DE102004039059B4

DE102004039059B4 - Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Halbleitersubsstraten

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Publication number: DE102004039059B4
Application number: DE102004039059A
Authority: DE
Inventors: Hun-Jung Suwon Yi; Sang-Oh Yongin Park
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2003-08-19
Filing date: 2004-08-11
Publication date: 2008-04-03
Anticipated expiration: 2024-08-12
Also published as: DE102004039059A1; JP4404720B2; US20090120459A1; US20050039776A1; KR20050019456A; KR100568103B1; JP2005064501A

Abstract

Verfahren zum Reinigen von Halbleitersubstraten (W) unter Verwendung einer Kammer (10), die einen Reinigungsraum (100) enthält, in welchem die Substrate (W) gereinigt werden, und mit einem Trocknungsraum (200), in welchem die Substrate (W) getrocknet werden, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt:
Anordnen der Substrate (W) in dem Reinigungsraum (100);
Zuführen einer Reinigungslösung in den Reinigungsraum (100) zum Reinigen der Substrate (W);
Bewegen eines Halters (300), in welchen die Substrate (W) plaziert sind, in den Trocknungsraum (200);
Bewegen einer Trennplatte (400), in welcher ein Austragspfad (410) ausgebildet ist, zwischen dem Reinigungsraum (100) und dem Trocknungsraum (200), um den Trocknungsraum (200) von dem Reinigungsraum (100) zu trennen;
Zuführen eines Trocknungsströmungsmittels in den Trocknungsraum (200) zum Trocknen der Substrate (W), wobei das Trocknen der Substrate die folgenden Schritte umfaßt:
Abziehen der Reinigungslösung, die in den Reinigungsraum (100) gefüllt ist, zur Außenseite hin, um die Innenseite des...

Description

HINTERGRUND
Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen von Halbleitersubstraten nach dem Anspruch 1. Ferner betrifft die Erfindung auch eine Vorrichtung zum Reinigen von Halbleitersubstraten nach dem Anspruch 6.
Erläuterung des relevanten Standes der Technik
Aus der EP 1 655 768 A1 ist ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zum Reinigen von Halbleitersubstraten bekannt, wobei die Vorrichtung folgende Komponenten aufweist:
eine Kammer mit einem Reinigungsraum und einen darüber angeordneten Trocknungsraum;
einen Substrathalter;
ein Zuführrohr für ein Trocknungsmittel an einem oberen Abschnitt des Trocknungsraumes und
eine poröse, bewegbare Platte, die zwischen dem Trocknungs- und Reinigungsraum angeordnet ist.
Ein ähnliches Verfahren und Vorrichtung ist aus der EP 0 855 736 A2 bekannt.
Ein Waferreinigungsprozess ist erforderlich, um chemische Rückstände, kleine Teilchen und Verunreinigungen zu entfernen, die während der Halbleiterherstellungsprozesse erzeugt werden. Speziell dann, wenn hochintegrierte Schaltungen hergestelltwerden, ist ein Reinigungsprozess erforderlich, um Mikroverunreinigungen zu beseitigen, die an einer Oberfläche eines Halbleiterwafers anhaften.
Ein herkömmlicher Waferreinigungsprozess umfasst einen chemischen Behandlungsprozess zum Ätzen oder Abstreifen von Verunreinigungen an einem Wafer durch eine chemische Reaktion, einen Spülprozess zum Spülen der chemisch behandelten Wa fer unter Verwendung eines deionisierten Wassers (DI) und einen Trocknungsprozeß zum Trockner der gespülten Wafer.
Ein Schleudertrocknungsgerät und ein Trocknungsgerät auf Basis von Isopropylalkoholdampf (IPA) wurden zur Durchführung des Trocknungsprozesses verwendet. Ein Beispiel für das Schleudertrocknungsgerät ist in dem US-Patent Nr. 5,829,156 offenbart, und ein Beispiel eines IPA-Dampftrocknungsgerätes ist in dem US-Patent Nr. 5,054,210 offenbart.
Da integrierte Schaltungen in der Komplexität zunehmen, verringert sich die Fähigkeit eines Schleudertrocknungsgerätes, bei dem eine Zentrifugalkraft verwendet wird, Wassertropfen vollständig zu beseitigen, die an einem Wafer zurück bleiben. Ferner kann auch der Wafer umgekehrt durch einen Strudel verunreinigt werden, der dann auftritt, wenn sich der Wafer mit einer hohen Drehzahl dreht.
Ein Nachteil des IPA-Dampftrocknungsgerätes besteht darin, daß Wasserlacken oder -flecken auf dem Wafer erzeugt werden, nachdem der Wafer getrocknet wurde. Da ferner das IPA-Dampftrocknungsgerät IPA mit einer höheren Temperatur als ein Flammpunkt verwendet, ergeben sich Umwelt- und Sicherungsprobleme. Wenn das Schleudertrocknungsgerät und das IPA-Dampftrocknungsgerät in Kombination verwendet werden, so werden der Spülprozeß und ein Trocknungsprozeß in unterschiedlichen Einheiten durchgeführt. Es ist daher viel Zeit erforderlich, um einen Wafer zu den jeweiligen Einheiten zu überführen.
Um die zuvor erläuterten Probleme zu überwinden, wurde ein Marangoni-Trockner bei einem Trocknungsprozeß verwendet, bei dem der Wafer nach einem chemischen Behandlungsprozeß und einem Spülprozeß keiner Luft ausgesetzt wird. Ein Wafertrocknungsgerät, welches das Marangoni-Prinzip verwendet, ist in der offengelegten japanischen Patentveröffentlichung Nr. 10-335299 offenbart. Bei dem Marangoni-Trockner wird ein Wafer lediglich an einer Oberfläche getrocknet, die eine IPA-Schicht kontaktiert, welche an einer deionisierten Wasseroberfläche (DI) gebildet wird. Es kann somit Wasser an einem Abschnitt des Bereiches des Wafers verbleiben. Da jedoch ein unterer Waferbereich weniger dem IPA-Dampf ausgesetzt wird als ein oberer Bereich des Wafers, wird der untere Bereich des Wafers unstabiler getrocknet als der obere Bereich des Wafers.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Reinigen und Trocknen von Halbleitersubstraten zu schaffen, mit dem bzw. mit der ein stabiler gleichmäßiger Trocknungsvorgang an allen Bereichen eines Wafers realisiert werden kann.
Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Reinigen von Halbleitersubstraten wird die genannte Aufgabe durch die im Anspruch 1 aufgeführten Merkmale gelöst.
Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Ansprüchen 2 bis 5.
In Verbindung mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung zum Reinigen von Halbleitersubstraten wird die genannte Aufgabe durch die im Anspruch 6 aufgeführten Merkmale gelöst.
Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Vorrichtung ergeben sich aus den Ansprüchen 7 bis 15.
Eine Vorrichtung zum Reinigen von Halbleitersubstraten gemäß einer Ausführungsform der Erfindung enthält eine Kammer und einen Halter, der in der Kammer angeordnet ist und der Substrate abstützt. Die Kammer enthält einen Reinigungsraum, in welchem die Halbleitersubstrate gereinigt werden, und einen Trocknungsraum, der über dem Reinigungsraum angeordnet ist, in welchem die Halbleitersubstrate getrocknet werden. Eine Zuführleitung zum Zuführen eines Trocknungsströmungsmittels auf das Substrat ist an dem oberen Abschnitt des Trocknungsraumes vorgesehen und eine Zuführleitung für eine Reinigungslösung zum Zuführen einer Reinigungslösung auf die Halbleitersubstrate ist an dem unteren Abschnitt des Reinigungsraumes vorgesehen.
Eine Trennplatte ist ebenfalls vorgesehen, die bewegbar ist, um den Reinigungsraum und den Trocknungsraum zu trennen, oder um den Reinigungsraum und den Trocknungsraum miteinander in Strömungsverbindung zu bringen. Ein Austragspfad für das Trocknungsströmungsmittel ist in der Trennplatte ausgebildet. Wenn die Reinigungslösung, die in den Reinigungsraum gefüllt wurde, zur Außenseite hin abgezogen wird, wird die Innenseite des Trocknungsraumes dekomprimiert und es wird das Trocknungsströmungsmittel in den Trocknungsraum zugeführt, welches von dem Trocknungsraum zu dem Reinigungsraum strömt, und zwar über den Austragspfad der Trennplatte.
Es kann Alkoholdampf oder erhitztes Trockengas als Trocknungsströmungsmittel verwendet werden. Das Zuführrohr umfasst ein erstes Zuführrohr zum Zuführen von Alkoholdampf in den Trocknungsraum, und umfasst ein zweites Zuführrohr zum Zuführen eines erhitzten Trockengases in den Trocknungsraum.
Der Reinigungsraum besitzt ein inneres Bad, wo der Halter angeordnet ist, und besitzt ein äußeres Bad, welches so angeordnet ist, daß es den oberen äußeren Rand des inneren Bades umschließt. Die Reinigungslösung strömt von dem inneren Bad über und fließt in das äußere Bad und eine Abzugsöffnung ist am Boden des äußeren Bades ausgebildet. Eine Austragöffnung ist an einer Seite des äußeres Bades ausgebildet und es wird das Trocknungsströmungsmittel, welches in den Reinigungsraum strömt, und zwar entlang dem Austragspfad der Trennplatte, zur Außenseite über die Austragsöffnung ausgetragen.
Bei wenigstens einer Ausführungsform der Erfindung enthält die Vorrichtung ferner ein Trennplattenbewegungsteil zum Bewegen der Trennplatte. Das Trennplattenbewegungsteil enthält eine Verbindungsstange, die fest mit der Trennplatte verbunden ist, und einen Antriebsteil zur horizontalen Bewegung der Verbindungsstange.
Bei wenigstens einer als Beispiel gewählten Ausführungsform besteht der Austragspfad der Trennplatte aus wenigstens einem Loch oder Schlitz, der in der Trennplatte ausgebildet ist. Bei einer als Beispiel gewählten Ausführungsform der Erfindung sind eine Vielzahl von Löchern oder Schlitzen in der Trennplatte ausgebildet und die Größen der Löcher oder die Breiten der Schlitze sind unterschiedlich entsprechend deren Ausbildungspositionen. Bei einer anderen als Beispiel gewählten Ausführungsform sind eine Vielzahl von Löchern in wenigstens einer Reihe an einem zentralen Abschnitt der Trennplatte ausgebildet. Die Abstände der benachbarten Löcher sind verschieden entsprechend deren Ausbildungspositionen. In bevorzugter Weise werden Halbleitersubstrate an dem Halter in einer Reihe angeordnet und die Reihenrichtung verläuft vertikal zu der Richtung der Behandlungsoberflächen der Halbleitersubstrate.
Eine Vorrichtung zum Reinigen der Halbleitersubstrate gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der Erfindung enthält eine Kammer mit einem Trocknungsraum, in welchem die Halbleitersubstrate getrocknet werden, eine Zuführleitung, die in dem Trocknungsraum installiert ist und über die Trocknungsströmungs mittel auf die Halbleitersubstrate zugeführt werden, und eine Trennplatte, die einen Boden des Trocknungsraumes darstellt. Ein Austragspfad ist an einem zentralen Abschnitt der Trennplatte ausgebildet. Die Trocknungsströmungsmittel, die auf das Substrat zugeführt werden, werden aus dem Trocknungsraum über den Austragspfad ausgetragen.
Eine Vorrichtung zum Reinigen von Halbleitersubstraten entsprechend einer als Beispiel gewählten Ausführungsform der Erfindung enthält eine Kammer und eine Trennplatte. Die Kammer enthält einen Reinigungsraum, in welchem die Halbleitersubstrate gereinigt werden, und einen Trocknungsraum, der über dem Reinigungsraum angeordnet ist, in welchem die Halbleitersubstrate getrocknet werden. Die Trennplatte ist zwischen einer offenen Position, in welcher der Reinigungsraum mit dem Trocknungsraum kommuniziert, und einer geschlossenen Position, in welcher der Reinigungsraum von dem Trocknungsraum getrennt ist, bewegbar.
Ein Verfahren zum Reinigen von Halbleitersubstraten gemäß einer als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfaßt die Schritte gemäß Anordnen der Halbleitersubstrate in dem Reinigungsraum, Zuführen einer Reinigungslösung zu dem Reinigungsraum zum Reinigen der Substrate, Bewegen eines Halters, in den die Substrate plaziert sind, zu dem Trocknungsraum, Bewegen einer Trennplatte, in welcher ein Austragspfad ausgebildet ist, zwischen dem Reinigungsraum und dem Trocknungsraum, um den Trocknungsraum von dem Reinigungsraum zu trennen, und Zuführen eines Trocknungsströmungsmittels zu dem Trocknungsraum zum Trocknen der Substrate.
Bei wenigstens einer beispielhaften Ausführungsform umfaßt der Schritt gemäß dem Trocknen der Substrate Schritte gemäß einem Abziehen der Reinigungslösung, die den Reinigungsraum füllt, zur Außenseite hin, um die Innenseite des Trocknungsraumes zu dekomprimieren, und Austragen des Trocknungsströmungsmittels, welches in den Trocknungsraum zugeführt wurde, aus dem Trocknungsraum entlang dem Austragspfad, der in der Trennplatte ausgebildet ist. Das Trocknungsströmungsmittel, welches in den Reinigungsraum einströmt, wird über eine Austragsöffnung ausgetragen, welche an der Seitenwand des Reinigungsraumes ausgebildet ist, während die Reinigungslösung über ein Abzugsrohr des Reinigungsraumes abgelassen wird. Die Austragsöffnung wird verschlossen, wenn die Reinigungslösung vollständig aus dem Reinigungsraum abgelassen wurde, und es wird das Trocknungsströmungsmittel, welches in den Reinigungsraum strömt, über das Ablaßrohr des Reinigungsraumes ausgetragen. In bevorzugter Weise ist das Austragsrohr mit dem Boden des Reinigungsraumes verbunden und das Ablassen der Reinigungslösung aus dem Reinigungsraum wird durch Schwerkraft erreicht.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die vorliegende Erfindung kann klarer anhand der Beschreibung von Ausführungsformen unter Hinweis auf die beigefügten Zeichnungen verstanden werden, in welchen zeigen:
1 und 2 eine Längsschnittansicht bzw. eine Querschnittsansicht einer Reinigungsvorrichtung gemäß einer als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
3 eine perspektivische Ansicht des Halters, der in 1 gezeigt ist;
4 eine Draufsicht auf eine Trennplatte gemäß einer als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
5 eine Draufsicht auf eine Trennplatte gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der Erfindung;
6 eine Draufsicht auf eine Trennplatte gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der Erfindung;
7 eine Draufsicht auf eine Trennplatte gemäß einer anderen als Beispiel gewählten Ausführungsform der Erfindung;
8 eine Draufsicht auf eine Trennplatte gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der Erfindung;
9 eine Draufsicht auf eine Trennplatte gemäß einer noch anderen als Beispiel gewählten Ausführungsform der Erfindung;
10 eine Draufsicht auf eine Trennplatte gemäß einer noch anderen beispielhaften Ausführungsform der Erfindung;
11 eine Querschnittsansicht, welche die Strömungsrichtung eines Trocknungsströmungsmittels in einem Trocknungsraum gemäß einer als Beispiel gewählten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
12 bis 18 Querschnittsansichten, die verschiedene Schritte eines Reinigungsprozesses gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung wiedergeben;
19 ein Floßdiagramm, welches verschiedene Schritte eines Reinigungsprozesses gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt; und
20 ein Floßdiagramm, welches verschiedene Schritte eines Trocknungsprozesses gemäß einer als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Gemäß 1 und 2 enthält eine Trocknungsvorrichtung 1 gemäß einer als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Kammer 10, einen Halter 300, ein Reinigungsflüssigkeitszuführrohr 520, ein Trocknungsströmungsmittelzuführrohr 540 und eine Trennplatte 400. Die Kammer 10 besitzt einen Reinigungsraum 100 und einen Trocknungsraum 200. Ein chemischer Behandlungsprozeß und ein Spülprozeß werden in dem Reinigungsraum 100 durchgeführt und ein Trocknungsprozeß wird in dem Trocknungsraum 200 durchgeführt. Der Reinigungsraum 100 enthält ein inneres Bad 120, in welchem der Halter 300 angeordnet ist, und zwar während eines Prozesses, und enthält ein äußeres Bad 140, welches den oberen äußeren Umfang des inneren Bades 120 umschließt.
Das innere Bad 140 besitzt eine offene obere Oberfläche, eine rechteckförmige Parallelepipedseitenwand 122 und einen Boden 124. Ein Auslaß 126, der mit einem Abzugsrohr 660 verbunden ist, ist am Zentrum des Bodens 124 ausgebildet. Der Boden 124 verläuft konisch geneigt nach unten, um eine Reinigungslösung in dem inneren Bad 120 abzulassen. Das Ablaßrohr 660 ist vertikal in solcher Weise installiert, daß die Reinigungslösung in dem inneren Bad 120 durch Schwerkraft abläuft oder abgezogen wird. Ein Öffnungs-/Schließventil 662 ist an dem Abzugsrohr 660 installiert, um den Pfad durch das Abzugsrohr 660 zu öffnen/zu schließen.
Das äußere Bad 140 ist fest mit dem inneren Bad 120 gekoppelt. Das äußere Bad 140 ist rechteckförmig und parallelepipedförmig gestaltet mit einem Durchgangsloch, welches an dessen Zentrum ausgebildet ist, und mit einem ringförmig gestalteten Boden 144, der mit der Seitenwand 122 des inneren Bades 120 verbunden ist, und mit einem ringförmig gestalteten oberen Teil 143, der an einem oberen Abschnitt des inneren Bades 120 angeordnet ist. Der Boden 144 und der obere Teil 143 des äußeren Bades 140 sind gegenüber liegend angeordnet. Während das äußere Bad 140 und das innere Bad 120 miteinander verbunden sind, ist ein definierter Raum zwischen der Seitenwand 142 des äußeren Bades 140 und der Seitenwand 122 des inneren Bades 120 ausgebildet. Eine Reinigungslösung strömt über das innere Bad 120 über und ist in dem Raum enthalten. Eine Austragsöffnung 145 ist an der Seitenwand 142 des äußeren Bades 140 ausgebildet. Es wird Gas, welches von dem Trocknungsraum 200 zu dem Reinigungsraum 100 strömt, über die Austragsöffnung 145 ausgetragen. Ein Austragsrohr 620 mit einem Öffnen-/Schließventil 622 ist mit der Austragsöffnung 145 verbunden. In diesem Fall kann ein Rohr oder können mehrere mit dem Austragsrohr 145 verbunden sein. Eine Ablaßöffnung 149 ist am Boden 144 des äußeren Bades 140 ausgebildet. Ein Abzugsrohr 640 zum Ablassen der Reinigungsflüssigkeit, welches in das äußere Bad 140 fließt, ist mit der Ablaßöffnung 149 verbunden. Ein Öffnen-/Schließventil 642 ist an dem Abzugsrohr 640 installiert, um den Pfad des Abzugsrohres 640 zu öffnen/zu schließen. Ein ringförmig gestalteter Vorsprung 148, der einen nach unten vorspringenden Teil bildet, kann an dem Innenrand des oberen Abschnitts 143 des äußeren Bades 140 ausgebildet sein. Die Trennplatte 400 kontaktiert den Vorsprung 148, um den Trocknungsraum 200 von dem Reinigungsraum 100 zu trennen. Die Trennplatte 400 wird an späterer Stelle mehr in Einzelheiten beschrieben.
Der Trocknungsraum 200 ist an dem Reinigungsraum 100 angeordnet. Der Trocknungsraum 200 besitzt eine rechteckförmige, parallelepipedförmig gestaltete Seitenwand 220, einen domförmig gestalteten oberen Abschnitt 240 und eine offene untere Fläche. Ein Boden der Seitenwand 220 ist an dem Innenrand der oberen Fläche 143 des äußeren Bades 140 angeordnet. Ein O-Ring (nicht gezeigt) kann in einen Kontaktabschnitt des Trocknungsraumes 200 und des Reinigungsraumes 100 eingesetzt sein.
Der Trocknungsraum 200 kann von dem Reinigungsraum 100 aus gedreht werden, um die Anordnung von Wafern in dem Reinigungsraum 100 zu ermöglichen. Optional kann der Trocknungsraum 200 fest mit dem Reinigungsraum 100 gekoppelt sein und der obere Abschnitt 240 des Trocknungsraumes 200 kann von der Seitenwand 220 desselben aus drehbar sein.
Der Halter 300 haltert eine Vielzahl von Wafern "W", die einer Behandlung unterworfen werden sollen. Gemäß 3 enthält der Halter 300 Halterungsstangen 320, ein Verbindungsteil 340 und eine Bewegungsstange 360. Es sind Schlitze 322 an den jeweiligen Halterungsstangen 320 ausgebildet. Der Rand des Wafers "W" wird teilweise in den Schlitz 322 eingeführt. Das heißt, die Wafer "W" werden aufrecht an dem Halter 300 positioniert, so daß sie sich mit ihren Behandlungsoberflächen gegenüber liegen. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind drei Halterungsstangen 320 vorgesehen. Angenähert 50 Wafer können an dem Halter 300 zu einer Zeit aufgenommen werden. Der Verbindungsteil 340 ist auf beiden Seiten der Halterungsstangen 320 angeordnet, um die Halterungsstangen 320 miteinander zu verbinden. Das Ende der jeweiligen Halterungsstangen 320 ist fest mit dem Verbindungsteil 340 verbunden. Die Bewegungsstange 360 erstreckt sich aufwärts von dem Verbindungsteil 340 aus zu einem oberen Abschnitt der Kammer 10, und zwar durch ein Loch 242, welches an dem oberen Abschnitt 240 des Trocknungsraumes 200 ausgebildet ist. Ein Halterantriebsteil 380 ist mit einer lateralen Seite der Bewegungsstange 360 gekoppelt, die an der Außenseite der Kammer 10 angeordnet ist, um die Bewegungsstange 360 nach oben und nach unten zu bewegen. Mit Hilfe des Halterantriebsteiles 380 wird der Halter 300 aufwärts und abwärts bewegt, um die Wafer "W" zu dem Reinigungsraum 100 zu überführen und auch in Trocknungsraum 200 zu überführen. Der Halterantriebsteil 380 kann irgendeinen geeigneten Antriebsmechanismus enthalten, wie beispielsweise einen pneumatischen oder hydraulischen Zylinder oder ein Kombinationsteil aus einem Motor, einer Zahnstange und einem Kleinzahnrad.
Das Zuführrohr 520 für die Reinigungslösung ist in dem Reinigungsraum 100 installiert. Das Zuführrohr 520 für die Reinigungslösung ist unter dem Halter 300 angeordnet, der an dem Reinigungsraum 100 angeordnet ist. Ein Reinigungslösungszuführrohr 520 oder auch mehrere können in dem Reinigungsraum 100 installiert sein. Die Reinigungslösung, die während eines chemischen Behandlungsprozesses verwendet wird, kann aus einer chemischen Lösung, wie beispielsweise einer Fluorwasserstoffsäure bestehen, die dafür geeignet ist, um Teilchen zu entfernen, die an den Wafern "W" zurückgeblieben sind, und um auch metallische Verunreinigungen zu beseitigen, wie beispielsweise Kupfer oder Verunreinigungsmaterialien wie ein Oxid, welches sich gebildet hat. Alternativ kann die Reinigungslösung aus einem deionisierten Wasser (DI) bestehen, welches dazu verwendet wird, um eine chemische Lösung zu beseitigen, die an den Wafer "W" zurückgeblieben ist. Die chemische Lösung und das DI-Wasser können in den Reinigungsraum 100 über das gleiche Zuführrohr 520 zugeführt werden. Optional kann ein Versorgungsrohr zum Zuführen der chemischen Lösung und ein Versorgungsrohr zum Zuführen des DI-Wassers einzeln installiert sein.
Das Zuführrohr 540 für das Trocknungsströmungsmittel ist in dem Trocknungsraum 200 installiert, um ein Trocknungsströmungsmittel zuzuführen. Das Zuführrohr 540 für das Trocknungsströmungsmittel ist über einem Wafer "W" angeordnet, der in den Trocknungsraum 200 überführt wurde. Das Zuführrohr 540 für das Trocknungsströmungsmittel umfaßt ein erstes Zuführrohr 540a zum Zuführen von Alkoholdampf und ein zweites Zuführrohr 540b zum Zuführen von erhitztem Trockengas. Das erste und das zweite Zuführrohr 540a und 540b sind durch eine Außenwand des Trocknungsraumes 200 eingeführt. Eine Injektionsöffnung 542 ist an den jeweiligen Zuführrohren ausgebildet. Die Injektionsöffnung 542 umfaßt eine Vielzahl von Löchern, die in regulären Intervallen oder auch in unterschiedlichen Intervallen beabstandet sind. Alternativ kann die Injektionsöffnung 542 aus einer schlitzförmigen Öffnung bestehen, die ausreichend lang ist, um in einheitlicher Weise ein Trocknungsströmungsmittel in alle Wafer "W" zu injizieren. Eine Vielzahl an ersten Zuführrohren 540a und an zweiten Zuführrohren 540b kann installiert sein, um in einheitlicher Weise ein Trocknungsströmungsmittel von einer Seite des Wafers "W" zur anderen Seite desselben hin zu injizieren. Ferner kann das Alkoholgas und das erhitzte Trockengas selektiv über das gleiche Zuführrohr zugeführt werden.
Es kann Isopropylalkohol (IPA) als Alkoholdampf verwendet werden. Zusätzlich können Ethylglykol, 1-Propanol, 2-Propanol, Tetrahydrofuran, 4-Hydroxy-4-methylpentamon, 1-Butanol, 2-Butanol, Methanol, Ethanol, Azeton, n-Propylalkohol, Dimethylether als Alkohol verwendet werden. Das DI-Wasser, welches an dem Wafer "W" in dem Reinigungsraum 100 anhaftet, wird durch IPA-Dampf ersetzt, welcher in den Trocknungsraum 200 zugeführt wird. Der Wafer wird durch erhitztes Trockengas getrocknet, wie beispielsweise durch Stickstoffgas, welches auf den Wafer geleitet wird bzw. injiziert wird.
Um auf 1 zurückzukommen, so ist in der Kammer 10 ein Raum vorgesehen. Ein unterer Raum in der Kammer 10 wird durch den Reinigungsraum 100 gebildet und ein oberer Raum in der Kammer 10 wird durch den Trocknungsraum 200 gebildet. Die Trennplatte 200 trennt den oberen Raum von dem unteren Raum, wenn ein Trocknungsprozeß ausgeführt wird. Wenn die Wafer "W" in dem Reinigungsraum 100 angeordnet sind, ist die Trennplatte 400 außerhalb der Kammer 10 angeordnet. Wenn jedoch die Wafer "W" in den Trocknungsraum 200 überführt werden, wird die Trennplatte 400 zur Innenseite der Kammer 10 hin bewegt (zwischen dem Trocknungsraum 200 und dem Reinigungsraum 100), um den oberen Raum abzutrennen, in welchem der Trocknungsprozeß ausgeführt wird, und zwar von dem unteren Raum abzutrennen, indem der Reinigungsprozeß ausgeführt wird. Ein Trennplattenaufnahmeteil 420 zur Aufnahme der Trennplatte 400 ist fest an einer Seitenwand 142 des äußeren Bades 140 des Reinigungsraumes 100 angekuppelt. Ein schlitzförmiger Einströmpfad 146 ist an der Seitenwand 142 ausgebildet, an der der Trennplattenaufnahmeteil 420 angekuppelt ist. In bevorzugter Weise ist der Einströmpfad 146 über dem Innenbad 120 ausgebildet.
Eine als Beispiel gewählte Ausführungsform der Trennplatte 400 ist in 4 veranschaulicht und es sind vielfältige andere als Beispiel gewählte Ausführungsformen der Trennplatte 4 in 5, 6 und 7 veranschaulicht. In 4 veranschaulichen die strichliert gezeichneten Teile die Wafer "W", die über der Trennplatte 400 angeordnet sind. Gemäß 4 ist die Trennplatte 400 in einer Gestalt entsprechend rechteckförmig und parallelepipedförmig ausgebildet und ist ausreichend groß bemessen, um den oberen Raum von dem unteren Raum in der Kammer 10 zu trennen. Bin Austragspfad 410 ist an der Trennplatte 400 ausgebildet. Entlang dem Austragspfad 410 wird das Trocknungsströmungsmittel, wie der oben erwähnte Alkoholdampf und Stickstoffgas, aus einem Trocknungsraum 200 während eines Trocknungsprozesses ausgetragen. Um den Alkoholdampf oder das Stickstoffgas auf die gesamten Oberflächen der Wafer "W" einheitlich zuzuführen oder aufzuleiten, der zur Außenseite hin ausgetragen werden soll, ist der Austragspfad 410 in bevorzugter Weise an einem zentralen Abschnitt 430 der Trennplatte 400 angeordnet. Optional kann der Austragspfad 410 auch an einem lateralen Abschnitt 440 der Trennplatte 400 angeordnet sein.
Der Austragspfad 410 kann eine Vielzahl von kreisförmigen Löchern aufweisen, die an der Trennplatte 400 ausgebildet sind. Die Löcher sind in einer Reihe angeordnet, und zwar an dem zentralen Abschnitt 430 der Trennplatte 400. Obwohl die Löcher in einer Reihe angeordnet sind, wie in 4 dargestellt ist, können bei anderen Ausführungsformen der Erfindung diese in einer Vielzahl von Reihen angeordnet sein, wie in 5 gezeigt ist. Die Reihe der Löcher verläuft vertikal zu einem Wafer "W", der in dem Halter 300 angeordnet ist. Optional können die Löcher unterschiedliche Größe haben in Einklang mit deren Positionen, wie in 6 dargestellt ist, und die Löcher können auch in unterschiedlichen Intervallen beabstandet sein, wie dies in 7 dargestellt ist.
Eine andere beispielhafte Ausführungsform der Trennplatte 400 ist in 8 gezeigt und vielfältige andere beispielhafte Ausführungsformen der Trennplatte 400 sind in 9 und 10 gezeigt. Ein Austragspfad 410 kann aus einem Schlitz bestehen, der an oder in der Trennplatte 400 ausgebildet ist. Der Schlitz verlauft vertikal zu einem Wafer, der an einem zentralen Abschnitt 430 der Trennplatte 400 angeordnet ist. Obwohl nur ein Schlitz an dem zentralen Abschnitt 430 der Trennplatte 400 ausgebildet sein kann, wie in 8 dargestellt ist, können auch eine Vielzahl an Schlitzen ausgebildet sein, wie in 9 veranschaulicht ist. Optional können die Schlitze variierende Breiten haben, in Einklang mit deren Position, wie in 10 dargestellt ist. Alternativ kann sich bei anderen Ausführungsformen der Erfindung die Weite oder Breite von einem Schlitz allmählich ändern. Ferner können an der Trennplatte 400 ein Loch und ein Schlitz gleichlaufend als Austragspfad 410 ausgebildet sein.
Wenn ein Trocknungsströmungsmittel in den Trocknungsraum 200 zugeführt wird, muß die Innenseite des Trocknungsraumes 200 dekomprimiert werden, um das Trocknungsströmungsmittel auszutragen. Gemäß vielfältiger, als Beispiel gewählter Ausführungsformen der Erfindung wird, wenn ein Wafer "W" zu dem Trocknungsraum 200 überführt wird und der Trocknungsraum 200 und der Reinigungsraum 100 durch die Trennplatte 400 voneinander getrennt werden, die Innenseite des Reinigungsraumes 100 mit DI-Wasser gerillt. Wenn Alkoholdampf in den Trocknungsraum 200 zugeführt wird, wird das DI-Wasser zur Außenseite über das Ablaßrohr 660 abgelassen. Wenn sich die Oberfläche des DI-Wassers allmählich in dem Innenbad 120 des Reinigungsraumes 100 absenkt, wird ein Leerraum in dem Reinigungsraum 120 ausgebildet, um den Druck des Trocknungsraumes 200 zu reduzieren. Der Alkoholdampf, der in den Trocknungsraum 200 zugeführt wurde, strömt in den Reinigungsraum 100, und zwar durch den Austragspfad 410, der an der Trennplatte 400 ausgebildet ist.
Gemäß den vielfältigen, als Beispiel gewählten Ausführungsformen der Erfindung wird der Trocknungsraum 200 dekomprimiert, während das DI-Wasser in dem Innenbad 120 des Reinigungsraumes 100 während des Trocknungsprozesses abgelassen wird. Es ist daher nicht erforderlich, eine spezielle Pumpe zum Dekomprimieren des Trocknungsraumes 200 zu installieren.
Es wird nun die Strömung des Trocknungsströmungsmittels in den Trocknungsraum 200 unter Hinweis auf 11 beschrieben.
Gemäß 11 strömt ein Strömungsmittel, welches von dem ersten Zuführrohr 540a oder dem zweiten Zuführrohr 540b aus zugeführt wird, welches über einem Wafer "W" angeordnet ist, in einer senkrechten Richtung nach unten. An einer unteren Position des Reinigungsraumes 200 strömt das Strömungsmittel zu einem zentralen Abschnitt 430 der Trennplatte 400 hin, wo der Austragspfad 410 ausgebildet ist. Das der Austragspfad 410 unmittelbar unter dem Wafer "W" ausgebildet ist, kann das Strömungsmittel, welches in den Trocknungsraum 200 zugeführt wird, die gesamte Oberfläche von einem oberen Rand zu einem unteren Rand des Wafers "W" trocknen. Da ferner der Austragspfad 410 in einer Reihe senkrecht zu den Wafer "W" ausgebildet ist, können alle Wafer "W" einheitlich getrocknet werden.
Es wird nun ein Reinigungsprozeß gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Hinweis auf die 12 bis 20 beschrieben. 12 bis 18 zeigen Querschnittsansichten, die einen Reinigungsprozeß gemäß einer beispiel haften Ausführungsform der Erfindung wiedergeben. 19 ist ein Flußdiagramm, welches die Schritte eines Reinigungsprozesses gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, und 20 ist ein Floßdiagramm, welches die Schritte eines Trocknungsprozesses wiedergibt, entsprechend einer als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Nach dem Öffnen des oberen Abschnitts der Kammer 10 werden angenähert 50 Wafer "W" in den oberen Bereich der Kammer 10 mit Hilfe eines Überführungsroboters (nicht gezeigt) übertragen. In dem Reinigungsraum 100 wird dann ein Reinigungsprozeß bzw. Reinigungsbehandlung durchgeführt, um einen Wafer "W" unter Verwendung einer chemischen Lösung zu reinigen. Die chemische Lösung kann beispielsweise aus einer Fluorsäure bestehen. Das Ablaßrohr 660 wird mit Hilfe des Öffnen-/Schließventils 662 verschlossen und es wird DI-Wasser, welches Fluorsäure enthält, in das Innenbad 120 von dem Reinigungslösungszuführrohr 520 her zugeführt. Während der Halter 300 nach oben bewegt wird, werden die Wafer 300 in Schlitze des Halters 300 eingesetzt. Wie in 12 gezeigt ist, wird der Halter 300 nach unten in den Reinigungsraum 100 mit Hilfe des Halterantriebsteiles 360 bewegt, und es wird der obere Abschnitt der Kammer 10 verschlossen (S10). Das DI-Wasser, welches die Fluorsäure enthält, reinigt die Oberflächen der Wafer "W". Mit dem Verstreichen der Zeit strömt das DI-Wasser, welches die Fluorsäure enthält, von dem Innenbad 120 über. Das überfließende DI-Wasser fließt in ein Außenbad 140, welches die Seitenwand 122 des Innenbades 120 umschließt, um zur Außenseite hin ausgetragen zu werden, und zwar über das Ablaßrohr 640, welches mit einer unteren Seite 144 des äußeren Bades 140 verbunden ist (S20).
Wenn die Reinigungsbehandlung durch eine chemische Lösung vervollständigt worden ist, startet ein Spülprozeß, um die chemische Lösung zu entfernen, die an der Oberfläche des Wafers "W" anhaftet. Es wird DI-Wasser von dem Reinigungslösungszuführrohr 520 in das Innenbad 120 zugeführt. Das DI-Wasser wird kontinuierlich eine vorbestimmte Zeit zugeführt, so daß es von dem Innenbad 120 überfließt. Das überfließende DI-Wasser fließt in das äußere Bad 140 und wird dann zur Außenseite über das Ablaßrohr 640 abgelassen (siehe 13, S30).
Wenn der Spülprozeß vervollständigt worden ist, werden die Wafer "W" in den Trocknungsraum 200 überführt, indem der Halter 300 nach oben bewegt wird (siehe 14, S40). In diesem Fall wird der Halter 300 mit Hilfe des Halterantriebsteiles 380 nach oben bewegt. Nachdem Anhalten der Zufuhr des DI-Wassers können die Wafer "W" nach oben bewegt werden. Da eine Oberfläche des DI-Wassers absinkt, wenn die Wafer "W" nach oben bewegt werden, kann DI-Wasser von dem Reinigungslösungszuführrohr 520 zugeführt werden, und zwar für eine vorbestimmte Zeit, während die Wafer "W" nach oben bewegt werden.
Die Menge des DI-Wassers in dem Innenbad 120 wird auf einem vollen Pegelstand gehalten. Die Trennplatte 400, die in einem Trennplattenaufnahmeteil 420 aufgenommen ist, wird zwischen den Trocknungsraum 200 und den Reinigungsraum 100 bewegt, um den Trocknungsraum 200 von dem Reinigungsraum 100 zu trennen (siehe 15, S50).
Es wird ein Prozeß zum Trocknen der Wafer durchgeführt (S60). Es wird dann IPA-Dampf von dem ersten Zuführrohr 540a aus zugeführt, welches an dem oberen Abschnitt des Trocknungsraumes 200 installiert ist, und zwar in den Trocknungsraum 200 hinein. Das DI-Wasser, welches an den Oberflächen der Wafer "W" anhaftet, wird durch den IPA-Dampf ersetzt. Um die Oberflächen der Wafer "W" zu trocknen, wird erhitztes Stickstoffgas von dem zweiten Zuführrohr 540b, welches an dem oberen Abschnitt des Trocknungsraumes 200 installiert ist, zugeführt (siehe 16, S61). Während des Trocknungsprozesses wird ein Durchgang des Ablaufrohres 660, welches mit dem Innenbad 120 verbunden ist, geöffnet, um langsam das DI-Wasser abzuziehen, welches das Innenbad 120 füllt (siehe 17, S62). In diesem Fall wird das DI-Wasser in bevorzugter Weise durch die Schwerkraft abgezogen. Wenn das DI-Wasser aus dem Innenbad 120 abgezogen oder abgelassen wird, wird die Oberfläche des DI-Wassers allmählich abgesenkt. Es nimmt daher ein Leerraum in der Größe in dem Innenbad 120 zu und es wird ein innerer Druck des Trocknungsraumes 200 reduziert. Es werden Gase, die den Trocknungsraum 200 füllen, in den Reinigungsraum 100 über den Austragspfad 410 ausgetragen (S63).
Da der Austragspfad 410 an dem zentralen Abschnitt 430 der Trennplatte 400 ausgebildet ist, strömt der Alkoholdampf, der auf die Wafer "W" injiziert wird, sequentiell zu einem oberen Rand, einem zentralen Abschnitt und einem unteren Rand der Wafer "W" und wird dann von dem Austragspfad 410 aus dem Trocknungsraum 200 ausgetragen. Es wird daher eine gesamte Behandlungsoberfläche des Wafers "W" in einheitlicher Form getrocknet. Da der Trocknungsraum 200 dekomprimiert wird, wenn die Oberfläche des DI-Wassers in dem Reinigungsraum 100 absinkt, ist es nicht erforderlich, eine spezielle Pumpe zu installieren. Optional kann jedoch auch eine Pumpe (nicht gezeigt) zum Abziehen des Trocknungsströmungsmittels zu der Seitenwand 220 des Trocknungsraums 200 verwendet werden.
Wenn die Reinigungslösung nicht vollständig aus dem inneren Bad 120 ausgetragen wird, wird ein Kanal eines Austragsrohres 620, welches mit der Austragsöffnung 145 verbunden ist, welche an der Seitenwand 142 des äußeren Bades 140 ausgebildet ist, geöffnet und das Trocknungsströmungsmittel strömt in den Reinigungsraum 100 und wird zur Außenseite über das Austragsrohr 420 ausgetragen (S64). Wenn die Reinigungslösung vollständig aus dem inneren Bad 120 ausgetragen worden ist, wird das Trocknungsströmungsmittel, welches in den Reinigungsraum 100 strömt, zur Außenseite über das Ablaßrohr 660 abgelassen (siehe 18, S65).
Gemäß den früheren als Beispiel gewählten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist ein Austragspfad unmittelbar unter den Wafer ausgebildet, um dadurch alle Wafer einheitlich zu trocknen. Ohne die Verwendung einer speziellen Pumpe werden die Trocknungsströmungsmittel, die zu dem Trocknungsraum zugeführt werden, abgezogen. Ein Behandlungsprozeß mit chemischer Lösung, ein Spülprozeß und ein Trocknungsprozeß werden somit in einer Kammer durchgeführt, um die Zeit zu verkürzen, die zur Durchführung dieser Prozesse erforderlich ist.
Obwohl die vorliegende Erfindung speziell unter Hinweis auf beispielhafte Ausführungsformen veranschaulicht und erläutert wurde, sei darauf hingewiesen, daß für Fachleute auf dem vorliegenden Gebiet verschiedene Änderungen sowohl in der Form als auch in Einzelheiten vorgenommen werden können, ohne jedoch dabei den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen, wie er durch die nachfolgenden Ansprüche definiert ist.

Claims

Verfahren zum Reinigen von Halbleitersubstraten (W) unter Verwendung einer Kammer (10), die einen Reinigungsraum (100) enthält, in welchem die Substrate (W) gereinigt werden, und mit einem Trocknungsraum (200), in welchem die Substrate (W) getrocknet werden, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt: Anordnen der Substrate (W) in dem Reinigungsraum (100); Zuführen einer Reinigungslösung in den Reinigungsraum (100) zum Reinigen der Substrate (W); Bewegen eines Halters (300), in welchen die Substrate (W) plaziert sind, in den Trocknungsraum (200); Bewegen einer Trennplatte (400), in welcher ein Austragspfad (410) ausgebildet ist, zwischen dem Reinigungsraum (100) und dem Trocknungsraum (200), um den Trocknungsraum (200) von dem Reinigungsraum (100) zu trennen; Zuführen eines Trocknungsströmungsmittels in den Trocknungsraum (200) zum Trocknen der Substrate (W), wobei das Trocknen der Substrate die folgenden Schritte umfaßt: Abziehen der Reinigungslösung, die in den Reinigungsraum (100) gefüllt ist, zur Außenseite hin, um die Innenseite des Trocknungsraumes (200) zu dekomprimieren; und Austragen des Trocknungsströmungsmittels, welches in den Trocknungsraum (200) zugeführt wurde, aus dem Trocknungsraum (200) über den Austragspfad (410), der in der Trennplatte (400) ausgebildet ist.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Austragen des Trocknungsströmungsmittels, welches in den Reinigungsraum (100) strömt durch eine Austragsöffnung (145) erfolgt, die an der Seitenwand des Reinigungsraumes (100) ausgebildet ist, während die Reinigungslösung durch ein Ablaßrohr (126) des Reinigungsraumes (100) abgelassen wird; die Austragsöffnung (145) geschlossen wird, wenn die Reinigungslösung vollständig aus dem Reinigungsraum (100) abgelassen wurde; und das Trocknungsströmungsmittels, welches in den Reinigungsraum (100) hineinströmt, über das Ablaßrohr (126) des Reinigungsraumes (100) ausgetragen wird.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Ablaßrohr (126) mit dem Boden des Reinigungsraumes (100) verbunden ist und bei dem das Ablassen der Reinigungslösung aus dem Reinigungsraum (100) durch Schwerkraft realisiert wird.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt gemäß dem Trocknen der Substrate die folgenden Schritte umfaßt: Zuführen von Alkoholdampf auf das Substrat (W); und Zuführen eines erhitzten Trockengases auf das Substrat (W).
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem der Alkoholdampf aus Isopropylalkohol be steht und bei dem das Trockengas aus Stickstoffgas besteht.
Vorrichtung zum Reinigen von Halbleitersubstraten (W), mit: einer Kammer (10) mit einem Reinigungsraum (100), in welchem die Halbleitersubstrate (W) gereinigt werden, und mit einem Trocknungsraum (200), der über dem Reinigungsraum (100) angeordnet ist, in welchem die Halbleitersubstrate (W) getrocknet werden; einem Halter (300), der in der Kammer (10) angeordnet ist und der die Halbleitersubstrate (W) haltert oder abstützt; einem Zuführrohr (540), welches an einem oberen Abschnitt des Trocknungsraumes (200) installiert ist, welches ein Trocknungsströmungsmittel auf das Substrat (W) zuführt; und einer Trennplatte (400), die bewegbar ist, um den Reinigungsraum (100) und den Trocknungsraum (200) voneinander zu trennen oder um den Reinigungsraum (100) und den Trocknungsraum (200) miteinander in Strömungsverbindung zu bringen, wobei ein Austragspfad (410) für das Trocknungsströmungsmittel in der Trennplatte (400) ausgebildet ist, wobei dann, wenn die Reinigungslösung, die den Reinigungsraum (100) füllt, zur Außenseite hin abgelassen wird, die Innenseite des Trocknungsraumes (200) durch das Ablassen dekomprimierbar ist, und das Trocknungsströmungsmittel, welches dem Trocknungsraum (200) zugeführt wird, von dem Trocknungsraum (200) zu dem Reinigungsraum (100) über den Austragspfad (410) der Trennplatte (400) strömt.
Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei beim Ablassen das Trocknungsmittel durch eine Austragöffnung (145) ausströmt, die in der Seitenwand des Reinigungsrau mes (100) ausgebildet ist, und nach dem Ablassen der Reinigungslösung und nach Schließen der Austragsöffnung (145) das Trocknungsströmungsmittel aus dem Ablaßrohr (126) austragbar ist.
Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der das Zuführrohr folgendes aufweist: ein erstes Zuführrohr (540a) zum Zuführen von Alkoholdampf in den Trocknungsraum (200); und ein zweites Zuführrohr (540b) zum Zuführen eines erhitzten Trockengases in den Trocknungsraum (200).
Vorrichtung nach Anspruch 6, ferner mit einem Reinigungslösungszuführrohr (520), welches in dem Reinigungsraum (100) angeordnet ist und welches die Reinigungslösung in den Reinigungsraum (100) injiziert, wobei der Reinigungsraum (100) ferner folgendes aufweist: ein inneres Bad, wo der Halter (300) angeordnet ist; und ein äußeres Bad, welches den oberen äußeren Umfang des Innenbades umschließt, wobei die Reinigungslösung von dem inneren Bad überfließt und in das äußere Bad fließt und wobei eine Ablaßöffnung (149) am Boden des äußeren Bades ausgebildet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 7, bei der die Austragsöffnung (145) an einer Seite des äußeren Bades ausgebildet ist und das Trocknungsströmungsmittel, welches in den Reinigungsraum (100) entlang des Austragspfads (410) der Trennplatte (400) strömt, zur Außenseite über die Austragsöffnung (145) austragbar ist.
Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der die Trennplatte (400) ferner ein Trennplattenbewegungsteil aufweist, mit einer Verbindungsstange, die fest an der Trennplatte angeschlossen ist, und mit einem Antriebsteil zur horizontalen Bewegung der Verbindungsstange.
Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der der Austragspfad (410) wenigstens ein Loch oder einen Schlitz aufweist, der in der Trennplatte (400) ausgebildet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 12, bei der mehrere Löcher oder Schlitze in der Trennplatte (400) ausgebildet sind, wobei die Größen der Löcher oder die Weiten der Schlitze in Einklang mit deren Positionen verschieden sind.
Vorrichtung nach Anspruch 13, bei der die Vielzahl der Löcher oder Schlitze in wenigstens einer Reihe an dem zentralen Abschnitt der Trennplatte (400) ausgebildet sind.
Vorrichtung nach Anspruch 13 oder 14, bei der die Abstände zwischen benachbarten Löchern in Einklang mit deren Ausbildungspositionen verschieden sind.