KR20090033194A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20090033194A
KR20090033194A KR1020090008753A KR20090008753A KR20090033194A KR 20090033194 A KR20090033194 A KR 20090033194A KR 1020090008753 A KR1020090008753 A KR 1020090008753A KR 20090008753 A KR20090008753 A KR 20090008753A KR 20090033194 A KR20090033194 A KR 20090033194A
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liquid layer
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코지 카네야마
카즈히토 시게모리
마사시 카나오카
타다시 미야기
슈이치 야스다
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다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
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Abstract

기판처리장치는 인터페이스 블록을 구비한다. 인터페이스 블록에 인접하도록 노광장치가 배치된다. 인터페이스 블록은 제1 및 제2 세정/건조처리유닛을 포함한다. 제1 세정/건조처리유닛에 있어서, 노광처리 전의 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행하여지고, 제2 세정/건조처리유닛에 있어서, 노광처리 후의 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행하여진다.
Figure P1020090008753
기판처리장치, 기판, 세정처리, 건조처리, 현상처리, 액층, 오염

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판의 처리를 행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등의 각종 기판에 여러 가지의 처리를 행하기 위하여, 기판처리장치가 사용되고 있다.
이러한 기판처리장치에서는, 일반적으로, 1개의 기판에 대하여 복수의 다른 처리가 연속적으로 행하여진다. 일본특허공개 2003-324139호 공보에 기재된 기판처리장치는 인덱서 블록, 반사방지막용 처리블록, 레지스트막용 처리블록, 현상처리블록 및 인터페이스 블록에 의해 구성된다. 인터페이스 블록에 인접하도록 기판처리장치와는 별개의 외부장치인 노광장치가 배치된다.
상기 기판처리장치에 있어서는, 인덱서 블록으로부터 반입되는 기판은 반사방지막용 처리블록 및 레지스트막용 처리블록에 있어서 반사방지막의 형성 및 레지스트막의 도포처리가 행하여진 후, 인터페이스 블록을 통하여 노광장치로 반송된다. 노광장치에 있어서 기판상의 레지스트막에 노광처리가 행하여진 후, 기판은 인터페이스 블록을 통하여 현상처리블록으로 반송된다. 현상처리블록에 있어서 기 판상의 레지스트막에 현상처리가 행하여짐으로써 레지스트 패턴이 형성된 후, 기판은 인덱서 블록으로 반송된다.
최근, 디바이스의 고밀도화 및 고집적화에 따라, 레지스트 패턴의 미세화가 중요한 과제로 되고 있다. 종래의 일반적인 노광장치에 있어서는, 레티클의 패턴을 투영렌즈를 통하여 기판상에 축소 투영함으로써 노광처리가 행하여졌다. 그러나, 이러한 종래의 노광장치에 있어서는, 노광 패턴의 선폭은 노광장치의 광원의 파장에 의해 결정되기 때문에, 레지스트 패턴의 미세화에 한계가 있었다.
그래서, 노광 패턴의 새로운 미세화를 가능하게 하는 투영노광방법으로서, 액침법(液浸法)이 제안되어 있다(예컨대, 국제공개 제99/49504호 팜플렛 참조). 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영노광장치에 있어서는, 투영광학계와 기판과의 사이에 액체가 채워져 있어, 기판표면에서의 노광 광을 단파장화할 수 있다. 그에 의해, 노광 패턴의 새로운 미세화가 가능하게 된다.
그러나, 상기 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영노광장치에 있어서는, 기판과 액체가 접촉한 상태에서 노광처리가 행하여지므로, 기판은 액체가 부착된 상태로 노광장치로부터 반출된다. 그 때문에, 상기 일본특허공개 2003-324139호 공보의 기판처리장치에 상기 국제공개 제99/49504호 팜플렛에 기재되어 있는 바와 같은 액침법을 이용한 노광장치를 외부장치로서 설치하는 경우, 노광장치로부터 반출된 기판에 부착되어 있는 액체가 기판처리장치 안으로 낙하하여, 기판처리장치의 전기계통의 이상(異常) 등의 동작 문제가 발생할 우려가 있다.
또한, 노광처리 후의 기판에 액체가 부착되어 있으면, 그 기판에 먼지 등이 부착되기 쉬워짐과 아울러, 기판에 부착되는 액체가 기판상에 형성되어 있는 막에 대하여 악영향을 줄 경우가 있다. 이들에 기인하여 기판의 처리 문제가 발생할 우려가 있다.
본 발명의 목적은 노광장치에 있어서 기판에 부착된 액체에 의한 동작 문제 및 처리 문제가 방지된 기판처리장치를 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 일 형태를 따르는 기판처리장치는 노광장치에 인접하도록 배치되는 기판처리장치로서, 기판에 처리를 행하기 위한 처리부와, 처리부와 노광장치와의 사이에서 기판의 주고 받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하고, 처리부 및 주고받기부 중 적어도 한 쪽은 기판의 건조처리를 행하는 건조처리유닛을 포함 하고, 건조처리유닛은 기판을 거의 수평으로 파지하는 기판파지장치와, 기판파지장치에 의해 파지된 기판을 그 기판에 수직한 축의 주위로 회전시키는 회전구동장치와, 기판파지장치에 파지된 기판상에 액층(液層)을 형성하는 액층형성부와, 회전구동장치에 의해 기판이 회전되는 상태에서, 액층형성부에 의해 기판상에 형성된 액층의 중심부를 향하여 기체를 토출하는 기체토출부를 포함하는 것이다.
이 기판처리장치에 있어서는, 처리부에 있어서 기판에 소정의 처리가 행하여져, 주고받기부에 의해 그 기판이 처리부로부터 노광장치로 주고받아진다. 노광장치에 있어서 기판에 노광처리가 행하여진 후, 노광처리 후의 기판이 주고받기부에 의해 노광장치로부터 처리부로 복귀된다. 노광장치에 의한 노광처리 전 또는 노광처리 후에는 건조처리유닛에 의해 기판의 건조처리가 행하여진다.
건조처리유닛에 있어서는, 액층형성부에 의해 기판상에 액층이 형성된다. 그리고, 회전구동장치에 의해 기판이 회전되는 상태에서, 기체토출부에 의해 기판상의 액층의 중심부를 향하여 기체가 토출된다. 그에 의해, 기판상에 액체가 부착되어 있어도, 그 액체는 기판상에 형성되는 액층과 함께 원심력에 의해 기판의 바깥쪽으로 이동하여, 제거된다. 이 경우, 액층은 복수의 영역으로 분리하지 않고 표면장력에 의해 원고리(圓環) 형상을 유지한 상태로 일체적으로 기판의 바깥쪽으로 이동하기 때문에, 미소(微小) 액방울의 형성이 억제되어, 기판상의 액체를 확실하게 제거할 수 있다.
이러한 건조처리가 노광처리 후의 기판에 행하여지는 경우, 노광장치에 있어서 기판에 액체가 부착되어도, 그 액체가 기판처리장치 안으로 낙하하는 것을 방지 할 수 있다. 그 결과, 기판처리장치의 동작 문제를 방지할 수 있다.
또한, 기판에 건조처리가 실시됨으로써, 노광처리시에 기판에 부착된 액체에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것이 방지된다. 또한, 기판에 부착된 액체가 기판상에 형성된 막에 대하여 악영향을 주는 것이 방지된다. 이에 의해, 기판의 처리 문제가 방지된다.
한편, 건조처리가 노광처리 전의 기판에 행하여지는 경우, 기판상에 액층이 형성됨으로써, 노광처리 전의 처리공정으로 기판에 부착된 먼지 등을 노광처리의 직전에 제거할 수 있다. 그 결과, 노광장치 내의 오염을 방지할 수 있어, 기판의 처리 문제를 확실하게 방지할 수 있다.
(2) 회전구동장치는 액층형성부에 의한 액층의 형성시에 기판을 제1 회전속도로 회전시키고, 액층형성부에 의한 액층의 형성 후에 기판의 회전속도를 제2 회전속도까지 단계적 또는 연속적으로 상승시키고, 기체토출부는 제1 회전속도보다 높고 제2 회전속도보다 낮은 제3 회전속도로 회전하는 기판상의 액층에 기체를 토출하여도 좋다.
이 경우, 액층의 형성시에는, 회전구동장치에 의해 기판이 제1 회전속도로 회전된다. 그에 의해, 기판이 수평면에 대하여 약간 경사진 상태이어도, 액층을 기판상에 균일하게 형성할 수 있다.
액층의 형성 후에는, 회전구동장치에 의해 기판의 회전속도가 단계적 또는 연속적으로 상승한다. 그에 의해, 액층의 주연부(周緣部)에 작용하는 바깥쪽으로의 원심력이 증가한다. 한편, 액층의 중심부에는, 원심력에 대한 장력이 작용하 여, 액층은 바깥쪽으로 비산하는 일없이 기판상에서 유지된다.
기판의 회전속도가 상승하는 과정에서, 기판의 회전속도가 제1 회전속도보다 높고 제2 회전속도보다 낮은 제3 회전속도일 때에, 기체토출부에 의해 기판상의 액층의 중심부를 향하여 기체가 토출된다. 그에 의해, 액층의 중심부에 작용하는 장력이 소멸하여, 원심력에 의해 액층이 기판의 바깥쪽으로 향하여 이동한다. 이 경우, 액층은 복수의 영역으로 분리하지 않고, 표면장력에 의해 원고리 형상을 유지한 상태로 일체적으로 기판의 바깥쪽으로 이동한다. 그 때문에, 기판상에서의 미소 액방울의 형성이 억제되어, 기판상의 액층을 확실하게 제거할 수 있다.
(3) 회전구동장치는 액층형성부에 의한 액층의 형성 후로서 기체토출부에 의한 기체의 토출 전에, 기판의 회전속도를 제1 회전속도보다 높고 제2 회전속도보다 낮은 제4의 회전속도로 소정시간 유지하여도 좋다.
이 경우, 액층이 기판상의 전체 영역으로 확대됨과 아울러, 액층이 기판상에 안정하게 유지된다. 그에 의해, 기체토출부에 의한 기체의 토출 전에 액층이 기판의 바깥쪽으로 비산하는 것이 확실하게 방지됨과 아울러, 기체의 토출시에, 확실하게 원고리 형상을 유지한 상태로 액층을 일체적으로 기판의 바깥쪽으로 이동시킬 수 있다.
(4) 건조처리유닛은 액층형성부에 의해 기판상에 형성된 액층의 두께를 검출하는 층두께검출기와, 층두께검출기에 의해 검출된 액층의 두께에 근거하여 회전구동장치에 의한 기판의 회전속도 및 기체토출부에 의한 기체의 토출 타이밍을 제어하는 제어부를 더욱 포함하여도 좋다.
이 경우, 액층의 중심부가 충분히 얇아지게 되고, 또한 원심력에 의해 액층이 복수의 영역으로 분리되지 않는 상태로 기체를 토출할 수 있으므로, 액층의 중심부에 작용하는 장력(張力)을 확실하게 소멸시켜, 원고리 형상을 유지한 상태로 액층을 일체적으로 기판의 바깥쪽으로 이동시킬 수 있다. 그에 의해, 기판상의 액층을 확실하게 제거할 수 있다.
