JPH08277486A - リードフレームのめっき装置 - Google Patents
リードフレームのめっき装置Info
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- JPH08277486A JPH08277486A JP7886695A JP7886695A JPH08277486A JP H08277486 A JPH08277486 A JP H08277486A JP 7886695 A JP7886695 A JP 7886695A JP 7886695 A JP7886695 A JP 7886695A JP H08277486 A JPH08277486 A JP H08277486A
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- tank
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 噴射ノズルからリードフレームに噴射される
めっき液を高温とし電流密度を高め、リードフレームに
対して短時間でめっきを施すこと。 【構成】 透孔４ａを有するマスク用治具４と、プレス
ブロック１との間でリードフレーム２を挟持する。めっ
き液タンク１０内のめっき液が、供給ライン２１によっ
て噴射ノズル５まで導かれ、噴射ノズル５のヒータ１１
によりめっきが加熱されてマスク用治具４の透孔４ａか
らリードフレーム２に対して噴射される。リードフレー
ム２に対して噴射されためっき液は、その後、スパージ
ャー１５の底部から戻りライン２２を経てめっき液タン
ク１０内に戻される。
めっき液を高温とし電流密度を高め、リードフレームに
対して短時間でめっきを施すこと。 【構成】 透孔４ａを有するマスク用治具４と、プレス
ブロック１との間でリードフレーム２を挟持する。めっ
き液タンク１０内のめっき液が、供給ライン２１によっ
て噴射ノズル５まで導かれ、噴射ノズル５のヒータ１１
によりめっきが加熱されてマスク用治具４の透孔４ａか
らリードフレーム２に対して噴射される。リードフレー
ム２に対して噴射されためっき液は、その後、スパージ
ャー１５の底部から戻りライン２２を経てめっき液タン
ク１０内に戻される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに対し
てめっき液を噴射してめっきを施すリードフレームのめ
っき装置に関する。
てめっき液を噴射してめっきを施すリードフレームのめ
っき装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からリードフレームのめっき装置と
して、図４に示すめっき装置が知られている。図４に示
すように、このめっき装置は透孔４ａを有するマスク用
治具４と、このマスク用治具４との間でリードフレーム
２を挟持するプレスブロック１とを備えており、マスク
用治具４の上面にはマスクゴム３が取付けられている。
して、図４に示すめっき装置が知られている。図４に示
すように、このめっき装置は透孔４ａを有するマスク用
治具４と、このマスク用治具４との間でリードフレーム
２を挟持するプレスブロック１とを備えており、マスク
用治具４の上面にはマスクゴム３が取付けられている。
【０００３】マスク用治具４は、外槽１５の上端開口に
設置され、この外槽１５内には、噴射ノズル５が取付け
られた噴射タンク６が配設されている。
設置され、この外槽１５内には、噴射ノズル５が取付け
られた噴射タンク６が配設されている。
【０００４】また外槽１５の外方には、めっき液を貯え
るめっき液タンク１０が配設され、このめっき液タンク
１０と噴射タンク６とは、圧送ポンプ９が取付けられた
供給ライン２１によって連結されている。さらに外槽１
５の底部とめっき液タンク１０とは、戻りライン２２に
よって連結されている。
るめっき液タンク１０が配設され、このめっき液タンク
１０と噴射タンク６とは、圧送ポンプ９が取付けられた
供給ライン２１によって連結されている。さらに外槽１
５の底部とめっき液タンク１０とは、戻りライン２２に
よって連結されている。
【０００５】また、めっき液タンク１０内には、ヒータ
１８および熱電対１９が内臓され、熱電対１９からの信
号に基づいて温調器２０がヒータ１８の入切を行い、め
っき液タンク１０内の温度を約５０℃〜６０℃に維持し
ている。
１８および熱電対１９が内臓され、熱電対１９からの信
号に基づいて温調器２０がヒータ１８の入切を行い、め
っき液タンク１０内の温度を約５０℃〜６０℃に維持し
ている。
【０００６】このようなリードフレームのめっき装置に
おいて、めっき液タンク１０内のめっき液は、圧送ポン
プ９によって噴射タンク６内に供給ライン２１を通って
供給される。さらに噴射タンク６内のめっき液は、噴射
ノズル５からマスク用治具４の透孔４ａを経てリードフ
レーム３に対して噴射される。この場合、リードフレー
ム３を陰極としてこのリードフレーム３に通電され、リ
ードフレーム３に対してめっきが施される。
おいて、めっき液タンク１０内のめっき液は、圧送ポン
プ９によって噴射タンク６内に供給ライン２１を通って
供給される。さらに噴射タンク６内のめっき液は、噴射
ノズル５からマスク用治具４の透孔４ａを経てリードフ
レーム３に対して噴射される。この場合、リードフレー
ム３を陰極としてこのリードフレーム３に通電され、リ
ードフレーム３に対してめっきが施される。
【０００７】リードフレーム３に噴射されためっき液
は、その後外槽１５内に溜まり、外槽１５の底部から戻
りライン２２を通ってめっき液タンク１０内に戻され
る。
は、その後外槽１５内に溜まり、外槽１５の底部から戻
りライン２２を通ってめっき液タンク１０内に戻され
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のようにめっき液
は、めっき液タンク１０内で約６０℃まで加熱されて維
持される。ところでリードフレーム３に対して噴射され
るめっき液を加熱すると、めっき液中を電流が流れ易く
なるので、より高い電流密度をかけることができる。
は、めっき液タンク１０内で約６０℃まで加熱されて維
持される。ところでリードフレーム３に対して噴射され
るめっき液を加熱すると、めっき液中を電流が流れ易く
なるので、より高い電流密度をかけることができる。
【０００９】しかしながら、めっき液タンク１０、供給
ライン２１および戻りライン２２等は、一般に比較的安
価な耐熱塩ビ製となっており、このため、めっき液タン
ク１０内のめっき液を例えば６０℃以上加熱することは
むずかしい。
ライン２１および戻りライン２２等は、一般に比較的安
価な耐熱塩ビ製となっており、このため、めっき液タン
ク１０内のめっき液を例えば６０℃以上加熱することは
むずかしい。
【００１０】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、めっき液タンク１０内のめっき液を高温と
することなく、かつリードフレームに対して高温のめっ
き液を噴射することができるリードフレームのめっき装
置を提供することを目的とする。
ものであり、めっき液タンク１０内のめっき液を高温と
することなく、かつリードフレームに対して高温のめっ
き液を噴射することができるリードフレームのめっき装
置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、透孔を有する
マスク用治具と、このマスク用治具との間でリードフレ
ームを挟持するプレスブロックと、マスク用治具の透孔
近傍に配置され、透孔を通してめっき液をリードフレー
ムに対して噴射する噴射ノズルと、この噴射ノズルに供
給ラインを介して接続され、めっき液を貯えるめっき液
タンクと、リードフレームに対して噴射されためっき液
を、めっき液タンクまで戻す戻りラインとを備え、前記
噴射ノズル又はその上流近傍にめっき液加熱用のヒータ
を取付けたことを特徴とするリードフレームのめっき装
置である。
マスク用治具と、このマスク用治具との間でリードフレ
ームを挟持するプレスブロックと、マスク用治具の透孔
近傍に配置され、透孔を通してめっき液をリードフレー
ムに対して噴射する噴射ノズルと、この噴射ノズルに供
給ラインを介して接続され、めっき液を貯えるめっき液
タンクと、リードフレームに対して噴射されためっき液
を、めっき液タンクまで戻す戻りラインとを備え、前記
噴射ノズル又はその上流近傍にめっき液加熱用のヒータ
を取付けたことを特徴とするリードフレームのめっき装
置である。
【００１２】
【作用】本発明によれば、マスク用治具とプレスブロッ
クとの間でリードフレームを挟持する。めっき液タンク
内のめっき液が、供給ラインを通って噴射ノズルに送ら
れ、めっき液は噴射ノズル又はその上流近傍においてヒ
ータにより加熱された後、噴射ノズルからマスク用治具
の透孔を経てリードフレームに対して噴射される。リー
ドフレームに対して噴射されためっき液は、戻りライン
からめっきタンクまで戻される。
クとの間でリードフレームを挟持する。めっき液タンク
内のめっき液が、供給ラインを通って噴射ノズルに送ら
れ、めっき液は噴射ノズル又はその上流近傍においてヒ
ータにより加熱された後、噴射ノズルからマスク用治具
の透孔を経てリードフレームに対して噴射される。リー
ドフレームに対して噴射されためっき液は、戻りライン
からめっきタンクまで戻される。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明によるリードフレームのめっ
き装置の第１の実施例を示す図である。
て説明する。図１は本発明によるリードフレームのめっ
き装置の第１の実施例を示す図である。
【００１４】図１に示す実施例において、図４に示す部
分と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略す
る。すなわち図１に示すように、めっき装置は透孔４ａ
を有するマスク用治具４と、このマスク用治具４との間
でリードフレーム２を挟持するプレスブロック１とを備
えており、マスク用治具４の上面にはマスクゴム３が取
付けられている。
分と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略す
る。すなわち図１に示すように、めっき装置は透孔４ａ
を有するマスク用治具４と、このマスク用治具４との間
でリードフレーム２を挟持するプレスブロック１とを備
えており、マスク用治具４の上面にはマスクゴム３が取
付けられている。
【００１５】マスク用治具４は、外槽１５の上端開口に
設置され、この外槽１５内には、噴射ノズル５が取付け
られた噴射タンク６が配設されている。
設置され、この外槽１５内には、噴射ノズル５が取付け
られた噴射タンク６が配設されている。
【００１６】また外槽１５の外方には、めっき液を貯え
るめっき液タンク１０が配設され、このめっき液タンク
１０と噴射タンク６とは、圧送ポンプ９が取付けられた
供給ライン２１によって連結されている。さらに外槽１
５の底部とめっき液タンク１０とは、戻りライン２２に
よって連結されている。
るめっき液タンク１０が配設され、このめっき液タンク
１０と噴射タンク６とは、圧送ポンプ９が取付けられた
供給ライン２１によって連結されている。さらに外槽１
５の底部とめっき液タンク１０とは、戻りライン２２に
よって連結されている。
【００１７】また、めっき液タンク１０内には、ヒータ
１８および熱電対１９が内蔵され、熱電対１９からの信
号に基づいて温調器２０がヒータ１８の入切を行い、め
っき液タンク１０内の温度を約３０°〜５０℃に維持し
ている。
１８および熱電対１９が内蔵され、熱電対１９からの信
号に基づいて温調器２０がヒータ１８の入切を行い、め
っき液タンク１０内の温度を約３０°〜５０℃に維持し
ている。
【００１８】また、図１に示すように、各噴射ノズル５
の噴射タンク６側基端部には、噴射タンク６から噴射ノ
ズル５側へ送られるめっき液を更に加熱して、めっき液
温度を７０℃〜９０℃とするヒータ１１が取付けられて
いる。さらにスパージャー外槽１５からめっき液タンク
１０までの戻りライン２２には、戻りライン２２内のめ
っき液を例えば３０℃〜５０℃まで冷却するための冷却
装置２５が設けられている。なお、ヒータ１１を噴射ノ
ズル５の上流側近傍、例えば噴射タンク６に設けてもよ
い。
の噴射タンク６側基端部には、噴射タンク６から噴射ノ
ズル５側へ送られるめっき液を更に加熱して、めっき液
温度を７０℃〜９０℃とするヒータ１１が取付けられて
いる。さらにスパージャー外槽１５からめっき液タンク
１０までの戻りライン２２には、戻りライン２２内のめ
っき液を例えば３０℃〜５０℃まで冷却するための冷却
装置２５が設けられている。なお、ヒータ１１を噴射ノ
ズル５の上流側近傍、例えば噴射タンク６に設けてもよ
い。
【００１９】次に各部の材質について説明する。外槽１
５、噴射タンク６および噴射ノズル５は、ガラスエポキ
シ樹脂またはセラミックからなり、まためっきタンク１
０、供給ライン２１および戻りライン２２は耐熱塩ビま
たは通常の塩ビからなっている。
５、噴射タンク６および噴射ノズル５は、ガラスエポキ
シ樹脂またはセラミックからなり、まためっきタンク１
０、供給ライン２１および戻りライン２２は耐熱塩ビま
たは通常の塩ビからなっている。
【００２０】次にこのような構成からなる本実施例の作
用について説明する。図１においてマスク用治具４のマ
スクゴム３上にリードフレーム２が載置され、このリー
ドフレーム２に対してプレスブロック１が降下し、マス
ク用治具４とプレスブロック１との間でリードフレーム
２が挟持される。次に、めっき液タンク１０内に３０℃
〜５０℃の温度で貯えられためっき液が、圧送ポンプ９
によって供給ライン２１を経て噴射タンク６に供給され
る。めっき液は、更に噴射タンク６から噴射ノズル５を
経て、マスク用治具４の透孔４ａからリードフレーム２
に対して噴射される。この場合、めっき液はヒータ１１
によって７０℃〜９０℃まで加熱され、同時にリードフ
レーム２に対してリードフレーム２を陰極として通電が
行われる。
用について説明する。図１においてマスク用治具４のマ
スクゴム３上にリードフレーム２が載置され、このリー
ドフレーム２に対してプレスブロック１が降下し、マス
ク用治具４とプレスブロック１との間でリードフレーム
２が挟持される。次に、めっき液タンク１０内に３０℃
〜５０℃の温度で貯えられためっき液が、圧送ポンプ９
によって供給ライン２１を経て噴射タンク６に供給され
る。めっき液は、更に噴射タンク６から噴射ノズル５を
経て、マスク用治具４の透孔４ａからリードフレーム２
に対して噴射される。この場合、めっき液はヒータ１１
によって７０℃〜９０℃まで加熱され、同時にリードフ
レーム２に対してリードフレーム２を陰極として通電が
行われる。
【００２１】このようにリードフレーム２に対して通電
することにより、リードフレーム２に対してめっきが施
される。この場合、噴射ノズル５から噴射されるめっき
液の温度を７０℃〜９０℃まで加熱することができるの
で、めっき液の電流密度を高め、リードフレーム２に対
して同一厚さのめっきをより短時間で施すことができ
る。
することにより、リードフレーム２に対してめっきが施
される。この場合、噴射ノズル５から噴射されるめっき
液の温度を７０℃〜９０℃まで加熱することができるの
で、めっき液の電流密度を高め、リードフレーム２に対
して同一厚さのめっきをより短時間で施すことができ
る。
【００２２】リードフレーム２に噴射されためっき液
は、その後、外槽１５の底部まで自重で降下し、めっき
液は外槽１５の底部から戻りライン２２を経てめっき液
タンク１０内に戻る。この間めっき液は、戻りライン２
２の冷却装置２５によって３０℃〜５０℃まで冷却され
る。このように冷却装置２５によって冷却されためっき
液がめっき液タンク１０内に戻されるので、めっき液タ
ンク１０内において、めっき液の温度を３０℃〜５０℃
に保つことができる。
は、その後、外槽１５の底部まで自重で降下し、めっき
液は外槽１５の底部から戻りライン２２を経てめっき液
タンク１０内に戻る。この間めっき液は、戻りライン２
２の冷却装置２５によって３０℃〜５０℃まで冷却され
る。このように冷却装置２５によって冷却されためっき
液がめっき液タンク１０内に戻されるので、めっき液タ
ンク１０内において、めっき液の温度を３０℃〜５０℃
に保つことができる。
【００２３】以上のように本実施例によれば、ヒータ１
１によって７０℃〜９０℃まで高温に加熱しためっき液
を、噴射ノズル５からリードフレーム２に対して噴射す
ることができるとともに、リードフレーム２からのめっ
き液を冷却装置２５によって冷却してめっき液タンク１
０内に戻すことができる。このためリードフレーム２に
対して噴射されるめっき液の電流密度を高め、リードフ
レーム２に対して同一厚さのめっきをより短時間に施す
ことができる。まためっき液タンク１０内において、め
っき液を３０℃〜５０℃に維持して貯えることができる
ので、特にめっき液タンク１０、供給ライン２１および
戻りライン２２を耐熱性材料で作製する必要はない。
１によって７０℃〜９０℃まで高温に加熱しためっき液
を、噴射ノズル５からリードフレーム２に対して噴射す
ることができるとともに、リードフレーム２からのめっ
き液を冷却装置２５によって冷却してめっき液タンク１
０内に戻すことができる。このためリードフレーム２に
対して噴射されるめっき液の電流密度を高め、リードフ
レーム２に対して同一厚さのめっきをより短時間に施す
ことができる。まためっき液タンク１０内において、め
っき液を３０℃〜５０℃に維持して貯えることができる
ので、特にめっき液タンク１０、供給ライン２１および
戻りライン２２を耐熱性材料で作製する必要はない。
【００２４】次に、図２により、本発明の第２の実施例
について説明する。図２に示すように第２の実施例は外
槽を設ける代わりに、マスク用治具４に各噴射ノズル５
を覆う囲い部７を設けるとともに、戻りライン２２に真
空ポンプ１８を設けたものであり、他は図１に示す第１
の実施例と略同一である。
について説明する。図２に示すように第２の実施例は外
槽を設ける代わりに、マスク用治具４に各噴射ノズル５
を覆う囲い部７を設けるとともに、戻りライン２２に真
空ポンプ１８を設けたものであり、他は図１に示す第１
の実施例と略同一である。
【００２５】すなわち、図２に示すように、マスク用治
具４の下部に、各噴射ノズル５を覆う囲い部７が設けら
れ、この囲い部７は噴射タンク６に支持された連通体７
ａに連通している。また連通体７ａは戻りライン２２を
介してめっき液タンク１０に接続され、さらに戻りライ
ン２２には真空ポンプ（吸引ポンプ）１８が取付けられ
ている。
具４の下部に、各噴射ノズル５を覆う囲い部７が設けら
れ、この囲い部７は噴射タンク６に支持された連通体７
ａに連通している。また連通体７ａは戻りライン２２を
介してめっき液タンク１０に接続され、さらに戻りライ
ン２２には真空ポンプ（吸引ポンプ）１８が取付けられ
ている。
【００２６】次にこのような構成からなる本実施例の作
用について説明する。図２に示すように、めっき液タン
ク１０内で３０℃〜５０℃に保たれためっき液は、圧送
ポンプ９によって噴射タンク６まで達し、ヒータ１１に
よって７０℃〜９０℃まで加熱された後、噴射ノズル５
を経てリードフレーム２に対して噴射される。リードフ
レーム２に噴射されためっき液は、その後囲い部７内を
通って連通体７ａに達し、その後、戻りライン２２を通
ってめっき液タンク１０へ戻される。この間、戻りライ
ン２２において、めっき液は冷却装置２５によって３０
℃〜５０℃まで冷却され、真空ポンプ１８によって吸引
されてめっき液タンク１０へ戻される。
用について説明する。図２に示すように、めっき液タン
ク１０内で３０℃〜５０℃に保たれためっき液は、圧送
ポンプ９によって噴射タンク６まで達し、ヒータ１１に
よって７０℃〜９０℃まで加熱された後、噴射ノズル５
を経てリードフレーム２に対して噴射される。リードフ
レーム２に噴射されためっき液は、その後囲い部７内を
通って連通体７ａに達し、その後、戻りライン２２を通
ってめっき液タンク１０へ戻される。この間、戻りライ
ン２２において、めっき液は冷却装置２５によって３０
℃〜５０℃まで冷却され、真空ポンプ１８によって吸引
されてめっき液タンク１０へ戻される。
【００２７】めっき液を高温化した場合、よりめっきが
つきやすくなるため、治具からめっき液が漏れた場合、
その部分にめっきがつき易くなるが、本実施例によれ
ば、噴射ノズル５からリードフレーム２に対して噴射し
ためっき液を、真空ポンプ１８により囲い部７および連
通体７ａを経て吸い出すことにより、治具内部が負圧と
なるため、めっき液が外に漏れにくく、よって、めっき
すべき部分以外にめっきがついてしまうことを起こしに
くい。また、めっき液を強制的に吸い出すことにより、
リードフレームのめっきすべき部分でのめっき液の流れ
が早くなり、めっき液高温化との相乗効果でよりめっき
の高速化を図ることができる。
つきやすくなるため、治具からめっき液が漏れた場合、
その部分にめっきがつき易くなるが、本実施例によれ
ば、噴射ノズル５からリードフレーム２に対して噴射し
ためっき液を、真空ポンプ１８により囲い部７および連
通体７ａを経て吸い出すことにより、治具内部が負圧と
なるため、めっき液が外に漏れにくく、よって、めっき
すべき部分以外にめっきがついてしまうことを起こしに
くい。また、めっき液を強制的に吸い出すことにより、
リードフレームのめっきすべき部分でのめっき液の流れ
が早くなり、めっき液高温化との相乗効果でよりめっき
の高速化を図ることができる。
【００２８】次に図３により、本発明の第３の実施例に
ついて説明する。図３に示すように、第３の実施例は真
空ポンプを設ける代わりに、戻りライン２２にアスピレ
ータ２６を設けたものであり、他は図２に示す第２の実
施例と略同一である。
ついて説明する。図３に示すように、第３の実施例は真
空ポンプを設ける代わりに、戻りライン２２にアスピレ
ータ２６を設けたものであり、他は図２に示す第２の実
施例と略同一である。
【００２９】すなわち、図３に示すように、連通体７ａ
に戻りライン２２が接続され、この戻りライン２２の先
端にアスピレータ２６が設けられている。また、めっき
液タンク１０には、圧送ポンプ２７が取付けられた循環
ライン２８が接続されている。この循環ライン２８は、
めっき液タンク１０からアスピレータ２６まで延び、さ
らに循環ライン２８はめっき液タンク１０に接続されて
いる。
に戻りライン２２が接続され、この戻りライン２２の先
端にアスピレータ２６が設けられている。また、めっき
液タンク１０には、圧送ポンプ２７が取付けられた循環
ライン２８が接続されている。この循環ライン２８は、
めっき液タンク１０からアスピレータ２６まで延び、さ
らに循環ライン２８はめっき液タンク１０に接続されて
いる。
【００３０】次にこのような構成からなる本実施例の作
用について説明する。図３に示すように、めっき液タン
ク１０内で３０℃〜５０℃に保たれためっき液は、圧送
ポンプ９によって噴射タンク６まで達し、ヒータ１１に
よって７０℃〜９０℃まで加熱された後、噴射ノズル５
を経てリードフレーム２に対して噴射される。
用について説明する。図３に示すように、めっき液タン
ク１０内で３０℃〜５０℃に保たれためっき液は、圧送
ポンプ９によって噴射タンク６まで達し、ヒータ１１に
よって７０℃〜９０℃まで加熱された後、噴射ノズル５
を経てリードフレーム２に対して噴射される。
【００３１】リードフレーム２に噴射されためっき液
は、その後囲い部７内を通って連通体７ａに達し、その
後戻りライン２２を通ってめっき液タンク１０へ戻され
る。この間、圧送ポンプ２７によってめっき液タンク１
０内のめっき液が、循環ライン２８中を循環する。そし
て圧送ポンプ２７からの比較的低温のめっき液がアスピ
レータ２６内を通過すると、このアスピレータ２６によ
って連通体７ａ内の比較的高温のめっき液が吸い出さ
れ、アスピレータ２６において圧送ポンプ２７からの比
較的低温のめっき液と連通体７ａからの比較的高温のめ
っき液が混合される。このように、アスピレータ２６は
連通体７ａからのめっき液の吸引と、連通体７ａからの
めっき液の冷却の２つの機能を果す。
は、その後囲い部７内を通って連通体７ａに達し、その
後戻りライン２２を通ってめっき液タンク１０へ戻され
る。この間、圧送ポンプ２７によってめっき液タンク１
０内のめっき液が、循環ライン２８中を循環する。そし
て圧送ポンプ２７からの比較的低温のめっき液がアスピ
レータ２６内を通過すると、このアスピレータ２６によ
って連通体７ａ内の比較的高温のめっき液が吸い出さ
れ、アスピレータ２６において圧送ポンプ２７からの比
較的低温のめっき液と連通体７ａからの比較的高温のめ
っき液が混合される。このように、アスピレータ２６は
連通体７ａからのめっき液の吸引と、連通体７ａからの
めっき液の冷却の２つの機能を果す。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
めっき液を噴射ノズルで加熱した後、マスク用治具の透
孔を経てリードフレームに対して噴射することができる
ので、リードフレームに噴射されるめっき液を高温とし
て電流密度を高め、リードフレームに対してより短時間
でめっきを施すことができる。また噴射ノズルまでめっ
き液を比較的低温で供給することができるので、めっき
液タンクおよび供給ラインを耐熱材料で作製する必要が
なくなる。
めっき液を噴射ノズルで加熱した後、マスク用治具の透
孔を経てリードフレームに対して噴射することができる
ので、リードフレームに噴射されるめっき液を高温とし
て電流密度を高め、リードフレームに対してより短時間
でめっきを施すことができる。また噴射ノズルまでめっ
き液を比較的低温で供給することができるので、めっき
液タンクおよび供給ラインを耐熱材料で作製する必要が
なくなる。
【図１】本発明によるリードフレームのめっき装置の第
１の実施例を示す説明図。
１の実施例を示す説明図。
【図２】本発明によるリードフレームのめっき装置の第
２の実施例を示す説明図。
２の実施例を示す説明図。
【図３】本発明によるリードフレームのめっき装置の第
３の実施例を示す説明図。
３の実施例を示す説明図。
【図４】従来のリードフレームのめっき装置を示す図。
１ プレスブロック ２ リードフレーム ４ マスク用治具 ５ 噴射ノズル ６ 噴射タンク ７ 囲い部 ７ａ 連通体 ９ 圧送ポンプ １０ めっき液タンク １１ ヒータ １５ 外槽 ２１ 供給ライン ２２ 戻りライン ２５ 冷却装置
Claims (2)
- 【請求項１】透孔を有するマスク用治具と、 このマスク用治具との間でリードフレームを挟持するプ
レスブロックと、 マスク用治具の透孔近傍に配置され、透孔を通してめっ
き液をリードフレームに対して噴射する噴射ノズルと、 この噴射ノズルに供給ラインを介して接続され、めっき
液を貯えるめっき液タンクと、 リードフレームに対して噴射されためっき液を、めっき
液タンクまで戻す戻りラインとを備え、 前記噴射ノズル又はその上流近傍にめっき液加熱用のヒ
ータを取付けたことを特徴とするリードフレームのめっ
き装置。 - 【請求項２】マスク用治具に各噴射ノズルを密閉状態で
覆うとともに戻りラインに接続された囲い部を設け、前
記戻りラインに吸引ポンプを取付けたことを特徴とする
請求項１記載のリードフレームのめっき装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP7886695A JPH08277486A (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | リードフレームのめっき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP7886695A JPH08277486A (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | リードフレームのめっき装置 |
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|---|---|
| JPH08277486A true JPH08277486A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=13673755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7886695A Pending JPH08277486A (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | リードフレームのめっき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08277486A (ja) |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004083492A1 (en) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Lg Cable Ltd. | Lead frame plating apparatus |
| WO2005005692A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers |
| EP1582269A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-05 | Lam Research Corporation | Proximity meniscus manifold |
| US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
| EP1601006A2 (en) * | 2004-04-01 | 2005-11-30 | Lam Research Corporation | An apparatus and a method for processing a fluid meniscus |
| US7045018B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-05-16 | Lam Research Corporation | Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same |
| US7069937B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-07-04 | Lam Research Corporation | Vertical proximity processor |
| US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
| US7127831B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-10-31 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
| US7198055B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-03 | Lam Research Corporation | Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
| US7234477B2 (en) | 2000-06-30 | 2007-06-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces |
| KR100799203B1 (ko) * | 2001-09-06 | 2008-01-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임 도금장치 |
| US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
| US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
| US7513262B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-04-07 | Lam Research Corporation | Substrate meniscus interface and methods for operation |
| US7614411B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-11-10 | Lam Research Corporation | Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head |
| US7632376B1 (en) | 2002-09-30 | 2009-12-15 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system |
| US7675000B2 (en) | 2003-06-24 | 2010-03-09 | Lam Research Corporation | System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology |
| US7928366B2 (en) | 2006-10-06 | 2011-04-19 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access |
| US7975708B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-07-12 | Lam Research Corporation | Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method |
| US7997288B2 (en) | 2002-09-30 | 2011-08-16 | Lam Research Corporation | Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate |
| US8062471B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-11-22 | Lam Research Corporation | Proximity head heating method and apparatus |
| US8141566B2 (en) | 2007-06-19 | 2012-03-27 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus |
| US8146902B2 (en) | 2006-12-21 | 2012-04-03 | Lam Research Corporation | Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment |
| WO2012102097A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
| US8236382B2 (en) | 2002-09-30 | 2012-08-07 | Lam Research Corporation | Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same |
| US8464736B1 (en) | 2007-03-30 | 2013-06-18 | Lam Research Corporation | Reclaim chemistry |
| US8580045B2 (en) | 2009-05-29 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer |
| JP2019014950A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | メテック株式会社 | めっき処理システム及びめっき処理方法 |
-
1995
- 1995-04-04 JP JP7886695A patent/JPH08277486A/ja active Pending
Cited By (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7234477B2 (en) | 2000-06-30 | 2007-06-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces |
| KR100799203B1 (ko) * | 2001-09-06 | 2008-01-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임 도금장치 |
| US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
| US7240679B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-07-10 | Lam Research Corporation | System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
| US7632376B1 (en) | 2002-09-30 | 2009-12-15 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system |
| US7389783B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-24 | Lam Research Corporation | Proximity meniscus manifold |
| US7045018B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-05-16 | Lam Research Corporation | Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same |
| US7069937B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-07-04 | Lam Research Corporation | Vertical proximity processor |
| US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
| US7127831B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-10-31 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
| US7153400B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-12-26 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers |
| US7198055B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-03 | Lam Research Corporation | Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
| US8236382B2 (en) | 2002-09-30 | 2012-08-07 | Lam Research Corporation | Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same |
| US7614411B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-11-10 | Lam Research Corporation | Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head |
| US7264007B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-09-04 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a substrate using megasonic power |
| US7293571B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-11-13 | Lam Research Corporation | Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus |
| US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
| US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
| US7513262B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-04-07 | Lam Research Corporation | Substrate meniscus interface and methods for operation |
| US7997288B2 (en) | 2002-09-30 | 2011-08-16 | Lam Research Corporation | Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate |
| WO2004083492A1 (en) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Lg Cable Ltd. | Lead frame plating apparatus |
| US7675000B2 (en) | 2003-06-24 | 2010-03-09 | Lam Research Corporation | System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology |
| WO2005005692A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers |
| US8062471B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-11-22 | Lam Research Corporation | Proximity head heating method and apparatus |
| US8102014B2 (en) * | 2004-03-31 | 2012-01-24 | Lam Research Corporation | Proximity head heating method and apparatus |
| EP1582269A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-05 | Lam Research Corporation | Proximity meniscus manifold |
| EP1601006A3 (en) * | 2004-04-01 | 2005-12-14 | Lam Research Corporation | An apparatus and a method for processing a fluid meniscus |
| EP1601006A2 (en) * | 2004-04-01 | 2005-11-30 | Lam Research Corporation | An apparatus and a method for processing a fluid meniscus |
| US7928366B2 (en) | 2006-10-06 | 2011-04-19 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access |
| US8146902B2 (en) | 2006-12-21 | 2012-04-03 | Lam Research Corporation | Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment |
| US7975708B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-07-12 | Lam Research Corporation | Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method |
| US8464736B1 (en) | 2007-03-30 | 2013-06-18 | Lam Research Corporation | Reclaim chemistry |
| US8141566B2 (en) | 2007-06-19 | 2012-03-27 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus |
| US8580045B2 (en) | 2009-05-29 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer |
| WO2012102097A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
| JP2012153935A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
| US9421569B2 (en) | 2011-01-25 | 2016-08-23 | Tokyo Electron Limited | Plating apparatus, plating method and storage medium |
| JP2019014950A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | メテック株式会社 | めっき処理システム及びめっき処理方法 |
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