JPH0787204B2 - ２層ｔａｂの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電子部品に実装されるTAB（Tape Automated Bo
nding）の製造方法に係り、さらに詳しくは基板の両面
に金属層を有する２層TABの製造方法に関するものであ
る。

（従来の技術） 近年、エレクトロニクス産業界においては低価格、高信
頼度を有する多機能装置の開発が急速に進められてお
り、これによる高機能、高密度素子の出現に伴って高信
頼性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに
対する要求が高まってきている。これに従って、新しい
素子実装技術の開発が日増しに重要さを加えており、特
にICパッケージにおける小型化と多様化が重要な課題と
して開発が進められている。このような素子実装技術の
進歩に伴って、小型ICパッケージにおける多ピン化の要
求に応え得るような微細なピン間隔が望まれている。

TABはポリイミド等のテープ状合成樹脂フィルム基板上
に多数のボンディング用金属細密リードパターンを施し
たものであり、その特徴としては、テストパッドを有し
ているので、ボンディング後にボンディング不良やチッ
プ不良を基板実装前に発見でき、またワイヤーボンディ
ングに比しICパッドの大きさが小さくてよく、一層の多
ピン化が可能であるなどその利点が多い。

TABはその構造上から１層TAB、２層TAB及び３層TABの３
種類に大別される。１層TABはパターニング処理を施し
た銅箔等の金属テープのみによって構成されるものを云
うが、金属層自体の厚みがせいぜい数十μｍ程度である
ために機械的強度に乏しく、施し得るピン数に限界があ
るので高密度化に適さない。この１層TABの欠点を補う
ためにプラスチックフィルム基板上に接着剤を用いて金
属箔を張り合せた後、金属箔にパターニング処理を施し
た３層TABが開発されたが、この３層TABにおいては中間
層として使用する接着剤の影響によって、基板にポリイ
ミド樹脂のような絶縁性の高いプラスチックフィルムを
使用していても、ピン間の絶縁性を十分に確保すること
ができないと云う欠点を有する。

２層TABは、プラスチックフィルム基板表面に接着剤に
よらず、スパッタ法、真空蒸発法、めっき法等によって
直接金属層を形成させて、これにパターニング処理を施
したものであって、接着剤を使用しないので、電気絶縁
性についての問題を生ずることなく安定的に使用するこ
とができるので将来性が期待されている。

２層TABの製造法の概略を述べると、先ずプラスチック
フィルム基板表面に前述したようなスパッタ法、真空蒸
発法の如き乾式表面処理法、または無電解めっき法の如
き湿式表面処理法を用いて金属層を被着させる。通常、
この場合プラスチックフィルムとしては電気絶縁性が高
くまた熱安定性に優れたポリイミド樹脂が使用され、ま
た被着金属層には銅が使用される。次に金属層表面にパ
ターニング処理を施すのであるが、これには形成させる
リードの厚さ以上の厚みに感光レジストを塗布してお
き、所望のリードパターンを有するマスキングを施して
レジストの光照射を行なうことにより、レジスト上に露
光部と非露光部によるパターンを形成し、その後これに
現像を施すことによって、非露光部または露光部を選択
的に溶解除去することによって金属層上にレジストパタ
ーンを形成する。現像によってレジストが除去された部
分、即ち金属層が露出した部分に電気めっきでレジスト
の厚みかまたはそれ以下の厚みまで金属を析出させ、最
後に残存レジストを溶解除去することによって所望のリ
ードパターンを有する２層TABを得ることが出来る。

このようにして得られた２層TABをICチップの連続ボン
ディングを行なうためには、テープ送り用のスプロケッ
トホール、リード先端を露出させてICチップと接合させ
るためのデバイスホール、リード後端部を外部回路に接
続するためのOLBホールを化学的エッチングにより設け
る必要がある。これらの各種ホールはポリイミド樹脂テ
ープ上にレジストパターンを施した後に樹脂を溶解する
ことによって形成される。

（発明が解決しようとする課題） 以上のようにして製造された２層TABは中間層として接
着剤層を存在させることなくリードの多ピン化を行なう
ことができるので、電気的特性に優れ、また熱的、機械
的性質も安定したものが得られるが、これを実際にICチ
ップにボンディングして電子計算機等に組み込んで使用
した場合に、処理速度の増大に伴い往々にしてTABに形
成された一部のリードに高周波電流が流れ、雑音を発生
せしめるのでこれに対する対応策を講ずる必要がある。
この欠点を改善するためには、２層TABの裏面にさらに
金属層をグラウンドとして設け、また表面に形成された
リードの一部をポリイミド樹脂基板に導通用のビアホー
ルを穿って、表面に形成されたリードの一部をこのビア
ホールを介して裏面のグラウンド金属層に導通させるこ
とによって、高周波による雑音を低減させることが考え
られるが、未だその具体的製造方法については確立され
ていない。

本発明は、上記した知見に基き高周波による雑音発生の
少ない２層TABを得るための新規な製造方法を提供する
ことを目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するための本発明は次に示す如き基本工
程からなるものである。

即ち、本発明による２層TABの製造方法は、ポリイミド
等の電気絶縁性樹脂（以下「絶縁性樹脂」という）フィ
ルムの両面に接着剤を用いることなく金属層を形成した
ものを基体とし、該基体両面の金属層上に感光性レジス
ト層を形成した後基体上面におけるレジスト層には主と
して所定のリードパターンを有するフォトマスクを施
し、また基体下面におけるレジスト層には主として所定
のビアホールパターンを有するフォトマスクを施して光
を照射した後両面のレジストを現像し、該基体の両面に
それぞれの形状のレジストパターンを形成せしめる工
程、基体上面に形成したレジストパターンに従って基体
上面にリードを形成する工程、基体下面に形成したレジ
ストパターンに従って該下面の金属層のビアホールに相
当する部分の金属層を溶解して絶縁性樹脂部を露出させ
た後、該絶縁性樹脂の露出部を溶解して所定のビアホー
ルを形成する工程、ビアホール形成後の基体下面に金属
薄膜層を形成した後、該金属薄膜層上に再び感光性レジ
ストを形成し、該レジスト上にビアホールを除く所定の
各種ホールパターンを有するフォトマスクを施して光を
照射した後現像して基体下面にレジストパターンを形成
し、該レジストパターンに従って基体下面の絶縁性樹脂
におけるビアホール以外の所定の各種ホール部に相当す
る部分が露出するように、基体下面全体に亘ってグラウ
ンド金属層を形成する工程および絶縁性樹脂の各種ホー
ル部に相当する露出部を溶解除去して基体下面にビアホ
ール以外の各種ホールを形成する工程とよりなることを
特徴とするものである。

本発明において、基体上面におけるリードの形成は予め
基体上面に施される金属層の厚みによって異なる方法が
取られる。

即ち基体上面に施される金属層を薄層の所謂下地金属層
とした場合には、基体上面に形成したレジストパターン
に従って露出した該下地金属層上に電気めっきにより金
属めっき層を積層させて該積層金属によるリード前形体
を形成した後、基体上面のレジストおよびその下に残存
する下地金属層を溶解除去してリードを形成する所謂セ
ミアディティブ法が適用され、また基体上面に施される
金属層をリード高さに匹敵する厚みにした場合には、基
体上面に形成したレジストパターンに従って露出した金
属層をエッチングした後、非エッチング金属層上のレジ
ストを溶解除去してリードを形成する所謂サブトラクテ
ィブ法が採用される。

