TW452828B - Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece - Google Patents

Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece Download PDF

Info

Publication number
TW452828B
TW452828B TW088103580A TW88103580A TW452828B TW 452828 B TW452828 B TW 452828B TW 088103580 A TW088103580 A TW 088103580A TW 88103580 A TW88103580 A TW 88103580A TW 452828 B TW452828 B TW 452828B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
workpiece
chamber
processing
fluid
patent application
Prior art date
Application number
TW088103580A
Other languages
English (en)
Inventor
Gary L Curtis
Raymon F Thompson
Steven L Peace
Original Assignee
Semitool Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/041,649 external-priority patent/US6318385B1/en
Priority claimed from US09/041,901 external-priority patent/US6350319B1/en
Priority claimed from US09/113,435 external-priority patent/US6264752B1/en
Application filed by Semitool Inc filed Critical Semitool Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW452828B publication Critical patent/TW452828B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Description

經濟部智慧时產笱W工消费合作社印製 ί ' 4 5 2 8 2 j Α7 Β7 五、發明説明(ί ) 發明背景 產業界係不斷地尋求來改良用於製造微電子電路之過 程,例如是從晶圓製造積體電路之過程。這些改良係以不 同形式呈現,但是一般來說係具有一個或是多個目的作爲 所期望之目標。這些許多改良過程之自的係包括有:(1 )降低處理一個晶圓以形成所期望積體電路所需之時間; (2)例如藉由降低在處理期間晶圓污染之可能性而增加 每一晶圓可使用積體電路之產量;(3)降低將一個晶圓 轉變爲所期望積體電路所需之步驟數;以及(4)例如藉 由降低相關於處理所需化學品之成本而降低將晶圓處理爲 所期望積體電路之成本。 在晶圓之處理中,通常需要使晶圓之一側或是多側暴 露在一種可能是液體、蒸氣、或是氣體形式之流體中。此 等流體係被使用於例如是蝕刻晶圓之表面、淸潔晶圓之表 面、使晶圓表面乾燥、鈍化晶圓之表面,在晶圓表面上沉 積薄膜等等。處理流體之物理參數(例如是溫度、分子組 成、劑量等等)的控制對於處理操作之成功與否通常是相 當重要的。因而,將此等流體注入至晶圓表面係在一種受 控環境下進行。典型的是,此等晶圓處理係在一種普遍已 知之反應器中進行。 不同之反應器結構與構型在產業界中係爲已知且被使 用者。一種此等反應器係被S e m i t ο 〇 1公司所使用 ,並且係被使用在其E Q u i η ο x®品牌之處理工具中 。一般說來,反應器係爲由一個包括有一固定罩帽之罩帽 • _ Ί 本紙俵尺度適用中國國家樣準(CNS ) Α4規格(210x29*7公釐) -. Μ I . 452828 A7 經濟部智慧財產苟^:工消夤合作社印製 五、發明説明(> ) 組件所構成,該固定罩帽係爲由一種不會與被使用於特殊 晶圓處理步驟之處理流體產生化學反應之材料所構成者。 在該罩帽之中,係設置有複數個噴嘴或是其他用於將流體 注入該罩帽中之機構。固定之罩帽係具有一個開放頂端部 分α —個支承晶圓之轉子頭部組件係被使用來密封該罩帽 之頂部,用以界定出一個處理容室’而晶圓係容置在該處 理容室中來進行處理。除了將晶圓置入該處理容室中之外 ,該轉子頭部組件係可以被使用以使得晶圓在將處理流體 注入晶圓表面期間或是在處理之後能夠旋轉,從而將處理 流體移除。 在處理期間,晶圓係藉由在出現有許多處理頭部之大 致上潔淨環境中操作之機器人裝置而提交至轉子頭部組件 。機器人裝置係將在一個暴露狀態下之晶圓以一個使欲處 理晶圓之一側朝向上方的方向而提交至轉子頭部組件。該 轉子頭部組件係使晶圓反轉並且與該罩帽銜接並密封來進 行處理。當晶圓處理時,晶圓係被定向以使得使欲處理晶 圓之一側朝向下方。 先前所述之反應器建構與構型對於在積體電路生產中 所使用之流體處理步驟而言是相當有用的。然而’本發明 係已承認未來積體電路製造程序之要求最終將需要來自反 應器之更多控制以及更經濟的效率。因而’ 一個大致上新 的處理方法以及反應器設計係已被接受,其係提供普遍使 用在微電子製造之流體處理更大的控制’其更進一步地係 提供了在實行上以及執行上更先進以及改良之程序。另外 本纸張·尺度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4規格(210 乂 297公釐) 經濟部智慧財產局g£消賢合作社印製 452828 五、發明説明(今) ,反應器係包括有數個有利的機械特點,包括有允許反應 器與機械人晶圓傳送裝置能夠一起使用之特點、允許反應 器對於不同的程序能夠輕易地重新構型、以及允許反應器 之處理容室能夠容易地移除並且進行維修保養。 發明槪要 在此係揭露了一種在微環境中處理一個工件之裝置。 該裝置係包括有一個轉子馬達以及一個工件外殻。該工件 外殻係被連接而能藉由該轉子馬達而旋轉。該工件外殼更 界定了一個大致上關閉之處理容室,其中一種或是多種處 理流體係經由在該外殼旋轉期間所產生之向心加速度而散 佈橫越在該工件之至少一個表面上。在此亦揭露了對於該 裝置之不同增強手段及使用該裝置之過程。 圖示簡單說明 第一圖係爲根據本發明一個實施例所建構之一個微電 子工件外殼以及一個轉子組件的截面圖; 第二圖係爲根據本發明之技術所建構一個微電子工件 外殼以之一個更進一步實施例的分解圖; 第三圖係爲第二圖中工件外殼在一個組合狀態下之俯 視平面圖; 第四圖係爲第三圖中工件外殼沿著線I V — I V所截 之截面圖; 第五圖係爲第三圖中工件外殼沿著線V - V所截之截 (請先.¾請背面之·;i..-t?f項年埦巧木頁) --------衣---- ST - * i An nr(^i ^紙張尺度適用中國囤家標準(CNS·) Λ4規格U10X 2^7公釐) ~~ 452828 A7 ____ B7_ 五、發明説明(4 ) 面圖: ---------π! (請先Μιί背而之;..1έ芥'?洱4f·:-本頁) 第六圖係爲第三圖中工件外殼沿著線V I — V I所截 之截面圖; 第七A圖以及弟七B圖係爲顯不工件外殼處於關閉狀 態並且連接至一個旋轉驅動組件之截面圖; 第八A圖以及第八B圖係爲顯示工件外殼處於打開狀 態並且連接至一個旋轉驅動組件之截面圖; 第九圖係說明了幫助上方晶圓表面與下方晶圓表面在 工件外殼中之相互不相容處理的一個邊緣構型的一個實施 例; 第十圖係說明了連同一個自身抽汲重新循環系統一起 使用之工件外殻的一個實施例; 第十一圖以及第十二圖係爲使用本發明典型處理工具 之圖示; 第十三圖係說明了根據本發明之原理所建構之一個 分批晶圓處理工具: 經濟部皙总財產局to;工消費合作社印製 第十四圖係說明了一個反應器之一個更進一步的實施 例’該反應器所包括之特點有其係良好地適合與工件傳送 自動操作設備整合,其中反應器係處於打開狀態用於承載 /卸載一個欲處理之工件。 第十五圖係說明了第十四圖中反應器之實施例,其中 反應器係處於一個關閉處理狀態。 第十六圖係說明了一個偏斜元件之一個實施例,該偏 斜元件係可以使用在第十四圖之反應器中; }紙铁纽朗t關家料(CNS ) ,\&格(210.<^公# ) ~~ 4 528 2 8 A7 _______B7_ 五、發明説明(S ) 第十七圖係說明了一個系統,其中先前所述之反應器 係被使用以執行一個沖洗/乾燥過程; --- f ------^ - I (請先聞讀背而之.;.£-念卞項再43本!!)0 第十八圖係爲反應器之部分切除立體圖; 第十九圖係爲反應器沿著其中央垂直軸所截之截面圖 t 第二十圖係爲第三圖中所繪之圓圈之中反應器確切元 件之放大詳細視圖; 第二十一圖以及第二十二圖係爲第二十圖中所示部分 在繞著反應器之不同位置處更進一步的放大詳細視圖; 第二十三圖係爲使用在反應器中一個轉子之之放大立 體圖; 第二十四圖係爲使用在反應器中一個下方容室壁與四 個上升桿件之放大立體圖;以及 第二十五圖以及第二十六圖係爲兩個不同位置所視一 個上升桿件更進一步的放大詳細視圖。 發明詳沭 經濟部智慧財產局W工消費合作社印製 第一圖係爲根據本發明之教導所建構之一個反應器的 一個實施例的截面圖,該反應器大體上係以元件符號1 〇 來標示。第一圖中反應器1 〇之實施例大體上係由一個轉 子部分1 5以及一個微電子工件外殼2 0所構成。該轉子 部分1 5係包括有複數個支承器兀件2 5,其係從該轉子 部分1 5向下地延伸以銜接至該工件外殼2 〇。每—個支 承器兀件2 5係包括有一個溝槽3 0,其尺寸係被設計以 ------ t張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X29?公釐} —~ ----- 452828 經濟部眢慧財產苟員工消費合作社印製 A7 B7_______ 五、發明説明() 銜接一個徑向延伸之凸緣3 5,其中該凸緣3 5係爲繞著 該工件外殼2 0之周圍區域所延伸者。該轉子部分1 5更 包括有一個轉子馬達組件4 0,其係被安置以使得一個轂 部分4 5包括該支承器元件2 5而繞著一個中央軸4 7旋 轉。因此,當該支承器元件2 5係與該凸緣3 5相銜接時 ,工件外殼2 0係被固定用以與該轂部份4 5 —同旋轉^ 轉子部分1 5之其他建構以及用於與工件外殼2 0相固定 之銜接機構亦可以被使用。 第一圖實施例中之工件外殼2 0係界定出一個大上關 閉之處理容室5 0。較好的情況是,該大致上關閉之處理 容室5 0係依照微電子工件5 5大體上之形狀所形成,並 且緊密地符合工件之表面。第一圖之特殊結構係包括有一 個上方容室元件6 0,其係具有一個內部容室表面6 5。 該上方容室表面6 0在該內部容室表面6 5上係包括有一 個中央安置之流體進口 7 〇。該特殊結構亦包括有一個下 方容室元件7 5,其係具有一個內部容室表面8 〇。該下 方容室元件7 5在該內部容室表面8 〇上係具有一個中央 安置之流體進口 8 5。該上方容室元件6 〇以及該下方容 室元件7 5係彼此銜接以界定出該處理容室5 〇。該上方 容室元件6 0係具有從該內部容室表面6 5向下凸出之側 壁9 Q。一個或是多個出口 1 〇 〇係被安置在該處理容室 5 0之周圍區域處並穿過該側壁9 〇,以允許在該容室5 0之中的流體能夠經由在該外殼2 〇繞著該軸4 7旋轉時 所產生之向心加速度而從該處離開。 (請先閱分·背而之';1意声項再填.^"斤二
木紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x 297公康) 452828 A7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明説明(9 ) 在所說明之實施例中,微電子工件5 5—般來說係爲 具有上方平面表面以及下方平面表面之圓形晶圓。因而, 該處理容室5 0在平面圖中係爲大體上圓形者’而該內部 容室表面6 5與8 0係爲大體上平面且平行於該工件5 5 之上方平面表面與下方平面表面。在該內部容室表面6 5 及8 0與該工件5 5之上方平面表面及下方平面表面之間 的間隙大體上是非常小的。此等間隙較好是被最小化,以 提供流經該間隙區域之處理流體在物理性質上大致的控制 0 晶圓5 5係藉由複數個間隔元件1 〇 5而與該內部容 室表面8 0相分隔,其中該間隔元件1 0 5係爲從該內部 容室表面8 0所延伸者。較佳的情況是,一組更進—步之 間隔元件1 1 〇係從該內部容室表面6 5而延伸’並且係 對準該間隔元件1 0 5以將該晶圓5 5抓緊在其二者之間 〇 該流體進口 7 0與8 5係提供了通連通道’一種或是 多種處理流體係可以經由該通連通道而進入到該容室5 0 中用以處理晶圓表面。在所說明之實施例中,處理流體係 從晶圓5 5之上方經由一個流體供應管件1 1 5而傳送至 進口 7 0 ’其中該流體供應管件1 1 5係具有一個安置在 鄰近該進口 7 0處之流體出口噴嘴1 2 0。該流體供應管 件1 1 5係中央地延伸穿過該轉子部分1 5並且與該旋轉 軸4 7較好係爲同軸者。同樣地,處理流體係從晶圓5 5 之下方經由-個流體供應管件12 5而傳送至進口 8 5。 --------- ---—___ 心張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) I--,^--- (請先閱讀背面之·;'i*:p.'rl4填·!·:-本打) 訂 經濟部穿慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(χ ) 該流體供應管件1 2 5係終結於一個鄰近該進α 8 5所安 置之分嘴1 3 0。雖然該噴嘴1 2 0與1 3 〇係終結於一 個與其個別進口相分隔之位置處,將會明瞭的是該管件1 1 5與1 2 5係可以延伸以使得間隙1 3 5不會出現。更 確切地說,噴嘴1 2 0與1 3 0或是管件1 1 5與1 2 5 係可以包括有分別與上方容室表面與下方容室表面6 0與 75在進口70與85之區域中鄰接且密封之旋轉密封元 件。在此等情況下,在旋轉接合之設計上應特別注意’以 便使得來自任何移動部件之磨損所造成之任何污染能夠最 小化。 在處理期間,一種或是多種處理流體係單獨地或是同 時地經由流體供應管件1 1 5與1 2 5以及進口7 0與8 5而供應,用以與容室5 0中工件5 5之表面相接觸。較 佳的情況是,外殼2 0在處理期間係藉由該轉子部分1 5 而繞著軸4 7旋轉,用以經由向心加速度之作用而使得在 該容室5 0之中的任何流體產生一個橫越該工件5 5表面 的連續流動。因此,進入該進口 7 0與8 5之處理流體係 被驅使而在一個從工件5 5中心至工件5 5外部周界徑向 向外的方向上橫越工件表面。在工件5 5之外部周界處, 任何消耗之處理流體由於向心力之作用係被引導而經由出 口1 0 0離開該容室5 0。消耗之處理流體係可以聚集在 一個安置在該工件外殼2 0下方或是繞著該工件外殼2 0 所安置之罩帽貯存槽中。如同將在下文另一實施例中所述 者’該工件外殼2 0之周圍區域係可以被建構以有效地將 本紙法尺度制中ϋϋ家標準(CNS ) Λ4規格(21GX』公羞) {诗先閱讀背雨之:;£念"項再填'1V:J本汀:
A Γ --1 452828 A7 -_______B7 五、發明説明(q ) ---------- -- (讀先閱讀背而之注意枰項443本汀) 經由進□7 〇所供應之工作流體與經由該進口 8 5所供應 之處理流體相分離,以使得晶圓5 5之相反表面係能夠以 不同之處埋流體來進行處理。在此等配置中,處理流體係 可以分離地聚集在該外殼2 〇之周圍區域來進行處理或是 重新循環。 經濟部智惡財產馬員工消費合作社印製 在第〜圖之實施例中,該工件外殼2 0係可以構成一 個單一晶圓容器茄係可以被使用已將工件5 5在不同的處 理站以及/或者工具之間傳送。如果該外殻2 0在處理站 以及/或者工具之間的傳送係在一個無塵室中進行,該外 殼2 0之不同開口並不需要密封。然而,如果此等傳送必 須在一種晶圓污染將會發生的環境下進行,則不同外殼開 口隻蜜蜂則必須被執行。例如,進口 7 0與8 5每一個係 可以設有個別之聚合物隔膜,而該隔膜係具有被安置穿過 該隔膜之狹縫。在此情況中該流體供應管件1 1 5與1 2 5之每一個端部係可以終結爲一個有痕(t r a c 〇 r ) 結構,其係可以被使用以延伸穿過該個別隔膜之狹縫並且 將處理流體導入該容室5 0中。此等有痕/有槽之隔膜結 構係被使用在醫療產業之靜脈裝置中。用於隔膜之聚合物 材料的選擇應該考慮到將導入其間之特殊處理流體。出口 1 〇 0之相似密封係可以被接受,而一旦該外殻2 0係位 於無塵室環境中時,該有痕結構係被插入該隔膜中。 或者,該出口1 0 0係可以被建構在限制流體從外部 進入到該外殼2 0之能力時,用以允許來自該處理容室之 流體能夠從其間離開。此效應係可以藉由例如是將該開口 本紙張尺度適用令國國家樣準(〇奶)/\4規格(21〇乂297公缓) 452828 經濟部智慧財產局WK工消費合作社印製 B7 五、發明説明(l〇 ) 1〇 〇建構爲噴嘴而被達成,如此在容室5 〇內部之該流 體流動開口係具有一個較在容室5 〇外部之開口爲大的直 徑。在一個更進一步之結構中,一個旋轉閥體兀件係可以 連同複數個出口1 0 〇而使用。該閥體元件,例如是—個 帶有相應於該出口10 0位置之開口的環,其將被安置鄰 近該開口1 0 0,並且在傳送期間其將被旋轉以密封該出 口1 ο 〇。該閥體元件將被旋轉至一個出口1〇 〇在處理 期間係爲打開之位置。例如氮氣之惰性氣體係可以就在外 殻傳送至一個順序工具或是處理站之前經由供應管件11 5與1 2 5而被噴入該容室5 0中。其他用於密封該出D 100以及進口70與85之不同機構亦可以被使用。 第二圖係爲一個更進一步之反應器結構,其中該反應 器係安置在一個固定的處理站並且係可以打開及關閉以幫 助工件之插入與抽出。大體上以元件符號2 0 0所標示之 反應器係分別由可分離之上方容室元件以及下方容室元件 2 0 5與2 1 0所構成者。