JPH0513322A - 被膜溶剤塗布装置 - Google Patents
被膜溶剤塗布装置Info
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- JPH0513322A JPH0513322A JP16797591A JP16797591A JPH0513322A JP H0513322 A JPH0513322 A JP H0513322A JP 16797591 A JP16797591 A JP 16797591A JP 16797591 A JP16797591 A JP 16797591A JP H0513322 A JPH0513322 A JP H0513322A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体基板１の表面周縁部での被
膜溶剤の盛り上がりを防止することにより、ベーク処理
後のパーティクルの発生を防止し、半導体基板１に形成
されるチップの品質を向上させることを目的とするもの
である。 【構成】 半導体基板１の表面周縁部に対して洗浄液を
噴出する表面洗浄ノズル５を、裏面洗浄ノズル４から分
岐させて設けた。
膜溶剤の盛り上がりを防止することにより、ベーク処理
後のパーティクルの発生を防止し、半導体基板１に形成
されるチップの品質を向上させることを目的とするもの
である。 【構成】 半導体基板１の表面周縁部に対して洗浄液を
噴出する表面洗浄ノズル５を、裏面洗浄ノズル４から分
岐させて設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば層間絶縁膜や
レジスト膜などを形成するため、半導体基板を回転させ
ながらその表面上に被膜溶剤を滴下して塗布する被膜溶
剤塗布装置に関するものである。
レジスト膜などを形成するため、半導体基板を回転させ
ながらその表面上に被膜溶剤を滴下して塗布する被膜溶
剤塗布装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の被膜溶剤塗布装置の一例を
示す側面図である。図において、１は半導体基板（半導
体ウエハ）、２は半導体基板１を真空吸着して回転可能
に支持しているスピンヘッド、３は先端部が半導体基板
１の表面の中央部に対向している塗布液ノズルであり、
この塗布液ノズル３は、例えば層間絶縁膜を形成するた
め、半導体基板１の表面上に塗布液、即ち被膜溶剤を滴
下する。４は先端部が半導体基板１の裏面の周縁部に対
向している裏面洗浄ノズルであり、この裏面洗浄ノズル
４は、例えばエタノールなどの洗浄液を噴出させること
により、半導体基板１の裏面に被膜溶剤が回り込むのを
防止する。
示す側面図である。図において、１は半導体基板（半導
体ウエハ）、２は半導体基板１を真空吸着して回転可能
に支持しているスピンヘッド、３は先端部が半導体基板
１の表面の中央部に対向している塗布液ノズルであり、
この塗布液ノズル３は、例えば層間絶縁膜を形成するた
め、半導体基板１の表面上に塗布液、即ち被膜溶剤を滴
下する。４は先端部が半導体基板１の裏面の周縁部に対
向している裏面洗浄ノズルであり、この裏面洗浄ノズル
４は、例えばエタノールなどの洗浄液を噴出させること
により、半導体基板１の裏面に被膜溶剤が回り込むのを
防止する。
【０００３】次に、動作について説明する。被膜溶剤
は、塗布液ノズル３内を図の矢印ａ方向に送られ、半導
体基板１の表面上に滴下される。このとき、スピンヘッ
ド２により半導体基板１を回転させることによって、被
膜溶剤は半導体基板１の表面に均一に塗布される。ま
た、洗浄液は、裏面洗浄ノズル４内を図の矢印ｂ方向に
送られ、半導体基板１の裏面の周縁部に噴出される。こ
れにより、半導体基板１の裏面が洗浄され、被膜溶剤が
半導体基板１の裏面に回り込むのが防止される。
は、塗布液ノズル３内を図の矢印ａ方向に送られ、半導
体基板１の表面上に滴下される。このとき、スピンヘッ
ド２により半導体基板１を回転させることによって、被
膜溶剤は半導体基板１の表面に均一に塗布される。ま
た、洗浄液は、裏面洗浄ノズル４内を図の矢印ｂ方向に
送られ、半導体基板１の裏面の周縁部に噴出される。こ
れにより、半導体基板１の裏面が洗浄され、被膜溶剤が
半導体基板１の裏面に回り込むのが防止される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の被膜溶剤塗布装置においては、裏面洗浄ノズル
４により半導体基板１の裏面への被膜溶剤の回り込みは
防止されるものの、洗浄液の表面への回り込みなどによ
り、表面周縁部で被膜溶剤の盛り上がりが発生し、この
盛り上がった被膜溶剤が焼成（ベーク処理）時にひび割
れして、パーティクルが発生し、チップに悪影響を及ぼ
すという問題点があった。
た従来の被膜溶剤塗布装置においては、裏面洗浄ノズル
４により半導体基板１の裏面への被膜溶剤の回り込みは
防止されるものの、洗浄液の表面への回り込みなどによ
り、表面周縁部で被膜溶剤の盛り上がりが発生し、この
盛り上がった被膜溶剤が焼成（ベーク処理）時にひび割
れして、パーティクルが発生し、チップに悪影響を及ぼ
すという問題点があった。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、半導体基板の
表面周縁部での被膜溶剤の盛り上がりを防止することが
でき、これによりパーティクルの発生を防止し、チップ
の品質を向上させることができる被膜溶剤塗布装置を得
ることを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、半導体基板の
表面周縁部での被膜溶剤の盛り上がりを防止することが
でき、これによりパーティクルの発生を防止し、チップ
の品質を向上させることができる被膜溶剤塗布装置を得
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る被膜溶剤
塗布装置は、半導体基板の表面周縁部に対して洗浄液を
噴出する表面洗浄ノズルを設けたものである。
塗布装置は、半導体基板の表面周縁部に対して洗浄液を
噴出する表面洗浄ノズルを設けたものである。
【０００７】
【作用】この発明においては、表面洗浄ノズルから洗浄
液を噴出することにより、半導体基板の表面周縁部での
被膜溶剤の盛り上がりを防止する。
液を噴出することにより、半導体基板の表面周縁部での
被膜溶剤の盛り上がりを防止する。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の第１実施例による被膜溶剤塗布装
置を示す側面図であり、図４と同一又は相当部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。図において、５は
先端部が半導体基板１の表面の周縁部、即ちチップが形
成されていない部分に対向している表面洗浄ノズルであ
り、この表面洗浄ノズル５は、裏面洗浄ノズル４から分
岐されたものである。
る。図１はこの発明の第１実施例による被膜溶剤塗布装
置を示す側面図であり、図４と同一又は相当部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。図において、５は
先端部が半導体基板１の表面の周縁部、即ちチップが形
成されていない部分に対向している表面洗浄ノズルであ
り、この表面洗浄ノズル５は、裏面洗浄ノズル４から分
岐されたものである。
【０００９】上記のように構成された被膜溶剤塗布装置
においては、従来と同様に、半導体基板１の表面に被膜
溶剤が塗布され、かつ半導体基板１の裏面への被膜溶剤
の回り込みが防止される。また、この実施例の装置で
は、表面洗浄ノズル５により、半導体基板１の表面周縁
部にも洗浄液が噴出されるので、裏面洗浄ノズル４から
の洗浄液の表面への回り込みが防止され、半導体基板１
の表面周縁部での被膜溶剤の盛り上がりが防止される。
このため、パーティクルの発生が防止され、半導体基板
１に形成されるチップの品質が向上する。
においては、従来と同様に、半導体基板１の表面に被膜
溶剤が塗布され、かつ半導体基板１の裏面への被膜溶剤
の回り込みが防止される。また、この実施例の装置で
は、表面洗浄ノズル５により、半導体基板１の表面周縁
部にも洗浄液が噴出されるので、裏面洗浄ノズル４から
の洗浄液の表面への回り込みが防止され、半導体基板１
の表面周縁部での被膜溶剤の盛り上がりが防止される。
このため、パーティクルの発生が防止され、半導体基板
１に形成されるチップの品質が向上する。
【００１０】なお、上記実施例では表面洗浄ノズル５を
裏面洗浄ノズル４から分岐させて設けたが、例えば図２
に示すように、裏面洗浄ノズル４とは別に設けて、それ
ぞれの噴出量を調節可能にしてもよい。また、上記実施
例では表面洗浄ノズル５及び裏面洗浄ノズル４をそれぞ
れ１個ずつ設けたものを示したが、例えば図３に示すよ
うに、それぞれ複数個設けてもよい。さらに、上記実施
例では各洗浄ノズル４，５の半導体基板１に対する洗浄
液の噴射角度を固定としたものを示したが、噴射角度を
可変にしてもよい。
裏面洗浄ノズル４から分岐させて設けたが、例えば図２
に示すように、裏面洗浄ノズル４とは別に設けて、それ
ぞれの噴出量を調節可能にしてもよい。また、上記実施
例では表面洗浄ノズル５及び裏面洗浄ノズル４をそれぞ
れ１個ずつ設けたものを示したが、例えば図３に示すよ
うに、それぞれ複数個設けてもよい。さらに、上記実施
例では各洗浄ノズル４，５の半導体基板１に対する洗浄
液の噴射角度を固定としたものを示したが、噴射角度を
可変にしてもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の被膜溶
剤塗布装置は、半導体基板の表面周縁部に対して洗浄液
を噴出する表面洗浄ノズルを設けたので、半導体基板の
表面周縁部での被膜溶剤の盛り上がりを防止することが
でき、これによりパーティクルの発生を防止し、半導体
基板に形成されるチップの品質を向上させることができ
るという効果を奏する。
剤塗布装置は、半導体基板の表面周縁部に対して洗浄液
を噴出する表面洗浄ノズルを設けたので、半導体基板の
表面周縁部での被膜溶剤の盛り上がりを防止することが
でき、これによりパーティクルの発生を防止し、半導体
基板に形成されるチップの品質を向上させることができ
るという効果を奏する。
【図１】この発明の第１実施例を示す側面図である。
【図２】この発明の第２実施例を示す側面図である。
【図３】この発明の第３実施例を示す側面図である。
【図４】従来の被膜溶剤塗布装置の一例を示す側面図で
ある。
ある。
１ 半導体基板 ５ 表面洗浄ノズル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体基板を回転させるとともに、前記
半導体基板の表面上に被膜溶剤を滴下して塗布する被膜
溶剤塗布装置において、前記半導体基板の表面の周縁部
に対して洗浄液を噴出する表面洗浄ノズルを備えている
ことを特徴とする被膜溶剤塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16797591A JPH0513322A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 被膜溶剤塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16797591A JPH0513322A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 被膜溶剤塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513322A true JPH0513322A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15859491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16797591A Pending JPH0513322A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 被膜溶剤塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513322A (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0924754A2 (en) * | 1997-12-19 | 1999-06-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Low temperature system and method for CVD copper removal |
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-
1991
- 1991-07-09 JP JP16797591A patent/JPH0513322A/ja active Pending
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