また、絶縁性樹脂基体に対するビアホールの形成は基体
下面に形成したレジストパターンに従って露出した金属
層をエッチングして絶縁性樹脂を露出させ、該絶縁性樹
脂の露出部を溶解除去する方法、即ちエッチング法によ
るか、レジストパターンに従って露出した金属層上に電
気めっきにより金属めっき層を積層して該積層金属によ
る金属パターンを形成した後、レジストおよびレジスト
下の金属層を溶解除去して、これによって露出した絶縁
性樹脂を溶解除去する方法、即ちセミアディティブ法に
よるか、またはさらに他の方法として、下面に形成した
レジストパターンに従って露出した金属層をエッチング
して絶縁性樹脂部を露出させた後、レジストパターンを
除去してレジスト下の金属層を露出させ、該露出金属層
上に電気めっきにより金属めっき層を積層し、絶縁性樹
脂の露出部を溶解除去する方法、即ちエッチング法およ
びセミアディティブ法の併用によるかの何れかの方法を
採用して行ない、ビアホール以外の各種ホールの形成は
基体下面にグラウンド金属層を形成する際に露出した絶
縁性樹脂を溶解除去することによって行なう。つまり、
本発明においては所定の各種ホール形成のための絶縁性
樹脂の開孔を２度に亘って行なうものである。

また、本発明においては基体下面におけるビアホール以
外の各種ホールを除く部分全体に亘ってグラウンド金属
層を形成させることによって、リードとグラウンド金属
層とをビアホールにより導通させるものであるが、この
ようなグラウンド金属層の形成は、ビアホール形成後の
基体下面に金属薄膜層を形成し、該金属薄膜層上に再度
感光性レジスト層を形成し、該レジスト上にビアホール
以外の所定のホールパターンを有するフォトマスクを施
して露光、現像を行なうことによってレジストパターン
を形成し、このようにして再度形成したレジストパター
ンに従って露出した金属薄膜層上に電気めっきにより金
属めっき層を積層した後レジストを溶解除去し、これに
よって露出したレジスト下の金属薄膜層及び金属層を溶
解除去するセミアディティブ法による方法か、またはビ
アホール形成後の基体下面に形成した金属薄膜層上に直
ちに電気めっきによるめっき金属層を積層させて積層金
属層を形成し、しかる後上記と同様の手順で再度レジス
トパターンを形成し、該レジストパターンに従って露出
した積層金属層を溶解除去し、さらに残存するレジスト
を除去するサブトラクティブ法による方法の何れかの方
法が採られる。

上記したように基体上面におけるリード形成、絶縁性樹
脂に対するビアホールの形成および基体下面における導
通用のグラウンド金属層の形成にはそれぞれ幾つかの形
成手段があるが、本発明においてはこれらの各手段を適
宜組合わせることによって所期の性能を有する２層TAB
を容易に得ることができる。

（作 用） 次に本発明による２層TABの製造方法の詳細とその作用
について、図面に基いて説明する。

第１図は、本発明の２層TABの製造法についての工程図
を示したものである。第１図に示したように、本発明の
工程は絶縁性樹脂フィルムの両面に接着剤によらずに金
属層を形成してこれを基体とし、基体両面にそれぞれリ
ード形成およびビアホール形成のためのレジストパター
ンを形成する工程、基体上面に形成されたレジストパタ
ーンに従って行なわれるリードの形成工程、基体下面に
形成されたレジストパターンに従って行なわれるビアホ
ールの形成工程およびビアホール形成後の基体下面に対
して行なわれるビアホールを除く各種ホールパターンを
有するレジストパターンの形成と該レジストパターンに
従って行なわれるグラウンド金属層の形成工程およびビ
アホール以外の各種ホールの形成工程の各工程よりなる
ものであり、また各工程中におけるリード形成手段とし
てはセミアディティブ法およびサブトラクティブ法の何
れかを、またビアホール形成手段にはエッチング法、セ
ミアディティブ法、またはこれら両者の併用法の何れか
を、またさらにグラウンド金属層およびビアホール以外
の各種ホールの形成手段としてはセミアディティブ法お
よびサブトラクティブ法の何れかを選択し採用するもの
である。

第２図および第３図はそれぞれ本発明による２層TABの
製造においてリード形成をセミアディティブ法およびサ
ブトラクティブ法によって実施した場合の加工工程の概
略を順を追って図示した工程説明図であり、第４図は本
発明によって得られた２層TABの１例の外観を示す部分
平面図である。

