst wenn die jeweiligen Bearbeitungsfluide in den jeweiligen Bearbeitungskammern bleiben, ist keine Möglichkeit dafür vorhanden, dass sich unterschiedliche Bearbeitungsfluide in derselben Kammer befinden. Daher ist es möglich zu verhindern, dass der Gegenstand durch die Reaktion unterschiedlicher Bearbeitungsfluide verunreinigt wird.
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass die Bearbeitungseinrichtung einen Halter zum Haltern des Gegenstands aufweist, wobei die mehreren Behälter so angeordnet sind, daß sie miteinander im Eingriff stehen, und wenn der festgelegte Behälter unter den mehreren Behältern in der Umgebungsposition angeordnet wird, wird mit dem Gegenstand der festgelegte Vorgang durchgeführt, während der andere Behälter, der innerhalb des festgelegten Behälters vorhanden ist, in der Bereitschaftsposition angeordnet wird.
  • In diesem Fall ist es möglich, die mehreren Behälter zwischen der Umgebungsposition und der Bereitschaftsposition einfach zu bewegen, und ebenfalls möglich, die Behälter kompakt aufzunehmen. Daher kann die gesamte Bearbeitungseinrichtung mit kleinen Abmessungen ausgebildet werden.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass der festgelegte Vorgang für den Gegenstand darin besteht, eine Bearbeitungsflüssigkeit gegen den Gegenstand in den festgelegten Behälter einzuspritzen. Dann kann eine wirksame Berührung der Reinigungsflüssigkeit mit dem Gegenstand erzielt werden.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass der Gegenstand während des festgelegten Vorgangs gedreht wird. Infolge dieser Drehung ist es möglich, die Berührung der zugeführten Bearbeitungsflüssigkeit mit dem Gegenstand durchzuführen, und das prompte Entfernen der benutzten Reinigungsflüssigkeit.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass der festgelegte Vorgang für die Gegenstände einen chemischen Behandlungsvorgang umfasst, bei welchem eine Chemikalie den Gegenständen in einem ersten Behälter zugeführt wird, und einen Trocknungsvorgang, bei welchem ein Trocknungsfluid den Gegenständen in einem zweiten Behälter zugeführt wird. Die Vorgänge der chemischen Behandlung und des Trocknens können daher als ein kontinuierlicher Vorgang durchgeführt werden, was zu einem verbesserten Bearbeitungswirkungsgrad führt.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass der festgelegte Vorgang für die Gegenstände einen chemischen Behandlungsvorgang umfasst, bei welchem eine Chemikalie den Gegenständen in dem festgelegten Behälter in der Umgebungsposition zugeführt wird, sowie einen nachfolgenden Chemikalienentfernungsvorgang, bei welchem ein Lösungsmittel für die Chemikalie den Gegenständen zugeführt wird. Daher ist es möglich, sicher die in dem Behälter verbliebenen Chemikalien zu entfernen, und ebenfalls möglich, zwei Vorgänge in demselben Behälter durchzuführen, was den Verfahrenswirkungsgrad verbessert.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass der festgelegte Vorgang für die Gegenstände einen Schritt umfasst, bei welchem eine Behandlung mit den Gegenständen in dem inneren Behälter durchgeführt wird, und einen nachfolgenden Schritt, bei welchem eine andere Behandlung bei den Gegenständen in dem äußeren Behälter durchgeführt wird. Selbst wenn die Behandlungsflüssigkeit aus dem inneren Behälter austritt, kann daher der äußere Behälter die so herausgelangte Flüssigkeit aufnehmen. Daher ist es möglich zu verhindern, daß die Flüssigkeit zur Außenseite der Einrichtung hin austritt, wodurch die Verunreinigung der Außenatmosphäre verhindert wird.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass der festgelegte Vorgang für die Gegenstände einen Schritt umfasst, bei welchem eine Bearbeitungsflüssigkeit in dem festgelegten Behälter gespeichert wird, sowie einen darauffolgenden Schritt, bei welchem die Gegenstände in die Bearbeitungsflüssigkeit eingetaucht werden. In diesem Fall ist es möglich, eine ausreichende Berührung der Chemikalie, der Reinigungsflüssigkeit usw. mit dem Gegenstand zu erzielen, wodurch eine ausreichende Reaktion und ein ausreichender nachfolgender Reinigungsvorgang erzielt werden.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass der festgelegte Vorgang für die Gegenstände weiterhin einen Schritt umfasst, bei welchem ein Bearbeitungsfluid zu den Gegenständen in dem festgelegten Behälter ausgespritzt wird. Daher ist es möglich, nicht nur einen Eintauchvorgang durchzuführen, sondern auch einen Sprühvorgang, wodurch verschiedene Vorgänge erzielt werden können.
    •
  • Die voranstehenden und weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen anhand der beigefügten Zeichnung weiter verdeutlicht.
  • In der Zeichnung zeigt:
  • 1 eine Schnittansicht, welche den Innenaufbau der Reinigungseinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 eine geschnittene Aufsicht, welche den Innenaufbau eines äußeren Reinigungsbades zeigt, das bei der Reinigungseinrichtung von 1 vorgesehen ist;
  • 3 eine Seitenschnittansicht, welche den Innenaufbau des äußeren Reinigungsbades zeigt, das bei der Reinigungseinrichtung von 1 vorgesehen ist;
  • 4 eine Schnittansicht, welche den Innenaufbau der Reinigungseinrichtung von 1 in dem Zustand zeigt, in welchem ein inneres Reinigungsbad in das äußere Reinigungsbad eintritt;
  • 5 eine Aufsicht auf einen Schnitt, welche den Innenaufbau des äußeren Reinigungsbades zeigt, das bei der Reinigungseinrichtung von 1 vorgesehen ist, in jenem Zustand, in welchem das innere Reinigungsbad in das äußere Reinigungsbad eintritt;
  • 6 ein Schaltbild einer Trocknungsgaszufuhrschaltung;
  • 7 eine Seitenschnittansicht, welche den Innenaufbau des äußeren Reinigungsbades zeigt, das bei der Reinigungseinrichtung von 1 vorgesehen ist, und zwar in dem Zustand der Aufnahme der schräg angeordneten Wafer in der äußeren Reinigungskammer;
  • 8 eine Schnittansicht des Innenaufbaus der Reinigungseinrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform;
  • 9 eine Schnittansicht, welche den Innenaufbau der Reinigungseinrichtung von 8 in jenem Zustand zeigt, in welchem das innere Reinigungsbad in das äußere Reinigungsbad eintritt;
  • 10 eine Schnittansicht, welche den Innenaufbau der Reinigungseinrichtung gemäß der dritten Ausführungsform zeigt;
  • 11 eine schematische Aufsicht auf eine Reinigungs- und Trocknungseinrichtung beim Einsatz der Bearbeitungseinrichtung gemäß der Erfindung;
  • 12 eine schematische Darstellung einer Bearbeitungseinrichtung gemäß der vierten Ausführungsform der Erfindung;
  • 13 eine Schnittansicht eines wesentlichen Teils der Bearbeitungseinrichtung von 12;
  • 14 eine schematische Schnittansicht der Bearbeitungseinrichtung von 13, wobei deren Zustand zur Aufnahme der Wafer dargestellt ist;
  • 15 eine schematische Schnittansicht der Bearbeitungseinrichtung von 13, wobei deren Zustand dargestellt ist, in welchem die Wafer an einen Rotor geliefert werden;
  • 16 eine schematische Schnittansicht der Bearbeitungseinrichtung gemäß 13, wobei deren chemischer Vorgang und deren Chemikalienentfernungsvorgang in einer inneren Kammer dargestellt sind;
  • 17 eine schematische Schnittansicht der Bearbeitungseinrichtung von 13, wobei deren Spülvorgang und deren Trocknungsvorgang in einer äußeren Kammer dargestellt sind;
  • 18 ein schematisches Rohrdiagramm, welches ein Rohrsystem der Bearbeitungseinrichtung von 12 zeigt;
  • 19 eine Perspektivansicht entlang eines inneren Zylinders und eines äußeren Zylinders der Bearbeitungseinrichtung gemäß 13;
  • 20 eine Perspektivansicht in Explosionsdarstellung, welche den inneren Zylinder und den äußeren Zylinder in 19 zeigt;
  • 21 eine Perspektivansicht einer Gas/Flüssigkeits-Trennvorrichtung von 20;
  • 22 eine Perspektivansicht, welche den explodierten Zustand des Zylinders bei der anderen Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 23 eine Perspektivansicht, welche den zusammengebauten Zylinder von 22 zeigt; und
  • 24 eine Schnittansicht, welche die andere Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 1 zeigt die erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung:
    Zur Erläuterung der Ausführungsform zeigt die 1 auch den Innenaufbau einer Reinigungseinrichtung 1, gesehen von deren Vorderseite aus. Wie aus 1 hervorgeht, weist die Reinigungseinrichtung 1 einen äußeren Behälter 2 mit einer peripheren Wand 3 auf, einen inneren Behälter 4 mit einer peripheren Wand 5, sowie einen Hebemechanismus 6. Der äußere Behälter 2 mit seiner peripheren Wand 3 kann eine erste (äußere) Reaktionskammer 2 bilden, welche z. B. fünfundzwanzig (25) Stück von Wafern W umgeben kann. Es wird darauf hingewiesen, dass in der vorliegenden Anmeldung der erste (äußere) Behälter 2 auch als "die erste Bearbeitungskammer" bezeichnet wird, wenn dieser erste Behälter 2 eine Behandlungskammer bildet. Der zweite (innere Behälter 4 mit der peripheren Wand 5 kann eine zweite Bearbeitungskammer bilden und so ausgebildet sein, dass er in den ersten Behälter 2 eintreten und dabei Wafer W umgeben kann, die in dem vom ersten Behälter 2 gebildeten Raum vorhanden sind. Entsprechend kann der zweite (innere) Behälter 4 als "die zweite Reinigungskammer" bezeichnet werden.
  • Der Hebemechanismus 6 kann folgende zwei Funktionszustände der Einrichtung 1 herbeiführen: Einen ersten Funktionszustand, in welchem der zweite (innere) Behälter 4 in den ersten (äußeren) Behälter 2 bewegt wurde, so dass die Wafer W von dem zweiten (inneren) Behälter 4 umgeben werden, sowie einen zweiten Funktionszustand, in welchem der zweite (innere) Behälter 4 aus dem ersten (äußeren) Behälter 2 abgezogen ist, so dass die Wafer W von dem ersten (äußeren) Behälter 2 umgeben werden. Im ersten Funktionszustand bildet der zweite (innere) Behälter 4 die Bearbeitungskammer zur Bearbeitung der Wafer W, während im zweiten Funktionszustand der erste (äußere) Behälter 2 die Bearbeitungskammer zur Bearbeitung der Wafer W bildet.
  • Im Folgenden werden also der erste (äußere) Behälter 2 auch als äußere Bearbeitungskammer und der zweite (innere) Behälter 4 auch als innere Bearbeitungskammer bezeichnet, wobei jedoch jeweils nur die eine oder nur die andere der beiden Bearbeitungskammern für die Reinigung der Wafer W wirksam ist in Abhängigkeit davon, ob die Behandlungsvorrichtung 1 je nach der oberen oder unteren Stellung des Hebemechanismus 6 im dem ersten oder zweiten der vorgenannten Funktionszustände ist.
  • Beispielsweise führt, um die organischen Verunreinigungen (beispielsweise metallische Verunreinigungen) von den jeweiligen Oberflächen der Wafer W zu entfernen, die so ausgebildete Reinigungseinrichtung 1 eine Reinigungsoperation durch, die einen "SPM"-Reinigungsvorgang umfaßt, einen Spülvorgang unter Verwendung von reinem Wasser, eine "SCI"-Reinigung, einen weiteren Spülvorgang unter Verwendung von reinem Wasser, und einen Trocknungsvorgang, in dieser Reihenfolge.
  • Der SPM-Reinigungsvorgang wird in dem inneren Reinigungsbad gebildet durch die periphere Wand 5 durchgeführt. Bei dem SPM-Reinigungsvorgang wird eine Reinigungsflüssigkeit verwendet, die als "SPM (Mischung aus H2SO4/H2O2)" bezeichnet wird, aus im Wesentlichen Schwefelsäurebestandteilen.
  • Dagegen wird der SCI-Reinigunsvorgang in dem äußeren Reinigungsbad gebildet durch die periphere Wand 3 durchgeführt, wobei folgend Reinigungsbad und periphere Wandäquivalent. Bei der SCI-Reinigung wird eine andere Reinigungsflüssigkeit verwendet, welche als "APM" bezeichnet wird (Mischung aus NH2OH/H2O2/H2O) aus im wesentlichen Amoniakbestandteilen. Der Trocknungsvorgang wird in dem äußeren Reinigungsbad 3 durchgeführt. Bei dem Trocknungsvorgang werden das gemischte Trocknungsgas aus einem Dampf aus IPA (Isopropylalkohol) und erwärmten N2-Gas in das äußere Reinigungsbad 3 eingelassen.
  • Das äußere Reinigungsbad 3 ist in seiner oberen Wand mit einer Öffnung 3a versehen. Im Betrieb werden die Wafer W in die Reinigungseinrichtung 1 über die Öffnung 3a eingeladen, und auch da aus über die Öffnung 3a entladen. Die Öffnung 3a kann durch einen beweglichen Deckel 10 geöffnet oder geschlossen werden. Der Deckel 10 ist so konstruiert, daß er sowohl in Vertikalrichtung als auch in Horizontalrichtung zum äußeren Reinigungsbad 3 bewegt werden kann. In 1 erläutert die durchgezogene Linie des Deckels 10 eine Operation zum Öffnen der oberen Öffnung 3a, wogegen der Deckelkörper 10' als doppeltgestrichelte Linie eine weitere Operation zum Schließen der Öffnung 3a erläutert. Ein Gehäuse 11 ist auf der unteren Wand des äußeren Reinigungsbades 3 befestigt. In dem Gehäuse 11 in der Figur ist das innere Reinigungsbad 5 angeordnet, welches gegenüber dem äußeren Reinigungsbad 3 weiter unten geschützt ist. Eine Öffnung 3b ist ebenfalls in der unteren Wand des äußeren Reinigungsbades 3 vorgesehen. Bei dem dargestellten Beispiel ist das innere Reinigungsbad 5 so ausgebildet, daß es durch die Öffnung 3b nach oben und unten hindurchgehen kann. Die Reinigungseinrichtung 1 weist weiterhin einen Zylinder 12 auf. Der Zylinder 12 dringt in das Gehäuse 11 und das innere Zentrum des inneren Reinigungsbades 5 ein, so daß er sich bis zum unteren Zentrum des äußeren Reinigungsbades 3 erstreckt. In dem Zylinder 12 ist eine Halterungswelle 13 angeordnet, deren oberes Ende mit einem Tisch 14 verbunden ist.
  • 2 zeigt die Aufsicht auf den Innenaufbau des äußeren Reinigungsbades 3. 3 zeigt die Seitenansicht des äußeren Reinigungsbades 3 in einer von 1 verschiedenen Richtung. Wie in den 2 und 3 gezeigt ist, ist ein Paar aus einem linken und einem rechten Halter 16a, 16b auf einer oberen Oberfläche eines Tisches 14 vorgesehen. Jeder Halter 16a (16b) ist an seinem Umfang mit mehreren (beispielsweise 25 Stück) Nuten 17 versehen, in welche die Umfänge der Wafer W eingeführt werden sollen. Wenn daher 25 Stück Wafer W in die Reinigungseinrichtung 1 geladen werden, werden die Umfänge der Wafer W jeweils in die Nuten 17 der beiden Halter 16a, 16b eingeführt. Daher können die Wafer W in der äußeren Bearbeitungskammer in ihrem aufrechten Zustand aufgenommen werden. Um die Oberseite der äußeren Bearbeitungskammer 2 herum sind vier horizontale Injektoren (Düsen) 21 vorgesehen, von denen jeder eine Anzahl an Einspritzöffnungen 20 zum Ausspritzen der Reinigungsflüssigkeiten aufweist (also APM und reines Wasser). Wenn die Wafer W in dem äußeren Reinigungsbad 3 gereinigt werden, werden daher die Wafer W zuerst in jeweiligen Positionen auf den Tisch 14 eingesetzt, und dann werden die Reinigungsflüssigkeiten von der Oberseite der Wafer W aus ausgespritzt, um die Oberflächen von 25 Wafern W gleichmäßig zu reinigen. Es wird darauf hingewiesen, daß die Einspritz-Öffnungen 20 so konstruiert sind, daß sie die Chemikalienflüssigkeiten gegen die Wafer W sprühen. Wie in 1 gezeigt ist, ist das äußere Reinigungsbad 3 an seinem Boden mit einer Auslaßöffnung 22 versehen, an welche ein Auslaßrohr 24 angeschlossen ist, das mit einem Schließventil 23 versehen ist. Durch das Öffnen des Ventils 23 können die Chemikalienflüssigkeiten (APM und reines Wasser) in der äußeren Reinigungskammer 2 nach außen ausgestoßen werden. Es wird darauf hingewiesen, daß bei einer Abänderung das äußere Reinigungsbad 3 am Umfang seines Bodens mit mehreren Auslaßöffnungen versehen sein kann, durch welche die Chemikalienflüssigkeit gesammelt und nach außen ausgestoßen wird.
