JPS6331927Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6331927Y2 JPS6331927Y2 JP1981094964U JP9496481U JPS6331927Y2 JP S6331927 Y2 JPS6331927 Y2 JP S6331927Y2 JP 1981094964 U JP1981094964 U JP 1981094964U JP 9496481 U JP9496481 U JP 9496481U JP S6331927 Y2 JPS6331927 Y2 JP S6331927Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- semiconductor wafer
- rotating blade
- nozzles
- pure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
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Landscapes
- Details Of Cutting Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はダイシング装置に関し、特に例えば
半導体ウエーハから多数のペレツトを切り出す場
合に好適するダイシング装置に関する。
半導体ウエーハから多数のペレツトを切り出す場
合に好適するダイシング装置に関する。
トランジスタ、ダイオード、サイリスタ、集積
回路等の半導体装置は、第1図に示すように、一
枚の半導体ウエーハ1に多数の半導体装置2を形
成し、X方向およびY方向の溝3および4によつ
て各半導体装置2をペレツト状に切断分離して製
造されている。このペレツタイズ工程には、従来
ダイヤモンドポイント法およびレーザービーム法
が用いられていたが最近ではダイシング法が賞用
されている。このダイシング法は、第2図に示す
ように、回転軸5に回転ブレード6を固定し、回
転ブレード6の周縁部分でX−Yテーブル(図示
せず)上に固定した半導体ウエーハ1に溝3およ
び4を形成するもので、ダイシング加工時の回転
ブレード6の過熱を防止するために、回転ブレー
ド6の一側または両側に配置したノズル7から純
水8を噴射して、回転ブレード6を冷却するよう
になつている。
回路等の半導体装置は、第1図に示すように、一
枚の半導体ウエーハ1に多数の半導体装置2を形
成し、X方向およびY方向の溝3および4によつ
て各半導体装置2をペレツト状に切断分離して製
造されている。このペレツタイズ工程には、従来
ダイヤモンドポイント法およびレーザービーム法
が用いられていたが最近ではダイシング法が賞用
されている。このダイシング法は、第2図に示す
ように、回転軸5に回転ブレード6を固定し、回
転ブレード6の周縁部分でX−Yテーブル(図示
せず)上に固定した半導体ウエーハ1に溝3およ
び4を形成するもので、ダイシング加工時の回転
ブレード6の過熱を防止するために、回転ブレー
ド6の一側または両側に配置したノズル7から純
水8を噴射して、回転ブレード6を冷却するよう
になつている。
ところで、半導体ウエーハ1をダイシング加工
する場合、半導体ウエーハ1を、第3図に示すよ
うに、すべて同一のA1,A2,A3,……のA方向
への送り時のみを利用する場合と、第4図に示す
ように、A1,A2,A3,……方向の送り時と、
B1,B2,B3,……のB方向の戻り時とを利用す
る場合とがある。後者は前者に比較してダイシン
グ加工時間が半減する利点がある。しかしなが
ら、このように半導体ウエーハ1の送り時と戻り
時を利用してダイシング加工する場合、第5図と
第6図から明らかなように、第5図では半導体ウ
エーハ1の移動方向(矢印A)とノズル7からの
純水8の噴射方向が逆方向となり、第6図では半
導体ウエーハ1の移動方向(矢印B)とノズル7
からの純水8の噴射方向が同方向となるので、溝
3または4内のシリコン屑の残存量に差があるこ
とが判明した。。
する場合、半導体ウエーハ1を、第3図に示すよ
うに、すべて同一のA1,A2,A3,……のA方向
への送り時のみを利用する場合と、第4図に示す
ように、A1,A2,A3,……方向の送り時と、
B1,B2,B3,……のB方向の戻り時とを利用す
る場合とがある。後者は前者に比較してダイシン
グ加工時間が半減する利点がある。しかしなが
ら、このように半導体ウエーハ1の送り時と戻り
時を利用してダイシング加工する場合、第5図と
第6図から明らかなように、第5図では半導体ウ
エーハ1の移動方向(矢印A)とノズル7からの
純水8の噴射方向が逆方向となり、第6図では半
導体ウエーハ1の移動方向(矢印B)とノズル7
からの純水8の噴射方向が同方向となるので、溝
3または4内のシリコン屑の残存量に差があるこ
とが判明した。。
それゆえ、この考案の主たる目的は、上述のよ
うに半導体ウエーハのような被加工物を送り時お
よび戻り時の両方を利用してダイシング加工する
場合において、溝内のシリコン屑等の加工屑の残
存をなくすことである。
うに半導体ウエーハのような被加工物を送り時お
よび戻り時の両方を利用してダイシング加工する
場合において、溝内のシリコン屑等の加工屑の残
存をなくすことである。
この考案は要約すると、ノズルを回転ブレード
の前後に設けて、ダイシング加工の進行方向によ
つて前記ノズルを切り換えて使用するようにした
ことを特徴とする。
の前後に設けて、ダイシング加工の進行方向によ
つて前記ノズルを切り換えて使用するようにした
ことを特徴とする。
以下、この考案の一実施例を第7図および第8
図により説明する。第5図および第6図との相違
点は、回転ブレード6の前後に純水の噴射方向が
異なるノズル7aおよび7bを設けたことであ
り、第5図に対応する第7図の状態のダイシング
加工時は、ノズル7aから純水8aを噴射して、
半導体ウエーハ1の進行方向(矢印A)と純水8
aの噴射方向を同一方向とし、かつ第6図に対応
する第8図の状態のダイシング加工時は、ノズル
7bから純水8bを噴射して、半導体ウエーハ1
の進行方向(矢印B)と純水8bの噴射方向を同
一方向とし、常に半導体ウエーハ1の進行方向と
純水8の噴射方向とが同一方向になるようにす
る。そのようにすると、溝3または4内のシリコ
ン屑の洗い流し効果が半導体ウエーハ1の進行方
向が矢印A方向でも同様になり、溝3または4内
のシリコン屑の残存量を著しく少なくできる。
図により説明する。第5図および第6図との相違
点は、回転ブレード6の前後に純水の噴射方向が
異なるノズル7aおよび7bを設けたことであ
り、第5図に対応する第7図の状態のダイシング
加工時は、ノズル7aから純水8aを噴射して、
半導体ウエーハ1の進行方向(矢印A)と純水8
aの噴射方向を同一方向とし、かつ第6図に対応
する第8図の状態のダイシング加工時は、ノズル
7bから純水8bを噴射して、半導体ウエーハ1
の進行方向(矢印B)と純水8bの噴射方向を同
一方向とし、常に半導体ウエーハ1の進行方向と
純水8の噴射方向とが同一方向になるようにす
る。そのようにすると、溝3または4内のシリコ
ン屑の洗い流し効果が半導体ウエーハ1の進行方
向が矢印A方向でも同様になり、溝3または4内
のシリコン屑の残存量を著しく少なくできる。
なお、回転ブレード6の回転方向は図示と逆に
しても同様の効果が得られる。
しても同様の効果が得られる。
上記の構成のダイシング装置は、例えばノズル
7a,7bに電磁バルブを接続し、これらの電磁
バルブを半導体ウエーハ1の進行方向に応じて切
り換えるようにして得られる。
7a,7bに電磁バルブを接続し、これらの電磁
バルブを半導体ウエーハ1の進行方向に応じて切
り換えるようにして得られる。
この考案は半導体ウエーハのような高清浄度を
要求される被加工物に対して特に有効であるが、
ガラスその他の材料のダイシング加工にも利用で
きる。
要求される被加工物に対して特に有効であるが、
ガラスその他の材料のダイシング加工にも利用で
きる。
この考案は以上のように、噴射方向の異なるノ
ズルを回転ブレードの前後に設けて、ダイシング
加工の進行方向によつて前記ノズルを切り換え使
用するようにしたから、ダイシング加工の進行方
向にかかわらず溝内の加工屑の残存量を著しく軽
減できるという効果を奏する。
ズルを回転ブレードの前後に設けて、ダイシング
加工の進行方向によつて前記ノズルを切り換え使
用するようにしたから、ダイシング加工の進行方
向にかかわらず溝内の加工屑の残存量を著しく軽
減できるという効果を奏する。
第1図は半導体ウエーハの平面図、第2図はダ
イシング装置によるダイシング加工時の正面図、
第3図および第4図は異なるダイシング加工法を
説明するための半導体ウエーハの平面図、第5図
および第6図は従来のダイシング装置によるダイ
シング加工時の側面図、第7図および第8図はこ
の考案の一実施例のダイシング装置によるダイシ
ング加工時の側面図である。 1……被加工物(半導体ウエーハ)、3,4…
…溝、6……回転ブレード、7a,7b……ノズ
ル、8a,8b……純水。
イシング装置によるダイシング加工時の正面図、
第3図および第4図は異なるダイシング加工法を
説明するための半導体ウエーハの平面図、第5図
および第6図は従来のダイシング装置によるダイ
シング加工時の側面図、第7図および第8図はこ
の考案の一実施例のダイシング装置によるダイシ
ング加工時の側面図である。 1……被加工物(半導体ウエーハ)、3,4…
…溝、6……回転ブレード、7a,7b……ノズ
ル、8a,8b……純水。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ワークを固定するテーブルと、このテーブル上
に配置された回転ブレードと、この回転ブレード
のダイシング加工部近傍に液を噴射するノズルと
を備えたダイシング装置において、 液の噴射方向の異なる複数のノズルを回転ブレ
ードの前後に設けて、ダイシング加工時のワーク
の進行方向に応じて液の噴射方向が同一方向にな
るノズルを選択して使用するようにしたことを特
徴とするダイシング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9496481U JPS58426U (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | ダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9496481U JPS58426U (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | ダイシング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58426U JPS58426U (ja) | 1983-01-05 |
JPS6331927Y2 true JPS6331927Y2 (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=29889886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9496481U Granted JPS58426U (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | ダイシング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58426U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008192682A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Nec Electronics Corp | ダイシング方法およびダイシング装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5145691B2 (ja) * | 1973-08-02 | 1976-12-04 | ||
JPS55112761A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-30 | Disco Abrasive Sys Ltd | Dry type cutting method |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5331509Y2 (ja) * | 1974-10-02 | 1978-08-05 |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP9496481U patent/JPS58426U/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5145691B2 (ja) * | 1973-08-02 | 1976-12-04 | ||
JPS55112761A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-30 | Disco Abrasive Sys Ltd | Dry type cutting method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58426U (ja) | 1983-01-05 |
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