JPS6386887A - メツキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 区業　（ｌｒ）Ｉ七１１ 本発明はメッキ方法に関し、特にメッキの厚みを部分的
に変えて形成したい場合に好適なメッキ方法に関する。

差釆皮紅 第４図は樹脂モールド型半導体装置の一例を示すもので
、図中１は半導体ペレット２をマウントした放熱板、３
は複数本−組（図示例では２本だけ示す）のリードで、
−本のリード３ａは放熱板１に連結されている。放熱板
１及びリード３には酸化防止のために例えばニッケルメ
ッキ層４が形成され、さらに耐酸化ニッケルメッキ層５
例えばニッケルーリンメッキ層５が形成されている。そ
してｆ導体ペレ１ト２は半田６を介してメッキ層Ｓ上に
固定されている。７は半導体ペレット２上の電極と他の
リード３ｂとを接続した金属細線、８はｔ導体ペレット
２を含む主要部分を被覆した樹脂外装部を示す。

この半導体装置は半導体ペレット２を放熱板１上にマウ
ントするマウント工程、金属細線７を接続するワイヤボ
ンディング工程、樹脂材にて被覆外装する樹脂モールド
工程、リード３を実装し易い形状に折り曲げるリード折
り曲げ工程等を経て製造される。

ところで、大電力用半導体装置では放熱性を良好にする
ために放熱板材料として熱伝導性の良好な銅が用いられ
るが、銅素地が露出していると、マウント工程の予熱段
階でマウント予定部が酸化してしまい、半田が馴まなく
なるため、放熱板にメッキを施している。こ０メッキ材
として金や銀は半田に対する濡れ性が良好である反面、
コストが高くつき、使用量を必要最小限とするために部
分メッキもなされてきたが、部分メッキするための作業
工数が大きく、最近では全面メッキしても安価なニッケ
ルがメッキ材として多く用いられている。

また二、ケルだけではマウント工程で十分ではないため
、耐酸化二ソケル層を通常全面に積層している。

通常製品としてリード部３にこの半導体装置をプリント
基板等への半田付は性を良好にするために半田メッキ（
図示せず）がなされる。ところが長時間の高温保管（１
７５℃、　７２ｈｒ）後に半田メッキされたリードを折
り曲げ成形すると各メッキ層４．５の界面から剥離する
という問題があった。

そのため、ニッケルメッキ層４は全面メッキしても耐酸
化ニッケルメッキ層５はリード部３に形成しない方が望
ましいことが分かった。

Ｂ　”　　”　　＋ｈ日と このような１１情から耐酸化ニッケルメッキ層５を形成
する際に、リード３にはメッキされないようにマスキン
グする必要がある。

一般的にはり−ド３にマスキングテープを貼り付けたり
、リード３を弾力性のある部材で挟んでメッキ浴に浸漬
することにより放熱板１のみに耐酸化メッキ層５を形成
していたが、前述したように工数がかかる上、マスキン
グテープが７妥であるという問題があった。

・１　　　　　　　゛　　　　た　　の　二本発明は上
記問題点に鑑み提案されたもので、被メッキ部材をメッ
キ浴に浸漬しメッキするに当たって、被メッキ部材に選
択的に気泡を吹きつけることを特徴とする。

１且 本発明では気泡を被メッキ部材の所望部分に付着させ、
所望部分に新鮮なメッキ液が循還するのを防止できるた
め所望部分のメッキ層を他の部分より薄（、あるいはメ
ッキしないようにできる。

支嵐阻 以下に本発明の実施例を第１図から説明する。

図において９は破メッキ部材で、ロール状に巻かれたも
のを連続的に繰り出して連続的に巻き取るようにしてい
る。ＩＯは第１のメッキ浴、ＩＩは第２のメッキ浴、！
８は水洗浴で、繰り出された被メッキ部材９はガイドロ
ーラ１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１３ａ。

１３ｂ　、　１３ｃ　、　１３ｄにガイドされて、各メ
ッキ浴１０．１１に注入されたメッキ液１４．　１５に
順次浸漬される。

メッキ浴１０．　ＩＩから出た被メンキ部材９は図示し
ないが、洗浄され乾燥されて最終的には再び巻き取られ
る。１６は第２メッキ浴１１のメッキ浴１５内で通過す
る液メッキ部材９の所望部分下方に気泡を供給するため
のノズルを示す。

以下、この装置の動作を説明する。先ず、第１のメッキ
液はニッケルメッキ液、第２のメッキ液はニッケルメッ
キ液とすると、被メッキ部材は第１めメッキ浴ＩＯで、
全面二ノケルメＩキされる。

そして洗浄、乾燥され第２のメッキ浴１１に供給される
。このとき、ノズル＋８から気泡が放出されると、被メ
ッキ部材９の所望部分に付着してメッキ液１５を遮断す
る。

そのため、所望部分にメッキ液１５が接触する時間を短
縮できメッキ層を薄く形成する。

尚、ノズル１６のみでは被メッキ部材９の上面にメッキ
することはできないし、気泡が所望しない部分に付着す
る虞もある。

そのような場合には第２図に示すように一組のノズルＩ
Ｇ、ＩＧ°を被メッキ部材９の上下に配置して、メッキ
をしたい方からメッキしたくない方に向かって気泡を吹
きつけるようにしてもよい。

また第３図に示すように気泡をガイドするガイｔ’　１
７ａ、１７ｂを配置し、気泡が所望部分を包むようにし
てもよい。

このようにして被メッキ部材９に部分メッキした後に部
分圧延し、プレス成形して第４図半導体装置用リードフ
レームを製造できる。

汰及 以上のように、本発明によればマスキングテープを貼り
付けたりする作業を質せず部分メッキが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を説明するメッキ装置の模式図、第２図
及び第３図は本発明をより効果的にする実施例を示す正
断面図、第４図は半導体装置の一例を示す側断面図であ
る。 ９・・・被メッキ部材、 １１・・・メッキ浴。 特　許　出　願　人　　　関西日本電気株式会社４２　
図 ｍ　　３　　ｔシ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 被メッキ部材をメッキ浴に浸漬しメッキするに当たって
   、被メッキ部材に選択的に気泡を吹きつけることを特徴
   とするメッキ方法。