JP7221003B2

JP7221003B2 - 部分めっき方法

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Publication number: JP7221003B2
Application number: JP2018138968A
Authority: JP
Inventors: 圭介篠原; 健太郎荒井; 俊祐足達
Original assignee: Dowa Metaltech Co Ltd
Current assignee: Dowa Metaltech Co Ltd
Priority date: 2017-08-31
Filing date: 2018-07-25
Publication date: 2023-02-13
Anticipated expiration: 2038-07-25
Also published as: JP2019044262A

Description

本発明は、部分めっき方法に関し、特に、帯板状の被めっき材上の所定の部分をめっきする、部分めっき方法に関する。

従来、帯板状の被めっき材上の所定の部分をめっきする方法として、予め被めっき材のめっきを施さない部分（非めっき領域）にテープを貼り、このテープによって被めっき材の一部がマスキングされた状態で被めっき材にめっきを施し、めっき後にテープを除去する方法が知られている。

また、回転可能な略円筒形の非導電性部材からなるマスク部材の外周面に長尺の帯板状の被めっき材を密着させて搬送しながら、マスク部材に形成された複数の開口部の各々を介して、被めっき材にめっき液を供給するとともに、マスク部材の内周面側に配置されたアノードとカソードとしての被めっき材との間に電流を流して、被めっき材上のマスク部材の各々の開口部に対向する部分をめっきする方法も知られている。

しかし、従来の部分めっき方法では、被めっき材上の所定の部分に貴金属のめっき皮膜を形成する場合に、コスト削減のために、貴金属のめっき皮膜が形成される部分の面積を小さくすると、そのめっき部分以外の部分にもめっき皮膜が形成されて、めっき部分の位置精度が十分でなくなり、また、めっき部分の周縁部におけるめっき皮膜が厚くなって、めっき皮膜の膜厚分布が不均一になるという問題がある。

このような問題を解消するため、シート状またはフープ状の金属板に形成されたリードフレームなどの製品を連続的または間欠的に搬送させながら、製品の所定箇所に電着レジスト皮膜を形成し、露光および現像などの処理を経て、所定の部分を除去（所定の形状にパターニング）し、その所定の部分にめっきを施す方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

また、帯状の金属板素材に保持されたリードフレーム製品を連続的または間欠的に搬送させながら、リードフレーム製品の表面に電着レジスト皮膜を形成し、この電着レジスト皮膜の所定領域を露光した後に、現像して電着レジスト皮膜の所定領域を除去し、その所定領域にめっきを施した後、電着レジスト皮膜を剥離除去する方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開平８－２９６０８３号公報（段落番号０００８～００１２）特開平１０－１５２７９５号公報（段落番号０００７）

しかし、特許文献１～２の方法では、電着レジスト皮膜の硬化、パターニング（所定部分の除去）および剥離に長時間を要するため、長手方向に沿って連続的に搬送される帯板状の条材上の小さな領域にめっき皮膜を形成する場合に、比較的低速度で条材を搬送するか、あるいは、条材の搬送経路を長くする必要がある。

したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、長手方向に沿って連続的に搬送される帯板状の条材上の小さな領域にめっき皮膜を形成する場合に、条材の搬送速度を低下させたり搬送経路を長くしなくても、十分な位置精度で比較的均一な厚さのめっき皮膜を形成することができる、部分めっき方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、基材の表面にアルカリ剥離型の電着レジスト皮膜を形成し、この電着レジスト皮膜の所定の部分をレーザー加工機により除去して、電着レジスト皮膜を貫通する開口部を形成し、この電着レジスト皮膜の開口部にめっき皮膜を形成した後、電着レジスト皮膜を剥離することにより、長手方向に沿って連続的に搬送される帯板状の条材上の小さな領域にめっき皮膜を形成する場合に、条材の搬送速度を低下させたり搬送経路を長くしなくても、十分な位置精度で比較的均一な厚さのめっき皮膜を形成することができることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明による部分めっき方法は、基材の表面にアルカリ剥離型の電着レジスト皮膜を形成し、この電着レジスト皮膜の所定の部分をレーザー加工機により除去して、電着レジスト皮膜を貫通する開口部を形成し、この電着レジスト皮膜の開口部にめっき皮膜を形成した後、電着レジスト皮膜を剥離することを特徴とする。

この部分めっき方法において、電着レジスト皮膜の形成は、基材の少なくとも一方の面の略全面を覆うように行われるのが好ましい。電着レジスト皮膜の剥離は、電着レジスト皮膜をアルカリ溶液に溶解させることにより行われるのが好ましく、電着レジスト皮膜に紫外線を照射した後に電着レジスト皮膜をアルカリ溶液に溶解させることにより行われるのがさらに好ましい。電着レジスト皮膜のアルカリ溶液への溶解は、電着レジスト皮膜をアルカリ溶液に浸漬することにより行われるのが好ましく、電着レジスト皮膜をアルカリ溶液に浸漬する際に、めっき皮膜を形成した基材を陰極として電流を流すのがさらに好ましい。基材が長尺の帯板状の条材（または長尺の帯板状の条材から打ち抜かれた（コネクタやリードフレームなどの）電子部品用の条材）である場合には、電着レジスト皮膜の形成、除去および剥離は、条材を長手方向に沿って連続的に搬送しながら行われるのが好ましく、めっき皮膜は、条材を連続的にめっき浴内に送給して形成されるのが好ましい。めっき皮膜は、電気めっきまたは無電解めっきにより形成されるのが好ましく、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ａｕ、Ａｕ合金、ＡｇまたはＡｇ合金からなるのが好ましい。電着レジスト皮膜は、ポジ型レジストであるのが好ましく、電着レジスト皮膜を形成する前に、基材の表面に下地めっき皮膜を形成するのが好ましい。レーザー加工機は、波長３００～１２００ｎｍのレーザーマーカーであるのが好ましく、ＹＶＯ_４レーザーマーカーであるのが好ましい。

本発明によれば、長手方向に沿って連続的に搬送される帯板状の条材上の小さな領域にめっき皮膜を形成する場合に、条材の搬送速度を低下させたり搬送経路を長くしなくても、十分な位置精度で比較的均一な厚さのめっき皮膜を形成することができる。

実施例８～１１で使用したコネクタ用板材を概略的に示す平面図である。図１のコネクタ用板材にＡｕめっき皮膜を形成した状態を示す拡大図である。

本発明による部分めっき方法の実施の形態では、基材の表面にアルカリ剥離型の電着レジスト皮膜を形成し、この電着レジスト皮膜の所定の部分をレーザー加工機により除去して、電着レジスト皮膜を貫通する開口部を形成し、この電着レジスト皮膜の開口部にめっき皮膜を形成した後、電着レジスト皮膜を剥離する。

この部分めっき方法では、電着レジスト皮膜としてアルカリ剥離型の電着レジスト皮膜を使用する。このアルカリ剥離型の電着レジスト皮膜として、ポジ型レジストを使用するのが好ましい。電着レジスト皮膜の形成は、基材の少なくとも一方の面の略全面を覆うように行われるのが好ましい。電着レジスト皮膜の形成は、基材を１０～３０℃のレジスト浴に浸漬して１５０～３００Ｖ（好ましくは２００～２７０Ｖ）の電圧で５～３０秒間通電した後、５０～１５０℃で１０～６００秒間加熱して乾燥（熱風乾燥）させてベーキングを行うことにより形成することができる。電着レジスト皮膜の形成の際に、基材を予めレジスト浴に３～６０秒間浸漬した後に通電するのが好ましい。

電着レジスト皮膜の剥離は、電着レジスト皮膜を水酸化ナトリウム水溶液などのアルカリ溶液に溶解させることにより行われるのが好ましい。このアルカリ溶液中のアルカリの濃度は、０．２～２質量％であるのが好ましい。電着レジスト皮膜をアルカリ溶液に溶解させる前に、電着レジスト皮膜に紫外線を照射してもよい。電着レジスト皮膜のアルカリ溶液への溶解は、電着レジスト皮膜をアルカリ溶液に３～６００秒間（好ましくは３～６０秒間）浸漬することにより行うことができ、電着レジスト皮膜をアルカリ溶液に浸漬する際に、めっき皮膜を形成した基材を陰極として電流を流すのがさらに好ましい。

めっき皮膜は、電気めっきまたは無電解めっきにより形成されるのが好ましく、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ａｕ、Ａｕ合金、ＡｇまたはＡｇ合金からなるのが好ましい。なお、電着レジスト皮膜を形成する前に、基材の表面に（ＣｕやＮｉからなる）下地めっき皮膜を形成するのが好ましい。

レーザー加工機は、波長３００～１２００ｎｍのレーザーマーカーであるのが好ましく、ＹＶＯ_４レーザーマーカーであるのが好ましい。

基材が長尺の帯板状の条材である場合には、電着レジスト皮膜の形成、除去および剥離は、条材を長手方向に沿って連続的に搬送しながら行われるのが好ましい。この場合、めっき皮膜（および下地めっき皮膜）は、条材を連続的にめっき浴内に送給して形成されるのが好ましい。

なお、電着レジストとして（ポジ型レジストなどの）アルカリ剥離型の電着レジストを使用すると、ネガ型レジストを使用する場合と比べて非常に薄い電着レジスト皮膜を形成することができるため、電着レジスト皮膜の形成時間を短縮できる。また、ネガ型レジストを使用する場合のように（めっき皮膜を形成する前に）紫外線を照射する必要はなく、乾燥前の電着レジスト皮膜も薄く且つ皮膜中の含水量も比較的少ないため、電着レジスト皮膜の乾燥時間も短くすることができる。また、電着レジスト皮膜のパターニングを行うために、露光および現像を行う必要はなく、レーザー加工機により電着レジスト皮膜の一部を除去すればよいので、電着レジスト皮膜のパターニング時間も短縮できる。さらに、電着レジスト皮膜を剥離するために、アルカリ溶液に浸漬すればよく、電着レジスト皮膜も薄いので、（膨潤剥離型レジストなどと比べて）電着レジスト皮膜の剥離時間も短縮できる。このように、電着レジストとしてアルカリ剥離型の電着レジストを使用すると、電着レジスト皮膜の形成時間、パターニング時間および剥離時間を短縮することができるため、基材の一部にめっき皮膜を形成する処理時間を大幅に（少なくとも３０分以上）短縮することができる。

以下、本発明による部分めっき方法の実施例について詳細に説明する。

［実施例１］
基材（被めっき材）として銅合金（ＤＯＷＡメタル株式会社製のＮＢ１０９）からなる５０ｍｍ×７０ｍｍ×０．２ｍｍの大きさの銅合金板を用意し、前処理として、水洗し、アルカリ脱脂し、水洗し、酸洗した。

次に、スルファミン酸Ｎｉめっき液を使用して、電流密度５Ａ／ｄｍ^２で膜厚が１μｍになるまで電気めっきを行って、上記の前処理後の基材上に下地Ｎｉめっき皮膜を形成した。

次に、下地Ｎｉめっき皮膜を形成した基材をレジスト浴（ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製のＰＥＰＲ２４００フォトレジスト（アルカリ剥離型のアニオン電着レジスト））に浸漬して、基材を陽極として２００Ｖの電圧で１０秒間通電して、下地Ｎｉめっき皮膜上にポジ型レジスト皮膜を形成した後、１０５℃で６０秒間加熱して乾燥させることによりベーキングを行って厚さ１０μｍの電着レジスト皮膜を形成した。

次に、レーザー加工機として波長５３２ｎｍのＹＶＯ_４レーザー（株式会社キーエンス製のＹＶＯ_４グリーンレーザマーカＭＤ－Ｓ９９００Ａ）を使用して、レーザー光の強度を６０％、レーザースポットのピッチを２０μｍ、レーザー光の１スポット当たりの照射時間を約０．５秒、印字回数（レーザー光の照射回数）を３回として、２ｍｍ×２ｍｍの略正方形の開口部を電着レジスト皮膜に形成して、その開口部から下地Ｎｉめっき皮膜を露出させた。なお、この開口部を形成する際に、下地Ｎｉめっき皮膜の最表面も僅かに除去されていた。

次に、露出した下地Ｎｉめっき皮膜の表面を酸洗した後、シアン金カリウムを主成分とするＡｕめっき液を使用して、液温５５℃、電流密度１０Ａ／ｄｍ^２で膜厚が０．５μｍになるまで電気めっきを行って、下地Ｎｉめっき皮膜の露出面にＡｕめっき皮膜を形成した。

次に、下地Ｎｉめっき皮膜上に形成された電着レジスト皮膜を５０℃の水酸化ナトリウム水溶液（水酸化ナトリウムの濃度は０．５質量％）に６０秒間浸漬して搖動させることにより、電着レジスト皮膜を水酸化ナトリウム水溶液に溶解させて、電着レジスト皮膜を除去（剥離）した後、ドライヤーにより室温で乾燥させた。なお、電着レジスト皮膜は、水酸化ナトリウム水溶液により、全て除去（剥離）されていた。

このようにして得られためっき材について、光学顕微鏡によりＡｕめっき皮膜の表面を観察したところ、Ａｕめっき皮膜の外観は良好であり、Ａｕめっき皮膜の輪郭は極めてシャープであった。また、電着レジスト皮膜の開口部の形成は、比較的速い処理により行うことができ、十分な位置精度（設計値に対して±０．０２ｍｍ以内のずれ）で比較的均一な厚さのＡｕめっき皮膜を形成することができた。

［実施例２］
レーザー加工機として波長１０６４ｎｍのＹＶＯ_４レーザー（株式会社キーエンス製のハイブリッドレーザーマーカーＭＤ－Ｘ１０００）を使用して、レーザー光の強度を２０％、レーザースポットのピッチを６０μｍ、レーザー光の１スポット当たりの照射時間を約０．１秒、印字回数（レーザー光の照射回数）を１回とした以外は、実施例１と同様の方法により、めっき材を作製した。なお、電着レジスト皮膜は、水酸化ナトリウム水溶液により、全て除去（剥離）されていた。

得られためっき材について、実施例１と同様の方法により、Ａｕめっき皮膜の表面を観察したところ、Ａｕめっき皮膜の表面が僅かにくすんで見え、下地Ｎｉめっき皮膜の表面が僅かに荒れていたが、Ａｕめっき皮膜の密着性は十分であった。また、電着レジスト皮膜の開口部の形成は、（下地Ｎｉめっき皮膜の最表面も僅かに除去されていたが）極めて速い処理により行うことができ、実施例１と同様に十分な位置精度で比較的均一な厚さのめっき皮膜を形成することができた。

［実施例３］
レーザー加工機として波長１０６４ｎｍのＹＶＯ_４レーザー（株式会社キーエンス製のハイブリッドレーザーマーカーＭＤ－Ｘ１０００）を使用して、レーザー光の強度を２０％、レーザースポットのピッチを３０μｍ、レーザー光の１スポット当たりの照射時間を約０．３秒、印字回数（レーザー光の照射回数）を１回とした以外は、実施例１と同様の方法により、めっき材を作製した。なお、電着レジスト皮膜は、水酸化ナトリウム水溶液により、全て除去（剥離）されていた。

得られためっき材について、実施例１と同様の方法により、Ａｕめっき皮膜の表面を観察したところ、Ａｕめっき皮膜の表面が僅かにくすんで見え、下地Ｎｉめっき皮膜の表面が僅かに荒れていたが、Ａｕめっき皮膜の密着性は十分であった。また、電着レジスト皮膜の開口部の形成は、（下地Ｎｉめっき皮膜の最表面も僅かに除去されていたが）速い処理により行うことができ、実施例１と同様に十分な位置精度で比較的均一な厚さのめっき皮膜を形成することができた。

［実施例４～７］
実施例４では、電着レジスト皮膜の形成の際に、下地Ｎｉめっき皮膜を形成した基材をレジスト浴に予め３０秒間浸漬させた後に通電し、実施例５では、電着レジスト皮膜の形成の際に、下地Ｎｉめっき皮膜を形成した基材をレジスト浴に予め５秒間浸漬させた後に通電し、電着レジスト皮膜の剥離の際に、水酸化ナトリウム水溶液に１５秒間浸漬し、実施例６では、電着レジスト皮膜の形成の際に、下地Ｎｉめっき皮膜を形成した基材をレジスト浴に予め５秒間浸漬させた後に通電し、電着レジスト皮膜の剥離の際に、水酸化ナトリウムの濃度が２質量％の水酸化ナトリウム水溶液に１０秒間浸漬し、実施例７では、電着レジスト皮膜の形成の際に、下地Ｎｉめっき皮膜を形成した基材をレジスト浴に予め５秒間浸漬させた後に通電し、電着レジスト皮膜の剥離の際に、基材を陰極として２００Ｖの電圧を印加しながら、水酸化ナトリウムの濃度が２質量％の水酸化ナトリウム水溶液に５秒間浸漬した以外は、それぞれ実施例１と同様の方法により、めっき材を作製した。なお、電着レジスト皮膜は、水酸化ナトリウム水溶液により、全て除去（剥離）されていた。

得られためっき材について、実施例１と同様の方法により、Ａｕめっき皮膜の表面を観察したところ、Ａｕめっき皮膜の外観は良好であり、Ａｕめっき皮膜の輪郭は極めてシャープであった。また、電着レジスト皮膜の開口部の形成は、（下地Ｎｉめっき皮膜の最表面も僅かに除去されていたが）速い処理により行うことができ、実施例１と同様に十分な位置精度で比較的均一な厚さのめっき皮膜を形成することができた。

［実施例８］
図１に示すように、基材（被めっき材）として、幅５１ｍｍ×厚さ０．６４ｍｍの銅合金（黄銅Ｃ２６００－１／２Ｈ）からなる銅合金板をプレス加工により打ち抜いて、幅０．６４ｍｍ、長さ７ｍｍの端子（ピン）部１０ａと位置決め用穴１０ｂと打ち抜き穴１０ｃが形成された形状のコネクタ用板材１０を用意し、前処理として、電解脱脂し、水洗し、酸洗した。

次に、スルファミン酸Ｎｉめっき液を使用して、液温５０℃、電流密度１０Ａ／ｄｍ^２で膜厚が１μｍになるまで４９秒間電気めっきを行って、上記の前処理後の基材上に下地Ｎｉめっき皮膜を形成した。

次に、下地Ｎｉめっき皮膜を形成した基材をレジスト浴（ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製のＰＥＰＲ２４００フォトレジスト（アルカリ剥離型のアニオン電着レジスト））に１８秒間浸漬（プレディップ）し、基材を陽極として２５０Ｖの電圧で１８秒間通電して、下地Ｎｉめっき皮膜上にポジ型レジスト皮膜を形成し、水洗した後、ドライヤーで３０秒間加熱して乾燥させることによりベーキングを行って厚さ１５μｍの電着レジスト皮膜を形成した。

次に、レーザー加工機として波長５３２ｎｍのＹＶＯ_４レーザー（株式会社キーエンス製のＹＶＯ_４グリーンレーザマーカＭＤ－Ｓ９９００Ａ）を使用して、レーザー光の強度を６０％、レーザースポットのピッチを２０μｍ、レーザー光の１スポット当たりの照射時間を約０．５秒、スキャンスピードを１０００ｍｍ／ｓ、印字回数（レーザー光の照射回数）を８回として、幅０．６４ｍｍ×長さ５．５ｍｍの略矩形の開口部を基材のピン部上の電着レジスト皮膜に形成して、その開口部から下地Ｎｉめっき皮膜を露出させた。なお、この開口部を形成する際に、下地Ｎｉめっき皮膜の最表面も僅かに除去されていた。

次に、露出した下地Ｎｉめっき皮膜の表面を酸洗した後、シアン金カリウムを主成分とするＡｕめっき液を使用して、液温５５℃、電流密度１０Ａ／ｄｍ^２で膜厚が１．３μｍになるまで電気めっきを行って、下地Ｎｉめっき皮膜の露出面に（図２において符号１２で示す）Ａｕめっき皮膜を形成した。

次に、下地Ｎｉめっき皮膜上に形成された電着レジスト皮膜を５５℃の水酸化ナトリウム水溶液（水酸化ナトリウムの濃度は１質量％）に３０秒間浸漬して搖動させることにより、電着レジスト皮膜を水酸化ナトリウム水溶液に溶解させて、電着レジスト皮膜を除去（剥離）し、水洗した後、ドライヤーにより室温で乾燥させた。なお、電着レジスト皮膜は、水酸化ナトリウム水溶液により、全て除去（剥離）されていた。

このようにして得られためっき材について、光学顕微鏡によりＡｕめっき皮膜の表面を観察したところ、Ａｕめっき皮膜の外観は良好であり、Ａｕめっき皮膜の輪郭は極めてシャープであった。また、電着レジスト皮膜の開口部の形成は、比較的速い処理により行うことができ、十分な位置精度（設計値に対して±０．０２ｍｍ以内のずれ）で比較的均一な厚さのＡｕめっき皮膜を形成することができた。なお、Ａｕめっき皮膜を形成する際に基材のピン部の側面に電着レジスト皮膜が形成されていたため、基材のピン部の側面にはＡｕめっき被膜が形成されていなかった。なお、基材の幅方向中央部におけるＡｕめっき皮膜の厚さを長手方向に沿って測定したところ、１．２５～１．５０μｍの範囲内であり、Ａｕめっき皮膜の厚さは比較的均一であった。

［実施例９］
レジスト浴への浸漬時間を６秒間とし、通電時間を６秒間として、厚さ５μｍのレジスト皮膜を形成した以外は、実施例８と同様の方法により、めっき材を作製した。

得られためっき材について、実施例８と同様の方法により、Ａｕめっき皮膜の表面を観察したところ、Ａｕめっき皮膜の外観は良好であり、Ａｕめっき皮膜の輪郭は極めてシャープであった。また、電着レジスト皮膜の開口部の形成は、比較的速い処理により行うことができ、十分な位置精度（設計値に対して±０．０２ｍｍ以内のずれ）で比較的均一な厚さのＡｕめっき皮膜を形成することができた。なお、Ａｕめっき皮膜を形成する際に基材のピン部の側面に電着レジスト皮膜が形成されていたため、基材のピン部の側面にはＡｕめっき被膜が形成されていなかった。なお、基材の幅方向中央部におけるＡｕめっき皮膜の厚さを長手方向に沿って測定したところ、１．３～１．６μｍの範囲内であり、Ａｕめっき皮膜の厚さは比較的均一であった。

［実施例１０］
Ａｕめっきの際の電流密度を１５Ａ／ｄｍ^２として膜厚が１．５μｍになるまで電気めっきを行ってＡｕめっき被膜を形成した以外は、実施例８と同様の方法により、めっき材を作製した。

得られためっき材について、実施例８と同様の方法により、Ａｕめっき皮膜の表面を観察したところ、Ａｕめっき皮膜の外観は良好であり、Ａｕめっき皮膜の輪郭は極めてシャープであった。また、電着レジスト皮膜の開口部の形成は、比較的速い処理により行うことができ、十分な位置精度（設計値に対して±０．０２ｍｍ以内のずれ）で比較的均一な厚さのＡｕめっき皮膜を形成することができた。なお、Ａｕめっき皮膜を形成する際に基材のピン部の側面に電着レジスト皮膜が形成されていたため、基材のピン部の側面にはＡｕめっき被膜が形成されていなかった。なお、基材の幅方向中央部におけるＡｕめっき皮膜の厚さを長手方向に沿って測定したところ１．５～２．０μｍの範囲内であり、Ａｕめっき皮膜の厚さは比較的均一であった。

［実施例１１］
基材（被めっき材）として、幅５８ｍｍ×厚さ０．６４ｍｍの銅合金（黄銅Ｃ２６００－１／２Ｈ）からなる銅合金板材をプレス加工により打ち抜いて、幅２．２ｍｍ、長さ８ｍｍの端子（ピン）部を形成したコネクタ用板材を用意し、基材のピン部上の電着レジスト皮膜に形成する開口部を幅２．２ｍｍ×長さ５．３ｍｍの略矩形の開口部とし、Ａｕめっきの際の電流密度を１５Ａ／ｄｍ^２としてＡｕめっき皮膜の厚さを０．８μｍとした以外は、実施例８と同様の方法により、めっき材を作製した。

得られためっき材について、実施例８と同様の方法により、Ａｕめっき皮膜の表面を観察したところ、Ａｕめっき皮膜の外観は良好であり、Ａｕめっき皮膜の輪郭は極めてシャープであった。また、電着レジスト皮膜の開口部の形成は、比較的速い処理により行うことができ、十分な位置精度（設計値に対して±０．０２ｍｍ以内のずれ）で比較的均一な厚さのＡｕめっき皮膜を形成することができた。なお、Ａｕめっき皮膜を形成する際に基材のピン部の側面に電着レジスト皮膜が形成されていたため、基材のピン部の側面にはＡｕめっき被膜が形成されていなかった。なお、基材の幅方向中央部におけるＡｕめっき皮膜の厚さを長手方向に沿って測定したところ、０．７～０．９μｍの範囲内であり、Ａｕめっき皮膜の厚さは比較的均一であった。

上述したように、実施例１～１１では、比較的速い処理により、十分な位置精度で比較的均一な厚さのめっき皮膜を形成することができるので、条材を比較的高速度で搬送する場合にも、十分な位置精度で比較的均一な厚さのめっき皮膜を形成することができる。

１０コネクタ用板材
１０ａ端子（ピン）部
１０ｂ位置決め用穴
１０ｃ打ち抜き穴
１２Ａｕめっき皮膜

Claims

基材をアルカリ剥離型のアニオン電着レジスト浴に浸漬して通電することにより、基材の少なくとも一方の面の略全面を覆うようにポジ型レジスト皮膜を形成し、このポジ型レジスト皮膜を乾燥することにより、ポジ型レジストからなるアルカリ剥離型の電着レジスト皮膜を形成し、この電着レジスト皮膜の所定の部分をレーザー加工機により除去して、電着レジスト皮膜を貫通する開口部を形成し、この電着レジスト皮膜の開口部にめっき皮膜を形成した後、電着レジスト皮膜を剥離することを特徴とする、部分めっき方法。
前記電着レジスト皮膜の剥離が、前記電着レジスト皮膜をアルカリ溶液に溶解させることにより行われることを特徴とする、請求項１に記載の部分めっき方法。
前記電着レジスト皮膜の剥離が、前記電着レジスト皮膜に紫外線を照射した後に前記電着レジスト皮膜をアルカリ溶液に溶解させることにより行われることを特徴とする、請求項１に記載の部分めっき方法。
前記電着レジスト皮膜の前記アルカリ溶液への溶解が、前記電着レジスト皮膜を前記アルカリ溶液に浸漬することにより行われることを特徴とする、請求項２または３に記載の部分めっき方法。
前記電着レジスト皮膜を前記アルカリ溶液に浸漬する際に、前記めっき皮膜を形成した前記基材を陰極として電流を流すことを特徴とする、請求項４に記載の部分めっき方法。
前記基材が長尺の帯板状の条材であり、前記電着レジスト皮膜の形成、乾燥、除去および剥離が、前記条材を長手方向に沿って連続的に搬送しながら行われることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載の部分めっき方法。
前記基材が、長尺の帯板状の条材から打ち抜かれたコネクタまたはリードフレーム用条材であり、前記電着レジスト皮膜の形成、乾燥、除去および剥離が、前記条材を長手方向に沿って連続的に搬送しながら行われることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載の部分めっき方法。
前記めっき皮膜が、前記条材を連続的にめっき浴内に送給して形成されることを特徴とする、請求項６または７に記載の部分めっき方法。
前記めっき皮膜が、電気めっきまたは無電解めっきにより形成されることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれかに記載の部分めっき方法。
前記めっき皮膜が、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ａｕ、Ａｕ合金、ＡｇまたはＡｇ合金からなることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれかに記載の部分めっき方法。
電着レジスト皮膜を形成する前に、前記基材の表面に下地めっき皮膜を形成することを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれかに記載の部分めっき方法。
前記レーザー加工機が、波長３００～１２００ｎｍのレーザーマーカーであることを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれかに記載の部分めっき方法。
前記レーザー加工機が、ＹＶＯ_４レーザーマーカーであることを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれかに記載の部分めっき方法。