第２図および第３図における（ａ）は第４図におけるＸ
−Ｙ断面に、また（ｂ）はＸ′−Ｙ′断面に相当する部
分の断面図である。また、第２図および第３図における
（ａ）および（ｂ）の同列に示される図面（イ）乃至
（ト）は工程順に各工程での材料の断面状態を表わした
ものである。

なお、工程説明図中第２段目における（ロ）はビアホー
ル形成のための基体下面の銅層パターンをエッチング法
によった場合の、（ロ′）はセミアディティブ法によっ
た場合の、また（ロ″）はエッチング法とセミアディテ
ィブ法を併用した場合の断面を、また第５および第６段
目における（ホ）および（ヘ）はグラウンド金属層およ
びビアホール以外の各種ホールの形成をセミアディティ
ブ法で行なった場合の、（ホ′）および（ヘ′）はサブ
トラクティブ法で行なった場合の断面を示す。

また第５図は本発明において使用されるリードパターン
マスクの一例を、また第６図および第７図はそれぞれビ
アホールパターンマスクの一例を示したものである。ま
た、第８図および第９図は再度のレジストパターン形成
に際して使用されるビアホール以外のホールパターンを
有するフォトマスクである。

第２図および第３図において１は上面金属層、２は下面
金属層、３は絶縁性樹脂基体、４および５はそれぞれ上
面金属層１および下面金属層２に形成された感光性レジ
スト層である。

６および７は、それぞれ上下面のレジスト層４および５
上に所定の目的に従ってマスキングを施して露光現像す
ることにより形成した各種のレジストパターンである。

８は上面のレジストパターン６に従って形成したリー
ド、９はリード８形成後の上面全体に亘って被覆された
有機樹脂被膜層である。10は下面のレジストパターンに
従って形成した金属層パターンである。

11は最初のレジストパターンに従って絶縁性樹脂基体の
所定部分に形成されたビアホールである。12はビアホー
ル形成後の基体下面全体に亘って被着させた金属薄膜層
である。13は基体下面に再度形成したレジスト層、14は
レジスト層13を露光、現像して再度形成されたレジスト
パターンである。

15、16および17は再度形成されたレジストパターン14に
従って、それぞれ絶縁性樹脂基体の所定部分に形成され
た、デバイスホール、OLBホールおよびスプロケットホ
ールである。

また18は基体下面において、ビアホール11を介して上面
のリード８の一部と電気的な導通が図られるように形成
されたグラウンド金属層である。

つぎに本発明の２層TABの製造方法について基体両面に
おける金属層およびレジストパターンの形成工程、リー
ド形成工程、各種ホールの形成工程およびグラウンド金
属層の形成工程について順を追って説明する。

両面金属層の形成およびレジストパターンの形成工程： 本発明においては基本的に上下両面に金属層１および２
を接着剤によらずに被着形成されたテープ状の絶縁性樹
脂フィルムが基体３として使用される。また本発明に用
いられる絶縁性樹脂はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、
ポリアミド樹脂、フッ化炭素樹脂、ポリスルフォン樹
脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコン樹脂等である。

絶縁性樹脂フィルム基体３の上下両面に形成する金属層
１および２は該基体表面にスパッタ法、真空蒸着法、ま
たは無電解めっき法によるか或いはこれらの方法を組み
合わせて金属層を形成させるか、これらの方法にさらに
電解めっき法を組み合わせてもよく、要は絶縁性樹脂基
体３上に接着剤を施すことなく直接的に金属層を形成せ
しめる方法ならば何れの方法によるものも採用すること
ができる。基体３上に形成する金属層は電気的性能およ
びコスト面から一般には銅が採用されるが、基体３と銅
との間にクロム、ニッケル等の薄膜層が存在しても何ら
差し支えない。

基体上面に形成する金属層１の厚みはリード形成がセミ
アディティブ法によって行なわれる場合には、リード形
成に際して行なわれる金属電気めっき層の形成時におけ
る前処理でのソフトエッチングに耐え得る厚みであれば
よく、特に制限はないがさらに後述するようなリード独
立のための上面金属層１の部分的な溶解工程の作業性に
鑑みて0.5〜２μｍの範囲にあることが望ましい。

また、リード形成がサブトラクティブ法によって行なわ
れる場合には、上面金属層１の厚さはレジスト層４が形
成される前に所望のリード厚さと同等の厚さにしておく
必要がある。従って金属層１は前述したスパッタ法等
で、絶縁樹脂基体上面に先ず金属層を薄肉に形成した
後、さらにその上面に電気めっきによって所定の厚さま
でめっき金属を被着させるのがよい。通常要求されるリ
ードの厚さは約35μｍまでである。

また基体下面に形成される金属層２の厚みは、絶縁性樹
脂に対する所定のビアホール形成のための金属層パター
ン10の形成がエッチング法によって行なわれる場合に
は、金属層２はその後に行なわれる絶縁性樹脂の溶解工
程においてレジスト類似の役割を果したものであるか
ら、該絶縁性樹脂溶解のための溶解液に耐え得ること、
ピンホール欠陥等による不要部分の絶縁性樹脂の溶解や
金属層２の基体からの剥離防止を考慮する必要があるこ
と、およびレジストパターン形成後の金属層２の溶解工
程における溶解のし易さ等を考慮して２μｍ〜５μｍの
範囲とするのが適当である。

また金属層パターン10の形成をセミアディティブ法で行
なうときには、後述するようにレジストパターン７形成
後、金属層２上に電気めっきによる肉盛りを行なうの
で、電気めっきの前処理に際してのソフトエッチングに
耐えられる厚さであればよく特に制限はないが、電気め
っき後に行なわれる金属層２の溶解工程における溶解作
業のし易さを考慮すれば１μｍ未満であることが望まし
く、0.2〜１μｍ程度の厚さにするのが適当である。

またさらに、エッチング法とセミアディティブ法を併用
する場合にも、同様の理由により金属層２の厚さは0.2
〜１μｍの範囲とすることが望ましい。

基体上面に形成するレジスト層４の厚みはリード形成が
セミアディティブ法で行なわれる場合には、リードの厚
さが35μｍ以上であることが要求されていることからそ
れ以上の厚さとする必要がある。またリード形成がサブ
トラクティブ法で行なわれる場合には特に厚さの制約は
ないが、レジストパターン６形成後の金属層１の溶解に
際しての溶解後のパターン精度を考慮すると１〜10μｍ
程度が適当である。

レジストの種類は上記の厚さに塗布し得るものであっ
て、且つ上面におけるリード形成に際して行なわれる電
気めっきまたは金属層１の溶解および下面の金属層パタ
ーン10の形成に際して行なわれる金属層２の溶解等に使
用されるめっき液や溶解液に耐え得るものであれば一般
市販のもので十分であり、アクリル樹脂等に感光性の官
能基を付与することによって、光照射部分が現像時に未
溶解部として残るネガ型レジスト、ノボラック樹脂等に
感光性の官能基を付与することによって光照射部分が現
像時に溶解するポジ型レジストがあるが、フォトマスク
のパターンを反転することによって何れの型のレジスト
でも使用可能である。

また状態としては液状のものでも固形化してドライフィ
ルムとしたものでもその何れをも使用できる。

液状レジストを使用する場合には基体の金属層上への塗
布はバーコート法、ディップコート法、スピンコート法
等の一般的塗布方法のほか、レジスト液を帯電させ噴霧
状に塗布する静電塗布法を採用してもよい。

なお、金属層１および２の溶解液としては、一般的には
塩酸、硫酸、硝酸などの酸性溶液、塩化鉄溶液、塩化銅
溶液等の金属塩化物溶液、過硫酸アンモニウム溶液等の
過酸化物溶液等が用いられるのでこれらの溶液に耐え得
るものであればよいことになる。またときには溶解液と
してアルカリ性溶液を使用することもあるが、この場合
においては耐アルカリ性のレジストを用いればよい。

一般的にレジストによってパターンを形成するにはレジ
ストを塗布後レジストに含まれる溶剤を除去する必要が
ある。これはレジスト自体の強度を向上させると同時に
レジストと金属層との密着性を高めるために行なわれる
ものであり、溶剤の除去は通常乾燥処理によって行なわ
れるが、この際における処理温度はレジストの解像度を
低下させない範囲で高めにするのがよい。

また、露光、現像後に形成したパターンをより強固にす
るために加熱処理を行なうこともあるがこの場合には前
述の溶剤乾燥処理のときの温度よりも高い温度が採用さ
れる。

次に、金属層上に形成したレジスト層４および５に対し
て所望のパターンのフォトマスクを施して、それぞれに
適量の光を照射し、これを現像して、金属層１上にレジ
ストパターン６を、また金属層２上にレジストパターン
７を形成するのであるが、基体上面のレジスト層４には
現像後主としてリード形成のためのレジストパターンが
形成されるようなフォトマスクを、下面のレジスト層５
には主としてビアホールパターンが形成されるようなフ
ォトマスクが使用される。

基体上面のリードを形成するためのフォトマスクは例え
ば第５図に示すようなものが挙げられるが、この他スプ
ロケットホールの如きホールパターンを併有してもよ
い。

また、基体下面のビアホール形成のためのフォトマスク
は、例えば第６図またはこれを反転して得られる第７図
に示されるようなものを例として挙げることができる。

レジストの感光のために照射する光の波長等はレジスト
の特性によって決定されるが、一般的には紫外線が使用
される。またここで云うフォトマスクとはガラスや透光
性のプラスチックフィルムに銀等を含む乳剤やクロム等
の金属を焼き付けたものを云う。

露光方法としてはレジスト面とフォトマスクを密着させ
て行なう密着露光法と、レジスト面とフォトマスクを一
定の距離を隔てて平行に並べて行なう投影露光法とがあ
るが、本発明においては何れの方法を採用してもよい。

（以上第２図および第３図（イ）、（ロ）、（ロ′）お
よび（ロ″）参照） リード形成工程： リード形成をセミアディティブ法で行なうには基体上面
に形成したレジストパターン６に従って生じた金属層１
の露出部分に電気めっきによって積層後の金属層が所望
のリード厚み、つまり35μｍ以上の厚みになるように金
属めっき層を積層してリード前形体を形成した後、レジ
ストパターン６を溶解除去し、さらにレジストパターン
６除去後の基体上面の金属層１を溶解除去してリード８
を電気的に独立した状態にする。

またリード形成をサブトラクティブ法によって行なう場
合には基体上面に形成したレジストパターン６に従って
生ずる金属層１の露出部分を溶解することによってリー
ド８を形成する。金属層１の溶解は浸漬法、スプレー法
いずれを使用してもよく、またこれらの方法を組合わせ
ておこなってもよい。

リード形成後、基体上面全体に亘って有機樹脂被膜９を
被覆する。この有機樹脂被膜９による被覆はこれに続く
絶縁性樹脂の溶解によって表面に露出した絶縁性樹脂の
保護をする役割を有する。

これに用いられる有機樹脂は絶縁性樹脂の溶解液に耐え
得るものであればよく、絶縁性樹脂にポリイミド樹脂を
使用する場合には、その溶解液には強アルカリ性溶液が
使用されるのでゴム系、エポキシ系、シリコン系の有機
樹脂等を使用すればよい。

（以上第２図および第３図（ロ）、（ロ′）、（ロ″）
および（ハ）参照） ビアホールの形成工程： ビアホール形成をエッチング法によって行なう場合に
は、先ず基体下面に形成したレジストパターン７に従っ
て生じた金属層２の露出部分を溶解して金属層パターン
10を形成し、この金属層パターン10を形成することによ
って露出した絶縁性樹脂３を溶解してビアホール11を形
成する。

この絶縁性樹脂の溶解はポリイミド樹脂の場合には抱水
ヒドラジン、水酸化アルカリ等の強アルカリ性溶液を単
独もしくは混合し、さらにはメチルアルコール、エチル
アルコール、プロピルアルコール等を混合した溶液で行
なう。

またビアホールの形成をセミアディティブ法によって行
なう場合には基体下面に形成されたレジストパターン７
に従って生じた金属層２の露出部分に電気めっきを施し
金属層の肉盛りを行なう。

この電気めっきを行なった後の金属層は後述する絶縁性
樹脂の溶解工程においてレジストと類似の役割を果たす
ものであるから当然絶縁性樹脂の溶解液に耐え得ること
が必要であり、またさらにピンホール等の欠陥等による
絶縁性樹脂の不必要部分の溶解や溶解作業の実施に際し
ての金属層２の剥離防止等を考慮してその厚さを決定し
なければならない。

この意味から電気めっきによる積層後の金属層の厚さは
２μｍ以上好ましくは２〜５μｍ程度の範囲にするのが
適当である。

しかる後、レジストパターン７およびその下に存在する
金属層２を溶解して金属層パターン10を形成する。次い
で金属層パターン10形成によって基体下面に露出した絶
縁性樹脂３の露出部分を溶解してビアホール11を所定の
位置に形成させることができる。

また、ビアホールの形成をエッチング法およびセミアデ
ィティブ法を併用して行なう場合には、基体下面に形成
したレジストパターン７に従って露出した金属層２の露
出部分を溶解し、次いでレジストパターン７のレジスト
を溶解してその下に存在する金属層２を露出させ、その
上に電気めっきによって金属層を肉盛りして金属層パタ
ーン10を形成させる。このときの積層後の金属層パター
ン10の厚さは２〜５μｍ程度とするのが適当であること
は前述した通りである。

金属層パターン10形成後、絶縁性樹脂の露出部分を溶解
してビアホール11の形成を行なうものであることは前述
したものと何等変わるものでない。

この絶縁性樹脂の溶解には、溶解可能な溶液中に基体を
浸漬してビアホール11に該当する部分の絶縁性樹脂を溶
解する所謂湿式エッチング法の外に、露出した絶縁性樹
脂にレーザー光線を照射して被照射部の樹脂を溶解する
方法がある。

後者のレーザーを使用する方法では、炭酸ガスレーザー
やエキシマレーザーを使用することが可能であるが、こ
の場合においてはマスクと類似の役目を果たす金属層パ
ターン10に損傷を与えないようにレーザーのパワー調節
を十分に行なう必要である。なお、ビアホール及び後述
するビアホールを除く所定の各種ホールをレーザーによ
って溶解形成する方法においては、リード８形成後の基
体上面に施される有機樹脂膜による被覆を省略すること
ができる。

この工程において形成されるビアホール11の形状は真
円、楕円、正方形、長方形等の形状が考えられるが、こ
のビアホールは基体上面に形成されたリード８と基体下
面側のグラウンド金属層18との導通をはかることが目的
であるからその形状は特にこだわるものでない。

次に導通処理方法を用いてビアホール11側面の絶縁性樹
脂膜の露出部分をメタライズしつつ、基体下面全面に亘
って金属薄膜層12の形成を行なう。この金属薄膜層12の
形成はその後のグラウンド金属層18の形成工程に必要な
ものである。

この金属薄膜層12の形成に当たってはスパッタ法、真空
蒸着法、等の乾式金属被着法や無電解めっき法等の湿式
金属被着法の何れも採用することができる。

（以上第２図および第３図（ハ）、（ニ）および（ホ）
参照） ビアホール以外の所定の各種ホールの形成およびグラウ
ンド金属層の形成工程： グラウンド金属層18の形成をセミアディティブ法によっ
て行なうには、金属薄膜層12の上に再度レジスト層13を
形成し、ビアホール以外のホールパターンを有するフォ
トマスクを施して露光、現像してデバイスホール15、OL
Bホール16、スプロケットホール17上にレジストが残る
ようにレジストパターン14を形成する。