  • In dem Hebemechanismus 6 ist eine Hebewelle mit der untersten Oberfläche des inneren Reinigungsbades 5 verbunden. Daher wird der Hebemechanismus 6 durch eine Zylindereinheit, einen Motor oder dergleichen gebildet. Infolge der Vertikalbetätigung des Hebemechanismus 6 kann sich das innere Reinigungsbad 5 nach oben bewegen, um in das äußere Reinigungsbad 3 einzutreten, und auch herunterbewegen, um sich aus dem äußeren Reinigungsbad 3 zurückzuziehen, über die untere Öffnung 3b des äußeren Reinigungsbades 5. Im Einzelnen ist es möglich, indem man das innere Reinigungsbad 5 wie in
  • 4 gezeigt in das äußere Reinigungsbad 3 eintreten läßt, die Verschiebung der inneren Bearbeitungskammer 4 für die Umgebungen der Wafer W zu erhalten, so daß die Wafer W in der inneren Bearbeitungskammer 4 aufgenommen werden können. 5 zeigt eine derartige Situation des Innenaufbaus des äußeren Reinigungsbades 3, gesehen von der Oberseite aus. Dagegen kann, wenn das innere Reinigungsbad 5 aus dem äußeren Reinigungsbad durch die Betätigung des Hebemechanismus 6 zurückgezogen wird, eine Situation gemäß 1 erzielt werden, in welcher die Wafer W in dem äußeren Reinigungsbad 3 aufgenommen sind.
  • Wie aus 4 hervorgeht, gelangt dann, wenn das innere Reinigungsbad 5 in das äußere Reinigungsbad 3 eintritt, ein Dichtungsteil 30 auf der oberen Oberfläche des inneren Reinigungsbades 5 in enge Berührung mit einer Deckenfläche der äußeren Bearbeitungskammer 2. Gleichzeitig gelangt ein anderes Dichtungsteil 31 am Umfang des oberen Endes des Zylinders 12 ebenfalls in enge Berührung mit der unteren Oberfläche des inneren Reinigungsbades 5. Auf diese Weise kann verhindert werden, daß die Atmosphäre in der inneren Bearbeitungskammer 4 zur äußeren Bearbeitungskammer 2 hin austritt. Um die Oberseite der inneren Bearbeitungskammer 4 herum sind vier horizontale Düsen 33 vorgesehen, von denen jede eine Anzahl an Einspritzöffnungen 32 zum Ausspritzen der chemischen Flüssigkeiten (SPM, reines Wasser) gegen die Wafer W von der Oberseite aus aufweist, ähnlich wie bei den Düsen 21. Darüber hinaus ist das innere Reinigungsbad 5 an seinem Boden mit einer Ablaßöffnung 34 versehen, an welche ein Ablaßrohr 25 mit einem dazwischen angeordneten Schließventil 35 angeschlossen ist.
  • Wie in 6 gezeigt ist, sind die Düsen 21 (von denen nur eine gezeigt ist) auch an den Auslaß einer Trocknungsgaszufuhrleitung 40 angeschlossen, welche ein Mischgas aus IPA-Dampf und erwärmtem N2-Gas der äußeren Bearbeitungskammer 2 (1) zuführt. Hierbei ist der Einlaß der Trocknungsgaszufuhrleitung 40 an eine N2-Quelle 41 angeschlossen. Zwischen dem Einlaß und dem Auslaß der Leitung 40 sind verschiedene Elemente angeordnet: ein Dreiwegeventil 42, eine Blaseneinheit 43, welche IPA-Flüssigkeit speichert, ein Filter 44, welches nur den Durchgang von Gas zuläßt, und ein Dreiwegeventil 45, welches festlegt, ob das Trocknungsgas den Düsen 21 zugeführt wird oder nicht. Weiterhin ist eine Verbindungsleitung 46 für die Verbindung zwischen dem Dreiwegeventil 42 und dem Dreiwegeventil 45 vorgesehen. Infolge der Schaltoperation des Dreiwegeventils 42 wird das erwärmte N2-Gas von der N2-Quelle 41 der Blaseneinheit 43 mit einer Flußrate von 100 bis 200 Liter/Minute zugeführt, wodurch ein Zustand mit hoher Blasenbildung in der Blaseneinheit 43 erzielt wird. In der Einheit 43 wird das N2-Gas in kleine Blasen durch eine Gitterplatte 47 in der Einheit 43 umgewandelt, so daß die Verdampfung von IPA-Flüssigkeit erleichtert wird.
  • Nachdem sowohl IPA-Dampf und erwärmtes N2-Gas erzeugt wurden, um aus der Blaseneinheit 43 herauszufließen, werden Feuchtigkeitsbestandteile durch ein Filter 44 entfernt, und dann werden diese Bestandteile den Düsen 21 mit Hilfe der Schaltoperation des Dreiwegeventils 45 zugeführt. Alternativ hierzu kann nur erwärmtes N2-Gas zugeführt werden, durch Betätigung der Dreiwegeventile, 42, 54. Obwohl die voranstehend geschilderte Ausführungsform der Erfindung anhand eines Beispiels beschrieben wurde, bei welchem die Mischung aus IPA-Gas und erwärmtem N2-Gas (oder nur erwärmtes N2-Gas) geliefert wird, wird darauf hingewiesen, daß auch der Fall vorhanden ist, daß IPA-Flüssigkeit den Wafern W zugeführt wird, entsprechend der Art des Trocknungsvorgangs.
  • Nunmehr wird die Reinigungsoperation für die Wafer W beschrieben, die in der wie voranstehend geschildert aufgebauten Reinigungseinrichtung 1 durchgeführt wird. Beispielsweise führt, um die anorganischen Verunreinigungen zu entfernen, beispielsweise metallische Verunreinigungen, von den Oberflächen der Wafer W auf. wirksame Weise, die Reinigungseinrichtung 1 die Reinigungsoperation in folgender Reihenfolge durch: den SPM-Reinigungsvorgang, den Spülvorgang, den SCI-Reinigungsvorgang, den Spülvorgang, und den Trocknungsvorgang.
  • Wie in 1 gezeigt ist, wird mit einem nicht dargestellten Übertragungsarm das Einladen der Wafer W (nicht gereinigt; 25 Stück) in das äußere Reinigungsbad 3 durch die obere Öffnung 3a in dem Zustand durchgeführt, daß das innere Reinigungsbad 5 sich aus dem Inneren des äußeren Reinigungsbades 3 mit Hilfe des Hebemechanismus zurückgezogen hat. In dem äußeren Reinigungsbad 3 werden die Umfänge der Wafer W in die Nuten 17 der Halter l6a, l6b eingeführt.
  • Sobald die Wafer W in der äußeren Bearbeitungskammer 2 in ihrer aufrechten Ausrichtung aufgenommen sind, bewegt sich dann der Deckel 10, um die obere Öffnung 3a des äußeren Reinigungsbades 3 zu schließen.
  • In diesem Zusammenhang wird darauf hingewiesen, daß die Chemikalie SPM (Mischung aus H2SO4/H2O2), die bei der SPM-Reinigung verwendet wird, eine saure Reinigungsflüssigkeit ist, wogegen die Chemikalie APM (Mischung aus NH4OH/H2O2/H2O), die bei der SCI-Reinigung verwendet wird, eine alkalische Flüssigkeit ist. Daher ist es bei dem voranstehenden Reinigungsvorgang wesentlich, das Auftreten einer gegenseitigen Verunreinigung (beispielsweise Salze) infolge der Reaktion der SPM- und der APM-Chemikalie zu verhindern.
  • Bei der Reinigungseinrichtung 1 gemäß dieser Ausführungsform arbeitet, wenn der festgelegte Reinigungsvorgang unter Verwendung der Chemikalie SPM, reinen Wassers und der Chemikalie APM durchgeführt wird, der Hebemechanismus 6 so, daß er die innere Bearbeitungskammer 4 zum Umfang der Wafer W entsprechend den Arten der Reinigungsflüssigkeiten bewegt. Wenn die Chemikalie SPM und reines Wasser den Wafern W zugeführt werden, werden dann die Wafer W in der inneren Reinigungskammer 4 aufgenommen, um so die SPM-Reinigung und das nachfolgende Spülen durchzuführen. Andererseits wird, wenn die Chemikalie APM und reines Wasser den Wafern W zugeführt werden, eine Aufnahme der Wafer W in der äußeren Bearbeitungskammer 2 durchgeführt, wodurch die SCI-Reinigung und das Trocknen durchgeführt werden. Selbst wenn die Chemikalie SPM in der inneren Bearbeitungskammer 4 übrigbleibt, und die Chemikalie APM in der äußeren Bearbeitungskammer 2 übrigbleibt, sind daher diese Chemikalien SPM, APM nicht gleichzeitig im selben Bad vorhanden. Dies liegt daran, daß die Bearbeitungskammern geändert werden, welche die Wafer W aufnehmen, immer wenn der Einsatz der Chemikalien SPM, APM umgeschaltet wird. Daher ist es möglich, das Auftreten einer gegenseitigen Verunreinigung, beispielsweise Salze, zu verhindern.
  • Im Einzelnen läßt, wenn die SPM-Reinigung in der äußeren Bearbeitungskammer 2 zuerst durchgeführt wird, der Hebemechanismus 6 das innere Reinigungsbad 5 in das äußere Reinigungsbad 3 eintreten, wie dies in 4 gezeigt ist. Daher wird die innere Bearbeitungskammer 4 zum Umfang der Wafer W bewegt, wodurch Zustand erreicht wird, daß die Wafer W in der inneren Bearbeitungskammer 4 aufgenommen sind. In diesem Zustand wird das Einspritzen der Chemikalie SPM zu den jeweiligen Oberflächen der 25 Stück Wafer W durch die Einspritz-Öffnungen 32 durchgeführt. Auf diese Weise wird die SPM-Reinigung durchgeführt, um die Teilchen von den Oberflächen der Wafer W zu entfernen. Nach der Beendigung der SPM-Reinigung wird das reine Wasser zum Spülen den Wafern W über die Einspritz-Öffnungen 32 zugeführt, um die Wafer W durch perfektes Entfernen der Chemikalie SPM zu reinigen.
  • Wie aus 1 hervorgeht, läßt bei der darauffolgenden Durchführung der SCI-Reinigung in dem äußeren Reinigungsbad 3 der Hebemechanismus 6 das innere Reinigungsbad 5, das äußere Reinigungsbad 3 verlassen, wodurch ein Zustand erzielt wird, bei welchem die Wafer W in der äußeren Bearbeitungskammer 2 aufgenommen sind: Entsprechend der SPM-Reinigung wird ein Einspritzen der Chemikalie APM auf die jeweiligen Oberflächen der Wafer W durch die Einspritz-Öffnungen 20 durchgeführt, um die Teilchen und die anorganischen Verunreinigungen (beispielsweise metallische Substanzen) von den Oberflächen der Wafer W zu entfernen. Nach Beendigung der SCI-Reinigung wird das reine Wasser zum Spülen den Wafern W durch die Einspritz– Öffnungen 20 zugeführt, um die Wafer W durch perfektes Entfernen der Chemikalie APM zu reinigen. Auf diese Weise ist es möglich, die unterschiedlichen Arten der Chemikalien SPM, APM der inneren Bearbeitungskammer 4 bzw. der äußeren Bearbeitungskammer 2 zuzuführen.
  • Zuletzt wird das trockene Gas aus den Einspritz-Öffnungen 20 ausgespritzt, um die Wafer W zu trocknen. Wie in 6 gezeigt ist, wird zuerst das erwärmte N2-Gas der Blaseneinheit 43 zugeführt, in welcher die IPA-Flüssigkeit aufbewahrt wird, um die Mischung aus IPA-Dampf und erwärmtem N2-Gas zu erzeugen. Die sich ergebende Mischung wird als Trocknungsgas den Düsen 21 über die Trocknungsgaszufuhrleitung 40 zugeführt. Infolge der Zufuhr von N2-Gas kann der Trocknungsvorgang unter einer Inertgasatmosphäre durchgeführt werden. Darüber hinaus führt die Zufuhr von IPA-Dampf für die Oberflächen der Wafer dazu, daß die verbleibenden Wassertröpfchen auf den Wafern W ausgetauscht werden, so daß das reine Wasser wirksam von den Oberflächen der Wafer entfernt werden kann. Infolge der Zufuhr er Mischung aus IPA-Dampf und erwärmtem N2-Gas in die äußere Bearbeitungskammer 2 kann daher das Trocknen der Wafer W beschleunigt werden, um beispielsweise das Auftreten von Wassermarken beim Trocknungsvorgang zu verhindern. Daher kann ein kurzer und geeigneter Trocknungsvorgang durchgeführt werden, im Vergleich zum natürlichen Trocknen. Nachdem der angegebene Trocknungsvorgang auf die voranstehend geschilderte Art und Weise durchgeführt wurde, wird die obere Öffnung 3a geöffnet, damit die Wafer W aus der Reinigungseinrichtung 1 ausgestoßen werden können. ES wird darauf hingewiesen, daß neben dem voranstehend geschilderten Trocknungsverfahren ein Vorgang eingesetzt werden kann, bei welchem nur erwärmtes N2-Gas den Wafern W nach Beendigung der Zufuhr der Mischung aus IPA-Dampf und erwärmtem N2-Gas zugeführt wird, oder ein Vorgang, bei welchem nur erwärmtes N2-Gas den Wafern W nach Beendigung der Zufuhr von IPA-Flüssigkeit zugeführt wird, usw.
  • Auf diese Weise ist es bei der Reinigungseinrichtung 1 gemäß dieser Ausführungsform möglich, da die innere Bearbeitungskammer 4 in Bezug auf das Innere des äußere Reinigungsbades 3 für die Reinigungsoperation der Wafer W bewegt wird, während die beiden Chemikalien, nämlich saures SPM und ein alkalisches APM verwendet werden, unterschiedliche Reinigungszustände zu erzielen, wenn die Wafer W in den unterschiedlichen Bearbeitungskammern aufgenommen sind. Selbst wenn die Chemikalie SPM in der inneren Bearbeitungskammer 4 übrigbleibt, und ebenso die Chemikalie APM in der äußeren Bearbeitungskammer 2 übrigbleibt, gibt es daher keine Möglichkeit für eine Reaktion zwischen den Chemikalien SPM und APM, so daß das Auftreten einer gegenseitigen Verunreinigung, beispielsweise Salze, verhindert wird.
  • Es wird darauf hingewiesen, daß bei der voranstehend geschilderten Ausführungsform die Wafer W im aufrechten Zustand in der äußeren Bearbeitungskammer 2 aufgenommen werden. Bei einer Variation können, wie dies in 7 gezeigt ist, die Wafer W in der äußeren Bearbeitungskammer 2 in ihrem schrägen Zustand aufgenommen werden. Auch in diesem Fall ist es mit der voranstehend geschilderten Anordnung gemäß der Erfindung möglich, die Wafer W (25 Stück) gleichmäßig zu waschen.
