DE19853260A1 - Verfahren zum Trocknen von Substraten und Trocknungseinrichtungen - Google Patents
Verfahren zum Trocknen von Substraten und TrocknungseinrichtungenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Trocknungseinrichtung
zum Trocknen von Substraten, die bearbeitet werden sollen,
beispielsweise von Halbleiterwafern und LCD-Glassubstraten
(LCD: Flüssigkristallanzeigen) usw., sowie ein Verfahren zum
Trocknen der Substrate.
Allgemein wird bei Herstellungsverfahren zur Erzeugung von
Halbleitergeräten häufig ein Reinigungsverfahren eingesetzt,
bei welchem die zu bearbeitenden Substrate, beispielsweise
Halbleiterwafer und LCD-Glassubstrate und dergleichen
(nachstehend als "Substrate" bezeichnet) nacheinander in ein
Prozeßbad eingetaucht werden, welches mit Chemikalien,
Spülflüssigkeiten und dergleichen gefüllt ist. Bei einer
Reinigungseinrichtung zur Durchführung des voranstehend
geschilderten Verfahrens wird häufig ein Trocknungsverfahren
eingesetzt, bei welchem Feuchtigkeit entfernt wird, die auf
den Oberflächen der Substrate nach der Reinigung verbleibt,
worauf dann die Substrate getrocknet werden. Daher ist die
Reinigungseinrichtung mit einer Trocknungseinrichtung zur
Durchführung des voranstehend geschilderten
Trocknungsverfahrens versehen.
Im allgemeinen wurde als eine derartige Trocknungseinrichtung
ein sogenannter "Schleudertrockner" eingesetzt, bei welchem
die auf den Substraten anhaftende Feuchtigkeit durch Drehung
der mehreren Substrate entfernt wird, die so gehaltert
werden, daß sie in einer Reihe stehen, wobei die Drehung um
ein Drehzentrum erfolgt, welches parallel zu den
Zentrumsachsen der Substrate verläuft.
Als herkömmliche Trocknungseinrichtung dieser Art ist eine
Einrichtung bekannt, bei welcher eine Anordnung eingesetzt
wird, durch welche die auf den Oberflächen der Substrate
anhaftende Feuchtigkeit dadurch entfernt wird, daß ein Rotor
gedreht wird, der beispielsweise in einer Trocknungskammer
angeordnet ist, und welchem die mehreren Substrate von einem
Übertragungsarm zum Haltern der in einer Reihe stehenden
Substrate zugeführt werden (siehe die japanischen
Veröffentlichungen ungeprüfter Gebrauchsmuster Nr. 6-9129 und
6-17230), und ist eine weitere Einrichtung bekannt, bei
welcher eine derartige Anordnung eingesetzt wird, daß ein
Substrathalter abnehmbar an dem Rotor in der Trocknungskammer
angebracht ist, und so aufgebaut ist, daß er durch eine
Hebevorrichtung gehoben wird, die unterhalb des Rotors
angeordnet ist (vergleiche die japanischen Veröffentlichungen
ungeprüfter Patente Nr. 5-283392, 6-112186 und 7-22378).
Bei der erstgenannten Trocknungseinrichtung ist jedoch die
Schwierigkeit vorhanden, daß sie nicht nur zu viel Raum
benötigt, da bei der Einrichtung sichergestellt werden muß,
daß das große Volumen der Trocknungskammer vorhanden ist,
damit der Übertragungsarm in die Trocknungskammer eingeführt
werden kann, sondern auch der Trocknungswirkungsgrad
verringert ist, infolge eines erhöhten Abstandes zwischen der
Trocknungskammer und dem Rotor.
Andererseits weist die letztgenannte Einrichtung in der
Hinsicht Schwierigkeiten auf, daß nicht nur die
Trocknungskammer kompliziert ausgebildet ist, und die
Einrichtung große Abmessungen aufweist, sondern auch die
Wahrscheinlichkeit, daß Teilchen an den Substraten anhaften,
mit erhöhter Anzahl an Zufuhrvorgängen in bezug auf die
Substrate ansteigt.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht daher in der
Bereitstellung einer Substrattrocknungseinrichtung und eines
Substrattrocknungsverfahrens, durch welche es ermöglicht
wird, die Kapazität der Trocknungskammer zur Erzielung einer
kompakten Trocknungseinrichtung soweit wie möglich zu
verringern, und den Trocknungswirkungsgrad zu erhöhen. Ein
weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der
Bereitstellung einer Substrattrocknungseinrichtung, welche
die Anzahl der Zufuhrvorgänge für die Substrate verringern
kann, um es zu ermöglichen, die Anzahl der Gelegenheiten zu
verringern, bei welchen Teilchen an den Substraten anhaften
können.
Um das voranstehend geschilderte Ziel der vorliegenden
Erfindung zu erreichen, wird eine Trocknungseinrichtung zum
Trocknen zu verarbeitender Substrate zur Verfügung gestellt,
welche aufweist: eine Trocknungskammer, die in ihrem oberen
Abschnitt eine Belade- und Entladeöffnung aufweist, durch
welche die Substrate beladen, bzw. entladen werden; einen
Substrathalter, der die Substrate so haltert, daß die
Substrate aufrecht stehen, und in Horizontalrichtung
hintereinander angeordnet sind; einen Rotor, der so in der
Trocknungskammer angeordnet ist, daß er sich um eine
horizontale Drehachse als Zentrum dreht, wobei der Rotor mit
dem Substrathalter in Eingriff bringbar ist; und ein
Substrathaltertransportgerät, welches außerhalb der
Trocknungskammer vorgesehen ist, und den Substrathalter
zwischen einer Beschickungsposition außerhalb der
Trocknungskammer, an welcher der Substrathalter die Substrate
aufnehmen und freigeben kann, und eine Eingriffsposition
innerhalb der Trocknungskammer bewegen kann, an welcher der
Substrathalter in Eingriff mit dem Rotor gelangen kann.
Gemäß einer zweiten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung
wird eine Trocknungseinrichtung zum Trocknen von zu
verarbeitenden Substraten zur Verfügung gestellt, welche
aufweist: eine Trocknungskammer, die mit einer Belade- und
Entladeöffnung versehen ist; einen Substrathalter, der die
Substrate so haltert, daß sie aufrecht stehen, und
hintereinander in Horizontalrichtung angeordnet sind; einen
Rotor, der so in der Trocknungskammer angeordnet ist, daß er
sich um eine horizontale Drehachse als Zentrum dreht, wobei
der Rotor mit dem Substrathalter in Eingriff bringbar ist;
ein Transportgerät zum Transport des Substrathalters, welches
außerhalb der Trocknungskammer angeordnet und mit dem
Substrathalter in Eingriff bringbar ist, wobei das
Transportgerät den Substrathalter zwischen einer
Beschickungsposition außerhalb der Trocknungskammer, an
welcher der Substrathalter die Substrate aufnehmen und
freigeben kann, und einer Eingriffsposition innerhalb der
Trocknungskammer bewegen kann, an welcher der Substrathalter
in Eingriff mit dem Rotor gelangen kann; und ein
Substrattransportgerät zum Transport der Substrate, die von
außerhalb der Trocknungseinrichtung zu dieser befördert
wurden, zur Beschickungsposition.
Gemäß einer dritten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung
wird ein Trocknungsverfahren zum Trocknen von zu
bearbeitenden Substraten zur Verfügung gestellt, mit
folgenden Schritten: Zuführung der Substrate, die so
gehaltert werden, daß die Substrate aufrecht stehen, und
hintereinander in Horizontalrichtung angeordnet sind, durch
ein Substrattransportgerät, und von dem
Substrattransportgerät zu einem Substrathalter, der in einem
Transportgerät gehaltert ist, während die Ausrichtung der
Substrate infolge des Substrattransportgerätes beibehalten
wird; Bewegung des Substrathalters durch das Transportgerät
so, daß der Substrathalter mit einem Rotor in einer
Trocknungskammer in Eingriff gelangt; Freigabe des
Substrathalters von dem Transportgerät, und Zurückziehen des
Transportgerätes nach oben; Verschließung der
Trocknungskammer mit einem Deckelkörper; und Drehen des
Rotors, um Flüssigkeit von den jeweiligen Oberflächen der
Substrate zu entfernen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch
dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, aus
welchen weitere Vorteile und Merkmale hervorgehen. Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Aufsicht auf ein Reinigungssystem,
bei welchem eine Substrattrocknungseinrichtung gemäß der
vorliegenden Erfindung eingesetzt wird;
Fig. 2 eine Seitenansicht der Substrattrocknungseinrichtung
gemäß der vorliegenden Erfindung, wobei der Gesamtaufbau der
Einrichtung schematisch dargestellt ist;
Fig. 3 eine vergrößerte Querschnittsansicht eines
wesentlichen Teils in der Nähe einer Trocknungskammer der
Substrattrocknungseinrichtung von Fig. 2;
Fig. 4 eine schematische Aufsicht auf die Trocknungskammer
der Substrattrocknungseinrichtung von Fig. 3, gesehen von
einer Belade- und Entladeöffnung der Trocknungskammer aus;
Fig. 5A und 5B schematisch einen Deckelkörper und einen
Antriebsmechanismus für den Deckelkörper; wobei 5A eine
Aufsicht auf den Deckelkörper und den Antriebsmechanismus
ist, und Fig. 5B eine Seitenansicht das Deckelkörpers und des
Antriebsmechanismus ist;
Fig. 6 eine Perspektivansicht eines wesentlichen Teils eines
Rotors in Fig. 2;
Fig. 7 eine Perspektivansicht eines wesentlichen Teils eines
Waferhalters in Fig. 2;
Fig. 8A und 8B eine Waferübertragungsaufspannvorrichtung von
Fig. 2; wobei Fig. 8A eine Seitenansicht der
Aufspannvorrichtung ist, und Fig. 8B eine Querschnittsansicht
entlang einer Linie VIIIA-VIIIA von Fig. 8A ist;
Fig. 9 eine Seitenansicht jeweiliger wesentlicher Teile eines
Waferstoßmechanismus, eines Rotors und eines
Verriegelungsmechanismus des Waferhalters;
Fig. 10 eine Seitenansicht eines wesentlichen Teils des
Waferandruckmechanismus von Fig. 9;
Fig. 11 eine Aufsicht auf eine Situation, in welcher der
Waferhalter mit dem Rotor in Eingriff steht;
Fig. 12 eine Seitenansicht eines Zustands, in welchem der
Waferhalter mit dem Rotor in Eingriff steht;
Fig. 13A, 13B und 13C eine Befestigungsanordnung eines
Waferstoßmechanismus; wobei Fig. 13A eine Aufsicht auf die
Befestigunganordnung ist, Fig. 13B eine Querschnittsansicht
der Befestigungsanordnung ist, und Fig. 13C eine
entsprechende Seitenansicht;
Fig. 14A eine Perspektivansicht der Befestigungsanordnung in
ihrem verriegelten Zustand, und Fig. 14B eine
Perspektivansicht eines wesentlichen Teils eines abgestuften
Zylinders, welche einen Teil der Befestigungsanordnung
bildet;
Fig. 15 eine schematische Perspektivansicht eines weiteren
Zustands, in welchem die Befestigungsanordnung freigegeben
ist;
Fig. 16 eine Perspektivansicht einer weiteren Ausführungsform
einer Buchse auf der Seite des Rotors als Teil der
Befestigungsanordnung;
Fig. 17 eine schematische Seitenansicht eines
Verriegelungsmechanismus für den Rotor und den Waferhalter;
Fig. 18 eine schematische Seitenansicht, in welcher Teile des
Verriegelungsmechanismus und eines Entriegelmechanismus
gezeigt sind;
Fig. 19A, 19B und 19C Darstellungen zur Verdeutlichung des
Betriebs eines Eingriffsmechanismus einer Waferführung und
des Waferhalters;
Fig. 20 eine Querschnittsansicht, welche eine Abänderung des
Eingriffsmechanismus der Waferführung und des Waferhalters
zeigt;
Fig. 21 bis 25B Ansichten mit einer Darstellung einer Abfolge
von Operationen bei einer Substrattrocknungeinrichtung gemäß
der vorliegenden Erfindung; wobei Fig. 21 eine schematische
Querschnittsansicht eines Zustands ist, in welchem die Wafer
vor dem Trocknen auf die Substrattrocknungseinrichtung
befördert werden, Fig. 22A eine schematische
Querschnittsansicht einer Operation zum Transport der Wafer
von der Waferübertragungsaufspannvorrichtung auf den
Waferhalter ist, und Fig. 22B eine schematische seitliche
Querschnittsansicht von Fig. 22A ist, Fig. 23A eine
schematische Querschnittsansicht eines Zustands ist, nachdem
die Wafer zum Waferhalter transportiert wurden, Fig. 23B eine
schematische seitliche Querschnittsansicht von Fig. 23A ist,
Fig. 24A eine schematische Querschnittsansicht eines Zustands
ist, bei welchem der Waferhalter in dem Rotor installiert
ist, und Fig. 24B eine schematische Querschnittsansicht von
Fig. 24A ist, Fig. 25A eine schematische Querschnittsansicht
eines Zustands ist, in welchem die Wafer getrocknet werden,
und Fig. 25B eine schematische seitliche Querschnittsansicht
von Fig. 25A ist.
Als nächstes wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen eine
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben, wobei
als Beispiel der Einsatz einer Trocknungseinrichtung gemäß
der Erfindung bei einem Reinigungssystem für Halbleiterwafer
dient.
Zuerst wird der Gesamtaufbau des Reinigungssystems
beschrieben. Wie aus Fig. 1 hervorgeht, weist das
Reinigungssystem im wesentlichen auf: einen Belade- und
Entladeabschnitt 2 zum Laden bzw. Entladen eines Behälters
zur Aufnahme von Wafern W in Horizontalrichtung, nämlich
eines Trägers 1; einen Bearbeitungsabschnitt 3 zur Reinigung
der Wafer W unter Verwendung von Chemikalien,
Reinigungsflüssigkeiten usw., und zu deren nachfolgender
Trocknung; und einen Übergangsabschnitt 4, der zwischen dem
Belade- und Entladeabschnitt 2 und dem Verarbeitungsabschnitt
3 angeordnet ist und dazu dient, die Wafer W von dem
Abschnitt 2 dem Abschnitt 3 und in umgekehrter Reihenfolge
zuzuführen, die Position der Wafer W einzustellen, und die
Ausrichtung der Wafer W zu ändern.
Der Belade- und Entladeabschnitt 2 wird durch einen
Eingangsteil 5 (Beladen) und einen Ausgangsteil 6 (Entladen)
gebildet, die beide auf einer Seite des Reinigungssystems
diesem gegenüberliegend vorgesehen sind. Um die Träger 1 dem
Eingangsteil 5 zuzuführen, und sie von dem Ausgangsteil 6 zu
entladen, sind Gleittische (nicht dargestellt) jeweils in
einer Trägereingangsöffnung 5a und einer
Trägerausgangsöffnung 5b des Eingangsteils 5 vorgesehen.
Trägerhebevorrichtungen 7 sind in dem Eingangsteil 5 bzw. dem
Ausgangsteil 6 angeordnet. Die Trägerhebevorrichtungen 7
befördern nicht nur die Träger 1 in dem Eingangsteil 5 und
dem Ausgangsteil 6, sondern führen auch die leeren Träger 1
zwischen dem Belade- und Entladeabschnitt 2 und einem
Trägerbereitschaftsteil (nicht dargestellt) zu, welches
oberhalb des Abschnitts 2 angeordnet ist.
Der Verarbeitungsabschnitt 3 weist folgende Einheiten auf,
die in einer Reihe ausgerichtet angeordnet sind: eine erste
Verarbeitungseinheit 14 zum Entfernen von Teilchen und
organischen Verunreinigungen, die an den Wafern W anhaften;
eine zweite Verarbeitungseinheit 15 zum Entfernen
metallischer Verunreinigungen, die an den Wafern W anhaften;
eine dritte Verarbeitungseinheit 16 zum Entfernen von
Oxidationsfilmen, die sich auf den Wafern W gebildet haben;
eine Trocknungseinheit zum Entfernen der Feuchtigkeit,
beispielsweise der Reinigungsflüssigkeit, die auf den Wafern
W anhaftet, und zu deren Trocknung, also eine
Substrattrocknungseinrichtung 17; und eine
Aufspannvorrichtungsreinigungseinheit 18 zum Reinigen einer
Wafertransportaufspannvorrichtung 19, die nachstehend noch
genauer erläutert wird.
Auf einem Transportweg 19a gegenüberliegend diesen Einheiten
14 bis 18 ist eine Substrattransporteinrichtung angeordnet,
nämlich die Wafertransportaufspannvorrichtung 19, die sich
entlang den Richtungen X und Y (horizontal), der Richtung Z
(vertikal) und auch in einer Drehrichtung (θ) bewegen kann.
Der Transportweg 19a ist neben der Trocknungskammer 20
angeordnet. Auf dem Transportweg 19a befindet sich eine
Führungsschiene 19b, die so verläuft, daß sie die sich
bewegende Wafertransportaufspannvorrichtung 19 führt. Die
Wafertransportaufspannvorrichtung 19 wird durch eine nicht
dargestellte Antriebsvorrichtung angetrieben, und kann die
Wafer W unter den jeweiligen Einheiten 14 bis 18 in dem
Bearbeitungsabschnitt 3 transportieren, und auch zwischen dem
Abschnitt 3 und dem Übergangsabschnitt 4.
Wie nunmehr aus Fig. 8A hervorgeht, weist die
Wafertransportaufspannvorrichtung 19 eine ortsfeste
Haltestange 61 zum Haltern der jeweiligen untersten
Abschnitte der mehreren Wafer W auf, die in einer Reihe
angeordnet sind, sowie 2 bewegliche Haltestangen 62 zum
Haltern jeweiliger Halteabschnitt der Wafer W. Jede
bewegliche Haltestange 62 ist um eine horizontale Drehachse
verschwenkbar, die sich in der Nähe der ortsfesten
Haltestange 61 befindet. Sowohl die ortsfeste Haltestange 61
als auch die bewegliche Haltestange 62 weist mehrere Nuten
(nicht dargestellt) auf, die in regelmäßigen Abständen in
Axialrichtung vorgesehen sind, um die Wafer W zu haltern.
Wie in Fig. 8B mit durchgezogenen Linien angeordnet, kann
durch die Drehung nach oben der beweglichen Haltestangen 62
die Wafertransportaufspannvorrichtung 19 die Wafer W an drei
Punkten haltern, die durch die ortsfeste Haltestange 61 und
die beweglichen Haltestangen 62 vorgegeben sind.
Wie wiederum aus Fig. 1 hervorgeht, ist der
Übergangsabschnitt 4 durch eine Trennwand 4c in eine erste
Kammer 4a neben dem Eingangsteil 5 und eine zweite Kammer 4b
neben dem Ausgangsteil 6 unterteilt. In der ersten Kammer 4a
weist der Übergangsabschnitt 4 auf: einen Waferaufnahmearm 8
zum Aufnehmen der Wafer W von den Trägern 1 in dem
Eingangsteil 5 für den Transport, wobei sich der
Waferaufnahmearm 8 in den Horizontalrichtungen (X, Y), der
Vertikalrichtung (Z) sowie der Drehrichtung (θ) drehen kann;
eine Kerbenausrichtungsvorrichtung 9, welche Kerben
nachweist, die auf den Wafern W vorgesehen sind, um diese in
einer Reihe anzuordnen; und eine Spalteinstellmechanismus
(nicht dargestellt) zur Einstellung jedes Spalts zwischen
benachbarten Wafern W, die von dem Waferaufnehmearm
aufgenommen wurden. Zusätzlich ist ein erstes
Ausrichtungsänderungsgerät 10 ebenfalls in der ersten Kammer
4a vorgesehen und dient dazu, die Wafer W aus ihrer
horizontalen Orientierung in die vertikale Orientierung zu
bringen.
