KR101391738B1 - 청크의 건조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 청크가 담겨지는 바스켓과 상기 바스켓을 회전가능하게 지지하는 회전스테이지가 장착되며, 상기 청크를 건조시키는 공간을 형성하는 건조챔버; 상기 회전스테이지를 회전시키는 구동모터; 및 상기 건조챔버 내부에 잔류하는 수분을 상기 건조챔버의 외부로 배출시키는 배출부; 를 포함하는 청크의 건조장치를 제공한다.

Description

청크의 건조장치{Chunk Drying Apparatus}
본 발명은 건조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼를 제조하는데 사용되는 청크를 건조시킬 수 있는 청크의 건조장치에 관한 것이다.
일반적으로 태양전지 등 반도체 제조 공정에 있어 가장 중요한 재료가 되는 물질은 실리콘이다. 실리콘은 그 자체로 순수하게 존재하지 않고 이산화규소(SiO2) 형태로 존재한다. 순수한 실리콘을 얻기 위해서 전기로에 숯가루나 코크스 등을 넣어 이산화규소로부터 산소를 제거하면 98% 이상의 순도를 갖는 금속급 실리콘(metallugical silicon)을 얻을 수 있다. 하지만 2%의 불순물 때문에 태양전지 재료로 바로 사용될 수는 없다.
이를 정제하기 위해 염산과 반응시켜 삼염화실란(Trichlorosilane, TCS)이라는 기체로 만든 다음 이를 종모양의 실리콘 막대에 증착시키는 과정을 거쳐 제대로 된 순도의 실리콘을 얻을 수가 있다.
실리콘 웨이퍼(wafer)를 만들기 위해서 종모양의 실리콘을 잉곳(ingot)이나 브릭(brick)으로 만드는 제조 공정이 필요하다. 이를 위해 종모양의 실리콘 막대를 작은 크기(Size)의 입자로 분해하게 되며, 이렇게 분해된 실리콘 입자를 청크(Chunk)라고 한다.
이러한 청크를 용융시켜 잉곳이나 브릭으로 제조한 후 슬라이싱(Slicing) 과정을 거쳐 우리가 알고 있는 웨이퍼가 만들어진다.
한편, 잉곳이나 브릭을 제조하기 전 단계로, 다수개의 청크가 수용된 바스켓을 세정액에 담근 후(rinse 공정), 바스켓과 청크로부터 수분을 건조시켜(dry 공정) 청크들의 불순물을 제거하는 클리닝 공정을 수행하게 된다.
이때, 청크에 묻은 수분을 건조시키기 위해서 종래에는 열풍을 통해 건조시키는 열풍건조 방식이 사용되었다.
그런데 종래 청크의 열풍건조 방식은 건조가 잘 이루어지지 않는 청크입자가 발생하는 경우가 있고, 건조 시간이 오래 걸리는 등 건조효율이 낮다는 문제가 있다.
본 발명은 청크가 담겨지는 바스켓과 상기 바스켓을 회전가능하게 지지하는 회전스테이지가 장착되며, 상기 청크를 건조시키는 공간을 형성하는 건조챔버; 상기 회전스테이지를 회전시키는 구동모터; 및 상기 건조챔버 내부에 잔류하는 수분을 상기 건조챔버의 외부로 배출시키는 배출부; 를 포함하는 청크의 건조장치를 제공한다.
상기 건조챔버의 상부에 장착되어 상기 바스켓을 향해 가스를 분사하는 적어도 하나의 상부 분사노즐을 더 포함할 수 있다.
상기 회전스테이지를 관통하도록 상기 회전스테이지에 장착되며, 상기 바스켓의 하부로 가스를 분사하는 적어도 하나의 하부 분사노즐을 더 포함할 수 있다.
상기 구동모터에 결합되어 상기 회전스테이지의 회전속도를 조절하는 감속기를 더 포함할 수 있다.
상기 회전스테이지에 결합되어 상기 바스켓의 이탈을 방지하는 가이드블록을 더 포함할 수 있다.
다수의 통공이 형성되며, 상기 회전스테이지를 감싸도록 상기 회전스테이지의 외측에 장착되는 타공판을 더 포함할 수 있다.
상기 상부 분사노즐 및 상기 하부 분사노즐은 질소 가스, 순수건조공기(CDA) 중 적어도 어느 하나를 분사할 수 있다.
상기 배출부는 상기 건조챔버의 하부에 형성된 적어도 하나의 배수공; 및 상기 배수공을 향해 경사가 낮아지도록 상기 건조챔버의 하부면에 형성된 경사면을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 원심력을 이용하여 청크에 묻은 세정액을 더욱 빠른시간에 제거할 수 있으며 미건조 현상을 줄일 수 있어 건조효율을 현저하게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 청크 건조장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 측단면도이다.
도 3은 도 1의 바스켓에 관한 사시도이다.
도 4는 회전스테이지 영역을 보여주는 도 1의 요부 사시도이다.
도 5는 도 4의 어느 하나의 가이드 블록에 관한 확대도이다.
도 6은 도 1의 타공판에 관한 사시도이다.
본 발명의 청크 건조장치는 청크가 담겨지는 바스켓(basket)을 회전시켜 원심력을 이용하여 건조를 수행하는 구동부 유닛과, 청크로부터 이탈된 수분 입자(water mist)의 배수를 담당하는 배출부 유닛(Bath Uit)과, 건조력 향상을 위해 공기 등 가스를 주입하는 가스주입 유닛으로 대별될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 청크 건조장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 측단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 청크 건조장치(1)는 청크(미도시)가 담겨지는 바스켓(110)과 바스켓(110)을 회전가능하게 지지하는 회전스테이지(120)가 장착되며 청크를 건조시키는 공간을 형성하는 건조챔버(100)를 구비한다.
건조챔버(100)는 외부로부터 밀폐된 내부 공간을 가지며, 내부 공간에서는 청크의 건조가 이루어진다. 건조챔버(100)의 하부는 프레임(10)에 의해 지지될 수 있다.
도 3은 도 1의 바스켓에 관한 사시도이다. 바스켓(110)은 다수개의 청크 입자들이 수용될 수 있도록 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들어 바스켓(110)은 도 3에 도시된 바와 같이 다수개의 통공(111)이 형성되고 상부가 개구된 직육면체 형상으로 이루어질 수 있다. 바스켓(110)에 다수개의 청크 입자들이 수용되면 클리닝 공정을 위해 바스켓(110)은 통채로 세정액에 담겨지거나 세정액이 분사될 수 있다.
세정액이 묻은 청크 및 바스켓(110)은 회전스테이지(120)에 놓여지면서 원심력에 의해 회전하면서 수분의 건조가 이루어진다. 이때 회전시 청크의 건조 효과를 높일 수 있도록 바스켓(110)의 바닥면의 각 모서리에는 측면 하부 통공(113)이 형성되고, 바스켓(110)의 측면 모서리에는 측면 모서리 통공(115)이 더 형성될 수 있다.
바스켓(110)이 놓여진 회전스테이지(120)는 구동모터(200)에 의해 일정한 속도로 회전할 수 있다. 구동모터(200)는 건조챔버(100)의 내부에 장착될 수도 있지만, 건조챔버(100)의 외부에 위치한 프레임(10)에 설치될 수 있다.
또한, 구동모터(200)는 건조챔버(100)를 지지하는 프레임(10)에 직접 장착될 수도 있지만, 진동에 의한 유동을 방지할 수 있도록 건조챔버(100)를 지지하지 않는 별도의 개별프레임(20)에 장착될 수도 있다.
구동모터(200)에는 회전스테이지(120)의 회전축과 직접적으로 결합되어 회전스테이지(120)를 회전시키도록 구성될 수 있으나, 회전스테이지(120)의 회전속도를 조절할 수 있도록 구동모터(200)와 회전스테이지(120)는 감속기(210)에 의해 연결될 수 있다.
감속기(210)는 구동모터(200)의 부하를 감소시키고, 후술할 하부 분사노즐(400)로부터 가스가 주입될 수 있는 공간을 확보할 수 있도록 감속기(210)의 내부 중심축은 중공의 형태로 이루어질 수 있다.
도 4는 회전스테이지 영역을 보여주는 도 1의 요부 사시도이며, 도 5는 도 4의 어느 하나의 가이드 블록에 관한 확대도이다.
회전스테이지(120)는 회전을 중심으로 상면이 일정한 면적을 갖는 원반, 다면체 형상으로 이루어질 수 있다. 예를 들어 회전스테이지(120)는 도 4에 도시된 바와 같이 8면체 형상을 가질 수 있다. 회전스테이지(120)는 배수효과를 높이기 위해 가장자리 영역에 날개형상의 절곡부를 형성할 수 있다. 절곡부는 회전스테이지(120)와 일체로 형성될 수도 있지만 방수재질로서 회전스테이지(120)의 상면을 덮을 수 있도록 탑 커버(top cover)와 측면에 절곡된 형상의 턴 커버(turn cover)가 결합된 형태로 제작될 수도 있다.
회전스테이지(120)는 전술한 감속기(210)와 마찬가지로 하부 분사노즐(400)로부터 가스가 주입될 수 있는 공간을 확보할 수 있도록 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 내부 중심축이 중공의 형태로 이루어질 수 있다.
회전스테이지(120)에는 바스켓(110)의 이탈을 방지하는 가이드블록(130)이 설치될 수 있다.
예를 들어 가이드블록(130)은 도 5에 도시된 바와 같이 바스켓(110)의 하부 모서리 양측 가장자리 영역을 지지할 수 있는 형태로 제작될 수 있다. 이때 가이드블록(130)에는 회전스테이지(120)의 고정을 위한 볼트공(131)이 형성될 수 있다.
가이드블록(130)은 바스켓(110)의 하부 네 모서리를 지지할 수 있도록 4개가 회전스테이지(120)에 장착될 수 있다. 물론 가이드블록(130)은 필요에 따라 2개만 설치될 수도 있고 전술한 형태가 아닌 다양한 형태로 제작될 수도 있다.
이와 같이 가이드블록(130)을 통해 회전스테이지(120)에 고정된 바스켓(110)은 회전시 원심력에 의해 회전스테이지(120)로부터 이탈되는 것이 방지될 수 있다.
도 6은 도 1의 타공판에 관한 사시도이다.
한편, 전술한 회전스테이지(120)의 외측 주위에는 회전스테이지(120)를 감싸는 타공판(140)이 장착될 수 있다. 타공판(140)은 도 6에 도시된 바와 같이 다수의 통공(141)이 형성되며 상기 회전스테이지(120)를 감싸도록 원기둥 형태로 이루어지면서 건조챔버(100)의 내부에 장착될 수 있다.
타공판(140)은 회전스테이지(120)의 회전시 청크 및 바스켓(110)으로부터 분리되는 수분이 바스켓(110)으로 되튀는(rebound) 현상을 방지하고 회전스테이지(120)로부터 발생하는 기류를 차단하여 수분의 건조가 잘 이루어지도록 하는 역할을 할 수 있다.
즉, 타공판(140)에 형성된 다수의 통공(141)을 통해 청크 및 바스켓(110)으로부터 분리되는 수분의 입자가 타공판(140)을 통과하면서 더욱 작아지면서 타공판(140)의 외측으로 이동하여 후술할 배출부로 원활하게 이동할 수 있다.
한편, 본 발명의 청크 건조장치(1)는 회전스테이지(120)의 회전력만으로 바스켓(110)을 회전시켜 원심력에 의해 수분을 건조시킬 수 있지만 건조효율을 높이기 위해 공기 등 가스를 함께 주입할 수 있다.
이를 위해 건조챔버(100)의 상부 또는 하부에는 적어도 하나의 분사노즐(300, 400)이 장착될 수 있다. 본 실시예에서 분사노즐(300, 400)은 건조챔버(100)의 상부에 장착되어 바스켓(110)을 향해 가스를 분사하는 다수의 상부 분사노즐(300)과, 바스켓(110)의 하부로 가스를 분사하는 하나의 하부 분사노즐(400)을 포함한다.
예를 들어 상부 분사노즐(300)은 바스켓(110)의 개구된 상부 공간에 가스가 주입될 수 있도록 건조챔버(100)의 상부에 일정간격 이격되도록 5개가 설치될 수 있다. 상부 분사노즐(300)에서 분사된 가스는 회전하는 바스켓(110) 내부로 주입되면서 청크들의 공간 사이로 침투하여 수분이 더욱 빨리 분리될 수 있도록 한다. 이때, 5개의 상부 분사노즐(300)은 필요에 따라 분사되는 공기압, 분사가스, 개폐시기 등이 조절되도록 구성될 수 있다.
그리고 하부 분사노즐(400)은 회전스테이지(120) 및 감속기(210)를 관통하도록 회전스테이지(120)의 내부에 장착되며, 바스켓(110)의 하부에 형성된 통공(111, 113, 115)으로 가스를 주입시켜 수분이 더욱 빨리 분리될 수 있도록 한다.
여기서 상부 분사노즐(300) 및 상기 하부 분사노즐(400)은 공기 등 다양한 가스를 분사할 수 있지만 예를 들어 질소 가스, 순수건조공기(CDA) 중 적어도 어느 하나를 분사할 수 있다.
이와 같이, 회전스테이지(120)의 회전력 및 분사노즐에 의한 가스의 주입을 통해 바스켓(110) 및 청크로부터 수분이 제거되면서 바스켓(100)에 담긴 청크의 건조가 이루어진다.
이때, 건조챔버(100) 내부에 잔류하는 수분을 건조챔버(100)의 외부로 배출시키도록 건조챔버(100)에는 배출부가 구비된다.
배출부는 건조챔버(100)의 하부에 형성된 적어도 하나의 배수공(160)과, 배수공(160)을 향해 경사가 낮아지도록 건조챔버(100)의 하부면에 형성된 경사면(105)을 포함할 수 있다.
배수공(160)은 바스켓(110)의 회전에 의해 생기는 세정액의 배수 및 건조챔버(100) 내부에 생기는 기류를 제어하는 역할을 한다. 배수공(160)은 다양한 개수를 가질 수 있다. 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이 타공판(140)의 외측에 2개가 형성될 수 있다. 물론 배수공(160)은 4개 또는 그 이상으로 이루어질 수 있으며, 단면이 원형, 타원형, 다각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
이때, 배수공(160)에는 배기조절을 위해 댐퍼밸브(170)를 각각 장착하여 각각의 배수공(160)의 끝단을 연결하여 하나의 배관으로 묶어 기액분리기를 통해 외부로 배출되도록 할 수도 있다. 또한, 배수공(160) 하부에는 블로워(blower) 또는 진공라인(vacuum line)에 의해 항상 흡입상태가 유지되도록 할 수 있다.
경사면(105)은 수분이 건조챔버(100)의 하부로부터 배수공(160)을 향해 원활하게 이동할 수 있도록 건조챔버(100)의 하부에 설치될 수 있다. 경사면(105)은 건조챔버(100)와 일체로 형성될 수도 있지만 회전스테이지(120)가 장착된 둘레 부분에 경사형상의 부재가 결합된 형태로도 실시될 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예의 청크 건조장치(1)에 따르면 원심력과 가스분사방식을 겸용하여 청크에 묻은 세정액을 더욱 빠른시간에 제거할 수 있으며 미건조 현상을 줄일 수 있어 건조효율을 현저하게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1 : 청크의 건조장치 10 : 프레임
100 : 건조챔버 105 : 경사면
110 : 바스켓 111 : 통공
113 : 측면 하부 통공 115 : 측면 모서리 통공
120 : 회전스테이지 130 : 가이드블록
131 : 볼트공 140 : 타공판
141 : 통공 160 : 배수공
170 : 댐퍼밸브 200 : 구동모터
210 : 감속기 300 : 상부 분사노즐
400 : 하부 분사노즐

Claims (8)

  1. 청크가 담겨지는 바스켓과 상기 바스켓을 회전가능하게 지지하는 회전스테이지가 장착되며, 상기 청크를 건조시키는 공간을 형성하는 건조챔버;
    상기 회전스테이지를 회전시키는 구동모터;
    상기 건조챔버 내부에 잔류하는 수분을 상기 건조챔버의 외부로 배출시키는 배출부; 및
    상기 구동모터에 결합되어 상기 회전스테이지의 회전속도를 조절하는 감속기;를 포함하는 청크의 건조장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 건조챔버의 상부에 장착되어 상기 바스켓을 향해 가스를 분사하는 적어도 하나의 상부 분사노즐을 더 포함하는 청크의 건조장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 회전스테이지를 관통하도록 상기 회전스테이지에 장착되며, 상기 바스켓의 하부로 가스를 분사하는 적어도 하나의 하부 분사노즐을 더 포함하는 청크의 건조장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 회전스테이지에 결합되어 상기 바스켓의 이탈을 방지하는 가이드블록을 더 포함하는 청크의 건조장치.
  6. 제1항에 있어서,
    다수의 통공이 형성되며, 상기 회전스테이지를 감싸도록 상기 회전스테이지의 외측에 장착되는 타공판을 더 포함하는 청크의 건조장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 상부 분사노즐 및 상기 하부 분사노즐은 질소 가스, 순수건조공기(CDA) 중 적어도 어느 하나를 분사하는 청크의 건조장치.
  8. 제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배출부는
    상기 건조챔버의 하부에 형성된 적어도 하나의 배수공; 및
    상기 배수공을 향해 경사가 낮아지도록 상기 건조챔버의 하부면에 형성된 경사면을 포함하는 청크의 건조장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100516792B1 (ko) 1999-04-27 2005-09-26 동경 엘렉트론 주식회사 처리장치 및 처리방법
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