DE69933806T2 - Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Substrats und Verfahren zur Trennung des Substrats von der Vorrichtung - Google Patents

Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Substrats und Verfahren zur Trennung des Substrats von der Vorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE69933806T2
DE69933806T2 DE69933806T DE69933806T DE69933806T2 DE 69933806 T2 DE69933806 T2 DE 69933806T2 DE 69933806 T DE69933806 T DE 69933806T DE 69933806 T DE69933806 T DE 69933806T DE 69933806 T2 DE69933806 T2 DE 69933806T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
workpiece holding
lifting
holding plate
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69933806T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69933806D1 (de
Inventor
Yasuyuki Minato-ku Satou
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC LCD Technologies Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC LCD Technologies Ltd filed Critical NEC LCD Technologies Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE69933806D1 publication Critical patent/DE69933806D1/de
Publication of DE69933806T2 publication Critical patent/DE69933806T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Erfindungsgebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Substrats und ein Verfahren zum Trennen des Substrats von der Vorrichtung, wobei das Substrat Halbleiterwafer, Glasstrukturen für LCDs und dergleichen umfasst.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • In einem Verfahren zur Herstellung von Halbleitern ist es in weitem Umfang üblich, ein Werkstück, wie beispielsweise Halbleiterwafer, Glassubstrate für LCD und dergleichen auf einer Werkstückhalteplatte zu montieren und das Werkstück auf eine vorbestimmte Weise zu bearbeiten. Beispielsweise sind für eine Vorrichtung zum Erwärmen des Substrats mehrere Beispiele solcher Vorrichtungen in den offengelegten japanischen Patentanmeldungen Nr. Hei7-201718 und Hei6-97269 gezeigt, wobei eine Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats, d. h. eine sogenannte Heizplatte, verwendet ist.
  • Die 7, 8 und 9 zeigen ein Beispiel einer herkömmlichen Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats. Diese herkömmliche Vorrichtung ist versehen mit: einer Werkstückhalteplatte 60 zum Tragen eines Substrats "G" als einem Werkstück darauf; einem Heizelement 62 zum Zuführen von Wärme zu dem Substrat "G" durch die Werkstückhalteplatte 60; einer Anzahl von Hebestiften 70 zum Abheben des Substrats "G"; und einem Abdeckelement 66 zum Definieren eines Behandlungsraums 64, das über dem Substrat "G" vorgesehen ist, das dazu dient, Gase auszustoßen, die während der Wärmebehandlungsvorgänge des Werkstücks erzeugt worden sind. Eine Anzahl von Durchgangslöchern 68 sind sowohl in der Werkstückhalteplatte 60 als auch dem Heizelement 62 ausgebildet. In jedem dieser Durchgangslöcher 68 ist jeweils einer der Anhebestifte 70 so eingesetzt, dass er relativ zu dem Durchgangsloch auf und ab bewegbar ist. Im Betrieb, wenn der Anhebestift 70 durch einen Kolben 78 eines Zylindermechanismus 76 auf und ab bewegt wird, wird das Substrat "G" von der Werkstückhalteplatte 60 auf eine außerhalb liegende Einrichtung transferiert oder umgekehrt.
  • In diesem Fall ist die Werkstückhalteplatte 60 aus einer quadratischen Aluminiumlegierungsplatte aufgebaut, die eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit hat und an ihrer Oberfläche mit einer Aluminiumoxidschicht versehen ist. Ferner ist, wie in der 8 gezeigt, eine Oberfläche der Werkstückhalteplatte 60 durch Vorsehen einer Anzahl von konzentrischen ringförmigen Nuten 71 aufgeraut. Andererseits ist das Heizelement 62 ebenfalls aus einer Aluminiumlegierungsplatte aufgebaut, welche in der Draufsicht die im Wesentlichen gleiche Form wie die der Werkstückhalteplatte 60 aufweist. In diesem Heizelement 62 ist eine Heizvorrichtung eingebaut.
  • Ferner ist, wie in der 7 gezeigt, um einen Außenumfangsteil der Werkstückhalteplatte 60 ein hülsenartiges Verschlusselement 80 so angeordnet, dass es relativ zu der Werkstückhalteplatte 60 auf und ab bewegbar ist. Dieses Verschlusselement 80 ist mit einem Kolben 82 eines Verschlussantriebszylinders 82 verbunden, der das Verschlusselement 80 auf und ab bewegen kann. Daraus folgend ist es möglich, das Volumen des Bearbeitungsraums 64 durch auf und ab Bewegen des Verschlusselements 80 zu steuern.
  • Ferner ist, wie in der 8 gezeigt, auch an der Oberseite der Werkstückhalteplatte 60 ein Abstandsstück 85 vorgesehen, um zu verhindern, dass das Substrat "G" mit der Werkstückhalteplatte 60 in Kontakt gebracht wird. Das Abstandsstück 85 erstreckt sich entlang des Außenumfangsteils einer ein Werkstück (d. h. das Substrat "G") tragenden Fläche der Werkstückhalteplatte 60. Dieses Abstandsstück 85 ist aus einem flachen ovalförmigen Keramiksegment aufgebaut und ist mit einer Anzahl von Durchgangslöchern in seinen Endteilen versehen, wobei in jedem der Durchgangslöcher eine Befestigungsschraube 86 eingesetzt ist und mit einem Gewindeloch 87, das an der Oberseite der Werkstückhalteplatte 60 ausgebildet ist, eingeschraubt ist.
  • Nun wird die Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats "G" im Betrieb beschrieben.
  • Zunächst wird das Substrat "G", das auf der Werkstückhalteplatte 60 montiert ist, auf die Anhebestifte 70 transferiert, die nach oben bewegt worden sind. Wenn die Anhebestifte 70 nach unten bewegt sind, ist das Substrat "G" auf dem Abstandsstück 85 über der Werkstückhalteplatte 60 montiert. Dann wird der Verschluss angetrieben, sodass eine Bearbeitungssektion der Vorrichtung von der Außenseite abgetrennt ist. In dieser Bearbeitungssektion der Vorrichtung wird Wärme von dem Heizelement 62 auf die Werkstückhalteplatte 60 und weiter auf das Substrat "G" über die Oberfläche der Werkstückhalteplatte 60 übertragen. Da in diesem Fall die Wärmeübertragung von dem Heizelement 62 auf die Werkstückhalteplatte 60 durch die gesamten Kontaktflächen, welche die untere Fläche der Werkstückhalteplatte 60 und die Oberfläche des Heizelements 62 umfassen, bewerkstellig wird, wird die Werkstückhalteplatte 60 als Ganzes gleichförmig erwärmt. Daraus folgend ist die Verteilung der Wärme, welche von dem Heizelement 62 auf das Substrat "G" über die Werkstückhalteplatte 60 übertragen wird, gleichförmig, sodass das Substrat "G" gleichförmig wärmebehandelt wird.
  • Nach der Beendigung der vorstehenden Wärmebehandlung wird das Substrat "G" von der Werkstückhalteplatte 60 getrennt, wenn die Anhebestifte 70 angehoben werden. Zu diesem Zeitpunkt wird jedoch, da das Substrat "G", welches die Tendenz hat, elektrostatische Ladungen zu tragen, an die Oberfläche der Werkstückhalteplatte 60 infolge der elektrostatischen Ladungen angezogen. Infolge einer derartigen Anziehung ist es schwierig, das Substrat "G" von der Werkstückhalteplatte 60 zu trennen, was häufig zu einer Fehlausrichtung der Anordnung des Substrats "G" und/oder einer Zerstörung einer Vorrichtung, weil das Substrat "G" fällt, führt. Ferner besteht die Gefahr, dass infolge der aufgebauten elektrostatischen Ladungen feiner Schmutz angezogen wird, und dass infolge der elektrostatischen Entladung die Vorrichtung zerstört wird.
  • Da in dieser Hinsicht bei der vorstehenden herkömmlichen Vorrichtung die Nuten 71 in einem solchen Ausmaß vorgesehen sind, dass sie die Gleichförmigkeit der Temperatur der Oberfläche der Werkstückhalteplatte 60 nicht stören, wird das Aufbauen der elektrostatischen Ladungen bis zu einem gewissen Maß unterdrückt. Infolgedessen ist es möglich, das Auftreten der vorstehenden Probleme zu unterdrücken.
  • Ein derartiges Vorsehen der Nuten 71 nur in der Oberfläche der Werkstückhalteplatte 60 ist jedoch nicht ausreichend, um das Aufbauen der elektrostatischen Ladungen zu unterdrücken.
  • Daraus folgt, dass die vorstehend genannten Probleme in der herkömmlichen Vorrichtung noch nicht vollständig gelöst sind.
  • In der US-A-5 683 518 ist ebenfalls eine Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Substrats gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 offenbart.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Unter solchen Umständen wurde die vorliegende Erfindung durchgeführt. Daraus folgend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Substrats und ein Verfahren zum Trennen des Substrats von der Vorrichtung zu schaffen, bei der das Phänomen, dass das Substrat elektrische Ladungen infolge seiner Trennung von einer Werkstückhaltefläche trägt, zuverlässig am Auftreten verhindert ist.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die vorstehende Aufgabe der vorliegenden Erfindung durch Vorsehen einer Vorrichtung gemäß dem Patentanspruch 1 gelöst.
  • In dieser Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann die werkstücktragende Oberfläche des Werkstückhalteplattenkörpers mit der entsprechenden Werkstücktragefläche der Anhebe/Absenk-Ringplatte bündig gemacht sein, um eine Oberfläche (d. h. die Werkstücktragefläche) der Werkstückhalteplatte zu bilden, auf welcher Oberfläche das Substrat montiert ist und der Wärmebehandlung unterzogen wird, wie dies bei der herkömmlichen Werkstückhalteplatte der Fall ist.
  • Nach der Beendigung einer derartigen Wärmebehandlung wird im Fall, dass das Substrat von der Werkstückhalteplatte getrennt wird, zunächst die Anhebe/Absenk-Ringplatte gesenkt, um das Substrat von der Werkstücktragefläche der Anhebe/Absenk-Ringplatte zu trennen. Dann wird der Anhebestift nach oben bewegt, um das Substrat von der Werkstücktragefläche des Werkstückhalteplattenkörpers anzuheben. Wie vorstehend beschrieben, wird die Trennung des Substrats von der Werkstücktragefläche in den zwei vorstehend beschriebenen Schritten durchgeführt, um die Kontaktfläche schrittweise zu verringern. Daraus folgt im Vergleich mit den Fällen, bei denen die gesamte Oberfläche des Substrats von der Werkstücktragefläche auf einmal getrennt wird, dass es für die Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung möglich ist, die Menge der elektrostatischen Ladungen, welche sich zum Zeitpunkt des Trennens des Substrats von der Werkstücktragefläche bildet, zu reduzieren.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in der Anhebe/Absenk-Ringplatte eine Heizvorrichtung eingebaut.
  • Bei dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Gleichförmigkeit der Temperatur des Substrats beim Erwärmen zu verbessern.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in der Werkstückhaltefläche der Werkstückhalteplatte eine feine Unregelmäßigkeit ausgebildet, um die Kontaktfläche der Werkstückhaltefläche zu verringern, mittels welcher Kontaktfläche die Werkstückhaltefläche mit dem Substrat in Kontakt gebracht ist.
  • Bei der vorstehenden Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Kontaktfläche des Substrats zu verringern, da in der Werkstückhaltefläche die feine Unregelmäßigkeit vorgesehen ist, mittels welcher Kontaktfläche das Substrat mit der Werkstückhaltefläche in Kontakt gebracht ist, wodurch die Menge der elektrostatischen Ladungen infolge des Trennens des Substrats von der Werkstückhaltefläche reduziert ist.
  • Da in der vorliegenden Erfindung die Hebe/Absenk-Ringplatte in der Aufnahmenut aufgenommen ist, wirken die Seitenwände der Aufnahmenut als Führungsmittel zur Stabilisierung der Hebe/Absenk-Ringplatte bei ihrer auf und ab Bewegung.
  • In der Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, da in der Aufnahmenut Stoppmittel vorgesehen sind, dass die Werkstückhaltefläche der Hebe/Absenk-Ringplatte das gleiche Niveau wie dasjenige des Werkstückhalteplattenkörpers erreicht, indem die Hebe/Absenk-Ringplatte bis zu ihrer Anhebegrenze angehoben wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Hebe/Absenk-Ringplatte aus einem Ringteil und vier Vorsprüngen aufgebaut, die um einen Außenumfangsteil des Ringteils angeordnet sind, wobei die vier Vorsprünge zueinander in gleichen Winkelabständen von ungefähr 90 Grad beabstandet sind, wodurch die Hebe/Absenk-Ringplatte in der Draufsicht die Form eines Kreisverkehrskreuzung einnimmt.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind sowohl der Werkstückhalteplattenkörper als auch die Hebe/Absenk-Ringplatte der Werkstückhalteplatte mit einem Vakuumsaugloch und einem Luftblasloch versehen.
  • In diesem Fall ist es möglich, das Unterdrucksaugloch und das Luftblasloch getrennt voneinander anzuordnen. Es ist auch möglich, ein vorbestimmtes Loch jeweils für das Unterdrucksaugloch und das Luftblasloch zu verwenden, vorausgesetzt, dass das vorbestimmte Loch mit einem geeigneten Schaltventil und der gleichen Vorrichtung zum Schalten des vorbestimmten Lochs vom Unterdrucksaugloch auf das Luftblasloch und umgekehrt, verbunden ist.
  • Das Substrat kann durch das Unterdrucksaugloch durch Unterdruck angesaugt sein und mit der Werkstückhalteplatte beim Montieren des Substrats auf derselben in engen Kontakt gebracht werden, wodurch die Gleichförmigkeit der Erwärmung und die Verbesserung der Effizienz der Vorrichtung realisiert wird. Ferner ist durch Treiben eines Luftstroms durch das Luftblasloch es möglich, das Trennen des Substrats von der Werkstückhalteplatte zu verbessern.
  • Insbesondere wenn die Vorrichtung sowohl mit dem Unterdrucksaugloch als auch dem Luftblasloch sowohl in dem Werkstückhalteplattenkörper als auch der Hebe/Absenk-Ringplatte versehen ist, ist es möglich, den Luftstrom durch das Luftblasloch in der Hebe/Absenk-Ringplatte unter einer Bedingung zu treiben, bei der das Unterdruckansaugen durch das Unterdrucksaugloch in dem Werkstückhalteplattenkörper durchgeführt wird, wodurch es möglich wird, das Substrat reibungslos von der Hebe/Absenk-Ringplatte zu trennen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist auch ein Verfahren gemäß dem Anspruch 6 vorgesehen.
