JPH09213862A - リードフレームの部分めっき方法 - Google Patents
リードフレームの部分めっき方法Info
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- JPH09213862A JPH09213862A JP8035682A JP3568296A JPH09213862A JP H09213862 A JPH09213862 A JP H09213862A JP 8035682 A JP8035682 A JP 8035682A JP 3568296 A JP3568296 A JP 3568296A JP H09213862 A JPH09213862 A JP H09213862A
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 できるだけ工程数を増やさず、且つ、貴金属
めっき部の表面状態を変化（悪化）させることなく、貴
金属めっきを施すべき所定の部分のみに、貴金属めっき
の下地めっきとしての銅ストライクめっきを形成できる
リードフレームの部分めっき方法を提供する。 【解決手段】 ワイヤボンディング用ないしダイボンデ
ィング用に、外形加工されたリードフレームの一部所定
領域に貴金属をめっき施すリードフレームのめっき方法
であって、順に、（Ａ）外形加工されたリードフレーム
に対し、めっき耐性のあるマスキング部材を用い所定領
域のみ、リードフレームの母材面を露出させる工程と、
（Ｂ）露出した所定領域の母材面上に純銅層をめっきに
より積層させるめっき工程と、（Ｃ）前記純銅層上に貴
金属をめっきにより積層する工程とを有する。
めっき部の表面状態を変化（悪化）させることなく、貴
金属めっきを施すべき所定の部分のみに、貴金属めっき
の下地めっきとしての銅ストライクめっきを形成できる
リードフレームの部分めっき方法を提供する。 【解決手段】 ワイヤボンディング用ないしダイボンデ
ィング用に、外形加工されたリードフレームの一部所定
領域に貴金属をめっき施すリードフレームのめっき方法
であって、順に、（Ａ）外形加工されたリードフレーム
に対し、めっき耐性のあるマスキング部材を用い所定領
域のみ、リードフレームの母材面を露出させる工程と、
（Ｂ）露出した所定領域の母材面上に純銅層をめっきに
より積層させるめっき工程と、（Ｃ）前記純銅層上に貴
金属をめっきにより積層する工程とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，感光性の電着レジスト
等をめっきマスクとして貴金属めっきを施すリードフレ
ームの部分めっき方法に関する。
等をめっきマスクとして貴金属めっきを施すリードフレ
ームの部分めっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、樹脂封止型の半導体装置の組
立部材として用いられる（単層）リードフレームは、プ
レス法もしくはエッチング法により外形加工され、一般
には図５（ａ）に示すように、半導体素子を搭載するた
めのダイパッド５１１と、ダイパッド５１１の周囲に設
けられた半導体素子と結線するためのインナーリード５
１２と、該インナーリード５１２に連続して外部回路と
の結線を行うためのアウターリード５１３、樹脂封止す
る際のダムとなるダムバー５１４、リードフレーム５１
０全体を支持するフレーム（枠）部５１５等を備えてい
る。そして、リードフレーム（単層リードフレーム）５
１０は、通常、コバール、４２合金（４２％ニッケル−
鉄合金）、銅系合金のような導電性に優れた金属から成
り、図５（ｂ）に示すように、ダイパッド５１１に半導
体素子５２０を搭載し、半導体素子５２０の端子（パッ
ド）５２１とインナーリード５１２の先端部とを金など
のワイヤ５３０で結線を行った後に、樹脂５４０にて封
止して、半導体装置５００を作製していた。このよう
に、半導体素子５２０の端子（パッド）５２１とインナ
ーリード５１３の先端部とを金などのワイヤ５３０で結
線を行うために、導電性に優れ、ワイヤとの強い結合力
をもつ銀めっきをインナーリードの半導体素子搭載側先
端部に施す、部分銀めっき処理が一般には採られてい
た。尚、ここでは、ワイヤボンディング用ないしダイボ
ンディング用に、リードフレームのインナーリード先端
部やダイパッド部のみに、部分的にめっきを行う処理を
部分めっきと言っており、銀めっきの場合には部分銀め
っきと言っているが、部分銀めっきに代え、金、白金、
パラジウム、パラジウム合金のような貴金属のめっきを
用いても良い。また、必要に応じて、リードフレーム５
１０にダウンセット加工を施し、ダイパッド５１１とイ
ンナーリードの位置関係を調整してから半導体装置を作
製する。
立部材として用いられる（単層）リードフレームは、プ
レス法もしくはエッチング法により外形加工され、一般
には図５（ａ）に示すように、半導体素子を搭載するた
めのダイパッド５１１と、ダイパッド５１１の周囲に設
けられた半導体素子と結線するためのインナーリード５
１２と、該インナーリード５１２に連続して外部回路と
の結線を行うためのアウターリード５１３、樹脂封止す
る際のダムとなるダムバー５１４、リードフレーム５１
０全体を支持するフレーム（枠）部５１５等を備えてい
る。そして、リードフレーム（単層リードフレーム）５
１０は、通常、コバール、４２合金（４２％ニッケル−
鉄合金）、銅系合金のような導電性に優れた金属から成
り、図５（ｂ）に示すように、ダイパッド５１１に半導
体素子５２０を搭載し、半導体素子５２０の端子（パッ
ド）５２１とインナーリード５１２の先端部とを金など
のワイヤ５３０で結線を行った後に、樹脂５４０にて封
止して、半導体装置５００を作製していた。このよう
に、半導体素子５２０の端子（パッド）５２１とインナ
ーリード５１３の先端部とを金などのワイヤ５３０で結
線を行うために、導電性に優れ、ワイヤとの強い結合力
をもつ銀めっきをインナーリードの半導体素子搭載側先
端部に施す、部分銀めっき処理が一般には採られてい
た。尚、ここでは、ワイヤボンディング用ないしダイボ
ンディング用に、リードフレームのインナーリード先端
部やダイパッド部のみに、部分的にめっきを行う処理を
部分めっきと言っており、銀めっきの場合には部分銀め
っきと言っているが、部分銀めっきに代え、金、白金、
パラジウム、パラジウム合金のような貴金属のめっきを
用いても良い。また、必要に応じて、リードフレーム５
１０にダウンセット加工を施し、ダイパッド５１１とイ
ンナーリードの位置関係を調整してから半導体装置を作
製する。
【０００３】一方、リードフレームの母材上に直接、
金、銀、白金、パラジウム、パラジウム合金等の貴金属
めっきを施した場合には、貴金属めっき剥がれやパッケ
ージクラック、デラミネーションの問題があった。即
ち、リードフレームの母材として４２合金（４２％ニッ
ケル−鉄合金）を用いた場合には、母材と貴金属めっき
との密着性が悪く、貴金属めっき剥がれが生じてしま
い、母材として銅合金を用いた場合には、銅合金と貴金
属めっきとの密着性は充分でなく、半導体装置作製の
際、封止材に龜裂（パッケージクラック）を生じること
があり、更に、半導体装置作製のワイヤボンディング等
の熱処理により封止用樹脂と母材との剥離（デラミネー
ショ）が生じてしまうという問題があった。このため、
通常、リードフレームの母材上に直接貴金属めっきを施
さず、図３に示すように、外形加工されたリードフレー
ム３１０（図３（ａ））の全面に、貴金属めっきの下地
めっきとして、薄い銅めっき３２０（以下これを銅スト
ライクめっきと言う。）を施し（図３（ｂ））、めっき
に耐性のあるマスキング部材を用い、銅ストライクめっ
き３２０上に所定の領域のみ露出させた状態にして、そ
の部分がめっき液に接するようにして貴金属めっき３３
０を施し（図３（ｃ））、この後、貴金属めっき３３０
部以外の露出した銅部を除去し（図３（ｄ））、上記問
題に対応していた。銅ストライクめっきの膜厚は０．１
〜０．５μｍと薄く、均一に得るため、リードフレーム
全体を銅ストライクめっき浴槽に浸漬しながらめっきを
行う浸漬めっき方式を採っていた。また、銀めっきは一
般には図４に示すスパージヤー式（高速ジエッイト式と
も言う）にて膜厚１．５〜１０μｍ程度に設けていた。
尚、図３は図２のＡ１−Ａ２に相当する断面部を示した
ものである。
金、銀、白金、パラジウム、パラジウム合金等の貴金属
めっきを施した場合には、貴金属めっき剥がれやパッケ
ージクラック、デラミネーションの問題があった。即
ち、リードフレームの母材として４２合金（４２％ニッ
ケル−鉄合金）を用いた場合には、母材と貴金属めっき
との密着性が悪く、貴金属めっき剥がれが生じてしま
い、母材として銅合金を用いた場合には、銅合金と貴金
属めっきとの密着性は充分でなく、半導体装置作製の
際、封止材に龜裂（パッケージクラック）を生じること
があり、更に、半導体装置作製のワイヤボンディング等
の熱処理により封止用樹脂と母材との剥離（デラミネー
ショ）が生じてしまうという問題があった。このため、
通常、リードフレームの母材上に直接貴金属めっきを施
さず、図３に示すように、外形加工されたリードフレー
ム３１０（図３（ａ））の全面に、貴金属めっきの下地
めっきとして、薄い銅めっき３２０（以下これを銅スト
ライクめっきと言う。）を施し（図３（ｂ））、めっき
に耐性のあるマスキング部材を用い、銅ストライクめっ
き３２０上に所定の領域のみ露出させた状態にして、そ
の部分がめっき液に接するようにして貴金属めっき３３
０を施し（図３（ｃ））、この後、貴金属めっき３３０
部以外の露出した銅部を除去し（図３（ｄ））、上記問
題に対応していた。銅ストライクめっきの膜厚は０．１
〜０．５μｍと薄く、均一に得るため、リードフレーム
全体を銅ストライクめっき浴槽に浸漬しながらめっきを
行う浸漬めっき方式を採っていた。また、銀めっきは一
般には図４に示すスパージヤー式（高速ジエッイト式と
も言う）にて膜厚１．５〜１０μｍ程度に設けていた。
尚、図３は図２のＡ１−Ａ２に相当する断面部を示した
ものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、貴金属めっき
の下地めっきとして銅ストライクめっきは、リードフレ
ームをめっき液に浸漬し、リードフレームを陰極として
電圧印加を行う方法によりリードフレーム全体に施すた
め、該貴金属めっきを施すべき所定の部分以外にも純銅
が析出してしまう。この為、一般には貴金属めっきを施
した後に、リードフレームを陽極として電圧印加を行
い、貴金属めっき部以外の純銅を取り除く工程を設け、
貴金属めっきを施すべき所定の部分以外の純銅を除去し
ていたが、結果として、母材上に直接貴金属めっきをし
ていた場合より、工程数が増え、製造ライン構成も長い
ものとなっているのが現状である。また、純銅を取り除
く工程の際、貴金属析出電位と逆電位をリードフレーム
に与えるため、貴金属めっきの表面が一部溶解し、表面
状態が変わってしまう。このため外観不良やめっき厚の
不均一が発生する場合がある。更に、置換銀が生じた場
合、純銅を取り除く工程で金属表面の状態が変わってし
まう。本発明は、このような状況のもと、工程数をでき
るだけ増やさず、貴金属めっき部の表面状態を変化（悪
化）させることなく、貴金属めっきを施すべき所定の部
分のみに、貴金属めっきの下地めっきとしての銅ストラ
イクめっきを形成できるリードフレームの部分めっき方
法を提供しようとするものである。
の下地めっきとして銅ストライクめっきは、リードフレ
ームをめっき液に浸漬し、リードフレームを陰極として
電圧印加を行う方法によりリードフレーム全体に施すた
め、該貴金属めっきを施すべき所定の部分以外にも純銅
が析出してしまう。この為、一般には貴金属めっきを施
した後に、リードフレームを陽極として電圧印加を行
い、貴金属めっき部以外の純銅を取り除く工程を設け、
貴金属めっきを施すべき所定の部分以外の純銅を除去し
ていたが、結果として、母材上に直接貴金属めっきをし
ていた場合より、工程数が増え、製造ライン構成も長い
ものとなっているのが現状である。また、純銅を取り除
く工程の際、貴金属析出電位と逆電位をリードフレーム
に与えるため、貴金属めっきの表面が一部溶解し、表面
状態が変わってしまう。このため外観不良やめっき厚の
不均一が発生する場合がある。更に、置換銀が生じた場
合、純銅を取り除く工程で金属表面の状態が変わってし
まう。本発明は、このような状況のもと、工程数をでき
るだけ増やさず、貴金属めっき部の表面状態を変化（悪
化）させることなく、貴金属めっきを施すべき所定の部
分のみに、貴金属めっきの下地めっきとしての銅ストラ
イクめっきを形成できるリードフレームの部分めっき方
法を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
の部分めっき方法は、ワイヤボンディング用ないしダイ
ボンディング用に、外形加工されたリードフレームの一
部所定領域に貴金属をめっき施すリードフレームのめっ
き方法であって、順に、（Ａ）外形加工されたリードフ
レームに対し、めっき耐性のあるマスキング部材を用い
所定領域のみ、リードフレームの母材面を露出させる工
程と、（Ｂ）露出した所定領域の母材面上に純銅層をめ
っきにより形成させるめっき工程と、（Ｃ）前記純銅層
上に貴金属をめっきにより形成する工程とを有すること
を特徴とするものである。そして、上記マスキング部材
が感光性のレジストであることを特徴とするものであ
り、上記感光性のレジストが電着レジストであることを
特徴とするものである。そしてまた、上記貴金属めっき
処理が、金、銀、パラジウム、パラジウム系合金から選
ばれた１種の貴金属めっきであることを特徴とするもの
である。
の部分めっき方法は、ワイヤボンディング用ないしダイ
ボンディング用に、外形加工されたリードフレームの一
部所定領域に貴金属をめっき施すリードフレームのめっ
き方法であって、順に、（Ａ）外形加工されたリードフ
レームに対し、めっき耐性のあるマスキング部材を用い
所定領域のみ、リードフレームの母材面を露出させる工
程と、（Ｂ）露出した所定領域の母材面上に純銅層をめ
っきにより形成させるめっき工程と、（Ｃ）前記純銅層
上に貴金属をめっきにより形成する工程とを有すること
を特徴とするものである。そして、上記マスキング部材
が感光性のレジストであることを特徴とするものであ
り、上記感光性のレジストが電着レジストであることを
特徴とするものである。そしてまた、上記貴金属めっき
処理が、金、銀、パラジウム、パラジウム系合金から選
ばれた１種の貴金属めっきであることを特徴とするもの
である。
【０００６】尚、本発明のリードフレームの部分めっき
方法においては、リードフレーム材としては、４２合金
（４２％ニッケル−鉄合金）、コバール、各種銅合金が
使用可能であり、リードフレームの外形加工としては、
エッチング法あるいはスタンピング法が採られる。マス
キング部材としては、めっき耐性がある感光性レジスト
が用いられ、所定の領域のみを露出させるようにしてリ
ードフレーム全体を被膜する。感光性レジストのリード
フレームへの形成方法としては、電着法、印刷法、ドラ
イフィルムラミネート法が採られる。レジストのタイプ
としては、ポジ型、ネガ型のどちらでも良い。特に、電
着法により形成される電着レジストが好ましい。電着レ
ジストとしては、ポジ型、ネガ型、アニオン析出型、カ
チオン析出型のどちらでも良い。所定の電圧、電流を印
加して、電着レジストを析出させ、熱処理することによ
って、ピンホール等の無い絶縁膜にすることができる。
感光性レジストのパターンニングは、所定の形状を有す
る露光用のパターンを用いて、露光、現像を行い、被め
っき領域の金属部分（下地金属部分）を露出させる。
尚、露光は、使用するレジストのタイプに合わせて使用
し、レジスト膜の露光感度域に発光スペクトルを持つ紫
外線ランプを用いて行う。また、現像は、レジストに適
した現像液、現像条件で行い、被めっき領域のレジスト
膜を溶解除去させる。純銅層の形成は、銅めっき浴槽内
のめっき液にリードフレームを浸漬しながら、リードフ
レームを陰極としてめっきを行う。めっき厚は０．１〜
０．３μｍ程度が好ましい。銅めっき浴としては、銅ス
トライク（シアン）浴、硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴のい
ずれでも良い。貴金属めっきとしては、金めっき、銀め
っき、パラジウムめっき、パラジウム系合金めっきもし
くはパラジウム系複合めっきが使用可能である。各めっ
き液は一般的に市販されているものを用いることが可能
で、めっき方法、めっき条件は各々めっき液に適した方
法、条件を用いる。めっき厚は１．５〜１０μｍ程度が
好ましい。めっき皮膜形成後にレジストを剥離するが、
用いたレジストに適した剥離液、剥離条件で除去し、必
要があれば更に脱脂洗浄する。
方法においては、リードフレーム材としては、４２合金
（４２％ニッケル−鉄合金）、コバール、各種銅合金が
使用可能であり、リードフレームの外形加工としては、
エッチング法あるいはスタンピング法が採られる。マス
キング部材としては、めっき耐性がある感光性レジスト
が用いられ、所定の領域のみを露出させるようにしてリ
ードフレーム全体を被膜する。感光性レジストのリード
フレームへの形成方法としては、電着法、印刷法、ドラ
イフィルムラミネート法が採られる。レジストのタイプ
としては、ポジ型、ネガ型のどちらでも良い。特に、電
着法により形成される電着レジストが好ましい。電着レ
ジストとしては、ポジ型、ネガ型、アニオン析出型、カ
チオン析出型のどちらでも良い。所定の電圧、電流を印
加して、電着レジストを析出させ、熱処理することによ
って、ピンホール等の無い絶縁膜にすることができる。
感光性レジストのパターンニングは、所定の形状を有す
る露光用のパターンを用いて、露光、現像を行い、被め
っき領域の金属部分（下地金属部分）を露出させる。
尚、露光は、使用するレジストのタイプに合わせて使用
し、レジスト膜の露光感度域に発光スペクトルを持つ紫
外線ランプを用いて行う。また、現像は、レジストに適
した現像液、現像条件で行い、被めっき領域のレジスト
膜を溶解除去させる。純銅層の形成は、銅めっき浴槽内
のめっき液にリードフレームを浸漬しながら、リードフ
レームを陰極としてめっきを行う。めっき厚は０．１〜
０．３μｍ程度が好ましい。銅めっき浴としては、銅ス
トライク（シアン）浴、硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴のい
ずれでも良い。貴金属めっきとしては、金めっき、銀め
っき、パラジウムめっき、パラジウム系合金めっきもし
くはパラジウム系複合めっきが使用可能である。各めっ
き液は一般的に市販されているものを用いることが可能
で、めっき方法、めっき条件は各々めっき液に適した方
法、条件を用いる。めっき厚は１．５〜１０μｍ程度が
好ましい。めっき皮膜形成後にレジストを剥離するが、
用いたレジストに適した剥離液、剥離条件で除去し、必
要があれば更に脱脂洗浄する。
【０００７】
【作用】本発明のリードフレームの部分めっき方法は、
このような構成にすることにより、工程数を増やさず、
且つ、貴金属めっき部の表面状態を変化（悪化）させる
ことなく、貴金属めっきを施すべき所定の部分のみに、
貴金属めっきの下地めっきとしての銅ストライクめっき
を形成できるリードフレームの部分めっき方法の提供を
可能とするものである。詳しくは、順に、（Ａ）外形加
工されたリードフレームに対し、マスキング部材を用い
所定領域のみ、リードフレームの母材面を露出させる工
程と、（Ｂ）露出した所定領域の母材面上に純銅層をめ
っきにより形成させるめっき工程と、（Ｃ）前記純銅層
上に貴金属をめっきにより形成する工程とを有すること
により、これを実現している。特に、マスキング部材を
感光性の電着レジストとすることにより、リードフレー
ムの表面に比較的均一にレジストを皮膜することが簡単
にでき、且つ、リードフレーム微細化にも対応できるも
のとしている。貴金属めっき処理が、金、銀、パラジウ
ム、パラジウム系合金から選ばれた１種の貴金属めっき
であることにより、半導体装置作製の際のワイヤボンデ
ィング、ダイボンディングを可能とし、且つ、品質的に
も問題がないものとしている。特に、銀めっきは汎用的
で、金めっき等に比べコスト的にも有利である。
このような構成にすることにより、工程数を増やさず、
且つ、貴金属めっき部の表面状態を変化（悪化）させる
ことなく、貴金属めっきを施すべき所定の部分のみに、
貴金属めっきの下地めっきとしての銅ストライクめっき
を形成できるリードフレームの部分めっき方法の提供を
可能とするものである。詳しくは、順に、（Ａ）外形加
工されたリードフレームに対し、マスキング部材を用い
所定領域のみ、リードフレームの母材面を露出させる工
程と、（Ｂ）露出した所定領域の母材面上に純銅層をめ
っきにより形成させるめっき工程と、（Ｃ）前記純銅層
上に貴金属をめっきにより形成する工程とを有すること
により、これを実現している。特に、マスキング部材を
感光性の電着レジストとすることにより、リードフレー
ムの表面に比較的均一にレジストを皮膜することが簡単
にでき、且つ、リードフレーム微細化にも対応できるも
のとしている。貴金属めっき処理が、金、銀、パラジウ
ム、パラジウム系合金から選ばれた１種の貴金属めっき
であることにより、半導体装置作製の際のワイヤボンデ
ィング、ダイボンディングを可能とし、且つ、品質的に
も問題がないものとしている。特に、銀めっきは汎用的
で、金めっき等に比べコスト的にも有利である。
【０００８】
【実施例】本発明の本発明のリードフレームの部分めっ
き方法を実施例を基に説明する。はじめに、実施例１の
リードフレームの部分めっき方法を挙げる。図１は実施
例リードフレームの部分めっき方法を説明するための工
程図で、図２に示す本実施例のめっき方法により作製さ
れる本発明のリードフレームのＡ１−Ａ２における断面
を示してたものである。図１中、１１０は外形加工後の
リードフレームで、１１１はダイパッド、１１２はイン
ナーリード、１２０は電着レジスト、１３０はフオトマ
スク、１３０Ａは遮光パターン、１３０Ｂは露光光透過
領域、１４０は紫外線（露光光）、１５０はめっき部、
１６０は銅ストライクメッキ、１７０は銀めっき（皮
膜）、１１０Ａは部分めっき後のリードフレームであ
る。本実施例は、エッチング加工方法により外形加工さ
れた０．１５ｍｍ厚の４２合金（４２％ニッケル−鉄合
金）からなるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）タイプのリードフレーム１１０のインナーリード
部、ダイパッド部に銀めっき処理を行ったものである。
先ず、エッチング加工にて得られたリードフレーム１１
０を電解脱脂して、酸洗後に化学研磨を行った（図１
（ａ））後、リードフレーム１１０全体を電着レジスト
槽に浸漬し通電することによって、レジストを析出さ
せ、次いで熱風乾燥して、電着レジスト１２０の被膜を
形成した。（図１（ｂ）） 次いで、めっき部のみを遮光するフオトマスク１３０を
用いて紫外線（露光光）１４０を密着露光して、露光部
のみを硬化させた。（図１（ｃ）） 電着レジストとしては、陰極析出型のネガ型の電着レジ
スト（シプレイ社製品番２１００）を用いた。レジスト
膜厚は約２０μｍである。次いで、現像処理を行い、未
露光部の電着レジスト１２０を除去し、めっき部１５０
を露出させた。（図１（ｄ）） 現像液としては、品番２００５（シプレイ社製）を用い
た。尚、この段階で、めっき部１５０にレジスト残渣
（有機薄膜）が残存している場合には、低圧水銀灯を用
いて空気中で紫外線をめっき部へ照射し、レジスト残渣
（有機薄膜）を分解除去する等の処理を行う。この後、
電着レジストが被膜されたリードフレーム全体を銅スト
ライクめっき浴へいれ、リードフレームを陰極として露
出しているインナーリード先端部とダイパッド部のみ銅
ストライクめっき１６０を施した。（図１（ｅ）） 銅ストライクめっきに用いるめっき液１６２は一般に使
用されているシアン化第一銅とシアン化カリウムの混合
液であり、本実施例では銅濃度４０ｇ／ｌ、ＣＮ- 濃度
２０ｇ／ｌに調整したものを５０°Ｃで使用した。この
めっき液に洗浄したリードフレームを浸漬し、リードフ
レームを陰極として５Ｖの電圧で１０秒間印加した。陽
極１６１は銅めっきに使用される銅板を用い、電圧は定
圧として、所望のめっき厚０．２μｍを得た。次いで、
銅ストライクめっき１６０が施された電着レジスト１２
０に被膜されたリードフレーム１１０全体を銀めっき液
１７２へ浸漬し、リードフレーム１１０を陰極として露
出している銅ストライクめっき１６０が施された箇所上
に銀めっき層１７０を形成した。（図１（ｆ）） 銀めっき層１７０の形成は、銀めっき液中にリードフレ
ーム全体を漬して、攪拌しながら所定の電流密度と時間
でめっきを行い、所望の膜厚の銀めっき（皮膜）５μｍ
を得た。銀めっき液１７２は、シアン化カリウムにリン
酸系あるいはホウ酸系のｐＨ緩衝剤とセレン、硫黄等を
含有した化合物または有機系化合物の光沢剤を添加した
もので、基本的には、図４に示す、リードフレームの所
定の領域のみを露出させるマスク治具を用い、めっき液
を吹き付けるスパージヤー方式（高速ジェット方式とも
言う。）の場合に用いるメッキ液と基本組成は変わらな
いが、銀濃度５０ｇ／ｌ、ＣＮ- 濃度１．０ｇ／ｌ、液
温４０°Ｃ、ｐＨ７．８〜８．２のものをここでは使用
した。図４に示すスパージヤー方式ではめっき液の流速
により物理的に電着レジストが破壊されるため、本実施
例では、攪拌を行っているめっき浴槽にリードフレーム
を浸漬してめっきを行う、浸漬めっき方式を用いた。次
いで、電着レジスト１２０を剥離液品番２００７（シプ
レイ社製）で剥離しした。（図１（ｇ）） この後、必要に応じて、ダウンセット加工を施す。
き方法を実施例を基に説明する。はじめに、実施例１の
リードフレームの部分めっき方法を挙げる。図１は実施
例リードフレームの部分めっき方法を説明するための工
程図で、図２に示す本実施例のめっき方法により作製さ
れる本発明のリードフレームのＡ１−Ａ２における断面
を示してたものである。図１中、１１０は外形加工後の
リードフレームで、１１１はダイパッド、１１２はイン
ナーリード、１２０は電着レジスト、１３０はフオトマ
スク、１３０Ａは遮光パターン、１３０Ｂは露光光透過
領域、１４０は紫外線（露光光）、１５０はめっき部、
１６０は銅ストライクメッキ、１７０は銀めっき（皮
膜）、１１０Ａは部分めっき後のリードフレームであ
る。本実施例は、エッチング加工方法により外形加工さ
れた０．１５ｍｍ厚の４２合金（４２％ニッケル−鉄合
金）からなるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）タイプのリードフレーム１１０のインナーリード
部、ダイパッド部に銀めっき処理を行ったものである。
先ず、エッチング加工にて得られたリードフレーム１１
０を電解脱脂して、酸洗後に化学研磨を行った（図１
（ａ））後、リードフレーム１１０全体を電着レジスト
槽に浸漬し通電することによって、レジストを析出さ
せ、次いで熱風乾燥して、電着レジスト１２０の被膜を
形成した。（図１（ｂ）） 次いで、めっき部のみを遮光するフオトマスク１３０を
用いて紫外線（露光光）１４０を密着露光して、露光部
のみを硬化させた。（図１（ｃ）） 電着レジストとしては、陰極析出型のネガ型の電着レジ
スト（シプレイ社製品番２１００）を用いた。レジスト
膜厚は約２０μｍである。次いで、現像処理を行い、未
露光部の電着レジスト１２０を除去し、めっき部１５０
を露出させた。（図１（ｄ）） 現像液としては、品番２００５（シプレイ社製）を用い
た。尚、この段階で、めっき部１５０にレジスト残渣
（有機薄膜）が残存している場合には、低圧水銀灯を用
いて空気中で紫外線をめっき部へ照射し、レジスト残渣
（有機薄膜）を分解除去する等の処理を行う。この後、
電着レジストが被膜されたリードフレーム全体を銅スト
ライクめっき浴へいれ、リードフレームを陰極として露
出しているインナーリード先端部とダイパッド部のみ銅
ストライクめっき１６０を施した。（図１（ｅ）） 銅ストライクめっきに用いるめっき液１６２は一般に使
用されているシアン化第一銅とシアン化カリウムの混合
液であり、本実施例では銅濃度４０ｇ／ｌ、ＣＮ- 濃度
２０ｇ／ｌに調整したものを５０°Ｃで使用した。この
めっき液に洗浄したリードフレームを浸漬し、リードフ
レームを陰極として５Ｖの電圧で１０秒間印加した。陽
極１６１は銅めっきに使用される銅板を用い、電圧は定
圧として、所望のめっき厚０．２μｍを得た。次いで、
銅ストライクめっき１６０が施された電着レジスト１２
０に被膜されたリードフレーム１１０全体を銀めっき液
１７２へ浸漬し、リードフレーム１１０を陰極として露
出している銅ストライクめっき１６０が施された箇所上
に銀めっき層１７０を形成した。（図１（ｆ）） 銀めっき層１７０の形成は、銀めっき液中にリードフレ
ーム全体を漬して、攪拌しながら所定の電流密度と時間
でめっきを行い、所望の膜厚の銀めっき（皮膜）５μｍ
を得た。銀めっき液１７２は、シアン化カリウムにリン
酸系あるいはホウ酸系のｐＨ緩衝剤とセレン、硫黄等を
含有した化合物または有機系化合物の光沢剤を添加した
もので、基本的には、図４に示す、リードフレームの所
定の領域のみを露出させるマスク治具を用い、めっき液
を吹き付けるスパージヤー方式（高速ジェット方式とも
言う。）の場合に用いるメッキ液と基本組成は変わらな
いが、銀濃度５０ｇ／ｌ、ＣＮ- 濃度１．０ｇ／ｌ、液
温４０°Ｃ、ｐＨ７．８〜８．２のものをここでは使用
した。図４に示すスパージヤー方式ではめっき液の流速
により物理的に電着レジストが破壊されるため、本実施
例では、攪拌を行っているめっき浴槽にリードフレーム
を浸漬してめっきを行う、浸漬めっき方式を用いた。次
いで、電着レジスト１２０を剥離液品番２００７（シプ
レイ社製）で剥離しした。（図１（ｇ）） この後、必要に応じて、ダウンセット加工を施す。
【０００９】次に、実施例２のリードフレームの部分め
っき方法を挙げる。本実施例は、実施例１において電着
レジストの膜厚を３５μｍと厚くし、銀めっきをスパー
ジヤー方式で行ったものである。先ず、実施例１と同様
にして、リードフレーム全面に電着レジストを３５μｍ
の厚さに形成した後、実施例１と同様の工程にて、電着
レジストの露光、現像、銅ストライクめっきを行った。
次いで、図４に示す、スパージヤー方式のめっき装置に
て、銅ストライクめっき上に銀めっき層を形成した。本
実施例の場合、電着レジストをマスキング部材として、
更に、電着レジストの開口部を露出するようにしたマス
キング治具をリードフレームの電着レジストの開口部側
で密着させながら、銀めっき液をリードフレームの銅ス
トライクめっきされた箇所上に吹き付け銀めっき層を形
成した。この後、実施例１と同様にした電着レジストを
剥離した。本実施例においては、銀めっきを図４に示す
スパージヤー方式で施すため、電着レジストとしては、
ノズルから噴出する高速のめっき液による物理的破壊に
耐えることが必要で、厚さを３５μｍと厚くしてある。
また、実施例１の浸漬方式の銀めっきに比べ、めっき時
の電流値を高くすることができ、銀めっき時間を実施例
１の場合に比べ短くできる。
っき方法を挙げる。本実施例は、実施例１において電着
レジストの膜厚を３５μｍと厚くし、銀めっきをスパー
ジヤー方式で行ったものである。先ず、実施例１と同様
にして、リードフレーム全面に電着レジストを３５μｍ
の厚さに形成した後、実施例１と同様の工程にて、電着
レジストの露光、現像、銅ストライクめっきを行った。
次いで、図４に示す、スパージヤー方式のめっき装置に
て、銅ストライクめっき上に銀めっき層を形成した。本
実施例の場合、電着レジストをマスキング部材として、
更に、電着レジストの開口部を露出するようにしたマス
キング治具をリードフレームの電着レジストの開口部側
で密着させながら、銀めっき液をリードフレームの銅ス
トライクめっきされた箇所上に吹き付け銀めっき層を形
成した。この後、実施例１と同様にした電着レジストを
剥離した。本実施例においては、銀めっきを図４に示す
スパージヤー方式で施すため、電着レジストとしては、
ノズルから噴出する高速のめっき液による物理的破壊に
耐えることが必要で、厚さを３５μｍと厚くしてある。
また、実施例１の浸漬方式の銀めっきに比べ、めっき時
の電流値を高くすることができ、銀めっき時間を実施例
１の場合に比べ短くできる。
【００１０】
【発明の効果】本発明のリードフレームの部分めっき方
法は、上記のように、できるだけ工程数を増やさず、且
つ、貴金属めっき部の表面状態を変化（悪化）させるこ
となく、貴金属めっきを施すべき所定の部分のみに、貴
金属めっきの下地めっきとしての銅ストライクめっきを
形成できるリードフレームの部分めっき方法の提供を可
能としている。また、本発明のリードフレームの部分め
っき方法は、特に、めっきのマスキング部材として感光
性の電着レジストを用い、感光性の電着レジストでリー
ドフレーム全体を覆い、めっき必要箇所のみを露出させ
るようにしてめっきを行う為、リードフレームの側面、
裏面への貴金属、不要な析出がないものとしている。こ
の結果、図４に示すスパージヤー式のめっきに比べ、
金、銀、パラジウム、パラジウム系合金等高価な貴金属
の不要な析出を防止でき、低コスト化を可能にしてい
る。
法は、上記のように、できるだけ工程数を増やさず、且
つ、貴金属めっき部の表面状態を変化（悪化）させるこ
となく、貴金属めっきを施すべき所定の部分のみに、貴
金属めっきの下地めっきとしての銅ストライクめっきを
形成できるリードフレームの部分めっき方法の提供を可
能としている。また、本発明のリードフレームの部分め
っき方法は、特に、めっきのマスキング部材として感光
性の電着レジストを用い、感光性の電着レジストでリー
ドフレーム全体を覆い、めっき必要箇所のみを露出させ
るようにしてめっきを行う為、リードフレームの側面、
裏面への貴金属、不要な析出がないものとしている。こ
の結果、図４に示すスパージヤー式のめっきに比べ、
金、銀、パラジウム、パラジウム系合金等高価な貴金属
の不要な析出を防止でき、低コスト化を可能にしてい
る。
【図１】本発明のリードフレームの部分めっき方法の実
施例の工程概略図
施例の工程概略図
【図２】本発明のリードフレームの部分めっき方法によ
り作製されたリードフレームを示した図
り作製されたリードフレームを示した図
【図３】従来の、銅ストライクめっきを施した部分貴金
属めっき方法を説明するための図
属めっき方法を説明するための図
【図４】スパージヤー方式のめっき方法を説明するため
の図
の図
【図５】リードフレーム（単層リードフレーム）の平面
図および半導体装置の断面図
図および半導体装置の断面図
１１０ （外形加工後の）リードフレ
ーム １１０Ａ （部分めっき後の）リードフ
レーム １１１ ダイパッド １１１Ａ タブ吊りバー １１２ インナーリード １１３ アウターリード １１４ ダムバー １１５ 枠（フレーム） １２０ 電着レジスト １３０ フオトマスク １３０Ａ 遮光パターン １３０Ｂ 露光光透過領域 １４０ 紫外線（露光光） １５０ めっき部 １６０ 銅ストライクメッキ １６１ 陽極 １６２ 銅ストライクメッキ液 １７０ 銀めっき（皮膜） １７１ 陽極 １７２ 銀めっき液 ３１０ （外形加工後の）リードフレ
ーム ３１０Ａ （めっき後の）リードフレー
ム ３１１ ダイパッド ３１２ インナーリード ３１３ アウターリード ３２０ 薄い銅めっき（銅ストライ
クめっき） ３３０ 貴金属めっき ４００ めっき装置 ４１０ リードフレーム ４２０ マスキング治具 ４３０ プレス用治具 ４３０Ａ プレス材 ４３０Ｂ 弾性材 ４４０ ノズル ４５０ 定電流源 ４６０ 陽極電極 ４７０ 陰極電極 ５００ 半導体装置 ５１０ リードフレーム ５１１ ダイパッド ５１２ インナーリード ５１３ アウターリード ５１４ ダムバー ５１５ フレーム（枠）部 ５２０ 半導体素子 ５２１ 端子（パッド） ５３０ ワイヤ ５４０ 樹脂
ーム １１０Ａ （部分めっき後の）リードフ
レーム １１１ ダイパッド １１１Ａ タブ吊りバー １１２ インナーリード １１３ アウターリード １１４ ダムバー １１５ 枠（フレーム） １２０ 電着レジスト １３０ フオトマスク １３０Ａ 遮光パターン １３０Ｂ 露光光透過領域 １４０ 紫外線（露光光） １５０ めっき部 １６０ 銅ストライクメッキ １６１ 陽極 １６２ 銅ストライクメッキ液 １７０ 銀めっき（皮膜） １７１ 陽極 １７２ 銀めっき液 ３１０ （外形加工後の）リードフレ
ーム ３１０Ａ （めっき後の）リードフレー
ム ３１１ ダイパッド ３１２ インナーリード ３１３ アウターリード ３２０ 薄い銅めっき（銅ストライ
クめっき） ３３０ 貴金属めっき ４００ めっき装置 ４１０ リードフレーム ４２０ マスキング治具 ４３０ プレス用治具 ４３０Ａ プレス材 ４３０Ｂ 弾性材 ４４０ ノズル ４５０ 定電流源 ４６０ 陽極電極 ４７０ 陰極電極 ５００ 半導体装置 ５１０ リードフレーム ５１１ ダイパッド ５１２ インナーリード ５１３ アウターリード ５１４ ダムバー ５１５ フレーム（枠）部 ５２０ 半導体素子 ５２１ 端子（パッド） ５３０ ワイヤ ５４０ 樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 ワイヤボンディング用ないしダイボンデ
ィング用に、外形加工されたリードフレームの一部所定
領域に貴金属をめっき施すリードフレームのめっき方法
であって、順に、（Ａ）外形加工されたリードフレーム
に対し、めっき耐性のあるマスキング部材を用い所定領
域のみ、リードフレームの母材面を露出させる工程と、
（Ｂ）露出した所定領域の母材面上に純銅層をめっきに
より形成させるめっき工程と、（Ｃ）前記純銅層上に貴
金属をめっきにより形成する工程とを有することを特徴
とするリードフレームの部分めっき方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のマスキング部材が感光性
のレジストであることを特徴とするリードフレームの部
分めっき方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の感光性のレジストが電着
レジストであることを特徴とするリードフレームの部分
めっき方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３記載の貴金属めっき
が、金、銀、パラジウム、パラジウム系合金から選ばれ
た１種の貴金属めっきであることを特徴とするリードフ
レームの部分めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8035682A JPH09213862A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | リードフレームの部分めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8035682A JPH09213862A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | リードフレームの部分めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213862A true JPH09213862A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12448669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8035682A Withdrawn JPH09213862A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | リードフレームの部分めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102723284A (zh) * | 2012-06-09 | 2012-10-10 | 江苏长电科技股份有限公司 | 芯片正装单面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构 |
| JP2013216981A (ja) * | 2013-07-31 | 2013-10-24 | Dainippon Printing Co Ltd | ステンレス基板 |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP8035682A patent/JPH09213862A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102723284A (zh) * | 2012-06-09 | 2012-10-10 | 江苏长电科技股份有限公司 | 芯片正装单面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构 |
| JP2013216981A (ja) * | 2013-07-31 | 2013-10-24 | Dainippon Printing Co Ltd | ステンレス基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030401 |