JPS6292316A - ホトレジスト塗布装置 - Google Patents

ホトレジスト塗布装置

Info

Publication number
JPS6292316A
JPS6292316A JP23116185A JP23116185A JPS6292316A JP S6292316 A JPS6292316 A JP S6292316A JP 23116185 A JP23116185 A JP 23116185A JP 23116185 A JP23116185 A JP 23116185A JP S6292316 A JPS6292316 A JP S6292316A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
substrate
photo
film
compressed air
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23116185A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyuki Sakiyama
崎山 和之
Seiichi Ogawa
誠一 小川
Sakichi Ashida
芦田 佐吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP23116185A priority Critical patent/JPS6292316A/ja
Publication of JPS6292316A publication Critical patent/JPS6292316A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔〔発明の利用分野〕 本発明けSAWデバイスの電極形成工程において、%に
適正なホトレジスト膜形成を可能とする装置に関するも
のである。
〔発明の背景〕
従来の装置は、実開59−67930号公報に記載のよ
うにレジスト滴下後の回転中の基板裏面にアセトン等の
レジスト溶剤液を噴出し、周辺部のレジスト盛り上がシ
を除去する装置となっていた。しめ為し本装置の場合、
レジスト溶剤液(噴霧中のもの)の管理を十分に行なわ
ないと基板表面のレジスト膜をも溶解してしまう欠点が
あった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、基板周辺部で盛り上がりのない適正な
ホトレジスト膜形成を容易に可能とする装置を提供する
ことにある。
〔発明の概要〕
ホトレジスト溶剤液を用いた化学的除去に対し、圧縮し
た空気又は窒素ガスにより機械的に直接吹き飛ばすこと
でレジスト盛り上が9を除去する。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
電極薄膜を形成した基板2は回転スピンナ1上に真空吸
着孔5により吸着される。その徒レジスト供給用ノズル
7よりレジストが滴下されスピンナが回転する。この時
、基板周辺部に圧縮空気又は窒素ガス噴出用ノズル6よ
ねガスを噴きつけて、レジストの盛り上がりを除去する
尚、不要となったレジストは排出管8により外部に出さ
れる。又、周囲のカップ4は飛散したレジストが反射し
な込構造とする。
〔発明の効果〕
本発明によれば、基板周辺に盛り上がるレジストを機械
的に確実に除去できる為、基板とホトマスクとの密着性
の向上およびレジスト欠けによる異物発生を防止できる
ので歩留り向上の効果がある。
【図面の簡単な説明】
図は本発明によるホトレジスト塗布装置の一実施例を示
す断面図である。 1・・・回転スピンナ、  2・・・基板、3・・・ホ
トレジスト、  4・・・力ヴプ、5・・・真空吸着孔
、 6・・・圧縮空気又は窒素ガス噴出ノズル、7・・・レ
ジスト供給用ノズル、 8・・・排出管。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 回転するスピンナ上に電極用薄膜を形成した基板を吸着
    しホトレジスト膜を形成するホトレジスト塗布装置にお
    いて、ホトレジスト滴下後の回転中に基板の周辺部に圧
    縮した空気又は窒素ガスを吹き付ける機構を設けたこと
    を特徴とするホトレジスト塗布装置。
JP23116185A 1985-10-18 1985-10-18 ホトレジスト塗布装置 Pending JPS6292316A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23116185A JPS6292316A (ja) 1985-10-18 1985-10-18 ホトレジスト塗布装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23116185A JPS6292316A (ja) 1985-10-18 1985-10-18 ホトレジスト塗布装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6292316A true JPS6292316A (ja) 1987-04-27

Family

ID=16919259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23116185A Pending JPS6292316A (ja) 1985-10-18 1985-10-18 ホトレジスト塗布装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6292316A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5472502A (en) * 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US6977098B2 (en) 1994-10-27 2005-12-20 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US7018943B2 (en) 1994-10-27 2006-03-28 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US7030039B2 (en) 1994-10-27 2006-04-18 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5472502A (en) * 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US6977098B2 (en) 1994-10-27 2005-12-20 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US7018943B2 (en) 1994-10-27 2006-03-28 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US7030039B2 (en) 1994-10-27 2006-04-18 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3559228B2 (ja) 回転式基板処理装置
CN104854681A (zh) 基板液体处理装置和基板液体处理方法
JPS6292316A (ja) ホトレジスト塗布装置
JP4502854B2 (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP2002143749A (ja) 回転塗布装置
JP2002016031A (ja) 基板処理方法
JPH02192717A (ja) レジスト除去装置
JPH0817817A (ja) Sog膜の成膜方法及びsogコータ
JP2537611B2 (ja) 塗布材料の塗布装置
JP2841618B2 (ja) ウェットエッチング装置
JP2624426B2 (ja) 角形基板の洗浄装置
JPH09122560A (ja) 回転式塗布装置
JPS61239625A (ja) レジスト塗布装置
JPH05315235A (ja) 高粘度樹脂用コータカップ
JP2002208580A (ja) スクラバー洗浄装置
JP3338544B2 (ja) 乾燥方法及び乾燥装置
JP2002011420A (ja) 基板処理装置
JPH04197468A (ja) 回転塗布装置
JPH03169012A (ja) 半導体基板異物除去装置
JPH0766105A (ja) 基板処理装置
JPH02133916A (ja) レジスト塗布装置
JPH0471232A (ja) 洗浄装置
KR20010048080A (ko) 캐치컵 세정기
JP2000331974A (ja) 基板回転処理装置
JPS6333660Y2 (ja)