JPH03220723A - ウェットエッチング装置 - Google Patents
ウェットエッチング装置Info
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- JPH03220723A JPH03220723A JP1685590A JP1685590A JPH03220723A JP H03220723 A JPH03220723 A JP H03220723A JP 1685590 A JP1685590 A JP 1685590A JP 1685590 A JP1685590 A JP 1685590A JP H03220723 A JPH03220723 A JP H03220723A
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- JP
- Japan
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- wafer
- chuck
- etching liquid
- spray nozzle
- etching
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- Granted
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- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 19
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造に用いられるウェットエ
ツチング装置に関する。
ツチング装置に関する。
従来、この種の半導体装置製造用のウニ・ントエッチン
グ装置は、第３図（ａ＞、（ｂｌに示すように、チャン
バー１と、このチャンバー１内に設けられ複数のアーム
２とアームの先端に突出して設けられたつめ３とからな
るウェハーチャック（以下単にチャックという）１０と
、このチャ・７り１０を回転させるためのモータに連絡
した回転軸４と、チャック１０に保持されるウェハー６
にエツチング液を供給するスプレーノズル５，５Ａとか
ら主に構成されていた。そして、ウェハー６の裏面へエ
ツチング液を噴出するスプレーノズル５は、ウェハーを
保持して回転させるチャック１０とは別のエツチングチ
ャンバー下部に設置されていた。
グ装置は、第３図（ａ＞、（ｂｌに示すように、チャン
バー１と、このチャンバー１内に設けられ複数のアーム
２とアームの先端に突出して設けられたつめ３とからな
るウェハーチャック（以下単にチャックという）１０と
、このチャ・７り１０を回転させるためのモータに連絡
した回転軸４と、チャック１０に保持されるウェハー６
にエツチング液を供給するスプレーノズル５，５Ａとか
ら主に構成されていた。そして、ウェハー６の裏面へエ
ツチング液を噴出するスプレーノズル５は、ウェハーを
保持して回転させるチャック１０とは別のエツチングチ
ャンバー下部に設置されていた。
上述した従来のウェットエツチング装置は、ウェハー裏
面の酸化膜等をエツチングするためには、エツチングチ
ャンバー下部に設置したスプレーノズル５よりエツチン
グ液を噴出するように楕成されていた。このため、ウェ
ハー裏面にエツチング液を当てるスプレーノズルがウェ
ハーを回転させるチャックとは分離されているため、噴
出したエツチング液が回転するチャックのアーム２に当
たり、ウェハー裏面のエツチング液の当たり方が不均一
になり、エツチングむらができるという欠点がある。
面の酸化膜等をエツチングするためには、エツチングチ
ャンバー下部に設置したスプレーノズル５よりエツチン
グ液を噴出するように楕成されていた。このため、ウェ
ハー裏面にエツチング液を当てるスプレーノズルがウェ
ハーを回転させるチャックとは分離されているため、噴
出したエツチング液が回転するチャックのアーム２に当
たり、ウェハー裏面のエツチング液の当たり方が不均一
になり、エツチングむらができるという欠点がある。
本発明のウェットエツチング装置は、複数のアームとこ
のアームの先端部に突出して設けられウェハーを保持す
るつめとからなるウェハーチャックと、このウェハーチ
ャックを回転させるための手段と、ウェハーチャックに
保持されたウェハーの裏面へエツチング液を噴出するた
めのスプレーノズルとを有するウェットエツチング装置
において、前記スプレーノズルは前記ウェハーチャック
のアーム上に設けられているものである。
のアームの先端部に突出して設けられウェハーを保持す
るつめとからなるウェハーチャックと、このウェハーチ
ャックを回転させるための手段と、ウェハーチャックに
保持されたウェハーの裏面へエツチング液を噴出するた
めのスプレーノズルとを有するウェットエツチング装置
において、前記スプレーノズルは前記ウェハーチャック
のアーム上に設けられているものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の上面図
及びＡ−Ａ′線断面図である。
及びＡ−Ａ′線断面図である。
第１図（ａ）、（ｂ）に示すように、ウェットエツチン
グ装置は、エツチングチャンバー１と、複数のアーム２
とウェハー６を保持するつめ３とからなるチャック１０
と、このチャック１０を回転させるためのモータに連結
した回転軸４と、ウェハー６の裏表にエツチング液を供
給するスプレーノズル５，５Ａとから主に構成されてい
る。そして特に、ウェハー６の裏面へエツチング液を噴
出するスプレーノズル５がウェハーを回転させるアーム
２上に設けられている。ウェハー６の裏面の酸化膜又は
アルミ又はポリシリコンをエツチングするにはウェハー
６を回転させアーム２上にあるスプレーノズル５からエ
ツチング液を噴き出させることにより、ウェハー６の裏
面にはエツチング液が均一に広がるため均一なエツチン
グができる。
グ装置は、エツチングチャンバー１と、複数のアーム２
とウェハー６を保持するつめ３とからなるチャック１０
と、このチャック１０を回転させるためのモータに連結
した回転軸４と、ウェハー６の裏表にエツチング液を供
給するスプレーノズル５，５Ａとから主に構成されてい
る。そして特に、ウェハー６の裏面へエツチング液を噴
出するスプレーノズル５がウェハーを回転させるアーム
２上に設けられている。ウェハー６の裏面の酸化膜又は
アルミ又はポリシリコンをエツチングするにはウェハー
６を回転させアーム２上にあるスプレーノズル５からエ
ツチング液を噴き出させることにより、ウェハー６の裏
面にはエツチング液が均一に広がるため均一なエツチン
グができる。
第２図は本発明の第２の実施例の上面図である。
第２図で明らかなように、本第２の実施例では、ウェハ
ー裏面へエツチング液を噴出するスプレーノズル５が各
アームに４個設けである。ウェハー６が回転を始めると
４つのスプレーノズル５からエツチング液が噴き出しウ
ェハー６の裏面の酸化膜又はアルミ又はポリシリコンを
より効率よくエツチングできる利点がある。
ー裏面へエツチング液を噴出するスプレーノズル５が各
アームに４個設けである。ウェハー６が回転を始めると
４つのスプレーノズル５からエツチング液が噴き出しウ
ェハー６の裏面の酸化膜又はアルミ又はポリシリコンを
より効率よくエツチングできる利点がある。
以上説明したように本発明は、ウェハー裏面の酸化膜や
ポリシリコン膜等をエツチングするためのエツチング液
を吹き出すスプレーノズルをウェハーチャックを構成す
るアーム上に設けることにより、ウェハー回転中にスプ
レーノズルから噴き出したエツチング液が回転している
ウェハーチャックのアームに当たることなくウェハー裏
面に均一に広がり、ウェハーの裏面の酸化膜やポリシリ
コン膜等を均一にエツチングできるという効果がある。
ポリシリコン膜等をエツチングするためのエツチング液
を吹き出すスプレーノズルをウェハーチャックを構成す
るアーム上に設けることにより、ウェハー回転中にスプ
レーノズルから噴き出したエツチング液が回転している
ウェハーチャックのアームに当たることなくウェハー裏
面に均一に広がり、ウェハーの裏面の酸化膜やポリシリ
コン膜等を均一にエツチングできるという効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例５
の上面図及び断面図、第２図は本発明の第２の実施例の
上面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来のウェットエツチ
ング装置の上面図及び断面図である。 １・・・エツチングチャンバー、２・・・アーム、３・
・・つめ、４・・・回転軸、５，５Ａ・・・スプレーノ
ズル、６・・・ウェハー
上面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来のウェットエツチ
ング装置の上面図及び断面図である。 １・・・エツチングチャンバー、２・・・アーム、３・
・・つめ、４・・・回転軸、５，５Ａ・・・スプレーノ
ズル、６・・・ウェハー
Claims (1)
- 複数のアームとこのアームの先端部に突出して設けられ
ウェハーを保持するつめとからなるウェハーチャックと
、このウェハーチャックを回転させるための手段と、ウ
ェハーチャックに保持されたウェハーの裏面へエッチン
グ液を噴出するためのスプレーノズルとを有するウェッ
トエッチング装置において、前記スプレーノズルは前記
ウェハーチャックのアーム上に設けられていることを特
徴とするウェットエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1685590A JP2841618B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | ウェットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1685590A JP2841618B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | ウェットエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03220723A true JPH03220723A (ja) | 1991-09-27 |
| JP2841618B2 JP2841618B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=11927834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1685590A Expired - Fee Related JP2841618B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | ウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2841618B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6290865B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-drying process for electroplated semiconductor wafers |
| US6516815B1 (en) | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
| US6770565B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-08-03 | Applied Materials Inc. | System for planarizing metal conductive layers |
| US6824612B2 (en) | 2001-12-26 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Electroless plating system |
| JP2005045287A (ja) * | 2004-10-28 | 2005-02-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP1685590A patent/JP2841618B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6290865B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-drying process for electroplated semiconductor wafers |
| US6516815B1 (en) | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
| US6824612B2 (en) | 2001-12-26 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Electroless plating system |
| US6770565B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-08-03 | Applied Materials Inc. | System for planarizing metal conductive layers |
| JP2005045287A (ja) * | 2004-10-28 | 2005-02-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2841618B2 (ja) | 1998-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |