JPH0883875A - リードフレームの乾式めっき法 - Google Patents
リードフレームの乾式めっき法Info
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- JPH0883875A JPH0883875A JP24340994A JP24340994A JPH0883875A JP H0883875 A JPH0883875 A JP H0883875A JP 24340994 A JP24340994 A JP 24340994A JP 24340994 A JP24340994 A JP 24340994A JP H0883875 A JPH0883875 A JP H0883875A
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- lead frame
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- lead
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シアン浴等の公害のおそれの高い設備を要す
ること無く簡単な設備で、かつ、短時間でインナーリー
ド部等に部分的にメッキすることができるリードフレー
ムの乾式めっき法を提供する。 【構成】 真空状態に保持可能なめっき室10内にテー
ブル23とノズル24とを設け、テーブル23上にリー
ドフレーム30を載置してX,Y,θ位置制御し、テー
ブル23上のリードフレーム30のインナーリード部3
2またはダイパッド部31等にノズル24から加熱溶融
された銀の超微粒子をキャリアガスに担持して吹き付
け、リードフレーム30のインナーリード部32等に部
分的に金属のめっき34を施すように構成した。
ること無く簡単な設備で、かつ、短時間でインナーリー
ド部等に部分的にメッキすることができるリードフレー
ムの乾式めっき法を提供する。 【構成】 真空状態に保持可能なめっき室10内にテー
ブル23とノズル24とを設け、テーブル23上にリー
ドフレーム30を載置してX,Y,θ位置制御し、テー
ブル23上のリードフレーム30のインナーリード部3
2またはダイパッド部31等にノズル24から加熱溶融
された銀の超微粒子をキャリアガスに担持して吹き付
け、リードフレーム30のインナーリード部32等に部
分的に金属のめっき34を施すように構成した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、リードフレームの乾
式めっき法に関する。
式めっき法に関する。
【0002】
【従来の技術】リードフレームにはチップの搭載前にボ
ンディング性の改善のため金属のめっきがインナーリー
ド部等に部分的に施される。従来、このインナーリード
部等への部分めっきは、湿式めっき法が採用され、洗浄
したリードフレームに銅ストライクめっきを施した後、
めっきマスクを用いて銅ストライクめっきに重ねて銀等
の貴金属めっきをインナーリード部やダイパッド部等に
部分的に施し、次いで、不要な銅めっきを剥離するよう
にしていた。
ンディング性の改善のため金属のめっきがインナーリー
ド部等に部分的に施される。従来、このインナーリード
部等への部分めっきは、湿式めっき法が採用され、洗浄
したリードフレームに銅ストライクめっきを施した後、
めっきマスクを用いて銅ストライクめっきに重ねて銀等
の貴金属めっきをインナーリード部やダイパッド部等に
部分的に施し、次いで、不要な銅めっきを剥離するよう
にしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た湿式めっき法による部分めっきでは、シアン浴への浸
漬及びめっき装置内で液体とともに金属を吹き付けてめ
っきを行うため、長いライン状のめっき装置を必要と
し、かつ、使用する各種金属及び薬品類により発生する
各種の公害対策が不可欠である。また、洗浄に多量の純
水を必要とするという問題があり、さらに、各工程ごと
に洗浄を行わなければならず工程が煩雑化するという問
題もあった。
た湿式めっき法による部分めっきでは、シアン浴への浸
漬及びめっき装置内で液体とともに金属を吹き付けてめ
っきを行うため、長いライン状のめっき装置を必要と
し、かつ、使用する各種金属及び薬品類により発生する
各種の公害対策が不可欠である。また、洗浄に多量の純
水を必要とするという問題があり、さらに、各工程ごと
に洗浄を行わなければならず工程が煩雑化するという問
題もあった。
【0004】特に、湿式めっきでは、不要部に金属を付
着させないように覆うためのめっきマスクを使用する
が、その作製はリードフレームのパターンに合わせてめ
っき部以外を全て覆う他、裏面側にもめっきの裏回り防
止用治具が必要であり、しかも数値制御切削加工機など
で塩化ビニール等の樹脂を精密加工する必要があり、時
間、費用ともに大きな負担であった。特に、小ロットの
場合には、納期の短いことから湿式めっきで対応するこ
とは困難であった。この発明は、上記問題に鑑みてなさ
れたもので、乾式めっき法により簡単な工程でインナー
リード部等を部分的にめっきすることができるリードフ
レームの乾式めっき法を提供することを目的とする。
着させないように覆うためのめっきマスクを使用する
が、その作製はリードフレームのパターンに合わせてめ
っき部以外を全て覆う他、裏面側にもめっきの裏回り防
止用治具が必要であり、しかも数値制御切削加工機など
で塩化ビニール等の樹脂を精密加工する必要があり、時
間、費用ともに大きな負担であった。特に、小ロットの
場合には、納期の短いことから湿式めっきで対応するこ
とは困難であった。この発明は、上記問題に鑑みてなさ
れたもので、乾式めっき法により簡単な工程でインナー
リード部等を部分的にめっきすることができるリードフ
レームの乾式めっき法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係るリードフレームの乾式めっき法は、
リードフレームの真空室中の搬送ライン途中にノズルを
設け、該ノズルから金属の超微粒子をキャリアガスに担
持して噴射し、前記リードフレームのインナーリード部
やダイパッド部等に金属めっきを施すようにした。
め、この発明に係るリードフレームの乾式めっき法は、
リードフレームの真空室中の搬送ライン途中にノズルを
設け、該ノズルから金属の超微粒子をキャリアガスに担
持して噴射し、前記リードフレームのインナーリード部
やダイパッド部等に金属めっきを施すようにした。
【0006】そして、この発明に係るリードフレームの
乾式めっき法は、前記ノズルを複数備え、これら複数の
ノズルからキャリアガスに担持された金属の超微粒子を
同時に噴射して複数のインナーリード部等を同時にめっ
きする態様(請求項2)に構成することができる。
乾式めっき法は、前記ノズルを複数備え、これら複数の
ノズルからキャリアガスに担持された金属の超微粒子を
同時に噴射して複数のインナーリード部等を同時にめっ
きする態様(請求項2)に構成することができる。
【0007】
【作用】この発明に係るリードフレームの乾式めっき法
によれば、ノズルとリードフレームとの相対位置をX,
Y,θ制御等し、加熱された金属の超微粒子をノズルか
らキャリアガスとともにインナーリード部等に向けて吹
き付けることでインナーリード部等の必要部分のみに金
属めっきを形成することができる。したがって、湿式め
っき設備を使用する必要もなく、公害の発生のおそれも
ない。また、湿式めっきに伴う頻繁な洗浄も不要であ
り、簡単な工程かつ簡単な装置でリードフレームにめっ
きを施すことができる。さらに、準備期間を長時間必要
とするめっきマスクを作製せずにメッキできるため、短
納期で小ロット品や試作品に対応することができる。
によれば、ノズルとリードフレームとの相対位置をX,
Y,θ制御等し、加熱された金属の超微粒子をノズルか
らキャリアガスとともにインナーリード部等に向けて吹
き付けることでインナーリード部等の必要部分のみに金
属めっきを形成することができる。したがって、湿式め
っき設備を使用する必要もなく、公害の発生のおそれも
ない。また、湿式めっきに伴う頻繁な洗浄も不要であ
り、簡単な工程かつ簡単な装置でリードフレームにめっ
きを施すことができる。さらに、準備期間を長時間必要
とするめっきマスクを作製せずにメッキできるため、短
納期で小ロット品や試作品に対応することができる。
【0008】そして、請求項2記載のリードフレームの
乾式めっき法によれば、複数のノズルから同時に金属の
超微粒子を噴射するため、複数の部分を一括して同時に
めっきすることができ、めっきに要する時間を短縮でき
る。特に、この発明のリードフレームの乾式めっき法
は、通常用いられる円形状の他に楕円形状あるいは矩形
のノズルを用いることで、ノズルの走査で広範な範囲を
めっきでき、効率的にめっきが行える。
乾式めっき法によれば、複数のノズルから同時に金属の
超微粒子を噴射するため、複数の部分を一括して同時に
めっきすることができ、めっきに要する時間を短縮でき
る。特に、この発明のリードフレームの乾式めっき法
は、通常用いられる円形状の他に楕円形状あるいは矩形
のノズルを用いることで、ノズルの走査で広範な範囲を
めっきでき、効率的にめっきが行える。
【0009】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図1から図3はこの発明の一実施例に係るリー
ドフレームの乾式めっき法を説明する図であり、図1が
同法を実施する装置の模式図、図2が同装置の要部拡大
斜視図、図3aがリードフレームの平面図、図3bが同
リードフレームの正断面図である。
明する。図1から図3はこの発明の一実施例に係るリー
ドフレームの乾式めっき法を説明する図であり、図1が
同法を実施する装置の模式図、図2が同装置の要部拡大
斜視図、図3aがリードフレームの平面図、図3bが同
リードフレームの正断面図である。
【0010】図1において、10はめっき室、11はめ
っき室10と気密的に閉止可能な入口13で連絡した搬
入室、12はめっき室10と気密的に閉止可能な出口1
4で連絡した搬出室であり、搬入室11には、搬送台7
1に収容された多数のリードフレーム30が図示しない
搬入コンベアにより搬入され、搬送台71に収容された
状態でリードフレーム30がめっき室10に搬入され、
また、めっき室10内で銀めっきが施されたリードフレ
ーム30が搬送台71に収容された状態で搬出室12に
搬出される。この搬出室12内のリードフレーム30は
搬送台71に収容されて図示しない搬出コンベアでボン
ディング等の次工程へ搬出される。
っき室10と気密的に閉止可能な入口13で連絡した搬
入室、12はめっき室10と気密的に閉止可能な出口1
4で連絡した搬出室であり、搬入室11には、搬送台7
1に収容された多数のリードフレーム30が図示しない
搬入コンベアにより搬入され、搬送台71に収容された
状態でリードフレーム30がめっき室10に搬入され、
また、めっき室10内で銀めっきが施されたリードフレ
ーム30が搬送台71に収容された状態で搬出室12に
搬出される。この搬出室12内のリードフレーム30は
搬送台71に収容されて図示しない搬出コンベアでボン
ディング等の次工程へ搬出される。
【0011】めっき室10は、図示しない真空吸引装置
と連絡され、めっき作業時において真空状態に維持され
る。このめっき室10内には、入口13に近接した位置
に搬送台71に収容された状態で複数のリードフレーム
30を保留するストック部21が、また、出口14に近
接して銀めっきが施されたリードフレーム30を搬送台
71に収容された状態で保留する複数のストック部22
が設定され、これらストック部21,22間にテーブル
23とノズル24とが設けられる。
と連絡され、めっき作業時において真空状態に維持され
る。このめっき室10内には、入口13に近接した位置
に搬送台71に収容された状態で複数のリードフレーム
30を保留するストック部21が、また、出口14に近
接して銀めっきが施されたリードフレーム30を搬送台
71に収容された状態で保留する複数のストック部22
が設定され、これらストック部21,22間にテーブル
23とノズル24とが設けられる。
【0012】なお、めっき室10内には、また、ストッ
ク部21の搬送台71からテーブル23にリードフレー
ム30を移載する積み替えロボットと、テーブル23か
らストック部22の搬送台71へリードフレーム30を
移載する積み替えロボット、また、搬入室11からスト
ック部21にリードフレーム30を搬送台71に載置さ
れた状態で搬送台71とともに移送する移送ロボット、
ストック部22から搬出室12にリードフレーム30を
搬送台71に載置された状態で搬送台71とともに移送
する移送ロボット等が設けられるが、これらのロボット
の図示と説明は割愛する。
ク部21の搬送台71からテーブル23にリードフレー
ム30を移載する積み替えロボットと、テーブル23か
らストック部22の搬送台71へリードフレーム30を
移載する積み替えロボット、また、搬入室11からスト
ック部21にリードフレーム30を搬送台71に載置さ
れた状態で搬送台71とともに移送する移送ロボット、
ストック部22から搬出室12にリードフレーム30を
搬送台71に載置された状態で搬送台71とともに移送
する移送ロボット等が設けられるが、これらのロボット
の図示と説明は割愛する。
【0013】テーブル23は、上面にリードフレーム3
0を載置可能なXYθテーブルから構成され、図外の制
御装置と接続される。このテーブル23は、上面に載置
されたリードフレーム30の複数のインナーリード部を
順次ノズル24の直下に位置するようにX,Y,θ位置
が制御される。ノズル24は、所定位置に固定的に配置
され、輸送管25と接続し、この輸送管25を介してめ
っき室10外の超微粒子発生装置50に接続される。超
微粒子発生装置50は、ヒータ等の加熱手段を内包し、
また、アルゴンガス等の不活性ガス(キャリアガス)の
供給装置(図示せず)が接続する。この超微粒子発生装
置50は、銀等の金属を加熱溶融して金属の超微粒子を
発生し、この金属微粒子を加圧不活性ガスに担持させて
ノズル24に送給する。
0を載置可能なXYθテーブルから構成され、図外の制
御装置と接続される。このテーブル23は、上面に載置
されたリードフレーム30の複数のインナーリード部を
順次ノズル24の直下に位置するようにX,Y,θ位置
が制御される。ノズル24は、所定位置に固定的に配置
され、輸送管25と接続し、この輸送管25を介してめ
っき室10外の超微粒子発生装置50に接続される。超
微粒子発生装置50は、ヒータ等の加熱手段を内包し、
また、アルゴンガス等の不活性ガス(キャリアガス)の
供給装置(図示せず)が接続する。この超微粒子発生装
置50は、銀等の金属を加熱溶融して金属の超微粒子を
発生し、この金属微粒子を加圧不活性ガスに担持させて
ノズル24に送給する。
【0014】なお、詳細な説明は省略するが、リードフ
レーム30は、図3a,bに示すように、ダイパッド部
31の回りに複数のインナーリード部32を、また、イ
ンナーリード部32の回りに図示しないアウターリード
部を有する。そして、このリードフレーム30は、後述
するように、インナーリード部32先端部とダイパッド
部31とに銀めっき34が部分的に形成される。
レーム30は、図3a,bに示すように、ダイパッド部
31の回りに複数のインナーリード部32を、また、イ
ンナーリード部32の回りに図示しないアウターリード
部を有する。そして、このリードフレーム30は、後述
するように、インナーリード部32先端部とダイパッド
部31とに銀めっき34が部分的に形成される。
【0015】この実施例にあっては、リードフレーム3
0を搬入コンベアにより搬入室11内に搬送し、搬入室
11からめっき室10内に搬入してストック部21に積
上保留する。そして、めっき室10内を真空状態に維持
し、ストック部21からリードフレーム30をロボット
により1つづつ順次テーブル23上に移載し、テーブル
23上のリードフレーム30に向けてノズル24から加
熱された金属の超微粒子、例えば、銀の超微粒子をキャ
リアガスとともに噴射する。この時、図2に示すよう
に、テーブル23をX,Y,θ位置制御してインナーリ
ード部32をノズル24に対し移動させ、ノズル24の
直下に各インナーリード部32の先端およびダイパッド
部31を順次位置させ、これらインナーリード部32の
先端部分およびダイパッド部31に銀めっき34(図
中、斜線を付して示す)を順次形成する。この場合、リ
ードフレームを250℃程度に加熱しておくことが望ま
しく、それにより超微粒子の付着力が増大する。このリ
ードフレームの加熱はホットプレート、赤外線照射など
の既知の加熱手段が用いられる。
0を搬入コンベアにより搬入室11内に搬送し、搬入室
11からめっき室10内に搬入してストック部21に積
上保留する。そして、めっき室10内を真空状態に維持
し、ストック部21からリードフレーム30をロボット
により1つづつ順次テーブル23上に移載し、テーブル
23上のリードフレーム30に向けてノズル24から加
熱された金属の超微粒子、例えば、銀の超微粒子をキャ
リアガスとともに噴射する。この時、図2に示すよう
に、テーブル23をX,Y,θ位置制御してインナーリ
ード部32をノズル24に対し移動させ、ノズル24の
直下に各インナーリード部32の先端およびダイパッド
部31を順次位置させ、これらインナーリード部32の
先端部分およびダイパッド部31に銀めっき34(図
中、斜線を付して示す)を順次形成する。この場合、リ
ードフレームを250℃程度に加熱しておくことが望ま
しく、それにより超微粒子の付着力が増大する。このリ
ードフレームの加熱はホットプレート、赤外線照射など
の既知の加熱手段が用いられる。
【0016】ここで、インナーリード部32の幅が80
μm〜200μmであれば、ノズル24先端とめっき形
成面であるインナーリード部32表面との間の間隔は1
0〜20mm程度が好ましく、また、銀めっき34は通
常1〜5μm、望ましくは2〜4μm程度の厚さに形成
する。ただし、LOC(リード・オン・チップ)で接続
を試みる場合、リード部にパンプめっきして数十μmの
厚めっきすることも可能である。
μm〜200μmであれば、ノズル24先端とめっき形
成面であるインナーリード部32表面との間の間隔は1
0〜20mm程度が好ましく、また、銀めっき34は通
常1〜5μm、望ましくは2〜4μm程度の厚さに形成
する。ただし、LOC(リード・オン・チップ)で接続
を試みる場合、リード部にパンプめっきして数十μmの
厚めっきすることも可能である。
【0017】この後、銀めっき34が施されたリードフ
レーム30をロボットによりストック部22に移載し、
ストック部22に所定の数のリードフレーム30が滞留
すると、ロボットにより搬出室12に搬出して搬出コン
ベアでボンディング等の次工程へ搬送する。
レーム30をロボットによりストック部22に移載し、
ストック部22に所定の数のリードフレーム30が滞留
すると、ロボットにより搬出室12に搬出して搬出コン
ベアでボンディング等の次工程へ搬送する。
【0018】上述したように、この実施例によれば、リ
ードフレーム30を真空状態のめっき室10内のテーブ
ル23に載置し、テーブル23、すなわち、リードフレ
ーム30をX,Y,θ位置制御し、リードフレーム30
の各インナーリード部32の先端部分およびダイパッド
部31のめっき必要部分の必要範囲に位置合わせしてノ
ズル24から銀の超微粒子を順次吹き付けて銀めっきを
行う。このため、まず、銀を不要部に吹き付けることが
なく、また、湿式めっき装置やシアン浴等が不要であ
り、公害発生のおそれが無い簡単な設備で銀めっきを行
え、さらに、銀めっきの処理工程が短縮化される。
ードフレーム30を真空状態のめっき室10内のテーブ
ル23に載置し、テーブル23、すなわち、リードフレ
ーム30をX,Y,θ位置制御し、リードフレーム30
の各インナーリード部32の先端部分およびダイパッド
部31のめっき必要部分の必要範囲に位置合わせしてノ
ズル24から銀の超微粒子を順次吹き付けて銀めっきを
行う。このため、まず、銀を不要部に吹き付けることが
なく、また、湿式めっき装置やシアン浴等が不要であ
り、公害発生のおそれが無い簡単な設備で銀めっきを行
え、さらに、銀めっきの処理工程が短縮化される。
【0019】なお、上述した実施例では、リードフレー
ム30にはダイパッド部31とインナーリード部32先
端部分とに銀めっき34を施すが、図4a,bに示すよ
うにインナーリード部32に銀めっき34を施す、いわ
ゆるリングめっきを行うことも可能であり、また、図5
a,bに示すようにインナーリード部32先端部分のみ
に銀めっき34を施す、いわゆるリング先端銀めっきを
行うことも可能である。さらに、図6a,bに示すよう
にインナーリード部32とダイパッド部31の周縁部分
とに銀めっき34を施すWリング銀めっきを行うことも
可能である。
ム30にはダイパッド部31とインナーリード部32先
端部分とに銀めっき34を施すが、図4a,bに示すよ
うにインナーリード部32に銀めっき34を施す、いわ
ゆるリングめっきを行うことも可能であり、また、図5
a,bに示すようにインナーリード部32先端部分のみ
に銀めっき34を施す、いわゆるリング先端銀めっきを
行うことも可能である。さらに、図6a,bに示すよう
にインナーリード部32とダイパッド部31の周縁部分
とに銀めっき34を施すWリング銀めっきを行うことも
可能である。
【0020】そして、湿式めっきの場合にはメッキしな
い部分をめっきマスクで覆う必要があり、メッキされる
部分が小さい又は狭い程、めっきマスクの作製及び取付
が難しくなるが、上述した各実施例では、細いノズルを
使うことで不要部を除いた部分のみに容易に乾式めっき
することができる。また、湿式めっきではめっきの裏回
りを防ぐためリードフレームの裏面をマスクで覆ってい
たが、上述した各実施例では、裏回りしないので、裏面
マスクを用いること無く、乾式メッキすることができ
る。
い部分をめっきマスクで覆う必要があり、メッキされる
部分が小さい又は狭い程、めっきマスクの作製及び取付
が難しくなるが、上述した各実施例では、細いノズルを
使うことで不要部を除いた部分のみに容易に乾式めっき
することができる。また、湿式めっきではめっきの裏回
りを防ぐためリードフレームの裏面をマスクで覆ってい
たが、上述した各実施例では、裏回りしないので、裏面
マスクを用いること無く、乾式メッキすることができ
る。
【0021】また、上述した実施例では、金属として銀
を例示するが、金、白金、銅等のボンディング性の高い
金属、一般の金属及び各種合金を用いることも可能であ
ることは述べるまでもない。さらに、上述した実施例で
は、リードフレーム30をテーブル23上に載置してリ
ードフレーム30をノズル23に対し移動して位置制御
を行うが、ノズル24を位置調整可能に取り付け、ノズ
ル24を変位させて位置制御を行うことも可能である。
を例示するが、金、白金、銅等のボンディング性の高い
金属、一般の金属及び各種合金を用いることも可能であ
ることは述べるまでもない。さらに、上述した実施例で
は、リードフレーム30をテーブル23上に載置してリ
ードフレーム30をノズル23に対し移動して位置制御
を行うが、ノズル24を位置調整可能に取り付け、ノズ
ル24を変位させて位置制御を行うことも可能である。
【0022】図7および図8にはこの発明の他の実施例
を示し、図7が装置の模式図、図8が要部の拡大斜視図
である。なお、上述した実施例における図1,2と同一
の部分には同一の番号を付して説明を省略する。
を示し、図7が装置の模式図、図8が要部の拡大斜視図
である。なお、上述した実施例における図1,2と同一
の部分には同一の番号を付して説明を省略する。
【0023】この実施例は、めっき室10内にストック
部21,22間でベルトコンベア90を設けるととも
に、ベルトコンベア90近傍にリードフレーム30のイ
ンナーリード部32の数及び配置と対応して複数(本実
施例では、3本)のノズル24a,24b,24cをイ
ンナーリード部32のピッチ及び乾式めっき位置に対応
した位置に配置し、マルチノズルとしたものである。な
お、ノズルの本数はリードフレーム30の形状、リード
数により適宜選択される。
部21,22間でベルトコンベア90を設けるととも
に、ベルトコンベア90近傍にリードフレーム30のイ
ンナーリード部32の数及び配置と対応して複数(本実
施例では、3本)のノズル24a,24b,24cをイ
ンナーリード部32のピッチ及び乾式めっき位置に対応
した位置に配置し、マルチノズルとしたものである。な
お、ノズルの本数はリードフレーム30の形状、リード
数により適宜選択される。
【0024】この実施例によれば、マルチノズル24
a,24b,24cにより複数のインナーリード部32
に一括した1チップ分又は同じパターンの1単位分を同
時に銀めっき34を施すことができる。この場合、リー
ドフレーム30の1単位分内における移動は行う必要が
なく、乾式めっきが1単位分完了する毎に1単位分だけ
送る移動のみで済む。したがって、めっきに要する時間
をより短縮でき、また、テーブルのX,Y制御が不要で
装置を簡素化できる。
a,24b,24cにより複数のインナーリード部32
に一括した1チップ分又は同じパターンの1単位分を同
時に銀めっき34を施すことができる。この場合、リー
ドフレーム30の1単位分内における移動は行う必要が
なく、乾式めっきが1単位分完了する毎に1単位分だけ
送る移動のみで済む。したがって、めっきに要する時間
をより短縮でき、また、テーブルのX,Y制御が不要で
装置を簡素化できる。
【0025】なお、上述した実施例では、インナーリー
ド部32に対応した3本のノズル24a,24b,24
cのみを例示するが、上述した図3,6に示すようにダ
イパッド部31にも銀めっきを行う場合にはインナーリ
ード部32とダイパッド部31とにそれぞれ専用のノズ
ルを設けることができ、特に、ダイパッド部31の周縁
に銀めっき34を行う場合(図6)には矩形環状のノズ
ルを設けることもできる。
ド部32に対応した3本のノズル24a,24b,24
cのみを例示するが、上述した図3,6に示すようにダ
イパッド部31にも銀めっきを行う場合にはインナーリ
ード部32とダイパッド部31とにそれぞれ専用のノズ
ルを設けることができ、特に、ダイパッド部31の周縁
に銀めっき34を行う場合(図6)には矩形環状のノズ
ルを設けることもできる。
【0026】また、上述した各実施例では、ノズル24
の形状に関しては言及しないが、ノズル24の形状はめ
っきを施す部位に応じて種々の形状を選択することがで
きる。すなわち、インナーリード部32先端部分を行う
場合は微小径の円形ノズルが好ましいが、ダイパッド部
31を行う場合は偏平な楕円形状や矩形状のノズルを採
用し、メッキされる部分に対して1回又はできるだけ少
ない回数の吹付で乾式メッキすることにより時間を短縮
化することも可能である。
の形状に関しては言及しないが、ノズル24の形状はめ
っきを施す部位に応じて種々の形状を選択することがで
きる。すなわち、インナーリード部32先端部分を行う
場合は微小径の円形ノズルが好ましいが、ダイパッド部
31を行う場合は偏平な楕円形状や矩形状のノズルを採
用し、メッキされる部分に対して1回又はできるだけ少
ない回数の吹付で乾式メッキすることにより時間を短縮
化することも可能である。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係るリ
ードフレームの乾式めっき法によれば、加熱した金属の
超微粒子をキャリアガスに担持してインナーリード部等
のメッキすべき部分に部分的に吹き付け、金属のめっき
を形成するため、シアン浴等が不要で公害の発生のおそ
れがなく、また、めっきマスクやめっき裏回り防止治具
等も不要で簡単な設備で金属のめっきを行え、全体工程
を短縮化することができるという効果が得られる。
ードフレームの乾式めっき法によれば、加熱した金属の
超微粒子をキャリアガスに担持してインナーリード部等
のメッキすべき部分に部分的に吹き付け、金属のめっき
を形成するため、シアン浴等が不要で公害の発生のおそ
れがなく、また、めっきマスクやめっき裏回り防止治具
等も不要で簡単な設備で金属のめっきを行え、全体工程
を短縮化することができるという効果が得られる。
【0028】そして、請求項2記載の発明に係るリード
フレームの乾式めっき法によれば、複数のノズルから同
時に金属の超微粒子を噴射するため、複数の部分を一括
して同時にめっきすることができ、めっきに要する時間
をより短縮できるという効果が得られる。
フレームの乾式めっき法によれば、複数のノズルから同
時に金属の超微粒子を噴射するため、複数の部分を一括
して同時にめっきすることができ、めっきに要する時間
をより短縮できるという効果が得られる。
【図1】この発明の一実施例にかかるリードフレームの
乾式めっき法を実施する装置の模式図である。
乾式めっき法を実施する装置の模式図である。
【図2】同装置の要部拡大斜視図である。
【図3】同法によりめっきが施されたリードフレームを
示し、aが一部平面図、bが断面図である。
示し、aが一部平面図、bが断面図である。
【図4】同法によりめっきが施されたリードフレームの
他の態様を示し、aが一部平面図、bが一部断面図であ
る。
他の態様を示し、aが一部平面図、bが一部断面図であ
る。
【図5】同法によりめっきが施されたリードフレームの
また他の態様を示し、aが一部平面図、bが一部断面図
である。
また他の態様を示し、aが一部平面図、bが一部断面図
である。
【図6】同法によりめっきが施されたリードフレームの
さらに他の態様を示し、aが一部平面図、bが一部断面
図である。
さらに他の態様を示し、aが一部平面図、bが一部断面
図である。
【図7】この発明の他の実施例に係るリードフレームの
乾式めっき法を実施する装置の模式図である。
乾式めっき法を実施する装置の模式図である。
【図8】同装置の一部拡大斜視図である。
10 めっき室 11 搬入室 12 搬出室 13 入口 14 出口 21 ストック部 22 ストック部 23 テーブル 24 ノズル 24a ノズル 24b ノズル 24c ノズル 25 輸送管 29 ブラケットカバー 30 リードフレーム 31 ダイパッド部 32 インナーリード部 34 銀めっき 50 超微粒子発生装置 71 搬送台 90 ベルトコンベア
Claims (2)
- 【請求項1】 リードフレームの真空室中の搬送ライン
途中にノズルを設け、該ノズルから加熱した金属の超微
粒子をキャリアガスに担持して噴射し、前記リードフレ
ームのインナーリード部またはダイパッド部に金属吹付
めっきを施すようにしたことを特徴とするリードフレー
ムの乾式めっき法。 - 【請求項2】 前記ノズルを複数備え、これら複数のノ
ズルからキャリアガスに担持された金属の超微粒子を噴
射して複数のインナーリード部またはダイパッド部を同
時にめっきするようにした請求項1記載のリードフレー
ムの乾式めっき法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24340994A JPH0883875A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | リードフレームの乾式めっき法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24340994A JPH0883875A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | リードフレームの乾式めっき法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0883875A true JPH0883875A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=17103439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24340994A Pending JPH0883875A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | リードフレームの乾式めっき法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0883875A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6043980A (en) * | 1997-02-24 | 2000-03-28 | Fujitsu Limited | Heat sink and information processor using it |
US6501652B2 (en) | 1997-02-24 | 2002-12-31 | Fujitsu Limited | Heat sink and information processor using it |
KR100493187B1 (ko) * | 1997-11-13 | 2005-09-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 건식도금법을이용한리드프레임과그제조방법 |
CN1308484C (zh) * | 2004-05-20 | 2007-04-04 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 夹具三维运动的控制装置 |
WO2011087119A1 (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN111341748A (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-26 | 恩智浦美国有限公司 | 选择性图案镀层的引线框 |
-
1994
- 1994-09-13 JP JP24340994A patent/JPH0883875A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6172872B1 (en) | 1997-02-24 | 2001-01-09 | Fujitsu Limited | Heat sink and information processor using it |
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US8779569B2 (en) | 2010-01-18 | 2014-07-15 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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