JP3502201B2

JP3502201B2 - 部分めっき装置

Info

Publication number: JP3502201B2
Application number: JP24046895A
Authority: JP
Inventors: 信宏崎浜; 輝寿百瀬; 真佐美松本
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1995-08-28
Filing date: 1995-08-28
Publication date: 2004-03-02
Anticipated expiration: 2015-08-28
Also published as: JPH0967694A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はシート状ないしフープ状
の被めっき物の部分めっき装置に関し、特に、外形加工
された半導体装置用のリードフレームが複数面付された
枚葉シートないしフープ状のシートにおける各リードフ
レームの少なくともインナーリード部に浸漬法により貴
金属めっきを施すための部分めっき装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、樹脂封止型の半導体装置の組
立部材として用いられる（単層）リードフレームは、プ
レス法もしくはエッチング法により形成され、一般には
図９（ａ）に示すように、半導体素子を搭載するための
ダイパッド９１２と、ダイパッド９１２の周囲に設けら
れた半導体素子と結線するためのインナーリード９１３
と、該インナーリード９１３に連続して外部回路との結
線を行うためのアウターリード９１４、樹脂封止する際
のダムとなるダムバー９１５、リードフレーム９１０全
体を支持するフレーム（枠）部９１６等を備えている。
そして、リードフレーム（単層リードフレーム）９１０
は、通常、コバール、４２合金（４２％ニッケル−鉄合
金）、銅系合金のような導電性に優れた金属から成り、
図９（ｂ）に示すように、ダイパッド９１２に半導体素
子９２０を搭載し、半導体素子９２０の端子（パッド）
９２１とインナーリード９１３の先端部とを金などのワ
イヤ９３０で結線を行った後に、樹脂９４０にて封止し
て、半導体装置９００を作製していた。このように、半
導体素子９２０の端子（パッド）９２１とインナーリー
ド９１３の先端部とを金などのワイヤ９３０で結線を行
うために、導電性に優れ、ワイヤとの強い結合力をもつ
銀めっきを、少なくともインナーリード先端部に施す、
部分銀めっき処理が一般には採られていた。

【０００３】銀めっき処理は、当初、アルカリ性の高い
アルカリシアン浴にリードフレームを浸漬して、リード
フレームの全面に銀めっきを施す方法が採られたが、こ
の方法は、電流密度が数Ａ／ｄｍ²しかとれず、生産性
が低く、毒性のあるシアンを高濃度で使用する必要があ
るため安全性の面で問題があり、且つ、本来必要でない
部分にも銀めっきを施すためコスト面でも問題があっ
た。このような浸漬によるめっき方法において、電流密
度を数Ａ／ｄｍ²しかとれない理由を以下簡単に説明す
る。通常めっきを行う場合、めっきが施される、カソー
ド側では金属のイオン及び自由電子と溶液側の電解質イ
オンにより電気二重層（ヘルムホルツ層と拡散二重層）
が形成され、析出する金属イオンはこの界面を通して電
流が流れることによって進行する。このカソード側の反
応には、反応に関与する物質の金属／溶液界面への補
給、及び金属／溶液界面からの除去といった物質の移動
の過程が含まれている。この物質の移動には（ａ）濃度
勾配による拡散、（ｂ）電位勾配による泳動、（ｃ）溶
液の対流による物質の移動が考えられている。このカソ
ード側の反応の反応速度は電流に等価であり、電気めっ
きは定電流で行われるためこの反応は一定速度で進行す
ると考えられる。しかしながら、金属イオンが析出する
カソード側は、電気二重層の内側にあり、拡散層を通し
ての電位降下が生じるため、拡散層を薄くすることが電
位降下を防ぐこととなり、結果として、金属の析出速度
を速めることにつながる。

【０００４】これに対し、リードフレームの所定の部分
にめっき液をノズル等から吹きつけてめっきを行う部分
めっき方式（高速ジエットめっき方式とも言う）は、ノ
ズルからカソード側にめっき液を適当な流速で噴出させ
ることで、拡散層を薄くして析出速度を速めるという利
点があり、この方式のリードフレームの部分銀めっき処
理が行われるようになった。この方式の部分銀めっき処
理としては、従来は、図７に示すようなめっき装置７０
０を用い、リードフレーム７１０の被めっき領域以外を
マスキング治具７２０で覆いながら押さえ、被めっき領
域へノズル７４０から噴出されためっき液７８０をあて
ながらめっきを行うスパージャー式の治具めっき方法が
主に行われていた。尚、めっき浴としては，通常中性に
近い中性シアン浴あるいは弱アルカリ浴を用いるのが一
般的である。この部分めっき方法では、リードフレーム
の品種毎に治具を必要とし、且つ、治具の製作には長期
間を要し、使用するにつれ摩耗や疲労を生じるため交換
が必要であり、生産性の面やコスト面でも問題となって
いた。また、めっきの品質を考慮した場合、位置決めピ
ンによって位置合わせを行い上下の治具により１連リー
ドフレームを挾み押さえた後めっきを行うため、めっき
位置精度、めっき厚均一性などのめっき品質が作製され
た治具の精度や取り付けの精度に影響を受け易い。そし
て、本来めっきが不要であるリードフレームの側面や裏
面にめっきが析出し易く、調整には高度な経験的技術を
要する等問題があった。更に、半導体プロセスの進歩に
よる半導体素子の入出力端子数の増大化、パッケージサ
イズのシュリング化によるインナーリード部の狭小化に
より、めっき部の寸法精度が一層厳しくなってきてお
り、寸法精度的にも対応が難しくなってきた。

【０００５】この為、治具を必要とせず、半導体素子の
多端子化やインナーリード部の狭小化にも対応できるも
のとして、近年、上記治具によるマスキングによる部分
銀めっきに換え、図８に示すような、めっき液への耐性
を備えた感光性の電着レジストを用い、リードフレーム
の所定の領域のみをめっき液に露出した状態にマスキン
グしてめっき浴に浸漬しながらめっきを施すリードフレ
ームの銀めっき方法が採られるようになってきた。この
部分銀めっき方法を、図８を用いて簡単に説明する。
尚、図８は電着レジストを用いた部分銀めっき方法を説
明するために、リードフレームの一部（特徴部）の断面
を示したものである。先ず、リードフレーム８１０全体
を電解脱脂し、酸洗し、化学研磨した後（図８
（ａ））、リードフレーム８１０表面全体に下地めっき
としての銅ストライクめっき８２０を施した（図８
（ｂ））後、全面に電着レジスト８３０を形成する。
（図８（ｃ））次いで、所定のフオトマスク８４０を用いて所定の部分
を紫外線（露光光）８５０で露光して、露光部のみを硬
化させ（図８（ｄ））、次いで、現像処理を行い、未露
光部の電着レジスト８３０を除去し、めっき部を露出さ
せる。（図８（ｅ））次に、露出されためっき部８６０へ酸洗浄を行った後、
銀めっき液中にリードフレーム全体を浸漬して、所定の
電流密度と時間でめっきを行い、めっき部８６０へ所望
の膜厚の銀めっき（皮膜）８９０を得る。（図８
（ｆ））この後、電着レジスト８３０を剥離液で剥離し、所定の
領域のみに銀めっき（皮膜）８６０を有するリードフレ
ーム８１０Ａを得る。（図８（ｇ））尚、めっき処理の前処理としては、酸洗浄の他には、ア
ルカリ洗浄等が、必要に応じて、電着レジストが損傷さ
れない程度に施される。また、銅ストライクめっきは、
リードフレーム素材が銅系合金である場合には、Ｓｎ、
Ｎｉ等の不純物が含まれるため、銀めっきの下地金属と
して薄く銅めっきするものであるが、必ずしも必要とは
しない。リードフレーム素材の上に、直接、銀めっきを
施す場合もある。この場合は銀めっきの下地金属はリー
ドフレーム素材となる。

【０００６】最近は、銀めっきに代えて、貴金属として
パラジウム、もしくはパラジウム系合金をリードフレー
ムにめっき法で形成するようになってきたが、この場合
にも、リードフレーム全面にめっきを施すことが割高と
なることから、部分的に必要な領域のみにめっきを施す
ようになり、銀めっきの場合と同じように、治具を用い
たマスキング方法の他に、めっき液への耐性を備えた感
光性の電着レジストを用いたマスキング方法が採られよ
うになってきた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、めっき液への耐性を備えた感光性の電着レジス
トを用いたマスキング方法においては、電着レジストで
リードフレーム全体を被覆し、所定のパターン形状が形
成されている露光用マスクを介して露光を行い、所定の
現像液にて不要な部分を溶かし、乾燥を行い、所定の形
状の電着レジストによるマスクを形成した後に、めっき
液に浸漬してめっきを行い、銀、パラジウム、パラジウ
ム系合金等の貴金属の皮膜を形成するが、この方法の場
合も基本的には、浸漬めっき方法であるため、電流密度
が数Ａ／ｄｍ²しかとれず、生産性が低く、毒性のある
シアンを高濃度で使用する必要があるため安全性の面で
問題が残っていた。また、前記めっき液への耐性を備え
た感光性の電着レジストをマスクとして用いてマスキン
グして浸漬してめっきする方法においては、例えば、被
めっき物がエッチング加工等により外形加工された半導
体装置用リードフレームを複数個面付けした枚葉シート
ないしフープ状のシートで、その一部をめっき槽のめっ
き液中に浸漬させながら、連続的に搬送し、少なくとも
インナーリード部にワイヤボンディング用の貴金属めっ
きを施す場合には、被めっき物（シート）の移動によ
り、めっきのムラ（バラツキ）が多くなるという問題も
あり、エッチング加工に引続き連続してめっきを施すよ
うな量産性に適したシステム（工程）をつくろうとした
場合には大きな問題となっていた。本発明は、このよう
な状況のもと、めっき液への耐性を備えた感光性のレジ
スト等を用い、めっき付着の必要のない部分のみをマス
キングした状態でめっき液に浸漬して部分めっきを行う
部分めっき装置において、電流密度を上げ、めっき効率
を上げることができるめっき装置を提供しようとするも
のであり、同時に、被めっき物を連続移動させながらめ
っきを行っても、めっきムラ（膜厚バラツキ）が少なく
できるめっき装置を提供しようとするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の部分めっき装置
は、所定の領域がめっき液への耐性を備えたマスクによ
りマスキングされた枚葉シートないしフープ状のシート
からなる被めっき物に対し、少なくともその一部をめっ
き槽のめっき液中に浸漬させながら、連続的に搬送し、
該被めっき物の所望の部分にめっきを施す部分めっき装
置であって、めっき液に２０〜２００Ｈｚの低周波数振
動による攪拌を与える低周波振動攪拌部を設けており、
アノードとしてワイヤを、被めっき物の進行方向に対し
て所定の角度で、且つ複数本所定のピッチで設けている
ことを特徴とするものである。そして、上記において、
枚葉シートないしフープ状のシートからなる被めっき物
が、エッチング加工等により外形加工された半導体装置
用リードフレームを複数個面付けしたものであり、少な
くともインナーリード部に貴金属めっきを施すものであ
ることを特徴とするものである。そしてまた、上記にお
いて、アノードとしてワイヤを、被めっき物の進行方向
に対して平行および直交に、１０〜１００ｍｍ間隔の網
目状として設けたことを特徴とするものである。また、
上記において、アノード（陽極）としてワイヤを、白金
ワイヤまたは白金被膜チタンワイヤとしたことを特徴と
するものである。上記において、ワイヤ（アノード）
は、被めっき物の搬送速度やめっき条件に合わせて、被
めっき物の進行方向に対しての角度と、本数、ピッチ
を、めっきムラ（膜厚バラツキ）が少なくなるように決
めるものである。

【０００９】尚、枚葉シートないしフープ状のートから
なる被めっき物が、エッチング加工等により外形加工さ
れた半導体装置用リードフレームを複数個面付けされた
もので、連続的に搬送されながら浸漬法により部分めっ
きを行う場合、リードフレーム材としては、４２合金
（４２％ニッケル−鉄合金）、コバール、各種同合金が
使用され、少なくともインナーリードのワイヤボンディ
ング領域に銀めっき、パラジウムめっき、パラジウム系
合金めっきもしくはパラジウム系複合めっき等の貴金属
めっきが施される。リードフレームのめっき不要部を皮
膜するめっきマスクとしては、めっき液への耐性がある
ポジ型ないしネガ型の感光性レジストが用いられるが、
電着レジストが好ましい。

【００１０】

【作用】本発明の部分めっき装置は、このような構成に
することにより、枚葉シートないしフープ状のシートか
らなる被めっき物、例えば半導体装置を作製するための
リードフレームを複数個面付けして外形加工された状態
のシートに対し、めっき液への耐性を備えたマスクを用
いて被めっき物の所定の領域をマスキングし、めっき所
望領域をめっき液に露出した状態でめっき液中に浸漬さ
せながら、所望の領域にめっきを施す部分めっき装置に
おいて、めっき電流密度を上げ、めっき効率を上げるこ
とを可能し、めっきムラ（膜厚バラツキ）を少なくしめ
っき被膜の厚さを均一にすることを可能としている。詳
しくは、めっき液に２０ＨＺ以上の適当な周波数の低周
波数振動による攪拌をめっき液に与えながらめっきを行
うことにより、浸漬のみによるめっきに比べてめっき電
流密度を上げ、めっき効率を上げており、アノード（陽
極）としてワイヤを、（被めっき物の搬送速度とめっき
条件に合わせ、めっきムラが少なくなるように、）被め
っき物の進行方向に対して所定の角度で、且つ複数本所
定のピッチで設けたことにより、または、アノード（陽
極）としてワイヤを、被めっき物の進行方向に対して平
行および直交に、１０〜１００ｍｍ間隔の網目状として
設けたことにより、めっきムラ（バラツキ）を少なくし
ている。この結果、従来の治具を用いてマスキングしな
がらめっき液をノズル等から吹きつけながらめっきを施
すスパージャー式の部分めっき方法でない、めっき液に
浸漬しながらめっきを行う浸漬部分めっきにおいても、
めっき効率を上げることを可能とし、且つ、めっき被膜
の膜厚の均一性を向上させており、量産に対応できるも
のとしている。そして、スパージャー式の治具を用いる
部分めっき方法の場合の、生産性の面、コスト面、位置
精度の面や側面や裏面の不要なめっきの析出の問題をな
くしている。この結果、枚葉シートないしフープ状のシ
ートからなる被めっき物が、外形加工された半導体装置
用のリードフレームを複数個面付けして外形加工された
シートであり、ワイヤボンディングのための貴金属めっ
きをインナーリードに施す場合には、めっき液耐性のあ
るマスクとして電着レジストを用いることにより、半導
体装置の小パッケージ化や多端子化、端子の狭いピッチ
化に伴うインナーリード部の狭ピッチ化や微細化にも対
応できるものとしている。

【００１１】

【実施例】本発明の部分めっき装置を実施例に基づいて
説明する。先ず、実施例１の部分めっき装置を挙げて図
にもとづいて説明する。図１（ａ）は実施例１の部分め
っき装置の正面図を示した図で、図１（ｂ）はその上面
図で、図２は低周波振動攪拌部の詳細を示した図で、図
１（ｂ）のＡ１の方向からみた断面図で、図３はワイヤ
（アノード）の状態と、ワイヤ（アノード）と被めっき
物（フープ状のシート）との位置関係を示した図であ
る。図１〜２中、１００はめっき装置、１１０は外形加
工されたリードフレームを複数個面付けしたフープ状の
シート（カソード）、１２０はワイヤ（アノード）、１
３０はめっき槽、１４０はめっき液、１５０は架台、１
６０は低周波振動攪拌部、１６１は振動モータ、１６２
はインバータ、１６３はバネ、１６４は攪拌翼、１６５
は軸棒、１６６はカバーであり、１７０はニップロール
である。本実施例の部分めっき装置は、図１に示すよう
に、フープ状のシート（カソード）１１０がめっき液１
４０中に浸漬するように、フープ状のシート（カソー
ド）をニップロール１７０間に挾みながら連続的に搬送
させ、低周波振動攪拌部１６０により低周波振動により
めっき液を攪拌しながら、フープ状のシート（カソー
ド）１１０の所望の領域にめっきを施すための装置であ
り、フープ状のシート（カソード）１１０の面がめっき
液１４０の面と略平行となるように略水平にして搬送す
るものである。この搬送方式を横型搬送方式と言う。

【００１２】搬送は、フープ状のシート（カソード）１
１０がめっき槽１３０内で液流の影響によりばたつかな
いように、シート（カソード）１１０のめっき槽１３０
への入口、出口にニップローラ１７０を設けているが、
更に、図１には示していないが入口と出口の途中にガイ
ドロールを設けてシート（カソード）１１０を安定化し
ている。これにより、シート（カソード）１１０はめっ
き槽１３０の入口から出口まで連続的にめっき槽１３０
内をワイヤ（アノード）１２０と等距離を保ちながら、
一定速度で搬送される。

【００１３】低周波振動攪拌部１６０は図２に示すよう
に、振動モータ１６１、バネ１６３、攪拌翼、１６４、
軸棒１６５、カバー１６６と、これらを支持する架台１
５０と、振動モータ１６１を駆動するためのインバータ
１６２からなっている。インバータ１６２により駆動さ
れた振動モータ１６０によって、低周波数振動軸棒１６
４を介して攪拌翼１６３に伝達され、攪拌翼１６３によ
りめっき液は低周波振動で攪拌される。振動モータ１６
０は２０〜２００ＨＺの低周波数の振動を起こすもので
あり、インバータ１６１により駆動され、バネ１６２を
介して、架台１５０へ固定されている。振動モータ１６
０を２０〜２００ＨＺの範囲にて駆動可能とする理由
は、概ね以下の通りである。前述の通り、通常めっきを
行う場合、めっきが施される、カソード側（陰極側）で
は金属のイオン及び自由電子と溶液側の電解質イオンに
より電気二重層（ヘルムホルツ層と拡散二重層）が形成
され、析出する金属イオンはこの界面を通して電流が流
れることによって進行し、この金属イオンが析出するカ
ソード側は、電気二重層の内側にあり、拡散層を通して
の電位降下が生じるため、拡散層を薄くすることが電位
降下を防ぐこととなり、結果として、金属の析出速度を
速めることにつながるが、２０ＨＺ以下の周波数振動で
はめっき液の攪拌が不十分であり、カソード側（リード
フレーム側〜陽極）の拡散層が薄くならないために電流
密度が高くとれない。また、２００ＨＺより高い周波数
振動ではフープ状のシート１１０のマスクとして用いる
電着レジスト（シプレイ社製品番２１００）に部分的
な剥がれが生じてしまう。これが第１の理由である。と
ころで、フープ状シート１１０のマスクとして電着レジ
スト（シプレイ社製品番２１００）を用いた場合、条件
にもよるが、図５に示すような限界電流密度と振動数の
関係が得られたことより、電着レジスト（シプレイ社製
品番２１００）を用いた場合には、本実験に用いため
っき槽では７０ＨＺ程度で数Ａ／ｄｍ²となってしまい
２０〜６０ＨＺで１０Ａ／ｄｍ²であるため２０〜６０
ＨＺが好ましい振動数である。このように、フープ状シ
ート１１０のマスクとして電着レジストを用いて、低周
波数振動をめっき液に与え攪拌した場合の攪拌の効果
は、めっき槽の構造、容量によって異なるが、本実施例
のめっき装置１００においては、浸漬のみで低周波振動
による攪拌を行わない場合の限界電流密度に比べ、図５
に示すように、５倍以上の電流密度が得られた。但し、
めっき液としては、銀濃度５０ｇ／ｌ、ＫＣＮ濃度１．
０ｇ／ｌ、液温４０°Ｃ、ＰＨ８．０のもので、光沢剤
を微量添加しめっき液を用いた。一般に浸漬法によるめ
っきでは、２〜３Ａ／ｄｍ²の電流密度しか流すことが
できないが、本実施例の装置においては、電着レジスト
をマスクとしてマスキングし、２０〜６０ＨＺの低周波
振動による攪拌しながら浸漬めっきを行うことにより、
１０〜２５Ａ／ｄｍ²が可能であり、めっき時間が１／
３〜１／１２程度に短縮されることとなる。

【００１４】しかしながら、上記電着レジスト（シプレ
イ社製品番２１００）以外のレジスト等を用いたり、
条件を変えた場合には、限界電流密度と振動数の関係
は、図５のような関係に成らないため、ある程度の許容
をもたせ、２０〜２００ＨＺの範囲で駆動可能としてお
く方が無難である。これが第２の理由である。

【００１５】ワイヤー（アノード）１２０としては、白
金ワイヤを用いたが、これに限定されることはなく、例
えば白金被膜チタンワイヤでも良い。本実施例の部分め
っき装置においては、図２（ａ）に示すように、ワイヤ
（アノード）１２０は間隔が２５ｍｍピッチで２０本設
け、各ワイヤ（アノード）１２０はシート１１０の進行
方向に対しての角度が４５°となるように張り、且つ、
複数個のワイヤ（アノード）１２０にて形成されるワイ
ヤー面がフープ状のシート（アノード）１１０と略平行
になるように設定してある。尚、図１では分かり易くす
る為ワイヤ数を少なくしている。ワイヤ（アノード）１
２０を複数個（２０本）設け、且つ、ワイヤ（アノー
ド）１２０のシート１１０の進行方向に対しての角度を
４５°とした理由は搬送速度を１．０ｍ／分とした場合
に、めっきムラ（膜厚バラツキ）を少なくするためのも
のであるが、シート１１０の搬送速度等により、適当な
ワイヤの本数、ワイヤ間隔、ワイヤ（アノード）１２０
のシート１１０の進行方向に対しての最適な角度は異な
るため、上記角度を３０〜９０°の範囲位で変えること
ができるようにしておくと良い。また、図２（ｃ）に示
すように、ワイヤ（アノード）１２０としては、シート
１１０の進行方向に対して平行および直交に、１０〜１
００ｍｍ程度間隔での網目に設けても、めっきムラ（膜
厚バラツキ）を少なくできる。

【００１６】以下、ワイヤ（アノード）１２０の構造と
めっきムラ（膜厚バラツキ）について図６にもとづき簡
単に説明しておく。尚、フープ状のシート１１０の搬送
速度はめっき速度（電流密度）から、めっき厚を略平均
で５μｍとできる条件であり、シート１１０には外形加
工されたリードフレームが複数面付けされており、イン
ナーリード部のめっき膜厚の平均値からのバラツキ（レ
ンジ）σで評価した。図６より、基準例の場合は、め
っきムラ（膜厚バラツキ）σが±３．０μｍと大きく、
ボンデイング処理等には対応できないが、〜は、め
っきムラ（膜厚バラツキ）σが±１．５μｍ以下と小さ
く、十分ボンデイング処理に対応できる。特に、は本
実施例のもので、めっきムラ（膜厚バラツキ）σが±
１．０μｍと小さくかった。は、図２（ｂ）に示す場
合のもので、従来はこのようにワイヤを張っていたが、
めっきムラ（膜厚バラツキ）σは±３．０μｍと大きか
った。〜より、所定のワイヤ間隔２５ｍｍの場合、
角度θが４５°の場合（）が、角度３０°（）、角
度６０°（）の場合よりめっきムラ（膜厚バラツキ）
σが小さいことが分かり、これより、角度θが４５°の
場合が、速度との対応がとれていると判断される。
は、所定のワイヤ間隔１５ｍｍの場合で角度θが４５°
の場合で、に比べてワイヤ間隔（ピッチ）が狭い場合
で、めっきムラ（膜厚バラツキ）σは、±３．０μｍと
なり、より大きかった。この理由は陰極に対して陽極
の面積が大きすぎるため、電気力線が集中しやすいリー
ドに集中するため、結果としてめっきムラがし起こり易
いためである。は所定のワイヤ間隔３５ｍｍの場合
で角度θが４５°の場合で、に比べてワイヤ間隔（ピ
ッチ）が広い場合で、めっきムラ（膜厚バラツキ）σ
は、４．０μｍとなり、より大きかった。この理由は
陰極に対して陽極の面積か小さすぎるため、陽極に近い
部分は銀が析出し、陽極に遠い部分はほとんど銀が析出
しないためである。

【００１７】別に、図２（ｃ）に示す網目のタイプでの
めっきムラ（膜厚パラツキ）σを調べたが、ワイヤピッ
チ（間隔）が１０〜１００ｍｍの範囲で、めっきムラ
（膜厚バラツキ）σは、と同程度であったが、ワイヤ
ピッチ（間隔）が１０ｍｍ以下、１００ｍｍ以上の場合
にはめっきムラは大きくなった。このタイプの場合、網
目のピッチが１０ｍｍ以下の場合は電気力線が部分的に
集中しやすいという理由でめっきムラ（膜厚バラツキ）
σが大きくなると考えられ、網目ピッチが１００ｍｍよ
り大の場合は銀析出に必要な電気が、リードフレームに
均等に流れず、析出しやすい部分と析出しにくい部分が
生じるという理由でめっきムラ（膜厚バラツキ）σが大
きくなると考えられる。尚、図６に示す〜、及び上
記網目のめっきムラの調査においては、白金ワイヤ（太
さ０．５ｍｍφ）のものを用い、ワイヤ（アノード）と
被めっき物であるシートとの距離を２５ｃｍと離してそ
れぞれ電流を流し、めっき液１４０としては、スパージ
ャー式の治具を用いる部分めっき方法の場合とほぼ同じ
組成のもので、銀濃度５０ｇ／ｌ、ＫＣＮ濃度１．０ｇ
／ｌ、液温４５°Ｃ、ｐＨ８．３のめっき液に光沢材を
微量添加したものを用いた。

【００１８】次に、実施例２の部分めっき装置を挙げ、
図４を用いて説明する。本実施例の部分めっき装置は、
図４に示すように、フープ状のシート１１０の面をめっ
き液１４０の面と略直交するようにして、搬送しながら
浸漬めっきするもので、実施例１の横型搬送方式に対
し、縦型搬送方式と言われている。本実施例は、実施例
１の部分めっき装置において、シート（カソード）１１
０の搬送を横型搬送から縦型搬送に変えたものであり、
これにあわせてニップロールやガイドロール、アノード
の位置等を変えたもので、他の点についてはほぼ実施例
１の部分めっき装置と同じである。本実施例の場合も、
ワイヤ（アノード）１２０は、フープ状のシート１１０
の面に等距離で、シート１１０の進行方向に対しての角
度が４５°となるようにしてあり、低周波振動攪拌部１
６０を設けている。

【００１９】

【発明の効果】本発明は、上記のような構成にすること
により、所定の領域がめっき液への耐性を備えたマスク
によりマスキングされた枚葉シートないしフープ状のシ
ートからなる被めっき物を、その一部をめっき槽のめっ
き液中に浸漬させながら、連続的に搬送し、該被めっき
物の所望の部分にめっきを施す部分めっき装置におい
て、めっき液に低周波数振動によ流密度を上げてめっき
効率を上げることができ、同時にめっきムラ（膜厚バラ
ツキ）の少なくできるめっき装置の提供を可能としてい
る。詳しくは、めっき液に低周波振動による攪拌を与え
ながらめっきを行うことにより、１０〜２５Ａ／ｄｍ²
の電流密度でのめっきを可能とし、ワイヤ（アノード）
を被めっき物の進行方向に対して所定の角度で、且つ複
数本所定のピッチで設けたことにより、または、ワイヤ
（アノード）を被めっき物の進行方向に対して平行およ
び直交に、１０〜１００ｍｍ間隔の網目状として設けた
ことにより、めっきムラ（膜厚バラツキ）を少なくで
き、結果として、量産に対応できるめっき装置の提供を
可能としている。特に、枚葉シートないしフープ状のシ
ートからなる被めっき物が、外形加工された半導体装置
用のリードフレームを複数個面付けしたシートで、各リ
ードフレームの少なくともインナーリード部に部分的に
めっきを施すのに、本発明の部分めっき装置を用い、該
被めっき物（リードフレームシート）の所定の領域のみ
を電着レジストを用いたマスキングして部分めっきを行
う場合には、めっき効率と、めっきムラ（膜厚バラツ
キ）の点でも、量産化に対応できるものとしている。そ
してまた、スパージャー方式の治具を用いる部分めっき
（高速ジエットめっき）の場合と異なり、治具を用いる
ことの位置合わせの問題や、治具作製期間の問題、治具
の寿命の問題がなく、リードフレームの側面や裏面への
不要のめっきの析出を無くせ、リードフレーム自体のフ
ァイン化にも対応できるものとしている。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の部分めっき装置の平面図及び上面図

【図２】実施例１の部分めっき装置の低周波振動攪拌部
の断面図

【図３】ワイヤ（アノード）とフープ状シートとの位置
関係を示した図

【図４】実施例２の部分めっき装置の概略図

【図５】低周波振動攪拌と限界電流密度との関係を説明
するための図

【図６】ワイヤ（アノード）の状態とめっきムラσとの
関係を示した図

【図７】治具によるマスキング方式の部分めっき装置の
概略図

【図８】従来の浸漬めっき方法の工程概略図

【図９】リードフレーム（単層リードフレーム）の平面
図

【符号の説明】

１００めっき装置１１０リードフレーム
（陽極）１２０陽極１３０めっき槽１４０めっき液１５０架台１６０低周波振動攪拌部１６１振動モータ１６２インバータ１６３バネ１６４攪拌翼１６５軸棒１７０ニップロール７００めっき装置７１０リードフレーム７２０マスキング治具７３０プレス用治具７３０Ａプレス材７３０Ｂ弾性材７４０ノズル７５０定電流源７６０陽極電極７７０陰極電極８１０リードフレーム８１０Ａ銀めっきが施され
たエードフレーム８１１ダイパッド８１２インナーリード８２０銅ストライクめっ
き８３０電着レジスト８４０フオトマスク（パ
ターン版）８５０紫外線（露光光）８６０めっき領域８９０銀めっき被膜９００半導体装置９１０リードフレーム９１２ダイパッド９１３インナーリード９１４アウターリード９１５ダムバー９１６フレーム（枠）部９２０半導体素子９２１端子（パッド）９３０ワイヤ９４０樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平１−198496（ＪＰ，Ａ) 特開平１−261852（ＪＰ，Ａ) 特開平３−177059（ＪＰ，Ａ) 特開平３−275130（ＪＰ，Ａ) 特開平４−219963（ＪＰ，Ａ) 特開平６−220697（ＪＰ，Ａ) 特開昭50−3039（ＪＰ，Ａ) 特開昭51−149833（ＪＰ，Ａ) 特開昭57−67192（ＪＰ，Ａ) 特開昭57−79194（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−49434（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−154798（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−285455（ＪＰ，Ａ) 実開昭62−18273（ＪＰ，Ｕ) 特公昭48−17694（ＪＰ，Ｂ１) 登録実用新案3006846（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C25D 5/02 C25D 7/00 H01L 23/50

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の領域がめっき液への耐性を備えた
マスクによりマスキングされた枚葉シートないしフープ
状のシートからなる被めっき物に対し、少なくともその
一部をめっき槽のめっき液中に浸漬させながら、連続的
に搬送し、該被めっき物の所望の部分にめっきを施す部
分めっき装置であって、めっき液に２０〜２００Ｈｚの
低周波数振動による攪拌を与える低周波振動攪拌部を設
けており、アノードとしてワイヤを、被めっき物の進行
方向に対して所定の角度で、且つ複数本所定のピッチで
設けていることを特徴とする部分めっき装置。
【請求項２】請求項１において、枚葉シートないしフ
ープ状のシートからなる被めっき物が、エッチング加工
等により外形加工された半導体装置用リードフレームを
複数個面付けしたものであり、少なくともインナーリー
ド部に貴金属めっきを施すものであることを特徴とする
部分めっき装置。
【請求項３】請求項１ないし２において、アノードと
してワイヤを、被めっき物の進行方向に対して平行およ
び直交に、１０〜１００ｍｍ間隔の網目状として設けた
ことを特徴とする部分めっき装置。
【請求項４】請求項１ないし３において、アノード
（陽極）としてワイヤを、白金ワイヤまたは白金被膜チ
タンワイヤとしたことを特徴とする部分めっき装置。