In der zweiten Kammer 4b weist der übergangsabschnitt auf:
ein zweites Ausrichtungsänderungsgerät 11 zur Änderung der
Ausrichtung der Wafer W von der Vertikalausrichtung zur
Horizontalausrichtung, nach Empfang der bearbeiteten Wafer W,
die von dem Verarbeitungsabschnitt 3 durch die
Wafertransportaufspannvorrichtung 19 transportiert wurden;
und einen Waferaufnahmearm 12 zum Empfang der Wafer W, deren
Ausrichtungen durch das zweite Ausrichtungsänderungsgerät 11
in die horizontale Ausrichtung geändert wurden, und zur
aufeinanderfolgenden Aufnahme der Wafer W in dem leeren
Träger 1, der zu einem Waferempfangsteil 13 befördert wurde,
wobei sich auch der Waferaufnahmearm 12 in den
Horizontalrichtung (X, Y), in der Vertikalrichtung (Z), und
in der Drehrichtung (θ) bewegen kann.
Als nächstes wird unter Bezugnahme auf die Fig. 2 bis 25B die
Substrattrocknungseinrichtung 17 gemäß der vorliegenden
Erfindung beschrieben. Die Substrattrocknungseinrichtung 17
weist im wesentlichen auf: eine Trocknungskammer 20; einen
Rotor 30 mit Horizontalwelle, der in der Trocknungskammer 20
angeordnet ist; einen Waferhalter 40 (Substrathalter), der
mit dem Rotor 30 in bzw. außer Eingriff bringbar ist; und
eine Waferführung 50 (nämlich ein Gerät zum Transport des
Substrathalters), die mit dem Waferhalter 40 in bzw. außer
Eingriff bringbar ist, um diesen nach oben und unten zu
transportieren.
Diese Einzelteile der Trocknungseinrichtung 17 werden
nachstehend genauer beschrieben.
Zuerst wird die Trocknungskammer 20 beschrieben. Wie in den
Fig. 2 und 3 gezeigt, ist die Trocknungskammer 20 in ihrem
oberen Abschnitt mit einer Belade- und Entladeöffnung 21 zum
Beladen bzw. Entladen der Substrate versehen, also der
Halbleiterwafer W, um diese in die Trocknungskammer 20
einzubringen, bzw. aus dieser zu entfernen. Weiterhin ist ein
Deckelkörper 25 zum Verschließen der Öffnung 21 vorhanden.
Andererseits ist die Trocknungskammer 20 in ihrem unteren
Abschnitt mit einer Auslaßöffnung 24 versehen, an welche ein
Auslaßrohr 23 angeschlossen ist. In dem Auslaßrohr 23 ist ein
Auslaßgebläse 22 vorgesehen. Der Rotor 30 ist in der
Trocknungskammer 20 angeordnet.
Gemäß Fig. 3 sind Seitenwände, welche die Trocknungskammer 20
festlegen, so profiliert, daß im wesentlichen zylindrische
Oberflächen ausgebildet sind. In der Nähe der Ausgangsöffnung
24 ist eine Rückflußverhinderungsplatte 26 zu dem Zweck
vorgesehen, zu verhindern, daß die Auslaßluft zurück zur
Trocknungskammer 20 fließt.
Wie in den Fig. 3 und 4 gezeigt, ist ein Paar von
Düseneinheiten 80 so angeordnet, daß diese nahe an der
Belade- und Entladeöffnung 21 der Trocknungskammer 20 liegen,
und die Düseneinheiten dienen dazu, eine
Reinigungsflüssigkeit (reines Wasser) auf den gesamten
Bereich des Rotors 30 von oben aus aufzuspritzen. Jede der
Düseneinheiten 80 weist ein Flüssigkeitszufuhrrohr 82 und
mehrere Düsen 81 auf (16 bei der vorliegenden
Ausführungsform), die in geeigneten Abständen in
Längsrichtung des Rohrs 82 angeordnet sind, und dazu dienen,
die Reinigungsflüssigkeit auszuspritzen. Die
Flüssigkeitszufuhrrohre 82 sind jeweils an eine
Flüssigkeitsversorgungsquelle 84 über Rohre 83 angeschlossen.
Durch Verwendung der Düseneinheiten 80 ist es möglich,
wirksam den Rotor 30, den Waferhalter 40, der keine Wafer W
enthält, und die Innenwände der Trocknungskammer 20 zu
reinigen, nachdem ein Trocknungsvorgang beendet ist. Durch
Ausspritzen des reinen Wassers aus den Düsen 81 zu den Wafern
W, während der Waferhalter 40, der die Wafer W haltert, an
dem Rotor 30 angebracht ist, ist es darüber hinaus möglich,
den Reinigungsvorgang für die Wafer W durchzuführen.
Wie in den Fig. 3, 5A und 5B gezeigt, ist der Deckelkörper 25
gleitbeweglich auf einem Paar von Führungsschienen 25a
angebracht, die neben der Belade- und Entladeöffnung 21
verlaufen. Dadurch, daß er durch die Ausdehnung eines
stangenlosen Zylinders 25b in Horizontalrichtung bewegt wird,
kann der Deckelkörper 25 die Belade- und Entladeöffnung 21
öffnen und schließen. Weiterhin ist der Deckelkörper 25 mit
einer Kolbenstange 27b eines Pneumatikzylinders 27a
verbunden. Wenn der Deckelkörper 25 die Belade- und
Entladeöffnung 21 schließt, wird der Deckelkörper 25 durch
das Einfahren der Kolbenstange 27b zur Belade- und
Entladeöffnung 21 gezogen, so daß der Körper 25 in enge
Berührung mit der Öffnung 21 gelangen kann.
Wie besonders aus Fig. 3 deutlich wird, weist der
Deckelkörper 25 einen Lufteinlaß 25c auf, der an einer Seite
des oberen Abschnitts der Trocknungskammer 20 vorgesehen ist.
Weiterhin weist der Deckelkörper 25 eine Innenoberfläche 25d
auf, welche der Innenseite der Trocknungskammer 20 gegenüber
liegt. Die Innenoberfläche 25d ist zur Horizontalebene hin
geneigt. Die Innenoberfläche 25d ist so ausgebildet, daß sie
einen Abstand nach unten von einer Öffnung des Lufteinlasses
25c zur anderen Seite des oberen Abschnitts der
Trocknungskammer 20 ausbildet. Wenn das Auslaßgebläse 22
läuft, wird die Luft der Trocknungskammer 20 über den
Lufteinlaß 25 zugeführt, und dann durch die Auslaßöffnung 24
ausgestoßen (vergleiche den Pfeil in Fig. 3).
Ein Rand 25g der Innenoberfläche 25d des Deckelkörpers 25 auf
der Seite des Lufteinlasses 25c ist horizontal außerhalb der
Umfänge der Wafer W angeordnet, die von dem Waferhalter 40
gehaltert werden, der mit dem Rotor 30 in Eingriff steht, und
zwar in einer geeigneten Entfernung L (vergleiche Fig. 3).
Selbst wenn ein Wassertropfen und dergleichen am Rand 25g des
Deckelkörpers 25 haften bleibt, und infolge seines
Eigengewichts herunter fällt, trifft er außerhalb der Wafer W
auf. Daher ist es möglich, eine Verschmutzung der Wafer W
durch anhaftende Wassertröpfchen zu verhindern.
Die Innenoberfläche 25d des Deckelkörpers 25 ist mit einem
PTFE-Film (Film aus Polytetrafluorethylen) 25e beschichtet,
der korrosionsbeständig und wasserabstoßend ist. Daher kann
verhindert werden, daß Wassertröpfchen an dem Deckelkörper 25
haften bleiben, so daß eine Korrosion des Deckelkörpers 25
verhindert werden kann.
Am Lufteinlaß 25c ist eine Verstärkungsplatte 25f aus
Edelstahl vorgesehen, die mehrere Öffnungen in geeigneten
Entfernungen aufweist. Die Verstärkungsplatte 25f richtet den
Luftfluß aus, der durch den Lufteinlaß 25c ankommt, um
Unregelmäßigkeiten des Luftflusses zu verringern, wodurch der
Trocknungswirkungsgrad verbessert wird.
Ein Ionisator 28 ist unterhalb der Verstärkungsplatte 25f des
Lufteinlasses 25 vorgesehen. Der Ionisator 28 strahlt Ionen
gegen die Luft aus, welche der Trocknungskammer 20 zugeführt
werden, um elektrische Aufladungen zu entfernen, und die
Erzeugung statischer Elektrizität zu verhindern. Weiterhin
wird darauf hingewiesen, daß oberhalb der Trocknungskammer 20
eine Filtergebläseeinheit 29 vorgesehen ist, welche dazu
dient, gereinigte Luft der Trocknungskammer 20 zuzuführen
(siehe Fig. 20).
Als nächstes wird der Aufbau des Rotors 30 beschrieben. Wie
in Fig. 6 gezeigt, weist der Rotor 30 eine Rotorbasis 43 auf,
die aus einem Paar kreisförmiger Scheiben 32 besteht, und
mehrere (beispielsweise vier) Verbindungsstangen 33, welche
jeweilige untere Abschnitte der kreisförmigen Scheiben 32
miteinander verbinden. Im Zentrum jeder kreisförmigen Scheibe
32 ist eine Drehwelle 35 so vorgesehen, daß sie gegenüber der
Scheibe 32 vorspringt. Der Rotor 30 ist in Horizontalrichtung
in der Trocknungskammer 20 mit Hilfe der Drehwellen 35
aufgenommen. Eine der Drehwellen 35 des Rotors 30 ist mit
einem Motor 31 (Fig. 2) verbunden, der außerhalb der
Trocknungskammer 20 angeordnet ist, so daß der Betrieb des
Motors 31 dazu führt, daß der Rotor 30 um die Horizontalachse
als Drehzentrum gedreht wird. Eine Windschutzplatte 32a ist
im Inneren der anderen kreisförmigen Platte 32 vorgesehen.
Weiterhin weist der Rotor 30 einen Haltearm 36 auf, der zum
Herunterhalten jeweiliger oberer Abschnitte der Wafer W
dient, die von dem Waferhalter 40 gehaltert werden, der an
dem Rotor 30 angebracht ist. Wie aus den Fig. 3 und 6
hervorgeht, weist der Haltearm 36 zwei Paare von Dreharmen
36b auf, die um jeweilige obere Abschnitte der kreisförmigen
Scheiben 31 mit Hilfe von Schwenkwellen 36a gedreht werden
können, sowie durch Querträger 37 als Halteelemente, die
jeweils zwischen den gegenüberliegenden Dreharmen 36b
verlaufen. Die Querträger 37 bestehen jeweils aus PTFE-Harz
und verlaufen in Horizontalrichtung. Jeder Querträger 37
weist mehrere V-förmige Nuten 37a auf, die in Längsrichtung
des Trägers 37 verlaufen.
Die Trocknungseinrichtung gemäß der Erfindung ist mit einem
Paar von Haltearmbetätigungsmechanismen 38 versehen, die dazu
dienen, den jeweiligen Dreharm 36b der kreisförmigen Scheibe
32 auf einer Seite zu drehen, wodurch die Haltearme 36
betätigt werden. Wie aus Fig. 10 hervor geht, wird jeder der
Betätigungsmechanismen 38 durch eine Schwenkverbindung 38a
gebildet, die auf einer Außenwand der Trocknungskammer 20
vorgesehen ist, und abnehmbar mit der Schwenkwelle 36a
verbunden ist, sowie durch einen Zylinder 38c und ein
Gleitelement 39, die beide dazu dienen, die Schwenkverbindung
38a zu verschwenken. Ein freies Ende der Schwenkverbindung
38a ist gleitbeweglich in eine Vertikalnut 39a eingesetzt,
die in dem Gleitelement 39 vorgesehen ist. Durch diese
Anordnung kann jedes Gleitelement 39 in Horizontalrichtung
durch Betätigung des Zylinders 38c bewegt werden, so daß die
Schwenkverbindung 38a verschwenkt wird. Daher werden die
Schwenkwelle 36 und der Dreharm 36b so gedreht, daß jeder
Querträger 37 am freien Ende des Dreharms 36b von einer
Position, die in Fig. 9 durch eine doppelt gepunktete
Kettenlinie angedeutet ist, zu einer anderen Position bewegt
wird, die in der Figur durch eine durchgezogene Linie
angedeutet ist. Auf diese Weise können die oberen Abschnitte
der Wafer W heruntergehalten werden, die in dem Waferhalter
40 gehaltert werden.
Weiterhin weist die Trocknungseinrichtung gemäß der Erfindung
einen Befestigungsmechanismus 44 zum Halten des Haltearms 36
auf, welcher die oberen Abschnitte der Wafer W herunterhält.
Wie aus den Fig. 13A bis 13C hervorgeht, weist der
Befestigungsmechanismus 44 ein zylinderförmiges und
abgestuftes Aufnahmeteil 45 auf, welches die Drehwelle 36a
bildet, ein Eingriffsteil 46, welches sich an das
Aufnahmeteil 45 annähern und von diesem entfernen kann, sowie
einen Betätigungszylinder 47 zur Bewegung des Eingriffsteils
46 in und außer Eingriff mit bzw. von dem Aufnahmeteil 45.
Das Aufnahmeteil 45, also die Schwenkwelle 36s, besteht aus
einem Teil 45A mit großem Durchmesser, der von der
kreisförmigen Scheibe 32 des Rotors 30 vorspringt, und einem
Teil 45b mit kleinem Durchmesser. Das Teil 45b mit kleinem
Durchmesser des Aufnahmeteils 45, nämlich ein abgestufter
Zylinder 45, ist drehbeweglich in eine Buchse 48 eingefügt,
die an der kreisförmigen Scheibe 32 des Rotors 30 befestigt
ist, und welche den selben Durchmesser aufweist, wie das Teil
45a mit großem Durchmesser.
An dem stufenförmigen Teil des abgestuften Zylinders 45 sind
Aufnahmenuten 45c in Form von Langlöchern an zwei einander
gegenüberliegenden Positionen vorgesehen. Entsprechend ist
auch die Buchse 48 an zwei gegenüberliegenden Positionen an
ihrer Spitze mit konkaven Nuten 48a versehen. Die Positionen
der Aufnahmenuten 45c stimmen mit den Positionen der konkaven
Nuten 48a überein.
Eine Betätigungsspindel 49b ist gleitbeweglich in den
abgestuften Zylinder 45 eingeführt. An der Spitze der
Betätigungsspindel 49b ist das Eingriffsteil 46 so
angeordnet, daß es die Betätigungsspindel 49b schneidet. Die
Betätigungsspindel 49b wird normalerweise in die Richtung
getrennt von dem Aufnahmeteil 45 gedrückt, durch eine Feder
49a. Das Eingriffsteil 46 steht daher normalerweise im
Eingriff mit den Aufnahmenuten 45c auf der Seite des Teils
45b mit geringem Durchmesser, und mit den konkaven Nuten 48a
der Buchse 48, infolge der Druckkraft der Feder 48a
(vergleiche die Fig. 13 und 14). In diesem Zustand ist, da
das Eingriffsteil 46 mit der Buchse 48 in Eingriff steht, die
auf der kreisförmigen Scheibe 32 des Rotors 30 befestigt ist,
der Haltearm 37 verriegelt, während die oberen Abschnitte der
Wafer W heruntergehalten werden.
Wenn der Betätigungszylinder 47 so angetrieben wird, daß die
Kolbenstange 47a ausgefahren wird, wird die
Betätigungsspindel 49b gegen die Rückstellkraft der Feder 49a
bewegt. Dann wird das Eingriffsteil 46 aus den konkaven Nuten
48a der Buchse 48 herausgedrückt, und in die Aufnahmenuten
45c der Seite des Teils 45a mit großem Durchmesser des
abgestuften Zylinders 45 verschoben. Daher wird der Haltearm
37 entriegelt, damit er sich drehen kann (siehe die Fig. 15A
bis 15C). Durch Antrieb des Zylinders 38 in diesem Zustand
ist es möglich, den Haltearm 36 zurückzuziehen.
Es wird darauf hingewiesen, daß wie in Fig. 16 gezeigt, durch
Ausbildung der Buchse 48 mit konkaven Nuten 48b zum Einführen
des freigegebenen Eingriffsteils 46 es ebenfalls möglich ist,
zu verhindern, daß sich das Eingriffsteil 46 unerwünscht
bewegt, wodurch die Sicherheit erhöht wird.
Als nächstes wird der Waferhalter 40 beschrieben. Wie in Fig.
7 gezeigt, weist der Waferhalter 40 eine aufrechte
kreisringförmige Basisplatte 41 und eine Waferhalterung 42
auf, die auf einem unteren Teil auf einer Seitenoberfläche
der Basisplatte 41 vorgesehen ist. Weiterhin ist auf einem
oberen Teil der anderen Seitenoberfläche der Basisplatte 41
ein Eingriffsteil 43 vorhanden, welches lösbar im Eingriff
mit der Waferführung 50 steht. Es wird darauf hingewiesen,
daß die Basisplatte 41 die Form einer Scheibe aufweisen kann,
und daß das Eingriffsteil 43 im Zentrum der Basisplatte 41
angeordnet werden kann, wie dies in den Fig. 11 und 12
gezeigt ist.
Die Waferhalterung 42 wird durch ein Paar von Halterungsarmen
42c gebildet, die symmetrisch auf der Seitenoberfläche der
Basisplatte 41 angeordnet sind. Jeder der Halterungsarme 42c
weist eine untere Haltestange 42a und eine seitliche
Haltestange 42b auf, die von der Basisplatte 41 in
Horizontalrichtung vorspringen, sowie eine feste Platte 42d,
die mit dem jeweiligen Ende der unteren Haltestange 42a und
der seitlichen Haltestange 42b verbunden ist.
Bei jeder unteren Haltestange 42a sind mehrere im
wesentlichen V-förmige Nuten vorgesehen, die in vorbestimmten
Abständen angeordnet sind, während jede seitliche Haltestange
42b mehrere im wesentlichen Y-förmige Nuten aufweist, die in
regelmäßigen Abständen entsprechend jenen der V-förmigen
Nuten vorhanden sind. Der Grund dafür, daß jede Nut der
unteren Haltestangen 42a im wesentlichen V-förmig ausgebildet
ist, liegt daran, daß das Gewicht der Wafer W durch die
V-förmigen Nuten abgefangen werden soll. Andererseits ist der
Grund dafür, daß jede der Nuten der seitlichen Haltestangen
42b im wesentlichen Y-förmig ist, darin zu sehen, daß
verhindert werden soll, daß die Wafer W auf den unteren
Haltestangen 42a schräg angeordnet sind. Infolge der
Bereitstellung der V-förmigen Nuten und der Y-förmigen Nuten
kann der Waferhalter 40 die mehreren Wafer W aufrecht
haltern, wobei die Wafer W in Horizontalrichtung ausgerichtet
sind.
Als nächstes wird ein Mechanismus (nachstehend als
"Verriegelungsmechanismus 70" bezeichnet) zur Befestigung des
Waferhalters 40 am Rotor 30 beschrieben. Wie besonders aus
Fig. 18 deutlich wird, ist eine Aufnahmebuchse 71 an der
festen Platte 42d des Waferhalters 40 befestigt. Darüber
hinaus ist eine weitere Aufnahmebuchse 71 auch an der
kreisringförmigen Basisplatte 41 vorgesehen. Der
Verriegelungsmechanismus 70 weist daher auf beiden Seiten des
Rotors 30 identische Buchsen 71 auf.
Der Verriegelungsmechanismus 70 weist einen Führungszylinder
72 auf, welcher durch die kreisförmige Scheibe 32 des Rotors
30 hindurchgeht, einen Verriegelungsstift 73, der
gleitbeweglich in den Führungszylinder 72 eingeführt ist, und
eine Feder 75. Die Feder 75 ist zwischen einem Flanschteil
73a auf dem Verriegelungsstift 73 und einem inneren
Flanschteil 72a am Ende des Führungszylinders 72 angeordnet.
Die Feder 75 drückt den Verriegelungsstift 73 so, daß er
immer in ein Eingriffsloch 74 der Buchse 71 auf der festen
Platte 42d eingeführt ist. Durch den Eingriff des
Verriegelungsstiftes 73 mit der Buchse 71 ist der Waferhalter
40 auf dem Waferhalter 40 verriegelt.
Der Verriegelungsmechanismus 70 weist einen Mechanismus zur
Aufhebung des Eingriffs des Verriegelungsstiftes 73 mit der
Buchse 71 auf, der nachstehend als "Entriegelungsmechanismus
77" bezeichnet wird. Der Entriegelungsmechanismus 77 ist
folgendermaßen ausgebildet. Wie in Fig. 18 gezeigt, ist ein
Bord 76 an einem Ende des Verriegelungsstiftes 73
gegenüberliegend dem anderen Ende befestigt, für den Eingriff
mit der Buchse 71, und zwar durch einen Bolzen. Wie in den
Fig. 10, 12, 17 und 18 gezeigt, wird der
Entriegelungsmechanismus 77 durch eine Entriegelungsplatte
77a gebildet, die lösbar im Eingriff mit dem Bord 76 als
Entriegelungsteil steht; durch eine Betätigungswelle 77b, die
mit der Platte 77a verbunden ist, um diese in Drehrichtung
und Axialrichtung zu bewegen; durch einen Zylinder 77f, der
sich ausdehnt bzw. einzieht, um die Betätigungswelle 77b und
die Platte 77a zu drehen; und durch einen
Entriegelungszylinder 77d zum Bewegen der Betätigungswelle
77b und der Platte 77a. Der Zylinder 77f ist mit einem
zylindrischen Körper 77d über ein Gelenk 77e verbunden. Die
Betätigungswelle 77b ist gleitbeweglich über ein Lager 77c in
den zylindrischen Körper 77d eingeführt.
Als nächstes wird, wobei besonders auf die Fig. 17 und 18
Bezug genommen wird, der Betrieb des Entriegelungsmechanismus
77 beschrieben. Wie voranstehend erwähnt, wird in jenem
Zustand, in welchem der Waferhalter 40 mit dem Rotor 30
verriegelt ist, die Verriegelungsplatte 77a zurückgezogen, zu
einer Position, in welcher der Verriegelungsstift 73
entriegelt wird. Um diesen Verriegelungszustand aufzuheben,
wird zuerst eine Kolbenstange 77 des Zylinders 77f
eingezogen, um die Platte 77a mit dem Bord 76 in Eingriff zu
bringen.
Daraufhin werden durch Betätigung des Entriegelungszylinders
77d, damit dieser ausfährt, die Betätigungswelle 77b und die
Platte 77a in der Richtung des Pfeils A bewegt (vergleiche
die Fig. 17 und 18). Das Bord 76 und der Verriegelungsstift
73 werden daher entgegengesetzt zur Rückstoßkraft der Feder
75 bewegt, so daß der Eingriff des Verriegelungsstifts 73 mit
dem Eingriffsloch 74 aufgehoben wird. Auf diese Weise kann
der Verriegelungszustand zwischen dem Rotor 30 und dem
Waferhalter 40 aufgehoben werden.
Die Waferführung 50 wird nachstehend erläutert.
Wie aus Fig. 2 hervorgeht, weist die Waferführung 50 eine
Halterungsstütze 53 auf, die in Vertikalrichtung bewegt
werden kann, sowie ein zylindrisches Trägerteil 54, welches
von einem Abschnitt an der Unterseite eines Endes der Stütze
53 abgestützt wird. Die Halterungsstütze 53 wird durch einen
Kugelschraubenmechanismus 52 in Vertikalrichtung bewegt, der
in einem Gehäuse 51 aufgenommen ist, welches neben der
Öffnung der Trocknungskammer 20 angeordnet ist.
Der Kugelschraubenmechanismus 52 weist eine
Kugelschraubenwelle 52b auf, die in dem Gehäuse 51 aufrecht
steht, sowie ein Gleitelement 52d, welches sich im
Gewindeeingriff mit der Kugelschraubenwelle 52b befindet. Die
Kugelschraubenwelle 52b wird durch einen vorwärts und
rückwärts betreibbaren Motor 52a gedreht. Weiterhin ist das
Gleitelement in 52d so ausgebildet, daß es entlang einer
Führungsschiene 52c parallel zur Kugelschraubenwelle 52b
gleiten kann. Das Gleitelement 52d ist mit der
Halterungsstütze 53 verbunden.
Das Trägerteil 54 ist an seinem unteren Ende mit einem
Eingriffsteil 55 versehen. Wie in Fig. 19A gezeigt, weist das
Eingriffsteil 55 ein vorspringendes Teil 56a auf, wogegen das
Eingriffsteil 53 des Waferhalters 40 mit einem konkaven Teil
40a versehen ist, in welches das vorspringende Teil 56a
eingeführt wird.
Als nächstes wird ein Mechanismus 56 beschrieben, der dazu
dient, das Eingriffsteil 55 des Trägerteils 54 mit dem
Eingriffsteil 43 des Waferhalters 40 in Eingriff zu bringen.
Nachstehend wird der Mechanismus 56 als
"Eingriffsmechanismus" bezeichnet.
Wie besonders deutlich aus Fig. 19A hervorgeht, weist der
Eingriffsmechanismus 56 im wesentlichen einen
Verriegelungsnocken 56b auf, der auf dem vorspringenden Teil
56a um eine Schwenkachse drehbar ist, die horizontal
verläuft, sowie einen Pneumatikzylinder 57, der in dem
Trägerteil 54 angeordnet ist. In dem konkaven Teil 43a ist
ein Verriegelungsstift 43b vorgesehen, der in
Horizontalrichtung vorspringt, und der mit dem
Verriegelungsnocken 56b bei seiner Schwenkbewegung in
Eingriff gebracht werden kann.
Der Verriegelungsnocken 56b weist ein Langloch 56c auf,
welches so ausgebildet ist, daß es sich zum Drehzentrum des
Nockens 56b hin erstreckt. Der Verriegelungsnocken 56b ist
einer Kolbenstange 57a des Pneumatikzylinders 57 über einen
Stift 56d zugeordnet, der drehbeweglich und gleitbeweglich
mit dem Langloch 56c in Eingriff steht. Der Pneumatikzylinder
57 ist so ausgebildet, daß er dann arbeitet, wenn die
Annäherung des Eingriffsteils 55 an das Eingriffsteil 43 von
einem Annäherungssensor 58 festgestellt wurde, der auf einer
Basis des Eingriffsteils 55 vorgesehen ist. Zwischen einem
Kolbenteil 57b der Kolbenstange 57a und einem Ende des
Pneumatikzylinders 57 ist eine Feder 56e vorgesehen, welche
die Position des Verriegelungsnockens 56b stabilisiert. Die
Feder 56e legt eine Kraft an, zur Aufhebung des Eingriffs des
Verriegelungsnockens 56b mit dem Verriegelungsstift 43b, und
zwar an die Kolbenstange 57a.
Um die Waferführung 50 mit dem Waferhalter 40 durch den
Eingriffsmechanismus 56 in Eingriff zu bringen, wird der
Pneumatikzylinder 57 betätigt, damit die Kolbenstange 57a
ausgefahren wird, wie dies in Fig. 19A gezeigt ist. Während
der Verriegelungsnocken 56b zur Entriegelungsseite bewegt
wird, wird dann das vorspringende Teil 56a in das konkave
Teil 53a des Eingriffsteils 43 eingeführt (vergleiche Fig.
19B).
Wenn dann festgestellt wird, daß sich das Eingriffsteil 55 an
das Eingriffsteil 43 annähert, durch den Annäherungssensor
58, wird dann der Pneumatikzylinder 57 so betätigt, daß die
Kolbenstange 57a eingefahren wird. Daher wird der
Verriegelungsnocken 56b so gedreht, daß er mit dem
Verriegelungsstift 43b in Eingriff gelangt, so daß die
Waferführung 50 in Eingriff mit dem Waferhalter 40 kommt
(siehe Fig. 19C). Es wird darauf hingewiesen, daß zum Lösen
des Eingriffs der Waferführung 50 mit dem Waferhalter 40 der
Pneumatikzylinder 57 nur so betätigt werden muß, daß die
Kolbenstange 57a ausgefahren wird, um den Eingriff des
Verriegelungsnockens 56b mit dem Verriegelungsstift 43b
aufzuheben.
Wie in Fig. 20 gezeigt, ist vorzugsweise die obere Oberfläche
des Eingriffsteils 43 mit einem plattenförmigen
Beschichtungsteil 43a aus Kunstharz beschichtet,
beispielsweise PEEK-Harz (Polyether-Etherketon) und PTFE-Harz
(Polytetrafluorethylen). Weiterhin ist vorzugsweise auch das
Eingriffsteil 55 der Waferführung 50 mit einem
Beschichtungsteil 55a aus entsprechendem Material versehen,
welches auf einer Oberfläche des Teils 55 vorgesehen ist, die
in Berührung mit dem Eingriffsteil 43 kommt. Ein derartiges
Beschichtungsteil kann auf einer Oberfläche des
Verriegelungsnocken 56b und/oder einer Oberfläche des
Verriegelungsstiftes 43b sowie einer Oberfläche der
Kolbenstange 57a zusätzlich vorgesehen sein.
Selbstverständlich sind die Beschichtungsteile
(Beschichtungsschichten) nicht notwendigerweise sowohl auf
dem Eingriffsteil 43 als auch auf dem Eingriffsteil 45
vorgesehen. Daher muß nur zumindest eine der Oberflächen der
Eingriffsteile 43 und 45 mit dem Beschichtungsteil
beschichtet sein. Weiterhin kann die Beschichtungsschicht aus
einem Film aus PEEK-Harz, PTFE-Harz oder dergleichen
bestehen.
Da die Beschichtungsschicht vorgesehen ist, ist es möglich,
eine Berührung von Metallen miteinander zu vermeiden, die
durch das Ausfahren und Einfahren der Kolbenstange 57a und
die Drehung der Kolbenstange 57a usw. hervorgerufen werden
kann, wenn die Waferführung 50 mit dem Waferhalter 40 in
Eingriff gebracht wird. Dadurch, daß das Auftreten von
Teilchen wie beispielsweise aus Metallpulver verhindert wird,
ist es möglich zu verhindern, daß die Teilchen an den Wafern
W anhaften, wodurch der Trocknungsvorgang in einer sauberen
Atmosphäre durchgeführt werden kann. Darüber hinaus können
das Verschleiß- und Abriebverhalten der Eingriffsteile 43 und
55 verbessert werden.
Wie in Fig. 20 gezeigt, sind vorzugsweise das Eingriffsteil
55 und das Eingriffsteil 43 mit einem Auslaßkanal 55B bzw.
einem Auslaßkanal 43B versehen. In diesem Fall ist ein Ende
des Auslaßkanals 55B mit einer Vakuumpumpe P verbunden, über
ein Rohr 55C. Das andere Ende des Auslaßkanals 55B öffnet
sich zu einem Abschnitt des Eingriffsteils 55 nahe an dem
beweglichen Teil der Kolbenstange 57a hin. Die Rohre 43C, 55C
zum Verbinden der Vakuumpumpe P mit den Auslaßkanälen 43B,
55B sind flexibel ausgebildet, so daß sie sich an die
jeweilige Bewegung des Waferhalters 40 und der Waferführung
50 anpassen können.
Da die Auslaßkanäle 43B, 55B vorgesehen sind, ist es selbst
dann möglich, wenn Teilchen wie beispielsweise aus
Metallpulver erzeugt werden, infolge der Tatsache, daß eine
metallische Berührung beim Eingriff der Waferführung 50 mit
dem Waferhalter 40 erfolgt, die Teilchen von den Öffnungen
der Auslaßkanäle 43B, 55B abzusaugen. Ein Anhaften der
Teilchen an den Wafern W kann daher verhindert werden, so daß
der Trocknungsvorgang in einer sauberen Atmosphäre
durchgeführt werden kann.
Als nächstes werden die Schritte der Trocknung der Wafer W
unter Bezugnahme auf die Fig. 21-25B geschildert. Zuerst
bewegt, nachdem mit den Wafern W der vorbestimmte
Chemikalienbehandlungs- und Reinigungsvorgang durch die erste
bis dritte Verarbeitungseinheit 14, 15, 16 des
Verarbeitungsabschnitts 3 durchgeführt wurde, die
Wafertransportaufspannvorrichtung 19 sich zur Seite der
Trocknungskammer 30 hin, während sie die Wafer W befördert.
Auf diese Weise werden die Wafer W in eine Position oberhalb
der Belade- und Entladeöffnung 21 der Trocknungskammer 20
gebracht (siehe Fig. 21).
Dann geht die mit dem Waferhalter 40 in Eingriff stehende
Waferführung 50 nach oben, um die Wafer W durch die
Waferhalterung 42 zu haltern, also die unteren
Halterungsstangen 42a und die seitlichen Halterungsstangen
42b. Gleichzeitig werden die beweglichen Halterungsstangen 62
in die jeweiligen Positionen gedreht, die in Fig. 8B durch
doppelt gepunktete Kettenlinien angedeutet sind, damit die
Wafer W freigegeben werden. Auf diese Weise werden die Wafer
W, die in einer Reihe aufrecht durch die
Wafertransportaufspannvorrichtung 19 gehalten wurden, dem
Waferhalter 40 zugeführt, während diese Ausrichtung der Wafer
W und eine Entfernung zwischen benachbarten Wafern
beibehalten werden (siehe die Fig. 22A, 22B, 23A und 23B).
Dann wird, wenn sich die Wafertransportaufspannvorrichtung 19
von der Oberseite der Trocknungskammer 20 zurückzieht, und
nicht die Waferführung 50 führt, die Waferführung 50
abgesenkt. Daraufhin führt die Waferführung 50 den
Waferhalter 40, der die Wafer W trägt, in die
Trocknungskammer 40 ein, und zwischen die gegenüberliegenden
kreisförmigen Scheiben 32, 32 des Rotors 30 (siehe die Fig.
24A und 24B). Dann wird durch die Betätigung des
Eingriffsmechanismus 56 der Eingriff der Waferführung 50 mit
dem Waferhalter 40 aufgehoben, so daß die Waferführung 50
erneut ansteigt, und sich aus der Trocknungskammer 20
zurückzieht.
Gleichzeitig wird der Waferhalter 40 an dem Rotor 30 durch
den Verriegelungsmechanismus 70 befestigt. Weiterhin werden
die oberen Abschnitte der Wafer W durch die Halterungsarme 36
nach unten gedrückt. Darüber hinaus wird der Deckelkörper 25
durch den stangenlosen Zylinder 25b bewegt, so daß die
Belade- und Entladeöffnung 21 geschlossen wird, und daraufhin
wird der Deckelkörper 25 in enge Berührung mit der Öffnung 21
durch den Pneumatikzylinder 27a gebracht (siehe die Fig. 5A,
5B, 25A und 25B).
Daraufhin wird der Rotor 30 durch den Motor 31 gedreht, um
Feuchtigkeit zu entfernen, die an den Wafern W anhaftet.
Gleichzeitig stößt das Auslaßgebläse 22 die Luft in der
Trocknungskammer 20 zur Seite des Auslaßrohrs 23 über die
Auslaßöffnung 24 aus. Beim Ausstoßen der Luft in der
Trocknungskammer 20 wird gleichzeitig die Luft, die durch die
Filtergebläseeinheit 29 gereinigt wurde, der Trocknungskammer
20 durch den Lufteinlaß 25c zugeführt, und dann zur Seite des
Auslaßrohrs 23 zusammen mit den Wassertröpfchen ausgestoßen,
die infolge der Drehung des Rotors 30 verstreut werden.
Infolge dieses Luftstroms kann ein effektiver
Trocknungsvorgang erzielt werden, da keine verstreuten
Wassertröpfchen erneut an den Wafern W anhaften.
Wenn der Trocknungsvorgang beendet ist, wird der Deckelkörper
25 bewegt, so daß die Belade- und Entladeöffnung 21 geöffnet
wird. Dann wird die Waferführung 50 abgesenkt, damit sie mit
dem Waferhalter 40 in Eingriff kommt. Daraufhin wird der
Haltearm 36 getrennt von dem Wafer W gedreht, während der
Rotor 30 von dem Waferhalter 40 durch den
Entriegelungsmechanismus 77 gelöst wird. Daraufhin wird die
Waferführung angehoben, um den Waferhalter 40 und die
getrockneten Wafer W nach oberhalb der Trocknungskammer 20 zu
entnehmen. Durch zu den voranstehend geschilderten Schritten
entgegengesetzte Operationen werden die Wafer W von dem
Waferhalter 40 der Wafertransportaufspannvorrichtung 19
zugeführt, und daraufhin durch die Aufspannvorrichtung 19 zum
nächsten Prozeß befördert.
Obwohl die voranstehend geschilderte Ausführungsform den
Einsatz der Substrattrocknungseinrichtung bei dem
Halbleiterwaferreinigungssystem betrifft, kann die
Trocknungseinrichtung gemäß der Erfindung selbstverständlich
bei jedem Bearbeitungssystem eingesetzt werden, neben dem
Reinigungsvorgang. Weiterhin kann selbstverständlich die
vorliegende Erfindung bei einem Vorgang zum Trocknen von
LCD-Glassubstraten und dergleichen eingesetzt werden, also nicht
nur bei Halbleiterwafern.
Claims (15)
1. Trocknungseinrichtung zum Trocknen zu bearbeitender
Substrate, welche aufweist:
eine Trocknungskammer, die in ihrem oberen Teil mit einer Belade- und Entladeöffnung versehen ist, durch welche die Substrate beladen und entladen werden;
einen Substrathalter, der die Substrate so festhält, daß die Substrate aufrecht stehen, und in Horizontalrichtung in einer Reihe angeordnet sind;
einen Rotor, der so in der Trocknungskammer angeordnet ist, daß er sich um eine horizontale Drehachse als Zentrum dreht, wobei der Rotor mit dem Substrathalter in Eingriff bringbar ist; und
ein Transportgerät zum Transportieren des Substrathalters, welches außerhalb der Trocknungskammer angeordnet und mit dem Substrathalter in Eingriff bringbar ist, wobei das Transportgerät den Substrathalter zwischen einer Beschickungsposition außerhalb der Trocknungskammer, so daß der Substrathalter die Substrate aufnehmen und freigeben kann, und einer Eingriffsposition innerhalb der Trocknungskammer bewegen kann, so daß der Substrathalter in Eingriff mit dem Rotor kommen kann.
eine Trocknungskammer, die in ihrem oberen Teil mit einer Belade- und Entladeöffnung versehen ist, durch welche die Substrate beladen und entladen werden;
einen Substrathalter, der die Substrate so festhält, daß die Substrate aufrecht stehen, und in Horizontalrichtung in einer Reihe angeordnet sind;
einen Rotor, der so in der Trocknungskammer angeordnet ist, daß er sich um eine horizontale Drehachse als Zentrum dreht, wobei der Rotor mit dem Substrathalter in Eingriff bringbar ist; und
ein Transportgerät zum Transportieren des Substrathalters, welches außerhalb der Trocknungskammer angeordnet und mit dem Substrathalter in Eingriff bringbar ist, wobei das Transportgerät den Substrathalter zwischen einer Beschickungsposition außerhalb der Trocknungskammer, so daß der Substrathalter die Substrate aufnehmen und freigeben kann, und einer Eingriffsposition innerhalb der Trocknungskammer bewegen kann, so daß der Substrathalter in Eingriff mit dem Rotor kommen kann.
2. Trocknungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Deckelkörper vorgesehen ist,
welcher die Belade- und Entladeöffnung der
Trocknungskammer öffnen und schließen kann.
3. Trocknungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Substrathalter und das
Transportgerät jeweils Eingriffsteile zum Eingriff
miteinander aufweisen, und daß die Eingriffsteile des
Substrathalters und des Transportgeräts jeweils mit
Kunstharzschichten beschichtet sind.
4. Trocknungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Substrathalter und das
Transportgerät jeweils Eingriffsteile zum Eingriff
miteinander aufweisen, daß das Eingriffsteil des
Substrathalters ein Bauteil aufweist, und das
Eingriffsteil des Transportgeräts ein Bauteil aufweist,
und die Bauteile des Substrathalters und des
Transportgeräts miteinander in Eingriff gebracht werden
können, und daß zumindest eines der Bauteile mit einer
Kunstharzschicht beschichtet ist.
5. Trocknungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Substrathalter und das
Transportgerät jeweils Eingriffsteile zum Eingriff
miteinander aufweisen, daß die Eingriff steile des
Substrathalters und des Transportgeräts jeweils einen
Eingriffsmechanismus aufweisen, der dazu dient, den
Substrathalter mit dem Transportgerät in Eingriff zu
bringen, und daß Eingriffsteile des Substrathalters und
des Transportgeräts jeweils mit Auslaßkanälen versehen
sind, deren Vorderenden zu jeweiligen Positionen neben
den Eingriffsmechanismen hin offen sind.
6. Trocknungseinrichtung nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der Deckelkörper eine
Innenoberfläche aufweist, welche der Trocknungskammer
gegenüberliegt und zur Horizontalebene hin geneigt ist,
wobei die Innenoberfläche einen Rand aufweist, der an
dem höheren Ende der Innenoberfläche vorgesehen ist;
der Deckelkörper einen Lufteinlaß aufweist, der an einem Ort neben dem Rand der Innenoberfläche vorgesehen ist, und zum Einlaß von Luft in die Trocknungskammer dient;
die Trocknungskammer mit einer Auslaßöffnung zum Ausstoßen der durch den Lufteinlaß zugeführten Luft versehen ist; und
der Rand der Innenoberfläche in bezug auf die Horizontalrichtung senkrecht zur Achse des Rotors außerhalb von Umfängen der Substrate angeordnet ist, die durch den Substrathalter festgehalten werden, der mit dem Rotor in Eingriff steht.
der Deckelkörper einen Lufteinlaß aufweist, der an einem Ort neben dem Rand der Innenoberfläche vorgesehen ist, und zum Einlaß von Luft in die Trocknungskammer dient;
die Trocknungskammer mit einer Auslaßöffnung zum Ausstoßen der durch den Lufteinlaß zugeführten Luft versehen ist; und
der Rand der Innenoberfläche in bezug auf die Horizontalrichtung senkrecht zur Achse des Rotors außerhalb von Umfängen der Substrate angeordnet ist, die durch den Substrathalter festgehalten werden, der mit dem Rotor in Eingriff steht.
7. Trocknungseinrichtung nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Innenoberfläche des
Deckelkörpers mit einer Schicht beschichtet ist, welche
korrosionsfest und wasserabstoßend ist.
8. Trocknungseinrichtung nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Horizontalbewegungsmechanismus
zur Bewegung des Deckelkörpers in Horizontalrichtung
vorgesehen ist, sowie ein Schließmechanismus zur
Bewegung des Deckelkörpers zu der Belade- und
Entladeöffnung der Trocknungskammer, damit der
Deckelkörper fest auf die Belade- und Entladeöffnung
aufgesetzt werden kann.
9. Trocknungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß weiterhin vorgesehen sind:
ein Befestigungsmechanismus zur Befestigung des Substrathalters auf dem Rotor, wobei der Befestigungsmechanismus aufweist:
ein so auf dem Rotor angeordnetes Eingriffsteil, daß es sich an den Substrathalter annähern und von diesem trennen kann;
ein auf dem Substrathalter angeordnetes Aufnahmeteil zum Eingriff mit dem Eingriffsteil des Rotors; und
eine Vorrichtung zum Antreiben des Eingriffsteils zu dem Aufnahmeteil des Substrathalters und von diesem weg.
ein Befestigungsmechanismus zur Befestigung des Substrathalters auf dem Rotor, wobei der Befestigungsmechanismus aufweist:
ein so auf dem Rotor angeordnetes Eingriffsteil, daß es sich an den Substrathalter annähern und von diesem trennen kann;
ein auf dem Substrathalter angeordnetes Aufnahmeteil zum Eingriff mit dem Eingriffsteil des Rotors; und
eine Vorrichtung zum Antreiben des Eingriffsteils zu dem Aufnahmeteil des Substrathalters und von diesem weg.
10. Trocknungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Substrathalter ein
Halterungsteil zum Haltern der Substrate von der
Unterseite aus aufweist, und daß der Rotor eine
Substrathalterungsvorrichtung zum Herunterhalten der
Substrate von deren Oberseite aus aufweist, wenn der
Substrathalter im Eingriff mit dem Rotor steht.
11. Trocknungseinrichtung nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Substrathalterungsvorrichtung
des Rotors aufweist:
einen Arm, der so an dem Rotor angebracht ist, daß er sich um eine Horizontalachse verschwenken kann;
ein Halterungsteil, welches von einem freien Ende des Arms aus ausgeht, um jeweilige obere Abschnitte der Substrate zu haltern; und
eine Vorrichtung zum Drehen des Arms.
einen Arm, der so an dem Rotor angebracht ist, daß er sich um eine Horizontalachse verschwenken kann;
ein Halterungsteil, welches von einem freien Ende des Arms aus ausgeht, um jeweilige obere Abschnitte der Substrate zu haltern; und
eine Vorrichtung zum Drehen des Arms.
12. Trocknungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß Düsen zum Ausspritzen einer
Reinigungsflüssigkeit gegen den Rotor vorgesehen sind.
13. Trocknungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Beschickungsposition vertikal
oberhalb der Eingriffsposition angeordnet ist.
14. Trocknungseinrichtung zum Trocknen von zu bearbeitenden
Substraten, welche aufweist:
eine Trocknungskammer, die mit einer Belade- und Entladeöffnung versehen ist;
einen Substrathalter, der die Substrate so haltert, daß dies aufrecht stehen, und in einer Reihe in Horizontalrichtung angeordnet sind;
einen Rotor, der so in der Trocknungskammer angeordnet ist, daß er sich um eine horizontale Drehachse als Zentrum dreht, wobei der Rotor mit dem Substrathalter in Eingriff bringbar ist;
ein Transportgerät zum Transportieren des Substrathalters, welches außerhalb der Trocknungskammer angeordnet ist, und mit dem Substrathalter in Eingriff gebracht werden kann, wobei das Transportgerät den Substrathalter zwischen einer Beschickungsposition außerhalb der Trocknungskammer, so daß der Substrathalter die Substrate aufnehmen und freigeben kann, und einer Eingriffsposition innerhalb der Trocknungskammer bewegen kann, so daß der Substrathalter in Eingriff mit dem Rotor kommen kann; und
ein Substrattransportgerät zum Transportieren der Substrate, die der Trocknungseinrichtung von außerhalb zugeführt wurden, zu der Beschickungsposition.
eine Trocknungskammer, die mit einer Belade- und Entladeöffnung versehen ist;
einen Substrathalter, der die Substrate so haltert, daß dies aufrecht stehen, und in einer Reihe in Horizontalrichtung angeordnet sind;
einen Rotor, der so in der Trocknungskammer angeordnet ist, daß er sich um eine horizontale Drehachse als Zentrum dreht, wobei der Rotor mit dem Substrathalter in Eingriff bringbar ist;
ein Transportgerät zum Transportieren des Substrathalters, welches außerhalb der Trocknungskammer angeordnet ist, und mit dem Substrathalter in Eingriff gebracht werden kann, wobei das Transportgerät den Substrathalter zwischen einer Beschickungsposition außerhalb der Trocknungskammer, so daß der Substrathalter die Substrate aufnehmen und freigeben kann, und einer Eingriffsposition innerhalb der Trocknungskammer bewegen kann, so daß der Substrathalter in Eingriff mit dem Rotor kommen kann; und
ein Substrattransportgerät zum Transportieren der Substrate, die der Trocknungseinrichtung von außerhalb zugeführt wurden, zu der Beschickungsposition.
15. Verfahren zum Trocknen von zu bearbeitenden Substraten
mit folgenden Schritten:
Zuführung der Substrate, die so gehalten werden, daß die Substrate aufrecht stehen und in einer Reihe in Horizontalrichtung angeordnet sind, durch ein Substrattransportgerät, und von dem Substrattransportgerät zu einem Substrathalter, der in einem Transportgerät gehaltert ist, während die Ausrichtung der Substrate beibehalten wird, die von dem Substrattransportgerät festgehalten werden;
Bewegung des Substrathalters durch das Transportgerät, um den Substrathalter mit einem Rotor in einer Trocknungskammer in Eingriff zu bringen;
Lösen des Substrathalters von dem Transportgerät und Zurückziehen des Transportgerätes nach Oben;
Verschließen der Trocknungskammer durch einen Deckelkörper; und
Drehung des Rotors, um Flüssigkeit von den jeweiligen Oberflächen der Substrate zu entfernen.
Zuführung der Substrate, die so gehalten werden, daß die Substrate aufrecht stehen und in einer Reihe in Horizontalrichtung angeordnet sind, durch ein Substrattransportgerät, und von dem Substrattransportgerät zu einem Substrathalter, der in einem Transportgerät gehaltert ist, während die Ausrichtung der Substrate beibehalten wird, die von dem Substrattransportgerät festgehalten werden;
Bewegung des Substrathalters durch das Transportgerät, um den Substrathalter mit einem Rotor in einer Trocknungskammer in Eingriff zu bringen;
Lösen des Substrathalters von dem Transportgerät und Zurückziehen des Transportgerätes nach Oben;
Verschließen der Trocknungskammer durch einen Deckelkörper; und
Drehung des Rotors, um Flüssigkeit von den jeweiligen Oberflächen der Substrate zu entfernen.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33355597 | 1997-11-18 | ||
JP20261198A JP3627132B2 (ja) | 1997-11-18 | 1998-07-17 | 基板乾燥処理装置及び基板乾燥処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19853260A1 true DE19853260A1 (de) | 1999-06-24 |
Family
ID=26513488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853260A Ceased DE19853260A1 (de) | 1997-11-18 | 1998-11-18 | Verfahren zum Trocknen von Substraten und Trocknungseinrichtungen |
Country Status (4)
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---|---|
US (1) | US6269552B1 (de) |
JP (1) | JP3627132B2 (de) |
KR (1) | KR100510825B1 (de) |
DE (1) | DE19853260A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1168421A2 (de) | 2000-06-30 | 2002-01-02 | Tokyo Electron Limited | Flüssigkeitsbehandlungsapparat |
AT515324A1 (de) * | 2014-02-06 | 2015-08-15 | Tms Turnkey Mfg Solutions Gmbh | Schleuderreinigungsanlage und Verfahren zum Betreiben einer Schleuderreinigungsanlage |
CN113122863A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-07-16 | 江西富鸿金属有限公司 | 一种新型镀锡铜线加工设备 |
CN114001546A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-02-01 | 华海清科股份有限公司 | 一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8028978B2 (en) * | 1996-07-15 | 2011-10-04 | Semitool, Inc. | Wafer handling system |
US20030051974A1 (en) * | 1997-05-05 | 2003-03-20 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing system |
US6516816B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-dryer |
JP4505563B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2010-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP2004524673A (ja) | 2000-07-07 | 2004-08-12 | セミトゥール・インコーポレイテッド | 自動処理システム |
US6591514B2 (en) * | 2001-01-15 | 2003-07-15 | Sanovo Engineering A/S | Centrifuge for draining washed egg trays |
FR2823188B1 (fr) * | 2001-04-06 | 2003-09-05 | R2D Ingenierie | Methode et manipulateur pour le transfert de supports de composants electroniques et/ou informatiques conformes en disques |
KR100488376B1 (ko) * | 2001-04-27 | 2005-05-11 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 설비 |
JP3887570B2 (ja) * | 2002-02-18 | 2007-02-28 | 協和化工株式会社 | 高速乾燥装置 |
JP3980941B2 (ja) * | 2002-06-04 | 2007-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2005534188A (ja) * | 2002-07-26 | 2005-11-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | スピンドライヤーの為の親水性構成要素 |
US20060201541A1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Cleaning-drying apparatus and cleaning-drying method |
US7971368B2 (en) * | 2005-07-26 | 2011-07-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Hand drying apparatus |
ES2360863T3 (es) * | 2005-08-18 | 2011-06-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Secador de manos. |
US8752449B2 (en) * | 2007-05-08 | 2014-06-17 | Brooks Automation, Inc. | Substrate transport apparatus with multiple movable arms utilizing a mechanical switch mechanism |
KR101496654B1 (ko) | 2007-06-27 | 2015-02-27 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 리프트 능력 및 감소된 코깅 특성들을 가지는 전동기 고정자 |
US8823294B2 (en) * | 2007-06-27 | 2014-09-02 | Brooks Automation, Inc. | Commutation of an electromagnetic propulsion and guidance system |
JP5416104B2 (ja) | 2007-06-27 | 2014-02-12 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | セルフベアリングモータ用位置フィードバック |
US8283813B2 (en) | 2007-06-27 | 2012-10-09 | Brooks Automation, Inc. | Robot drive with magnetic spindle bearings |
WO2009003186A1 (en) | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Brooks Automation, Inc. | Multiple dimension position sensor |
US9752615B2 (en) | 2007-06-27 | 2017-09-05 | Brooks Automation, Inc. | Reduced-complexity self-bearing brushless DC motor |
WO2009012396A2 (en) | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Brooks Automation, Inc. | Substrate processing apparatus with motors integral to chamber walls |
CN103575075B (zh) * | 2012-07-25 | 2015-08-26 | 中国科学院微电子研究所 | 一种硅片甩干系统 |
EP2977615A1 (de) * | 2014-07-24 | 2016-01-27 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Elektrische pumpe |
AT515531B1 (de) * | 2014-09-19 | 2015-10-15 | Siconnex Customized Solutions Gmbh | Halterungssystem und Beschickungsverfahren für scheibenförmige Objekte |
CN104801472B (zh) * | 2015-04-29 | 2017-03-08 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种基板支撑结构、真空干燥设备以及真空干燥的方法 |
CN107062848A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-08-18 | 福建省将乐县长兴电子有限公司 | 一种用于晶振生产的烘干装置 |
CN108917298B (zh) * | 2018-08-29 | 2023-10-31 | 泉芯半导体科技(无锡)有限公司 | 一种硅片甩干机停机转轴自复位机构 |
JP7231471B2 (ja) * | 2019-04-23 | 2023-03-01 | リョービ株式会社 | 焼入装置および焼入方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5232328A (en) * | 1991-03-05 | 1993-08-03 | Semitool, Inc. | Robot loadable centrifugal semiconductor processor with extendible rotor |
JPH069129A (ja) | 1991-12-04 | 1994-01-18 | Canon Inc | 搬送部材およびそれを用いた装置 |
JP2575077B2 (ja) | 1992-03-31 | 1997-01-22 | 住友精密工業株式会社 | スピンドライヤー |
US5339539A (en) * | 1992-04-16 | 1994-08-23 | Tokyo Electron Limited | Spindrier |
JPH0617230A (ja) | 1992-07-02 | 1994-01-25 | Mitsubishi Materials Corp | 傾斜硬質層被覆超硬合金製切削工具 |
JP2955910B2 (ja) | 1992-09-25 | 1999-10-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 横軸回転式基板乾燥装置 |
JP3014899B2 (ja) | 1993-06-30 | 2000-02-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板回転乾燥装置の排気装置 |
US5727332A (en) * | 1994-07-15 | 1998-03-17 | Ontrak Systems, Inc. | Contamination control in substrate processing system |
TW402758B (en) * | 1996-05-20 | 2000-08-21 | Tokyo Electorn Limtied | Spin dryer and method of drying substrates |
JP3624054B2 (ja) * | 1996-06-18 | 2005-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
-
1998
- 1998-07-17 JP JP20261198A patent/JP3627132B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-17 US US09/195,426 patent/US6269552B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-18 KR KR10-1998-0049378A patent/KR100510825B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-11-18 DE DE19853260A patent/DE19853260A1/de not_active Ceased
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1168421A2 (de) | 2000-06-30 | 2002-01-02 | Tokyo Electron Limited | Flüssigkeitsbehandlungsapparat |
EP1168421A3 (de) * | 2000-06-30 | 2005-10-19 | Tokyo Electron Limited | Flüssigkeitsbehandlungsapparat |
AT515324A1 (de) * | 2014-02-06 | 2015-08-15 | Tms Turnkey Mfg Solutions Gmbh | Schleuderreinigungsanlage und Verfahren zum Betreiben einer Schleuderreinigungsanlage |
AT515324B1 (de) * | 2014-02-06 | 2016-05-15 | Tms Turnkey Mfg Solutions Gmbh | Schleuderreinigungsanlage und Verfahren zum Betreiben einer Schleuderreinigungsanlage |
CN105980070A (zh) * | 2014-02-06 | 2016-09-28 | 特莫式启钥制造方案工程有限公司 | 离心清洁设备和用于运行离心清洁设备的方法 |
CN105980070B (zh) * | 2014-02-06 | 2019-04-16 | 特莫式启钥制造方案工程有限公司 | 离心清洁设备和用于运行离心清洁设备的方法 |
US10293384B2 (en) | 2014-02-06 | 2019-05-21 | Tms Turnkey Manufacturing Solutions Gmbh | Centrifugal cleaning installation and method for operating a centrifugal cleaning installation |
CN113122863A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-07-16 | 江西富鸿金属有限公司 | 一种新型镀锡铜线加工设备 |
CN114001546A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-02-01 | 华海清科股份有限公司 | 一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19990045367A (ko) | 1999-06-25 |
US6269552B1 (en) | 2001-08-07 |
KR100510825B1 (ko) | 2005-12-08 |
JPH11214348A (ja) | 1999-08-06 |
JP3627132B2 (ja) | 2005-03-09 |
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