  • Als nächstes wird unter Bezugnahme auf die 8 und 9 eine Reinigungseinrichtung 50 gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Während die vorherige Reinigungseinrichtung 1 die SPM-Reinigung und die SCI-Reinigung mit den Öffnungen 20, 32 durchführt, ist die Reinigungseinrichtung 50 gemäß der vorliegenden Ausführungsform so konstruiert, daß sie die SPM-Reinigung mittels Eintauchen der Wafer W in die inneren Bearbeitungskammer 4 durchführt, die mit der Chemikalie SPM gefüllt ist, und SCI-Reinigung durch Eintauchen der Wafer W in die äußere Bearbeitungskammer 2 durchführt, die mit der Chemikalie APM gefüllt ist. Die Einzelheiten des Aufbaus der Reinigungseinrichtung 50 werden nachstehend geschildert. Es wird darauf hingewiesen, daß bei dieser Reinigungseinrichtung 50 gleiche Elemente wie bei der voranstehend geschilderten Reinigungseinrichtung 1 in Bezug auf die Funktion und den Aufbau jeweils mit denselben Bezugszeichen bezeichnet werden, und daher auf eine erneute Erläuterung verzichtet wird.
  • 8 zeigt einen Zustand, in welchem daß innere Reinigungsbad 5 das äußere Reinigungsbad 3 verlassen hat, ähnlich wie in 1. 9 zeigt einen Zustand, in welchem die innere Bearbeitungskammer 4 in das äußere Bearbeitungskammer 2 hineingelangt ist, ähnlich wie 4. Wie in den 8 und 9 gezeigt ist, ist die äußere Bearbeitungskammer 2 an ihrem Boden mit einer Ablaß/Zufuhröffnung 51 versehen, an welche ein Ablaß/Zufuhrrohr 52 angeschlossen ist. Weiterhin ist das Ablaß/Zufuhrrohr 52 mit einem Ablaßrohr 55 zum Ablassen der Reinigungsflüssigkeit von der äußeren Bearbeitungskammer 2 über Dreiwegeventile 53, 54 verbunden. Das Dreiwegeventil 53 ist weiterhin mit einem APM-Zufuhrrohr 57 zum Zuführen der Chemikalie APM verbunden, welche von einer APM-Versorgungsquelle 56 geliefert wurde, in die äußere Bearbeitungskammer 2. Dagegen ist das Dreiwegeventil 54 ebenfalls mit einem Reinwasserzufuhrrohr 59 zum Liefern von reinem Wasser verbunden, welches von einer Versorgungsquelle 58 für reines Wasser (DIW) geliefert wurde, in die äußere Bearbeitungskammer 2. Durch die Schaltoperation der Dreiwegeventile 53, 53 läßt daher die Verbindung des Ablaß/Zufuhrrohrs 52 entweder mit dem APM-Zufuhrrohr 57 oder dem Reinwasserzufuhrrohr 59 die Lieferung der Chemikalie APM oder reinen Wassers in die äußere Bearbeitungskammer 2 zu.
  • Dagegen gestattet die Verbindung des Ablaß/Zufuhrrohres 52 mit dem Abläßrohr 55 das Ausstößen der Reinigungsflüssigkeit aus der äußeren Bearbeitungskammer 2. Zusätzlich ist in der äußeren Bearbeitungskammer 2 ein Ablaßrohr 60 so angeordnet, daß es entlang der Innenoberfläche der Kammer 2 steht. Das Ablaßrohr 60 ist an der Oberseite der äußeren Bearbeitungskammer 2 geöffnet. Wenn daher die Reinigungsflüssigkeit über einen vorbestimmten Pegel zugeführt wird, kann die überschüssige Flüssigkeit aus dem Inneren der Bearbeitungskammer 2 durch das Ablaßrohr 60 abgelassen werden. Das Ablaßrohr 60 ist mit einem Ablaßrohr 62 durch ein dazwischen angeordnetes Schließventil 61 verbunden, und daher kann durch die Freigabe des Schließventils 61 die überfließende Flüssigkeit nach außerhalb über das Ablaßrohr 62 abgegeben werden. Weiterhin ist die äußere Bearbeitungskammer 2 an ihrer Deckenoberfläche mit Gasauslässen 63 zum Ablassen von Trocknungsgas versehen.
  • Ähnlich wie die äußere Bearbeitungskammer 2 ist auch die innere Bearbeitungskammer 4 an ihrem Boden mit einer Ablaß/Zufuhröffnung 65 versehen, an welche ein Ablaß/Zufuhrrohr 66 angeschlossen ist. Weiterhin ist das Ablaß/Zufuhrrohr 66 mit einem Ablaßrohr 69 über Dreiwegeventile 67, 68 verbunden. Das Dreiwegeventil 67 ist weiterhin mit einem SPM-Zufuhrrohr 71 zum Liefern der Chemikalie SPM verbunden, welche von einer SPM-Versorgungsquelle 70 geliefert wurde, in die innere Bearbeitungskammer 4. Dagegen ist das Dreiwegeventil 68 mit einem Reinwasserzufuhrrohr 73 zum Liefern von reinem Wasser, welches von einer Versorgungsquelle 72 für reines Wasser (DIW) geliefert wurde, verbunden, in die innere Bearbeitungskammer 4. Infolge der Schaltoperation der Dreiwegeventile 67, 68 ist es daher möglich, die Chemikalie SPM oder reines Wasser der inneren Bearbeitungskammer 4 zuzuführen, und ebenfalls die Reinigungsflüssigkeit aus der Bearbeitungsammer 4 zu entfernen. Weiterhin ist in der inneren Bearbeitungskammer 4 ein Ablaßrohr 74 so vorgesehen, daß es entlang der Innenoberfläche der Bearbeitungsammer 4 steht. Das Ablaßrohr 74 ist mit einem Ablaßrohr 76 mit dazwischen vorgesehenem Schließventil 75 verbunden, und daher gestattet es die Freigabe des Schließventils 75, daß die überfließende, Flüssigkeit in der Bearbeitungsammer 4 nach außen über das Ablaßrohr 76 ausgestoßen wird.
  • Nunmehr wird die Reinigungsoperation bei den Wafern W beschrieben, die von der voranstehend geschilderten Reinigungseinrichtung 50 durchgeführt wird. Wie aus 8 hervorgeht, arbeitet nach Aufnahme der aufrechten 25 Stück Wafer W (ungereinigt) in der äußeren Bearbeitungskammer 2 der Hebemechanismus 6 so, daß er die innere Bearbeitungskammer 4 zur Peripherie der Wafer W für die SPM-Reinigung bewegt, wie dies in 9 gezeigt ist. Dann wird durch Schaltoperation des Dreiwegeventils 67 zur Seite des SPM-Zufuhrrohres 71 hin, die Chemikalie SPM der inneren Bearbeitungskammer 4 zugeführt, damit die Wafer W in die Chemikalie SPM eingetaucht werden.
  • Gleichzeitig werden durch die Freigabe des Schließventils 75 die Teilchen, die von den Oberflächen der Wafer entfernt wurden, nach außerhalb durch das Ablaßrohr 74 und das Ablaßrohr 76 ausgestoßen, zusammen mit der überfließenden Chemikalie SPM. Auf die voranstehende Weise wird die SPM-Reinigung durchgeführt.
  • Nach Beendigung der SPM-Reinigung werden die drei Dreiwegeventile 67, 68 zusammen zur Seite des Ablaßrohrs 69 gedreht, um die Chemikalie SPM aus der inneren Bearbeitungskammer 4 auszustoßen. Daraufhin wird das Dreiwegeventil 68 zu der Seite des Reinwasserversorgungsrohres 73 gedreht, um das reine Wasser der inneren Bearbeitungskammer 4 zuzuführen. Auf diese Weise werden die Wafer W in das reine Wasser eingetaucht, wodurch der Spülvorgang durchgeführt wird. Auch in diesem Fall wird das überschüssige reine Wasser von der Oberseite der inneren Bearbeitungskammer 4 ausgelassen. Es wird darauf hingewiesen, daß durch geeignetes Drehen des Dreiwegeventils 68 zur Seite des Ablaßrohrs 69 hin das Eintauchen und das Ablassen bei einer Abänderung wiederholt werden können.
  • Wenn nacheinander die SCI-Reinigung in der äußeren Bearbeitungskammer 2 durchgeführt wird, so arbeitet wie in 8 gezeigt der Hebemechanismus 6 so, daß das innere Reinigungsbad 5 das äußere Reinigungsbad 3 verläßt, so daß die Wafer W in der äußeren Reinigungskammer 2 aufgenommen werden. Dann wird durch den Umschaltvorgang des Dreiwegeventils 53 auf die Seite des APM-Zufuhrrohr 57 hin, die Chemikalie APM der äußeren Bearbeitungskammer 2 zugeführt, damit die Wafer W in die Chemikalie APM eingetaucht werden können. Mit der Freigabe des Schließventils 61 werden gleichzeitig die Teilchen, die von den Oberflächen der Wafer entfernt wurden, so wie anorganische Substanzen wie beispielsweise Metalle, nach außerhalb der äußeren Bearbeitungskammer 2 über das Ablaßrohr 60 und das Ablaßrohr 62 zusammen mit der überlaufenden Chemikalie APM ausgestoßen.
  • Die APM-Reinigung wird auf die voranstehend geschilderte Weise durchgeführt.
  • Nach Beendigung der SCI-Reinigung werden die Dreiwegeventile 53, 54 zusammen zu der Seite des Ablaßrohres 55 gedreht, damit die Chemikalie APM aus der äußeren Bearbeitungskammer 2 ausgestoßen wird. Daraufhin wird das Dreiwegeventil 54 zur Seite des Reinwasserzufuhrröhrs 59 gedreht damit das reine Wasser der äußeren Bearbeitungskammer 2 zugeführt wird. Hierdurch werden die Wafer W in das reine Wasser eingetaucht, wodurch der Spülvorgang durchgeführt wird. Auch in diesem Fall wird das überschüssige, reine Wasser von der Oberseite der äußeren Bearbeitungskammer 2 ausgelassen. Entsprechend kann durch geeignetes Drehen des Dreiwegeventils 54 zur Seite des Ablaßrohrs 55 hin das Eintauchen und Ablassen bei einer Abänderung wiederholt werden. Schließlich wird das Mischgas aus IPA-Dampf und erwärmtem N2-Gas durch die Gasauslässe 63 zugeführt, damit die Wafer W getrocknet werden. Auf diese Weise wird die Reinigungseinrichtung 50 zum Eintauchen der Wafer W in die Reinigungsflüssigkeit auch dazu befähigt, den festgelegten Reinigungsvorgang adäquat durchzuführen.
  • Nachstehend wird unter Bezugnahme auf 10 die dritte Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Wie aus 10 hervorgeht, ist eine Reinigungseinrichtung 80 gemäß dieser Ausführungsform so ausgebildet, daß sie eine Reinigung mittels "Einspritzung" durch Ausspritzen der Reinigungsflüssigkeit sowie eine "DIP"-Reinigung in Bezug auf den Wafer W durchführt. Daher ist die äußere Bearbeitungskammer 2 mit den Düsen 21 versehen, wogegen die innere Bearbeitungskammer 4 mit den Düsen 33 versehen ist, so daß die Chemikalien SPM, APM in Richtung auf die Wafer W nach unten ausgespritzt werden können. Darüber hinaus ist die äußere Bearbeitungskammer 2 mit den voranstehend geschilderten Bauteilen versehen, beispielsweise der Ablaß/Zufuhröffnung 51, dem Ablaß/Zufuhrrohr 52, dem Ablaßrohr 60 usw. Die innere Bearbeitungskammer 4 ist mit den voranstehend geschilderten Bauteilen versehen, beispielsweise der Ablaß/Zufuhröffnung 65, dem Ablaß/Zufuhrrohr 66, dem Ablaßrohr 74 usw., so daß die Wafer W in die Chemikalien SPM, APM sowie reines Wasser eingetaucht werden können. Mit dem voranstehend geschilderten Aufbau ist es möglich, da verschiedene Reinigungsvorgänge durch freie Kombination der Einspritzreinigung mit der DIP-Reinigung durchgeführt werden können, der Einrichtung eine hohe Vielseitigkeit zu verleihen.
  • Darüber hinaus sind die zu bearbeitenden Gegenstände nicht auf die voranstehend geschilderten Wafer W beschränkt, und daher ist die vorliegende Erfindung auch dazu einsetzbar, LCD-Substrate zu reinigen, Glassubstrate, CD-Substrate, Photomasken, Leiterplatten, keramische Substrate, usw. Darüber hinaus kann die vorliegende Erfindung nicht nur beim Reinigen eingesetzt werden, sondern auch bei einer Einrichtung zum Einsatz einer festgelegten Bearbeitungsflüssigkeit auf den Substraten, und einem entsprechenden Verfahren, bei einer Einrichtung, welche ein Prozeßgas, welches festgelegte reaktive Bestandteile enthält, einer Bearbeitungskammer zuführt, um hierdurch die Substrate durch physikalische, chemische Reaktionen zu bearbeiten, und einem zugehörigen Verfahren, und beispielsweise bei einer Plasmaätzeinrichtung, einer Plasma-CVD-Einrichtung, einer Vakuumbearbeitungseinrichtung, usw.
  • Als nächstes wird nachstehend die vierte Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Bei dieser Ausführungsform wird ein Fall beschrieben, bei welchem die vorliegende Erfindung bei einer Reinigungs- und Trocknungseinrichtung für Halbleiterwafer eingesetzt wird.
  • 11 ist eine schematische Aufsicht, welche ein Beispiel für ein Reinigungs- und Trocknungssystem zeigt, bei welchem die Bearbeitungseinrichtung gemäß der Erfindung eingesetzt wird.
  • Das voranstehend geschilderte Reinigungs- und Trocknungssystem weist im wesentlichen einen Lade/Entladeabschnitt 202 zum Laden bzw. Entladen von Trägern 201 auf, in denen die Halbleiterwafer W beispielsweise in einer Anzahl von 25 Stück als zu bearbeitende Gegenstände horizontal aufgenommen sind, einen Bearbeitungsabschnitt 203 zur Ausübung der Flüssigkeitsbehandlung und der nachfolgenden Trocknung bei den Wafern W, und einen Schnittstellenabschnitt 204, der zwischen dem Lade/Entladeabschnitt 202 und dem Bearbeitungsabschnitt 203 angeordnet ist, um die Lieferung der Wafer W durchzuführen, die Positionseinstellung, die Ausrichtungsänderung, usw. Es wird darauf hingewiesen, daß neben dem Lade/Entladeabschnitt 202 und dem Schnittstellenabschnitt 204 Trägerlager 205 vorgesehen sind, die jeweils temporär den leeren Träger 201 aufnehmen, sowie ein Trägerreiniger 206 zum Reinigen des Trägers 201.
  • Der voranstehend geschilderte Lade/Entladeabschnitt 202 ist auf einer Seite der Reinigungs- und Trocknungseinrichtung vorgesehen, und enthält ein Trägerladeteil 202a und ein Trägerentladeteil 202b, die einander gegenüberliegend angeordnet sind.
  • Der Schnittstellenabschnitt 204 ist mit einer Trägermontagevorrichtung 207 versehen. Zwischen der Trägermontagevorrichtung 207 und dem Lade/Entladeabschnitt 202 ist eine Trägertansporteinheit 208 angeordnet, welche die Träger 201, die von dem Trägerladeteil 202a geliefert werden, zu der Trägermontagevorrichtung 207 oder zu dem Trägerlager 205 transportiert, und darüber hinaus die Träger 201 auf der Trägermontagevorrichtung 207 zu dem Trägerentladeteil 202b oder dem Trägerlager 205 fördert. Darüber hinaus ist der Schnittstellenabschnitt 204 mit einem Förderpfad 209 versehen, der sich bis zum Bearbeitungsabschnitt 203 erstreckt, und auf welchem eine Wafertransporteinheit, beispielsweise eine Wafertransportaufspannvorrichtung 210, beweglich angebracht ist. Die Wafertransporteinspannvorrichtung 210 ist so aufgebaut, daß sie die (unbearbeiteten) Wafer W transportiert, die von dem Träger 201 auf der Trägermontagevorrichtung 207 geschickt wurden, und zwar zum Bearbeitungsabschnitt 203, und darüber hinaus die durch den Bearbeitungsabschnitt 203 bearbeiteten Wafer in den Träger 201 einlädt.
