TWI710414B - 基板處理裝置、基板處理方法、延遲期間設定方法及記錄媒體 - Google Patents

Abstract

本發明之基板處理裝置包含：基板保持單元，其保持基板；第1噴嘴，其用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第1處理液；第1配管，其對上述第1噴嘴供給第1處理液；第1閥，其將上述第1配管開閉；第2噴嘴，其係與上述第1噴嘴不同之噴嘴，且用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第2處理液；第2配管，其對上述第2噴嘴供給第2處理液；第2閥，其將上述第2配管開閉；及控制裝置，其對上述第1閥及上述第2閥之開閉進行控制；且上述控制裝置執行：第1關閉動作步驟，其係於自上述第1噴嘴噴出第1處理液之狀態下，將處於打開狀態之上述第1閥關閉；及第2打開動作步驟，其係自上述第1閥之關閉動作開始起經過延遲期間之後，於第1處理液自上述第1噴嘴之噴出未完全停止之狀態下開始上述第2閥之打開動作。

Description

基板處理裝置、基板處理方法、延遲期間設定方法及記錄媒體

本發明係關於一種基板處理裝置、基板處理方法、延遲期間設定方法及記錄媒體。成為處理對象之基板中，例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display，平面顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。

於半導體裝置或液晶顯示裝置之製造步驟中，例如逐片對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行處理。具體而言，藉由將藥液供給至基板，而利用藥液對基板之主面進行處理。其後，藉由將純水供給至基板，而沖洗附著於基板之藥液。沖洗藥液之後，將作為有機溶劑之一例之IPA(isopropyl alcohol，異丙醇)供給至基板，將附著於基板之純水置換為IPA。其後，藉由使基板高速旋轉，而將附著於基板之IPA自基板去除，使基板乾燥。

然而，於此種基板處理方法中，使基板乾燥時，存在形成於基板之主面之圖案倒塌之情況。因此，於下述專利文獻1中，揭示有於利用IPA進行置換後使基板之主面疏水化以防止圖案倒塌之方法。

具體而言，於形成基板之上表面之IPA之液膜之後，藉由自噴嘴朝向基板之上表面中央部噴出疏水化劑，而向基板之上表面供給疏水化劑，於基板之上表面形成覆蓋該上表面之整個區域之疏水化劑之液 膜。藉此，使基板之上表面疏水化。其後，藉由使基板高速旋轉，而使基板乾燥。

又，於下述專利文獻2中，記載有將自藥液處理結束至淋洗處理開始之期間設定為0.5秒以上1.5秒以內之較短時間之觀點。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2017-112391號公報

[專利文獻2]日本專利特開2005-327807號公報

於專利文獻1之方法中，自IPA處理(使用IPA之處理)向疏水化劑處理(使用疏水化劑之處理)移行時，若自IPA處理結束至疏水化劑處理開始空出間隔，則於基板之上表面IPA乾燥，其結果，有發生圖案倒塌之虞。

為了解決該問題，考慮連續地進行自IPA處理向疏水化劑處理之移行。具體而言，考慮將用以供給疏水化劑及IPA之噴嘴分為疏水化劑噴嘴與IPA噴嘴，使介裝於連接在疏水化劑噴嘴之疏水化劑配管之疏水化劑閥之關閉動作的開始與介裝於連接在IPA噴嘴之IPA配管之IPA閥之打開動作的開始同步。

然而，自IPA閥之關閉動作開始至IPA閥完全關閉存在時滯。又，自疏水化劑閥之打開動作開始至疏水化劑閥完全打開存在時滯。因此，自IPA處理向疏水化劑處理移行時，自IPA噴嘴噴出IPA之期間與自疏水化劑噴嘴噴出疏水化劑之期間部分重疊。IPA於基板之上表面之著液 位置與疏水化劑於基板之上表面之著液位置均為基板之上表面中央部，相互接近，因此，自IPA處理向疏水化劑處理移行時，有自疏水化劑噴嘴噴出之疏水化劑與自IPA噴嘴噴出之IPA發生干涉而發生液體飛濺或較大之液體紊亂之虞。而且，有因該等液體飛濺或較大之液體紊亂而發生圖案倒塌或顆粒污染之虞。

為了抑制或防止此種於上表面中央部之圖案倒塌等，亦考慮如下述專利文獻2中記載般，將從IPA自IPA噴嘴之噴出口之噴出結束至疏水化劑自疏水化劑噴嘴之噴出口之噴出開始之期間隔開特定的短時間。然而，於該情形時，維持IPA處理後之狀態而放置，因此，有如上所述之伴隨IPA之乾燥產生之圖案倒塌之顧慮。

因此，必須使處理液(疏水化劑或IPA)不於基板發生斷液，且一面抑制或防止因疏水化劑與IPA之干涉而導致發生液體飛濺，一面自IPA處理移行至疏水化劑處理。

又，亦存在如下情況，即，於基板疏水化之後，朝向基板之上表面中央部供給IPA，將保持於基板之上表面之IPA於乾燥時之前置換為疏水化劑。此種自疏水化劑處理向IPA處理移行時亦存在相同之課題。

進而，不限於採用疏水化劑及IPA作為處理液之情形，於採用其他處理液之情形時，若於自第1處理液處理(使用第1處理液之處理)結束至第2處理液處理(使用第2處理液之處理)開始之間空出期間，則亦存在出現伴隨基板之上表面之露出而產生顆粒等問題之情況。

因此，本發明之目的之一在於提供一種能夠一面抑制或防止因第1處理液與第2處理液之干涉而導致發生液體飛濺，且一面使基板不 發生斷液地自第1處理液處理移行至第2處理液處理的基板處理裝置及基板處理方法。

又，於在第1閥(IPA閥)之關閉動作開始之後，開始第2閥(疏水化劑閥)之打開動作之情形時，基板處理裝置之控制上必須設定自第1閥之關閉動作開始至第2閥之打開動作開始之延遲期間。要求良好地設定此種延遲期間。

因此，本發明之另一目的在於提供一種能夠良好地設定自第1閥之關閉動作開始至第2閥之打開動作開始之延遲期間的基板處理裝置、延遲期間設定方法及記錄媒體。

本發明之第1態樣提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其保持基板；第1噴嘴，其用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第1處理液；第1配管，其對上述第1噴嘴供給第1處理液；第1閥，其將上述第1配管開閉；第2噴嘴，其係與上述第1噴嘴不同之噴嘴，且用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第2處理液；第2配管，其對上述第2噴嘴供給第2處理液；第2閥，其將上述第2配管開閉；及控制裝置，其對上述第1閥及上述第2閥之開閉進行控制；且上述控制裝置執行：第1關閉動作步驟，其係於自上述第1噴嘴噴出第1處理液之狀態下，將處於打開狀態之上述第1閥關閉；及第2打開動作步驟，其係自上述第1閥之關閉動作開始起經過延遲期間之後，於第1處理液自上述第1噴嘴之噴出未完全停止之狀態下開始上述第2閥之打開動作。

根據該構成，自第1閥之關閉動作開始起經過延遲期間之後，於第1處理液自第1噴嘴之噴出未完全停止之狀態下開始第2閥之打開 動作。由於第2閥之打開動作之開始遲於第1閥之關閉動作之開始，故而噴出之第1處理液與噴出之第2處理液發生干涉之期間較短。因此，能夠抑制或防止伴隨第1處理液與第2處理液之干涉而發生液體飛濺或較大之液體紊亂。又，由於在第1處理液自第1噴嘴之噴出未完全停止之時點開始第2閥之打開動作，故而能夠使處理液對基板之供給不中斷而連續地進行。因此，於基板中不發生斷液。藉由該等，能夠一面抑制或防止因第1處理液與第2處理液之干涉而導致發生液體飛濺，且一面使基板不發生斷液地自第1處理液處理移行至第2處理液處理。

於本發明之一實施形態中，上述第2打開動作步驟包括於上述第1閥中之第1處理液之流通未完全停止之狀態下開始上述第2閥之打開動作的步驟。

根據該構成，自第1閥之關閉動作開始起經過延遲期間之後，於第1閥中之第1處理液之流通未完全停止之時點開始第2閥之打開動作。

「第1處理液自第1噴嘴之噴出未完全停止之時點」可與「第1閥中之第1處理液之流通未完全停止之時點」視為同等。又，藉由在第1配管配置流量計等，能夠良好地檢測「第1閥中之第1處理液之流通未完全停止之時點」。因此，能夠良好地獲取「第1處理液自第1噴嘴之噴出未完全停止之時點」。

於本發明之一實施形態中，上述延遲期間係以第1處理液自上述第1噴嘴之噴出流量與第2處理液自上述第2噴嘴之噴出流量一致之狀態下的該第1處理液之噴出流量與該第2處理液之噴出流量之合計流量成為特定之閾值以下的方式設置，且上述特定之閾值係較第1處理液之噴出 流量低之值。

根據該構成，自第1噴嘴噴出第1處理液之期間與自第2噴嘴噴出第2處理液之期間重疊。此時，以於第1處理液自第1噴嘴之噴出流量與第2處理液自第2噴嘴之噴出流量一致之時點的第1處理液之噴出流量與第2處理液之噴出流量之合計流量(以下，有時簡稱為「合計流量」)成為特定之閾值以下之方式設定延遲期間。又，閾值係較即將開始第1閥之關閉動作之前之第1處理液之噴出流量低的值。由於將合計流量設為此種閾值以下，故而不會因第1處理液與第2處理液之干涉而於基板上發生較大之液體飛濺。因此，能夠抑制或防止自第1處理液處理向第2處理液處理移行時之液體飛濺之發生。

於本實施形態中，上述延遲期間係基於與上述第1閥之關閉動作開始後之第1處理液之噴出流量之推移相關的第1流量推移資訊、及與上述第2閥之打開動作開始後之第2處理液之噴出流量之推移相關的第2流量推移資訊，以上述合計流量成為上述閾值以下之方式設置。

根據該構成，第1流量推移資訊及第2流量推移資訊係根據執行處理之基板處理裝置、或根據其處理條件而不同。而且，由於基於該等第1流量推移資訊及第2流量推移資訊設置如合計流量成為閾值以下之延遲期間，故而能夠容易地設置與基板處理裝置或處理條件對應之良好之延遲期間。

上述閾值亦可為藉由使用上述基板處理裝置之實驗而求出之值。

於本發明之一實施形態中，亦可將預先規定之期間作為上述延遲期間而記憶於記憶單元。於該情形時，上述控制裝置亦可基於記憶 於上述記憶單元之延遲期間執行上述第2打開動作步驟。

於本發明之一實施形態中，亦可為上述第1處理液包含疏水化劑與有機溶劑之一種，且上述第2處理液包含疏水化劑與有機溶劑之另一種。

於該情形時，於自第1噴嘴噴出疏水化劑與有機溶劑之一種之狀態下將處於打開狀態之第1閥關閉。又，自第1閥之關閉動作開始起經過延遲期間之後，於疏水化劑與有機溶劑之一種自第1噴嘴之噴出未完全停止之狀態下開始第2閥的打開動作。藉此，自第2噴嘴噴出疏水化劑與有機溶劑之另一種。

由於第2閥之打開動作之開始遲於第1閥之關閉動作之開始，故而疏水化劑與有機溶劑於基板上發生干涉之期間較短。因此，能夠抑制或防止伴隨疏水化劑與有機溶劑之干涉而發生液體飛濺或較大之液體紊亂。

