TW452828B - Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 321
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims description 75
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 306
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 55
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 136
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 57
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 43
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 29
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 28
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 25
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 21
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 18
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 7
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims 25
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 3
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 claims 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 230000002861 ventricular Effects 0.000 claims 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- -1 vapor Substances 0.000 description 2
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 2
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 1
- 241000257303 Hymenoptera Species 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 241000209140 Triticum Species 0.000 description 1
- 235000021307 Triticum Nutrition 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 210000005069 ears Anatomy 0.000 description 1
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002996 emotional effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000005180 public health Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002560 therapeutic procedure Methods 0.000 description 1
- 230000001755 vocal effect Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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經濟部智慧时產笱W工消费合作社印製 ί ' 4 5 2 8 2 j Α7 Β7 五、發明説明(ί ) 發明背景 產業界係不斷地尋求來改良用於製造微電子電路之過 程,例如是從晶圓製造積體電路之過程。這些改良係以不 同形式呈現,但是一般來說係具有一個或是多個目的作爲 所期望之目標。這些許多改良過程之自的係包括有:(1 )降低處理一個晶圓以形成所期望積體電路所需之時間; (2)例如藉由降低在處理期間晶圓污染之可能性而增加 每一晶圓可使用積體電路之產量;(3)降低將一個晶圓 轉變爲所期望積體電路所需之步驟數;以及(4)例如藉 由降低相關於處理所需化學品之成本而降低將晶圓處理爲 所期望積體電路之成本。 在晶圓之處理中,通常需要使晶圓之一側或是多側暴 露在一種可能是液體、蒸氣、或是氣體形式之流體中。此 等流體係被使用於例如是蝕刻晶圓之表面、淸潔晶圓之表 面、使晶圓表面乾燥、鈍化晶圓之表面,在晶圓表面上沉 積薄膜等等。處理流體之物理參數(例如是溫度、分子組 成、劑量等等)的控制對於處理操作之成功與否通常是相 當重要的。因而,將此等流體注入至晶圓表面係在一種受 控環境下進行。典型的是,此等晶圓處理係在一種普遍已 知之反應器中進行。 不同之反應器結構與構型在產業界中係爲已知且被使 用者。一種此等反應器係被S e m i t ο 〇 1公司所使用 ,並且係被使用在其E Q u i η ο x®品牌之處理工具中 。一般說來,反應器係爲由一個包括有一固定罩帽之罩帽 • _ Ί 本紙俵尺度適用中國國家樣準(CNS ) Α4規格(210x29*7公釐) -. Μ I . 452828 A7 經濟部智慧財產苟^:工消夤合作社印製 五、發明説明(> ) 組件所構成,該固定罩帽係爲由一種不會與被使用於特殊 晶圓處理步驟之處理流體產生化學反應之材料所構成者。 在該罩帽之中,係設置有複數個噴嘴或是其他用於將流體 注入該罩帽中之機構。固定之罩帽係具有一個開放頂端部 分α —個支承晶圓之轉子頭部組件係被使用來密封該罩帽 之頂部,用以界定出一個處理容室’而晶圓係容置在該處 理容室中來進行處理。除了將晶圓置入該處理容室中之外 ,該轉子頭部組件係可以被使用以使得晶圓在將處理流體 注入晶圓表面期間或是在處理之後能夠旋轉,從而將處理 流體移除。 在處理期間,晶圓係藉由在出現有許多處理頭部之大 致上潔淨環境中操作之機器人裝置而提交至轉子頭部組件 。機器人裝置係將在一個暴露狀態下之晶圓以一個使欲處 理晶圓之一側朝向上方的方向而提交至轉子頭部組件。該 轉子頭部組件係使晶圓反轉並且與該罩帽銜接並密封來進 行處理。當晶圓處理時,晶圓係被定向以使得使欲處理晶 圓之一側朝向下方。 先前所述之反應器建構與構型對於在積體電路生產中 所使用之流體處理步驟而言是相當有用的。然而’本發明 係已承認未來積體電路製造程序之要求最終將需要來自反 應器之更多控制以及更經濟的效率。因而’ 一個大致上新 的處理方法以及反應器設計係已被接受,其係提供普遍使 用在微電子製造之流體處理更大的控制’其更進一步地係 提供了在實行上以及執行上更先進以及改良之程序。另外 本纸張·尺度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4規格(210 乂 297公釐) 經濟部智慧財產局g£消賢合作社印製 452828 五、發明説明(今) ,反應器係包括有數個有利的機械特點,包括有允許反應 器與機械人晶圓傳送裝置能夠一起使用之特點、允許反應 器對於不同的程序能夠輕易地重新構型、以及允許反應器 之處理容室能夠容易地移除並且進行維修保養。 發明槪要 在此係揭露了一種在微環境中處理一個工件之裝置。 該裝置係包括有一個轉子馬達以及一個工件外殻。該工件 外殻係被連接而能藉由該轉子馬達而旋轉。該工件外殼更 界定了一個大致上關閉之處理容室,其中一種或是多種處 理流體係經由在該外殼旋轉期間所產生之向心加速度而散 佈橫越在該工件之至少一個表面上。在此亦揭露了對於該 裝置之不同增強手段及使用該裝置之過程。 圖示簡單說明 第一圖係爲根據本發明一個實施例所建構之一個微電 子工件外殼以及一個轉子組件的截面圖; 第二圖係爲根據本發明之技術所建構一個微電子工件 外殼以之一個更進一步實施例的分解圖; 第三圖係爲第二圖中工件外殼在一個組合狀態下之俯 視平面圖; 第四圖係爲第三圖中工件外殼沿著線I V — I V所截 之截面圖; 第五圖係爲第三圖中工件外殼沿著線V - V所截之截 (請先.¾請背面之·;i..-t?f項年埦巧木頁) --------衣---- ST - * i An nr(^i ^紙張尺度適用中國囤家標準(CNS·) Λ4規格U10X 2^7公釐) ~~ 452828 A7 ____ B7_ 五、發明説明(4 ) 面圖: ---------π! (請先Μιί背而之;..1έ芥'?洱4f·:-本頁) 第六圖係爲第三圖中工件外殼沿著線V I — V I所截 之截面圖; 第七A圖以及弟七B圖係爲顯不工件外殼處於關閉狀 態並且連接至一個旋轉驅動組件之截面圖; 第八A圖以及第八B圖係爲顯示工件外殼處於打開狀 態並且連接至一個旋轉驅動組件之截面圖; 第九圖係說明了幫助上方晶圓表面與下方晶圓表面在 工件外殼中之相互不相容處理的一個邊緣構型的一個實施 例; 第十圖係說明了連同一個自身抽汲重新循環系統一起 使用之工件外殻的一個實施例; 第十一圖以及第十二圖係爲使用本發明典型處理工具 之圖示; 第十三圖係說明了根據本發明之原理所建構之一個 分批晶圓處理工具: 經濟部皙总財產局to;工消費合作社印製 第十四圖係說明了一個反應器之一個更進一步的實施 例’該反應器所包括之特點有其係良好地適合與工件傳送 自動操作設備整合,其中反應器係處於打開狀態用於承載 /卸載一個欲處理之工件。 第十五圖係說明了第十四圖中反應器之實施例,其中 反應器係處於一個關閉處理狀態。 第十六圖係說明了一個偏斜元件之一個實施例,該偏 斜元件係可以使用在第十四圖之反應器中; }紙铁纽朗t關家料(CNS ) ,\&格(210.<^公# ) ~~ 4 528 2 8 A7 _______B7_ 五、發明説明(S ) 第十七圖係說明了一個系統,其中先前所述之反應器 係被使用以執行一個沖洗/乾燥過程; --- f ------^ - I (請先聞讀背而之.;.£-念卞項再43本!!)0 第十八圖係爲反應器之部分切除立體圖; 第十九圖係爲反應器沿著其中央垂直軸所截之截面圖 t 第二十圖係爲第三圖中所繪之圓圈之中反應器確切元 件之放大詳細視圖; 第二十一圖以及第二十二圖係爲第二十圖中所示部分 在繞著反應器之不同位置處更進一步的放大詳細視圖; 第二十三圖係爲使用在反應器中一個轉子之之放大立 體圖; 第二十四圖係爲使用在反應器中一個下方容室壁與四 個上升桿件之放大立體圖;以及 第二十五圖以及第二十六圖係爲兩個不同位置所視一 個上升桿件更進一步的放大詳細視圖。 發明詳沭 經濟部智慧財產局W工消費合作社印製 第一圖係爲根據本發明之教導所建構之一個反應器的 一個實施例的截面圖,該反應器大體上係以元件符號1 〇 來標示。第一圖中反應器1 〇之實施例大體上係由一個轉 子部分1 5以及一個微電子工件外殼2 0所構成。該轉子 部分1 5係包括有複數個支承器兀件2 5,其係從該轉子 部分1 5向下地延伸以銜接至該工件外殼2 〇。每—個支 承器兀件2 5係包括有一個溝槽3 0,其尺寸係被設計以 ------ t張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X29?公釐} —~ ----- 452828 經濟部眢慧財產苟員工消費合作社印製 A7 B7_______ 五、發明説明() 銜接一個徑向延伸之凸緣3 5,其中該凸緣3 5係爲繞著 該工件外殼2 0之周圍區域所延伸者。該轉子部分1 5更 包括有一個轉子馬達組件4 0,其係被安置以使得一個轂 部分4 5包括該支承器元件2 5而繞著一個中央軸4 7旋 轉。因此,當該支承器元件2 5係與該凸緣3 5相銜接時 ,工件外殼2 0係被固定用以與該轂部份4 5 —同旋轉^ 轉子部分1 5之其他建構以及用於與工件外殼2 0相固定 之銜接機構亦可以被使用。 第一圖實施例中之工件外殼2 0係界定出一個大上關 閉之處理容室5 0。較好的情況是,該大致上關閉之處理 容室5 0係依照微電子工件5 5大體上之形狀所形成,並 且緊密地符合工件之表面。第一圖之特殊結構係包括有一 個上方容室元件6 0,其係具有一個內部容室表面6 5。 該上方容室表面6 0在該內部容室表面6 5上係包括有一 個中央安置之流體進口 7 〇。該特殊結構亦包括有一個下 方容室元件7 5,其係具有一個內部容室表面8 〇。該下 方容室元件7 5在該內部容室表面8 〇上係具有一個中央 安置之流體進口 8 5。該上方容室元件6 〇以及該下方容 室元件7 5係彼此銜接以界定出該處理容室5 〇。該上方 容室元件6 0係具有從該內部容室表面6 5向下凸出之側 壁9 Q。一個或是多個出口 1 〇 〇係被安置在該處理容室 5 0之周圍區域處並穿過該側壁9 〇,以允許在該容室5 0之中的流體能夠經由在該外殼2 〇繞著該軸4 7旋轉時 所產生之向心加速度而從該處離開。 (請先閱分·背而之';1意声項再填.^"斤二
木紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x 297公康) 452828 A7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明説明(9 ) 在所說明之實施例中,微電子工件5 5—般來說係爲 具有上方平面表面以及下方平面表面之圓形晶圓。因而, 該處理容室5 0在平面圖中係爲大體上圓形者’而該內部 容室表面6 5與8 0係爲大體上平面且平行於該工件5 5 之上方平面表面與下方平面表面。在該內部容室表面6 5 及8 0與該工件5 5之上方平面表面及下方平面表面之間 的間隙大體上是非常小的。此等間隙較好是被最小化,以 提供流經該間隙區域之處理流體在物理性質上大致的控制 0 晶圓5 5係藉由複數個間隔元件1 〇 5而與該內部容 室表面8 0相分隔,其中該間隔元件1 0 5係爲從該內部 容室表面8 0所延伸者。較佳的情況是,一組更進—步之 間隔元件1 1 〇係從該內部容室表面6 5而延伸’並且係 對準該間隔元件1 0 5以將該晶圓5 5抓緊在其二者之間 〇 該流體進口 7 0與8 5係提供了通連通道’一種或是 多種處理流體係可以經由該通連通道而進入到該容室5 0 中用以處理晶圓表面。在所說明之實施例中,處理流體係 從晶圓5 5之上方經由一個流體供應管件1 1 5而傳送至 進口 7 0 ’其中該流體供應管件1 1 5係具有一個安置在 鄰近該進口 7 0處之流體出口噴嘴1 2 0。該流體供應管 件1 1 5係中央地延伸穿過該轉子部分1 5並且與該旋轉 軸4 7較好係爲同軸者。同樣地,處理流體係從晶圓5 5 之下方經由-個流體供應管件12 5而傳送至進口 8 5。 --------- ---—___ 心張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) I--,^--- (請先閱讀背面之·;'i*:p.'rl4填·!·:-本打) 訂 經濟部穿慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(χ ) 該流體供應管件1 2 5係終結於一個鄰近該進α 8 5所安 置之分嘴1 3 0。雖然該噴嘴1 2 0與1 3 〇係終結於一 個與其個別進口相分隔之位置處,將會明瞭的是該管件1 1 5與1 2 5係可以延伸以使得間隙1 3 5不會出現。更 確切地說,噴嘴1 2 0與1 3 0或是管件1 1 5與1 2 5 係可以包括有分別與上方容室表面與下方容室表面6 0與 75在進口70與85之區域中鄰接且密封之旋轉密封元 件。在此等情況下,在旋轉接合之設計上應特別注意’以 便使得來自任何移動部件之磨損所造成之任何污染能夠最 小化。 在處理期間,一種或是多種處理流體係單獨地或是同 時地經由流體供應管件1 1 5與1 2 5以及進口7 0與8 5而供應,用以與容室5 0中工件5 5之表面相接觸。較 佳的情況是,外殼2 0在處理期間係藉由該轉子部分1 5 而繞著軸4 7旋轉,用以經由向心加速度之作用而使得在 該容室5 0之中的任何流體產生一個橫越該工件5 5表面 的連續流動。因此,進入該進口 7 0與8 5之處理流體係 被驅使而在一個從工件5 5中心至工件5 5外部周界徑向 向外的方向上橫越工件表面。在工件5 5之外部周界處, 任何消耗之處理流體由於向心力之作用係被引導而經由出 口1 0 0離開該容室5 0。消耗之處理流體係可以聚集在 一個安置在該工件外殼2 0下方或是繞著該工件外殼2 0 所安置之罩帽貯存槽中。如同將在下文另一實施例中所述 者’該工件外殼2 0之周圍區域係可以被建構以有效地將 本紙法尺度制中ϋϋ家標準(CNS ) Λ4規格(21GX』公羞) {诗先閱讀背雨之:;£念"項再填'1V:J本汀:
A Γ --1 452828 A7 -_______B7 五、發明説明(q ) ---------- -- (讀先閱讀背而之注意枰項443本汀) 經由進□7 〇所供應之工作流體與經由該進口 8 5所供應 之處理流體相分離,以使得晶圓5 5之相反表面係能夠以 不同之處埋流體來進行處理。在此等配置中,處理流體係 可以分離地聚集在該外殼2 〇之周圍區域來進行處理或是 重新循環。 經濟部智惡財產馬員工消費合作社印製 在第〜圖之實施例中,該工件外殼2 0係可以構成一 個單一晶圓容器茄係可以被使用已將工件5 5在不同的處 理站以及/或者工具之間傳送。如果該外殻2 0在處理站 以及/或者工具之間的傳送係在一個無塵室中進行,該外 殼2 0之不同開口並不需要密封。然而,如果此等傳送必 須在一種晶圓污染將會發生的環境下進行,則不同外殼開 口隻蜜蜂則必須被執行。例如,進口 7 0與8 5每一個係 可以設有個別之聚合物隔膜,而該隔膜係具有被安置穿過 該隔膜之狹縫。在此情況中該流體供應管件1 1 5與1 2 5之每一個端部係可以終結爲一個有痕(t r a c 〇 r ) 結構,其係可以被使用以延伸穿過該個別隔膜之狹縫並且 將處理流體導入該容室5 0中。此等有痕/有槽之隔膜結 構係被使用在醫療產業之靜脈裝置中。用於隔膜之聚合物 材料的選擇應該考慮到將導入其間之特殊處理流體。出口 1 〇 0之相似密封係可以被接受,而一旦該外殻2 0係位 於無塵室環境中時,該有痕結構係被插入該隔膜中。 或者,該出口1 0 0係可以被建構在限制流體從外部 進入到該外殼2 0之能力時,用以允許來自該處理容室之 流體能夠從其間離開。此效應係可以藉由例如是將該開口 本紙張尺度適用令國國家樣準(〇奶)/\4規格(21〇乂297公缓) 452828 經濟部智慧財產局WK工消費合作社印製 B7 五、發明説明(l〇 ) 1〇 〇建構爲噴嘴而被達成,如此在容室5 〇內部之該流 體流動開口係具有一個較在容室5 〇外部之開口爲大的直 徑。在一個更進一步之結構中,一個旋轉閥體兀件係可以 連同複數個出口1 0 〇而使用。該閥體元件,例如是—個 帶有相應於該出口10 0位置之開口的環,其將被安置鄰 近該開口1 0 0,並且在傳送期間其將被旋轉以密封該出 口1 ο 〇。該閥體元件將被旋轉至一個出口1〇 〇在處理 期間係爲打開之位置。例如氮氣之惰性氣體係可以就在外 殻傳送至一個順序工具或是處理站之前經由供應管件11 5與1 2 5而被噴入該容室5 0中。其他用於密封該出D 100以及進口70與85之不同機構亦可以被使用。 第二圖係爲一個更進一步之反應器結構,其中該反應 器係安置在一個固定的處理站並且係可以打開及關閉以幫 助工件之插入與抽出。大體上以元件符號2 0 0所標示之 反應器係分別由可分離之上方容室元件以及下方容室元件 2 0 5與2 1 0所構成者。如同在先前的實施例中,該上 方容室元件2 0 5係包括有一個大體上平面容室表面2 1 5,而該表面2 1 5係具有一個中央安置之進口 2 0 〇。 雖然並未顯示在第二圖中,該下方容室元件2 1 0同樣地 具有一個大體上平面的內部容室表面2 2 5,其係具有一 個安置穿過其間之中央進口2 3 0。該上方容室元件2 0 5係包括有一個向下延伸之側壁2 3 5,其例如可以由一 密封聚合物材料所形成或是可以與該元件2 〇 5之其他部 分一體成型。 本紙铢尺度適用中國國家.樣準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ---------:έ------IT------τ· 1 (诗先¾讀f面之:/Ε..έ¥.項再堆re?木) 4 52 8 2 經濟部智慧財是局員工消旁合作社印製 A7 B7 五、發明説明( 該上方容室元件以及該下方容室元件2 0 5與2 1 0 係可以彼此分離以在其間接受一個工件。由於一個安置在 其間之工件,該上方容室元件以及該下方容室元件2 0 5 -與2 1 0係朝向彼此移動以形成一個容室,其中該工件係 被支承在一個與該平面內部容室表面2 1 5與2 2 5相分 隔的位置。在揭露於第二圖至第八B圖之反應器的實施例 中,例如是一個半導體晶圓之工件在該上方容室元件以及 該下方容室元件係被連結以形成該容室時(見第七圖), 係被夾緊在複數個支承器元件2 4 0與相應間隔元件2 5 5之間的適切位置。該上方容室元件以及該下方容室元件 朝向彼此以及遠離彼此之軸向移動係爲藉由複數個固定件 3 0 7所幫助者,其結構將在下文中更深入詳細地說明。 較佳的情況是,該複數個固定件3 0 7係使得該上方容室 元件以及該下方容室元件偏斜至一個例如在第七A圖中所 說明之關閉位置。 在所說明之實施例中’複數個晶圓支承器元件2 4 0 係繞著該上方容室元件2 0 5之周圍區域而在該側壁2 3 5徑向外部之一個位置處延伸。該晶圓支承器元件2 4 0 較好是爲了沿著軸2 4 5線性移動而被安置’以允許該支 承器元件2 4 0在該上方容室元件以及該下方容室元件係 位於關閉位置時能夠抵著該間隔元件2 5 5而夾緊晶圓’ 並且允許該支承器元件2 4 0在該上方容室元件以及該下 方容室元件係爲分離時(見第八八圖)能夠使晶圓從此等 夾緊作用之中釋放。每一個支承器元件2 4 0係包括有— (請先閲讀背面之注憑麥項洱填巧衣玎) I /於 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(2丨0X297公慶) 452828 A7 __B7 _ 五、發明説明(、二) (請先閱讀背面之注意事項再填tr本VS ) 噪! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 個支承臂2 5 0,其係雹向該上方容室元件2 0 5之中央 徑向地延伸。每一臂2 5 0之一個端部係置於一個相應的 間隔元件2 5 5上,其中該間隔元件2 5 5係爲從該內部 容室表面2 1 5所延伸者。較佳的情況是,每一個間隔元 件2 5 5係爲一個圓錐的形狀,該圓錐係具有一個鄰近該 支承臂2 5 0端部之頂點。刻痕2 9 5係被安置在該下方 容室元件2 1 0之周圍部分,並且銜接該晶圓支承器元件 2 4 0之渾圓下方部分3 0 0。當該下方容室元件2 1 0 被向上推至關閉位置時,該刻痕2 9 5係銜接該支承器元 件240之端部300,並且驅使該端部3 0 0係上以將 晶圓5 5固定在該支承器2 4 0之臂2 5 0與相應間隔元 件2 5 5之間。此一關閉位置係說明在第五圖中》在關閉 位置中’該刻痕2 9 5以及該上方容室元件之相應刻痕2 9 6 (見第二圖)係在該反應器2 〇 〇之周圍區域處提供 了複數個出口。每一個支承器元件2 4 Q之臂2 5 〇的徑 向對準係藉由一個固定銷3 0 8所維持,該固定銷3 〇 8 係延伸穿過側向溝槽3 0 9,而該側向溝槽則係被安置穿 過每一支承器元件之上方部分。 允許該上方容室元件以及該下方容室元件朝向以此以 及遠離彼此移動之固定件3 〇 7的結構係說明在第二圖、 第六圖、以及第七6圖中。如同圖示中所顯示者,該下方 容室元件2 1 〇係包括有複數個中空圓柱2 7 〇 ’其係被 固疋並且在該上方容室元件2 〇 5之周圍區域處向上延伸 穿過相應之穿孔2 7 5,用以形成每—個固定件3 〇 7之 本紙铁尺度逋用*關家標準(CNS ) A4規格(210><2^公董]---—--- 452828 :啓. A7 _B7 五、發明説明(A ) 下方部分。桿件2 8 0係延伸進入該圓柱2 7 0之中空之 中,並且係被固定以形成每一固定件3 0 7之上方部分。 該桿件2 8 0與該圓柱2 7 0係一起形成了該固定件3 0 7,而允許了在該上方容室元件與該下方容室元件2 0 5 與2 1 0之間沿著軸2 8 3而在打開與關閉位置之間的相 對線性移動。兩個凸緣2 8 5與2 9 0係被安置在每一桿 件2 8 0之上方部分處。凸緣2 8 5係作爲·一個止擋元件 ,其係限制了在打開位置下在該上方容室元件與該下方容 室元件2 0 5與2 1 0之間分離的寬度。凸緣2 9 0係提 供了一個表面,例如是一個彈簧(見第六圖)或相似部件 之偏斜元件係可以抵著該表面而作用,用以使該上方容室 元件與該下方容室元件2 0 5與2 1 0偏斜至關閉位置。 參照第六圖,該彈簧3 0 3或相似部件係具有一個定 位在一個圓形溝槽3 0 5之中的第一端,其中該圓形溝槽 3〇5係爲繞著各別固定件3 0 7而延伸者。每一彈簧之 第二端則係在一個壓縮狀態下被安置以銜接各別固定件3 0 7之凸緣2 9 0,從而導致該彈簧產生一個驅使該固定 件3 0 7及該下方容室元件2 1 0向上而與該上方容室元 件205相銜接之作用力。 該反應器2 0 0係被設計在工件之處理期間繞著一個 中央軸而旋轉。爲了這個目的,一個中央安置之軸桿2 6 0係從該上方容室元件2 0 5之一個上方部分延伸。如同 將在以下第七A圖至第八B圖中更詳細地說明者,該軸桿 2 6 0係被建構以銜接一個旋轉驅動馬達用於該反應器2 (請先閱讀背面之浼"_項#^""本砰 經濟部5曰^財4^8工消費合泎社印製 ----^ ..________________ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2Ι0Χ297公釐) 4 經濟郝智毪財走約肖工消費合作社印製 528 2 8 A7 B7 五、發明説明(a ) 0 0之旋轉驅動。該軸桿2 6 0係被建構以具有一個中央 安置之流體通道(見第四圖),一個處理流體係可以經由 該流體通道而供應至該進口 2 2 0。或者,該中央通道係 可以作爲一個用於一個分離流體進口導管或是相似部件之 導官。 如同在第三圖以及第四圖中所說明者,複數個選配溢 流通道3 1 2係從該上方容室元件2 0 5之一個中央部分 徑向地延伸。軸桿2 6 0係終結於一個擴大的端部3 1 5 ,其係具有進口刻痕3 2 0,該進口刻痕3 2 0係提供了 在該處理容室310之方部分與該溢流通道312之間的 流體連通。該軸桿2 6 0之擴大端部3 1 5係與該上方容 室元件2 0 5以及例如是一個裝設板3 2 5固定在一起。 該裝設板3 2 5係轉而經由複數個固定件3 3 0 (第五圖 )而固定至該上方容室元件2 0 5。當流至該容室3 1〇 之流體超過來自該容室周圍出口之流體流動時,溢流通道 3 1 2係允許處理流體能夠離開該容室3 1〇。 第七Α圖以及第七Β圖係爲顯示反應器2 0 0處於關 閉狀態並且連接至一個大體上以4 0 0所標示之旋轉驅動 組件之截面圖,而第八A圖以及第八B圖則係爲顯示反應 器2 0 0處於打開狀態之相似截面圖。如同圖示中所顯示 者,軸桿2 6 0係向上延伸進入該旋轉驅動組件4 0 0之 中。該軸桿2 6 0係設有與一個定子4 0 5形成一個旋轉 驅動馬達組件410所需之部件。 如同在第一圖之實施例中,該上方容室元件與該下方 16 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2!0X 297公釐) ---------裝—— (請先Μ讀背而之注意事項再填Ϊ'-:Γ本I ) Α7 Β7 4528 2 8 五、發明説明(6) ,室元件2 0 5與2 1 0係結合以界定大致上關閉之處理 谷室3 1 〇,在較佳實施例中,該大致上關閉之處理容室 3 1 〇係大致上符合工件5 5之形狀。較佳的情況是,晶 圓5 5係被支承在該容室3 1 〇之中—個使該晶圓之上方 表面與下方表面與該內部容室表面2丨5與2 2 5相分隔 的位置。如同上文中所敘述者’此等支承係爲藉由該支承 器元件2 4 〇與該間隔元件2 5 5所幫助者,其中該支承 器元件2 4 〇與該間隔元件2 5 5係在該反應器2 0 0位 於第七A圖與第七B圖之關閉位置時夾緊晶圓5 5之周圍 邊緣。 晶圓5 5之處理係在第七A圖與第七b圖之關閉位置 中進行。由於晶圓係固定在該處理容室3 1 〇之中,處理 流體係經由該軸桿2 6 0之通道4 1 5以及進口 2 2 0而 被供應進入該容室3 1 0之內部。同樣第,處理流體亦經 由一個引導流體流經進口 2 3 0之流體供應管件1 2 5而 供應至容室3 1 0。當該反應器2 0 0係藉由旋轉驅動馬 達組件4 1 0而旋轉時,經由進口220與23 0所供應 之任何處理流體係藉由向心加速度所產生之作用力而被驅 動橫越在晶圓之表面上消耗之處理流體係從位於該反應 器2 0 0周圍區域處藉由該刻痕2 9 5與2 9 6所形成之 出口而離開該處理容室3 1 0。由於該支承器元件2 4 0 並非被建構以阻隔所產生之流體流動,因此此等出口係爲 存在者。或者,或是另外,更進一步之出口係可以被提供 於該周圍區域。 -----------^------1Γ------.'I {請先閱讀背而之注意麥項再填·<>:,本S) 經濟部皙总財產局肖工消費合作社印发 本紙瘅尺度適用中團國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 452828 A7 經濟部背祛財凌笱肖工消費合作社印製 五、發明説明(Λ ) —旦處理完成時’該反應器2 0 0係被打開以允許對 於晶圓之存取,例如第八A圖以及第八B圖中所顯示者。 在處理之後,致動器4 2 5係被使用以驅動一個致動環4 3 〇向下而與該固定件3 0 7之上方部分相銜接。固定件 3 0 7係被驅動來對抗該下方容室元件2 1 〇所導致彈簧 3 0 3之偏斜,用以下降並與該上方容室元件2 0 5分離 。當該下方容室元件2 1 0係被下降時,該支承器元件2 4 0係在重力之影響下而跟隨該下方容室元件2 1 0,或 是抵抗一個偏斜兀件之影響,而在同時使晶圓5 5下降。 在較低位置中,該容室3 1 0係被打開從而將晶圓5 5暴 露出來,而能夠移除以及/或是允許一個新的晶圓能夠插 入該反應器2 0 0之中。此等差入籍抽出係可以經由手動 或是自動機械人裝置而進行。 先前之配置係使得該反應器2 0 0特別適合於藉由例 如是一個機械人傳送機構或相似部件之自動工件承載與卸 載。如同從第七A圖以及第八A圖之比較中能夠明顯看出 的’在工件之上方表面與上方容室元件2 0 5之內部容室 壁之間的間隙係隨著反應器2 0 0位於打開狀態或是關閉 狀態而改變。當其位於打開狀態時,該工件之上方表面係 與上方容室元件205之內部容室壁分隔一個距離XI, 此係提供例如是一個機械人傳送機構之一個工件傳送臂的 操作一個充足的間隙。當位於關閉位置時,該工件之上方 表面係與上方容室元件2 〇 5之內部容室壁分隔一個距離 X 2 ’此距離X 2係較X1爲小。距離X 2在所揭露之實 n n In - HI - n- - —1 / - - - n κ τ. .--1 (請先閱讀背而之注#f項44>ΐ本) 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) 4 528 2 8 經濟部时走,ήΗ工消骨合作社印製 A7 ______B7 __ 五、發明説明(J ) 施例中係可以被選擇以相應於在工件處理操作期間所期望 之間隙。 第九圖係說明了一個邊緣構型,其係幫助了晶圓5 5 每一側邊之分離處理。如同所說明者 > 一個劃分元件5 0 0係從該處理容室3 1 0之側壁2 3 5延伸至一個緊鄰晶 圓5 5未邊緣之位置。該劃分元件5 0 0不同之形狀,而 所說明之漸縮形狀僅爲其中之一種構型。該劃分元件5 0 0較好是繞著該容室3 1 0之整個周圍而延伸。一個第一 組一個或是多個出口 5 1 0係被安置在該劃分元件5 0 0 之上,用以接收來自晶圓5 5上方表面之消耗處理流體。 同樣地,一個第二組一個或是多個出口 5 1 5係被安置在 該劃分元件5 0 0之下,用以接收來自晶圓5 5下方表面 之消耗處理流體。當晶圓5 5在處理期間旋轉時,經由通 道4 1 5之流體係被供應至晶圓5 5之上方表面,並且經 由向心加速度之作用而散佈橫越在表面上。同樣地,來自 供應管件1 2 5之流體係被供應至晶圓5 5之下方表面, 並且經由向心加速度之作用而散佈橫越在表面上。因爲該 劃分元件5 0 0之邊緣係如此接近晶圓5 5之周圍邊緣, 來自晶圓5 5上方表面之處理流體並不會在該劃分元件5 0 0之下前進,並且來自晶圓5 5下方表面之處理流體並 不會在該劃分元件5 0 0之上前進。因而,此反應器結構 係使得以一種使用不同處理流體與步驟之相互不相容方式 來同時處理晶圓5 5之上方表面以及下方表面成爲可能。 第九圖亦說明了一種方式,其中供應至上方晶圓表面 ____19________ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4%格(210X29?公聲) * 經濟部工4#合作社印製 .528 2 8 A7 ____ B7_ 五、發明説明(β) 與下方晶圓表面之處理流體係可以經由一種相互不相容之 方式而收集。如同圖示中所顯示者,一個流體收集器5 2 0係繞著該反應器2 0 0之外部周圍而安置。該流體收集 器5 2 0係包括有一個第一收集區域5 2 5,其係具有一 個飛濺止擋5 3 0以及一個流體溝渠5 3 5,其中該流體 溝渠5 3 5係被建構用以將來自出口 5 1 0之流體引導至 一個第一排放口 5 4 0,而來自上方晶圓表面之消耗處理 流體係可以在該處被引導至一個收集貯存槽,而加以處理 或是重新循環。該流體收集器5 2 0更包括有一個第二收 集區域5 5 0,其係具有一個更進一步之飛濺止擋5 5 5 以及一個更進一步之流體溝渠5 6 0,其中該流體溝渠5 6 0係被建構用以將來自出口 5 1 5之流體引導至一個第 二排放口 5 6 5,而來自下方晶圓表面之消耗處理流體係 可以在該處被引導至一個收集貯存槽,而加以處理或是重 新循環。 第十圖係說明了一個反應器2 0 0之實施例,其中該 反應器係具有一個用於經由該流體進口 2 3 0而供應處理 流體之可替換構型。如同圖示中所顯示者,該工件外殻2 0係被安置在一個罩帽5 7 0中。