  • Bei diesem Verfahren der vorliegenden Erfindung wird zunächst die Hebe/Absenk-Ringplatte gesenkt und dann werden die Anhebestifte angehoben, um das Substrat von dem Werkstückhalteplattenkörper anzuheben. Daraus folgt, dass das Trennen des Substrats von der Werkstückhaltefläche in zwei Schritten durchgeführt wird, wodurch es möglich wird, die Kontaktfläche zwischen dem Substrat und der Werkstückhaltefläche schrittweise zu verringern. Daher kann im Vergleich mit Fällen, bei denen die gesamte Fläche des Substrats von der Werkstückhaltefläche auf einmal getrennt wird, es möglich sein, bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung das Maß der elektrostatischen Ladungen, die sich auf einmal beim Trennen des Substrats von der Werkstückhaltefläche aufbauen, zu reduzieren.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung ist in der Hebe/Absenk-Ringplatte eine Heizvorrichtung eingebaut.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung sind in der Werkstückhaltefläche der Werkstückhalteplatte feine Unregelmäßigkeiten ausgebildet, um die Kontaktfläche der Werkstückhaltefläche, durch welche die Werkstückhaltefläche mit dem Substrat in Kontakt gebracht ist, zu verringern.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung ist in die Hebe/Absenk-Ringplatte eine Heizeinrichtung eingebaut, und in die Werkstückhaltefläche der Werkstückhalteplatte ist eine feine Unregelmäßigkeit ausgebildet, um die Kontaktfläche der Werkstückhaltefläche, mit welcher Kontaktfläche die Werkstückhaltefläche mit dem Substrat in Kontakt gebracht ist, zu reduzieren.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung ist die Hebe/Absenk-Ringplatte aus einem Ringteil und vier Vorsprüngen aufgebaut, die um einen Außenumfangsteil des Ringteils angeordnet sind, wobei die vier Vorsprünge zueinander in gleichen Winkelabständen von ungefähr 90 Grad beabstandet sind; wodurch die Hebe/Absenk-Ringplatte in der Draufsicht die Form ähnlich einer Kreisverkehrskreuzung einnimmt.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung ist in der Hebe/Absenk-Ringplatte eine Heizeinrichtung eingebaut;
    die Hebe/Absenk-Ringplatte ist aus einem Ringteil und vier Vorsprüngen, die um einen Außenumfangsteil des Ringteils angeordnet sind, aufgebaut, wobei die vier Vorsprünge zueinander in gleichen Winkelabständen von ungefähr 90 Grad beabstandet sind;
    wodurch die Hebe/Absenk-Ringplatte in der Draufsicht eine ähnlich Form wie eine Kreisverkehrskreuzung einnimmt.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung sind in der Werkstückhaltefläche der Werkstückhalteplatte feine Unregelmäßigkeiten ausgebildet, um die Kontaktfläche der Werkstückhaltefläche, mit welcher die Kontaktfläche der Werkstückhaltefläche mit dem Substrat in Kontakt gebracht ist, zu reduzieren;
    die Hebe/Absenk-Ringplatte ist aus einem Ringteil und vier Vorsprüngen aufgebaut, die um einen Außenumfangsteil des Ringteils angeordnet sind, wobei die vier Vorsprünge zueinander in gleichen Winkelabständen von annähernd 90 Grad beabstandet sind;
    wodurch die Hebe/Absenk-Ringplatte in der Draufsicht eine ähnliche Form wie die einer Kreisverkehrskreuzung einnimmt.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung sind sowohl der Werkstückhalteplattenkörper als auch die Hebe/Absenk-Ringplatte der Werkstückhalteplatte mit einem Unterdrucksaugloch und einem Luftblasloch versehen.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung ist in der Hebe/Absenk-Ringplatte eine Heizeinrichtung eingebaut; sowohl der Werkstückhalteplattenkörper als auch die Hebe/Absenk-Ringplatte der Werkstückhalteplatte sind mit einem Unterdrucksaugloch und einem Luftblasloch versehen.
  • Gemäß einer Ausfürungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung sind in der Werkstückhaltefläche der Werkstückhalteplattform feine Unregelmäßigkeiten ausgebildet, um eine Kontaktfläche, mit welcher Kontaktfläche die Werkstückhaltefläche mit dem Substrat in Kontakt gebracht ist, zu reduzieren;
    wobei sowohl der Werkstückhalteplattenkörper als auch die Hebe/Absenk-Ringplatte der Werkstückhalteplatte mit einem Unterdrucksaugloch und einem Luftblasloch versehen sind.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung ist die Hebe/Absenk-Ringplatte aus einem Ringteil und vier Vorsprüngen, die um ein Außenumfangsteil des Ringteils angeordnet sind, aufgebaut, wobei die vier Vorsprünge zueinander in gleichen Winkelabständen von annähernd 90 Grad beabstandet sind; und
    sowohl der Werkstückhalteplattenkörper als auch die Hebe/Absenk-Ringplatte der Werkstückhalteplatte mit einem Unterdrucksaugloch und einem Luftblasloch versehen sind.
  • Bei dem vorstehenden Verfahren wird zunächst die Hebe/Absenk-Ringplatte gesenkt und dann werden die Anhebestifte angehoben, um das Substrat von dem Werkstückhalteplattenkörper anzuheben. Daraus folgt, dass die Trennung des Substrats von der Werkstückhaltefläche in zwei Schritten durchgeführt wird, wodurch es möglich wird, die Kontaktfläche zwischen dem Substrat und der Werkstückhaltefläche schrittweise zu reduzieren. Daher ist es im Vergleich mit Fällen, bei denen die gesamte Fläche des Substrats von der Werkstückhaltefläche auf einmal getrennt wird, möglich, bei dem vorstehenden Verfahren der vorliegenden Erfindung das Maß der elektrostatischen Ladungen, die sich aufbauen, wenn das Substrat getrennt wird, zu verringern.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die vorstehenden und weitere Aufgaben, Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung anhand der begleitenden Zeichnungen im Einzelnen hervor, in welchen zeigt:
  • 1(a) eine perspektivische Ansicht der Werkstückhalteplatte der Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zur Veranschaulichung des darauf montierten Substrats;
  • 1(b) eine perspektivische Ansicht der in der 1(a) gezeigten Werkstückhalteplatte in einem Zustand, bei dem die Hebe/Absenk-Ringplatte abgesenkt ist;
  • 1(c) eine perspektivische Ansicht der in der 1(a) gezeigten Werkstückhalteplatte in einem Zustand, bei dem die Anhebestifte angehoben sind, um das Substrat von der Werkstückhalteplatte abzuheben;
  • 2 eine explosionsartige perspektivische Ansicht der Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zur Wärmebehandlung des Substrats gemäß 1(a);
  • 3(a) eine Ansicht im Schnitt der Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zur Wärmebehandlung des Substrats, entlang der Schnittlinie A-A in 2;
  • 3(b) eine Ansicht im Schnitt durch die Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zur Wärmebehandlung des Substrats entlang der Schnittlinie B-B in 2;
  • 3(c) eine Ansicht im Schnitt der Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zur Wärmebehandlung des Substrats entlang der Schnittlinie C-C in 2;
  • 4(a) eine Ansicht im Schnitt durch die in der 1(a) gezeigte Werkstückhalteplatte zur Veranschaulichung der Betriebsweise der wesentlichen Teile derselben;
  • 4(b) eine Ansicht im Schnitt der in der 1(b) gezeigten Werkstückhalteplatte zur Veranschaulichung der Funktionsweise ihrer wesentlichen Teile;
  • 4(c) eine Ansicht im Schnitt durch die in der 1(c) gezeigte Werkstückhalteplatte zur Veranschaulichung der Funktionsweise ihrer wesentlichen Teile;
  • 5 eine Seitenansicht der Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zur Wärmebehandlung des Substrats zur Veranschaulichung einer schematischen Gesamtkonstruktion der Vorrichtung;
  • 6 eine schematische perspektivische Ansicht eines Bearbeitungssystems mit der Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zur Wärmebehandlung des Substrats;
  • 7 eine Seitenansicht der herkömmlichen Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats;
  • 8 eine Draufsicht auf einen wesentlichen Teil der herkömmlichen Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats; und
  • 9 eine Seitenansicht des wesentlichen Teils der herkömmlichen Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nun wird die vorliegende Erfindung im Einzelnen unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben, welche wesentliche Teile der Konstruktion der Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zur Wärmebehandlung des Substrats und deren Funktionsweise gemäß der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Genauer gesagt werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, bei denen eine Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zur Wärmebehandlung eines Substrats bei einem Resist-Beschichtungsphänomensystem für ein LCD-Substrat verwendet wird, beschrieben.
  • Zunächst wird anhand der 6 das gesamte System, bei welchem die vorliegende Erfindung angewandt ist, angegeben.
  • Wie in der 6 gezeigt, hat dieses System: einen Ladeteil 40 zum Laden und Entladen eines Substrats "G" als einem Werkstück; eine Bürstenwascheinheit 42 für das Substrat "G"; eine Wasserstrahlwascheinheit 44 zum Waschen des Substrats "G" mit einem Hochdruckwasserstrahl; eine Adhäsionsbehandlungseinheit 46, um die Oberfläche des Substrats "G" hydrophob zu machen; eine Kühlbehandlungseinheit 48 zum Kühlen des Substrats "G" auf eine vorbestimmte Temperatur; eine Resist-Aufbringeinheit 50 zum Beschichten der Oberfläche des Substrats "G" mit einer Resist-Flüssigkeit; eine Wärmebehandlungseinheit 52 zum Durchführen eines Prä- oder Post-Wärmebehandlungsvorgangs des Substrats "G" durch Erwärmen des Substrats "G" vor oder nach dem Aufbringen der Resist-Flüssigkeit auf die Oberfläche des Substrats "G"; einer Resist-Entfernungseinheit 54 zum Entfernen des Resists, das auf einem Umfangsteil des Substrats "G" ausgebildet ist; und eine Entwicklungseinheit 55.
  • In einem zentralen Bereich des vorstehenden Systems ist ein Substratförderkanal 56 vorgesehen, der sich in der Längsrichtung des Systems erstreckt. Dieser Substratförderkanal 56 ist durch einen zentralen Verlängerungsteil 57 unterteilt. Die einzelnen Einheiten 40 bis 54, wie vorstehend beschrieben, sind so angeordnet, dass sie dem Substratförderkanal 56 gegenüber liegen. Eine Anzahl von Substratfördermechanismen 58 jeweils zum Transferieren des Substrats "G" zwischen benachbarten Einheiten 40 bis 54 sind entlang des Substratförderkanals 56 so vorgesehen, dass sie parallel zu dem Substratförderkanal 56 bewegbar sind.
  • Der Substratfördermechanismus 58 ist mit einem Arm 59 versehen, der das Substrat "G" unter Verwendung von Unterdruckansaugung hält. Nebenbei gesagt ist die Wärmebehandlungseinheit 52 mit einem Öffnungsteil 52A versehen, der dem Substratförderkanal 56 zugewandt ist. Eine Anzahl von solchen Wärmebehandlungseinheiten 52 sind gestapelt, um einen Block zu bilden, wobei eine Anzahl solcher Blöcke nebeneinander parallel zueinander angeordnet sind.
  • Als nächstes wird mit Bezug auf die 1(a) bis 5 eine Ausführungsform der Vorrichtung der vorliegenden Erfindung zur Wärmebehandlung des Substrats "G", welche die Vorrichtung ist, welche als Wärmebehandlungseinheit 52 wie vorstehend beschrieben, verwendet wird, im Einzelnen beschrieben.
  • Wie in den 1(a), 1(b), 1(c) und 5 gezeigt, hat eine Ausführungsform der Vorrichtung der vorliegenden Erfindung zur Wärmebehandlung des Substrats "G": eine Werkstückhalteplatte 1, auf welcher das Substrat "G" getragen oder montiert ist; ein Heizelement 2 zum Zuführen von Wärme zum Substrat "G" auf der Werkstückhalteplatte 1 über die Platte 1; und eine Anzahl von Anhebestiften 8 zum Anheben des Substrats "G" auf der Werkstückhalteplatte 1 durch Anheben von den zurückgezogenen Positionen, die innerhalb der Werkstückhalteplatte 1 liegen, wenn das Substrat "G" transferiert wird.
  • Die Werkstückhalteplatte 1 besteht aus einer Aluminiumlegierung, die eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit hat, und ist auf dem Heizelement 2 so montiert, dass die Werkstückhalteplatte 1 ihre untere Oberfläche in engen Kontakt zu einer oberen Oberfläche des Heizelements 2 gebracht hat. Das Heizelement 2 besteht aus der gleichen Aluminiumlegierung wie die Werkstückhalteplatte 1 und hat eine Heizvorrichtung (nicht gezeigt) in der Konstruktion eingebaut. Nebenbei gesagt ist es beim Befestigen der Werkstückhalteplatte 1 auf dem Heizelement 2 vorzuziehen, auf die untere Oberfläche der Werkstückhalteplatte 1 ein geeignetes Material, wie beispielsweise Silikonfette und der gleichen mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit aufzubringen, um die Wärmeleitfähigkeit der Werkstückhalteplatte 1 zu verbessern.
  • Diese Werkstückhalteplatte 1 ist unterteilt in: einen Werkstückhalteplattenkörper 3, der einen Hauptteil (der einen Wert von 30 bis 70% der gesamten Fläche der Werkstückhaltefläche einnimmt) der Werkstückhaltefläche zum Halten des Substrats "G" darauf bildet; und eine Hebe/Absenk-Ringplatte 4, die den verbleibenden Teil (welcher einen Wert von 70 bis 30% der gesamten Fläche der Werkstückhaltefläche einnimmt) der Werkstückhaltefläche bildet, um das Substrat "G" darauf zu tragen. Die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 ist in einer Aufnahmenut 5 des Werkstückhalteplattenkörpers 3 so aufgenommen, dass die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 in der Aufnahmenut 5 angehoben und abgesenkt werden kann.
  • Die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 ist aufgebaut aus: einem Ringteil 4a; und vier Vorsprüngen 4b, die um einen Außenumfangsteil des Ringteils 4a angeordnet sind. Diese vier Vorsprünge 4b sind zueinander in gleichen Winkelabständen von annähernd 90 Grad beabstandet, wodurch die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 in der Draufsicht eine ähnliche Form wie eine Kreisverkehrskreuzung einnimmt. Die Aufnahmenut 5 nimmt im Wesentlichen die gleiche Form wie diejenige der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 ein und ist versehen mit: einem Ringnutteil 5a, in welchem der Ringteil 4a aufgenommen ist; und vier linearen Nutenteilen 5b, in welchen die vier Vorsprünge 4b aufgenommen sind.
  • Die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 ist im Inneren der Aufnahmenut 5 im Wesentlichen ohne jeglichen Spalt aufgenommen. In dem vorstehenden Zustand ist die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 so angeordnet, dass sie in gleichem Maß wie die Tiefe der Aufnahmenut 5 leicht angehoben und abgesenkt werden kann. In diesem Fall ist die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 in ihrer Auf- und Abbewegung durch einen Gleitkontakt ihrer Außenfläche mit einer Innenfläche der Aufnahmenut 5 geführt.
  • Wie in den 2 bis 3(c) gezeigt, ist der lineare Nutteil 5b der Aufnahmenut 5 mit einem Paar Stoppelementen 6 an ihren oberen Öffnungsendteilen so versehen, dass diese Stoppelemente 6 einander gegenüber liegend angeordnet sind und in nach innen vorstehender Weise vorgesehen sind, um die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 bezüglich ihrer Anhebebewegung an einer Position zu stoppen, wo die Werkstückhaltefläche der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 mit der des Werkstückhalteplattenkörpers 3 fluchtet.
  • Der Grund dafür, warum die Werkstückhaltefläche der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 mit derjenigen des Werkstückhalteplattenkörpers 3 zum Fluchten gebracht wird, besteht darin, dass es notwendig ist, die Werkstückhaltefläche bezüglich ihrer Wärmeleitfähigkeit auf das Substrat "G" zu verbessern. Der Vorsprung 4b der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 hat im Querschnitt eine konvexe Form, sodass er mit den Stoppelementen 6 zusammenwirkt.
  • Für den Fall, dass die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 in die Aufnahmenut 5 einzusetzen ist, in welcher jeweils die Stoppelemente 6 in vorstehender Weise vorgesehen sind, hat jeder der Vorsprünge 4b der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 im Querschnitt eine konvexe Form, bei der ein weiteres Element 14 an einem unteren Endteil des Vorsprungs 4b in eingesetzter Weise montiert ist, wie dies in der 3(a) gezeigt ist.
  • Im den Vorsprung 4b der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 ist eine Heizvorrichtung 10 eingebaut, die in den Vorsprung 4b von dessen Endfläche her eingesetzt ist. Diese Heizvorrichtung 10 hält die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 immer auf der gleichen Temperatur wie diejenige des Werkstückhalteplattenkörpers 3 mit einer Temperaturänderung von ±2°C. Ferner sind in einem unteren Teil der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 eine Anzahl von Hebe/Absenk-Stützstifte 15 vorgesehen. Jeder Hebe/Absenk-Stützstift 15 geht durch ein Durchgangsloch 25 in einem unteren Teil der Aufnahmenut 5 des Werkstückhalteplattenkörpers 3 und ist mit einem Hebe/Absenk-Antriebsmechanismus 34 (siehe 5) verbunden, der unterhalb der Werkstückhalteplatte 1 angeordnet ist. Ferner geht auch jeder der Anhebestifte 8 durch ein Durchgangsloch 7 des Werkstückhalteplattenkörpers 3 und ist mit einem Hebe/Absenk-Antriebsmechanismus 38 verbunden, der unterhalb des Werkstückhalteplattenkörpers 3 angeordnet ist.
  • Diese Hebe/Absenk-Antriebsmechanismen 34, 38 können durch Kombinieren von Zylindern oder Antriebsmotoren, Zahnrädern und derartigen Bauteilen aufgebaut sein. In diesem Fall können die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 und die Hebe/Absenk-Antriebsmechanismen 34, 38 der Anhebestifte 8 eine gemeinsame Antriebskraft verwenden.
  • Sowohl in der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 als auch dem Werkstückhalteplattenkörper 3 sind eine Anzahl von Luftlöchern 11, 12 vorgesehen und sind an der Werkstückhaltefläche offen. Diese Luftlöcher 11, 12 dienen im Betrieb als Unterdrucksauglöcher oder Luftblaslöcher. Es ist möglich, dass das Luftloch sowohl als Unterdrucksaugluftloch als auch als Luftblasloch dient, indem die Verbindung eines derartigen Luftlochs mittels einer geeigneten Schalteinrichtung, wie beispielsweise Ventilen oder dergleichen, umgeschaltet wird.
  • Genauer gesagt ist jedes der Luftlöcher 11, 12 mit Leitungen 21, 22 verbunden. Die Leitung 21 ist mit dem Luftloch 11 der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 verbunden und steht mit einem Durchgangsloch 23 in Verbindung, welches in dem unteren Teil der Aufnahmenut 5 des Werkstückhalteplattenkörpers 3 vorgesehen ist.
  • Die Werkstückhaltefläche der Werkstückhalteplatte 1, welche aus dem Werkstückhalteplattenkörper 3 und der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 aufgebaut ist, ist mit feinen Unregelmäßigkeiten (nicht dargestellt) versehen, um die Kontaktfläche des Substrats "G" zu verringern, vorausgesetzt, dass die feinen Unregelmäßigkeiten bis zu einem solchen Ausmaß vorgesehen sind, dass die Unregelmäßigkeiten nicht die Werkstückhaltefläche bezüglich ihrer Wärmeleitfähigkeit auf das Substrat "G" beeinträchtigen.
  • Nun wird die Behandlung des Substrats "G" beschrieben.
  • Beim Montieren des Substrats "G" auf der Werkstückhalteplatte 1 sind die Anhebestifte 8 angehoben, um das Substrat "G" auf ihnen zu halten. Unter solchen Umständen werden die Anhebestifte 8 dann in eine Position niedriger als die Werkstückhaltefläche abgesenkt, sodass das Substrat "G" auf die Werkstückhaltefläche (d. h. die obere Oberfläche) der Werkstückhalteplatte 1 transferiert wird. Die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 kann in diesem Stadium angehoben werden oder kann zuvor angehoben worden sein.
  • Wenn das Substrat "G" auf der Werkstückhalteplatte 1 montiert worden ist, wird das Substrat "G" mittels der Luftlöcher 11 der Hebe/Absenk-Ringplatte sowie der Luftlöcher 12 des Werkstückhalteplattenkörpers 3 angesaugt, sodass die gesamte Oberfläche des Substrats "G" in engen Kontakt mit der Werkstückhalteoberfläche gebracht wird, wodurch es möglich wird, die Wärmeleitfähigkeit zwischen Werkstückhaltefläche und Substrat "G" zu verbessern. Gleichzeitig ist es auch möglich, das Brechen des Substrats "G" infolge einer Fehlausrichtung seiner Positionierung zu verhindern. Die 1(a) und 4(a) zeigen diesen Zustand.
