JPH11293489A - リードフレームの両面連続部分めっき処理装置 - Google Patents

リードフレームの両面連続部分めっき処理装置

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JPH11293489A
JPH11293489A JP9928998A JP9928998A JPH11293489A JP H11293489 A JPH11293489 A JP H11293489A JP 9928998 A JP9928998 A JP 9928998A JP 9928998 A JP9928998 A JP 9928998A JP H11293489 A JPH11293489 A JP H11293489A
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plating
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drum
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plating apparatus
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Satoshi Chinda
聡 珍田
Ryoichi Koizumi
良一 小泉
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】リードフレームのインナリードの表裏両面に部
分銀めっきを高速に施すことを可能にする。 【解決手段】リードフレームの搬送方向に前後して第1
および第2のドラム式部分めっき装置21、22を配置
し、各ドラム式部分めっき装置を、それぞれ、部分めっ
き用のマスキング治具24bを周面に有する回転ドラム
24と、該回転ドラムの周面上のリードフレームを外方
向から押さえるプレッシャベルト27と、前記回転ドラ
ム内に設けられめっき液をマスキング治具24bを通し
てリードフレーム12に当ててインナーリード先端の所
定領域のみに銀めっきを施す液噴射ノズル28とで構成
し、前記第1のドラム式部分めっき装置21の回転ドラ
ムにリードフレーム12の片面を接触させ、次いで、第
2のドラム式部分めっき装置22の回転ドラムにリード
フレーム12の他の片面を接触させることにより、リー
ドフレーム12の両面を部分めっき処理する構成とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路チ
ップが搭載されるリードフレームの両面連続部分めっき
処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】トランジスタ、ダイオード、抵抗といっ
た単体部品から、DRAM、MPU(Micro Processor
Unit)、ASIC(Application Specific Integrated
Circuit )などの半導体集積回路チップまで、電子部品
はその素子単体では機能を発揮することはできない。素
子自体を何らかの形でパッケージングすることで初め
て、プリント基板上に搭載することができる。そしてパ
ッケージングのためには、製造工程中では素子を支え、
製品完成後は素子と外部端子との電気的導通を確保する
ために、リードフレームと称する金属製の枠組みが必要
となる。
【0003】電子部品素子のパッケージング法として
は、経済性、作業性等の点から、エポキシ樹脂によるい
わゆるプラスチックモールドが主流である。
【0004】最初に半導体ウェハから切り出された小片
(チップ)は、リードフレームのダイパッド部に搭載さ
れる(ダイボンディング)。次いでチップの電極部とリ
ードフレームのインナーリード部が、金属細線で電気的
に接合される(ワイヤボンディング)。さらに封止樹脂
を用いてトランスファモールドし、アウターリード部の
外装めっき(主にはんだ)およびリード曲げ加工を施す
ことで、プラスチックパッケージICが完成する。
【0005】リードフレームには、ダイボンディング、
ワイヤボンディング、プリント基板実装などのために、
種々の表面処理が施される。その種類は工程に応じてさ
らに詳細に選定される。特にワイヤボンデイング工程で
は、金線をボンディングするためには、インナーリード
先端に金または銀めっきを施すことが必要であるが、金
めっきはコスト増の点で使用が減少し、現在はほとんど
が銀めっきになっている。そしてほとんどすべてのリー
ドフレームは、ICチップがフレームの片面のみに搭載
されることから、搭載面の少なくともインナーリード
に、部分銀めっきを施す構造を取る。しかし最近パッケ
ージ内でのチップ搭載個数を複数個にして、ICパッケ
ージの記憶容量、演算能力、演算速度等を増大させる新
規構造パッケージが提案されてきた。これらも当初はリ
ードフレームの片面に複数個のチップを搭載する構造で
あったが、従来、チップを搭載しなかった裏面にもチッ
プを搭載した両面チップ搭載パッケージも試作生産され
るようになった。この様な構造のパッケージを製造する
ためのリードフレームは、少なくともインナーリードの
表裏両面に、金ワイヤボンディングに必要な銀をめっき
する必要が生じる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述のリードフレーム
を製造するには、3通りほどの方法が考えられる。
【0007】(1)第1の方法は、噴射式高速部分めっ
き処理装置を2回通す方法である。即ち、まず従来通り
の方法で片面の少なくともインナーリード部に選択的に
銀めっきを電析させた後、水洗乾燥させてから、銀めっ
き部分をマスキングし、次いでめっきを施した面の反対
面の少なくともインナーリード部に、同様の工程で銀め
っきを施し、最初にめっきした銀面のマスキング材を剥
離してから、水洗乾燥する方法である。
【0008】しかし、この第1の方法は、表面清浄化、
銅ストライクめっき、置換防止処理、高速銀めっき、不
要な銅ストライクめっき剥離、水洗、乾燥からなる長い
めっき処理工程を2回通さなければならないこと、最初
に施した銀めっき面を適当なマスキング材で被覆し、2
回目の銀めっき処理の際に、最初の銀めっき面が溶解や
汚染等のダメージを受けないように保護しなければなら
ないことなどから、製造方法が繁雑であり、生産性が極
めて悪い。
【0009】(2)第2の方法は、リードフレームの両
面全面を電着レジストまたはドライフィルムレジスト等
で被覆した後、両面の少なくともインナーリード部の銀
めっきを施す部分の材料面を露光現像によって露出させ
る。次に、これを銀めっき液槽に浸漬して、材料が露出
した部分にのみ銀めっきを施す。最後に不要なレジスト
を全て剥離除去し、水洗および乾燥によって製品化する
方法である。
【0010】この第2の方法は、めっき工程は1回であ
るが、レジスト膜の塗布、露光、現像などのフォトファ
ブリケーション工程が必要なこと、銀めっきを浸漬法で
電析させるため、析出速度が遅く生産性が悪いこと、な
どの問題がある。銀めっきの電流密度は浸漬法では20
A/dm2 程度が限界である。
【0011】(3)第3の方法は、高速部分めっき処理
装置を用いて、1回のめっき処理で、リードフレームの
両面の少なくともインナーリードのめっき必要部に銀め
っきを同時に施す方法である。本方法では銀めっき時の
マスク装置に下記のように工夫を施し、リードフレーム
の両面のめっきを行う。
【0012】この第3の方法で用いる部分めっき用マス
ク装置の構造を図3に示す。本来のマスク装置は裏面を
スポンジゴム、シリコンゴム等の軟質材で押さえて、リ
ードフレーム裏面へのめっき液の浸入を防止し、被めっ
き面にのみ部分めっきを行うものであるが、図3のマス
ク装置は、リードフレーム12の裏面にも、めっき液が
回り込むように、めっきを施したい部分のバックプレー
ト41をくりぬいた構造になっている。このため、マス
キング治具43を介してめっき液44を下から高速で噴
流させると、リードピンのすき間からめっき液がバック
プレート41のくりぬいた空孔部42に流れる結果、リ
ードフレーム12に通電すると、被めっき部に同時にめ
っきが施されることになる。
【0013】ただし、上記第3の方法によると、リード
フレーム12の表面についてはめっき液が高速で吹き付
けられるため、電流密度を高くすることができるが、リ
ードフレーム12の裏面については、表面からめっき液
が回り込むために、めっき噴流速が減速されて十分なめ
っきイオンの供給が達成できない。その結果、電流密度
を高く設定できないという問題が生じる。電流密度を無
理に上げると、表面は良好な特性および外観のめっき膜
が得られるが、裏面は焼けめっきとなり、ICパッケー
ジに必要なめっき膜を得ることができなくなる。電流密
度を低く設定すると、生産性が悪い。
【0014】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、表裏両面の少なくともインナリードに部分銀めっき
を施したリードフレームを高速で製造することが可能な
リードフレームの両面連続部分めっき処理装置を提供す
ることにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、発明によるリードフレームの両面連続部分めっき処
理装置は、前処理部、部分めっき装置部および後処理部
から構成されるめっき処理装置において、前記部分めっ
き装置部を、リードフレームの搬送方向に前後して配置
した第1のドラム式部分めっき装置と第2のドラム式部
分めっき装置とで構成し、前記第1および第2のドラム
式部分めっき装置は、それぞれ、リードフレームのめっ
きすべき所定領域以外の部分を覆う部分めっき用のマス
キング治具を周面に有する回転ドラムと、該回転ドラム
の周面の一部に対接されたリードフレームを外方向から
押さえるプレッシャベルトと、前記回転ドラム内に設け
られためっき液噴射ノズルとを有し、めっき液をマスキ
ング治具を通してリードフレームに当てインナーリード
先端の所定領域のみにめっきを施すように構成し、前記
第1のドラム式部分めっき装置の回転ドラムの周面にリ
ードフレームの片面を接触させ、次いで、第2のドラム
式部分めっき装置の回転ドラムの周面にリードフレーム
の他の片面を接触させることにより、リードフレームの
両面を部分めっき処理する構成としたものである(請求
項1)。
【0016】前記第1および第2のドラム式部分めっき
装置は、それぞれインナーリード先端の所定領域のみに
銀めっきを施す構成とする(請求項2)。
【0017】各ドラム式部分めっき装置は、回転ドラム
の周辺にプレッシャベルトで材料のリードフレームを押
し当てて、リール材たるリードフレームを停止させずに
高速めっきを行う構造であるので、高速部分めっき装置
として機能する。この高速な第1のドラム式部分めっき
装置および第2のドラム式部分めっき装置を連続して設
置し、第1の部分めっき装置でリードフレームの片面の
必要部分を部分めっきし、次の第2の部分めっき装置で
その反対面の必要部分を部分めっきする構成である。
【0018】本両面連続部分めっき処理装置は、ドラム
式部分めっき装置を2台連続して設置して部分めっき装
置部を構成し、1台目でリードフレームの片面を、2台
目でその反対面を、それぞれリール材料を停止させずに
高速で部分めっきするものであるので、本めっき処理装
置を用いると、全体として1台のめっき処理装置を通す
だけで、リードフレームの表裏両面の必要部分にめっき
を施すことができる。従って、従来方法の問題がすべて
解決される。すなわち、2回処理で表裏両面にめっきを
施す方法を取る場合に較べ、最初に施しためっき面に被
覆するマスキング処理が不要、電着レジストやドライフ
ィルムレジストの被覆およびフオトファプリケーション
のための機器や設備が不要、図3に示す両面めっき用マ
スク材使用時の、裏面の電流密度低下の心配がなく、高
速でめっきできるため、生産性が極めて高い、などであ
る。
【0019】また、本めっき処理装置は、2台のドラム
式部分めっき装置の1台を、ドラムのみを回してめっき
液を噴流させない空運転状態にすることにより、従来通
りの片面高速部分めっきを行うことができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
【0021】本実施形態における半導体素子用リードフ
レームの両面連続部分めっき処理装置は、図2に示すよ
うに、前処理部10と、両面に部分めっきを行うための
二段の部分めっき装置部20と、後処理部30とを有す
る。
【0022】前処理部10は、送り出し装置部の送り出
しリール11より矢印で示す搬送方向に送り出されたリ
ードフレーム12に良好に銀めっきするためための前処
理として、陰極電解脱脂処理部13、酸洗浄処理部1
4、シアン活性処理部15、銀めっきの密着不良をなく
すための銅ストライクめっき処理部16、めっき不必要
部分への銀の置換析出をなくすための銀置換防止処理部
17の各処理部を有する。
【0023】二段の部分めっき装置部20は、この前処
理されたリードフレーム12の両面の必要な部分にパッ
ケージ組立に必要なめっきを施す装置部分で、ここでは
インナーリード先端にのみ部分銀めっきを施す装置部分
であり、インナーリード先端の片面をめっき処理する第
1のドラム式部分めっき装置21と、次いでインナーリ
ード先端の反対面をめっき処理する第2のドラム式部分
めっき装置22とを、リードフレーム12の搬送方向に
順次有する。
【0024】また、後処理部30は、上記部分めっきさ
れたリードフレーム12に対する銅ストライクめっき剥
離処理部31、水洗・湯洗処理部32、乾燥処理部33
の各処理部を有し、この後処理部30を経たリードフレ
ーム12が巻取リール34にて巻き取られる。
【0025】図1に、上記二段の部分めっき装置部20
を拡大して示す。第1のドラム式部分めっき装置21と
第2のドラム式部分めっき装置22とは、リードフレー
ム12に対する配設方向の上下が逆転しているだけで、
構成自体は同じであるので、同一構成要素には同じ符号
を付して、第1のドラム式部分めっき装置21を主体に
説明する。
【0026】ドラム式部分めっき装置21は、図1に示
すように、2つの支持ローラ23、23により回転自在
に支承されリードフレーム12が対接される回転ドラム
24を有する。また、この回転ドラム24の前後には案
内ローラ25、25が配置されると共に、回転ドラム2
4の案内ローラ25、25と反対側には、リードフレー
ム12に対するプレス部として、前後2つのローラ26
a、26bと1つのテンションローラ26cとに掛け渡
された無端のプレッシャベルト27が配置されている。
この回転ドラム24には、案内ローラ25、25に案内
されてリードフレーム12が半周分ほど巻きかけられ、
そのリードフレーム12の部分は外側から無端のプレッ
シャベルト27により回転ドラム24に押さえ付けられ
ている。
【0027】この回転ドラム24は、マスク部を形成す
る非導電体からなるトッププレート部24aと、リード
フレーム12を支持しリードフレーム12のめっきすべ
き所定領域以外の部分を覆う部分めっき用のマスキング
治具24bとを有する。このマスキング治具24bはシ
リコン樹脂等の非導電体からなる。また、回転ドラム2
4内には、めっき噴射ノズル28が、プレッシャベルト
27により押さえ付けられているリードフレーム12に
向けて配置されている。めっき噴射ノズル28はアノー
ド電極として、またリードフレーム12はカソード電極
として、図示してない定電流源に接続される。
【0028】めっき液が、アノード電極となるめっき噴
射ノズル28の開孔部先端より噴射され、回転ドラム2
4のトッププレート部24aとマスキング治具24bを
通過してリードフレーム12に達し、そのインナーリー
ド先端の所定領域のみに銀めっきが施される。
【0029】上記構成の二段の部分めっき装置部20の
うち、第1のドラム式部分めっき装置21では回転ドラ
ム24がリードフレーム12の下面側に接しているの
で、当該下面側のインナーリード先端の所定領域のみに
銀めっきが施される。この第1のドラム式部分めっき装
置21にて部分銀めっきが施されたリードフレーム12
の部分は、そのまま連続的に第2のドラム式部分めっき
装置22に送られる。この第2のドラム式部分めっき装
置22では、回転ドラム24がリードフレーム12の上
面側に接しているので、当該上面側のインナーリード先
端の所定領域のみが銀めっきされる。
【0030】上記めっき処理装置の使用例を説明する。
【0031】まず、IC搭載用リードフレームのめっき
製造工程において、銅合金からなるリール材状のリード
フレーム12を準備した。これを図2に示す本めっき処
理装置の送り出し装置部たる送り出しリール11に設置
した。そして、送り出しリール11から矢印方向に搬送
されるリードフレーム12に対して、連続で陰極電解脱
脂、酸洗浄、シアン活性、銅ストライクめっき、銀置換
防止の各処理を施した後、本発明の二段の部分めっき装
置部20(図1)における第1段目である第1のドラム
式部分めっき装置21で、リードフレーム12の片面に
おけるインナーリード先端の所定領域に、銀めっきを厚
さ4μmにめっきした。電流密度はl00A/dm2 、め
っき時間は4秒である。
【0032】次いで、第2段目である第2のドラム式部
分めっき装置22で、リードフレーム12の反対面にお
けるインナーリード先端の所定領域に、同じく銀めっき
を厚さ4μmにめっきした。条件は第1段目と同じであ
る。このときのリール材たるリードフレーム12の走行
速度は7m/min である。これはリードフレームの片面
のみをめっきする通常のドラムめっき方法と同じ速度で
あり、ステップ&リピート方式による片面めっき方法の
60〜100%の増速である。
【0033】従って、本めっき装置によれば、リードフ
レーム両面への部分めっきを、高い位置精度をもって高
速に実施することができる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、め
っき処理装置における部分めっき装置部を、リードフレ
ームの搬送方向に前後して配置した第1および第2のド
ラム式部分めっき装置で構成し、その第1および第2の
ドラム式部分めっき装置を、それぞれマスキング治具を
周面に有する回転ドラムとプレッシャベルトと液噴射ノ
ズルとを有してインナーリード先端の所定領域のみにめ
っきを施す構成とし、第1のドラム式部分めっき装置で
リードフレームの片面を部分めっき処理し、次いで、第
2のドラム式部分めっき装置でリードフレームの他の片
面を部分めっき処理することにより、リードフレームの
両面を部分めっき処理する構成としたので、次のような
優れた効果が得られる。
【0035】(1)めっき処理装置全体を1回通すのみ
で、IC、LSI等の半導体集積回路チップを搭載する
リードフレームの両面部分めっきが完成するため、生産
性、低コスト化が可能である。
【0036】(2)2回処理で表裏両面にめっきを施す
方法を採用した場合に必要な、最初に施しためっき面の
マスキング処理を行わなくてよい。
【0037】(3)電着レジストやドライフィルムレジ
ストの被覆およびフォトファブリケションで被めっき部
を露出させる方法に必要な機器や設備が不要である。
【0038】(4)図3に示す両面めっき用マスク材使
用時の、裏面のめっき液停滞に伴う電流密度低下の心配
がなく、高速でめっきできるため、生産性が極めて高
い。
【0039】(5)2台のドラム式部分めっき装置の1
台を空運転すれば、従来の片面高速部分めっき装置とし
て使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の両面連続部分めっき処理装置における
二段の部分めっき装置部を示す図である。
【図2】本発明の両面連続部分めっき処理装置の全体の
構成を示す図である。
【図3】従来の両面めっき用マスク材の断面構造であ
る。
【符号の説明】
10 前処理部 11 送り出しリール(送り出し装置部) 12 リードフレーム 13 陰極電解脱脂処理部 14 酸洗浄処理部 15 シアン活性処理部 16 銅ストライクめっき処理部 17 銀置換防止処理部 20 二段の部分めっき装置部 21 第1のドラム式部分めっき装置 22 第2のドラム式部分めっき装置 23 支持ローラ 24 回転ドラム 24a トッププレート部 24b マスキング治具 25 案内ローラ 26a、26b ローラ 27 プレッシャベルト 30 後処理部 31 銅スト剥離処理部 32 水洗・湯洗処理部 33 乾燥処理部 34 巻取リール

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】前処理部、部分めっき装置部および後処理
    部から構成されるめっき処理装置において、前記部分め
    っき装置部を、リードフレームの搬送方向に前後して配
    置した第1のドラム式部分めっき装置と第2のドラム式
    部分めっき装置とで構成し、前記第1および第2のドラ
    ム式部分めっき装置は、それぞれ、リードフレームのめ
    っきすべき所定領域以外の部分を覆う部分めっき用のマ
    スキング治具を周面に有する回転ドラムと、該回転ドラ
    ムの周面の一部に対接されたリードフレームを外方向か
    ら押さえるプレッシャベルトと、前記回転ドラム内に設
    けられためっき液噴射ノズルとを有し、めっき液をマス
    キング治具を通してリードフレームに当てインナーリー
    ド先端の所定領域のみにめっきを施すように構成し、前
    記第1のドラム式部分めっき装置の回転ドラムの周面に
    リードフレームの片面を接触させ、次いで、第2のドラ
    ム式部分めっき装置の回転ドラムの周面にリードフレー
    ムの他の片面を接触させることにより、リードフレーム
    の両面を部分めっき処理する構成としたことを特徴とす
    るリードフレームの両面連続部分めっき処理装置。
  2. 【請求項2】前記第1および第2のドラム式部分めっき
    装置が、それぞれインナーリード先端の所定領域のみに
    銀めっきを施す構成であることを特徴とする請求項1記
    載のリードフレームの両面連続部分めっき処理装置。
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