JPH0787203B2 - ２層ｔａｂの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電子部品に実装されるTAB（Tape Automated Bo
nding）の製造方法に係り、更に詳しくは絶縁性樹脂基
板の両面に金属層を有する２層TABの製造方法に関する
ものである。

（従来の技術） 近年、エレクトロニクス産業界においては低価格、高信
頼度を有する多機能装置の開発が急速に進められてお
り、これによる高機能、高密度素子の出現に伴って高信
頼性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに
対する要求が高まってきている。これに従って、新しい
素子実装技術の開発が日増しに重要さを加えており、特
にICパッケージにおける小型化と多様化が重要な課題と
して開発が進められている。このような素子実装技術の
進歩に伴って、小型ICパッケージにおける多ピン化の要
求に応え得るような微細なピン間隔が望まれている。

TABはポリイミド等電気的絶縁性を有するテープ状合成
樹脂フィルム基板上に多数のボンディング用金属細密リ
ードパターンを施したものであり、その特徴としては、
テストパッドを有しているので、ボンディング後にボン
ディング不良やチップ不良を基板実装前に発見でき、ま
たワイヤーボンディングに比しICパッドの大きさが小さ
くてよく、一層の多ピン化が可能であるなどその利点が
多い。

TABはその構造上から１層TAB、２層TAB及び３層TABの３
種類に大別される。１層TABはパターニング処理を施し
た銅箔等の金属テープのみによって構成されるものを云
うが、金属層自体の厚みがせいぜい数十μｍ程度である
ために機械的強度に乏しく、施し得るピン数に限界があ
るので高密度化に適さない。

この１層TABの欠点を補うために合成樹脂フィルム基板
上に接着剤を用いて金属箔を張り合せた後、金属箔にパ
ターニング処理を施した３層TABが開発されたが、この
３層TABにおいては中間層として使用する接着剤の影響
によって、基板にポリイミド樹脂のような絶縁性の高い
合成樹脂フィルムを使用していても、ピン間の絶縁性を
十分に確保することができないと云う欠点を有する。

２層TABは、合成樹脂フィルム基板表面に接着剤によら
ず、スパッタ法、真空蒸着法、めっき法等によって直接
金属層を形成させて、これにパターニング処理を施した
ものであって、接着剤を使用しないので、電気絶縁性に
ついての問題を生ずることなく安定的に使用することが
できるので将来性が期待されている。

２層TABの製造法の概略を述べると、先ず合成樹脂フィ
ルム基板表面に前述したようなスパッタ法、真空蒸着法
の如き乾式表面処理法、または無電解めっき法の如き湿
式表面処理法を用いて金属層を被着させる。通常、この
場合に合成樹脂フィルムとしては電気絶縁性が高くまた
熱安定性に優れたポリイミド樹脂が使用され、また被着
金属層には銅が使用される。次に金属層表面にパターニ
ング処理を施すのであるが、これには形成させるリード
の厚さ以上の厚みに感光レジストを塗布しておき、その
上に所望のリードパターンを有するマスキングを施して
レジストの光照射を行なうことにより、レジスト上に露
光部と非露光部によるパターンを形成し、その後これに
現像を施すことによって、非露光部または露光部を選択
的に溶解除去することによって金属層上にレジストパタ
ーンを形成する。現像によってレジストが除去された部
分、即ち金属層が露出した部分に電気めっきでレジスト
の厚みかまたはそれ以下の厚みまで金属を析出させ、最
後に残存レジストを溶解除去することによって所望のリ
ードパターンを有する２層TABを得ることが出来る。

このようにして得られた２層TABをICチップの連続ボン
ディングを行なうためには、テープ送り用のスプロケッ
トホール、リード先端を露出させてICチップと接合させ
るためのデバイスホール、リード後端部を外部回路に接
続するためのOLBホールを化学的エッチングにより設け
る必要がある。これらの各ホールは合成樹脂テープ上に
レジストパターンを施した後に樹脂を溶解することによ
って形成される。

（発明が解決しようとする課題） 以上のようにして製造された２層TABは中間層として接
着剤層を存在させることなくリードの多ピン化を行なう
ことができるので、電気的特性に優れ、また熱的、機械
的性質も安定したものが得られるが、これを実際にICチ
ップにボンディングして電子計算機等に組み込んで使用
した場合に、処理速度の増大に伴い往々にしてTABに形
成された一部のリードに高周波電流が流れ、雑音を発生
せしめるのでこれに対する対応策を講ずる必要がある。
この欠点を改善するためには、２層TABの裏面に更に金
属層をグラウンドとして設け、また絶縁性合成樹脂基板
に導通用のビアホールを穿って、表面金属層に形成され
たリードの一部をこのビアホールを介して裏面のグラウ
ンド金属層に導通させることによって、高周波による雑
音を低減させることが考えられるが、未だその具体的製
造方法については確立されていない。

本発明は、上記した知見に基き高周波による雑音発生の
少ない２層TABを得るための新規な製造方法を提供する
ことを目的としたものである。

（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するための本発明は次に示すような基本
工程からなる。

即ち、本発明による２層TABの製造方法は、ポリイミド
等の電気絶縁性合成樹脂（以下「絶縁性樹脂」という）
フィルムの両面に接着剤を用いることなく金属層を形成
したものを基体とし、該基体両面の金属層上に感光性レ
ジスト層を形成した後、基体上面におけるレジスト層に
は主として所定のリードパターンを有するフォトマスク
を、また基体下面におけるレジスト層には主として所定
の各種ホールパターンを有するフォトマスクを施し、光
を照射した後両面のレジストを現像して、該基体の両面
にそれぞれの形状のレジストパターンを形成せしめる工
程、基体上面に形成したレジストパターンに従って基体
上面にリードを形成する工程、基体下面に形成したレジ
ストパターンに従って下面金属層の各種ホールが形成さ
れるべき部分を溶解し絶縁性樹脂を露出させた後、該絶
縁性樹脂の露出部を溶解して所定の各種ホール部を形成
する工程、各種ホール部形成後の基体下面に金属薄膜層
を形成した後、該金属薄膜層上に再び感光性レジストを
形成し、該レジスト上にビアホールを除く所定の各種ホ
ールパターンを有するフォトマスクを施して、光を照射
した後現像して基体下面にレジストパターンを形成し、
該レジストパターンに従って基体下面にビアホール以外
の所定の各種ホール部を除く基体下面全体に亘ってグラ
ウンド金属層を形成する工程とよりなることを特徴とす
るものである。

本発明において、基体上面におけるリードの形成は予め
基体上面に施される金属層の厚みによって異なる方法が
採用される。

即ち基体上面に施される金属層を薄層の所謂下地金属層
とした場合には、基体上面に形成したレジストパターン
に従って露出した該下地金属層上に電気めっきにより金
属めっき層を積層させて該積層金属によるリード前形体
を形成した後、基体上面のレジストおよびその下に残存
する下地金属層を溶解除去してリードを形成する所謂セ
ミアディティブ法が適用され、また基体上面に施される
金属層を所望されるリード高さに匹敵する厚みにした場
合には、基体上面に形成したレジストパターンに従って
露出した金属層をエッチングした後、非エッチング金属
層上のレジストを溶解除去してリードを形成する所謂サ
ブトラクティブ法が採用される。

また、絶縁性樹脂基体に対する各種ホールの形成は基体
下面に形成したレジストパターンに従って露出した金属
層をエッチングして絶縁性樹脂を露出させ、該絶縁性樹
脂の露出部を溶解除去する方法、即ちエッチング法によ
るか、レジストパターンに従って露出した金属層上に電
気めっきにより金属めっき層を積層して該積層金属によ
る金属パターンを形成した後、レジストおよびレジスト
下の金属層を溶解除去して、これによって露出した絶縁
性樹脂を溶解除去する方法、即ちセミアディティブ法に
よるか、または更にまた他の方法として、下面に形成し
たレジストパターンに従って露出した金属層をエッチン
グして絶縁性樹脂部を露出させた後、レジストパターン
を除去してレジスト下の金属層を露出させ、該露出金属
層上に電気めっきにより金属めっき層を積層し、絶縁性
樹脂の露出部を溶解除去する方法、即ちエッチング法と
セミアディティブ法との併用法によるかの何れかの方法
を採用して行なうことができる。

また、本発明においては基体下面におけるビアホール以
外の各種ホールを除く部分全体に亘ってグラウンド金属
層を形成させることによって、リードとグラウンド金属
とをビアホール部分において部分的に導通させるもので
あるが、このようなグラウンド金属層の形成は、各種ホ
ール部形成後の基体下面に金属薄膜層を形成し、該金属
薄膜層上に再度感光性レジスト層を形成し、該レジスト
上にビアホール以外の所定のホールパターンを有するフ
ォトマスクを施して露光、現像を行なうことによってレ
ジストパターンを形成し、このようにして再度形成した
レジストパターンに従って露出した金属薄膜層上に電気
めっきにより金属めっき層を積層した後レジストを溶解
除去し、これによって露出したレジスト下の金属薄膜層
を溶解除去するセミアディティブ法による方法か、また
は各種ホール部形成後の基体下面に形成した金属薄膜層
上に直ちに電気めっきによる金属めっき層を積層させて
積層金属層を形成し、しかる後上記と同様の手順で再度
レジストパターンを形成し、該レジストパターンに従っ
て露出した積層金属層を溶解除去し、更に残存するレジ
ストを除去するサブトラクティブ法による方法の何れか
の方法が採用される。

上記したように基体上面におけるリード形成、絶縁性樹
脂に対する所定の各種ホールの形成および基体下面にお
ける導通用のグラウンド金属層の形成にはそれぞれ幾つ
かの形成手段があるが、本発明においてはこれらの各手
段を適宜組合わせることによって所期の性能を有する２
層TABを容易に得ることができる。

（作 用） 次に本発明による２層TABの製造方法の詳細とその作用
について、図示するものに基いて説明する。

第１図は、本発明の２層TABの製造法について、工程図
を示したものである。第１図に示したように、本発明の
工程は絶縁性樹脂フィルムの両面に接着剤によらずに金
属層を形成してこれを基体とし、基体両面にそれぞれリ
ード形成および各種ホール形成のための各レジストパタ
ーンを形成する工程、基体上面に形成されたレジストパ
ターンに従って行なわれるリードの形成工程、基体下面
に形成されたレジストパターンに従って行なわれる各種
ホールの形成工程および各種ホール形成後の基体下面に
対して行なわれるグラウンド金属層の形成工程の各工程
よりなるものであり、また各工程中におけるリード形成
手段としてはセミアディティブ法およびサブトラクティ
ブ法の何れかを、またホール形成手段にはエッチング
法、セミアディティブ法、またはこれら両者の併用法の
何れかを、また更にグラウンド金属層形成の手段として
はセミアディティブ法およびサブトラクティブ法の何れ
かを選択し採用することができる。

第２図および第３図はそれぞれ本発明による２層TABの
製造においてリード形成をセミアディティブ法およびサ
ブトラクティブ法によって実施した場合の加工工程の概
略を順を追って図示した工程説明図であり、第４図は本
発明によって得られた２層TABの１例を示すものの外観
を示す部分平面図である。

第２図および第３図における（ａ）は第４図におけるＸ
−Ｙ断面に、また（ｂ）はＸ′−Ｙ′断面に相当する部
分の断面図である。また、第２図および第３図における
（ａ）および（ｂ）の左右同列に示される図面（イ）乃
至（ト）は工程順に各工程での材料の断面状態を表わし
たものである。

なお、工程説明図中第２段目における（ロ）は各種ホー
ル形成のための基体下面の銅層パターンをエッチング法
によった場合の、（ロ′）はセミアディティブ法によっ
た場合の、また（ロ″）はエッチング法とセミアディテ
ィブ法を併用した場合の断面を、また第５および第６段
目における（ホ）および（ヘ）はグラウンド金属層をセ
ミアディティブ法で行なった場合の、（ホ′）および
（ヘ′）はサブトラクティブ法で行なった場合の断面を
示す。

また第５図は本発明において使用されるリードパターン
マスクの一例を、また第６図および第７図はそれぞれホ
ールパターンマスクの一例を示したものである。また第
８図および第９図はグラウンド金属層形成に際して施さ
れるビアホールを除くホールパターンマスクの一例を示
すものである。

第２図および第３図において１は上面金属層、２は下面
金属層、３は絶縁性樹脂基体、４および５はそれぞれ上
面金属層１および下面金属層２に形成された感光性レジ
スト層である。

６および７は、それぞれ上下面のレジスト層４および５
上に所定の目的に従ってマスキングを施して露光現像す
ることにより形成した各種のレジストパターンである。

８は上面のレジストパターン６に従って形成した所望の
パターンを有するリード、９はリード８形成後の上面全
体に亘って被覆された有機樹脂被膜総である。10は下面
のレジストパターンに従って形成した金属層パターンで
ある。

11、12、13および14は、それぞれ基体下面における金属
層パターン10の形成によって露出した絶縁性樹脂部分を
溶解することによって得られたビアホール、デバイスホ
ール、OLBホールおよびスプロケットホールである。

15は上記各ホール形成後の基体下面全体に被着した金属
薄膜層である。

16は金属薄膜層15形成後の基体下面に施したレジスト
層、17は該レジスト層を露光、現像して得られたレジス
トパターンである。

また18は基体下面において、ビアホール11を介して上面
のリード８の一部と電気的に導通が図られるように形成
されたグラウンド金属層である。

次に、本発明の２層TABの製造方法について基体両面に
おける金属層およびレジストパターンの形成工程、リー
ド形成工程、各種ホールの形成工程およびグラウンド金
属層の形成工程について順を追って詳細に説明する。

金属層およびレジストパターンの形成工程： 本発明においては基本的に上下両面に金属層１および２
を接着剤によらずに被着形成されたテープ状の絶縁性樹
脂フィルムが基体３として使用される。また本発明に用
いられる絶縁性樹脂はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、
ポリアミド樹脂、フッ化炭素樹脂、ポリスルフォン樹
脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコン樹脂等である。

絶縁性樹脂フィルム基体３の上下両面に形成する金属層
１および２は該基体表面にスパッタ法、真空蒸着法、ま
たは無電解めっき法によるか或いはこれらの方法を組み
合わせて金属層を形成させるか、これらの方法に更に電
解めっき法を組み合わせてもよく、要は絶縁性樹脂基体
３上に接着剤を施すことなく直接的に金属層を形成せし
める方法ならば何れの方法によるものも採用することが
できる。また基体３上に形成する金属層は電気的性能お
よびコスト面から一般には銅が採用されるが、基体３と
銅との間にクロム、ニッケル等の薄膜層が存在しても何
ら差し支えない。

基体上面に形成する金属層１の厚みはリード形成がセミ
アディティブ法によって行なわれる場合には、リード形
成に際して行なわれる金属電気めっき層の形成時におけ
る前処理に際してのソフトエッチング液に耐え得る厚み
であればよく、特に制限はないが、更に後述するような
リード独立のための上面金属層１の部分的な溶解工程の
作業性に鑑みて0.5〜２μｍの範囲にあることが望まし
い。

また、リード形成がサブトラクティブ法によって行なわ
れる場合には、上面金属層１の厚さはレジスト層４が形
成される前に所望のリード厚さと同等の厚さにしておく
必要がある。従って金属層１は前述したスパッタ法等
で、絶縁性樹脂基体上面に先ず金属薄膜層を形成した
後、更にその上面に電気めっきにより所定の厚さまでめ
っき金属を被着させて肉盛りするのがよい。通常要求さ
れるリードの厚さは約35μｍまでである。

また基体下面に形成される金属層２の厚みは、絶縁性樹
脂に対する所定の各種ホール形成のための金属層パター
ン10の形成がエッチング法によって行なわれる場合に
は、金属層２はその後に行なわれる絶縁性樹脂の溶解工
程においてレジスト類似の役割を果たすものであるか
ら、該絶縁性樹脂溶解のための溶解液に耐え得ること、
ピンホール欠陥等による不要部分の絶縁性樹脂の溶解や
金属層２の基体からの剥離防止を考慮する必要があるこ
と、およびレジストパターン形成後の金属層２の溶解工
程における溶解のし易さ等を考慮して２μｍ〜５μｍの
範囲とするのが適当である。

また金属層パターン10の形成をセミアディティブ法で行
なうときには、後述するようにレジストパターン７形成
後金属層２上に電気めっきによる肉盛りを行なうので、
電気めっきの前処理に際してのソフトエッチングに耐え
られる厚さであればよく特に制限はないが、電気めっき
後に行なわれる金属層２の溶解工程における溶解作業の
し易さを考慮すれば１μｍ未満であることが望ましく、
0.2〜１μｍ程度の厚さにするのが適当である。また更
に、エッチング法とセミアディティブ法を併用する場合
にも、同様の理由により金属層２の厚さは0.2〜１μｍ
の範囲とすることが望ましい。

基体上面に形成するレジスト層４の厚みはリード形成が
セミアディティブ法で行なわれる場合には、リードの厚
さが35μｍ以上であることが要求されていることからそ
れ以上の厚さとする必要がある。またリード形成がサブ
トラクティブ法で行なわれる場合には特に厚さの制約は
ないが、レジストパターン６形成後の金属層１の溶解に
際しての溶解後のパターン精度を考慮すると１〜10μｍ
程度が適当である。

レジストの種類は上記したような厚さに塗布し得るもの
であって、且つ上面におけるリード形成に際して行なわ
れる電気めっきまたは金属層１の溶解および下面の金属
層パターン10の形成に際して行なわれる金属層２の溶解
等に使用されるめっき液や溶解液に耐え得るものであれ
ば一般市販のもので十分であり、アクリル樹脂等に感光
性の官能基を付与することによって、光照射部分が現像
時に未溶解部として残るネガ型レジスト、ノボラック樹
脂等に感光性の官能基を付与することによって光照射部
分が現像時に溶解するポジ型レジストがあるが、フォト
マスクのパターンを反転することによって何れの型のレ
ジストでも使用可能である。また状態としては液状のも
のでも固形化してドライフィルムとしたものでもその何
れをも使用できる。

液状レジストを使用する場合には基体の金属層上への塗
布はバーコート法、ディップコート法、スピンコート法
等の一般的塗布方法のほか、レジスト液を帯電させ噴霧
状に塗布する静電塗布法を採用してもよい。

なお、金属層１および２の溶解液としては、一般的には
塩酸、硫酸、硝酸などの酸性溶液、塩化鉄溶液、塩化銅
溶液等の金属塩化物溶液、過硫酸アンモニウム溶液等の
過酸化物溶液等が用いられるのであるから、レジストは
これらの溶液に耐え得るものであればよいということに
なる。

またときには溶解液としてアルカリ性溶液を使用するこ
ともあるが、この場合においては耐アルカリ性のレジス
トを用いればよい。

一般的にレジストによってパターンを形成するには、レ
ジストを塗布後レジストに含まれる溶剤を除去する必要
がある。これはレジスト自体の強度を向上させると同時
にレジストと金属層との密着性を高めるために行なわれ
るものであり、溶剤の除去は通常乾燥処理によって行な
われるが、この際における処理温度はレジストの解像度
を低下させない範囲で高めにするのがよい。

また、露光、現像後に形成したレジストパターンをより
強固にするために加熱処理を行なうこともあるがこの場
合には前述の溶剤乾燥処理のときの温度よりも高い温度
が採用される。

次に金属層上に形成したレジスト層４および５に対して
所望のパターンのフォトマスクを施して、それぞれに適
量の光を照射し、これを現像して、金属層１上にレジス
トパターン６を、また金属層２上にレジストパターン７
を形成するのであるが、基体上面のレジスト層４には現
像後主としてリード形成のためのレジストパターンが形
成されるようなフォトマスクを、下面のレジスト層５に
は主としてホールパターンが形成されるようなフォトマ
スクが使用される。

基体上面のリードを形成するためのフォトマスクは例え
ば第５図に示すようなものが挙げられるが、この他スプ
ロケットホールの如きホールパターンを併有してもよ
い。

また、基体下面のホール形成のためのフォトマスクは、
例えば第６図またはこれを反転させて得られる第７図に
示されるようなものを例として挙げることができ、これ
により主として、スプロケットホール、デバイスホー
ル、OLBホール、ビアホール等のホールを形成すること
ができる。

レジストの感光のために照射する光の波長等はレジスト
の特性によって決定されるが、一般的には紫外線が使用
される。またここで云うフォトマスクとはガラスや透光
性のプラスチックフィルムに銀等を含む乳剤やクロム等
の金属を焼き付けたものを云う。

露光方法としてはレジスト面とフォトマスクを密着させ
て行なう密着露光法と、レジスト面とフォトマスクを一
定の距離を隔てて平行に並べて行なう投影露光法とがあ
るが、本発明においては何れの方法を採用してもよい。

（以上第２図および第３図（イ）、（ロ）、（ロ′）お
よび（ロ″）参照） リード形成工程： リード形成にはセミアディティブ法またはサブトラクテ
ィブ法の何れかの方法が採られる。

リード形成をセミアディティブ法で行なうには基体上面
に形成したレジストパターン６に従って生じた金属層１
の露出部分に電気めっきによって積層後の金属層が所望
のリード厚さ、つまり35μｍ以上の厚さになるように金
属めっき層を積層してリード前形体を形成した後、レジ
ストパターン６を溶解除去し、更にレジストパターン除
去後基体上面の金属層１を溶解除去してリード８を電気
的に独立した状態にする。

またリード形成をサブトラクティブ法によって行なう場
合には基体上面に形成したレジストパターン６に従って
生ずる金属層１の露出部分を溶解することによってリー
ド８を形成する。金属層１の溶解は浸漬法、スプレー法
いずれを使用してもよく、またこれらの方法を組合わせ
ておこなってもよい。

リード形成後、基体上面全体に亘って有機樹脂被膜９を
被覆する。この有機樹脂被膜９による被覆はこれに続く
絶縁性樹脂の溶解によって表面に露出した絶縁性樹脂の
保護をする役割を有する。

これに用いられる有機樹脂は絶縁性樹脂の溶解液に耐え
得るものであればよく、絶縁性樹脂にポリイミド樹脂を
使用する場合には、その溶解液には強アルカリ性溶液が
使用されるのでゴム系、エポキシ系、シリコン系の有機
樹脂等を使用すればよい。

（以上第２図および第３図（ロ）、（ロ′）、（ロ″）
および（ハ）参照） 各種ホールの形成工程： 絶縁性樹脂の所定部分を溶解して各種ホールを形成する
ための基体下面の金属層パターン10の形成にはエッチン
グ法、セミアディティブ法およびその両者による併用法
の何れかが採用される。

各種ホール形成のための金属層パターン10の形成をエッ
チング法によって行なう場合には、先ず基体下面に形成
したレジストパターン７に従って生じた金属層２の露出
部分を溶解して金属層パターン10を形成し、この金属層
パターン10を形成することによって露出した絶縁性樹脂
３を溶解してビアホール11、デバイスホール12、OLBホ
ール13、スプロケットホール14等の各種ホールを所定位
置に形成することができる。

この絶縁性樹脂の溶解はポリイミド樹脂の場合には抱水
ヒドラジン、水酸化アルカリ等の強アルカリ性溶液を単
独もしくは混合し、更にはメチルアルコール、エチルア
ルコール、プロピルアルコール等を混合した溶液で行な
う。

また金属層パターン10の形成をセミアディティブ法によ
って行なう場合には基体下面に形成されたレジストパタ
ーン７に従って生じた金属層２の露出部分に電気めっき
を施してめっき金属層の肉盛りを行なう。

この電気めっきを行なった後の金属層は後述する絶縁性
樹脂の溶解工程においてレジスト類似の役割を果たすも
のであるから当然絶縁性樹脂の溶解液に耐え得ることが
必要であり、また更にピンホール等の欠陥等による絶縁
性樹脂の不必要部分の溶解や溶解作業の実施に際しての
金属層２の剥離防止等を考慮してその厚さを決定しなけ
ればならない。この意味から電気めっきによる積層後の
金属層の厚さは２μｍ以上好ましくは２〜５μｍ程度の
範囲にするのが適当である。

しかる後、レジストパターン７およびその下に存在する
金属層２を溶解して金属層パターン10を形成する。次い
で金属層パターン10形成によって基体下面に露出した絶
縁性樹脂３の露出部分を溶解してビアホール11、デバイ
スホール12、OLBホールおよびスプロケットホール等の
諸ホールを所定位置に形成することができる。

また、各種ホール形成のための金属層パターン10の形成
をエッチング法およびセミアディティブ法を併用して行
なう場合には、基体下面に形成したレジストパターン７
に従って露出した金属層２の露出部分を溶解し、次いで
レジストパターン７のレジストを溶解してその下に存在
する金属層２を露出させ、その上に電気めっきによって
金属層を肉盛りして金属層パターン10を形成させる。こ
のときの積層後の金属層パターン10の厚さは２〜５μｍ
程度とするのが適当であることは前述した通りである。

金属層パターン10形成後、絶縁性樹脂の露出部分を溶解
してビアホール11、デバイスホール12、OLBホール13お
よびスプロケットホール14等の各種ホールの形成を行な
うものであることは前述したものと変わらない。

金属層パターン10の形成によって露出した絶縁性樹脂を
溶解除去して所定の各ホールを形成する方法としては、
露出した絶縁性樹脂を溶解可能な溶液中に基体を浸漬し
て各ホール部の樹脂を溶解するいわゆる湿式エッチング
法の外に、露出した樹脂にレーザー光線を照射して樹脂
を溶解する方法がある。後者のレーザーを用いる方法で
は、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザーを用いること
が可能であるが、この場合マスクと類似の役目を果たす
金属層パターン10に損傷を与えないようにレーザーのパ
ワーを調節することが必要である。

なお、各ホールをレーザーによって溶解除去して形成す
る方法においては、リード８形成後に基体上面に形成す
る有機樹脂被膜９の形成を省略してもよい。

この工程において形成されるビアホール11の形状は真
円、楕円、正方形、長方形等の形状が考えられるが、こ
のビアホールは基体上面に形成されたリード８の一部と
基体下面側のグラウンド金属18面との電気的導通をはか
ることが目的であるからその形状は特にこだわるもので
ない。

次に導通処理方法を用いてビアホール11、デバイスホー
ル12、OLBホール13、スプロケットホール14の側面の絶
縁性樹脂露出部をメタライズしつつ、基体下面全面に亘
って金属薄膜層15を形成する。

この金属薄膜層15の形成はその後のグラウンド金属層18
の形成工程に必要なものである。

金属薄膜層15の形成にあたっては、スパッタ法、真空蒸
着法、等の乾式金属被着法や無電解めっき法等の湿式金
属被着法の何れも採用することができる。

（以上第２図および第３図（ハ）、（ニ）および（ホ）
参照） グラウンド金属層形成工程： グラウンド金属層18の形成にはセミアディティブ法また
はサブトラクティブ法の何れかを採用して行なう。

グラウンド金属層18の形成をセミアディティブ法によっ
て行なうには、先ず金属薄膜層15の上にレジスト層16を
形成し、ビアホール以外のホールパターンを有するフォ
トマスクを施して露光、現像してデバイスホール12、OL
Bホール13、スプロケットホール14上にレジストが残る
ようにレジストパターン17を形成する。

該フォトマスクの例としては、例えば第８図に示すよう
なパターンを挙げることができる。

上記の如くしてレジストパターン17を形成することによ
って生じた金属薄膜層15の露出部分に金属電気めっき層
を積層することによってグラウンド金属層18部分を形成
し、次にレジストパターン17によるレジストを除去し、
次いでその下に存在する金属薄膜層15の露出部分を溶解
除去することによって、基体下面のビアホール以外の所
定の各種ホールを除く部分全体に亘ってグラウンド金属
層18を形成した基体を得ることができる。

なおグラウンド金属層形成のために電解めっきによって
金属薄膜上に形成する電気めっき金属の厚さは５〜30μ
ｍ程度とするのがよい。

また、サブトラクティブ法によるときは、先ず金属薄膜
層15上に電気めっきによってグラウンド金属層18を形成
する。この厚さは５〜30μｍが適当である。次に、上記
グラウンド金属層18上にレジスト層16を形成して、これ
にビアホール以外のホールパターンを有するフォトマス
クを施して露光、現像してデバイスホール12、OLBホー
ル13およびスプロケットホール14上にレジストが残らな
いようにしてレジストパターン17を形成する。レジスト
パターン17の形成によって露出した金属めっき層18の露
出部分およびその下に存在する金属薄膜層15を溶解する
ことによって基体下面のビアホール以外の所定の各種ホ
ールを除く部分全体に亘りグラウンド金属層18を形成さ
せることができる。

なおグラウンド金属層の形成工程において用いられるフ
ォトマスクは、例えば第９図に示すようなパターンを挙
げることができる。

またこの工程において使用されるレジストは始めにレジ
スト層４および５の形成に使用したレジストと同様のも
のが使用され、レジストパターン17形成のための露光、
現像や金属層の溶解等も最初に行なわれたレジストパタ
ーン６および７形成に際して行なわれた手順に準じて行
なえばよい。

最後に基体上面に被覆された有機樹脂被膜９を除去して
２層TAB製品が完成する。

（以上第２図および第３図（ホ）、（ホ′）、（ヘ）、
（ヘ′）、および（ト）参照） 以上述べたように本発明の方法によるときは、各工程に
おいて状況に応じ、種々の手段を活用することによって
的確に基体上面のリードの形成、絶縁性樹脂基体に対す
る各種ホールの形成および基体下面のグラウンド金属層
の形成を所定の設計に基いて行なうことができ、また基
体上面のリードと下面のグラウンド金属とをビアホール
を介して確実に導通させることができる。

本発明による２層TABは用途に応じ、金属露出部を更に
金めっきまたは錫めっき等で全面的にあるいは部分的に
被覆して実用に供される。

（実施例） 次に本発明の実施例について述べる。

実はリード、ホールおよびグラウンド金属層の各形成手
段を変えて網羅的に行ない、実施例番号横にその手段別
を順に以下の記号で示した。

リード形成、 A:セミアディティブ法 B:サブトラクティブ法 ホール形成、 A:エッチング法 B:セミアディティブ法 C:併用法 グラウンド層形成、 A:セミアディティブ法 B:サブトラクティブ法 実施例１（Ａ・Ａ・Ａ） 15cm×15cmの大きさのポリイミド樹脂フィルム状基体
（東レ・デュポン社製、カプトン200H、厚さ50μｍ）の
両面に対し、硫酸銅10g/、EDTA60g/、ホルマリン6m
l/、ジピリジル30mg/、ポリエチレングリコール0.5
g/の組成を有する無電解銅めっき液を用いてpH12.5と
して70℃で10分間の浸漬処理を行ない、約0.2μｍの無
電解銅めき被膜を形成した後、更に硫酸銅100g/、硫
酸180g/の組成を有する電気銅めっき液を用いて電流
密度2A/dm²で電解を行ない上面の厚さ１μｍ、下面の厚
さ２μｍの下地銅層を形成させた。

次に基体上面の下地銅層上にPMER・HC 600（東京応化社
製、ネガ型フォトレジスト）を約40μｍの厚さに、また
下面の下地銅層上にはPMER・HC40（東京応化社製、ネガ
型フォトレジスト）を約５μｍの厚さにそれぞれバーコ
ーターを用いて塗布し、それぞれ70℃で30分乾燥処理し
た後、上面のレジスト層には48mm×48mmの大きさで、イ
ンナーリードピッチ160μｍ、インナーリード幅70μ
ｍ、リード数244本のTABパターンの田の字形に配列して
形成したガラス製のフォトマスクをレジスト面に密着さ
せて900mJの紫外線を照射し、下面のレジスト層には上
面と同様の大きさのガラス製で、上面のTABパターンに
対応したデバイスホール１個、OLBホール４個、スプロ
ケットホール16個、ビアホール８個を形成したフォトマ
スクを密着させて200mJの紫外線を照射して露光を行な
った。なお紫外線の照射は超高圧水銀灯（オーク製作所
社製）を使用した。

次に両面のレジストをPMER現像液（東京応化社製）を用
いて上面側は25℃で７分間、下面側は25℃で２分間現像
して所定のTABパターンを得た後、110℃で30分間乾燥処
理を行なった。

次に、下面側は塩化銅溶液200g/を用いて50℃で３分
間処理を行ない、露出した下地銅層を溶解し、一方上面
側は前述した電気銅めっき液を用いて電流密度2A/dm²で
50分間、電解処理を施すことによって厚さ約35μｍの銅
によるリード前形体を形成した。

しかる後に基体を水酸化ナトリウム４％溶液中において
50℃で１分間処理して、両面のレジストを除去し、上面
におけるリード間の下地銅層を塩化銅100g/、塩化ア
ンモニウム100g/、炭酸アンモニウム20g/、アンモ
ニア水400ml/の組成からなるアンモニア系アルカリ性
溶液で溶解して各リードを独立させ、次いで有機樹脂膜
としてFSR（富士薬品社製）を使用して、基体上面全体
に亘り約10μｍの厚さに塗布後、130℃で30分間乾燥す
ることによって被覆した。

次にエチルアルコールと水酸化カリウム１規定溶液を容
量比で1:1に混合した液を用い、50℃で４分間浸漬して
基体下面におけるポリイミド樹脂の露出部分を溶解し
て、ビアホール、デバイスホール、OLBホール、スプロ
ケットホールを形成した。

その後、更に前述の無電解銅めっきで下面全体に亘って
銅薄膜層を形成後、PMER・HC 600を約20μｍの厚さにバ
ーコーターで塗布し、70℃で30分間乾燥処理後に、デバ
イスホール、OLBホール、スプロケットホール部のみを
透光するように形成したフォトマスクを施して紫外線を
400mJ照射し、前述の現像液を用いて25℃で３分間処理
して所定のレジストパターンを得た後、110℃で３分間
乾燥した。

次に前述の電気銅めっき液を用いて電流密度2A/dm²で25
分間電解を行い、下面側の銅露出部に約18μｍの銅のグ
ラウンド層を形成した後、残留レジストを水酸化ナトリ
ウム４％溶液中において50℃で１分間処理して除去し、
前述の塩化銅溶液を用いて50℃で30秒間処理を行ない、
デバイスホール、OLBホール、スプロケットホール部分
の銅薄膜層を溶解した。

更に上面の有機樹脂膜を、FSR剥離液（富士薬品社製）
を用いて70℃で15分間の処理を行なって剥離除去し、上
面に所定のリードを有し、下面に銅のグラウンド層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されたものが得られた。

実施例２（Ａ・Ａ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し、その両面にスパッタ法でそれぞ
れ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、更に電気銅めっきに
よって上面の下地銅層の厚さを１μｍに、また下面の下
地銅層の厚さを２μｍに調整した基体を用い、実施例１
と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例１と同
様に２層TABを得ることができた。

実施例３（Ａ・Ａ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し、基体両面に対し、前述の無電解
銅めっきで、銅めっき皮膜を形成後、さらに前述の電気
銅めっきで、上面の厚さ１μｍ、下面の厚さ２μｍの下
地銅層を形成させた。

次に上面の下地銅層上にPMER・HC 600を約40μｍの厚さ
に、また下面の下地銅層上にPMER・HC40を約５μｍの厚
さに塗布し、乾燥処理した後、上面のレジスト層には実
施例１で用いたリードパターンを有するフォトマスクを
レジスト面に密着させて900mJの紫外線を照射し、下面
のレジスト層には実施例１で用いたホールパターンを有
するフォトマスクを密着させて200mJの紫外線を照射し
て露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に下面側は前述の塩化銅溶液で、露出部の銅を溶解
し、一方上面側は前述の電気銅めっきで、厚さ約35μｍ
の銅によるリード前形体を形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、上面の下地銅層を
前述のアンモニア系アルカリ性溶液で溶解して各リード
を独立させ、次いで基体上面全体をFSRから成る有機樹
脂膜で被覆した。

次に前述のポリイミド溶解液で基体下面におけるポリイ
ミド樹脂の露出部分を溶解して、所定の各種ホールを形
成した。

その後、更に前述の無電解銅めっきで下面全面に亘って
銅薄膜層を形成後、前述の電気銅めっき液を用いて電流
密度2A/dm²で25分間電解を行ない、下面全体に約20μｍ
の銅層を形成した。この銅層上にPMER・HC40を約５μｍ
の厚さに塗布し、乾燥処理を行なった後、実施例１で用
いたビアホールを除くホールパターンの白黒を反転した
フォトマスクを介して200mJの紫外線を照射後、前述の
現像液を用いて25℃で３分間処理して、所定のレジスト
パターンを得た後、110℃で30分間乾燥した。

次に前述の塩化銅溶液を用いて50℃で15分間処理して、
下面のデバイスホール、OLBホール、スプロケットホー
ル上の露出した銅層を溶解し、残留レジストを除去し
た。

更に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に所
定のリードを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されたものが得られた。

実施例４（Ａ・Ａ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、更に電気銅めっき
で上面の下地銅層の厚さを１μｍに、また下面の下地銅
層の厚さを２μｍに調整した基体を用い、実施例３と同
様の手順で各処理を行なったところ、実施例３と同様に
２層TABを得ることができた。

実施例５（Ａ・Ｂ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体両面に対し、前述の無電解銅
めっき液で、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成
後、さらに前述の電気銅めっき液を用いて電流密度2A/d
m²で電解を行ない上面に厚さ１μｍの下地銅層を形成さ
せた。

次に上面における下地銅層上にPMER・HC 600を約40μｍ
の厚さに、また下面における下地銅層上にPMER・HC40を
約５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジスト
層には実施例１で用いたリードパターンを有するフォト
マスクをレジスト面に密着させて900mJの紫外線を照射
し、下面のレジスト層には実施例１で用いたホールパタ
ーンの白黒を反転させたフォトマスクを密着させて200m
Jの紫外線を照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に上面側は前述の電気銅めっきで厚さ約35μｍの銅に
よるリード前形体を形成した。一方下面側は前述の電気
めっき液を用いて電流密度2A/dm²で13分間電気銅めっき
を行ない、下面の下地銅層の厚みを約３μｍに調整し
た。

しかる後に両面のレジストを除去し、上面の下地銅層を
前述のアンモニア系アルカリ性溶液で溶解して各リード
を独立させ、次いで基体上面全体をFSRから成る有機樹
脂膜で被覆した。

下面側は前述の塩化銅溶液を用いて50℃で30秒間浸漬処
理を行なってレジストパターン下にあった下地銅層を溶
解して、ポリイミドを露出させた。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて基体下面における
ポリイミド樹脂の露出部分を溶解して、所定の各種ホー
ルを形成した。

その後、更に前述の無電解銅めっきで下面全体に亘って
銅薄膜層を形成後、PMER・HC 600を約20μｍの厚さに塗
布し、乾燥処理した後に実施例１で用いたビアホールを
除くホールパターンを有するフォトマスクを施して紫外
線を400mJ照射後、現像して、所定のレジストパターン
を得た後、乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面側の露出した銅層上に約
18μｍの銅グラウンド層を形成した後、残留レジストを
除去して前述の塩化銅溶液でデバイスホール、OLBホー
ル、スプロケットホール部分の銅薄膜層を溶解した。

更に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液を用いて除去し、上
面に所定のリードを有し下面に銅のグラウンド金属層を
有し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２
層TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されたものが得られた。

実施例６（Ａ・Ｂ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、更に電気銅めっき
によって上面の下地銅層の厚さを１μｍに調整した基体
を用い、実施例５と同様の手順で各処理を行なったとこ
ろ、実施例５と同様に２層TABを得ることができた。

実施例７（Ａ・Ｂ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成後、
更に前述の電気銅めっきで、上面に厚さ１μｍの下地銅
層を形成させた。

次に基体上面における下地銅層上にPMER・HC600を約40
μｍの厚さに、また下面における下地銅層上にPMER・HC
40を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理した後、上面の
レジスト層には実施例１で用いたリードパターンを有す
るフォトマスクをレジスト面に密着させて900mJの紫外
線を照射し、下面のレジスト層には実施例５で用いたホ
ールパターンを有するフォトマスクを密着させて200mJ
の紫外線を照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に上面は前述の電気銅めっきで厚さ約35μｍの銅によ
るリード前形体を形成した。一方下面側は前述の電気め
っきで、下地銅層の厚みを約３μｍに調整した。

しかる後に両面のレジストを除去し、上面の下地銅層を
前述のアンモニア系アルカリ性溶液で溶解して各リード
を独立させ、次いで基体上面全体をFSRから成る有機樹
脂膜で被覆した。

下面側は前述の塩化銅溶液を用いてレジストパターン下
にあった下地銅層を溶解して、ポリイミドを露出させ
た。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて基体下面における
ポリイミド樹脂の露出部分を溶解して、所定の各種ホー
ルを形成した。

その後、更に前述の無電解銅めっきで下面全面に亘って
銅薄膜層を形成後、前述の電気銅めっきで下面全体に約
20μｍの銅のグラウンド層を形成した。この銅層上にPM
ER・HC40を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理後に実施
例３で用いたビアホールを除くホールパターンを有する
フォトマスクを施して紫外線を200mJ照射後、現像し、
所定のレジストパターンを得た後、乾燥を行なった。

次に前述の塩化銅溶液で下面のデバイスホール、OLBホ
ール、スプロケットホール部分の銅層を溶解し、下面に
残留するレジストを除去した。

更に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に所
定のリードを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されたものが得られた。

実施例８（Ａ・Ｂ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、更に電気銅めっき
によって上面の下地銅層の厚さを１μｍに調整した基体
を用い、実施例７と同様の手順で各処理を行なったとこ
ろ、実施例７と同様に２層TABを得ることができた。

実施例９（Ａ・Ｃ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成後、
更に前述の電気銅めっきで、上面に厚さ１μｍの下地銅
層を形成させた。

次に基体上面における下地銅層上にPMER・HC600を約40
μｍの厚さに、また下面における下地銅層上にPMER・HC
40を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジ
スト層には実施例１で用いたリードパターンを有するフ
ォトマスクをレジスト面に密着させて900mJの紫外線を
照射し、下面のレジスト層には実施例１で用いたホール
パターンを有するフォトマスクを密着させて200mJの紫
外線を照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に、下面側は前述の塩化銅溶液で用いて50℃で１分間
処理を行なって露出した下地銅層を溶解し、一方上面側
は前述の電気銅めっきで厚さ約35μｍの銅によるリード
前形体を形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、上面の下地銅層を
前述のアンモニア系アルカリ性溶液で溶解して各リード
を独立させ、次いで基体上面全体をFSRから成る有機樹
脂膜で被覆した。

次に下面全体に亘って前述の電気銅めっき液を用いて、
電流密度2A/dm²で13分間電解処理を行ない、基体下面の
下地銅層パターンの厚みを約３μｍとした。

次に前述のポリイミド溶解液で基体下面におけるポリイ
ミド樹脂の露出部分を溶解して、所定の各種ホールを形
成した。

その後、更に前述の無電解銅めっきで下面全体に亘って
銅薄膜層を形成後、PMER・HC 600を約20μｍの厚さに塗
布し、乾燥処理後に実施例１で用いたビアホールを除く
ホールパターンを有するフォトマスクを施して紫外線を
400mJ照射し、現像して所定のレジストパターンを得た
後、乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面側の露出した銅層上に約
18μｍの銅グラウンド層を形成後、残留レジストを除去
して前述の塩化銅溶液でデバイスホール、OLBホール、
スプロケットホール部分の銅薄膜層を溶解した。

更に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液を用いて除去し、上
面に所定のリードを有し下面の銅にグラウンド金属層を
有し、上下に金属部をビアホールによって導通させた２
層TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されたものが得られた。

実施例10（Ａ・Ｃ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、更に電気銅めっき
で上面の下地銅層の厚さを１μｍに調整した基体を用
い、実施例９と同様の手順で各処理を行なったところ、
実施例９と同様に２層TABを得ることができた。

実施例11（Ａ・Ｃ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成後、更
に前述の電気銅めっきで上面の下地銅層の厚さを１μｍ
とした。

次に基体上面における下地銅層上にPMER・HC600を約40
μｍの厚さに、また下面における下地銅層上にPMER・HC
40を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理した後、上面の
レジスト層には実施例１で用いたリードパターンを有す
るフォトマスクをレジスト面に密着させて900mJの紫外
線を照射し、下面のレジスト層には実施例１で用いたホ
ールパターンを有するフォトマスクを密着させて200mJ
の紫外線を照射して露光を行なった。

次の両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に、下面側は前述の塩化銅溶液で露出した下地銅層を
溶解し、一方上面側は前述の電気銅めっきで厚さ約35μ
ｍの銅によるリード前形体を形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、上面の下地銅層を
前述のアンモニア系アルカリ性溶液で溶解して各リード
を独立させ、次いで基体上面全体をFSRから成る有機樹
脂膜で被覆した。

次に下面全体に亘って前述の電気銅めっきにより、下地
銅層パターンの厚みを約３μｍとした。

次に前述のポリイミド溶解液で基体下面におけるポリイ
ミド樹脂の露出部分を溶解して、所定の各種ホールを形
成した。

その後、更に前述の無電解銅めっきで下面全面に亘って
銅薄膜層を形成後、前述の電気銅めっきで下面全体に約
20μｍのグラウンド層を形成した。この銅層上にPMER・
HC40を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理後に実施例３
で用いたビアホールを除くホールパターンを有するフォ
トマスクを施して紫外線を200mJ照射し、前述のPMER現
像液で現像して所定のレジストパターンを得た後、乾燥
した。

次に前述の塩化銅溶液で下面のデバイスホール、OLBホ
ール、スプロケットホール部分の銅層を溶解し、下面に
残留するレジストを除去した。

更に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に所
定のリードを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させて２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されたものが得られた。

実施例12（Ａ・Ｃ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、更に電気銅めっき
によって上面の銅層の厚さを１μｍに調整した基体を用
い、実施例11と同様の手順で各処理を行なったところ、
実施例11と同様に２層TABを得ることができた。

実施例13（Ｂ・Ａ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体両面に対して、前述の無電解
銅めっきで、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成
後、更に前述の電気銅めっきで電解を行ない上面に厚さ
35μｍの銅層を、下面に厚さ２μｍの下地銅層を形成さ
せた。

次に基体上下面における銅層上にPMER・HC40を約５μｍ
の厚さに、バーコーターを用いて塗布し、それぞれ70℃
で30分乾燥処理した後、上面のレジスト層には実施例１
で用いたリードパターンの白黒を反転したフォトマスク
をレジスト面に密着させて200mJの紫外線を照射し、下
面のレジスト層には実施例１で用いたホールパターンを
有するフォトマスクを密着させて、200mJの紫外線を照
射して露光を行なった。

次に両面のレジストを前述のPMER現像液を用いて25℃で
２分間現像してそれぞれ所定のTABパターンを得た後、1
10℃で30分間乾燥処理を行なった。

次に、下面側は前述の塩化銅溶液を用いて50℃で３分間
浸漬処理を行なって露出した下地銅層を溶解し、一方上
面側は塩化銅溶液を用いて50℃で20分間浸漬処理を施す
ことによって露出した銅層を溶解して厚さ約35μｍのリ
ードを形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、次いで基体上面全
体をFSRから成る有機樹脂膜で被覆した。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて基体下面における
ポリイミド樹脂の露出部分を溶解して、ビアホール、デ
バイスホール、OLBホール、スプロケットホールを形成
した。

その後、更に前述の無電解銅めっきで下面全体に亘って
銅薄膜層を形成後、PMER・HC 600を約20μｍの厚さに塗
布し、乾燥処理後に実施例１で用いたビアホールを除く
ホールパターンを有するフォトマスクを施して紫外線を
400mJを照射後、現像して、所定のレジストパターンを
得た後、乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面の露出した銅層上に約18
μｍの銅のグラウンド層を形成した後、残留レジストを
除去して前述の塩化銅溶液でデバイスホール、OLBホー
ル、スプロケットホール部の銅薄膜層を溶解した。

更に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に所
定のリードを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例14（Ｂ・Ａ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、更に電気銅めっき
によって上面の銅層の厚さを35μｍに、また下面の下地
銅層の厚さを２μｍに調整した基体を用い、実施例13と
同様の手順で各処理を行なったところ、実施例13と同様
に２層TABを得ることができた。

実施例15（Ｂ・Ａ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として用いて基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、銅めっき被膜を形成後、更に前述の電気銅め
っきで上面に厚さ35μｍの銅層を、下面には厚さ２μｍ
の下地銅層を形成させた。

次に基体上下面における銅層上にPMER・HC40を約５μｍ
の厚さに塗布し、乾燥処理した後、上面のレジスト層に
実施例13で用いたリードパターンを有するフォトマスク
をレジスト面に密着させて200mJの紫外線を照射し、下
面のレジスト層には実施例１で用いたホールパターンを
有するフォトマスクを密着させて200mJの紫外線を照射
して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に下面側は前述の塩化銅溶液で、露出した下地銅層を
溶解し、一方上面側は前述の塩化銅溶液で、厚さ約35μ
ｍのリードを形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、次いで基体上面全
体をFSRから成る有機樹脂膜で被覆した。

次に前述したポリイミド溶解液を用いて基体下面におけ
るポリイミド樹脂の露出部分を溶解して、所定の各種ホ
ールを形成した。

その後、更に前述の無電解銅めっきで下面全面に亘って
銅薄膜層を形成後、前述の電気銅めっきで下面全体に約
20μｍの銅層を形成した。この銅層上にPMER・HC40を約
５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理した後に実施例３で用
いたビアホールを除くホールパターンを有するフォトマ
スクを施して紫外線を200mJ照射後、現像して、所定の
レジストパターンを得た後、乾燥した。

次に前述の塩化銅溶液で下面のデバイスホール、OLBホ
ール、スプロケットホール上の露出した銅層を溶解した
後に残留レジストを除去した。

更に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に所
定のリードを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されたものが得られた。

実施例16（Ｂ・Ａ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、更に電気銅めっき
によって上面の銅層の厚さを35μｍに、また下面の下地
銅層の厚さを２μｍに調整した基体を用い、実施例15と
同様の手順で各処理を行なったところ、実施例15と同様
に２層TABを得ることができた。

実施例17（Ｂ・Ｂ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として用いて基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成後、
更に前述の電気銅めっきで、上面の銅層の厚さを35μｍ
にした。

次にその上下面における銅層上にPMER・HC40を約５μｍ
の厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジスト層には実
施例13で用いたリードパターンを有するフォトマスクを
レジスト面に密着させて200mJの紫外線を照射し、下面
のレジスト層には実施例５で用いたホールパターンを有
するフォトマスクを密着させて200mJの紫外線を照射し
て露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に上面側は前述の塩化銅溶液で厚さ約35μｍのリード
を形成した。一方下面側は前述の電気めっきで、下面の
下地銅層の厚みを約３μｍに調整した。

しかる後に両面のレジストを除去し、次いで基体上面全
体をFSRから成る有機樹脂膜で被覆した。

下面側は前述の塩化銅溶液でレジストパターン下にあっ
た下地銅層を溶解して、ポリイミドを露出させた。

次に前述したポリイミド溶解液を用いて基体下面におけ
るポリイミド樹脂の露出部分を溶解して、所定の各種ホ
ールを形成した。

その後、更に前述の無電解銅めっきで下面全体に亘って
銅薄膜層を形成後、PMER・HC 600を約20μｍの厚さに塗
布し、乾燥処理した後に実施例１で用いたビアホールを
除くホールパターンを有するフォトマスクを施して紫外
線を400mJ照射後、現像して所定のレジストパターンを
得た後、乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面側の露出した銅層上に約
18μｍの銅のグラウンド層を形成した後、残留レジスト
を除去して前述の塩化銅溶液でデバイスホール、OLBホ
ール、スプロケットホール部分の銅薄膜層を溶解した。

更に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に所
定のリードを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例18（Ｂ・Ｂ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、更に電気銅めっき
によって上面の銅層の厚さを35μｍに調整した基体を用
い、実施例17と同様の手順で各処理を行なったところ、
実施例17と同様に２層TABを得ることができた。

実施例19（Ｂ・Ｂ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として用いて基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成後、
更に前述の電気銅めっきで上面の銅層の厚さを35μｍと
した。

次にその上下面における銅層上にPMER・HC40を約５μｍ
の厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジスト層には実
施例13で用いたリードパターンを有するフォトマスクを
レジスト面に密着させて200mJの紫外線を照射し、下面
のレジスト層には実施例５で用いたホールパターンを有
するフォトマスクを密着させて200mJの紫外線を照射し
て露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に上面側は前述の塩化銅溶液で厚さ約35μｍのリード
を形成した。一方下面側は前述の電気銅めっきで、下地
銅層の厚みを約３μｍに調整した。

しかる後に両面のレジストを除去し、次に基体上面全体
をFSRよりなる有機樹脂被膜で被覆した。

下面側は前述の塩化銅溶液を用いてレジストパターン下
にあった下地銅層を溶解してポリイミドを露出させた。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて基体下面における
ポリイミド樹脂の露出部分を溶解して、所定の各種ホー
ルを形成した。

その後、更に前述の無電解銅めっきで下面全面に亘って
銅薄膜層を形成後、前述の電気銅めっきで下面全体に約
20μｍの銅のグラウンド層を形成した。この銅層上にPM
ER・HC40を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理後に実施
例３で用いたビアホールを除くホールパターンを有する
フォトマスクを施して紫外線を200mJ照射後、現像し、
所定のレジストパターンを得た後、乾燥を行なった。

次に前述の塩化銅溶液で下面のデバイスホール、OLBホ
ール、スプロケットホール部分の銅層を溶解し、下面に
残留するレジストを除去した。

更に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に所
定のリードを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例20（Ｂ・Ｂ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、更に電気銅めっき
によって上面の銅層の厚さを35μｍに調整した基体を用
い、実施例19と同様の手順で各処理を行なったところ、
実施例19と同様に２層TABが得ることができた。

実施例21（Ｂ・Ｃ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として用いて基体両面に前述の無電解銅めっき
で、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成後更に前述
の電気銅めっきで電解を行ない上面の銅層の厚さを35μ
ｍにした。

次に基体上下面における銅層上にPMER・HC40を約５μｍ
の厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジスト層には実
施例13で用いたリードパターンを有するフォトマスクを
レジスト面に密着させて200mJの紫外線を照射し、下面
のレジスト層には実施例１で用いたホールパターンを有
するフォトマスクを密着させて200mJの紫外線を照射し
て露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に、下面側は前述の塩化銅溶液で露出した下地銅層を
溶解し、一方上面側は前述の塩化銅溶液で厚さ約35μｍ
のリードを形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、次に基体上面全体
をFSRよりなる有機樹脂被膜で被覆した。

次に下面全体に亘って前述の電気銅めっきで、基体下面
の下地銅層パターンの厚みを約３μｍとした。

次に前述のポリイミド溶解液で基体下面におけるポリイ
ミド樹脂の露出部分を溶解して、所定の各種ホールを形
成した。

その後、更に前述の無電解銅めっきで下面全体に亘って
銅薄膜層を形成後、PMER・HC 600を約20μｍの厚さに塗
布し、乾燥処理後に実施例１で用いたビアホールを除く
ホールパターンを有するフォトマスクを施して紫外線を
400mJ照射し、現像して所定のレジストパターンを得た
後、乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面側の露出した銅層上に約
18μｍの銅グラウンド層を形成後、残留レジストを除去
して前述の塩化銅溶液でデバイスホール、OLBホール、
スプロケットホール部分の銅薄膜層を溶解した。

更に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に所
定のリードを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例22（Ｂ・Ｃ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、更に電気銅めっき
によって上面の銅層の厚さを35μｍに調整した基体を用
い、実施例21と同様の手順で各処理を行なったところ、
実施例21と同様に２層TABを得ることができた。

実施例23（Ｂ・Ｃ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として用いて基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成後、
更に前述の電気銅めっきで上面の銅層の厚さを35μｍと
した。

次にその上下面における銅層上にPMER・HC40を約５μｍ
の厚さに塗布し、乾燥処理した後、上面のレジスト層に
は実施例13で用いたリードパターンを有するフォトマス
クをレジスト面に密着させて200mJの紫外線を照射し、
下面のレジスト層には実施例１で用いたホールパターン
を有するフォトマスクを密着させて200mJの紫外線を照
射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に下面は前述の塩化銅溶液で露出した下地銅層を溶解
し、一方上面側は塩化銅溶液で厚さ約35μｍのリードを
形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、次に基体上面全体
をFSRよりなる有機樹脂被膜で被覆した。

次に下面全体に亘って前述の電気銅めっきにより、下地
銅層パターンの厚みを約３μｍとした。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて基体下面における
ポリイミド樹脂の露出部分を溶解して、所定の各種ホー
ルを形成した。

その後、更に前述の無電解銅めっきで下面全体に亘って
銅薄膜層を形成後、前述の電気銅めっきで下面全体に約
20μｍの銅のグラウンド層を形成した。この銅層上にPM
ER・HC40を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理後に実施
例３で用いたビアホールを除くホールパターンを有する
フォトマスクを施して紫外線を200mJ照射し、前述のPME
R現像液で現像して所定のレジストパターンを得た後、
乾燥した。

次に前述の塩化銅溶液で下面のデバイスホール、OLBホ
ール、スプロケットホール部分の銅層を溶解し、下面に
残留するレジストを除去した。

更に上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に所
定のリードを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例24（Ｂ・Ｃ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、更に電気銅めっき
によって上面の銅層の厚さを35μｍに調整した基体を用
い、実施例23と同様の手順で各処理を行なったところ、
実施例23と同様に２層TABを得ることができた。

（発明の効果） 本発明の２層TABの製造方法によるときは、２層TAB本来
の性能を損なうことなく、確実にリードの反対面に該リ
ードと電気的に導通するグラウンド金属層を形成させる
ことができるので、工業的に優れた発明であると言え
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の２層TAB製造方法における製造工程を
示す工程図、第２図（ａ）および（ｂ）並びに第３図
（ａ）および（ｂ）はそれぞれリード形成法をセミアデ
ィティブ法およびサブトラクティブ法を採用した場合の
２層TABの製造工程における基体の概略状況を工程順に
示した説明図、第４図は本発明によって得られた２層TA
Bの外観平面図、第５図は基体上面に施されるリードパ
ターンを有するフォトマスクの一例を示す平面図、第６
図および第７図は基体下面に施されるホールパターンを
有するフォトマスクの一例およびその反転状態を示す平
面図、第８図および第９図はビアホールを除くフォトマ
スクの一例および反転状態を示す平面図である。 １……上面金属層、２……下面金属層、３……絶縁性樹
脂基体、４……上面レジスト層、５……下面レジスト
層、６……上面レジストパターン、７……下面レジスト
パターン、８……リード（リードパターン）、９……有
機樹脂被膜、10……金属層パターン、11……ビアホー
ル、12……デバイスホール、13……OLBホール、14……
スプロケットホール、15……金属薄膜層、16……下面レ
ジスト層、17……下面レジストパターン（再）、18……
グラウンド金属層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平1 −339186 (32)優先日 平１(1989)12月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平1 −339187 (32)優先日 平１(1989)12月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平2 −48736 (32)優先日 平２(1990)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平2 −69052 (32)優先日 平２(1990)３月19日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平2 −110913 (32)優先日 平２(1990)４月26日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ）

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁性樹脂フィルムの両面に接着剤を用い
   ることなく金属層を形成したものを基体とし、該基体両
   面の金属層上に感光性レジスト層を形成した後、基体上
   面におけるレジスト層には主として所定のリードパター
   ンを有するフォトマスクを、また基体下面におけるレジ
   スト層には主として所定の各種ホールパターンを有する
   フォトマスクを施し、光を照射した後両面のレジストを
   現像して、該基体の両面にそれぞれの形状のレジストパ
   ターンを形成せしめる工程、基体上面に形成したレジス
   トパターンに従って基体上面にリードを形成する工程、
   基体下面に形成したレジストパターンに従って、下面の
   金属層の各種ホールに相当する部分の金属層を溶解して
   絶縁性樹脂を露出させた後、該絶縁性樹脂の露出部を溶
   解して所定の各種ホール部を形成する工程、各種ホール
   部形成後の基体下面に金属薄膜層を形成した後該金属薄
   膜層上に再び感光性レジストを形成し、該レジスト上に
   ビアホールを除く所定の各種ホールパターンを有するフ
   ォトマスクを施して光を照射した後現像して基体下面に
   レジストパターンを形成し、該レジストパターンに従っ
   て基体下面にビアホール以外の所定の各種ホール部を除
   く基体下面全体に亘ってグラウンド金属層を形成する工
   程とよりなる２層TABの製造方法。
2. 【請求項２】基体上面のリードの形成は基体上面に形成
   したレジストパターンに従って露出した金属層上に電気
   めっきにより金属めっき層を積層させてリード前形体を
   形成した後、基体上面のレジストおよびレジスト下に残
   存する金属層を溶解除去することによって行なう請求項
   １記載の２層TABの製造方法。
3. 【請求項３】基体上面のリードの形成は基体上面に形成
   したレジストパターンに従って露出した金属層をエッチ
   ングした後、非エッチング金属層上のレジストを溶解除
   去することによって行なう請求項１記載の２層TABの製
   造方法。
4. 【請求項４】絶縁性樹脂基体に対する所定の各種ホール
   の形成は基体下面に形成したレジストパターンに従って
   露出した金属層をエッチングして絶縁性樹脂部を露出さ
   せた後、基体下面のレジストを除去し、該絶縁性樹脂の
   露出部を溶解除去することによって行なう請求項１乃至
   ３のいずれか１項記載の２層TABの製造方法。
5. 【請求項５】絶縁性樹脂基体に対する所定の各種ホール
   の形成は基体下面に形成したレジストパターンに従って
   露出した金属層上に電気めっきにより金属めっき層を積
   層して金属パターンを形成した後、レジストおよびレジ
   スト下に存在する金属層を溶解除去し、これによって露
   出した絶縁性樹脂を溶解除去することによって行なう請
   求項１乃至３のいずれか１項記載の２層TABの製造方
   法。
6. 【請求項６】絶縁性樹脂基体に対する所定の各種ホール
   の形成は基体下面に形成したレジストパターンに従って
   露出した金属層をエッチングして絶縁性樹脂部を露出さ
   せた後、基体下面のレジストパターンを除去し、これに
   よって露出した金属層上に電気めっきにより金属めっき
   層を積層し、絶縁性樹脂の露出部を溶解除去することに
   よって行なう請求項１乃至３のいずれか１項記載の２層
   TABの製造方法。
7. 【請求項７】基体下面におけるビアホール以外の各種ホ
   ールを除く部分全体に亘ってのグラウンド金属の形成
   は、基体下面に再度形成したレジストパターンに従って
   露出した金属薄膜上に電気めっきにより金属めっき層を
   積層し、次いでレジストを溶解除去し、レジスト下にあ
   った金属薄膜層を溶解除去することによって行なう請求
   項１乃至６のいずれか１項記載の２層TABの製造方法。
8. 【請求項８】基体下面におけるビアホール以外の各種ホ
   ールを除く部分全体に亘ってのグラウンド金属の形成
   は、基体下面の金属薄膜層上に電気めっきによる金属め
   っき層を積層した後、基体下面に再度形成したレジスト
   パターンに従って露出した金属めっき層とその下に存在
   する金属薄膜層を溶解除去し、更に残存するレジストを
   除去することによって行なう請求項１乃至６のいずれか
   １項記載の２層TABの製造方法。
9. 【請求項９】リード形成後からグラウンド金属の形成完
   了までの間、基体上面全体に亘り有機樹脂被膜層で被覆
   する請求項１乃至８のいずれか１項記載の２層TABの製
   造方法。