又，由於在疏水化劑與有機溶劑之一種自第1噴嘴之噴出未完全停止之時點開始第2閥的打開動作，故而能夠抑制或防止於供給疏水化劑與有機溶劑之另一種之前之期間，疏水化劑與有機溶劑之一種於基板上乾燥。

藉此，能夠一面抑制或防止因疏水化劑與有機溶劑之干涉而導致發生液體飛濺，且抑制或防止疏水化劑與有機溶劑之一種於基板上乾燥，一面自使用疏水化劑與有機溶劑之一種之處理移行至使用疏水化劑與有機溶劑之另一種之處理。

本發明之第2態樣提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其保持基板；第1噴嘴，其用於朝向由上述基板保持單元保持 之基板噴出第1處理液；第1配管，其對上述第1噴嘴供給第1處理液；第1閥，其將上述第1配管開閉；第2噴嘴，其用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第2處理液；第2配管，其對上述第2噴嘴供給第2處理液；第2閥，其將上述第2配管開閉；及延遲期間設定單元，其設定自上述第1閥之關閉動作開始至上述第2閥之打開動作開始之延遲期間；且上述延遲期間設定單元係基於與上述第1閥之關閉動作開始後之第1處理液自上述第1噴嘴之噴出流量之推移相關的第1流量推移資訊、及與上述第2閥之打開動作開始後之第2處理液自上述第2噴嘴之噴出流量之推移相關的第2流量推移資訊，算出上述延遲期間，並設定上述延遲期間。

根據該構成，基板處理裝置具備設定自第1閥之關閉動作開始至第2打開動作步驟開始之延遲期間的延遲期間設定單元。第1流量推移資訊及第2流量推移資訊係根據執行處理之基板處理裝置、或根據其處理條件而不同。而且，由於基於該等第1流量推移資訊及第2流量推移資訊設置如合計流量成為閾值以下之延遲期間，故而能夠容易地設置與基板處理裝置或處理條件對應之良好之延遲期間。

於本發明之一實施形態中，進而包含資訊獲取控制裝置，該資訊獲取控制裝置對上述第1閥及上述第2閥之開閉進行控制，以獲取上述第1流量推移資訊及上述第2流量推移資訊，且上述延遲期間設定單元係基於所獲取之上述第1流量推移資訊及上述第2流量推移資訊設定上述延遲期間。

根據該構成，資訊獲取控制裝置基於將第1閥及第2閥實際開閉而進行之事先實驗等，獲取與該基板處理裝置對應之第1流量推移資訊及第2流量推移資訊。而且，基於所獲取之第1流量推移資訊及第2流量 推移資訊設定延遲期間。由於第1流量推移資訊及第2流量推移資訊係基於該基板處理裝置中之實測之資訊，故而能夠設定排除基板處理裝置之個體差異之良好之延遲期間。

於本發明之一實施形態中，進而包含：資訊獲取控制裝置，其對上述第1閥及上述第2閥之開閉進行控制，以獲取上述第1流量推移資訊及上述第2流量推移資訊；流量計，其對第1處理液之噴出流量進行測量；及預測單元，其係基於由上述流量計所測量之噴出流量及所獲取之上述第1流量推移資訊，預測第1處理液之噴出流量之將來之推移；且上述延遲期間設定單元係基於由上述預測單元預測出之上述將來之推移及所獲取之上述第2流量推移資訊設定上述延遲期間。

根據該構成，基於所測量之當前之第1處理液之噴出流量，預測第1處理液之噴出流量之將來之推移。而且，基於預測出之第1流量推移資訊及所獲取之第2流量推移資訊，與基板處理之進行並行地設定延遲期間。藉此，能夠設定最適於進行中之基板處理之處理條件之良好的延遲期間。

於本發明之一實施形態中，上述延遲期間設定單元係基於上述第1流量推移資訊及上述第2流量推移資訊，以第1處理液之噴出流量與第2處理液之噴出流量一致之狀態下的該第1處理液之噴出流量與該第2處理液之噴出流量之合計流量成為閾值以下的方式設定上述延遲期間。

根據該構成，自第1噴嘴噴出第1處理液之期間與自第2噴嘴噴出第2處理液之期間重疊。此時，以於第1處理液自第1噴嘴之噴出流量與第2處理液自第2噴嘴之噴出流量一致之時點的第1處理液之噴出流量與第2處理液之噴出流量之合計流量成為特定之閾值以下之方式設定延遲 期間。又，閾值係較即將開始第1閥之關閉動作之前之第1處理液之噴出流量低的值。由於將合計流量設為此種閾值以下，故而不會因第1處理液與第2處理液之干涉而於基板上發生較大之液體飛濺。因此，能夠抑制或防止自第1處理液處理向第2處理液處理移行時之液體飛濺之發生。

於本發明之一實施形態中，上述延遲期間設定單元將上述合計流量成為閾值以下之期間中之最短之期間設定為上述延遲期間。

根據該構成，將合計流量成為閾值以下之期間中之最短之期間設定為延遲期間。藉此，能夠使基板不發生斷液地自第1處理液處理移行至第2處理液處理。

上述閾值亦可為藉由使用上述基板處理裝置之實驗而求出之值。

來自上述第2噴嘴之第2處理液於上述基板之著液位置亦可與來自上述第1噴嘴之第1處理液於上述基板之著液位置接近。

本發明之第3態樣提供一種基板處理方法，其係於基板處理裝置中執行者，上述基板處理裝置包含：基板保持單元，其保持基板；第1噴嘴，其用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第1處理液；第1配管，其對上述第1噴嘴供給第1處理液；第1閥，其將上述第1配管開閉；第2噴嘴，其係與上述第1噴嘴不同之噴嘴，且用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第2處理液；第2配管，其對上述第2噴嘴供給第2處理液；及第2閥，其將上述第2配管開閉；且上述基板處理方法包括：第1關閉動作步驟，其係於自上述第1噴嘴噴出第1處理液之狀態下，將處於打開狀態之上述第1閥關閉；及第2打開動作步驟，其係自上述第1閥之關閉動作開始起經過延遲期間之後，於第1處理液自上述第1噴嘴之噴出未完 全停止之狀態下開始上述第2閥之打開動作。

根據該方法，自第1閥之關閉動作開始起經過延遲期間之後，於第1處理液自第1噴嘴之噴出未完全停止之狀態下開始第2閥之打開動作。由於第2閥之打開動作之開始遲於第1閥之關閉動作之開始，故而噴出之第1處理液與噴出之第2處理液發生干涉之期間較短。因此，能夠抑制或防止伴隨第1處理液與第2處理液之干涉而發生液體飛濺或較大之液體紊亂。又，由於在第1處理液自第1噴嘴之噴出未完全停止之時點開始第2閥之打開動作，故而能夠使處理液對基板之供給不中斷而連續地進行。因此，於基板中不發生斷液。藉由該等，能夠一面抑制或防止因第1處理液與第2處理液之干涉而導致發生液體飛濺，且一面使基板不發生斷液地自第1處理液處理移行至第2處理液處理。

於本發明之一實施形態中，上述延遲期間係以第1處理液自上述第1噴嘴之噴出流量與第2處理液自上述第2噴嘴之噴出流量一致之狀態下的該第1處理液之流量與該第2處理液之流量之合計流量成為特定之閾值以下的方式設置，且上述特定之閾值係較第1處理液之噴出流量低之值。

根據該方法，自第1噴嘴噴出第1處理液之期間與自第2噴嘴噴出第2處理液之期間重疊。此時，以於第1處理液自第1噴嘴之噴出流量與第2處理液自第2噴嘴之噴出流量一致之時點的第1處理液之噴出流量與第2處理液之噴出流量之合計流量成為特定之閾值以下的方式設定延遲期間。又，閾值係較即將開始第1閥之關閉動作之前之第1處理液之噴出流量低的值。由於將合計流量設為此種閾值以下，故而不會因第1處理液與第2處理液之干涉而於基板上發生較大之液體飛濺。因此，能夠抑制或防 止自第1處理液處理向第2處理液處理移行時之液體飛濺之發生。

於本發明之一實施形態中，上述延遲期間係基於與上述第1閥之關閉動作開始後之第1處理液之噴出流量之推移相關的第1流量推移資訊、及與上述第2閥之打開動作開始後之第2處理液之噴出流量之推移相關的第2流量推移資訊，以成為上述閾值以下之方式設置。

根據該方法，第1流量推移資訊及第2流量推移資訊係根據執行處理之基板處理裝置、或根據其處理條件而不同。而且，由於基於該等第1流量推移資訊及第2流量推移資訊設置如合計流量成為閾值以下之延遲期間，故而能夠容易地設置與基板處理裝置或處理條件對應之良好之延遲期間。

亦可為上述第1處理液包含疏水化劑與有機溶劑之一種，且上述第2處理液包含疏水化劑與有機溶劑之另一種。

於該情形時，於自第1噴嘴噴出疏水化劑與有機溶劑之一種之狀態下將處於打開狀態之第1閥關閉。又，自第1閥之關閉動作開始起經過延遲期間之後，於疏水化劑與有機溶劑之一種自第1噴嘴之噴出未完全停止之狀態下開始第2閥的打開動作。藉此，自第2噴嘴噴出疏水化劑與有機溶劑之另一種。

由於第2閥之打開動作之開始遲於第1閥之關閉動作之開始，故而疏水化劑與有機溶劑於基板上發生干涉之期間較短。因此，能夠抑制或防止伴隨疏水化劑與有機溶劑之干涉而發生液體飛濺或較大之液體紊亂。

又，由於在疏水化劑與有機溶劑之一種自第1噴嘴之噴出未完全停止之時點開始第2閥的打開動作，故而能夠抑制或防止於供給疏 水化劑與有機溶劑之另一種之前之期間，疏水化劑與有機溶劑之一種於基板上乾燥。

藉此，能夠一面抑制或防止因疏水化劑與有機溶劑之干涉而導致發生液體飛濺，且抑制或防止疏水化劑與有機溶劑之一種於基板上乾燥，一面自使用疏水化劑與有機溶劑之一種之處理移行至使用疏水化劑與有機溶劑之另一種的處理。

本發明之第4態樣提供一種延遲期間設定方法，其係於基板處理裝置中設定自第1閥之關閉動作開始至第2閥之打開動作開始之延遲期間者，上述基板處理裝置包含：基板保持單元，其保持基板；第1噴嘴，其用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第1處理液；第1配管，其對上述第1噴嘴供給第1處理液；第1閥，其將上述第1配管開閉；第2噴嘴，其用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第2處理液；第2配管，其對上述第2噴嘴供給第2處理液；及第2閥，其將上述第2配管開閉；且上述延遲期間係基於與上述第1閥之關閉動作開始後之第1處理液自上述第1噴嘴之噴出流量之推移相關的第1流量推移資訊、及與上述第2閥之打開動作開始後之第2處理液自上述第2噴嘴之噴出流量之推移相關的第2流量推移資訊，算出第1處理液之噴出流量與第2處理液之噴出流量一致之狀態下的該第1處理液之噴出流量與該第2處理液之噴出流量之合計流量成為閾值以下的期間，並將該期間設定為上述延遲期間。

根據該方法，延遲期間設定方法係設定自第1閥之關閉動作開始至第2打開動作步驟開始之延遲期間。第1流量推移資訊及第2流量推移資訊係根據執行處理之基板處理裝置、或根據其處理條件而不同。而且，由於基於該等第1流量推移資訊及第2流量推移資訊設置如合計流量成 為閾值以下之延遲期間，故而能夠容易地設置與基板處理裝置或處理條件對應之良好之延遲期間。

於本發明之一實施形態中，上述延遲期間設定方法係將上述合計流量成為閾值以下之期間中之最短之期間設定為上述延遲期間。

根據該方法，將合計流量成為閾值以下之期間中之最短之期間設定為延遲期間。藉此，能夠使基板不發生斷液地自第1處理液處理移行至第2處理液處理。

本發明之第5態樣提供一種記錄媒體，其係記錄有用以執行延遲期間設定方法之程式者，上述延遲期間設定方法係設定自將用以對第1噴嘴供給第1處理液之第1配管開閉之第1閥之關閉動作開始至將用以對與上述第1噴嘴不同之噴嘴即第2噴嘴供給第2處理液之第2配管開閉之第2閥之打開動作開始的延遲期間，且上述延遲期間設定方法係上述延遲期間基於與上述第1閥之關閉動作開始後之第1處理液自上述第1噴嘴之噴出流量之推移相關的第1流量推移資訊、及與上述第2閥之打開動作開始後之第2處理液自上述第2噴嘴之噴出流量之推移相關的第2流量推移資訊，算出第1處理液之噴出流量與第2處理液之噴出流量一致之狀態下的該第1處理液之噴出流量與該第2處理液之噴出流量之合計流量成為閾值以下的期間，並將該期間設定為上述延遲期間。此種記錄媒體可為電腦中配備之記錄媒體，亦可為與電腦分開之記錄媒體。

根據該方法，延遲期間設定方法係設定自第1閥之關閉動作開始至第2打開動作步驟開始之延遲期間。第1流量推移資訊及第2流量推移資訊係根據執行處理之基板處理裝置、或根據其處理條件而不同。而且，由於基於該等第1流量推移資訊及第2流量推移資訊設置如合計流量成 為閾值以下之延遲期間，故而能夠容易地設置與基板處理裝置或處理條件對應之良好之延遲期間。

本發明中之上述之或進而其他之目的、特徵及效果根據於下文參照隨附圖式敍述之實施形態之說明而明確。

1:基板處理裝置

2:分度器區塊

2:處理單元

3:處理區塊

3:控制裝置

4:腔室

5:旋轉夾頭

6:藥液供給單元

7:淋洗液供給單元

8:疏水化劑噴嘴

8a:噴出口

9:疏水化劑配管

9A:疏水化劑流量計

9B:第1抽吸裝置

10:疏水化劑閥

11:有機溶劑噴嘴

11a:噴出口

12:有機溶劑配管

12A:有機溶劑流量計

12B:第2抽吸裝置

13:有機溶劑閥

14:處理杯

14a:上端部

15:間隔壁

16:旋轉馬達

17:旋轉軸

18:旋轉基座

18a:上表面

19:夾持構件

20:藥液噴嘴

21:藥液配管

22:藥液閥

23:淋洗液噴嘴

24:淋洗液配管

25:淋洗液閥

29:噴嘴移動單元

30:氣體配管

31:氣體閥

32:氣體噴嘴

33:凸緣部

34:噴嘴本體

35:上側氣體噴出口

36:下側氣體噴出口

37:中心氣體噴出口

38:氣體導入口

39:氣體導入口

41:氣體流路

42:氣體流路

43:緩衝空間

44:沖孔板

45:空間

51:運算單元

52:記憶單元

53:程式

54:延遲期間記憶部

61:構造體

62:上表面

201:基板處理裝置

211:閾值記憶部

212:流量推移資訊記憶部

A1:旋轉軸線

C:基板收容器

CN:共通噴嘴

CR:基板搬送機械手

D:延遲期間

D1:延遲期間

D2:延遲期間

FC1:流量推移圖案

FC2:上升流量推移圖案

IR:分度機械手

LP:裝載埠

P:圖案

P1:流量交點

S:HMD

S1~S10、S11~S14、S21~S24、S31~S36:步驟

T:膜厚

TF:合計流量

Th:閾值

W:基板

W1:間隔

W2:線寬

W3:間隙

圖1係自上方觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置所得之模式圖。

圖2係沿水平方向觀察上述基板處理裝置中配備之處理單元之內部所得之模式圖。

圖3係用以說明共通噴嘴之構成例之模式性之縱剖視圖。

圖4係用以說明上述基板處理裝置之主要部分之電性構成之方塊圖。

圖5係將上述基板處理裝置之處理對象之基板之表面放大而表示的剖視圖。

圖6係用以說明利用上述基板處理裝置所進行之基板處理例之流程圖。

圖7係水平觀察自IPA供給步驟向疏水化劑供給步驟移行時之基板所得之模式圖。

圖8係表示自IPA供給步驟向疏水化劑供給步驟移行時之閥之開閉及閥中之處理液之流通流量之推移的圖。

圖9係將圖8之主要部分放大之圖。

圖10係表示參考形態之向上述疏水化劑供給步驟移行時之閥之開閉及閥中之處理液之流通流量之推移的圖。

圖11係將圖10之主要部分放大之圖。

圖12係用以說明閾值之決定之圖。

圖13係用以說明第1變化例之模式圖。

圖14係用以說明本發明之第2實施形態之基板處理裝置之主要部分之電性構成的方塊圖。

圖15A係用以說明記憶於圖14之記憶單元之下降流量推移圖案之圖。

圖15B係用以說明記憶於圖14之記憶單元之上升流量推移圖案之圖。

圖15C係用以說明上述下降流量推移圖案與上述上升流量推移圖案之匹配之圖。

圖16A係用以說明延遲期間設定之流程圖。

圖16B係用以說明事先實驗之流程圖。

圖17係用以說明第2變化例之方塊圖。

圖18係用以說明第3變化例之延遲期間設定之流程圖。

圖19係用以說明第3變化例之延遲期間設定之模式圖。

以下，參照隨附圖式，對本發明之實施形態詳細地進行說明。

<第1實施形態>

圖1係自上方觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置所得之模式圖。基板處理裝置1係對矽晶圓等基板W逐片進行處理之單片式裝置。於本實施形態中，基板W為圓板狀之基板。基板處理裝置1包含：複數個處 理單元2，其等利用處理液及淋洗液對基板W進行處理；裝載埠LP，其載置收容利用處理單元2進行處理之複數片基板W之基板收容器C；分度機械手IR與基板搬送機械手CR，其等在裝載埠LP與處理單元2之間搬送基板W；及控制裝置3，其對基板處理裝置1進行控制。分度機械手IR係於基板收容器C與基板搬送機械手CR之間搬送基板W。基板搬送機械手CR係於分度機械手IR與處理單元2之間搬送基板W。複數個處理單元2例如具有相同之構成。

圖2係用以說明處理單元2之構成例之圖解性剖視圖。

處理單元2包含：箱形之腔室4；旋轉夾頭(基板保持單元)5，其於腔室4內將一片基板W以水平姿勢保持，且使基板W繞通過基板W之中心之鉛直之旋轉軸線A1旋轉；藥液供給單元6，其用於向由旋轉夾頭5保持之基板W之上表面供給藥液；淋洗液供給單元7，其用於向由旋轉夾頭5保持之基板W之上表面供給淋洗液；疏水化劑噴嘴8，其用於向由旋轉夾頭5保持之基板W之上表面噴出疏水化劑；疏水化劑配管9，其用於向疏水化劑噴嘴8供給液體之疏水化劑；疏水化劑閥10，其將疏水化劑配管9開閉；有機溶劑噴嘴11，其用於向由旋轉夾頭5保持之基板W之上表面噴出有機溶劑；有機溶劑配管12，其用於向有機溶劑噴嘴11供給液體之有機溶劑；有機溶劑閥13，其將有機溶劑配管12開閉；及筒狀之處理杯14，其包圍旋轉夾頭5。

腔室4包含收容旋轉夾頭5等之箱型之間隔壁15。

作為旋轉夾頭5，採用於水平方向上夾住基板W而將基板W保持水平之夾持式夾頭。具體而言，旋轉夾頭5包含旋轉馬達(旋轉單元)16、與該旋轉馬達16之驅動軸一體化之旋轉軸17、及大致水平地安裝 於旋轉軸17之上端之圓板狀之旋轉基座18。

旋轉基座18包含具有較基板W之外徑大之外徑之水平之圓形的上表面18a。於上表面18a沿其周緣部配置有複數個(3個以上，例如4個或6個)夾持構件19。複數個夾持構件19於旋轉基座18之上表面周緣部，且於與基板W之外周形狀對應之圓周上隔開適當之間隔例如等間隔地配置。

又，作為旋轉夾頭5，不限於夾持式夾頭，例如亦可採用真空吸附式夾頭(真空夾頭)，該真空吸附式夾頭(真空夾頭)係藉由真空吸附基板W之背面而將基板W以水平姿勢保持，進而藉由在該狀態下繞鉛直之旋轉軸線進行旋轉，而使由旋轉夾頭5保持之基板W旋轉。

藥液供給單元6包含朝向由旋轉夾頭5保持之基板W之上表面向下方噴出藥液之藥液噴嘴20、將來自藥液供給源之藥液引導至藥液噴嘴20之藥液配管21、及將藥液配管21開閉之藥液閥22。藥液例如亦可為包含硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如，TMAH：氫氧化四甲基銨等)、及界面活性劑、防腐蝕劑中之至少一種之液體。當打開藥液閥22時，自藥液配管21向藥液噴嘴20供給藥液。當關閉藥液閥22時，停止自藥液配管21向藥液噴嘴20供給藥液。亦可具備藥液噴嘴移動裝置，該藥液噴嘴移動裝置藉由使藥液噴嘴20移動，而使藥液對基板W之上表面之著液位置於基板W之上表面中央部與除此以外之部分(例如周緣部)之間移動。

淋洗液供給單元7包含朝向由旋轉夾頭5保持之基板W之上表面向下方噴出淋洗液之淋洗液噴嘴23、將來自淋洗液供給源之淋洗液引導至淋洗液噴嘴23之淋洗液配管24、及將淋洗液配管24開閉之淋洗液閥 25。淋洗液例如為純水(去離子水：Deionized water)。

當打開淋洗液閥25時，自淋洗液配管24向淋洗液噴嘴23供給淋洗液。當關閉淋洗液閥25時，停止自淋洗液配管24向淋洗液噴嘴23供給淋洗液。淋洗液不限於純水，可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如，10~100ppm左右)之鹽酸水之任一種。亦可具備淋洗液噴嘴移動裝置，該淋洗液噴嘴移動裝置藉由使淋洗液噴嘴23移動，而使淋洗液對基板W之上表面之著液位置於基板W之上表面中央部與除此以外之部分(例如周緣部)之間移動。

供給至疏水化劑配管9之疏水化劑係使金屬疏水化之金屬系疏水化劑。疏水化劑為配位性較高之疏水化劑。即，疏水化劑係主要藉由配位鍵使金屬疏水化之溶劑。疏水化劑例如包含具有疏水基之胺、及有機矽化合物之至少一種。疏水化劑可為矽系疏水化劑，亦可為金屬系疏水化劑。

矽系疏水化劑係使矽(Si)本身及包含矽之化合物疏水化之疏水化劑。矽系疏水化劑例如為矽烷偶合劑。矽烷偶合劑例如包含HMDS(hexamethyldisilazane，六甲基二矽氮烷)、TMS(tetramethylsilane，四甲基矽烷)、氟化烷氯矽烷、烷基二矽氮烷、及非氯系疏水化劑之至少一種。非氯系疏水化劑例如包含二甲基矽烷基二甲胺、二甲基矽烷基二乙胺、六甲基二矽氮烷、四甲基二矽氮烷、雙(二甲胺基)二甲基矽氧烷、N,N-二甲胺基三甲基矽烷、N-(三甲基矽烷基)二甲胺及有機矽烷化合物之至少一種。

金屬系疏水化劑例如係具有較高之配位性，且主要藉由配位鍵使金屬疏水化之溶劑。該疏水化劑例如包含具有疏水基之胺、及有機 矽化合物之至少一種。

更具體而言，作為疏水化劑，例如可例示OSRA-A004、OSRA-7801、PK-HP-S、PK-HUS等。

疏水化劑閥10包含於內部設置有閥座之閥主體、將閥座開閉之閥體、及使閥體於打開位置與關閉位置之間移動之致動器。

於疏水化劑配管9中，於其一次側、即疏水化劑閥10之上游側介裝有檢測流通於疏水化劑配管9之疏水化劑之流量的疏水化劑流量計9A。

處理單元2具備介裝於疏水化劑配管9之第1抽吸裝置9B。第1抽吸裝置9B例如為膜片式抽吸裝置。膜片式抽吸裝置係如包含介裝於配管之中途部之筒狀之頭部、及收容於頭部內之膜片，且藉由膜片之驅動而使形成於頭部內之流路之容積變化之公知之構成的抽吸裝置。於圖2之例中，第1抽吸裝置9B係由與疏水化劑閥10不同之裝置所構成，但亦可利用疏水化劑閥10之一部分而設置。

供給至有機溶劑配管12之有機溶劑為表面張力較水低之溶劑。有機溶劑亦可包含水。作為有機溶劑之具體例，可列舉醇、或氟系溶劑與醇之混合液。醇例如包含甲醇、乙醇、丙醇、及IPA之至少一種。氟系溶劑例如包含HFE(hydrofluoroether，氫氟醚)、HFC(hydrofluorocarbon，氫氟碳)之至少一種。於以下之說明中，列舉有機溶劑為IPA之情形為例。

有機溶劑閥13包含於內部設置有閥座之閥主體、將閥座開閉之閥體、及使閥體於打開位置與關閉位置之間移動之致動器。

於有機溶劑配管12中，於其一次側、即有機溶劑閥13之上 游側介裝有檢測流通於有機溶劑配管12之IPA之流量的有機溶劑流量計12A。將流量計(疏水化劑流量計9A、有機溶劑流量計12A)於配管(疏水化劑配管9、有機溶劑配管12)中配置於閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)之上游側，但閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)之上游側始終保持為液密狀態。因此，可將流量計(疏水化劑流量計9A、有機溶劑流量計12A)之測量流量與閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)中之處理液(疏水化劑、IPA)之流通流量視為同等。又，疏水化劑噴嘴8之噴出口8a和疏水化劑閥10之距離與有機溶劑噴嘴11之噴出口11a和有機溶劑閥13之距離幾乎無較大差異，因此，可將閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)中之處理液(疏水化劑、IPA)之流通流量與處理液(疏水化劑、有機溶劑)自噴嘴(疏水化劑噴嘴8、有機溶劑噴嘴11)之噴出流量視為同等。

處理單元2具備介裝於有機溶劑配管12之第2抽吸裝置12B。第2抽吸裝置12B例如為膜片式抽吸裝置。於圖2之例中，第2抽吸裝置12B係由與有機溶劑閥13不同之裝置所構成，但亦可利用有機溶劑閥13之一部分而設置。又，作為第1及第2抽吸裝置9B、12B，亦可不採用膜片式，而採用虹吸式。

處理杯14配置於較由旋轉夾頭5保持之基板W更外側(遠離旋轉軸線A1之方向)。處理杯14包圍旋轉基座18。當於旋轉夾頭5使基板W旋轉之狀態下，將處理液或淋洗液、保護液等液體供給至基板W時，供給至基板W之液體被甩向基板W之周圍。將該等液體供給至基板W時，處理杯14之上端部14a配置於較旋轉基座18更上方。因此，向基板W之周圍排出之液體由處理杯14接住。而且，由處理杯14接住之液體輸送至未圖示之回收裝置或廢液裝置。

圖3係用以說明共通噴嘴CN之構成例之模式性縱剖視圖。

處理單元2進而包含用於向由旋轉夾頭5保持之基板W之上方噴出惰性氣體等低濕度氣體之氣體噴嘴32、向氣體噴嘴32供給低濕度氣體之氣體配管30、及將氣體配管30開閉之氣體閥31。

於本實施形態中，於氣體噴嘴32一體結合有疏水化劑噴嘴8及有機溶劑噴嘴11。即，氣體噴嘴32作為共通噴嘴CN發揮功能。因此，共通噴嘴CN具備作為噴出IPA之有機溶劑噴嘴之功能、作為噴出疏水化劑之疏水化劑噴嘴之功能、及作為噴出氮氣等惰性氣體之惰性氣體噴嘴之功能。

於共通噴嘴CN結合有用以使共通噴嘴CN升降及水平移動之噴嘴移動單元29。噴嘴移動單元29使共通噴嘴CN沿著通過由旋轉夾頭5保持之基板W之上表面中央部之圓弧狀的軌跡水平移動。又，噴嘴移動單元29使共通噴嘴CN於基板W之上表面中央部之上方之處理位置(圖9所示之共通噴嘴CN之位置)與自基板W的上方向側方退避的靜止位置之間移動。

氣體噴嘴32具有於下端具有凸緣部33之圓筒狀之噴嘴本體34。於凸緣部33之側面即外周面，上側氣體噴出口35及下側氣體噴出口36分別呈環狀朝向外側開口。上側氣體噴出口35及下側氣體噴出口36上下隔開間隔而配置。於噴嘴本體34之下表面配置有中心氣體噴出口37。

於噴嘴本體34形成有自氣體配管30供給惰性氣體之氣體導入口38、39。亦可對氣體導入口38、39結合個別之惰性氣體配管。於噴嘴本體34內形成有將氣體導入口38與上側氣體噴出口35及下側氣體噴出口36連接之筒狀之氣體流路41。又，於噴嘴本體34內，在疏水化劑噴嘴8 或有機溶劑噴嘴11之周圍形成有與氣體導入口39連通之筒狀之氣體流路42。於氣體流路42之下方連通有緩衝空間43。緩衝空間43進而經由沖孔板44與其下方之空間45連通。該空間45向中心氣體噴出口37開放。作為供給至氣體導入口38、39之低濕度氣體，可例示氮氣(N₂)等惰性氣體，亦可採用惰性氣體以外之低濕度氣體，例如乾燥空氣或淨化空氣等。

自氣體導入口38導入之低濕度氣體經由氣體流路41供給至上側氣體噴出口35及下側氣體噴出口36，並自該等上側氣體噴出口35及下側氣體噴出口36呈放射狀噴出。藉此，於基板W之上方形成在上下方向上重疊之2個放射狀氣流。另一方面，自氣體導入口39導入之惰性氣體經由氣體流路42而儲存於緩衝空間43，進而通過沖孔板44擴散，之後通過空間45自中心氣體噴出口37朝向基板W之上表面向下方噴出。該惰性氣體與基板W之上表面碰撞而改變方向，於基板W之上方形成放射方向之惰性氣體流。

因此，將自中心氣體噴出口37噴出之惰性氣體所形成之放射狀氣流與自上側氣體噴出口35及下側氣體噴出口36噴出之兩層放射狀氣流合併而於基板W之上方形成三層放射狀氣流。藉由該三層放射狀氣流保護基板W之上表面。

疏水化劑噴嘴8貫通氣體流路42、緩衝空間43及沖孔板44沿上下方向延伸。疏水化劑噴嘴8之下端之噴出口8a朝向基板W之上表面自鉛直上方噴出液體之疏水化劑。

有機溶劑噴嘴11貫通氣體流路42、緩衝空間43及沖孔板44沿上下方向延伸。有機溶劑噴嘴11之下端之噴出口11a朝向基板W之上表面自鉛直上方噴出液體之IPA。

於共通噴嘴CN配置於處理位置(圖7所示之共通噴嘴CN之位置)之狀態下，共通噴嘴CN之下表面與基板W之上表面之間隔W1例如為約5mm。又，於共通噴嘴CN配置於處理位置之狀態下，自疏水化劑噴嘴8朝向基板W之上表面噴出之疏水化劑著液於基板W之上表面中央部。進而，於共通噴嘴CN配置於處理位置之狀態下，自有機溶劑噴嘴11朝向基板W之上表面噴出之IPA著液於基板W之上表面中央部。

圖4係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電性構成之方塊圖。

控制裝置3例如使用微電腦而構成。控制裝置3具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等運算單元51、固定記憶體元件(未圖示)、硬碟驅動器等記憶單元52、及輸入輸出單元(未圖示)。

於記憶單元52記憶有運算單元51所執行之程式53、或規定對基板W之各處理之內容之配方。又，於記憶單元52設置有用以記憶下述延遲期間D1、D2之延遲期間記憶部54。延遲期間記憶部54包含可電性覆寫資料之非揮發性記憶體。

輸入輸出單元亦可為進行對能夠進行資料之寫入與讀出之記錄媒體之寫入/讀出之讀寫器單元。亦可將程式51記錄於記錄媒體。記錄媒體可為光碟或磁碟等，亦可為USB(Universal Serial Bus，通用串列匯流排)記憶體或記憶卡等可攜式記憶體。輸入輸出單元亦可包含通信單元。即，例如亦可經由網路進行資料之輸入輸出。

對控制裝置3提供來自疏水化劑流量計9A之檢測輸出。控制裝置3能夠基於該檢測輸出偵測流通於疏水化劑配管9之疏水化劑之流量。又，對控制裝置3提供來自有機溶劑流量計12A之檢測輸出。控制裝 置3能夠基於該檢測輸出偵測流通於有機溶劑配管12之IPA之流量。

又，控制裝置3對旋轉馬達16、噴嘴移動單元29及第1與第2抽吸裝置9B、12B之動作進行控制。

又，控制裝置3對旋轉馬達16及噴嘴移動單元29之動作進行控制。又，控制裝置3將疏水化劑閥10、有機溶劑閥13、藥液閥22、淋洗液閥25、氣體閥31等開閉。

以下，對處理於作為元件形成面之表面形成有圖案之基板W之情形進行說明。

圖5係將基板處理裝置1之處理對象之基板W之表面放大而表示的剖視圖。處理對象之基板W例如為矽晶圓，於作為該圖案形成面之表面(上表面62)形成有圖案P。圖案P例如為微細圖案。圖案P亦可由具有凸形狀(柱狀)之構造體61呈矩陣狀配置而成。於該情形時，構造體61之線寬W2例如設為10nm~45nm左右，圖案P之間隙W3例如設為10nm~數μm左右。圖案P之膜厚T例如為1μm左右。又，圖案P例如亦可為縱橫比(膜厚T相對於線寬W2之比)例如係5~500左右(典型而言，為5~50左右)。

又，圖案P亦可由以微細之溝槽形成之線狀之圖案反覆排列而成。又，圖案P亦可藉由在薄膜設置複數個微細孔(孔隙(void)或孔(pore))而形成。

圖案P例如包含絕緣膜。又，圖案P亦可包含導體膜。更具體而言，圖案P係由將複數個膜積層而成之積層膜所形成，進而，亦可包含絕緣膜及導體膜。圖案P亦可為包含單層膜之圖案。絕緣膜亦可為氧化矽膜(SiO₂膜)或氮化矽膜(SiN膜)。又，導體膜可為導入有用於低電阻化 之雜質之非晶矽膜，亦可為金屬膜(例如金屬配線膜)。

又，圖案P亦可為親水性膜。作為親水性膜，可例示TEOS(Tetraethylorthosilicate，正矽酸乙酯)膜(氧化矽膜之一種)。

圖6係用以說明利用基板處理裝置1所執行之基板處理例之流程圖。圖7係水平觀察自IPA供給步驟(S5)向疏水化劑供給步驟(S6)移行時之基板W所得之模式圖。

一面參照圖1~圖6，一面對該基板處理例進行說明。

未處理之基板W藉由分度機械手IR及基板搬送機械手CR搬送而搬入至腔室4，且以使作為元件形成面之表面例如朝上之狀態交接至收容於腔室4內之旋轉夾頭5，由旋轉夾頭5保持基板W(圖6之S1：基板搬入)。於搬入基板W之前，共通噴嘴CN自基板W之上方退避至位於側方之退避位置。又，使疏水化劑配管9之內部之疏水化劑之前端面、及有機溶劑配管12之內部之IPA之前端面分別後退至特定之後退位置。

其後，控制裝置3藉由旋轉馬達16使基板W之旋轉開始(圖6之S2：旋轉步驟)。基板W上升至預先規定之液體處理速度(於300~1500rpm之範圍內例如為500rpm)，並維持該液體處理速度。

當基板W之旋轉達到液體處理速度時，控制裝置3執行向基板W之上表面供給藥液之藥液步驟(圖6之S3)。具體而言，控制裝置3打開藥液閥22。藉此，自藥液噴嘴20朝向旋轉狀態之基板W之上表面供給藥液。供給之藥液藉由離心力而遍及基板W之上表面之整個區域，對基板W實施使用藥液之藥液處理。當自藥液之噴出開始經過預先規定之期間時，控制裝置3關閉藥液閥22，停止自藥液噴嘴20噴出藥液。藉此，藥液步驟(S3)結束。

然後，控制裝置3執行用以將存在於基板W之上表面之藥液置換為淋洗液而自基板W上排除藥液之淋洗步驟(圖6之S4)。具體而言，控制裝置3打開淋洗液閥25。藉此，自淋洗液噴嘴23朝向旋轉狀態之基板W之上表面噴出淋洗液。噴出之淋洗液藉由離心力而遍及基板W之上表面之整個區域。藉由該淋洗液沖洗附著於基板W上之藥液。

繼而，進行向基板W之上表面供給作為有機溶劑之一例之IPA之IPA供給步驟(圖6之S5)。於該IPA供給步驟(S5)中，有機溶劑(IPA)作為低表面張力液體發揮功能。具體而言，控制裝置3對噴嘴移動單元29進行控制，使共通噴嘴CN自退避位置向基板W之上方移動。進而，控制裝置3對噴嘴移動單元29進行控制，使共通噴嘴CN下降並配置於處理位置(圖7所示之位置)。然後，控制裝置3打開氣體閥31使低濕度氣體開始自氣體噴嘴32之3個氣體噴出口(上側氣體噴出口35(參照圖3)、下側氣體噴出口36(參照圖3)及中心氣體噴出口37(參照圖3))噴出。藉此，於基板W之上方形成在上下方向上重疊之三層環狀氣流，藉由該三層環狀氣流保護基板W之上表面(同時參照圖7)。

一面藉由旋轉夾頭5使基板W旋轉，一面由控制裝置3打開有機溶劑閥13而自有機溶劑噴嘴11朝向基板W之上表面中央部噴出IPA。著液於基板W之上表面中央部之IPA受到利用基板W之旋轉所產生之離心力而朝向基板W之上表面的周緣部流動。藉此，於基板W之上表面形成覆蓋基板W之上表面之整個區域之IPA的液膜(基板W之上表面由IPA覆蓋；有機溶劑液膜形成步驟)。藉此，將保持於基板W之淋洗液置換為IPA。當自IPA之噴出開始經過特定期間時，控制裝置3關閉有機溶劑閥13，使IPA之噴出停止。有機溶劑閥13關閉後，控制裝置3驅動第2抽吸裝置12B而將 有機溶劑配管12之內部之IPA抽吸特定量。藉由抽吸IPA而使有機溶劑配管12之內部之IPA之前端面後退至特定之後退位置。藉由進行IPA供給步驟(S5)而將淋洗液自基板W去除。

繼而，進行將液體之疏水化劑供給至基板W之上表面之疏水化劑供給步驟(圖6之S6)。具體而言，控制裝置3將共通噴嘴CN定位至處理位置，且藉由旋轉夾頭5使基板W旋轉，同時進而打開疏水化劑閥10，使疏水化劑自疏水化劑噴嘴8之噴出口8a朝向基板W之上表面中央部噴出。

著液於基板W之上表面中央部之疏水化劑受到利用基板W之旋轉所產生之離心力而朝向基板之上表面的周緣部流動。而且，將保持於基板W之液膜中所包含之IPA置換為疏水化劑。藉此，於基板W之上表面形成覆蓋基板W之上表面之整個區域之疏水化劑的液膜。藉由在基板W之上表面形成疏水化劑之液膜，而疏水化劑進入至圖案P之深處，使基板W之上表面疏水化(疏水化處理)。當自疏水化劑噴出開始經過特定期間時，控制裝置3關閉疏水化劑閥10使疏水化劑之噴出停止。疏水化劑閥10閉合後，控制裝置3驅動第1抽吸裝置9B而將疏水化劑配管9之內部之疏水化劑抽吸特定量。藉由抽吸疏水化劑而使疏水化劑配管9之內部之疏水化劑之前端面後退至特定之後退位置。

繼而，進行將作為有機溶劑之IPA供給至基板W之上表面之IPA供給步驟(圖6之S7)。於該IPA供給步驟(S7)中，IPA作為乾燥劑發揮功能。

具體而言，控制裝置3將共通噴嘴CN定位至處理位置(圖7所示之位置)，且藉由旋轉夾頭5使基板W旋轉，同時打開有機溶劑閥13自 有機溶劑噴嘴11朝向基板W之上表面中央部噴出IPA。藉此，將自有機溶劑噴嘴11噴出之IPA供給至基板W之上表面整個區域。因此，保持於基板W之疏水化劑之大部分由IPA沖洗。然後，當自IPA之噴出開始經過特定期間時，控制裝置3關閉有機溶劑閥13使IPA之噴出停止。有機溶劑閥13閉合後，控制裝置3驅動第2抽吸裝置12B而將有機溶劑配管12之內部之IPA抽吸特定量。藉由抽吸IPA而使有機溶劑配管12之內部之IPA之前端面後退至特定之後退位置。

繼而，控制裝置3執行旋轉乾燥步驟(圖6之S8)。具體而言，控制裝置3使基板W加速至較液體處理速度大之特定之旋轉乾燥速度(例如數千rpm)，使基板W以該旋轉乾燥速度旋轉。藉此，較大之離心力施加於基板W上之液體，附著於基板W之液體被甩向基板W之周圍。以此方式將液體自基板W去除，從而使基板W乾燥。

當自基板W之高速旋轉之開始經過預先規定之期間時，控制裝置3對旋轉馬達16進行控制，使利用旋轉夾頭5對基板W進行之旋轉停止(圖6之S9)。

又，控制裝置3關閉氣體閥31使低濕度氣體自氣體噴嘴32之3個氣體噴出口之噴出停止。又，控制裝置3對噴嘴移動單元29進行控制，使共通噴嘴CN返回至退避位置。

其後，藉由機械手IR、CR將處理完畢之基板W自旋轉夾頭5搬出(圖6之S10)。

圖8係表示閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)之開閉狀態、及閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)中之處理液(疏水化劑及IPA)之流通流量之推移的圖。圖9係將圖8之主要部分放大之圖。

於圖8及圖9中，將由流量計(疏水化劑流量計9A、有機溶劑流量計12A)測量所得之流量作為閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)中之處理液(疏水化劑及IPA)之流通流量。又，於圖9中，亦一併示出有機溶劑閥13中之IPA之流通流量與疏水化劑閥10中之疏水化劑之流通流量的合計流量TF。

疏水化劑閥10係使閥體移動之類型之閥。因此，自疏水化劑閥10之打開動作開始至疏水化劑閥10完全打開(疏水化劑閥10中之疏水化劑之流通流量成為預先規定之流量)存在時滯。又，自疏水化劑閥10之關閉動作開始至疏水化劑閥10完全關閉(疏水化劑閥10中之疏水化劑之流通流量成為零)存在時滯。

有機溶劑閥13係使閥體移動之類型之閥。因此，自有機溶劑閥13之打開動作開始至有機溶劑閥13完全打開(有機溶劑閥13中之IPA之流通流量成為預先規定之流量)存在時滯。自有機溶劑閥13之關閉動作開始至有機溶劑閥13完全關閉(有機溶劑閥13中之IPA之流通流量成為零)存在時滯。

對自IPA供給步驟(S5)向疏水化劑供給步驟(S6)之移行進行說明。

自有機溶劑閥13之關閉動作開始至完全關閉之IPA之流通流量如下所述般推移。即，伴隨有機溶劑閥13之關閉動作開始，有機溶劑閥13中之IPA之流通流量急遽減少。其後，有機溶劑閥13中之IPA之流通流量一面減緩流量減少之梯度一面接近零。自有機溶劑閥13之關閉動作開始至有機溶劑閥13完全關閉之時間例如為約2秒鐘。

又，自疏水化劑閥10之打開動作開始至完全打開之疏水化 劑之流通流量如下所述般推移。即，伴隨疏水化劑閥10之打開動作開始，疏水化劑閥10中之疏水化劑之流通流量急遽增大。其後，疏水化劑閥10中之疏水化劑之流通流量一面減緩流量增大之梯度一面接近預先規定之流量。自疏水化劑閥10之打開動作開始至疏水化劑閥10完全打開之時間例如為約2秒鐘。

以下，自IPA供給步驟(S5)向疏水化劑供給步驟(S6)移行時，控制裝置3使疏水化劑閥10之打開動作之開始時點較有機溶劑閥13之關閉動作之開始時點延遲特定的延遲期間D1。延遲期間D1例如為0.6sec以上2.0sec以下之期間。尤佳為0.8sec以上1.4sec以下。

該延遲期間D1設定得較自有機溶劑閥13之關閉動作開始至有機溶劑閥13完全關閉之時滯(圖8所示之「PE1」之期間)短。因此，於有機溶劑閥13未完全關閉之狀態(即，IPA自有機溶劑噴嘴11之噴出未完全停止之狀態)下開始疏水化劑閥10之打開動作。

更具體而言，延遲期間D1如下進行設定。著眼於有機溶劑閥13中之IPA之流通流量與疏水化劑閥10中之疏水化劑之流通流量一致之時點(獲得圖9之流量交點P1之時點(以下，稱為「流量交點時點」))。以於該流量交點時點之有機溶劑閥13中之IPA之流通流量與疏水化劑閥10中之疏水化劑之流通流量的合計流量TF(以下，稱為「流量交點時點之合計流量TF」)未達特定之閾值Th的方式設定延遲期間D1。又，延遲期間D1係於有機溶劑與疏水化劑不發生干涉或者將圖案倒塌或顆粒污染考慮在內可容許干涉之範圍內設定為儘可能短的期間。

閾值Th係即將開始有機溶劑閥13之關閉動作之前之有機溶劑閥13中之IPA之流通流量以下的特定值。更佳為閾值Th係即將開始有機 溶劑閥13之關閉動作之前之有機溶劑閥13中之IPA之流通流量之1/2以下的特定值。關於閾值Th之設定，一面參照圖12及表1，一面於下文進行敍述。

由於延遲期間D1為極短之時間，故而自IPA供給步驟(S5)向疏水化劑供給步驟(S6)移行時，IPA於有機溶劑閥13流通之期間(以下，有時稱為「IPA流通期間」)與疏水化劑於疏水化劑閥10流通之期間(以下，有時稱為「疏水化劑流通期間」)重疊。於本實施形態中，於IPA流通期間與疏水化劑流通期間重疊之期間設置延遲期間D1。於該情形時，如圖9所示，於IPA流通期間與疏水化劑流通期間重疊之期間，合計流量TF之推移呈向下凸出之形狀。

其次，對自疏水化劑供給步驟(S6)向IPA供給步驟(S7)之移行進行說明。

自疏水化劑閥10之關閉動作開始至完全關閉之疏水化劑之流通流量如下所述般推移。即，伴隨疏水化劑閥10之關閉動作開始，疏水化劑閥10中之疏水化劑之流通流量急遽減少。其後，疏水化劑閥10中之疏水化劑之流通流量一面減緩流量減少之梯度一面接近零。自疏水化劑閥 10之關閉動作開始至疏水化劑閥10完全關閉之時間例如為約2秒鐘。

又，自有機溶劑閥13之打開動作開始至完全打開之IPA之流通流量如下所述般推移。即，伴隨有機溶劑閥13之打開動作開始，有機溶劑閥13中之IPA之流通流量急遽增大。其後，有機溶劑閥13中之IPA之流通流量一面減緩流量增大之梯度一面接近預先規定之流量。自有機溶劑閥13之打開動作開始至有機溶劑閥13完全打開之時間例如為約2秒鐘。

自疏水化劑供給步驟(S6)向IPA供給步驟(S7)移行時，控制裝置3使有機溶劑閥13之打開動作之開始時點較疏水化劑閥10之關閉動作之開始時點延遲特定的延遲期間D2。延遲期間D2例如為0.6sec以上2.0sec以下之期間。尤佳為0.8sec以上1.4sec以下。

該延遲期間D2設定得較自疏水化劑閥10之關閉動作開始至疏水化劑閥10完全關閉之時滯(圖8所示之「PE2」之期間)短。因此，於疏水化劑閥10未完全關閉之狀態(即，疏水化劑自疏水化劑噴嘴8之噴出未完全停止之狀態)下開始有機溶劑閥13之打開動作。

更具體而言，延遲期間D2如下進行設定。以於流量交點時點之有機溶劑閥13中之IPA之流通流量與疏水化劑閥10中之疏水化劑之流通流量之合計流量TF(以下，稱為「流量交點時點之合計流量TF」)未達特定之閾值Th的方式設定延遲期間D2。又，延遲期間D2設定為儘可能短之期間。該等IPA之流通流量及疏水化劑之流通流量分別為利用有機溶劑流量計12A及疏水化劑流量計9A獲得之測量流量。

藉由以上，根據本實施形態，自IPA供給步驟(圖6之S5)向疏水化劑供給步驟(圖6之S6)移行時，發揮如下所述之作用效果。

即，自有機溶劑閥13之關閉動作開始起經過延遲期間D1之 後，於在有機溶劑閥13中有機溶劑之流通未完全停止之時點(IPA自有機溶劑噴嘴11之噴出未完全停止之時點)開始疏水化劑閥10之打開動作。

由於疏水化劑閥10之打開動作之開始遲於有機溶劑閥13之關閉動作之開始，故而IPA與疏水化劑於基板W上發生干涉之期間較短。因此，能夠抑制或防止伴隨IPA與疏水化劑之干涉而發生液體飛濺或較大之液體紊亂。因此，能夠有效地抑制於基板W之上表面中央部之圖案倒塌及顆粒污染。又，由於在IPA自有機溶劑噴嘴11之噴出未完全停止之時點開始疏水化劑閥10之打開動作，故而能夠抑制或防止於供給疏水化劑之前之期間於基板W上IPA乾燥。藉此，能夠一面抑制或防止因IPA與疏水化劑之干涉而導致發生液體飛濺或較大之液體紊亂，且抑制或防止基板W上之IPA之乾燥，一面自IPA供給步驟(S5)移行至疏水化劑供給步驟(S6)。

又，以流量交點時點之合計流量TF(即，IPA之噴出流量與疏水化劑之噴出流量之合計流量)未達閾值Th之方式設定延遲期間D1。閾值Th係即將開始有機溶劑閥13之關閉動作之前之有機溶劑閥13中之IPA之流通流量(即，IPA之噴出流量)以下的特定值(更佳為IPA之流通流量之1/2以下之特定值)。由於將合計流量TF設為未達此種閾值Th，故而不會因IPA與疏水化劑之干涉而導致於基板W上發生較大之液體飛濺。因此，能夠抑制或防止自IPA供給步驟(S5)向疏水化劑供給步驟(S6)移行時之液體飛濺或較大之液體紊亂之發生。

又，自疏水化劑供給步驟(S6)向IPA供給步驟(圖6之S7)移行時，亦發揮與自IPA供給步驟(S5)向疏水化劑供給步驟(S6)移行時之情形相同之作用效果。

圖10係表示參考形態之自IPA供給步驟(S5)向疏水化劑供 給步驟(S6)移行時之閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)之開閉及閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)中之處理液(IPA、疏水化劑)之流通流量之推移的圖。

參考形態與圖1~圖9所示之實施形態(第1實施形態)之不同點在於：自IPA供給步驟(S5)向疏水化劑供給步驟(S6)移行時不設置延遲期間D1，而由控制裝置3使疏水化劑閥10之打開動作之開始時點與有機溶劑閥13之關閉動作之開始時點同步。

由於使疏水化劑閥10之打開動作之開始時點與有機溶劑閥13之關閉動作之開始時點同步，故而自IPA供給步驟(S5)向疏水化劑供給步驟(S6)移行時，IPA流通期間與疏水化劑流通期間重疊。於該情形時，如圖11所示，於IPA流通期間與疏水化劑流通期間重疊之期間，合計流量TF之推移呈向上凸出之形狀。於該情形時，流量交點時點之合計流量TF超過即將開始有機溶劑閥13之關閉動作之前之有機溶劑閥13中之IPA的流通流量。換言之，流量交點時點之合計流量TF超過閾值Th。

於該情形時，向基板W之上表面中央部噴出之疏水化劑與IPA之合計流量較多，因此，有於基板W之上表面中央部IPA與疏水化劑發生干涉，而發生液體飛濺或較大之液體紊亂之虞。而且，有如下之虞：因該等液體飛濺或較大之液體紊亂而導致疏水化劑之供給受到阻礙，由此導致於基板W之上表面中央部未進行充分之疏水化，因乾燥時之基板W之高速旋轉而發生圖案倒塌。

又，於共通噴嘴CN配置於處理位置(圖7所示之共通噴嘴CN之位置)之狀態下，共通噴嘴CN之下表面與基板W之上表面之間較窄，因此，發生液體飛濺之疏水化劑或IPA附著於共通噴嘴CN之下表面。 而且，考慮乾燥時液滴或液滴固化所產生之顆粒附著於基板W之上表面，由此導致於基板W之上表面中央部之顆粒污染。

又，自疏水化劑供給步驟(S6)向IPA供給步驟(S7)移行時，使有機溶劑閥13之打開動作之開始時點與疏水化劑閥10之關閉動作之開始時點同步的情形時，亦有IPA與疏水化劑發生干涉而發生液體飛濺或較大之液體紊亂之虞。而且，有如下之虞：因該等液體飛濺或較大之液體紊亂而導致IPA之供給受到阻礙，由此導致無法進行利用IPA之充分之置換，因乾燥時之基板之高速旋轉而發生圖案倒塌。又，自疏水化劑供給步驟(S6)向IPA供給步驟(S7)移行時，亦存在上述顆粒污染之問題。

圖12及表1係用以說明閾值Th之決定之圖。

閾值Th係藉由使用基板處理裝置1之事先實驗而求出。關於事先實驗之詳情，將於下文進行敍述。以下，有時將包含延遲期間D1及延遲期間D2之延遲期間統稱為延遲期間D。

操作員於事先實驗中，一面使延遲期間D於複數個期間(於表1之例中，為0.2sec、0.4sec及0.6sec之3種期間)之間不同，一面對基板W(樣本用之基板)進行處理。而且，操作員基於處理後之基板W之狀態判定是否為良品。操作員將與藉由事先實驗判定為良品之所有延遲期間D對應之閾值中的最高值決定為閾值Th。

利用表1具體地進行說明。判定為良品「OK(合格)」之延遲期間假定為0.4sec及0.6sec。此時，延遲期間為0.4sec之情形相較於延遲期間為0.6sec之情形，流量交點P1之值更大(參照圖12)。於該情形時，將與延遲期間為0.4sec之情形對應之值、即流量交點P1處之合計流量TF(即，流量交點P1處之流量之2倍之流量)之值決定為閾值Th。換言 之，閾值Th係將圖案倒塌或顆粒污染考慮在內而容許之流量交點P1處之最大之合計流量TF。進而，換言之，如圖12所示，閾值Th之一半(1/2‧Th)與流量交點P1一致。

操作員基於以此方式決定之閾值Th設定延遲期間D。具體而言，以流量交點時點之合計流量TF未達該閾值Th之方式設定延遲期間D，並將該延遲期間D記憶於延遲期間記憶部54。再者，亦可構成為，基於事先實驗之結果，藉由操作員之操作將延遲期間D直接輸入至控制裝置3，並記憶於延遲期間記憶部54(於上述例之情形時，輸入0.4sec作為延遲期間D)。

圖13係用以說明第1實施形態之第1變化例中之共通噴嘴CN之構成例的模式圖。於第1變化例中，其他構成與第1實施形態中所說明之構成相同。關於本案發明之實施，亦可如圖13所示般，將疏水化劑流量計9A介裝於疏水化劑配管9之二次側、即疏水化劑閥10之下游側。又，亦可將有機溶劑流量計12A介裝於有機溶劑配管12之二次側、即有機溶劑閥13之下游側。又，圖13所示之第1變化例亦可應用於以下所述之第2實施形態。

<第2實施形態>

圖14係用以說明本發明之第2實施形態之基板處理裝置201之主要部分之電性構成的方塊圖。

第2實施形態之基板處理裝置201與第1實施形態之基板處理裝置1之不同點在於：於記憶單元52中，除了具備程式53或延遲期間記憶部54以外，還具備閾值記憶部211及流量推移資訊記憶部212。於其他 方面，由於與第1實施形態之基板處理裝置1共通，故而對各部構成標註同相同符號，並省略說明。於第2實施形態中，控制裝置3作為資訊獲取控制裝置及延遲期間設定單元而發揮功能。

閾值記憶部211記憶閾值Th。於閾值記憶部211記憶有藉由使用基板處理裝置1之事先實驗(下述)而求出之閾值Th。

流量推移資訊記憶部212記憶有以下所述之下降流量推移圖案(第1流量推移資訊)FC1及上升流量推移圖案(第2流量推移資訊)FC2。下降流量推移圖案FC1及上升流量推移圖案FC2係如下所述用於匹配之圖案。

圖15A係用以說明下降流量推移圖案FC1之圖。下降流量推移圖案FC1係表示第1處理液自第1噴嘴之噴出流量(例如有機溶劑自有機溶劑噴嘴11之噴出流量)之時間變化之圖案。下降流量推移圖案FC1表示自處理液閥(例如有機溶劑閥13)之關閉動作開始起之噴出流量之時間變化。下降流量推移圖案FC1係藉由使用基板處理裝置1之事先實驗(下述)而求出，且藉由基板處理裝置1之控制裝置3記憶於流量推移資訊記憶部212。

圖15B係用以說明上升流量推移圖案FC2之圖。上升流量推移圖案FC2係表示第2處理液自第2噴嘴之噴出流量(例如疏水化劑自疏水化劑噴嘴8之噴出流量)之時間變化之圖案。上升流量推移圖案FC2表示自第2閥(例如疏水化劑閥10)之打開動作開始起之噴出流量之時間變化。上升流量推移圖案FC2係藉由使用基板處理裝置1之事先實驗(下述)而求出，且藉由基板處理裝置1之控制裝置3記憶於流量推移資訊記憶部212。

閾值Th、下降流量推移圖案FC1及上升流量推移圖案FC2分別藉由使用基板處理裝置1之事先實驗而求出，而且使用該等算出延遲 期間D，因此，能夠排除基板處理裝置之配管構成之影響(疏水化劑噴嘴8之噴出口8a和疏水化劑閥10之距離與有機溶劑噴嘴11之噴出口11a和有機溶劑閥13的距離不同等)而良好地求出延遲期間D。

圖15C係用以說明下降流量推移圖案FC1與上升流量推移圖案FC2之匹配之圖。圖16A係用以說明延遲期間設定之流程圖。

運算單元51自閾值記憶部211讀出閾值Th(圖16A之S11)。又，運算單元51於時間軸方向上對下降流量推移圖案FC1與上升流量推移圖案FC2進行圖案匹配(圖16A之S12)。

於本實施形態中，將上升流量推移圖案FC2之波形與下降流量推移圖案FC1之波形進行匹配。將上升之開始時點與下降流量推移圖案FC1相同之上升流量推移圖案FC2設為基準圖案(圖15C中以實線表示)。

於圖案匹配(S12)中，使上升流量推移圖案FC2沿時間軸方向滑動。當使上升流量推移圖案FC2向左側滑動時，流量交點P1處之流量(即，流量交點P1之高度位置)減少。當使上升流量推移圖案FC2向右側滑動時，流量交點P1處之流量增大。

而且，將上升流量推移圖案FC2以流量交點P1處之合計流量TF(即，流量交點P1處之流量之2倍之流量)為閾值Th以內且成為最大之方式配置。運算單元51算出此時之上升流量推移圖案FC2(圖15C中以單點鏈線表示)之與基準圖案之時間軸方向之偏移量作為延遲期間D。藉由將上升流量推移圖案FC2配置於如流量交點P1處之流量成為最大之位置，能夠選擇最短之時間作為延遲期間D。

運算單元51將算出之延遲期間D記憶於延遲期間記憶部 54(圖16A之S14)。

圖16B係用以說明使用基板處理裝置1所進行之事先實驗之流程圖。

該事先實驗係用於由控制裝置3獲取閾值Th之實驗。又，該事先實驗亦為用於由控制裝置3獲取下降流量推移圖案FC1及上升流量推移圖案FC2之實驗。於該事先實驗中，使用樣本用之基板作為處理對象之基板。

樣本用之基板搬入至腔室4，且以使作為元件形成面之表面例如朝上之狀態保持於收容於腔室4內之旋轉夾頭5。

於該狀態下，於腔室4內對樣本用之基板實施與上述基板處理例所示之各步驟(圖6之S2~S9)相同之步驟(S17B之S21)。即，依序對樣本用之基板實施IPA供給步驟(S5)、疏水化劑供給步驟(S6)及IPA供給步驟(S7)。

各步驟(S2~S9)之處理時間、各步驟(S2~S9)中之樣本用之基板之旋轉速度等處理條件與上述基板處理例(圖6)中之處理條件相同。當然，IPA供給步驟(S5、S7)中之IPA之噴出流量、或疏水化劑供給步驟(S6)中之疏水化劑之噴出流量亦為與上述基板處理例(圖6)之情形相同之流量。

事先實驗係於將其他條件保持相同之狀態下，一面使延遲期間D(參照圖15C)不同，一面進行複數次。

於該事先實驗中，獲取下降流量推移圖案FC1(圖16B之S22)。具體而言，當關閉有機溶劑閥13時，控制裝置3參照有機溶劑流量計12A所輸出之測量值，將有機溶劑流量計12A所輸出之測量值與開始有 機溶劑閥13之關閉動作起之時間建立對應地進行取樣。控制裝置3基於取樣之測量值獲取表示IPA之測量值之時間變化之下降流量推移圖案FC1，並將該下降流量推移圖案FC1儲存於流量推移資訊記憶部212。

又，於該事先實驗中，獲取上升流量推移圖案FC2(圖16B之S23)。具體而言，當打開疏水化劑閥10時，控制裝置3參照疏水化劑流量計9A所輸出之測量值，將疏水化劑流量計9A所輸出之測量值與開始疏水化劑閥10之打開動作起之時間建立對應地進行取樣。控制裝置3基於取樣之測量值獲取表示疏水化劑之測量值之時間變化之上升流量推移圖案FC2，並將該上升流量推移圖案FC2儲存於流量推移資訊記憶部212。

而且，操作員與圖12及表1中所說明之內容相同地觀察藉由事先實驗所獲得之樣本用之基板，判定是否為良品。操作員將與藉由事先實驗判定為良品之所有延遲期間對應之閾值(流量交點P1處之合計流量TF(即，流量交點P1處之流量之2倍之流量)之值)中的最高值決定為閾值Th。藉由操作員之操作將以此方式決定之閾值Th輸入至控制裝置3。所輸入之閾值Th記憶於閾值記憶部211(圖16B之S24)。

藉由以上，根據該第2實施形態，控制裝置3設定自第1閥(有機溶劑閥13)之關閉動作開始至第2閥(疏水化劑閥10)之打開動作開始的延遲期間D。下降流量推移圖案FC1及上升流量推移圖案FC2係根據執行基板處理之基板處理裝置1、或根據其處理條件而不同。而且，由於藉由使用該等下降流量推移圖案FC1及上升流量推移圖案FC2之匹配設置如合計流量TF成為閾值Th以下之延遲期間D，故而能夠容易地設置與基板處理裝置1或處理條件對應之良好之延遲期間D。而且，由於藉由匹配求出延遲期間D，故而能夠相對容易地設置如流量交點P1處之合計流量TF為 閾值Th以內且成為最大之延遲期間D。

又，由於基於使用基板處理裝置1之事先實驗獲取下降流量推移圖案FC1及上升流量推移圖案FC2(即，由於為實測值)，故而能夠設定排除基板處理裝置1之個體差異之良好之延遲期間D。

又，設定合計流量TF成為閾值Th以下之期間中之最短之期間作為延遲期間D。換言之，設定儘可能短之期間作為延遲期間D。藉此，能夠使基板W不發生斷液而自第1處理液處理(有機溶劑供給步驟(S5))移行至第2處理液處理(疏水化劑供給步驟(S6))。

圖17係用以說明第2實施形態之變化例(第2變化例)之方塊圖。

於如基板處理裝置1般具備複數個腔室4之基板處理裝置1中，若腔室4不同，則配管(疏水化劑配管9、有機溶劑配管12)不同。又，存在自閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)至噴出口8a、11a之距離於各腔室4不同之情況。有因該等原因而導致閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)之開閉動作及該開閉動作中之處理液自噴出口8a、11a之噴出流量之推移(閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)中之處理液之流通流量之推移)於各腔室4出現差異之虞。

因此，於第2變化例中，對各腔室4建立對應地設置下降流量推移圖案FC1及上升流量推移圖案FC2。因此，延遲期間D亦針對各腔室4而不同。於該情形時，閾值Th於各腔室4間使用共通之值。

藉此，即便於處理液自噴出口8a、11a之噴出流量之推移(閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)中之處理液之流通流量之推移)於各腔室4出現差異之情形時，亦能夠抑制或防止自IPA供給步驟(S5)向疏水化劑 供給步驟(S6)移行時之圖案倒塌或顆粒污染之發生。

於該情形時，由於閾值Th共通，故而用以獲取閾值Th之大規模之事先實驗(使用圖16B進行說明之事先實驗)僅利用1個腔室4進行即可，關於其他腔室4，就用以獲取下降流量推移圖案FC1或上升流量推移圖案FC2之事先實驗而言足夠。若為僅用以獲取下降流量推移圖案FC1或上升流量推移圖案FC2之事先實驗，則只要根據處理條件使閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)開閉即可，因此能夠使用虛設基板等於短時間內進行。由此，伴隨事先實驗之操作員之負擔較少。

圖18係用以說明第2實施形態之變化例(第3變化例)之延遲期間設定之流程圖。圖19係用以說明第3變化例之延遲期間設定之模式圖。

於第3變化例中，與腔室4中之基板處理例之執行並行地設定延遲期間D(即時設定)。

運算單元51自閾值記憶部211讀出閾值Th(圖18之S31)。又，運算單元51對有機溶劑流量計12A所輸出之測量值(圖18之S32)進行取樣(監視)。當開始有機溶劑閥13之關閉動作時，利用有機溶劑流量計12A所獲得之測量值急遽減小。於有機溶劑閥13之關閉動作開始後之特定時點(圖19所示之「當前時間點」)，運算單元51基於取樣之測量值製作表示IPA之測量值之時間變化的IPA圖案。又，運算單元51使所製作之IPA圖案與記憶於流量推移資訊記憶部212之下降流量推移圖案FC1之波形進行圖案匹配。於該圖案匹配中，使下降流量推移圖案FC1沿時間軸方向滑動，以兩圖案之波形之偏移變少之方式對兩圖案進行圖案匹配。藉此，於當前時間點，預測IPA之噴出流量之將來之推移(圖18之S33)。

而且，運算單元51將預測出之IPA之噴出流量之將來之推移與上升流量推移圖案FC2於時間軸方向上進行圖案匹配(圖18之S34)。該匹配係使用與圖16A之S12之情形相同之方法進行。

而且，將上升流量推移圖案FC2以流量交點P1處之合計流量TF(即，流量交點P1處之流量之2倍之流量)為閾值Th以內且成為最大之方式配置，算出延遲期間D(圖18之S35)。其後，運算單元51將算出之延遲期間D記憶於延遲期間記憶部54(圖18之S36)。

於該情形時，基於測量出之當前之IPA之噴出流量預測IPA之噴出流量之將來的推移。然後，基於預測出之下降流量推移與所獲取之上升流量推移圖案FC2，與基板處理之進行並行地設定延遲期間D。藉此，能夠設定最適於進行中之基板處理之處理條件之良好之延遲期間D。

又，於第2實施形態之上述說明中，列舉自IPA供給步驟(S5)向疏水化劑供給步驟(S6)移行時之閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)之開閉為例進行了說明。然而，亦可將第2實施形態應用於自疏水化劑供給步驟(S6)向IPA供給步驟(S7)移行時之閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)之開閉。

又，亦可於自IPA供給步驟(S5)向疏水化劑供給步驟(S6)移行時與自疏水化劑供給步驟(S6)向IPA供給步驟(S7)移行時使閾值Th互不相同。

以上，對本發明之2個實施形態及3個變化例進行了說明，但本發明亦可進而使用其他實施形態來實施。

例如，亦可不一次性而個別地進行用於由控制裝置3獲取閾值Th之事先實驗與用於由控制裝置3獲取下降流量推移圖案FC1及上升 流量推移圖案FC2之事先實驗。

又，於第2實施形態中，上升流量推移圖案FC2亦可為預先製作之資料而非藉由使用基板處理裝置1之事先實驗所獲得之實測資料。開始閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)之打開動作時，使處理液(IPA、疏水化劑)之前端面後退，開始閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)之打開動作後之流通於閥(疏水化劑閥10、有機溶劑閥13)之處理液之行為(IPA、疏水化劑)幾乎觀察不到差。因此，上升流量推移圖案FC2亦可為預先製作之資料而非實測資料。

又，閾值Th亦可為預先提供之值而非利用使用該基板處理裝置1之事先實驗而判定出之值。

又，於第1及第2實施形態中，亦可將噴嘴(疏水化劑噴嘴8、有機溶劑噴嘴11)設置於與基板W之上表面之大致整個區域之上方對向之遮斷構件而非共通噴嘴CN。

又，於上述實施形態中，對基板處理裝置1係對包含半導體晶圓之基板W之表面進行處理之裝置之情形進行了說明，但基板處理裝置亦可為對液晶顯示裝置用基板、有機EL(electroluminescence)顯示裝置等FPD(Flat Panel DiSplay)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等基板進行處理之裝置。

此外，能夠於申請專利範圍所記載之事項之範圍內實施各種設計變更。

本申請對應於在2018年4月25日向日本特許廳提交之日本專利特願2018-84444號，本申請之全部揭示以引用之方式併入本文中。

1:基板處理裝置

2:處理單元

4:腔室

5:旋轉夾頭

6:藥液供給單元

7:淋洗液供給單元

8:疏水化劑噴嘴

8a:噴出口

9:疏水化劑配管

9A:疏水化劑流量計

9B:第1抽吸裝置

10:疏水化劑閥

11:有機溶劑噴嘴

11a:噴出口

12:有機溶劑配管

12A:有機溶劑流量計

12B:第2抽吸裝置

13:有機溶劑閥

14:處理杯

14a:上端部

15:間隔壁

16:旋轉馬達

17:旋轉軸

18:旋轉基座

18a:上表面

19:夾持構件

20:藥液噴嘴

21:藥液配管

22:藥液閥

23:淋洗液噴嘴

24:淋洗液配管

25:淋洗液閥

29:噴嘴移動單元

32:氣體噴嘴

A1:旋轉軸線

CN:共通噴嘴

W:基板

Claims (17)

1. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其保持基板；第1噴嘴，其用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第1處理液；第1配管，其對上述第1噴嘴供給第1處理液；第1閥，其將上述第1配管開閉；第2噴嘴，其係與上述第1噴嘴不同之噴嘴，且用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第2處理液；第2配管，其對上述第2噴嘴供給第2處理液；第2閥，其將上述第2配管開閉；及控制裝置，其對上述第1閥及上述第2閥之開閉進行控制；且上述控制裝置執行：第1關閉動作步驟，其係於自上述第1噴嘴噴出第1處理液之狀態下，將處於打開狀態之上述第1閥關閉；及第2打開動作步驟，其係自上述第1閥之關閉動作開始起經過延遲期間之後，於第1處理液自上述第1噴嘴之噴出未完全停止之狀態下開始上述第2閥之打開動作；上述延遲期間係基於與上述第1閥之關閉動作開始後之第1處理液之噴出流量之推移相關的第1流量推移資訊、及與上述第2閥之打開動作開始後之第2處理液之噴出流量之推移相關的第2流量推移資訊，以自上述第1噴嘴噴出之第1處理液之噴出流量與自上述第2噴嘴噴出之第2處理液之噴出流量一致之狀態下的該第1處理液之噴出流量與該第2處理液之噴出流量之合計流量成為特定之閾值以下的方式設定，且 上述特定之閾值係較第1處理液之噴出流量低之值。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述第2打開動作步驟包括於上述第1閥中之第1處理液之流通未完全停止之狀態下開始上述第2閥之打開動作的步驟。
3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述閾值係藉由使用上述基板處理裝置之實驗而求出之值。
4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其包含記憶預先規定之期間作為上述延遲期間之記憶單元，且上述控制裝置係基於記憶於上述記憶單元之上述延遲期間執行上述第2打開動作步驟。
5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述第1處理液包含疏水化劑與有機溶劑之一種，且上述第2處理液包含疏水化劑與有機溶劑之另一種。
6. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其保持基板；第1噴嘴，其用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第1處理液；第1配管，其對上述第1噴嘴供給第1處理液； 第1閥，其將上述第1配管開閉；第2噴嘴，其用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第2處理液；第2配管，其對上述第2噴嘴供給第2處理液；第2閥，其將上述第2配管開閉；及延遲期間設定單元，其設定自上述第1閥之關閉動作開始至上述第2閥之打開動作開始之延遲期間；且上述延遲期間設定單元係基於與上述第1閥之關閉動作開始後之自上述第1噴嘴噴出之第1處理液之噴出流量之推移相關的第1流量推移資訊、及與上述第2閥之打開動作開始後之自上述第2噴嘴噴出之第2處理液之噴出流量之推移相關的第2流量推移資訊，算出上述延遲期間，並設定上述延遲期間。
7. 如請求項6之基板處理裝置，其進而包含資訊獲取控制裝置，該資訊獲取控制裝置對上述第1閥及上述第2閥之開閉進行控制，以獲取上述第1流量推移資訊及上述第2流量推移資訊，且上述延遲期間設定單元係基於所獲取之上述第1流量推移資訊及所獲取之上述第2流量推移資訊設定上述延遲期間。
8. 如請求項6之基板處理裝置，其進而包含：資訊獲取控制裝置，其對上述第1閥及上述第2閥之開閉進行控制，以獲取上述第1流量推移資訊及上述第2流量推移資訊；流量計，其對第1處理液之噴出流量進行測量；及 預測單元，其係基於由上述流量計所測量之噴出流量及所獲取之上述第1流量推移資訊，預測第1處理液之噴出流量之將來之推移；且上述延遲期間設定單元係基於由上述預測單元預測出之上述將來之推移及所獲取之上述第2流量推移資訊設定上述延遲期間。
9. 如請求項6至8中任一項之基板處理裝置，其中上述延遲期間設定單元係基於上述第1流量推移資訊及上述第2流量推移資訊，以第1處理液之噴出流量與第2處理液之噴出流量一致之狀態下的該第1處理液之噴出流量與該第2處理液之噴出流量之合計流量成為閾值以下的方式設定上述延遲期間。
10. 如請求項9之基板處理裝置，其中上述延遲期間設定單元設定上述合計流量成為上述閾值以下之期間中之最短之期間作為上述延遲期間。
11. 如請求項9之基板處理裝置，其中上述閾值係藉由使用上述基板處理裝置之實驗而求出之值。
12. 如請求項1或6之基板處理裝置，其中來自上述第2噴嘴之第2處理液於上述基板之著液位置與來自上述第1噴嘴之第1處理液於上述基板之著液位置接近。
13. 一種基板處理方法，其係於基板處理裝置中執行者，上述基板處理裝置包含：基板保持單元，其保持基板；第1噴嘴，其用於朝向由上述基 板保持單元保持之基板噴出第1處理液；第1配管，其對上述第1噴嘴供給第1處理液；第1閥，其將上述第1配管開閉；第2噴嘴，其係與上述第1噴嘴不同之噴嘴，且用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第2處理液；第2配管，其對上述第2噴嘴供給第2處理液；及第2閥，其將上述第2配管開閉；且上述基板處理方法包括：第1關閉動作步驟，其係於自上述第1噴嘴噴出第1處理液之狀態下，將處於打開狀態之上述第1閥關閉；及第2打開動作步驟，其係自上述第1閥之關閉動作開始起經過延遲期間之後，於第1處理液自上述第1噴嘴之噴出未完全停止之狀態下開始上述第2閥之打開動作；上述延遲期間係基於與上述第1閥之關閉動作開始後之第1處理液之噴出流量之推移相關的第1流量推移資訊、及與上述第2閥之打開動作開始後之第2處理液之噴出流量之推移相關的第2流量推移資訊，以自上述第1噴嘴噴出之第1處理液之噴出流量與自上述第2噴嘴噴出之第2處理液之噴出流量一致之狀態下的該第1處理液之流量與該第2處理液之流量之合計流量成為特定之閾值以下的方式設定，且上述特定之閾值係較第1處理液之噴出流量低之值。
14. 如請求項13之基板處理方法，其中上述第1處理液包含疏水化劑與有機溶劑之一種，且上述第2處理液包含疏水化劑與有機溶劑之另一種。
15. 一種延遲期間設定方法，其係於基板處理裝置中設定自第1閥之關閉 動作開始至第2閥之打開動作開始之延遲期間者，上述基板處理裝置包含：基板保持單元，其保持基板；第1噴嘴，其用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第1處理液；第1配管，其對上述第1噴嘴供給第1處理液；第1閥，其將上述第1配管開閉；第2噴嘴，其用於朝向由上述基板保持單元保持之基板噴出第2處理液；第2配管，其對上述第2噴嘴供給第2處理液；及第2閥，其將上述第2配管開閉；且上述延遲期間係基於與上述第1閥之關閉動作開始後之自上述第1噴嘴噴出之第1處理液之噴出流量之推移相關的第1流量推移資訊、及與上述第2閥之打開動作開始後之自上述第2噴嘴噴出之第2處理液之噴出流量之推移相關的第2流量推移資訊，算出第1處理液之噴出流量與第2處理液之噴出流量一致之狀態下的該第1處理液之噴出流量與該第2處理液之噴出流量之合計流量成為閾值以下的期間，並將該期間設定為上述延遲期間。
16. 如請求項15之延遲期間設定方法，其中上述延遲期間設定方法係將上述合計流量成為上述閾值以下之期間中之最短之期間設定為上述延遲期間。
17. 一種記錄媒體，其係記錄有用以執行延遲期間設定方法之程式者，上述延遲期間設定方法係設定自將用以對第1噴嘴供給第1處理液之第1配管開閉之第1閥之關閉動作開始至將用以對與上述第1噴嘴不同之噴嘴即第2噴嘴供給第2處理液之第2配管開閉之第2閥之打開動作開始的延遲期間，且上述延遲期間設定方法係基於與上述第1閥之關閉動作開始後之自上 述第1噴嘴噴出之第1處理液之噴出流量之推移相關的第1流量推移資訊、及與上述第2閥之打開動作開始後之自上述第2噴嘴噴出之第2處理液之噴出流量之推移相關的第2流量推移資訊，算出第1處理液之噴出流量與第2處理液之噴出流量一致之狀態下的該第1處理液之噴出流量與該第2處理液之噴出流量之合計流量成為閾值以下的期間，並將該期間設定為上述延遲期間。

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