JPH04176187A

JPH04176187A - 両面配線板の製造方法

Info

Publication number: JPH04176187A
Application number: JP30319990A
Authority: JP
Inventors: Akio Takatsu; 明郎高津
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 1990-11-08
Filing date: 1990-11-08
Publication date: 1992-06-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は電子部品に実装される両面配線板の製造方法に
係り、さらに詳しくはポリイミド樹脂基板の両面に配線
を有するフレキシブル配線基板の製造方法に関するもの
である。

（従来の技術）近年、エレクトロニクス産業界においては低価格、高信
頼度を有する多機能装置の開発が急速に進められており
、これによる高機能、高密度素子の出現に伴って高信頼
性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに対
する要求が高まってきている。これに従って、新しい素
子実装技術の開発が日増しに重要さを加えており、プリ
ント配線基板においても以前のガラスエポキシ基板やフ
ェノール樹脂基板のような厚みのある、しかもリジッド
な配線基板では軽量、薄型のテバイスからの要求に応じ
ることが出来なくなり、エンジニアプラスチック等の高
性能でしかもフレキシビリティの高いフィルム状の基板
に配線を形成したいわゆるフレキシブル配線板が主流を
占めるようになってきている。

しかしたがら、フレキシビリティの高いプラスチックフ
ィルムに直接的に配線材料である銅のパターンを効率よ
く形成することはきわめて困難であるために、その代替
技術として、予め銀箔を接着剤を使用してプラスチック
フィルムに接着し、以後レジストパターン処理技術とエ
ツチング技術を用いてグラスチックフィルム上に配線パ
ターンを形成する方法が一般的に採られていた。

しかし、使用するプラスチックとして例えばポリイミド
フィルムを使用した場合などにおいては接着剤の耐熱特
性が著しく低いために、折角ポリイミドフィルムの持つ
優れた耐熱特性を発揮することが出来なかった。

ところが最近に至り、以下に示すようにプラスチックフ
ィルムに接着剤に依らずに直接的に金属層を形成させる
幾つかの方法が開発されるに至った。その方法としては
、（１）プラスチックフィルム上にスパッタリング法、真
空蒸着法、ＣＶＤ法などの乾式金属膜形成法によって金
属膜を被覆する方法。

（２）プラスチックフィルム上に無電解めっきなどの湿
式金属膜形成法によって金属膜を被覆する方法。

（３）金属箔上にプラスチックフィルムを形成する樹脂
成分の前駆体を層状Ｇこ形成しておいて加熱処理を施す
ことによって該前駆体をプラスチックフィルムを変える
方法。

などがある。そしてこれらの方法を実施することによっ
て要求に応じたフレキシブル配線板の製造が可能になっ
た。

しかしたがら、近年型々実装技術の高密度化傾向が顕著
となるに至り、基板両面の配線化および両面配線の一部
をスルーホールによって接続することにより多機能化す
ることか求められている。

またさらに高密度化の要求によって、配線板における配
線パターンにおける配線幅の極小化も要求されている。

（発明が解決しようとする課題）以上のような配線幅の極小化の要求は今後益々激しくな
ることが予想されるがこのような配線幅の極小化によっ
て両面の配線間にスルーホールを機械的（、こ形成する
ことは極めて困難となる。

従って、スルーホールを化学的な手法によって精度よく
加工する技術を確立することが要望されている。

本発明は上記の要望に基づきなされたものであって、化
学的な手法によって基板両面の配線を微小なスルーホー
ルによって接続さぜな両面配線板を得るための新規な製
造方法を提供することを目的とするものである。

（課題を解決するための手段）上記の目的を達成するための本発明は、次に示すような
二つの基本的な実施態様からなる。

本発明の両面配線板の製造方法における第１．の実施態
様においては、ポリイミド樹脂フィルムの上面に接着剤
を用いることなく金属層を形成したものを基体とし、該
基体の上下各面に感光性レジスト層を形成した後、基体
上面におけるレジスト層には主として所定の配線パター
ンを有するフォトマスクを、また基体下面におけるレジ
スト層には主として所定のビアホールパターンを有する
フォトマスクを施して、光を照射した後両面のレジスト
層を現像し、該基体の両面（・こそれぞれの形状のレジ
ストパターンを形成せしめる工程と、基体上面に形成し
たレジストパターンに従って基体上面に配線筒形体を形
成する工程と、基体下面に形成したレジストパターンに
従ってポリイミド樹脂の所定の部分に所定のビアホール
を形成し、次いでビアホール形成後の基体下面に金属薄
膜層を形成する工程と、該金属薄膜層上に再度感光性レ
ジスト層を形成して、該レジスト層上に所定の配線パタ
ーンを有するフォトマスクを施して光を照射した後現像
して基体下面にレジストパターンを形成し、該レジスト
パターンに従って基体下面に所−１，１− 定の配線を形成する工程と、基体上面の配線筒形体の配
線間に存在する金属層を溶解除去することによって基体
上面に所定の配線を形成する工程とよりなることを基本
的工程とするものであり、第２の実施態様においては、
ポリイミド樹脂フィルムの上面に接着剤を用いることな
く金属層を形成したものを基体とし、基体の上下各面に
感光性レジストを形成した後、基体上面におけるレジス
ト層には主として所定の配線パターンを有するフォトマ
スクを、また基体下面におけるレジスト層には主として
所定のビアホールパターンを有するフォトマスクを施し
、光を照射した後、上下各面のレジストを現像して、該
基体の上下各面にそれぞれの形状のレジストパターンを
形成せしめる工程と、基体上面に形成したレジストパタ
ーンに従って基体上面に配線を形成し、しかる後基体上
面全体に亘って有機樹脂膜を形成する工程と、基体下面
に形成したレジストパターンに従ってポリイミド樹脂の
所定の部分に所定のビアホールを形成し、次いでピアポ
ール形成後の基体下面に金属薄膜層を形成する工程と、
該金属薄膜層上に再度感光性レジスト層を形成して、該
レジスト層上に所定の配線パターンを有するフォトマス
クを施して光を照射した後レジストを現像して基体下面
に所定の配線を形成する工程と、基体上面に施された有
機樹脂膜を除去する工程とよりなることを基本的工程と
するものである。

本発明は上記した２つの実施態様に基づく基本工程に分
けられるが、それぞれに共通していることはポリイミド
樹脂の上面、即ち片面のみに金属層を接着剤を用いるこ
となく被着さぜなものを基体として使用することである
。

その上で第１の実施態様においては基体上面の配線の形
成は、上面に形成したレジストパターンに従って先ず配
線筒形体を形成した後、直ちに基体上面の金属層を溶解
除去して各配線を電気的に独立した状態にさせるのでは
なく、ポリイミド樹脂の所定部分に所定のビアホールを
形成した後に基体上面の金属層の溶解除去による配線の
形成を行なうものであり、また、第２の実施態様におい
てはレジストパターン形成後直ちに金属層露出部分を溶
解除去するか、配線筒形体を形成さぜな場合においても
、該配線筒形体の形成後直ちに基体上面の金属層の溶解
除去を行なう。この場合においては上面のポリイミド露
出部分の保護を行なうなめに配線形成後の基体上面全体
に亘って有機樹脂膜による被覆を行なうことが必要であ
る。

また、第１の実施態様における配線筒形体の形成は、基
体上面に形成したレジストパターンに従って露出した金
属層上に電気めっきによって金属めっき層を積層するい
わゆるセミアデイティブ法のみが適用されるが、第２の
実施態様においてはこの他レジストパターンに従って金
属層をエツチング後、非エツチング金属層上のレジスト
を溶解除去することによって配線の形成を行なうザブＩ
・ラッテイブ法を採用することも可能である。

そしてこの何れの方法を採用するかは、基体上面に形成
する金属層の厚さによって定まり、金属層の厚さを薄く
した場合にはセミアデイティブ法か、また厚くした場合
にはサブＩ・ラッテイブ法が採用される。

また、ポリイミド樹脂基体に対するビアホールの形成は
、第１および第２の実施態様において、基体下面に最初
に形成するレジストパターンに従って露出したポリイミ
ド樹脂の露出部分を溶解除去することによって形成する
。

またさらに基体下面における配線の形成は、第１および
第２いずれの実施態様においてもビアホール形成後の基
体下面に金属薄膜層を形成し、該金属薄膜層上に再度感
光性レジスト層を形成し、該レジスト上に所定の配線パ
ターンを有するフォトマスクを施して露光、現像を行な
うことによってレジストパターンを形成し、このように
再度形成したレジストパターンに従って露出した金属薄
膜層上に電気めっきにより金属めっき層を形成した後レ
ジストを除去し、これによって露出したレジスト下の金
属薄膜層を溶解除去するセミアデイティブ法、またはビ
アホール形成後の基体下面に形成した金属薄膜層上に直
ちに電気めっきによる金属めっき層を積層して、しかる
後に上記と同様の手順で再度レジストパターンを形成し
て、該レジストパターンに従って露出した積層金属層お
よびその下に存在する金属薄膜層を溶解除去し、さらに
残存するレジストを除去するサブトラクティブ法とかあ
り、この何れかの方法を適宜選択採用することができる
。

（作用）次に本発明による両面配線板の製造方法についての詳細
とその作用を図面に基づいて説明する。

第１図および第２図はそれぞれ本発明の第１−および第
２の実施態様における両面配線板の製造方法についての
基本工程図を示したものである。

第１図に示したように本発明の第１の実施態様において
は、ポリイミド樹脂フィルムの上面に接着剤によらずに
金属層を形成し、さらに上下面に配線の形成およびビア
ホール形成のための各レジストパターンを形成する工程
、基体上面に形成されたレジストパターンに従って配線
前形体を形成する工程、基体下面に形成されたレジスト
パターンに従って行なわれるビアホールの形成後に基体
下面全体に亘って金属薄膜層を形成する工程およびビア
ホール形成後の基体下面に対して配線を形成する工程の
各工程よりなるものであり、また第２図に示したように
第２の実施態様においては、ポリイミド樹脂フィルムの
上面に接着剤によらずに金属層を形成したものを基体と
し、その」二下面にそれぞれ配線形成およびピアポール
形成のための各レジストパターンを形成する工程、基体
上面に形成したレジストパターンに従って配線前形体を
形成する工程、基体下面に形成したレジストパターンに
従って行なわれるビアホールの形成後、下面全体に亘っ
て金属薄膜層を形成工程およびビアホール形成後の基体
下面に対する配線の形成工程の各工程よりなるものであ
る。

第３図（ａ）　、（ｂ）および第４図（ａ）　、（ｂ）
はそれぞれ本発明の第１および第２の実施態様による両
面配線板の製造工程の概略を工程順を追って図示して工
程説明図であり、第５図は本発明によって得られた両面
配線板の１例を示すものの外観を示す部分平面図である
。

第３図および第４図における（ａ）は第５図におけるＸ
−Ｙ断面に、また（ｂ）はＸ’　−Ｙ′凹断面相当する
部分の断面図である。

また第３図および第４図における（ａ）　、（１））の
左右同列に示される（イ）乃至（ト）は同一工程での材
料断面の状態を表したものである。

なお、第３図中の（イ）、（１：ｌ）は基体上面におけ
る配線の形成にセミアデイティブ法を採用した場合のも
の、また（イ°）、（口′）はサブトラクティブ法を採
用した場合のものを示し、また第３図および第４図の（
ニ）、（ホ）は基体下面における配線にセミアデイティ
ブ法を採用した場合のものを、また（二′）、（ボ）は
サブトラクティブ法を採用した場合の断面を示すもので
ある。

第５図は本発明によって得られた両面配線板の一例の外
観を示す平面図である。

第６図は本発明において基体上面に施される配線パター
ン形成用フォトマスクの一例を、また第７図はビアホー
ルパターンマスクの一例を示したものである。

まなさらに第８図および第９図はそれぞれ本発明におい
て基体下面に施される配線パターン形成用のフォトマス
クの例を示したものである。

第３図および第４図において１は上面金属層、２はポリ
イミド樹脂基体、３および４はそれぞれ基体上面および
基体下面に形成さｈな感光性レジスト層である。

５は上面のレジスト層３上に所定の目的に従ってマスキ
ングを施して露光、現像することによって形成したレジ
ストパターンである。

６は上面のレジストパターンに従って形成した所望のパ
ターンを有する配線であって、第３図において示される
ように第１の実施態様においてはこれらの配線６は金属
層１とともに配線面形体を形成している。また第４図に
おける１３は配線６を形成した後の上面全体に亘って被
覆された有機樹脂膜層である。

７は基体下面のレジスト層上に所定の目的に従ってマス
キングを施して露光、現像することによって形成したレ
ジストパターンである。

−１９＝８は基体下面のレジストパターン７の形成によって露出
したポリイミド樹脂の露出部を溶解することによって得
られたビアホールである。

９は上記ビアホール形成後の基体下面全体に被着した金
属薄膜層である。１０は金属薄膜層９形成後の基体下面
に形成したレジスト層、１１は該レジスト層１３を露光
、現像して得られたレジストパターンである。

また１２は基体下面において、ビアホール８を介して上
面の配線８の一部と電気的に導通が図られるように形成
された配線である。

次に本発明の両面配線板の製造方法について、その詳細
を工程別に説明する。

第３図および第４図に見られるように、第１−の実施態
様においては基体上面における金属層およびレジストパ
ターンの形成工程、基体上面における配線面形体の形成
工程、基体下面におけるビアホールの形成工程および基
体下面における配線の形成工程および基体上面の配線面
形体から配線を独立させる工程からなるものであり、ま
た、第２の実施態様においては、基体上面における配線
の形成工程、基体下面におけるビアホールの形成工程お
よび基体下面における配線の形成工程の各工程からなる
ものである。

以下に各実施態様ごとに、各工程を項目別にわけて説明
するが、説明の簡略化のなめ各実施態様における重複部
分についての説明は省略する。

（１）第１．実施態様上　金　　およびレジストパターンの彫　工　：本発明
においては基本的に基体上面に金属層１を接着剤によら
ずに被着形成したテープ状のポリイミド樹脂フィルムを
基体２として使用される。

ポリイミド樹脂フィルム基体２の上面に形成する金属層
１は該基体表面にスパッタ法、真空蒸着法、または無電
解めっき法によるか或いはこれらの方法を組み合わせて
金属層を形成させるか、これらの方法にさらに電解めっ
き法を組み合わせてもよく、要はポリイミド樹脂基体上
に接着剤を施すことなく直接的に金属層を形成せしめる
方法ならば何れの方法でも採用することができる。

また基体２上に形成する金属層１は電気的性能およびコ
スト面から一般には銅が採用されるが、ポリイミド基体
と銅の間にクロム、ニッケル等の他の金属薄膜層が存在
しても何等差し支えない。

また基体上面に形成する金属層１の厚みは配線の形成が
セミアデイティブ法によって行なわれるので、配線の形
成に際して行なわれる電気めっき層の形成時における前
処理でのソフトエツチングに耐え得る厚さであればよく
、特に制限はないが後述するような配線の独立のための
上面金属層１の部分的な溶解工程の作業性に鑑みて０．
５〜２μｍの範囲にあることが望ましい。

基体上面に形成するレジスト層３の厚みは配線の形成が
セミアデイティブ法で行なわれる場合には、配線の厚さ
が３５μｍ以上であることが要求されていることからそ
れ以上の厚さにする必要がある。

レジストの種類は上記の厚さに塗布し得るものであって
、且つ上面における配線６の形成に際して行なわれる電
気めっき液に耐え得るものであれば一般市販のもので充
分であり、アクリル樹脂等に感光性の官能基を付与する
ことによって、光照射部分か現像時に未溶解部として残
るネガ型レジストノボラック樹脂等に感光性の官能基を
付与することによって、光照射部分が現像時に溶解する
ポジ型レジストがあるが、フォトマスクのパターンを反
転することによって、何れの型のレジストでも使用可能
である。また、状態としては液状のものでも固形化して
ドライフィルムとしたものでもその何れをも使用できる
。

液状レジストを使用する場合には基体の下地金属層上へ
の塗布はバーコード法、デイツプコート法、スピンコー
ド法等の一般的塗布方法のほか、レジスト液を帯電させ
噴霧状に塗布する静電塗布法を採用してもよい。

またポリイミド樹脂基体２の下面に形成するレジスト層
４はホール形成に際して用いられるポリイミド樹脂溶解
液に耐えられるものであれば何れでもよく、一般的にポ
リイミド樹脂の溶解液には強アルカリ液が使用されるこ
とからゴム系しジス［・の採用が望ましい。ポリイミド
樹脂の下面に形成されるレジスト層４の厚さには特に制
限はないがポリイミド樹脂溶解後のビアホールのパター
ン精度を考慮すると２〜１０μｍ程度とするのが適当で
ある。

一般的にレジストによってパターンを形成するにはレジ
ストを塗布後レジストに含まれる溶剤を除去する必要が
ある。これはレジスト自体の強度を向上させると同時に
レジストと下地金属との密着性を高めるなめに行なわれ
るものであり、溶剤の除去は通常乾燥処理によって行な
われるが、この際における処理温度はレジストの解像度
を低下させない範囲で高めにするのがよい。

また、露光、現像後に形成したパターンをより強固にす
るために加熱処理を行なうこともあるがこの場合には前
述の溶剤乾燥処理のときの温度よりも高い温度が採用さ
れる。

なお、配線を独立させるために使用される金属層の溶解
液としては、一般的には塩酸、硫酸、硝酸などの酸性溶
液、塩化鉄溶液、塩化銅溶液等の金属塩化物溶液、過硫
酸アンモニウム溶液等の過酸化物溶液が用いられるので
あるから、レジストはこれらの溶液に耐え得るものであ
ればよいということになる。

またときには溶解液としてアルカリ性溶液を使用するこ
ともあるが、この場合においては耐アルカリ性のレジス
トを用いればよい。

次に、金属層１上に形成したレジスト層３に対して所望
のパターンのフォトマスクを施して、これに適量の光を
照射し、レジストを現像して金属層１上にレジストパタ
ーン５を形成するのであるが、基体上面のレジスト層４
には現像後生として配線パターンが形成されるようなフ
ォトマスクが使用される。

基体上面の配線パターンを形成するためのフォトマスク
は例えば第６図に示すようなものが挙げられるが、この
他スプロケットホールの如きホールパターンを併有して
もよい。

また、基体下面のビアホールパターン形成のためのフォ
トマスクは、例えは第７図に示されるものを例として挙
げることができる。

レジストの感光のために照射する光の波長等はレジスト
の特性によって決定されるが、一般的には紫外線が使用
される。またここで云うフォトマスクとはガラスや透光
性のプラスチックフィルムに銀等を含む乳剤やクロム等
の金属を焼き付けたものを云う。

露光方法としてはレジスト面とフォトマスクを密着させ
て行なう密着露光法と、レジスト面とフォトマスクを一
定の距離を隔てて平行に並べて行なう投影露光法とがあ
るが、本発明においては何れの方法を採用してもよい。

なお、上下面のレジスト層の現像は上面レジスト層３の
現像後、次項に示す基体上面の配線面形体形成工程を行
なってから下面の現像を行なってもよく、また配線面形
体の形成前に両面のレジストの現像を行なってもよい。

（以上第３図（イ）、（ロ）および第４図（イ）、（イ
゛）、　（ロ）、（口“）参照）基　上面における　′寸杉　のンコ工、：第１の実施態
様においては基体上面の配線前形体の形成はセミアデイ
ティブ法によって行なわれる。配線前形体の形成をセミ
アデイティブ法で行なうには基体上面に形成したレジス
トパターン５に従って生じた金属層」の露出部分に電気
めっきによって積層後の金属層か所望の配線厚さ、即ち
３５μｍ以上の厚さになるように金属めっき層を積層し
た後、基体上面に存在するレジストパターン５を溶解除
去する。このようにレジストパターン５を除去した後の
配線６間には金属層１−が残留して配線６とともに配線
前形体を形成する。

（以」１第３図（ロ）および（ハ）参照）ビアホールの
形成工程：第１の実施態様においては、ビアホールの形成はポリイ
ミド樹脂基体２の下面に最初に形成したレジストパター
ン７に従って露出したポリイミド樹脂の露出部分を溶解
することによって行なわれる。

この場合においてポリイミド樹脂の溶解には抱水ヒドラ
ジン、水酸化アルカリ等の強アルカリ性−２７＝溶液を単独もしくは混合し、さらにはメチルアルコール
、エチルアルコール、プロピルアルコール等を混合した
溶液が用いられる。

このビアホール形成工程によって形成されるビアホール
８の形状は真円、楕円、正方形、長方形等の形状が考え
られるが、このビアホールは基体上面に形成された配線
と基体下面側の配線との間の導通をはかるスルーホール
形成が目的であるからその形状は特にこだわるものでな
い。

次に、基体下面に残留するレジストを除去後、導電処理
方法を用いてビアホール８の側面の露出部をメタライズ
しつつ、基体下面全面に亘って金属薄膜層９を形成する
。この金属薄膜層９の形成は其の後の基体下面における
配線１２の形成に必要であって、その形成に当たっては
スパッタ法、真空蒸着法等の乾式金属被着法や無電解め
っき法等の湿式金属被着法の何れも採用することができ
る。

（以上第３図（ハ）参照）基体下面における配線の形成工程：基体下面における配線１２の形成にはセミアデイティブ
法またはサブトラクティブ法とが用いられる。

配線１２の形成をセミアデイティブ法によって行なうに
は、先ず金属薄膜層９の上にレジスト層１０を形成し、
配線パターンを有するフォトマスクを施して露光、現像
してビアホールＳ上にレジストが残らないようにレジス
トパターン１１を形成する。

該フォトマスクの例としては例えば第８図に示すような
パターンを挙げることができる。

−１−記の如くしてレジストパターン１１を形成するこ
とによって生じた金属薄膜層９の露出部分に金属電気め
っき層を積層することによって、基体下面における配線
前形体を形成した後、レジストパターン１１によるレジ
ストを除去し、次いでその下に存在する金属薄膜Ｎ９の
露出部分を溶解除去することによって、基体下面に配線
１２を形成した基体を得ることができる。

なお基体下面の配線１２を形成するための電気めっきに
よる金属めっき層の厚さは５〜３５μｍ程度とするのが
適当て゛ある。

まな、基体下面の配線をサブトラクティブ法によって行
なうときは、先ず金属薄膜層９上に電気めっきによって
金属めっき層を形成する。この厚さは同様に５〜３５μ
ｍ程度が適当である。

次に、上記金属めっき層上にレジスト層１０を形成した
後、これに配線パターンを有するフオＩ・マスクを施し
て露光、現像を行なってレジスＩ−パターン１１を形成
する。

次にレジストパターン１１の形成によって露出した金属
めっき層の露出部分、およびその下に存在する金属薄膜
層９を溶解することによって基体下面に配線１２を形成
することができる。

なお、基体下面の配線形成のために用いられるフォトマ
スクは、例えば第９図に示すようなパターンを挙げるこ
とができる。

基体下面における配線の形成工程において使用されるレ
ジス１〜はさきにレジスト層４の形成に際して使用され
たものと同様のものが使用され、レジストパターン１１
形成のための露光および現像や金属層の溶解等の手順等
も先のレジストパターン５の形成に際して行なわれた手
順に準じて行なえばよい。

（以上第３図（ニ）、（ホ）および（二゛）、（ホ゛）
ならびに（へ）参照）（２）第２実施態様金属層およびレジストパターンの形成工程：第２実施態
様においては第１実施態様の場合と同様に基体上面にの
み金属Ｎ１を接着剤によらずに被着形成したテープ状の
ポリイミド樹脂が基体２として使用される。ポリイミド
樹脂フィルム基体２上面への金属層１の形成手段や形成
する金属の種類等に関しては第１．実施態様の場合と同
様である。

また、第２実施態様においては後述するように基体上面
に形成する配線はセミアデイティブ法と４７’トラクチ
イブ法の何れかの手段が採られるの一二ノで、基体上面に被着する金属層１の厚みは、これら配線
形成手段の選択によって異なる。

基体上面の配線をセミアデイティブ法によって行なう場
合には、金属層１の厚さは第１実施態様−３１，− で行なわれたと同様の厚さ、即ち０．５〜２μｍ程度の
厚さとすることが望ましい。

配線の形成をサブトラクティブ法によって行なう場合に
は、上面金属層１の厚さはレジスト層３か形成される前
に所望の配線厚さと同等にしておく必要がある。従って
、金属層１−の形成には先ずスパッタ法等によってポリ
イミド樹脂基体２上面に金属薄膜層を形成した後、さら
にその上面に電気めっきによって所定厚さになるまでめ
っき金属を被着させて肉盛りするのがよい。

なお、通常要求される配線の厚さは約３５μｍ程度まで
である。

また金属層１上に形成するレジスト層３の厚さは配線の
形成がセミアデイティブ法で行なわれる場合には、配線
の厚さが３５μｍ以上であることかの形成かサブトラク
ティブ法により行なわれる場合には特に厚さの制限はな
いが、レジストパターン５の形成後の金属層］、の溶解
後のパターン精度を考慮すると１〜１０μｍ程度が適当
である。

金属層１や後述するポリイミド樹脂２に対してのレジス
トパターンの形成手順や、使用されるレジストの種類、
乾燥条件等に関しては第１実施態様における場合と同様
である。

（以」１第４図（イ）、（ロ）および（イ°）、（口°
）参照）基　上　における　浄の多　工程；本第２実施態様においては基体上面における配線の形成
は、レジストパターン５の形状によって定まる配線６お
よび該配線６間に存在する金属層］の両者によって配線
面形体を形成させ、該配線面形体をそのまま最終工程ま
で維持し、最終工程において配線の形成を行なう第１実
施態様とは異なり、レジストパターン５に従って形成さ
れる配線６間に存在する金属層１の露出部分を直ちに溶
解フ賞して配線の形成を行なう。また第１実施態様　　
いては配線面形体の形成をセミアデイティブ法のみによ
って行なったが１、第２実施態様においては基体上面に
おける配線の形成をセミアデイティブ法またはサブトラ
クティブ法の何れかの手段を選択して行なうことが可能
である。

配線の形成をセミアデイティブ法で行なう場合には基体
上面に形成したレジストパターン５に従って生じた金属
層１の露出部分に電気めっきによって積層後の金属層が
所望の配線厚さ、即ち３５μｍ以上の厚さになるように
金属めっき層を積層して配線面形体を形成した後、レジ
ストパターン５を溶解除去し、さらにレジストパターン
除去後、基体上面の金属層１を溶解除去して配線６を電
気的に独立した状態にすることによって形成する。

また、配線の形成をサブトラクティブ法によって行なう
場合には基体上面に形成したレジストパターン５に従っ
て生ずる金属層１−の露出部分を溶解することによって
直ちに配線６を形成する。

なお金属層１の溶解は浸漬法、スプレー決河れを使用し
てもよくまたこれらの方法を組合わせて行なちでもよい
。また、金属層１の溶解液としては一般的には塩酸、硫
酸、硝酸などの酸性溶液、塩化鉄溶液、塩化銅溶液等の
金属塩化物溶液、過硫酸アンモニウム溶液などの過酸化
物溶液などが用いられるので、使用するレジストはこれ
らの溶？夜に耐えられるものて゛あれは゛よいというこ
とになる。またときには溶解液としてアルカリ性溶液を
使用することもあるが、この場合においては耐アルカリ
性のレジストを使用すればよい。

配線の形成後、基体上面全体に亘って有機樹脂被膜１３
を被覆する。この有機樹脂被膜１３による被覆はこれに
続く工程において表面に露出した絶縁性樹脂の保護をす
る役割を有する。

この有機樹脂の被覆工程に用いられる有機樹脂は、以後
に行なわれるビアホール形成処理に際しての絶縁性樹脂
の所定箇所の溶解処理に際して使用される絶縁性樹脂の
溶解液に耐え得るものであればよく、絶縁性樹脂にポリ
イミド樹脂を使用する場合には、その溶解液には強アル
カリ性溶液が使用されるのでゴム系、エポキシ系、シリ
コン系等の有機樹脂を使用すればよい。

（以上第４図（ハ）参照）基体下面に形成したレジストパターン７に従って露出し
たボリイミ１〜樹脂２の露出部分を溶解することによっ
てビアホール８を形成する。ポリイミド樹脂の溶解手順
は第１一実施態様における手順と同様である。ビアホー
ル８形成後、ポリイミド樹脂基体２の下面全体に亘って
金属薄膜層９の被着形成を行なうが、この手順も第１実
施態様における手順と同様にして行なわれ、被着金属の
種類も第１実施態様におけるものと同様である。

また、基体下面における配線形成の手順もまた第１実施
態様における場合と同様セミアデイティブ法またはサブ
トラクティブ法の何れかを採用して行なわれる。

（以上第４図（ニ）、（ホ）、（二゛）および（ホ゛）
参照）その上面に被覆した有機樹脂膜の除去を行なう。

有機樹脂の除去に際しては市販の一般的な有機樹脂剥離
剤が使用される。

（以上第４図（へ）参照）以上の各工程を経て得らｈだ本発明による両面配線板は
用途に応じ、金属露出部にさらに金または銀等によるめ
っきを全面的にまたは部分的に施して実用に供される。

以上述べたように本発明によるときは、各工程において
状況に応じ種々の手段を活用することによって的確に所
定の設計に基づく基体上下面における配線の形成、絶縁
性樹脂へのビアホールの形成による上下配線に対するス
ルーホールの形成を確実に行なうことができる。

（実施例）次に本発明の実施例について述べる。

実施例１１５ａｎＸ１５ａｎの大きさのポリイミド樹脂フィルム
状基体（東し・デュポン社製、カプトン２００１１、厚
／〃、ポリエチレングリコール領５ｇ／〃の組成を有す
る無電解鋼めっき液を用いてｐＨ１２，５として７０℃
で１０分間の浸漬処理を行ない、銅の無電解めっき被膜
を形成した後、さらに硫酸銅１００　ｇ／ρ、硫酸１８
０　ｇ／、Ｑ　、の組成を有する電気銅めっき液を用い
て電流密度２Ａ／ｄｍ２で電解を行ない上面に厚さ１μ
ｍの銅による下地金属層を形成させた。

次に基体上面における下地金属層上に、感光性レジスト
としてＰＩ−ＩＥＲ・ＨＣ６００（東京応化社製、ネガ
型フォトレジスト）を用いて約４．０ＪＪ、ｍの厚さＧ
こ、また基体下面には感光性レジストとしてＦＳＲ（富
士薬品社製、ネガ型フォトレジスト）を約７μｍの厚さ
に、それぞれバーコーターを用いて塗布し、それぞｈ７
０’ｃで３０分間乾燥処理した後、上面のレジスト層に
５０ｍｍ　Ｘ　５０ｍｍの大きさで、配線ピッチ２００
　μｍ　、配線幅１００　μｍ　、配線数２００本の配
線パターンを田の字形に配列して形成したガラス製のフ
ォトマスクをレジスト面に密着させ、該フォトマろりを
介して９００ｍＪの紫外線を照射し、下面のレジスト層
には上面と同様の大きさのガラス製で、上面の配線パタ
ーンに対応してビアホール１００個を有するフォトマス
クをレジスト面に密着させ、該フォトマスクを介して１
００ｍＪの紫外線を＝　３８− 照射して露光を行なった。

なお、紫外線の照射は超高圧水銀燈（オーク製作所社製
）を使用した。

次に上面のレジスト層を現像液として門ＥＲ現像液（東
京応化社製）を用いて上面側は２５°Ｃて７分間、下面
側は２５°Ｃで２分間現像した後、１１０’Ｃで３０分
間乾燥処理を施し所定のレジストパターンを形成した。

続いて基体上面の露出した下地銅層上に前述の電気銅め
っき液を用いて電流密度２Ａ／ｄｍ２で５０分間電解を
行ない、厚さ３５μｍの銅層として配線前形体を形成し
た。

次に下面のレジスト層を現像液としてＦＳＲ−Ｄ（富士
薬品社製）を用いて２５°Ｃで５分間現像した後、１３
０°Ｃで３０分間乾燥して所定のレジストパターンを形
成し、続いて下面のレジストを水酸化ナトリウム４％溶
液を用い、５０’Ｃて１分間処理を行なうことによって
除去した。

次に基体をエチルアルコールと水酸化カリウム１規定溶
液を容量比で１：１に混合した液を用いて、５０’Ｃで
４分間浸漬処理することによって、露出部のポリイミド
樹脂を溶解して下面にビアホールを形成し、残留するレ
ジストを樹脂剥離液としてＦＳＲ１ｌＪＮ液（富士薬品
社製〉を用いて、７０℃に１５分間処理して剥離除去し
た。

次０こ、前述の無電解銅めっき液を用いて下面全体に銅
薄膜層を形成後、感光性レジストとしてＰＩ（ＥＲ、Ｈ
Ｃ６００（東京応化社製、ネガ型フォトレジスト）をバ
ーコーターを使用して約２０μｍの厚さに塗布し、７０
°Ｃで３０分間乾燥処理した後に配線ピッチ２００　ｕ
、ｍ　、配線幅１００　μｍ　、配線数１００本の配線
パターンを有し、各配線が上面の配線と直交するように
形成したフォトマスクを使用してレジスト面に密着させ
、該フォＩへマスクを介して４００ｍ」の紫外線を照射
し露光を行なった後、前述の現像液を使用して２５°Ｃ
で３分間処理し、次いで１１０℃で３０分間乾燥処理し
て所定のレジストパターンを形成した。

次に、前述の電気銅めっき液を用いて電流密度２Ａ／ｄ
ｍ２で２５分間電解を行ない、下面の露出した銅薄膜層
上に１８μｍの配線前形体を形成後、残留レジストを水
酸化ナトリウム４％溶液中において５０°Ｃで］１分間
処理して除去した。

次いで、基体を塩化銅２００　ｇ／ρ溶液を用いて５０
℃で１９分間処理することによって、基体下面のレジス
トパターン下に存在する銅薄膜層および基体上面の下地
金属層を溶解除去し、基体上下面の各配線を電気的に独
立の状態に形成することにより、基体上下面に所定の配
線を有し、且つ上下の配線をビアホールによって導通さ
せた両面配線板を得ることができた。

実施例２出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを使用し、その上面にスパッタ法により０６２５μｍ
の厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによって銅
層の厚さを１μｍに調整したものを基体゛として用い、
実施例１と同様の手順で各処理を行なったところ、実施
例１と同様な両面配線板を得ることができた。

実施例３出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体上面における下地銅層の形成から基体
上下面に形成したそれぞれのレジスト層に対する露光を
行なう工程までを実施例１と同様の手順にて行なった。

次に、上下面のレジストを実施例１と同様の手段で現像
して乾燥を行ない、それぞれのレジストパターンを形成
した後、基体上面に実施例１と同様の手順で電気めっき
を行なって、上面に厚さ３５μｍの銅層を有する配線前
形体を形成し、残留するレジストの除去を行なった。

次に基体下面におけるポリイミド樹脂の露出部の溶解に
よる所定のビアホールの形成から、下面の銅薄膜層およ
び上面の下地銅層の除去による上下各配線を電気的に独
立した状態に形成するまでの工程を実施例１と同様の手
順で行なうことによって、糸体−ヒ下面に所定の配線を
有し、上下の配線をビアホールによって導通させた両面
配線板を得ることかできな。

実施例４出発利料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用い、その上面にスパッタ法により０、２５μｍの
厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによって銅層
の厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例３と同様
の手順で各工程処理を行なったところ、実施例３と同様
な両面配線板を得ることができた。

実施例５出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用い、基体上面における下地銅層の形成から、基体
下面全体に亘る銅薄膜層の形成までの工程を実施例１と
同様の手順で行なった。

次に、実施例１において用いたものと同様の電気めっき
液を用いて電流密度２Ａ／ｄｍ２で電解を行ない基体下
面全体に亘って厚さ約２０μｍの銅層を形成した。

この上Ｖ＝感光性レジストとしてＰＭＥＲ−ＨＣ６００
を用いて、バーコーターを使用して約５μｍの厚さに塗
布し、７０℃で３０分間加熱乾燥してレジスト層を形成
した後、実施例１で用いたビアホールパタ−ンの反転パ
ターンを有するフォトマスクを該レジスト面に密着させ
て、該フォトマスクを介して２００ｍＪの紫外線を照射
して露光を行なった。次に実施例１と同様の現像液を用
いてレジストを現像し、１１０℃で３０分間乾燥処理し
所定のレジストパターンを得た。

次に、実施例１と同様の塩化銅溶液を用いて５０℃で１
５分間下面に露出した銅層の溶解処理を行なって、下面
の各配線を電気的に独立した状態にした。次に同様にし
て基体上面の下地鋼層を溶解除去して上面の各配線を独
立の状態にした後、下面に残存するレジストを実施例１
で用いたものと同様の樹脂剥離液を使用して５０°Ｃで
１分間処理して剥離除去して、基体の上下面にそれぞれ
所定の配線を有し、且つ上下面の配線をビアホールによ
って導通させた両面配線板を得ることができな。

実施例６出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体上面にスパッタ法により０．２５μｍ
の厚さの銅層を形成し、さらに電気銅＝　４４− めっきによって上面の銅層の厚さを３５μｍに調整した
基体を用い、実施例５と同様の手順で各処理を行なった
ところ、実施例５と同様の両面配線板を得ることができ
な。

実施例７出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体上面における銅層の形成から、基体下
面における銅薄膜層の形成までの工程を実施例３と同様
の手順で行なった後、続く基体下面全体における銅層の
形成から、該銅層の溶解および上面の銅薄膜層の形成に
よる基体上下面における各配線を電気的に独立した状態
にするまでの工程を実施例５と同様の手順で行なうこと
によって基体の上下面に所定の配線を有し、上下の配線
をビアホールによって導通させた両面配線板を得るこ、
とができた。

実施例８出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その上面にスパッタ法により０．２５μｍ
の厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによって上
面の銅層の厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例
７と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例７と
同様の両面配線板を得ることができた。

実施例９出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体上面における下地鋼層の形成から、基
体上面における電気銅めっきによる配線面形体の形成ま
でを実施例７と同様の手順で行なった。

次に基体下面のレジスト層の現像によるレジストパター
〉・の形成を実施例１と同様に行なった。

しかる後に基体上面のレジメ１〜を水酸化ナトリウム４
％溶液を用いて５０℃で１分間処理して除去し、さらに
下地銅層を塩化銅１００　ｇ／ρ、塩化アンモニウム１
００　ｇ／ρ、炭酸アンモニウム２０ｇ／９、アンモ泣
ア水４００　ｎ＋ｅ／、Ｑの組成からなる溶液を用いて
５０℃で１分間処理して各配線を独立させ、次いで有機
樹脂膜としてＦＳＲ（富士薬品社製）を使用して基体上
面全体に亘り約１０μｍの厚さに塗布し、１３０’Ｃに
３０分間加熱することによって該有機樹脂膜を被覆した
。

次に実施例１と同様のポリイミド溶解液を使用して基体
下面に露出したポリイミド樹脂を溶解してビアホールを
形成し、残留するレシス１〜を水酸化す１〜リウｊ＼４
％溶液を用いて除去した。

次に実施例１と同様の無電解めっきによって下面全体に
銅薄膜層を形成し、この上に感光性レジスＩへとして閉
ＥＲ・ＨＣ６００を約２０．ｒｌｍの厚さに塗布し、乾
燥処理後、実施例１で用いた配線パターンを有するフォ
トマスクを施し、該フォトマスクを介して４００　ｍＪ
の紫外線を照射して露光を行なった後、実施例１と同様
の手順によって現像および乾燥処理を行なって所定のレ
ジストパターンを得た。

次に、前述した電気銅めっき処理によって下面に露出し
た銅喘膜層上に約１８μｍの下面配線面形体を形成して
から、前述の手順で残留レジストの除去を行ない、さら
に下面の銅薄膜層を前述した塩化銅溶液を用いた溶解手
順により溶解除去した。

最後に上面の有機樹脂膜を実施例１と同様の手順によっ
て剥離除去して、基体の上下面に所定の配線を有し、且
つ上下の配線をビアホールによって導通させた両面配線
板を得ることができな。

実施例１０出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その上面にスパッタ法により０．２５μｍ
の厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによって上
面の銅層の厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例
つと同様の手順で各処理を行なったところ、実施例９と
同様の両面配線板を得ることができた。

実施例１１出発材料として実施例１−と同様のポリイミド樹脂フィ
ルムを用いて、基体上面における下地銅層の形成から、
基体上面における配線前形体の形成までの工程１を実施
例］と同様の手順で行なった。

次に基体上面のレジストの除去と下地銅層の溶解による
上面各配線の電気的に独立させるまでの工程を実施例上
と同様の手順で行なって、さらに基体上面に有機樹脂膜
による被覆を実施例１と同様の手順により行なった。

次に基体下面に露出したポリイミド樹脂の溶解によるビ
アホールの形成から、基体上面１゜こ被覆された有機樹
脂膜の剥離除去までの工程を実施例９と同様に行ない、
基体の上下面に所定の配線を有し、且つ上下の配線をビ
アホールによって導通させた両面配線板を得ることがで
きた。

実施例１２出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ｊ＼を用いて、その上面にスパッタ法により０．２５μ
ｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによって
上面の銅層の厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施
例１１と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例
１１と同様の両面配線板を得ることができた。

実施例１３出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体上面における下地銅層の形成から、基
体下面全体に亘る銅薄膜層の形成までの工程を実施例つ
と同様の手順で行なった。

次に実施例１と同様の手順で下面の銅薄膜層上に電気銅
めっきにより約１８μｍの銅層を形成しその上に感光性
レジストとしてＰＮＥＲ・＋］ｃ４ｏを約５μｍの厚さ
にバーコーターを用いて塗布し、７０’Ｃで３０分間乾
燥後実施例５で使用したフォトマスクを施し、該フォト
マスクを介して２００ｍＪの紫外線を照射して露光を行
なった後、実施例１と同様の手順で現像および乾燥処理
を行なって所定のレジストパターンを形成した。

次に、基体下面の露出銅層を実施例１と同様の手順で溶
解除去して下面の配線を形成し、最後に基体上面に施さ
れた有機樹脂膜を実施例１同様の手順で剥離除去して、
基体の上下面に所定の配線を有し、上下の配線をビアホ
ールによって導通させた両面配線板を得ることができた
。

実施例１４出発材料と゛して実施例１と同様のポリイミド樹脂フィ
ルムを用いて、その上面にスパッタ法により０．２５μ
ｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによって
上面の銅層の厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施
例１３と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例
１３と同様の両面配線板を得ることができた。

実施例１５出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体上面における下地銅層の形成から基体
下面における銅薄膜層の形成までの工程を実施例１１と
同様の手順で行なった。

次に基体下面における銅層の形成から、基体上面に施さ
れた有機樹脂膜の剥離除去までの工程を実施例１３と同
様の手順で行なうことによって、基体の上下面に所定の
配線を有し、且つ上下面の配線をビアホールによって導
通させた両面配線板を得ることができた。

実施例１６出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その上面にスパッタ法により０．２５μｍ
の厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによって上
面の銅層の厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例
１５と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例１
５と同様の両面配線板を得ることができな。

実施例１７出発材料として実施例］、と同様のポリイミド樹脂フィ
ルムを用いて、基体上面に対し実施例１と同様の無電解
めっき液を用いてｐＨ１２，５とし、７０°Ｃで１０分
間の浸漬処理を行なって約０．２μｍの銅被膜を形成後
、さらに実施例１と同様の手順によって電解銅めっき液
を使用して電流密度２Ａ／ｄｍ２で１２０分間の電解処
理を行ない、基体上面の銅層の厚さを３５μｍに形成し
た。

次に上面の銅層上に感光性レジストとしてＰＩ４ＥＲ・
ＨＣ４０を約５μｍの厚さに、また基体下面には同じく
感光性レジストとしてＦＲ８を約７μｍの厚さにそれぞ
れバーコーターを用いて塗布し、７０’Ｃで３０分間の
乾燥処理を行なった後、上面のレジスト層上に実施例１
で用いたものと同様の配線パターンを有するフォトマス
クを密着させ、該フォトマスクを介して９００ｍＪの紫
外線を照射し、下面のレジメＩ〜層には実施例５で用い
たものと同様のビアホールパターンを有するフォトマス
クを密着させて、該フォトマスクを介して１００ｍＪの
紫外線を照射することによって露光を行なった。

次に上面のレジストを現像液としてＰＩ−ＩＥＲ現像液
を用いて２５℃で２分間現像した後１１０℃で１５分間
乾燥処理を施して所定のレジストパターンを得た。

次いで上面の露出した銅層を実施例１と同様の塩化銅溶
液を用いて５０℃で１５分間溶解処理して上面に厚さ約
３５μｍの配線を形成した。

一方、下面側のレジスト層を同様にして現像および乾燥
処理を行なって所定のレジストパターンを得た。しかる
後基体上面のレジストを水酸化ナトリウム４％溶液を用
いた実施例１と同様の手順で除去し、次いで実施例１と
同様の手順で基体上面全体に有機樹脂膜の被覆処理を行
なった。

引き続き基体下面におけるビアホールの形成から基体上
面に施された有機樹脂膜の剥離除去までの工程を実施例
つと同様の手順で行ない、基体上下面に所定の配線を有
し、上下の配線をビアホールによって導通させた両面配
線板を得ることかできた。

実施例１８出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その上面にスパッタ法により０．２５μｍ
の厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによって上
面の銅層の厚さを３５μｍに調整した基体を用い、実施
例１７と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例
１７と同様の両面配線板を得ることができな。

実施例１９出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用い、基体上面における下地銅層の形成から、上下
面におけるレジストの露光処理までの工程を実施例１７
と同様の手順で行なった。

引続いて上下面のレジストの現像を実施例１と同様の手
順で行なってそれぞれ所定のレジストパターンを形成し
、その後上面の露出した銅層の溶解による上面配線の形
成およびレジストの除去から上面有機樹脂膜の剥離除去
までの工程を実施例１７と同様の手順で行なうことによ
って、基体上下面に所定の配線を有し、上下面の配線が
ビアホールによって導通された両面配線板を得ることが
できた。

実施例２０出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その上面にスパッタ法により０．２５μｍ
の厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによって上
面の銅層の厚さを３５μｍに調整した基体を用い、実施
例１９と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例
１９と同様の両面配線板を得ることかできな。

実施例２１出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用い、基体上面の銅層の形成から、基体下面におけ
る銅薄膜層の形成までの工程を実施例１７と同様の手順
によって行なった。

次に基体下面における銅層の形成から、上面に施された
有機樹脂膜の剥離除去までの工程を実施例１３と同様の
手順で行なうことによって、基体上下面に所定の配線を
有し、上下面の配線かビアホ一ルによって導通した両面
配線板を得ることができた。

実施例２２出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その上面にスパッタ法によって０．２５μ
ｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによって
上面の銅層の厚さを３５μｍに調整した基体を用い、実
施例２１と同様の手順で各処理を行なったところ、実施
例２１と同様の両面配線板を得ることができた。

実施例２３出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用い、基体上面における銅層の形成から、基体下面
における銅薄膜層の形成までの工程を実施例１３と同様
の手順で行なった。

次いで続く基体下面の銅層の形成から、基体上面に施さ
れた有１機樹脂膜の剥離除去までの工程を実施例２１と
同様の手順で行なうことによって、基体上下面に所定の
配線を有し、上下面の配線がビアホールによって導通さ
れた両面配線板を得ることができた。

実施例２４出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その上面にスパッタ法により０．２５μｍ
の厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきによって上
面の銅層の厚さを３５μｍに調整した基体を用い、実施
例？３と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例
２３と同様の両面配線板を得ることかできた。

（発明の効果）以」二述べたように本発明の両面配線板の製造方法によ
るときは、接着剤によらずに絶縁性樹脂フィルムの上面
に銅層などによる金属層を形成したものを基体とし、そ
の」二下面に絶縁性樹脂本来の性能を損なうことなく、
確実に所定の配線を形成し、且つ該」二下面に形成した
配線を絶縁性樹脂に形成したビアホールによって電気的
に導通させた両面配線板を得ることができるものであり
、工業的にすぐれた発明であるといえる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はそれぞれ本発明の両面配線板の製
造方法の各実施例における製造工程を順を追って示した
工程図、第３図（ａ）　、（ｂ）および第４図（ａ）　
、（ｂ）は、それぞれ基体上面の配線をセミアデイティ
ブ法およびザブトラクチイブ法を採用した場合の両面配
線板の製造工程における基体の概略状況を工程（イ）〜
（へ）順に示した説明図、第５図は本発明を実施するこ
とによって得られた両面配線板の一例の外観を示す平面
図、第６図は基体上面に施される所定の配線パターンを
有するフォトマスクの平面図、第７図は基体下面に施さ
れるビアホールパターンを有するフォトマスクを例示し
た平面図、第８図および第９図はそれぞれビアホール形
成後の基体下面に再度族される所定の配線パターンを有
するフォトマスクの平面図である。１・・・上面金属層、２・・・ポリイミド樹脂、３．４
．１０、−、レジスト層、５．７．１１・・・レジスト
パターン、６・・・上面配線、８・・・ビアホール、９
・・・金属薄膜層、１２・・・下面配線、１３・・・有
機樹脂膜層。第１図両面配線板製造工程図第２図両面配線板製造二Ｅ程図（へ）＼＼（へ）第７図第８図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ポリイミド樹脂フィルムの上面に接着剤を用いる
ことなく金属層を形成したものを基体とし、該基体の上
下各面に感光性レジスト層を形成した後、基体上面にお
けるレジスト層には主として所定の配線パターンを有す
るフォトマスクを、また基体下面におけるレジスト層に
は主として所定のビアホールパターンを有するフォトマ
スクを施して、光を照射した後両面のレジスト層を現像
し、該基体の両面にそれぞれの形状のレジストパターン
を形成せしめる工程と、基体上面に形成したレジストパ
ターンに従って基体上面に配線前形体を形成する工程と
、基体下面に形成したレジストパターンに従ってポリイ
ミド樹脂の所定の部分に所定のビアホールを形成し、次
いでビアホール形成後の基体下面に金属薄膜層を形成す
る工程と、該金属薄膜層上に再度感光性レジスト層を形
成して、該レジスト層上に所定の配線パターンを有する
フォトマスクを施して光を照射した後現像して基体下面
にレジストパターンを形成し、該レジストパターンに従
つて基体下面に所定の配線を形成する工程と、基体上面
の配線前形体の配線間に存在する金属層を溶解除去する
ことによって基体上面に所定の配線を形成する工程とよ
りなる両面配線板の製造方法。
（２）基体上面の配線前形体の形成は、基体上面に形成
したレジストパターンに従って露出した金属層上に電気
めっきによって金属めっき層を積層させた後、基体上面
のレジストを溶解除去することによって行なう請求項１
記載の両面配線板の製造方法。
（３）基体上面の配線前形体の配線間に存在する金属層
の溶解除去による上面配線の形成は、基体下面のビアホ
ール形成後に行なう請求項１記載の両面配線板の製造方
法。
（４）ポリイミド樹脂基体に対する所定のビアホールの
形成は基体下面に形成したレジストパターンに従って露
出したポリイミド樹脂を溶解除去することによって行な
う請求項１乃至３のいずれか１項記載の両面配線板の製
造方法。
（５）基体下面の金属薄膜層の形成は、ビアホール形成
後に基体下面に残存するレジストを除去した後行なう請
求項１乃至４のいずれか１項記載の両面配線板の製造方
法。
（６）基体下面における配線の形成は、基体下面に再度
形成したレジストパターンに従って露出した金属薄膜層
上に、電気めっきによって金属めっき層を積層し、次い
でレジスト下に存在する金属薄膜層を溶解除去すること
によって行なう請求項１乃至５のいずれか１項記載の両
面配線板の製造方法。
（７）基体下面における配線の形成は、基体下面の金属
薄膜層上に電気めっきによって金属めっき層を積層した
後、基体下面に再度形成したレジストパターンに従って
露出した金属めっき層とその下に存在する金属薄膜層を
溶解除去し、さらにその下に存在するレジストを除去す
ることによって行なう請求項１乃至５のいずれか１項記
載の両面配線板の製造方法。
（８）ポリイミド樹脂フィルムの上面に接着剤を用いる
ことなく金属層を形成したものを基体とし、基体の上下
各面に感光性レジストを形成した後、基体上面における
レジスト層には主として所定の配線パターンを有するフ
ォトマスクを、また基体下面におけるレジスト層には主
として所定のビアホールパターンを有するフォトマスク
を施し、光を照射した後、上下各面のレジストを現像し
て、該基体の上下各面にそれぞれの形状のレジストパタ
ーンを形成せしめる工程と、基体上面に形成したレジス
トパターンに従って基体上面に配線を形成し、しかる後
基体上面全体に亘って有機樹脂膜を形成する工程と、基
体下面に形成したレジストパターンに従ってポリイミド
樹脂の所定の部分に所定のビアホールを形成し、次いで
ビアホール形成後の基体下面に金属薄膜層を形成する工
程と、該金属薄膜層上に再度感光性レジスト層を形成し
て、該レジスト層上に所定の配線パターンを有するフオ
トマスクを施して光を照射した後レジストを現像して基
体下面に所定の配線を形成する工程と、基体上面に施さ
れた有機樹脂膜を除去する工程とよりなる両面配線板の
製造方法。
（９）基体上面の配線の形成は、基体上面に形成したレ
ジストパターンに従って露出した金属層上に電気めっき
によって金属めっき層を積層させて配線前形体を形成し
た後、基体上面のレジストおよびレジスト下に存在する
金属層を溶解除去することによって行なう請求項８記載
の両面配線板の製造方法。
（１０）基体上面の配線の形成は、基体上面に形成した
レジストパターンに従って露出した金属層をエッチング
した後、非エッチング金属層上のレジストを溶解除去す
ることによって行なう請求項８記載の両面配線板の製造
方法。
（１１）ポリイミド樹脂基体に対する所定のビアホール
の形成は基体下面に形成したレジストパターンに従って
露出したポリイミド樹脂を溶解除去することによって行
なう請求項８乃至１０のいずれか１項記載の両面配線板
の製造方法。
（１２）基体下面の金属薄膜層の形成は、ビアホール形
成後の基体下面に残存するレジストを除去した後に行な
う請求項８乃至１１のいずれか１項記載の両面配線板の
製造方法。
（１３）基体下面における配線の形成は、基体下面に再
度形成したレジストパターンに従って露出した金属薄膜
層上に電気めっきによって金属めっき層を積層し、次い
でレジストを溶解除去した後レジスト下に存在する金属
薄膜層を溶解除去することによって行なう請求項８乃至
１２のいずれか１項記載の両面配線板の製造方法。
（１４）基体下面における配線の形成は、基体下面の金
属薄膜層上に電気めっきによって金属めっき層を積層し
た後、基体下面に再度形成したレジストパターンに従っ
て露出した金属めつき層とその下に存在する金属薄膜層
を溶解除去し、さらに残存するレジストを除去すること
によって行なう請求項８乃至１２のいずれか１項記載の
両面配線板の製造方法。
（１５）基体上面の配線形成後に、基体上面に施された
有機樹脂膜の除去は、基体下面に所定の配線を形成した
後に行なう請求項８乃至１４のいずれか１項記載の両面
配線板の製造方法。