JPH06181241A - バンプ付きテープの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＴＡＢテープと外部回路を直接ボンディング
をしなくとも、実装後に検査を可能とし、さらに、多ピ
ン、狭ピッチ化に対応した寸法安定性に優れたバンプを
有するバンプ付きテープの新規な製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 ポリイミド樹脂フィルムに金属層を形成した
基体を使用し、ＴＡＢテープの製造技術を応用して、バ
ンプおよび各種ホールを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＴＡＢ（テープ オウト
メイティドゥ ボンディング）やＦＰＣ（フレキシブル
プリント サーキット）等の実装用基板とＩＣやＬＳ
Ｉ等のチップとを接合することに用いるバンプ付きテー
プの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の分野において軽薄短小
化および高機能化の傾向が急速に強まりつつある。この
傾向に対し、電子機器の小型化や高機能化に伴って多ピ
ン化、薄型化するチップを搭載することがパッケージに
要求されている。このようなチップの多ピン化に対応可
能な実装技術としてＴＡＢが用いられる。ＴＡＢに要求
されている多ピン化のレベルとしては１０００ピンクラ
スのものであり、それによって狭ピッチ化がさらに進
み、リード幅とリード間隔の和の長さ分であるピッチが
７０μｍのＴＡＢが開発されている。

【０００３】ＴＡＢテープと外部回路とを接続する技術
は、一般的にＴＡＢテープのアウターリードを用いて行
うが、リードが柔らかく、曲がり易いことや外部回路お
よび電極の種類が多様なため、ＱＦＰ（クワッド フラ
ット パッケージ）等と比較して非常に難しいものであ
り、この技術はＴＡＢ技術の分野でも遅れている分野で
ある。

【０００４】ＴＡＢテープのアウターリードと外部回路
を接続する方法としては主に次の３つが挙げられる。１
つははんだ付けによる方法である。これは、ＴＡＢテー
プのアウターリードと外部回路の電極にめっき処理を施
し、お互いを熱圧着させることにより接続するものであ
る。２つめは異方性導伝性シ−トによる方法である。こ
の方法は分散させたシートをＴＡＢテープのアウターリ
ードと外部回路の電極の間に介在させ、熱圧着させるこ
とにより樹脂を軟化させ、それによりリードと電極間を
分散させた微粒子で電気的に接触させるものである。こ
の方法ではリードピッチが１００μｍピッチの接続が実
験室レベルで完成した程度であり、狭ピッチ化に適さな
いという問題や電極間にも金属微粒子が存在するため、
電極間の絶縁抵抗が低下し、クロストークを発生させる
という問題などがある。もう１つは、光硬化性絶縁樹脂
による方法である。この方法はＴＡＢテープのアウター
リードと外部回路の電極との間を光硬化性絶縁樹脂を介
在させ、これを硬化させることにより接続する方法であ
る。しかし、これらの方法では、ＴＡＢテープと外部回
路をボンディングしなくては電気的検査が困難であるた
め、接続後外部回路に不具合が生じてもＴＡＢテープと
外部回路を切り放すことは不可能であり、ＴＡＢテープ
とＴＡＢテープに搭載したチップが無駄になってしまう
という問題点がある。

【０００５】このような問題を解決する手段として、本
出願人は、ＴＡＢテープのアウターリードを用いること
なく、ＴＡＢテープに形成したパッド裏面のホールとバ
ンプ付きテープのバンプを接続したものを用いることと
し、ＴＡＢテープと外部回路の接続においてＴＡＢテー
プと外部回路を直接ボンディングをしなくとも、実装後
に検査を可能とし、さらに、多ピン、狭ピッチ化に対応
した寸法安定性に優れたバンプを有するバンプ付きテー
プの製造方法を提案した（特願平４ー３０７８７０
号）。しかし、この技術で製造したバンプ付きテープで
は、ポリイミド樹脂テープを介してランドパターンとバ
ンプがあるため、テープ自体の厚みが厚くなり、電子部
品の軽量化、小型化に必要な薄型実装が困難になってし
まうという問題点が生じた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、２層
ＴＡＢの製造方法についての技術（例えば、特開平０３
−８３３５４号公報に記載された技術）を応用して、Ｔ
ＡＢテープのアウターリードを用いず、ＴＡＢテープに
形成したパッド裏面のホールとバンプ付きテープのバン
プを接続したものを用いることとし、ＴＡＢテープと外
部回路のバンプ付きテープを介する接続において、ＴＡ
Ｂテープと外部回路を直接ボンディングをしなくとも、
実装後に検査を可能とし、さらに薄型実装が可能とな
り、しかも多ピン、狭ピッチ化に対応した寸法安定性に
優れたバンプを有するバンプ付きテープの新規な製造方
法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の方法は、ポリイミド樹脂フィルムの上面に直
接に金属層を形成したものを基体とし、金属層のある基
体上面および基体下面に感光性レジスト層を形成し、次
いで基体上面におけるレジスト層には所定の回路パター
ンを有するフォトマスクを施し、基体下面におけるレジ
スト層には所定の各種ホールパターンを有するフォトマ
スクを施し、基体上面および基体下面に光を照射し、次
いで基体上面のレジストを現像して該基体の上面にレジ
ストパターンを形成する第１の工程、基体上面に形成し
たレジストパターンに従って基体上面に所定のバンプを
形成し、次いで基体下面のレジストを現像して基体の下
面にレジストパターンを形成し、次いで基体上面のレジ
スト層を溶解除去し、次いで基体上面の溶解除去された
レジストの下に残存する下地金属層を溶解除去して基体
上面に回路パターンを形成する第２の工程、基体上面全
体にわたって有機樹脂被膜を形成する第３の工程、基体
下面に形成したレジストパターンに従って露出したポリ
イミド樹脂を溶解除去することにより所定の部分に所定
の各種ホールを形成する第４の工程、基体上面の有機樹
脂被膜及び基体下面のレジストを除去する第５の工程よ
りなる点に特徴がある。

【０００８】又、本発明の方法は、前記のバンプ付きテ
ープの製造方法の第２の工程におけるバンプを形成する
工程が基体上面に形成したレジストパターンに従って露
出した金属層上の電気めっきによりバンプ以外の回路パ
ターンおよびバンプ前形体を形成し、次いでバンプ以外
の回路パターン全体に有機樹脂被膜を形成し、次いでバ
ンプ前形体に電気めっきにより金属層を積層する工程で
ある点に特徴がある。

【０００９】又、本発明の方法は、前記のバンプ付きテ
ープの製造方法の第２の工程におけるバンプを形成する
工程が基体上面に形成したレジストパターンに従って露
出した金属層上に電気めっきにより金属層を積層する工
程である点に特徴がある。

【００１０】

【作用】次に本発明によるバンプ付きテープの製造方法
の詳細とその作用について、図１、図２、図３、図４、
図５に示すものに基づいて説明する。上面金属層および基体上面レジストパターン形成工程 ：
本発明においては基本的に上面にのみ金属層１を接着剤
によらず被着形成されたテープ状のポリイミド樹脂フィ
ルムをポリイミド樹脂基体２として用いる。ポリイミド
樹脂基体２と上面金属層１の間に接着剤を介していない
ため、熱による軟化のための位置ズレが起こらず寸法精
度がよい。

【００１１】ポリイミド樹脂基体２の上面に上面金属層
１は該基体表面にスパッタ法、真空蒸着法または無電解
めっき法によるかあるいはこれらの方法を組み合わせて
金属層を形成されるか、これらの方法にさらに電解めっ
き法を組み合わせてよく、要はポリイミド樹脂基体２上
に接着剤を施すことなく直接的に金属層を形成する方法
ならば何れの方法によるものも採用することができる。
ポリイミド樹脂基体２上に形成する上面金属層１は電気
的性質や経済的面を考慮すると一般的には銅やニッケル
が採用されるがポリイミド樹脂基体２と銅或いはニッケ
ルとの間にクロム、ニッケル或いは銅等の薄膜層が存在
しても何ら差し支えない。このバンプ付きテープは、最
終的にバンプとポリイミド樹脂テープとを剥離して使用
するためポリイミド樹脂フィルム上に直接形成される下
地金属層が露出してしまうので、ポリイミド樹脂フィル
ム上に直接形成される下地金属層は、マイグレーション
を生じる危険性のある銅よりニッケルの方が信頼性が高
い。

【００１２】基体上面に形成する上面金属層１の厚みは
バンプ８の形成が無電解めっきと電解めっきを併用して
行うセミアディティブ法によって行うためバンプ８の形
成に際して行われる電気めっきにおける前処理でのエッ
チングに耐え得る厚みであれば、特に制約はないがさら
に後述するようなバンプ独立のための上面金属層１の部
分的な溶解工程の作業を考慮すると０．１〜２μｍの範
囲にあることが望ましい。

【００１３】また上面金属層１上に形成される感光性レ
ジスト層３の厚みは形成されるバンプ８の高さ及びその
形状に左右される。バンプの形状がマッシュルーム型の
場合には、感光性レジスト層３の厚みは形成されるバン
プ８の高さ以下でよく、ストレートウォール型の場合に
は感光性レジスト層３の厚みは形成されるバンプ８の高
さ以上であることが要求される。明細な値については後
のバンプ形成工程の所で説明する。

【００１４】レジストの種類は上記の厚さに塗布し得る
ものであって、かつ上面におけるバンプ８の形成に際し
て行われる電気めっき液に耐え得るものであれば一般市
販のもので十分であり、アクリル樹脂等に感光性の官能
基を付与することによって、光照射部分が未溶解部とし
て残るネガ型レジスト、ノボラック樹脂等に感光性の官
能基を付与することによって光照射部分が現像時に溶解
するポジ型レジストがあるが、フォトマスクのパターン
を反転することによって何れの型のレジストでも使用可
能である。またレジストの状態としては液状のものでも
固形化してドライフィルムとしたものでも差し支えな
い。液状レジストを使用する場合には基体の金属層上へ
の塗布はバーコート法、ディップ法、スピンコート法等
の一般的塗布方法の他、レジスト液を帯電させ噴霧状に
塗布する静電塗布法も採用してよい。

【００１５】またポリイミド樹脂基体２の下面に形成す
る感光性レジスト層４はホール形成に際して用いられる
ポリイミド樹脂溶解液に耐え得るものであれば何れでも
よく、一般的にはポリイミド樹脂の溶解液には強アルカ
リ液が使用されることからゴム系レジストの採用が望ま
しい。ポリイミド樹脂基体２下面に形成される感光性レ
ジスト層４の厚みは特に制限はないが、ポリイミド樹脂
溶解後のホールのパターン精度を考慮すれば２〜１０μ
ｍ程度がよい。

【００１６】一般的にレジストによってパターンを形成
するにはレジストを塗布後レジストに含まれる溶剤を除
去する必要がある。これはレジスト自体の強度を向上さ
せると同時にレジストと金属層との密着性を高めるため
に行われるものであり、溶剤の除去は通常乾燥処理によ
って行われるが、この際に処理温度はレジストの解像度
を低下させない範囲で高めにするのがよい。また露光そ
して現像後に形成したパターンをより強固にするために
加熱処理を行うこともあるがこの場合には前述した溶剤
除去処理のときの温度よりも高い温度が採用される。

【００１７】次に、上面金属層１およびポリイミド樹脂
基体２上に形成した感光性レジスト層３および４に対し
て所望のパターンのフォトマスクを施して、それぞれに
適量の光を照射し、まずは該基体上面のレジストを現像
して、上面金属層１上にレジストパターン５を形成する
が、基体上面の感光性レジスト層３には主としてバンプ
形成のためのフォトマスクを、また下面の感光性レジス
ト層４には主として所定の各種ホール形成のためのフォ
トマスクが使用される。基体上面のレジストパターン５
を形成するためのフォトマスクは例えば図４に示すよう
なものが挙げられる。また基体下面のレジストパターン
１０形成のためのフォトマスクは、例えば図５に示すよ
うなものを例として挙げられることができ、主として、
ツーリングホールおよびブラインドホール等のホール形
成のためのレジストパターンを形成することができるも
のである。

【００１８】レジストの感光のために照射する光の波長
等はレジストの特性によって決定されるが、一般的には
紫外線が使用される。またここで云うフォトマスクとは
ガラスや透光性のプラスチックフィルムに銀等を含む乳
剤やクロム等の金属を焼き付けたものをいう。露光方法
としてはレジスト面とフォトマスクを密着させて行う密
着露光法と、レジスト面とフォトマスクを一定の距離を
隔てて平行に並べて行う投影露光法とがあるが、本発明
において何れの方法を採用してもよい。（以上図２
（ａ），（ｂ），（ｃ）参照）

【００１９】バンプ形成および基体下面レジストパター
ンの形成工程 バンプの形成はレジストパターン５によって生じた上面
金属層１の露出部分に電気めっきを施し、所望の厚み以
上に積層してバンプ８を形成するか、或いはレジストパ
ターン５によって生じた上面金属層１の露出部分に電気
めっきを施し、所望の厚み以上に積層してバンプ以外の
回路パターン６およびバンプ前形体７を形成した後、バ
ンプ以外の回路パターン６全体に有機樹脂被膜９を形成
し、しかる後再びバンプ前形体７に電気めっきを施し、
所望の厚み以上に積層してバンプ８を形成するかした
後、基体下面のレジストを現像し、ポリイミド樹脂基体
２上にレジストパターン１０を形成し、レジストパター
ン５及び有機樹脂被膜９を溶解除去し、レジストパター
ン５下に存在する上面金属層１（下地金属層）を溶解除
去することによってバンプ８を形成する。

【００２０】バンプの高さはバンプ付きテープをＴＡＢ
テープと外部回路との接続に用いる場合は、バンプ付き
テープとバンプとの接続に用いるＴＡＢテープのホール
の深さ以上であることが要求される。ＴＡＢテープのホ
ールの深さが５０μｍである場合には、接合での歩留ま
りを考慮するとバンプ８の高さは６０μｍ以上であるこ
とが要求される。

【００２１】バンプを形成するのに１段階の電気めっき
によりバンプを形成する方法を採用する場合は、バンプ
の高さは形成されたレジストパターン５の厚みより低く
する必要があり、バンプの高さはレジストの塗布可能な
厚みに作用されることになる。一方、バンプを形成する
のに２段階の電気めっきによりバンプを形成する方法を
採用する場合には、レジストの塗布可能な厚みに作用さ
れない。バンプ高さが６０μｍ以上必要な場合には、レ
ジストを６０μｍ以上で安定的に塗布することは困難で
あることから２段階の電気めっきによりバンプを形成す
る方法が採用される。

【００２２】この方法でバンプ以外の回路パターン６全
体に有機樹脂被膜９を形成するのは、これに引き続き行
われるバンプ形成部分への電気めっきによりバンプ以外
の回路パターン６に金属層を積層されるのを防ぐための
ものである。この有機樹脂被膜９は、電気めっき液に耐
え得るものであれば何でもよく、感光性レジスト３と同
様なものを用いても構わない。

【００２３】上面金属層１（下地金属層）の溶解除去は
基体上面に形成されたバンプ８を電気的に独立させるも
のである。

【００２４】上面金属層１を溶解するための溶解液とし
ては、一般的には塩酸、硫酸、硝酸等の酸性溶液、塩化
鉄溶液、塩化銅溶液等の金属塩化物溶液、過硫酸アンモ
ニウム溶液等の過酸化溶液等が用いられるが、必要に応
じて市販の溶解液を使用してもよい。

【００２５】バンプ形成を行った後、直ちに基体上面全
体に亘って有機樹脂被膜１１で被膜する。この有機樹脂
被膜１１による被膜はその後のポリイミド樹脂の溶解に
よるホール形成工程の際に、基体上面に露出したポリイ
ミド樹脂基体２を保護する役割と基体を補強する役割が
ある。この有機樹脂被膜はポリイミド樹脂の溶解液と後
述するバンプ形成工程での電気めっき液に耐え得るもの
であれば何でもよく、ポリイミド樹脂の溶解液として強
アルカリ性溶液が用いられることからゴム系、エポキシ
系、シリコン系の有機樹脂等を使用すればよい。（以上
図２（ｄ），（ｅ），（ｆ）参照）

【００２６】ホール形成工程 各種ホールの形成には、基体下面に形成されたレジスト
パターン１０に従って露出したポリイミド樹脂を溶解す
ることにより、この部分の樹脂を開孔してブラインドホ
ール１２、ツーリングホール１３を形成する。このブラ
インドホールの形成は、最終的にバンプ８とポリイミド
樹脂基体２を剥離して使用する際に、バンプを剥離しや
すくなるようにバンプ８とポリイミド樹脂基体２との接
地面積を減少させ、密着力を低下させる役割を果たす。
この場合において、ポリイミド樹脂の溶解には抱水ヒド
ラジン、水酸化アルカリ等の強アルカリ性溶液を単独も
しくは混合し、さらにはメチルアルコール、エチルアル
コール、プロピルアルコール等を混合した溶液を用いる
とよい。またこの工程でのブラインドホールの形状は真
円、方形、楕円等、いずれの形状でも構わない。（以上
図２（ｇ）参照）

【００２７】バンプの形成および各種ホール形成を終了
した基体は基体上下各面に形成された各種レジストの溶
解除去を行うと、図３に示した様なバンプ付きテープが
得られる。各種レジストの除去する際の溶解液は市販の
ものを使用すればよい。以上述べたように本発明の方法
によるときは、各工程において状況に応じ、種々の手段
を活用することによって的確に基体上面のリードの形
成、ポリイミド樹脂基体に対する各種ホールの形成およ
び基体下面のバンプの形成を行うことが出来る。

【００２８】上述した方法で製造されたバンプ付きテー
プはその使用目的に応じてバンプの表面にニッケル或い
は金めっきを施すことが可能である。ニッケル或いは金
めっきを施す方法としては、バンプ部には電気的導通が
取られていないことから、無電解めっき方法が採用され
る。

【００２９】図１は本発明で得られたバンプ付きテープ
を実装する際の模式図である。本発明によるバンプ付き
テープの使用方法は、ＴＡＢテープのパッドホールとバ
ンプ付きテープのバンプ８を接続した後（図１（ａ）参
照）、バンプ付きテープのポリイミド樹脂基体２をバン
プ８より剥離し（図１（ｂ）参照）、しかる後バンプ８
と外部回路との接続を行う（図１（ｃ）参照）。バンプ
付きテープのポリイミド樹脂基体２を剥離して実装を行
うためポリイミド樹脂基体の厚みだけ実装容積を小さく
することが可能となる。以下、本発明によるバンプ付き
テープの製造方法について実施例により説明をする。

【００３０】

【実施例】

（実施例１）出発材料として１８ｃｍ×１５ｃｍの大き
さの厚さ０．０４μｍの無電解ニッケルめっき被膜とそ
の上面に厚さ０．６μｍの無電解銅めっき被膜を有する
エスパーフレックス（住友金属鉱山（株）製）を用い、
無電解めっき被膜を下地金属層とした。次に下地銅層上
にＰＭＥＲ・ＨＣ６００（東京応化社製、ネガ型フォト
レジスト）をスピンコーターにより５０μｍの厚さに塗
布後、７０℃で３０分間乾燥処理を行った。ついで反対
面にＦＳＲ（富士薬品社製、ネガ型フォトレジスト）を
スピンコーターにより７μｍの厚さに塗布後、７０℃で
３０分間乾燥処理した。下地銅層上のレジスト層には、
１列に直径１１０μｍのバンプパターンを直列に１００
個配列したパターン、ツーリングホールパターン４個を
有する、１０列配列したガラス製のフォトマスクをレジ
スト面に密着させて１２００ｍＪの紫外線を照射し、反
対面のレジストには上面の各種パターンに対応したツー
リングホールパターン４個、直径７５μｍのブラインド
ホールパターン１００個を有するフォトマスクを密着さ
せて２００ｍＪの紫外線を照射して露光を施した。な
お、紫外線の照射は超高圧水銀燈（オーク製作所社製）
を使用した。次に上面のレジスト層をＰＭＥＲ現像液
（東京応化社製）を用いて２５℃、５分間現像して所定
のレジストパターンを得た後、１１０℃で３０分間乾燥
処理を施した。

【００３１】続いて基体上面の露出した下地銅層上に硫
酸ニッケル２００ｇ／ｌ、塩酸ニッケル１５０ｇ／ｌ、
ほう酸４０ｇ／ｌの組成を有する電気ニッケルめっき液
を用いて電流密度４Ａ／ｄｍ² として５０℃で３０分間
電解を行い厚さ４０μｍのバンプ前形体及びツーリング
ホールを形成した。次にツーリングホール全体をＰＭＥ
Ｒ・ＨＣ６００でマスキングし、７０℃１０分間乾燥処
理を施した。

【００３２】次にバンプ前形体に上記記載の電気ニッケ
ルめっき液を用いて電流密度６Ａ／ｄｍ² として５０℃
で３０分間電解を行い厚さ８０μｍのバンプを形成し
た。次に基体下面のレジスト層を、ＦＳＲ−Ｄ（富士薬
品社製）を用いて、２５℃で５０秒間現像して所定のレ
ジストパターンを得た後、１３０℃で３０分間乾燥し、
続いて基体上面のレジストを水酸化ナトリウム４ｗｔ％
溶液を用いて、５０℃、１分間処理して除去した後、基
体上面の下地金属層のうち、銅層を塩化銅２００ｇ／ｌ
溶液を用いて溶解除去し、ニッケル層をトップリップＢ
Ｔ（奥野製薬（株）製）を用いて溶解除去した。

【００３３】次に基体上面全体に前述したＦＳＲをスピ
ンコーターを用いて、厚さ８５μｍに塗布し、１３０℃
で３０分間乾燥処理を施し、続いて４規定の水酸化カリ
ウム溶液とエチルアルコールを容量比で１：１に混合し
た液を使用して５０℃で６分間露出したポリイミド樹脂
の溶解を行い、ツーリングホールおよびブラインドホー
ルを形成した。

【００３４】続いて上下面に形成されているＦＳＲをＦ
ＳＲ剥離液（富士薬品社製）を用いて７０℃、１０分間
で溶解剥離させ、バンプ付きテープを製造することがで
きた。

【００３５】バンプの高さを光学的な段差測定機により
測定したところ±５μｍの精度であった。

【００３６】（実施例２）出発材料として実施例１と同
様の大きさ、厚さ０．０４μｍの無電解ニッケルめっき
被膜のみを有する基板を用い、下地銅層を溶解する工程
を除いてその他は実施例１と同様の方法で各処理を行っ
たところ実施例１と同様にバンプ付きテープを製造する
ことができた。バンプの高さを光学的な段差測定機によ
り測定したところ±５μｍの精度であった。

【００３７】（実施例３）出発材料として実施例１と同
様の大きさの銅−ニッケル基板を用い、銅面上にＰＭＥ
Ｒを塗布してからＰＭＥＲを現像し、所定のレジストパ
ターンを得、乾燥処理を施すところまで実施例１と同様
に施した。続いて基体上面の露出した下地銅層上に硫酸
ニッケル２００ｇ／ｌ，塩化ニッケル１５０ｇ／ｌ、ほ
う酸４０ｇ／ｌの組成を有する電気ニッケルめっき液を
用いて電流密度４Ａ／ｄｍ² として５０℃で３５分間電
解を行い厚さ４０μｍのバンプを形成した。次に基体下
面のレジスト層を、ＦＳＲ−Ｄ（富士薬品社製）を用い
て現像することからは実施例１と同様に施したところ実
施例１と同様にバンプ付きテープを製造することができ
た。バンプの高さを光学的な段差測定機により測定した
ところ±５μｍの精度であった。

【００３８】

【発明の効果】本発明の方法によれば、ＴＡＢテープと
外部回路の接続において、ＴＡＢテープと外部回路を直
接ボンディングをしなくとも、実装後に検査を可能と
し、さらに薄型実装が可能であり、しかも、多ピン、狭
ピッチ化に対応した寸法安定性に優れたバンプを有する
バンプ付きテープを確実に製造することができ、経済性
にも工業的にも優れた高性能電子部品を提供することが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】チップとバンプ付きテープとＴＡＢテープとを
接続するときの模式図である。

【図２】バンプ付きテープの製造方法の概略を順を追っ
て図示した工程説明図である。

【図３】本発明によって得られたバンプ付きテープの１
例を示す平面図である。

【図４】本発明に使用されるホールおよび回路パターン
形成用のフォトマスクの１例を示す図である。

【図５】本発明に使用される各種ホールパターン形成用
のフォトマスクの１例を示したものである。

【符号の説明】

１ 上面金属層 ２ ポリイミド樹脂基体 ３ 感光性レジスト層 ４ 感光性レジスト層 ５ レジストパターン ６ バンプ以外の回路パターン ７ バンプ前形体 ８ バンプ ９ 有機樹脂被膜 １０ レジストパターン １１ 有機樹脂被膜 １２ ブラインドホール １３ ツーリングホール １４ 外部回路 １５ ＴＡＢテープ １６ パッド １７ 外部回路パッド部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ポリイミド樹脂フィルムの上面に直接に
   金属層を形成したものを基体とし、金属層のある基体上
   面および基体下面に感光性レジスト層を形成し、次いで
   基体上面におけるレジスト層には所定の回路パターンを
   有するフォトマスクを施し、基体下面におけるレジスト
   層には所定の各種ホールパターンを有するフォトマスク
   を施し、基体上面および基体下面に光を照射し、次いで
   基体上面のレジストを現像して該基体の上面にレジスト
   パターンを形成する第１の工程、基体上面に形成したレ
   ジストパターンに従って基体上面に所定のバンプを形成
   し、次いで基体下面のレジストを現像して基体の下面に
   レジストパターンを形成し、次いで基体上面のレジスト
   層を溶解除去し、次いで基体上面の溶解除去されたレジ
   ストの下に残存する下地金属層を溶解除去して基体上面
   に回路パターンを形成する第２の工程、基体上面全体に
   わたって有機樹脂被膜を形成する第３の工程、基体下面
   に形成したレジストパターンに従って露出したポリイミ
   ド樹脂を溶解除去することにより所定の部分に所定の各
   種ホールを形成する第４の工程、基体上面の有機樹脂被
   膜及び基体下面のレジストを除去する第５の工程よりな
   ることを特徴とするバンプ付きテープの製造方法。
2. 【請求項２】 第２の工程におけるバンプを形成する工
   程が基体上面に形成したレジストパターンに従って露出
   した金属層上に電気めっきによりバンプ以外の回路パタ
   ーンおよびバンプ前形体を形成し、次いでバンプ以外の
   回路パターン全体に有機樹脂被膜を形成し、次いでバン
   プ前形体に電気めっきにより金属層を積層する工程であ
   る請求項１記載のバンプ付きテープの製造方法。
3. 【請求項３】 第２の工程におけるバンプを形成する工
   程が基体上面に形成したレジストパターンに従って露出
   した金属層上に電気めっきにより金属層を積層する工程
   である請求項１記載のバンプ付きテープの製造方法。