如同在先前的實施例中,該上 方容室元件2 0 5係包括有一個大體上平面容室表面2 1 5,而該表面2 1 5係具有一個中央安置之進口 2 0 〇。 雖然並未顯示在第二圖中,該下方容室元件2 1 0同樣地 具有一個大體上平面的內部容室表面2 2 5,其係具有一 個安置穿過其間之中央進口2 3 0。該上方容室元件2 0 5係包括有一個向下延伸之側壁2 3 5,其例如可以由一 密封聚合物材料所形成或是可以與該元件2 〇 5之其他部 分一體成型。 本紙铢尺度適用中國國家.樣準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ---------:έ------IT------τ· 1 (诗先¾讀f面之:/Ε..έ¥.項再堆re?木) 4 52 8 2 經濟部智慧財是局員工消旁合作社印製 A7 B7 五、發明説明( 該上方容室元件以及該下方容室元件2 0 5與2 1 0 係可以彼此分離以在其間接受一個工件。由於一個安置在 其間之工件,該上方容室元件以及該下方容室元件2 0 5 -與2 1 0係朝向彼此移動以形成一個容室,其中該工件係 被支承在一個與該平面內部容室表面2 1 5與2 2 5相分 隔的位置。在揭露於第二圖至第八B圖之反應器的實施例 中,例如是一個半導體晶圓之工件在該上方容室元件以及 該下方容室元件係被連結以形成該容室時(見第七圖), 係被夾緊在複數個支承器元件2 4 0與相應間隔元件2 5 5之間的適切位置。該上方容室元件以及該下方容室元件 朝向彼此以及遠離彼此之軸向移動係爲藉由複數個固定件 3 0 7所幫助者,其結構將在下文中更深入詳細地說明。 較佳的情況是,該複數個固定件3 0 7係使得該上方容室 元件以及該下方容室元件偏斜至一個例如在第七A圖中所 說明之關閉位置。 在所說明之實施例中’複數個晶圓支承器元件2 4 0 係繞著該上方容室元件2 0 5之周圍區域而在該側壁2 3 5徑向外部之一個位置處延伸。該晶圓支承器元件2 4 0 較好是爲了沿著軸2 4 5線性移動而被安置’以允許該支 承器元件2 4 0在該上方容室元件以及該下方容室元件係 位於關閉位置時能夠抵著該間隔元件2 5 5而夾緊晶圓’ 並且允許該支承器元件2 4 0在該上方容室元件以及該下 方容室元件係爲分離時(見第八八圖)能夠使晶圓從此等 夾緊作用之中釋放。每一個支承器元件2 4 0係包括有— (請先閲讀背面之注憑麥項洱填巧衣玎) I /於 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(2丨0X297公慶) 452828 A7 __B7 _ 五、發明説明(、二) (請先閱讀背面之注意事項再填tr本VS ) 噪! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 個支承臂2 5 0,其係雹向該上方容室元件2 0 5之中央 徑向地延伸。每一臂2 5 0之一個端部係置於一個相應的 間隔元件2 5 5上,其中該間隔元件2 5 5係爲從該內部 容室表面2 1 5所延伸者。較佳的情況是,每一個間隔元 件2 5 5係爲一個圓錐的形狀,該圓錐係具有一個鄰近該 支承臂2 5 0端部之頂點。刻痕2 9 5係被安置在該下方 容室元件2 1 0之周圍部分,並且銜接該晶圓支承器元件 2 4 0之渾圓下方部分3 0 0。當該下方容室元件2 1 0 被向上推至關閉位置時,該刻痕2 9 5係銜接該支承器元 件240之端部300,並且驅使該端部3 0 0係上以將 晶圓5 5固定在該支承器2 4 0之臂2 5 0與相應間隔元 件2 5 5之間。此一關閉位置係說明在第五圖中》在關閉 位置中’該刻痕2 9 5以及該上方容室元件之相應刻痕2 9 6 (見第二圖)係在該反應器2 〇 〇之周圍區域處提供 了複數個出口。每一個支承器元件2 4 Q之臂2 5 〇的徑 向對準係藉由一個固定銷3 0 8所維持,該固定銷3 〇 8 係延伸穿過側向溝槽3 0 9,而該側向溝槽則係被安置穿 過每一支承器元件之上方部分。 允許該上方容室元件以及該下方容室元件朝向以此以 及遠離彼此移動之固定件3 〇 7的結構係說明在第二圖、 第六圖、以及第七6圖中。如同圖示中所顯示者,該下方 容室元件2 1 〇係包括有複數個中空圓柱2 7 〇 ’其係被 固疋並且在該上方容室元件2 〇 5之周圍區域處向上延伸 穿過相應之穿孔2 7 5,用以形成每—個固定件3 〇 7之 本紙铁尺度逋用*關家標準(CNS ) A4規格(210><2^公董]---—--- 452828 :啓. A7 _B7 五、發明説明(A ) 下方部分。桿件2 8 0係延伸進入該圓柱2 7 0之中空之 中,並且係被固定以形成每一固定件3 0 7之上方部分。 該桿件2 8 0與該圓柱2 7 0係一起形成了該固定件3 0 7,而允許了在該上方容室元件與該下方容室元件2 0 5 與2 1 0之間沿著軸2 8 3而在打開與關閉位置之間的相 對線性移動。兩個凸緣2 8 5與2 9 0係被安置在每一桿 件2 8 0之上方部分處。凸緣2 8 5係作爲·一個止擋元件 ,其係限制了在打開位置下在該上方容室元件與該下方容 室元件2 0 5與2 1 0之間分離的寬度。凸緣2 9 0係提 供了一個表面,例如是一個彈簧(見第六圖)或相似部件 之偏斜元件係可以抵著該表面而作用,用以使該上方容室 元件與該下方容室元件2 0 5與2 1 0偏斜至關閉位置。 參照第六圖,該彈簧3 0 3或相似部件係具有一個定 位在一個圓形溝槽3 0 5之中的第一端,其中該圓形溝槽 3〇5係爲繞著各別固定件3 0 7而延伸者。每一彈簧之 第二端則係在一個壓縮狀態下被安置以銜接各別固定件3 0 7之凸緣2 9 0,從而導致該彈簧產生一個驅使該固定 件3 0 7及該下方容室元件2 1 0向上而與該上方容室元 件205相銜接之作用力。 該反應器2 0 0係被設計在工件之處理期間繞著一個 中央軸而旋轉。爲了這個目的,一個中央安置之軸桿2 6 0係從該上方容室元件2 0 5之一個上方部分延伸。如同 將在以下第七A圖至第八B圖中更詳細地說明者,該軸桿 2 6 0係被建構以銜接一個旋轉驅動馬達用於該反應器2 (請先閱讀背面之浼"_項#^""本砰 經濟部5曰^財4^8工消費合泎社印製 ----^ ..________________ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2Ι0Χ297公釐) 4 經濟郝智毪財走約肖工消費合作社印製 528 2 8 A7 B7 五、發明説明(a ) 0 0之旋轉驅動。該軸桿2 6 0係被建構以具有一個中央 安置之流體通道(見第四圖),一個處理流體係可以經由 該流體通道而供應至該進口 2 2 0。或者,該中央通道係 可以作爲一個用於一個分離流體進口導管或是相似部件之 導官。 如同在第三圖以及第四圖中所說明者,複數個選配溢 流通道3 1 2係從該上方容室元件2 0 5之一個中央部分 徑向地延伸。軸桿2 6 0係終結於一個擴大的端部3 1 5 ,其係具有進口刻痕3 2 0,該進口刻痕3 2 0係提供了 在該處理容室310之方部分與該溢流通道312之間的 流體連通。該軸桿2 6 0之擴大端部3 1 5係與該上方容 室元件2 0 5以及例如是一個裝設板3 2 5固定在一起。 該裝設板3 2 5係轉而經由複數個固定件3 3 0 (第五圖 )而固定至該上方容室元件2 0 5。當流至該容室3 1〇 之流體超過來自該容室周圍出口之流體流動時,溢流通道 3 1 2係允許處理流體能夠離開該容室3 1〇。 第七Α圖以及第七Β圖係爲顯示反應器2 0 0處於關 閉狀態並且連接至一個大體上以4 0 0所標示之旋轉驅動 組件之截面圖,而第八A圖以及第八B圖則係爲顯示反應 器2 0 0處於打開狀態之相似截面圖。如同圖示中所顯示 者,軸桿2 6 0係向上延伸進入該旋轉驅動組件4 0 0之 中。該軸桿2 6 0係設有與一個定子4 0 5形成一個旋轉 驅動馬達組件410所需之部件。 如同在第一圖之實施例中,該上方容室元件與該下方 16 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2!0X 297公釐) ---------裝—— (請先Μ讀背而之注意事項再填Ϊ'-:Γ本I ) Α7 Β7 4528 2 8 五、發明説明(6) ,室元件2 0 5與2 1 0係結合以界定大致上關閉之處理 谷室3 1 〇,在較佳實施例中,該大致上關閉之處理容室 3 1 〇係大致上符合工件5 5之形狀。較佳的情況是,晶 圓5 5係被支承在該容室3 1 〇之中—個使該晶圓之上方 表面與下方表面與該內部容室表面2丨5與2 2 5相分隔 的位置。如同上文中所敘述者’此等支承係爲藉由該支承 器元件2 4 〇與該間隔元件2 5 5所幫助者,其中該支承 器元件2 4 〇與該間隔元件2 5 5係在該反應器2 0 0位 於第七A圖與第七B圖之關閉位置時夾緊晶圓5 5之周圍 邊緣。 晶圓5 5之處理係在第七A圖與第七b圖之關閉位置 中進行。由於晶圓係固定在該處理容室3 1 〇之中,處理 流體係經由該軸桿2 6 0之通道4 1 5以及進口 2 2 0而 被供應進入該容室3 1 0之內部。同樣第,處理流體亦經 由一個引導流體流經進口 2 3 0之流體供應管件1 2 5而 供應至容室3 1 0。當該反應器2 0 0係藉由旋轉驅動馬 達組件4 1 0而旋轉時,經由進口220與23 0所供應 之任何處理流體係藉由向心加速度所產生之作用力而被驅 動橫越在晶圓之表面上消耗之處理流體係從位於該反應 器2 0 0周圍區域處藉由該刻痕2 9 5與2 9 6所形成之 出口而離開該處理容室3 1 0。由於該支承器元件2 4 0 並非被建構以阻隔所產生之流體流動,因此此等出口係爲 存在者。或者,或是另外,更進一步之出口係可以被提供 於該周圍區域。 -----------^------1Γ------.'I {請先閱讀背而之注意麥項再填·<>:,本S) 經濟部皙总財產局肖工消費合作社印发 本紙瘅尺度適用中團國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 452828 A7 經濟部背祛財凌笱肖工消費合作社印製 五、發明説明(Λ ) —旦處理完成時’該反應器2 0 0係被打開以允許對 於晶圓之存取,例如第八A圖以及第八B圖中所顯示者。 在處理之後,致動器4 2 5係被使用以驅動一個致動環4 3 〇向下而與該固定件3 0 7之上方部分相銜接。固定件 3 0 7係被驅動來對抗該下方容室元件2 1 〇所導致彈簧 3 0 3之偏斜,用以下降並與該上方容室元件2 0 5分離 。當該下方容室元件2 1 0係被下降時,該支承器元件2 4 0係在重力之影響下而跟隨該下方容室元件2 1 0,或 是抵抗一個偏斜兀件之影響,而在同時使晶圓5 5下降。 在較低位置中,該容室3 1 0係被打開從而將晶圓5 5暴 露出來,而能夠移除以及/或是允許一個新的晶圓能夠插 入該反應器2 0 0之中。此等差入籍抽出係可以經由手動 或是自動機械人裝置而進行。 先前之配置係使得該反應器2 0 0特別適合於藉由例 如是一個機械人傳送機構或相似部件之自動工件承載與卸 載。如同從第七A圖以及第八A圖之比較中能夠明顯看出 的’在工件之上方表面與上方容室元件2 0 5之內部容室 壁之間的間隙係隨著反應器2 0 0位於打開狀態或是關閉 狀態而改變。當其位於打開狀態時,該工件之上方表面係 與上方容室元件205之內部容室壁分隔一個距離XI, 此係提供例如是一個機械人傳送機構之一個工件傳送臂的 操作一個充足的間隙。當位於關閉位置時,該工件之上方 表面係與上方容室元件2 〇 5之內部容室壁分隔一個距離 X 2 ’此距離X 2係較X1爲小。距離X 2在所揭露之實 n n In - HI - n- - —1 / - - - n κ τ. .--1 (請先閱讀背而之注#f項44>ΐ本) 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) 4 528 2 8 經濟部时走,ήΗ工消骨合作社印製 A7 ______B7 __ 五、發明説明(J ) 施例中係可以被選擇以相應於在工件處理操作期間所期望 之間隙。 第九圖係說明了一個邊緣構型,其係幫助了晶圓5 5 每一側邊之分離處理。如同所說明者 > 一個劃分元件5 0 0係從該處理容室3 1 0之側壁2 3 5延伸至一個緊鄰晶 圓5 5未邊緣之位置。該劃分元件5 0 0不同之形狀,而 所說明之漸縮形狀僅爲其中之一種構型。該劃分元件5 0 0較好是繞著該容室3 1 0之整個周圍而延伸。一個第一 組一個或是多個出口 5 1 0係被安置在該劃分元件5 0 0 之上,用以接收來自晶圓5 5上方表面之消耗處理流體。 同樣地,一個第二組一個或是多個出口 5 1 5係被安置在 該劃分元件5 0 0之下,用以接收來自晶圓5 5下方表面 之消耗處理流體。當晶圓5 5在處理期間旋轉時,經由通 道4 1 5之流體係被供應至晶圓5 5之上方表面,並且經 由向心加速度之作用而散佈橫越在表面上。同樣地,來自 供應管件1 2 5之流體係被供應至晶圓5 5之下方表面, 並且經由向心加速度之作用而散佈橫越在表面上。因爲該 劃分元件5 0 0之邊緣係如此接近晶圓5 5之周圍邊緣, 來自晶圓5 5上方表面之處理流體並不會在該劃分元件5 0 0之下前進,並且來自晶圓5 5下方表面之處理流體並 不會在該劃分元件5 0 0之上前進。因而,此反應器結構 係使得以一種使用不同處理流體與步驟之相互不相容方式 來同時處理晶圓5 5之上方表面以及下方表面成爲可能。 第九圖亦說明了一種方式,其中供應至上方晶圓表面 ____19________ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4%格(210X29?公聲) * 經濟部工4#合作社印製 .528 2 8 A7 ____ B7_ 五、發明説明(β) 與下方晶圓表面之處理流體係可以經由一種相互不相容之 方式而收集。如同圖示中所顯示者,一個流體收集器5 2 0係繞著該反應器2 0 0之外部周圍而安置。該流體收集 器5 2 0係包括有一個第一收集區域5 2 5,其係具有一 個飛濺止擋5 3 0以及一個流體溝渠5 3 5,其中該流體 溝渠5 3 5係被建構用以將來自出口 5 1 0之流體引導至 一個第一排放口 5 4 0,而來自上方晶圓表面之消耗處理 流體係可以在該處被引導至一個收集貯存槽,而加以處理 或是重新循環。該流體收集器5 2 0更包括有一個第二收 集區域5 5 0,其係具有一個更進一步之飛濺止擋5 5 5 以及一個更進一步之流體溝渠5 6 0,其中該流體溝渠5 6 0係被建構用以將來自出口 5 1 5之流體引導至一個第 二排放口 5 6 5,而來自下方晶圓表面之消耗處理流體係 可以在該處被引導至一個收集貯存槽,而加以處理或是重 新循環。 第十圖係說明了一個反應器2 0 0之實施例,其中該 反應器係具有一個用於經由該流體進口 2 3 0而供應處理 流體之可替換構型。如同圖示中所顯示者,該工件外殻2 0係被安置在一個罩帽5 7 0中。該罩帽5 7 0係包括有 側壁5 7 5,其係位在該出口 1 0 0之外部用以收集離開 該容室3 1 0之流體。一個斜角底面5 8 0係將所收集之 流體引導進入一個貯槽5 8 5。流體供應管件5 8 7係被 連接以將流體提供至該貯槽5 8 5。該貯槽5 8 5亦較好 設有一個排放閥體5 8 9。一個進口柄5 9 2係界定了一 _20_ 本紙張尺度適用ϋ國家標準(CNS ) AJ規格_(1ΐ〇κ2<)7公.4 ^ 452828 A7 ___ B7 五、發明説明(A ) 個通道5 9 5,其係包括有一個具有一開口 5 9 7之第一 端部,該開口 5 9 7之一端係開放至該貯槽5 8 5而其第 二端係開放至該進口 2 3 0。 在顯示於第十圖中實施例的操作上,處理流體係經由 供應管件2 8 7而被供應至該貯槽5 8 5,而在同時該反 應器2 0 0係爲旋轉者。一旦該貯槽5 8 5係爲充滿時, 經由該供應管件5 8 7流入該貯槽之流體係被排除。由於 反應器2 0 0之旋轉所導致之向心加速度係提供了一個壓 力差,而驅動流體經由開口 5 9 7與2 3 0而進入至該容 室3 1 0,用以接觸至少該晶圓5 5之下方表面,並且離 開出口 1 0 0而重新循環至該貯槽5 8 5進行更進一步之 使用。 經濟部^^时"^3:工消"合作社印製 在第十圖中所說明之自身抽汲重新循環系統係具有許 多優點。密封的流體循環係使得程序參數控制上之延遲最 小化,從而使其較容易控制此等物理參數,例如是流體溫 度、流體流動等等。再者,在管道、容器壁、泵等等並沒 有熱量之損失。更進一步地,系統並不使用一個分離的泵 ,因此消除了泵之故障,而此種故障在抽汲熱的、侵略性 化學藥品時是很普遍發生者。 第十一圖以及第十二圖係說明了兩個不同類型之處理 工具’每種處理工具係可以使用一個或是多個處理站,包 括上述之反應器結構。第十一圖係爲一個工具之方塊圖, 該工具係以元件符號6 0 0來標示,包括有複數個繞著一 個弧形路徑6 0 6所安置之處理站6 0 5。該處理站6〇 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(UOx 2()7公釐.) Ί 452828 B7 五、發明説明(π ) 5係可以全部執行相似之處理操作於晶圓上,或者可以執 行不同但爲輔助之處理操作β例如,—個或是多個處理站 6 0 5係可以執行一個例如是銅之金屬電解沉積於晶圓上 ’而在同時其他工作站之一個或是多個係進行輔助之處理 ’例如是淸潔/乾燥程序、預濕程序、光致抗蝕程序等等 0 欲進fr處理之晶圓係在一個輸入/輸出站6 〇 7而被 供應至該工具6 0 0。晶圓係可以經由例如是sΜ I F容 器被供應至該工具6 0 〇,而每一個容器係具有容置於其 中之複數個晶圓。或者,晶圓係可以在如同第一圖中元件 符號2 0所表示之獨立工件外殼中被提交至該工具6 ◦ 〇 0 每一個處理站6 0 5係可以藉由一個機械6 1 0臂來 進行存取。該機械臂6 1 〇係將工件外殻傳送至該輸入/ 輸出站6 0 7,或將該工件外殼從該輸入/輸出站6 〇 了 輸送出來。該機械臂6 1 〇亦將晶圓或是外殼在不同之處 理站6 0 5之間傳送。 在第十一圖之實施例中,該機械臂6 1 〇係繞著軸6 1 5而旋轉’用以執行沿著路徑6 〇 6之傳送操作。