DE10335814B4 - Gerät mit einem Überführungsroboter zur Herstellung einer integrierten Schaltungsvorrichtung und Verwendung des Gerätes - Google Patents

Gerät mit einem Überführungsroboter zur Herstellung einer integrierten Schaltungsvorrichtung und Verwendung des Gerätes Download PDF

Info

Publication number
DE10335814B4
DE10335814B4 DE10335814A DE10335814A DE10335814B4 DE 10335814 B4 DE10335814 B4 DE 10335814B4 DE 10335814 A DE10335814 A DE 10335814A DE 10335814 A DE10335814 A DE 10335814A DE 10335814 B4 DE10335814 B4 DE 10335814B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
wafers
contact
arm
guide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10335814A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10335814A1 (de
Inventor
Kwang Shin Yongin Lim
Pil-Kwon Yongin Jun
Hun-Jung Suwon Yi
Sang-Oh Seongnam Park
Yong-Kyun Osan Ko
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of DE10335814A1 publication Critical patent/DE10335814A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10335814B4 publication Critical patent/DE10335814B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67313Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67326Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Abstract

Gerät zur Herstellung einer integrierten Schaltungsvorrichtung, mit:
– einer Kammer (100) zur Aufnahme eines Strömungsmittels; und
– einer Führung (200), die in die Kammer (100) eingesetzt ist, auf welcher eine Vielzahl an Wafer (10) mit einem äußeren Umfangsrand angeordnet sind, wobei die Führung (200) wenigstens ein Halterungsteil (210, 220, 230) zum Halter der Wafer (10) und ein Anschlagteil (240) aufweist, wobei jedes Halterungsteil (210, 220, 230) und das Anschlagteil (240) eine Vielzahl an Schlitzen (212, 222) aufweist, wobei die äußeren Umfangränder der Wafer (10) in diese Schlitze (212, 222) eingeführt sind, und wobei das Anschlagteil (240) in Kontakt mit einem Abschnitt des äußeren Umfangsrandes an einer höheren Position als ein Abschnitt des äußeren Umfangsrandes steht, der in Kontakt mit dem Halterungsteil (210, 220, 230) steht oder an dem das Halterungsteil angreift, um zu verhindern, dass die durch das Halterungsteil (210, 220, 230) abgestützen Wafer (10) geneigt werden und...

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein Gerät zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung. Spezifischer betrifft die vorliegende Erfindung ein Gerät zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung, welches eine Waferführung enthält, um Wafer zu halten, und einen Überführungsroboter enthält, um die Wafer auf die Waferführung zu laden.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Um restliche chemische Stoffe, kleine Teilchen und Verunreinigungen zu beseitigen, welche während der Herstellung von integrierten Schaltungen erzeugt werden, ist bei einem Wafer ein Reinigungsprozeß erforderlich. Insbesondere ist ein Reinigungsprozeß zum Beseitigen von feinen Verunreinigungen, die an dem Wafer anhaften, sehr bedeutsam, wenn hochintegrierte Schaltkreise hergestellt werden.
  • Der Waferreinigungsprozeß umfaßt einen chemischen Reinigungsprozeß zum Entfernen von Verunreinigungsteilchen, die auf dem Wafer verblieben sind, wie beispielsweise Kupfer und ursprüngliche Oxide. Dies kann dadurch erreicht werden, indem man ionisiertes Elektrolysewasser oder Fluorwasserstoffsäure verwendet, ebenso einen Spülprozeß anwendet, um die chemisch behandelten Wafer zu reinigen und zwar mit deionisiertem Wasser (DI Wasser), und in dem man einen Trocknungsprozeß anwendet, um die gespülten Wafer zu trocknen. Da eine statische Elektrizität, Wasserflecke (Wassermarken) und lineare Teilchen einen großen nachteiligen Effekt auf die nachfolgenden Reinigungsprozesse haben, ist der Trocknungsprozeß sehr wichtig.
  • In typischer Weise kann ein Spülprozeß Schritte umfassen gemäß (1) Zuführen von DI Wasser vom Boden eines Bades aus, um chemische Stoffe zu beseitigen, die auf dem Wafer verblieben sind, und (2) Überlaufenlassen des DI Wassers. Der Trocknungsprozeß kann die Schritte umfassen gemäß (1) Aufsprühen eines Isopropyl-Alkoholdampfes (IPA) mit einer niedrigeren Spannung als das DI Wasser auf den Wafer, um dadurch einen Marangoni-Effekt zu bewirken, und (2) langsames Abziehen des DI Wassers über ein Rohr, welches am Boden des Bades angeordnet ist.
  • Eine herkömmliche Waferführung wird nun unter Hinweis auf 1 beschrieben. Gemäß 1 wird ein Wafer 10 auf eine Führung plaziert, die in einer Prozeßkammer gelegen ist. Ein typisches Reinigungsgerät enthält eine Kammer, in die ein Strömungsmittel zugeführt wird, und enthält eine Führung zum Halten der Wafer. Die Führung weist Abstützstäbe auf, die eine Vielzahl an Schlitzen enthalten, die es ermöglichen, daß eine Vielzahl an Wafern in einer Massenproduktion verarbeitet werden können. In den letzten Jahren wurde eine halbe Teilung angewendet, um die Schlitz-zu-Schlitz-Teilung der Führungen von 10 mm auf 5 mm zu verkürzen.
  • Als ein Ergebnis können 50 Wafer in einem Bad bearbeitet werden, die vorausgehend so bemessen wurden, daß 25 Wafer verarbeitet werden können. Um eine weitere Erhöhung der Produktivität und Kosteneinsparung zu erreichen, werden Wafer mit einer Größe von 300 mm durch Wafer mit einer Größe von 200 mm ersetzt. Dies führt jedoch zu den folgenden Problemen, die unter Hinweis auf 2A und 2B beschrieben werden.