該罩帽5 7 0係包括有 側壁5 7 5,其係位在該出口 1 0 0之外部用以收集離開 該容室3 1 0之流體。一個斜角底面5 8 0係將所收集之 流體引導進入一個貯槽5 8 5。流體供應管件5 8 7係被 連接以將流體提供至該貯槽5 8 5。該貯槽5 8 5亦較好 設有一個排放閥體5 8 9。一個進口柄5 9 2係界定了一 _20_ 本紙張尺度適用ϋ國家標準(CNS ) AJ規格_(1ΐ〇κ2<)7公.4 ^ 452828 A7 ___ B7 五、發明説明(A ) 個通道5 9 5,其係包括有一個具有一開口 5 9 7之第一 端部,該開口 5 9 7之一端係開放至該貯槽5 8 5而其第 二端係開放至該進口 2 3 0。 在顯示於第十圖中實施例的操作上,處理流體係經由 供應管件2 8 7而被供應至該貯槽5 8 5,而在同時該反 應器2 0 0係爲旋轉者。一旦該貯槽5 8 5係爲充滿時, 經由該供應管件5 8 7流入該貯槽之流體係被排除。由於 反應器2 0 0之旋轉所導致之向心加速度係提供了一個壓 力差,而驅動流體經由開口 5 9 7與2 3 0而進入至該容 室3 1 0,用以接觸至少該晶圓5 5之下方表面,並且離 開出口 1 0 0而重新循環至該貯槽5 8 5進行更進一步之 使用。 經濟部^^时"^3:工消"合作社印製 在第十圖中所說明之自身抽汲重新循環系統係具有許 多優點。密封的流體循環係使得程序參數控制上之延遲最 小化,從而使其較容易控制此等物理參數,例如是流體溫 度、流體流動等等。再者,在管道、容器壁、泵等等並沒 有熱量之損失。更進一步地,系統並不使用一個分離的泵 ,因此消除了泵之故障,而此種故障在抽汲熱的、侵略性 化學藥品時是很普遍發生者。 第十一圖以及第十二圖係說明了兩個不同類型之處理 工具’每種處理工具係可以使用一個或是多個處理站,包 括上述之反應器結構。第十一圖係爲一個工具之方塊圖, 該工具係以元件符號6 0 0來標示,包括有複數個繞著一 個弧形路徑6 0 6所安置之處理站6 0 5。該處理站6〇 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(UOx 2()7公釐.) Ί 452828 B7 五、發明説明(π ) 5係可以全部執行相似之處理操作於晶圓上,或者可以執 行不同但爲輔助之處理操作β例如,—個或是多個處理站 6 0 5係可以執行一個例如是銅之金屬電解沉積於晶圓上 ’而在同時其他工作站之一個或是多個係進行輔助之處理 ’例如是淸潔/乾燥程序、預濕程序、光致抗蝕程序等等 0 欲進fr處理之晶圓係在一個輸入/輸出站6 〇 7而被 供應至該工具6 0 0。晶圓係可以經由例如是sΜ I F容 器被供應至該工具6 0 〇,而每一個容器係具有容置於其 中之複數個晶圓。或者,晶圓係可以在如同第一圖中元件 符號2 0所表示之獨立工件外殼中被提交至該工具6 ◦ 〇 0 每一個處理站6 0 5係可以藉由一個機械6 1 0臂來 進行存取。該機械臂6 1 〇係將工件外殻傳送至該輸入/ 輸出站6 0 7,或將該工件外殼從該輸入/輸出站6 〇 了 輸送出來。該機械臂6 1 〇亦將晶圓或是外殼在不同之處 理站6 0 5之間傳送。 在第十一圖之實施例中,該機械臂6 1 〇係繞著軸6 1 5而旋轉’用以執行沿著路徑6 〇 6之傳送操作。相反 地’在第十二圖中大體上以元件符號6 2 〇所標示之工具 係使用一個或是多個機械臂6 2 5,該機械臂6 2 5係沿 著一個線性路徑6 3 0而移動用以執行所需之傳送操作。 如同在第十圖之實施例中’複數個獨立處理站6 〇 5係被 使用’但是更多的處理站6 〇 5係可以此配置而設在一個 -------22 铁尺度適用中國國家標聋(CNS )人4规格(::j〇x 公釐) .,l>f<-— {請先聞讀背而之·^ 經濟部钗慧时1苟肖工消費合作社印製 452828 A7 B7 五、發明説明() 單一處理工具中。 第十三圖係說明了在一個分批處理裝置7 0 2中使用 複數個如上所述工件外殼7 0 0之一種方式。如同圖示中 所顯示者,該工件外殻7 0 0係相對於彼此而垂直地堆積 ,並且係被連結用以藉由一個共同轉子馬達7 0 4而繞著 一個共同旋轉軸7 0 6旋轉。該裝置7 0 2更包括有一個 處理流體傳送系統7 0 8。該傳送系統7 0 8係包括有一 個靜止歧管7 1 0,其係接收來自一個流體供應源(並未 顯示)之處理流體。該靜止歧管7 1 0係具有一個出口端 部,其係連接至一個旋轉歧管7 1 2之進口。該旋轉歧管 7 1 2係被固定用以與該外殻7 0 0 —同旋轉,因此,該 旋轉歧管712係在一個旋轉接合714處被連接至該靜 止歧管7 1 0。複數個流體供應管件7 1 6係從該旋轉歧 管7 1 2延伸,並且係終結於鄰近該外殻7 0 0進口之個 別噴嘴部分7 1 8。安置在兩個外殻7 0 0之間的該噴嘴 部分718係被建構以提供指向上與向下方向兩者之流體 流動。相反第*最下方之供應管件7 1 6係包括有一個噴 嘴部分7 1 8,其僅在向上方向上引導流體流動。該旋轉 歧管7 1 2之最上方部分係包括有一個出口 7 2 0,其係 將處理流體提供至最上方外殼7 0 0之流體進口。 第十三圖之分批處理裝置7 0 2係被建構以同時供應 相同流體至每一個外殻7 0 0之上方進口與下方進口兩者 。然而,其他構型亦可以被使用。例如,噴嘴部分7 1 8 係可以包括有閥體元件,其係隨著經由每一個外殼7 0 0 _23 _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4坭格(2!Οχ'2π公牮)~ ---------装—— (請先S?讀疗而之;£念F項再4·.·,·「木_π ) 452828 A7 B7 經濟部迂艾时是均負工消費合作社印製 五、發明说明() 之上方進口以及/或是下方開口所供應之流體而選擇地打 開或關閉。在此等狀況下,較期望的是在每一個外殼7 0 0中使用如第九圖中顯示之一個邊緣構型,用以提供供應 至晶圓5 5上方表面及下方表面之流體的隔離。再者,該 裝置7 0 2係可以包括有同心歧管,用以分別將兩種不同 的流體供應至單獨之供應管件,該供應管件係分別與該外 殼7 0 0之上方進口以及下方進口相連。 特別適合於整合至一個自動處理工具之反應器的實施 例係說明在第十四圖中。大體上以元件符號8 0 0所標示 之反應器係包括有以下特點:其係以一種獨特的方式合倂 以允許一個機械臂或是相似部件能夠在承載以及卸載操作 期間將一個工件插入該反應器8 0 Q中或是從該反應器8 ◦〇處抽回,而同時在操作期間亦維持在工件與該反應器 之內部容室壁之間相當密封之間隙。 在上述反應器實施例與第十四圖中反應器8 0 0之間 的主要差別係在於工件支承器組件之本質》如同圖示中所 顯示者,反應器8 0 0係包括有一個以元件符號8 0 5所 標示之工件支承器組件,其係與下方容室元件2 1 0相連 。根據所說明之實施例,該工件支承器組件8 0 5係包括 有複數個工件支承器元件8 1 0,其係延伸穿過該下方容 室元件2 1 0。該工件支承器元件8 1 0係藉由一個偏斜 元件8 1 5而在一個下方端部受支承。在該工件支承器元 件8 1 〇之端部處係爲該偏斜元件8 1 5之末梢|該工件 支承器元件8 1 0係終結於一個工件支承表面8 2 0以及 ________24_ 本紙張尺度通用中II國家橾準(CNS ) Μ規格(2丨〇 x 297公夺) ---------------·,Γ------1 (诗先^讀背而之>£.^屯.項再埤3本玎』 4 5 2 8 2 8 A7 B7 五、發明説明(,) 一個引導結構8 2 5。該引導結構8 2 5係從該工件支承 表面8 2 5延伸並且終結於一個截頭圓錐部分8 3 0。該 引導結構8 2 5係幫助了將工件之周圍邊緣推入一個適當 地對準該工件支承表面8 2 0之位置,從而確保了工件在 處理期間之適當的定位。該引導結構8 2 5亦可以作爲一 個隔離片,而界定了在該上方容室元件2 0 5之內部容室 壁與工件之上方表面之間的間隙。 在該上方容室元件以及該下方容室元件2 0 5與2 1 0位於所說明之打開位置,而該反應器8 0 0係已準備好 承載或是卸載工件時,所說明實施例之偏斜元件8 1 5係 用以使該工件支承器元件8 1 0在一個向上方向上偏斜。 該偏斜元件8 1 5係可以採用不同形式。例如,一個單一 偏斜結構係可以被使用,此對於所有的工件支承器元件8 1 0而言係爲共同者。或者,如同在所說明之實施例中所 顯示者,單獨的偏斜結構係可以分別與該工件支承器元件 8 1 0中單獨的一個相連。單獨的偏斜結構係爲片簧8 2 5之形式,但是,其亦例如可以爲螺旋彈簧致動器或相似 部件之形式。 如同上述反應器之實施例,該反應器8 0 0之該上方 容室元件以及該下方容室元件2 0 5與2 1 0係可以相對 於彼此而在第十四圖之打開狀況與第十五圖之關閉處理狀 況之間移動。當該上方容室元件以及該下方容室元件2 0 5與2 1 0朝向彼此而移動時,該工件支承元件8 1 0之 該截頭圓錐部分8 3 0係銜接該上方容室元件2 0 5之內 25 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(mo?公釐) 452828 經濟部¾1.¾时/t^7a:工消#合作TI印製 A7 _____B7____ 五、發明説明(νψ ) 部容室壁。在該上方容室元件與該下方容室元件2 0 5與 210之間的連續移動係驅動該工件支承器元件81〇對 抗該片簧8 3 5,直到工件係被夾緊在該工件支承器元件 8 1 0之該支承表面8 2 0與相應凸出部8 4 0之間爲止 ’其中該凸出部8 4 0係爲從該上方容室元件2 〇 5之內 部容室壁所延伸者。當處於此一關閉位置時,該反應器係 已預備好來處理工件。 第十四圖之反應器8 0 0亦包括有幫助在該上方容室 元件以及該下方容室元件2 0 5與2 1 0被帶至其彼此緊 鄰之處理位置時’而確保在該上方容室元件以及該下方容 室元件2 0 5與2 1 〇之間適當定位之結構。在所說明之 實施例中’這些結構係爲引入插銷8 4 5之彤式,該引入 插銷8 4 5係從容室元件中的一個延伸以銜接另一容室元 件之相應穿孔。在此’該引入插銷8 4 5係從該下方容室 元件2 1 0延伸以銜接在該上方容室元件2 〇 5中之相應 穿孔(並未顯示)。該引入插銷8 4 5係爲直立元件之形 式’而每一個係終結於作爲一個引導表面之個別截頭圓錐 部分。 上述之配置係使得該反應器8 〇 〇特別適合於藉由例 如是一個機械傳送機構或相似部件之自動承載與卸載,尤 其適合於該工件係爲直接地插入該反應器而沒有工件之翻 轉。如同從第十四圖以及第十五圖之比較中能夠明顯看出 的’在工件之下方表面與該下方容室元件21〇之內部容 室壁之間的間隙係隨著該反應器位於一個打開狀態或是關 ---- 26 本纸張尺賴财關( 2^29^ )--— - 欲 452828 A7 B7 五、發明説明(Λ) 閉狀態而改變。當其位於打開狀態時,該工件之下方表面 係與下方容室元件210之內部容室壁分隔一個距離X1 ’此係提供例如是一個機械人傳送機構之一個工件傳送臂 的操作一個充足的間隙。當位於關閉位置時,該工件之下 方表面係與下方容室元件210之內部容室壁分隔一個距 離X2 ’此距離X2係較XI爲小。距離X2在所揭露之 實施例中係相應於在工件處理操作期間所期望之間隙。 偏斜元件815之一個實施例係說明於第十六圖中。 如同圖示中所顯示者,該偏斜元件8 1 5係由複數個片簧 8 3 5所組成,其中該片簧8 3 5係從一個中央轂部分8 5◦而徑向地延伸至與隔別工件支承元件81〇之下側接 觸的位置。更進一步的複數個徑向元件8 5 5係從該轂8 5 0延伸至與個別引入插銷8 4 5之下側接觸的位置。當 該上方容室兀件與該下方容室元件2 0 5與2 1 〇係朝向 處理位置移動時,更進一步的複數個徑向元件8 5 5並不 像片簧8 3 5需要被設計用以彎曲。該偏斜元件8 2 5係 可以由聚合物材料或是能夠抵抗使用於處理環境中之化學 藥品等相似材料所形成。當其係由此等材料所形成時,該 工件支承器元件8 1 0以及該引入插銷8 4 5係可以與其 各自片簧8 3 5以及該徑向元件8 5 5〜體成型。 在所說明之實施例中,該中央轂部分8 5 〇係包括有 —個中央穿孔9 0 0,其係容置有一個將該偏斜元件8工 5連接至該下方容室元件2 1 0下側之固定9 〇 5。參照 第十四圖以及第十五圖’該固定9 0 5係可以被形成^經 —_______27___ 七纸張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(%公锋) — '一~---—-- (^先聞讀斤而.;-"--ΎΙΓ,4}1ί3衣汀 I I I I ! ί . . ^ .:·Γ- 經濟却^殳时4苟肖工""合作社印" 452828 五、發明説明(4) ---—------f. r^-- ("先:ul^.评面之^Af'-^'^^'-n·- 由該下方容室元件2 1 0來提供處理流體。當該固定9 0 5係以此方式形成時,該反應器8 0 0係設有對於度同程 序提供不同進口構型一個快速且容易的方式。 有時候,將該反應器8 0 0從該頭部部分8 6 0移去 係爲吾人所期望者。例如,該反應器係可以爲了維修保養 或是替換一個被設計以執行其他處理或處理其他工件類型 之反應器而移除。 "^部智^^是:^只工-"#合作社印製 爲了這個目的,該反應器8 0 0以及該頭部部分8 6 0係在一個連接轂組件8 6 5處銜接,該連接轂組件8 6 5係允許該反應器8 0 0能夠輕易地連接至該頭部部分8 6 0或是輕易地從該頭部部分8 6 0脫離。在第十五圖所 說明之實施例中,該連接轂組件8 6 5係由一個固定至該 處理頭部部分8 6 0之頭部連接轂8 7 0以及一個固定至 該反應器8 0 0之反應器連接轂8 7 5所組成。該連接轂 8 7 0與8 7 5在正常操作期間係藉由例如是一個螺旋接 合8 8 0而彼此相互固定。一個固定螺釘8 8 5係延伸穿 過該頭部連接轂8 7 0並且係可以被旋轉以銜接在反應器 連接轂8 7 5中一個表面或是一個相應的穿孔,從而避免 該連接轂8 7 0與8 7 5其脫離。 當希望將該反應器8 0 0移去時,該反應器係被旋轉 以使該固定螺釘8 8 5對準一個固定至該頭部部分8 6 0 之相應通道套筒8 9 0。該通道套筒8 9 0係被建構以允 許一個使用者延伸一個工具穿過以銜接該固定螺釘8 8 5 。接著該固定螺釘係被旋轉以上升直到其銜接並固定至一 _28___ 本紙張尺度適用中园國家螵準(CNS ) Λ4現格(:ΜΟ χπΆ眚)
I I A7 ^5282 8 五、發明説明(j) 個螺釘頭部塊體89 5爲止。一旦以此方式來固定,該頭 部連接轂8 7 0係旋轉地與該頭部部分8 6 0相閉鎖,從 而允許該反應器8 0 0以及相應之該反應器連接轂8 7 5 5 也 能夠從該頭部連接轂8 7 0脫離以移去該反應器。 5 根據反應器8 0 0更進一步之特點,一個例如由鋁所 i 形成之剛性元件9 1 0係被固定至該上方容室元件2 0 5 | 。藉由增大上方容室元件以及/或者下方容室元件之剛性 _’琴 ,較高的旋轉速度係可以被使用,並且更進一步地,內部 ΐ 容室壁在處理期間之平坦度係可以增大。 … 許多實質上的利益係來自所揭露反應器構型之使用。 這些利益中的大多數係來自在反應器容室中降低流體流動 i 區域而直接地升高。一般來說,此對於處理流體之使用係 ! j 爲更有效的,這是由於非常少之流體被浪費掉的原因。再 ! 者,控制使用反應器容室中降低流體流動區域之流體流動 | 的物理參數(例如溫度 '質量流動等等)是很容易的。此 | 導致了更好的結果並使這些結果能夠一再重複。 先前之結構亦導致了使用兩種或是多種處理流體來執 | | "-.'"^'';Γ:,ί<"ϋ:工4# 合作灶印製 行一個單一晶圓之順序處理的能力,其中該處理流體係爲i | 經由該反應容室之一個單一進口所順序供應者。更進一步| | 地,同時將不同流體提供至晶圓之上方表面以及下方表面 丨
I 的能力係打開了進行新穎處理操作之機會。例如,一個例 j 如是氟化氫液體之處理流體供應至該反應容室之一個下方 | 流體進口用以處理下方晶圓表面,而在同時一個例如是氮 j 氣之情性流體係可以被提供至上方流體進口。因而,該氟 丨 29 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(::⑴公释 452828 A7 B7 if..正 Μ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印Μ 五、發明說明() 化氫液體係被允許與晶圓之下方表面相互作用’而在同時 晶圓之上方表面係有效地與氟化氫反應相隔絕。許多其他 新穎的程序亦可以進行。 本發明係已承認整合電路沖洗/乾燥程序之要求最終 將需要來自沖洗器/乾燥器之更多控制以及更經濟的效率 。因而,一個大致上新的半導體晶圓沖洗與乾燥方法係已 被接受,其係提供沖洗以及乾燥流體之物理性質更大的控 制。更進一步地,當與使用任何先前程序來乾燥一個單獨 晶圓相較之下,晶圓係可以被在個別的基礎上而更快速地 沖洗與乾燥。 第十七圖係說明了一種控制供應至任何先前實施例之 沖洗器/乾燥器的沖洗/乾燥流體提供之方式。如同所說 明者’大體上以元件符號1 8 0 0所標示之流體供應系統 係包括有一個氮氣供應源1 8 0 5、一個異丙醇供應源1 8 1 0、一個異丙醇蒸發器1 8 1 5、一個去離子水供應 源1 8 2 0、選配加熱元件1 8 2 5、選配流量計1 8 3 0、選配流量調節器/溫度感應器1 8 3 5、以及閥體機 構1840。系統1800所有的不同部件係可以在一個 具有適當軟體程式之控制單元1 8 4 5的控制之下。 在沖洗器/乾燥器之操作中*該閥體機構1 8 4 0係 被連接以將來自供應雲1 8 2 0之去離子水供應至該沖洗 器/乾燥器容室之上方進口以及下方進口兩者。當水被供 應至該容室時,水係以一個例如是2 0 0 R Ρ Μ的速度旋 轉。此係導致了水經由向新加速度之作用而流動橫越在晶 30 本紙張尺度適用_國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) <請先閱讀背面之ίί.意事項再填寫本頁) Ύ! 裝 -\ST. 4 52 8 2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印別衣 B7 1、發明說明() 圓之每一個表面上。一旦足量之水係被供應至容室用以沖 洗晶圓表面,該閥體機構1 8 4 0係被操作用以將一個較 好是由氮氣以及異芮醇蒸氣所組成之乾燥流體提供至該沖 洗器/乾燥器容室之上方進口以及下方進口兩者。該閥體 機構1 8 4 0較好係被操作以使得乾燥流體之則部係丛即 地跟隨著去離子水之尾端。當乾燥流體進入到容室內時’ 由於水之旋轉所導致之向心加速度係驅使乾燥流體橫越在 晶圓表面上,並且跟隨一個由去離子水所形成之凹凸透鏡 橫越在晶圓表面上。異丙醇蒸氣係幫助了在凹凸透鏡之邊 緣處提供晶圓表面之乾燥。晶圓之乾燥係可以藉由使用加 熱元件1 8 2 5來加熱去離子水以及/或者氮氣/異丙醇 蒸氣而更進一步地加強。這些流體被供應之特殊溫度係可 以藉由控制器1 8 4 5而控制。同樣第,流量調節器1 8 3 5以及流量劑1 8 3 0係可以藉由該控制器1 8 4 5而 被使闬以調節去離子水以及/或者氮氣/異丙醇蒸氣至該 沖洗器/乾燥器容室之流量。 隨著某些改變,先前反應器之設計係可以適合來執行 數個獨特的程序,其中在微電子工件與一個或多個處理流 體之間的接觸係可以被控制並且被限制在工件之所選擇區 域。此等反應器設計之一個實施例係說明在第十八圖至第 二十二圖中。 參照第十八圖至第二十二圖,其係顯示了一個反應器 2 1 0 0,其係用以在一個微環境中處理一個例如是一個 砂晶圓1 0之微電子工件,其中該砍晶圓1 0係具有一個 31 ----— I -------I I --------< · I I I I----- (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2】0 X 297公釐) 經濟部皙慧財產局員工涓費含作社印契 452828
五、發明説明(vO 上側1 2、一個下側1 4、以及一個外部圓形周圍1 6。 對於確切之應用而言,上側1 2係爲前側’或者其係可以 稱爲裝置側,而該下側1 4則係爲後側’或者其係可以稱 爲飛裝置側。然而,對於其他應用而言’該矽晶圓1 〇係 被翻轉。 一般來說,除了在此所揭露者之外,反應器2 1 0 0 係相似於以上所述與說明之反應器。然而,如同在此所述 以及圖示中所說明者,反影器2 1 0 0係被改良而在執行 所選擇微電子製造程序中具有更多的功能。 反應器2 1 0 0係具有一個包括有一個上方容室壁2 1 2 0之上方容室元件以及一個包括有一個下方容室壁2 1 40之下方容室元件。這些壁2 1 20與2 1 40係被 配置而打開,以便允許一個晶圓1 0能夠藉由一個承載及 卸載機構(並未顯示)而承載進入該反應器1 0 0中進行 處理,其中該承載及卸載機構係例如爲一個機械臂或是一 個端部操縱器之形式。這些壁2120與214 0係被配 置而關閉,以便界定一個將一個位於處理位置之晶圓1 0 支承在這些壁2 1 2 0、2 1 4 0之間的容器2 1 6 0。 界定了一個旋轉軸A之反應器2 1 0 0係具有一個頭 部2 2 0 0,該頭部2 2 0 0係容置有一個裝設在該上方 容室壁2 1 2 0之轉子2 2 1 0並且係裝設有一個馬達2 2 2 0,該馬達2 2 2 0係在關閉時用以使該轉子2 2 1 0及上方容室壁與下方容室壁2120與2140連同支 承在處理位置之晶圓一起繞著軸A而旋轉=該馬達2 2 2 ____^_________ .------ir------冰, {請先閱讀背而之注盘卞項再填巧本I) 本紙掁尺度適用中國國家標準(〔他)八4規格(2丨〇乂297公釐) 452825 A7 B7 五、發明説明(Μ ) 0係被配置用以藉由滾動元件軸承2 2 2 4來驅動一個套 筒2 2 2 2,其係徑向地支承在該頭部2 2 0 0中。該頭 部2 2 0 0係被配置而上升用以打開這些壁2 1 2 0與2 1 4 0,並且下降用以關閉這些壁2 1 2 0與2 1 4 0。 該上方容室壁2 1 2 0係具有一個用於處理流體之進 口 2 1 2 2,該處理流體係可以爲液體、蒸氣、或是氣體 ,而該下方容室壁2 1 4 0係具有一個用於此等流體之進 口 2 1 4 2,而此等流體對於一個給定應用係可能爲相同 之流體或是不同之流體。該頭部2 2 0 0係裝設有一個上 方噴嘴2 2 1 0,其係軸向遞延身穿過該套筒2 2 2 2以 便不會影響該套筒2 2 2 2之旋轉。該上方噴嘴2 2 1 0 係引導處理流體向下地穿過該上方容室壁2 1 2 0之進口 2 12 2° 該上方容室壁2 1 2 0係包括有一列相同之出口 2 1 2 4,其係以均等之角間隔而繞著垂直軸A相似地分隔。 在所揭露之實施例中,三十六個此等開口 2 1 2 4係被使 用。每一個開口 2 1 2 4係從該垂直軸A向下地分隔一個 相當大的徑向距離,並且係從一個支承在處理位置之晶圓 1 0的外部周界向內地分隔一個相當小的徑向距離,此距 離係大略爲1 .5毫米。 當該上方容室壁以及下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0 係被關閉時,其係界定了一個微環境反應器2 1 6 0,該 微環境反應器2 1 6 0係具有一個上方處理容室2 1 2 6 以及一個下方處理容室2 1 4 6,該上方處理容室2 1 2 (請先閱讀背俞之注念卞^再填巧本页) 訂 線 經濟部智葸財產局員工涓費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X29?公釐) 45282 8 A7 B7 五、發明説明(p) {請先M讀背而之;1您多項#填^'本茛) 6係爲藉由該上方容室壁2 1 2 0並且藉由受支承晶圓1 〇之一個第一大體上平面之表面所界定者,而該下方處理 容室2 1 4 6係爲藉由該下方容室壁2 1 4 0以及受支承 晶圓10相反於第一側之一個第二大體上平面之表面所界 定者。該上方處理容室以及該下方處理容室2 1 2 6與2 1 4 6在受支承晶圓1 0之外部周界之外係爲在一個環形 區域2 1 3 0中彼此流體相連通者,並且該上方處理容室 以及該下方處理容室2 1 2 6與2 1 4 6係藉由一個約束 該環形區域2 1 3 0下方部分2 1 3 4之環形可壓縮密封 (例如0形環)2 1 3 2所密封。該密封2 1 3 2係允許 處理流體進入該下方進口 2 1 4 2以維持在足夠的壓力下 而得以朝向該出口 2 1 3 4流動=>
經濟部智慧封4笱MK工消費合作社印製 當與先前所述實施例中所揭露類型之反應器相比較時 ,反應器2 1 0 0係特別適合於執行獨特爲製造程序之一 個範圍。例如,反應器2 1 0 0係特別適合於執行一個需 要處理流體在工件之第一側並且僅在第二側之周圍邊緣部 分完全接觸之程序。此等程序係可以被實現,這是因爲進 入該下方容室壁2140之進口2142的處理流體係可 以在到達出口 2 1 2 4之前而作用在一個受支承晶圓1 〇 之下側1 4、受支承晶圓1 0之外部周圍1 6、以及受支 承晶圓1 0上側1 2之外部邊緣1 8之故,並且因爲進入 該上方容室壁2 1 2 0之進口 2 1 2 2的處理流體係可以 在到達出口 2 1 2 4之前而作用在一個受支承晶圓1 0上 側1 2除了外部邊緣1 8之外的其他部分。 ______34---- 本紙張尺度適用中國國家標準(〇他)八4規格(2丨0\ 297公嫠) 452828 A7 Β7 經濟部智慧时產咼員工消費合作社印製 五、發明説明(0 ) 作爲此等程序之一個示例,反應器2 1 0 0係可以隨 著進入個別進口2 1 2 2與2 1 4 2之處理流體的個別壓 力的控制而使用’以執行一個使得處理流體係被允許接觸 工件之一個第一側、工件之周圍邊緣、以及工件相反側之 周圍區域的程序。此等流體流動/接觸亦可以被視爲是一 種除了一個從該側之周圍區域而供應至相反側處理流體以 外的方式。根據此等程序的一個實施例,一薄膜材料係被 貪虫刻於第一側、工件之周圍邊緣、以及工件相反側之周圍 區域。 在此等程序更特殊的實施例中,程序係可以使用在一 個金屬化程序中’其係被使用以形成在一個半導體晶圓或 相似材料上之一個微電子部件以及/或者相互連接結構。 爲了這個目的’例如是添加劑層之一個薄膜係在前側塗敷 一個阻隔層並且塗敷在外部周圍之至少一個部分。在—個 或是多個介入步驟(例如是銅層或相似材料層之電鍍)之 後,一個能夠蝕刻電鍍材料、薄膜材料、以及/或者阻隔 層材料之蝕刻劑係被導致以選擇地流動越過該第—側之外 部邊緣,而在同時防止流動橫越該第一側之徑向其他內部 部分。因此,一層或是多層係從該第一側之外部邊緣處移 除’而同時層係在安置在外部邊緣之內部的該第一側之部 分處保持不動。如果該蝕刻劑係被驅動橫越該相反側上以 及橫越在外部周界上如同橫越在該第一側之外部邊緣上, 則一層或是多層亦從該晶圓之外部周界移除,並且更進一 步地触刻劑在移除時能夠造成之任何污染係從後側被剝去 (請先閱讀汴而之:^"F項再填"?本!) 線 k 5 - 6 i
45282B A7 B7 五、發明説明(冰) 〇 根據先前程序之敘述,將能夠了解的是其他層以及/ 或是材料係可以在處理流體與工件之外物邊緣以及/或者 相反側之選擇接觸的基礎上選擇地被蝕刻、淸潔、沉積、 保護等等。例如,氧氣係可以從工件第一側之相反側及外 部邊緣,經由與一個氧化蝕刻劑(例如是氫氟酸)之選擇 性接觸而移除。同樣地,氧化蝕刻劑係可以控制在該反應 器中,以使得其接觸工件除了外部邊緣之外的所有前側部 分,從而將氧化物留在外部邊緣。亦能夠了解的是出口 2 1 2 4之移除係允許該反應器2 1 0 0能夠被使用於其中 外部邊緣內或外係爲不需要或不期望的程序中。 妒、- 經濟部眢慧財—笱員工消費合作社印焚 如同在第二十三圖至第二十六圖中所說明者,額外的 結構係可以根據反應器被設計以執行之特殊程序而與任何 先前的反應器合倂,而自動化程序(如果有的話)將隨著 其而被使用。根據此等結構上之附加物•該下方容室壁2 1 4 0係具有一個上方表面2 1 4 4,其係被造形以便界 定出一個繞著該進口 2 1 4 2之環形貯槽2 1 4 6。該貯 槽2 1 4 6係被使用已收集液態副產品以及/或者經由該 進口 2 1 4 2所供應之殘餘處理流體。如果例如是一液體 碰撞1 0以及從晶圓1 0滴落,其係在反慶2 1 0 0旋轉 所導致向心加速度的影響下被引導朝向該出口 2 1 2 4。 連同反應器2 1 0 0—起說明之另一個結構上之附加 物係相關於下方噴嘴之設計。如同所說明者,設在該下方 容室壁2 1 4 0之進口 2 1 4 2下方的該下方噴嘴2 2 6 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) Λ4現格(210X 297公,f ) 4528 2 8 A7 B7 五、發明説明(6) (請先閱讀背而之注意f^rll»}-填巧本頁) 〇,其係包括有兩個或是多個部件2 2 6 2 (在圖示中係 顯示有兩個),用於引導兩個或是多個處理流體噴流向上 地穿過該進口 2142。孔口2262係被定向以便導致 所引導之噴流能夠在所引導之噴流到達晶圓1 0之下方表 面處匯聚。該反應器2 1 0 0亦包括有一個淨化噴嘴2 2 8〇,其係被安置在該下方噴嘴2 2 6 0之一側,用於引 導例如是氮氣之淨化氣體之噴流橫越該下方噴嘴2 2 6 0 〇
更進一步地,反應器2 1 0 0係可以具有一個基座2 3 0 0,其係裝設有下方噴嘴2 2 6 0以及淨化噴嘴2 2 8 〇,而其係界定了一個同軸環形空間2 3 2 0。該空間 2 3 2 0係具有複數個(例如四個)排放口 2 3 2 2 (在 圖示中可以看到一個),每一個排放口2322係裝配有 一個氣動地致動之提升閥體2 3 4 0,用於打開以及關閉 該排放口 2 3 2 2。這些排放口 2 3 2 2係提供了分離的 路徑用以引導不同類型之處理流體至適當的系統(並未顯 示)而進行儲存、處理、或是重新循環。 經濟部智慧財產笱資工湞費合作社印製 一個環形套筒2 3 6 0在該空間2 3 2 0上方係環繞 並從該上方容室壁2 1 2 0向下地延伸,以便與該上方容 室壁2 1 4 0—同旋轉。每一個出口 2 1 2 4係被定向以 便引導處理流體經由流體通道2 3 6 4而抵著該環形套筒 2 3 6 0之內表面2 3 6 2離開此等出口 2 1 2 4。該內 表面2 3 6 2係爲向外地並且向下地擴大者,如同圖示中 所顯示者,以便導致處理流體到達該內表面2 3 6 2以在 本紙浪尺度適用中國國家蜾準(CNS ) A4規格(210>:297公釐) A7 452828 五、發明説明($ ) (請先閱讀背面之注意事項#填巧本頁) 反應器旋轉時向心加速度的影響之下朝向該空間2 3 2 0 向外地並且向下地流動。因此,處理流體係傾向於經掃穿 過該空間2 3 2〇而朝向該排放口 2 3 2 2。 該轉子2 2 1 0在一個與該空間2 3 2 0相連通之環 形區域2 0 4中係具有一個有肋表面2 2 1 5,其係朝向 並且與該轉子2 2 1 0之一個平滑表面2 2 0 2緊密地分 隔當該轉子2 2 1 0旋轉時,該有肋表面2 2 1 5係傾向 於導致在該環形區域2 2 0 4中之空氣朝向排放口 2 3 2 2成爲漩渦,以便幫助淸除經由該空間2 3 2 0處理流體 0 該上方容室壁2 1 2 0係具有隔離片2 1 2 8,其係 向下地凸出以防止一個受支承晶圓10從處理位置之上升 並且使該晶圓1 0不會接觸到該上方容室壁2 1 2 0。該 下方容室壁2 1 4 0係具有隔離片2 1 4 8以及柱桿2 1 經濟部智龙財4局員工消费合作社印製 5〇,其中該隔離片2 1 4 8係向下地凸出用以使一個受 支承晶圓1 0在該下方容室壁2 1 4 0之上分隔一個給定 距離,而該柱桿2 1 5 0係向下地凸出在一個受支承晶圓 1 0外部周界1 6之外用以防止該受支承晶圓1 0從垂直 軸A移位離開中心。 該下方容室壁2 1 4 0係可以裝設有一個上升機構2 4 0 0,用於使一個受支承於處理位置之晶圓1 0上升至 一個提高位置。該上升機構在該頭部2 2 0 0上升在該基 座2 3 0 0上方時係使該晶圓1 0上升至提高位置,以便 打開該上方容室壁以及該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0 -a- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(:!1ϋ'χ.297公釐) 4528 2 8 經濟部智慧时產笱員工消費合作灶印製 Α7 Β7 五、發明説明(VI ) 。使一個受支承之晶圓1 〇上升至一個提高位置係幫助了 其藉由承載與卸載機構(並未顯示)而被卸載,其中該承 載與卸載機構係例如爲一個具有端部操縱器之機械臂。 該上升機構2 4 0 0係包括有一列上升桿件2 4 2 0 。每一個上升桿件2 4 2 0係經由一個樞銷2 4 2 2而可 樞轉地裝設至該下方容室壁2 1 4 0,以便能夠在一個操 作位置與一個非操作位置之間樞轉,其中該樞銷2 4 2 2 係從此等上升桿件2 4 2 0延伸進入該下方容室壁2 1 4 0中之套筒2424。每一個樞轉桿件2420在該上方 容室壁以及該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0關閉時係被 配置以藉由該上方容室壁2 1 2 0而銜接,因此此等樞轉 桿件2 4 2 0係樞轉進入非操作位置。每一個上升桿件2 4 2 0在沒有藉由該上方容室壁2 1 2 〇而銜接時係被偏 斜(將在下文中說明)以便樞轉進入操作位置。 因此’每一個上升桿件2 4 2 0在該上方容室壁以及 該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0關閉時係適合於從操作 位置樞轉至非操作位置,而每一個上升桿件2 4 2 0在該 上方容室壁以及該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0打開時 係適合於從非操作位置樞轉至操作位置。每一個上升桿件 2 4 2 0係裝設有一個插銷2 4 2 4,其係在一個受支承 於處理位置之晶圓1〇下方延伸並且使該受支承晶圓在此 等上升桿件2 4 2 0係從非操作位置樞轉至操作位置時上 升至升高位置。 該上升桿件2 4 2 0係可以藉由一個彈性元件2 4 4 ---------务------.订------r Ί (請先閱请汴而之注意箏項再填巧本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(_ ϋΐϋχ::9?公蝥) 452828 A7 B7 五、發明説明(4) 0(例如是一個0形環)而偏斜,其中該彈性元件244 0係環繞該下方容室壁2 1 4 0並且經由一個與每一上升 | 桿件2 4 2 0分離之鉤子2 4 2 6而銜接該上升桿件2 4 2 〇。