  • Weiterhin ist der voranstehend geschilderte Bearbeitungsabschnitt 203 mit einer Vorrichtung bzw. Bearbeitungseinrichtung 220 gemäß der Erfindung versehen, welche Photolacke, Polymere usw. von den Wafern W entfernt. Die Bearbeitungseinrichtung 220 gemäß der Erfindung wird nachstehend beschrieben.
  • Wie in 12 gezeigt ist, ist die voranstehend geschilderte Bearbeitungseinrichtung 220 hauptsächlich aus folgenden Bauteilen aufgebaut: einer drehbaren Wafertrageinheit, beispielsweise einem Rotor 221; einer Antriebseinheit zum Drehen des Rotors 221, beispielsweise einem Motor 222; mehreren Bearbeitungskammern beispielsweise einer ersten und zweiten Bearbeitungskammer, welche die Wafer W auf dem Rotor 221 umgeben, wie einer inneren und einer aüßeren Bearbeitungskammer bzw. Kammer 223, 224; einer Versorgungseinheit 250 zum Liefern eines Bearbeitungsfluids, beispielsweise Chemikalien einer Photolackabstreifeinrichtung, einer
  • Polymerentfernungseinrichtung, usw. an die Wafer W, die in der inneren Kammer 223 und der äußeren Kammer 224 aufgenommen sind; einer weiteren Versorgungseinheit 260 zum Liefern der Lösungen für Chemikalien, beispielsweise Isopropylalkohol (IPA), einer Spülflüssigkeitsversorgungseinheit 270 für Spülflüssigkeit (beispielsweise reines Wasser) oder einer Trocknungsfluidversorgungseinheit 280 für trockenes Gas (Fluid), beispielsweise Inertgas (etwa N2-Gas), Frischluft usw. (die Versorgungseinheiten 250, 280 sind in 11 gezeigt); einer Bewegungseinheit (beispielsweise ein erster und zweiter Zylinder 227, 228) zur Bewegung eines inneren Zylinders 225, der die innere Kammer 223 bildet, und eines äußeren Zylinders 226, der die äußere Kammer 224 bildet, zu einer Waferumgebungsposition und einer von der Waferumgebungsposition entfernten Bereitschaftsposition; und einer Gegenstandsliefereinheit (beispielsweise einer Waferlieferhand 229) zum Empfang der Wafer W von der Wafertransportaufspannvorrichtung 210 und zur Zuführung dieser Teile zum Rotor 221, und in Gegenrichtung.
  • Der Motor 222, die jeweiligen Einheiten 250, 260, 270, 280 (11 zeigt die Versorgungseinheiten 250, 280), die Waferlieferhand 229, usw. der Bearbeitungseinrichtung 220 mit dem voranstehend geschilderten Aufbau werden von einer Steuereinheit gesteuert, beispielsweise einer zentralen Bearbeitungseinrichtung 230 (nachstehend als CPU 230 bezeichnet).
  • Wie in 13 gezeigt ist, ist der Rotor 211 mit einer Antriebswelle 222a des horizontal angeordneten Motors 222 in Form eines Hebels verbunden. Der Rotor 211 trägt die Wafer W so, daß ihre zu bearbeitenden Oberflächen senkrecht stehen, und ist so ausgebildet, daß er um die Horizontalachse drehbar ist. Der Rotor 221 weist eine erste Rotorscheibe 221a auf, die eine Rotorwelle 221A hat, die mit der Antriebswelle 222a des Motors 222 über eine Kupplung 222b verbunden ist, eine zweite Rotorscheibe 221b, die der ersten Rotorscheibe 221 gegenüberliegt, mehrere (beispielsweise vier Stück) Befestigungsstangen 231, die zwischen der ersten Rotorscheibe 221a und der zweiten Rotorscheibe 221b liegen, und ein Paar an Stößelstangen 232, die zwischen ihren Stoßpositionen und ihren Positionen, in denen sie nicht stoßen, bewegbar sind, durch nicht gezeigte Verriegelung und Verriegelungslöseeinheiten (beide nicht gezeigt), um die oberen Abschnitte der Wafer W zu haltern, die in Haltenuten 231a (sh. 20) festgehalten werden. Eine erste Befestigungswand 234 haltert über Lager 233 drehbar die Rotorwelle 221A des Rotors 221. Darüber hinaus ist infolge der Bereitstellung einer Labyrinthdichtung 235 hinter dem Lager 333 auf der Seite der ersten Befestigungswand 234 der Rotor 211 so aufgebaut, daß das Eindringen von Teilchen usw. verhindert wird, die von dem Motor 222 erzeugt werden, nämlich in die Bearbeitungskammer hinein (sh. 13). Es wird darauf hingewiesen, daß der Motor 222 in einem Zylinder 236 aufgenommen ist, der daraufhin mit der ersten Befestigungswand 234 verbunden ist. Der Motor 222 wird so gesteuert, daß er wiederholt und wahlweise bei einer Drehung mit vorbestimmter hoher Geschwindigkeit betrieben werden kann, beispielsweise 100 bis 3000 Umdrehungen pro Minute, und bei einer Drehung mit niedriger Geschwindigkeit, beispielsweise 1 bis 500 Umdrehungen pro Minute, entsprechend dem Programm, das vorher in der CPU 230 gespeichert wurde. Es wird darauf hingewiesen, daß zwar die voranstehend geschilderten Bereiche für schnelle und langsame Drehung einander teilweise überlappen, jedoch der Bereich niedriger Geschwindigkeit oder der Bereich hoher Geschwindigkeit im Allgemeinen in Bezug auf die Viskosität der Chemikalienflüssigkeit festgelegt wird, und sich daher die Bereiche für hohe und niedrige Umdrehungsgeschwindigkeit nicht im Falle einer gleichen Chemikalienflüssigkeit überlappen, was auch für die nachstehende Beschreibung gilt. Hierbei ist mit Drehung unter niedriger Geschwindigkeit eine niedrige Geschwindigkeit im Vergleich zu der Drehzahl gemeint, welche dazu führt, daß die an den Oberflächen der Wafer anhaftenden Chemikalien durch die Zentrifugalkraft des Rotors entfernt werden, wogegen die Hochgeschwindigkeitsumdrehung eine hohe Geschwindigkeit im Vergleich zu der Drehzahl bedeutet, welche es gestattet, daß die zugeführte Chemikalienflüssigkeit in Berührung mit den Wafern W gelangt, um so eine ausreichende Reaktion zu erzielen.
  • Da der Motor 222 infolge der Wiederholung der Umdrehungen mit hoher Geschwindigkeit und der Umdrehungen mit niedriger Geschwindigkeit überhitzt werden kann, ist daher der Motor 222 mit einer Kühleinheit 237 versehen, um die Überhitzung des Motors zu begrenzen. Wie in 12 gezeigt ist, wird die Kühleinheit 237 durch ein Umlaufkühlrohr 237a um den Motor 222 und einen Wärmetauscher 237c gebildet, der ein Teil des Kühlrohrs 237a bildet, sowie einen Teil des Kühlmittelzufuhrrohrs 237b, zum Kühlen des Kühlmittels, das sich in dem Kühlrohr 237a befindet. Als Kühlmittel wird eine elektrisch isolierende und wärmeleitende Flüssigkeit verwendet, die keinen Kurzschluß in dem Motor 222 hervorruft, auch wenn die Flüssigkeit austritt, beispielsweise Ethylenglykol. Darüber hinaus wird die Kühleinheit 237 durch die CPU 230 so gesteuert, daß sie entsprechend der Information arbeitet, die von einem nicht dargestellten Temperatursensor detektiert wird. Es wird darauf hingewiesen, daß die Kühleinheit 237 nicht immer mit der voranstehend geschilderten Anordnung versehen ist, und daher je nach Wahl des Benutzers beispielsweise eine luftgekühlte Einheit, eine elektrische Kühleinheit mit Peltier-Elementen und dergleichen vorgesehen werden kann.
  • Hierbei wird die Bearbeitungskammer, beispielsweise die innere Kammer 233 (erste Bearbeitungskammer) durch die erste Befestigungswand 234, die gegenüberliegende zweite Befestigungswand 238 und den inneren Zylinder 225 festgelegt, welcher mit der ersten und zweiten Befestigungswand 234 bzw. 238 durch ein erstes bzw. zweites Dichtungsteil 240a, 240b im Eingriff steht. Durch das Ausfahren des ersten Zylinders 227 wird daher der innere Zylinder 225 in die Position bewegt, in welcher er die Wafer W zusammen mit dem Rotor 221 umgibt, um die innere Kammer 223 (erste Bearbeitungskammer) auszubilden, die mit der ersten Befestigungswand 234 abgedichtet durch das erste Abdichtungsteil 240a verbunden ist, und auch abgedichtet mit der zweiten Befestigungswand 238 durch das zweite Dichtungsteil 240b verbunden ist (sh. die 13 und 16). Wiederum ist der innere Zylinder 225 dazu ausgebildet, sich zur Außenseite des Zylinders 236 (Bereitschaftsposition) zu bewegen, durch das Einfahren des ersten Zylinders 227 (sh. die 14, 15 und 16). Dann wird bei dem inneren Zylinder 225 dessen vordere Öffnung gegenüber der ersten Befestigungswand 234 durch das erste Dichtungsteil 240a abgedichtet, und eine Zylinderbasis gegenüber dem Zylinder 236 über ein drittes Dichtungsteil 240c abgedichtet, das um das mittlere Teil des Zylinders 236 herum vorgesehen ist, wodurch ein Leck einer Chemikalienatmosphäre verhindert wird, die in der inneren Kammer 223 übriggeblieben ist.
  • Die äußere Kammer 224 (zweite Bearbeitungskammer) wird durch die erste Befestigungswand 234, bei welcher das Dichtungsteil 240b zwischen dem inneren Zylinder 225, der in die Bereitschaftsposition bewegt wurde, und der Befestigungswand 234 angeordnet ist, die zweite Befestigungswand 238, und den äußeren Zylinder 226 gebildet, der mit der zweiten Befestigungswand 238 bzw. dem inneren Zylinder 225 über ein viertes Dichtungsteil 240d bzw. ein fünftes Dichtungsteil 240e im Eingriff steht. Durch das Ausfahren des zweiten Zylinders 228 als Bewegungseinheit wird daher der äußere Zylinder 226 in Position bewegt, in welcher die Wafer W zusammen mit dem Rotor 221 umgeben werden, und wird gegenüber der zweiten Befestigungswand 238 und dem inneren Zylinder 225 über das vierte Dichtungsteil 240d bzw. das fünfte Dichtungsteil 240e abgedichtet, wodurch die äußere Kammer 224 (zweite Bearbeitungskammer; vgl. 17) ausgebildet wird. Weiterhin ist der äußere Zylinder 226 dazu ausgebildet, sich in die Bereitschaftsposition außerhalb des festen Zylinders 236 zu bewegen, durch das Einfahren des zweiten Zylinders 228 (14 und 15). In diesem Fall wird das fünfte Dichtungsteil 240e zwischen den jeweiligen Basisenden des äußeren Zylinders 226 und des inneren Zylinders 225 angeordnet. Da die Innenatmosphäre der inneren Kammer 223 und die Innenatmosphäre der äußeren Kammer 224 voneinander fluiddicht getrennt sind, besteht daher keine Möglichkeit für eine Mischung der Atmosphären in beiden Kammern 223, 224, wodurch eine gegenseitige Verunreinigung verhindert wird, die aufgrund der Reaktion unterschiedlicher Bearbeitungsflüssigkeiten auftreten könnte.
  • Es wird darauf hingewiesen, daß die voranstehend geschilderten ersten bis fünften Dichtungsteile 240a bis 240e durch die Dichtungsmechanismen gebildet werden, bei denen jeweils Druckluft in einer hohlen Packung (beispielsweise einer Gummidichtung) eingeschlossen ist, die aufblasbar an einer Seite des abgedichteten Gegenstands angebracht ist.
  • Die voranstehend geschilderten inneren und äußeren Zylinder 225, 226 sind zusammen verjüngt ausgebildet, so daß sie sich zu ihren Spitzen hin allmählich aufweiten. Wie in den 19 und 20 gezeigt ist, sind diese Zylinder 225, 226 so ausgebildet, daß sie entlang mehreren parallelen Führungsschienen 239A (drei Stück bei der dargestellten Ausführungsform) gleiten, die entlang der ersten Befestigungswand 234, der zweiten Befestigungswand 238 und einer Seitenwand 239 verlaufen, die einander auf der gleichen Horizontallinie gegenüberliegen. Durch das Ausfahren und Einziehen des ersten und zweiten Zylinders 227, 228 können die Zylinder 225, 226 daher vorspringen, einfahren und einander koaxial überlappen. Infolge der verjüngten Form des inneren und äußeren Zylinders 225 bzw. 226 wird, wenn der Rotor 221 in dem inneren Zylinder 225 oder dem äußeren Zylinder 226 gedreht wird, ein Luftstrom erzeugt, der spiralförmig zur ausgefahrenen Seite des Zylinders hin fließt, wodurch der Ausstoß von Chemikalien im Inneren zu der ausgefahrenen Seite erleichtert wird. Darüber hinaus ist es infolge der koaxial überlappten Anordnung der Zylinder 225, 226 möglich, den Installationsraum für den inneren und äußeren Zylinder 225, 226 und die innere und äußere Kammer 223, 224 zu verringern, wodurch eine Verkleinerung der Einrichtung erzielt wird.
  • Der innere und äußere Zylinder 225, 226 sind aus Edelstahl hergestellt. Zusätzlich ist der innere Zylinder 225 an seinem Außenumfang mit einer Wärmeisolierschicht versehen, die beispielsweise aus Polytetrafluorethylen (Marke: Teflon) besteht, und die Abkühlung von Chemikalien verringert, die zur Behandlung in der inneren Kammer 223 zugeführt werden.
  • Bei den voranstehend geschilderten Versorgungseinheiten für die Behandlungsflüssigkeiten weist, wie in den 12, 13 und 18 gezeigt ist, die Versorgungseinheit 250 für die Chemikalie (beispielsweise einen Polymerentferner) eine Chemikalienzufuhrdüse 251 auf, die an dem inneren Zylinder, 225 angebracht ist, ein Chemikalienzuführteil 252, eine Pumpe 254, die in einer Chemikalienrohrleitung vorgesehen ist, welche die Chemikalienzuführdüse 251 mit dem Chemikalienzuführteil 252 verbindet, ein Filter 255, eine Temperatursteuerung 256, und ein Chemikalienzuführventil 257. In diesem Fall wird das Chemikalienzuführteil 252 durch eine Quelle 258 gebildet, einen Chemikalientank 252a zur Aufbewahrung einer neuen Chemikalie, die von der Quelle 258 geliefert wird, und einen Umwälztank 252b, der zum Speichern der Chemikalie dient, die für die Behandlung geliefert wurde. Die innere Kammer 223 ist an ihrem unteren Teil an der ausgefahrenen Seite mit einer ersten Ablaßöffnung 241 versehen, an welche ein erstes Ablaßrohr 242 angeschlossen ist. Das erste Ablaßrohr 242 ist ebenfalls mit einer Umwälzrohrleitung 290 über ein Schließventil (nicht gezeigt) verbunden. Es wird darauf hingewiesen, daß die innere Kammer 223 an ihrem oberen Teil an der ausgefahrenen Seite mit einer ersten Auslaßöffnung 243 versehen ist, an welche ein erstes Auslaßrohr 244 angeschlossen ist, wobei dazwischen ein nicht dargestelltes Schließventil angeordnet ist. Außerhalb der Versorgungstanks 252a, 252b sind Wärmesteuerheizvorrichtungen 252c vorgesehen, um die Chemikalien in den Versorgungstanks 252a, 252b jeweils auf einer festgelegten Temperatur zu halten. Um die Chemikalienflüssigkeiten gleichmäßig den sämtlichen mehreren Wafern W (beispielsweise 25 Stück) zuzuführen, die in dem Rotor 221 gehaltert werden, ist die voranstehend geschilderte Chemikalienzufuhrdüse 251 in Form einer "Brausedusche" vorgesehen, welche sechsundzwanzig Öffnungen (nicht dargestellt) aufweist, die außerhalb der äußersten Wafer W sowie zwischen den jeweiligen Wafern W angeordnet sind. Darüber hinaus ist die Chemikalienzuführdüse 251 so ausgebildet, daß sie die Chemikalie im Wesentlichen fächerförmig durch die Öffnungen ausspritzt. Durch die Chemikalienzufuhr über die Öffnungen der Chemikalienzuführdüse 251 gegen die Wafer W, die sich mit dem Rotor 221 drehen, ist es daher möglich, die Chemikalie gleichmäßig den mehreren Wafern W (beispielsweise 25 Stück) zuzuführen, die in dem Rotor 221 gehaltert werden. Es wird darauf hingewiesen, daß im Falle der Zufuhr der Chemikalie nur zu den jeweiligen Vorderseiten der Wafer W die Chemikalienzuführdüse 251 nur fünfundzwanzig Öffnungen aufweisen muß. Es wird darauf hingewiesen, daß bei der voranstehend geschilderten Anordnung die Wafer W jeweils in den Rotor 221 in Abständen entsprechend der vorherigen Anordnung gehaltert werden, bei welcher 25 Stück Wafer W in den Träger 201 aufgenommen sind.