(5) 건조처리유닛은 노광장치에 의한 노광처리 후에 기판의 건조처리를 행하여도 좋다.
이 경우, 노광장치에 있어서 기판에 액체가 부착되어도, 그 액체가 기판처리장치 안으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판처리장치의 동작 문제를 방지할 수 있다.
또한, 기판에 건조처리가 실시됨으로써, 노광처리시에 기판에 부착된 액체에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것이 방지된다. 그에 의해, 기판의 처리 문제를 방지할 수 있다.
(6) 처리부는 기판의 현상처리를 행하는 현상처리유닛을 더 포함하고, 건조처리유닛은 노광장치에 의한 노광처리 후에 있어서 현상처리유닛에 의한 현상처리 전에 기판의 건조처리를 행하여도 좋다.
이 경우, 현상처리유닛에 의한 현상처리 전에 기판의 건조처리가 행하여지기 때문에, 노광처리시에 있어서 기판에 액체가 부착되어도, 그 액체에 의해 노광 패턴이 변형하는 것을 방지할 수 있다. 그에 의해, 현상처리시에서의 선폭정밀도의 저하를 확실하게 방지할 수 있다.
(7) 건조처리유닛은 노광장치에 의한 노광처리 전에 기판의 건조처리를 행하여도 좋다.
이 경우, 기판상에 액층이 형성됨으로써, 노광처리 전의 처리공정으로 기판에 부착된 먼지 등을 노광처리의 직전에 제거할 수 있다. 그 결과, 노광장치 내의 오염을 방지할 수 있고, 기판의 처리 문제를 확실하게 방지할 수 있다.
(8) 처리부는 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성 막을 형성하는 감광성 막형성유닛과, 감광성 막을 보호하는 보호막을 형성하는 보호막형성유닛을 더 포함하고, 건조처리유닛은 감광성 막 및 보호막의 형성 후에 있어서 노광장치에 의한 노광처리 전에 기판의 건조처리를 행하여도 좋다.
이 경우, 건조처리시에 있어서, 기판상에 형성된 감광성 막 및 보호막의 성분의 일부가 액층 중에 용출(溶出)한다. 그 때문에, 노광장치에 있어서 기판이 액체와 접촉하여도, 기판상의 감광성 막 및 보호막의 성분은 액체 중에 대부분 용출하지 않는다.
따라서, 노광장치 내의 오염을 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 건조처리가 노광처리 후의 기판에 행하여지는 경우, 노광장치에 있어서 기판에 액체가 부착되어도, 그 액체가 기판처리장치 안으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판처리장치의 동작 문제를 방지할 수 있다.
또한, 기판에 건조처리가 실시됨으로써, 노광처리시에 기판에 부착된 액체에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것이 방지된다. 또한, 기판에 부착된 액체가 기 판상에 형성된 막에 대하여 악영향을 주는 것이 방지된다. 이에 의해, 기판의 처리 문제가 방지된다.
한편, 건조처리가 노광처리 전의 기판에 행하여지는 경우, 기판상에 액층이 형성됨으로써, 노광처리 전의 처리공정으로 기판에 부착된 먼지 등을 노광처리의 직전에 제거할 수 있다. 그 결과, 노광장치 내의 오염을 방지할 수 있어, 기판의 처리 문제를 확실하게 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 의한 기판처리장치에 대하여 도면을 사용하여 설명한다.
이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다.
(1) 기판처리장치의 구성
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도이다. 한편, 도 1 및 후술하는 도 2∼도 4에는 위치 관계를 명확히 하기 위하여 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 표시하고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직(鉛直)방향에 상당한다. 한편, 각 방향에 있어서 화살표가 향하는 방향을 +방향, 그 반대인 방향을 -방향으로 한다. 또한, Z방향을 중심으로 하는 회전 방향을 θ방향으로 하고 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 기판처리장치(500)는 인덱서 블록(9), 반사방지 막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트 커버막용 처리블록(13), 레지스트 커버막제거블록(14) 및 인터페이스 블록(15)을 포함한다. 또한, 인터페이스 블록(15)에 인접하도록 노광장치(16)가 배치된다. 노광장치(16)에 있어서는, 액침법(液浸法)에 의해 기판(W)에 노광처리가 행하여진다.
이하, 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트 커버막용 처리블록(13), 레지스트 커버막제거블록(14) 및 인터페이스 블록(15)의 각각을 처리블록이라고 부른다.
인덱서 블록(9)은 각 처리블록의 동작을 제어하는 메인 컨트롤러(제어부)(30), 복수의 캐리어 재치대(載置台)(40) 및 인덱서 로봇(IR)을 포함한다. 인덱서 로봇(IR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(IRH)가 설치된다.
반사방지막용 처리블록(10)은 반사방지막용 열처리부(100, 101), 반사방지막용 도포처리부(50) 및 제1 센터로봇(CR1)을 포함한다. 반사방지막용 도포처리부(50)는 제1 센터로봇(CR1)을 사이에 개재하여 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 대향하여 설치된다. 제1 센터로봇(CR1)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH1, CRH2)가 상하에 설치된다.
인덱서 블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(17)이 설치된다. 이 격벽(17)에는, 인덱서 블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10)과의 사이에서 기판(W)의 주고 받기를 행하기 위한 기판재치부(PASSl, PASS2)가 상하에 근접하여 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS1)는 기판(W)을 인덱서 블록(9)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때에 사용되며, 하측의 기판재치부(PASS2)는 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 인덱서 블록(9)으로 반송할 때로 사용된다.
또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 그에 의해, 기판재치부(PASS1, PASS2)에 있어서 기판(W)이 재치되어 있는지의 여부의 판정을 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 고정 설치된 복수개의 지지핀이 설치되어 있다. 한편, 상기 광학식의 센서 및 지지핀은 후술하는 기판재치부(PASS3∼PASS13)에도 마찬가지로 설치된다.
레지스트막용 처리블록(11)은 레지스트막용 열처리부(110, 111), 레지스트막용 도포처리부(60) 및 제2 센터로봇(CR2)을 포함한다. 레지스트막용 도포처리부(60)는 제2 센터로봇(CR2)을 사이에 개재하여 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 대향하여 설치된다. 제2 센터로봇(CR2)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH3, CRH4)가 상하에 설치된다.
반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(18)이 설치된다. 이 격벽(18)에는, 반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11)과의 사이에서 기판(W)의 주고 받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS3, PASS4)가 상하에 근접하여 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS3)은 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때에 사용되며, 하측의 기판재치부(PASS4)은 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때 사용된다.
현상처리블록(12)은 현상용 열처리부(120, 121), 현상처리부(70) 및 제3 센터로봇(CR3)을 포함한다. 현상처리부(70)는 제3 센터로봇(CR3)을 사이에 개재하여 현상용 열처리부(120, 121)에 대향하여 설치된다. 제3 센터로봇(CR3)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH5, CRH6)가 상하에 설치된다.
레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(19)이 설치된다. 이 격벽(19)에는, 레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12)과의 사이에서 기판(W)의 주고 받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS5, PASS6)가 상하에 근접하여 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS5)는 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 현상처리블록(12)으로 반송할 때에 사용되며, 하측의 기판재치부(PASS6)는 기판(W)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때에 사용된다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)은 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131), 레지스트 커버막용 도포처리부(80) 및 제4의 센터로봇(CR4)을 포함한다. 레지스트 커버막용 도포처리부(80)는 제4의 센터로봇(CR4)을 사이에 개재하여 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)에 대향하여 설치된다. 제4의 센터로봇(CR4)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH7, CRH8)가 상하에 설치된다.
현상처리블록(12)과 레지스트 커버막용 처리블록(13)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(20)이 설치된다. 이 격벽(20)에는, 현상처리블록(12)과 레지스트 커버막용 처리블록(13)과의 사이에서 기판(W)의 주고 받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS7, PASS8)가 상하에 근접하여 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS7)는 기 판(W)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트 커버막용 처리블록(13)으로 반송할 때에 사용되며, 하측의 기판재치부(PASS8)은 기판(W)을 레지스트 커버막용 처리블록(13)으로부터 현상처리블록(12)으로 반송할 때에 사용된다.
레지스트 커버막제거블록(14)은 노광 후 베이크용 열처리부(140, 141), 레지스트 커버막제거용 처리부(90) 및 제5의 센터로봇(CR5)을 포함한다. 노광 후 베이크용 열처리부(141)는 인터페이스 블록(15)에 인접하고, 후술하는 바와 같이 기판재치부(PASS11, PASS12)를 구비한다. 레지스트 커버막제거용 처리부(90)는 제5의 센터로봇(CR5)을 사이에 개재하여 노광 후 베이크용 열처리부(140, 141)에 대향하여 설치된다. 제5의 센터로봇(CR5)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH9, CRH10)가 상하에 설치된다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)과 레지스트 커버막제거블록(14)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(21)이 설치된다. 이 격벽(21)에는, 레지스트 커버막용 처리블록(13)과 레지스트 커버막제거블록(14)과의 사이에서 기판(W)의 주고 받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS9, PASS10)가 상하에 근접하여 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS9)는 기판(W)을 레지스트 커버막용 처리블록(13)으로부터 레지스트 커버막제거블록(14)으로 반송할 때에 사용되며, 하측의 기판재치부(PASS10)는 기판(W)을 레지스트 커버막제거블록(14)으로부터 레지스트 커버막용 처리블록(13)으로 반송할 때에 사용된다.
인터페이스 블록(15)은 이송버퍼부(SBF), 제1 세정/건조처리유닛(SD1), 제6의 센터로봇(CR6), 에지 노광부(EEW), 복귀버퍼부(RBF), 재치겸용 냉각유닛(PASS- CP)(이하, P-CP라고 약기함), 기판재치부(PASS13), 인터페이스용 반송기구(IFR) 및 제2 세정/건조처리유닛(SD2)을 포함한다. 한편, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)은 노광처리 전의 기판(W)의 세정 및 건조처리를 행하고, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)은 노광처리 후의 기판(W)의 세정 및 건조처리를 행한다. 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 상세는 후술한다.
또한, 제6의 센터로봇(CR6)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH11, CRH12)(도 4 참조)가 상하에 설치되고, 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(H1, H2)(도 4 참조)가 상하에 설치된다. 인터페이스 블록(15)의 상세에 대하여는 후술한다.
본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서는, Y방향을 따라 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트 커버막용 처리블록(13), 레지스트 커버막제거블록(14) 및 인터페이스 블록(15)이 순서대로 병설되어 있다.
도 2는 도 1의 기판처리장치(500)를 +X방향에서 본 개략측면도이며, 도 3은 도 1의 기판처리장치(500)를 -X방향에서 본 개략측면도다. 한편, 도 2에 있어서는, 기판처리장치(500)의 +X측에 설치되는 것을 주로 나타내며, 도 3에 있어서는, 기판처리장치(500)의 -X측에 설치되는 것을 주로 나타내고 있다.
먼저, 도 2를 사용하여, 기판처리장치(500)의 +X측의 구성에 대하여 설명한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 도포처리부(50)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(BARC)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 도포유닛(BARC)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(51) 및 스핀척(51) 상에 파지된 기판(W)에 반사방지막의 도포액을 공급하는 공급노즐(52)을 구비한다.
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 도포처리부(60)(도 1 참조)에는 3개의 도포유닛(RES)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 도포유닛(RES)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(61) 및 스핀척(61) 상에 파지된 기판(W)에 레지스트막의 도포액을 공급하는 공급노즐(62)을 구비한다.
현상처리블록(12)의 현상처리부(70)에는, 5개의 현상처리유닛(DEV)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 현상처리유닛(DEV)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(71) 및 스핀척(71) 상에 파지된 기판(W)에 현상액을 공급하는 공급노즐(72)을 구비한다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)의 레지스트 커버막용 도포처리부(80)에는, 3개의 도포유닛(COV)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 도포유닛(COV)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(81) 및 스핀척(81) 상에 파지된 기판(W)에 레지스트 커버막의 도포액을 공급하는 공급노즐(82)을 구비한다. 레지스트 커버막의 도포액으로서는, 레지스트 및 물과의 친화력이 낮은 재료(레지스트 및 물과의 반응성이 낮은 재료)를 사용할 수 있다. 예를 들면, 불소수지이다. 도포유닛(COV)은 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 상에 도포액을 도포함으로써, 기판(W) 상에 형성된 레지스트막 상에 레지스트 커버막을 형성한다.
레지스트 커버막제거블록(14)의 레지스트 커버막제거용 처리부(90)에는, 3개 의 제거유닛(REM)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 제거유닛(REM)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(91) 및 스핀척(91) 상에 파지된 기판(W)에 박리액(예를 들면, 불소수지)을 공급하는 공급노즐(92)을 구비한다. 제거유닛(REM)은 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 상에 박리액을 도포함으로써, 기판(W) 상에 형성된 레지스트 커버막을 제거한다.
한편, 제거유닛(REM)에서의 레지스트 커버막의 제거방법은 상기 예에 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판(W)의 위쪽에 있어서 슬릿 노즐을 이동시키면서 기판(W) 상에 박리액을 공급함으로써 레지스트 커버막을 제거하여도 좋다.
인터페이스 블록(15) 내의 +X측에는, 에지 노광부(EEW) 및 3개의 제2 세정/건조처리유닛(SD2)이 상하에 적층 배치된다. 에지 노광부(EEW)는 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(98) 및 스핀척(98) 상에 파지된 기판(W)의 주변을 노광하는 광조사기(99)를 구비한다.
다음에, 도 3을 사용하여, 기판처리장치(500)의 -X측의 구성에 대하여 설명한다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 2개의 가열유닛(핫플레이트)(HP) 및 2개의 냉각유닛(쿨링 플레이트)(CP)이 각각 적층 배치된다. 또한, 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층 배치된다. 또한, 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)이 각각 배치된다.
현상처리블록(12)의 현상용 열처리부(120, 121)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층 배치된다. 또한, 현상용 열처리부(120, 121)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)의 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층 배치된다. 또한, 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)이 각각 배치된다.
레지스트 커버막제거블록(14)의 노광 후 베이크용 열처리부(140)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 상하에 적층 배치되며, 노광 후 베이크용 열처리부(141)에는, 2개의 가열유닛(HP), 2개의 냉각유닛(CP) 및 기판재치부(PASS11, PASS12)가 상하에 적층 배치된다. 또한, 노광 후 베이크용 열처리부(140, 141)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)이 각각 배치된다.
다음에, 도 4를 사용하여 인터페이스 블록(15)에 대하여 상세하게 설명한다.
도 4는 인터페이스 블록(15)을 +Y측에서 본 개략측면도이다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 인터페이스 블록(15) 내에 있어서, -X측에는 이 송버퍼부(SBF) 및 3개의 제1 세정/건조처리유닛(SD1)이 적층 배치된다. 또한, 인터페이스 블록(15) 내에 있어서, +X측의 상부에는 에지 노광부(EEW)가 배치된다.
에지 노광부(EEW)의 아래쪽에 있어서, 인터페이스 블록(15) 내의 대략 중앙부에는, 복귀버퍼부(RBF), 2개의 재치겸용 냉각유닛(P-CP) 및 기판재치부(PASS13)가 상하에 적층 배치된다. 에지 노광부(EEW)의 아래쪽에 있어서, 인터페이스 블록(15) 내의 +X측에는 3개의 제2 세정/건조처리유닛(SD2)이 상하에 적층 배치된다.
또한, 인터페이스 블록(15) 내의 하부에는, 제6의 센터로봇(CR6) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)가 설치되어 있다. 제6의 센터로봇(CR6)은 이송버퍼부(SBF) 및 제1 세정/건조처리유닛(SD1)과, 에지 노광부(EEW), 복귀버퍼부(RBF), 재치겸용 냉각유닛(P-CP) 및 기판재치부(PASS13)와의 사이에서 상하 이동가능 동시에 회동가능하게 설치되어 있다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는 복귀버퍼부(RBF), 재치겸용 냉각유닛(P-CP) 및 기판재치부(PASS13)와, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)과의 사이에서 상하 이동가능하면서도 회동가능하게 설치되어 있다.
(2) 기판처리장치의 동작
다음에, 본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)의 동작에 대하여 도 1∼도 4를 참조하면서 설명한다.
(2-1) 인덱서 블록∼레지스트 커버막제거블록의 동작
먼저, 인덱서 블록(9)∼레지스트 커버막제거블록(14)의 동작에 대하여 간단히 설명한다.
인덱서 블록(9)의 캐리어 재치대(40) 위에는 복수매(枚)의 기판(W)을 다단 (多段)으로 수납하는 캐리어(C)가 반입된다. 인덱서 로봇(IR)은 핸드(IRH)를 사용하여 캐리어(C) 내에 수납된 미(未)처리의 기판(W)을 꺼낸다. 그 후, 인덱서 로봇(IR)은 ±X방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전 이동하여, 미처리의 기판(W)을 기판재치부(PASS1)에 재치한다.
본 실시형태에 있어서는, 캐리어(C)로서 FOUP(front opening unified pod)를 채용하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, SMIF(Standard Mechanical Inter Face) 포드나 수납 기판(W)을 외기에 노출하는 OC(open cassette) 등을 사용하여도 좋다.
또한, 인덱서 로봇(IR), 제1∼제6의 센터로봇(CR1)∼(CR6) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 각각 기판(W)에 대하여 직선적으로 슬라이딩시켜서 핸드의 진퇴 동작을 행하는 직동형(直動型) 반송로봇을 사용하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 관절을 움직임으로써 직선적으로 핸드의 진퇴 동작을 행하는 다관절형(多關節型) 반송로봇을 사용하여도 좋다.
기판재치부(PASS1)에 재치된 미처리의 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 받아진다. 제1 센터로봇(CR1)은 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다.
그 후, 제1 센터로봇(CR1)은 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 반사방지막용 도포처리부(50)에 반입한다. 이 반사방지막용 도포처리부(50)에서는, 노광시에 발생하는 저재파(低在波)나 할레이션(halation)을 감소시키기 위하여, 도포유닛(BARC)에 의해 기판(W) 상에 반사방지막이 도포 형성된다.
다음에, 제1 센터로봇(CR1)은 반사방지막용 도포처리부(50)로부터 도포처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다. 그 후, 제1 센터로봇(CR1)은 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS3)에 재치한다.
기판재치부(PASS3)에 재치된 기판(W)은 레지스트막용 처리블록(11)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 받아진다. 제2 센터로봇(CR2)은 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다.
그 후, 제2 센터로봇(CR2)은 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트막용 도포처리부(60)에 반입한다. 이 레지스트막용 도포처리부(60)에서는, 도포유닛(RES)에 의해 반사방지막이 도포 형성된 기판(W) 상에 레지스트막이 도포 형성된다.
다음에, 제2 센터로봇(CR2)은 레지스트막용 도포처리부(60)로부터 도포처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다. 그 후, 제2 센터로봇(CR2)은 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS5)에 재치한다.
기판재치부(PASS5)에 재치된 기판(W)은 현상처리블록(12)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 받아진다. 제3 센터로봇(CR3)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS7)에 재치한다.
기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은 레지스트 커버막용 처리블록(13)의 제4의 센터로봇(CR4)에 의해 받아진다. 제4의 센터로봇(CR4)은 그 기판(W)을 레지 스트 커버막용 도포처리부(80)에 반입한다.
이 레지스트 커버막용 도포처리부(80)에서는, 도포유닛(COV)에 의해 레지스트막이 도포 형성된 기판(W) 상에 레지스트 커버막이 도포 형성된다.
다음에, 제4의 센터로봇(CR4)은 레지스트 커버막용 도포처리부(80)로부터 도포처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)에 반입한다. 그 후, 제4의 센터로봇(CR4)은 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS9)에 재치한다.
기판재치부(PASS9)에 재치된 기판(W)은 레지스트 커버막제거블록(14)의 제5의 센터로봇(CR5)에 의해 받아진다. 제5의 센터로봇(CR5)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS11)에 재치한다.
기판재치부(PASS11)에 재치된 기판(W)은 인터페이스 블록(15)의 제6의 센터로봇(CR6)에 의해 받아져, 후술하는 바와 같이 인터페이스 블록(15) 및 노광장치(16)에서 소정의 처리가 실시된다. 인터페이스 블록(15) 및 노광장치(16)에 있어서 기판(W)에 소정의 처리가 실시된 후, 그 기판(W)은 제6의 센터로봇(CR6)에 의해 레지스트 커버막제거블록(14)의 노광 후 베이크용 열처리부(141)에 반입된다.
노광 후 베이크용 열처리부(141)에 있어서는, 기판(W)에 대하여 노광후 베이트(PEB)가 행하여진다. 그 후, 제6의 센터로봇(CR6)은 노광 후 베이크용 열처리부(141)로부터 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS12)에 재치한다.
한편, 본 실시형태에 있어서는, 노광 후 베이크용 열처리부(141)에 의해 노 광후 베이크를 행하고 있지만, 노광 후 베이크용 열처리부(140)에 의해 노광후 베이크를 행하여도 좋다.
기판재치부(PASS12)에 재치된 기판(W)은 레지스트 커버막제거블록(14)의 제5의 센터로봇(CR5)에 의해 받아진다. 제5의 센터로봇(CR5)은 그 기판(W)을 레지스트 커버막제거용 처리부(90)에 반입한다. 레지스트 커버막제거용 처리부(90)에 있어서는, 레지스트 커버막이 제거된다.
다음에, 제5의 센터로봇(CR5)은 레지스트 커버막제거용 처리부(90)로부터 처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS10)에 재치한다.
기판재치부(PASS10)에 재치된 기판(W)은 레지스트 커버막용 처리블록(13)의 제4의 센터로봇(CR4)에 의해 기판재치부(PASS8)에 재치된다.
기판재치부(PASS8)에 재치된 기판(W)은 현상처리블록(12)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 받아진다. 제3 센터로봇(CR3)은 그 기판(W)을 현상처리부(70)에 반입한다. 현상처리부(70)에 있어서는, 노광된 기판(W)에 대하여 현상처리가 실시된다.