相反 地’在第十二圖中大體上以元件符號6 2 〇所標示之工具 係使用一個或是多個機械臂6 2 5,該機械臂6 2 5係沿 著一個線性路徑6 3 0而移動用以執行所需之傳送操作。 如同在第十圖之實施例中’複數個獨立處理站6 〇 5係被 使用’但是更多的處理站6 〇 5係可以此配置而設在一個 -------22 铁尺度適用中國國家標聋(CNS )人4规格(::j〇x 公釐) .,l>f<-— {請先聞讀背而之·^ 經濟部钗慧时1苟肖工消費合作社印製 452828 A7 B7 五、發明説明() 單一處理工具中。 第十三圖係說明了在一個分批處理裝置7 0 2中使用 複數個如上所述工件外殼7 0 0之一種方式。如同圖示中 所顯示者,該工件外殻7 0 0係相對於彼此而垂直地堆積 ,並且係被連結用以藉由一個共同轉子馬達7 0 4而繞著 一個共同旋轉軸7 0 6旋轉。該裝置7 0 2更包括有一個 處理流體傳送系統7 0 8。該傳送系統7 0 8係包括有一 個靜止歧管7 1 0,其係接收來自一個流體供應源(並未 顯示)之處理流體。該靜止歧管7 1 0係具有一個出口端 部,其係連接至一個旋轉歧管7 1 2之進口。該旋轉歧管 7 1 2係被固定用以與該外殻7 0 0 —同旋轉,因此,該 旋轉歧管712係在一個旋轉接合714處被連接至該靜 止歧管7 1 0。複數個流體供應管件7 1 6係從該旋轉歧 管7 1 2延伸,並且係終結於鄰近該外殻7 0 0進口之個 別噴嘴部分7 1 8。安置在兩個外殻7 0 0之間的該噴嘴 部分718係被建構以提供指向上與向下方向兩者之流體 流動。相反第*最下方之供應管件7 1 6係包括有一個噴 嘴部分7 1 8,其僅在向上方向上引導流體流動。該旋轉 歧管7 1 2之最上方部分係包括有一個出口 7 2 0,其係 將處理流體提供至最上方外殼7 0 0之流體進口。 第十三圖之分批處理裝置7 0 2係被建構以同時供應 相同流體至每一個外殻7 0 0之上方進口與下方進口兩者 。然而,其他構型亦可以被使用。例如,噴嘴部分7 1 8 係可以包括有閥體元件,其係隨著經由每一個外殼7 0 0 _23 _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4坭格(2!Οχ'2π公牮)~ ---------装—— (請先S?讀疗而之;£念F項再4·.·,·「木_π ) 452828 A7 B7 經濟部迂艾时是均負工消費合作社印製 五、發明说明() 之上方進口以及/或是下方開口所供應之流體而選擇地打 開或關閉。在此等狀況下,較期望的是在每一個外殼7 0 0中使用如第九圖中顯示之一個邊緣構型,用以提供供應 至晶圓5 5上方表面及下方表面之流體的隔離。再者,該 裝置7 0 2係可以包括有同心歧管,用以分別將兩種不同 的流體供應至單獨之供應管件,該供應管件係分別與該外 殼7 0 0之上方進口以及下方進口相連。 特別適合於整合至一個自動處理工具之反應器的實施 例係說明在第十四圖中。大體上以元件符號8 0 0所標示 之反應器係包括有以下特點:其係以一種獨特的方式合倂 以允許一個機械臂或是相似部件能夠在承載以及卸載操作 期間將一個工件插入該反應器8 0 Q中或是從該反應器8 ◦〇處抽回,而同時在操作期間亦維持在工件與該反應器 之內部容室壁之間相當密封之間隙。 在上述反應器實施例與第十四圖中反應器8 0 0之間 的主要差別係在於工件支承器組件之本質》如同圖示中所 顯示者,反應器8 0 0係包括有一個以元件符號8 0 5所 標示之工件支承器組件,其係與下方容室元件2 1 0相連 。根據所說明之實施例,該工件支承器組件8 0 5係包括 有複數個工件支承器元件8 1 0,其係延伸穿過該下方容 室元件2 1 0。該工件支承器元件8 1 0係藉由一個偏斜 元件8 1 5而在一個下方端部受支承。在該工件支承器元 件8 1 〇之端部處係爲該偏斜元件8 1 5之末梢|該工件 支承器元件8 1 0係終結於一個工件支承表面8 2 0以及 ________24_ 本紙張尺度通用中II國家橾準(CNS ) Μ規格(2丨〇 x 297公夺) ---------------·,Γ------1 (诗先^讀背而之>£.^屯.項再埤3本玎』 4 5 2 8 2 8 A7 B7 五、發明説明(,) 一個引導結構8 2 5。該引導結構8 2 5係從該工件支承 表面8 2 5延伸並且終結於一個截頭圓錐部分8 3 0。該 引導結構8 2 5係幫助了將工件之周圍邊緣推入一個適當 地對準該工件支承表面8 2 0之位置,從而確保了工件在 處理期間之適當的定位。該引導結構8 2 5亦可以作爲一 個隔離片,而界定了在該上方容室元件2 0 5之內部容室 壁與工件之上方表面之間的間隙。 在該上方容室元件以及該下方容室元件2 0 5與2 1 0位於所說明之打開位置,而該反應器8 0 0係已準備好 承載或是卸載工件時,所說明實施例之偏斜元件8 1 5係 用以使該工件支承器元件8 1 0在一個向上方向上偏斜。 該偏斜元件8 1 5係可以採用不同形式。例如,一個單一 偏斜結構係可以被使用,此對於所有的工件支承器元件8 1 0而言係爲共同者。或者,如同在所說明之實施例中所 顯示者,單獨的偏斜結構係可以分別與該工件支承器元件 8 1 0中單獨的一個相連。單獨的偏斜結構係爲片簧8 2 5之形式,但是,其亦例如可以爲螺旋彈簧致動器或相似 部件之形式。 如同上述反應器之實施例,該反應器8 0 0之該上方 容室元件以及該下方容室元件2 0 5與2 1 0係可以相對 於彼此而在第十四圖之打開狀況與第十五圖之關閉處理狀 況之間移動。當該上方容室元件以及該下方容室元件2 0 5與2 1 0朝向彼此而移動時,該工件支承元件8 1 0之 該截頭圓錐部分8 3 0係銜接該上方容室元件2 0 5之內 25 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(mo?公釐) 452828 經濟部¾1.¾时/t^7a:工消#合作TI印製 A7 _____B7____ 五、發明説明(νψ ) 部容室壁。在該上方容室元件與該下方容室元件2 0 5與 210之間的連續移動係驅動該工件支承器元件81〇對 抗該片簧8 3 5,直到工件係被夾緊在該工件支承器元件 8 1 0之該支承表面8 2 0與相應凸出部8 4 0之間爲止 ’其中該凸出部8 4 0係爲從該上方容室元件2 〇 5之內 部容室壁所延伸者。當處於此一關閉位置時,該反應器係 已預備好來處理工件。 第十四圖之反應器8 0 0亦包括有幫助在該上方容室 元件以及該下方容室元件2 0 5與2 1 0被帶至其彼此緊 鄰之處理位置時’而確保在該上方容室元件以及該下方容 室元件2 0 5與2 1 〇之間適當定位之結構。在所說明之 實施例中’這些結構係爲引入插銷8 4 5之彤式,該引入 插銷8 4 5係從容室元件中的一個延伸以銜接另一容室元 件之相應穿孔。在此’該引入插銷8 4 5係從該下方容室 元件2 1 0延伸以銜接在該上方容室元件2 〇 5中之相應 穿孔(並未顯示)。該引入插銷8 4 5係爲直立元件之形 式’而每一個係終結於作爲一個引導表面之個別截頭圓錐 部分。 上述之配置係使得該反應器8 〇 〇特別適合於藉由例 如是一個機械傳送機構或相似部件之自動承載與卸載,尤 其適合於該工件係爲直接地插入該反應器而沒有工件之翻 轉。如同從第十四圖以及第十五圖之比較中能夠明顯看出 的’在工件之下方表面與該下方容室元件21〇之內部容 室壁之間的間隙係隨著該反應器位於一個打開狀態或是關 ---- 26 本纸張尺賴财關( 2^29^ )--— - 欲 452828 A7 B7 五、發明説明(Λ) 閉狀態而改變。當其位於打開狀態時,該工件之下方表面 係與下方容室元件210之內部容室壁分隔一個距離X1 ’此係提供例如是一個機械人傳送機構之一個工件傳送臂 的操作一個充足的間隙。當位於關閉位置時,該工件之下 方表面係與下方容室元件210之內部容室壁分隔一個距 離X2 ’此距離X2係較XI爲小。距離X2在所揭露之 實施例中係相應於在工件處理操作期間所期望之間隙。 偏斜元件815之一個實施例係說明於第十六圖中。 如同圖示中所顯示者,該偏斜元件8 1 5係由複數個片簧 8 3 5所組成,其中該片簧8 3 5係從一個中央轂部分8 5◦而徑向地延伸至與隔別工件支承元件81〇之下側接 觸的位置。更進一步的複數個徑向元件8 5 5係從該轂8 5 0延伸至與個別引入插銷8 4 5之下側接觸的位置。當 該上方容室兀件與該下方容室元件2 0 5與2 1 〇係朝向 處理位置移動時,更進一步的複數個徑向元件8 5 5並不 像片簧8 3 5需要被設計用以彎曲。該偏斜元件8 2 5係 可以由聚合物材料或是能夠抵抗使用於處理環境中之化學 藥品等相似材料所形成。當其係由此等材料所形成時,該 工件支承器元件8 1 0以及該引入插銷8 4 5係可以與其 各自片簧8 3 5以及該徑向元件8 5 5〜體成型。 在所說明之實施例中,該中央轂部分8 5 〇係包括有 —個中央穿孔9 0 0,其係容置有一個將該偏斜元件8工 5連接至該下方容室元件2 1 0下側之固定9 〇 5。參照 第十四圖以及第十五圖’該固定9 0 5係可以被形成^經 —_______27___ 七纸張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(%公锋) — '一~---—-- (^先聞讀斤而.;-"--ΎΙΓ,4}1ί3衣汀 I I I I ! ί . . ^ .:·Γ- 經濟却^殳时4苟肖工""合作社印" 452828 五、發明説明(4) ---—------f. r^-- ("先:ul^.评面之^Af'-^'^^'-n·- 由該下方容室元件2 1 0來提供處理流體。當該固定9 0 5係以此方式形成時,該反應器8 0 0係設有對於度同程 序提供不同進口構型一個快速且容易的方式。 有時候,將該反應器8 0 0從該頭部部分8 6 0移去 係爲吾人所期望者。例如,該反應器係可以爲了維修保養 或是替換一個被設計以執行其他處理或處理其他工件類型 之反應器而移除。 "^部智^^是:^只工-"#合作社印製 爲了這個目的,該反應器8 0 0以及該頭部部分8 6 0係在一個連接轂組件8 6 5處銜接,該連接轂組件8 6 5係允許該反應器8 0 0能夠輕易地連接至該頭部部分8 6 0或是輕易地從該頭部部分8 6 0脫離。在第十五圖所 說明之實施例中,該連接轂組件8 6 5係由一個固定至該 處理頭部部分8 6 0之頭部連接轂8 7 0以及一個固定至 該反應器8 0 0之反應器連接轂8 7 5所組成。該連接轂 8 7 0與8 7 5在正常操作期間係藉由例如是一個螺旋接 合8 8 0而彼此相互固定。一個固定螺釘8 8 5係延伸穿 過該頭部連接轂8 7 0並且係可以被旋轉以銜接在反應器 連接轂8 7 5中一個表面或是一個相應的穿孔,從而避免 該連接轂8 7 0與8 7 5其脫離。 當希望將該反應器8 0 0移去時,該反應器係被旋轉 以使該固定螺釘8 8 5對準一個固定至該頭部部分8 6 0 之相應通道套筒8 9 0。該通道套筒8 9 0係被建構以允 許一個使用者延伸一個工具穿過以銜接該固定螺釘8 8 5 。接著該固定螺釘係被旋轉以上升直到其銜接並固定至一 _28___ 本紙張尺度適用中园國家螵準(CNS ) Λ4現格(:ΜΟ χπΆ眚)
I I A7 ^5282 8 五、發明説明(j) 個螺釘頭部塊體89 5爲止。一旦以此方式來固定,該頭 部連接轂8 7 0係旋轉地與該頭部部分8 6 0相閉鎖,從 而允許該反應器8 0 0以及相應之該反應器連接轂8 7 5 5 也 能夠從該頭部連接轂8 7 0脫離以移去該反應器。 5 根據反應器8 0 0更進一步之特點,一個例如由鋁所 i 形成之剛性元件9 1 0係被固定至該上方容室元件2 0 5 | 。藉由增大上方容室元件以及/或者下方容室元件之剛性 _’琴 ,較高的旋轉速度係可以被使用,並且更進一步地,內部 ΐ 容室壁在處理期間之平坦度係可以增大。 … 許多實質上的利益係來自所揭露反應器構型之使用。 這些利益中的大多數係來自在反應器容室中降低流體流動 i 區域而直接地升高。一般來說,此對於處理流體之使用係 ! j 爲更有效的,這是由於非常少之流體被浪費掉的原因。再 ! 者,控制使用反應器容室中降低流體流動區域之流體流動 | 的物理參數(例如溫度 '質量流動等等)是很容易的。此 | 導致了更好的結果並使這些結果能夠一再重複。 先前之結構亦導致了使用兩種或是多種處理流體來執 | | "-.'"^'';Γ:,ί<"ϋ:工4# 合作灶印製 行一個單一晶圓之順序處理的能力,其中該處理流體係爲i | 經由該反應容室之一個單一進口所順序供應者。更進一步| | 地,同時將不同流體提供至晶圓之上方表面以及下方表面 丨
I 的能力係打開了進行新穎處理操作之機會。例如,一個例 j 如是氟化氫液體之處理流體供應至該反應容室之一個下方 | 流體進口用以處理下方晶圓表面,而在同時一個例如是氮 j 氣之情性流體係可以被提供至上方流體進口。因而,該氟 丨 29 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(::⑴公释 452828 A7 B7 if..正 Μ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印Μ 五、發明說明() 化氫液體係被允許與晶圓之下方表面相互作用’而在同時 晶圓之上方表面係有效地與氟化氫反應相隔絕。許多其他 新穎的程序亦可以進行。 本發明係已承認整合電路沖洗/乾燥程序之要求最終 將需要來自沖洗器/乾燥器之更多控制以及更經濟的效率 。因而,一個大致上新的半導體晶圓沖洗與乾燥方法係已 被接受,其係提供沖洗以及乾燥流體之物理性質更大的控 制。更進一步地,當與使用任何先前程序來乾燥一個單獨 晶圓相較之下,晶圓係可以被在個別的基礎上而更快速地 沖洗與乾燥。 第十七圖係說明了一種控制供應至任何先前實施例之 沖洗器/乾燥器的沖洗/乾燥流體提供之方式。如同所說 明者’大體上以元件符號1 8 0 0所標示之流體供應系統 係包括有一個氮氣供應源1 8 0 5、一個異丙醇供應源1 8 1 0、一個異丙醇蒸發器1 8 1 5、一個去離子水供應 源1 8 2 0、選配加熱元件1 8 2 5、選配流量計1 8 3 0、選配流量調節器/溫度感應器1 8 3 5、以及閥體機 構1840。系統1800所有的不同部件係可以在一個 具有適當軟體程式之控制單元1 8 4 5的控制之下。 在沖洗器/乾燥器之操作中*該閥體機構1 8 4 0係 被連接以將來自供應雲1 8 2 0之去離子水供應至該沖洗 器/乾燥器容室之上方進口以及下方進口兩者。當水被供 應至該容室時,水係以一個例如是2 0 0 R Ρ Μ的速度旋 轉。此係導致了水經由向新加速度之作用而流動橫越在晶 30 本紙張尺度適用_國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) <請先閱讀背面之ίί.意事項再填寫本頁) Ύ! 裝 -\ST. 4 52 8 2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印別衣 B7 1、發明說明() 圓之每一個表面上。一旦足量之水係被供應至容室用以沖 洗晶圓表面,該閥體機構1 8 4 0係被操作用以將一個較 好是由氮氣以及異芮醇蒸氣所組成之乾燥流體提供至該沖 洗器/乾燥器容室之上方進口以及下方進口兩者。該閥體 機構1 8 4 0較好係被操作以使得乾燥流體之則部係丛即 地跟隨著去離子水之尾端。當乾燥流體進入到容室內時’ 由於水之旋轉所導致之向心加速度係驅使乾燥流體橫越在 晶圓表面上,並且跟隨一個由去離子水所形成之凹凸透鏡 橫越在晶圓表面上。異丙醇蒸氣係幫助了在凹凸透鏡之邊 緣處提供晶圓表面之乾燥。晶圓之乾燥係可以藉由使用加 熱元件1 8 2 5來加熱去離子水以及/或者氮氣/異丙醇 蒸氣而更進一步地加強。這些流體被供應之特殊溫度係可 以藉由控制器1 8 4 5而控制。同樣第,流量調節器1 8 3 5以及流量劑1 8 3 0係可以藉由該控制器1 8 4 5而 被使闬以調節去離子水以及/或者氮氣/異丙醇蒸氣至該 沖洗器/乾燥器容室之流量。 隨著某些改變,先前反應器之設計係可以適合來執行 數個獨特的程序,其中在微電子工件與一個或多個處理流 體之間的接觸係可以被控制並且被限制在工件之所選擇區 域。此等反應器設計之一個實施例係說明在第十八圖至第 二十二圖中。 參照第十八圖至第二十二圖,其係顯示了一個反應器 2 1 0 0,其係用以在一個微環境中處理一個例如是一個 砂晶圓1 0之微電子工件,其中該砍晶圓1 0係具有一個 31 ----— I -------I I --------< · I I I I----- (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2】0 X 297公釐) 經濟部皙慧財產局員工涓費含作社印契 452828