  • Bei der Abänderung kann der Rotor 221 beispielsweise 50 Stück Wafer W im halben Abstand haltern. In einem derartigen Fall wäre die Chemikalienzuführdüse 251 mit 50 oder 51 Stück Düsenöffnungen versehen.
  • Wie in 18 gezeigt ist, weist die Versorgungseinheit 260 zur Zufuhr der Lösung für Chemikalien, beispielsweise IPA, die Chemikalienzuführdüse 251 auf die an dem inneren Zylinder 225 angebracht ist (und später als die "Chemikalienzufuhrdüse 251" bezeichnet wird), ein Lösungsmittelzufuhrteil 261, eine Pumpe 254A, die in einer IPA-Rohrleitung 262 angeordnet ist, welche die Chemikalienzuführdüse 251 mit dem Chemikalienzuführteil 252 verbindet, ein Filter 255A und ein IPA-Zufuhrventil 263. Hierbei wird unter Lösungsmittel für Chemikalien eine Flüssigkeit bezeichnet, die nicht mit den Chemikalien reagiert, und ebenfalls die Spülflüssigkeit, die in dem folgenden Vorgang verwendet wird, jedoch nur, um die Chemikalien abzuwaschen, die an den Wafern W und der Kammer anhaften. In diesem Fall wird das Lösungsmittelzufuhrteil 261 durch eine Quelle 264 eines Lösungsmittels (beispielsweise IPA), einen IPA-Zufuhrtank 261a zum Speichern von frischem IPA, das von der IPA-Que11e 264 geliefert wird, und einen Umwälzzufuhrtank 261b zum Speichern von IPA gebildet, das bei dem Vorgang verwendet wird. Eine Umwälzrohrleitung 290 ist mit den beiden IPA-Zufuhrtanks 261a, 261b über nicht gezeigte Schließventile (Schaltvorrichtungen) verbunden. Die Umwälzrohrleitung 290 ist darüber hinaus mit dem ersten Ablaßrohr 242 verbunden, das mit der ersten Auslaßöffnung 241 verbunden ist, die auf dem unteren Teil der ausgefahrenen Seite der inneren Kammer 233 angeordnet ist.
  • Weiterhin weist, wie in den 12, 13 und 18 gezeigt ist, die Spülflüssigkeitszufuhreinheit 270 für Spülflüssigkeit (beispielsweise reines Wasser) eine Reinwasserzufuhrdüse 271 auf, die an der zweiten Befestigungswand 238 angebracht ist, eine Reinwasserquelle 272, eine Zufuhrpumpe 274 und ein Reinwasserzufuhrventil 275, die beide in einer Reinwasserrohrleitung 273 angeordnet sind, welche die Düse 271 mit der Quelle 272 verbindet. In diesem Fall ist die Reinwasserzufuhrdüse 271 außerhalb der inneren Kammer 223 und innerhalb der äußeren Kammer 224 angeordnet. Wenn sich bei dieser Anordnung der innere Zylinder 225 zurück in die Bereitschaftsposition bewegt, und sich der äußere Zylinder 226 in die Position zum Umgeben des Rotors 221 und der Wafer W begibt, um so die äußere Kammer 224 auszubilden, ist dann die Reinwasserzufuhrdüse 271 in der äußeren Kammer 224 angeordnet, um das reine Wasser den Wafern W zuzuführen.
  • Die äußere Kammer 224 ist darüber hinaus an ihrem unteren Teil an der ausgefahrenen Seite mit einer zweiten Ablaßöffnung 245 versehen, an welche ein zweites Ablaßrohr 246 über ein nicht dargestelltes Schließventil angeschlossen ist. Es wird darauf hingewiesen, daß das zweite Ablaßrohr 246 in seinem Verlauf mit einem Meßgerät 247 für den spezifischen Widerstand versehen ist, welches den spezifischen Widerstand des reinen Wassers detektiert, das für den Spülvorgang vorgesehen ist, und den detektierten Widerstand an die CPU 230 übermittelt. Infolge der Bereitstellung des Meßgerätes 247 wird der momentane Zustand des Spülvorgangs ständig überwacht, so daß dieser unter der Bedingung beendet wird, daß ein geeigneter Spülvorgang durchgeführt wurde.
  • Wiederum ist die äußere Kammer 224 an ihrem oberen Teil an der ausgefahrenen Seite mit einer zweiten Auslaßöffnung 248 versehen, an welche ein zweites Ablaßrohr 249 über ein nicht dargestelltes Schließventil angeschlossen ist.
  • Wie in den 12, 13 und 18 gezeigt ist, weist eine Trocknungsfluidzufuhreinheit 280 eine Trocknungsfluidzufuhrdüse 281 auf, die auf der zweiten Befestigungswand 238 befestigt ist, eine Trocknungsfluidquelle (beispielsweise N2) 282, ein Schließventil 284, das in einer Trocknungsfluidrohrleitung 283 angebracht ist, welche die Düse 182 mit der Quelle 282 verbindet, ein Filter 285, und eine N2-Temperatursteuerung 286. An der stromabwärtigen Seite der Steuerung 286 ist die Rohrleitung 283 mit einer Abzweigrohrleitung 288 über ein Schließventil 287 verbunden. Die Abzweigrohrleitung 288 zweigt von der IPA-Rohrleitung 262 ab. In diesem Fall ist, ähnlich wie bei der Reinwasserzufuhrdüse 271, die Trocknungsfluidzufuhrdüse 281 außerhalb der inneren Kammer 223 und innerhalb der äußeren Kammer 224 angeordnet. Durch das Zurückziehen des inneren Zylinders 225 in die Bereitschaftsposition sowie die Bewegung des äußeren Zylinders 226 in die Position zum Umgeben des Rotors 221 und der Wafer W wird die Trocknungsfluidzufuhrdüse 281 in der äußeren Kammer 224 angeordnet; um die Mischung aus N2-Gas und IPA gegen die Wafer W zu sprühen. Nachdem die Wafer W mit der Mischung aus N2-Gas und IPA getrocknet wurden, werden die Wafer dann weiter nur mit N2-Gas getrocknet. Bei der Abänderung kann die Mischung aus N2-Gas und IPA nur durch N2-Gas ersetzt werden.
  • Es wird darauf hingewiesen, daß sämtliche Operationen der Chemikalienzufuhreinheit 250, der IPA-Zufuhreinheit 260, der Pumpen 254, 254A der Reinwasserzufuhreinheit 270 und der Trocknungsfluidzufuhreinheit 280, der Temperatursteuerung 256, der N2-Temperatursteuerung 286, des Chemikalienzufuhrventils 257, des IPA-Zufuhrventils 263 und des Schließventils 287 durch die CPU 230 gesteuert werden (vgl. 12).
  • Es wird darauf hingewiesen, daß die wie voranstehend geschildert aufgebaute Bearbeitungseinrichtung 220 in einem Bearbeitungsraum angeordnet ist, der an seiner Oberseite mit einer Filtereinheit (nicht dargestellt) versehen ist, aus welcher ständig frische Luft nach unten fließt.
  • Als nächstes wird die Operation der Reinigungs- und Trocknungseinrichtung der Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben. Zuerst transportiert die Trägertransporteinheit 208 den Träger 201, welcher die unbearbeiteten Wafer W aufnimmt, der in das Trägerladeteil 202a des Lade/Entladeabschnitts 202 geladen wurde, auf die Trägermontagevorrichtung 207. Dann bewegt sich die Wafertransportspannworrichtung 210 auf die Trägermontagevorrichtung 207, um die Wafer W von dem Träger 201 zu entladen, und überträgt hintereinander die Wafer W auf die Oberseite der Bearbeitungseinrichtung 220 in dem Bearbeitungsabschnitt 203, nämlich die obere Position des Rotors 221, unter der Bedingung, daß der innere Zylinder 225 und der äußere Zylinder 226 sich in die Bereitschaftsposition zurückgefahren haben. Dann steigt, wie in 14 gezeigt ist, die Waferlieferhand 229 an, um die Wafer W zu empfangen, die durch die Wafertransportspannvorrichtung 210 transportiert wurden, und sinkt dann ab, um die Wafer W auf die Befestigungsstangen 231 des Rotors 221 zu schicken, und danach kehrt die Hand 229 in die Ausgangsposition zurück.
  • Nach der Lieferung der Wafer W auf die Befestigungsstangen 231 werden infolge des Betriebs einer nicht dargestellten Verriegelungsvorrichtung die Waferstoßelstangen 232 zu den oberen Rändern der Wafer W bewegt, um diese zu haltern (vgl. 15).
  • Sobald die Wafer W auf die voranstehend geschilderte Weise auf den Rotor 221 aufgesetzt wurden, bewegen sich, wie in 16 gezeigt, der innere Zylinder 225 und der äußere Zylinder 226 zu der Position, in welcher sie den Rotor 211 und den Wafer W umgeben, so daß sie in der inneren Kammer 223 aufgenommen sind. In diesem Zustand wird die chemische Behandlung durchgeführt, während die Chemikalien den Wafern W zugeführt werden. Bei der chemischen Behandlung wird, während der Rotor 221 und die Wafer W mit geringer Geschwindigkeit gedreht werden, beispielsweise 1 bis 500 Umdrehungen pro Minute, die Chemikalie zuerst über einen vorbestimmten Zeitraum zugeführt, beispielsweise einige Dutzend Sekunden, und wird danach die Zufuhr der Chemikalie unterbrochen. Danach werden der Rotor 221 und die Wafer W mit hoher Geschwindigkeit gedreht, beispielsweise 100 bis 3000 Umdrehungen pro Minute, und zwar einige Sekunden lang, um die Chemikalie zu entfernen, die an den Oberflächen der Wafer anhaftet. Die chemische Behandlung wird dadurch fertiggestellt, daß der voranstehend geschilderte Vorgang der Zufuhr der Chemikalie und der voranstehend geschilderte Vorgang des Abblasens der Chemikalie einige Male bis einige tausend Male wiederholt wird. Es wird darauf hingewiesen, daß dann, wie das in einer doppeltgepunkteten, gestrichelten Linie in 18 angedeutet ist, eine N2-Messerdüse 300 in dem inneren Zylinder 225 angeordnet ist, um zusätzlich N2-Gas zu den Wafern W während des Abblasens der Chemikalie auszuspritzen, die Entfernung der Chemikalie prompt durchgeführt wird. In diesem Fall kann die N2-Messerdüse 300 mit der Trocknungsfluidzufuhrdüse 281 der Trocknungsfluidzufuhreinheit 280 über ein nicht dargestelltes Schließventil verbunden sein.
  • Zuerst wird für den voranstehend geschilderten Chemikalienbehandlungsvorgang die Chemikalie geliefert, die in dem Umwälztank 252b aufbewahrt wurde. Nach dem Gebrauch wird die zuerst benutzte Chemikalie durch das erste Ablaßrohr 282 entsorgt. Bei dem folgenden Vorgang wird die Chemikalie, die ebenfalls in dem Umwälztank 252b aufbewahrt wurde, für den Umlauf geliefert. Am Ende der chemischen Behandlung wird die neue Chemikalie, die von der Quelle 258 dem Chemikalientank 252a zugeführt wurde, zur Beendigung der chemischen Behandlung eingesetzt.
  • Es wird darauf hingewiesen, daß bei dem Chemikalienbehandlungsvorgang die Chemikalie, die für diesen Vorgang geliefert wurde, an der ersten Ablaßrohr 241 gesammelt wird, und in die Umwälzrohrleitung 245 des Chemikalienzufuhrteils 252 oder das erste Ablaßrohr 242 ausgestoßen wird, durch den Betrieb (eines nicht dargestellten) Schließventils, während das Gas, das in der Chemikalie entsteht, von der ersten Auslaßleitung 244 über die erste Auslaßöffnung 243 ausgestoßen wird.
  • Nach Beendigung der chemischen Behandlung wird der Vorgang der Entfernung der Chemikalie (also Spülen) durchgeführt, während die Wafer in der inneren Kammer 233 aufgenommen sind. Bei diesem Vorgang wird, während der Rotor 221 und die Wafer W mit niedriger Geschwindigkeit gedreht werden, beispielsweise 1 bis 500 Umdrehungen pro Minute, die Chemikalie IPA zuerst durch die Chemikalienzufuhrdüse 251 der IPA-Zufuhreinheit 260 über einen vorbestimmten Zeitraum geliefert, beispielsweise einige Dutzend Sekunden, und wird danach die Zufuhr der Chemikalie IPA unterbrochen. Daraufhin werden der Rotor 221 und die Wafer W mit hoher Geschwindigkeit gedreht, beispielsweise 100 bis 3000 Umdrehungen pro Minute über einige Sekunden lang, um die Chemikalie IPA abzublasen, die an den Oberflächen der Wafer haftet. Der Vorgang der Entfernung der Chemikalie wird dadurch beendet, daß sowohl der Zufuhrvorgang der Chemikalie IPA als auch der Vorgang des Abblasens von IPA einige Male bis einige tausend Male wiederholt werden. Ähnlich wie bei dem vorherigen Chemikalienbehandlungsvorgang ist die Chemikalie IPA, die zuerst für den voranstehend geschilderten Chemikalienbehandlungsvorgang geliefert wird, jene, die in dem Umwälztank 261b aufbewahrt wurde. Nach Gebrauch wird die zuerst benutzte Chemikalie IPA durch die erste Ablaßleitung 242 entsorgt. In dem darauffolgenden Vorgang wird die Chemikalie IPA, die ebenfalls in dem Umwälztank 261b gespeichert wurde, für das Umwälzen geliefert. Am Ende des Chemikalienentfernungsvorgangs wird eine neue Chemikalie IPA, die von der IPA-Quelle 264 dem Zufuhrtank 261a zugeführt wurde, zur Beendigung des Chemikalienentfernungsvorgangs verwendet.
  • Es wird darauf hingewiesen, daß bei dem Chemikalienentfernungsvorgang die Chemikalie IPA, die für diesen Vorgang geliefert wurde, an der ersten Ablaßöffnung 241 gesammelt wird, und in die Umwälzrohrleitung 290 des Lösungsmittelzufuhrteils 261 oder die erste Auslaßleitung 242 durch die Operation des (nicht gezeigten) Schließventils abgegeben wird, während das IPA-Gas von der ersten Auslaßleitung 244 durch die erste Auslaßöffnung 243 ausgestoßen wird.
  • Nachdem die chemische Behandlung und die darauffolgende Spülung beendet wurden, bewegt sich, wie in 17 gezeigt, der innere Zylinder 225 zurück zur Bereitschaftsposition. Daher werden der Rotor 221 und die Wafer W von dem äußeren Zylinder 226 umgeben, sind also anders ausgedrückt in der äußeren Kammer 224 aufgenommen. Selbst wenn die Flüssigkeit bzw. die Flüssigkeiten von den in der inneren Kammer 223 bearbeiteten Wafern W herunterfällt bzw. herunterfallen, kann ein derartiger Tropfen bzw. können derartige Tropfen von der äußeren Kammer 224 aufgenommen werden. In diesem Zustand wird die Spülflüssigkeit, beispielsweise reines Wasser, den sich drehenden Wafern W über die Reinwasserzufuhrdüse 271 der Spülflüssigkeitszufuhreinheit zugeführt. Das reine Wasser, das in dem Spülvorgang geliefert wird, und die entfernte Chemikalie IPA werden von dem zweiten Ablaßrohr 226 über die zweite Ablaßöffnung 245 abgezogen. Darüber hinaus wird Gas, das in der äußeren Kammer 224 erzeugt wird, von dem zweiten Auslaßrohr 249 nach außerhalb über die zweite Auslaßöffnung 248 ausgestoßen.
  • Nachdem der Spülvorgang über den vorbestimmten Zeitraum durchgeführt wurde, erfolgt eine Lieferung der Mischung aus N2-Gas und IPA von der Gasquelle 282 bzw. der IPA-Quelle 264 zu den sich drehenden Wafern W, während diese in der äußeren Kammer 224 aufgenommen sind, um reines Wasser zu entfernen, das an den Oberflächen der Wafer anhaftet. Daher können die Wafer W und die äußere Kammer 224 zusammen durch die Mischung aus N2-Gas und IPA getrocknet werden. Durch Zufuhr von N2-Gas nur zu den Wafern W, nachdem der Trocknungsvorgang durch die Mischung von N2-Gas und IPA beendet wurde, kann darüber hinaus das Trocknen der Wafer W und der äußeren Kammer 224 effektiver durchgeführt werden.
  • Nach Beendigung des Chemikalienbehandlungsvorgangs für die Wafer W, des Chemikalienentfernungsvorgangs, des Spülvorgangs und des Trocknungsvorgangs, bewegt sich der äußere Zylinder 226 zurück in die Bereitschaftsposition auf der Peripherieseite des inneren Zylinders 225, während die Operation einer nicht dargestellten Entriegelungseinheit es den Waferstößelstangen 232 gestattet, sich aus ihrer Waferhalteposition zurückzuziehen. Dann wird die Waferlieferhand 229 angehoben, um die Wafer W zu empfangen, die von den Befestigungsstangen 231 gehaltert werden, und wird nach Empfang der Wafer W zur Oberseite der Bearbeitungseinrichtung 220 bewegt. Daraufhin werden die Wafer W oberhalb der Bearbeitungseinrichtung zum Schnittstellenabschnitt 204 durch die Wafertransportspannvorrichtung 210 transportiert, und in den Träger 201 auf der Trägermontagevorrichtung 207 eingeladen. Dann wird der Träger 201 mit den bearbeiteten Wafern W zum Trägerentladeteil 202b durch die Trägertransporteinheit 208 transportiert, und daraufhin werden die Wafer W nach außerhalb der Einrichtung ausgestoßen.
  • Bei der voranstehend geschilderten Ausführungsform werden mit der Anordnung, bei welcher der Rotor 221, der innere Zylinder 225 und der äußere Zylinder 226 auf der Horizontalachse der Einrichtung angeordnet sind, der Chemikalienbehandlungsvorgang, der Chemikalienentfernungsvorgang, der Spülvorgang und der Trocknungsvorgang so durchgeführt, daß die Waferoberflächen senkrecht zur Horizontalachse gedreht werden. Wenn im Gegensatz hierzu die Anordnung so getroffen wird, daß der innere Zylinder 225 und der äußere Zylinder 226 auf der Vertikalachse der Einrichtung angeordnet sind, können der Chemikalienbehandlungsvorgang, der Chemikalienentfernungsvorgang, der Spülvorgang und der Trocknungsvorgang durchgeführt werden, während die horizontalen Waferoberflächen gedreht werden, bei dieser Abänderung.
  • Obwohl die innere Kammer 223 von der ersten Befestigungswand 234, der zweiten Befestigungswand 238 und dem inneren Zylinder 225 umgeben ist, können zusätzlich die jeweiligen Innenwände dieser Elemente mit wärmeisolierenden Polymerschichten aus Aluminiumoxid und Fluorharz beschichtet sein.
  • Mit der voranstehenden Anordnung ist es möglich, wenn eine chemische Behandlung bei hoher Temperatur in der inneren Kammer 223 durchgeführt wird, die Dispersion der Wärme von dem inneren Zylinder 225 usw. zu verhindern. Wenn daher die chemische Behandlung bei hoher Temperatur wiederholt wird, wird die erneute Erwärmung der inneren Kammer 223 erleichtert, wodurch die Wärmeverluste verringert werden können.
  • Auf ähnliche Weise ist es ebenfalls möglich, einen Zylinder gemäß den 22 und 23 als den Zylinder zur Verringerung der Wärmeverluste einzusetzen. 22 zeigt den Zylinder in Explosionsdarstellung, wogegen 23 den zusammengebauten Zylinder zeigt. Dieser Zylinder 501 weist ein zylindrisches Teil 503 auf, das aus Fluorharz besteht, beispielsweise Polytetrafluorethylen, PFA (Tetrafluorethylenperfluoralkkylvinylether-Copolymer), usw. Das zylindrische Teil 503 ist an seinem Boden mit einer Ablaßnut 505 versehen, deren Tiefe allmählich von der Axialseite zur anderen Axialseite hin zunimmt. Kreisringförmige Verstärkungsringe 507, 508 sind jeweils an beiden Axialenden des zylindrischen Teils 503 angebracht. Diese Verstärkungsringe 507, 508 bestehen ebenfalls aus Fluorharz, beispielsweise Polytetrafluorethylen, PFA, usw., und sind mit dem zylindrischen Teil 503 verschweißt. Der Verstärkungsring 508 ist mit einer Ablaßöffnung 509 versehen, die mit der Ablaßnut 505 an der Vereinigungsstelle mit dem zylindrischen Teil 503 verbunden ist, um die Behandlungsflüssigkeiten abzulassen. Zwischen den Verstärkungsringen 507, 508 an beiden Enden des zylindrischen Teils 505 ist ein Paar von Verstärkungsstangen 511 aus Edelstahl, Aluminium und dergleichen zur Überbrückung vorgesehen. Beide Enden jeder Verstärkungsstange 511 sind an den Ringen 507, 508 mit Hilfe von Schrauben befestigt.
  • Auch bei dem voranstehend geschilderten Zylinder 501 ist es möglich, da das zylindrische Teil aus Polytetrafluorethylen eine thermische Isolierwirkung zeigt, die Wärmeverluste im Falle der Durchführung der chemischen Behandlung bei hoher Temperatur zu verringern.
  • Obwohl die Bearbeitungseinrichtung gemäß der voranstehend geschilderten Ausführungsform die innere Kammer 223 (erste Kammer) und die äußere Kammer 224 (zweite Kammer) als den Bearbeitungsraum aufweist, kann sie durch drei oder mehr Bearbeitungskammern gebildet werden, beispielsweise ähnliche Zylinder wie den inneren Zylinder 225 und den äußeren Zylinder 226.
  • 24 zeigt eine weitere Modifikation der Bearbeitungseinrichtung von 13. Die abgeänderte Einrichtung weist Zylinder in Form einer Vierfachanordnung auf, wogegen die Bearbeitungseinrichtung von 13 so aufgebaut ist, daß sie eine zweifache Anordnung aus dem inneren Zylinder 225 und dem äußeren Zylinder 226 aufweist. Bei der Bearbeitungseinrichtung ist ein erster Zylinder 401 ähnlich dem inneren Zylinder 225 von 13 so angeordnet, daß er einen Raum abdeckt, der zwischen der ersten Befestigungswand 234 und der zweiten Befestigungswand 238 vorhanden ist. Der erste Zylinder 401 ist darüber hinaus so ausgebildet, daß er sich mit wachsender Entfernung von dem Motor 222 allmählich ausdehnt. Darüber hinaus sind bei dem ersten Zylinder 401 die beiden axialen Enden luftdicht abgedichtet an der ersten und zweiten Befestigungswand 234, 238 durch Dichtungsteile 240a, 240b angebracht. Bei dem ersten Zylinder 401 ist eine erste Düse 403 so angeordnet, daß sie von dem axialen Ende auf der Seite des Motors 222 in Axialrichtung verläuft. Darüber hinaus ist ein zweiter Zylinder 405 an der Außenseite des ersten Zylinders 401 befestigt. Beide Axialenden des zweiten Zylinders 405 sind abgedichtet an den Axialenden des ersten Zylinders 401 über Abdichtteile 407a, 407b angebracht. Weiterhin ist bei dem zweiten Zylinder 405 eine zweite Düse 409 so angeordnet, daß sie von dem axialen Ende an der Seite des Motors 222 in Axialrichtung verläuft. Zusätzlich ist ein dritter Zylinder 411 an der Außenseite des zweiten Zylinders 405 angebracht, wogegen ein vierter Zylinder 413 an der Außenseite des dritten Zylinders 411 angebracht ist. Die jeweiligen Axialenden des dritten und vierten Zylinders 411, 413 sind abgedichtet an den Axialenden der innenseitigen Zylinder durch die Abdichtteile 407a, 407b angebracht. Düsen 415, 417 sind in dem Zylinder 411 bzw. 413 angeordnet.
  • Die zweite Befestigungswand 238 ist nach außen in Radialrichtung verlängert, und ist darüber hinaus an ihrem Außenumfang mit einem Dichtungsteil 407c versehen, welches dazu dient, eine Abdichtung zwischen dem äußeren Ende der zweiten Befestigungswand 238 und dem Umfang des Vorderendes des vierten Zylinders 413 zu bewirken.
  • Der erste, zweite, dritte und vierte Zylinder 401, 405, 411, 413 sind an ihrem jeweiligen unteren Ende mit einer ersten, zweiten, dritten bzw. vierten Ablaßöffnung 419, 421, 423, 425 versehen. Diese Ablaßöffnungen 419, 421, 423, 425 sind so angeordnet, daß sie jeweils die zweite Befestigungswand 238 gleitbeweglich durchdringen. Die benutzten Flüssigkeiten von den Ablaßöffnungen 419, 421, 423, 425 werden durch Flüssigkeitsempfangsvorrichtungen 427, 429, 431, 433 empfangen, und dann zusammen nach außen über ein Ablaßrohr 435 ausgestoßen.
  • In Bezug auf das Auslaßgas weisen der erste, zweite, dritte bzw. vierte Zylinder 401, 405, 411, 413 eine erste, zweite, dritte bzw. vierte Auslaßöffnung 437, 439,441, 443 auf, die auf ihrem jeweiligen oberen Ende vorgesehen ist. Diese Auslaßöffnungen 437, 439, 441, 443 sind so ausgebildet, daß sie jeweils gleitbeweglich die zweite Befestigungswand 238 durchdringen. Das Auslaßgas wird von jeweiligen Spitzen der Öffnungen 437, 439, 441, 443 über ein Auslaßrohr 445 ausgestoßen.
  • Damit die wie voranstehend geschildert aufgebaute Bearbeitungseinrichtung den Chemikalienbehandlungsvorgang, den IPA-Vorgang, den Reinwasservorgang und den Trocknungsvorgang durchführen kann, werde zuerst die Wafer W durch die Befestigungsstangen 231 und die Waferstößelstangen 232 gehaltert. Dann wird unter Drehung der auf diese Art und Weise gehalterten Wafer W die Chemikalie zum Reinigen aus der ersten Düse 403 in dem ersten Zylinder 401 ausgespritzt. Dann wird der erste Zylinder 401 zur Seite des Motors 222 zurückgezogen, und erfolgt die Zufuhr der Chemikalie IPA von der zweiten Düse 409 in dem zweiten Zylinder 405 für die IPA-Reinigung. Nach Beendigung der IPA-Reinigung wird der zweite Zylinder 405 zurückgezogen, und wird das reine Wasser zum Reinigen aus der dritten Düse 415 in dem dritten Zylinder 411 ausgespritzt. Daraufhin wird der dritte Zylinder 411 zurückbewegt, und wird dann irgendein Trocknungsgas, beispielsweise N2-Gas, durch die vierte Düse 417 in dem vierten Zylinder 413 zugeführt, um die Wafer W zu trocknen. Bei den voranstehend geschilderten Vorgängen werden die benutzten Flüssigkeiten durch die erste bis vierte Ablaßöffnung 419, 421, 423, 425 abgelassen, während das Auslaßgas von der ersten bis vierten Auslaßöffnung 437, 439, 441, 443 abgegeben wird.
  • Auf diese Weise können bei der Bearbeitungseinrichtung gemäß dieser Ausführungsform die jeweiligen Vorgänge, also der Chemikalienbehandlungsvorgang, der IPA-Vorgang, der Reinwässervorgang und der Trockunsgvorgang, jeweils und getrennt in den unterschiedlichen Zylindern durchgeführt werden, ohne die Wafer W zu bewegen. Daher ist es möglich, den ganzen Reinigungsvorgang effektiv durchzuführen, und darüber hinaus die Mischung der Reinigungsmedien zu verhindern, also das Auftreten einer gegenseitigen Verunreinigung.
  • Selbstverständlich ist die voranstehend geschilderte Einrichtung auch bei anderen Vorgängen einsetzbar, über den Chemikalienbehandlungsvorgang, den IPA-Vorgang, den Reinwasservorgang und den Trocknungsvorgang hinaus.
  • Wiederum bei der voranstehend geschilderten Einrichtung ist die Chemikalienzuführdüse 251 (die auch als IPA-Düse dient) in dem inneren Zylinder 225 angeordnet, während die Reinwasserzuführdüse 271 und die Trocknungsdüse 281 an der zweiten Befestigungswand 238 zwischen dem inneren Zylinder 225 und dem äußeren Zylinder 226 angebracht sind. Bei einer Abänderung ist es ebenfalls möglich, eine andere Anordnung einzusetzen, bei welcher die Chemikalienzuführdüse 251 (die auch als IPA-Düse dient) an der zweiten Befestigungswand 238 außerhalb des inneren Zylinders 225 und des äußeren Zylinders 226 angebracht ist, während die Reinwasserzuführdüse 271 und die Trocknungsfluidzufuhrdüse 281 in dem äußeren Zylinder 226 angeordnet sind. Alternativ hierzu können die Chemikaliendüse 251 (die auch als IPA-Düse dient), die Reinwasserdüse 271 und die Trocknungsfluidzufuhrdüse 281 in dem inneren Zylinder 225 und dem äußeren Zylinder 226 angeordnet sein.
  • Bei der voranstehend geschilderten Ausführungsform werden der chemische Vorgang und der nachfolgende Chemikalienentfernungsvorgang in der inneren Kammer 223 (der ersten Bearbeitungskammer) durchgeführt, während der Spülvorgang und der Trocknungsvorgang in der äußeren Kammer (der zweiten Bearbeitungskammer) durchgeführt werden. Allerdings ist das Bearbeitungsverfahren gemäß der Erfindung nicht auf ein wie voranstehend geschildert ausgebildetes Bearbeitungsverfahren beschränkt. Es ist beispielsweise ebenfalls möglich, die chemische Behandlung unter Verwendung unterschiedlicher Arten von Chemikalien sowohl in der inneren Kammer 223 (der ersten Bearbeitungskammer) als auch der äußeren Kammer 224 (der zweiten Bearbeitungskammer) durchzuführen. Auf diese Weise ist es möglich, durch jeweilige Bearbeitung der Wafer in unterschiedlichen Kammern, also der inneren Kammer 223 (der ersten Bearbeitungskammer) und der äußeren Kammer 224 (zweite Bearbeitungskammer), unter Verwendung unterschiedlicher Arten von Chemikalien, das Auftreten einer gegenseitigen Verunreinigung infolge der ungewünschten Mischung unterschiedlicher Arten von Chemikalien zu verhindern.
  • Es wird darauf hingewiesen, daß die voranstehend geschilderte Ausführungsform den Fall der Bearbeitung der maximalen Anzahl an Wafern W in dem Rotor 221 betrifft. Selbstverständlich kann, falls dies erforderlich ist, die Bearbeitungseinrichtung die Reinigung und Trocknung von weniger Wafern als der maximalen Anzahl an Wafern durchführen, welche der Rotor 221 aufnimmt, selbst gegebenenfalls eines einzelnen Wafers.
  • Zwar wird die vorliegende Erfindung bei der Reinigungs/Trocknungseinrichtung für Halbleiterwafer bei den voranstehend geschilderten Ausführungsformen eingesetzt, jedoch ist die vorliegende Erfindung auch bei anderen Arten von Substraten über Halbleiterwafer hinaus einsetzbar, beispielsweise bei LCD-Glassubstraten usw., was selbstverständlich ist.