  • Gemäß 2A und 2B werden Wafer 10 auf die Schlitze einer Führung in einer im wesentlichen vertikalen Position durch einen Überführungsroboter geladen. Während DI Wasser vom Boden eines Bades 110 zugeführt wird, überströmt das Wasser die Wafer 10 in einem Spülprozeß und es wird das DI Wasser langsam bei einem Trocknungsprozeß abgezogen, die Wafer 10 werden in Vibration versetzt und werden in eine geneigte Position bewegt. Selbst wenn ein Wafer mit einer Größe von 200 mm maximal geneigt wird, gelangt dieser nicht in Kontakt mit einem anderen benachbarten Wafer mit einer Größe von 200 mm und zwar aufgrund der Tatsache, daß dazwischen ausreichend Raum vorhanden ist. Wenn jedoch ein Wafer mit einer Größe von 300 mm in dem gleichen Winkel geneigt wird wie der Wafer mit einer Größe von 200 mm, so gelangt dieser in Kontakt mit einem anderen benachbarten Wafer mit einer Größe von 300 mm (siehe 2B).
  • Wenn ein Wafer mit einer Fluorwasserstoffsäure (HF) behandelt wird, wird die Oberfläche des Wafers wasserabweisend. Daher haften die Wafer eng aneinander an. An den Anhaftungsabschnitten der Wafer wird das DI Wasser unvollständig getrocknet. Dies verursacht Wasserflecke und das unerwünschte Teilchen auf der Waferoberfläche verbleiben.
  • Die US 2002/0 066 472 A1 beschreibt ein Gerät zur Waferreinigung und eine Haltevorrichtung für Wafer in diesem Gerät. Die Haltevorrichtung weist symmetrisch angeordnete Halterungsstellen auf gleicher Höhe des Waferrandes auf, wobei die Halterungsstellen als Nuten ausgearbeitet sind.
  • Auch die US 2002/0 076 316 A1 offenbart eine Waferhaltevorrichtung, wie sie zum Beispiel beim Transport von Wafer in der Halbleiterfertigung verwendet. Die Waferhaltevorrichtung hält die in der Regel kreisförmig ausgeführten Wafer an vier symmetrisch angeordneten Haltestellen des Waferrandes. Außerdem wird ein Haltegriff für eine Waferhaltevorrichtung offenbart wie er zum Beispiel beim Wechseln ganzer Waferhaltevorrichtungen eingesetzt werden kann.
  • Auch WO 95/30 240 A2 offenbart verschiedene Ausführungsformen von Waferhaltevorrichtungen mit symmetrisch angeordneten Haltestellen zum Halten des Waferrandes.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Bei einer Ausführungsform enthält ein Gerät zur Herstellung einer integrierten Schaltungsvorrichtung eine Kammer, die mit einem Strömungsmittel gefüllt wird und eine Führung, die in die Kammer eingesetzt ist. Es werden eine Vielzahl an Wafer auf die Führung plaziert. Die Führung besitzt ein Halterungsteil zum Halter oder Abstützen der Wafer und ein Anschlagteil, um zu verhindern, daß die durch das Halterungsteil abgestützten Wafer geneigt werden und in Berührung mit benachbarten Wafer gelangen. Jedes Halterungsteil und das Anschlagteil weist eine Vielzahl an Schlitzen auf, wobei die äußeren Umfangränder der Wafer (10) in diese Schlitze eingeführt sind.
  • Das Anschlagteil steht in Kontakt mit einem Abschnitt des äußeren Umfangsrandes an einer höheren Position als ein Abschnitt des äußeren Umfangsrandes, der in Kontakt mit dem Halterungsteil steht oder an dem das Halterungsteil angreift.
  • Ferner umfasst das Gerät einen Überführungsroboter zum Aufladen und/oder Entladen der Wafer auf und/oder von der Führung, bei dem der Überführungsroboter einen ersten Arm enthält, der eine erste Position des Randes der Wafers (10) abstützt; und einen zweiten Arm, der den Rand der Wafers an einer zweiten Position abstützt, die höher gelegen ist als die erste Position des ersten Armes.
  • In bevorzugter Weise enthält die Führung ein erstes Halterungsteil mit Y-gestalteten Abschnitts-Schlitzen, in die die Bodenränder der Wafer jeweils eingeführt werden, ein zweites Halterungsteil mit V-gestalteten Abschnitts-Schlitzen, in die die Ränder, welche unterhalb eines mittleren Randes der jeweiligen Wafer gelegen sind und zwar auf einer Seite des ersten Halterungsteiles jeweils eingesetzt werden; und ein drittes Halterungsteil mit V-gestalteten Abschnitts-Schlitzen, in die die Ränder oder Kanten der Wafer jeweils eingeführt werden. Das dritte Halterungsteil ist an einer Position entsprechend dem zweiten Halterungsteil von dem ersten Halterungsteil angeordnet.
  • Das Anschlagteil besitzt V-gestaltete Abschnitts-Schlitze, die in Kontakt mit einem Rand zwischen einer höheren Position als dem Rand der jeweiligen Wafer stehen, die durch die Halterungsteile abgestützt werden.
  • Der erste Arm besitzt erste und zweite Schlitze, in welche die Wafer eingeführt werden, wodurch die jeweiligen Wafer an zwei Punkten abgestützt werden. Der untere Schlitz stützt eine Position zwischen einem Rand des Wafers ab, der in Kontakt mit dem zweiten Halterungsteil steht, und einem mittleren Rand desselben.
  • Der zweite Arm enthält einen Ladeabschnitt, der einen ersten Kontaktrand und einen zweiten Kontaktrand aufweist, um die Wafer in Kontakt mit den Wafern zu bewegen. Der erste Kontaktrand steht in Kontakt mit den Wafern zwischen dem Waferrand, an dem das Anschlagteil angreift, und dem Waferrand, der punktsymmetrisch zu einer Kontaktposition des unteren Schlitzes und der Wafer in Bezug auf ein Zentrum des Wafers ist.
  • In einer weiteren Ausführungsform greift der Lastabschnitt mit einem Kontaktrand an dem Wafer an und zwar zwischen dem Abschnitt des äußeren Umfangrandes, der in Kontakt mit dem Anschlagteil steht, und der Position des Randes des Wafers, die in Kontakt mit dem ersten Arm steht.
  • In bevorzugter Weise sind die ersten und die zweiten Kontaktränder durch einen Körperabschnitt verbunden. Der Körperabschnitt wird innerhalb des Bereiches eines vorbestimmten Winkels zusammen mit dem ersten und dem zweiten Kontaktrand gedreht.
  • Der zweite Arm besitzt ferner Seitenabschnitte, die mit beiden Seitenabschnitten des Beladungsabschnittes verbunden sind. Es sind Führungsnuten zum Führen der Drehung des Körperabschnitts an der Innenseite des seitlichen Abschnitts ausgebildet.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Front-Querschnittsansicht einer typischen herkömmlichen Waferführung für die Verwendung in einem Reinigungsgerät;
  • 2A ist eine Querschnittsansicht von Wafern, die durch die herkömmliche Waferführung gehaltert werden, welche in 1 gezeigt ist;
  • 2B zeigt eine Querschnittsansicht, die einen Wafer wiedergibt, der auf einer herkömmlichen Waferführung geneigt ist und in Kontakt mit einem anderen benachbarten Wafer steht;
  • 3 ist ein Diagramm zum Definieren von Abschnitten eines Wafers, der bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
  • 4 zeigt eine auseinandergezogene Querschnittsansicht eines Reinigungsgerätes gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 5 ist eine perspektivische Ansicht einer Waferführung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 6 zeigt eine Front-Querschnittsansicht der Waferführung, die in 5 dargestellt ist;
  • 7 ist eine Querschnittsansicht von Schlitzen, die an einem ersten Halterungsteil der Waferführung ausgebildet sind, die in 5 gezeigt ist;
  • 8A und 8B sind Querschnittsansichten von Schlitzen, die an zweiten und dritten Teilen der Waferführung ausgebildet sind, welche in 5 gezeigt ist;
  • 9 ist ein Diagramm zum Erläutern der Positionen eines Waferrandes, der in Kontakt mit einem Anschlagteil steht;
  • 10 zeigt eine Querschnittsansicht eines Überführungsroboters gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 11 veranschaulicht eine perspektivische Darstellung eines ersten Armes eines Überführungsroboters, der in 10 gezeigt ist;
  • 12 ist ein Diagramm zum Erläutern von Kontaktpositionen, wenn ein Waferrand in Kontakt mit dem zweiten Arm des Überführungsroboters gelangt, der in 10 gezeigt ist;
  • 13 zeigt eine perspektivische Ansicht des zweiten Armes des Überführungsroboters, der in 10 gezeigt ist;
  • 14 ist eine perspektivische Ansicht, welche eine bevorzugte Ausführungsform eines seitlichen Abschnitts des zweiten Armes zeigt, der in 13 wiedergegeben ist;
  • 15 ist eine perspektivische Ansicht, die eine bevorzugte Ausführungsform eines Teiles zeigt, welches in 13 dargestellt ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Gemäß 3 sind Abschnitte eines Wafers 10, der in einer aufrechten Position dargestellt ist, festgelegt. Ein Abschnitt des Wafers 10 am Boden desselben ist als Waferbodenabschnitt 11 definiert. Beide Enden eines Waferdurchmessers, der senkrecht zu einem Durchmesser verläuft, der durch den Waferbodenabschnitt 11 hindurchgeht, sind jeweils als erste und zweite mittlere Abschnitte 12 und 13 dargestellt. Wenn der Wafer bodenabschnitt 11 symmetrisch in Bezug auf ein Zentrum des Wafers 10 liegt, wird der gegenüberliegende Abschnitt als ein Waferkopfabschnitt 14 festgelegt. Es sind nämlich der Waferbodenabschnitt 11 und der Waferkopfabschnitt 14 symmetrisch in Bezug auf das Zentrum des Wafers 10 gelegen.
  • Gemäß 4 enthält ein Reinigungsgerät eine Prozeßkammer 100, in welcher ein Reinigungsprozeß durchgeführt wird, eine Waferführung 200, die in die Waferkammer 100 eingesetzt ist, und einen Überführungsroboter 300 zum Beladen und/oder Entladen einer Vielzahl von Wafer 10 auf und/oder von der Waferführung 200.
  • Die Prozeßkammer 100 enthält ein Bad 110, welches mit einem Strömungsmittel befüllt ist, und einen Deckel 120 zum Bedecken des Bades 110. Eine Vielzahl an Düsen 122, um zum Beispiel Isopropylalkohol (IPA) und Stickstoffgas zu versprühen, sind in dem Deckel 120 vorgesehen. Ein Versorgungsloch (nicht gezeigt) zum Zuführen einer Flüssigkeit wie beispielsweise deionisiertem Wasser (DI Wasser) ist für das Bad 110 vorgesehen. Ein Rohr 112 zum Abziehen der Flüssigkeit ist am Boden des Bades 110 angebracht.
  • Gemäß 5 und 6 enthält die Waferführung 200 zum Halten der Wafer 10 ein erstes Halterungsteil 210, ein zweites Halterungsteil 220 und ein drittes Halterungsteil 230 und ein Anschlagteil 240.
  • Das erste Halterungsteil 210 enthält eine Vielzahl an Schlitzen 212, in die die Waferbodenabschnitte 11 (siehe 3) jeweils eingeführt werden.
  • Gemäß 7 verläuft jeder der Schlitze 212 konisch nach unten bzw. verjüngt sich nach unten und zwar von seinem Eintrittsbereich zu einer vorbestimmten Position hin und besitzt eine konstante Weite oder Breite unterhalb der vorbestimmten Position, d. h. besitzt eine Y-gestaltete Form oder Abschnitt. Um den Wafer 10 stabil einzuführen und eine Beschädigung desselben zu vermeiden, ist der Abschnitt mit der konstanten Weite („Spielraum in der Y-gestalteten Nut") weiter als die Dicke des Wafers 10 beträgt.
  • Gemäß 6 haltert das zweite Halterungsteil 220 einen Rand zwischen dem Waferbodenabschnitt (11 von 3) und einem ersten Wafermittelabschnitt (12 in 3). Das zweite Halterungsteil 220 enthält eine Vielzahl an Schlitzen 222 (5), in die die Wafer 10 jeweils eingeführt werden. Der Abschnitt der jeweiligen Schlitze 222, die in dem zweiten Halterungsteil 220 ausgebildet sind, unterscheidet sich von demjenigen der jeweiligen Schlitze, die in dem ersten Halterungsteil 210 ausgebildet sind.
  • Gemäß 8A und 8B verläuft jeder der Schlitze 222 nach unten hin konisch bzw. verjüngt sich nach unten hin und nach innen zu, um eine im wesentlichen V-gestaltete Konfiguration zu bilden. Das untere Ende der Schlitze 222 kann entweder spitz zuverlaufen oder kann bei der Konstruktion abgeflacht werden.
  • Gemäß 5 sind das dritte Halterungsteil 230 und das zweite Halterungsteil 220 symmetrisch in Bezug auf das erste Halterungsteil 210 angeordnet. Das dritte Halterungsteil 230 enthält eine Vielzahl an Schlitzen 232. Ein Rand zwischen dem Waferbodenabschnitt 11 und dem zweiten Wafer-Mittelabschnitt 13 wird in jeweilige Schlitze 232 des dritten Halterungsteiles 230 eingeführt. In bevorzugter Weise besitzt der Schlitz 232 des dritten Halterungsteiles 230 den gleichen Abschnitt wie der Schlitz 222 des zweiten Halterungsteiles 220. Das erste und das zweite Halterungsteil 210 und 220 als auch das erste und das dritte Halterungsteil 210 und 230 sind voneinander beabstandet, so daß eine Flüssigkeit wie beispielsweise DI Wasser sanft dazwischen strömen oder fließen kann. Das dritte Halterungsteil 230 spielt eine Rolle bei der Halterung der Wafer 10 in einer stabilen Weise und braucht nicht in jedem Fall vorgesehen zu werden.
  • Bei einigen Ausführungsformen können mehr Halterungsteile vorgesehen werden und es können die Positionen der Ränder, die durch die Halterungsteile abgestützt oder gehaltert werden, variieren.
  • Da, wie an früherer Stelle festgestellt wurde, der Spielraum in der Y-gestalteten Nut der jeweiligen Schlitze 212 weiter ist als die Dicke eines Wafers beträgt, werden die Wafer 10, die durch die Waferführung 200 gehalten werden, in Vibration versetzt und werden geneigt, wenn das DI Wasser bzw. dessen Pegel ansteigt oder abfällt. In einem ernsten Fall gelangen benachbarte Wafer 10 miteinander in Berührung, so daß sie unvollständig getrocknet werden.
  • Um dieses Problem in den Griff zu bekommen, ist die Waferführung 200 mit dem Anschlagteil 240 ausgestattet, um eine Neigung der Wafer 10 zu vermeiden. Das Anschlagteil 240 besitzt Schlitze 242, in die die Ränder der Wafer 10 jeweils eingeführt werden. Das Anschlagteil 240 steht in Kontakt mit einem Waferrand und ist so positioniert, daß es höher liegt als der Rand des Wafers 10, der in die zweiten Halterungsteile 220 und 230 eingeführt ist.
  • Wenn ein Wafer 10 in Berührung mit dem Anschlagteil 240 gelangt, werden die maximalen Neigungsabstände des Wafers 10 variiert und zwar abhängig von den Randhöhen des Wafers 10. Die variierten Abstände werden nun weiter unten unter Hinweis auf 9 beschrieben.
  • Gemäß 9 beträgt der Spielraum in den Nuten des ersten Halterungsteiles 210 etwa 0,95 mm. Der Durchmesser eines Wafers 10, der in die Führung 200 eingeführt ist, liegt bei 300 mm. In 9 bezeichnen „A, B und C" Ränder oder Kanten eines Wafers 10, der in das Anschlagteil 240 eingesetzt ist, und „a, b und c" bezeichnen horizontale Abstände zwischen einem Wafer 10, der an verschiedenen geneigten Positionen 10', 10'' und 10''' gelegen ist.
  • Beispielhafte Höhen von einem Waferbodenabschnitt 11 zu den Rändern A, B und C betragen 54,6 mm bzw. 82,6 mm bzw. 150 mm. Beispielhafte horizontale Abstände a, b und c betragen 2,7 mm bzw. 1,7 mm bzw. 0,2 mm.
  • Es kann eine Situation entstehen, wenn der Abstand zwischen den jeweiligen Wafern 10 bei 5 mm liegt und zwar basierend auf einer halben Teilung. Wenn dann der Rand A des Wafers 10 in Kontakt mit dem Anschlagteil 240 gelangt, gelangen benachbarte Wafer 10 miteinander in Berührung. Wenn jedoch die Ränder B und C des Wafers 10 in Kontakt mit dem Anschlagsteil 240 stehen, tritt das Waferkontaktierungsproblem, welches oben beschrieben ist, nicht mehr auf.
  • Wenn ein Rand oder Kante eines Wafers 10 in das Anschlagteil 240 eingeführt wird und aus dem zweiten Wafer-Mittelabschnitt 13 besteht, wird der Neigungsabstand des Wafers 10 minimiert. Aus diesem Grund beschriebt diese Ausführungsform den Fall, bei dem der zweite Wafermittelabschnitt 13 in Kontakt mit dem Anschlagteil 240 steht. Wenn jedoch die Neigung und die Kontaktierung von benachbarten Wafern 10 verhindert werden kann und zwar aufgrund des Abstandes zwischen den Wafer 10 und dem Spielraum in der Nut, kann der Rand des Wafers 10 (d. h. ein unterer Teil des zweiten Wafermittelabschnitts 13) in Kontakt mit dem Anschlagteil 240 gelangen.
  • Ähnlich wie die Schlitze 222, die an dem zweiten Halterungsteil 220 ausgebildet sind, besitzt jeder der Schlitze 240, die an dem Anschlagteil 240 ausgebildet sind, eine im wesentlichen V-gestaltete Konfiguration. Das Anschlagteil 240 und das dritte Halterungsteil 230 sind voneinander beabstandet, so daß das DI Wasser sanft zwischen diesen strömen oder fließen kann.
  • Die Wafer 10 werden nicht in einer unerwünschten Weise in eine im wesentlichen geneigte Position bewegt und zwar aufgrund der Verwendung der Waferführung 200 des Reinigungsgerätes gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Waferführung 200 schafft die Möglichkeit zu verhindern, daß die Wafer 10 bei einem Reinigungsprozeß in Kontakt gelangen und es werden dadurch Probleme vermieden, die damit verbunden sind, und die oben beschrieben wurden.
  • Es werden die Wafer 10 auf die Waferführung 200 geladen und werden von der Waferführung 200 entladen und zwar mit Hilfe eines Überführungsroboters 300. Da ein erster Arm und ein zweiter Arm eines typischen Überführungsroboters die gleiche Länge haben und in Kontakt mit dem Rand eines Wafers stehen und zwar auch an einer ausreichend niedrigen Position, unterstützt der Überführungsroboter lediglich den Wafer und stößt den Wafer nicht mit Kraft an. Solch ein Roboter kann die Wafer 10 nicht auf die Waferführung 200 laden und/oder die Wafer 10 von der Waferführung 200 entladen. Daher besitzt der Überführungsroboter 300 eine abweichende Konstruktion im Vergleich zu dem Typ des Überführungsroboters 300.
  • Ein Überführungsroboter gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird nun weiter unten unter Hinweis auf 10 beschrieben. Speziell ist in 11 ein erster Arm des Überführungsroboters veranschaulicht.
  • Gemäß 10 besitzt ein Überführungsroboter 300 eine Roboterantriebseinheit 320, einen ersten Arm 340 und einen zweiten Arm 360. Der erste Arm 340 haltert den Rand des Wafers, der höher gelegen ist als der Rand des Wafers 10, der durch das zweite Halterungsteil 220 abgestützt wird (siehe 12). Der zweite Arm 360 unterstützt den Wafer 10, in dem er an einen Rand stößt, der höher gelegen ist als der Rand eines Wafers, der in Kontakt mit dem Anschlagteil 240 steht, was mit einer vorbestimmten Kraft geschieht.
  • Der erste und der zweite Arm 340 und 360 kann innerhalb eines bestimmten Bereiches gedreht werden und zwar mit Hilfe einer Roboter-Antriebseinheit 320, die in 10 gezeigt ist, um die Wafer 10 zu halten.
  • Gemäß 11 besitzt der erste Arm 340 einen Halterungsabschnitt 341, der mit ersten Armseitenabschnitten 346 verbunden ist. Die ersten Armseitenabschnitte 346 liegen einander gegenüber und der Halterungsabschnitt 341 ist dazwischen fest bzw. ortsfest angeordnet.
  • Der Halterungsabschnitt 341 besitzt untere Schlitze 342 und obere Schlitze 344, um die Wafer 10 zu haltern. Somit steht der Wafer 10 in Kontakt mit dem Halterungsabschnitt 341 und zwar an zwei Stellen (d. h. den oberen Schlitz und den unteren Schlitz), um eine Kraft zu verteilen, die auf die Wafer 10 von dem im folgenden beschriebenen zweiten Arm 360 ausgeübt wird.
  • Wie an früherer Stelle erwähnt wurde, enthält im Gegensatz zu einer typischen Waferführung die Waferführung 200 gemäß der vorliegenden Erfindung das Anschlagteil 240. Demzufolge kann der zweite Arm 360 nicht in Berührung mit dem Rand eines Wafers 10 gelangen, der an der gleichen Position wie der Rand eines Wafers 10 gelegen ist, welcher durch den ersten Arm 340 abgestützt oder gehaltert wird. Der zweite Arm 360 muß in Kontakt mit dem Rand eines Wafers 10 an einer höheren Position als der Rand eines Wafers 10 gebracht werden, der durch den ersten Arm 340 abgestützt oder gehaltert wird. Als ein Ergebnis ist der zweite Arm 360 kürzer ausgeführt als der erste Arm 340 (siehe 10 und 12).
  • 12 veranschaulicht die Positionen von bestimmten Komponenten der Erfindung, wenn der Rand eines Wafers 10 in Kontakt mit dem zweiten Arm 360 steht. Gemäß 12 ist eine Kontaktstelle des Anschlagteiles 240 und eines Wafers 10 mit einem „X"-Punkt bezeichnet, und eine Kontaktstelle des unteren Schlitzes 342 des ersten Armes 340 und des Wafers 10 ist als „Y"-Punkt bezeichnet. Ferner ist das Zentrum des Wafers 10 als „0"-Punkt bezeichnet. Die Position des Wafers 10, der symmetrisch zu dem Y-Punkt ist, und zwar in Bezug auf den 0-Punkt, ist als „Z"-Punkt definiert. Um die Wafer 10 in einer stabilen Weise zu übertragen und aufzuladen und/oder abzuladen, muß der zweite Arm 360 sich entgegen einem Rand des Wafers 10 zwischen dem X-Punkt und dem Z-Punkt bewegen. Auf diese Weise wird die Länge des zweiten Armes 360 zum Vereinfachen des oben beschriebenen Vorganges festgelegt.
  • Um nun auf 13 bis 15 einzugehen, so besitzt der zweite Arm 360 zweite Armseitenabschnitte 362, die mit einem Lastabschnitt 370 verbunden sind. Die zweiten Armabschnitte 362 zeigen zueinander hin und der Lastabschnitt 370 ist dazwischen angeschlossen.
  • Jeder der zweiten Armseitenabschnitte 362 besitzt eine Führungsnut 366 an einer Seite, an die der Lastabschnitt 370 angeschlossen ist. Die Führungsnut 366 ist so konstruiert, um die Drehung des Lastabschnittes 360 zu lenken. Das Profil 367 der Führungsnut 366 besitzt einen größeren Krümmungsradius als ein noch später zu beschreibender Körperabschnitt des Lastabschnitts 370. Eine kreisförmige Öffnung 368 ist in der Führungsnut 366 ausgebildet. Ein drehbarer Stift 378 des Lastabschnitts 370 ist in die Öffnung 368 eingeführt.
  • Der Lastabschnitt 370 besitzt einen gekrümmten Körperabschnitt 376, der einen ersten Kontaktrand 372 enthält und auch einen zweiten Kontaktrand 374 enthält. Der erste Kontaktrand 372 ist an einem unteren Teil des Lastabschnitts 370 angeordnet und besitzt Schlitze, in die die Wafer 10 jeweils eingeführt werden. Der zweite Kontaktrand 374 ist an einem oberen Teil des Lastabschnitts 370 angeordnet und besitzt Schlitze ähnlich den Schlitzen in dem ersten Kontaktrand 372. Die ersten und die zweiten Kontaktränder 372 und 374 sind durch den gekrümmten Körperabschnitt 376 miteinander verbunden.
  • Der Lastabschnitt 370 enthält ferner einen Drehstift 378, der in die Öffnung 368 des zweiten Armseitenabschnitts 362 eingeführt ist. Um jegliche Spannung freizugeben oder abzubauen, die auf den Wafer 10 aufgebracht wird, wenn dieser durch den zweiten Arm 360 gehalten wird, ermöglicht es der Stift 378, daß der Lastabschnitt 370 innerhalb eines vorbestimmten Bereiches gedreht werden kann.
  • Wie bereits an früherer Stelle dargelegt wurde, enthält der Überführungsroboter 300 einen ersten und einen zweiten Arm 340 und 360, die mit Rändern an unterschiedlichen Höhen in Kontakt stehen. Der Überführungsroboter 300 ist bei der Waferführung 200 mit dem Anschlagteil 240 anwendbar.
  • Wenn nicht ein Fall vorliegt, bei dem Wafer an einem Punkt bewegt werden, gelangt der zweite Arm 360 in Kontakt mit den Wafern 10 und zwar an zwei Punkten, um diese zu bewegen. Demzufolge wird die Kraft, die auf die Wafer 10 durch den Überführungsroboter übertragen wird, in einer mehr allgemeineren Weise aufgebracht. Wenn ferner der Lastabschnitt 370 in Kontakt mit den Wafern 10 steht, wird dieser gedreht, um eine Spannung abzubauen, die auf die Wafer 10 aufgebracht wird.
  • Die vorliegende Erfindung, die soweit erklärt wurde, führt zu den folgenden Vorteilen:
    • (1) Eine Waferführung besitzt ein Anschlagteil, um zu verhindern, daß benachbarte Wafer geneigt werden und miteinander in Kontakt geraten. Es wird somit möglich, die Probleme hinsichtlich einer schlechten Trocknung mit der Entstehung von Wasserflecken (oder Wassermarken) zu überwinden, die dann erzeugt werden, wenn Wafer in einem Trocknungsprozeß aneinanderhaften.
    • (2) Ein erster Arm und ein zweiter Arm eines Überführungsroboters unterstützt oder haltert die Ränder an unterschiedlichen Höhen, um dadurch das Beladen und/oder Entladen der Wafer auf und/oder von einer Waferführung zu vereinfachen, die ein Anschlagteil aufweist, und zwar in einer stabilen Weise.
    • (3) Es stehen erste und zweite Arme des vorliegenden Gerätes zur Herstellung einer integrierten Schaltungsvorrichtung in Kontakt mit einem Wafer und zwar an vielen Punkten, um die Kraft zu verteilen, die auf den Wafer übertragen wird.
    • (4) Wenn der zweite Arm in Kontakt mit einem Wafer steht, wird das vorliegende Gerät zur Herstellung einer integrierten Schaltungsvorrichtung innerhalb eines vorbestimmten Bereiches gedreht, um die Spannungen abzubauen oder zu beseitigen, die auf den Wafer aufgebracht werden.

Claims (12)

  1. Gerät zur Herstellung einer integrierten Schaltungsvorrichtung, mit: – einer Kammer (100) zur Aufnahme eines Strömungsmittels; und – einer Führung (200), die in die Kammer (100) eingesetzt ist, auf welcher eine Vielzahl an Wafer (10) mit einem äußeren Umfangsrand angeordnet sind, wobei die Führung (200) wenigstens ein Halterungsteil (210, 220, 230) zum Halter der Wafer (10) und ein Anschlagteil (240) aufweist, wobei jedes Halterungsteil (210, 220, 230) und das Anschlagteil (240) eine Vielzahl an Schlitzen (212, 222) aufweist, wobei die äußeren Umfangränder der Wafer (10) in diese Schlitze (212, 222) eingeführt sind, und wobei das Anschlagteil (240) in Kontakt mit einem Abschnitt des äußeren Umfangsrandes an einer höheren Position als ein Abschnitt des äußeren Umfangsrandes steht, der in Kontakt mit dem Halterungsteil (210, 220, 230) steht oder an dem das Halterungsteil angreift, um zu verhindern, dass die durch das Halterungsteil (210, 220, 230) abgestützen Wafer (10) geneigt werden und in Berührung mit benachbarten Wafern (10) gelangen, ferner mit einem Überführungsroboter (300) zum Aufladen und/oder Entladen der Wafer (10) auf und/oder von der Führung (200), bei dem der Überführungsroboter (300) folgendes enthält: – einen ersten Arm (340), der eine erste Position des Randes der Wafers (10) abstützt; und – einen zweiten Arm (360), der den Rand der Wafers (10) an einer zweiten Position abstützt, die höher gelegen ist als die erste Position des ersten Armes (340).
  2. Gerät nach Anspruch 1, bei dem die Führung (200) folgendes enthält: – ein erstes Halterungsteil (210) zum Haltern der Wafer (10) an einer ersten Stelle; und – ein zweites Halterungsteil (220) zum Haltern der Wafer (10) an einer zweiten Stelle, die niedriger liegt als die erste Stelle.
  3. Gerät nach Anspruch 1, wobei die Schlitze (212, 222) von jedem Halterungsteil (210, 220, 230) entweder eine im wesentlichen Y-gestaltete Konfiguration oder eine im wesentlichen V-gestaltete Konfiguration aufweisen, und wobei das Anschlagsteil (240) Schlitze mit einer im wesentlichen V-gestalteten Konfiguration aufweist.
  4. Gerät nach Anspruch 2, bei dem die Führung (200) ferner ein drittes Halterungsteil (230) aufweist; und bei dem das dritte Halterungsteil (230) und das zweite Halterungsteil (220) im wesentlichen symmetrisch in Bezug auf das erste Halterungsteil (210) sind.
  5. Gerät nach Anspruch 1, bei dem der erste Arm (340) eine Vielzahl an Schlitzen (342, 344) enthält, in die die Wafer (10) eingesetzt werden können.
  6. Gerät nach Anspruch 1, bei dem der zweite Arm (360) einen Lastabschnitt (370) aufweist, um an die Wafer (10) anzugreifen und diese zu bewegen.
  7. Gerät nach Anspruch 6, bei dem der Lastabschnitt (370) mit einem Kontaktrand (372, 374) an dem Wafer (10) angreift und zwar zwischen dem Abschnitt des äußeren Umfangrandes, der in Kontakt mit dem Anschlagteil (240) steht, und der Position des Randes des Wafers (10), die in Kontakt mit dem ersten Arm (340) steht.
  8. Gerät nach Anspruch 6, bei dem der Lastabschnitt (370) ferner eine Vielzahl an Kontakträndern (372, 374) aufweist, um die Kraft zu verteilen, die durch den zweiten Arm (360) auf den Wafer (10) übertragen wird.
  9. Gerät nach Anspruch 6, bei dem der Lastabschnitt (370) erste und zweite Kontaktränder (372, 374) und einen Körperabschnitt (376) aufweist, der die ersten und zweiten Kontaktränder (372, 374) miteinander verbindet, wobei der Lastabschnitt (370) innerhalb eines vorbestimmten Winkelbereiches drehbar ist.
  10. Gerät nach Anspruch 9, bei dem der zweite Arm (360) ferner Führungsnuten (366) aufweist, um die Drehung des Lastabschnitts (370) zu führen.
  11. Gerät nach Anspruch 10, bei dem die Führungsnut (366) eine darin ausgebildete Öffnung (368) aufweist und bei dem der Lastabschnitt (370) ferner ein Drehteil (378) enthält, welches drehbar in die Öffnung (368) eingeführt ist.
  12. Verwendung eines Gerätes nach Anspruch 1 derart, dass die Kammer (100) zum Reinigen von Wafern (10) verwendet wird.
DE10335814A 2002-08-05 2003-08-05 Gerät mit einem Überführungsroboter zur Herstellung einer integrierten Schaltungsvorrichtung und Verwendung des Gerätes Expired - Fee Related DE10335814B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0046060A KR100481855B1 (ko) 2002-08-05 2002-08-05 집적회로 제조 장치
KR2002/46060 2002-08-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10335814A1 DE10335814A1 (de) 2004-03-04
DE10335814B4 true DE10335814B4 (de) 2009-08-20

Family

ID=31185799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10335814A Expired - Fee Related DE10335814B4 (de) 2002-08-05 2003-08-05 Gerät mit einem Überführungsroboter zur Herstellung einer integrierten Schaltungsvorrichtung und Verwendung des Gerätes

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6905570B2 (de)
JP (1) JP4227858B2 (de)
KR (1) KR100481855B1 (de)
DE (1) DE10335814B4 (de)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100487541B1 (ko) * 2002-09-06 2005-05-03 삼성전자주식회사 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드들
US20050061775A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Kuo-Tang Hsu Novel design to eliminate wafer sticking
KR100564622B1 (ko) * 2004-04-09 2006-03-28 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 린스 및 건조장치 및 방법
CN1910675A (zh) * 2004-08-30 2007-02-07 松下电器产业株式会社 光学信息记录介质及其制造方法
US7237685B2 (en) * 2004-10-06 2007-07-03 Green Touch Industries, Inc. Storage rack with tapered slots
US20060076254A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-13 Corbitt John D Jr Surgical instrument organizer
KR100631928B1 (ko) * 2005-12-02 2006-10-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정장치에서의 웨이퍼 가이드
US7896602B2 (en) * 2006-06-09 2011-03-01 Lutz Rebstock Workpiece stocker with circular configuration
JP4832252B2 (ja) * 2006-10-30 2011-12-07 信越ポリマー株式会社 ウェーハカセット
DE202007012384U1 (de) * 2007-08-31 2007-11-22 Jonas & Redmann Automationstechnik Gmbh Kammartiger Halter einer Halterungsvorrichtung für scheibenartige Substrate wie Solarzellenwafer
KR101231182B1 (ko) * 2007-09-12 2013-02-07 삼성전자주식회사 반도체 세정 설비의 웨이퍼 브로큰 방지용 웨이퍼 가이드
US20090071918A1 (en) * 2007-09-18 2009-03-19 Panchapakesan Ramanarayanan Vertical semiconductor wafer carrier
US7971734B2 (en) * 2008-01-30 2011-07-05 Asm International N.V. Wafer boat
TWI337162B (en) * 2008-07-31 2011-02-11 Gudeng Prec Industral Co Ltd A wafer container with constraints
US8684191B2 (en) * 2009-12-04 2014-04-01 Honeywell International Inc. Card rack system
US9117863B1 (en) * 2013-05-16 2015-08-25 Seagate Technology Llc Cassette configurations to support platters having different diameters
US9597791B2 (en) * 2014-01-08 2017-03-21 Ryan Neal Tool holder
TWM508112U (zh) * 2015-04-30 2015-09-01 Chung King Entpr Co Ltd 用於太陽能電池之基板載具
KR102503199B1 (ko) * 2016-03-04 2023-02-24 주식회사 케이씨텍 배치식 세정기의 로딩장치
CN206961808U (zh) * 2017-07-14 2018-02-02 君泰创新(北京)科技有限公司 硅片清洗工装
DE102017218453A1 (de) 2017-10-16 2019-04-18 Clariant Plastics & Coatings Ltd Flammwidrige und farbstabile Polyamidformmassen
US10898981B2 (en) * 2018-12-19 2021-01-26 Amada Holdings Co., Ltd. Workpiece storage device and workpiece loading method
JP6996488B2 (ja) * 2018-12-26 2022-01-17 株式会社Sumco シリコンウェーハのバッチ式洗浄方法並びにその洗浄方法を用いたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの洗浄条件決定方法
KR20210100798A (ko) 2020-02-06 2021-08-18 삼성디스플레이 주식회사 기판용 카세트
CN111634687B (zh) * 2020-06-04 2021-08-10 无锡亚电智能装备有限公司 一种晶圆篮清洗设备进料机构及进料方法
USD996851S1 (en) * 2021-05-17 2023-08-29 Ideastream Consumer Products, Llc Album holder

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995030240A2 (en) * 1994-04-28 1995-11-09 Semitool, Incorporated Semiconductor processing systems
US20020066472A1 (en) * 1997-12-26 2002-06-06 Haruki Sonoda Wafer cleaning device and tray for use in wafer cleaning device
US20020076316A1 (en) * 2000-12-18 2002-06-20 Benzing David W. Wafer boat and boat holder

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4256229A (en) * 1979-09-17 1981-03-17 Rockwell International Corporation Boat for wafer processing
JPH07111960B2 (ja) * 1986-06-09 1995-11-29 ロ−ム株式会社 チユ−ブ液処理装置
JP3194209B2 (ja) * 1992-11-10 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置
US5520205A (en) * 1994-07-01 1996-05-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for wafer cleaning with rotation
JPH08195431A (ja) * 1995-01-12 1996-07-30 Tokyo Electron Ltd 基板保持具及び洗浄装置
US5704494A (en) * 1995-06-16 1998-01-06 Nihon Plast Co., Ltd. Disc holder
TW322605B (de) * 1995-12-07 1997-12-11 Tokyo Electron Co Ltd
KR980001272A (ko) 1996-06-13 1998-03-30 양재신 차량용 재털이 개폐장치
KR100197147B1 (ko) 1996-06-29 1999-06-15 토니 헬샴 유압식 건설기계의 자동 주행변속 및 승압장치
JPH10270411A (ja) * 1997-03-28 1998-10-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置
KR100225938B1 (ko) 1997-06-18 1999-10-15 정몽규 차량용 자동 변속기의 유압 제어시스템
KR100268813B1 (ko) * 1998-04-06 2000-11-01 김동섭 반도체 웨이퍼 캐리어
KR20000002790U (ko) * 1998-07-10 2000-02-07 김영환 웨이퍼 캐리어
KR100316743B1 (ko) * 1999-06-02 2001-12-12 윤종용 반도체장치 제조용 습식챔버 및 이를 이용한 웨이퍼의 식각방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995030240A2 (en) * 1994-04-28 1995-11-09 Semitool, Incorporated Semiconductor processing systems
US20020066472A1 (en) * 1997-12-26 2002-06-06 Haruki Sonoda Wafer cleaning device and tray for use in wafer cleaning device
US20020076316A1 (en) * 2000-12-18 2002-06-20 Benzing David W. Wafer boat and boat holder

Also Published As

Publication number Publication date
JP4227858B2 (ja) 2009-02-18
KR100481855B1 (ko) 2005-04-11
US6905570B2 (en) 2005-06-14
DE10335814A1 (de) 2004-03-04
US20040022607A1 (en) 2004-02-05
JP2004096101A (ja) 2004-03-25
KR20040013223A (ko) 2004-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10335814B4 (de) Gerät mit einem Überführungsroboter zur Herstellung einer integrierten Schaltungsvorrichtung und Verwendung des Gerätes
DE69736378T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von zu verarbeitenden Objekte
DE602005000450T2 (de) Naher Fluidmeniskusverteiler
DE60027946T2 (de) Verfahren zum Ätzen und Reinigen und Vorrichtung dafür
EP1372186B1 (de) Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
DE10164192B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Substraten
DE60033084T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung einer Metallschicht auf die Oberfläche einer Keimschicht eines Halbleiterwafers
DE3930056C2 (de) Behandlungskorb zur Aufnahme dünner Platten, insbesondere von Halbleiterwafern
DE10039672B4 (de) Substratverarbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
DE102006017056A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen eines Halbleiterwafers
DE102004039059B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Halbleitersubsstraten
EP0894337B1 (de) Anlage zur nassbehandlung von substraten
DE4103084C2 (de)
DE69833847T2 (de) Verfahren zum Entfernen von Teilchen und Flüssigkeit von der Oberfläche eines Substrats
DE102017214522A1 (de) Transfervorrichtung für ein plattenförmiges Werkstück und Bearbeitungsvorrichtung
DE102004041619B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Entfernen eines Beschichtungsfilmes
DE69933806T2 (de) Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Substrats und Verfahren zur Trennung des Substrats von der Vorrichtung
DE19753471C2 (de) Wafer-Träger- und/oder -Beförderungs-Vorrichtung
DE60022355T2 (de) Verfahren zur überprüfung von vorbearbeitungsregelungen in einem waferreinigungssystem
WO2017033076A1 (de) Substratträger
DE212005000047U1 (de) System zum Dünnen eines Halbleiter-Werkstücks
WO2000002234A2 (de) Verfahren und vorrichtung zum reinigen von substraten
DE10345379B3 (de) Vorratstank für Prozessflüssigkeiten mit einer reduzierten Menge an Blasen und Verfahren zum Betreiben desselben
EP1464075A2 (de) Vorrichtung und verfahren zum behandeln von scheibenförmigen substraten
DE102007057297A1 (de) Elektrolytische Aufbereitungsvorrichtung und Verfahren zur elektrolytischen Aufbereitung, zum Waschen und Trocknen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20130301