다음에, 제3 센터로봇(CR3)은 현상처리부(70)으로부터 현상처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 현상용 열처리부(120, 121)에 반입한다. 그 후, 제3 센터로봇(CR3)은 현상용 열처리부(120, 121)로부터 열처리 후의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS6)에 재치한다.
기판재치부(PASS6)에 재치된 기판(W)은 레지스트막용 처리블록(11)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 기판재치부(PASS4)에 재치된다. 기판재치부(PASS4)에 재치된 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 기판재치부(PASS2)에 재치된다.
기판재치부(PASS2)에 재치된 기판(W)은 인덱서 블록(9)의 인덱서 로봇(IR)에 의해 캐리어(C) 내에 수납된다. 이에 의해, 기판처리장치(500)에서의 기판(W)의 각 처리가 종료한다.
(2-2) 인터페이스 블록의 동작
다음에, 인터페이스 블록(15)의 동작에 대하여 상세하게 설명한다.
상술한 바와 같이, 인덱서 블록(9)에 반입된 기판(W)은 소정의 처리를 실시한 후, 레지스트 커버막제거블록(14)(도 1)의 기판재치부(PASS11)에 재치된다.
기판재치부(PASS11)에 재치된 기판(W)은 인터페이스 블록(15)의 제6의 센터로봇(CR6)에 의해 받아진다. 제6의 센터로봇(CR6)은 그 기판(W)을 에지 노광부(EEW)(도 4)에 반입한다. 이 에지 노광부(EEW)에 있어서는, 기판(W)의 주연부에 노광처리가 실시된다.
다음에, 제6의 센터로봇(CR6)은 에지 노광부(EEW)로부터 에지 노광이 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 제1 세정/건조처리유닛(SD1)의 어느 것인가에 반입한다. 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서는, 상술한 바와 같이 노광처리 전의 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행하여진다.
여기에서, 노광장치(16)에 의한 노광처리의 시간은 통상, 다른 처리공정 및 반송공정보다 길다. 그 결과, 노광장치(16)가 나중의 기판(W)을 받아들이는 것을 할 수 없는 경우가 많다. 이 경우, 기판(W)은 이송버퍼부(SBF)(도 4)에 일시적으 로 수납 보관된다. 본 실시형태에서는, 제6의 센터로봇(CR6)은 제1 세정/건조처리유닛(SD1)으로부터 세정 및 건조처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 이송버퍼부(SBF)으로 반송한다.
다음에, 제6의 센터로봇(CR6)은 이송버퍼부(SBF)에 수납 보관되어 있는 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 재치겸용 냉각유닛(P-CP)에 반입한다. 재치겸용 냉각유닛(P-CP)에 반입된 기판(W)은 노광장치(16) 안과 같은 온도(예를 들면, 23℃)로 유지된다.
한편, 노광장치(16)가 충분한 처리속도를 갖는 경우에는, 이송버퍼부(SBF)에 기판(W)을 수납 보관하지 않고, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)으로부터 재치겸용 냉각유닛(P-CP)에 기판(W)을 반송하여도 좋다.
계속하여, 재치겸용 냉각유닛(P-CP)에서 상기 소정온도로 유지된 기판(W)이 인터페이스용 반송기구(IFR)의 위쪽의 핸드(H1)(도 4)에 의해 받아져, 노광장치(16) 내의 기판반입부(16a)(도 1)에 반입된다.
노광장치(16)에 있어서 노광처리가 실시된 기판(W)은 인터페이스용 반송기구(IFR)의 아래쪽의 핸드(H2)(도 4)에 의해 기판반출부(16b)(도 1)로부터 반출된다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는 핸드(H2)에 의해, 그 기판(W)을 제2 세정/건조처리유닛(SD2)의 어느 것인가에 반입한다. 제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서는, 상술한 바와 같이 노광처리 후의 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행하여진다.
제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서, 세정 및 건조처리가 실시된 기판(W)은 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(Hl)(도 4)에 의해 꺼내진다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는 핸드(H1)에 의해, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS13)에 재치한다.
기판재치부(PASS13)에 재치된 기판(W)은 제6의 센터로봇(CR6)에 의해 받아진다. 제6의 센터로봇(CR6)은 그 기판(W)을 레지스트 커버막제거블록(14)(도 1)의 노광 후 베이크용 열처리부(141)으로 반송한다.
한편, 제거유닛(REM)(도 2)의 고장 등에 의해, 레지스트 커버막제거블록(14)이 일시적으로 기판(W)을 받아들이는 것을 할 수 없을 때는, 복귀버퍼부(RBF)에 노광처리 후의 기판(W)을 일시적으로 수납 보관할 수 있다.
여기에서, 본 실시형태에 있어서는, 제6의 센터로봇(CR6)은 기판재치부(PASS11)(도 1), 에지 노광부(EEW), 제1 세정/건조처리유닛(SD1), 이송버퍼부(SBF), 재치겸용 냉각유닛(P-CP), 기판재치부(PASS13) 및 노광 후 베이크용 열처리부(141)의 사이에서 기판(W)을 반송하지만, 이 일련의 동작을 단시간(예를 들면, 24초)으로 행할 수 있다.
또한, 인터페이스용 반송기구(IFR)는 재치겸용 냉각유닛(P-CP), 노광장치(16), 제2 세정/건조처리유닛(SD2) 및 기판재치부(PASS13)의 사이에서 기판(W)을 반송하지만, 이 일련의 동작을 단시간(예를 들면, 24초)으로 행할 수 있다.
이들의 결과, 처리능력(스루풋)을 확실하게 향상시킬 수 있다.
(3) 세정/건조처리유닛
다음에, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에 대하여 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 한편, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)은 같은 구성의 것을 사용할 수 있다.
(3-1) 구성
도 5는 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)은 기판(W)을 수평으로 파지함과 아울러, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직된 회전축의 주위로 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀척(621)을 구비한다.
스핀척(621)은 척회전구동기구(636)에 의해 회전되는 회전축(625)의 상단에 고정되어 있다. 또한, 스핀척(621)에는, 흡기로(吸氣路)(도시하지 않음)가 형성되어 있고, 스핀척(621) 상에 기판(W)을 재치한 상태에서 흡기로 안을 배기(排氣)함으로써, 기판(W)의 하면을 스핀척(621)에 진공흡착하여, 기판(W)을 수평자세로 유지할 수 있다.
스핀척(621)의 바깥쪽에는, 제1 회동모터(660)가 설치되어 있다. 제1 회동모터(660)에는 제1 회동축(661)이 접속되어 있다. 또한, 제1 회동축(661)에는, 제1 아암(arm)(662)이 수평방향으로 뻗도록 연결되며, 제1 아암(662)의 선단(先端)에 액공급노즐(650)이 설치되어 있다.
제1 회동모터(660)에 의해 제1 회동축(661)이 회전하고 또한 제1 아암(662)이 회동하여, 액공급노즐(650)이 스핀척(621)에 의해 파지된 기판(W)의 위쪽으로 이동한다.
제1 회동모터(660), 제1 회동축(661) 및 제1 아암(662)의 내부를 지나가도록 세정처리용 공급관(663)이 설치되어 있다. 세정처리용 공급관(663)은 밸브(Va) 및 밸브(Vb)를 통하여 세정액공급원(R1) 및 린스액 공급원(R2)에 접속되어 있다.
이 밸브(Va, Vb)의 개폐를 제어함으로써, 세정처리용 공급관(663)에 공급하는 처리액의 선택 및 공급량의 조정을 행할 수 있다. 도 5의 구성에 있어서는, 밸브(Va)를 개방함으로써, 세정처리용 공급관(663)에 세정액을 공급할 수 있고, 밸브(Vb)을 개방함으로써, 세정처리용 공급관(663)에 린스액을 공급할 수 있다.
액공급노즐(650)에는, 세정액 또는 린스액이 세정처리용 공급관(663)을 통하여 세정액공급원(R1) 또는 린스액 공급원(R2)으로부터 공급된다. 그에 의해, 기판(W)의 표면으로 세정액 또는 린스액을 공급할 수 있다. 세정액으로서는, 예를 들면, 순수(純水), 순수에 착체(錯體)(이온화한 것)를 녹인 액 또는 불소계 약액(藥液) 등을 사용할 수 있다. 린스액으로서는, 예를 들면, 순수, 탄산수, 수소수, 전해이온수, HFE(하드드로 플루오로 에테르) 또는 유기계의 액체 등을 사용할 수 있다.
또한, 세정액 또는 린스액으로서, 노광장치(16)에 있어서 노광처리시에 사용된는 액침액(液浸液)을 사용하여도 좋다. 액침액의 예로서는 순수, 고굴절율을 갖는 그리세롤, 고굴절율의 미립자(예를 들면, 알루미늄 산화물)와 순수를 혼합한 혼합액 및 유기계의 액체 등을 들 수 있다. 액침액의 다른 예로서는, 순수에 착체(이온화한 것)를 녹인 액, 탄산수, 수소물, 전해이온수, HFE(하이드로 플루오로 에테르), 불소산, 황산 및 황산과수(過水) 등을 들 수 있다.
스핀척(621)의 바깥쪽에는, 제2 회동모터(671)가 설치되어 있다. 제2 회동모터(671)에는, 제2 회동축(672)이 접속되어 있다. 또한, 제2 회동축(672)에는, 제2 아암(673)이 수평방향으로 뻗도록 연결되며, 제2 아암(673)의 선단에 불활성 가스 공급노즐(670)이 설치되어 있다.
제2 회동모터(671)에 의해 제2 회동축(672)이 회전하고, 또한 제2 아암(673)이 회동하여, 불활성 가스 공급노즐(670)이 스핀척(621)에 의해 파지된 기판(W)의 위쪽으로 이동한다.
제2 회동모터(671), 제2 회동축(672) 및 제2 아암(673)의 내부를 지나가도록 건조처리용 공급관(674)이 설치되어 있다. 건조처리용 공급관(674)은 밸브(Vc)를 통하여 불활성 가스 공급원(R3)에 접속되어 있다. 이 밸브(Vc)의 개폐를 제어함으로써, 건조처리용 공급관(674)에 공급하는 불활성 가스의 공급량을 조정할 수 있다.
불활성 가스 공급노즐(670)에는, 불활성 가스가 건조처리용 공급관(674)을 통하여 불활성 가스 공급원(R3)으로부터 공급된다. 그에 의해, 기판(W)의 표면에 불활성 가스를 공급할 수 있다. 불활성 가스로서는, 예를 들면, 질소가스를 사용할 수 있다. 한편, 불활성 가스 대신에, 에어(공기) 등의 다른 기체가 불활성 가스 공급노즐(670)에 공급되어도 좋다.
기판(W)의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급할 때는, 액공급노즐(650)은 기판의 위쪽에 위치하고, 기판(W)의 표면에 불활성 가스를 공급할 때는, 액공급노즐(650)은 소정의 위치로 퇴피된다.
또한, 기판(W)의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급할 때는, 불활성 가스 공급노즐(670)은 소정의 위치로 퇴피되며, 기판(W)의 표면에 불활성 가스를 공급할 때는, 불활성 가스 공급노즐(670)은 기판(W)의 위쪽에 위치한다.
스핀척(621)에 파지된 기판(W)은 처리컵(623) 내에 수용된다. 처리컵(623)의 내측에는 통(筒)형상의 경계벽(633)이 설치되어 있다. 또한, 스핀척(621)의 주위를 둘러싸도록 기판(W)의 처리에 사용된 처리액(세정액 또는 린스액)을 배액(排液)하기 위한 배액공간(631)이 형성되어 있다. 또한, 배액공간(631)을 둘러싸도록 처리컵(623)과 경계벽(633)과의 사이에, 기판(W)의 처리에 사용된 처리액을 회수하기 위한 회수액공간(632)이 형성되어 있다.
배액공간(631)에는, 배액처리장치(도시하지 않음)로 처리액을 안내하기 위한 배액관(634)이 접속되며, 회수액공간(632)에는, 회수처리장치(도시하지 않음)로 처리액을 안내하기 위한 회수관(635)이 접속되어 있다.
처리컵(623)의 위쪽에는, 기판(W)으로부터의 처리액이 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위한 가드(guard)(624)가 설치되어 있다. 이 가드(624)는 회전축(625)에 대하여 회전대칭인 형상으로 이루어져 있다. 가드(624)의 상단부의 내면에는, 단면 く 모양의 배액안내홈(641)이 고리모양(環狀)으로 형성되어 있다.
또한, 가드(624)의 하단부의 내면에는, 외측 아래쪽으로 경사지는 경사면으로 이루어지는 회수액안내부(642)가 형성되어 있다. 회수액안내부(642)의 상단부근에는, 처리컵(623)의 경계벽(633)을 받아들이기 위한 경계벽수납홈(643)이 형성되어 있다.
이 가드(624)에는, 볼나사기구 등으로 구성된 가드승강 구동기구(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 가드승강 구동기구는 가드(624)를, 회수액안내부(642)가 스핀척(621)에 파지된 기판(W)의 외주 단면(端面)에 대향하는 회수위치와, 배액안 내홈(641)이 스핀척(621)에 파지된 기판(W)의 외주 단면에 대향하는 배액위치와의 사이에서 상하 이동시킨다. 가드(624)가 회수위치(도 5에 도시한 가드의 위치)에 있을 경우에는, 기판(W)으로부터 바깥쪽으로 비산한 처리액이 회수액안내부(642)에 의해 회수액공간(632)으로 안내되어, 회수관(635)을 통하여 회수된다. 한편, 가드(624)가 배액위치에 있을 경우에는, 기판(W)으로부터 바깥쪽으로 비산한 처리액이 배액안내홈(641)에 의해 배액공간(631)으로 안내되어, 배액관(634)을 통하여 배액된다. 이상의 구성에 의해, 처리액의 배액 및 회수가 행하여진다.
(3-2) 동작
다음에, 상기 구성을 갖는 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 처리 동작에 대하여 설명한다. 한편, 이하에 설명하는 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 각 구성요소의 동작은 도 1의 메인 컨트롤러(제어부)(30)에 의해 제어된다.
먼저, 기판(W)의 반입시에는, 가드(624)이 하강함과 아울러, 도 1의 제6의 센터로봇(CR6) 또는 인터페이스용 반송기구(IFR)가 기판(W)을 스핀척(621) 상에 재치한다. 스핀척(621) 상에 재치된 기판(W)은 스핀척(621)에 의해 흡착 파지된다.
다음에, 가드(624)가 상술한 배액위치까지 이동함과 아울러, 액공급노즐(650)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로 이동한다. 그 후, 회전축(625)이 회전하고, 이 회전에 따라 스핀척(621)에 파지되어 있는 기판(W)이 회전한다. 그 후, 액공급노즐(650)로부터 세정액이 기판(W)의 표면으로 토출된다. 이에 의해, 기판(W)의 세정이 행하여진다.
한편, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서는, 이 세정시에 기판(W) 상의 레지스트 커버막의 성분이 세정액 속에 용출한다. 또한, 기판(W)의 세정에 있어서는, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 상에 세정액을 공급하고 있다. 이 경우, 기판(W) 상의 세정액은 원심력에 의해 항상 기판(W)의 주연부(周緣部)로 이동하여 비산한다. 따라서, 세정액 속에 용출한 레지스트 커버막의 성분이 기판(W) 상에 잔류하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 레지스트 커버막의 성분은 예를 들면, 기판(W) 상에 순수를 담아서 일정시간 유지함으로써 용출시켜도 좋다. 또한, 기판(W) 상에의 세정액의 공급은 이류체 노즐을 사용한 소프트 스프레이(soft dry) 방식에 의해 행하여도 좋다.
소정시간 경과 후, 세정액의 공급이 정지되어, 액공급노즐(650)로부터 린스액이 토출된다. 이에 의해, 기판(W) 상의 세정액이 씻겨진다. 그 후, 회전축(625)의 회전에 따르는 원심력에 의해 린스액이 기판(W)으로부터 제거되어, 기판(W)이 건조된다. 기판(W)의 건조처리의 상세에 대하여는 후술한다.
그 후, 불활성 가스 공급노즐(670)이 소정의 위치로 퇴피함과 아울러 회전축(625)의 회전이 정지한다. 그리고, 가드(624)가 하강함과 아울러 도 1의 제6의 센터로봇(CR6) 또는 인터페이스용 반송기구(IFR)가 기판(W)을 반출한다. 이에 의해, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에서의 처리 동작이 종료한다. 한편, 세정 및 건조처리 중에서의 가드(624)의 위치는 처리액의 회수 또는 배액의 필요성에 따라 적당히 변경하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 실시형태에 있어서는, 액공급노즐(650)로부터 세정액 및 린스액 의 어느 쪽도 공급할 수 있도록, 세정액의 공급 및 린스액의 공급에 액공급노즐(650)을 공용(共用)하는 구성을 채용하고 있지만, 세정액공급용의 노즐과 린스액공급용의 노즐을 별개로 나눈 구성을 채용하여도 좋다. 또한, 액공급노즐(650)에서는, 스트레이트 노즐 또는 슬릿 노즐 등의 여러 가지의 노즐을 사용할 수 있다.
또한, 기판(W)을 세정하는 세정액에 순수를 사용하는 경우에는, 그 세정액을 사용하여 후술하는 건조처리를 행하여도 좋다.
또한, 기판(W)의 오염이 경미할 경우, 세정액을 사용한 세정을 행하지 않아도 좋다. 이 경우, 이하에 도시하는 바와 같은 린스액을 사용한 건조처리를 행함으로써 기판(W) 상의 오염물을 충분히 제거할 수 있다.
(3-3) 기판의 건조처리의 상세
이하, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에서의 기판(W)의 건조처리에 대하여 상세하게 설명한다.
통상, 원심력을 이용하여 기판(W)의 건조를 행할 경우, 기판(W) 상에 린스액의 미소한 액방울이 잔류하는 일이 있다. 이것은, 미소한 액방울에는 그 질량에 따른 작은 원심력밖에 작용하지 않으므로, 기판(W)으로부터 분리하는 것이 곤란하게 되기 때문이다. 또한, 기판(W)의 중심부 근방에 미소한 액방울이 부착되어 있는 경우에는, 액방울에 작용하는 원심력이 더욱 작아지므로, 제거하는 것이 더욱 곤란하게 된다. 기판(W) 상의 레지스트 커버막의 소수성이 높은 경우에는, 이러한 액방울이 특히 형성되기 쉽다.
본 실시형태에서는, 기판(W)을 건조할 때에 미소한 액방울의 잔류가 방지되 어, 기판(W) 상의 린스액을 확실하게 제거할 수 있다. 이하, 도 6∼도 8을 사용하여 상세를 설명한다.
도 6은 기판(W)의 건조처리를 단계적으로 나타내는 도면이며, 도 7은 기판(W)의 건조처리시에서의 린스액의 이동을 설명하기 위한 도면이다. 도 8은 회전축(625)의 회전속도를 시계열(時系列)로서 나타내는 도면이다.
상기한 바와 같이, 기판(W)의 세정 처리 후, 린스액에 의해 기판(W) 상의 세정액이 씻겨진다. 그 후, 회전축(625)(도 5)의 회전속도가 저하한다. 이에 의해, 기판(W)의 회전에 의해 털어지는 린스액의 양이 감소하여, 도 6(a)에 도시하는 바와 같이 기판(W)의 표면 전체에 린스액의 액층(液層)(L)이 형성된다. 한편, 린스액의 공급 및 회전축(625)의 회전을 일단 정지하고나서 다시 회전축(625)을 낮은 회전속도로 회전시켜서 기판(W) 상에 액층(L)을 형성하여도 좋고, 또는 회전축(625)의 회전을 정지한 상태에서 기판(W) 상에 액층(L)을 형성하여도 좋다.
다음에, 린스액의 공급이 정지됨과 아울러 액공급노즐(650)이 소정의 위치로 퇴피하고, 이어서, 회전축(625)의 회전속도가 상승한다. 이 경우, 액층(L)의 중심부에 작용하는 원심력은 주연부에 작용하는 원심력에 비교하여 작다. 그 때문에, 액층(L)의 중심부에는, 주연부에 작용하는 원심력에 합당한 장력이 작용한다. 그에 의해, 액층(L)은 바깥쪽으로 비산하는 일 없이 기판상에 유지된다. 회전속도의 상승에 의해, 원심력이 장력보다 약간 커짐으로써, 액층(L)은 도 6(b)에 도시하는 바와 같이 주연부의 두께가 두꺼워짐과 아울러 중심부의 두께가 얇아지는 상태로 기판(W) 상에 유지된다.
다음에, 불활성 가스 공급노즐(670)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로 이동하고, 도 6(c)에 도시하는 바와 같이 불활성 가스 공급노즐(670)로부터 액층(L)의 중심부를 향하여 불활성 가스가 토출되어, 액층(L)의 중심부에 홀(hole)(구멍)(H)이 형성된다. 그에 의해, 액층(L)의 주연부에 작용하는 원심력에 합당한 장력이 소멸한다. 또한, 불활성 가스의 토출과 함께 회전축(625)의 회전속도가 더욱 상승한다. 그에 의해, 도 6(d) 및 도 6(e)에 도시하는 바와 같이, 액층(L)이 기판(W)의 바깥쪽으로 향하여 이동한다.
이때, 액층(L)은 도 7(a)∼도 7(c)에 도시하는 바와 같이, 복수의 영역으로 분리되지 않고, 표면장력에 의해 원고리 형상을 유지한 상태로 일체적으로 기판(W)의 바깥쪽으로 이동한다. 그에 의해, 린스액의 미소 액방울의 형성이 억제되어, 기판(W) 상의 액체를 확실하게 제거할 수 있다.
여기에서, 기판(W)의 건조처리시에서의 회전축(625)의 회전속도에 대하여 상세하게 설명한다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 기간 T1에는 회전속도 S1으로 회전축(625)이 회전된다.
회전속도 S1은 예를 들면 10rpm이다. 이 기간 T1 중에 있어서, 기판(W) 상에 린스액이 공급된다. 이 경우, 기판(W)이 수평면에 대하여 약간 경사진 상태이어도, 액층(L)을 기판(W) 상에 균일하게 형성할 수 있다. 한편, 기판(W) 상의 전체 영역에 균일하게 액층(L)을 형성할 수 있는 것이라면, 기간 T1에서는, 회전축(625)의 회전을 정지하여도 좋다.
다음에, 기간 T2에는, 회전속도 S1보다 높은 회전속도 S2로 회전축(625)이 회전된다. 회전속도 S2는 예를 들면 10∼100rpm이다. 그에 의해, 액층(L)이 기판(W) 상의 전체 영역으로 확대됨과 아울러, 표면장력에 의해 기판(W) 상에 유지된다.
다음에, 기간 T3에는, 회전속도 S2보다 높은 회전속도 S3으로 회전축(625)이 회전된다. 회전속도 S3은 예를 들면 200∼1000rpm이다. 기간 T2로부터 기간 T3으로 이행할 때에, 기판(W)에 불활성 가스가 토출된다. 이 경우, 원고리 형상을 유지한 상태로 액층(L)을 일체적으로 기판(W)의 바깥쪽으로 이동시킬 수 있다.
한편, 불활성 가스의 토출의 타이밍은 기간 T2로부터 기간 T3으로 이행하는 직전이라도 좋고, 기간 T3으로 이행한 직후라도 좋다. 또한, 불활성 가스의 토출시간은 예를 들면 0.5∼8초이다. 즉, 액층(L)에 홀(H(도 6)이 형성되는 것 만의 단시간만에 불활성 가스가 토출되어도 좋고, 또는 기판(W) 상으로부터 액층(L)이 제거될때 까지 계속적으로 불활성 가스가 토출되어도 좋다.
한편, 상기 회전축(625)의 회전속도는 기판(W) 상의 레지스트 커버막의 소수성, 또는 린스액의 젖음성(예를 들면, 접촉각) 등에 따라 적당히 변경하여도 좋다.
예를 들면, 레지스트 커버막의 소수성이 높은 경우에는, 액층(L)이 복수의 영역으로 분리하여 액방울이 형성되기 쉬워지기 때문에, 회전축(625)의 회전속도를 더 낮게 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 회전축(625)의 회전속도가 회전속도 Sl, S2, S3의 3단계로 상승하지만, 이것에 한정하지 않고, 2단계 또는 4단계 이상으로 상승하여도 좋고, 혹은 단계적이 아니라 연속적으로 상승하여도 좋다.
(4) 본 실시형태의 효과
(4-1) 노광처리 후의 기판의 건조처리에 의한 효과
이상과 같이 본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서는, 인터페이스 블록(15)의 제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서, 노광처리 후의 기판(W)의 건조처리가 행하여진다. 그에 의해, 노광처리시에 기판(W)에 부착된 액체가 기판처리장치(500) 내로 낙하하는 것이 방지된다.
또한, 노광처리 후의 기판(W)의 건조처리를 행함으로써, 노광처리 후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것이 방지되므로, 기판(W)의 오염을 방지할 수 있다. 또한, 기판(W)에 부착된 액체가 기판(W) 상의 막(반사방지막, 레지스트막 및 레지스트 커버막)에 대하여 악영향을 주는 것이 방지된다. 이에 의해, 기판(W)의 처리 문제를 방지할 수 있다.
또한, 기판처리장치(500) 안을 액체가 부착된 기판(W)이 반송되는 것을 방지할 수 있으므로, 노광처리시에 기판(W)에 부착된 액체가 기판처리장치(500) 내의 분위기에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다. 그에 의해, 기판처리장치(500) 내의 온습도(溫濕度) 조정이 용이하게 된다.
또한, 노광처리시에 기판(W)에 부착된 액체가 인덱서 로봇(IR) 및 제1∼제6의 센터로봇(CR1)∼CR6에 부착되는 것이 방지되므로, 노광처리 전의 기판(W)에 액체가 부착되는 것이 방지된다. 그에 의해, 노광처리 전의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것이 방지되므로, 기판(W)의 오염이 방지된다. 그 결과, 노광처리시의 해상성능의 열화(劣化)를 방지할 수 있음과 아울러 노광장치(16) 내의 오염을 방지할 수 있다.
또한, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)로부터 현상처리부(70)에 기판(W)을 반송하는 도중에, 레지스트의 성분 또는 레지스트 커버막의 성분이 기판(W) 상에 잔류한 세정액 및 린스액중에 용출하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그에 의해, 레지스트막에 형성된 노광 패턴의 변형을 방지할 수 있다. 그 결과, 현상처리시에서의 선폭 정밀도의 저하를 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서는, 기판(W) 상에 린스액의 액층(L)을 형성하고, 액층(L)을 복수의 영역으로 분리시키는 일 없이 원고리 형상을 유지한 상태로 일체적으로 기판(W)의 바깥쪽으로 이동시키는 것에 의해 기판(W)의 건조처리를 행하고 있다. 이 경우, 미소한 액방울이 기판(W) 상에 잔류하는 일 없이, 기판(W) 상의 세정액 및 린스액을 확실하게 제거할 수 있다.
이들의 결과, 기판처리장치(500)의 전기계통의 이상(異常) 등의 동작 문제를 방지할 수 있음과 아울러, 기판(W)의 처리 문제를 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 복잡한 장치 및 기구 등을 설치하는 일 없이, 회전축(625)의 회전속도의 조정 및 불활성 가스의 토출 타이밍의 조정에 의해, 기판(W) 상의 세정액 및 린스액을 확실하게 제거할 수 있기 때문에, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)의 대형화 및 장치 비용의 증대를 억제할 수 있다.
(4-2) 노광처리 후의 기판의 세정 처리에 의한 효과
제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서는, 건조처리 전에 기판(W)의 세정 처리가 행하여진다. 이 경우, 노광처리시에 액체가 부착된 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착되어도, 그 부착물을 제거할 수 있다. 그에 의해, 기판(W)의 오염을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판의 처리 문제를 확실하게 방지할 수 있다.
(4-3) 레지스트 커버막의 도포처리의 효과
노광장치(16)에 있어서 기판(W)에 노광처리가 행하여지기 전에, 레지스트 커버막용 처리블록(13)에 있어서, 레지스트막상에 레지스트 커버막이 형성된다. 이 경우, 노광장치(16)에 있어서 기판(W)이 액체와 접촉하여도, 레지스트 커버막에 의해 레지스트막이 액체와 접촉하는 것이 방지되므로, 레지스트의 성분이 액체 중에 용출하는 것이 방지된다.
(4-4) 레지스트 커버막의 제거처리의 효과
현상처리블록(12)에 있어서 기판(W)에 현상처리가 행하여지기 전에, 레지스트 커버막제거블록(14)에 있어서, 레지스트 커버막의 제거처리가 행하여진다. 이 경우, 현상처리 전에 레지스트 커버막이 확실하게 제거되므로, 현상처리를 확실하게 행할 수 있다.
(4-5) 노광처리 전의 기판의 세정 및 건조처리에 의한 효과
노광장치(16)에 있어서 기판(W)의 노광처리가 행하여지기 전에, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서 기판(W)의 세정 처리가 행하여진다. 이 세정 처리시에, 기판(W) 상의 레지스트 커버막의 성분의 일부가 세정액 또는 린스액 중에 용출하여 씻겨진다. 그 때문에, 노광장치(16)에 있어서 기판(W)이 액체와 접촉하여도, 기 판(W) 상의 레지스트 커버막의 성분은 액체 중에 대부분 용출하지 않는다. 또한, 노광처리 전의 기판(W)에 부착된 먼지 등을 제거할 수 있다. 이들의 결과, 노광장치(16) 내의 오염이 방지된다.
또한, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서는, 기판(W)의 세정 처리 후에 기판(W)의 건조처리가 행하여진다. 그에 의해, 세정 처리시에 기판(W)에 부착된 세정액 또는 린스액이 제거되므로, 세정 처리 후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 다시 부착되는 것이 방지된다. 그 결과, 노광장치(16) 내의 오염을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 세정 처리시에 기판(W)에 부착된 세정액 또는 린스액이 제거됨으로써, 노광처리 전에 세정액 또는 린스액이 기판(W) 상의 레지스트 커버막 또는 레지스트막에 스며드는 것이 방지된다. 그에 의해, 노광처리시에서의 해상(解像)성능의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서는, 기판(W) 상에 액층(L)을 형성하고, 그 액층(L)을 복수의 영역으로 분리시키는 일 없이 원고리 형상을 유지한 상태에서 일체적으로 기판(W)의 바깥쪽으로 이동시키는 것에 의해 기판(W)의 건조처리를 행하고 있다. 이 경우, 미소한 액방울이 기판(W) 상에 잔류하는 일 없이, 기판(W) 상의 세정액 및 린스액을 확실하게 제거할 수 있다.
(4-6) 인터페이스 블록의 효과
인터페이스 블록(15)에 있어서는, 제6의 센터로봇(CR6)이 에지 노광부(EEW)에의 기판(W)의 반입출, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에의 기판(W)의 반입출, 이송 버퍼부(SBF)에의 기판(W)의 반입출, 재치겸용 냉각유닛(P-CP)에의 기판의 반입, 및 기판재치부(PASS13)로부터의 기판(W)의 반출을 행하고, 인터페이스용 반송기구(IFR)가 재치겸용 냉각유닛(P-CP)으로부터의 기판(W)의 반출, 노광장치(16)에의 기판(W)의 반입출, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)에의 기판(W)의 반입출, 및 기판재치부(PASS13)에의 기판(W)의 반입을 행하고 있다. 이와 같이, 제6의 센터로봇(CR6) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)에 의해 효율적으로 기판(W)의 반송이 행하여지므로, 처리능력을 향상시킬 수 있다.
또한, 인터페이스 블록(15)에 있어서, 제1 세정/건조처리유닛(SD1) 및 제2 세정/건조처리유닛(SD2)은 X방향의 측면의 근방에 각각 설치되어 있다. 이 경우, 인터페이스 블록(15)을 분리하는 일 없이, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 유지보수를 기판처리장치(500)의 측면으로부터 용이하게 행할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에 의해, 1개의 처리블록 내에서, 노광처리 전 및 노광처리 후의 기판(W)의 세정 및 건조를 행할 수 있다. 따라서, 기판처리장치(500)의 풋프린트의 증가를 방지할 수 있다.
(4-7) 인터페이스용 반송기구의 효과
인터페이스 블록(15)에 있어서는, 재치겸용 냉각유닛(P-CP)으로부터 노광장치(16)에 기판(W)을 반송할 때, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)으로부터 기판재치부(PASS13)에 기판(W)을 반송할 때는, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H1)가 사용되고, 노광장치(16)로부터 제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 기판을 반송할 때는 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H2)가 사용된다.
즉, 액체가 부착되어 있지 않은 기판(W)의 반송에는 핸드(H1)가 사용되며, 액체가 부착된 기판(W)의 반송에는 핸드(H2)가 사용된다.
이 경우, 노광처리시에 기판(W)에 부착된 액체가 핸드(H1)에 부착되는 일이 방지되므로, 노광처리 전의 기판(W)에 액체가 부착되는 일이 방지된다. 또한, 핸드(H2)는 핸드(H1)보다 아래쪽에 마련되므로, 핸드(H2) 및 그것이 파지하는 기판(W)으로부터 액체가 낙하하여도, 핸드(H1) 및 그것이 파지하는 기판(W)에 액체가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그에 의해, 노광처리 전의 기판(W)에 액체가 부착되는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그 결과, 노광처리 전의 기판(W)의 오염을 확실하게 방지할 수 있다.
(4-8) 재치겸용 냉각유닛(P-CP)을 배치한 것에 의한 효과
인터페이스 블록(15)에 있어서, 노광장치(16)에 의한 노광처리 전의 기판(W)을 재치하는 기능과, 기판(W)의 온도를 노광장치(16) 내의 온도에 맞추기 위한 냉각 기능을 겸비한 재치겸용 냉각유닛(P-CP)을 설치함으로써, 반송공정을 삭감할 수 있다. 기판의 엄밀한 온도관리가 요구되는 액침법에 의한 노광처리를 행하는데에는 반송공정을 삭감하는 것은 중요하게 된다.
상기에 의해, 처리능력을 향상하는 것이 가능하게 됨과 아울러, 반송의 액세스(access) 위치를 삭감할 수 있으므로 신뢰성을 향상하는 것이 가능하게 된다.
특히, 2개의 재치겸용 냉각유닛(P-CP)을 설치함으로써, 처리능력을 더욱 향상할 수 있다.
(5) 세정/건조처리유닛의 다른 예
도 5에 나타낸 세정/건조처리유닛에 있어서는, 액공급노즐(650)과 불활성 가스 공급노즐(670)이 별개로 설치되어 있지만, 도 9에 도시하는 바와 같이 액공급노즐(650)과 불활성 가스 공급노즐(670)을 일체로 설치하여도 좋다. 이 경우, 기판(W)의 세정 처리시 또는 건조처리시에 액공급노즐(650) 및 불활성 가스 공급노즐(670)을 각각 별개로 이동시킬 필요가 없으므로, 구동기구를 단순화할 수 있다.
또한, 도 10에 도시하는 바와 같이, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2) 내에, 기판(W) 상의 액층(L)의 두께를 검출하기 위한 층두께센서(680)를 마련하여도 좋다. 한편, 층두께센서(680)는 투광부(投光部)(680a) 및 수광부(受光部)(680b)를 포함한다.
도 10의 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에 있어서는, 기판(W)의 건조처리시에, 층두께센서(680)에 의해 기판(W) 상에 형성된 액층(L)의 중심부 근방의 두께가 검출되고, 그 두께에 변화에 따라 불활성 가스의 토출의 타이밍 및 회전축(625)의 상승의 타이밍이 조정된다.
구체적으로는, 기판(W) 상에 액층(L)이 형성된 후, 회전축(625)이 낮은 회전속도 S2(도 8 참조)로 회전하고 있을 때에, 층두께센서(680)에 의해 검출되는 액층(L)의 중심부 근방의 두께가 미리 설정된 한계값보다 작아지면, 액층(L)을 향하여 불활성 가스가 토출됨과 아울러, 회전축(625)의 회전속도가 상승한다.
이 경우, 액층(L)의 중심부가 충분히 얇아지고 또한 원심력에 의해 액층(L)이 복수의 영역으로 분리하지 않는 상태로 불활성 가스를 토출할 수 있으므로, 액층(L)의 중심부에 홀(H)을 확실하게 형성하여, 원고리 형상을 유지한 상태로 액 층(L)을 일체적으로 기판(W)의 바깥쪽으로 이동시킬 수 있다. 이들에 의해, 기판(W) 상의 린스액을 확실하게 제거할 수 있다. 한편, 이들의 동작의 제어는 도 1의 메인 컨트롤러(30)에 의해 행하여진다.
또한, 레지스트 커버막의 소수성 및 린스액의 젖음성(예를 들면, 접촉각) 등의 물성값을 미리 데이타 베이스화하여 두고, 그 물성값에 따라 최적의 불활성 가스의 토출 타이밍 및 최적의 회전축(625)의 회전속도를 적당히 자동적으로 산출하고, 그 산출값에 근거하여 각 구성부의 제어가 행하여져도 좋다.
(6) 2유체 노즐을 사용한 세정/건조처리유닛으로 예
(6-1) 2유체 노즐을 사용한 경우의 구성 및 동작
상기 실시형태에 있어서는, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에 있어서, 도 5에 도시하는 바와 같은 액공급노즐(650) 및 불활성 가스 공급노즐(670)을 사용한 경우에 대하여 설명하였지만, 액공급노즐(650) 및 불활성 가스 공급노즐(670)의 한 쪽 또는 양쪽 대신에 도 11에 도시하는 바와 같은 2유체 노즐을 사용하여도 좋다.
도 11은 세정 및 건조처리에 사용되는 2유체 노즐(950)의 내부구조의 일례를 나타내는 종단면도이다. 2유체 노즐(950)로부터는 기체, 액체, 및 기체와 액체와의 혼합유체를 선택적으로 토출할 수 있다.
본 실시형태의 2유체 노즐(950)은 외부혼합형이라고 불린다. 도 11에 나타내는 외부혼합형의 2유체 노즐(950)은 내부본체부(311) 및 외부본체부(312)에 의해 구성된다. 내부본체부(311)는 예를 들면 석영 등으로 이루어지고, 외부본체 부(312)는 예를 들면 PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌) 등의 불소수지로 이루어진다.
내부본체부(311)의 중심축을 따라 원통모양의 액체도입부(311b)가 형성되어 있다. 액체도입부(311b)에는 도 5의 세정처리용 공급관(663)이 설치되어 있다. 이에 의해, 세정처리용 공급관(663)으로부터 공급되는 세정액 또는 린스액이 액체도입부(311b)에 도입된다.
내부본체부(311)의 하단(下端)에는, 액체도입부(311b)에 연통하는 액체토출구(311a)가 형성되어 있다. 내부본체부(311)는 외부본체부(312) 내에 삽입되어 있다. 한편, 내부본체부(311) 및 외부본체부(312)의 상단부는 서로 접합되어 있고, 하단은 접합되어 있지 않다.
내부본체부(311)와 외부본체부(312)와의 사이에는, 원통모양의 기체통과부(312b)가 형성되어 있다. 외부본체부(312)의 하단에는, 기체통과부(312b)에 연통하는 기체토출구(312a)가 형성되어 있다. 외부본체부(312)의 둘레벽에는, 기체통과부(312b)에 연통하도록 도 5의 건조처리용 공급관(674)이 설치되어 있다. 이에 의해, 건조처리용 공급관(674)으로부터 공급되는 불활성 가스가 기체통과부(312b)에 도입된다.
기체통과부(312b)는 기체토출구(312a) 근방에 있어서, 아래쪽으로 향함에 따라 작은 직경으로 되어 있다. 그 결과, 불활성 가스의 유속이 가속되어, 기체토출구(312a)로부터 토출된다.
액체토출구(311a)로부터 토출된 세정액과 기체토출구(312a)로부터 토출된 불 활성 가스가 2유체 노즐(950)의 하단 부근의 외부에서 혼합되어, 세정액의 미세한 액방울을 포함하는 안개모양의 혼합유체가 생성된다.
도 12는 도 11의 2유체 노즐(950)을 사용한 경우의 기판(W)의 세정 및 건조처리방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 5에 도시한 바와 같이, 기판(W)은 스핀척(621)에 의해 흡착 파지되어, 회전축(625)의 회전에 따라 회전한다. 이 경우, 회전축(625)의 회전속도는 예를 들면 약 500rpm이다.
이 상태에서, 도 12(a)에 도시하는 바와 같이 2유체 노즐(950)로부터 세정액 및 불활성 가스로 이루어지는 안개모양의 혼합유체가 기판(W)의 표면에 토출됨과 아울러, 2유체 노즐(950)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로부터 주연부 위쪽으로 서서히 이동한다. 이에 의해, 2유체 노즐(950)로부터 혼합유체가 기판(W)의 표면 전체로 불어 내져, 기판(W)의 세정이 행하여진다.
다음에, 도 12(b)에 도시하는 바와 같이, 혼합유체의 공급이 정지되어, 기판(W) 상에 2유체 노즐(950)로부터 린스액이 토출된다. 그에 의해, 기판(W)의 표면 전체에 린스액의 액층(L)이 형성된다. 한편, 회전축(625)의 회전을 정지시켜 기판(W)의 표면 전체에 액층(L)을 형성하여도 좋다. 또한, 기판(W)을 세정하는 혼합유체 중의 세정액으로서 순수를 사용하는 경우에는, 그 세정액을 사용하여 액층(L)을 형성하여도 좋다.
액층(L)이 형성된 후, 린스액의 공급이 정지된다. 다음에, 도 12(c)에 도시하는 바와 같이 기판(W) 상에 2유체 노즐(950)로부터 불활성 가스가 토출된다. 한 편, 회전축(625)의 회전속도의 조정 및 불활성 가스의 토출 타이밍의 조정은 상기 액공급노즐(650) 및 불활성 가스 공급노즐(670)을 사용한 경우와 마찬가지로 행하여진다(도 6∼도 8 참조).
그에 의해, 액층(L)이 복수의 영역으로 분리하는 일 없이 원고리 형상을 유지한 상태로 일체적으로 기판(W)의 바깥쪽으로 이동한다. 그 때문에, 린스액의 미소한 액방울이 기판(W) 상에 잔류하는 일 없이, 기판(W) 상의 세정액 및 린스액을 확실하게 제거할 수 있다.
(6-2) 2유체 노즐을 사용한 경우의 효과
도 11의 2유체 노즐에 있어서는, 2유체 노즐(950)로부터 토출되는 혼합유체는 세정액의 미세한 액방울을 포함하므로, 기판(W) 표면에 요철이 있는 경우라도, 세정액의 미세한 액방울에 의해 기판(W)에 부착된 오염이 벗겨내진다. 그에 의해, 기판(W) 표면의 오염을 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 기판(W) 상의 막의 젖음성이 낮은 경우라도, 세정액의 미세한 액방울에 의해 기판(W)표면의 오염이 벗겨내지므로, 기판(W)표면의 오염을 확실하게 제거할 수 있다.
따라서, 특히, 제1 세정/건조처리유닛(SDl)에 2유체 노즐을 사용한 경우에는, 노광처리 전에 가열유닛(HP)에 의해 기판(W)에 열처리가 실시될 때에, 레지스트막 또는 레지스트 커버막의 용제(溶劑) 등이 가열유닛(HP) 내에서 승화하여, 그 승화물이 기판(W)에 재부착한 경우라도, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서, 그 부착물을 확실하게 제거할 수 있다. 그에 의해, 노광장치(16) 내의 오염을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 불활성 가스의 유량을 조절함으로써, 기판(W)을 세정할 때의 세정력을 용이하게 조절할 수 있다. 이에 의해, 기판(W) 상의 유기막(레지스트막 또는 레지스트 커버막)이 파손하기 쉬운 성질을 갖는 경우에는 세정력을 약하게 함으로써 기판(W) 상의 유기막의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 기판(W) 표면의 오염이 강고(强固)할 경우에는 세정력을 강하게 함으로써 기판(W)표면의 오염을 확실하게 제거할 수 있다. 이와 같이, 기판(W) 상의 유기막의 성질 및 오염의 정도에 맞춰 세정력을 조절함으로써, 기판(W) 상의 유기막의 파손을 방지하면서, 기판(W)을 확실하게 세정할 수 있다.
또한, 외부혼합형의 2유체 노즐(950)에서는, 혼합유체는 2유체 노즐(950)의 외부에서 세정액과 불활성 가스가 혼합됨으로써 생성된다. 2유체 노즐(950)의 내부에 있어서는, 불활성 가스와 세정액이 각각 별도의 유로(流路)로 구분되어 유통한다. 그에 의해, 기체통과부(312b) 내에 세정액이 잔류하는 일은 없고, 불활성 가스를 단독으로 2유체 노즐(950)로부터 토출할 수 있다. 또한, 세정처리용 공급관(663)로부터 린스액을 공급함으로써, 린스액을 2유체 노즐(950)로부터 단독으로 토출할 수 있다. 따라서, 혼합유체, 불활성 가스 및 린스액을 2유체 노즐(950)로부터 선택적으로 토출하는 것이 가능하게 된다.
또한, 2유체 노즐(950)을 사용한 경우에 있어서는, 기판(W)에 세정액 또는 린스액을 공급하기 위한 노즐과, 기판(W)에 불활성 가스를 공급하기 위한 노즐을 각각 별개에 설치할 필요가 없다. 그에 의해, 간단한 구조로 기판(W)의 세정 및 건조를 확실하게 행할 수 있다.
한편, 상기 설명에 있어서는, 2유체 노즐(950)에 의해 기판(W)에 린스액을 공급하고 있지만, 별개인 노즐을 사용하여 기판(W)에 린스액을 공급하여도 좋다.
또한, 상기 설명에 있어서는, 2유체 노즐(950)에 의해 기판(W)에 불활성 가스를 공급하고 있지만, 별개인 노즐을 사용하여 기판(W)에 불활성 가스를 공급하여도 좋다.
(7) 기타의 실시형태
레지스트 커버막용 처리블록(13)은 설치하지 않아도 좋다. 이 경우, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에서의 세정처리시에, 레지스트막의 성분의 일부가 세정액 중에 용출한다. 그에 의해, 노광장치(16)에 있어서 레지스트막이 액체와 접촉하여도, 레지스트의 성분이 액체 중에 용출하는 것이 방지된다. 그 결과, 노광장치(16) 내의 오염을 방지할 수 있다.
또한, 레지스트 커버막용 처리블록(13)을 설치하지 않은 경우에는, 레지스트 커버막제거블록(14)을 설치하지 않아도 좋다. 그에 의해, 기판처리장치(500)의 풋프린트를 저감할 수 있다. 한편, 레지스트 커버막용 처리블록(13) 및 레지스트 커버막제거블록(14)을 설치하지 않은 경우에는, 기판(W)의 노광후 베이크는 현상처리블록(12)의 현상용 열처리부(121)에서 행하여진다.
또한, 상기 실시형태에서는 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SDl, SD2)이 인터페이스 블록(15) 내에 배치되지만, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SDl, SD2)의 적어도 한 쪽이 도 1에 나타내는 레지스트 커버막제거블록(14) 내에 배치되어도 좋다. 혹은 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 적어도 한 쪽을 포함하는 세 정/건조처리블록을 도 1에 나타내는 레지스트 커버막제거블록(14)과 인터페이스 블록(15)과의 사이에 설치하여도 좋다.
또한, 제1 세정/건조처리유닛(SD1), 제2 세정/건조처리유닛(SD2), 도포유닛(BARC, RES, COV), 현상처리유닛(DEV), 제거유닛(REM), 가열유닛(HP), 냉각유닛(CP) 및 재치겸용 냉각유닛(P-CP)의 개수는 각 처리블록의 처리속도에 맞춰 적당히 변경하여도 좋다. 예를 들면, 에지 노광부(EEW)를 2개 설치할 경우는, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)의 개수를 2개로 하여도 좋다.
(8)청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 요소와의 대응
이하, 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 요소와의 대응의 예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 아래의 예에 한정되지 않는다.
상기 실시형태에 있어서는, 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트 커버막용 처리블록(13) 및 레지스트 커버막제거블록(14)이 처리부의 예이며, 인터페이스 블록(15)이 주고받기부의 예이며, 제1 세정/건조처리유닛(SD1) 및 제2 세정/건조처리유닛(SD2)이 건조처리유닛의 예이다.
또한, 스핀척(621)이 기판파지장치의 예이고, 회전축(625)이 회전구동장치의 예이고, 액공급노즐(650)이 액층형성부의 예이고, 불활성 가스 공급노즐(670)이 기체토출부의 예이고, 회전속도 S1이 제1 회전속도의 예이고 회전속도 S3이 제2 회전속도의 예이고, 회전속도 S2이 제3 및 제4의 회전속도의 예이고, 층두께센서(680)이 층두께검출기의 예이며, 메인 컨트롤러(30)가 제어부의 예이다.
청구항의 각 구성요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 것 이외의 여러 가지의 요소를 사용할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도.
도 2는 도 1의 기판처리장치를 +X방향에서 본 개략측면도.
도 3은 도 1의 기판처리장치를 -X방향에서 본 개략측면도.
도 4는 인터페이스 블록을 +Y측에서 본 개략측면도.
도 5는 세정/건조처리유닛의 구성을 설명하기 위한 도.
도 6은 기판의 건조처리의 상세를 설명하기 위한 도.
도 7은 기판의 건조처리의 상세를 설명하기 위한 도.
도 8은 회전축의 회전속도를 시계열에서 나타내는 도.
도 9는 액공급노즐과 불활성 가스 공급노즐이 일체로 설치된 경우의 모식도.
도 10은 세정/건조처리유닛의 다른 예를 나타내는 모식도.
도 11은 세정 및 건조처리에 사용되는 2유체 노즐의 내부구조의 일례를 나타내는 종단면도.
도 12는 도 11의 2유체 노즐을 사용한 경우의 기판의 세정 및 건조처리방법을 설명하기 위한 도면.

Claims (10)

  1. 노광장치에 인접하도록 배치되며, 처리부 및 주고받기부를 포함하는 기판처리장치에서 기판을 처리하는 기판처리방법으로서,
    상기 처리부에 의해 기판에 노광처리 전의 처리를 행하는 공정과,
    상기 처리부에 의해 처리된 기판을 상기 주고받기부에 의해 상기 처리부로부터 상기 노광장치에 주고 받는 공정과,
    상기 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 상기 주고받기부에 의해 상기 노광장치로부터 상기 처리부에 주고 받는 공정과,
    상기 처리부에 의해 기판에 노광처리 후의 처리를 행하는 공정과,
    상기 처리부 및 상기 주고받기부 중 적어도 한쪽에서 기판에 건조처리를 행하는 공정을 구비하며,
    상기 기판에 건조처리를 행하는 공정은,
    기판을 수평으로 파지하면서 기판에 수직한 축의 주위로 기판을 제1 회전속도로 회전시키는 공정과,
    기판이 상기 제1 회전속도로 회전하는 상태에서 기판상에 액층을 형성하는 공정과,
    액층의 형성 후에 기판의 회전속도를 제2 회전속도까지 단계적으로 또는 연속적으로 상승시키는 공정과,
    기판이 상기 제2 회전속도로 회전하는 상태에서 기판상의 액층에 기체의 토 출을 개시하는 공정을 포함하는 기판처리방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 건조처리를 행하는 공정은,
    기판상의 액층으로의 기체 토출의 개시 후에, 기판의 회전속도를 제3 회전속도까지 단계적으로 또는 연속적으로 상승시키는 공정을 더 포함하는 기판처리방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 건조처리를 행하는 공정은,
    기판상에 액층을 형성한 후로서 기판상의 액층에 기체 토출을 개시하기 전에, 기판의 회전속도를 상기 제2 회전속도로 소정 시간 유지하는 공정을 더 포함하는 기판처리방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 건조처리를 행하는 공정은,
    기판상에 형성된 액층의 두께를 검출하는 공정과,
    검출된 액층의 두께에 근거하여 기판의 회전속도 및 기체의 토출 타이밍을 제어하는 공정을 더 포함하는 기판처리방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 건조처리를 행하는 공정은,
    상기 노광장치에 의한 노광처리 후에 행해지는 기판처리방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 처리부에 의해 기판에 노광처리 후의 처리를 행하는 공정은,
    기판의 현상처리를 행하는 공정을 더 포함하며,
    상기 기판에 건조처리를 행하는 공정은, 상기 노광장치에 의한 노광처리 후로서 현상처리 전에 행해지는 기판처리방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 건조처리를 행하는 공정은, 상기 노광장치에 의한 노광처리 전에 행해지는 기판처리방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 처리부에 의해 기판에 노광처리 전의 처리를 행하는 공정은,
    기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막(感光性膜)을 형성하는 공정과,
    상기 감광성막을 보호하는 보호막을 형성하는 과정을 더 포함하며,
    상기 기판에 건조처리를 행하는 공정은, 상기 감광성막 및 상기 보호막의 형성 후로서 상기 노광장치에 의한 노광처리 전에 행해지는 기판처리방법.
  9. 노광장치에 인접하도록 배치되는 기판처리장치로서,
    기판에 처리를 행하기 위한 처리부와,
    상기 처리부와 상기 노광장치 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하고,
    상기 처리부 및 상기 주고받기부 중 적어도 한쪽은,
    기판의 건조처리를 행하는 건조처리유닛을 포함하며,
    상기 건조처리유닛은,
    기판을 수평으로 파지하는 기판파지장치와,
    상기 기판파지장치에 의해 파지된 기판을 그 기판에 수직한 축의 주위로 회전시키는 회전구동장치와,
    상기 기판파지장치에 파지된 기판상에 액층을 형성하는 액층형성부와,
    상기 회전구동장치에 의해 기판이 회전되는 상태에서, 상기 액층형성부에 의해 기판상에 형성된 액층의 중심부를 향해 기체를 토출하는 기체토출부와,
    상기 액층형성부에 의한 액층의 형성시에 상기 회전구동장치에 의해 기판이 제1 회전속도로 회전되며, 상기 액층형성부에 의한 액층의 형성 후에 상기 회전구동장치에 의한 기판의 회전속도가 제2 회전속도까지 단계적으로 또는 연속적으로 상승하고, 기판이 상기 제2 회전속도로 회전하는 상태에서 상기 기체토출부에 의한 기판상의 액층으로의 기체 토출이 개시되도록, 상기 회전구동장치, 상기 액층형성부 및 상기 기체토출부를 제어하는 제어부를 포함하는 기판처리장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 기체토출부에 의한 기판상의 액층으로의 기체 토출의 개시 후에, 기판의 회전속도가 제3 회전속도까지 단계적으로 또는 연속적으로 상승하도록, 상기 회전구동장치, 상기 액층형성부 및 상기 기체토출부를 제어하는 기판처리장치.
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