  • Wie voranstehend geschildert ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, infolge der Bereitstellung mehrerer Bearbeitungskammern und der Bewegungsvorrichtung zum Bewegen zumindest eine der Kammern an die Peripherie der Substrate, unterschiedliche Kammern zur Peripherie der Substrate entsprechend den Arten von Bearbeitungsflüssigkeiten zu bewegen, wenn die festgelegte Behandlung bei den Substraten unter Verwendung mehrerer Bearbeitungsfluide durchgeführt wird. Selbst wenn die jeweiligen Bearbeitungsflüssigkeiten in den jeweiligen Kammern verbleiben, ermöglicht die Änderung der Kammern, daß eine Mischung unterschiedlicher Flüssigkeiten in derselben Kammer verhindert werden kann.
  • Darüber hinaus umfassen gemäß der Erfindung die mehreren Bearbeitungskammern die erste Bearbeitungskammer und die zweite Bearbeitungskammer, und daher bewegt die Bewegungsvorrichtung zumindest entweder die erste oder die zweite Kammer. Daher können die folgenden Vorgänge in Reihenfolge durchgeführt werden: die Aufnahme der Substrate in der ersten Bearbeitungskammer; die Lieferung des Bearbeitungsfluids in die erste Bearbeitungskammer für die erste festgelegte Behandlung; die Bewegung der zweiten Bearbeitungskammer, damit hierdurch die zweite Bearbeitungskammer in die erste Bearbeitungskammer eintreten kann, so daß die Substrate in der zweiten Bearbeitungskammer aufgenommen werden; und die Lieferung des Bearbeitungsfluids in die zweite Bearbeitungskammer für die zweite festgelegte Behandlung.
  • Die Bewegungsvorrichtung der Vorrichtung gemäß der Erfindung ist so aufgebaut, daß sie zuläßt, daß sich die mehreren Bearbeitungskammern zur Peripherie der Wafer bewegen, entsprechend der Art der eingesetzten Bearbeitungsfluide. Beispielsweise werden bei der Behandlung unter Verwendung eines sauren Bearbeitungsfluids und eines alkalischen Bearbeitungsfluids für die Behandlung auf den Substraten die unterschiedlichen Bearbeitungskammern zur Peripherie der Substrate in beiden Fällen bewegt, in welchen das saure Fluid und das alkalische Fluid geliefert werden. Selbst wenn die Bearbeitungsfluide in den Kammern zurückbleiben, besteht daher keine Möglichkeit für das Auftreten einer Reaktion des sauren Fluids und des alkalischen Fluids, wodurch das Auftreten einer gegenseitigen Verunreinigung, beispielsweise von Salzen, verhindert wird.
  • Weiterhin kann mit der Erfindung das Bearbeitungsgas zumindest einer der mehreren Bearbeitungskammern zugeführt werden. In diesem Fall kann beispielsweise Inertgas (etwa N2-Gas), ein organischer Dampf wie IPA-Dampf, eine Mischung aus N2-Gas und IPA-Dampf usw. als das Bearbeitungsgas verwendet werden. Wenn N2-Gas der Bearbeitungskammer zugeführt wird, ist es möglich, eine Behandlung unter einer Inertgasatmosphäre durchzuführen. Alternativ führt die Zufuhr von IPA-Dampf oder einer Mischung aus N2-Gas und IPA-Dampf dazu, daß die Trocknungsverarbeitung gefördert wird, um hierdurch beispielsweise das Auftreten von Wassermarken beim Trocknen zu verhindern.
  • Da die Vorrichtung bzw. die Bearbeitungseinrichtung gemäß der Erfindung die drehbare Trägervorrichtung zum Tragen der mehreren zu bearbeitenden Gegenstände aufweist, die Antriebsvorrichtung zum Drehen der Trägervorrichtung, die mehreren Bearbeitungskammern, welche die Gegenstände umgeben können die von der Trägervorrichtung getragen werden, und die Bearbeitungsfluidzufuhrvorrichtung zum Liefern der Bearbeitungsfluide an die Gegenstände, ist es möglich, die mehreren Gegenstände zu drehen, die von der Trägervorrichtung getragen werden, während die Bearbeitungsfluide den mehreren Bearbeitungskammern zugeführt werden. Daher ist es möglich, eine Verunreinigung der Gegenstände infolge einer Reaktion unterschiedlicher Fluide zu verhindern. In diesem Zusammenhang ist es vorzuziehen, jede Bearbeitungskammer so zu konstruieren, daß sie die Gegenstände abgedichtet umgeben kann. Dann ist es möglich, einen Kontakt der Gegenstände mit der Außenatmosphäre zu verhindern, wodurch die Verunreinigung der Gegenstände noch sicherer verhindert werden kann.
  • Mit der Erfindung ist es möglich, da die Trägervorrichtung die Gegenstände so trägt, daß deren Oberflächen vertikal angeordnet werden, und dazu fähig ist, sich um die Horizontalachse zu drehen, einfach die an den Gegenständen anhaftende Bearbeitungsflüssigkeit zu entfernen.
  • Mit der Erfindung ist es möglich, da die Einrichtung darüber hinaus mit der Bewegungsvorrichtung zur Bewegung zumindest einer der mehreren Bearbeitungskammern in Bezug auf die Gegenstände versehen ist, die Anzahl an Übertragungsvorgängen der Gegenstände von einer Position zur anderen Position während des gesamten Vorgangs zu verringern, wodurch eine Beschädigung der Gegenstände und dergleichen verringert wird.
  • Mit der Erfindung ist es möglich, da die Antriebsvorrichtung mit der Kühlvorrichtung zur Begrenzung ihrer eigenen Überhitzung versehen ist, eine Beeinträchtigung des Betriebswirkungsgrades der Antriebsvorrichtung infolge ihres Wärmeausfalls wegen der Überhitzung zu verhindern. Daher kann auch der Wirkungsgrad und die Lebensdauer der Antriebsvorrichtung verbessert werden, so daß sich eine Verbesserung der Verläßlichkeit und der Lebensdauer der Einrichtung erzielen läßt.
  • Mit der Erfindung ist es möglich, da die Bearbeitungskammer so ausgebildet ist, daß sie die Innenatmosphäre von der Außenatmosphäre selbst in ihrem Zustand trennt, in welchem keine zu bearbeitenden Gegenstände umgeben werden, einen Austritt der Innenatmosphäre in dem inaktiven Zustand der Einrichtung zu verhindern. Daher kann die Verunreinigung der Außenatmosphäre verhindert werden, um die Sicherheit für einen Benutzer zu gewährleisten.
  • Mit der Erfindung ist es möglich, da zumindest eine Bearbeitungskammer unter den mehreren Kammern so ausgebildet ist, daß die Innenatmosphäre von den Innenatmosphären der anderen Kammern getrennt werden kann, das Auftreten einer gegenseitigen Verunreinigung infolge der Reaktion unterschiedlicher Bearbeitungsfluide zu verhindern, da keine gegenseitige Mischung der jeweiligen Innenatmosphären der Kammern auftritt.
  • Mit der Erfindung ist es möglich, da zumindest eine Bearbeitungskammer unter den mehreren Kammern beweglich ausgebildet ist, so daß sie die anderen Kammern umgeben kann, den Installationsraum der Kammern zu verringern, wodurch die Miniaturisierung der Einrichtung erzielt wird.
  • Bevorzugt weist die Bearbeitungsfluidzufuhrvorrichtung der Vorrichtung gemäß der Erfindung die Fluidzufuhrdüsen auf, welche zumindest entweder die Chemikalie, das Lösungsmittel der Chemikalie, die Spülflüssigkeit oder das Trocknungsfluid liefern können, wobei eine oder mehrere Fluidzufuhrdüsen in jeder Bearbeitungskammer angeordnet sind. Da die gemeinsame Düse die mehreren Bearbeitungsfluide zuführen kann, ist es daher möglich, die Anzahl an Düsen zu verringern, und die Bearbeitungskammern zu verkleinern, und darüber hinaus die gesamte Bearbeitungseinrichtung.
  • Weiterhin bevorzugt umfaßt der Fluidbehandlungsvorgang zumindest einen Schritt der Zufuhr der Chemikalienflüssigkeit, während der Trocknungsvorgang zumindest einen Schritt der Lieferung des Trocknungsfluids umfaßt. Zusätzlich wird nach dem Chemikalienflüssigkeitszufuhrschritt das Lösungsmittel für die Chemikalie den Gegenständen zugeführt, um die Chemikalie von den Gegenständen zu entfernen. Durch den Einsatz des Trocknungsvorgangs bei den Gegenständen ist es daher möglich, die Gegenstände in ihren gereinigten Zustand zu versetzen, was eine Verbesserung der Herstellungsausbeute mit sich bringt. In diesem Fall ist es möglich, den Bearbeitungswirkungsgrad noch weiter zu verbessern, da der Chemikalienentfernungsvorgang nach der Beendigung des chemischen Behandlungsvorgangs es gestattet, daß die restlichen Chemikalien auf den Gegenständen oder in der Bearbeitungskammer sicher entfernt werden. Darüber hinaus ist es möglich, die Korrosion der Bearbeitungskammer infolge der Chemikalie zu verhindern.
  • Bevorzugt wird bei der Erfindung das Trocknungsfluid der äußeren Bearbeitungskammer zugeführt, um die darin enthaltenen Gegenstände zusammen zu trocknen. Selbst wenn die Bearbeitungsflussigkeit, welche der Bearbeitungskammer zugeführt wird, von den Gegenständen herunterfällt, ist es daher möglich, einen Austritt der Bearbeitungsflüssigkeit zur Außenseite der Einrichtung zu verhindern, infolge der Aufnahme der äußeren Kammer, wodurch eine Verunreinigung in Bezug auf die Außenatmosphäre vermieden wird. In diesem Fall ist es möglich, wenn das Trocknungsfluid der äußeren Bearbeitungskammer zugeführt wird, um die darin enthaltenen Gegenstände zusammen zu trocknen, die äußere Bearbeitungskammer perfekt durch die Verdampfung der Bearbeitungsflüssigkeit zu trocknen.

Claims (18)

  1. Vorrichtung zur Bearbeitung eines Gegenstandes aus einer Gruppe, umfassend Wafer, LCD-Substrate, Glas-, Keramik- und Metallsubstrate, Leiterplatten und Photoplatten, in mehreren aufeinanderfolgenden Bearbeitungsgängen, umfassend eine Halterungseinrichtung (14; 221) zur Halterung des Gegenstandes (W) bei den mehreren Bearbeitungsgängen; und mehrere Behälter (2, 4; 223, 224), welche relativ gegeneinander bewegliche periphere Wände (3, 5; 225, 226; 401, 405, 411, 413) aufweisen und alternativ jeweils eine von mehreren Bearbeitungskammern bilden, um den durch die Halterungseinrichtung (14; 221) gehaltenen Gegenstand (W) bei den mehreren Bearbeitungsgängen in der jeweils gebildeten Bearbeitungskammer zu umgeben, während gleichzeitig ein anderer der mehreren Behälter sich in einer Bereitschaftsposition befindet, ohne dabei gleichzeitig eine Bearbeitungskammer für eine Bearbeitung des Gegenstandes zu bilden.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die peripheren Wände (3, 5; 225, 226; 401, 405, 411, 413) der Behälter (2, 4; 223, 224) koaxial zu einer zentralen Achse angeordnet und längs dieser zentralen Achse relativ gegeneinander beweglich sind, in einer ersten relativen Position dieser peripheren Wände ein erster Behälter eine erste Bearbeitungskammer (2; 223) bildet, um den von der Halterungseinrichtung (14; 221) gehaltenen Gegenstand (W) zur Bearbeitung in einem ersten Bearbeitungsgang zu umgeben, während ein weiterer Behälter keine Bearbeitungskammer zur Bearbeitung des Gegenstandes (W) bildet; und in einer zweiten relativen Position dieser peripheren Wände der weitere Behälter eine weitere Bearbeitungskammer (4; 224) bildet, um den von der Halterungseinrichtung (14; 221) gehaltenen Gegenstand (W) zur Bearbeitung in einem weiteren Bearbeitungsgang zu umgeben, während der erste Behälter keine Bearbeitungskammer zur Bearbeitung des Gegenstandes (W) bildet.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, bei welcher die peripheren Wände (3, 5; 225, 226; 401, 405, 411, 413) der Behälter jeweils eine im Wesentlichen zylindrische Seitenwand bilden; die Seitenwände der Behälter in Bezug auf eine zentrale Achse koaxial angeordnet und längs dieser zentralen Achse relativ gegeneinander beweglich sind; in der ersten Position ein erster Behälter mit seiner Seitenwand eine erste Bearbeitungskammer (2; 223) bildet, um den von der Halterungseinrichtung (14; 221) gehaltenen Gegenstand (W) zur Bearbeitung in einem ersten Bearbeitungsgang zu umgeben, während ein weiterer Behälter mit seiner Seitenwand in einer Bereitschaftsposition außerhalb der durch den ersten Behälter gebildeten ersten Bearbeitungskammer (2; 223) angeordnet ist; und in der zweiten Position der weitere Behälter mit seiner Seitenwand innerhalb der Seitenwand des ersten Behälters angeordnet ist, um den von der Halterungseinrichtung (14; 221) gehaltenen Gegenstand (W) zur Bearbeitung in einem weiteren Bearbeitungsgang zu umgeben, wodurch der erste Behälter davon abgehalten ist, mit seiner Seitenwand den Gegenstand (W) unmittelbar zu umgeben.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, bei welcher die periphere Wand (5; 225; 405) eines weiteren Behälters derart angeordnet ist, dass sie in den ersten Behälter durch eine Öffnung (3b) einer unteren Behälterwandung einführbar ist.
  5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei welcher die periphere Wand (5; 225; 401) des weiteren Behälters Abdichtelemente aufweist, die mit oberen und unteren Wandungen des ersten Behälters zusammenwirken.
  6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, bei welcher die peripheren Wände (225; 401) der Behälter konusförmig sind.
  7. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, umfassend einen festen Behälter (2) zur Bildung einer ersten Bearbeitungskammer, die sich in einer festen Position befindet, in welcher sie den zu bearbeitenden Gegenstand (W) umgibt; und wenigstens einen gegenüber dem ersten Behälter beweglichen Behälter (4), der wahlweise in eine wirksame Position verstellbar ist, in welcher er den zu bearbeitenden Gegenstand umgibt, und in eine Bereitschaftsposition verstellbar ist, in welcher er den Gegenstand (W) nicht umgibt; wobei der mindestens eine bewegliche Behälter die Bereitschaftsposition einnimmt, wenn der feste Behälter eine Bearbeitungskammer für die Bearbeitung des darin befindlichen Gegenstandes bildet und ihn dabei umgibt.
  8. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welcher die peripheren Wände der Behälter jeweils Zuführungseinrichtungen (20, 21) aufweisen zum Zuführen von Behandlungsfluid in die vom jeweiligen Behälter gebildete Behandlungskammer.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 8, bei welcher die Zuführungseinrichtungen jeweils Einspritzöffnungen (20) aufweisen zum Zuführen von Behandlungsfluid zum jeweiligen Behälter.
  10. Verfahren zur Bearbeitung eines Gegenstandes aus einer Gruppe, umfassend Wafer, LCD-Substrate, Glas-, Keramik- und Metallsubstrate, Leiterplatten und Photoplatten, in mehreren aufeinanderfolgenden Bearbeitungsgängen, umfassend folgende Schritte: Anbringen des Gegenstandes (W) an einer Halterungseinrichtung (14; 221), mit welcher er in den mehreren Behandlungsgängen gehaltert wird; und Bewegen von peripheren Wänden (3, 5; 225,226; 401, 405, 411, 413) mehrerer Behälter (2, 4; 223, 224) relativ gegeneinander zur wechselseitigen Bildung von jeweils einer von mehreren Behandlungskammern in einer Position, in welcher der von der Halterungseinrichtung (14; 221) gehalterte Gegenstand (W) von dieser Behandlungskammer umgeben wird, zur Durchführung eines Bearbeitungsganges in der jeweils gebildeten Behandlungskammer, während ein anderer Behälter gleichzeitig eine Bereitschaftsposition einnimmt, ohne dabei eine für die Bearbeitung des Gegenstandes einsetzbare Behandlungskammer zu bilden.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, bei welchem periphere Wände (3, 5; 225, 226; 401, 405, 411, 413) der Behälter, die koaxial zu einer zentralen Achse angeordnet sind, relativ gegeneinander längs dieser zentralen Achse zumindest zwischen einer ersten Position und einer zweiten Position verstellt werden, so dass in einer ersten Position der peripheren Wände der erste Behälter den Gegenstand umgibt und dabei als erste Behandlungskammer wirkt, wenn der Gegenstand einem ersten Bearbeitungsgang unterzogen wird, während der andere Behälter dabei nicht als Behandlungskammer wirksam ist; und in der zweiten Position der peripheren Wände der andere Behälter den Gegenstand umgibt und dabei als Behandlungskammer wirkt, wenn der Gegenstand einem weiteren Bearbeitungsgang unterzogen wird, während der erste Behälter dabei nicht als Behandlungskammer wirksam ist.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, bei welchem die peripheren Wände (3, 5; 225, 226; 401, 405, 411, 413) der Behälter jeweils eine im Wesentlichen zylindrische Seitenwand bilden; die Seitenwände der Behälter in Bezug auf eine zentrale Achse koaxial angeordnet und längs dieser zentralen Achse relativ gegeneinander bewegt werden; in der ersten Position ein erster Behälter mit seiner Seitenwand eine erste Bearbeitungskammer (2 ; 223) bildet und den von der Halterungseinrichtung (14; 221) gehaltenen Gegenstand (W) zur Bearbeitung in einem ersten Bearbeitungsgang umgibt, während ein weiterer Behälter mit seiner Seitenwand in einer Bereitschaftsposition außerhalb der durch den ersten Behälter gebildeten ersten Bearbeitungskammer (2; 223) angeordnet ist; und in der zweiten Position der weitere Behälter mit seiner Seitenwand innerhalb der Seitenwand des ersten Behälters angeordnet wird und den von der Halterungseinrichtung (14; 221) gehaltenen Gegenstand (W) zur Bearbeitung in einem weiteren Bearbeitungsgang umgibt, wodurch der erste Behälter davon abgehalten wird, mit seiner Seitenwand den Gegenstand (W) unmittelbar zu umgeben.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, bei welchem die periphere Wand (5; 225; 405) eines weiteren Behälters angeordnet und in den ersten Behälter durch eine Öffnung (3b) einer unteren Behälterwandung eingeführt wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei welchem die periphere Wand (5; 225; 401) des weiteren Behälters Abdichtelemente aufweist, die mit oberen und unteren Wandungen des ersten Behälters zusammenwirken.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, bei welchem periphere Wände (225; 401) der Behälter verwendet werden, die konusförmig sind.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 15, bei welchem ein fester Behälter (2) zur Bildung einer ersten Bearbeitungskammer sich in einer festen Position befindet, in welcher sie den zu bearbeitenden Gegenstand (W) umgibt; und wenigstens einen gegenüber dem ersten Behälter beweglichen Behälter (4) wahlweise in eine wirksame Position verstellt wird, in welcher er den zu bearbeitenden Gegenstand umgibt, und in eine Bereitschaftsposition verstellt wird, in welcher er den Gegenstand (W) nicht umgibt; wobei der mindestens eine bewegliche Behälter die Bereitschaftsposition einnimmt, wenn der feste Behälter eine Bearbeitungskammer für die Bearbeitung des darin befindlichen Gegenstandes bildet und ihn dabei umgibt.
  17. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welcher die peripheren Wände der Behälter jeweils Zuführungseinrichtungen (20, 21) aufweisen, durch welche ein Behandlungsfluid in die vom jeweiligen Behälter gebildete Behandlungskammer zugeführt wird.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, bei welcher die Zuführungseinrichtungen jeweils Einspritzöffnung (20) aufweisen, durch welche ein Behandlungsfluid zum jeweiligen Behälter zugeführt wird.
DE10020523A 1999-04-27 2000-04-27 Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines Gegenstandes Expired - Fee Related DE10020523B4 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP99-119957 1999-04-27
JP11995799A JP3910757B2 (ja) 1999-04-27 1999-04-27 処理装置及び処理方法
JP99-184191 1999-06-29
JP18419199 1999-06-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10020523A1 DE10020523A1 (de) 2001-02-15
DE10020523B4 true DE10020523B4 (de) 2007-06-21

Family

ID=26457605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10020523A Expired - Fee Related DE10020523B4 (de) 1999-04-27 2000-04-27 Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines Gegenstandes

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6536452B1 (de)
KR (1) KR100516792B1 (de)
DE (1) DE10020523B4 (de)
TW (1) TW499696B (de)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
US7107701B2 (en) * 2002-01-22 2006-09-19 Toho Kasei Co., Ltd. Substrate drying method and apparatus
JP4091340B2 (ja) * 2002-05-28 2008-05-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US20060151008A1 (en) * 2003-03-31 2006-07-13 Hoya Corporation Cleaning method, method for removing foreign particle, cleaning apparatus, and cleaning liquid
JP4519541B2 (ja) * 2004-06-24 2010-08-04 株式会社東芝 超音波洗浄装置
US7767145B2 (en) 2005-03-28 2010-08-03 Toyko Electron Limited High pressure fourier transform infrared cell
JP2006310767A (ja) * 2005-03-28 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
WO2007124166A2 (en) * 2006-04-22 2007-11-01 Gens Timothy H Devices and methods for drying objects using aerosols
US7832416B2 (en) * 2006-10-10 2010-11-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Imprint lithography apparatus and methods
DE102006059810A1 (de) 2006-12-15 2008-06-19 Rena Sondermaschinen Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Gegenständen, insbesondere von dünnen Scheiben
US8367562B2 (en) * 2009-03-16 2013-02-05 Globalfoundries Inc. Method for uniform nanoscale film deposition
JP5318670B2 (ja) * 2009-06-09 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体
JP2012119522A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 回折格子を有する半導体レーザ素子の製造方法
US20130129922A1 (en) * 2011-11-21 2013-05-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Batch processing for electromechanical systems and equipment for same
KR101391738B1 (ko) 2012-05-30 2014-05-07 (주)에스티아이 청크의 건조장치
JP6289341B2 (ja) 2014-10-31 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、排気切替ユニットおよび基板液処理方法
DE102014017420A1 (de) * 2014-11-25 2016-05-25 Fidica Gmbh & Co. Kg Konzentrat für Spüllösungen
TW201801222A (zh) * 2016-03-08 2018-01-01 應用材料股份有限公司 多重晶圓旋轉處理
KR20210118295A (ko) * 2020-03-20 2021-09-30 주식회사 제우스 이중관구조 플로우셀 장치
CN114130737B (zh) * 2021-11-12 2022-09-13 安徽日竞控制技术有限公司 一种便于切换清洗剂的清洗机

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4300581A (en) * 1980-03-06 1981-11-17 Thompson Raymon F Centrifugal wafer processor
DE3809855A1 (de) * 1987-08-01 1989-02-09 Seitz Enzinger Noll Masch Verfahren zum aseptischen bzw. sterilen abfuellen von fluessigem fuellgut in behaelter sowie vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens
US5022419A (en) * 1987-04-27 1991-06-11 Semitool, Inc. Rinser dryer system
JPH0434902A (ja) * 1990-05-30 1992-02-05 Hitachi Maxell Ltd 針状合金磁性粉末の製造方法
US5095927A (en) * 1987-04-27 1992-03-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor gas-liquid separation
US5221360A (en) * 1987-04-27 1993-06-22 Semitool, Inc. Semiconductor processor methods
DE68908435T2 (de) * 1988-02-22 1994-01-05 Toshiba Kawasaki Kk Vorrichtung und Verfahren zum Kristallziehen.
US5381808A (en) * 1992-03-12 1995-01-17 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Cleaning treatment apparatus
DE69108689T2 (de) * 1990-12-14 1995-09-07 Shinetsu Handotai Kk Vorrichtung zum Reinigen von Siliciumscheiben.
US5678320A (en) * 1994-04-28 1997-10-21 Semitool, Inc. Semiconductor processing systems
US5784797A (en) * 1994-04-28 1998-07-28 Semitool, Inc. Carrierless centrifugal semiconductor processing system
DE19832038A1 (de) * 1997-07-17 1999-01-28 Tokyo Electron Ltd Verfahren und Einrichtung zum Reinigen und Trocknen
US5884009A (en) * 1997-08-07 1999-03-16 Tokyo Electron Limited Substrate treatment system

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1946360A (en) * 1933-03-21 1934-02-06 Harry W Roberts Dipping machine
DE6910868U (de) 1969-03-18 1969-07-17 Kaltenbach & Voigt Schaltkasten mit kniehebelschalter, insbesondere fuer zahnaerztliche zwecke
US3625233A (en) * 1969-06-19 1971-12-07 Creston Equipment Corp Dish washing machine
DE2355552A1 (de) * 1973-11-07 1975-05-28 Roland Trautmann Druckkammer-aetzmaschine mit vielfachaetzmasken
AT359356B (de) * 1979-07-02 1980-11-10 Austria Email Ag Vorrichtung zum ueberziehen von gegenstaenden mit emailschlicker
US4362486A (en) * 1980-10-07 1982-12-07 International Business Machines Corporation Automatic multilayer ceramic (MLC) screening machine
US4317426A (en) * 1981-03-05 1982-03-02 General Motors Corporation Blow-off apparatus for articles within tumbling barrel
US4714010A (en) * 1985-04-12 1987-12-22 Cm & E/California, Inc. Industrial exhaust ventilation system
JPH0668962B2 (ja) * 1987-12-21 1994-08-31 株式会社東芝 真空装置及びそれを用いてプロセスを行う方法
US5168887A (en) * 1990-05-18 1992-12-08 Semitool, Inc. Single wafer processor apparatus
JPH0297679A (ja) * 1988-09-30 1990-04-10 Canon Inc 堆積膜形成装置
US4983223A (en) * 1989-10-24 1991-01-08 Chenpatents Apparatus and method for reducing solvent vapor losses
US5343239A (en) * 1991-11-20 1994-08-30 Zing Systems, L.P. Transaction based interactive television system
US5211753A (en) * 1992-06-15 1993-05-18 Swain Danny C Spin coating apparatus with an independently spinning enclosure
JPH06163505A (ja) * 1992-11-17 1994-06-10 Nippon Steel Corp 半導体基板の洗浄装置
JPH06333899A (ja) * 1993-05-19 1994-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薬液処理方法およびその処理装置
JPH07194969A (ja) * 1993-12-29 1995-08-01 Asada Tekko Kk 槽移動による液状物質製造装置
DE4413077C2 (de) * 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
JPH08213442A (ja) * 1995-02-06 1996-08-20 Hitachi Ltd マルチチャンバプロセス装置
US5887602A (en) * 1995-07-31 1999-03-30 Tokyo Electron Limited Cleaning machine and method of controlling the same
TW310452B (de) * 1995-12-07 1997-07-11 Tokyo Electron Co Ltd
US5799677A (en) * 1996-02-23 1998-09-01 Finishing Equipment, Inc. Hermetic enclosure for treating a workpiece with a solvent
DE19616400C2 (de) * 1996-04-24 2001-08-30 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
JPH1027773A (ja) * 1996-07-09 1998-01-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
DE19645425C2 (de) * 1996-11-04 2001-02-08 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
JP3901265B2 (ja) * 1996-11-26 2007-04-04 大陽日酸株式会社 薄板状基体の搬送方法及び搬送装置
US5913981A (en) * 1998-03-05 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall
JP4187323B2 (ja) * 1998-10-13 2008-11-26 Ｔｄｋ株式会社 真空成膜処理装置および方法
JP2000277489A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Sharp Corp プラズマ処理装置
US6497239B2 (en) * 1999-08-05 2002-12-24 S. C. Fluids, Inc. Inverted pressure vessel with shielded closure mechanism
US6334266B1 (en) * 1999-09-20 2002-01-01 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid drying system and method of use
US6508259B1 (en) * 1999-08-05 2003-01-21 S.C. Fluids, Inc. Inverted pressure vessel with horizontal through loading

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4300581A (en) * 1980-03-06 1981-11-17 Thompson Raymon F Centrifugal wafer processor
US5022419A (en) * 1987-04-27 1991-06-11 Semitool, Inc. Rinser dryer system
US5095927A (en) * 1987-04-27 1992-03-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor gas-liquid separation
US5154199A (en) * 1987-04-27 1992-10-13 Semitool, Inc. Semiconductor processor draining
US5221360A (en) * 1987-04-27 1993-06-22 Semitool, Inc. Semiconductor processor methods
DE3809855A1 (de) * 1987-08-01 1989-02-09 Seitz Enzinger Noll Masch Verfahren zum aseptischen bzw. sterilen abfuellen von fluessigem fuellgut in behaelter sowie vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens
DE68908435T2 (de) * 1988-02-22 1994-01-05 Toshiba Kawasaki Kk Vorrichtung und Verfahren zum Kristallziehen.
JPH0434902A (ja) * 1990-05-30 1992-02-05 Hitachi Maxell Ltd 針状合金磁性粉末の製造方法
DE69108689T2 (de) * 1990-12-14 1995-09-07 Shinetsu Handotai Kk Vorrichtung zum Reinigen von Siliciumscheiben.
US5381808A (en) * 1992-03-12 1995-01-17 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Cleaning treatment apparatus
US5678320A (en) * 1994-04-28 1997-10-21 Semitool, Inc. Semiconductor processing systems
US5784797A (en) * 1994-04-28 1998-07-28 Semitool, Inc. Carrierless centrifugal semiconductor processing system
DE19832038A1 (de) * 1997-07-17 1999-01-28 Tokyo Electron Ltd Verfahren und Einrichtung zum Reinigen und Trocknen
US5884009A (en) * 1997-08-07 1999-03-16 Tokyo Electron Limited Substrate treatment system

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010020788A (ko) 2001-03-15
US20030127117A1 (en) 2003-07-10
DE10020523A1 (de) 2001-02-15
TW499696B (en) 2002-08-21
US6895979B2 (en) 2005-05-24
US6536452B1 (en) 2003-03-25
KR100516792B1 (ko) 2005-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10020523B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines Gegenstandes
DE69826538T2 (de) Verfahren und Einrichtung zur Reinigung eines Gegenstandes
DE10059637B4 (de) Gerät und Verfahren zur Substratbearbeitung
DE69835988T2 (de) Doppelseitenreinigungsmaschine für ein Substrat
EP1372186B1 (de) Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
DE69913521T2 (de) Reaktor mit mikroumgebung zur verarbeitung eines mikroelektronischen werkstücks
DE60319294T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Substratbehandlung
DE112007000442B4 (de) Substratbearbeitungsverfahren, Speichermedium und Substratbearbeitungseinrichtung
DE69837364T2 (de) Reinigungs- und Trocknungsvorrichtung von zu behandelnden Gegenständen
DE69833832T2 (de) Vorrichtung zum Reinigen und Trocknen, Scheibenprozesssystem und Scheibenprozessverfahren
DE60032654T2 (de) Vorrichtung zur Reinigung und Trocknung von Substraten
DE19832038A1 (de) Verfahren und Einrichtung zum Reinigen und Trocknen
DE69631566T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Waschbehandlung
EP2246129B1 (de) Reinigungsanlage
DE102007047437A1 (de) Substratbearbeitungsverfahren, Substratbearbeitungseinrichtung, und Speichermedium
DE10039672B4 (de) Substratverarbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
DE2621952A1 (de) Vorrichtung zum entplattieren, reinigen usw. von substraten
DE19853260A1 (de) Verfahren zum Trocknen von Substraten und Trocknungseinrichtungen
DE2931308A1 (de) Oberflaechenbehandlungs-einrichtung
DE102007050594A1 (de) Reinigungseinrichtung und Verfahren sowie computerlesbares Medium
DE10108388A1 (de) Halbleiterwafer-Bearbeitungsvorrichtung
DE102004039059B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Halbleitersubsstraten
DE19781822B4 (de) Reinigungsstation zur Verwendung bei einem System zum Reinigen, Spülen und Trocknen von Halbleiterscheiben
DE4341020A1 (de) Gerät zum industriellen Reinigen von Werkstücken
DE69913317T2 (de) Reinigungs-/schwabbeleinheit für halbleiterbearbeitungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee