DE69913317T2 - Reinigungs-/schwabbeleinheit für halbleiterbearbeitungsvorrichtung - Google Patents

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Xiuhua Zhang
R. Thomas GOCKEL
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Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Bearbeitung von Halbleiter-Wafern; insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zur Verwendung beim Schwabbeln und Reinigen von Halbleiter-Wafern.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Chemisch-mechanisches Polieren (CMP) wird in der Halbleiter-Industrie typischerweise eingesetzt, um die Oberfläche einer dielektrischen Schicht zu planarisieren oder um eine überschüssige Materialschicht zu entfernen, die auf einem Substrat oder einer vorherigen Schicht abgelagert worden ist. Um die Planarisierung durchzuführen, wird ein relativ hartes Polierkissen-Material wie Polyurethan mit speziellem Füllstoffmaterial verwendet. Um für globale Planarisierung (innerhalb des Wafers) zu sorgen, wird im Allgemeinen eine weichere Unterlage verwendet. Die Wirksamkeit eines Planarisierungsverfahrens hängt wesentlich von der Härte des Polierkissens ab, das die erhöhten Stellen einer dielektrischen Schicht in Gegenwart eines Poliermittels entfernt. Daher werden, da die Planarisierung ein primäres Ziel der Durchführung von CMP ist, im Allgemeinen harte Polierkissen verwendet. Dieser Planarisierungsschritt wird als primärer oder erster Polierschritt bezeichnet.
  • Unglücklicherweise ist ein hartes Polierkissen nicht günstig, um geringe Defekte an der Polieroberfläche zu erreichen. Daher wird eine zweite Auflageplatte (ein Poliertisch) mit einem weicheren Polierkissen verwendet, um entweder nach dem primären Polierschritt geringe Materialmengen zu entfernen oder die Oberfläche des Wafers einfach vor dem Reinigungssystem zu "reinigen". Bei diesem "Reinigungs"-Schritt auf dem eigenen Poliertisch wird DI-Wasser verwendet, und es wird oft als Schwabbeln bezeichnet. Der separate Poliertisch auf der Poliermaschine erhöht deren Komplexität, verringert den Durchsatz und erhöht die Standfläche des Polierwerkzeugs. Es ist wünschenswert, alle Reinigungsvorgänge mit Wasser außerhalb der Poliervorrichtung durchzuführen, um diese Nachteile zu vermeiden.
  • Herkömmliche Wafer-Reinigungssysteme können erfolgreich lose Poliermaterialteilchen von der Oberfläche des Wafers entfernen, und einige Reinigungssysteme können Metallverunreinigungen von der Wafer-Oberfläche entfernen. Mit herkömmlichen Reinigungsvorrichtungen ist es nicht wirksam möglich, kleine Poliermittelteilchen zu entfernen, die oft im Film eingebettet sind. Normalerweise wird durch Schwabbeln auf dem weichen Polierkissen der Großteil derartiger Defekte entfernt, und die polierte Oberfläche bleibt ausreichend sauber und zum mechanischen Reinigen bereit zurück.
  • Es ist daher wünschenswert, die Leistung der Reinigungsvorrichtung zu erhöhen und Wafer nach dem primären CMP-Schritt zu reinigen, um das gleiche Defekt-Niveau wie beim zweistufigen CMP-Verfahren, genauer gesagt primärem Polier-Schritt plus Schwabbel-Schritt, zu erreichen.
  • Die Wafer-Reinigungssysteme nach dem Stand der Technik sind für Schwabbel-Arbeiten nicht ausgebildet, da der Druck und die Geschwindigkeit des Reinigungsmediums deutlich niedriger waren als zum Schwabbeln erforderlich. Manche der Reinigungssysteme können nicht eingesetzt werden, um Schwabbeln durchzuführen, da der Wafer an der Kante gehalten wird und der Wafer durch das Ausüben des für Schwabbeln typischen Drucks brechen kann.
  • US-Patent Nr. 5.555.177 offenbart ein Verfahren zum Rücksetzen eines Prozesses in einem Steuerungssystem, worin das Verfahren das Identifizieren eines Prozesses für einen Abschnitt einer Doppelseiten-Wafer-Reinigungsvorrichtung und das anschließende Rücksetzen des Prozesses umfasst. US-Patent Nr. 5.704.987 beschreibt ein Verfahren zur Reinigung der Oberfläche eines Halbleiter-Wafers durch das Entfernen verbleibender Poliermittelteilchen, die nach dem chemisch-mechanischen Polieren an der Wafer-Oberfäche haften. EP-Patent Nr. 0.677.867 beschreibt ein Verfahren zum mechanischen Reinigen von Substrat, welches den Schritt des mechanischen Reinigens beider Flächen des Substrats mit zylindrischen sich drehenden Bürsten umfasst.
  • Das deutsche Patent DE 199 17 064 offenbart ein Verfahren zur Herstellung einer Laminatstruktur mit einer Unter- und einer Decklage, zwischen denen in Sandwichanordnung eine Zwischenlage angeordnet werden kann, zur Herstellung von Semiconductor-on-Insulator- (SOI)-Scheiben.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein verbessertes Wafer-Reinigungssystem bereit, das spezifisch für die Durchführung eines Schwabbelvorgangs konstruiert ist. Das System ermöglicht es, Wafer mit einer mechanischen Reinigungsvorrichtung mit deutlich erhöhten Drücken und Geschwindigkeiten zu bearbeiten, wodurch der Anwendungsbereich erweitert wird. Die Vorrichtung ermöglicht auch die Steuerung und Änderung von Verfahrensparametern, um Schwabbeln oder herkömmliches mechanisches Reinigen in derselben oder eigenen Stationen unter Anwendung geeigneter Chemikalien durchzuführen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es wird ein System zur Bearbeitung von Halbleiter-Wafern beschrieben. Das System umfasst eine Schwabbel-Station und eine an die Schwabbelstation gekoppelte Reinigungsstation, wie in Anspruch 1 dargelegt.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die vorliegende Erfindung wird aufgrund der nachstehend angeführten detaillierten Beschreibung und der beiliegenden Zeichnungen verschiedener Ausführungsformen der Erfindung besser verstanden werden, die jedoch nicht als Einschränkung der Erfindung auf die spezifischen Ausführungsformen zu verstehen sind, sondern nur zur Erklärung und zum Verstehen bestimmt sind.
  • 1 veranschaulicht ein exemplarisches Reinigungssystem.
  • 2 zeigt eine Seitenansicht einer Ausführungsform eines Bürstenkastens und eines Abschnitts der Bürstenkastenbehältervorrichtung.
  • 3A zeigt eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform der oberen Bürstenanordnung gemäß vorliegender Erfindung.
  • 3B zeigt eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform der unteren Bürstenanordnung gemäß vorliegender Erfindung.
  • 3C zeigt eine Ausführungsform eines Rotationsarms und seine Kopplung zum Anschließen an einem Antrieb.
  • Die 4A4D zeigen Draufsichten von Ausführungsformen der oberen und der unteren Bürstenanordnungen bzw. Schnittansichten der oberen und unteren Bürstenanordnungen.
  • 5 ist ein Graph, der den Druck veranschaulicht, den die Bürste auf den Wafer ausüben kann.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER VORLIEGENDEN ERFINDUNG
  • Es wird ein System zur Bearbeitung von Halbleiter-Wafern beschrieben. In der folgenden Beschreibung sind zahlreiche Details dargelegt, wie Komponenten-Materialien, Geschwindigkeiten, Drücke usw. Fachleuten auf dem Gebiet der Erfindung wird jedoch klar sein, dass die vorliegende Erfindung ohne diese spezifischen Details in die Praxis umgesetzt werden kann. In anderen Fällen werden allgemein bekannte Strukturen und Vorrichtungen nicht im Detail, sondern in Form von Blockdiagrammen gezeigt, um zu vermeiden, dass die vorliegende Erfindung unklar wird.
  • Überblick über die vorliegende Erfindung
  • Während die Verfahrensabfolge für das typische Poliersystem mit mehr als einer Auflageplatte aus einem oder zwei primären Polierschritten auf einer Auflageplatte mit einem harten Polierkissen und einem Schwabbelvorgang auf einer Auflageplatte mit einem weichen Polierkissen besteht, werden bei der neuen vorgeschlagenen Verfahrensabfolge gemäß vorliegender Erfindung nur primäre Polierschritte auf der Poliervorrichtung durchgeführt, und der Schwabbelvorgang wird auf der Reinigungsvorrichtung mit erhöhter Leistung durchgeführt. Diese Verfahrensabfolge ermöglicht es, den Durchsatz der Poliervorrichtung wesentlich zu erhöhen und die Schwabbel-Auflageplatte zur Durchführung von primärem Polieren zu verwenden.
  • Bei den Poliersystemen mit einer einzigen Auflageplatte ermöglicht es diese Konfiguration der Reinigungsvorrichtung, Wafer mit höherer Qualität (weniger Defekten) zu erzeugen, als dies bisher möglich ist.
  • Eine solche Verbesserung verlagert die Last des Reinigungsschritts von der Poliervorrichtung zum Reinigungssystem (mechanische Reinigung; scrubber), wo es ganz normal ist, Reinigungsarbeiten durchzuführen. Weiters eignet sich die Umgebung der Reinigungsvorrichtung aufgrund des Einsatzes einer sauberen eingeschlossenen Verfahrenskammer und der Möglichkeit zur Handhabung verschiedener Chemikalien besser für die Durchführung von Reinigungsarbeiten als eine Poliervorrichtung. Ein weiterer Vorteil der Durchführung des Schwabbel-Schritts auf der Reinigungsvorrichtung besteht darin, dass beide Seiten gleichzeitig geschwabbelt werden können, während auf der Poliervorrichtung nur die Vorderseite geschwabbelt wird.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein System zur Bearbeitung von Halbleiter-Wafern bereit. Gemäß einer Ausführungsform umfasst das System eine Schwabbelstation und eine Reinigungsstation. Gemäß einer Ausführungsform schwabbelt die Schwabbelstation zwei (z. B. einander gegenüberliegende usw.) Seiten eines Wafers gleichzeitig. Gemäß einer Ausführungsform schwabbelt die Schwabbelstation einander gegenüberliegende Seiten eines Wafers gleichzeitig, und die Reinigungsstation führt gleichzeitige Bürstenreinigung der einander gegenüberliegenden Seiten des Wafers durch, nachdem das Schwabbeln des Wafers abgeschlossen worden ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform umfasst die Schwabbelstation ein oder mehrere Schwabbelelemente, von denen zumindest eines von einer ersten Anordnung in Position gebracht wird. Auf ähnliche Weise umfasst die Reinigungsstation ein oder mehrere Reinigungselemente, von denen zumindest eines von einer zweiten Anordnung in Position gebracht wird, wobei Abschnitte der ersten und der zweiten Anordnung im Wesentlichen gleich sind. Die Schwabbel- und die mechanischen Reinigungselemente sind Bearbeitungselemente, die Polierkissen und/oder Bürsten umfassen können.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die Schwabbelstation so konfigurierbar, dass sie eine weitere Reinigungsstation ist, beispielsweise eine Bürstenreinigungsstation. Gemäß einer Ausführungsform umfasst die Schwabbelstation eine Anordnung, die so konfigurierbar ist, dass ein Bearbeitungselement, das eine Bürste oder ein Polierkissen oder ein anderes Schwabbelmedium sein kann, mit unterschiedlichen Drücken auf einen Halbleiter-Wafer angewandt werden kann. Diese verschiedenen Drücke können einen ersten Satz Drücke, der ausreicht, um einen Halbleiter-Wafer zu reinigen, und einen zweiten Satz Drücke umfassen, der ausreicht, um den Halbleiter-Wafer zu schwabbeln. Unabhängig davon, ob auf derselben Station zu verschiedenen Zeiten mechanisches Reinigen oder Schwabbeln durchgeführt wird, es müssen in jedem Fall wo notwendig geeignete Chemikalien eingesetzt werden.
  • Ein Schwabbelelement oder ein Schwabbelmedium kann aus einer einzelnen Lage aus Polyvinylalkohol-(PVA-) Material oder aus mehreren Lagen aus unterschiedlichen Materialien bestehen. Gemäß einer Ausführungsform besteht das Schwabbel- (oder Bearbeitungs-) Element aus einem harten chemisch resistenten Material wie PET-Kunststoff mit einer PVA-Materiallage darauf und einem weichen Poliertuch, das um die PVA-Lage herum gewickelt ist. Diese Konfiguration ermöglicht es, dass auf den Wafer während eines Schwabbelvorgangs beträchtlicher Druck ausgeübt wird, sie weist eine relativ große Kontaktfläche zwischen Polierkissen und Wafer auf und sorgt dafür, dass das Bearbeitungselement weiterhin mit der Konfiguration der herkömmlichen Reinigungsvorrichtung kompatibel ist. Das Bearbeitungselement, das sich mit der Hinterseite des Wafers in Kontakt befindet, kann genau das gleiche sein oder aus einem herkömmlichen Kern und einer PVA-Bürste bestehen, wie für eine mechanische Reinigungsvorrichtung typisch.
  • Das Ausüben des Drucks während des Schwabbel-Zyklus wird erreicht, indem das obere Bearbeitungselement entlang der vertikalen Achse in Bezug auf das stationäre untere Bearbeitungselement bewegt wird. (Siehe 2 und die nachstehende Erörterung.) Der Wafer wird zwischen Bearbeitungselementen angeordnet und kann beträchtliche Belastungen aushalten, ohne zu brechen.
  • Die vorliegende Erfindung stellt einen Bearbeitungskasten bereit, der eine Bürsten- oder Polierkissenanordnung und eine Positionierungsanordnung umfasst. Die Bürsten/Polierkissen-Anordnung umfasst ein Paar Polierkissen und/oder Bürsten zum Schwabbeln und/oder Reinigen von Wafern sowie einen Mechanismus zum Steuern und Antreiben der Bürsten und/oder Kissen. Die Positionierungsanordnung gemäß vorliegender Erfindung kann eingesetzt werden, um verschiedene Komponenten und Vorrichtungen im Bearbeitungssystem zu positionieren. Gemäß einer Ausführungsform umfassen derartige Komponenten Wafer-Handhabungs- und Manipulationsvorrichtungen, wie Walzen, Räder, Führungen, einen oder mehrere Roboter. Siehe beispielsweise die am 29. August 1996 eingereichte US-Patentanmeldung Seriennr. 08/705.115 mit dem Titel "A Containment Apparatus"; die am 29. August 1996 eingereichte US-Patentanmeldung Seriennr. 08/705.162 mit dem Titel "A Roller Positioning Apparatus"; und die am 29. August 1996 eingereichte US-Patentanmeldung Seriennr. 08/705.161 mit dem Titel "A Brush Assembly Apparatus", die alle auf den Firmen-Zessionar der vorliegenden Erfindung übertragen wurden.
  • Der Bearbeitungskasten gemäß vorliegender Erfindung kann in ein Wafer-Bearbeitungssystem mit mehreren Bearbeitungsstationen eingebaut werden. Beispiels weise kann das Wafer-Bearbeitungssystem eine oder mehrere Stationen für das Schwabbeln und/oder Reinigung (z. B. mechanisches Reinigen) von Substraten aufweisen. Es ist anzumerken, dass, obwohl die vorliegende Erfindung in Bezug auf die Säuberung durch die Durchführung von Bürstenreinigung von Wafern beschrieben werden kann, auch andere Wafer-Reinigungstechniken als mechanisches Reinigen in einer oder mehreren Bearbeitungsstationen eingesetzt werden können.
  • Die vorliegende Erfindung wird zwar im Zusammenhang mit dem Schwabbeln und mechanisches Reinigen eines Wafers beschrieben, es versteht sich jedoch, dass mit der vorliegenden Erfindung jedes ähnlich geformte, d. h. allgemein aufgetragene Substrat, bearbeitet werden kann. Weiters versteht es sich, dass die Bezugnahme auf einen Wafer oder ein Substrat ein freiliegendes oder reines Halbleitersubstrat mit oder ohne Dotierung, ein Halbleitersubstrat mit Epitaxialschichten, ein Halbleitersubstrat, das in jedem Stadium der Bearbeitung eine oder mehrere Vorrichtungslagen umfasst, oder andere Arten von Substraten einschließen kann, die eine oder mehrere Halbleiterlagen umfassen, wie Substrate mit Semiconductor-on-Insulator(SOI-) Vorrichtungen oder Substrate zur Bearbeitung anderer Geräte und Vorrichtungen, wie Flachbildschirme, Festplatten, Multichip-Module usw.
  • Die vorliegende Erfindung stellt eine Bürsten/Polierkissen-Anordnung bereit, die fähig ist, im Vergleich zum herkömmlichen Reinigen mit hoher Energie (hohem Druck und hoher Geschwindigkeit) zu arbeiten. Das System gemäß vorliegender Erfindung arbeitet mit höheren Drücken als sie bei Reinigungsvorrichtungen nach dem Stand der Technik typischerweise zum Einsatz kommen. Gemäß vorliegender Erfindung arbeitet das System beim Schwabbeln mit einem abwärts gerichteten Druck oder einer abwärts gerichteten Kraft von 70,3 bis 2.012 kg/m2 (0,1–4 psi (etwa 0,2 bis 20 Ibs.)) und mit einer relativen Geschwindigkeit von etwa 12,2 bis 36,6 m/min (40 bis 120 Fuß pro Minute). Im Gegensatz dazu arbeitet die herkömmliche Reinigungsvorrichtung mit einem Druck von etwa 70,3 bis 351 kg/m2 (0,1 bis 0,5 psi (0,2 bis 1 Ibs.)) und mit einer relativen Geschwindigkeit von 1,52 bis 6,1 m/min (5 bis 20 Fuß pro Minute). Es ist anzumerken, dass die typischen Poliervorrichtungen nach dem Stand der Technik mit einem abwärts gerichteten Druck von 1.406 bis 2.812 kg/m2 (2 bis 4 psi (100 Ibs.)) bei einer relativen Geschwindigkeit von 48,8 bis 76,2 m/min (160 bis 250 Fuß pro Minute9 arbeiten, um einem Schwabbelvorgang durchzuführen.
  • Ein beispielhaftes System
  • 1 zeigt eine Konzeptansicht eines Doppelseiten-Wafer-Schwabbel- und Reinigungssystems (scrubber system), wie es gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden kann. Das System umfasst eine Anzahl von Stationen. Jede dieser Stationen stellt logisch einen oder mehrere Schritte des Wafer-Schwabbel- und Reinigungsverfahrens dar. Diese Stationen können auch die Hardware und Software umfassen, die einen der Schritte im Verfahren durchführt. Das Verfahren umfasst die Schritte, die vom System an den Wafern vorgenommen werden. Gemäß einer Ausführungsform kann das System mehrere Wafer gleichzeitig bearbeiten; in jeder der Stationen werden zu einem bestimmten Zeitpunkt ein oder mehrere Wafer bearbeitet.
  • Gemäß einer Ausführungsform stellt die vorliegende Erfindung ein saures (bei niedrigem pH durchgeführtes) Reinigungsverfahren für Wafer bereit. Das Reinigungsverfahren kann ein Fluorwasserstoff- (HF-) Reinigungsverfahren sein. Um den korrodierenden Wirkungen der Säure standzuhalten, können Kunststoffkomponenten im System aus Materialien wie Polyethylenterephthalat (PET), Polyacetal (POM, DELRIN®), Polytetrafluorethylen (PTFE, TEFLON®, Polypropylen (PP), Polyurethan (PU) usw. bestehen, und Metallkomponenten können aus Edelstahl, wie Hastelloy C27 6 ® bestehen. Es ist anzumerken, dass die vorliegende Erfindung auf andere Reinigungsverfahren und -systeme angewandt werden kann.
  • Es ist festzuhalten, dass die Bürstenanordnung gemäß vorliegender Erfindung an einem Bearbeitungskasten arbeitet, der die Verwendung von deionisiertem (Dl-) Wasser im Verfahren erleichtern kann. Gemäß einer Ausführungsform kann der Bearbeitungskasten gemäß vorliegender Erfindung uneingeschränkt mit verschiedenen Chemikalien arbeiten. Beispielsweise kann Flußsäure (HF) im Bear beitungskasten gemäß vorliegender Erfindung verwendet werden. Es ist wichtig, dass die vorliegende Erfindung die Möglichkeit bietet, einen ähnlichen Druck wie eine Poliervorrichtung auszuüben und dennoch alle Chemikalien zur Reinigungen einzusetzen.
  • Verunreinigte Wafer werden an einem Ende der Reinigungsvorrichtung eingebracht; saubere Wafer werden am anderen Ende der Reinigungsvorrichtung entnommen.
  • In der Ladestation 110 (die auch als Eingabestation bezeichnet wird) lädt eine Bedienperson eine Kassette 180 in die Reinigungsvorrichtung. Die Kassette 180 enthält eine Anzahl verunreinigter Wafer. Wafer werden auf ein Transportband 115 automatisch von der Ladestation 110 zu einer Station 120 befördert. Das Transportband 115 wird vom Gleichstrommotor 193 bewegt. Wafer 101 ist ein verunreinigter Wafer, der automatisch aus der Kassette 180 entnommen und auf Transportband 115 gelegt wird.
  • Die Station 120 kann als Schwabbelvorrichtung konfiguriert sein, um Wafer als Teil eines Schwabbelverfahrens zu schwabbeln, oder kann so konfiguriert sein, dass die Wafer als Teil eines Reinigungsverfahrens gereinigt wird. Wenn sie als Schwabbelstation (als Teil eines Schwabbelverfahrens) konfiguriert ist, schwabbelt und bespritzt (mit nicht gezeigten Wasserstrahlen) Station 120 einen polierten Wafer, um einige der Teilchen vom polierten Wafer 101a zu entfernen. Polierkissen 121 schwabbeln beide Seiten des polierten Wafers 101 gleichzeitig. Die Höhe der oberen Bürste wird von einem (nicht gezeigten) Schrittmotor gesteuert. Die Walze dreht den geschwabbelten Wafer 101a.
  • Bei einer Konfiguration als Bürstenstation (als Teil eines Reinigungsverfahrens) in Station 120 wird ein verunreinigter Wafer 101 gebürstet und (mit nicht gezeigten Wasserstrahlen) bespritzt, um einige der Teilchen vom verunreinigten Wafer 101 zu entfernen. Bürsten 121 reinigen beide Seiten des verunreinigten Wafers 101. Die Position der oberen Bürste wird von einem (nicht gezeigten) Schrittmotor gesteuert. Die Walze dreht den einmal gebürsteten Wafer 101a. Gemäß einer Ausführungs form werden die Kanten- und Abschrägungsbereiche eines Wafers unter Einsatz der Walze gereinigt. Verbesserte Reinigung kann erzielt werden, wenn eine Relativgeschwindigkeitsdifferenz zwischen der Walze und dem Wafer besteht.
  • Die geschwabbelten und einmal gebürsteten Wafer 101a werden dann automatisch zur Station 130 befördert. Das erfolgt durch Transportband 116, das von einem zweiten (nicht gezeigten) Gleichstrommotor gesteuert wird.
  • In Station 130 wird ein geschwabbelter und einmal gebürsteter Wafer 101a gebürstet und (mit nicht gezeigten Wasserstrahlen) bespritzt, um weitere Teilchen vom Wafer 101a zu entfernen. Bürsten 131 reinigen beide Seiten des einmal gebürsteten Wafers 101a. Die Position der oberen Bürste der Bürsten 131 wird durch einen Schrittmotor 191 gesteuert. Sobald das abgeschlossen ist, werden dann die zweimal gebürsteten Wafer 101b über ein Transportband 117 automatisch zu einer Schleuder- & Trocknungsstation 140 befördert.
  • Obwohl beim oben beschriebenen System angegeben ist, dass die Station 120 entweder als Bürstenstation zur Reinigung eines Wafers oder als Schwabbelstation zum Schwabbeln eines Wafers konfiguriert sein kann, kann auch Station 130 entweder als Bürstenstation oder als Schwabbelstation konfiguriert sein.
  • Die Schleuder- & Trocknungsstation 140 spült die Wafer, schleudert sie und trocknet sie. Wafer 101c stellt einen Wafer dar, der in der Schleuder- & Trocknungsstation 140 bearbeitet wird. Zu diesem Zeitpunkt ist der Wafer bereits gereinigt. Es ist anzumerken, dass der Wafer bei einem bestimmten Wafer-Typ während der Ladestation 110, der Station 120 und der Station 130 feucht gehalten werden muss. Erst nachdem er gebürstet und gespült worden ist, kann dieser Wafer-Typ dann geschleudert und getrocknet werden. Der geschleuderte und getrocknete Wafer 101c wird dann zur Ausgabestation 150 befördert.
  • In der Ausgabestation 150 wird der saubere Wafer in eine Kassette 181 gelegt. Wafer 101d stellt einen sauberen Wafer dar, der in Kassette 181 gelegt wird. Die Kassette 181 kann, wenn sie mit sauberen Wafern voll ist, von der Bedienperson entnommen werden. Dadurch wird das Reinigungsverfahren abgeschlossen.
  • Im Steuersystemgehäuse 170 sind eine Anzahl von Komponenten untergebracht, die das Herz des Steuersystems für die Reinigungsvorrichtung bilden. Das Steuersystemgehäuse 170 umfasst einen Host-Käfig 171, der ein Host-Board 172 aufweist. Das Host-Board 172 sorgt für die Gesamtsteuerung der Reinigungsvorrichtung. Das Host-Board 172 umfasst typischerweise einen oder mehrere Host-Prozessoren, die in einer oder mehreren physikalischen Baugruppen implementiert sind. Der Host-Käfig 171 bietet Halt für das Host-Board 172 und andere Leiterplatten im Host-Käfig (z. B. Sensoreingabe-Platten, eine Videokarte für die Bedienungsanzeige 160, eine Leiterplatte, um Signale vom Host-Board 172 zum übrigen Steuersystem zu senden).
  • 2 zeigt eine Seitenansicht eines Bürstenkastens 105. Es ist anzumerken, dass der Bürstenkasten 106 im Wesentlichen ähnlich ist. Auf 2 Bezug nehmend wird gezeigt, dass der Bürstenkasten 105 eine Bürstenanordnung 210, die Reinigungsbürsten 211 und 212 zum gleichzeitigen Reinigen beider Seiten eines Wafers umfasst, und einen Bürstenantriebsmechanismus 214 mit einem Bürstendrehpunkt 213 enthält, wie nachstehend detaillierter beschrieben. Der Bürstenantriebsmechanismus 214 ist zum Antrieb an die Bürste 211 gekoppelt und nachstehend detaillierter beschrieben.
  • Es ist anzumerken, dass der Bürstenkasten 105 auch einen inneren Kammerabfluss 201 enthält. Ebenfalls gezeigt wird ein äußerer Kammerabfluss 202, der einem Abfluss im Basisbehälter 113 entspricht. Bürstenkasten 105 umfasst auch eine Abgasleitung 203 wie oben beschrieben. Alle Abflüsse umfassen Dichtungen, die nach dem Stand der Technik allgemein bekannt sind. Jede Dichtung kann eine Auslaufdetektionsvorrichtung umfassen. Gemäß einer Ausführungsform besteht der äußere Kammerabfluss 202 aus Polypropylen (PP).
  • Der Bürstenkasten 105 umfasst auch einen Einlass 111. Einlass 111 ermöglicht es, dass Wafer in sein Inneres gelangen. Es ist auch zu erkennen, dass Bürstenkasten 105 Sprühköpfe 205 und 206 umfasst, um Reinigungslösungen auf die Walzen, wie Walze 230, und auf Wafer zu spritzen, wenn sie den Bürstenkasten 105 verlassen. Gemäß einer Ausführungsform sind Sprühköpfe am Eingang und Ausgang des Bürstenkastens 105 und am Ausgang von Bürstenkasten 106 montiert. Gemäß einer alternativen Ausführungsform können Sprühköpfe am Eingang von Bürstenkasten 106 montiert sein. Die Verwendung von Sprühköpfen und -strahlen ist nach dem Stand der Technik allgemein bekannt.
  • Der Bürstenkasten 105 enthält auch eine Walzenpositionierungsanordnung 220, die Walzen, wie eine Walze 230, in Bezug auf den Wafer in Position bringt, der zwischen den Bürsten 211 und 212 gereinigt wird. Gemäß einer der Ausführungsformen umfasst jede der Bürsten 211 und 212 einen Kunststoffkern und einem PVA-Abschnitt, der mit Polierkissenmaterial bedeckt ist. Ausführungsformen der Walzenpositionierungsanordnung 220 werden nachstehend im Detail erörtert.
  • Es ist anzumerken, dass es, wie in 2 gezeigt, abgesehen von der Abgasleitung und den Ableitungen keine Durchdringungen durch den Boden der Kammer gibt. Die Durchdringungen durch die Kammer befinden sich an den Seiten. Dadurch, dass nur seitliche Durchdringungen vorhanden sind, sind weniger Dichtungen erforderlich, und die Wahrscheinlichkeit von Leckage verringert sich, was insbesondere bei Systemen vorteilhaft ist, bei denen stark saure Chemikalien eingesetzt werden.
  • Bürstenanordnung
  • 3A und 3B zeigt perspektivische Ansichten der oberen Bürstenanordnung bzw. der unteren Bürstenanordnung der Bürstenanordnung 210. Die 4A bis 4D zeigen eine Draufsicht der oberen und der unteren Bürstenanordnung bzw. eine Schnittansicht der oberen und der unteren Bürstenanordnung. Es ist anzumerken, dass die eigentlichen Bürsten selbst (abgesehen vom Antriebsmechanismus) nach dem Stand der Technik allgemein bekannt sind. Es ist anzumerken, dass die 3A und 3B sowie die 4A bis 4D in Zusammenhang mit Bürsten beschrieben sind, die Anordnungen jedoch auch für Polierkissen zum Schwabbeln, mechani schen Reinigen und andere Bearbeitung konfiguriert sein können. Jede Bürste umfasst mehrere (nicht gezeigte) Vorsprünge, um das Reinigen von Wafern zu erleichtern. Gemäß einer Ausführungsform sind die obere und die untere Bürste alle so konfiguriert, dass sie den Kern der Büste mit Fluid versorgen, das durch die Bürstenoberfläche zur Außenseite der Bürste zu verteilen ist. Derartige Bürsten und Fluidabgabesysteme werden hierin nicht im Detail beschrieben. Beschreibungen beispielhafter Bürsten und weitere Informationen bezüglich des Systems zur Fluidabgabe durch die Bürste sind der am 13. Oktober 1995 eingereichten US-Patentanmeldung Seriennr. 08/542.531 mit dem Titel "Method und Apparatus for Chemical Delivery Through the Brush" zu entnehmen, die auf den Firmen-Zessionar der vorliegenden Erfindung übertragen wurde.
  • In den 3A und 3B sowie den 4A und 4D kann jeder der Bürstenkerne durch eine Polierkissenwalzenanordnung oder ein anderes geeignetes Material zum Schwabbeln des Wafers ersetzt werden. Auf diese Weise kann jede der Bürstenanordnungen als Schwabbelanordnung konfiguriert werden, um eine oder mehrere Seiten des Wafers zu schwabbeln. Es ist anzumerken, dass in diesem Fall die Schwabbelpolierkissenwalzenanordnung weitgehend wie die Bürste so konstruiert ist, dass sie Fluid aus ihrem Kern durch die Polierkissenoberfläche an die Außenseite des Polierkissens abgibt.
  • Die für die Bürsten verwendeten Materialien können Material vom PVA- oder Polyurethan-Typ umfassen. Die oberen und unteren Bürsten können aus den gleichen oder unterschiedlichen Materialien bestehen. Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Material eine Kombination aus Material vom PVA- oder Polyurethan-Typ mit einem Polierkissen an der Oberseite. Die Gestalt der Bürste kann die Form eines runden Zylinders sein, und in einem solchen Fall kann es sich um eine flache PVA-Bürste handeln. Gemäß einer anderen Ausführungsform kann eine flache PVA-Bürste mit einem weichen Poliertuch umwickelt sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform einer Schwabbelstation kann eine Polierkissenanordnung, die ein oder mehrere im Wesentlichen flache oder plattenartige sich drehende Polierkissen umfasst, eingesetzt werden, um einen Wafer zu schwabbeln, der auf einem flachen Träger angeordnet ist. Diese Konstruktion kann aufgrund der größeren Drücke eingesetzt werden, die mit einigen Schwabbelvorgängen verbunden sind. Gemäß einer Ausführungsform kann eine solche Polierkissenanordnung ein SubaIV- oder ein anderes Polierkissen umfassen. Wenn ein flaches Polierkissen verwendet wird, ist die untere Bürste möglicherweise nicht notwendig. In diesem Fall muss der Wafer trotzdem gedreht werden. Bei dieser Konfiguration kann jedoch nur eine Seite eines Wafers gleichzeitig bearbeitet werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform reguliert die vorliegende Erfindung die Kontaktfläche, die zwischen den Bürsten und dem Wafer vorhanden ist, indem Materialien unterschiedlicher Technologien ausgewählt werden. Die Position des Bürstenkerns und die Zusammenpressbarkeit des Materials bestimmen die Kontaktfläche und den Druck, die zur Anwendung kommen. Daher kann die Kontaktfläche geändert werden, indem eine Bürste oder ein Polierkissen mit einer bestimmten Zusammenpressbarkeit gewählt wird.
  • Auf die 3A, 4A und 4C Bezug nehmend wird eine Ausführungsform der oberen Bürste beschrieben. Die sich drehenden Arme 301 und 302 sind an einen oberen Bürstenhebeantrieb (einen auf jeder Seite des Bürstenkastens) gekoppelt und sprechen auf ihn an, wodurch bewirkt wird, dass die obere Bürstenanordnung 300 auf den Wafer zu und von ihm weg geschwenkt wird. Der Drehpunkt, um den sich der obere Bürstenkern 301 dreht, ist auf der Rotationsachse von Antriebswelle 310 zentriert. Das Schwenkausmaß auf den Wafer zu beeinflusst das Ausmaß an Druck, das auf den Wafer ausgeübt wird und kann bei der Konstruktion auf Basis der Notwendigkeiten des Reinigungsverfahrens gewählt werden. Es ist anzumerken, dass diese Schwenkbewegung innerhalb des Bürstenkastens stattfindet. Während des Schwenkvorgangs ist die untere Bürstenanordnung 350 (aufgrund ihrer Befestigung am Bürstenkasten und den Behältniswänden) stationär.
  • Rotationsarm 331 ist durch die Verwendung einer Sechskantwelle, wie der Sechskantwelle 304 und eines Bindeglieds 305 an den oberen Bürstenkern 301 gekoppelt. Rotationsarm 302 ist durch Bindeglied 306 an den oberen Bürstenkern 301 gekoppelt. Rotationsarm 302 dreht sich koaxial um die Antriebswelle, so dass die Rotation der Antriebswelle 310 kein Schwenken der oberen Bürste verursacht. Wie gezeigt, ist der Rotationsarm 302 an eine Antriebswellendurchführung 370 gekoppelt, die selbst drehbar ist. Gemäß einer Ausführungsform umfasst jeder Hebeantrieb einen Schrittmotor (der nicht gezeigt ist, um zu verhindern, dass die vorliegende Erfindung unklar wird) und arbeitet, indem er am Ende der Rotationsarme 331 und 302 nach oben drückt, wodurch bewirkt wird, dass der obere Bürstenkern 301 während des Reinigungsverfahrens nach unten auf die Oberseite eines Wafers schwenkt. Wenn der jeweilige Antrieb nach unten zieht, bewirken die Rotationsarme 331 und 302, dass der obere Bürstenkern 301 vom Wafer weg schwenkt. Gemäß einer alternativen Ausführungsform können Auslösehebel eingesetzt werden, um den oberen Bürstenkern 301 zur Wafer-Oberfläche und von ihr weg zu bewegen. Auch kann durch Koppeln des Schrittmotors oberhalb der Rotationsarme das Schwenken der oberen Bürstenanordnung 300 durchgeführt werden, außer wenn Steuerung in die entgegengesetzte Richtung erfolgt.
  • Die Bürsten-Positionierungsvorrichtung, die bewirkt, dass der Bürstenkern 301 an den Wafer angelegt wird, kann gesteuert werden, um den Bürstenkern 301 mit unterschiedlichen Drücken an den Wafer anzulegen. Mit anderen Worten, die Bürsten werden physikalisch befestigt, so dass sie physikalisch bewegt (nach unten gedrückt) werden können, im Gegensatz zu der auf Schwerkraft basierenden Bewegung nach dem Stand der Technik. Durch Aufwärts-Drücken am Ende der Rotationsarme 331 und 203 mit größerer Kraft vom Schrittmotor wird der Bürstenkern 301 mit erhöhtem Druck an den Wafer angelegt. Die Druckzunahme ist auf die mechanischen Verhältnisse zurückzuführen. 5 ist ein Graph, der den Druck veranschaulicht, mit dem ein Bürstenkern an einen Wafer mit 20,32 cm (8'') unter Verwendung eines Schrittmotors angelegt wird,wenn ein Bürstenkern in einem System nach dem Stand der Technik und einem System gemäß vorliegender Erfindung positioniert wird. Die Mikroschritte der vorliegenden Erfindung ergeben eine größere Bürstenbewegung als nach dem Stand der Technik. Wie dargestellt, ist ein Druckausmaß, dass ausgeübt werden kann, größer als nach dem Stand der Technik, sogar 4- bis 5mal größer. Der erhöhte Druck, der gemäß vorliegender Erfindung ausgeübt wird, ermöglicht das Entfernen eingebetteter Teilchen auf dem Wafer während des Reinigens. Der Einsatz des Verfahrens auf HF-Basis in Verbindung mit dem erhöhten Druck sorgt für ein insgesamt besseres Reinigungsverfahren.
  • Es ist anzumerken, dass, wenn die Bürstenanordnung zum mechanischen Reinigen (Reinigen) verwendet wird, sie so konfiguriert sein kann, dass der Wafer oder eine Teilfläche geschwabbelt wird. Weiters kann die vorliegende Erfindung dazu ausgebildet sein, für Schwabbeln nur auf einer Seite des Substrats zu sorgen. Es ist jedoch anzumerken, dass anders als nach dem Stand der Technik die vorliegende Erfindung für gleichzeitiges Schwabbeln auf beiden Seiten eines Substrats sorgt.
  • Somit stellt die Bürstenanordnung gemäß vorliegender Erfindung einen Druck bereit, der sich für ein Schwabbelsystem eignet. Daher ermöglicht es die vorliegende Erfindung, dass ein Bearbeitungssystem ein duales Schwabbel-/Reinigungssystem ist, bei dem der erste Satz "Bürsten"Kasten (einer oder mehrere) im Behälter zum Schwabbeln verwendet wird bzw. werden und die nachfolgenden Bürstenkasten (einer oder mehrere) zum Reinigen der Wafer verwendet wird bzw. werden.
  • 3C zeigt einen der Rotationsarme 331 und 302 und seine Kupplung 320 an einen Schrittantrieb, der für den Betrieb unterhalb des Rotationsarms angeordnet ist. Wenn sich die Kupplung 320 in der obersten Position befindet, wird der Bürstenkern 301 an den Wafer angelegt, während in der tiefsten Position der Bürstenkern 301 vom Wafer weg schwenkt. Wenn der Schrittmotor oberhalb des Rotationsarms angeordnet ist, wird die Bewegung der Kupplung 320 umgekehrt, um die gleiche Bürstenkernbewegung zu erzielen.
  • Sätze von Durchführungsbuchsen 303 werden verwendet, um die Position von Wellendurchführungen 370 und 372 sowie der oberen Bürstenanordnung 300 in Bezug auf den Bürstenbehälter 113 beizubehalten und die obere Bürstenanordnung 300 an der Seite des Bürstenkastens zu befestigen. Auf diese Weise werden die Durchführungsbuchsen 303 als Teil der Kupplung der oberen Bürstenanordnung 300 am Bürstenkasten und Bürstenbehälter 113 verwendet. Weiters können die Lagereinheiten in den Bürstenkasten zur zusätzlichen Stabilität verwendet werden. Das heißt, die Lagereinheiten müssen die höheren Belastungen und Geschwindigkeiten aushalten.
  • Durchführungsbuchsen 303 fungieren auch als Dichtungen zwischen dem inneren Hohlraum des Bürstenkastens und der Außenseite der Bürstenkastenbehältervorrichtung. Der Einsatz von Durchführungsbuchsen ist nach dem Stand der Technik allgemein bekannt. Gemäß einer Ausführungsform bestehen die Durchführungsbuchsen aus T-500, hergestellt von IGUS, Inc., East Providence, RI.
  • Eigene Bindeglieder 305 und 306 werden verwendet, um den Antriebsabschnitt und die Rotationsarme der Bürstenanordnung 300 an ihren Bürstenkern 301 zu koppeln.
  • Eine Anschlusskupplung 309 wird verwendet, um eine Antriebswelle 310 an einen (nicht gezeigten) Motor zu koppeln, der den oberen Bürstenkern 301 antreibt und bewirkt, dass er sich dreht. Gemäß einer Ausführungsform ist die Anschlusskupplung 309 über ein Wellenreduktionsstück aus Edelstahl (oder einem anderen säurebeständigen Material) an die Antriebswelle 310 gekoppelt.
  • Die Rotationsbewegung, die der Motor auf Antriebswelle 310 ausübt, wird durch einen Satz Zahnräder an den Bürstenkern 301 angelegt. (Es ist anzumerken, dass es Wellendurchführungen sowohl für die obere Bürstenanordnung 300 als auch die untere Bürstenanordnung ermöglichen, dass sich die Antriebswellen 310 und 360 als Reaktion auf die Aktivierung ihrer Antriebsmotore frei drehen). Ein Mitläuferzahnrad 312 ist an die Antriebswelle 310 gekoppelt. Ein Antriebszahnrad 311 ist an den Bürstenkern 301 gekoppelt. Das Mitläuferzahnrad 312 und das Antriebszahnrad 311 berühren einander durch ihre Zähne. Wenn die Antriebswelle 310 gedreht wird, dreht sich das Mitläuferzahnrad 312. Die Rotationsbewegung von Mitläuferzahnrad 312 wird dann auf eine nach dem Stand der Technik allgemeine Weise auf das Antriebszahnrad 311 übertragen. Es ist anzumerken, dass die Größe des Zahnrads je nach Konstruktion gewählt werden kann. Gemäß einer Ausführungsform haben das Mitläuferzahnrad 312 und das Antriebszahnrad 311 jeweils 66 Zähne und weisen eine Teilung von 24 und einen Durchmesser von 2,75 Zoll auf.
  • Die Größe des Mitläuferzahnrads und des Antriebszahnrads in Bezug aufeinander kann verändert werden. Die Änderung ihres Verhältnisses kann vorteilhaft sein, um unterschiedliche Relativgeschwindigkeiten zu ergeben. Derartige unterschiedliche Geschwindigkeiten können für Kantenreinigungszwecke mit Rotationswalzen wichtig sein. Es ist auch anzumerken dass, obwohl gezeigt wird, dass Zahnräder die obere Bürstenanordnung 300 antreiben, die Zahnräder durch Riemen ersetzt werden können.
  • Gemäß einer Ausführungsform wird ein Zahnrad-Schutzkasten verwendet, um die Zahnräder abzudecken, um zu verhindern, dass Teilchen aus dem Reinigungsverfahren in die Zahnräder gelangen, und zu verhindern, dass von den Zahnrädern erzeugte Teilchen die Wafer verunreinigen.
  • Ein Rückzugsstift 307 ist nahe einem Ende des Bürstenkerns 301 an einen Rückzugskern 308 gekoppelt. Die vorliegende Erfindung sieht Rückzugsstifte 307 und den Rückzugskern 308 vor, um einfaches Entfernen des Bürstenkerns 301 zu ermöglichen. Auf diese Weise kann der Bürstenkern 301 zur Wartung und Reparatur abgenommen werden. Wenn der Rückzugsstift 307 aus seiner in 3A gezeigten Position nach unten und nach links bewegt wird, wird der Rückzugskern 308, der teilweise innerhalb des Bürstenkerns 301 angeordnet ist, aus dem Bürstenkern 301 gezogen. Das Ausmaß, in dem der Rückzugskern 308 aus dem Bürstenkern 301 gezogen wird, ermöglicht es, dass der Bürstenkern 301 vom Bindeglied 305 befreit wird. Durch eine solche Bewegung wird das andere Ende von Bürstenkern 301 vom Bindeglied 306 weg bewegt, das sich teilweise in den Bürstenkern 301 erstreckt. Sobald er sich in dieser Position befindet, kann der Bürstenkern 301 aus dem Bürstenkasten herausgezogen werden.
  • Wieder auf die 3B, 4B und 4D Bezug nehmend ist die untere Bürstenanordnung 350 der oberen Bürstenanordnung 300 insofern ähnlich, als sie einen Bürstenkern 351 und eine Durchführungsbuchse 353 umfasst, um die untere Bürstenanordnung 350 am Bürstenkasten und am Bürstenbehälter 113 zu befestigen. Eine Anschlusskupplung 359 ist an eine Antriebswelle 360 gekoppelt. Die Anschlusskupplung 359 koppelt einen Antriebsmotor an die Antriebswelle 360, um den unteren Bürstenkern 351 anzutreiben.
  • Die untere Bürstenanordnung 350 umfasst ebenfalls einen Rückzugsstift 357, der ähnlich arbeitet wie der Rückzugsstift 307, indem er einen Rückzugskern 358 zurückzieht, der am Bürstenkern 351 angeordnet war, wodurch der Bürstenkern 351 aus dem Bürstenkasten entfernt werden kann.
  • Es ist anzumerken, dass, obwohl die untere Bürstenanordnung 350 durch die Anschlusskupplung 359 direkt von einem Motor angetrieben wird, die untere Bürste gemäß einer alternativen Ausführungsform unter Einsatz von Zahnrädern vom selben Motor angetrieben werden kann, der die obere Bürste 300 antreibt. Gemäß einer Ausführungsform werden vier Zahnräder verwendet, um den unteren Bürstenkern mit dem selben Motor anzutreiben, der den oberen Bürstenkern antreibt. Bei einer solchen Ausführungsform wird ein Antriebszahnrad, das an den Bürstenkern gekoppelt ist, von einem Mitläuferzahnrad 312 und/oder Antriebswelle 310 angetrieben. Durch den Einsatz nur eines Motors wird die Anzahl an Durchdringungen in den Bürstenkasten verringert, was bei stark sauren Reinigungsverfahren wie oben beschreiben vorteilhaft ist.
  • Während Fachleuten auf dem Gebiet der Erfindung zweifellos viele Änderungen und Modifikationen der vorliegenden Erfindung klar sein werden, nachdem sie die obige Beschreibung gelesen haben, versteht es sich auch, dass die verschiedenen zur Veranschaulichung gezeigten und beschriebenen Ausführungsformen keineswegs als einschränkend zu betrachten sind. Daher sollen Bezugnahmen auf Details verschiedener Ausführungsformen den Schutzumfang der Ansprüche nicht einschrän ken, wobei diese selbst nur jene Merkmale anführen, die als wesentlich für die Erfindung betrachtet werden.
  • Somit ist eine Reinigungs/Schwabbel-Anordnungsvorichtung beschrieben worden.

Claims (8)

  1. System zur Bearbeitung von Halbleiter-Wafern (101), umfassend: eine Schwabbelstation (120), worin die Schwabbelstation (120) einander gegenüberliegende Seiten eines Wafers (101a) gleichzeitig schwabbelt; und eine Reinigungsstation (130), die an die Schwabbelstation (120) gekoppelt ist.
  2. System nach Anspruch 1, worin die Reinigungsstation (130) eine Bürstenreinigungsstation umfasst.
  3. System nach Anspruch 1, worin die Reinigungsstation (130) gleichzeitiges Bürstenreinigen der einander gegenüberliegenden Seiten des Wafers (101a) durchführt, nachdem das Schwabbeln des Wafers mit der Schwabbelstation (120) abgeschlossen worden ist.
  4. System nach Anspruch 1, worin die Schwabbelstation (120) zumindest ein Schwabbelelement an einen Wafer (101a) anlegt, wobei ein Druck auf eine Oberfläche des Wafers in einem Bereich von etwa 70,3 bis 2.812 kg/m2 (0,1 bis 4 psi) liegt, während das Schwabbelelement (121) mit einer Geschwindigkeit in einem Bereich von etwa 12,2 bis 36,6 m/min (40 bis 120 ft/min) gedreht wird.
  5. Verfahren zur Bearbeitung von Halbleiter-Wafern (101), umfassend: das gleichzeitige Schwabbeln einander gegenüberliegender Seiten eines Wafers (101a) in einer ersten Station (120) in einem System; das Transportieren des Wafers zu einer zweiten Station (130) im System nach dem Schwabbeln; und das Bürstenreinigen des Wafers (101b) in der zweiten Station (130), die der ersten Station (120) im System nach folgt.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, worin der Schritt des Schwabbelns des Wafers (101a) das Anlegen eines Schwabbelelements (121) an den Wafer mit einem Druck auf eine Oberfläche des Wafers im Bereich von etwa 70,3 bis 2.812 kg/m2 (0,1 bis 4 psi) umfasst.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, worin der Schritt des Schwabbelns des Wafers weiters das Drehen des Schwabbelelements (121) mit einer Geschwindigkeit von etwa 12,2 bis 36,6 m/min (40 bis 120 ft/min) umfasst, während das Schwabbelelement angelegt wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, worin der Druck einen abwärts gerichteten Druck umfasst.
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