五、發明説明(vO 上側1 2、一個下側1 4、以及一個外部圓形周圍1 6。 對於確切之應用而言,上側1 2係爲前側’或者其係可以 稱爲裝置側,而該下側1 4則係爲後側’或者其係可以稱 爲飛裝置側。然而,對於其他應用而言’該矽晶圓1 〇係 被翻轉。 一般來說,除了在此所揭露者之外,反應器2 1 0 0 係相似於以上所述與說明之反應器。然而,如同在此所述 以及圖示中所說明者,反影器2 1 0 0係被改良而在執行 所選擇微電子製造程序中具有更多的功能。 反應器2 1 0 0係具有一個包括有一個上方容室壁2 1 2 0之上方容室元件以及一個包括有一個下方容室壁2 1 40之下方容室元件。這些壁2 1 20與2 1 40係被 配置而打開,以便允許一個晶圓1 0能夠藉由一個承載及 卸載機構(並未顯示)而承載進入該反應器1 0 0中進行 處理,其中該承載及卸載機構係例如爲一個機械臂或是一 個端部操縱器之形式。這些壁2120與214 0係被配 置而關閉,以便界定一個將一個位於處理位置之晶圓1 0 支承在這些壁2 1 2 0、2 1 4 0之間的容器2 1 6 0。 界定了一個旋轉軸A之反應器2 1 0 0係具有一個頭 部2 2 0 0,該頭部2 2 0 0係容置有一個裝設在該上方 容室壁2 1 2 0之轉子2 2 1 0並且係裝設有一個馬達2 2 2 0,該馬達2 2 2 0係在關閉時用以使該轉子2 2 1 0及上方容室壁與下方容室壁2120與2140連同支 承在處理位置之晶圓一起繞著軸A而旋轉=該馬達2 2 2 ____^_________ .------ir------冰, {請先閱讀背而之注盘卞項再填巧本I) 本紙掁尺度適用中國國家標準(〔他)八4規格(2丨〇乂297公釐) 452825 A7 B7 五、發明説明(Μ ) 0係被配置用以藉由滾動元件軸承2 2 2 4來驅動一個套 筒2 2 2 2,其係徑向地支承在該頭部2 2 0 0中。該頭 部2 2 0 0係被配置而上升用以打開這些壁2 1 2 0與2 1 4 0,並且下降用以關閉這些壁2 1 2 0與2 1 4 0。 該上方容室壁2 1 2 0係具有一個用於處理流體之進 口 2 1 2 2,該處理流體係可以爲液體、蒸氣、或是氣體 ,而該下方容室壁2 1 4 0係具有一個用於此等流體之進 口 2 1 4 2,而此等流體對於一個給定應用係可能爲相同 之流體或是不同之流體。該頭部2 2 0 0係裝設有一個上 方噴嘴2 2 1 0,其係軸向遞延身穿過該套筒2 2 2 2以 便不會影響該套筒2 2 2 2之旋轉。該上方噴嘴2 2 1 0 係引導處理流體向下地穿過該上方容室壁2 1 2 0之進口 2 12 2° 該上方容室壁2 1 2 0係包括有一列相同之出口 2 1 2 4,其係以均等之角間隔而繞著垂直軸A相似地分隔。 在所揭露之實施例中,三十六個此等開口 2 1 2 4係被使 用。每一個開口 2 1 2 4係從該垂直軸A向下地分隔一個 相當大的徑向距離,並且係從一個支承在處理位置之晶圓 1 0的外部周界向內地分隔一個相當小的徑向距離,此距 離係大略爲1 .5毫米。 當該上方容室壁以及下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0 係被關閉時,其係界定了一個微環境反應器2 1 6 0,該 微環境反應器2 1 6 0係具有一個上方處理容室2 1 2 6 以及一個下方處理容室2 1 4 6,該上方處理容室2 1 2 (請先閱讀背俞之注念卞^再填巧本页) 訂 線 經濟部智葸財產局員工涓費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X29?公釐) 45282 8 A7 B7 五、發明説明(p) {請先M讀背而之;1您多項#填^'本茛) 6係爲藉由該上方容室壁2 1 2 0並且藉由受支承晶圓1 〇之一個第一大體上平面之表面所界定者,而該下方處理 容室2 1 4 6係爲藉由該下方容室壁2 1 4 0以及受支承 晶圓10相反於第一側之一個第二大體上平面之表面所界 定者。該上方處理容室以及該下方處理容室2 1 2 6與2 1 4 6在受支承晶圓1 0之外部周界之外係爲在一個環形 區域2 1 3 0中彼此流體相連通者,並且該上方處理容室 以及該下方處理容室2 1 2 6與2 1 4 6係藉由一個約束 該環形區域2 1 3 0下方部分2 1 3 4之環形可壓縮密封 (例如0形環)2 1 3 2所密封。該密封2 1 3 2係允許 處理流體進入該下方進口 2 1 4 2以維持在足夠的壓力下 而得以朝向該出口 2 1 3 4流動=>
經濟部智慧封4笱MK工消費合作社印製 當與先前所述實施例中所揭露類型之反應器相比較時 ,反應器2 1 0 0係特別適合於執行獨特爲製造程序之一 個範圍。例如,反應器2 1 0 0係特別適合於執行一個需 要處理流體在工件之第一側並且僅在第二側之周圍邊緣部 分完全接觸之程序。此等程序係可以被實現,這是因爲進 入該下方容室壁2140之進口2142的處理流體係可 以在到達出口 2 1 2 4之前而作用在一個受支承晶圓1 〇 之下側1 4、受支承晶圓1 0之外部周圍1 6、以及受支 承晶圓1 0上側1 2之外部邊緣1 8之故,並且因爲進入 該上方容室壁2 1 2 0之進口 2 1 2 2的處理流體係可以 在到達出口 2 1 2 4之前而作用在一個受支承晶圓1 0上 側1 2除了外部邊緣1 8之外的其他部分。 ______34---- 本紙張尺度適用中國國家標準(〇他)八4規格(2丨0\ 297公嫠) 452828 A7 Β7 經濟部智慧时產咼員工消費合作社印製 五、發明説明(0 ) 作爲此等程序之一個示例,反應器2 1 0 0係可以隨 著進入個別進口2 1 2 2與2 1 4 2之處理流體的個別壓 力的控制而使用’以執行一個使得處理流體係被允許接觸 工件之一個第一側、工件之周圍邊緣、以及工件相反側之 周圍區域的程序。此等流體流動/接觸亦可以被視爲是一 種除了一個從該側之周圍區域而供應至相反側處理流體以 外的方式。根據此等程序的一個實施例,一薄膜材料係被 貪虫刻於第一側、工件之周圍邊緣、以及工件相反側之周圍 區域。 在此等程序更特殊的實施例中,程序係可以使用在一 個金屬化程序中’其係被使用以形成在一個半導體晶圓或 相似材料上之一個微電子部件以及/或者相互連接結構。 爲了這個目的’例如是添加劑層之一個薄膜係在前側塗敷 一個阻隔層並且塗敷在外部周圍之至少一個部分。在—個 或是多個介入步驟(例如是銅層或相似材料層之電鍍)之 後,一個能夠蝕刻電鍍材料、薄膜材料、以及/或者阻隔 層材料之蝕刻劑係被導致以選擇地流動越過該第—側之外 部邊緣,而在同時防止流動橫越該第一側之徑向其他內部 部分。因此,一層或是多層係從該第一側之外部邊緣處移 除’而同時層係在安置在外部邊緣之內部的該第一側之部 分處保持不動。如果該蝕刻劑係被驅動橫越該相反側上以 及橫越在外部周界上如同橫越在該第一側之外部邊緣上, 則一層或是多層亦從該晶圓之外部周界移除,並且更進一 步地触刻劑在移除時能夠造成之任何污染係從後側被剝去 (請先閱讀汴而之:^"F項再填"?本!) 線 k 5 - 6 i
45282B A7 B7 五、發明説明(冰) 〇 根據先前程序之敘述,將能夠了解的是其他層以及/ 或是材料係可以在處理流體與工件之外物邊緣以及/或者 相反側之選擇接觸的基礎上選擇地被蝕刻、淸潔、沉積、 保護等等。例如,氧氣係可以從工件第一側之相反側及外 部邊緣,經由與一個氧化蝕刻劑(例如是氫氟酸)之選擇 性接觸而移除。同樣地,氧化蝕刻劑係可以控制在該反應 器中,以使得其接觸工件除了外部邊緣之外的所有前側部 分,從而將氧化物留在外部邊緣。亦能夠了解的是出口 2 1 2 4之移除係允許該反應器2 1 0 0能夠被使用於其中 外部邊緣內或外係爲不需要或不期望的程序中。 妒、- 經濟部眢慧財—笱員工消費合作社印焚 如同在第二十三圖至第二十六圖中所說明者,額外的 結構係可以根據反應器被設計以執行之特殊程序而與任何 先前的反應器合倂,而自動化程序(如果有的話)將隨著 其而被使用。根據此等結構上之附加物•該下方容室壁2 1 4 0係具有一個上方表面2 1 4 4,其係被造形以便界 定出一個繞著該進口 2 1 4 2之環形貯槽2 1 4 6。該貯 槽2 1 4 6係被使用已收集液態副產品以及/或者經由該 進口 2 1 4 2所供應之殘餘處理流體。如果例如是一液體 碰撞1 0以及從晶圓1 0滴落,其係在反慶2 1 0 0旋轉 所導致向心加速度的影響下被引導朝向該出口 2 1 2 4。 連同反應器2 1 0 0—起說明之另一個結構上之附加 物係相關於下方噴嘴之設計。如同所說明者,設在該下方 容室壁2 1 4 0之進口 2 1 4 2下方的該下方噴嘴2 2 6 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) Λ4現格(210X 297公,f ) 4528 2 8 A7 B7 五、發明説明(6) (請先閱讀背而之注意f^rll»}-填巧本頁) 〇,其係包括有兩個或是多個部件2 2 6 2 (在圖示中係 顯示有兩個),用於引導兩個或是多個處理流體噴流向上 地穿過該進口 2142。孔口2262係被定向以便導致 所引導之噴流能夠在所引導之噴流到達晶圓1 0之下方表 面處匯聚。該反應器2 1 0 0亦包括有一個淨化噴嘴2 2 8〇,其係被安置在該下方噴嘴2 2 6 0之一側,用於引 導例如是氮氣之淨化氣體之噴流橫越該下方噴嘴2 2 6 0 〇
更進一步地,反應器2 1 0 0係可以具有一個基座2 3 0 0,其係裝設有下方噴嘴2 2 6 0以及淨化噴嘴2 2 8 〇,而其係界定了一個同軸環形空間2 3 2 0。該空間 2 3 2 0係具有複數個(例如四個)排放口 2 3 2 2 (在 圖示中可以看到一個),每一個排放口2322係裝配有 一個氣動地致動之提升閥體2 3 4 0,用於打開以及關閉 該排放口 2 3 2 2。這些排放口 2 3 2 2係提供了分離的 路徑用以引導不同類型之處理流體至適當的系統(並未顯 示)而進行儲存、處理、或是重新循環。 經濟部智慧財產笱資工湞費合作社印製 一個環形套筒2 3 6 0在該空間2 3 2 0上方係環繞 並從該上方容室壁2 1 2 0向下地延伸,以便與該上方容 室壁2 1 4 0—同旋轉。每一個出口 2 1 2 4係被定向以 便引導處理流體經由流體通道2 3 6 4而抵著該環形套筒 2 3 6 0之內表面2 3 6 2離開此等出口 2 1 2 4。該內 表面2 3 6 2係爲向外地並且向下地擴大者,如同圖示中 所顯示者,以便導致處理流體到達該內表面2 3 6 2以在 本紙浪尺度適用中國國家蜾準(CNS ) A4規格(210>:297公釐) A7 452828 五、發明説明($ ) (請先閱讀背面之注意事項#填巧本頁) 反應器旋轉時向心加速度的影響之下朝向該空間2 3 2 0 向外地並且向下地流動。因此,處理流體係傾向於經掃穿 過該空間2 3 2〇而朝向該排放口 2 3 2 2。 該轉子2 2 1 0在一個與該空間2 3 2 0相連通之環 形區域2 0 4中係具有一個有肋表面2 2 1 5,其係朝向 並且與該轉子2 2 1 0之一個平滑表面2 2 0 2緊密地分 隔當該轉子2 2 1 0旋轉時,該有肋表面2 2 1 5係傾向 於導致在該環形區域2 2 0 4中之空氣朝向排放口 2 3 2 2成爲漩渦,以便幫助淸除經由該空間2 3 2 0處理流體 0 該上方容室壁2 1 2 0係具有隔離片2 1 2 8,其係 向下地凸出以防止一個受支承晶圓10從處理位置之上升 並且使該晶圓1 0不會接觸到該上方容室壁2 1 2 0。該 下方容室壁2 1 4 0係具有隔離片2 1 4 8以及柱桿2 1 經濟部智龙財4局員工消费合作社印製 5〇,其中該隔離片2 1 4 8係向下地凸出用以使一個受 支承晶圓1 0在該下方容室壁2 1 4 0之上分隔一個給定 距離,而該柱桿2 1 5 0係向下地凸出在一個受支承晶圓 1 0外部周界1 6之外用以防止該受支承晶圓1 0從垂直 軸A移位離開中心。 該下方容室壁2 1 4 0係可以裝設有一個上升機構2 4 0 0,用於使一個受支承於處理位置之晶圓1 0上升至 一個提高位置。該上升機構在該頭部2 2 0 0上升在該基 座2 3 0 0上方時係使該晶圓1 0上升至提高位置,以便 打開該上方容室壁以及該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0 -a- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(:!1ϋ'χ.297公釐) 4528 2 8 經濟部智慧时產笱員工消費合作灶印製 Α7 Β7 五、發明説明(VI ) 。使一個受支承之晶圓1 〇上升至一個提高位置係幫助了 其藉由承載與卸載機構(並未顯示)而被卸載,其中該承 載與卸載機構係例如爲一個具有端部操縱器之機械臂。 該上升機構2 4 0 0係包括有一列上升桿件2 4 2 0 。每一個上升桿件2 4 2 0係經由一個樞銷2 4 2 2而可 樞轉地裝設至該下方容室壁2 1 4 0,以便能夠在一個操 作位置與一個非操作位置之間樞轉,其中該樞銷2 4 2 2 係從此等上升桿件2 4 2 0延伸進入該下方容室壁2 1 4 0中之套筒2424。每一個樞轉桿件2420在該上方 容室壁以及該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0關閉時係被 配置以藉由該上方容室壁2 1 2 0而銜接,因此此等樞轉 桿件2 4 2 0係樞轉進入非操作位置。每一個上升桿件2 4 2 0在沒有藉由該上方容室壁2 1 2 〇而銜接時係被偏 斜(將在下文中說明)以便樞轉進入操作位置。 因此’每一個上升桿件2 4 2 0在該上方容室壁以及 該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0關閉時係適合於從操作 位置樞轉至非操作位置,而每一個上升桿件2 4 2 0在該 上方容室壁以及該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0打開時 係適合於從非操作位置樞轉至操作位置。每一個上升桿件 2 4 2 0係裝設有一個插銷2 4 2 4,其係在一個受支承 於處理位置之晶圓1〇下方延伸並且使該受支承晶圓在此 等上升桿件2 4 2 0係從非操作位置樞轉至操作位置時上 升至升高位置。 該上升桿件2 4 2 0係可以藉由一個彈性元件2 4 4 ---------务------.订------r Ί (請先閱请汴而之注意箏項再填巧本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(_ ϋΐϋχ::9?公蝥) 452828 A7 B7 五、發明説明(4) 0(例如是一個0形環)而偏斜,其中該彈性元件244 0係環繞該下方容室壁2 1 4 0並且經由一個與每一上升 | 桿件2 4 2 0分離之鉤子2 4 2 6而銜接該上升桿件2 4 2 〇。在每一個上升桿件2 4 2 0上,該插銷2 4 2 2係 | 界定了一個軸,該插銷2 4 2 4以及該鉤子2 4 2 6係相 對於該軸而在直徑上彼此相對。該彈性元件2 4 4 0在該 上方容室壁以及該下方容室壁2120與2140關閉時 係被維持在相當高的張力之下,而該彈性元件2 4 4 0該 上方容室壁以及該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0打開時 係被維持在相較爲低的張力之下。 該上方容室壁以及該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 ◦ 亦可以在關閉狀態時藉由一個掣子機構2 5 0 0而可釋放 地彼此夾緊。根據一個實施例,該掣子機構係包括有一個 掣子環2 5 2 0,其係藉由該下方容室壁2 1 4 0而保持 並且係適合於銜接一個輔助造型之凹部2 5 4 0,其中該 輔助造型之凹部2 5 4 0係被安置在該上方容室壁2 1 2 0中。該掣子環2 5 2 0係由一彈力彈性材料(聚偏二氟 乙烯)所製成而帶有一列向內成階之部分2 5 3 0。因此 ,該成階部分2 5 3 0係使得該掣子環2 5 2 0能夠從一 個未變形狀態而變形進入一個已變形狀態,其中該掣子環 2 5 2 0在未變形狀態係具有一個第一直徑,而該掣子環 2 5 2 0在已變形狀態則係具有一個相比爲小之直徑。此 等變形係在該成階部分2 5 3 0遭受徑向向內指向之作用 力時所發生。隨著作用力之移除,該掣子環2 5 2 0係返 (請先閱讀背而之..;£.意f項再4Ά本页) 訂 經濟部智砝財4局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CN'S ) A4現格(;:10 X 公帑) 4528 A7 B7 經濟部智慧財產笱員工消f合作社印製 五、發明説明(4 ) 回至未變形狀態。 該掣子機構2 5 0 0更包括有一列掣子打耳2 5 4 0 ,每一個掣子打耳2 5 4 0係與承接部份2 5 3 〇之個別 的一個相連。每一個擊子打耳2 5 4 0係適合於將一個徑 向作用力應用至個別的成階部分2 5 3 0。 該擊子機構2 5 0 0更包括有一個致動環2 5 6 0, 在該致動環2 5 6 0在一個移動之預定限制範圍之中上升 與下降時’其係適合於致動該掣子打耳2 5 4 0。在所說 明之實施例中,該致動環2 5 6 0在上升時係適合於致動 該掣子打耳2 5 4 0,而在下降時則係適合於制止該掣子 打耳。該掣子機構2 5 0 0更包括有一列氣動裝置2 5 8 Q (例如三個此等機構),其係適合於使該致動環2 5 6 ◦上升與下降。當該致動環2 5 6 0上升時,該上方容室 壁以及該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0係彼此釋放,以 使得該頭部2 2 0 0係可以從該基座2 3 0 0上升用以打 開該上方容室壁以及該下方容室壁2 1 20與2 1 40, 或是下降至該基座2 3 0 0上用以關閉該上方容室壁以及 該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0。 致動環2 5 6 0係向上地裝設凸出插銷2 5 6 2 (有 一個顯示出來),其在該致動環2560升高時係凸出進 入在對準環2 5 7 0中多穿孔2 5 6 4中的個別一個。對 準環2 5 7 0係被裝設以連同該下方容室壁2 1 4 0—同 旋轉。該插銷2 5 6 2在該致動環2 5 6 0係被下降時係 從該穿孔2 5 6 4被抽回並且淸潔該對準環2 5 7 0。當 ----41- 本纸張尺度適用中國國家螵準(CNS ) Λ4規格(210> 297公螯) ---------»-------1T------ {請先閱讀汴而之;χφ奸項再填-:^本!) 452828 A7 B7 五、發明説明(w) 除出進入到該個別穿孔2 5 6 4時,該插銷2 5 6 2係對 準一個被支承於處理位置之晶圓1 0,以便經由一個如上 所述之機械人系統來幫助卸載該晶圓1 0。 本發明係已相對於一個晶圓而舉例說明。然而,必須 承認的是本發明係具有相當廣泛範圍之應用。藉由示例, 本發明係可以應用在磁碟與磁頭之處理、片狀面板顯示器 、微電子屏壁、以及其他需要有效與受控制濕處理之裝置 〇 許多的修正係可以在先前所述之系統中執行而不離開 其基本教導。雖然本發明係以參照一個或是多個特殊實施 例來加以詳細說明,熟於此技者將會認可到改變係可以在 不離開本發明於所附申請專利範圍中所述之範圍與精神的 情況下做出。 (請先閱讀竹而之;£意货哨阼填'ivJ本页} 經濟部皙慧財1SSF員工消費合作社印絮 42 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X29,公;t )

Claims (1)

  1. 452828 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 .~種在微環境中處理一個工件之裝置,該裝置係 包括有: 一個轉子馬達; 一個工件外殼’其係被連接用以使該轉子馬達旋轉, 該工件外殻其中係包括有一個大致上關閉之處理容室,在 該容室中一種或是多種處理流體係藉由在該外殼旋轉期間 所產生之向心加速度而散佈橫越該工件之至少一個表面。 2 ·根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其更包括 有一個流體供應系統’該流體供應系統係被連接以順序地 將一個沖洗流體接著一個乾燥流體供應至該處理容室。 3 *根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其中該工 件外殻更包括有: 至少一個流體進口,其係對該處理容室開放並與該外 殼之旋轉軸對準;以及 至少一個流體出口,其係從該處理容室延伸,該至少 一個流體出口係被定位以允許流體從該容室經由在該工件 外殻繞著旋轉軸旋轉期間所產生之向心加速度之作用而流 出。 4 *根據申請專利範圍第3項所述之裝置,其中該至 少一個流體進口係被安置穿過該處理容室之上方部分,用 以從而幫助了流體經由向心加速度之作用而散佈橫越該工 件之上方表面。 5 ·根據申請專利範圍第3項所述之裝置,其中該至 少一個流體進口係被安置穿過該處理容室之下方部分,_ 本紙張尺度逍用中«國家揉準(CNS > A4规格(210X297公釐) (請先《讀背面之注意^項再填寫本頁) .策 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4528 2 S Λ8 B3 C8 ;-----------—-- ^、、申請專利範圍 以從而幫助了流體經由向心加速度之作用而散佈橫越該工 件之下方表面^ 6 ’根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其中該工 件外威係爲〜個移動式容器。 7 ·根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其中該工 件外殼係包括有上方容室元件與下方容室元件,此二元件 係彼此相連以界定出大致上關閉之處理容室。 8 *根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其中該工 件外殻係包括有: 一個上方容室元件,其係具有一個內部容室表面,該 上方容室元件在其內部容室表面中係包括有一個在中央安 置之流體進口; 一個下方容室元件,其係具有一個內部容室表面,該 下方容室元件在其內部容室表面中係包括有一個在中央安 置之流體進口; 該上方容室元件以及該下方容室元件係彼此連結以形 成大致上關閉之處理容室,該處理容室大體上符合工件之 形狀’該大致上關閉之處理容室係具有至少〜個安置在其 周圍區域之流體出口,用以幫助流體經由向心加速度之作 用而從該處理容室流出。 9·根據申請專利範圍第8項所述之裝置,其中該工 件外殼更包括有: 至少一個工件支承器,其係適合以將一個工件支承在 該大致上關閉之處理容室中一個與該上方及下方容室元件 2__ 本-ϋ尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4说格(210X297公着Ί " (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本s') 衣· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45282; 經濟部眢慧財產局員工消費合作社印製 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 之內部容室表面相分隔並且大致上平行的位置,該工件支 承器係將工件定位在該處理容室之中,用以允許經由該上 方容室元件之進口所供應之流體,藉由向心加速度之作用 而散佈橫越該工件之至少一個上方表面,並且用以允許經 由該下方容室元件之進口所供應之流體,藉由向心加速度 之作用而散佈橫越該工件之至少一個下方表面。 1 0 _根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其中該 工件外殻係包括有: —個上方容室進口,其係用於將一個第一流體流動供 應進入該處理容室之一個上方區域中,用以使該第一流體 流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少一個 上方表面;以及 一個下方容室進口,其係用於將一個第二流體流動供 應進入該處理容室之一個下方區域中,用以使s亥第一流體 流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少一個 下方表面。 1 1 根據申請專利範圍第1 0項所述之裝置,其更 包括有一個劃分元件,其係在該處理容室中繞著該工件之 一個周圍邊緣而安置在一個使該劃分結構能夠將該第一流 體流動與該第二流體流動之散佈流動分離之位置’因此該 第一流體流動係主要地被限制以接觸該工件之上方表面, 而該第二流體流動係主要地被限制以接觸該工件之下方袠 面。 1 2 . —種在微環境中處理一個工件之裝置’該裝置 本紙張尺度適用中國国家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I —II 衣*~ 打 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 528 2 8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 係包括有: 複數個壁,其係界定了一個大致上關閉之處理容室, 該大致上關閉之處理容室係具有至少一個安置在其周圍區 域之流體出口,以及至少一個流體進口,其係被安置以允 許一流體在一個非周圍區域處進入該處理容室; 至少一個工件支承器,其係適合以將一個工件支承在 該大致上關閉之處理容室中一個允許經由該流體進口所供 應之流體藉由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少 一個表面的位置,該至少一個流體出口係被定位以允許流 體經由向心加速度之作用而從該處理容室流出。 1 3 ‘根據申請專利範圍第1 2項所述之裝置,其更 包括有有一個流體供應系統,該流體供應系統係被連接以 順序地將一個沖洗流體接著一個乾燥流體供應至該流體進 □。 1 4 ·根據申請專利範圍第1 2項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係安置在該處理容室之一個中央部分 〇 1 5 ·根據申請專利範圍第1 2項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係安置在該處理容室之一個中央上方 部分,用以將一個流體之流動供應鄰近該工件之上方表面 〇 1 6 根據申請專利範圍第1 2項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係安置在該處理容室之一個中央下方 部分,用以將一個流體之流動供應鄰近該工件之下方表面 4 本紙張尺度逍用中國國家梯率(格(210X297公釐) -- ---- - - ----- n _ _ ^ (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 452 8 2 A8 BS C8 D8 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 0 1 7 根據申請專利範圍第1 2項所述之裝置,其中 該工件外殼係包括有: 一個上方容室進口,其係用於將一個第一流體流動供 應進入該處理容室之一個上方區域中,用以使該第一流體 流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少一個 上方表面;以及 一個下方容室進口,其係用於將一個第二流體流動供 應進入該處理容室之一個下方區域中,用以使該第二流體 流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少一個 下方表面。 1 8 .根據申請專利範圍第1 7項所述之裝置,其更 包括有一個劃分元件,其係在該處理容室中繞著該工件之 一個周圍邊緣而安置在一個使該劃分結構能夠將該第一流 體流動與該第二流體流動之散佈流動分離之位置’因此該 第一流體流動係主要地被限制以接觸該工件之上方表面’ 而該第二流體流動係主要地被限制以接觸該工件之下方表 面。 1 9 ·根據申請專利範圍第1 2項所述之裝置,該大 致上關閉之處理容室大體上係符合工件之形狀。 2 ◦·根據申請專利範圍第1 9項所述之裝置’其中 該工件係爲大體上圓形之半導體晶圓,複數個壁係包括有 一個大體上平面之上方內部容室表面; 5 I - - 1 1- ^^1 - I ^^1 ^^1 H (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準< CNS > A4規格(2丨0X297公釐) 45282 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 一個大體上平面之下方內部容室表面: 該上方內部容室表面以及該下方內部容室表面係被安 置以便大體上分別平行於該半導體晶圓之上方平面表面以 及下方平面表面。 2 1 ·—種在微環境中處理一個工件之裝置,該裝置 係包括有: 一個上方容室元件,其係具有一個流體進口; 一個下方容室元件,其係具有一個流體進口; 該上方容室元件以及該下方容室元件係彼此連結以形 成大致上關閉之處理容室,而大體上符合工件之形狀,該 大致上關閉之處理容室係具有至少一個安置在其周圍區域 之流體出口; 至少一個工件支承器,其係適合以將一個工件支承在 該大致上關閉之處理容室中一個允許經由該上方容室元件 之進口所供應之流體,藉由向心加速度之作用而散佈橫越 在該工件之至少一個上方表面上的位置,以及一個允許經 由該下方容室元件之進口所供應之流體’藉由向心加速度 之作用而散佈橫越在該工件之至少一個下方表面上的位置 ,該至少一個流體出口係被定位以允許流體經由向心加速 度之作用而從該處理容室流出。 2 2 根據申請專利範圍第2 1項所述之裝置’其更 包括有一個周圍邊緣結構,其係幫助了上方工件表面以及 下方工件表面之相互不相容之處理。 2 3 ·根據申請專利範圍第2 1項所述之裝置’其中 6 ---------笨------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中a國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 45282 Λ8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 該工件係爲大體上圓形之半導體晶圓,並且其中該上方容 室元件以及該下方容室元件之進口係大致上對準該半導體 晶圓之中心。 2 4 ·根據申請專利範圍第2 1項所述之裝置,其更 包括有一個或是多個固定件’其係連接該上方容室元件以 及該下方谷室兀件,該一個或是多個固定件係適合以允許 在該上方容室元件與該下方容室元件之間的相對移動,用 以進入該處理容室而插入及/或抽出一個工件。 2 5 · —種處理一個工件之方法,其係包括有: 將工件放置在一個工件外殻之一個大致上關閉之處理 容室中; 將一個流體流動供應至該處理容室之一個大體上中央 部分; 旋轉該工件外殻以產生向心加速度,而使流體流動散 佈橫越該工件之至少一個表面。 2 6 . —種處理一個工件之方法’其中該工件係具有 上方以及下方大體上平面之表面,該方法係包括有: 將工件放置在一個工件外殻之一個大致上關閉之處理 容室中; 將一個第一流體流動供應至該處理容室之一個大體上 中央上方部分; 將一個第二流體流動烘應至該處理容室之一個大體上 中央下方部分: 旋轉該工件外殼以產生向心加速度,而使該第一流體 7 -I - - - i I - - I - - n - - - H» (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中_國家樣準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 4 52 8 > A8 B8 CS DS 經濟部智慧財產局員工消資合作社印製 六、申請專利範圍 流動散佈橫越該工件之至少一個上方表面,並使該第二流 體流動散佈橫越該工件之至少一個下方表面 2 7 .根據申請專利範圍第2 6項所述之方法,其中 該第一流體流動與該桌一流體流動係爲同時地供應者。 2 8 ·根據申請專利範圍第2 7項所述之方法,其更 包括有以下步驟:將該第一流體流動與該第二流體流動分 離,以致使該第一流體流動係使該工件之上方表面主要地 接觸至其下方表面一般的以外,並且該第二流體流動係使 該工件之下方表面主要地接觸至其上方表面一般的以外。 2 9 ‘一種在個別微環境中分批處理複數個工件之裝 置,該裝置係包括有: 一個轉子馬達; 複數個工件外殻,每一個工件外殼係被連接用以使該 轉子馬達繞著~個共同旋轉軸而旋轉,每一個工件外殼係 其中係包括有一個大致上關閉之處理容室,在該容室中一 種或是多種處理流體係藉由在該外殼旋轉期間所產生之向 心加速度而散佈橫越該一個個別的工件之至少一個表面。 3 0 .根據申請專利範圍第2 9項所述之裝置,其中 每一個鍵外殼係包括有一個裝央安置之進口,用於將流體 供應至個別的處理容室,該裝置更包括有: 一個靜止歧管; 一個旋轉歧管,其係具有一個被連接以接收來自該靜 止歧管出口之流體的輸入部; 複數個流體供應管線,其係從該旋轉歧管延伸並連接 8 i HH - 1 —1- III -. 行次 -- 1 I ^^1 1^1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家橾準(CNS ) A4«t格(210X297公釐) 4528 2 ο 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 至該旋轉歧管,並且在鄰近至少—個個別處理容室之中央 安®的入口處終結爲一個或是多個流體出口。 3 1 *根據申請專利範圍第3 0項所述之裝置,其中 ϊ亥旋轉歧管係被連接爲了與該工件外殻一同旋轉。 3 2 · —種處理一個工件之裝置,其係包括有: 一個外殻,其係包括有一個淸潔主要處理容室; 一個機械臂,其係安置在該淸潔主要處理容室中,並 且其係適合於輸送該工件; 複數個工件處理站,其係安置在該淸潔主要處理容室 中可被該機械臂存取之位置,至少一個工件處理站係包括 有: 一個轉子馬達; 一個工件外殻,其係被連接用以使該轉子馬達旋轉, 該工件外殼其中係包括有一個大致上關閉之處理容室,在 該容室中一種或是多種處理流體係藉由在該外殻旋轉期間 所產生之向心加速度而散佈橫越該工件之至少一個表面。 3 3 ·根據申請專利範圍第3 2項所述之裝置,其中 該工件外殼更包括有: 至少一個流體進口,其係對該處理容室開放並與該外 殻之旋轉軸對準;以及 至少一個流體出口,其係從該處理容室延伸,該至少 一個流體出口係被定位以允許流體從該容室經由在該工件 外殼繞著旋轉軸旋轉期間所產生之向心加速度之作用而流 出。 9 —------ U - - * - - I--- - n (請先閲讀背面之ίχ意事項再填寫本苋) 本紙浪尺Α逍用中國國家捸準< CNS >Α4规格(210χ的7公釐) 452828 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 4 ·根據申請專利範圍第3 3項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係被安置穿過該處理容室之上方部分 ’用以從而幫助了流體經由向心加速度之作用而散佈橫越 該工件之上方表面。 3 5 ·根據申請專利範圍第3 3項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係被安置穿過該處理容室之下方部分 ,用以從而幫助了流體經由向心加速度之作用而散佈橫越 該工件之下方表面。 3 6 ·根據申請專利範圍第3 2項所述之裝置,其中 該工件外殼係爲一個移動式容器。 3 7 ·根據申請專利範圍第3 2項所述之裝置,其中 該工件外殼係包括有上方容室元件與下方容室元件,此二 元件係彼此相連以界定出大致上關閉之處理容室。 3 8 ·根據申請專利範圍第3 2項所述之裝置,其中 該工件外殼係包括有: 一個上方容室元件,其係具有一個內部容室表面,該 上方容室元件在其內部容室表面中係包括有一個在中央安 置之流體進口; 一個下方容室元件1其係具有一個內部容室表面,該 下方容室元件在其內部容室表面中係包括有一個在中央安 置之流體進口; 該上方容室元件以及該下方容室元件係彼此連結以形 成大致上關閉之處理容室,該處理容室大體上符合工件之 形狀,該大致上關閉之處理容室係具有至少一個安置在其 本纸張尺度適用中國國家梂準(CNS > A4規格(四7公羞) (請先閩讀背面之注意事項再填窝本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印數 452828 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 周圍區域之流體出口,用以幫助流體經由向心加速度之作 用而從該處理容室流出。 3 9 .根據申請專利範圍第3 8項所述之裝置,其中 該工件外殼更包括有: 至少一個工件支承器’其係適合以將一個工件支承在 該大致上關閉之處理容室中一個與該上方及下方容室元件 之內部容室表面相分隔並且大致上平行的位置,該工件支 承器係將工件定位在該處理容室之中,用以允許經由該上 方容室元件之進口所供應之流體,藉由向心加速度之作用 而散佈橫越該工件之至少一個上方表面,並且用以允許經 由該下方容室元件之進口所供應之流體,藉由向心加速度 之作用而散佈橫越該工件之至少一個下方表面。 4 0 ·根據申請專利範圍第3 2項所述之裝置,其中 該工件外殻係包括有: 一個上方容室進口,其係用於將一個第一流體流動供 應進入該處理容室之一個上方區域中,用以使該第一流體 流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少一個 上方表面:以及 一個下方容室進口,其係用於將一個第二流體流動供 應進入該處理容室之一個下方區域中,用以使該第二流體 流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少一個 下方表面。 4 1 ·根據申請專利範圍第4 0項所述之裝置,其更 包括有一個劃分元件,其係在該處理容室中繞著該工件之 11 I—. - ϋ - - I ----- - I ----------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本瓦) 本紙法尺度速用中國《家橾準(CNS ) Α4規格(2!0><297公釐) 4528 2 S 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 ?! D8 、申請專利範圍 -iiJtJg]邊緣而安置在—個使該劃分結構能夠將該第一流 與該第二流體流動之散佈流動分離之位置,因此該 第_^體流動係主要地被限制以接觸該工件之上方表面, 而該第二流體流動係主要地被限制以接觸該工件之下方表 面° 4 2 · —種在微環境中處理一個工件之裝置,該裝置 係包括有: 包圍機構,其係用以將一個工件包圍在一個大致上關 閉之處理容室中: 旋轉該包圍機構之機構,其係包括有該大致上關閉之 處理容室’用以將一種或是多種處理流體藉由在該包圍機 構旋轉期間所產生之向心加速度而散佈橫越在該工件之至 少一個表面上。 4 3 ·根據申請專利範圍第4 2項所述之裝置,其中 該包圍機構係包括有流體進口機構,用以將一個流體經由 向心加速度之作用而供應至該工件上方表面或下方表面中 的至少一個來散佈。 4 4 ·根據申請專利範圍第4 2項所述之裝置,其更 包括有打開或關閉該包圍機構之機構,從而允許插入或抽 出一個工件用以在該處理容室中處理。 4 5 _根據申請專利範圍第4 2項所述之裝置,其中 該包圍機構係包括有流體出口機構,用以允許來自該 容室之流體能夠經由在該包圍機構旋轉期間所產生之向心、 加速度而流出。 (請先W讀背面之注意^項再填寫本頁)
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 f· Β8--_ξ}_ 六、申請專利範圍 4 6 根據申請專利範圍第4 2項所述之裝置,其中 該包圍機構係包括有將第一與第二流體分別提供至該工件 上方表面以及下方表面之機構。 4 7 ·根據申請專利範圍第4 6項所述之裝置,其中 該包圍機構係包括有流體劃分機構,其係安置在該處理容 室中用於分離該第一以及第二流體流動之流動,因此該第 一流體流動係主要地被限制以接觸該工件之上方表面,而 該第二流體流動係主要地被限制以接觸該工件之下方表面 0 4 8 · —種在微環境中處理一個工件之裝置,該裝置 係包括有: 一個第一容室元件,其係具有一個內部容室壁; 一個第二容室元件,其係具有一個內部容室壁,該第 一與第二容室元件係適合在一個承載位置與一個處理位置 之間相對移動,其中在該承載位置處該第一與第二容室元 件係彼此相離,而在處理位置處該第一與第二容室元件係 彼此緊鄰以界定一個處理容室; 至少一個工件支承器組件,其係安置在該第一與第二 容室元件之間用於支承該微電子工件,該至少一個工件支 承器組件係可以在該第一與第二容室元件係位於承載位置 時,操作以將該微電子工件從該第一與第二容室元件中至 少一個的一內部容室壁分隔一個第一距離XI,並且該至 少一個工件支承器組件係可以在該第一與第二容室元件係 位於處理位置時,操作以將該微電子工件從該內部容室壁 13 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) A8 B8 C8 D8 4528 2 六、申請專利範圍 分隔一個第二距離X2,其中X1>X2。 4 9 ·根據申請專利範圍第4 8項所述之裝置,其中 該工件支承器組件係包括有: 一個工件支承器元件; 一個偏斜元件,其係被安置以銜接該工件支承器元件 ’該偏斜元件係迫使該工件支承器元件在該第一與第二容 室元件係位於承載位置時,使該微電子工件從內部容室壁 分隔該第一距離XI,在該第一與第二容室元件之間的相 對移動係迫使該工件支承器元件抵抗該偏斜元件之偏斜, 用以在該第一與第二容室元件係位於處理位置時驅動該工 件支承器元件,使該微電子工件從該內部容室壁分隔該第 二距離X 2。 5 0 ·根據申請專利範圍第4 9項所述之裝置,其中 該偏斜元件係爲一個螺旋彈簧致動器。 5 1 ·根據申請專利範圍第4 9項所述之裝置,其中 該偏斜元件係爲一個片簧。 5 2 ·根據申請專利範圍第4 8項所述之裝置,其中 該工件支承組件係包括有: 一個工件支承器元件,其係可在一個第一位置之間移 動,其中在該第一位置處該工件支承器元件在該第一與第 二容室元件係位於承載位置時,使該微電子工件從內部容 室壁分隔該第一距離XI,在該第一與第二容室元件之間 的相對移動在該第一與第二容室元件係位於處理位置時’ 迫使該工件支承器元件以驅使該工件支承器元件讓該微電 14 :I - I - — - · 衣一11 - I 1 I I - -,1τ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國圃家梯準(CNS)A4洗格(2丨0X297公釐) 452828 AS 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 子工件從該內部容室壁分隔該第二距離X2。 5 3 ·根據申請專利範圍第4 8項所述之裝置,其更 包括有: 至少一個處理流體進口,其係被安置穿過該內部容室 壁之至少一個用於連通該處理流體,而在該第一與第二容 室元件係位於處理位置時用以接觸該微電子工件; 一個轉子馬達,其係被連接以使該第一與第二容室元 件繞著一個旋轉軸而旋轉,從而使該處理流體經由在旋轉 期間所產生之向心加速度之作用而散佈橫越在電子工件之 一個表面上。 5 4 ·根據申請專利範圍第4 9項所述之裝置,其更 包括有: 至少一個處理流體進口,其係被安置穿過該內部容室 壁之至少一個用於連通該處理流體,而在該第一與第二容 室元件係位於處理位置時用以接觸該微電子工件; 一個轉子馬達,其係被連接以使該第一與第二容室元 件繞著一個旋轉軸而旋轉,従而使該處理流體經由在旋轉 期間所產生之向心加速度之作用而散佈橫越在電子工件之 一個表面上。 5 5 ·根據申請專利範圍第5 0項所述之裝置,其更 包括有z 至少一個處理流體進口,其係被安置穿過該內部容室 壁之至少一個用於連通該處理流體,而在該第一與第二容 室元件係位於處理位置時用以接觸該微電子工件; __ 15 本5張用中8H家#i ( CNS ) ( 210X297公釐) - I ---- —i I - T 衣--- n I _ _ {請先w讀背面之注意事項再填寫本I ) 4 528 2 8 A8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 —個轉子馬達,其係被連接以使該第一與第二容室元 件繞著一個旋轉軸而旋轉,從而使該處理流體經由在旋轉 期間所產生之向心加速度之作用而散佈橫越在電子工件之 一個表面上。 5 6 ·根據申請專利範圍第5 1項所述之裝置’其更 包括有: 一個處理流體進口,其係被安置穿過該內部容室壁之 至少一個用於連通該處理流體,而在該第一與第二容室元 件係位於處理位置時用以接觸該微電子工件: 一個轉子馬達,其係被連接以使該第一與第二容室元 件繞著一個旋轉軸而旋轉,從而使該處理流體經由在旋轉 期間所產生之向心加速度之作用而散佈橫越在電子工件之 一個表面上。 5 7 · —種在微環境中處理一個工件之裝置,該裝置 係包括有: 一個上方容室元件,其係具有一個內部容室壁: 一個下方容室元件|其係具有一個內部容室壁; 該上方容室元件以及該下方容室元件係適合在一個承 載位置與一個處理位置之間的對移動,其中在該承載位置 處該上方容室元件與該下方容室元件係彼此相離,而在處 理位置處該上方容室元件與該下方容室元件係有效地彼此 連結,用以形成一個大致關閉之處理容室,該大致關閉之 處理容室係符合該微電子工件之形狀,該大致關閉之處理 容室係具有至少一個安置在其周圍區域處之流體出口; ____16_ ^尺度逋用申國國家橾準(CNS ) A4洗格(210X297公癀1 ^ " I I I !| - - I - 1 衣--—-I »--- -! - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 452828 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 至少一個處理流體進口,其係被安置穿過該內部容室 壁之至少一個用於連通該處理流體’而在該第一與第二容 室元件係位於處理位置時用以接觸該微電子工件之一個表 面: 一個工件支承器組件’其係安置在該上方容室元件與 該下方容室元件之間用於支承該微電子工件,該工件支承 器組件係可以在該第一與第二容室元件係位於承載位置時 ,操作以將該微電子工件從該第一與第二容室元件中至少 一個的一內部容室壁分隔一個第一距離XI,並且該至少 一個工件支承器組件係可以在該第一與第二容室元件係位 於處理位置時,操作以將該微電子工件從該內部容室壁分 隔一個第二距離X2,其中X1>X2,該至少一個工件 支承器係適合於將該微電子工件支承在該大致上關閉之處 理容室中一個允許經由該至少一個處理流體進口所供應之 流體藉由向心加速度之作用而散佈橫越在該微電子工件之 至少一個表面上的位置。 5 8 ‘根據申請專利範圍第5 7項所述之裝置,其中 至少一個處理流體進口係被安置穿過該上方容室元件之該 內部容室壁,用於連通該處理流體而將其散佈橫越在該微 電子工件之一個上方表面上,該裝置更包括有一個更進一 步之處理流體進口,其係被安置穿過該下方容室元件之該 內部容室壁,用於連通該處理流體而將其散佈橫越在該微 電子工件之一個下方表面上。 5 9 .根據申請專利範圍第5 7項所述之裝置,其中 I-- ^^1 I » —I ^^1 ^^1 - --1 ' - - . ^^1 —^1 — (請先閱讀背面之注意事項再填W本f ) 本紙張尺度逍用中a國家標準(CNS ) A4洗格(2丨〇 X 297公釐) ABCD 45282 ϋ 六、申請專利範圍 該工件支承器組件係包括有: 一個工件支承器元件; —ί I —-1 — I----策—If —___—訂 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 一個偏斜元件’其係被安置以銜接該工件支承器元件 ,該偏斜元件係迫使該工件支承器元件在該第一與第二容 室元件係位於承載位置時,使該微電子工件從內部容室壁 分隔該第一距離X1 ’在該第一與第二容室元件之間的相 對移動係迫使該工件支承器元件抵抗該偏斜元件之偏斜, 用以在該第一與第二容室元件係位於處理位置時驅動該工 件支承器元件,使該微電子工件從該內部容室壁分隔該第 二距離X 2。 6 0 ·根據申請專利範圍第5 7項所述之裝置,其中 該工件支承器組件係包括有: 複數個工件支承器元件,每一個工件支承器元件係具 有一個直立部分以及一個之表面; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一個偏斜元件,其係被安置以銜接該複數個工件支承 器元件之直立部分,該偏斜元件係迫使該工件支承器元件 在該第一與第二容室元件係位於承載位置時,使該微電子 工件從內部容室壁分隔該第一距離XI,在該第一與第二 容室元件之間的相對移動係迫使該工件支承器元件抵抗該 偏斜元件之偏斜,用以在該第一與第二容室元件係位於處 理位置時驅動該工件支承器元件,使該微電子工件從該內 部容室壁分隔該第二距離X 2。 6 1 .根據申請專利範圍第6 〇項所述之裝置,其中 該偏斜元件係包括有複數個從一個中央轂延伸之片簧元件 1S 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4«L楼 ( 210X29?公釐) 45282 8 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 六、申請專利範圍 ,該片簧元件之端部係分別接觸該工件支承器之直立元件 〇 6 2 ·根據申請專利範園第6 1項所述之裝置,其中 該複數個工件支承器元件係被安置穿過該下方容室元件’ 並且其中該偏斜冗件係在該偏斜兀件之穀處’藉由一個开夕 成該下方容室元件之該處理流體進口的固定而被固定至該 下方容室元件。 6 3 _ —種處理一個微電子工件之裝置,其係包括有 一個轉子組件,其係適合在該微電子處理期間支承該 工件並且隨著該微電子工件旋轉; 一個處理頭部,其係適合在該微電子處理期間使該轉 子組件旋轉; 一個連接轂組件,其係包括有螺紋轂元件,螺紋轂元 件係藉由旋在一起之該處理頭部而固定該轉子組件用以旋 轉,並且允許在該轉子組件與該處理頭部之間經由一個在 該螺紋轂元件中之螺絲而分離。 6 4 .根據申請專利範圍第6 3項所述之裝置,其中 該螺紋轂元件係包括有: 一個第一轂元件,其係與該處理頭部固定地相銜接; —個第二轂元件,其係與該轉子組件固定地相銜接’ 該元件之該第一轂與該第二轂係具有相應之螺紋’允許該 第一轂元件與該第二轂元件輕易地連結在一起並且能夠輕 易地彼此分離,該元件之該第一轂與該第二轂元件在該微 19 n η - 1- I - 1- - - I I * 1 - - I n ,1T (请先閔讀背面之ii意事項再填寫本育〕 本紙張尺度邊用中困》家梂率(CNS) A4^格(210X297公釐) ^52828 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 電子工件處理期間係被連結在一起用以共同旋轉; .一個閉鎖機構,其係用於使該第一轂元件固定於該處 理頭部,用以防止該第一轂與該第二轂元件之共同旋轉, 從而允許該第二轂元件從該第一轂元件旋上以移除該轉子 組件。 6 5 · —種在微環境中處理一個工件之裝置,該裝置 係包括有: 複數個壁,其係界定了一個大致上關閉之沖洗/乾燥 容室’該大致上關閉之沖洗/乾燥容室係具有至少一個安 置在其周圍區域之流體出口,以及至少一個流體進口,其 係被安置以允許一流體在一個非周圍區域處進入該沖洗/ 乾燥容室; 至少一個工件支承器,其係適合以將一個工件支承在 該大致上關閉之沖洗/乾燥容室中一個允許經由該流體進 口所供應之流體藉由向心加速度之作用而散佈橫越該工件 之至少一個表面的位置,該至少一個流體出口係被定位以 允許流體經由向心加速度之作用而從該沖洗/乾燥容室流 出; 一個流體供應系統,其係被連接以順序地將一個沖洗 流體接著一個乾燥流體供應至至少一個進口。 6 6 ·根據申請專利範圍第6 5項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係被安置在該沖洗/乾燥容室之一個 中央部分。 6 7 ·根據申請專利範圍第6 5項所述之裝置,其中 n n I -- n n -- n - -I I I— n ( T <請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 20 452828
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 該至少一個流體進口係被安置在該沖洗/乾燥容室之一個 中央上方部分’用以將流體之一個流動供應鄰近該工件之 一個上方表面。 6 8 .根據申請專利範圍第6 5項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係被安置在該沖洗/乾燥容室之一個 中央下方部分’用以將流體之一個流動供應鄰近該工件之 一個下方表面。 6 9 .根據申請專利範圍第6 5項所述之裝置,其中 該沖洗/乾燥外殼係包括有: 一個上方容室進口,其係用於將一個第一流體流動供 應進入該沖洗/乾燥容室之一個上方區域中,用以使該第 一流體流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至 少一個上方表面;以及 一個下方容室進口,其係用於將一個第二流體流動供 應進入該沖洗/乾燥容室之一個下方區域中,用以使該第 二流體流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至 少一個下方表面。 7 〇 ·根據申請專利範圍第6 9項所述之裝置,其更 包括有一個劃分結構,其係在該沖洗/乾燥容室中繞著該 工件之一個周圍邊緣而安置在一個使該劃分結構能夠將該 第一流體流動與該第二流體流動之散佈流動分離之位置, 因此該第一流體流動係主要地被限制以接觸該工件之上方 表面,而該第二流體流動係主要地被限制以接觸該工件之 下方表面。 本紙張尺度逋用中困困家標準(CMS ) A4洗格(210X297公釐) --— -I n - - - m、 衣--1--1 n n (請先W讀背面之注意事項再填寫本ί ) 452828 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AS β8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 1 _根據申請專利範圍第6 5項所述之裝置’其中 該大致上關閉之沖洗/乾燥容室大體上係符合該工件之形 狀。 7 2 .根據申請專利範圍第7 1項所述之裝置’其中 該工件係爲大體上圓形之半導體晶圓’複數個壁係包括有 一個大體上平面之上方內部容室表面; —個大體上平面之下方內部容室表面; 該上方內部容室表面以及該下方內部容室表面係被安 置以便大體上分別平行於該半導體晶圓之上方平面表面以 及下方平面表面。 7 3 ‘一種在微環境中沖洗以及乾燥一個工件之裝置 ,該裝置係包括有: 一個上方容室元件,其係具有一個流體進口; 一個下方容室元件,其係具有一個流體進口; 該上方容室元件以及該下方容室元件係彼此連結以形 成大致上關閉之沖洗/乾燥容室,而大體上符合工件之形 狀,該大致上關閉之沖洗/乾燥容室係具有至少一個安置 在其周圍區域之流體出口: 至少一個工件支承器,其係適合以將一個工件支承在 該大致上關閉之沖洗/乾燥容室中一個允許經由該上方容 室元件之進口所供應之流體1藉由向心加速度之作用而散 佈橫越在該工件之至少一個上方表面上的位置,以及一個 允許經由該下方容室元件之進口所供應之流體,藉由向心 22 H - m *--- - j - 1 - - I--I ^^1 (請先H讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉率(CNS ) A4洗格(210X297公釐) 452828 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 .仏 加速度之作用而散佈橫越在該工件之至少~個下方表面上 的位置,該至少一個流體出口係被定位以允許流體經由向 心加速度之作用而從該沖洗/乾燥容室流出;以及 一個流體供應系統,其係被連接以順序地將一個沖洗 流體接著一個乾燥流體供應至上方元件之該進口以及該下 方元件之該進口。 7 4 ·根據申請專利範圍第7 3項所述之裝置,其中 該沖洗流體係主要地由去離子晶圓所組成。 7 5 ·根據申請專利範圍第7 4項所述之裝置,其中 該乾燥流體係主要地由氮氣以及異丙醇蒸氣所組成。 7 6 *根據申請專利範圍第7 3項所述之裝置,其中 該乾燥流體係主要地由氮氣以及異丙醇蒸氣所組成。 7 7 ·根據申請專利範圍第7 3項所述之裝置,其更 包括有一個周圍邊緣結構,其係幫助了該上方工件表面以 及該下方工件表面之相互不相容的沖洗與乾燥。 7 8 ·根據申請專利範圍第7 3項所述之裝置,其中 該工件係爲大體上圓形之半導體晶圓,並且其中該上方容 室元件以及該下方容室元件之進口係大致上對準該半導體 晶圓之中心。 7 9 ·根據申請專利範圍第7 3項所述之裝置,其更 包括有一個或是多個固定件,其係連接該上方容室元件以 及該下方容室元件,該一個或是多個固定件係適合以允許 在該上方容室元件與該下方容室元件之間的相對移動,用 以進入該處理容室而插入及/或抽出一個工件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-------訂---------線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 ^5282Q A8 B8 C3 D8 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 8 0 ·—種沖洗及乾燥一個工件的方法,其係包括有 將工件放置在一個沖洗/乾燥外殼之一個大致上關閉 之沖洗/乾燥容室中; 將一個沖洗流體供應至該沖洗/乾燥容室之一個大體 上中央部分; 旋轉該沖洗/乾燥外殼以產生向心加速度,而使沖洗 流體之流動散佈橫越在該工件之至少一個表面上; 將一個乾燥流體在該沖洗流體之後供應至該沖洗/乾 燥容室之一個大體上中央部分; 旋轉該沖洗/乾燥外殻以產生向心加速度,;p]陡乾燥 流體之流動散佈橫越在該工件之至少一個表面上 8 1 .根據申請專利範圍第8 〇項所述之-該沖洗流體係主要地由去離子晶圓所組成。 8 2 .根據申請專利範圍第8 〇項所述之 該乾燥流體係主要地由氮氣以及異丙醇蒸氣所糸 J 8 3 ·根據申請專利範圍第8 1項所述之| 該乾燥流體係主要地由氮氣以及異丙醇蒸氣所組成。 8 4 · —種處理一個工件之裝置,其係包括有: —個外殼’其係包括有—個淸潔主要沖洗/乾燥容室 I —個機械臂’其係安置在該淸潔主要沖洗//乾燥容室 中’並且其係適合於輸送該工件; 複數個工件處理站’其係安置在該淸潔主要沖洗/乾
    [1Λ
    其中 其中 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁J 其中 lull--訂---------綠 24 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS)A4規格(210 X 297公s ) )282 a 經濟部智慧財產局員工消脅合作社印製 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 燥容室中可被該機械臂存取之位置,至少一個工件處理站 係包括有: 一個轉子馬達; 一個沖洗/乾燥外殼’其係被連接用以使該轉子馬達 旋轉,該沖洗/乾燥外殻其中係包括有一個大致上關閉之 沖洗/乾燥容室,在該容室中一種或是多種沖洗/乾燥流 體係藉由在該外殼旋轉期間所產生之向心加速度而散佈橫 越該工件之至少一個表面。 8 5 .根據申請專利範圍第8 4項所述之裝置,其中 該沖洗/乾燥外殼更包括有: 至少一個流體進口,其係對該沖洗/乾燥容室開放並 與該外殻之旋轉軸對準;以及 至少一個流體出口,其係從該沖洗/乾燥容室延伸, 該至少一個流體出口係被定位以允許流體從該沖洗/乾燥 容室經由在該沖洗/乾燥外殻繞著旋轉軸旋轉期間所產生 之向心加速度之作用而流出。 8 6 ·根據申請專利範圍第8 5項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係被安置穿過該沖洗/乾燥容室之上 方部分,用以從而幫助了流體經由向心加速度之作用而散 佈橫越在該工件之上方表面上。 8 7 ·根據申請專利範圍第8 5項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係被安置穿過該沖洗/乾燥容室之下 方部分,用以從而幫助了流體經由向心加速度之作用而散 佈橫越在該工件之下方表面上。 25 ---------*衣------1T (請先聞讀背面之注意事項再填{sf本瓦} 私紙浪尺度適用+國«家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 452823 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 8 8 ·根據申請專利範圍第8 4項所述之裝置,其中 該沖洗/乾燥外殼係爲一個移動式容器》 8 9 . —種處理一個微電子工件之裝置,其係具有一 個前側、一個後側、以及一個外部周圍,該裝置係包括有 一個反應器,其係具有一個上方容室壁以及一個下方 容室壁,該反應器係將一個微電子工件支承在該上方容室 壁與該下方容室壁之間的一個處理位置,該上方容室壁與 該下方容室壁係與一個支承在該處理位置之微電子工件可 旋轉地相連,該上方容室壁與該下方容室壁的每一個係具 有一個用於處理流體之進口; 一個上方處理容室,其係藉由該上方容室壁並藉由一 個支承在該處理位置之微電子工件所界定; 一個下方處理容室,其係藉由該下方容室壁並藉由一 個支承在該處理位置之微電子工件所界定,該上方處理容 室以及該下方處理容室在一個支承在該處理位置之微電子 工件外部周圍之外的一個區域係爲彼此流體相連通者; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ---------一衣------1T (請先閎讀背面之注意事項再填窝本頁) 該上方容室壁以及該下方容室壁中所選擇的一個係具 有一個用於處理流體而從該上方容室與該下方容室之出口 ,該出口係從一個旋轉軸向外地分隔一個徑向距離,並且 係向內地從一個支承在該處理位置之微電子工件的外部周 圍分隔一個比較小的徑向距離,因此進入該上方容室壁以 及該下方容室壁中剩下的一個的進□之處理流體,其在到 達該出口之前係可以作用在該受支承微電子元件之前側與 _ 26 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS > A4規格(21〇χ297公釐) 經濟部智慧財產局員工消#合作社印製 )2 F: 2 r ' / AS Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 後側中較近者之上、作用在該受支承微電子元件之外部周 圍上、並且作用在該受支承微電子元件其他側之外側邊緣 上,並且因此進入該上方容室壁以及該下方容室壁中所選 擇的一個的進口之處理流體,其在到達出口之前係可以作 用在該受支承微電子元件之後側,除了該後側之外部邊緣 之外。 9 0 ·根據申請專利範圍第8 9項所述之裝置,其中 該出口係爲從一個支承在該處理位置之微電子工件之垂直 軸以及外部周圍相似地分隔之相似出口陣列中的一個。 9 1 ·根據申請專利範圍第8 9項所述之裝置,其中 該上方容室壁以及該下方容室壁中所選擇的一個係爲上方 容室壁。 9 2 ·根據申請專利範圍第9 0項所述之裝置,其中 該上方容室壁以及該下方容室壁中所選擇的一個係爲上方 容室壁。 9 3 ·根據申請專利範圍第89項、第90項、第9 1項、或是第9 2項所述之裝置,其中每一個出口係與一 個具有一排放口之同軸環形空間相連通,該排放口係裝配 有一個閥體用於打開及關閉該排放口。 9 4 ·根據申請專利範圍第9 3項所述之裝置,其中 該排放口係爲排放口陣列中的一個,每一個排放口係裝配 有一個用於打開及關閉該排放口之閥體。 9 5 ·根據申請專利範圍第89項、第90項、第9 1項、或是第9 2項所述之裝置,其中該上方容室壁以及 27 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4说格(210X297公釐) -In r---1 i - - In --— m· - - - - I ___ _ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 4528 2 3 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 該下方容室壁在關閉時係被一個環形壓縮密封件所密封。 9 6 ·根據申請專利範圍第9 3項所述之裝置,其中 該上方容室壁以及該下方容室壁在關閉時係被一個在該空 間上方之環形壓縮密封件所密封。 9 7 ·根據申請專利範圍第9 4項所述之裝置,其中 該上方容室壁以及該下方容室壁在關閉時係被一個在該空 間上方之環形壓縮密封件所密封。 9 8 ·根據申請專利範圍第9 3項所述之裝置,其中 一個環形套筒係環繞該上方容室壁並且從該上方容室壁向 下地延伸在該空間上方,以便與該上方容室壁可旋轉地相 連,並且其中每一個出口係被定向以便直接處理流體底著 該環形套筒之內側表面而離開該出口。 9 9 ·根據申請專利範圍第9 8項所述之裝置,其中 該套筒之內側表面係爲向外地並且向下地擴大者,以便導 致處理流體到達該內側表面經由向心加速度而朝向該空間 向外地並且向下地流動。 1〇0 ·根據申請專利範圍第9 4項所述之裝置,其 中一個環形套筒係環繞該上方容室壁並且從該上方容室壁 向下地延伸在該空間上方,以便與該上方容室壁可旋轉地 相連,並且其中每一個出口係被定向以便直接處理流體底 著該環形套筒之內側表面而離開該出口。 1 0 1 ·根據申請專利範圍第1 0 0項所述之裝置, 其中該套筒之內側表面係爲向外地並且向下地擴大者,以 便導致處理流體到達該內側表面經由向心加速度而朝向該 28 本紙伕尺度適用中囤國家梯準(CNS ) A4说格(210X297公釐) ^^1 ^—^1 - - - - - -I ^^^1 - (请先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 452823 A8 B8 C8 ____D8 __ 六、申請專利範圍 空間向外地並且向下地流動^ - 1 II ---- I ^^1 .. - - — In ^^1 n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 0 2 * —種處理一個微電子工件之裝置,其係具有 一個前側、一個後側、以及一個外部周圍,該裝置係包括 有: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一個反應器,其係具有一個上方容室壁以及一個下方 容室壁,該上方容室壁以及該下方容室壁係被配置而打開 ,以便允許一個微電子元件可以承載進入該反應器用以處 理並且從該反應器中移除,該上方容室壁以及該下方容室 壁係被配置而關閉,以便將一個微電子工件支承在一個在 該上方容室壁以及該下方容室壁之間的處理位置中,該上 方容室壁以及該下方容室壁在關閉時係可以繞著一個垂直 軸而與一個支承在該處理位置之微電子工件可旋轉相連; 該上方容室壁以及該下方容室壁在關閉時係藉由一個 掣子機構而可釋放地彼此夾緊,該掣子機構係包括有一個 掣子環,該掣子環係爲藉由該上方容室壁以及該下方容室 壁中所選擇的一個所保持者,並且係適合於可移去地配合 在該上方容室壁以及該下方容室壁中剩下的一個的互補造 形凹部。 1 0 3 ·根據申請專利範圍第1 〇 2項所述之裝置, 其中該掣子環係爲由一個帶有一列向內成階部分之彈性材 料所製成者,該掣子環之該部分係使得該掣子環能夠從一 個未變形狀況而變形,其中該掣子環係具有一個互補的較 大直徑而進入一個變形狀況,其中該掣子環在該掣子環之 該部分係在徑向向內方向上被拖拉時係具有一個互補的較 本紙浪尺度適用中國國家梯率(CNS ) A4«l格(210X297公釐) 29____ 4^282δ Α8 Β8 C8 !________ D8 六、申請專利^ — — ~- 小直徑’該擊子環之該部分在該掣子環之該部分被釋放時 係使得該掣子環能夠返回至未變形狀況。 1 0 4 .根據申請專利範圍第1 〇 3項所述之裝置, 其中該掣子機構更包括有一列掣子打耳,每〜個掣子^耳 係分別與該掣子環之該部分中的一個相連,每〜個擊子打 耳在被致動時係適合在一個徑向向內方向上拖拉該挈子環 之該部分中相連的一個,並且每一個掣子打耳在未致動^ 係適合於釋放該掣子環之該部分中相連的一個。 1 ◦ 5,根據申請專利範圍第1 〇 4項所述之裝置, 其中該掣子機構更包括有一個致動環,其係適合於在該致 動環移動之一個有限範圍中上升及下降,其在上升時係適 合於致動該打耳,並且其在下降時係適合於未致動該打耳 1 Ο 6 ·根據申請專利範圍第1 Ο 5項所述之裝置, 其中該掣子機構更包括有一列氣動裝置,其在致動時係適 合於使該致動環上升。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 I I II,"I Ii. 訂 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁} 1 0 7 .根據申請專利範圍第1 〇 7項所述之裝置, 其中該致動環在該裝置未致動時係適合於氣動地下降。 1 0 8 種處理一個微電子工件之裝置,其係具有 —個前側、一個後側、以及一個外部周圍,該裝置係包括 有: —個反應器,其係具有一個上方容室萼以及一個下方 容室壁,該反應器係適合於將一個微電子工件支承在該上 方容室壁與該下方容室壁之間的一個處理位置,該上方容 _ 30 本紙诛ϋ用中國81家梯準(CNS ) A4洗格(2丨OX297公ίΰ " 4528 2 V. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 室壁與該下方容室壁係繞著一個旋轉軸而與一個支承在該 處理位置之微電子工件可旋轉地相連,該上方容室壁與該 下方容室壁的每一個係具有一個用於處理流體之進口; 一個上方處理容室,其係藉由該上方容室壁並藉由一 個支承在該處理位置之微電子工件所界定; 一個下方處理容室,其係藉由該下方容室壁並藉由一 個支承在該處理位置之微電子工件所界定,該上方處理容 室以及該下方處理容室在一個支承在該處理位置之微電子 工件外部周圍之外的一個區域係爲彼此流體相連通者; 該上方容室壁以及該下方容室壁中所選擇的一個係具 有一個用於處理流體而從該上方容室與該下方容室之出□ ,該出口係從一個旋轉軸向外地分隔; 該下方容室壁係具有一個上方表面,其係被造形以便 界定一個繞著該下方容室壁進口之環形貯槽,如果該液體 係擊中一個支承在該處理位置之微電子工件以及從一個支 承在該處理位置之微電子工件滴落,則該環形貯槽係用於 收集來自進入該下容室壁入口之處理流體的液體,並且當 向心加速度係施予所收集之液體時,則該環形貯槽係用於 將所收集之液體朝向出口而引導。 1 0 9 ·根據申請專利範圍第1 0 8項所述之裝置, 其中一個噴嘴係設在該下方容室壁之進口下方,用以引導 處理流體之噴流向上地穿過該下方容室壁之進口。 1 1 0 ♦根據申請專利範圍第1 〇 9項所述之裝置, 其中該噴嘴係具有複數個用於同時引導該處理流體複數個 31 _ 本紙張尺度適用中困國家橾率(CNS ) A4規格(210X297公釐1 " — ---------表------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 5 2 8 2 8 經濟部智慧財產局員工消黄合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 噴流並且向上地穿過該下方容室壁之進口的孔口。 111·根據申請專利範圍第110項所述之裝置, 其中該孔口係被定向以便導致所引導之噴流大略在該所引 導之噴流到達一個支承在該處理位置之微電子工件之處聚 合。 1 1 2 ·根據申請專利範圍第1 0 9項、第1 1 0項 、或是第1 1 1項所述之裝置,其中另一個噴嘴係被設置 在該被設在該下方容室壁進口下方之噴嘴的一側,用於引 導淨化氣體之一噴流橫越在設於該下方容室壁進口下方之 噴嘴。 1 1 3 · —種處理一個微電子工件之裝置,其係具有 一個前側、一個後側、以及一個外部周圍,該裝置係包括 有: 一個反應器,其係具有一個上方容室壁以及一個下方 容室壁,該上方容室壁以及該下方容室壁係被配置而打開 ,以便允許一個微電子元件可以承載進入該反應器用以處 理並且從該反應器中移除,該上方容室壁以及該下方容室 壁係被配置而關閉,以便將一個微電子工件支承在一個在 該上方容室壁以及該下方容室壁之間的處理位置中,該上 方容室壁以及該下方容室壁在關閉時係可以繞著一個垂直 軸而與一個支承在該處理位置之微電子工件可旋轉相連, 該上方容室壁以及該下方容室壁的每一個係具有一個用於 處理流體之進口; 一個上方處理容室,其係藉由該上方容室壁並藉由一 32 I ...... - - > 1--- -I ' 各-- -^—» (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4洗格(210X297公釐) 4528 2 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財A局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 個支承在該處理位置之微電子工件所界定; 一個下方處理容室’其係藉由該下方容室壁並藉由一 個支承在該處理位置之微電子工件所界定,該上方處理容 室以及該下方處理谷室在一個支承在該處理位置之微電子 工件外部周圍之外的一個區域係爲彼此相連通者; 該上方容室壁以及該下方容室壁中所選擇的一個係具 有一個用於處理流體而從該上方容室與該下方容室之出口 ,該出口係從一個垂直軸向外地分隔,該下方容室壁係具 有用於將一個支承在該處理位置之微電子工件在該下方容 室壁上方分隔一個給定距離之隔離片; S亥下方容室壁係裝設有一個上升機構,用於使一個支 承在該處理位置之微電子工件在該上方容室壁以及該下方 容室壁係被打開時,上升至一個在該下方容室壁上方一個 較大距離處的提高位置。 1 1 4 ·根據申請專利範圍第1 1 3項所述之裝置, 其中該上升機構係包括有一列上升桿件,每一個上升桿件 係可在一個操作位置與一個非操作位置之間樞轉並且偏斜 以便樞轉進入該操作位置,每一個上升桿件在該上方容室 壁以及該下方容室壁被關閉時係適合於從該操作位置樞轉 進入該非操作位置’每一個上升桿件在該上方容室壁以及 該下方容室壁被打開時係適合於從該非操作位置樞轉進入 該操作位置,每一個上升桿件係具有一個凸出部,其係適 合於在一個支承在該處理位置之微電子工件的下方凸出, 並且在從該非操作位置樞轉進入該操作位置時係適合使該 JJ I - - - - II -------- - 1 II - _ {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸浪尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4规格(210X297公釐) b ^ 0 2 3 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 微電子工件上升。 1 1 5 _根據申請專利範圍第1 1 4項所述之裝置, 在此該上升桿件係藉由一個銜接該上升桿件之彈性元件而 偏斜,並且在該上方容室壁以及該下方容室壁被關閉時維 持在一個比較高的張力之下,而在該上方容室壁以及該下 方容室壁被打開時維持在一個比較低的張力之下。 I tm mu In I— HILk tn. 1 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本K ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙浪尺度逍用中國國家梂準< CNS ) A4说格(210X297公釐)
TW088103580A 1998-03-13 1999-03-09 Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece TW452828B (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/041,649 US6318385B1 (en) 1998-03-13 1998-03-13 Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece
US09/041,901 US6350319B1 (en) 1998-03-13 1998-03-13 Micro-environment reactor for processing a workpiece
US09/113,435 US6264752B1 (en) 1998-03-13 1998-07-10 Reactor for processing a microelectronic workpiece
US11675099P 1999-01-22 1999-01-22
US11747499P 1999-01-27 1999-01-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW452828B true TW452828B (en) 2001-09-01

Family

ID=27534766

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088103580A TW452828B (en) 1998-03-13 1999-03-09 Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece
TW088103730A TW471059B (en) 1998-03-13 1999-03-11 Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088103730A TW471059B (en) 1998-03-13 1999-03-11 Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece

Country Status (8)

Country Link
EP (2) EP1085948B1 (zh)
JP (2) JP4189125B2 (zh)
KR (1) KR100555258B1 (zh)
CN (2) CN100342487C (zh)
AT (2) ATE299402T1 (zh)
DE (2) DE69926127T2 (zh)
TW (2) TW452828B (zh)
WO (2) WO1999046064A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI579228B (zh) * 2011-05-18 2017-04-21 應用材料股份有限公司 電化學處理器

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6900132B2 (en) 1998-03-13 2005-05-31 Semitool, Inc. Single workpiece processing system
US6423642B1 (en) * 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
US7217325B2 (en) 1999-01-22 2007-05-15 Semitool, Inc. System for processing a workpiece
US6492284B2 (en) 1999-01-22 2002-12-10 Semitool, Inc. Reactor for processing a workpiece using sonic energy
US6930046B2 (en) 1999-01-22 2005-08-16 Semitool, Inc. Single workpiece processing system
US6548411B2 (en) 1999-01-22 2003-04-15 Semitool, Inc. Apparatus and methods for processing a workpiece
US6680253B2 (en) 1999-01-22 2004-01-20 Semitool, Inc. Apparatus for processing a workpiece
US6969682B2 (en) 1999-01-22 2005-11-29 Semitool, Inc. Single workpiece processing system
JP3395696B2 (ja) * 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
FI118342B (fi) 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US7780867B1 (en) 1999-10-01 2010-08-24 Novellus Systems, Inc. Edge bevel removal of copper from silicon wafers
US6423636B1 (en) * 1999-11-19 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Process sequence for improved seed layer productivity and achieving 3mm edge exclusion for a copper metalization process on semiconductor wafer
US6286231B1 (en) 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
JP2001319849A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US8100081B1 (en) 2006-06-30 2012-01-24 Novellus Systems, Inc. Edge removal of films using externally generated plasma species
US9732416B1 (en) 2007-04-18 2017-08-15 Novellus Systems, Inc. Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction
CN103824757B (zh) * 2007-05-23 2018-11-23 细美事有限公司 基板干燥的装置与方法
KR101690047B1 (ko) * 2008-05-09 2016-12-27 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 장치 및 방법
US8419964B2 (en) 2008-08-27 2013-04-16 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers
JP4864949B2 (ja) * 2008-09-12 2012-02-01 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
US8172646B2 (en) 2009-02-27 2012-05-08 Novellus Systems, Inc. Magnetically actuated chuck for edge bevel removal
US8899246B2 (en) * 2011-11-23 2014-12-02 Lam Research Ag Device and method for processing wafer shaped articles
US9435025B2 (en) 2013-09-25 2016-09-06 Applied Materials, Inc. Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports
DE102014017451A1 (de) * 2014-11-26 2016-06-02 Eisenmann Se Anlage zum Behandeln eines Guts
DE102015001246B3 (de) 2015-01-31 2016-06-16 Audi Ag Reinigungsvorrichtung für eine mechanische Reinigung einer Gasdüse eines Schutzgas-Schweißbrenners
CN107497639B (zh) * 2017-09-27 2022-09-06 济南迈克阀门科技有限公司 一种阀盖浸塑工装

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3727620A (en) * 1970-03-18 1973-04-17 Fluoroware Of California Inc Rinsing and drying device
JPS5212576A (en) * 1975-07-21 1977-01-31 Hitachi Ltd Wafer washing drying device
US4439244A (en) * 1982-08-03 1984-03-27 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method of material removal having a fluid filled slot
US4838289A (en) * 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
US4439243A (en) * 1982-08-03 1984-03-27 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method of material removal with fluid flow within a slot
JPS609129A (ja) * 1983-06-29 1985-01-18 Fujitsu Ltd ウエツト処理装置
US4544446A (en) * 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
JPS61178187U (zh) * 1985-04-26 1986-11-06
JPH0444216Y2 (zh) * 1985-10-07 1992-10-19
JPS62166515A (ja) * 1986-01-20 1987-07-23 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 半導体製造装置の処理カツプ
US4788994A (en) * 1986-08-13 1988-12-06 Dainippon Screen Mfg. Co. Wafer holding mechanism
US4732785A (en) * 1986-09-26 1988-03-22 Motorola, Inc. Edge bead removal process for spin on films
JPS63185029A (ja) * 1987-01-28 1988-07-30 Hitachi Ltd ウエハ処理装置
JPH01120023A (ja) * 1987-11-02 1989-05-12 Seiko Epson Corp スピン現像装置
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US5168886A (en) * 1988-05-25 1992-12-08 Semitool, Inc. Single wafer processor
US5224504A (en) * 1988-05-25 1993-07-06 Semitool, Inc. Single wafer processor
JPH0264646A (ja) * 1988-08-31 1990-03-05 Toshiba Corp レジストパターンの現像方法及びこの方法に使用する現像装置
US5234499A (en) * 1990-06-26 1993-08-10 Dainippon Screen Mgf. Co., Ltd. Spin coating apparatus
DE4024576A1 (de) * 1990-08-02 1992-02-06 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zum einseitigen aetzen einer halbleiterscheibe
DE4109955A1 (de) * 1991-03-26 1992-10-01 Siemens Ag Verfahren zum nasschemischen aetzen einer wolframrueckseitenbeschichtung auf einer halbleiterscheibe
JP3241058B2 (ja) * 1991-03-28 2001-12-25 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置及び回転式塗布方法
JPH0513322A (ja) * 1991-07-09 1993-01-22 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 被膜溶剤塗布装置
JPH0521332A (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 Oki Electric Ind Co Ltd レジスト除去装置
JP2591555B2 (ja) * 1991-12-20 1997-03-19 東京応化工業株式会社 塗布装置
DE4202194C2 (de) * 1992-01-28 1996-09-19 Fairchild Convac Gmbh Geraete Verfahren und Vorrichtung zum partiellen Entfernen von dünnen Schichten von einem Substrat
US5439519A (en) * 1992-04-28 1995-08-08 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Solution applying apparatus
JPH05326483A (ja) * 1992-05-15 1993-12-10 Sony Corp ウエハ処理装置およびウエハ一貫処理装置
JP2654314B2 (ja) * 1992-06-04 1997-09-17 東京応化工業株式会社 裏面洗浄装置
JP3030796B2 (ja) * 1992-07-24 2000-04-10 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法
US5474807A (en) * 1992-09-30 1995-12-12 Hoya Corporation Method for applying or removing coatings at a confined peripheral region of a substrate
JP3388628B2 (ja) * 1994-03-24 2003-03-24 東京応化工業株式会社 回転式薬液処理装置
KR100284559B1 (ko) * 1994-04-04 2001-04-02 다카시마 히로시 처리방법 및 처리장치
JP3521587B2 (ja) * 1995-02-07 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法
JPH09181026A (ja) * 1995-12-25 1997-07-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造装置
JPH104076A (ja) * 1996-06-15 1998-01-06 Sony Corp 枚葉型ウエハ洗浄装置
US5897379A (en) * 1997-12-19 1999-04-27 Sharp Microelectronics Technology, Inc. Low temperature system and method for CVD copper removal
JP3395696B2 (ja) * 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI579228B (zh) * 2011-05-18 2017-04-21 應用材料股份有限公司 電化學處理器

Also Published As

Publication number Publication date
EP1091811B1 (en) 2005-07-13
JP4189125B2 (ja) 2008-12-03
CN1599025A (zh) 2005-03-23
CN100342487C (zh) 2007-10-10
EP1085948A1 (en) 2001-03-28
DE69926127D1 (de) 2005-08-18
WO1999046064A1 (en) 1999-09-16
CN1292736A (zh) 2001-04-25
ATE255962T1 (de) 2003-12-15
DE69913521D1 (de) 2004-01-22
EP1085948B1 (en) 2003-12-10
CN1167518C (zh) 2004-09-22
WO1999046065A1 (en) 1999-09-16
EP1091811A1 (en) 2001-04-18
KR20010052209A (ko) 2001-06-25
EP1091811B8 (en) 2005-12-07
ATE299402T1 (de) 2005-07-15
JP2003517364A (ja) 2003-05-27
DE69913521T2 (de) 2004-10-14
JP2002506294A (ja) 2002-02-26
DE69926127T2 (de) 2006-05-11
EP1085948A4 (en) 2002-01-23
TW471059B (en) 2002-01-01
KR100555258B1 (ko) 2006-03-03
EP1091811A4 (en) 2002-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW452828B (en) Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece
US7399713B2 (en) Selective treatment of microelectric workpiece surfaces
US6447633B1 (en) Reactor for processing a semiconductor wafer
TW440896B (en) Spin-rise-drying process for electroplated semiconductor wafers
TWI330864B (en) Enhanced wafer cleaning method
TW516086B (en) Integrated semiconductor substrate bevel cleaning apparatus and method
US6446643B2 (en) Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece
TW569284B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7429537B2 (en) Methods and apparatus for rinsing and drying
WO2004020704A1 (en) Apparatus and method for deposition of an electrophoretic emulsion
US6558470B2 (en) Reactor for processing a microelectronic workpiece
TW202013491A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TW202040737A (zh) 晶圓處理工具與其方法
KR102090419B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TW513760B (en) Liquid processing apparatus and method
TW462090B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TWI710414B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法、延遲期間設定方法及記錄媒體
WO2002027767A2 (en) Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same
JP5191254B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102470463B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW202029320A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TW559571B (en) Apparatus and method for processing a workpiece
CN208422891U (zh) 防止基板下垂装置及包括其的基板处理装置
TWI275138B (en) Phobic barrier meniscus separation and containment
TW587276B (en) Wafer-cleaning device

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent