JPH05206266A - ウェハダイシング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェハダイシング装置のウェハ表面に対する
洗浄効果を高める。 【構成】 ブレードの両側において被ダイシングウェハ
と至近距離に、該ウェハに洗浄液を噴出するウェハ直射
洗浄ノズルを設ける。 【効果】 ウェハと至近距離にあるウェハ直射洗浄ノズ
ルによって効果的にウェハ表面を洗浄できると共に、そ
のノズルから噴出された洗浄液による液膜によって切削
ダストが他の部分に飛散することを防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ウェハダイシング装
置、特に半導体ウェハをブレードによりダイシングする
ウェハダイシング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造において、半導体素子
の形成のための一連の処理が終ると半導体ウェハをダイ
シングしてペレタイズすることが不可欠である。そし
て、そのダイシングは、テープに接着された半導体ウェ
ハを、高速回転させたブレードにより切断するウェハダ
イシング装置を用いて行われる（特開平３−１５７９５
４号公報）。

【０００３】ところで、ブレードにより半導体ウェハを
ダイシングする場合においては、半導体ウェハとグレー
ドとの摩擦によりブレードが発熱するので、このブレー
ドを冷却することが必要である。また、切削により必然
的にシリコン等の半導体材料からなるダストが発生し、
半導体ウェハ表面に付着する虞れがある。

【０００４】そこで、従来のウェハダイシング装置、例
えば特開平３−１５７９５４号公報により紹介されたウ
ェハダイシング装置においては、ブレードが半導体ウェ
ハと接している部分の近傍に、ブレードに向けて切削液
（一般に純水）を噴出するノズルを設けて主としてブレ
ードの冷却を行うようにし、また、ブレードの一方の側
（手前側）の上部に洗浄液を下向きに噴出するノズルを
設けて半導体ウェハ表面の洗浄を行うようにしていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来のウェハダイシング装置では、ブレーキングを必要と
しないフルカットダイシングに対応することが難しくな
りつつある。この点について説明すると次のとおりであ
る。即ち、従前においてダイシングは、半導体ウェハを
フルカット（完全に切断）せず、半導体ウェハの厚さよ
りも稍浅い有底溝ができるようにブレードによるカット
を行い、その後、ブレーキングを行うという方法で行う
のが普通であった。

【０００６】しかし、半導体装置の低コスト化等のため
最近はブレーキング工程をなくすため半導体ウェハをフ
ルカットすることによりダイシングするダイシング方法
が採られる傾向が生じている。このようなフルカットに
よれば、半導体ウェハによるシリコン等の半導体ダスト
のほか、半導体ウェハの裏面が接着されたテープもブレ
ードにより切断されることによってテープによるダスト
も発生し、ダスト発生量が全体として多くなるし、その
うえ、テープによるダストはシリコン等の半導体ダスト
に比較して洗浄しにくい。しかも、半導体素子の微細
化、高集積化に伴って汚染により生じる悪影響の度合は
増す一方である。従って、従来のウェハダイシング装置
ではブレーキングを必要としないフルカットダイシング
には対応することが難しくなりつつある。

【０００７】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、ウェハ表面に対する洗浄効果を高め
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明ウェハダイシング
装置は、ブレードの両側の被ダイシングウェハと至近距
離に、該ウェハに洗浄液を噴出するウェハ直射洗浄ノズ
ルを設けたことを特徴とする。

【０００９】

【作用】本発明ウェハダイシング装置によれば、ウェハ
を洗浄するノズルがブレードの両側に、ウェハと至近距
離にあるので、ウェハ表面に対する洗浄効果が高まる。

【００１０】

【実施例】以下、本発明ウェハダイシング装置を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１乃至図６は本発明ウ
ェハダイシング装置の一つの実施例を示すもので、先ず
図１（Ａ）乃至（Ｃ）に従ってウェハダイシング装置の
構成を説明する。尚、図１（Ａ）はウェハダイシング装
置の斜視図、図１（Ｂ）は（Ａ）の矢印ａに示す方向に
視た矢視図、図１（Ｃ）は要部を示す正面図である。

【００１１】図面において、１はウェハダイシング装
置、２はダイシングされる半導体ウェハである。ウェハ
ダイシング装置１は、おおまかには、支持体３により指
示されて高速回転するブレード４と、該ブレード４の刃
部を覆うフランジカバー５によって構成されている。そ
して、フランジカバー５に回転落射ノズル６、シャワー
ノズル７、ブレードノズル８及びウェハ直射洗浄ノズル
９が設けられ、各ノズル６、７、８、９から洗浄液６
ａ、７ａ、冷却兼切削液８ａ及び洗浄液９ａが噴出され
る。

【００１２】そして、各ノズル６、７、８、９から上記
各種液６ａ、７ａ、８ａ、９ａを噴出しながら半導体ウ
ェハ２を載置するテーブル１０を矢印ｂに示す方向に移
動させることにより高速回転するブレード４によって半
導体ウェハ２をダイシング（例えばフルカットによるダ
イシング）をするようになっている。１１はウェハ２を
接着するテープである［図１（Ｃ）ではこのテープ１１
を省略した。］。

【００１３】ここで回転落射ノズル６はフラジカバー５
のブレード刃部に対向する内面、即ちブレード回転方向
の前方に対応するフランジカバー６の内面に設けられ、
このノズル６から高速回転するブレード４に向って水平
に放射された洗浄水６ａによってダイシングされた溝底
部の洗浄が為される。シャワーノズル７はブレード４の
一方の側の側面より離れた位置に半導体ウェハ２の面に
向かって垂直に設けられ、このノズル７からのシャワー
状洗浄水７ａによって半導体ウェハ２の表面を湿らせ、
ダイシング中に付着した半導体ダストの残渣を除去しや
すくしている。

【００１４】ブレード冷却ノズル８は、フランジカバー
５からブレード４の半導体ウェハ２に対接する下部両側
に延長した導管１２ａ、１２ｂに形成したスリットによ
り構成され、このスリットによりブレード４刃部に扇状
に放射される冷却兼切削水８ａによってダイシング中の
ブレード刃部の冷却と、切削の円滑化を図るようになっ
ている。

【００１５】そして、ウェハ直射洗浄ノズル９は、上記
導管１２ａ、１２ｂの外側に設けた導管１３ａ及び１３
ｂに設けたスリットからなり、各導管１３ａ、１３ｂそ
れぞれに複数、例えば３個ずつ設けられている。そし
て、各ウェハ直射洗浄ノズル９から噴出される洗浄液９
ａによって図１（Ｂ）に示すようにブレード４の半導体
ウェハ２を切断している部分の両側に液幕が形成される
ようになっている。

【００１６】尚、本実施例においては各ノズル９がダイ
シング１０の進行方向（矢印ｂに示す）と逆方向に斜め
下側を向くように形成されている。勿論、ノズル９は図
７（Ａ）に示すように真下を向くように形成しても良い
が、本実施例のようのノズル９を斜め下向きに形成する
ことによりダイシングによるダストが半導体ウェハ２の
切断済み側の方へ行かないようにする効果を得ることが
できる。

【００１７】図２は洗浄液９ａからなる液幕が出来る状
態を半導体ウェハ２から少し高い位置から視た平面図で
ある。本ウェハダイシング装置によれば、半導体ウェハ
２の至近距離に配置された導管１３ａ、１３ｂに斜め下
向きに形成したスリットからなるノズル９によって半導
体ウェハ２の表面にその至近距離からウェハ洗浄用の洗
浄液９ａを噴出し、液幕を回転ブレード４の半導体ウェ
ハ２と接する部分の両側に形成するようにしたので、半
導体ウェハ２表面を効果的に洗浄することができる。

【００１８】即ち、従来においては、半導体ウェハ２よ
りも相当に高いところにおいてブレード４の一方の側
（手前側）のみに設けられたシャワーノズル７によって
噴出下洗浄液７ａによる半導体ウェハ２の表面の洗浄が
行われたいたに過ぎなかったので、半導体ウェハ２の表
面に対する洗浄の効果を高めることが制約された。

【００１９】また、切断により生じたダストがブレード
４の両側へ飛散して半導体ウェハ２の表面、特に既に切
断済みの部分に付着することは避け得なかった。しかる
に、本ウェハダイシング装置によれば、ウェハ直射洗浄
ノズル９がブレード４の両側において半導体ウェハ２と
至近距離に設けられているので洗浄効果が強く、しかも
ブレード４の両側の洗浄液９ａによる液幕によってブレ
ード４による半導体ウェハ２の切断部から発生したダス
トが側方へ飛散するのを抑止することができるのであ
る。

【００２０】図３乃至図５はウェハダイシング装置のフ
ランジカバーを示すもので、図３は正面図、図４は左側
面図、図６は底面図である。図６はウェハダイシング装
置が制御部、操作部、ディスプレー等と共に組込まれた
装置全体を示し、矢印（１）で示す部分にウェハダイシ
ング装置の図１に示す部分が存在する。

【００２１】図７（Ａ）、（Ｂ）は本発明ウェハダイシ
ング装置の各別の変形例を示す断面図で、（Ａ）は前述
したように、ウェハ直射洗浄ノズル９を半導体ウェハ２
に対して垂直に向けたものである。（Ｂ）は図１に示す
ウェハダイシング装置よりもウェハ直射洗浄ノズル９の
数を増やしたものである。尚、本実施例においてはシャ
ワーノズル７が設けられたが、このシャワーノズル７の
役割をウェハ直射洗浄ノズル９が果すことができるの
で、シャワーノズル７は必ずしも必要ではない。このよ
うに、本発明ウェハダイシング装置は種々の態様で実施
することができる。

【００２２】

【発明の効果】本発明ウェハダイシング装置は、半導体
ウェハをブレードによりダイシングするウェハダイシン
グ装置において、上記ブレードの両側の被ダイシングウ
ェハと至近距離に、該ウェハに洗浄液を噴出するウェハ
直射洗浄ノズルを設けてなることを特徴とするものであ
る。従って、本発明ウェハダイシング装置によれば、ウ
ェハを洗浄するノズルがブレードの両側に、ウェハと至
近距離にあるので、ウェハ表面に対する洗浄効果が高ま
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明ウェハダイシング装
置の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は斜視図、
（Ｂ）は要部を示す矢視図、（Ｃ）は要部を示す正面図
である。

【図２】液幕の出来る状態を示す平面図である。

【図３】フランジカバーの正面図である。

【図４】フランジカバーの左側面図である。

【図５】フランジカバーの底面図である。

【図６】装置全体の斜視図である。

【図７】（Ａ）、（Ｂ）は各別の変形例の要部を示す正
面図である。

【符号の説明】

１ ウェハダイシング装置 ２ ウェハ ４ ブレード ９ ウェハ直射洗浄ノズル ９ａ 洗浄液

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェハをブレードによりダイシングする
   ウェハダイシング装置において、 上記ブレードの両側の被ダイシングウェハと至近距離
   に、該ウェハに洗浄液を噴出するウェハ直射洗浄ノズル
   を設けてなることを特徴とするウェハダイシング装置