JPH0787205B2

JPH0787205B2 - ２層ｔａｂの製造方法

Info

Publication number: JPH0787205B2
Application number: JP22340590A
Authority: JP
Inventors: 明郎高津
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 1989-09-01
Filing date: 1990-08-24
Publication date: 1995-09-20
Anticipated expiration: 2010-09-20
Also published as: JPH03263340A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は電子部品に実装されるTAB（Tape Automated Bo
nding）の製造方法に係り、さらに詳しくは基板の両面
に金属層を有する２層TABの製造方法に関するものであ
る。

（従来の技術）近年、エレクトロニクス産業界においては低価格、高信
頼度を有する多機能装置の開発が急速に進められてお
り、これによる高機能、高密度素子の出現に伴って高信
頼性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに
対する要求が高まってきている。これに従って、新しい
素子実装技術の開発が日増しに重要さを加えており、特
にICパッケージにおける小型化と多様化が重要な課題と
して開発が進められている。このような素子実装技術の
進歩に伴って、小型ICパッケージにおける多ピン化の要
求に応え得るような微細なピン間隔が望まれている。

TABはポリイミド等のテープ状合成樹脂フィルム基板上
に多数のボンディング用金属細密リードパターンを施し
たものであり、その特徴としては、テストパッドを有し
ているので、ボンディング後にボンディング不良やチッ
プ不良を基板実装前に発見でき、またワイヤーボンディ
ングに比しICパッドの大きさが小さくてよく、一層の多
ピン化が可能であるなどその利点が多い。

TABはその構造上から１層TAB、２層TAB及び３層TABの３
種類に大別される。１層TABはパターンニング処理を施
した銅箔等の金属テープのみによって構成されるものを
云うが、金属層自体の厚みがせいぜい数十μｍ程度であ
るために機械的強度に乏しく、施し得るピン数に限界が
あるので高密度化に適さない。この１層TABの欠点を補
うためにプラスチックフィルム基板上に接着剤を用いて
金属箔を張り合せた後、金属箔にパターニング処理を施
した３層TABが開発されたが、この３層TABにおいては中
間層として使用する接着剤の影響によって、基板にポリ
イミド樹脂のような絶縁性の高いプラスチックフィルム
を使用していても、ピン間の絶縁性を十分に確保するこ
とができないと云う欠点を有する。

２層TABは、プラスチックフィルム基板表面に接着剤に
よらず、スパッタ法、真空蒸着法、めっき法等によって
直接金属層を形成させて、これにパターニング処理を施
したものであって、接着剤を使用しないので、電気絶縁
性についての問題を生ずることなく安定的に使用するこ
とができるので将来性が期待されている。

２層TABの製造法の概略を述べると、先ずプラスチック
フィルム基板表面に前述したようなスパッタ法、真空蒸
着法の如き乾式表面処理法、または無電解めっき法の如
き湿式表面処理法を用いて金属層を被着させる。通常、
この場合プラスチックフィルムとしては電気絶縁性が高
くまた熱安定性に優れたポリイミド樹脂が使用され、ま
た被着金属層には銅が使用される。次に金属層表面にパ
ターニング処理を施すのであるが、これには形成させる
リードの厚さ以上の厚みに感光レジストを塗布してお
き、所望のリードパターンを有するマスキングを施して
レジストの光照射を行なうことにより、レジスト上に露
光部と非露光部によるパターンを形成し、その後これに
現像を施すことによって、非露光部または露光部を選択
的に溶解除去することによって金属層上にレジストパタ
ーンを形成する。現像によってレジストが除去された部
分、即ち金属層が露出した部分に電気めっきでレジスト
の厚みかまたはそれ以下の厚みまで金属を析出させ、最
後に残存レジストを溶解除去することによって所望のリ
ードパターンを有する２層TABを得ることが出来る。

このようにして得られた２層TABをICチップの連続ボン
ディングを行なうためには、テープ送り用のスプロケッ
トホール、リード先端を露出させてICチップと接合させ
るためのデバイスホール、リード後端部を外部回路に接
続するためのOLBホールを化学的エッチングにより設け
る必要がある。これらの各ホールはポリイミド樹脂テー
プ上にレジストパターンを施した後に樹脂を溶解するこ
とによって形成される。

（発明が解決しようとする課題）以上のようにして製造された２層TABは中間層として接
着剤層を残存させることなくリードの多ピン化を行なう
ことができるので、電気的特性に優れ、また熱的、機械
的性質も安定したものが得られるが、これを実際にICチ
ップにボンディングして電子計算機等に組み込んで使用
した場合に、処理速度の増大に伴い往々にしてTABに形
成された一部のリードに高周波電流が流れ、雑音を発生
せしめるのでこれに対する対応策を講ずる必要がある。
この欠点を改善するためには、２層TABの裏面にさらに
金属層をグラウンドとして設け、また表面に形成された
リードの一部をポリイミド樹脂基板に穿った導通用のビ
アホールを穿って、表面に形成されたリードの一部をこ
のビアホールを介して裏面のグラウンド金属層に導通さ
せることによって、高周波による雑音を低減させること
が考えられるが、未だその具体的製造方法については確
立されていない。

本発明は、上記した知見に基き高周波による雑音発生の
少ない２層TABを得るための新規な製造方法を提供する
ことを目的としたものである。

（課題を解決するための手段）上記目的を達成するための本発明は次の三つの基本的実
施態様からなる。

即ち、本発明の２層TABの製造方法における第１の実施
態様は、ポリイミドフィルムの上面に接着剤を用いるこ
となく金属層を形成したものを基体とし、該基体の上下
各面に感光性レジスト層を形成した後、基体上面におけ
るレジスト層には主として所定のリードパターンを有す
るフォトマスクを、また基体下面におけるレジスト層に
は主として所定の各種ホールパターンを有するフォトマ
スクを施して、光を照射した後上下各面のレジストを現
像し、該基体の上下各面にそれぞれの形状のレジストパ
ターンを形成せしめる工程、基体上面に形成したレジス
トパターンに従って基体上面にリード前形体を形成する
工程、基体下面に形成したレジストパターンに従ってポ
リイミド樹脂の所定の部分に所定の各種ホール部を形成
し、次いで各種ホール部形成後の基体下面に金属薄膜層
を形成する工程、該金属薄膜層上に再び感光性レジスト
層を形成し、該レジスト層上にビアホールを除く所定の
各種ホールパターンを有するフォトマスクを施して光を
照射した後現像し基体下面にレジストパターンを形成
し、該レジストパターンに従って基体下面にビアホール
以外の所定の各種ホール部を除く基体下面全体に亘って
グラウンド金属層を形成する工程およびリード前形体に
おけるリード間に存在する金属層を溶解除去してリード
を形成する工程とよりなることを基本的工程とするもの
である。

また第２の実施態様は、ポリイミド樹脂フィルムの上面
に接着剤を用いることなく金属層を形成したものを基体
とし、該基体の上下各面に感光性レジスト層を形成した
後、基体上面におけるレジスト層には主として所定のリ
ードパターンを有するフォトマスクを、また基体下面に
おけるレジスト層には主として所定のビアホールパター
ンを有するフォトマスクを施し、光を照射した後上下各
面のレジストを現像し、該基体の上下各面にそれぞれの
形状のレジストパターンを形成せしめる工程、基体上面
に形成したレジストパターンに従って基体上面にリード
前形体を形成する工程、基体下面に形成したレジストパ
ターンに従ってポリイミド樹脂の所定の部分に所定のビ
アホールを形成し、次いでビアホール形成後の基体下面
に金属薄膜層を形成する工程、該金属薄膜層上に再び感
光性レジストを形成し、該レジスト層上にビアホールを
除く所定の各種ホールパターンを有するフォトマスクを
施して光を照射した後現像して基体下面にレジストパタ
ーンを形成し、該レジストパターンに従って基体下面に
ビアホール以外の所定の各種ホールに相当する部分のポ
リイミド樹脂が露出するように基体下面全体に亘ってグ
ラウンド金属層を形成する工程、露出したポリイミド樹
脂を溶解除去することによりビアホールを除く所定の各
種ホールを形成する工程およびリード前形体のリード間
に残存する金属層を溶解除去することによりリードを形
成する工程とよりなることを基本的工程とするものであ
る。

またさらに第３の実施態様は、ポリイミド樹脂フィルム
の下面に接着剤を用いることなく金属層を形成したもの
を基体とし、該基体の上下各面に感光性レジスト層を形
成した後、基体上面におけるレジスト層には主として所
定のリードパターンを有するフォトマスクを、また基体
下面におけるレジスト層には主として所定のビアホール
パターを有するフォトマスクを施して、光を照射した後
上下各面のレジストを現像し、該基体の上下各面にそれ
ぞれの形状のレジストパターンを形成せしめる工程、基
体上面に形成したレジストパターンに従って基体上面に
リードを形成し、しかる後基体上面全体に亘って有機樹
脂被膜を形成する工程、基体下面に形成したレジストパ
ターンに従ってポリイミド樹脂の所定の部分に所定のビ
アホールを形成し、次いでビアホール形成後の基体下面
に金属薄膜層を形成する工程、該金属薄膜層上に再び感
光性レジストを形成し、該レジスト上にビアホールを除
く所定の各種ホールパターンを有するフォトマスクを施
して光を照射した後現像して基体下面にレジストパター
ンを形成し、該レジストパターンに従って基体下面にビ
アホール以外の所定の各種ホール部に相当する部分のポ
リイミド樹脂が露出するように基体下面全体に亘ってグ
ラウンド金属層を形成する工程、露出したポリイミド樹
脂を溶解除去することによりビアホールを除く所定の各
種ホールを形成する工程および基体上面に施された有機
樹脂被膜を除去する工程とよりなることを基本的工程と
するものである。

本発明は上記した三つの実施態様に基づく基本工程に分
けられるが、それぞれに共通していることはポリイミド
樹脂フィルムの上面、即ち片面にのみ金属層を接着剤を
使用することなく被着させるものを基体として使用する
ことである。

その上で第１および第２の実施態様においては基体上面
のリードの形成は、上面のレジストパターンに従って先
ずリード前形体を形成した後、直ちに基体上面の金属層
を溶解除去して各リードを電気的に独立した状態にする
のでなく、ポリイミド樹脂の所定部分に所定の各種ホー
ルを形成し、また基体下面のビアホールを除く各種ホー
ルの形成部分以外の全域にグラウンド金属層を形成した
後に基体上面に存在する金属層を溶解除去してリードの
形成を行なうものであり、また第３の実施態様において
はレジストパターン形成後直ちに基体上面の金属層露出
部分を溶解除去するか、リード前形体を形成せしめた場
合においても該リード前形体の形成後直ちに基体上面の
金属層の溶解除去を行なう。この場合においてはその後
の工程においての上面のポリイミド露出部分の保護を行
なうために基体上面全体に亘って有機樹脂被膜を被覆す
ることが必要である。

また第１および第２の実施態様におけるリード前形体の
形成は、基体上面に形成したレジストパターンに従って
露出した金属層上に、電気めっきにより金属めっき層を
積層する所謂セミアディティブ法のみが適用されるが、
第３実施態様においてはこの他レジストパターンに従っ
て露出した金属層をエッチング後、単に非エッチング金
属層上のレジストを溶解除去することによってリード形
成を行なうサブトラクティブ法を適用することも可能で
ある。そしてこの何れの方法を採用するかは、ポリイミ
ド樹脂基体上面に形成する金属層の厚さによって定ま
り、金属層の厚さを薄くした場合にはセムアディティフ
法がまた厚くした場合にはサブトラクティブ法が採用さ
れる。

また、ポリイミド樹脂基体に対する各種ホールの形成は
第１の実施態様においては基体下面において最初に形成
するレジストパターンを所定の全ホールパターンによっ
て形成して、これに従って所定の位置に露出したポリイ
ミド樹脂を溶解除去する１段形成法によって行なわれる
が、第２および第３の実施態様においては基体下面に最
初に形成されたレジストパターンからはビアホールの形
成のみを行ない、その他の各種ホールの形成は、次に述
べるグラウンド金属層の形成に際して再度形成されるレ
ジストパターンに従って行なう２段形成手段が採られ
る。

また、基体下面におけるグラウンド金属層の形成は、第
１の実施態様においては全ホールの、また第２および第
３の実施態様においてはビアホール形成後の基体下面に
金属薄膜層を形成し、該金属薄膜層上に再度感光性レジ
スト層を形成し、該レジスト上にビアホール以外の所定
のホールパターンを有するフォトマスクを施して露光、
現像を行なうことによってレジストパターンを形成し、
このようにして再度形成したレジストパターンに従って
露出した金属薄膜層上に電気めっきにより金属めっき層
を積層した後レジストを溶解除去し、これによって露出
したレジスト下の金属薄膜層を溶解除去するセミアディ
ティブ法による方法か、または全ホール若しくはビアホ
ール形成後の基体下面に形成した金属薄膜層上に直ちに
電気めっきによる金属めっき層を積層させて積層金属層
を形成し、しかる後上記と同様の手順で再度レジストパ
ターンを形成し、該レジストパターンに従って露出した
積層金属層及びその下の金属薄膜層を溶解除去し、さら
に残存するレジストを除去するサブトラクティブ法によ
る方法とがあり、これらの何れかの方法をも適宜採用す
ることができる。

（作用）次に本発明による２層TABの製造方法の詳細とその作用
について、図示するものに基づいて説明する。

第１図乃至第３図は、それぞれ第１乃至第３実施態様に
よる２層TAの製造法についての工程図を示したものであ
る。

第１図において示したように、第１の実施態様において
は、ポリイミド樹脂基体の上面に金属層（下地金属層）
を形成し、さらに上下面にレジストパターンを形成する
工程、上面のレジストパターンに従ってリード前形体を
形成する工程、下面のレジストパターンに従って所定の
各種ホールを形成した後、下面全体に亘って金属薄膜層
を形成する工程、グラウンド金属層を形成する工程及び
リード前形体間に存在する金属層を溶解除去してリード
を形成する工程とよりなるものであり、また第２の実施
態様においては、第２図に示したようにポリイミド樹脂
基体の上面に金属層（下地金属層）を形成し、さらに上
下面にレジストパターンを形成する工程、上面のレジス
トパターンに従ってリード前形体を形成する工程、下面
のレジストパターンに従って所定のビアホールを形成し
た後、下面全体に亘って金属薄膜層を形成する工程、グ
ラウンド金属層を形成する工程、下面における再度のレ
ジストパターンに従ってビアホールを除く残りの所定ホ
ールを形成する工程およびリード前形体間に存在する金
属層を溶解除去してリードを形成する工程とよりなるも
のであり、またさらに第３の実施態様においは、第３図
に示したように、ポリイミド樹脂基体の上面に金属層
（下地金属層）を形成し、さらに上下面にレジストパタ
ーンを形成する工程、上面のレジストパターンに従って
リードを形成する工程、下面のレジストパターンに従っ
て所定のビアホールを形成する工程、グラウンド金属層
を形成する工程、下面に再度形成されたレジストパター
ンに従ってビアホールを除く残りの所定ホールを形成す
る工程とよりなるものである。

第４図乃至第６図はそれぞれ第１乃至第３の実施態様に
よる２層TABの製造工程の概略を順を追って図示した工
程説明図である。なお第６図（ｉ）はリード形成法にセ
ミアディティブ法を採用した場合のもの、第６図（ii）
はサブトラクティブ法を採用した場合のものを示す。

第７図はこれらの工程を経ることによって得られた２層
TABの１例を示すものの外観を示す部分平面図である。

また、第４図乃至第６図における（ａ）は第７図におけ
るＸ−Ｙ断面に、また（ｂ）はＸ′−Ｙ′断面に相当す
る部分の断面図である。また第４図乃至第６図における
（ａ）および（ｂ）の左右同列に示される図面（イ）乃
至（ト）は工程順に各工程での材料の断面状態を表わし
たものである。

なお、工程説明図中第５段目および第６段目における
（ホ）および（ヘ）はグラウンド金属層およびビアホー
ル以外の各種ホールの形成をセミアティティブ法で行な
った場合の、また（ホ′）および（ヘ′）はサブトラク
ティブ法で行なった場合の断面を示す。

第８図は本発明において使用されるリードパターン形成
用のマスクの一例を、また第９図および第10図はそれぞ
れ第１実施態様に使用されるホールパターン形成用のフ
ォトマスクの一例を、また第11図および第12図は第２お
よび第３の実施態様に使用されるビアホールパターン形
成用のフォトマスクの一例を示したものである。また第
13図および第14図は本発明において再度行なわれるレジ
ストパターン形成に際して使用されるビアホール以外の
ホールパターンを有するフォトマスクである。

第４図乃至第６図において１は上面金属層、２はポリイ
ミド樹脂基体、３および４はそれぞれ上面金属層１およ
びポリイミド樹脂基体２の下面に形成された感光性レジ
スト層である。

５および６は、それぞれ上下面のレジスト層３および４
上に所定の目的に従ってマスキングを施して露光現像す
ることにより形成した各種のレジストパターンである。

７は上面のレジストパターン６に従って形成したリード
であって、第４図および第５図において示されるよう
に、第１および第２実施態様においてはこれらのリード
７は金属層１とともにリード前形体を形成している。ま
た第６図における16はリード７を形成した後の上面全体
に亘って被覆された有機樹脂被膜層である。

８、９、10および11はそれぞれポリイミド樹脂下面に形
成されたレジストパターンに従ってポリイミド樹脂露出
部を溶解して形成されたビアホール、デバイスホール、
OLBホールおよびスプロケットホールである。第４図に
示されるように、第１の実施態様においてはこれらのホ
ールは全て最初に形成されたレジストパターン６によっ
て形成されるか、第５図および第６図に示されるように
第２および第３の実施態様においては最初のレジストパ
ターン６ではビアホール８のみを形成し、残余のホール
は再度形成されるレジストパターン13によって形成する
２段形成の手段がとられる。

12は全ホールまたはビアホール形成後、の基体下面全体
に亘って被着させた金属薄膜層である。

13は基体下面に再度形成したレジスト層、14はレジスト
層13を露光、現像して再度形成されたレジストパターン
である。

また15は基体下面において、ビアホール８を介して上面
のリード７と電気的な導通が図られるように形成された
グラウンド金属層である。

つぎに本発明の２層TABの製造方法についてその詳細を
それぞれの工程別に説明する。

なお第１図乃至第３図の工程図に見れるように、第２お
よび第３の実施態様は、ポリイミド樹脂基体に対する各
種ホールの形成を第１の実施態様において１段で行なう
のに対し２段に分けて行なう以外は基体上面の金属層形
成、リード前形体を形成する工程、金属薄膜層の形成工
程、グラウンド金属層の形成工程およびリード前形体か
ら独立リードを形成する工程を同様に行なうものであ
り、また第３の実施態様はリードの形成をリード前形体
の形成を行なうことなく直ちに行なうサブトラクティブ
法およびリードを形成するセミアディティブ法を使用す
る以外は第２の実施態様と同様の工程で行なうものであ
る。従って説明の簡略化のために各実施態様における重
複部分の説明については省略する。

（１）第１実施態様上面金属層およびレジストパターン形成工程：本発明においては基本的に上面にのみ金属層１を接着剤
によらずに被着形成させたテープ状のポリイミド樹脂フ
ィルムを基体２として用いる。

ポリイミド樹脂フィルム基体２の上面に形成する金属層
１は該基体表面にスパッタ法、真空蒸着法、または無電
解めっき法によるか或いはこれらの方法を組み合わせて
金属層を形成させるか、これらの方法にさらに電解めっ
き法を組み合わせてもよく、要はポリイミド樹脂基体２
上に接着剤を施すことなく直接的に金属層を形成せしめ
る方法ならば何れの方法によるものも採用することがで
きる。ポリイミド樹脂基体２上に形成する金属層１は電
気的性能およびコスト面から一般には銅が採用される
が、基体２と銅との間にクロム、ニッケル等の薄膜層が
存在しても何ら差し支えない。

基体上面に形成する金属層１の厚みは本発明においては
リード７の形成がセミアディティブ法によって行なわれ
るので、リード７の形成に際して行なわれる電気めっき
における前処理でのソフトエッチングに耐え得る厚みで
あればよく、特に制限はないがさらに後述するようなリ
ード独立のための上面金属層１の部分的な溶解工程の作
業性に鑑みて0.5〜２μｍの範囲にあることが望まし
い。

金属層１上に形成するレジスト層３の厚みは、リードの
厚さが35μｍ以上であることが要求されていることから
それ以上の厚さとする必要がある。

レジストの種類は上記の厚さに塗布し得るものであっ
て、且つ上面におけるリード７形成に際して行なわれる
電気めっき液に耐え得るものであれば一般市販のもので
十分であり、アクリル樹脂等に感光性の官能基を付与す
ることによって、光照射部分が現像時に未溶解部として
残るネガ型レジスト、ノボラック樹脂等に感光性の官能
基を付与することによって光照射部分が現像時に溶解す
るポジ型レジストがあるが、フォトマスタのパターンを
反転することによって何れの型のレジストでも使用可能
である。

また状態としては液状のものでも固形化してドライフィ
ルムとしたものでもその何れをも使用できる。

液状レジストを使用する場合には基体の金属層上への塗
布はバーコート法、ディップコート法、スピンコート法
等の一般的塗布方法のほか、レジスト液を帯電させ噴霧
状に塗布する静電塗布法を採用してもよい。

またポリイミド樹脂基体２の下面に形成するレジスト層
４はホール形成に際して用いられるポリイミド樹脂溶解
液に耐え得るものであれば何れでもよく、一般的にはポ
リイミド樹脂の溶解液には強アルカリ液が使用されるこ
とからゴム系レジストの採用が望ましい。ポリイミド基
体２の下面に形成されるレジスト層４の厚さには特に制
限はないが、ポリイミド樹脂溶解後のビアホールのパタ
ーン精度を考慮すれば２〜10μｍ程度とするのがよい。

一般的にレジストによってパターンを形成するにはレジ
ストを塗布後レジストに含まれる溶剤を除去する必要が
ある。これはレジスト自体の強度を向上させると同時に
レジストと金属層との密着性を高めるために行なわれる
ものであり、溶剤の除去は通常乾燥処理によって行なわ
れるが、この際における処理温度はレジストの解像度を
低下させない範囲で高めにするのがよい。

また、露光、現像後に形成したパターンをより強固にす
るために加熱処理を行なうこともあるがこの場合には前
述の溶剤除去処理のときの温度よりも高い温度が採用さ
れる。

次に、金属層１およびポリイミド樹脂基体２上に形成し
たレジスト層３および４に対して所望のパターンのフォ
トマスクを施して、それぞれに適量の光を照射し、これ
を現像して、金属層１上にレジストパターン５を、また
ポリイミド樹脂基体２上にレジストパターン６を形成す
るが、基体上面のレジスト層３には主としてリード形成
のためのフォトマスクを、また下面のレジスト層４には
主として所定の各種ホール形成のためのフォトマスクが
使用される。基体上面のレジストパターンを形成するた
めのフォトマスクは例えば第８図に示すようなものが挙
げられるが、この他スプロケットホールの如きホールパ
ターンを併有してもよい。

また基体下面のレジストパターン形成のためのフォトマ
スクは、例えば第９図および第10図に示されるようなも
のを例として挙げることができ、主として、スプロケッ
トホール、OLBホール、デバイスホールおよびビアホー
ル等のホール形成のためのレジストパターンを形成する
ことができるものである。

レジストの感光のために照射する光の波長等はレジスト
の特性によって決定されるが、一般的には紫外線が使用
される。またここで云うフォトマスクとはガラスや透光
性のプラスチックフィルムに銀等を含む乳剤やクロム等
の金属を焼き付けたものを云う。

露光方法としてはレジスト面とフォトマスクを密着させ
て行なう密着露光法と、レジスト面とフォトマスクを一
定の距離を隔てて平行に並べて行なう投影露光法とがあ
るが、本発明においては何れの方法を採用してもよい。

なお、上下面のレジスト層の現像は上面レジスト層３の
現像後、次項に示すリード前形体形成工程を行なってか
ら下面のレジスト層４の現像を行なってもよく、またリ
ード前形体の形成前に両面のレジスト層の現像を連続し
て行なってもよい。

（第４図（イ）、（ロ）参照）リード前形体の形成工程：第１の実施態様においてはリード前形体の形成はセミア
ディティブ法によって行なう。リード前形体の形成をセ
ミアディティブ法で行なうには基体上面に形成したレジ
ストパターン５に従って生じた金属層１の露出部分に、
電気めっきによって積層後の金属層が所望のリード厚
み、つまり35μｍ以上の厚みになるように金属めっき層
を積層した後、基体上面に存在するレジストパターン５
を溶解除去する。

このようにしてレジストパターン５を除去した後のリー
ド７間には金属層１が残留し、リード７とともにリード
前形体を形成する。

（以上第４図（ロ）、（ハ）参照）各種ホールおよび金属薄膜層の形成工程：第１の実施態様においては、各種ホール形成はポリイミ
ド樹脂下面に最初に形成したレジストパターン６に従っ
て全てのホールの溶解を一挙に行なう。即ち、基体下面
に形成したレジストパターン６に従って露出したポリイ
ミド樹脂を溶解することによって、この部分の樹脂を開
孔してビアホール８、デバイスホール９、OLBホール10
およびスプロケットホール11を形成する。

この場合において、ポリイミド樹脂の溶解には抱水ヒド
ラジン、水酸化アルカリ等の強いアルカリ性溶液を単独
もしくは混合し、さらにはメチルアルコール、エチルア
ルコール、プロピルアルコール等を混合した溶液を用い
るとよい。

またこの工程において形成されるビアホール８の形状は
真円、楕円、正方形、長方形等の形状が考えられるが、
このビアホールは基体上面に形成されたリードと下面側
に形成されるグラウンド金属層との電気的導通をはかる
ことが目的であるから特にその形状にこだわるものでは
ない。

次に基体下面に残存するレジストを除去後、導電処理法
を用いてビアホール８、デバイホール９、OLBホール10
およびスプロケットホール11の側面のポリイミド樹脂露
出部をメタライズしつつ、下面全体に亘って金属薄膜層
12を形成する。この金属薄膜層12の形成は次のグラウン
ド金属層形成のために重要な役割をもつものである。金
属薄膜層12の形成に際してはスパッタ法、真空蒸着法等
の乾式金属被着法や無電解めっき法等の湿式金属被着法
の何れをも採用することができる。

（第４図（ハ）および（ニ）参照）グラウンド金属層の形成工程：グラウンド金属層15の形成には、セミアディティブ法か
またはサブトラクティブ法の何れかが採用される。グラ
ウンド金属層15の形成をセミアディティブ法によって行
なうには、金属薄膜層12の上に再度レジスト層13を形成
し、ビアホール以外のホールパターンを有するフォトマ
スクを施して露光、現像することによってデバイスホー
ル９、OLBホール10、スプロケットホール11上にレジス
トが残るようにレジストパターン14を形成する。

該フォトマスクの例としては、例えば第13図またはこれ
を反転して得られる第14図に示すようなパターンを挙げ
ることができる。

上記の如くしてレジストパターン14を形成することによ
って生じた金属薄膜層12の露出部分上に金属めっき層を
積層することによってグラウンド金属層15を形成し、次
にレジストパターン14によるレジストを除去し、次いで
その下に存在する金属薄膜層12の露出部分を溶解除去す
ることによって、基体下面におけるビアホール以外の各
種ホールを除く部分全体に亘ってグラウンド金属層15を
形成した基体を得ることができる。なお、電解めっきに
よって金属薄膜層12上に積層してグラウンド金属層15を
形成する金属めっき層の厚さは５〜30μｍ程度とするの
がよい。

また、グラウンド金属層15の形成をサブトラクティブ法
によって行なうには、先ず金属薄膜層12上に電気めっき
によって金属めっき層を積層しグラウンド金属層15を形
成する。この厚さは前記したように５〜30μｍが適当で
ある。次に、上記グラウンド金属層15にレジスト層13を
形成して、これにビアホール以外のホールパターンを有
するフォトマスクを施して露出、現像してデバイスホー
ル９、OLBホール10およびスプロケットホール11上にレ
ジストが残らないようにしてレジストパターン14を形成
する。レジストパターン14の形成によって露出したグラ
ウンド金属層15の露出部分およびその下に存在する金属
薄膜層12を溶解除去することによってビアホール以外の
所定の各種ホールを貫通させるとともにビアホールを除
く部分全体に亘ってグラウンド金属層15を形成した基体
を得ることができる。

この工程において使用されるレジストも始めにレジスト
層３の形成に使用したレジストと同等のものが使用可能
であり、レジストパターン14形成のための露光、現像の
手順も最初に行なわれたレジストパターン５形成に際し
て行なわれた手順に準じて行なえばよい。

なお、上記した金属層の溶解に際しては、その溶液とし
ては、一般的には塩酸、硫酸、硝酸等の酸性溶液、塩化
鉄溶液、塩化銅溶液等の金属塩化物溶液、過硫酸アンモ
ニウム溶液等の過酸化物溶液等が用いられるのであるか
ら、上記レジストはこれら溶液に耐え得るものであれば
よいということになる。またこのときには溶解液として
アルカリ性溶液を使用することもあるが、この場合には
耐アルカリ性のレジストを用いればよい。

（以上第４図（ホ）、（ホ′）、（ヘ）、（ヘ′）およ
び（ト）参照）リード形成工程最後に、リード７間に存在する金属層１を溶解除去する
ことによってリードを電気的に独立した状態にする。

（以上第４図（ト）参照）（２）第２実施態様上面金属層およびレジストパターン形成工程：本発明においては第１実施態様と同様上面にのみ金属層
１を接着剤によらずに被着形成させたテープ状のポリイ
ミド樹脂フィルムを基体２として用いる。ポリイミド樹
脂フィルム基体２上面における金属層１の形成手段、形
成する金属の種類およびその厚みは第１の実施態様の場
合と同様である。

また、基体の上下面に形成するレジスト層３の厚さ、レ
ジスト層の種類、形成後の乾燥温度、レジストパターン
の形成手順についても変りがないが、第２の実施態様に
おいてはポリイミド樹脂の形成を２段に分けて行ない、
第１段目ではビアホールのみの形成を行なうものである
から、基体下面のレジストパターンの形成においては、
フォトマスクとして第11図および第12図に例示されるよ
うなビアホール形成用のホールパターンを有するものが
使用される。

レジストの露光、現像の手順については第１の実施態様
のそれと変わることがない。

（以上第５図（イ）、（ロ）参照）リード前形体の形成：第１の実施態様と同様の手順で行なう。

（以上第５図（ロ）、（ハ）参照）ビアホールおよび金属薄膜層の形成：基体下面に形成したレジストパターン７に従って露出し
たポリイミド樹脂を溶解してビアホール９を形成する。
ポリイミド樹脂溶解の手順は第１実施態様のそれに準じ
て行なう。ビアホール８を形成したポリイミド樹脂基体
２の下面全体に亘って金属薄膜層12の被着形成を行な
う。被着する金属の種類およびその手順は第１の実施態
様と同様である。

グラウンド金属層の形成工程およびビアホール以外のホ
ールの形成工程：第１の実施態様と同様にグラウンド金属層15の形成には
セミアディティブ法かまたはサブトラクティブ法の何れ
かが採用され、その手順は第１の実施態様と同様にして
行なわれる。

即ち、グラウンド金属層15の形成をセミアディティブ法
によって行なうには、金属薄膜層12の上に再度レジスト
層13を形成し、ビアホール以外のホールパターンを有す
るフォトマスクを施して露光、現像してデビアスホール
９、OLBホール10、スプロケットホール11上にレジスト
が残るようにレジストパターン14を形成する。

該フォトマスクの例は第１の実施態様に掲げたものと同
様のものが使用される。

上記の如くしてレジストパターン14を形成することによ
って生じた金属薄膜層12の露出部分上に金属めっき層を
積層することによってグラウンド金属層15を形成し、次
にレジストパターン14によるレジストを除去し、次いで
その下に存在する金属薄膜層12の露出部分を除去し、こ
れによって露出したポリイミド樹脂の露出部を溶解除去
することによって、基体下面のビアホール以外の所定の
各種ホールを形成するとともにビアホール以外の各種ホ
ールを除く部分全体に亘ってグラウンド金属層15を形成
した基体を得ることができる。なお、電解めっきによっ
て金属薄膜層12上に積層してグラウンド金属層15を形成
する金属めっき層の厚さは第１の実施態様と同様５〜30
μｍ程度とするのがよい。

また、グラウンド金属層15の形成をサブトラクティブ法
によって行なうには、先ず金属薄膜層12上に電気めっき
によって金属めっき層を積層しグラウンド金属層15を形
成する。この厚さは前記したように５〜30μｍが適当で
ある。次に、上記グラウンド金属層15上にレジスト層13
を形成して、これにビアホール以外のホールパターンを
有するフォトマスクを施して露出、現像してデバイスホ
ール９、OLBホール10およびスプロケットホール11上に
レジストが残らないようにしてレジストパターン14を形
成する。レジストパターン14の形成によって露出したグ
ラウンド金属層15の露出部分およびその下に存在する金
属薄膜層12を溶解除去することによってポリイミド樹脂
を露出させ、このポリイミド樹脂露出部を溶解除去する
ことによってポリイミド樹脂の所定の部分にビアホール
以外の所定の各種ホールを貫通させるとともにビアホー
ル以外の所定の各種ホールを除く部分全体に亘ってグラ
ウンド金属層15を形成した基体を得ることができる。

この工程において使用されるレジストは始めにレジスト
層３の形成に使用したレジストと同等のものが使用可能
であり、レジストパターン15形成のための露光、現像お
よびポリイミド樹脂や金属層の溶解等の手順も前述した
手順に準じて行なえばよい。

リード形成工程第１の実施態様と同様にして行なう。

（以上第５図（ト）参照）（３）第３実施態様上面金属層の形成およびレジストパターンの形成工程：第３実施態様においても上面にのみ金属層１を接着剤に
よらずに被着形成させたテープ状のポリイミド樹脂フィ
ルムを基体２として用いることは基本的に変りはない。
従って金属層１の形成方法、形成する金属の種類に関し
ては先の二つの実施態様と同様である。また形成する金
属層１の厚さに関しても、リード７をセミアディティブ
法によって形成する場合には先の二つの実施態様と同様
の厚さ、即ち0.5〜２μｍの厚さとすることが望まし
い。しかしながら、第３の実施態様においてはリード７
の形成はサブトラクティブ法によって行なうこともでき
る。リード７の形成がサブトラクティブ法によって行な
われる場合には、基体上面にレジスト層４が形成される
前に、金属層１を所望のリード厚さと同等の厚さにして
おく必要がある。従って金属層１は前述したスパッタ法
等で、絶縁樹脂基体上面に先ず金属薄膜を形成した後、
さらにその上面に電気めっきによって所定の厚さまでめ
っき金属を被着させるのがよい。通常要求されるリード
の厚さは約35μｍまでである。

また金属層１上に形成するレジスト層３の厚みはリード
形成がセミアディティブ法で行なわれる場合には、要求
されるリードの厚さの35μｍ以上であることが要求され
ることは先の実施態様と同様である。リード形成がサブ
トラクティブ法で行なわれる場合には特に厚さの制約は
ないが、レジストパターン５形成後の金属層１の溶解に
際しての溶解後のパターン精度を考慮すると１〜10μｍ
程度が適当である。

金属層１およびポリイミド樹脂２上に形成すべきレジス
トの種類、レジストの乾燥条件およびレジストパターン
の形成手順に関しては第２実施態様のそれと同様にして
行なえばよい。

（以上第６図（ｉ）（ii）（イ）、（ロ）参照）リード形成工程：第３の実施態様においてはリードの形成はレジストパタ
ーン５に従って形成されるリード７および基体上面に存
在する金属層１によって構成されるリード前形体を最終
工程まで保持し最終工程においてリードの形成を行なう
前記第２の実施態様と異なり、レジストパターン５に従
って形成されるリード７間に存在する金属層１の露出部
分を直ちに溶解除去してリード形成を行なう。しかし
て、第３実施態様においてはリード７の形成は前の二つ
の実施態様においてはセミアディティブ法のみによって
行なうのに対して、サブトラクティブ法の採用も可能で
ある。

リードの形成をセミアディティブ法で行なう場合の手順
はレジストパターン５によって生じた金属層１の露出部
分に、電気めっきによって積層後の金属層が所望のリー
ド厚み、つまり35μｍ以上の厚みになるように金属めっ
き層を積層してリード前形体を形成した後、レジストパ
ターン５およびリード７間に存在する金属層１を溶解除
去することによってリード７を形成する。またリード形
成をサブトラクティブ法によって行なう場合には、単に
基体上面に形成したレジストパターン５に従って生ずる
金属層１の露出部分を溶解することによってリード７を
形成する。この場合金属層１の溶解には浸漬法、スプレ
ー法いずれを使用してもよく、またこれらの方法を組合
わせて行なってもよい。

なお、金属層１の溶解液については前述のものを使用す
ればよい。

また第３の実施態様においては、リード形成を行なった
後、直ちに基体上面全体に亘って有機樹脂被膜16を被覆
する。この有機樹脂被膜16による被覆は、その後のポリ
イミド樹脂の溶解によるホール形成工程を行なうに際し
て、基体上面に露出したポリイミド樹脂２の溶解を防止
しその保護をする役割を有する。これに用いられる有機
樹脂はポリイミド樹脂の溶解液に耐え得るものであれば
よく、その溶解液には強アルカリ性溶液が使用されるの
でゴム系、エポキシ系、シリコン系の有機樹脂等を使用
すればよい。

（以上第６図（ｉ）（ii）（ハ）参照）ビアホールおよび金属薄膜層の形成からグラウンド金属
層およびビアホール以外のホール形成までの工程：第２実施態様と同様の手順で行なう。

（以上第６図（ｉ）（ii）（ホ）（ヘ）（ト）参照）有機樹脂被膜の除去工程：グラウンド金属層の形成および各種ホールの形成を終っ
た基体はその上面に被覆した有機樹脂被膜の除去を行な
う。

有機樹脂被膜の除去に際しては市販の有機樹脂剥離液を
使用すればよい。

（以上第６図（ｉ）（ii）（ト）参照）以上述べたように本発明の方法によるときは、各工程に
おいて状況に応じ、種々の手段を活用することによって
的確に基体上面のリードの形成、ポリイミド樹脂基体に
対する各種ホールの形成および基体下面のグラウンド金
属層の形成を行なうことができ、また基体上面のリード
と下面のグラウンド金属とをビアホールを介して確実に
導通させることができる。

なお本発明によって得られた２層TABは用途に応じ、金
属露出部をさらに金めっきまたは錫めっき等で全面的に
或いは部分的に被覆して実用に供される。

実施例１ 15cm×15cmの大きさのポリイミド樹脂フィルム状基体
（東レ・デュポン社製、カプトン200H、厚さ50μｍ）の
上面に対し、硫酸銅10g/、EDTA60g/、ホルマリン6m
l/、ジピリジル30mg/、ポリエチレングリコール0.5
g/の組成を有する無電解銅めっき液を用いてpH12.5と
して70℃で10分間の浸漬処理を行ない、無電解銅めっき
被膜を形成した後、さらに硫酸銅100g/、硫酸180g/
の組成を有する電気銅めっき液を用いて電流密度2A/dm²
で電解を行ない、上面に厚さ１μｍの下地銅層を形成し
た。

次に基体上面にPMER・HC 600（東京応化社製、ネガ型フ
ォトレジスト）を約40μｍの厚さに、また基体下面にFS
R（富士薬品社製、ネガ型フォトレジスト）を約７μｍ
の厚さにそれぞれバーコーターを用いて塗布し、それぞ
れ70℃で30分乾燥処理した後、上面のレジスト層には48
mm×48mmの大きさで、インナーリードピッチ160μｍ、
インナーリード幅70μｍ、リード数244本のTABパターン
を田の字型に配列して形成したガラス製のフォトマスク
を、レジスト面に密着させて900mJの紫外線を照射し、
下面のレジストには上面のTABパターンに対応したデバ
イスホール１個、OLBホール４個、スプロケットホール1
6個、ビアホール８個を有するフォトマスクを密着させ
ての100mJの紫外線を照射して露光を行なった。

なお紫外線の照射は超高圧水銀燈（オーク製作所社製）
を使用した。

次に上面のレジスト層をPMER現像液（東京応化社製）を
用いて25℃で５分間現像して所定のレジストパターンを
得た後、110℃で30分間乾燥処理を行なった。

続いて基体上面の露出した下地銅層上に前述の電気銅め
っき液を用いて電流密度2A/dm²で50分間、電解を行な
い、厚さ約35μｍの銅によるリード前形体を形成した。

次に下面のレジスト層をFSR−Ｄ（富士薬品社製）を用
いて、25℃で50秒間現像して所定のレジストパターンを
得た後、130℃で30分間乾燥し、続いて上面のレジスト
を水酸化ナトリウム４％溶液を用いて、50℃で１分間処
理して除去した。

次にエチルアルコールと水酸化カリウム１規定溶液を容
量比で1:1に混合した液を使用して50℃で４分間露出し
たポリイミドの溶解を行ないビアホール、デバイスホー
ル、OLBホール、スプロケットホールの各ホールを形成
し、残留するレジストをFSR剥離液（富士薬品社製）を
用いて、70℃で15分間処理することにより除去した。

次に前述の無電解銅めっきで、下面全体に銅薄膜層を形
成し、この上にPMER・HC 600を約20μｍの厚さにバーコ
ーターによって塗布し、70℃で30分間乾燥処理後ビアホ
ールを除くホールパターンのみを透光するように形成し
たガラス製のフォトマスクをレジスト面に密着させて紫
外線を400mJ照射して、前述の現像液を用いて25℃で３
分間処理して所定のレジストパターンを形成した後、11
0℃で30分間乾燥処理を施した。

次に前述の電気銅めっき液を用いて電流密度2A/dm²で20
分間電解を行ない、下面の露出した銅薄膜層上に約18μ
ｍの銅グラウンド層を形成してから下面に残留するレジ
ストを前述のレジスト剥離液を用いて50℃で１分間処理
して溶解除去した。

次にデバイスホール、OLBホール、スプロケットホール
部の銅薄膜層及び基体上面の下地銅層を塩化銅200g/
溶液を用いて50℃で１分間処理して、基体下面の銅薄膜
層を溶解除去するとともに、基体上面の各リードを独立
の状態にし、リードの一部と下面の銅のグラウンド層と
がビアホールを介して電気的に導通する２層TABを得る
ことができた。

このようにして得られた２層TABは下面の銅グラウンド
層と上面リードとの導通が確実に行なわれていた。

実施例２出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきで厚さ
を１μｍに調整した基体を用い、実施例１と同様の手順
で各処理を行なったところ、実施例１と同様に２層TAB
を得ることができた。

実施例３出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体上下面に形成したそれぞれのレジスト層に対
する露光までを実施例１と同様に行なった。

次に上下面のレジスト層を現像して所定のレジストパタ
ーンを得た後、乾燥した。

続いて上面は前述の電気銅めっきで厚さ約35μｍのリー
ド前形体を形成し、上面の残留レジストを除去した。

次に基体下面におけるポリイミド露出部の溶解による所
定の各種ホールの形成から、下面における銅薄膜層の除
去及び上面における各リードの独立までを実施例１と同
様に行ない、リードの一部と下面の銅のグラウンド層と
がビアホールを介して電気的に導通する２層TABを得る
ことができた。

実施例４出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきで厚さ
を１μｍに調整した基体を用い、実施例３と同様の手順
で各処理を行なったところ、実施例３と同様に２層TAB
を得ることができた。

実施例５出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体下面全体に亘る銅薄膜層の形成までを実施例
１と同様に行なった。

次に前述の電気銅めっき液を用いて、電流密度2A/dm²で
40分間電解を行ない、基体下面全体に亘り約20μｍの銅
のグランウンド層を形成した。

この上にPMER・HC 40を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥
処理後、実施例１で用いたビアホールを除くホールパタ
ーンの白黒を反転したフォトマスクをレジスト面に密着
させて紫外線を200mJ照射後、前述の現像液を用いて25
℃で３分間処理して現像を行ない、所定のレジストパタ
ーンを得た後、110℃30分間乾燥処理した。

次に塩化銅200g/溶液を用いて50℃で15分間下面の露
出した銅層を溶解してビアホール以外のホール上に存在
する銅層を除去した。

次に基体上面の下地銅層を溶解除去して各リードを独立
の状態にした後に、下面に残存するレジストを前述の剥
離液を用いて50℃で１分間処理して除去し、リードの一
部と下面の銅のグラウンド層とがビアホールを介して電
気的に導通する２層TABを得ることができた。

実施例６出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきで厚さ
35μｍに調整した基体を用い、実施例７と同様の手順で
各処理を行なったところ、実施例７と同様に２層TABを
得ることができた。

実施例７出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体下面における銅薄膜層の形成までを実施例３
と同様に行なった。

さらに基体下面全体に亘る銅グラウンド層の形成から、
基体下面における銅層の溶解及び上面における各リード
の独立までを実施例５と同様に行ない、リードの一部と
下面の銅のグラウンド層とがビアホールを介して電気的
に導通する２層TABを得ることができた。

実施例８出発材料として実施例１と同様のポリミイド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによっ
て厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例７と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例７と同様に２
層TABを得ることができた。

実施例９出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
を実施例１と同様に行なった。

次に基体上面PMER・HC 600を約40μｍの厚さに、またポ
リイミド基体下面にFSRを約７μｍの厚さに塗布し、乾
燥処理した後、上面のレジスト層には実施例１で用いた
リードパターンを有するフォトマスクをレジスト面に密
着させて900mlの紫外線を照射し、下面のレジストには
上面のTABパターンに対応したビアホール８個を有する
フォトマスクを密着させての100mJの紫外線を照射して
露光を行なった。

次に上面のレジスト層を現像して所定のレジストパター
ンを得た後、乾燥した。

続いて上面の露出した下地銅層上に前述の電気銅めっき
で厚さ約35μｍのリード前形体を形成し、下面のレジス
ト層を現像して、所定のレジストパターンを得た後、乾
燥処理をし、続いて上面のレジストを除去した。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて下面の露出したポ
リイミドの溶解を行ないビアホールを形成し、基体下面
に残留するレジストを除去した。

次に前述の無電解銅めっきで、下面全体に銅薄膜層を形
成し、この上にPMER・HC 600を約20μｍの厚さに塗布
し、乾燥処理後、実施例１で用いたビアホールを除くホ
ールパターンを有するフォトマスクを介して紫外線を40
0mJ照射後、現像して所定のレジストパターンを得た
後、乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面の露出した銅薄膜層上に
約18μｍの銅グラウンド層を形成してから下面に残留す
るレジストを除去し、基体下面の露出した銅薄膜層を前
述の塩化銅溶液を用いて50℃で30秒間処理してポリイミ
ドを露出させた。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて露出したポリイミ
ドを溶解してデバイスホール、OLBホール、スプロケッ
トホールを形成した。

次に上面の下地銅層を前述の塩化銅溶液で除去して、各
リードを独立の状態にし、リードの一部と下面の銅のグ
ラウンド層とがビアホールを介して電気的に導通する２
層TABを得ることができた。

実施例10 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきで厚さ
を１μｍに調整した基体を用い、実施例９と同様の手順
で各処理を行なったところ、実施例９と同様に２層TAB
を得ることができた。

実施例11 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体上下面に形成したそれぞれのレジスト層に対
する露光までを実施例９と同様に行なった。

続いて上面は前述の電気銅めっきでリード前形体を形成
し、上面の残留レジストを除去した。

次に基体下面におけるポリイミド露出部の溶解による所
定の各種ホールの形成から、基体上面における各リード
の独立までを実施例９と同様に行ない、リードの一部と
下面の銅のグラウンド層とがビアホールを介して電気的
に導通する２層TABを得ることができた。

実施例12 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきで厚さ
を１μｍに調整した基体を用い、実施例11と同様の手順
で各処理を行なったところ、実施例11と同様に２層TAB
を得ることができた。

実施例13 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、下面全体に亘る銅薄膜層までを実施例９と同様に
行なった。

次に前述の電気銅めっき液を用いて、電流密度2A/dm²で
40分間電解を行ない、基体下面全体に亘り約20μｍの銅
のグラウンド層を形成した。

この上にPMER・HC 40を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥
処理後、実施例５で用いたビアホールを除くホールパタ
ーンを有するフォトマスクをレジスト面に密着させて紫
外線を200mJ照射後、現像して、所定のレジストパター
ンを得た後、乾燥した。

次に前述の塩化銅溶液を用いて下面の露出した銅層を溶
解して、ビアホール以外の各ホール上に存在する銅層を
除去してポリイミドを露出させた後、下面に残存するレ
ジストを前述の剥離液を用いて50℃で１分間処理して除
去した。

実施例14 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによっ
て厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例13と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例13と同様に２
層TABを得ることができた。

実施例15 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、下面全体に亘る銅薄膜層までを実施例１と同様に
行なった。

さらに基体下面における銅グラウンド層の形成から、基
体下面における各リードの独立までを実施例13と同様に
行ない、リードの一部と下面の銅のグラウンド層とがビ
アホールを介して電気的に導通する２層TABを得ること
ができた。

実施例16 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによっ
て厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例15と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例15と同様に２
層TABを得ることができた。

実施例17 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体上面における電気銅めっきによるリード前形
体の形成までを実施例９と同様に行なった。

次に下面のレジスト層を現像して、所定のレジストパタ
ーンを得た後、乾燥した。

しかる後に基体上面のレジストを除去し、さらに上面の
下地銅層を塩化銅100g/、塩化アンモニウム100g/、
炭酸アンモニウム20g/、アンモニア水400ml/の組成
からなる溶解液を用いて50℃で１分間処理して、各リー
ドを独立させ、次いで有機樹脂膜としてFSR（富士薬品
社製）を使用して基体上面全体に亘り約10μｍの厚さに
塗布し、130℃で30分間乾燥することによって被覆し
た。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて基体下面の露出し
たポリイミドを溶解してビアホールを形成し、残留する
レジストを除去した。

次に前述の無電解銅めっきで下面全体に銅薄膜層を形成
し、この上にPMER・HC 600を約20μｍの厚さに塗布し、
乾燥処理後、実施例１で用いたビアホールを除くホール
パターンを有するフォトマスクを介して紫外線を400mJ
照射後、現像して所定のレジストパターンを得た後、乾
燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面の露出した銅薄膜層上に
約18μｍの銅グラウンド層を形成してからレジスト層を
溶解除去し、デバイスホール、OLBホール、スプロケッ
トホール部の銅薄膜層を前述の塩化銅溶液を用いて除去
した。

露出したポリイミド層を前述した溶解液を用いて溶解
し、デバイスホール、OLBホール、スプロケットホール
を形成した。

最後に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液（富士薬品社製）
を用いて、70℃で15分間処理して剥離除去し、リードの
一部と下面の銅のグラウンド層とがビアホールを介して
電気的に導通する２層TABを得ることができた。

実施例18 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによっ
て厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例17と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例17と同様に２
層TABを得ることができた。

実施例19 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体上面における電気銅めっきによるリード前形
体の形成までを実施例11と同様に行なった。

次に基体上面のレジストを除去し、さらに基体上面の下
地銅層を溶解して各リードを独立させてから、基体上面
全体にFSRから成る有機樹脂膜を形成した。

次に基体下面の露出したポリイミドを溶解によるビアホ
ールの形成から、基体上面における有機樹脂膜の除去ま
でを実施例17と同様の手順で行ない、リードの一部と下
面の銅によるグラウンド層とがビアホールを介して電気
的に導通する２層TABを得ることができた。

実施例20 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによっ
て厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例19と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例19と同様に２
層TABを得ることができた。

実施例21 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体下面全体に亘る銅薄膜層の形成までを実施例
17と同様に行なった。

次に前述の電気銅めっきで下面の銅薄膜層上に約18μｍ
の銅グラウンド層を形成し、その上にPMER・HC 40を約
５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理後、実施例５で用いた
ビアホールを除くホールパターンを有するフォトマスク
を介して紫外線を200mJ照射後、現像して所定のレジス
トパターンを得た後、乾燥した。

次に下面の露出した銅グラウンド層を前述の塩化銅溶液
で除去してポリイミドを露出させた。

最後に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、リード
の一部と下面の銅のグラウンド層とがビアホールを介し
て電気的に導通する２層TABを得ることができた。

実施例22 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによっ
て厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例21と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例21と同様に２
層TABを得ることができた。

実施例23 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体下面における銅薄膜層の形成までを実施例19
と同様に行なった。

次に基体下面における銅グラウンド層の形成から、基体
上面における有機樹脂膜の除去までを実施例21と同様の
手順で行ない、リードの一部と下面の銅によるグラウン
ド層とがビアホールを介して電気的に導通する２層TAB
を得ることができた。

実施例24 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによっ
て厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例23と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例23と同様に２
層TABを得ることができた。

実施例25 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面に対して、前述の無電解
銅めっき液を用いてpH12.5として70℃で10分間の浸漬処
理を行ない、厚さ約0.2μｍ無電解銅めっき被膜を形成
した後、さらに前述の電気銅めっき液を用いて電流密度
2A/dm²で120分間電解を行ない基体上面に厚さ35μｍの
銅層を形成した。

次に基体上面にPMER・HC 40を約５μｍの厚さに、また
基体下面にFSRを約２μｍの厚さにそれぞれバーコータ
ーを用いて塗布し、それぞれ70℃で30分乾燥処理した
後、上面のレジスト層には実施例１で用いたリードパタ
ーンを有するフォトマスクをレジスト面に密着させて20
0mJの紫外線を照射し、下面のレジストには実施例１で
用いたビアホールパターンを有するフォトマスクを密着
させての100mJの紫外線を照射して露光を行なった。

次に上面のレジスト層をPMER現像液を用いて25℃で２分
間現像して所定のパターンを得た後、110℃で30分間乾
燥処理を行なった。

続いて上面の露出した銅層を前述の塩化銅溶液を用いて
50℃で15分間処理して上面に厚さ約35μｍのリードを形
成した。

次に下面のレジスト層を現像して所定のレジストパター
ンを得た後、乾燥した。

しかる後に上面のレジストを除去し、次に基体上面をFS
Rより成る有機樹脂膜で被覆した。

続いて基体下面におけるビアホールの形成から、上面に
おける有機樹脂膜の除去までを実施例17と同様に行な
い、リードの一部と下面の銅のグラウンド層とがビアホ
ールを介して電気的に導通する２層TABを得ることがで
きた。

実施例26 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによっ
て厚さを35μｍに調整した基体を用い、実施例25と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例25と同様に２
層TABを得ることができた。

実施例27 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における金属層の形成か
ら、上下面におけるレジストの露光までを実施例25と同
様の手順で行なった。

次に上下面のレジスト層を現像して所定のパターンを得
た後、乾燥した。

その後上面の露出した銅層を溶解してリードを形成し、
上面のレジストを除去した。

続いて基体上面に有機樹脂膜の形成から、上面の有機樹
脂膜の除去までを実施例25と同様の手順で行ない、リー
ドの一部と下面の銅のグラウンド層とがビアホールを介
して電気的に導通する２層TABを得ることができた。

実施例28 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによっ
て厚さを35μｍに調整した基体を用い、実施例27と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例27と同様に２
層TABを得ることができた。

実施例29 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における銅層の形成か
ら、基体下面における銅薄膜層の形成までを実施例25と
同様な手順で行なった。

次に基体下面の銅グラウンド層の形成から、上面におけ
る有機樹脂膜の除去までを実施例21と同様に行ない、リ
ードの一部と下面の銅のグラウンド層とがビアホールを
介して電気的に導通する２層TABを得ることができた。

実施例30 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによっ
て厚さを35μｍに調整した基体を用い、実施例29と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例29と同様に２
層TABを得ることができた。

実施例31 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における銅層の形成か
ら、基体下面における銅薄膜層の形成までを実施例21と
同様に行なった。

次に基体下面における銅グラウンド層の形成から、基体
上面における有機樹脂膜の除去までを実施例29と同様な
手順で行ない、リードの一部と下面の銅のグランウド層
とがビアホールを介して電気的に導通する２層TABを得
ることができた。

実施例32 出発材料として実施例１と同様のポリミイド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により0.25
μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによっ
て厚さを35μｍに調整した基体を用い、実施例31と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例31と同様に２
層TABを得ることができた。

（発明の効果）本発明の２層TABの製造方法によるときは、２層TAB本来
の性能を損なうことなく、確実にリードの反対側の該リ
ードと電気的に導通するグラウンド金属層を形成させる
ことができるので、工業的に優れた発明であると言え
る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図はそれぞれ第１実施態様乃至第３実施
態様の２層TABの製造方法における工程を示す工程図、
第４図（ａ）、（ｂ）乃至第６図（ａ）、（ｂ）はそれ
ぞれ第１実施態様乃至第３実施態様の２層TABの製造工
程における基体の概略状況を工程順に示した説明図、第
７図は本発明によって得られた２層TABの外観平面図、
第８図は基体上面に施されるリードパターンを有するフ
ォトマスクの一例を示す平面図、第９図および第10図
は、それぞれ第１実施態様において基体下面に施される
ホールパターンを有するフォトマスクの一例およびその
反転状態を示すフォトマスクの平面図、第11図および第
12図は、それぞれ第２実施態様および第３実施態様にお
いて基体下面に施されるビアホールパターンを有するフ
ォトマスクの一例およびその反転状態を示すフォトマス
クの平面図、第13図および第14図は、それぞれビアホー
ルを除くホールパターンを有するフォトマスクおよびそ
の反転状態を示すフォトマスクの平面図である。１……上面金属層、２……ポリイミド樹脂基体、３……
上面レジスト層、４……下面レジスト層、５……上面レ
ジストパターン、６……下面レジストパターン、７……
リード、８……ビアホール、９……デバイスホール、10
……OLBホール、11……スプロケットホール、12……金
属薄膜層、13……下面レジスト層、14……下面レジスト
パターン、15……グラウンド金属層、16……有機樹脂被
膜。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ポリイミド樹脂フィルムの上面に接着剤を
用いることなく金属層を形成したものを基体とし、該基
体の上下各面に感光性レジスト層を形成した後、基体上
面におけるレジスト層には主として所定のリードパター
ンを有するフォトマスクを、また基体下面におけるレジ
スト層には主として所定の各種ホールパターンを有する
フォトマスクを施し、光を照射した後上下各面のレジス
トを現像して該基体の上下各面にそれぞれの形状のレジ
ストパターンを形成せしめる工程、基体上面に形成した
レジストパターンに従って基体上面にリード前形体を形
成する工程、基体下面に形成したレジストパターンに従
ってポリイミド樹脂の所定の部分に所定の各種ホールを
形成し、次いで各種ホール形成後の基体下面に金属薄膜
層を形成する工程、該金属薄膜層上に再び感光性レジス
ト層を形成し、該レジスト層上にビアホールを除く所定
の各種ホールパターンを有するフォトマスクを施して光
を照射した後現像し、基体下面にレジストパターンを形
成し、該レジストパターンに従って基体下面にビアホー
ル以外の所定の各種ホール部を除く基体下面全体に亘っ
てグラウンド金属層を形成する工程およびリード前形体
におけるリード間に存在する金属層を溶解除去してリー
ドを形成する工程よりなる２層TABの製造方法。
【請求項２】基体上面のリード前形体の形成は、基体上
面に形成したレジストパターンに従って露出した金属層
上に電気めっきにより金属めっき層を積層後、基体上面
のレジストを溶解除去することによって行なう請求項１
記載の２層TABの製造方法。
【請求項３】リード前形体形成後のリード間に存在する
金属層の溶解除去によるリードの形成は基体下面の各種
ホールの形成およびビアホール以外の各種ホールを除く
箇所にグラウンド金属層を形成させた後行なう請求項１
または請求項２記載の２層TABの製造方法。
【請求項４】ポリイミド樹脂基体に対する所定の各種ホ
ールの形成は基体下面に形成したレジストパターンに従
って露出したポリイミド樹脂を溶解除去することによっ
て行なう請求項１乃至３のいずれか１項記載の２層TAB
の製造方法。
【請求項５】基体下面の金属薄膜層の形成は各種ホール
形成後、基体下面に残存するレジストを除去した後に行
なう請求項１乃至４のいずれか１項記載の２層TABの製
造方法。
【請求項６】基体下面におけるビアホール以外の各種ホ
ールを除く部分全体に亘ってのグラウンド金属層の形成
は、基体下面に再度形成したレジストパターンに従って
露出した金属薄膜層畳に電気めっきにより金属めっき層
を積層し、次いでレジストを溶解除去し、さらにレジス
ト下にあった金属薄膜層を溶解除去することによって行
なう請求項１乃至５のいずれか１項記載の２層TABの製
造方法。
【請求項７】基体下面におけるビアホール以外の各種ホ
ールを除く部分全体に亘ってのグラウンド金属層の形成
は、基体下面の金属薄膜層上に電気めっきによる金属め
っき層を積層した後、基体下面に再度形成したレジスト
パターンに従って露出した金属めっき層とその下に存在
する金属薄膜層を溶解除去し、さらに残存するレジスト
を除去することによって行なう請求項１乃至５のいずれ
か１項記載の２層TABの製造方法。
【請求項８】ポリイミド樹脂フィルムの上面に接着剤を
用いることなく金属層を形成したものを基体とし、該基
体の上下各面に感光性レジスト層を形成した後、基体上
面におけるレジスト層には主として所定のリードパター
ンを有するフォトマスクを、また基体下面におけるレジ
スト層には主として所定のビアホールパターンを有する
フォトマスクを施し、光を照射した後上下各面のレジス
トを現像し、該基体の上下各面にそれぞれの形状のレジ
ストパターンを形成せしめる工程、基体上面に形成した
レジストパターンに従って基体上面にリード前形体を形
成する工程、基体下面に形成したレジストパターンに従
ってポリイミド樹脂の所定の部分に所定のビアホールを
形成し、次いでビアホール形成後の基体下面に金属薄膜
層を形成する工程、該金属薄膜層上に再び感光性レジス
トを形成し、該レジスト層上にビアホールを除く所定の
各種ホールパターンを有するフォトマスクを施して光を
照射した後、現像して基体下面にレジストパターンを形
成し、該レジストパターンに従って基体下面にビアホー
ル以外の所定の各種ホール部に相当する部分のポリイミ
ド樹脂が露出するように基体下面全体に亘ってグラウン
ド金属層を形成する工程、露出したポリイミド樹脂を溶
解除去することによりビアホールを除く所定の各種ホー
ルを形成する工程およびリード前形体のリード間に存在
する金属層を溶解除去することによってリードを形成す
る工程とよりなる２層TABの製造方法。
【請求項９】基体上面のリード前形体の形成は基体上面
に形成したレジストパターンに従って露出した金属層上
に電気めっきにより金属めっき層を積層後、基体上面の
レジストを溶解除去することによって行なう請求項８記
載の２層TABの製造方法。
【請求項１０】リード前形体形成後のリード間に存在す
る金属層の溶解除去によるリードの形成は、基体下面の
ビアホールの形成およびビアホール以外の各種ホールを
除く箇所のグラウンド金属層の形成を完了し、さらにグ
ラウンド金属層の形成により露出したポリイミド樹脂を
溶解除去して、ビアホール以外の各種ホールを形成した
後に行なう請求項８または９記載の２層TABの製造方
法。
【請求項１１】ポリイミド樹脂基体に対する所定のビア
ホールの形成は基体下面に形成したレジストパターンに
従って露出したポリイミド樹脂を溶解除去することによ
って行なう請求項８乃至10のいずれか１項記載の２層TA
Bの製造方法。
【請求項１２】基体下面の金属薄膜層の形成は、ビアホ
ール形成後、基体下面に残存するレジストの除去後に行
なう請求項８乃至11のいずれか１項記載の２層TABの製
造方法。
【請求項１３】基体下面におけるビアホール以外の各種
ホールを除く部分全体に亘ってのグラウンド金属層の形
成は、基体下面に再度形成したレジストパターンに従っ
て露出した金属薄膜層上に、電気めっきにより金属めっ
き層を積層し、次いでレジストを溶解除去しさらにレジ
スト下にあった金属薄膜層を溶解除去することによって
行なう請求項８乃至12のいずれか１項記載の２層TABの
製造方法。
【請求項１４】基体下面におけるビアホール以外の各種
ホールを除く部分全体に亘ってのグラウンド金属層の形
成は、基体下面の金属薄膜層上に電気めっきによる金属
めっき層を積層した後、基体下面に再度形成したレジス
トパターンに従って露出した金属めっき層とその下に存
在する金属薄膜層を溶解除去し、さらに残存するレジス
トを除去することによって行なう請求項８乃至12のいず
れか１項記載の２層TABの製造方法。
【請求項１５】基体下面におけるビアホール以外の各種
ホールの形成は、基体下面に形成したグラウンド金属層
に従って露出したポリイミド樹脂を溶解除去することに
よって行なう請求項８乃至14のいずれか１項記載の２層
TABの製造方法。
【請求項１６】ポリイミド樹脂フィルムの上面に接着剤
を用いることなく金属層を形成したものを基体とし、該
基体の上下各面に感光性レジスト層を形成した後、基体
上面におけるレジスト層には主として所定のリードパタ
ーンを有するフォトマスクを、また基体下面におけるレ
ジスト層には主として所定のビアホールパターンを有す
るフォトマスクを施して、光を照射した後上下各面のレ
ジストを現像し、該基体の上下各面にそれぞれの形状の
レジストパターンを形成せしめる工程、基体上面に形成
したレジストパターンに従って基体上面にリードを形成
し、しかる後基体上面全体に亘って有機樹脂被膜を形成
する工程、基体下面に形成したレジストパターンに従っ
てポリイミド樹脂の所定の部分に所定のビアホールを形
成し、次いでビアホール形成後の基体下面に金属薄膜層
を形成する工程、該金属薄膜層上に再び感光性レジスト
を形成し、該レジスト上にビアホールを除く所定の各種
ホールパターンを有するフォトマスクを施して光を照射
した後現像して基体下面にレジストパターンを形成し、
該レジストパターンに従って基体下面にビアホール以外
の所定の各種ホール部に相当する部分のポリイミド樹脂
が露出するように基体下面全体に亘ってグラウンド金属
層を形成する工程、露出したポリイミド樹脂を溶解除去
することによりビアホールを除く所定の各種ホールを形
成する工程、基体上面の有機樹脂被膜を除去する工程と
よりなる２層TABの製造方法。
【請求項１７】基体上面のリードの形成は基体上面に形
成したレジストパターンに従って露出した金属層上に電
気めっきにより金属めっき層を積層させてリード前形体
を形成した後、基体上面のレジストおよびレジスト下に
残存する金属層を溶解除去することによって行なう請求
項16記載の２層TABの製造方法。
【請求項１８】基体上面のリードの形成は基体上面に形
成したレジストパターンに従って露出した金属層をエッ
チングした後、非エッチング金属層上のレジストを溶解
除去することによって行なう請求項16記載の２層TABの
製造方法。
【請求項１９】ポリイミド樹脂基体に対する所定のビア
ホールの形成は基体下面に形成したレジストパターンに
従って露出したポリイミド樹脂を溶解除去することによ
って行なう請求項16乃至18のいずれか１項記載の２層TA
Bの製造方法。
【請求項２０】基体下面の金属薄膜層の形成は、ビアホ
ール形成後、基体下面に残存するレジストの除去後に行
なう請求項16乃至19のいずれか１項記載の２層TABの製
造方法。
【請求項２１】基体下面におけるビアホール以外の各種
ホールを除く部分全体に亘ってのグラウンド金属層の形
成は、基体下面に再度形成したレジストパターンに従っ
て露出した金属薄膜層上に、電気めっきにより金属めっ
き層を積層し、次いでレジストを溶解除去し、さらにレ
ジスト下にあった金属薄膜層を溶解除去することによっ
て行なう請求項16乃至20のいずれか１項記載の２層TAB
の製造方法。
【請求項２２】基体下面におけるビアホール以外の各種
ホールを除く部分全体に亘ってのグラウンド金属層の形
成は、基体下面の金属薄膜層上に電気めっきによる金属
めっき層を積層した後、基体下面に再度形成したレジス
トパターンに従って露出した金属めっき層とその下に存
在する金属薄膜層を溶解除去し、さらに残存するレジス
トを除去することによって行なう請求項16乃至20のいず
れか１項記載の２層TABの製造方法。
【請求項２３】基体下面におけるビアホール以外の各種
ホールの形成は、基体下面に形成したグラウンド金属層
に従って露出したポリイミド樹脂を溶解除去することに
よって行なう請求項16乃至22のいずれか１項記載の２層
TABの製造方法。
【請求項２４】リード形成後に基体上面に施した有機樹
脂被膜の除去はポリイミド樹脂の所定部分に所定のホー
ルを全て形成した後に行なう請求項16乃至23項のいずれ
か１項記載の２層TABの製造方法。