在每一個上升桿件2 4 2 0上,該插銷2 4 2 2係 | 界定了一個軸,該插銷2 4 2 4以及該鉤子2 4 2 6係相 對於該軸而在直徑上彼此相對。該彈性元件2 4 4 0在該 上方容室壁以及該下方容室壁2120與2140關閉時 係被維持在相當高的張力之下,而該彈性元件2 4 4 0該 上方容室壁以及該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0打開時 係被維持在相較爲低的張力之下。 該上方容室壁以及該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 ◦ 亦可以在關閉狀態時藉由一個掣子機構2 5 0 0而可釋放 地彼此夾緊。根據一個實施例,該掣子機構係包括有一個 掣子環2 5 2 0,其係藉由該下方容室壁2 1 4 0而保持 並且係適合於銜接一個輔助造型之凹部2 5 4 0,其中該 輔助造型之凹部2 5 4 0係被安置在該上方容室壁2 1 2 0中。該掣子環2 5 2 0係由一彈力彈性材料(聚偏二氟 乙烯)所製成而帶有一列向內成階之部分2 5 3 0。因此 ,該成階部分2 5 3 0係使得該掣子環2 5 2 0能夠從一 個未變形狀態而變形進入一個已變形狀態,其中該掣子環 2 5 2 0在未變形狀態係具有一個第一直徑,而該掣子環 2 5 2 0在已變形狀態則係具有一個相比爲小之直徑。此 等變形係在該成階部分2 5 3 0遭受徑向向內指向之作用 力時所發生。隨著作用力之移除,該掣子環2 5 2 0係返 (請先閱讀背而之..;£.意f項再4Ά本页) 訂 經濟部智砝財4局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CN'S ) A4現格(;:10 X 公帑) 4528 A7 B7 經濟部智慧財產笱員工消f合作社印製 五、發明説明(4 ) 回至未變形狀態。 該掣子機構2 5 0 0更包括有一列掣子打耳2 5 4 0 ,每一個掣子打耳2 5 4 0係與承接部份2 5 3 〇之個別 的一個相連。每一個擊子打耳2 5 4 0係適合於將一個徑 向作用力應用至個別的成階部分2 5 3 0。 該擊子機構2 5 0 0更包括有一個致動環2 5 6 0, 在該致動環2 5 6 0在一個移動之預定限制範圍之中上升 與下降時’其係適合於致動該掣子打耳2 5 4 0。在所說 明之實施例中,該致動環2 5 6 0在上升時係適合於致動 該掣子打耳2 5 4 0,而在下降時則係適合於制止該掣子 打耳。該掣子機構2 5 0 0更包括有一列氣動裝置2 5 8 Q (例如三個此等機構),其係適合於使該致動環2 5 6 ◦上升與下降。當該致動環2 5 6 0上升時,該上方容室 壁以及該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0係彼此釋放,以 使得該頭部2 2 0 0係可以從該基座2 3 0 0上升用以打 開該上方容室壁以及該下方容室壁2 1 20與2 1 40, 或是下降至該基座2 3 0 0上用以關閉該上方容室壁以及 該下方容室壁2 1 2 0與2 1 4 0。 致動環2 5 6 0係向上地裝設凸出插銷2 5 6 2 (有 一個顯示出來),其在該致動環2560升高時係凸出進 入在對準環2 5 7 0中多穿孔2 5 6 4中的個別一個。對 準環2 5 7 0係被裝設以連同該下方容室壁2 1 4 0—同 旋轉。該插銷2 5 6 2在該致動環2 5 6 0係被下降時係 從該穿孔2 5 6 4被抽回並且淸潔該對準環2 5 7 0。當 ----41- 本纸張尺度適用中國國家螵準(CNS ) Λ4規格(210> 297公螯) ---------»-------1T------ {請先閱讀汴而之;χφ奸項再填-:^本!) 452828 A7 B7 五、發明説明(w) 除出進入到該個別穿孔2 5 6 4時,該插銷2 5 6 2係對 準一個被支承於處理位置之晶圓1 0,以便經由一個如上 所述之機械人系統來幫助卸載該晶圓1 0。 本發明係已相對於一個晶圓而舉例說明。然而,必須 承認的是本發明係具有相當廣泛範圍之應用。藉由示例, 本發明係可以應用在磁碟與磁頭之處理、片狀面板顯示器 、微電子屏壁、以及其他需要有效與受控制濕處理之裝置 〇 許多的修正係可以在先前所述之系統中執行而不離開 其基本教導。雖然本發明係以參照一個或是多個特殊實施 例來加以詳細說明,熟於此技者將會認可到改變係可以在 不離開本發明於所附申請專利範圍中所述之範圍與精神的 情況下做出。 (請先閱讀竹而之;£意货哨阼填'ivJ本页} 經濟部皙慧財1SSF員工消費合作社印絮 42 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X29,公;t )
Claims (1)
- 452828 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 .~種在微環境中處理一個工件之裝置,該裝置係 包括有: 一個轉子馬達; 一個工件外殼’其係被連接用以使該轉子馬達旋轉, 該工件外殻其中係包括有一個大致上關閉之處理容室,在 該容室中一種或是多種處理流體係藉由在該外殼旋轉期間 所產生之向心加速度而散佈橫越該工件之至少一個表面。 2 ·根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其更包括 有一個流體供應系統’該流體供應系統係被連接以順序地 將一個沖洗流體接著一個乾燥流體供應至該處理容室。 3 *根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其中該工 件外殻更包括有: 至少一個流體進口,其係對該處理容室開放並與該外 殼之旋轉軸對準;以及 至少一個流體出口,其係從該處理容室延伸,該至少 一個流體出口係被定位以允許流體從該容室經由在該工件 外殻繞著旋轉軸旋轉期間所產生之向心加速度之作用而流 出。 4 *根據申請專利範圍第3項所述之裝置,其中該至 少一個流體進口係被安置穿過該處理容室之上方部分,用 以從而幫助了流體經由向心加速度之作用而散佈橫越該工 件之上方表面。 5 ·根據申請專利範圍第3項所述之裝置,其中該至 少一個流體進口係被安置穿過該處理容室之下方部分,_ 本紙張尺度逍用中«國家揉準(CNS > A4规格(210X297公釐) (請先《讀背面之注意^項再填寫本頁) .策 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4528 2 S Λ8 B3 C8 ;-----------—-- ^、、申請專利範圍 以從而幫助了流體經由向心加速度之作用而散佈橫越該工 件之下方表面^ 6 ’根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其中該工 件外威係爲〜個移動式容器。 7 ·根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其中該工 件外殼係包括有上方容室元件與下方容室元件,此二元件 係彼此相連以界定出大致上關閉之處理容室。 8 *根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其中該工 件外殻係包括有: 一個上方容室元件,其係具有一個內部容室表面,該 上方容室元件在其內部容室表面中係包括有一個在中央安 置之流體進口; 一個下方容室元件,其係具有一個內部容室表面,該 下方容室元件在其內部容室表面中係包括有一個在中央安 置之流體進口; 該上方容室元件以及該下方容室元件係彼此連結以形 成大致上關閉之處理容室,該處理容室大體上符合工件之 形狀’該大致上關閉之處理容室係具有至少〜個安置在其 周圍區域之流體出口,用以幫助流體經由向心加速度之作 用而從該處理容室流出。 9·根據申請專利範圍第8項所述之裝置,其中該工 件外殼更包括有: 至少一個工件支承器,其係適合以將一個工件支承在 該大致上關閉之處理容室中一個與該上方及下方容室元件 2__ 本-ϋ尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4说格(210X297公着Ί " (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本s') 衣· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45282; 經濟部眢慧財產局員工消費合作社印製 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 之內部容室表面相分隔並且大致上平行的位置,該工件支 承器係將工件定位在該處理容室之中,用以允許經由該上 方容室元件之進口所供應之流體,藉由向心加速度之作用 而散佈橫越該工件之至少一個上方表面,並且用以允許經 由該下方容室元件之進口所供應之流體,藉由向心加速度 之作用而散佈橫越該工件之至少一個下方表面。 1 0 _根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其中該 工件外殻係包括有: —個上方容室進口,其係用於將一個第一流體流動供 應進入該處理容室之一個上方區域中,用以使該第一流體 流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少一個 上方表面;以及 一個下方容室進口,其係用於將一個第二流體流動供 應進入該處理容室之一個下方區域中,用以使s亥第一流體 流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少一個 下方表面。 1 1 根據申請專利範圍第1 0項所述之裝置,其更 包括有一個劃分元件,其係在該處理容室中繞著該工件之 一個周圍邊緣而安置在一個使該劃分結構能夠將該第一流 體流動與該第二流體流動之散佈流動分離之位置’因此該 第一流體流動係主要地被限制以接觸該工件之上方表面, 而該第二流體流動係主要地被限制以接觸該工件之下方袠 面。 1 2 . —種在微環境中處理一個工件之裝置’該裝置 本紙張尺度適用中國国家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I —II 衣*~ 打 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 528 2 8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 係包括有: 複數個壁,其係界定了一個大致上關閉之處理容室, 該大致上關閉之處理容室係具有至少一個安置在其周圍區 域之流體出口,以及至少一個流體進口,其係被安置以允 許一流體在一個非周圍區域處進入該處理容室; 至少一個工件支承器,其係適合以將一個工件支承在 該大致上關閉之處理容室中一個允許經由該流體進口所供 應之流體藉由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少 一個表面的位置,該至少一個流體出口係被定位以允許流 體經由向心加速度之作用而從該處理容室流出。 1 3 ‘根據申請專利範圍第1 2項所述之裝置,其更 包括有有一個流體供應系統,該流體供應系統係被連接以 順序地將一個沖洗流體接著一個乾燥流體供應至該流體進 □。 1 4 ·根據申請專利範圍第1 2項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係安置在該處理容室之一個中央部分 〇 1 5 ·根據申請專利範圍第1 2項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係安置在該處理容室之一個中央上方 部分,用以將一個流體之流動供應鄰近該工件之上方表面 〇 1 6 根據申請專利範圍第1 2項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係安置在該處理容室之一個中央下方 部分,用以將一個流體之流動供應鄰近該工件之下方表面 4 本紙張尺度逍用中國國家梯率(格(210X297公釐) -- ---- - - ----- n _ _ ^ (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 452 8 2 A8 BS C8 D8 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 0 1 7 根據申請專利範圍第1 2項所述之裝置,其中 該工件外殼係包括有: 一個上方容室進口,其係用於將一個第一流體流動供 應進入該處理容室之一個上方區域中,用以使該第一流體 流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少一個 上方表面;以及 一個下方容室進口,其係用於將一個第二流體流動供 應進入該處理容室之一個下方區域中,用以使該第二流體 流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少一個 下方表面。 1 8 .根據申請專利範圍第1 7項所述之裝置,其更 包括有一個劃分元件,其係在該處理容室中繞著該工件之 一個周圍邊緣而安置在一個使該劃分結構能夠將該第一流 體流動與該第二流體流動之散佈流動分離之位置’因此該 第一流體流動係主要地被限制以接觸該工件之上方表面’ 而該第二流體流動係主要地被限制以接觸該工件之下方表 面。 1 9 ·根據申請專利範圍第1 2項所述之裝置,該大 致上關閉之處理容室大體上係符合工件之形狀。 2 ◦·根據申請專利範圍第1 9項所述之裝置’其中 該工件係爲大體上圓形之半導體晶圓,複數個壁係包括有 一個大體上平面之上方內部容室表面; 5 I - - 1 1- ^^1 - I ^^1 ^^1 H (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準< CNS > A4規格(2丨0X297公釐) 45282 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 一個大體上平面之下方內部容室表面: 該上方內部容室表面以及該下方內部容室表面係被安 置以便大體上分別平行於該半導體晶圓之上方平面表面以 及下方平面表面。 2 1 ·—種在微環境中處理一個工件之裝置,該裝置 係包括有: 一個上方容室元件,其係具有一個流體進口; 一個下方容室元件,其係具有一個流體進口; 該上方容室元件以及該下方容室元件係彼此連結以形 成大致上關閉之處理容室,而大體上符合工件之形狀,該 大致上關閉之處理容室係具有至少一個安置在其周圍區域 之流體出口; 至少一個工件支承器,其係適合以將一個工件支承在 該大致上關閉之處理容室中一個允許經由該上方容室元件 之進口所供應之流體,藉由向心加速度之作用而散佈橫越 在該工件之至少一個上方表面上的位置,以及一個允許經 由該下方容室元件之進口所供應之流體’藉由向心加速度 之作用而散佈橫越在該工件之至少一個下方表面上的位置 ,該至少一個流體出口係被定位以允許流體經由向心加速 度之作用而從該處理容室流出。 2 2 根據申請專利範圍第2 1項所述之裝置’其更 包括有一個周圍邊緣結構,其係幫助了上方工件表面以及 下方工件表面之相互不相容之處理。 2 3 ·根據申請專利範圍第2 1項所述之裝置’其中 6 ---------笨------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中a國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 45282 Λ8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 該工件係爲大體上圓形之半導體晶圓,並且其中該上方容 室元件以及該下方容室元件之進口係大致上對準該半導體 晶圓之中心。 2 4 ·根據申請專利範圍第2 1項所述之裝置,其更 包括有一個或是多個固定件’其係連接該上方容室元件以 及該下方谷室兀件,該一個或是多個固定件係適合以允許 在該上方容室元件與該下方容室元件之間的相對移動,用 以進入該處理容室而插入及/或抽出一個工件。 2 5 · —種處理一個工件之方法,其係包括有: 將工件放置在一個工件外殻之一個大致上關閉之處理 容室中; 將一個流體流動供應至該處理容室之一個大體上中央 部分; 旋轉該工件外殻以產生向心加速度,而使流體流動散 佈橫越該工件之至少一個表面。 2 6 . —種處理一個工件之方法’其中該工件係具有 上方以及下方大體上平面之表面,該方法係包括有: 將工件放置在一個工件外殻之一個大致上關閉之處理 容室中; 將一個第一流體流動供應至該處理容室之一個大體上 中央上方部分; 將一個第二流體流動烘應至該處理容室之一個大體上 中央下方部分: 旋轉該工件外殼以產生向心加速度,而使該第一流體 7 -I - - - i I - - I - - n - - - H» (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中_國家樣準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 4 52 8 > A8 B8 CS DS 經濟部智慧財產局員工消資合作社印製 六、申請專利範圍 流動散佈橫越該工件之至少一個上方表面,並使該第二流 體流動散佈橫越該工件之至少一個下方表面 2 7 .根據申請專利範圍第2 6項所述之方法,其中 該第一流體流動與該桌一流體流動係爲同時地供應者。 2 8 ·根據申請專利範圍第2 7項所述之方法,其更 包括有以下步驟:將該第一流體流動與該第二流體流動分 離,以致使該第一流體流動係使該工件之上方表面主要地 接觸至其下方表面一般的以外,並且該第二流體流動係使 該工件之下方表面主要地接觸至其上方表面一般的以外。 2 9 ‘一種在個別微環境中分批處理複數個工件之裝 置,該裝置係包括有: 一個轉子馬達; 複數個工件外殻,每一個工件外殼係被連接用以使該 轉子馬達繞著~個共同旋轉軸而旋轉,每一個工件外殼係 其中係包括有一個大致上關閉之處理容室,在該容室中一 種或是多種處理流體係藉由在該外殼旋轉期間所產生之向 心加速度而散佈橫越該一個個別的工件之至少一個表面。 3 0 .根據申請專利範圍第2 9項所述之裝置,其中 每一個鍵外殼係包括有一個裝央安置之進口,用於將流體 供應至個別的處理容室,該裝置更包括有: 一個靜止歧管; 一個旋轉歧管,其係具有一個被連接以接收來自該靜 止歧管出口之流體的輸入部; 複數個流體供應管線,其係從該旋轉歧管延伸並連接 8 i HH - 1 —1- III -. 行次 -- 1 I ^^1 1^1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家橾準(CNS ) A4«t格(210X297公釐) 4528 2 ο 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 至該旋轉歧管,並且在鄰近至少—個個別處理容室之中央 安®的入口處終結爲一個或是多個流體出口。 3 1 *根據申請專利範圍第3 0項所述之裝置,其中 ϊ亥旋轉歧管係被連接爲了與該工件外殻一同旋轉。 3 2 · —種處理一個工件之裝置,其係包括有: 一個外殻,其係包括有一個淸潔主要處理容室; 一個機械臂,其係安置在該淸潔主要處理容室中,並 且其係適合於輸送該工件; 複數個工件處理站,其係安置在該淸潔主要處理容室 中可被該機械臂存取之位置,至少一個工件處理站係包括 有: 一個轉子馬達; 一個工件外殻,其係被連接用以使該轉子馬達旋轉, 該工件外殼其中係包括有一個大致上關閉之處理容室,在 該容室中一種或是多種處理流體係藉由在該外殻旋轉期間 所產生之向心加速度而散佈橫越該工件之至少一個表面。 3 3 ·根據申請專利範圍第3 2項所述之裝置,其中 該工件外殼更包括有: 至少一個流體進口,其係對該處理容室開放並與該外 殻之旋轉軸對準;以及 至少一個流體出口,其係從該處理容室延伸,該至少 一個流體出口係被定位以允許流體從該容室經由在該工件 外殼繞著旋轉軸旋轉期間所產生之向心加速度之作用而流 出。 9 —------ U - - * - - I--- - n (請先閲讀背面之ίχ意事項再填寫本苋) 本紙浪尺Α逍用中國國家捸準< CNS >Α4规格(210χ的7公釐) 452828 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 4 ·根據申請專利範圍第3 3項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係被安置穿過該處理容室之上方部分 ’用以從而幫助了流體經由向心加速度之作用而散佈橫越 該工件之上方表面。 3 5 ·根據申請專利範圍第3 3項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係被安置穿過該處理容室之下方部分 ,用以從而幫助了流體經由向心加速度之作用而散佈橫越 該工件之下方表面。 3 6 ·根據申請專利範圍第3 2項所述之裝置,其中 該工件外殼係爲一個移動式容器。 3 7 ·根據申請專利範圍第3 2項所述之裝置,其中 該工件外殼係包括有上方容室元件與下方容室元件,此二 元件係彼此相連以界定出大致上關閉之處理容室。 3 8 ·根據申請專利範圍第3 2項所述之裝置,其中 該工件外殼係包括有: 一個上方容室元件,其係具有一個內部容室表面,該 上方容室元件在其內部容室表面中係包括有一個在中央安 置之流體進口; 一個下方容室元件1其係具有一個內部容室表面,該 下方容室元件在其內部容室表面中係包括有一個在中央安 置之流體進口; 該上方容室元件以及該下方容室元件係彼此連結以形 成大致上關閉之處理容室,該處理容室大體上符合工件之 形狀,該大致上關閉之處理容室係具有至少一個安置在其 本纸張尺度適用中國國家梂準(CNS > A4規格(四7公羞) (請先閩讀背面之注意事項再填窝本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印數 452828 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 周圍區域之流體出口,用以幫助流體經由向心加速度之作 用而從該處理容室流出。 3 9 .根據申請專利範圍第3 8項所述之裝置,其中 該工件外殼更包括有: 至少一個工件支承器’其係適合以將一個工件支承在 該大致上關閉之處理容室中一個與該上方及下方容室元件 之內部容室表面相分隔並且大致上平行的位置,該工件支 承器係將工件定位在該處理容室之中,用以允許經由該上 方容室元件之進口所供應之流體,藉由向心加速度之作用 而散佈橫越該工件之至少一個上方表面,並且用以允許經 由該下方容室元件之進口所供應之流體,藉由向心加速度 之作用而散佈橫越該工件之至少一個下方表面。 4 0 ·根據申請專利範圍第3 2項所述之裝置,其中 該工件外殻係包括有: 一個上方容室進口,其係用於將一個第一流體流動供 應進入該處理容室之一個上方區域中,用以使該第一流體 流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少一個 上方表面:以及 一個下方容室進口,其係用於將一個第二流體流動供 應進入該處理容室之一個下方區域中,用以使該第二流體 流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至少一個 下方表面。 4 1 ·根據申請專利範圍第4 0項所述之裝置,其更 包括有一個劃分元件,其係在該處理容室中繞著該工件之 11 I—. - ϋ - - I ----- - I ----------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本瓦) 本紙法尺度速用中國《家橾準(CNS ) Α4規格(2!0><297公釐) 4528 2 S 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 ?! D8 、申請專利範圍 -iiJtJg]邊緣而安置在—個使該劃分結構能夠將該第一流 與該第二流體流動之散佈流動分離之位置,因此該 第_^體流動係主要地被限制以接觸該工件之上方表面, 而該第二流體流動係主要地被限制以接觸該工件之下方表 面° 4 2 · —種在微環境中處理一個工件之裝置,該裝置 係包括有: 包圍機構,其係用以將一個工件包圍在一個大致上關 閉之處理容室中: 旋轉該包圍機構之機構,其係包括有該大致上關閉之 處理容室’用以將一種或是多種處理流體藉由在該包圍機 構旋轉期間所產生之向心加速度而散佈橫越在該工件之至 少一個表面上。 4 3 ·根據申請專利範圍第4 2項所述之裝置,其中 該包圍機構係包括有流體進口機構,用以將一個流體經由 向心加速度之作用而供應至該工件上方表面或下方表面中 的至少一個來散佈。 4 4 ·根據申請專利範圍第4 2項所述之裝置,其更 包括有打開或關閉該包圍機構之機構,從而允許插入或抽 出一個工件用以在該處理容室中處理。 4 5 _根據申請專利範圍第4 2項所述之裝置,其中 該包圍機構係包括有流體出口機構,用以允許來自該 容室之流體能夠經由在該包圍機構旋轉期間所產生之向心、 加速度而流出。 (請先W讀背面之注意^項再填寫本頁)經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 f· Β8--_ξ}_ 六、申請專利範圍 4 6 根據申請專利範圍第4 2項所述之裝置,其中 該包圍機構係包括有將第一與第二流體分別提供至該工件 上方表面以及下方表面之機構。 4 7 ·根據申請專利範圍第4 6項所述之裝置,其中 該包圍機構係包括有流體劃分機構,其係安置在該處理容 室中用於分離該第一以及第二流體流動之流動,因此該第 一流體流動係主要地被限制以接觸該工件之上方表面,而 該第二流體流動係主要地被限制以接觸該工件之下方表面 0 4 8 · —種在微環境中處理一個工件之裝置,該裝置 係包括有: 一個第一容室元件,其係具有一個內部容室壁; 一個第二容室元件,其係具有一個內部容室壁,該第 一與第二容室元件係適合在一個承載位置與一個處理位置 之間相對移動,其中在該承載位置處該第一與第二容室元 件係彼此相離,而在處理位置處該第一與第二容室元件係 彼此緊鄰以界定一個處理容室; 至少一個工件支承器組件,其係安置在該第一與第二 容室元件之間用於支承該微電子工件,該至少一個工件支 承器組件係可以在該第一與第二容室元件係位於承載位置 時,操作以將該微電子工件從該第一與第二容室元件中至 少一個的一內部容室壁分隔一個第一距離XI,並且該至 少一個工件支承器組件係可以在該第一與第二容室元件係 位於處理位置時,操作以將該微電子工件從該內部容室壁 13 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) A8 B8 C8 D8 4528 2 六、申請專利範圍 分隔一個第二距離X2,其中X1>X2。 4 9 ·根據申請專利範圍第4 8項所述之裝置,其中 該工件支承器組件係包括有: 一個工件支承器元件; 一個偏斜元件,其係被安置以銜接該工件支承器元件 ’該偏斜元件係迫使該工件支承器元件在該第一與第二容 室元件係位於承載位置時,使該微電子工件從內部容室壁 分隔該第一距離XI,在該第一與第二容室元件之間的相 對移動係迫使該工件支承器元件抵抗該偏斜元件之偏斜, 用以在該第一與第二容室元件係位於處理位置時驅動該工 件支承器元件,使該微電子工件從該內部容室壁分隔該第 二距離X 2。 5 0 ·根據申請專利範圍第4 9項所述之裝置,其中 該偏斜元件係爲一個螺旋彈簧致動器。 5 1 ·根據申請專利範圍第4 9項所述之裝置,其中 該偏斜元件係爲一個片簧。 5 2 ·根據申請專利範圍第4 8項所述之裝置,其中 該工件支承組件係包括有: 一個工件支承器元件,其係可在一個第一位置之間移 動,其中在該第一位置處該工件支承器元件在該第一與第 二容室元件係位於承載位置時,使該微電子工件從內部容 室壁分隔該第一距離XI,在該第一與第二容室元件之間 的相對移動在該第一與第二容室元件係位於處理位置時’ 迫使該工件支承器元件以驅使該工件支承器元件讓該微電 14 :I - I - — - · 衣一11 - I 1 I I - -,1τ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國圃家梯準(CNS)A4洗格(2丨0X297公釐) 452828 AS 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 子工件從該內部容室壁分隔該第二距離X2。 5 3 ·根據申請專利範圍第4 8項所述之裝置,其更 包括有: 至少一個處理流體進口,其係被安置穿過該內部容室 壁之至少一個用於連通該處理流體,而在該第一與第二容 室元件係位於處理位置時用以接觸該微電子工件; 一個轉子馬達,其係被連接以使該第一與第二容室元 件繞著一個旋轉軸而旋轉,從而使該處理流體經由在旋轉 期間所產生之向心加速度之作用而散佈橫越在電子工件之 一個表面上。 5 4 ·根據申請專利範圍第4 9項所述之裝置,其更 包括有: 至少一個處理流體進口,其係被安置穿過該內部容室 壁之至少一個用於連通該處理流體,而在該第一與第二容 室元件係位於處理位置時用以接觸該微電子工件; 一個轉子馬達,其係被連接以使該第一與第二容室元 件繞著一個旋轉軸而旋轉,従而使該處理流體經由在旋轉 期間所產生之向心加速度之作用而散佈橫越在電子工件之 一個表面上。 5 5 ·根據申請專利範圍第5 0項所述之裝置,其更 包括有z 至少一個處理流體進口,其係被安置穿過該內部容室 壁之至少一個用於連通該處理流體,而在該第一與第二容 室元件係位於處理位置時用以接觸該微電子工件; __ 15 本5張用中8H家#i ( CNS ) ( 210X297公釐) - I ---- —i I - T 衣--- n I _ _ {請先w讀背面之注意事項再填寫本I ) 4 528 2 8 A8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 —個轉子馬達,其係被連接以使該第一與第二容室元 件繞著一個旋轉軸而旋轉,從而使該處理流體經由在旋轉 期間所產生之向心加速度之作用而散佈橫越在電子工件之 一個表面上。 5 6 ·根據申請專利範圍第5 1項所述之裝置’其更 包括有: 一個處理流體進口,其係被安置穿過該內部容室壁之 至少一個用於連通該處理流體,而在該第一與第二容室元 件係位於處理位置時用以接觸該微電子工件: 一個轉子馬達,其係被連接以使該第一與第二容室元 件繞著一個旋轉軸而旋轉,從而使該處理流體經由在旋轉 期間所產生之向心加速度之作用而散佈橫越在電子工件之 一個表面上。 5 7 · —種在微環境中處理一個工件之裝置,該裝置 係包括有: 一個上方容室元件,其係具有一個內部容室壁: 一個下方容室元件|其係具有一個內部容室壁; 該上方容室元件以及該下方容室元件係適合在一個承 載位置與一個處理位置之間的對移動,其中在該承載位置 處該上方容室元件與該下方容室元件係彼此相離,而在處 理位置處該上方容室元件與該下方容室元件係有效地彼此 連結,用以形成一個大致關閉之處理容室,該大致關閉之 處理容室係符合該微電子工件之形狀,該大致關閉之處理 容室係具有至少一個安置在其周圍區域處之流體出口; ____16_ ^尺度逋用申國國家橾準(CNS ) A4洗格(210X297公癀1 ^ " I I I !| - - I - 1 衣--—-I »--- -! - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 452828 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 至少一個處理流體進口,其係被安置穿過該內部容室 壁之至少一個用於連通該處理流體’而在該第一與第二容 室元件係位於處理位置時用以接觸該微電子工件之一個表 面: 一個工件支承器組件’其係安置在該上方容室元件與 該下方容室元件之間用於支承該微電子工件,該工件支承 器組件係可以在該第一與第二容室元件係位於承載位置時 ,操作以將該微電子工件從該第一與第二容室元件中至少 一個的一內部容室壁分隔一個第一距離XI,並且該至少 一個工件支承器組件係可以在該第一與第二容室元件係位 於處理位置時,操作以將該微電子工件從該內部容室壁分 隔一個第二距離X2,其中X1>X2,該至少一個工件 支承器係適合於將該微電子工件支承在該大致上關閉之處 理容室中一個允許經由該至少一個處理流體進口所供應之 流體藉由向心加速度之作用而散佈橫越在該微電子工件之 至少一個表面上的位置。 5 8 ‘根據申請專利範圍第5 7項所述之裝置,其中 至少一個處理流體進口係被安置穿過該上方容室元件之該 內部容室壁,用於連通該處理流體而將其散佈橫越在該微 電子工件之一個上方表面上,該裝置更包括有一個更進一 步之處理流體進口,其係被安置穿過該下方容室元件之該 內部容室壁,用於連通該處理流體而將其散佈橫越在該微 電子工件之一個下方表面上。 5 9 .根據申請專利範圍第5 7項所述之裝置,其中 I-- ^^1 I » —I ^^1 ^^1 - --1 ' - - . ^^1 —^1 — (請先閱讀背面之注意事項再填W本f ) 本紙張尺度逍用中a國家標準(CNS ) A4洗格(2丨〇 X 297公釐) ABCD 45282 ϋ 六、申請專利範圍 該工件支承器組件係包括有: 一個工件支承器元件; —ί I —-1 — I----策—If —___—訂 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 一個偏斜元件’其係被安置以銜接該工件支承器元件 ,該偏斜元件係迫使該工件支承器元件在該第一與第二容 室元件係位於承載位置時,使該微電子工件從內部容室壁 分隔該第一距離X1 ’在該第一與第二容室元件之間的相 對移動係迫使該工件支承器元件抵抗該偏斜元件之偏斜, 用以在該第一與第二容室元件係位於處理位置時驅動該工 件支承器元件,使該微電子工件從該內部容室壁分隔該第 二距離X 2。 6 0 ·根據申請專利範圍第5 7項所述之裝置,其中 該工件支承器組件係包括有: 複數個工件支承器元件,每一個工件支承器元件係具 有一個直立部分以及一個之表面; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一個偏斜元件,其係被安置以銜接該複數個工件支承 器元件之直立部分,該偏斜元件係迫使該工件支承器元件 在該第一與第二容室元件係位於承載位置時,使該微電子 工件從內部容室壁分隔該第一距離XI,在該第一與第二 容室元件之間的相對移動係迫使該工件支承器元件抵抗該 偏斜元件之偏斜,用以在該第一與第二容室元件係位於處 理位置時驅動該工件支承器元件,使該微電子工件從該內 部容室壁分隔該第二距離X 2。 6 1 .