TW499696B - Processing apparatus and processing method - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 260
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 168
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 76
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 31
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 170
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 279
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 131
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 74
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 67
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 42
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 36
- 235000010357 aspartame Nutrition 0.000 description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 7
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 231100001240 inorganic pollutant Toxicity 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000283707 Capra Species 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 241000237502 Ostreidae Species 0.000 description 1
- 241001648319 Toronia toru Species 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229940073609 bismuth oxychloride Drugs 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- BWOROQSFKKODDR-UHFFFAOYSA-N oxobismuth;hydrochloride Chemical compound Cl.[Bi]=O BWOROQSFKKODDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000020636 oyster Nutrition 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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A7 A7 B7 五、發明說明( 發明背景 發明之技術領域 本發明係關於一種經由供 定處理於基材,例如w …夜至基材而外加預 "如+導體晶圓之處理裝置及處理方法。 相關技術之說明 概各而3 ’於半導體裝置之製造 裝置可清潔半導俨曰有夕禋β冻 + ¥體曰曰0(後文稱做「晶圓」),!清潔方式係 用預疋u液去除黏附於晶圓表面之多種污染例如粒子 二有機污染物、金屬雜質等。此等裝置中,廣泛使用清潔 裝置可使用清潔劑清潔而由複數晶圓去除粒子等。此種裝 置中’晶圓係容納於清潔槽,槽内供給清潔液。 至於習知此種清潔及乾燥裝置,已知一種清潔與乾 蚝衣置包a·—處理腔室於一邊設有一裝載/卸載晶圓等 的開口及一門用以關閉前述開口;一轉子設置於腔室俾朝 向水平軸以傾斜方向旋轉容納晶圓等的載具;液體供給裝 置用以1、、’’e液體至曰曰圓荨,以及氣體供給裝置用以供給氣 體至晶圓等(參考美國專利第43〇〇581號)。也已知一種裝 置包括可用以維修的可卸式處理腔室(參考美國專利第 5221360號)。進一步此種清潔與乾燥裝置有一種結構,此 處馬達及噴嘴係連同前述處理腔室共同附接於附接板(參 考美國專利第5022419號)。也於與處理腔室連通的卸放/ 排氣管線設置氣/液分離裝置,其分離處理液成為液體及 氣體供排放(參考美國專利第5095927號)。就此方面而言 ,也已知一種氣/液分離裝置配備有感測器之結構(參考美 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝--------訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 '---^----B7 _ 五、發明說明(2 ) ^ _ 國專利弟5154199號)。於清潔與乾燥裝置,當關閉處理腔 =其中容納複數晶圓等的卡£載於轉子,進行旋轉轉子及 7函同時供給清潔液至晶圓等。清潔處理完成後,於乾燥 矛中乾燥氣體朝向連同轉子而旋轉的晶圓等。於 改例中’有—裝置其直接載負晶圓等通過其正面而未使 用此種卡E (參考美國專利第5678320及5784797號)。 於另處理裝置,單一晶圓旋轉裝置也設置複數 处I至(杯)向上開口 (日本新型公告案第4_3彻2號)。 主1於則述π >糸與乾燥裝置中,由於清潔過程使用殘 餘清潔液而於乾燥過程不僅有妨礙同時也有氣氛擾動問題 原因在於凊潔處理以及隨後的乾燥處理係於單一處理腔 ^進仃故。當然’此等問題係由於使用單一清潔液所致。 特別於使用不同種處理液體進行清潔處理案例,例如抗蚀 劏去除劑化學品及聚合物去除劑,此等化學品之溶劑(例 .、丙醇),清洗.液之處理液(例如純水)等;使用處 理机體之清潔/乾燥過程,例如乾氣體(惰性氣體(如氮氣) 及新”’羊工氣),或循序供給酸清潔液(例如spM),純水,強 鹼性清潔液(例如APM)之清潔處理,然後此等化學品彼此 反應,引起對晶圓等的交叉污染。 為了解決前述問題,根據不同種處理液體使用同處 理腔至。但此種辦法造成處理效率低劣,此外,需要大量 底面積造成裝置本身的尺寸變大。 注意’雖然前述日本新型公告案第‘349〇2號揭示的 單曰曰圓紋轉裝置可略為防土處理液體例如不同種化學品 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ----^-----I--ti! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499696 A7 五、發明說明(3 ) t 彼此反應,原因在於有數個處理腔室(杯),但有杯開口向 上造成無法完美防止晶圓等被污染的問題。 發明概述 如此,本發明之目的係提供一種處理裝置及處理方 法,藉此可防止由於不同種處理液體反應污染物件,同時 也可貫現處理效率的改良及裝置的微型化。 、 、本發明之第一特點在於處理裝置包含複數容器可活 動式排列因而占據環繞至少一待處理物件周圍位置及一未 %繞该物件等待位置,移動裝置用以移動數個容器中之一 指定容器因而定位指定容器於周圍位置,以及處理裝置用 以外加指定處理於周圍位置之物件。 因此,當使用複數處理流體應用指定處理時,可根 據處理流體種類移動不同處理腔室至物件周邊。如此,即 使各處理流體殘留於處理腔室,但不同處理流體不可能出 見於同脸至。如此可防止物件受到不同處理流體反應的 污染。 本發明之第二特點在於設置複數腔室同時彼此接合 ,也適合各別移動至物件,當外加指定處理於複數容器之 一指定容器的物件時,移動裝置移動指定容器内側的另一 容器至等待位置。 員 訂 此種情況下,可容易移動複數容器介於周圍位置及 ^ 置也可使谷器緊密堆疊。如此,整個處理腔室尺 寸可縮小。 本發明之第三特點在於處理裝置包會一對第一及第 499696 A7 五、發明說明( 二壁配置成彼此相對且彼此分開· 刀闻,一栽具設置於第一壁上 ,用以載運至少一物件介於第一壁 土與弟二壁間;以及複數 I---------^ --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 周圍壁’各自由第一壁伸展至第一 乐一壁,如此界定一處理空 間用以連同第-及第二壁處理物件;其中複數周圍壁重疊 同時彼此交互插入且各別適應因而可於連同第一及第二壁 界定處理空間的關位置與未包圍物件的等待位置間移動 ,移動裝置用以移動複數周圍邊壁至—指定周邊壁,如此 設置指定胃邊壁於周圍位置;同時移動另—周邊壁於該指 定周邊壁内側藉此設置另-周邊壁於等待位置;以及處理 裝置用以供給一指定處理於周圍位置的物件。 因此,當使用複數處理流體應用指定處理時,可根 據處理流體種類移動不同處理腔室至勿件周邊。如此,即 使各處理流體係保留於各處理腔室β,不彳能有*同處理 流體於相同腔室。如此可防止物件受不同處理流體反應的 污染。 ^ •線. 此外,可緊密容納複數容器因而可使整體處理裝置 縮小。 本發明之第四特點在於周邊壁係呈圓柱形。· 經 濟二 部 智' 慧- 財 產, 局- 員 X 消 費 合 作 社 印 製 本發明之第五特點在於周邊壁自適應於第一壁與第 二壁間之方向於周圍位置與等待位置間移動。 本發明之第六特點在於各容器於其内部設置有一處 理流鵠供給埠口 ’該埠口可供給處理流體對物件進行指定 處理。 此例中’可供給對應周邊壁之處理流體,因而防止 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐 499696 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(5 ) 流體混合。 本發明之第七特點在於處理流體為液體或氣體。如 此,不#可進行化學處理,同時也可乾燥,容納一系列處 理於同一裝置内部。 本卷月之第八特點在於各容器設置排放口用以排放 U於處理物件的處理流體。如此,可各別排放對應各 周邊壁的處理流體,因此可防止同一容器存在有不同流體 本發明之第九特點在於容器之外輪廓係以朝向排放 口而局部直徑遞增之方式推拔。如此,可將容器内處理流 體以及沾黏於容器内壁的處理流體有效導入排放口。特別 ’因處理流體係由來自物件旋轉之流自轉而被導引至排放 口’故可實現有效排放。 本發明之第十特點在於載劑設置有傳動單元用以旋 轉物件。如此,可使處理流體與物件迅速接觸。此外,可 將用過的處理流體吹離物件用以戌放,改良裝置的處理效 率〇 本發明之第十一特點在於物件被載於載具,故物件 表面係沿上下方向,以及物件係藉傳動單元旋轉,故轉軸 係於處理裝置之水平方向伸展。此種情況下,可免除處理 流體容易沾黏至物件表面。 本發明之第十二特點在於複數物件係沿轉軸緊鄰併 置,處理流體供給埠口具有喷嘴孔口及數目係等於或大於 物件數.目。換言之,因相同處理流體供給複數物件,故物 本紙張ϋ用中國國冢標準(CNS)A4規格⑵〇 χ挪公餐)
Μ ·-------訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 五、 B7 發明說明( 件的處理可相等化。 务月之弟十二特點在·於容器可包圍物件因而使物 件密封於容器内部。 本發明之第十四特點在於即使當容器係於等待位置 谷裔可隔離其内部氣氛與外部氣氛。 本發明之第十五特點在於容器中之至少一容器可隔 離其内部氣氛與其它容器的外部氣氛。 本發明之第十六特點在於第二壁係設置於第一壁上 方,周邊壁係排列成其軸係上下伸展。則可儲存液體於周 邊土内°卩’允許物件浸泡於液體。本發明之第十七特點在於周邊壁及第一壁之構造允 許液體儲存於由周邊壁及第一壁定義的空間。此種情況下 ,可使化學品、清潔液等與物件做充份接觸,完成適當反 應及隨後的清潔。 胃 本發明之第十八特點在於第二壁設有一蓋其可開閉 壁裝載物件至處理裝置内料及由處理裝置卸載物件。 此,物件可經由容器上部裝載及卸載。 本發明之第十九特點在於處理裝置包含一固定容 牢固固定於周圍位置,其中固定容器包圍預處理物件; 及-或多活動容器可移動且設置於包圍物件的活動容器 周圍位置與未包圍物件之活動容器的等待位置間;其^ 物件係於固定容器包圍物件狀態處理時,一或多活動容 係設置於等待位置。' 谷 則可改良固定容器的耐.用性,同時也免除固定容器 如 器 以 之 當 器 --------^--------— ^-------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱— A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 的傳動單元。 ^月之弟—十特點在於-種處理至少-待處理物 、-理方法,係經由使用一處理裝置包括一或多容器係 以可移動方式設置因而占據包圍物件的周圍位置以及未包 圍物件的等待位置,該方法包含下列步驟: 指定钱容器之―指定容器周圍位置而對物件外加 移動指定容器至等待位置;以及 設置於周圍位置之複數容器之另一容器而外加指定 處理於物件。 用於本例’當經由使用複數流體外加指定處理時, 可根據處理*體種類移動不同處理腔室至物件周邊。如此 ,即使各別處理流體係維持於各別處理腔室,不同處理流 體不可能存在於同-腔室。因而可防止物件被不同種處理 流體反應污染。 本發明之第二十一特點在於處理裝^包括一夾持器 用乂夾持物件’複數容器排列成彼此接合,當設置複數容 器之指定容器於包圍位置時,物件接受指定處理,同時設 置其它容器存在於等待位置的指定容器内側。 此例中可谷易移動複數容器介於包圍位置與等待 位置間’同%也可緊密容納容器。如此,可使整體處理容 器尺寸縮小。 本1¾明之第_十二特點在於物件之指定處理係將處 理液體朝向指定容器的物件喷設。則可使處理液體與物件 I--I — — — IAV ·11111!1 ^ » — — 1111 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明說明(8 ) 做有效接觸。 本叙明之第二十三特點在於物件於指定之處理過浐 旋轉。心旋轉,故可進行供給的處理流體與物件接觸,王 以及即刻去除用過的處理液。 本务明之第_十四特點在於物件之指定處理包含一 化學處理而供給化學品至第_容器的物件及—乾燥處理而 供給乾燥流體至第二容器的物件。然後,化學處理及乾燥 處理可以連續處理進行而實現改良的處理效率。 <本發明之第二十五特點在於物件之指定處理包含化 學品處理,供給化學品至位於包圍位置的指定容器内部之 物件;以及隨後化學品去除處理而供給化學品之溶劑至物 件。如此,可確切去除容器内殘留的化學品,也可於同一 容器内進行二項處理,因而改良處理效率。 本發明之第二十六特點在於物件的指定處理包含一 外加處理於内側容器物件之步驟以及隨後外加另一處理於 外側容器物件之步驟。換言之,即使處理液由内側容器射 出,外側容器也可接納如此滲漏的液體。因此可防止液體 滲漏至裝置外側,避免污染外界氣氛。 本發明之第一十七特點在於物件之指定處理包含一 儲存處理液於指定容器之步驟以及一隨後浸沒物件於處理 液之步驟。此種情況下,可使化學品、清潔液等與物件做 充份接觸因而完成足夠化學反應以及隨後的清潔處理。 本發明之第一十八特點在於物件之指定處理進一步 包括一噴射處理流體至指定容器内部物件之步驟。如, A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 行儘沒處理同時也可進行噴淋處理因而完成多種 處理。 月ίι述及其它本發明之特色及優點由後文說明及隨附 之申明專利範圍參照附圖顯示本發明之較佳具體實施例將 更加明瞭。 圖式之簡單說明 第Ϊ圖為全剖面圖顯示根據本發明之一具體實施例之 清潔裝置之内部結構; 第2圖為仰視剖面圖顯示安裝於第1圖之清潔裝置之 外清潔槽内部結構; 第3圖為側視剖面圖顯示安裝於第1圖之清潔裝置之 外清潔槽内部結構; 第4圖為全剖面圖顯示第1圖之清潔裝置之内部結構 仁内m >糸槽係進入外清潔槽内部; 第5圖為仰視剖面圖顯示安裝於第1圖之清潔裝置之 外清潔槽内部結構,但内清潔槽係進入外清潔槽内部; 第6圖為乾氣體供給管路之線路圖; 第7圖為側視剖面圖顯示安裝於第1圖之清潔裝置之 外清潔槽之内部結構但傾斜晶圓係容納於外清潔腔室内部 第8圖為全剖面圖顯示第二具體實施例之清潔裝置之 内部結構; 第9圖為全剖面圖顯示第8圖之清潔,聚置之内部結構 但内清潔槽係進入外清潔槽内部; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑵G χ 297公楚) 12 —l—-----裝——^訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明(10 ) - 第10圖為全剖面圖顯示第三具體實施例之清潔裝置 之内部結構; 第11圖為應用於本發明之處理裝置之清潔與乾燥裝置 之示意平面圖; 第12圖示思結構圖顯示本發明之第四具體實施例之 處理裝置; 第13圖為第12圖之處理裝置之主要部件之剖面圖; 第14圖為第13圖之處理裝置之示意剖面圖,顯示其 接納晶圓之條件; 第15圖為第13圖之處理裝置之示意剖面圖,顯示其 輸送晶圓至一轉子之條件; 第16圖為第13圖之處理裝置之示意剖面圖,顯示其 於内部腔室之化學品處理及化學品去除處理; 第17圖為第13圖之處理裝置之示意剖面圖,顯示其 於外部腔室之清潔處理及乾燥處理; 第18圖為示意管路圖顯示第12圖之處理裝置之管路 系統; 第19圖為透視圖顯示第13圖之處理裝置之内缸及外 缸; 第20圖分解透視圖顯示第19圖之内缸及外缸; 第21圖為第20圖之氣/液分離裝置之透視圖; 第2 2圖為透視圖顯示於本發明之另一具體實施例之 缸體分解條件; 第23圖為透視圖顯示第2_2圖組裝後之缸體;以及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 13 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(n i第24圖為剖面圖顯示本發明之另一具體實施例。 較佳具體實施例之說明 ::參第1至22圖說明本發明之較佳具體實施例。 第1圖顯示本發明之第一具體實施例。 為了》兒明肩具體貫施例,該圖也顯示由正面觀視清 潔褒置1之内部結構。如第1圖所示,清潔裝置W含-外 清潔槽3,-内清潔槽5及—升降機構6。詳言之,外清潔 槽3具有可容納25片晶’之外清潔腔室2。外清潔腔室2 於本說明書也稱做「第-清潔腔室」。内清潔槽5具有-内 至4 ’其構造允許進人及離開外清潔腔室2,也可包 圍存在於外清潔腔室2之晶圓w。同理,内清潔腔室罐做 「弟二清潔腔室」。升降機構6可實現裝置丨之兩種條件如 下:一種條件其中内清潔槽5移動至外清潔槽3,故晶_ 係由内清潔腔室4包圍;以及另_條件其中内清潔腔室5由 外清潔腔室3撤離,因此晶圓輝、由外清潔腔室2包圍。 為了由晶圓W表面去除無機污染物(例如金屬雜質卜 如此組成的清潔裝置!並未進行清潔操作,清潔操作循序 包含-「SPM」清潔處理’一使用純水的清潔處理,一「 SCI」清潔處理’另-使用純水的清潔處理及—乾燥處理 〇 SPM清潔處料於㈣5進行。spM清潔處理中,使 用主要為硫酸成份之稱做「SPM」(硫酸/過氧化氫混 之清潔液。 口 雖然SCI清潔處理係於外清潔槽3進行 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮 值於SCI清潔 ----一丨--------裝·丨丨丨丨丨丨丨訂i丨_ _ _ ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 14 499696 A7 經乾部%-1-財產^-員工消費合作社印製 各 其 17 五、發明說明(丨 用另,種主要由氨氣成份組成的稱做「綱」(氯氧 化鉍/過氧化氫/水混合物)之另一 冰、主初 種π /糸液。乾燥處理係於 卜/月你槽3進行。乾燥處理時,1 一 ^ ^ ^ ^ (/、丙醇)蒸氣及熱氮氣 之^合乾氣體供給至外清潔槽3。 外清潔槽3於上壁設置一鬥〇 2 ^ 開3a。知作時,晶圓W係 經由開口 3a裝載入清潔裝置1内 鬥口P也經由開口 3a由裝置1 排出。開口3a可藉活動蓋10開閉。蓋10之構造可於垂直或 水平方向移動至外清潔槽3,圖中’實現蓋1〇表示開啟 上盍3a之操作’而雙點線蓋本體10,表示關閉開口 3a之另 一操作。機殼"岐於外清潔槽3下部。於附圖之機殼" 内部設置-内清潔槽5’内清潔槽係由外清潔槽3遮蔽。開 口 3b也形成於外清潔槽3下壁。所示例中,内清潔槽5自適 應於向上及向下通過開口 3b。清潔裝置旧一步包括一缸 體12。缸體12穿過機殼及内清潔槽5内部中心而到達外清 潔槽3下方中心。缸12内部設置—支持轴13其上端係連結 至一平臺14。 第2圖顯示外清潔槽3内部結構之頂視圖。第3圖顯示 於與第1圖不同方向之外清潔槽3之側視圖。如第2及3圖所 不,一對左及右夾持器16a,16b設置於平臺14頂面上 夾持器16a(l6b)於其周邊設置有複數(例如25)切槽π於 中可插入晶圓W周邊。如此,當裝載25片晶圓w進入清潔 裝置1時’晶圓W1周邊分別插入夾持器16a,16b的切槽 。結果’晶圓W可於直立狀態容納於外清潔腔室2内部。 於外清潔腔室2上方設置四個水平噴射器(喷嘴)21 ,其各 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ! I*-------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(13 ) - 自有多個噴射孔口 2〇用以喷射清潔液(亦即ApM及純水)。 因此’當清潔外清潔槽3的晶圓w時,晶圓W首先設定於 平臺14上的各位置,其次清潔液由晶圓…噴射因而均勻清 潔25晶圓W表面。注意孔口 2〇也組構成可噴射化學液朝向 晶圓W。如第丨圖所示,外清潔槽3於其底部設置一洩放口 22,洩放口連結一配備有關閉閥23的洩放管。閥門的開 啟可使外清潔腔室2之化學液(APM及純水)排放入外側。 左思,於本修改例中,外清潔槽3於底部周邊設置複數洩 放口,經此,可收集化學液且排放至外側。 於升降機構6,升降軸連結於内清潔槽5之最底面。 如此升降機構6係由缸體單元、馬達等組成。由於升降 機構6的垂直操作,内清潔槽可向上移動進人外清潔槽3, 也可向下移動而經由外清潔槽3的下方開口讣有外清潔槽3 撤出。詳言之,經由使内清潔槽5進入外清潔槽3内部,如 第4圖所示,可達成内清潔腔室4包圍晶圓w,故晶圓*可 合納於内清潔腔室4内部。第5圖顯示外清潔槽3内部結構 之此種情況之頂視圖。當藉操作升降機構6而將内清潔槽 由外清潔槽3撤出時可達成第旧之情況,此處晶圓輝、^ 納於外清潔槽3内部。 如第4圖所示,當内清潔槽5進入外清潔槽3内部時, 内清潔槽5頂面上的密封物件緊密接觸外清潔腔室2的頂面 。同時’於紅體12頂端周邊之另—密封部件31也接觸内清 潔槽5頂面。藉此方式’可防止内清潔腔室4内部氣氛渗漏 至外清潔腔室2。環繞内清潔腔室4上側,設置四水平喷嘴 本紙張尺度·中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公爱) I------tl!單 I! t !應馨 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 16 499696 A7 B7 經 濟 部 智-· 慧: 財 產' 局_ 消 費 合 作 社 印 製 丙 了 五、發明說明(1 33其各自有多個設置孔口 32用以類似噴嘴21由外側噴射化 學液(SPM,純水)朝向晶圓w。進一步,内清潔槽$之底 部設置一洩放口 34,洩放口連結插至有一關閉閥3 5的洩放 管36。 如第6圖所示,噴嘴21(圖中僅顯示一喷嘴)也連結至 乾氣體供給管路40之出口,乾氣體供給管路異丙醇蒸氣及 熱氮氣之混合氣體至外清潔腔室2内部(第1圖)。同時,乾 氣體供給管路40之入口係連結至氮氣源41。介於管路4〇之 入口與出口間插置多數元件:三向閥42,空氣單元43儲存 異丙醇液,過濾器44其僅允許氣體通過,以及三向閥45其 決定是否進給乾氣體至噴嘴21。進一步,連結管線私設置 用於連結於二向閥42與三向閥45間。由於三向閥42的開關 操作’熱氮氣由氮氣源41以100-200升/分鐘流速進給通氣 單元43,如此於通氣單元43實現高度通氣條件。於單元^ 氮氣藉單元4 3的網眼板4 7轉成小氣泡,故有助於異丙醇 液的蒸發。 於異丙醇蒸氣及熱氮氣產生且流至通氣單元43之外 後,水份藉過濾器44去除,隨後經由三向閥45的開關操作 中介而進給噴嘴21。另外,僅有熱氮氣係藉操控三向閥“ ,54進給。雖然前述本發明之具體實施例已經以供給異 醇洛氣與熱氮氣之混合物(或僅熱氮氣)舉例說明,但須 解也可根據乾燥處理種類供給異丙醇液至晶圓W。 現在說明於前述構造之清潔裝置1執行的晶圓w之清 潔處理。例如’為了由晶圓w表面有效去除無機污染物^ -----------I I ^ i——— — — — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499696 五、發明說明( 雜質’清潔裝置m下述順序進行清潔操作:咖 =處理,清洗處理,SCI清潔處理,清洗處理及乾燥處 如第1圖所示,利用圖中未顯示的移送臂將晶圓W(未 m 25片)經由上開口3a裝栽入外清潔槽3内部,其條 件為内清潔槽5已經藉升降機構42由外清潔槽3内部撤出。 於外清潔槽3中’晶圓W周邊插入夾持器16&,⑽的切槽 …旦晶圓w已直立容納於外清潔腔室2,則移開蓋⑺而 關閉外清潔槽3的上開口 3a。 同時須注意SPM清潔使用的化學品spM(硫酸/過氧化 氫混合物)屬於酸性清潔液,而SCI清潔使用的化學品ApM( 氫氧化銨/過氧化氫/水混合物)屬於強鹼液。因此,於前述 ’月溧過程中,重要地係防止SPM與ApM化學品發生交又污 染(例如生成鹽類)。 根據本具體實施例之清潔裝置1,當使用化學品SPM 、純水及化學品APM進行指定清潔處理時,升降機構6操 作而對應清潔液種類移動内清潔腔室4至晶圓W周邊。然 後’ ^供給化學品SPM及純水至晶圓w時,可容納晶圓w 於内清潔腔室4,藉此進行SPM清潔及隨後的清洗。他方 面,當供給化學品APM及純水至晶圓W時,可容納晶圓w 於外清潔腔室2,藉此進行SCI清潔及乾燥。因此,即使 化學品SPM殘留於内清潔腔室4及化學品APM殘留於外清 潔腔室2,此等化學品SPM,APM不會同時存在於同一槽 内。原因在於當交換使用化學品SPM,APM時容納晶圓w ‘紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 18 .------------^-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499696 A7 B7 經^-部%-(€:財1.^-員工消費合作社印製 五、發明說明(16 之清潔腔室改變。如此,可防止發生交叉污染,例如鹽類 〇 詳言之,當首先於外清潔腔室2進行SPM之清潔時, 升降機構6允許内清潔槽5進入外清潔槽3,如第4圖所示。 如此,内清潔腔室4移動至晶圓W周邊,因而實現容納晶 圓W於内清潔腔室4之條件。此種情況下,可經孔口 32將 化學品SPM噴射至25片晶圓W之各別表面上。如此,進行 SPM清潔俾由晶圓W表面去除粒子。於SPM清潔完成後, 清洗用純水通過孔口 32供給晶圓W而使晶圓W變清潔且完 全去除化學品SPM。 如第1圖所示,當於外清潔槽3循序進行SCI清潔時, 升降機構6允許内清潔槽5離開外清潔槽3,因而實現容納 晶圓W於外清潔腔室2之條件。類似SPM清潔,經由孔口 20 將化學品APM注入晶圓W之各別表面俾由晶圓W表面去除 顆粒及無機污染物(例如金屬物質)。於SCI清潔完成後, 經孔口 20供給清洗用純水至晶圓W俾使晶圓W清潔且完全 、去除化學品APM。如此,可分別供給不同種化學品SPM, APM至内清潔腔室4及外清潔腔室2。 最終,乾氣體由孔口 20射出而乾燥晶圓W。如第6圖 所示,首先供給熱的氮氣至存放異丙醇之通氣單元43俾產 生異丙醇蒸氣與熱氮氣之混合氣體。若為乾燥氣體,所得 混合物經由乾氣體供給管線40進給喷嘴21。由於供給氮氣 ,乾燥處理可於惰性氣氛下完成。此外,對晶圓表面供給 異丙醇蒸氣允許晶圓W表面的殘餘水滴被置換,因而可有 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 19 -------II--I 1 ·!11111 ^-1111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、 發明說明(i 放由曰曰圓表面去除純水。如此,由於IpA蒸氣及熱氮氣體 混合物供給外清潔腔室2,可加速晶圓w之乾燥因而防止 Η如於乾燥處理時出現水潰。如此’比較自然乾燥可進行 短而適當的乾燥處理。於以前述方式完成指定的乾燥處理 後:開啟上開口3&允許晶圓W由清潔裝置!排放。注意, 除刖述乾燥方法外,有一種處理可於異丙醇蒸氣及熱氮氣 混合物供給完成時僅供給熱氮氣至晶圓W,-種處理係於 異丙醇液體供給完成時僅供給熱氮氣至晶圓w等。 藉此方式,根據具體實施例的清潔裝置丨,由於内清 潔腔室4係相對於外清潔槽3内部移動用於晶圓w之清潔操 作,同時使用酸性SPM及強鹼APM兩種化學品,故可實現 不同的/月 >糸條件’其中晶圓w係容納於不同的清潔腔室内 ,因此’即使化學品SPM係殘留於内清潔腔室4,以及化 學品APM係殘留於外清潔腔室2,化學品㈣與A·間不 可能產生反應而防止發生交叉污染,例如鹽類。 羲 注意’前述具體實施例中,晶圓w係直立容納於外清 潔腔室2。於變化例中,如第7圖所示,晶圓w可於傾斜狀 態容納於外清潔腔室2。又,本例中使用前述本發明之配 置可均勻一致洗滌25片晶圓W。 其次,參照第8及9圖,根據本發明之第二具體實施 例說明清潔裝置50。雖然先前清潔裝置】係藉孔口2〇, 32 進行_清潔及SCI清潔,但本具體實施例之清潔裝置% 之構造係經由將晶圓w浸沒於裝填化學品s p M之内清潔腔 至4進行SPM清潔’以及將晶圓黯沒於裝填化學品 本紙張尺度細+關家鮮(CNS)A4雜(21G X 297^^ 499696 A7 B7 五、發明說明(丨 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之外清潔腔室2進行SCI清潔。清潔裝置50之細節構造說 明如後。注意’本清潔裝置50中,就功能及組成而言,類 似前述清潔裝置1及元件係以相同的參考編號表示,因而 免除其重覆說明。 •線· 第8圖顯示類似第1圖,内清潔槽5離開外清潔槽3之 條件。第9圖顯示類似第4圖内清潔槽5進入外清潔槽3之條 件。如第8及9圖所示,外清潔腔室2於其底部設置一沒放/ 供給口 5 1,該口連結一洩放/供給管52。又,洩放/供給管 52連結洩放管55,用以經由三向閥53,54將清潔液由外清 潔腔室2洩放。三向閥53也連結APM供給管57用以供給化 學品APM,APM已經由APM供給源56進給入外清潔腔室2 内部。同時,三向閥54也連結供給純水的純水供給管59, 純水已經由純水(DIW)供給源58供給入外清潔腔室2内部 。因此,使用三向閥53,53之切換操作,洩放/供給管與APM 供給管57或純水供給管59連通,允許化學品APM或純水 供給入外清潔腔室2。同時,洩放/供給管52與洩放管55連 通’允許清潔液由外清潔腔室2排放。 經 濟: 部 智、 慧: 財 i- 員 工 消 費 合 作 社 印 製 此外,於外清潔腔室2,洩放管60係設置呈沿腔室2 之側面豎立。洩放管60開口於外清潔腔室2上側。因此, 當進給的清潔液超過預定高度時,過量液體可經由洩放管 60由腔室2内部洩放出。換言之,洩放管60連結插置有關 閉閥61之洩放管62,因此,關閉閥61的解除允許液體溢流 而經由洩放管62排放出外側。進一步,外清潔腔室2於其 頂面設置出氣口 63用以釋放乾氣體。 21 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499696 A7 _____B7___ 五、發明說明(19 ) ' 類似外清潔腔室2,内清潔腔室4於底部也設置洩放/ 供給口 65,於該口連結一洩放/供給管66。又,洩放/供給 管66經由三向閥67,68連結一洩放管69。三向閥67也連結 SPM供給管71用以供給已經由SPM供給來源70進給的化學 品SPM至内清潔腔室4内部。同時,三向閥68連結純水供 給管73供給已經由純水(DIW)供給源72進給的純水至内清 潔腔室4内部。因此,由於三向閥67,68的切換操作,可 供給化學品SPM或純水至内清潔腔室4,也可由腔室4排放 清潔液。此外,於内清潔腔室4,設置一洩放管74也係沿 腔室4之内侧面豎立。洩放管74連結插置有一關閉閥75之 洩放管76,故關閉閥75的解除允許液體溢流至腔室4,但 經由洩放管76排放至外側。 發明人現在說明藉前述清潔裝置50進行的晶圓w之清 潔操作。如第8圖所示,於25片(未經清潔的)直立晶圓w 已經容納於外清潔腔室2後,作動升降機構而移動内清潔 腔室4至晶圓W周邊進行SPM清潔,如第9圖所示。然後, 三向閥67切換至SPM供給管71該側,化學品SPM供給内清 潔腔室4而浸沒晶圓W於化學品S P Μ。同時,解除關閉闊7 5 ’由晶圓表面去除的顆粒經洩放管74及洩放管76連同溢流 的化學品SPM排放至外側。藉此方式進行SPM清潔。 SPM清潔完成後,三向閥67 ’ 68共同轉動至浅放管69 側邊而排放來自内清潔腔室4之化學品SPM。隨後,三向 閥6 8轉至純水供給管7 3該側而進給純水至内清潔腔室4内 部。藉此方式,晶圓W浸沒於純水,進行清洗作業。又, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 22 --l·---一-----裝 —丨訂----I I I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499696 A7 B7 經 濟: 部 智〜 慧: 財 產% My 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明(2 本例中’過量純水係由内清潔腔室4之上方排放。注意, 三向閥68適當轉至洩放管69該側,可以修改方式重覆進行 浸沒及洩放。 如第8圖所示,當於外清潔腔室2循序進行SCI清潔時 ,升降機構6作動而使内清潔槽5由外清潔槽3移開,使晶 圓W容納於外清潔腔室2。然後,三向閥53切換至八?1^供 給管57該側,化學品APM供給入外清潔腔室2内部而浸沒 晶圓W於化學品APM。同時,解除關閉閥61,由晶圓表面 移開的顆粒及無機物質例如金屬連同溢流的化學品Αρμ 通過洩放管60及洩放管62,由外清潔腔室2外側排放。以 前述方式進行APM清潔。 於S CI清潔完成後’三向閥5 3 ’ 5 4共同轉至汽放管5 5 該側而由外清潔腔室2排放化學品APM。隨後,三向闊54 轉至純水供給管5 9該側而進給純水至外清潔腔室2内部。 藉此方式,晶圓W浸沒於純水,進行清洗操作。又本例中 ’過量純水由外清潔腔室2上方排放。同理,三向闕54適 田轉至)¾放管5 5該側’可以修改方式重覆進行浸沒及泡放 。最後,IPA蒸氣及熱氮氣之混合氣體經出氣口 63供給而 乾燥晶圓W。藉此方式,浸沒晶圓W於清潔液的清潔裝置 5〇也可適當進行指定的清潔處理。 參照第10圖,本發明之第三具體實施例說明如後。 如第10圖所示,具體實施例之清潔裝置8〇之構造可藉喷射 清潔液進行「射出」清潔以及對晶圓w進行「DIp」清潔 。如此,外清潔腔室2設置有·喷嘴21,内清潔腔室4設置有 ---!!·裝!—訂·! •線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 23 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(2 1 ) . 噴觜33如此允許化學品SPM、APM朝向晶圓W向下噴射 進步’外清潔腔室2設置有前述組件例如洩放/供給口 Λ文供、6 g 52,洩放官60等。内清潔腔室4設置有前述 、、且件例如洩放/供給口 60,洩放/供給管66,洩放管74等 允。午曰曰圓w次沒於化學品SPM,APM及純水。使用前述 構造,由於經由自由組合射出清潔與mp清潔可達成多種 清潔操作,可對裝置提供高度應用性。 進一步,待處理物件非限於前述晶圓w,因此本發明 也適用於清潔LCD機板、破璃機板、CD機板、光罩、印 刷電路板、陶究機板等。此外,本發明不僅可應用於清潔 同時也可應用於外加指定處理液於機板裝置之方法,供給 含指定反應性成份之處理氣體至處理腔室内部之裝置,藉 此於物理、化學反應處理機板及其方法,例如電漿姓職 置、電漿CVD裝置,真空處理裝置等。 其次,本發明之第四具體實施例之說明如後。本且 體實施例中,敘述應用本發明於半導體晶圓之清潔及乾燥 裝置之案例。 第11圖為示意平面圖顯示應用本發明之處理裝置之清 潔與乾燥系統之一例。 前述清潔與乾燥系統主要包含裝載/卸栽區段2〇2用以 裝載及卸載載具2(H ’載具2()1内部水平容納例如25片半導 體晶圓w做為待處理物件,一處理區段2〇3用以施加液體 處理於晶圓w及隨後乾燥,及一界面驅動2〇4設置於裝載/ 卸載區段2G2與處理區段2〇3間而進行晶圓w之輸送、位置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1t illllt———I—I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 24 A7 B7 五、發明說明(22 ) 調整、位態改變等。注意,除裝载/卸載區段2〇2及界面區 ^204外’有栽具存放架2〇5各自暫時容納空載具加以及 載具清潔206用以清潔載具2〇1。 前述裝載/卸載區段202係設置於清潔與乾燥裝置一邊 ’包括載具裝載部件2G2a及載具卸載部件脑彼此此鄰設 置。 、界面區段204設置有一載具架207。於載具架207與裝 載/卸載區段202間設置-載具轉運單元扇,載具轉運單 —轉運載具2〇1由載具裝載部件2仏至載具架浙或載具存 木2〇5,也輸送於載具架2〇7上的載具2〇1至載具卸載部 件2〇2b或載具存放架2〇5。進一步,界面區段2〇4設置一輸 迖路彳二209其伸展至處理區段2〇3,於晶圓輸送單元上,例 如活動式架設晶圓轉運夾頭21()。晶圓轉運夾頭㈣之構造 =可轉運已經由載具201攜帶至載具架2〇7上的晶圓w(未 I處理)至處理區段2〇3,也裝載藉處理區段2〇3處理後的 晶圓W至載具2〇1。 同犄,岫述處理區段204設置本發明之處理裝置220 ,其可由晶圓W去除抗蝕劑、聚合物等。本發明之處理裝 置220說明如後。 如第12圖所示,前述處理裝置22〇主要由下列元件組 成·疑轉式晶圓載運單元例如轉子221 ;旋轉轉子221之傳1 動單元例如馬達222 ;於轉子221上環繞晶圓W之複數處理 腔室(例如第一及第二腔室)之内腔室223 ;外腔室224 ;供 給單元250用以供給處理流體例如抗蝕劑去除劑、聚合物 25 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21G X 297公爱)
五、發明說明(2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 去除劑等化學品至容納於内腔室223及外腔室224之晶圓w ;另一供給單元260用以對溶液供給的化學品例如異丙醇 (IPA);清洗液供給單元27〇用以供給清洗液(例如純水), 或乾炼流體供給單元280用以供給乾氣體(流體),如惰性 氣體(如氮氣)、新鮮空氣等(供給單元25〇,28〇顯示於第11 圖),移動單元(例如第一及第二缸227,228)用以移動組 成内腔室223的内〜鱼225及組成外腔室J24的外缸226至晶圓 包圍位置以及與晶圓包圍位置隔開的等待位置;及一物件 輸送單元(例如晶圓輸送液229)用以接納來自晶圓轉運夾 頭210之晶圓W以及輸送至轉子221,反之易然。 如上構造之處理裝置220之馬達222,供給單元250, 260 ’ 270 ’ 280(第11圖顯示供給單元250,280),晶圓輸 送液229等係由控制單元例如中央處理單元23〇(後文稱做 CPU 230)控制。 如第13圖所示’轉子22 1係以旋臂式連結至水平排列 馬達222之傳動軸222a。轉子211載運晶圓W,故其待處理 表面係垂直豎立且自適應於以水平軸為軸旋轉。轉子22 j 包括一第一轉子圓盤22 la具有一轉子軸221A經由聯軸劑 222b連結至馬達222之傳動軸222a,第二轉子圓盤22lb係 與第一轉子圓盤22 1 a相對,數根(例如4根)固定桿23 1跨置 於第一轉子圓盤221a與第二轉子圓盤221b間,及一對推桿 232,可藉圖中未顯示鎖定及鎖定解除單元(二者圖中皆位 顯示)介於其推進位置及非推進位置間移動,用以夾持晶 圓W上部固定於固定溝231 a(參考第20圖)。第一固定臂234 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 26 II II t i I ! I — I t II — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、 發明說明(7 經由軸承233旋轉式支持轉子221的轉軸221A。進一步, 由於於第一固定臂234該側於軸承233之後設置迷宮峰23 5 ’故構成轉子2 11可防止由馬達222產生的顆粒等侵入處理 腔室(參考第13圖)。注意,馬達222係容納於缸236内接續 連結至第一固定臂234。馬達222係控制呈可根據事先儲存 於中央處理單元230之程序而於預定高轉速,例如100-3000 rPm及低轉速例如uoo rpm重覆選擇性。注意,雖然以上 說明的高轉速與低轉速範圍部份重疊,但低速範圍或高速 範圍通常係就化學液濃度建立,因此於有相同化學液之例 ’類似後文說明’高及低轉速範圍不會彼此重疊。此處, 低速轉動表示以轉數比較速度較低,允許黏附於晶圓表面 的化學品藉轉子離心力去除,而高轉速表示就轉數比較速 度較高’允許供給的化學液接觸晶圓W因而執行充份反應 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· 經 濟: 部智、 慧: 財 產' 局- 員 工 消 費 合 作 社 印 製 因此’由於重覆尚速轉動及低速轉動故馬達222可能 過熱’馬達222設置有冷卻單元237用以限制馬達的過熱。 如第12圖所示’冷卻單元237係由循環冷卻管237a環繞馬 達222以及熱交換器237c含有部份冷卻管237a及部份冷媒 供給管23 7b用以冷卻容納於冷卻管237a内部的冷媒。採用 的冷媒為電絕緣及導熱液體,其儘管由液體滲漏例如乙二 醇苓漏也不會造成馬達222短路。進一步,冷卻單元237係 由CPU 230控制因而根據由(圖中未顯示)之溫度感測器檢 測之資訊操作。注意,冷卻單元237並非經常設置前述構 造,因此使用者可任意選擇氣冷單元、電力冷卻單元附有
--線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499696 A7 " ........................... 丨丨 B7 五、發明說明(25 ) - 派啼爾(Peltier)元件等。 處理腔室,例如内腔室223(第一處理腔室)係由第一 固疋臂2M界定’相對之第二固定臂238及内缸225分別經 由第一及第一密封構件24〇a,240b接合第一及第二固定臂 234,238。換言之,隨著第一缸227的膨脹,内缸225連同 轉子221移動至包圍晶圓W之位置而界定内腔室223(第一 處理腔室)經由第一密封件24〇a密封至第一固定臂234,也 經由第二密封件240b密封至第二固定臂238(參考第13及16 圖)。再度’内缸225自適應於具有第一缸227的收縮(參考 第14,15及16圖)移動至缸236(等待位置)外側。然後,内 缸225之前端開口經由第一密封件24〇a密封至第一固定臂 248 ’及缸底部經由形成環繞缸236中間部份的第三密封件 240c密封至缸236 ’如此防止殘留於内腔室223的化學品氣 氛泡漏。 外腔室224(第二處理腔室)係由下列界定:第一固定 壁234插置於密封件240b介於移動至等待位置的内缸225與 固定壁234間’第二固定壁238,以及外缸226經由第四密 封件240(1及第五密封件24(^分別接合第二固定壁238及内 缸225。如此,隨著第二缸228呈移動單元膨脹,外缸226 連同轉子221移動至包圍晶圓w之位置,以及經由第四密 封件240d及第五密封件240e密封至第二固定壁238及内缸 225,形成外腔室224(第二處理腔室;參考第17圖)。又, 外缸226自適應於隨著第二缸228的收縮而移動至固定缸 236外側等待位置(第14及15圖)。此例中,第五密封件24〇e 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 28 1— ί ---—Aw · II I I I I I — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499696 經_赛部^,€:財1处員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(26 ) — 係插置於外缸226與内缸225之底端間。因此,因内腔室223 之内部氣氛與外腔室224之内部氣氛彼此以流體緊密方式 分開,故外腔室223,224氣氛不可能混合,可避免由於不 同的處理液反應造成的交叉污染。 注意’前述第一至第五密封件240a至240e係由密封機 構組成,各自將壓縮空氣包圍入真空包裝(例如橡皮塾)可 , 脹大嵌合至接受密封物件的一邊。 如上彼此接觸的内缸及外缸225,226共同推拔而逐 漸朝向其梢端膨大。如第19及20圖所示,缸225,226適合 沿複數平行滑動執239A(所示具體實施例為三軌)滑動,執 係於第一固定壁234、第二固定壁238及側壁239伸展,各 壁皆於同一水平線彼此交叉。結果,隨著第一及第二缸227 ’ 2 2 8的膨大及收縮’缸2 2 5 ’ 2 2 6可彼此同轴凸起、縮回 及重疊。由於内及外缸225,226之推拔形成,當於内缸225 或外缸226轉動轉子22 1時,產生氣流其以螺旋方式流向缸 的膨大側,因此輔助内部化學品排放至膨大側。此外,由 於缸225 ’ 226的同軸重疊結構’可減少内缸及外缸225,226 以及内腔室及外腔室223,224的架設空間因而達成裝置的 縮小。 内缸及外缸225 ’ 226為不鏽鋼製成。此外,内缸225 於外周邊設置例如聚四氟乙烯(商品名··鐵弗龍)製成的絕 熱層,可防止供給於内腔室223跟處理用的化學品冷卻。 前述處理液之供給單元中,如第12,π及18圖所示 ’化學品(例如聚合物去除劑)之供給單元250包括化學品 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I------一 11!! til——! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 29 499696 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(27 ) ' 供給喷嘴251附接於内缸225,化學品供給部件252,泵浦254 設置於化學品管線259連結噴嘴25 1於部件252,過濾器255 ,溫度控制器256及化學品供給閥257。此例中,化學品供 給部件252係由化學品來源258、儲存來源258供給的新化 學品之化學品槽252a以及儲存供給用於處理的化學品循環 槽252b組成。内腔室223於其下部的膨大部份設置有第一 洩放口 241,連結第一洩放管242。第一洩放管242也經由 開關閥(圖中未顯示)連結至循環管線290。注意,内腔室223 於其上部之膨大側’設置有第一排氣口 243,排氣口連結 第一排氣管244同時插置一關閉閥(圖中未顯示)。於供給 槽252a’ 252b外側,設置溫度控制加熱器252c而維持槽252a ’ 252b化學品於指定溫度。為了均勻一致供給化學液至載 於轉子22 1的全部複數(例如25片)晶圓W,前述化學品供 給噴嘴251係以「噴淋」噴嘴銜式設置,於最外晶圓w外 側以及各晶圓W間設置2 6個孔口(圖中未顯示)。此外,喷 嘴25 1之構造也可經由孔口以大致扇形射出化學品。如此 ,化學品經噴嘴25 1孔口對隨著轉子221旋轉的晶圓w供應 ,可供給化學品至一致載運於轉子221的複數(例如25片) 晶圓W。注意,於僅供給化學品至晶圓w正面之例,噴嘴 251僅舄具有25個孔口。注意,前述配置中,每片晶圓w 載運轉子之間隔係等於先前25片晶圓容納於載具2〇丨之配 置間隔。但於修改例中,轉子221可以一半間隔載運例如5〇 片晶圓w。此種情況下,喷嘴251設置50或51個噴嘴孔口 - τ n I emMB i n I ·1- n ϋ Mmmmmmw mmmmmm · mammm ϋ n ϋ ϋ ϋ ϋ ^ ^ · 1· ϋ n 1 «1 ί I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 B7 五、 發明說明( 經濟部替歎財1.展員工消費合作社印製 圖所示’供給化學品溶液,例如異丙醇的供 Γ疋細’包括供給噴嘴251也操作為前述化學品供給噴 切著於内飯225(後文以「化學品供給喷嘴251」表示),、 溶劑供給部件261,泵浦ΝΑ設置於連結供給嘴嘴251與 化學品供給部件252的異丙醇管線262,過濾器2说及心 ί…閥263。此處’化學品溶劑表示不會與化學品反應的 液體’也表㈣於隨後處理的清洗液,但僅可洗掉沾黏於 晶圓w及腔室的化學品。此種情況下,溶劑供給部件261 係由溶劑(例如異丙醇)來源2 6 4、儲存異丙醇來源2 6 4供給 的新鮮異丙醇之異丙醇供給槽2613以及儲存用於處理的循 環供給槽261b組成。循環管線29〇也經由切換閥(切換裝置 )(圖中未顯示)連結異丙醇供給槽2 6丨a,2 6丨b。循環管線2 9 〇 也連 '纟Q第一洩放官242,洩放管連結形成於内腔室223膨大 側下部的第一汽放口 2 41。 如第12,13,1 8圖所示,清洗液(例如純水)之清洗液 供給單元270包括純水供給喷嘴271附著於第二固定壁238 ,純水源272,供給泵浦274及純水供給閥275設置於純水 管線273連結噴嘴271與來源272。此例中,純水供給噴嘴271 係設置於内腔室223外側及外腔室224内側。使用此種配置 ,當内缸225移動返回等待位置而外缸226移動至包圍轉子 221及晶圓因而界定外腔室224的位置時,喷嘴271係設至 於外腔室224而供給純水給晶圓W。 外腔室224於膨大側下部也設置第二洩放口 245,其 經由關閉閥(圖中未顯示)連結第二洩效管246。注意,线 請 先 閱 讀 背 Sj 之 注 意 事 項 再 頁 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 31 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499696 A7 B7_ 五、發明說明( 29 ) 放管246於管路上設置有比電阻表247,其偵測供給用於清 洗的純水的比電阻且傳送偵測得的比電阻給CPU 230。如 此,由於表247,可連續間控預設的清洗處理,故可於判 定適當清洗處理條件下完成處理。 再度,外腔室224也於膨大側上部設置第二洩放口 248 ,經關閉閥(圖中未顯示)連結第二洩放管249。 如第12,13及18圖所示,乾流體供給單元280包括乾 流體供給噴嘴281固定於第二固定壁238,乾流體源(例如 氮氣)282,關閉閥284插置於連結喷嘴281與來源282的乾 流體管線283,過濾器285及氮氣溫度控制器286。於控制 器286的下游端,管線283也經切換閥287連結分支管線288 。分支管線288係由異丙醇管線262分歧。此種情況下,類 似純水供給噴嘴27 1,乾流體供給噴嘴28 1係設置於内腔室 223外側以及外腔室224内側。内缸225退回等待位置以及 外缸226移動至包圍轉子221及晶圓W位置,乾流體供給喷 嘴281設置於外腔室224而喷灑氮氣及異丙醇混合物至晶圓 W。然後使用氮氣及異丙醇混合物乾燥晶圓W後,進一步 僅以氮氣進行乾燥。注意,於修改例中,氮氣與異丙醇混 合物可僅以氮氣置換。 注意,化學品供給單元250、異丙醇供給單元260、 純水供給單元270及乾流體供給單元280之泵浦254,254A 、溫度控制器256、氮氣溫度控制器286、化學品供給闊257 、異丙醇供給闊262及切換閥287的全部操作係由CPU 230 控制(參考第12圖)。 . 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 32 —:—*-----裝 i———訂ί -------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499696 A7 B7 經 濟: 部 智' 慧: 財 產' 局· 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明(30 注意,如上組成之處理裝置220係設置於處理空間, 其上方設置有過濾單元(圖中未顯示)可經常向下供給新鮮 空氣。 其次,說明本發明之清潔與乾燥裝置之操作。首先 ’載具轉運單元208轉運容納未經處理晶圓w的載具201, 載具裝載於裝載/卸載區段202的裝載部件202a且裝載於載 具架207上。其次’晶圓轉運夾頭21〇移動至載具架207而 由載具201卸載晶圓W,隨後移轉晶圓w至處理區段203之 處理裝置220上方’亦即,於内缸225及外缸226撤退回等 待位置之條件下移轉至轉子221上方位置。然後,如第14 圖所示,晶圓輸送臂229升高而接納由晶圓轉運夾頭21〇轉 運來的晶圓W,接著下降而輸送晶圓w至轉子221的固定 桿231,隨後臂229返回最初位置。於輸送晶圓w至桿231 後,由於鎖定裝置(圖中未顯示)的作動,推桿232移動至 晶圓w上緣俾夾持晶圓(參考第15圖)。 一旦晶圓w以前述方式設置於轉子221上,如第16圖 所不,内缸225及外缸226移動至包圍轉子211及晶圓|位 置,故可容納於内腔室223。此種情況下,進行化學處理 同時供給化學品至晶圓貿。於化學品處理時,轉子221及 晶圓w以低速,例如1至500 rpm旋轉,化學品首先供給一 段預定時間,例如數十秒及然後停止供給化學品。接著轉 子221及晶1JW以高速,例如1()()至3_卿旋轉數秒俾將 沾黏於晶圓表面的化學品吹@。4匕學品處理係經由重複前 述化學品供給處理及化學品吹開處理數次至數千次完成。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------1·裝------- 訂------- --線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499696 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(3 注意’如第18圖之雙點鏈線顯示,若氮氣刀噴嘴则係排 列於内缸225來進-步於吹開化學品期間噴射线至晶圓 w’則可迅速去除化學品。此例中,t氣刀噴嘴則可經 關閉閥(圖中未顯示)連結至乾流體供給單元“Ο之乾流體 供給喷嘴281。 首先供給用於前述化學品處理者為儲存於循環槽 252b的化學品。使用後’首次用過的化學品經第一洩放管 282被拋開。隨後處理中,化學品也儲存於循環槽^几供 給供循環使用。化學品處理結束時,已經由來源258供給 化學品槽252a的新化學品用來完成化學處理。 >主意,於化學處理過程中,供給用於此處理過程之 化學品係收集於第一洩放管241,藉切換閥(圖中未顯示) 的作動排放至化學品供給部件252的循環管線245或第一线 放管242,源自化學品的氣體則經第一排氣口 243由第一排 氣管244排放。 元成化學處理後,晶圓W容納於内腔室223内部執行 化學品去除(亦即清洗)處理。此種處理過程中,轉子22 i 及晶圓W以低速,例如1至5〇〇 rpm旋轉時,化學品異丙醇 首先經由異丙醇供給單元260之化學品供給噴嘴251供給一 段預定時間,例如數十秒’以及隨後停止供給化學品異丙 醇。接著轉子221及晶圓W以高速,例如1〇〇至3〇〇〇印⑺旋 轉數秒俾將沾黏於晶圓表面的化學品異丙醇吹離。化學品 去除處理係經由重複化學品異丙醇供給處理及化學品異丙 醇吹開處理數次至數千次完成。類似先前化學品處理過程 ---:---------裝 ---— — I 訂—--I —^_AW (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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•五、發明說明(32 ) 經藏部tt:財員工消費合作社印製 ,首先供給用於前述化學品處理的化學品異丙醇儲存於循 環槽261b。使用後,首次用過的化學品異丙醇藉第一洩放 官242被拋開。隨後處理中,儲存於循環槽26^的化學品 異丙醇也供給供循環。於化學品去除處理結束時,由異丙 醇來源264供給供給槽26la的新化學品異丙醇用來完成化 學品去除處理。 注意,於化學品去除過程中,供應用於此項過程的 化學品異丙醇係收集於第一洩放口241且藉作動切換閥(圖 中未顯示)而排放於溶劑供給部件261的循環管線29〇或第 一洩放管242,同時異丙醇氣體係通過第一排氣口 243由第 一排氣管244排放。 於化學品處理及隨後的清洗完成後,如第丨7圖所示 ,内缸225移動為等待位置。結果,轉子221及晶圓w由外 缸226包圍,換言之,容納於外腔室224内部。因此,即使 液體由於内腔室223處理的晶圓W滴落,例如小液滴可由 外腔室224接收。此種情況下,清洗液,例如純水係經由 清洗液供給單元之純水供給喷嘴27丨供給旋轉中的晶圓w 。於清洗處理供給的純水以及被去除的化學品異丙醇經第 一 ’贫放口 245由第二 放口 246汽放。進一步,外腔室224 產生的氣體由第二排氣管249經第二排氣口 248排放至外側 〇 於進行清洗處理經歷一段預定時間後,執行氮氣與 異丙醇混合物由氣體來源285及異丙醇來源264供給旋轉中 的晶圓W,同時晶圓容納於外腔室224内部泌去除沾黏於 本紙張尺度過用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 35 ----I---I I I I I ·1111111 ^ — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499696 A7
I $ 項 再 填 寫 本 頁 請 先 、 閱卜 讀 背 面I-: 之 r
注 I
意 I
事I
使用前述配置,若於内腔室223進行高溫化學處理, 則可防止熱由内缸225等分散。因此,於重覆高溫化學處 理例,可再度加熱内缸223而減少熱耗損。 經聲部知tl:財產·1員工消費合作社印製 同理’也可採用第22及23圖之缸做為減少熱耗損之 紅。第22圖顯示缸之分解圖,第23圖顯示組裝後之缸。缸 5〇1包括紅部件503,缸部件係由氟化樹脂例如聚四I乙烯 ’ PFA(四氟乙稀.全氟烧基乙烯基喊共聚物)等製成。缸部 件503於其底部&置茂放槽505,其深度係由軸端朝向另L 軸端遞增。環形加強環507,508附接於缸部件5〇3之二軸 端。加強環507 ’ 508亦由l化樹脂’例如聚四氟乙稀,Μ 等製成且熔接至缸部件503。加強環5〇8設置有洩放口 5〇9 ,其係連結於整合缸部件503之茂放槽5〇5用以茂放處理液 。介於缸部件505之加強環5〇7,5〇8間設置一對不鏽鋼、 鋁等製成的加強桿511而在期間架橋。各桿兩端5〇7d,5〇8d 利用螺絲固定於加強環507,508。 又前述缸501中,因聚四氟乙烯製成的缸部件具有絕 熱效果,故於進行高溫化學處理之例可再度減少熱耗損。 雖然前述具體實施例之處理裝置,包括内腔室223(第 一腔室)及外腔室224(第二腔室)做為處理空間,但可由三 個或更多個處理腔室,例如類似内缸225及外缸226之缸組 成。 第24圖顯示第13圖處理裝置之另一項修改。修改裝 置具有四重結構形式之缸,第13圖之處理腔室建構成具有 内缸225及外缸226的雙重結構。於處理裝置中,類似 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) — — — — — — — — — — — I* · I I I I I I I — — — — — — 議 I* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 37 499696 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(35 ) 圖内缸22 5之第一缸401設置成遮蓋第一固定壁234及第二 固定壁238間界定的空間。第一缸4〇1也配置成離開馬達222 漸進膨大。此外,第一缸4〇1之二軸向端係以氣密方式經 由密封件240a,240b密封於第一及第二固定壁234,238。 於第一缸401中,第一噴嘴4〇3係設置成可於軸向方向由馬 達222旁的軸向端伸展。進一步,第二缸4〇5係嵌合至第一 缸401外側。第二紅405之軸向端係藉密封件407a,407b密 封於第一缸401的軸向端。又於第二缸405,第二喷嘴409 也5又置成可於軸向方向由馬達222旁的軸向端伸出。此外 ,第三缸411嵌合至第二缸4〇5外側,第四缸413嵌合至第 三缸411外側。第三及第四缸4丨1,41 3之軸向端藉密封件 407a ’ 407b密封於内缸之軸向端。噴嘴415,417也設置於 缸411 , 413 。 第二固定壁238係於徑向方向伸展,於外周邊也設置 有密封件407c ’密封件用來密封第二固定壁238外端與第 四缸413前端周邊。 第一、第二、第三及第四缸4〇1、405、411、413之下 端各別設置第一、第二、第三及第四洩放口 419,421,423 ,425。洩放口 419,421,423,425係設置成可以滑動方 式穿過第二固定壁238。來自洩放口 419,421,423,425 的用過的液體由液體盛接器427,429,431,433分別盛接 ,且進一步經由洩放管435合併排放至外侧。 至於廢氣,第一、第二、第三及第四缸401,405,411 ,413分別具有第一、第二、第三及第四排氣口 437,439 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 38 —.--------裝---------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499696 A7 B7 五、發明說明(3 經 濟: 部 智- 慧": 財‘ 產· 局-· 員 工 消 費 合 作 社 印 製 ’ 441 ’ 443形成於其上端。排氣口 437,439,441,443設 置成可以滑動方式穿透第二固定壁238。廢氣係經排氣管 由排氣口 437,439,441,443之梢端排放。 為了讓前述構成的處理裝置進行化學品處理程序、 異丙醇處理程序、純水處理程序及乾燥程序,首先晶圓W 係由固定桿231及推桿232載運。然後當旋轉如此被載運的 晶圓w時,清潔用化學品於第一缸4〇1由第一喷嘴4〇3噴射 。其次’將第一缸401回縮至馬達222旁,由第二缸405的 第二喷嘴409供給化學品異丙醇進行異丙醇清潔。異丙醇 清潔完成後,回縮第二缸4〇5,以及於第三缸4π由第三噴 嘴415噴射進行純水清潔。隨後,第三缸411向後移動,然 後乾氣體’例如氮氣經由第四缸* 13的第四噴嘴41 7進給 乾爍晶圓W。前述處理過程中,用過的液體經第一至第 洩放口 419,421,423,425洩放,而廢氣係由第一至第 排氣口 437 ’ 439 ’ 441,443排放。 藉此方式,根據具體實施例之處理裝置,各程序, 亦即化學處理程序、異丙醇程序、純水程序及乾燥程序可 於不同紅分開進行而無需移動晶圓w。如此,可有效進行 全體清潔過程,進一步防止清潔介質的混合,換言之,防 止發生交叉污染。 當然,前述裝置也適用於化學處理程序、異丙醇程 序、純水程序及乾燥程序外的其它處理程序。 再度於前述裝置,化學品喷嘴251(也做為異丙醇喷嘴) 係設置於内缸225,純水喷嘴271及乾氣體喷嘴281係附接 而 四 四
•-------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·- --線. 499696 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _________ 五、發明說明(37 ) - 於内缸225與外缸226間的第二固定壁238。於修改後,可 採用另一種配置’化學品喷嘴251 (也做為異丙醇噴嘴)附 接至内缸225及外缸226外側的第二固定壁238,同時純水 喷嘴271及乾氣體喷嘴281設置於外缸226。另外,化學品 喷嘴25 1 (也做為異丙醇喷嘴)、純水喷嘴271及乾氣體噴嘴 281也設置於内缸225及外缸226。 前述具體實施例中,化學品處理以及隨後化學品去 除程序係於内腔室223(第一處理腔室)進行,而清洗程序 及乾燥程序係於外腔室224(第二處理腔室)進行。但本發 明之處理方法非僅限於前述處理方法。例如,可使用不同 種化學品於内腔室223(第一處理腔室)及外腔室224(第二 處理腔室)進行化學處理。藉此方式,經由於不同腔室, 亦即内腔室223(第一處理腔室)及外腔室224(第二處理腔 室)同時使用不同種化學品分別處理晶圓,可防止由於不 同種化學ασ非期望地混合所造成的交叉污染。 注意,前述具體實施例係針對於轉子221處理最大量 晶圓W之例。雖言如此,若有所需,處理裝置可進行比轉 子221所能容納的最大量晶圓更少數的晶圓之清潔/乾燥, 即使單一晶圓亦可處理。 此外,雖然本發明係應用於前述具體實施例之半導 體晶圓之清潔/乾燥裝置,但當然本發明也可應用於半導 體晶圓以外的基材,例如LCD玻璃基板等。 如别述’根據本發明,由於設置複數處理腔室以及 移動至少一腔室至基板周邊之裝置,當應用指定處理於基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4_規格(210>< 297公釐)--—-- • Λ Π _ I I illllll^in (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 可移動不同腔室至基板周邊 即使處理液係留在各腔室内 體不會於同一腔室内混合。
經 濟: 部 智一 慧:· 財、 產· 局-, 員 X 消 費 合 作 社 印 製 反應,因而防止交叉污染,例如鹽類。 五、發明說明(38 ) 板同時使用複數處理流體時, 對應同組處理液位置。如此, 部,更換腔室仍可防止不同液 ^進一步’根據本發明,複數處理腔室包括第一處理 腔室及第二處理腔室,移動裝置移動至第―及第二腔室中 =至少-者。因此’後文處理可依序進行:容納基板於第 -處理腔室;供給處理流體至第一處理腔室做第一指定處 2,移動第二處理腔室延續第二處理腔室進入第一處理腔 ^,故基板係容納於第二處理腔室;以及供給處理流體至 第一指定處理的第二處理腔室。 本毛月之私動裝置之構造允許複數處理腔室根據使 用處理*體種類而移動至晶圓周邊。例如,使用酸處理流 體及強鹼處理流體來處理基板時,於供給酸流體及強鹼流 體之情況下,不同的處理腔室移動至基板周邊。結果,極 使處理流體殘留於腔室,也不可能發生酸流體與強驗流體 進一步根據本發明,處理氣體可供給複數處理腔室 至> 一者。此種情況下,例如惰性氣體(例如氮氣)、有機 洛氣例如異丙醇蒸氣、氮氣與異丙醇蒸氣之混合物等可用 做處理氣體。若氮氣供給處理腔室,則可於惰性氣氛下達 成處理。另外,供給異丙醇蒸氣或氮氣與異丙醇蒸氣混合 物可促進處理的乾燥因而防止乾燥時出現例如水潰。 因本發明之處理裝置包括旋轉式載運裝置用以載運 待處理的複數物件,旋轉載運裝置之傳動裝置,複數處理 本紙張尺度義中國國家標準以似4規格⑽x 297公髮了 41 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -—--— B7__ 五、發明說明(3 9 ) 月工至可%繞由載運裝置载運的物件’以及供給處理流體至 物件的處理流體供給裝置,故可旋轉由載運裝置載運的複 數物件,同日讀給的處理流體至複數處理腔室。如此,可 防止物件又不同種流體反應的污染。就此方面而言,較佳 、、且構可以岔封方式包圍物件的各處理腔室。然後,可防止 物件接觸外界氣氛,如此確定避免物件的污染。 根據本發明,因載運裝置載運物件而其表面係垂直 设置且可以水平軸為軸旋轉,故容易去除沾黏於物件上的 處理液。 根據本發明,因裝置進一步配備有移動裝置,用以 相對移動複數處理腔室之至少一腔室之物件,故可減少整 體處理過程中由一位置移轉物件至另一位置的次數,減少 對物件的損傷等。 根據本發明,因傳動裝置設置有冷卻裝置以防過熱 ,故可防止驅動裝置的操作效率由於過熱引起熱疲乏而劣 化如此,可改良傳動裝置之效率及壽命,換言之,實現 裝置可靠性及壽命的改善。 根據本發明,因處理腔室係形成為即使於環繞未接 受處理物件的條件下分開内部氣氛與外部氣氛,可防止内 部氣氛於裝置鈍化條件下洩漏出。如此,可避免污染外界 大氣而確保操作員的安全。 根據本發明,因複數腔室中之至少一處理腔室係形 成為内部氣氛與其它腔室的内部氣氛分開,故可防止由於 腔室内部氣氛交互混合發生不同種處理氣體反應造成的交 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21Q x 297公髮) ·-------1--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 42 A7
經 濟: 部 智- 慧:· 財, 產- 局·, 員 工 消 費 合 作 社 印 製 、發明說明(4〇 又污染。 、根據本發明,因複數腔室中之至少—處理腔室係以 活動方式組構’因而可包圍另一腔室,可減小腔室的架設 空間而實現縮小裝置。 根據本發明,處理流體供給裝置包括可供給化學品 化本。口 ’谷劑、清洗液及乾燥流體中之至少一者之流體供 給噴嘴中-或多流體供給噴嘴係設置於各處理腔室。 此由於共通喷鳴可供給複數處理流體,故可減少喷嘴 數目以及縮小處理腔室,也可縮小整體處理裝置的尺寸。 進一步,根據本發明,流體處理過程包括至少一供 給化學液之步驟,而乾燥程序包括至少一供給乾燥流體之 步驟。此外,於化學液供給步驟後,供給化學品溶劑之物 件俾由物件去除化學品。因此,對物件應用乾燥處理,可 使物件纟交清潔而伴隨著產率的改良。此例中,因化學品處 理程序完成後之化學品去除處理允許物件上的殘餘化學品 或處理L至殘餘化學品被確切去除,因此,可進一步改良 處理效率。此外,可防止化學品造成處理腔室的腐蝕。 根據本發明,乾燥流體供給外處理腔室而乾燥其中 所含物件。因此,即使供給内處理腔室之處理液落出物件 之外’也可防止由於由外腔室接納,故可防止處理液滲漏 出裝置外時污染外界氣氛。此例中,當乾燥流體供給外處 理腔室而乾燥其中所含物件時,故可完美地蒸發去除處理 液而乾燥外處理腔室。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(㈣χ挪公爱) 43 499696 A7 B7_ 五、發明說明(41 ) 元件標號對照 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1...清潔裝置 2...外清潔腔室 3...外清潔槽 3 a...上開口 3b…下開口 4...内清潔腔室 5...内清潔槽 6...升降裝置 10...活動蓋 10’…蓋本體 11…機殼 12···缸 13...支持軸 14…平台 16a-b…夾持器 17…切槽 20…孑L 口 21…喷嘴 22…洩放口 23…關閉閥 24...洩放管 30-1...密封部件 32…射出孔口 33...水平喷嘴 34...洩放口 35...關閉閥 36...洩放管 40...乾氣體供給管 41...氮氣源 4 2…三向閥 43…通氣單元 44...過濾器 4 5…三向閥 46...連結管線 47...網眼板 50...清潔裝置 51…洩放/供給口 52…洩放/供給管 5 3 - 4...三向闊 55...洩放管 56...APM供給源 57...APM供給管 58...純水供給源 .59...純水供給管 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 44 499696 A7 B7 五、發明說明(42 ) 經it:部知Lt:財產-^-員工消費合作社印製 60... 洩放管 61...關閉閥 62... 沒放管 63...出氣口 65… 洩放/供給口 66...洩放/供給管 67-8 …三向閥 69...洩放管 70... SPM供給源 71...SPM供給管 72... 純水供給源 73...純水供給管 74... 洩放管 75...關閉閥 76... 洩放管 80...清潔裝置 201. ..載具 202…裝載/卸載區段 202a ....載具裝載部件 202b··.載具卸載部件 203. ..處理區段 204…界面區段 205. ..載具存放架 206…載具清潔器 207. ..載具架 208…載具轉運單元 209. ..輸送路徑 210...晶圓轉運失頭 220. ..處理裝置 221...轉子 221a-b…轉子圓盤 222...馬達 222a 1...傳動軸 222b...聯軸節 223. ..内腔室 224…夕卜腔室 225. ..内缸 226."夕卜缸 227- 8···缸 229…晶圓輸送臂 230. ..中央處理單元 231…固定桿 231a...固定槽 232...推桿 233. ..軸承 234...固定壁 235. ..迷宮封 236···缸 -------------裝-------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 45 499696 A7 B7 五、發明說明(43 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 237…循環單元 237a…循環冷卻管 237b...冷媒供給管 237c…熱交換器 238...固定壁 239…側壁 239A...平行導軌 240a-e...密封部件 241...洩放口 242...洩放管 243.··排氣口 244…排氣管 245···洩放口 246...洩放管 247…表計 248···排氣口 249…排氣管 250…化學品供給單元 251…化學品噴嘴 252…化學品供給部件 252a...化學品槽 252b...循環槽 252c...溫度控制加熱器 254,254A...幫浦 255,255A...過濾器 256…溫度控制器 257...化學品供給閥 258…化學品源 260...異丙醇供給單元 261...溶劑供給部件 261a...異丙醇供給槽 261b...循環槽 263...異丙醇供給閥 264…異丙醇源 270...純水供給單元 271...純水供給喷嘴 2 7 2...純水源 273…純水管線 275...純水供給閥 280…乾流體供給單元 281…乾流體喷嘴 282...氣體源 283...乾流體管線 284…關閉閥 285…過濾器 286…氮氣溫度控制器 287...切換閥 _288...分支管線 I--^---一-----裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 46 499696 A7 B7 五、發明說明(44 290...循環管線 300…氮氣噴嘴 401…缸 403·.·噴嘴 405…缸 407a-b...密封件 409...喷嘴 411-3···缸 415-7…喷嘴 419-425··.洩放口 427-33…液體盛接器 435...洩放管 437-443...排氣口 501···缸 503...筒形部件 505...洩放槽 507-9...加強環 509...洩放口 511…加強桿 W...晶圓 --------------裝------ 訂 - - ---I---線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 部 智-慧:’ 財· L· 員 工 消 費 合 社 印 製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 47
Claims (1)
- 499696 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 第89107891號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期·· 91年5月 1· 一種加工裝置,其包含: 夾持裔’其用以夾持待處理之物件;及 稷數容器,該等容器係以可移動之方式設置,藉此佔 據-包圍該物件之包圍位置以及非包圍該物件之等待 位置兩者。 ’ 其中該等容器係適應於可各自移動至該物件,且 其中當該物件在該等複數個容器中的一指定容器中被 處理時,該指定的容器係位於該包圍位置,而該指定 容器内的其他容器係位於準備位置,然後該物件受到 處理。 2·如申請專利範圍第〗項之加工裝置,其中該等數個容器 係設置成彼此接合。 3· —種加工裝置,包含: 一對第一及第二壁,其等設置成彼此相對也彼此分 開; 夾持益,其用以夾持物件於第一壁與第二壁間; (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ··· 丨、ΤΓ---------- 以及 複數周邊壁,其等各自由第一壁伸展至第二壁,藉 此界定一處理空間,該空間連同第一及第二壁一起供處 理物件之用; 其中該等複數周邊壁彼此重疊且交互套置,以及各 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ29ρΑν^) 48 A8 B8 C8 D8、申請專利範圍 別適應於介於包圍位置(連同第一及第二壁界定處理空 間)以及等待位置(未包圍任何物件)間移動,該待處理 物件之所在狀況為:該等複數周邊壁之一指定周邊壁, 係设置於包圍位置,同時另一周邊壁係設置於指定周邊 壁内部的等待位置。 4·如申請專利範圍第3項之加工裝置,其中該等周邊壁之 一係呈柱體形式。 5·如申請專利範圍第3項之加工裝置,其中該等周邊壁自 適應於可在介於第一壁與第二壁間之方向上的該包圍 位置與該等待位置間移動。 6·如申請專利範圍第i項之加工裝置,其中各容器於其内 部设置一處理流體供給埠口,該埠口可供給處理流體而 對物件進行處理。 7·如申請專利範圍第6項之加工裝置,其中該處理流體為 液體或氣體。 8·如申請專利範圍第丨項之加工裝置,其中各容器設置一 排放口,該排放口用以排放供給用於處理物件的處理流 體。 9·如申請專利範圍第8項之加卫裝置,其中該等容器各別 的外廓係以離開排放口局部直徑遞減之方式逐漸變小。 !〇·如申請專利範圍第2項之加工裝置,其中該灸持器設置 旋轉物件之傳動單元。 η.如申請專利範圍第10項之加工裝置,其中該物件係夾持 於失持器,藉此該物件表面係沿上下方向移動,以及該 本紙張尺度翻巾國國家標準(CNS) Μ規格(21()χ297公⑹ ......................:裝.................#..................緣 (請先閲讀背面之注意事项再填窝本頁) 49 A8 B8 C8 ____1)8 中 ~^ 物件被旋轉,藉此一轉軸係於加工裝置水平方向伸展。 12·如申請專利範圍第1G項之加卫裝置,其中該等複數物件 係沿著該轉軸併置,該處理流體供給埠口具有噴嘴孔口 ,而該等孔口數目係等於或大於該等物件數目。 如申明專利範圍第1項之加工裝置,其中該等容器可包 圍该等物件因而使物件密封於該等容器内部。 14’如申請專利範圍第1項之加工裝置,其中即使該等容器 係於等待位置,該等容器仍可隔絕其内部氣氛不接觸外 部氣氛。 15·如申請專利範圍第丨項之加工裝置,其中於該等複數容 态中至少一容器内部氣氛,可與該等容器中另一容器内 部的氣氛隔離。 16·如申請專利範圍第3項之加工裝置,其中該第二壁係設 置於該第一壁上方,以及該等周邊壁係設置成其軸係上 下伸展。 如申响專利範圍第16項之加工裝置,其中該等周邊壁及 4第一壁之構造允許液體儲存於由該等周邊壁及該第 一壁所界定的空間。 18·如申請專利範圍第16項之加工裝置,其中該第二壁設置 蓋’該蓋可開閉一裝載物件於處理腔室以及由腔室内 卸載物件。 19· 一種加工裝置,包含: 一固定容器,該容器係固定設置於包圍位置,其中 固定容器包圍待處理物件; 本紙張尺度適财_家標準(CNS) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ••訂.............. 50A8B8C8D8 一或多個活動容器,該等容器可介於其中活動容聚 包圍物件之包園位置與其令活動容器不包圍物件的; 待位置間移動以及定位; ±其中當該物件係於固定容器包圍物件的狀態處理 蚪,一或多個活動容器係位於等待位置。 20:種加工—待加工物件之加工方法,該方法係經由使用 一種加工裝置,該加工裝置包括-或多個可移動式設置 的容器因而占有包圍物件的包圍位置以及未包圍物件 的等待位置,該方法包含下列步驟: °又置複數容器之-指定容器於包圍位置而對物件 進行處理; 移動該指定容器至等待位置;以及 設置該等複數容器之另-容器於包圍位置而對物 件施加處理。 21. 如申請專利範圍第2〇項之加工方法,其中該加工裝置包 括一用以夾持物件之夾持器,設置成彼此接合之複數容 器’當複數容器之-衫容^位於包圍位置時,該物 件接受處理’同時定位另—存在於指定容器内部的容器 於等待位置。 22. 如申請專利範圍第21項之加工方法,其中該物件之處理 係將處理液朝向指定容器内部的物件噴射。 23. 如申請專利範圍第22項之加工方法,其中該物件於處理 過程中旋轉。 24. 如申請專利範圍第22項之加工方法,其中該物件之處理 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉M規格(21〇χ297公楚)51 499696 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 包含供給化學品至第一容器之物件之化學處理,以及供 給乾燥流體至於第二容器之該物件之乾燥處理。 25·如申請專利範圍第22項之加工方法,其中該物件之處理 包含一化學處理以供給化學品至該物件,以及隨後化學 品去除處理以供給化學品用之溶劑至位在包圍位置的 同一指定容器内部的物件。 26·如申請專利範圍第22項之加工方法,其中物件之處理包 含下列步驟··施加一種處理於内側容器之物件上,以及 施加另一處理於外側容器之物件。 27·如申請專利範圍第21項之加工方法,其中該物件之處理 A 包含儲存處理液於指定容器以及浸沒物件於處理液之 步驟。 28·如申請專利範圍第27項之加工方法,其中該物件之處理 進一步包含喷块處理流體至於指¥容器之物件之步驟。 …… …:·………IV"可.................Φ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) v 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 52
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11995799A JP3910757B2 (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 処理装置及び処理方法 |
JP18419199 | 1999-06-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW499696B true TW499696B (en) | 2002-08-21 |
Family
ID=26457605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089107891A TW499696B (en) | 1999-04-27 | 2000-04-26 | Processing apparatus and processing method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6536452B1 (zh) |
KR (1) | KR100516792B1 (zh) |
DE (1) | DE10020523B4 (zh) |
TW (1) | TW499696B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7767145B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-08-03 | Toyko Electron Limited | High pressure fourier transform infrared cell |
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- 2000-04-27 DE DE10020523A patent/DE10020523B4/de not_active Expired - Fee Related
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US20030127117A1 (en) | 2003-07-10 |
KR100516792B1 (ko) | 2005-09-26 |
DE10020523B4 (de) | 2007-06-21 |
US6536452B1 (en) | 2003-03-25 |
KR20010020788A (ko) | 2001-03-15 |
DE10020523A1 (de) | 2001-02-15 |
US6895979B2 (en) | 2005-05-24 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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