JPH10163275A - 半導体載置用基体の製造方法 - Google Patents
半導体載置用基体の製造方法Info
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- JPH10163275A JPH10163275A JP32134296A JP32134296A JPH10163275A JP H10163275 A JPH10163275 A JP H10163275A JP 32134296 A JP32134296 A JP 32134296A JP 32134296 A JP32134296 A JP 32134296A JP H10163275 A JPH10163275 A JP H10163275A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/243—Reinforcing the conductive pattern characterised by selective plating, e.g. for finish plating of pads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】リードフレームやテープキャリアのような基体
上の異なる部位に、２種以上の異なる種類の表面処理膜
を施す場合、又は、１種の表面処理膜を厚さを違えて異
なる部位に形成する場合に、効果的なマスキング工程を
含む半導体載置用基体の製造方法を提供することを目的
とする。 【解決手段】基体上に２種以上の異なる種類の表面処理
膜を部位を変えて施すに際し、特定の表面処理を施す部
位以外の部位をドライフィルムレジストをマスクとして
遮蔽する工程を含む半導体載置用基体の製造方法。
上の異なる部位に、２種以上の異なる種類の表面処理膜
を施す場合、又は、１種の表面処理膜を厚さを違えて異
なる部位に形成する場合に、効果的なマスキング工程を
含む半導体載置用基体の製造方法を提供することを目的
とする。 【解決手段】基体上に２種以上の異なる種類の表面処理
膜を部位を変えて施すに際し、特定の表面処理を施す部
位以外の部位をドライフィルムレジストをマスクとして
遮蔽する工程を含む半導体載置用基体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、リードフレー
ム、テープキャリアのような電子デバイス載置用基体の
製造方法に関する。
ム、テープキャリアのような電子デバイス載置用基体の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを搭載し、パッケージング
時の骨組みとなるリードフレームや、テープキャリア
は、プレス法又はエッチング法により金属板又は金属箔
を所望の形状に加工し、その上に接合に必要な表面処理
を施す工程を経て完成品とされる。
時の骨組みとなるリードフレームや、テープキャリア
は、プレス法又はエッチング法により金属板又は金属箔
を所望の形状に加工し、その上に接合に必要な表面処理
を施す工程を経て完成品とされる。
【０００３】リードフレーム上に施す表面処理は、金ワ
イヤボンディング部には、金、銀、パラジウムがめっき
され、アルミワイヤボンディング部には、ニッケルや、
ニッケル合金がめっきされ、アウターリード部先端に
は、はんだめっきが夫々組み立て条件に応じて施され
る。
イヤボンディング部には、金、銀、パラジウムがめっき
され、アルミワイヤボンディング部には、ニッケルや、
ニッケル合金がめっきされ、アウターリード部先端に
は、はんだめっきが夫々組み立て条件に応じて施され
る。
【０００４】一方、テープキャリア上に施す表面処理
は、インナーリード部先端には、金又はスズ、アウター
リード部先端には、金、スズ、はんだがめっきが施され
る。
は、インナーリード部先端には、金又はスズ、アウター
リード部先端には、金、スズ、はんだがめっきが施され
る。
【０００５】リードフレームやテープキャリアの表面処
理は、通常、１種類のめっき膜のみを施す場合が多い
が、リードフレームの場合は、異なる部位に２種類のめ
っき膜を施した２色めっきリードフレームがある。
理は、通常、１種類のめっき膜のみを施す場合が多い
が、リードフレームの場合は、異なる部位に２種類のめ
っき膜を施した２色めっきリードフレームがある。
【０００６】例えば、インナーリード部先端に銀めっき
が施され、アウターリード部先端には、はんだめっきが
施された先はんだめっきリードフレームが知られてい
る。この先はんだめっきリードフレームは、後工程のア
ウターリード部のはんだめっきが省略できるため、組み
立て時間が短縮できる。
が施され、アウターリード部先端には、はんだめっきが
施された先はんだめっきリードフレームが知られてい
る。この先はんだめっきリードフレームは、後工程のア
ウターリード部のはんだめっきが省略できるため、組み
立て時間が短縮できる。
【０００７】一方、テープキャリアに関しては、インナ
ーリード部先端とアウターリード部先端に施されるめっ
きの組み合わせとして、スズとはんだ、スズと金、金と
はんだが開発されている。
ーリード部先端とアウターリード部先端に施されるめっ
きの組み合わせとして、スズとはんだ、スズと金、金と
はんだが開発されている。
【０００８】更に、１種類のめっき膜として、スズ又は
金のみを施す場合は、インナーリード部とアウターリー
ド部とでめっき厚を異ならせる差厚めっきテープキャリ
アが知られている。
金のみを施す場合は、インナーリード部とアウターリー
ド部とでめっき厚を異ならせる差厚めっきテープキャリ
アが知られている。
【０００９】ところで、従来の、リードフレームの特定
の部位に異なる種類のめっき膜を施す工程は、ゴム製の
部分めっき用マスクをリードフレームに押し当て、めっ
き不要部及び／又は異なるめっき膜を施す部分をゴム製
マスクで遮蔽した後、めっき必要部にめっきを施すの一
般的である。
の部位に異なる種類のめっき膜を施す工程は、ゴム製の
部分めっき用マスクをリードフレームに押し当て、めっ
き不要部及び／又は異なるめっき膜を施す部分をゴム製
マスクで遮蔽した後、めっき必要部にめっきを施すの一
般的である。
【００１０】異なる部位に異なるめっき膜を施す場合
は、ゴム製マスクで遮蔽する部位を交互に交替して遮蔽
されていない部位に順次めっきを施す。
は、ゴム製マスクで遮蔽する部位を交互に交替して遮蔽
されていない部位に順次めっきを施す。
【００１１】一方、テープキャリアの特定の部位に異な
る種類のめっき膜を施す工程は、テープキャリア自体に
剛性がないため、前記ゴム製マスクを押し当てることが
できない。
る種類のめっき膜を施す工程は、テープキャリア自体に
剛性がないため、前記ゴム製マスクを押し当てることが
できない。
【００１２】そこで、特定の溶剤に可溶の塗装膜、例え
ばラッカーをめっき不要部及び／又は異なるめっき膜を
施す部分に塗布し、乾燥させて代用マスクとする。めっ
きが施された後は、シンナー、アセトンのような有機溶
剤に浸漬して、塗布したラッカーを溶解除去することが
行われている。
ばラッカーをめっき不要部及び／又は異なるめっき膜を
施す部分に塗布し、乾燥させて代用マスクとする。めっ
きが施された後は、シンナー、アセトンのような有機溶
剤に浸漬して、塗布したラッカーを溶解除去することが
行われている。
【００１３】上述した従来のリードフレームや、テープ
キャリア上に接合に必要な表面処理を施す工程には以下
のような欠点のあることが指摘されていた。
キャリア上に接合に必要な表面処理を施す工程には以下
のような欠点のあることが指摘されていた。
【００１４】即ち、異なる部位に２種類のめっき膜を施
した２色めっきリードフレームの場合、ゴム製マスクを
リードフレームに押し当てる際に、押さえが不完全の場
合には、めっき液が漏れ出し、めっき金属の置換、めっ
き液による表面汚染が起きる虞がある。
した２色めっきリードフレームの場合、ゴム製マスクを
リードフレームに押し当てる際に、押さえが不完全の場
合には、めっき液が漏れ出し、めっき金属の置換、めっ
き液による表面汚染が起きる虞がある。
【００１５】また、ゴム製マスクは、繰り返しの使用で
変形し、マスキング効果を損なうことがある。
変形し、マスキング効果を損なうことがある。
【００１６】一方、テープキャリアの特定の部位に異な
る種類のめっき膜を施す工程において、塗装剤としての
ラッカーや、その剥離剤であるシンナーやアセトンのよ
うな有機溶剤は、溶剤中毒を起こす危険性がある。その
ため、これら溶剤を使用する際は、法的な環境規制値を
順守しなければならず、大掛かりな排気装置を設けなけ
ればならず、コスト高をもたらす。
る種類のめっき膜を施す工程において、塗装剤としての
ラッカーや、その剥離剤であるシンナーやアセトンのよ
うな有機溶剤は、溶剤中毒を起こす危険性がある。その
ため、これら溶剤を使用する際は、法的な環境規制値を
順守しなければならず、大掛かりな排気装置を設けなけ
ればならず、コスト高をもたらす。
【００１７】また、塗装膜は、乾燥前は液体であるた
め、塗装後、液だれが起きやすく、マスキング不良の原
因となる。
め、塗装後、液だれが起きやすく、マスキング不良の原
因となる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上述した
ゴム製マスクや有機塗装膜の使用に伴う欠点を解消し、
リードフレームやテープキャリアのような基体上の異な
る部位に、２種以上の異なる種類の表面処理膜を施す場
合、又は、１種の表面処理膜を厚さを違えて異なる部位
に形成する場合に、効果的なマスキング工程を含む半導
体載置用基体の製造方法を提供することを目的とする。
ゴム製マスクや有機塗装膜の使用に伴う欠点を解消し、
リードフレームやテープキャリアのような基体上の異な
る部位に、２種以上の異なる種類の表面処理膜を施す場
合、又は、１種の表面処理膜を厚さを違えて異なる部位
に形成する場合に、効果的なマスキング工程を含む半導
体載置用基体の製造方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の半導体載置用基体の製造方法は、基体上
に２種以上の異なる種類の表面処理膜を部位を変えて施
すに際し、特定の表面処理を施す部位以外の部位をドラ
イフィルムレジストをマスクとして遮蔽する工程を含
む。
め、この発明の半導体載置用基体の製造方法は、基体上
に２種以上の異なる種類の表面処理膜を部位を変えて施
すに際し、特定の表面処理を施す部位以外の部位をドラ
イフィルムレジストをマスクとして遮蔽する工程を含
む。
【００２０】更に、この発明の半導体載置用基体の製造
方法は、基体上に１種の表面処理膜を部位によって膜厚
を変えて施すに際し、膜厚を変化させる部位以外の部位
をドライフィルムレジストをマスクとして遮蔽する工程
を含む。
方法は、基体上に１種の表面処理膜を部位によって膜厚
を変えて施すに際し、膜厚を変化させる部位以外の部位
をドライフィルムレジストをマスクとして遮蔽する工程
を含む。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、この発明の
実施の態様について説明する。
実施の態様について説明する。
【００２２】図１は、テープキャリアの上の異なる部位
に、２種以上の異なる種類の表面処理膜を施す場合の製
造方法の例として、液晶ドライバ搭載用テープキャリア
の製造工程を示す。
に、２種以上の異なる種類の表面処理膜を施す場合の製
造方法の例として、液晶ドライバ搭載用テープキャリア
の製造工程を示す。
【００２３】厚さ７５μｍのポリイミドテープ１０に、
スプロケットホール１及びデバイスホール２をパンチン
グにより開けた後、接着剤を介して厚さ３５μｍの銅箔
を貼り合わせた。
スプロケットホール１及びデバイスホール２をパンチン
グにより開けた後、接着剤を介して厚さ３５μｍの銅箔
を貼り合わせた。
【００２４】次に前記銅箔面にフォトレジストを塗布
し、露光、現像を行なった後、塩化第２鉄が主成分のエ
ッチング液をスプレーし、エッチング加工により銅の微
細配線パターンを形成した。
し、露光、現像を行なった後、塩化第２鉄が主成分のエ
ッチング液をスプレーし、エッチング加工により銅の微
細配線パターンを形成した。
【００２５】前記フォトレジストを専用剥離液を用いて
剥離除去した後、めっき不要部にソルダーレジスト３を
塗布した。次いで、このテープキャリアを無電解スズめ
っき液中に浸漬し、露出している銅箔パターン面に、厚
さ約０．６μｍのスズめっき膜を施した。（図１
（Ａ）） 上述のようにして製作したインナーリード部４を完全に
覆う幅を有してドライフィルムレジスト６をロールナミ
ネータを用いて熱圧着した。このドライフィルムレジス
ト６の熱圧着は、ポリイミド面と銅箔パターン面の両面
に同時に熱圧着される。（図１（Ｂ）） ドライフィルムレジスト６は、通常、レジスト膜の両面
を保護フィルムで保護しているが、ポリイミド面にラミ
ネートする面に当る保護フィルムは、ラミネートする直
前に剥離される。レジスト膜の表面の保護フィルムは、
そのまま残しておく。
剥離除去した後、めっき不要部にソルダーレジスト３を
塗布した。次いで、このテープキャリアを無電解スズめ
っき液中に浸漬し、露出している銅箔パターン面に、厚
さ約０．６μｍのスズめっき膜を施した。（図１
（Ａ）） 上述のようにして製作したインナーリード部４を完全に
覆う幅を有してドライフィルムレジスト６をロールナミ
ネータを用いて熱圧着した。このドライフィルムレジス
ト６の熱圧着は、ポリイミド面と銅箔パターン面の両面
に同時に熱圧着される。（図１（Ｂ）） ドライフィルムレジスト６は、通常、レジスト膜の両面
を保護フィルムで保護しているが、ポリイミド面にラミ
ネートする面に当る保護フィルムは、ラミネートする直
前に剥離される。レジスト膜の表面の保護フィルムは、
そのまま残しておく。
【００２６】上記テープキャリアを、スズめっき剥離液
に浸漬し、ドライフィルムレジスト６で覆われなかった
アウターリード部５のスズめっき膜を溶解除去し、十分
に水洗し、スズめっき剥離済みアウターリード７を得
た。（図１（Ｃ）） スズが除去され、銅が露出しているアウターリード部５
に電気メッキでニッケルを約１μｍ施した。めっき液に
は、スルファミン酸ニッケル浴を用いた。
に浸漬し、ドライフィルムレジスト６で覆われなかった
アウターリード部５のスズめっき膜を溶解除去し、十分
に水洗し、スズめっき剥離済みアウターリード７を得
た。（図１（Ｃ）） スズが除去され、銅が露出しているアウターリード部５
に電気メッキでニッケルを約１μｍ施した。めっき液に
は、スルファミン酸ニッケル浴を用いた。
【００２７】更に、そのニッケルめっき膜上に電気めっ
きで金を約０．５μｍ施し、金／ニッケルの２層めっき
アウターリード８が形成された。（図１（Ｄ）） 金めっき液は、中性ノーフリーシアン浴を用いた。
きで金を約０．５μｍ施し、金／ニッケルの２層めっき
アウターリード８が形成された。（図１（Ｄ）） 金めっき液は、中性ノーフリーシアン浴を用いた。
【００２８】上述の工程で、スズめっき膜の剥離、ニッ
ケルめっき、金めっき工程の一連の作業の間、熱圧着さ
せたドライフィルムレジスト６の膨潤、レジストの際の
にじみ、剥離等の密着不良は、認めらなかった。
ケルめっき、金めっき工程の一連の作業の間、熱圧着さ
せたドライフィルムレジスト６の膨潤、レジストの際の
にじみ、剥離等の密着不良は、認めらなかった。
【００２９】めっき作業を終えたテープキャリアの両面
に貼り付けたドライフィルムレジスト６の表面にある保
護フィルムを剥がした後、３％水酸化ナトリウム水溶液
をスプレーし、ドライフィルムレジスト６を完全に除去
し、水洗、乾燥工程を経て、テープキャリアとして完成
した。（図１（Ｅ）） 尚、上記異なる部位に２種類のめっき膜を施した２色め
っきリードフレームにあっては、インナーリード部４と
アウターリード部６とは、スズ−金の組み合わせで２色
めっきを構成したが、スズ−はんだ、金−はんだ、金−
スズなどの組み合わせでもよい。
に貼り付けたドライフィルムレジスト６の表面にある保
護フィルムを剥がした後、３％水酸化ナトリウム水溶液
をスプレーし、ドライフィルムレジスト６を完全に除去
し、水洗、乾燥工程を経て、テープキャリアとして完成
した。（図１（Ｅ）） 尚、上記異なる部位に２種類のめっき膜を施した２色め
っきリードフレームにあっては、インナーリード部４と
アウターリード部６とは、スズ−金の組み合わせで２色
めっきを構成したが、スズ−はんだ、金−はんだ、金−
スズなどの組み合わせでもよい。
【００３０】上述のようにして製造されたテープキャリ
アを検査した結果、インナーリードにスズめっき、アウ
ターリードの金／ニッケルの２層めっきは、精度よく成
膜されていて、２色めっきテープキャリアとして完成し
た。
アを検査した結果、インナーリードにスズめっき、アウ
ターリードの金／ニッケルの２層めっきは、精度よく成
膜されていて、２色めっきテープキャリアとして完成し
た。
【００３１】また、ドライフィルムレジストの熱圧着工
程では、テープキャリアにロール圧が掛かるが、インナ
ーリードの落ち込みや、変形の現象は、認められなかっ
た。次に、１種の表面処理膜を厚さを違えて異なる部位
に形成する場合のテープキャリアの製造方法の例とし
て、インナーリードに厚さ０．６μｍのスズ膜が施さ
れ、アウターリードに厚さ１．６μｍのスズ膜が施され
た差厚めっき仕様のテープキャリアの製造方法について
説明する。
程では、テープキャリアにロール圧が掛かるが、インナ
ーリードの落ち込みや、変形の現象は、認められなかっ
た。次に、１種の表面処理膜を厚さを違えて異なる部位
に形成する場合のテープキャリアの製造方法の例とし
て、インナーリードに厚さ０．６μｍのスズ膜が施さ
れ、アウターリードに厚さ１．６μｍのスズ膜が施され
た差厚めっき仕様のテープキャリアの製造方法について
説明する。
【００３２】前述したテープキャリアの上の異なる部位
に、２種以上の異なる種類の表面処理膜を施す場合の製
造方法の例と同じように、スズめっきされたインナーリ
ード部４のみを覆う幅でドライフィルムレジスト６をテ
ープキャリアの表裏両面に熱圧着させた無電解スズめっ
き済のテープキャリアを準備した。
に、２種以上の異なる種類の表面処理膜を施す場合の製
造方法の例と同じように、スズめっきされたインナーリ
ード部４のみを覆う幅でドライフィルムレジスト６をテ
ープキャリアの表裏両面に熱圧着させた無電解スズめっ
き済のテープキャリアを準備した。
【００３３】この時のインナーリードに施されスズめっ
きの厚さは、０．６μｍである。表面に露出しているア
ウターリードには、更に電気めっきにより、スズを１．
０μｍを上乗せして、めっきした。
きの厚さは、０．６μｍである。表面に露出しているア
ウターリードには、更に電気めっきにより、スズを１．
０μｍを上乗せして、めっきした。
【００３４】この結果、めっき膜は、１種類であるが、
インナーリード部４は厚さが０．６μｍであり、アウタ
ーリード部５は、１．６μｍの差厚めっきテープキャリ
アが完成した。
インナーリード部４は厚さが０．６μｍであり、アウタ
ーリード部５は、１．６μｍの差厚めっきテープキャリ
アが完成した。
【００３５】尚、差厚めっき法として、予め、厚いアウ
ターリードを準備し、全体を厚くめっきする。薄くした
い部分以外をドライフィルムレジストで遮蔽し、露出し
ためっき部分のめっき厚を溶解で薄くすることもでき
る。
ターリードを準備し、全体を厚くめっきする。薄くした
い部分以外をドライフィルムレジストで遮蔽し、露出し
ためっき部分のめっき厚を溶解で薄くすることもでき
る。
【００３６】上述の実施例においても、電気スズめっき
作業中に、ドライフィルムレジストの膨潤、際のにじ
み、薄膜の密着不良は認められなかった。
作業中に、ドライフィルムレジストの膨潤、際のにじ
み、薄膜の密着不良は認められなかった。
【００３７】次に、２色めっきリードフレームの内、イ
ンナーリードの先端に銀を施し、アウターリードの先端
には、はんだを施した、先はんだめっきリードフレーム
の製造方法について説明する。
ンナーリードの先端に銀を施し、アウターリードの先端
には、はんだを施した、先はんだめっきリードフレーム
の製造方法について説明する。
【００３８】インナーリード部４の先端に、例えば、高
速噴流めっき装置で、厚さ３μｍの銀めっきを施した４
２合金製リードフレームを準備した。
速噴流めっき装置で、厚さ３μｍの銀めっきを施した４
２合金製リードフレームを準備した。
【００３９】このリードフレームをレジンモールドした
後に、レジンに覆われる部分の表面及び裏面にドライフ
ィルムレジスト６を仮付けした後、ロールラミネータで
熱圧着した。この状態で、アウターリード部５の表面は
パッケージの外部で露出している。
後に、レジンに覆われる部分の表面及び裏面にドライフ
ィルムレジスト６を仮付けした後、ロールラミネータで
熱圧着した。この状態で、アウターリード部５の表面は
パッケージの外部で露出している。
【００４０】次に、このリードフレーム全体を電解はん
だめっき液中に浸漬し、露出しているアウターリード部
５の表面に、厚さ約７μｍのはんだを電気めっきで施し
た。この時のはんだは、スズ６５％−鉛３５％の割合で
構成されている。
だめっき液中に浸漬し、露出しているアウターリード部
５の表面に、厚さ約７μｍのはんだを電気めっきで施し
た。この時のはんだは、スズ６５％−鉛３５％の割合で
構成されている。
【００４１】次いで、ドライフィルムレジスト６の表面
保護フィルムを剥離した後、３％水酸化ナトリウム水溶
液をスプレーして、ドライフィルムレジストを溶解除去
する。
保護フィルムを剥離した後、３％水酸化ナトリウム水溶
液をスプレーして、ドライフィルムレジストを溶解除去
する。
【００４２】最後に、水洗乾燥を行って先はんだめっき
リードフレームを完成した。
リードフレームを完成した。
【００４３】上述の実施例においては、いずれも、図１
に示したように、アウターリードが、リードフレーム、
テープキャリアの幅方向に配列される構造について説明
したが、これに限らず、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｄ
Ｐａｃｋａｇｅ）のように、長手方向にも配列されてい
る場合に、インナーリード部とアウターリード部とで、
２色めっきリードフレームや、差厚めっきリードフレー
ムを構成する半導体載置用基体の製造方法について説明
する。
に示したように、アウターリードが、リードフレーム、
テープキャリアの幅方向に配列される構造について説明
したが、これに限らず、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｄ
Ｐａｃｋａｇｅ）のように、長手方向にも配列されてい
る場合に、インナーリード部とアウターリード部とで、
２色めっきリードフレームや、差厚めっきリードフレー
ムを構成する半導体載置用基体の製造方法について説明
する。
【００４４】上述した実施例と同様に、インナーリード
とアウターリードに対し、２色めっき、又は差厚めっき
のいずれであっても、インナーリードが覆われる幅で連
続してドライフィルムレジストをラミネートした後、フ
ォトマスクを用意して、インナーリードの遮蔽部のみ露
光する。
とアウターリードに対し、２色めっき、又は差厚めっき
のいずれであっても、インナーリードが覆われる幅で連
続してドライフィルムレジストをラミネートした後、フ
ォトマスクを用意して、インナーリードの遮蔽部のみ露
光する。
【００４５】使用したドライフィルムレジストは、ネガ
タイプであるため、レジスト表面の保護フィルムを剥が
して１％の炭酸ナトリウム水溶液で現像すれば、インナ
ーリードの遮蔽部以外のレジストは、溶解除去される。
タイプであるため、レジスト表面の保護フィルムを剥が
して１％の炭酸ナトリウム水溶液で現像すれば、インナ
ーリードの遮蔽部以外のレジストは、溶解除去される。
【００４６】この後、アウターリードにめっき膜を施
し、３％の水酸化ナトリウム水溶液でレジストの剥膜を
行うことで、長手方向にアウターリードが配列されてい
るような基体に対しても、ドライフィルムレジストを用
いて、２色めっき、又は差厚めっき構成の半導体載置用
基体を完成できる。
し、３％の水酸化ナトリウム水溶液でレジストの剥膜を
行うことで、長手方向にアウターリードが配列されてい
るような基体に対しても、ドライフィルムレジストを用
いて、２色めっき、又は差厚めっき構成の半導体載置用
基体を完成できる。
【００４７】上述した実施例のいずれにおいても、ドラ
イフィルムレジストが、遮蔽マスクとして用いられてい
る。
イフィルムレジストが、遮蔽マスクとして用いられてい
る。
【００４８】ドライフィルムレジストは、本来、リード
フレームやテープキャリアをフォトエッチング法によっ
て成型加工する際に、感光性液状レジストの代わりに使
用するものであるが、本発明では、めっき作業時の遮蔽
マスクとして用いている。
フレームやテープキャリアをフォトエッチング法によっ
て成型加工する際に、感光性液状レジストの代わりに使
用するものであるが、本発明では、めっき作業時の遮蔽
マスクとして用いている。
【００４９】本発明は、ドライフィルムレジストの以下
の特徴を生かした。
の特徴を生かした。
【００５０】即ち、フィルムラミネートによりレジスト
の成膜が簡便にできる。現像は、１％炭酸ナトリウム水
溶液のスプレーで数分以内で終了する。剥膜は、３％水
酸化ナトリウム水溶液のスプレーで数分以内で終了す
る。
の成膜が簡便にできる。現像は、１％炭酸ナトリウム水
溶液のスプレーで数分以内で終了する。剥膜は、３％水
酸化ナトリウム水溶液のスプレーで数分以内で終了す
る。
【００５１】従って、本発明の半導体載置用基体の製造
方法において、ドライフィルムレジストは、簡便に基体
に貼り付けられ、３％の水酸化ナトリウム水溶液でレジ
ストの剥膜を簡単に行うことができ、しかも、アルカリ
性水溶液以外の水溶液に対する耐久性を有している。
方法において、ドライフィルムレジストは、簡便に基体
に貼り付けられ、３％の水酸化ナトリウム水溶液でレジ
ストの剥膜を簡単に行うことができ、しかも、アルカリ
性水溶液以外の水溶液に対する耐久性を有している。
【００５２】ドライフィルムレジストは、アルカリ性水
溶液に対しては耐久性がなく、現像工程直前に、ドライ
フィルムレジスト表面の保護フィルムを剥がした時、そ
の表面が露出してしまうので、めっき作業時にはアルカ
リ性めっき液は用いない。
溶液に対しては耐久性がなく、現像工程直前に、ドライ
フィルムレジスト表面の保護フィルムを剥がした時、そ
の表面が露出してしまうので、めっき作業時にはアルカ
リ性めっき液は用いない。
【００５３】このように、めっき処理を施したくない部
位に遮蔽用としてドライフィルムレジストを貼り付け、
めっき終了後は、リードフレームやテープキャリアの基
体に応力を掛けずに剥離処理ができ、リードピンの変形
や、フレーム全体のカールを起こさずに、外観が良好な
２色めっき、又は差厚めっき構成のリードフレームやテ
ープキャリアのような半導体載置用基体を得ることがで
きる。
位に遮蔽用としてドライフィルムレジストを貼り付け、
めっき終了後は、リードフレームやテープキャリアの基
体に応力を掛けずに剥離処理ができ、リードピンの変形
や、フレーム全体のカールを起こさずに、外観が良好な
２色めっき、又は差厚めっき構成のリードフレームやテ
ープキャリアのような半導体載置用基体を得ることがで
きる。
【００５４】
【発明の効果】本発明の半導体載置用基体の製造方法に
よれば、リードフレームやテープキャリアのような基体
上に２種以上の異なる種類の表面処理膜を部位を変えて
施すに際し、特定の表面処理を施す部位以外の部位をド
ライフィルムレジストをマスクとして遮蔽する工程を含
むことにより、又は、基体上に１種の表面処理膜を部位
によって膜厚を変えて施すに際し、膜厚を変化させる部
位以外の部位をドライフィルムレジストをマスクとして
遮蔽する工程を含むことにより、以下の効果が得られ
る。
よれば、リードフレームやテープキャリアのような基体
上に２種以上の異なる種類の表面処理膜を部位を変えて
施すに際し、特定の表面処理を施す部位以外の部位をド
ライフィルムレジストをマスクとして遮蔽する工程を含
むことにより、又は、基体上に１種の表面処理膜を部位
によって膜厚を変えて施すに際し、膜厚を変化させる部
位以外の部位をドライフィルムレジストをマスクとして
遮蔽する工程を含むことにより、以下の効果が得られ
る。
【００５５】（１）シーリングが完全に行われるので、
めっき液の漏れ出しによるめっき金属の置換、めっき液
による表面汚染がない。
めっき液の漏れ出しによるめっき金属の置換、めっき液
による表面汚染がない。
【００５６】（２）繰り返しの使用によるゴム製マスク
の変形はなく、常時マスキング効果を発揮できる。
の変形はなく、常時マスキング効果を発揮できる。
【００５７】（３）ラッカー及びその剥離剤であるシン
ナーやアセトンのような有機溶剤を用いていないので、
溶剤中毒の虞はない。従って、大掛かりな排気装置を設
置する必要はない。
ナーやアセトンのような有機溶剤を用いていないので、
溶剤中毒の虞はない。従って、大掛かりな排気装置を設
置する必要はない。
【００５８】（４）液状レジストの塗布後の液だれを防
ぐことができる。
ぐことができる。
【００５９】（５）基体の長手方向にアウターリードが
ある場合でもドライフィルムレジストをラミネートした
後、露光、現像を行うことにより、レジストを任意の部
位に設置できる。
ある場合でもドライフィルムレジストをラミネートした
後、露光、現像を行うことにより、レジストを任意の部
位に設置できる。
【図１】本発明の半導体載置用基体の製造方法を示す各
工程図。
工程図。
２ デバイスホール ３ ソルダ−レジスト ４ インナーリード部 ５ アウターリード部 ６ ドライフィルムレジスト ７ スズめっき剥離済みアウターリード ８ 金／ニッケルの２層めっきアウターリード １０ ポリイミドテープ
Claims (4)
- 【請求項１】基体上に２種以上の異なる種類の表面処理
膜を部位を変えて施すに際し、特定の表面処理を施す部
位以外の部位をドライフィルムレジストをマスクとして
遮蔽する工程を含む半導体載置用基体の製造方法。 - 【請求項２】ポリイミドテープ上に貼り合わせた銅箔面
に対しフォトレジストを塗布した後、エッチング加工に
より銅配線パターンを形成する工程と、前記銅配線パタ
ーンの露出面にめっき膜を施して形成したインナーリー
ド部を覆う幅でドライフィルムレジストをマスクする工
程と、前記銅配線パターンの前記インナーリード部以外
の露出面に他のめっき膜を施してアウターリード部を形
成する工程と、前記ドライフィルムレジストを除去し、
前記インナーリード部と前記アウターリード部とで２色
テープキャリアとする工程とより成る半導体載置用基体
の製造方法。 - 【請求項３】基体上に１種の表面処理膜を部位によって
膜厚を変えて施すに際し、膜厚を変化させる部位以外の
部位をドライフィルムレジストをマスクとして遮蔽する
工程を含む半導体載置用基体の製造方法。 - 【請求項４】ポリイミドテープ上に貼り合わせた銅箔面
に対しフォトレジストを塗布した後、エッチング加工に
より銅配線パターンを形成する工程と、前記銅配線パタ
ーンの露出面に所定の膜厚のめっきを施したインナーリ
ード部を覆う幅でドライフィルムレジストをマスクする
工程と、前記銅配線パターンの前記インナーリード部以
外の露出面に前記めっきの膜厚より厚いめっき膜を施し
てアウターリード部を形成し、差厚めっきテープキャリ
アとする工程とより成る半導体載置用基体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32134296A JPH10163275A (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | 半導体載置用基体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32134296A JPH10163275A (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | 半導体載置用基体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163275A true JPH10163275A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18131518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32134296A Pending JPH10163275A (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | 半導体載置用基体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163275A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7353595B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-04-08 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a printed circuit board that mounts an integrated circuit device thereon |
-
1996
- 1996-12-02 JP JP32134296A patent/JPH10163275A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7353595B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-04-08 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a printed circuit board that mounts an integrated circuit device thereon |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030114 |