根據申請專利範圍第6 〇項所述之裝置,其中 該偏斜元件係包括有複數個從一個中央轂延伸之片簧元件 1S 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4«L楼 ( 210X29?公釐) 45282 8 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 六、申請專利範圍 ,該片簧元件之端部係分別接觸該工件支承器之直立元件 〇 6 2 ·根據申請專利範園第6 1項所述之裝置,其中 該複數個工件支承器元件係被安置穿過該下方容室元件’ 並且其中該偏斜冗件係在該偏斜兀件之穀處’藉由一個开夕 成該下方容室元件之該處理流體進口的固定而被固定至該 下方容室元件。 6 3 _ —種處理一個微電子工件之裝置,其係包括有 一個轉子組件,其係適合在該微電子處理期間支承該 工件並且隨著該微電子工件旋轉; 一個處理頭部,其係適合在該微電子處理期間使該轉 子組件旋轉; 一個連接轂組件,其係包括有螺紋轂元件,螺紋轂元 件係藉由旋在一起之該處理頭部而固定該轉子組件用以旋 轉,並且允許在該轉子組件與該處理頭部之間經由一個在 該螺紋轂元件中之螺絲而分離。 6 4 .根據申請專利範圍第6 3項所述之裝置,其中 該螺紋轂元件係包括有: 一個第一轂元件,其係與該處理頭部固定地相銜接; —個第二轂元件,其係與該轉子組件固定地相銜接’ 該元件之該第一轂與該第二轂係具有相應之螺紋’允許該 第一轂元件與該第二轂元件輕易地連結在一起並且能夠輕 易地彼此分離,該元件之該第一轂與該第二轂元件在該微 19 n η - 1- I - 1- - - I I * 1 - - I n ,1T (请先閔讀背面之ii意事項再填寫本育〕 本紙張尺度邊用中困》家梂率(CNS) A4^格(210X297公釐) ^52828 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 電子工件處理期間係被連結在一起用以共同旋轉; .一個閉鎖機構,其係用於使該第一轂元件固定於該處 理頭部,用以防止該第一轂與該第二轂元件之共同旋轉, 從而允許該第二轂元件從該第一轂元件旋上以移除該轉子 組件。 6 5 · —種在微環境中處理一個工件之裝置,該裝置 係包括有: 複數個壁,其係界定了一個大致上關閉之沖洗/乾燥 容室’該大致上關閉之沖洗/乾燥容室係具有至少一個安 置在其周圍區域之流體出口,以及至少一個流體進口,其 係被安置以允許一流體在一個非周圍區域處進入該沖洗/ 乾燥容室; 至少一個工件支承器,其係適合以將一個工件支承在 該大致上關閉之沖洗/乾燥容室中一個允許經由該流體進 口所供應之流體藉由向心加速度之作用而散佈橫越該工件 之至少一個表面的位置,該至少一個流體出口係被定位以 允許流體經由向心加速度之作用而從該沖洗/乾燥容室流 出; 一個流體供應系統,其係被連接以順序地將一個沖洗 流體接著一個乾燥流體供應至至少一個進口。 6 6 ·根據申請專利範圍第6 5項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係被安置在該沖洗/乾燥容室之一個 中央部分。 6 7 ·根據申請專利範圍第6 5項所述之裝置,其中 n n I -- n n -- n - -I I I— n ( T <請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 20 452828經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 該至少一個流體進口係被安置在該沖洗/乾燥容室之一個 中央上方部分’用以將流體之一個流動供應鄰近該工件之 一個上方表面。 6 8 .根據申請專利範圍第6 5項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係被安置在該沖洗/乾燥容室之一個 中央下方部分’用以將流體之一個流動供應鄰近該工件之 一個下方表面。 6 9 .根據申請專利範圍第6 5項所述之裝置,其中 該沖洗/乾燥外殼係包括有: 一個上方容室進口,其係用於將一個第一流體流動供 應進入該沖洗/乾燥容室之一個上方區域中,用以使該第 一流體流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至 少一個上方表面;以及 一個下方容室進口,其係用於將一個第二流體流動供 應進入該沖洗/乾燥容室之一個下方區域中,用以使該第 二流體流動經由向心加速度之作用而散佈橫越該工件之至 少一個下方表面。 7 〇 ·根據申請專利範圍第6 9項所述之裝置,其更 包括有一個劃分結構,其係在該沖洗/乾燥容室中繞著該 工件之一個周圍邊緣而安置在一個使該劃分結構能夠將該 第一流體流動與該第二流體流動之散佈流動分離之位置, 因此該第一流體流動係主要地被限制以接觸該工件之上方 表面,而該第二流體流動係主要地被限制以接觸該工件之 下方表面。 本紙張尺度逋用中困困家標準(CMS ) A4洗格(210X297公釐) --— -I n - - - m、 衣--1--1 n n (請先W讀背面之注意事項再填寫本ί ) 452828 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AS β8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 1 _根據申請專利範圍第6 5項所述之裝置’其中 該大致上關閉之沖洗/乾燥容室大體上係符合該工件之形 狀。 7 2 .根據申請專利範圍第7 1項所述之裝置’其中 該工件係爲大體上圓形之半導體晶圓’複數個壁係包括有 一個大體上平面之上方內部容室表面; —個大體上平面之下方內部容室表面; 該上方內部容室表面以及該下方內部容室表面係被安 置以便大體上分別平行於該半導體晶圓之上方平面表面以 及下方平面表面。 7 3 ‘一種在微環境中沖洗以及乾燥一個工件之裝置 ,該裝置係包括有: 一個上方容室元件,其係具有一個流體進口; 一個下方容室元件,其係具有一個流體進口; 該上方容室元件以及該下方容室元件係彼此連結以形 成大致上關閉之沖洗/乾燥容室,而大體上符合工件之形 狀,該大致上關閉之沖洗/乾燥容室係具有至少一個安置 在其周圍區域之流體出口: 至少一個工件支承器,其係適合以將一個工件支承在 該大致上關閉之沖洗/乾燥容室中一個允許經由該上方容 室元件之進口所供應之流體1藉由向心加速度之作用而散 佈橫越在該工件之至少一個上方表面上的位置,以及一個 允許經由該下方容室元件之進口所供應之流體,藉由向心 22 H - m *--- - j - 1 - - I--I ^^1 (請先H讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉率(CNS ) A4洗格(210X297公釐) 452828 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 .仏 加速度之作用而散佈橫越在該工件之至少~個下方表面上 的位置,該至少一個流體出口係被定位以允許流體經由向 心加速度之作用而從該沖洗/乾燥容室流出;以及 一個流體供應系統,其係被連接以順序地將一個沖洗 流體接著一個乾燥流體供應至上方元件之該進口以及該下 方元件之該進口。 7 4 ·根據申請專利範圍第7 3項所述之裝置,其中 該沖洗流體係主要地由去離子晶圓所組成。 7 5 ·根據申請專利範圍第7 4項所述之裝置,其中 該乾燥流體係主要地由氮氣以及異丙醇蒸氣所組成。 7 6 *根據申請專利範圍第7 3項所述之裝置,其中 該乾燥流體係主要地由氮氣以及異丙醇蒸氣所組成。 7 7 ·根據申請專利範圍第7 3項所述之裝置,其更 包括有一個周圍邊緣結構,其係幫助了該上方工件表面以 及該下方工件表面之相互不相容的沖洗與乾燥。 7 8 ·根據申請專利範圍第7 3項所述之裝置,其中 該工件係爲大體上圓形之半導體晶圓,並且其中該上方容 室元件以及該下方容室元件之進口係大致上對準該半導體 晶圓之中心。 7 9 ·根據申請專利範圍第7 3項所述之裝置,其更 包括有一個或是多個固定件,其係連接該上方容室元件以 及該下方容室元件,該一個或是多個固定件係適合以允許 在該上方容室元件與該下方容室元件之間的相對移動,用 以進入該處理容室而插入及/或抽出一個工件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-------訂---------線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 ^5282Q A8 B8 C3 D8 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 8 0 ·—種沖洗及乾燥一個工件的方法,其係包括有 將工件放置在一個沖洗/乾燥外殼之一個大致上關閉 之沖洗/乾燥容室中; 將一個沖洗流體供應至該沖洗/乾燥容室之一個大體 上中央部分; 旋轉該沖洗/乾燥外殼以產生向心加速度,而使沖洗 流體之流動散佈橫越在該工件之至少一個表面上; 將一個乾燥流體在該沖洗流體之後供應至該沖洗/乾 燥容室之一個大體上中央部分; 旋轉該沖洗/乾燥外殻以產生向心加速度,;p]陡乾燥 流體之流動散佈橫越在該工件之至少一個表面上 8 1 .根據申請專利範圍第8 〇項所述之-該沖洗流體係主要地由去離子晶圓所組成。 8 2 .根據申請專利範圍第8 〇項所述之 該乾燥流體係主要地由氮氣以及異丙醇蒸氣所糸 J 8 3 ·根據申請專利範圍第8 1項所述之| 該乾燥流體係主要地由氮氣以及異丙醇蒸氣所組成。 8 4 · —種處理一個工件之裝置,其係包括有: —個外殼’其係包括有—個淸潔主要沖洗/乾燥容室 I —個機械臂’其係安置在該淸潔主要沖洗//乾燥容室 中’並且其係適合於輸送該工件; 複數個工件處理站’其係安置在該淸潔主要沖洗/乾[1Λ其中 其中 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁J 其中 lull--訂---------綠 24 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS)A4規格(210 X 297公s ) )282 a 經濟部智慧財產局員工消脅合作社印製 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 燥容室中可被該機械臂存取之位置,至少一個工件處理站 係包括有: 一個轉子馬達; 一個沖洗/乾燥外殼’其係被連接用以使該轉子馬達 旋轉,該沖洗/乾燥外殻其中係包括有一個大致上關閉之 沖洗/乾燥容室,在該容室中一種或是多種沖洗/乾燥流 體係藉由在該外殼旋轉期間所產生之向心加速度而散佈橫 越該工件之至少一個表面。 8 5 .根據申請專利範圍第8 4項所述之裝置,其中 該沖洗/乾燥外殼更包括有: 至少一個流體進口,其係對該沖洗/乾燥容室開放並 與該外殻之旋轉軸對準;以及 至少一個流體出口,其係從該沖洗/乾燥容室延伸, 該至少一個流體出口係被定位以允許流體從該沖洗/乾燥 容室經由在該沖洗/乾燥外殻繞著旋轉軸旋轉期間所產生 之向心加速度之作用而流出。 8 6 ·根據申請專利範圍第8 5項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係被安置穿過該沖洗/乾燥容室之上 方部分,用以從而幫助了流體經由向心加速度之作用而散 佈橫越在該工件之上方表面上。 8 7 ·根據申請專利範圍第8 5項所述之裝置,其中 該至少一個流體進口係被安置穿過該沖洗/乾燥容室之下 方部分,用以從而幫助了流體經由向心加速度之作用而散 佈橫越在該工件之下方表面上。 25 ---------*衣------1T (請先聞讀背面之注意事項再填{sf本瓦} 私紙浪尺度適用+國«家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 452823 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 8 8 ·根據申請專利範圍第8 4項所述之裝置,其中 該沖洗/乾燥外殼係爲一個移動式容器》 8 9 . —種處理一個微電子工件之裝置,其係具有一 個前側、一個後側、以及一個外部周圍,該裝置係包括有 一個反應器,其係具有一個上方容室壁以及一個下方 容室壁,該反應器係將一個微電子工件支承在該上方容室 壁與該下方容室壁之間的一個處理位置,該上方容室壁與 該下方容室壁係與一個支承在該處理位置之微電子工件可 旋轉地相連,該上方容室壁與該下方容室壁的每一個係具 有一個用於處理流體之進口; 一個上方處理容室,其係藉由該上方容室壁並藉由一 個支承在該處理位置之微電子工件所界定; 一個下方處理容室,其係藉由該下方容室壁並藉由一 個支承在該處理位置之微電子工件所界定,該上方處理容 室以及該下方處理容室在一個支承在該處理位置之微電子 工件外部周圍之外的一個區域係爲彼此流體相連通者; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ---------一衣------1T (請先閎讀背面之注意事項再填窝本頁) 該上方容室壁以及該下方容室壁中所選擇的一個係具 有一個用於處理流體而從該上方容室與該下方容室之出口 ,該出口係從一個旋轉軸向外地分隔一個徑向距離,並且 係向內地從一個支承在該處理位置之微電子工件的外部周 圍分隔一個比較小的徑向距離,因此進入該上方容室壁以 及該下方容室壁中剩下的一個的進□之處理流體,其在到 達該出口之前係可以作用在該受支承微電子元件之前側與 _ 26 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS > A4規格(21〇χ297公釐) 經濟部智慧財產局員工消#合作社印製 )2 F: 2 r ' / AS Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 後側中較近者之上、作用在該受支承微電子元件之外部周 圍上、並且作用在該受支承微電子元件其他側之外側邊緣 上,並且因此進入該上方容室壁以及該下方容室壁中所選 擇的一個的進口之處理流體,其在到達出口之前係可以作 用在該受支承微電子元件之後側,除了該後側之外部邊緣 之外。 9 0 ·根據申請專利範圍第8 9項所述之裝置,其中 該出口係爲從一個支承在該處理位置之微電子工件之垂直 軸以及外部周圍相似地分隔之相似出口陣列中的一個。 9 1 ·根據申請專利範圍第8 9項所述之裝置,其中 該上方容室壁以及該下方容室壁中所選擇的一個係爲上方 容室壁。 9 2 ·根據申請專利範圍第9 0項所述之裝置,其中 該上方容室壁以及該下方容室壁中所選擇的一個係爲上方 容室壁。 9 3 ·根據申請專利範圍第89項、第90項、第9 1項、或是第9 2項所述之裝置,其中每一個出口係與一 個具有一排放口之同軸環形空間相連通,該排放口係裝配 有一個閥體用於打開及關閉該排放口。 9 4 ·根據申請專利範圍第9 3項所述之裝置,其中 該排放口係爲排放口陣列中的一個,每一個排放口係裝配 有一個用於打開及關閉該排放口之閥體。 9 5 ·根據申請專利範圍第89項、第90項、第9 1項、或是第9 2項所述之裝置,其中該上方容室壁以及 27 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4说格(210X297公釐) -In r---1 i - - In --— m· - - - - I ___ _ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 4528 2 3 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 該下方容室壁在關閉時係被一個環形壓縮密封件所密封。 9 6 ·根據申請專利範圍第9 3項所述之裝置,其中 該上方容室壁以及該下方容室壁在關閉時係被一個在該空 間上方之環形壓縮密封件所密封。 9 7 ·根據申請專利範圍第9 4項所述之裝置,其中 該上方容室壁以及該下方容室壁在關閉時係被一個在該空 間上方之環形壓縮密封件所密封。 9 8 ·根據申請專利範圍第9 3項所述之裝置,其中 一個環形套筒係環繞該上方容室壁並且從該上方容室壁向 下地延伸在該空間上方,以便與該上方容室壁可旋轉地相 連,並且其中每一個出口係被定向以便直接處理流體底著 該環形套筒之內側表面而離開該出口。 9 9 ·根據申請專利範圍第9 8項所述之裝置,其中 該套筒之內側表面係爲向外地並且向下地擴大者,以便導 致處理流體到達該內側表面經由向心加速度而朝向該空間 向外地並且向下地流動。 1〇0 ·根據申請專利範圍第9 4項所述之裝置,其 中一個環形套筒係環繞該上方容室壁並且從該上方容室壁 向下地延伸在該空間上方,以便與該上方容室壁可旋轉地 相連,並且其中每一個出口係被定向以便直接處理流體底 著該環形套筒之內側表面而離開該出口。 1 0 1 ·根據申請專利範圍第1 0 0項所述之裝置, 其中該套筒之內側表面係爲向外地並且向下地擴大者,以 便導致處理流體到達該內側表面經由向心加速度而朝向該 28 本紙伕尺度適用中囤國家梯準(CNS ) A4说格(210X297公釐) ^^1 ^—^1 - - - - - -I ^^^1 - (请先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 452823 A8 B8 C8 ____D8 __ 六、申請專利範圍 空間向外地並且向下地流動^ - 1 II ---- I ^^1 .. - - — In ^^1 n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 0 2 * —種處理一個微電子工件之裝置,其係具有 一個前側、一個後側、以及一個外部周圍,該裝置係包括 有: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一個反應器,其係具有一個上方容室壁以及一個下方 容室壁,該上方容室壁以及該下方容室壁係被配置而打開 ,以便允許一個微電子元件可以承載進入該反應器用以處 理並且從該反應器中移除,該上方容室壁以及該下方容室 壁係被配置而關閉,以便將一個微電子工件支承在一個在 該上方容室壁以及該下方容室壁之間的處理位置中,該上 方容室壁以及該下方容室壁在關閉時係可以繞著一個垂直 軸而與一個支承在該處理位置之微電子工件可旋轉相連; 該上方容室壁以及該下方容室壁在關閉時係藉由一個 掣子機構而可釋放地彼此夾緊,該掣子機構係包括有一個 掣子環,該掣子環係爲藉由該上方容室壁以及該下方容室 壁中所選擇的一個所保持者,並且係適合於可移去地配合 在該上方容室壁以及該下方容室壁中剩下的一個的互補造 形凹部。 1 0 3 ·根據申請專利範圍第1 〇 2項所述之裝置, 其中該掣子環係爲由一個帶有一列向內成階部分之彈性材 料所製成者,該掣子環之該部分係使得該掣子環能夠從一 個未變形狀況而變形,其中該掣子環係具有一個互補的較 大直徑而進入一個變形狀況,其中該掣子環在該掣子環之 該部分係在徑向向內方向上被拖拉時係具有一個互補的較 本紙浪尺度適用中國國家梯率(CNS ) A4«l格(210X297公釐) 29____ 4^282δ Α8 Β8 C8 !________ D8 六、申請專利^ — — ~- 小直徑’該擊子環之該部分在該掣子環之該部分被釋放時 係使得該掣子環能夠返回至未變形狀況。 1 0 4 .根據申請專利範圍第1 〇 3項所述之裝置, 其中該掣子機構更包括有一列掣子打耳,每〜個掣子^耳 係分別與該掣子環之該部分中的一個相連,每〜個擊子打 耳在被致動時係適合在一個徑向向內方向上拖拉該挈子環 之該部分中相連的一個,並且每一個掣子打耳在未致動^ 係適合於釋放該掣子環之該部分中相連的一個。 1 ◦ 5,根據申請專利範圍第1 〇 4項所述之裝置, 其中該掣子機構更包括有一個致動環,其係適合於在該致 動環移動之一個有限範圍中上升及下降,其在上升時係適 合於致動該打耳,並且其在下降時係適合於未致動該打耳 1 Ο 6 ·根據申請專利範圍第1 Ο 5項所述之裝置, 其中該掣子機構更包括有一列氣動裝置,其在致動時係適 合於使該致動環上升。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 I I II,"I Ii. 訂 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁} 1 0 7 .根據申請專利範圍第1 〇 7項所述之裝置, 其中該致動環在該裝置未致動時係適合於氣動地下降。 1 0 8 種處理一個微電子工件之裝置,其係具有 —個前側、一個後側、以及一個外部周圍,該裝置係包括 有: —個反應器,其係具有一個上方容室萼以及一個下方 容室壁,該反應器係適合於將一個微電子工件支承在該上 方容室壁與該下方容室壁之間的一個處理位置,該上方容 _ 30 本紙诛ϋ用中國81家梯準(CNS ) A4洗格(2丨OX297公ίΰ " 4528 2 V. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 室壁與該下方容室壁係繞著一個旋轉軸而與一個支承在該 處理位置之微電子工件可旋轉地相連,該上方容室壁與該 下方容室壁的每一個係具有一個用於處理流體之進口; 一個上方處理容室,其係藉由該上方容室壁並藉由一 個支承在該處理位置之微電子工件所界定; 一個下方處理容室,其係藉由該下方容室壁並藉由一 個支承在該處理位置之微電子工件所界定,該上方處理容 室以及該下方處理容室在一個支承在該處理位置之微電子 工件外部周圍之外的一個區域係爲彼此流體相連通者; 該上方容室壁以及該下方容室壁中所選擇的一個係具 有一個用於處理流體而從該上方容室與該下方容室之出□ ,該出口係從一個旋轉軸向外地分隔; 該下方容室壁係具有一個上方表面,其係被造形以便 界定一個繞著該下方容室壁進口之環形貯槽,如果該液體 係擊中一個支承在該處理位置之微電子工件以及從一個支 承在該處理位置之微電子工件滴落,則該環形貯槽係用於 收集來自進入該下容室壁入口之處理流體的液體,並且當 向心加速度係施予所收集之液體時,則該環形貯槽係用於 將所收集之液體朝向出口而引導。 1 0 9 ·根據申請專利範圍第1 0 8項所述之裝置, 其中一個噴嘴係設在該下方容室壁之進口下方,用以引導 處理流體之噴流向上地穿過該下方容室壁之進口。 1 1 0 ♦根據申請專利範圍第1 〇 9項所述之裝置, 其中該噴嘴係具有複數個用於同時引導該處理流體複數個 31 _ 本紙張尺度適用中困國家橾率(CNS ) A4規格(210X297公釐1 " — ---------表------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 5 2 8 2 8 經濟部智慧財產局員工消黄合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 噴流並且向上地穿過該下方容室壁之進口的孔口。 111·根據申請專利範圍第110項所述之裝置, 其中該孔口係被定向以便導致所引導之噴流大略在該所引 導之噴流到達一個支承在該處理位置之微電子工件之處聚 合。 1 1 2 ·根據申請專利範圍第1 0 9項、第1 1 0項 、或是第1 1 1項所述之裝置,其中另一個噴嘴係被設置 在該被設在該下方容室壁進口下方之噴嘴的一側,用於引 導淨化氣體之一噴流橫越在設於該下方容室壁進口下方之 噴嘴。 1 1 3 · —種處理一個微電子工件之裝置,其係具有 一個前側、一個後側、以及一個外部周圍,該裝置係包括 有: 一個反應器,其係具有一個上方容室壁以及一個下方 容室壁,該上方容室壁以及該下方容室壁係被配置而打開 ,以便允許一個微電子元件可以承載進入該反應器用以處 理並且從該反應器中移除,該上方容室壁以及該下方容室 壁係被配置而關閉,以便將一個微電子工件支承在一個在 該上方容室壁以及該下方容室壁之間的處理位置中,該上 方容室壁以及該下方容室壁在關閉時係可以繞著一個垂直 軸而與一個支承在該處理位置之微電子工件可旋轉相連, 該上方容室壁以及該下方容室壁的每一個係具有一個用於 處理流體之進口; 一個上方處理容室,其係藉由該上方容室壁並藉由一 32 I ...... - - > 1--- -I ' 各-- -^—» (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4洗格(210X297公釐) 4528 2 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財A局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 個支承在該處理位置之微電子工件所界定; 一個下方處理容室’其係藉由該下方容室壁並藉由一 個支承在該處理位置之微電子工件所界定,該上方處理容 室以及該下方處理谷室在一個支承在該處理位置之微電子 工件外部周圍之外的一個區域係爲彼此相連通者; 該上方容室壁以及該下方容室壁中所選擇的一個係具 有一個用於處理流體而從該上方容室與該下方容室之出口 ,該出口係從一個垂直軸向外地分隔,該下方容室壁係具 有用於將一個支承在該處理位置之微電子工件在該下方容 室壁上方分隔一個給定距離之隔離片; S亥下方容室壁係裝設有一個上升機構,用於使一個支 承在該處理位置之微電子工件在該上方容室壁以及該下方 容室壁係被打開時,上升至一個在該下方容室壁上方一個 較大距離處的提高位置。 1 1 4 ·根據申請專利範圍第1 1 3項所述之裝置, 其中該上升機構係包括有一列上升桿件,每一個上升桿件 係可在一個操作位置與一個非操作位置之間樞轉並且偏斜 以便樞轉進入該操作位置,每一個上升桿件在該上方容室 壁以及該下方容室壁被關閉時係適合於從該操作位置樞轉 進入該非操作位置’每一個上升桿件在該上方容室壁以及 該下方容室壁被打開時係適合於從該非操作位置樞轉進入 該操作位置,每一個上升桿件係具有一個凸出部,其係適 合於在一個支承在該處理位置之微電子工件的下方凸出, 並且在從該非操作位置樞轉進入該操作位置時係適合使該 JJ I - - - - II -------- - 1 II - _ {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸浪尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4规格(210X297公釐) b ^ 0 2 3 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 微電子工件上升。 1 1 5 _根據申請專利範圍第1 1 4項所述之裝置, 在此該上升桿件係藉由一個銜接該上升桿件之彈性元件而 偏斜,並且在該上方容室壁以及該下方容室壁被關閉時維 持在一個比較高的張力之下,而在該上方容室壁以及該下 方容室壁被打開時維持在一個比較低的張力之下。 I tm mu In I— HILk tn. 1 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本K ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙浪尺度逍用中國國家梂準< CNS ) A4说格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/041,649 US6318385B1 (en) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
US09/041,901 US6350319B1 (en) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | Micro-environment reactor for processing a workpiece |
US09/113,435 US6264752B1 (en) | 1998-03-13 | 1998-07-10 | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
US11675099P | 1999-01-22 | 1999-01-22 | |
US11747499P | 1999-01-27 | 1999-01-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW452828B true TW452828B (en) | 2001-09-01 |
Family
ID=27534766
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088103580A TW452828B (en) | 1998-03-13 | 1999-03-09 | Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece |
TW088103730A TW471059B (en) | 1998-03-13 | 1999-03-11 | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088103730A TW471059B (en) | 1998-03-13 | 1999-03-11 | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP1085948B1 (zh) |
JP (2) | JP4189125B2 (zh) |
KR (1) | KR100555258B1 (zh) |
CN (2) | CN100342487C (zh) |
AT (2) | ATE299402T1 (zh) |
DE (2) | DE69926127T2 (zh) |
TW (2) | TW452828B (zh) |
WO (2) | WO1999046064A1 (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI579228B (zh) * | 2011-05-18 | 2017-04-21 | 應用材料股份有限公司 | 電化學處理器 |
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- 1999-03-11 TW TW088103730A patent/TW471059B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-03-15 EP EP99912558A patent/EP1085948B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-15 WO PCT/US1999/005674 patent/WO1999046064A1/en active IP Right Grant
- 1999-03-15 EP EP99912557A patent/EP1091811B8/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-15 DE DE69926127T patent/DE69926127T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-15 WO PCT/US1999/005676 patent/WO1999046065A1/en active Application Filing
- 1999-03-15 JP JP2000535469A patent/JP4189125B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-15 CN CNB2004100705367A patent/CN100342487C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-15 KR KR1020007010126A patent/KR100555258B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-03-15 JP JP2000535468A patent/JP2002506294A/ja active Pending
- 1999-03-15 AT AT99912557T patent/ATE299402T1/de active
- 1999-03-15 CN CNB998039543A patent/CN1167518C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-15 AT AT99912558T patent/ATE255962T1/de active
- 1999-03-15 DE DE69913521T patent/DE69913521T2/de not_active Expired - Lifetime
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EP1091811B1 (en) | 2005-07-13 |
JP4189125B2 (ja) | 2008-12-03 |
CN1599025A (zh) | 2005-03-23 |
CN100342487C (zh) | 2007-10-10 |
EP1085948A1 (en) | 2001-03-28 |
DE69926127D1 (de) | 2005-08-18 |
WO1999046064A1 (en) | 1999-09-16 |
CN1292736A (zh) | 2001-04-25 |
ATE255962T1 (de) | 2003-12-15 |
DE69913521D1 (de) | 2004-01-22 |
EP1085948B1 (en) | 2003-12-10 |
CN1167518C (zh) | 2004-09-22 |
WO1999046065A1 (en) | 1999-09-16 |
EP1091811A1 (en) | 2001-04-18 |
KR20010052209A (ko) | 2001-06-25 |
EP1091811B8 (en) | 2005-12-07 |
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JP2003517364A (ja) | 2003-05-27 |
DE69913521T2 (de) | 2004-10-14 |
JP2002506294A (ja) | 2002-02-26 |
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EP1085948A4 (en) | 2002-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |