JPS6331927Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6331927Y2 JPS6331927Y2 JP1981094964U JP9496481U JPS6331927Y2 JP S6331927 Y2 JPS6331927 Y2 JP S6331927Y2 JP 1981094964 U JP1981094964 U JP 1981094964U JP 9496481 U JP9496481 U JP 9496481U JP S6331927 Y2 JPS6331927 Y2 JP S6331927Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- semiconductor wafer
- rotating blade
- nozzles
- pure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
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Landscapes
- Details Of Cutting Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はダイシング装置に関し、特に例えば
半導体ウエーハから多数のペレツトを切り出す場
合に好適するダイシング装置に関する。
半導体ウエーハから多数のペレツトを切り出す場
合に好適するダイシング装置に関する。
トランジスタ、ダイオード、サイリスタ、集積
回路等の半導体装置は、第１図に示すように、一
枚の半導体ウエーハ１に多数の半導体装置２を形
成し、Ｘ方向およびＹ方向の溝３および４によつ
て各半導体装置２をペレツト状に切断分離して製
造されている。このペレツタイズ工程には、従来
ダイヤモンドポイント法およびレーザービーム法
が用いられていたが最近ではダイシング法が賞用
されている。このダイシング法は、第２図に示す
ように、回転軸５に回転ブレード６を固定し、回
転ブレード６の周縁部分でＸ−Ｙテーブル（図示
せず）上に固定した半導体ウエーハ１に溝３およ
び４を形成するもので、ダイシング加工時の回転
ブレード６の過熱を防止するために、回転ブレー
ド６の一側または両側に配置したノズル７から純
水８を噴射して、回転ブレード６を冷却するよう
になつている。
回路等の半導体装置は、第１図に示すように、一
枚の半導体ウエーハ１に多数の半導体装置２を形
成し、Ｘ方向およびＹ方向の溝３および４によつ
て各半導体装置２をペレツト状に切断分離して製
造されている。このペレツタイズ工程には、従来
ダイヤモンドポイント法およびレーザービーム法
が用いられていたが最近ではダイシング法が賞用
されている。このダイシング法は、第２図に示す
ように、回転軸５に回転ブレード６を固定し、回
転ブレード６の周縁部分でＸ−Ｙテーブル（図示
せず）上に固定した半導体ウエーハ１に溝３およ
び４を形成するもので、ダイシング加工時の回転
ブレード６の過熱を防止するために、回転ブレー
ド６の一側または両側に配置したノズル７から純
水８を噴射して、回転ブレード６を冷却するよう
になつている。
ところで、半導体ウエーハ１をダイシング加工
する場合、半導体ウエーハ１を、第３図に示すよ
うに、すべて同一のA1，A2，A3，……のＡ方向
への送り時のみを利用する場合と、第４図に示す
ように、A1，A2，A3，……方向の送り時と、
B1，B2，B3，……のＢ方向の戻り時とを利用す
る場合とがある。後者は前者に比較してダイシン
グ加工時間が半減する利点がある。しかしなが
ら、このように半導体ウエーハ１の送り時と戻り
時を利用してダイシング加工する場合、第５図と
第６図から明らかなように、第５図では半導体ウ
エーハ１の移動方向（矢印Ａ）とノズル７からの
純水８の噴射方向が逆方向となり、第６図では半
導体ウエーハ１の移動方向（矢印Ｂ）とノズル７
からの純水８の噴射方向が同方向となるので、溝
３または４内のシリコン屑の残存量に差があるこ
とが判明した。。
する場合、半導体ウエーハ１を、第３図に示すよ
うに、すべて同一のA1，A2，A3，……のＡ方向
への送り時のみを利用する場合と、第４図に示す
ように、A1，A2，A3，……方向の送り時と、
B1，B2，B3，……のＢ方向の戻り時とを利用す
る場合とがある。後者は前者に比較してダイシン
グ加工時間が半減する利点がある。しかしなが
ら、このように半導体ウエーハ１の送り時と戻り
時を利用してダイシング加工する場合、第５図と
第６図から明らかなように、第５図では半導体ウ
エーハ１の移動方向（矢印Ａ）とノズル７からの
純水８の噴射方向が逆方向となり、第６図では半
導体ウエーハ１の移動方向（矢印Ｂ）とノズル７
からの純水８の噴射方向が同方向となるので、溝
３または４内のシリコン屑の残存量に差があるこ
とが判明した。。
それゆえ、この考案の主たる目的は、上述のよ
うに半導体ウエーハのような被加工物を送り時お
よび戻り時の両方を利用してダイシング加工する
場合において、溝内のシリコン屑等の加工屑の残
存をなくすことである。
うに半導体ウエーハのような被加工物を送り時お
よび戻り時の両方を利用してダイシング加工する
場合において、溝内のシリコン屑等の加工屑の残
存をなくすことである。
この考案は要約すると、ノズルを回転ブレード
の前後に設けて、ダイシング加工の進行方向によ
つて前記ノズルを切り換えて使用するようにした
ことを特徴とする。
の前後に設けて、ダイシング加工の進行方向によ
つて前記ノズルを切り換えて使用するようにした
ことを特徴とする。
以下、この考案の一実施例を第７図および第８
図により説明する。第５図および第６図との相違
点は、回転ブレード６の前後に純水の噴射方向が
異なるノズル７ａおよび７ｂを設けたことであ
り、第５図に対応する第７図の状態のダイシング
加工時は、ノズル７ａから純水８ａを噴射して、
半導体ウエーハ１の進行方向（矢印Ａ）と純水８
ａの噴射方向を同一方向とし、かつ第６図に対応
する第８図の状態のダイシング加工時は、ノズル
７ｂから純水８ｂを噴射して、半導体ウエーハ１
の進行方向（矢印Ｂ）と純水８ｂの噴射方向を同
一方向とし、常に半導体ウエーハ１の進行方向と
純水８の噴射方向とが同一方向になるようにす
る。そのようにすると、溝３または４内のシリコ
ン屑の洗い流し効果が半導体ウエーハ１の進行方
向が矢印Ａ方向でも同様になり、溝３または４内
のシリコン屑の残存量を著しく少なくできる。
図により説明する。第５図および第６図との相違
点は、回転ブレード６の前後に純水の噴射方向が
異なるノズル７ａおよび７ｂを設けたことであ
り、第５図に対応する第７図の状態のダイシング
加工時は、ノズル７ａから純水８ａを噴射して、
半導体ウエーハ１の進行方向（矢印Ａ）と純水８
ａの噴射方向を同一方向とし、かつ第６図に対応
する第８図の状態のダイシング加工時は、ノズル
７ｂから純水８ｂを噴射して、半導体ウエーハ１
の進行方向（矢印Ｂ）と純水８ｂの噴射方向を同
一方向とし、常に半導体ウエーハ１の進行方向と
純水８の噴射方向とが同一方向になるようにす
る。そのようにすると、溝３または４内のシリコ
ン屑の洗い流し効果が半導体ウエーハ１の進行方
向が矢印Ａ方向でも同様になり、溝３または４内
のシリコン屑の残存量を著しく少なくできる。
なお、回転ブレード６の回転方向は図示と逆に
しても同様の効果が得られる。
しても同様の効果が得られる。
上記の構成のダイシング装置は、例えばノズル
７ａ，７ｂに電磁バルブを接続し、これらの電磁
バルブを半導体ウエーハ１の進行方向に応じて切
り換えるようにして得られる。
７ａ，７ｂに電磁バルブを接続し、これらの電磁
バルブを半導体ウエーハ１の進行方向に応じて切
り換えるようにして得られる。
この考案は半導体ウエーハのような高清浄度を
要求される被加工物に対して特に有効であるが、
ガラスその他の材料のダイシング加工にも利用で
きる。
要求される被加工物に対して特に有効であるが、
ガラスその他の材料のダイシング加工にも利用で
きる。
この考案は以上のように、噴射方向の異なるノ
ズルを回転ブレードの前後に設けて、ダイシング
加工の進行方向によつて前記ノズルを切り換え使
用するようにしたから、ダイシング加工の進行方
向にかかわらず溝内の加工屑の残存量を著しく軽
減できるという効果を奏する。
ズルを回転ブレードの前後に設けて、ダイシング
加工の進行方向によつて前記ノズルを切り換え使
用するようにしたから、ダイシング加工の進行方
向にかかわらず溝内の加工屑の残存量を著しく軽
減できるという効果を奏する。
第１図は半導体ウエーハの平面図、第２図はダ
イシング装置によるダイシング加工時の正面図、
第３図および第４図は異なるダイシング加工法を
説明するための半導体ウエーハの平面図、第５図
および第６図は従来のダイシング装置によるダイ
シング加工時の側面図、第７図および第８図はこ
の考案の一実施例のダイシング装置によるダイシ
ング加工時の側面図である。 １……被加工物（半導体ウエーハ）、３，４…
…溝、６……回転ブレード、７ａ，７ｂ……ノズ
ル、８ａ，８ｂ……純水。
イシング装置によるダイシング加工時の正面図、
第３図および第４図は異なるダイシング加工法を
説明するための半導体ウエーハの平面図、第５図
および第６図は従来のダイシング装置によるダイ
シング加工時の側面図、第７図および第８図はこ
の考案の一実施例のダイシング装置によるダイシ
ング加工時の側面図である。 １……被加工物（半導体ウエーハ）、３，４…
…溝、６……回転ブレード、７ａ，７ｂ……ノズ
ル、８ａ，８ｂ……純水。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ワークを固定するテーブルと、このテーブル上
に配置された回転ブレードと、この回転ブレード
のダイシング加工部近傍に液を噴射するノズルと
を備えたダイシング装置において、 液の噴射方向の異なる複数のノズルを回転ブレ
ードの前後に設けて、ダイシング加工時のワーク
の進行方向に応じて液の噴射方向が同一方向にな
るノズルを選択して使用するようにしたことを特
徴とするダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9496481U JPS58426U (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | ダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9496481U JPS58426U (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | ダイシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58426U JPS58426U (ja) | 1983-01-05 |
| JPS6331927Y2 true JPS6331927Y2 (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=29889886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9496481U Granted JPS58426U (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | ダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58426U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192682A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Nec Electronics Corp | ダイシング方法およびダイシング装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5145691B2 (ja) * | 1973-08-02 | 1976-12-04 | ||
| JPS55112761A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-30 | Disco Abrasive Sys Ltd | Dry type cutting method |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5331509Y2 (ja) * | 1974-10-02 | 1978-08-05 |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP9496481U patent/JPS58426U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5145691B2 (ja) * | 1973-08-02 | 1976-12-04 | ||
| JPS55112761A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-30 | Disco Abrasive Sys Ltd | Dry type cutting method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58426U (ja) | 1983-01-05 |
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