JPH0846113A - 部分メッキされた半導体用リードフレームの形成方法 - Google Patents
部分メッキされた半導体用リードフレームの形成方法Info
- Publication number
- JPH0846113A JPH0846113A JP20020894A JP20020894A JPH0846113A JP H0846113 A JPH0846113 A JP H0846113A JP 20020894 A JP20020894 A JP 20020894A JP 20020894 A JP20020894 A JP 20020894A JP H0846113 A JPH0846113 A JP H0846113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- ribbon
- guide hole
- masking
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードピンの側面への不要なメッキ液の付着
もなく、精度よく所要箇所に部分メッキを施すことがで
きるリードフレームの製造方法の提供。 【構成】 リボン状コイル上面にガイドホールを設け、
同ガイドホールを基準点としてメッキを必要とする最小
面積部分以外の部分にスクリーン印刷法によりマスキン
グ塗膜を施し、同マスキング塗膜の部分以外にメッキ処
理を施した後、前記マスキング塗膜を剥離し、最後に前
記ガイドホールを基準点として打ち抜き成型する。
もなく、精度よく所要箇所に部分メッキを施すことがで
きるリードフレームの製造方法の提供。 【構成】 リボン状コイル上面にガイドホールを設け、
同ガイドホールを基準点としてメッキを必要とする最小
面積部分以外の部分にスクリーン印刷法によりマスキン
グ塗膜を施し、同マスキング塗膜の部分以外にメッキ処
理を施した後、前記マスキング塗膜を剥離し、最後に前
記ガイドホールを基準点として打ち抜き成型する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、部分メッキされた半導
体用リードフレームの製造方法に関する。
体用リードフレームの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、リードフレームは打ち抜き法やエ
ッチング法などの方法により所定の形状に形成されたリ
ードフレームのコイニン（ボンディング）ゾーンにＡ
ｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｎｉなどのメッキを施し、ＩＣなどの
半導体と接続するための導線の付着性を良好にしてい
た。
ッチング法などの方法により所定の形状に形成されたリ
ードフレームのコイニン（ボンディング）ゾーンにＡ
ｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｎｉなどのメッキを施し、ＩＣなどの
半導体と接続するための導線の付着性を良好にしてい
た。
【０００３】従来、このメッキに際しては、コスト面か
ら貴金属メッキ量を減らしたり、ＩＣの形状を小型化す
るために、特開昭５２−６９５６７号公報に記載されて
いるように、ジェット噴流式部分メッキ法の適用や不必
要箇所にワニスを塗布したり、特開平３−９５９６０号
公報に記載されているように、マスキングテープを貼着
することが行われていた。
ら貴金属メッキ量を減らしたり、ＩＣの形状を小型化す
るために、特開昭５２−６９５６７号公報に記載されて
いるように、ジェット噴流式部分メッキ法の適用や不必
要箇所にワニスを塗布したり、特開平３−９５９６０号
公報に記載されているように、マスキングテープを貼着
することが行われていた。
【０００４】ところが、リードフレームを打ち抜き後リ
ードピンのコイニングゾーンにメッキを施す方法では、
リードフレームの厚みのためにマスキングの効果がリー
ドピンの側面部にまで及ばず、不要な側面部にまでメッ
キ液が流れ、後日のサビ発生原因となったりしていた。
ードピンのコイニングゾーンにメッキを施す方法では、
リードフレームの厚みのためにマスキングの効果がリー
ドピンの側面部にまで及ばず、不要な側面部にまでメッ
キ液が流れ、後日のサビ発生原因となったりしていた。
【０００５】そこで、リボン状のコイルのメッキ必要部
分以外を穿孔したマスキングテープを貼着してスポット
メッキを行った後メッキ部分を打ち抜く方法が、特開昭
５６−１０７５６７号公報、特開平４−２６８０９０号
公報等に記載されている。
分以外を穿孔したマスキングテープを貼着してスポット
メッキを行った後メッキ部分を打ち抜く方法が、特開昭
５６−１０７５６７号公報、特開平４−２６８０９０号
公報等に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のマス
キングテープを定位置に貼る方法では、近年の±０．１
ｍｍの精度を要求されるリードフレームの製造におい
て、メッキのためのマスキングを施す方法としては、テ
ープの伸縮や貼りの位置ずれによって所定の位置とは大
きくズレてしまい、特定箇所への正確なメッキを施すこ
とはできなかった。
キングテープを定位置に貼る方法では、近年の±０．１
ｍｍの精度を要求されるリードフレームの製造におい
て、メッキのためのマスキングを施す方法としては、テ
ープの伸縮や貼りの位置ずれによって所定の位置とは大
きくズレてしまい、特定箇所への正確なメッキを施すこ
とはできなかった。
【０００７】本発明の目的は、リードピンの側面への不
要なメッキ液の付着もなく、精度よく所要箇所に部分メ
ッキを施すことができるリードフレームの製造方法を提
供することにある。
要なメッキ液の付着もなく、精度よく所要箇所に部分メ
ッキを施すことができるリードフレームの製造方法を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の部分メッキされ
た半導体用リードフレームの形成方法は、リボン状コイ
ル上面にガイドホールを設け、同ガイドホールを基準点
としてメッキを必要とする最小面積部分以外の部分にス
クリーン印刷法によりマスキング塗膜を施し、同マスキ
ング塗膜の部分以外にメッキ処理を施した後、前記マス
キング塗膜を剥離し、最後に前記ガイドホールを基準点
として打ち抜き成型することを特徴とする。
た半導体用リードフレームの形成方法は、リボン状コイ
ル上面にガイドホールを設け、同ガイドホールを基準点
としてメッキを必要とする最小面積部分以外の部分にス
クリーン印刷法によりマスキング塗膜を施し、同マスキ
ング塗膜の部分以外にメッキ処理を施した後、前記マス
キング塗膜を剥離し、最後に前記ガイドホールを基準点
として打ち抜き成型することを特徴とする。
【０００９】このリボン状コイルの上面にスクリーン印
刷やメッキ、更には打ち抜き成型を行うための基準点と
して利用されるガイドホールは、コイルの上下両側面や
中央部に正確な位置と大きさで形成される。
刷やメッキ、更には打ち抜き成型を行うための基準点と
して利用されるガイドホールは、コイルの上下両側面や
中央部に正確な位置と大きさで形成される。
【００１０】リボン状コイル上面へのマスキングは、リ
ードフレームのメッキ必要部分のみをエポキシ樹脂など
の耐酸性合成樹脂で目潰しした２００〜４００メッシュ
のスクリーンをコイル上面へガイドホールを基準点とし
て正確に重ね、その上面からアルカリ溶解剥離性の紫外
線硬化型エッチングレジストを捺染印刷した後、スクリ
ーンを取り除き、高圧水銀灯を照射する等の方法により
形成する。
ードフレームのメッキ必要部分のみをエポキシ樹脂など
の耐酸性合成樹脂で目潰しした２００〜４００メッシュ
のスクリーンをコイル上面へガイドホールを基準点とし
て正確に重ね、その上面からアルカリ溶解剥離性の紫外
線硬化型エッチングレジストを捺染印刷した後、スクリ
ーンを取り除き、高圧水銀灯を照射する等の方法により
形成する。
【００１１】メッキに際しては、マスキングをつけたま
ま行うことで、マスキングのない部分のみが部分的にメ
ッキされる。マスキングの剥離は、カセイソーダなどの
アルカリ溶液に浸積後、水洗することによって達成され
る。その後、部分メッキした部分をリードフレームのコ
イニングゾーンとするようにコイルを所定の形状に打ち
抜く。
ま行うことで、マスキングのない部分のみが部分的にメ
ッキされる。マスキングの剥離は、カセイソーダなどの
アルカリ溶液に浸積後、水洗することによって達成され
る。その後、部分メッキした部分をリードフレームのコ
イニングゾーンとするようにコイルを所定の形状に打ち
抜く。
【００１２】
【作用】リードフレームの部分メッキは、ガイドホール
を基準点として、スクリーン印刷法を用いた塗膜による
マスキングを行った後実施されるので、マスキング塗膜
は所定の位置に精度よく形成できるし、メッキも精度よ
く行える。また、メッキ後リボン状のコイルを打ち抜く
ので、ピンの側面にまで不要のメッキが施されることも
ない。
を基準点として、スクリーン印刷法を用いた塗膜による
マスキングを行った後実施されるので、マスキング塗膜
は所定の位置に精度よく形成できるし、メッキも精度よ
く行える。また、メッキ後リボン状のコイルを打ち抜く
ので、ピンの側面にまで不要のメッキが施されることも
ない。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例として、銀の部分メッキを施
したリードフレームを得る例について説明する。
したリードフレームを得る例について説明する。
【００１４】図１は、本発明のガイドホールを形成した
リボン状コイルの平面図であって、鉄ニッケル合金から
なる厚さ０．１５ｍｍで幅が３２．０ｍｍのリードフレ
ーム用のリボン状コイル１にガイドホール２を形成した
状態を示す。ガイドホール２は、打ち抜き装置によって
直径１．５０±０．０１ｍｍの円形穴を±０．０１ｍｍ
の精度で２２．０００±０．１５ｍｍ間隔で連続的に打
ち抜き形成されている。また、２１，２２，２３は、そ
れぞれ、爾後のメッキや打ち抜き工程等で使用される他
のガイドホールを示し、更に、等間隔にコイルの上下端
縁にも同様の目的のための凹部２４が形成されている。
次いで、そのリボン状コイル１の表面を溶剤中で洗浄し
て表面の油分を取り除きアルカリ溶液中に浸漬し、ある
いは、更に必要により、通電によって脱脂し水洗乾燥さ
れる。
リボン状コイルの平面図であって、鉄ニッケル合金から
なる厚さ０．１５ｍｍで幅が３２．０ｍｍのリードフレ
ーム用のリボン状コイル１にガイドホール２を形成した
状態を示す。ガイドホール２は、打ち抜き装置によって
直径１．５０±０．０１ｍｍの円形穴を±０．０１ｍｍ
の精度で２２．０００±０．１５ｍｍ間隔で連続的に打
ち抜き形成されている。また、２１，２２，２３は、そ
れぞれ、爾後のメッキや打ち抜き工程等で使用される他
のガイドホールを示し、更に、等間隔にコイルの上下端
縁にも同様の目的のための凹部２４が形成されている。
次いで、そのリボン状コイル１の表面を溶剤中で洗浄し
て表面の油分を取り除きアルカリ溶液中に浸漬し、ある
いは、更に必要により、通電によって脱脂し水洗乾燥さ
れる。
【００１５】次いで、リボン状コイル１の上面にスクリ
ーン印刷版３を被覆する。図２はリボン状コイル１にス
クリーン印刷版３を被覆した状態を示すもので、このス
クリーン印刷版３として３００メッシュのステンレス製
のスクリーン印刷版を用い、コイル１のガイドホール２
を基準点として、カメラを用いて位置調整することによ
って、基準点としてメッキを必要としない部分に重ねた
ものである。
ーン印刷版３を被覆する。図２はリボン状コイル１にス
クリーン印刷版３を被覆した状態を示すもので、このス
クリーン印刷版３として３００メッシュのステンレス製
のスクリーン印刷版を用い、コイル１のガイドホール２
を基準点として、カメラを用いて位置調整することによ
って、基準点としてメッキを必要としない部分に重ねた
ものである。
【００１６】次に、メッキ不要部分にマスキング塗膜を
形成する。図３は、このマスキング塗膜４の形成状態を
示す。このマスキング塗膜４は、図２に示すスクリーン
印刷版３の上面よりアルカリ溶解型の紫外線硬化型エッ
チングレジストを厚さ１２〜１５μｍに塗布した後、ス
クリーン印刷版３を取り除き、９００ｍＪ／ｃｍ2 の高
圧水銀灯を照射して形成する。
形成する。図３は、このマスキング塗膜４の形成状態を
示す。このマスキング塗膜４は、図２に示すスクリーン
印刷版３の上面よりアルカリ溶解型の紫外線硬化型エッ
チングレジストを厚さ１２〜１５μｍに塗布した後、ス
クリーン印刷版３を取り除き、９００ｍＪ／ｃｍ2 の高
圧水銀灯を照射して形成する。
【００１７】表１は、ガイドホール２とガイドホール２
との間隔を２２．０００±０．１５ｍｍに設定し、それ
ぞれ、Ｎｏ．１〜４としたときのリボン状コイル１に形
成したガイドホール間の実寸法とそれを基準に作成され
たスクリーン印刷版３と、形成されたマスキング塗膜４
との関係を示す。
との間隔を２２．０００±０．１５ｍｍに設定し、それ
ぞれ、Ｎｏ．１〜４としたときのリボン状コイル１に形
成したガイドホール間の実寸法とそれを基準に作成され
たスクリーン印刷版３と、形成されたマスキング塗膜４
との関係を示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】この表１に示すように、マスキング塗膜４
は、リボン状コイル１のガイドホール間隔と±０．０１
ｍｍの単位で一致するもので、寸法精度はきわめて優れ
たものとなる。
は、リボン状コイル１のガイドホール間隔と±０．０１
ｍｍの単位で一致するもので、寸法精度はきわめて優れ
たものとなる。
【００２０】次に、このリボン状コイルを銅メッキ液中
に浸漬してマスキング塗膜４のない部分５にストライク
メッキを施した後、スポットメッキ装置によって銀メッ
キ層を形成した。図４は、リボン状コイル１の上面に銀
による部分メッキを施した状態を示す。
に浸漬してマスキング塗膜４のない部分５にストライク
メッキを施した後、スポットメッキ装置によって銀メッ
キ層を形成した。図４は、リボン状コイル１の上面に銀
による部分メッキを施した状態を示す。
【００２１】同図に示すように、続くスポットメッキ装
置で銅メッキの上からガイドホール２を基準点として銀
メッキを施した。その後リボン状コイル１を更に水洗し
て表面に付着したメッキ液を除去した後、アルカリ溶液
に浸漬してマスキング皮膜を除去し、更に水洗して乾燥
した。
置で銅メッキの上からガイドホール２を基準点として銀
メッキを施した。その後リボン状コイル１を更に水洗し
て表面に付着したメッキ液を除去した後、アルカリ溶液
に浸漬してマスキング皮膜を除去し、更に水洗して乾燥
した。
【００２２】最後にガイドホール２に定規ピンを差し込
んだ状態で位置決めした後、リボン状コイルから、図４
に示す銀メッキを施した部分５を、図５に示すようにリ
ボン状コイル１からリードフレームとして打ち抜く。こ
れによって、コイニングゾーンに部分メッキが正確に施
されたリードフレーム基材１０を形成することができ
る。このリードフレーム基材１０は、当然ながら打ち抜
き側面には不要のメッキは施されていないものを得るこ
とができる。
んだ状態で位置決めした後、リボン状コイルから、図４
に示す銀メッキを施した部分５を、図５に示すようにリ
ボン状コイル１からリードフレームとして打ち抜く。こ
れによって、コイニングゾーンに部分メッキが正確に施
されたリードフレーム基材１０を形成することができ
る。このリードフレーム基材１０は、当然ながら打ち抜
き側面には不要のメッキは施されていないものを得るこ
とができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によって以下の効果を奏する。 （１）スクリーン印刷法によるマスキングのため、コイ
ニングゾーンのメッキ精度が向上して、必要最小部分の
みにメッキを施すことができる。その結果、貴金属の使
用量が減少すると共に、リードフレームの小型化、引い
てはＩＣの小型化が可能となる。 （２）メッキ後コイルを所定形状に打ち抜くので、リー
ドピンの側面にまで不要のメッキが施されることもな
く、品質の安定したリードフレーム基材を効率良く供給
できる。
ニングゾーンのメッキ精度が向上して、必要最小部分の
みにメッキを施すことができる。その結果、貴金属の使
用量が減少すると共に、リードフレームの小型化、引い
てはＩＣの小型化が可能となる。 （２）メッキ後コイルを所定形状に打ち抜くので、リー
ドピンの側面にまで不要のメッキが施されることもな
く、品質の安定したリードフレーム基材を効率良く供給
できる。
【図１】 本発明のガイドホールを形成したリボン状コ
イルの平面図を示す。
イルの平面図を示す。
【図２】 リボン状コイルの上面にスクリーン印刷版を
重ねた状態を示す。
重ねた状態を示す。
【図３】 リボン状コイルの上面にマスキング塗膜を形
成した状態を示す。
成した状態を示す。
【図４】 リボン状コイルの上面に部分メッキを施した
状態を示す。
状態を示す。
【図５】 リボン状コイルを打ち抜いて所定の部分にメ
ッキが施されたリードフレームを示す。
ッキが施されたリードフレームを示す。
ｌ リボン状コイル ２ ガイドホール ３ スクリーン印刷版 ４ マスキング塗膜 ５ メッキ部分 １０ リードフレー
ム
ム
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームの形状に打ち抜き成型す
る前のリボン状コイル上面にガイドホールを設け、同ガ
イドホールを基準点としてメッキを必要とする最小面積
部分以外の部分にスクリーン印刷法によりマスキング塗
膜を施し、同マスキング塗膜の部分以外にメッキ処理を
施した後、前記マスキング塗膜を剥離し、最後に前記ガ
イドホールを基準点として打ち抜き成型することを特徴
とする部分メッキされた半導体用リードフレームの形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20020894A JPH0846113A (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 部分メッキされた半導体用リードフレームの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20020894A JPH0846113A (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 部分メッキされた半導体用リードフレームの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846113A true JPH0846113A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16420611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20020894A Pending JPH0846113A (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 部分メッキされた半導体用リードフレームの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846113A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005097714A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スポットめっき皮膜形成方法 |
| ITVI20110122A1 (it) * | 2011-05-13 | 2012-11-14 | St Microelectronics Srl | Metodo e apparato per la fabbricazione di lead frames |
-
1994
- 1994-08-01 JP JP20020894A patent/JPH0846113A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005097714A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スポットめっき皮膜形成方法 |
| ITVI20110122A1 (it) * | 2011-05-13 | 2012-11-14 | St Microelectronics Srl | Metodo e apparato per la fabbricazione di lead frames |
| WO2012156034A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method and apparatus for manufacturing lead frames |
| CN103650122A (zh) * | 2011-05-13 | 2014-03-19 | 意法半导体股份有限公司 | 用于制造引线框架的方法和装置 |
| US9461011B2 (en) | 2011-05-13 | 2016-10-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method and apparatus for manufacturing lead frames |
| CN107622952A (zh) * | 2011-05-13 | 2018-01-23 | 意法半导体股份有限公司 | 用于制造引线框架的方法和装置 |
| CN107622952B (zh) * | 2011-05-13 | 2020-06-16 | 意法半导体股份有限公司 | 用于制造引线框架的方法和装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6184140B1 (en) | Methods of making microelectronic packages utilizing coining | |
| WO2003007373A1 (fr) | Cadre de montage | |
| JPH0955451A (ja) | 導電性インクを使用した半導体パッケージ基板の製造方法 | |
| CH654161A5 (de) | Verfahren zum herstellen von gedruckten leiterplatten mit lochungen, deren wandungen metallisiert sind. | |
| JPH0936084A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP6320879B2 (ja) | 印刷用マスク及びその製造方法 | |
| US9461011B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing lead frames | |
| KR102107599B1 (ko) | 전주도금을 이용한 3차원 형상의 금속 마스크 제조방법 | |
| JPH0846113A (ja) | 部分メッキされた半導体用リードフレームの形成方法 | |
| KR100231836B1 (ko) | 리드프레임의 식각방법 | |
| JP4057748B2 (ja) | フレキシブルプリント配線基板およびその製造方法 | |
| JPS6050349B2 (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JP3655029B2 (ja) | 電着レジスト皮膜の露光方法 | |
| JPS59126784A (ja) | コネクタ端子の製造方法 | |
| JPH09246688A (ja) | プリント回路体及びその製造方法 | |
| US5210006A (en) | Process for preparing mounting tapes for automatic mounting of electronic components | |
| KR100243369B1 (ko) | 연속적인 리드프레임 제조방법 | |
| JP2525513B2 (ja) | 半導体装置用リ―ドフレ―ムの製造方法 | |
| CN1123068C (zh) | 引线框架制造方法 | |
| JP6739462B2 (ja) | 印刷用マスク | |
| JPS5814625Y2 (ja) | 半田ディップ時のスル−ホ−ルマスク | |
| JPH09213862A (ja) | リードフレームの部分めっき方法 | |
| JPH0671058B2 (ja) | 微少点状めっき部を有するリ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH01147848A (ja) | Ｉｃ用リードフレームの製造方法 | |
| KR0151002B1 (ko) | 리이드 프레임 제조방법 및 그 장치 |