  • Bei einer derartigen Wärmebehandlung wie vorstehend beschrieben ist es möglich, das Substrat "G" gleichförmig zu erwärmen, da die Heizeinrichtung 10 in die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 der Vorrichtung eingebaut ist. Nach Beendigung einer derartigen Wärmebehandlung wird das Substrat "G" von der Werkstückhalteplatte 1 getrennt. Zu diesem Zeitpunkt wird zunächst wie in den 1(b) und 4(b) gezeigt, die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 abgesenkt, um ihre Werkstückhaltefläche von dem Substrat "G" getrennt zu haben.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird das Substrat "G" mittels der Luftlöcher 12 des Werkstückhalteplattenkörpers 3 angesaugt, während die Luftlöcher 11 der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 Luft blasen, wodurch es möglich wird, das Substrat "G" reibungslos von der Werkstückhaltefläche der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 zu trennen. Danach wird das Unterdruckansaugen des Substrats "G" gestoppt und, wie in den 1(c) und 4(c) gezeigt, werden die Anhebestifte 8 angehoben, um das Substrat "G" von der Werkstückhaltefläche des Werkstückhalteplattenkörpers 3 anzuheben und zu trennen.
  • Wie vorstehend beschrieben, wird das Trennen des Substrats "G" von der Werkstückhalteplatte 1 in zwei Schritten ausgeführt, um die Kontaktfläche des Substrats "G" schrittweise zu verringern. Daraus folgt, dass im Vergleich mit dem Fall, bei dem das Trennen des Substrats "G" von der Werkstückhalteplatte 1 auf einmal durchgeführt wird, es möglich ist, das Maß der elektrostatischen Ladungen, die in dem Substrat "G" zum Zeitpunkt des Trennens des Substrats "G" von der Werkstückhaltefläche aufgebaut werden, zu reduzieren. Als Ergebnis ist es möglich, das Substrat "G" von der Werkstückhalteplatte 1 reibungsfrei zu trennen, ohne dass die Gefahr des Aufbaus von elektrostatischen Ladungen in dem Substrat "G" besteht.
  • Da insbesondere in der Werkstückhaltefläche sowohl des Werkstückhalteplattenkörpers 3 als auch der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 feine Unregelmäßigkeiten vorgesehen sind, um die Kontaktfläche zu verringern, ist es in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung möglich, die Gefahr des Aufbaus von elektrostatischen Ladungen weiter zu verringern.
  • Da ferner die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 eine ringähnliche Form einnimmt, ist es möglich, die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 mit dem Substrat "G" in einen gut ausbalancierten Kontakt zu bringen, was ein gleichförmiges Erwärmen des Substrats "G" realisiert. Ferner ist es beim Trennen des Substrats "G" von der Hebe/'Absenk-Ringplatte 4 auch möglich, eine gut ausgeglichene Trennung der Kontaktfläche des Substrats "G" zu realisieren, wodurch es möglich wird, wirksam das Aufbauen von elektrostatischen Ladungen in dem Substrat "G" zum Zeitpunkt des Trennens des Substrats "G" von der Werkstückhaltefläche wirksam zu verhindern. Da ferner die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 in der Draufsicht eine ähnliche Form wie eine Kreisverkehrskreuzung einnimmt, ist es möglich, in die vier Vorsprünge 4b der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 die Heizvorrichtungen 10 von den Endflächen her einzusetzen, was das Anschließen der Leiterdrähte und dergleichen erleichtert.
  • Obwohl die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Einzelnen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben worden sind, ist die konkrete Konstruktion der vorliegenden Erfindung nicht allein auf die vorstehenden Ausführungsformen begrenzt. Jegliche Modifikationen und Änderungen in der Gestaltung, welche nicht vom Umfang der vorliegenden Erfindung, wie in den Ansprüchen definiert, abweichen, gehören zu der vorliegenden Erfindung. Beispielsweise kann die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 irgendwelche Formen, wie beispielsweise quadratische Formen, Doppelkreisformen und dergleichen, zusätzlich zu den ringartigen Formen einnehmen. Ferner können Gase, welche aus den Luftlöchern 11, 12 ausgegeben worden sind, irgendwelche Gase, wie beispielsweise ionisierte Luft, und Inertgase, wie beispielsweise Stickstoffgas und dergleichen, zusätzlich zu Luft sein. Die Inertgase und dergleichen sind insofern vorteilhaft, als sie wirksam das Aufbauen von elektrostatischen Ladungen verhindern.
  • Obwohl das Resist-Aufbringentwicklungssystem, bei dem die Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zur Wärmebehandlung des Substrats angewendet ist, vorstehend beschrieben worden ist, ist es ferner für die Vorrichtung der vorliegenden Erfindung auch möglich, dass sie an irgendwelchen anderen Systemen, wie beispielsweise Orientierungs-Vorwärmebehandlungseinheit, Ätzflüssigkeitsausbringen, Entwicklungseinheiten und dergleichen, angewandt werden kann.
  • Beim Trennen des Substrats "G" von der Werkstückhaltefläche wird zuerst die Hebe/Absenk-Ringplatte 4 gesenkt, um das Substrat "G" von der Werkstückhaltefläche der Hebe/Absenk-Ringplatte 4 zu trennen. Danach werden die Anhebestifte 8 angehoben, um das Substrat "G" von der Werkstückhaltefläche des Werkstückhalteplattenkörpers 3 zu trennen.
  • Anders ausgedrückt, wie vorstehend beschrieben, ist es bei der vorliegenden Erfindung möglich, das Trennen des Substrats "G" von der Werkstückhaltefläche in zwei Schritten auszuführen, wodurch es möglich wird, die Kontaktfläche des Substrats "G" schrittweise zu reduzieren. Daraus folgt, dass im Vergleich zu dem Fall, bei dem die gesamte Fläche des Substrats "G" von der Werkstückhaltefläche auf einmnal getrennt wird, es möglich ist, bei der vorliegenden Erfindung das Maß der elektrostatischen Ladungen, die sich zum Zeitpunkt des Trennens des Substrats "G" von der Werkstückhaltefläche ausbauen, zu reduzieren, wodurch es möglich wird, zu verhindern, dass das Substrat "G" infolge des Aufbauens von elektrostatischen Ladungen zerstört oder zerbrochen wird, und es wird auch möglich, eine gleichförmige Wärmebehandlung des Substrats "G" zu realisieren. Ferner ist es bei der vorliegenden Erfindung möglich, zu verhindern, dass Teilchen auftreten, das die Gefahr der elektrostatischen Ladungen, die in dem Substrat "G" aufgebaut werden, reduziert ist, und es kann jeglicher Ausfall, der bei der Herstellung der Vorrichtungen auftritt, vorab vermieden werden, wodurch das Produkt und die Ausbeute verbessert wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Heizvorrichtung in die Hebe/Absenk-Ringplatte eingebaut. Daraus folgend ist es für die Vorrichtung möglich, die Gleichförmigkeit ihrer Wärmebehandlung des Substrats zu verbessern.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind in der Werkstückhaltefläche der Werkstückhalteplatte feine Unregelmäßigkeiten ausgebildet. Dar aus folgend ist es möglich, dass die Vorrichtung die Kontaktfläche der Werkstückhaltefläche, über welche Kontaktfläche die Werkstückhaltefläche mit dem Substrat in Kontakt gebracht wird, zu reduzieren. Infolge einer solchen Verringerung der Kontaktfläche ist es ebenfalls möglich, die Gefahr des Aufbauens von elektrostatischen Ladungen zum Zeitpunkt des Trennens des Substrats zu verringern.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Hebe/Absenk-Ringplatte mit einem Ringteil versehen. Daraus folgend ist es für die Vorrichtung möglich, eine gut ausbalancierte Halterung des Substrats auf dem Ringteil zu bewerkstelligen, wodurch die Gleichförmigkeit der Wärmebehandlung des Substrats verbessert wird. Ferner ist es beim Trennen der Hebe/Absenk-Ringplatte von dem Substrat auch möglich, eine gut ausbalancierte Trennung der Kontaktfläche des Substrats oder der Hebe/Absenk-Ringplatte zu bewerkstelligen, wodurch das Aufbauen von elektrostatischen Ladungen verhindert wird. Wenn ferner die Hebe/Absenk-Ringplatte mit vier Vorsprüngen um den Außenumfang des Ringteils versehen ist, ist es möglich, die Heizvorrichtungen in diese Vorsprünge einzubauen, wodurch das Anschließen von Leiterdrähten vereinfacht ist.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist sowohl der Werkstückhalteplattenkörper als auch die Hebe/Absenk-Ringplatte der Werkstückhalteplatte mit den Unterdrucksauglöchern und den Luftblaslöchern versehen. Daraus folgend ist es für die Vorrichtung möglich, dass das Substrat in engen Kontakt mit der Werkstückhalteplatte unter Einfluss des Unterdrucksaugens gebracht wird, wodurch die Wärmebehandlung des Substrats bezüglich Gleichförmigkeit und Effizienz verbessert wird.
  • Ferner ist es durch Blasen von Luft möglich, das Trennen des Substrats von der Werkstückhalteplatte zu verbessern. Insbesondere durch Blasen der Luft in der Hebe/Absenk-Ringplatte in einem Zustand, bei dem das Substrat in dem Werkstückhalteplattenkörper angesaugt ist, ist es möglich, die Hebe/Absenk-Ringplatte vom Substrat reibungslos zu trennen.
  • Gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung wird das Trennen des Substrats von der Werkstückhaltefläche in zwei Schritten ausgeführt, wodurch es möglich wird, schrittweise die Kontaktfläche zwischen dem Substrat und der Werkstückhaltefläche zu verringern. Daher ist es im Vergleich mit den Fällen, bei denen die gesamte Fläche des Substrats von der Werkstückhaltefläche auf einmal getrennt wird, möglich, bei dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung das Maß der elektrostatischen Ladungen zu verringern, die zum Zeitpunkt des Trennens des Substrats von der Werkstückhaltefläche aufgebaut werden.
  • Es ist somit klar zu ersehen, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehenden Ausführungsformen begrenzt ist, sondern ohne Abweichen vom Umfang der Erfindung, wie in den Ansprüchen definiert, geändert und modifiziert werden kann.

Claims (10)

  1. Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Substrats (G) mit: einer Werkstückhalteplatte (1), um auf dieser das Substrat (G) zu befestigen; einem Heizelement (2), um zu dem Substrat (G) auf der Werkstückhalteplatte (1) über die Werkstückhalteplatte (1) Wärme zuzuführen; und einem Anhebestift (8) zum Anheben des Substrats (G) auf der Werkstückhalteplatte (1), wobei der Anhebestift (8) aus seiner eingezogenen Position im Inneren der Werkstückhalteplatte (1) nach oben ausdehnbar ist, wenn das Substrat (G) transferiert wird; wobei die Werkstückhalteplatte (1) in einen Werkstückhalteplattenkörper (3), der einen ersten Teil der Werkstückhaltefläche zum darauf Montieren des Substrats (G), und eine Anhebe-/Absenk-Ringplatte (4) unterteilt ist, die den verbleibenden Teil der Werkstückhaltefläche bildet; und wobei die Anhebe-/Absenk-Ringplatte (4) in einer Aufnahmenut (5) aufgenommen ist, die in dem Werkstückhalteplattenkörper (3) vorgesehen ist, so dass sie relativ zu dem Werkstückhalteplattenkörper (3) mittels eines Hebe/Absenkmechanismus (34) anhebbar und absenkbar ist; wobei die Vorrichtung dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahmenut (5) mit einem Stoppmittel (6) versehen ist, um die Hebe-/Absenk-Ringplatte (4) in ihrer Bewegung nach oben in einer Position zu stoppen, wo die Werkstückhaltefläche der Hebe-/Absenk-Ringplatte (4) die gleiche Höhe wie diejenige des Werkstückhalteplattenkörpers (3) erreicht.
  2. Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats (G) nach Anspruch 1, wobei in der Hebe-/Absenk-Ringplatte (4) eine Heizvorrichtung eingebaut ist.
  3. Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats (G) nach Anspruch 1, wobei die Werkstückhaltefläche eine feine Unregelmäßigkeit hat, um die Kontaktfläche zwischen der Werkstückhaltefläche und dem Substrat (G) zu verringern, ohne dass der Wärmefluss von der Werkstückhaltefläche auf das Substrat (G) beeinträchtigt wird.
  4. Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats (G) nach Anspruch 1, wobei: die Hebe-/Absenk-Ringplatte (4) aus einem Ringteil (4a) und vier Vorsprüngen (4b), die um den Außenumfangsteil des Ringteils (4a) angeordnet sind, aufgebaut ist, wobei die vier Vorsprünge (4b) in gleichen Winkelabständen von ungefähr 90 Grad zueinander beabstandet sind.
  5. Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats (G) nach Anspruch 1, wobei: sowohl der Werkstückhalteplattenkörper (3) als auch die Hebe-/Absenk-Ringplatte (4) der Werkstückhalteplatte (1) mit einem Unterdruckansaugloch (11 oder 12) und einem Luftblasloch (12 oder 11) versehen ist.
  6. Verfahren zum Trennen eines Substrats (G) von der Vorrichtung gemäß Anspruch 1, mit den Schritten: Absenken der Hebe-/Absenk-Ringplatte (4) der Werkstückhalteplatte (1) in einem Zustand, bei dem das Substrat (G) auf der Werkstückhalteplatte (1) montiert ist, so dass das Substrat (G) von der Werkstückhaltefläche der Hebe-/Absenk-Ringplatte (4) getrennt wird; und dann Anheben des Anhebestiftes (8), um das Substrat (G) von der Werkstückhaltefläche des Werkstückhalteplattenkörpers (3) zu trennen und anzuheben, während die Hebe-/Absenk-Ringplatte (4) abgesenkt wird.
  7. Verfahren zum Trennen des Substrats (G) von der Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats (G) gemäß Anspruch 6, wobei: in der Hebe-/Absenk-Ringplatte (4) eine Heizvorrichtung eingebaut ist.
  8. Verfahren zum Trennen des Substrats (G) von der Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats (G) nach Anspruch 6, wobei: die Werkstückhaltefläche eine feine Unregelmäßigkeit hat, um die Kontaktfläche zwischen der Werkstückhaltefläche und dem Substrat (G) zu verringern, ohne dass der Wärmefluss von der Werkstückhaltefläche auf das Substrat (G) beeinträchtigt wird.
  9. Verfahren zum Trennen des Substrats (G) von der Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats (G) nach Anspruch 6, wobei: die Hebe-/Absenk-Ringplatte (4) aus einem Ringteil (4a) und vier Vorsprüngen (4b) aufgebaut ist, die um einen Außenumfangsteil des Ringteils (4a) angeordnet sind, wobei die vier Vorsprünge (4b) in regelmäßigen Winkelabständen von ungefähr 90 Grad zueinander beabstandet sind.
  10. Verfahren zum Trennen des Substrats (G) von der Vorrichtung zur Wärmebehandlung des Substrats (G) nach Anspruch 6, wobei: sowohl der Werkstückhalteplattenkörper (3) als auch die Hebe-/Absenk-Ringplatte (4) der Werkstückhalteplatte (1) mit einem Unterdrucksaugloch (11 oder 12) und einem Luftblasloch (12 oder 11) versehen ist.
DE69933806T 1998-03-05 1999-03-04 Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Substrats und Verfahren zur Trennung des Substrats von der Vorrichtung Expired - Lifetime DE69933806T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05324398A JP3374743B2 (ja) 1998-03-05 1998-03-05 基板熱処理装置及び同装置からの基板の分離方法
JP5324398 1998-03-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69933806D1 DE69933806D1 (de) 2006-12-14
DE69933806T2 true DE69933806T2 (de) 2007-08-30

Family

ID=12937364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69933806T Expired - Lifetime DE69933806T2 (de) 1998-03-05 1999-03-04 Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Substrats und Verfahren zur Trennung des Substrats von der Vorrichtung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6051815A (de)
EP (1) EP0940843B1 (de)
JP (1) JP3374743B2 (de)
KR (1) KR100341158B1 (de)
DE (1) DE69933806T2 (de)
TW (1) TW413847B (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002064132A (ja) * 2000-08-22 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd 被処理体の受け渡し方法、被処理体の載置機構及びプローブ装置
US6437296B1 (en) * 2000-12-21 2002-08-20 Lg. Philips Lcd Co. Ltd. Alignment apparatus of the substrate for LCD
KR100378568B1 (ko) * 2000-12-23 2003-03-29 태화일렉트론(주) 액정표시기 그라스의 다단식 탈수 베이크 및 프리베이크용 플레이트 구조
US6432207B1 (en) * 2001-03-07 2002-08-13 Promos Technologies Inc. Method and structure for baking a wafer
US6776849B2 (en) * 2002-03-15 2004-08-17 Asm America, Inc. Wafer holder with peripheral lift ring
US20040096636A1 (en) * 2002-11-18 2004-05-20 Applied Materials, Inc. Lifting glass substrate without center lift pins
JP3989384B2 (ja) * 2003-02-07 2007-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US20060193365A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Honeywell International Spacer for spacing preforms in a furnace and method for spacing preforms in a furnace using same
US20100212832A1 (en) * 2005-12-28 2010-08-26 Sharp Kabushiki Kaisha Stage device and plasma treatment apparatus
JP4294661B2 (ja) 2006-07-26 2009-07-15 国立大学法人東北大学 基板ステージ、熱処理装置および基板ステージの製造方法
NL2003380A (en) * 2008-10-17 2010-04-20 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
NL2009689A (en) * 2011-12-01 2013-06-05 Asml Netherlands Bv Support, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US10460978B2 (en) * 2017-03-08 2019-10-29 Lam Research Corporation Boltless substrate support assembly

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5226056A (en) * 1989-01-10 1993-07-06 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Plasma ashing method and apparatus therefor
JPH04162422A (ja) * 1990-10-24 1992-06-05 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置
JP3153372B2 (ja) * 1992-02-26 2001-04-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP3291832B2 (ja) * 1992-05-19 2002-06-17 株式会社ニコン 基板保持部材、および、露光装置
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US5738165A (en) * 1993-05-07 1998-04-14 Nikon Corporation Substrate holding apparatus
US5591269A (en) * 1993-06-24 1997-01-07 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
JP3158829B2 (ja) * 1993-12-31 2001-04-23 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
TW254030B (en) * 1994-03-18 1995-08-11 Anelva Corp Mechanic escape mechanism for substrate
JP3457477B2 (ja) * 1995-09-06 2003-10-20 日本碍子株式会社 静電チャック
JP3005461B2 (ja) * 1995-11-24 2000-01-31 日本電気株式会社 静電チャック
JPH09172055A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Fujitsu Ltd 静電チャック及びウエハの吸着方法
US5854468A (en) * 1996-01-25 1998-12-29 Brooks Automation, Inc. Substrate heating apparatus with cantilevered lifting arm
US5904779A (en) * 1996-12-19 1999-05-18 Lam Research Corporation Wafer electrical discharge control by wafer lifter system

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990077634A (ko) 1999-10-25
KR100341158B1 (ko) 2002-06-20
JPH11251257A (ja) 1999-09-17
EP0940843A2 (de) 1999-09-08
EP0940843B1 (de) 2006-11-02
DE69933806D1 (de) 2006-12-14
US6051815A (en) 2000-04-18
JP3374743B2 (ja) 2003-02-10
TW413847B (en) 2000-12-01
EP0940843A3 (de) 2002-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69933806T2 (de) Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Substrats und Verfahren zur Trennung des Substrats von der Vorrichtung
DE60131511T2 (de) Halbleiterverarbeitungsmodul und Vorrichtung
DE102011108634B4 (de) Substrat-Bearbeitungs-Vorrichtung
DE602004003254T2 (de) Plasmaverarbeitungsvorrichtung
DE10335814B4 (de) Gerät mit einem Überführungsroboter zur Herstellung einer integrierten Schaltungsvorrichtung und Verwendung des Gerätes
DE69830310T2 (de) Multifunktionaler verfahrensraum für cvd-verfahren
DE10227823B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines LCD
DD298435A5 (de) Werkstuecktraeger fuer ein scheibenfoermiges werkstueck
DE112014001586B4 (de) Vorrichtung zur Bearbeitung von zwei oder mehreren Substraten in einem Batch-Prozess
DE102007041033A1 (de) Substratverarbeitende Vorrichtung mit einer Puffermechanik und einer Substrattransfervorrichtung
DE10227824B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines LCD
DE60027665T2 (de) Kontaktbelichtungsvorrichtung mit Mittel zum Einstellen eines Abstands zwischen Maske und Werkstück
DE102018102592A1 (de) Substratbearbeitungsvorrichtung und Vorrichtung zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung
DE102008036642A1 (de) Sprühkopf und CVD-Vorrichtung, welche diesen aufweist
CH697146A5 (de) Greifvorrichtung zur Handhabung von Wafern.
DE4403552C2 (de) Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung
DE10056257C2 (de) Substrathalter-Tisch und Verfahren für die Sputter-Reinigung eines Substrats
DE10052889C2 (de) Plasmabearbeitungseinrichtung und Plasmabearbeitungsverfahren für Substrate und ein Halbleitergerät
DE3418419A1 (de) Gasplasma-reaktionseinrichtung fuer halbleiterplaettchen
EP3422396B1 (de) Vorrichtung zum transport eines substrats, behandlungsvorrichtung mit einer an einen substratträger einer solchen vorrichtung angepassten aufnahmeplatte und verfahren zum prozessieren eines substrates unter nutzung einer solchen vorrichtung zum transport eines substrats sowie behandlungsanlage
EP3178109B1 (de) Substratträger
DE102006024946B4 (de) Substrat-Bondvorrichtung für eine Flüssigkristallanzeigetafel
EP1435106B1 (de) Hebe- und stützvorrichtung
DE10227856A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines LCD
EP2287900A1 (de) Träger für Wafer

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: NEC CORP., TOKYO, JP

R082 Change of representative

Ref document number: 940843

Country of ref document: EP

Representative=s name: MUELLER-BORE & PARTNER, PATENTANWAELTE, EUROPEAN P