該フォトマスクの例としては、例えば第８図に示すよう
なパターンを挙げることができる。

上記の如くしてレジストパターン14を形成することによ
って生じた金属薄膜層12の露出部分に金属電気めっき層
を積層し、次にレジストパターン14によるレジストを除
去し、次いでその下に存在する金属薄膜層12の露出部分
およびその下に存在する金属層パターン10を溶解除去
し、これによって露出した絶縁性樹脂の露出部を溶解除
去することによって、基体下面のビアホール以外の所定
の各種ホールを形成するとともにビアホール以外の各種
ホールを除く部分全体に亘ってグラウンド金属層18を形
成した基体を得ることができる。なお、電解めっきによ
って金属薄膜層12上に積層してグラウンド金属層18を形
成する電気めっき金属の厚さは５〜30μｍ程度とするの
がよい。

また、グラウンド金属層18の形成をサブトラクティブ法
によって行なうときは、先ず金属薄膜層12上に電気めっ
きによってめっき金属を積層しグラウンド金属層（金属
めっき層）18を形成する。この厚さは前記したように５
〜30μｍが適当である。

次に、上記グラウンド金属層18上にレジスト層13を形成
して、これにビアホール以外のホールパターンを有する
フォトマスクを施して露光、現像してデバイスホール1
5、OLBホール16およびスプロケットホール17上にレジス
トが残らないようにしてレジストパターン14を形成す
る。該フォトマスクの例としては例えば第９図に示すよ
うなパターンを挙げることができる。レジストパターン
14の形成によって露出したグラウンド金属層18の露出部
分およびその下に存在する金属薄膜層12並びに金属層パ
ターン10を溶解することによって絶縁性樹脂を露出さ
せ、この絶縁性樹脂露出部を溶解除去することによって
絶縁性樹脂の所定の部分にビアホール以外の所定の各種
ホールを形成させるとともにビアホール以外の所定の各
種ホールを除く部分全体に亘ってグラウンド金属層18を
形成させることができる。

この工程において使用されるレジストは始めにレジスト
層４および５の形成に使用したレジストと同等のものが
使用可能であり、レジストパターン14形成のための露
光、現像や金属層の溶解等の手順も最初に行なわれたレ
ジストパターン６および７形成に際して行なわれた手順
に準じて行なえばよい。

最後に基体上面に被覆された有機樹脂被膜９を除去して
２層TAB製品が完成する。

（以上第２図および第３図（ホ）、（ホ′）、（ヘ）、
（ヘ′）、および（ト）参照） 以上述べたように本発明の方法によるときは、各工程に
おいて状況に応じ、種々の手段を活用することによって
的確に基体上面のリードの形成、絶縁性樹脂基体に対す
る各種ホールの形成および基体下面のグラウンド金属層
の形成を行なうことができ、また基体上面のリードと下
面のグラウンド金属とをビアホールを介して確実に導通
させることができる。

本発明によって得られた２層TABは用途に応じ、金属露
出部をさらに金めっきまたは錫めっき等で全面的に或い
は部分的に被覆して実用に供される。

（実施例） 次に本発明の実施例について述べる。

実施はリードの形成、ビアホールの形成およびビアホー
ル以外の各種ホールの形成並びにグラウンド金属層の形
成についてその形成手段を変えて網羅的に行ない、実施
番号横にその手段別を順に以下の記号で示した。

リード形成、 A:セミアディティブ法 B:サブトラクティブ法 ビアホール形成、 A:エッチング法 B:セミアディティブ法 C:併用法 各種ホールおよび A:セミアディティブ法 グラウンド金属層形成 B:サブトラクティブ法 実施例１（Ａ・Ａ・Ａ） 15cm×15cmの大きさのポリイミド樹脂フィルム状基体
（東レ・デュポン社製、カプトン200H、厚さ50μｍ）の
両面に対し、硫酸銅10g/、EDTA60g/、ホルマリン6m
l/、ジピリジル30mg/、ポリエチレングリコール0.5
g/の組成を有する無電解銅めっき液を用いてpH12.5と
して70℃で10分間の浸漬処理を行ない、約0.2μｍの無
電解銅めっき被膜を形成後、さらに硫酸銅100g/、硫
酸180g/の組成を有する電気銅めっき液を用いて電流
密度2A/dm²で電解を行ない上面に厚さ１μｍ、下面に厚
さ２μｍの下地銅層を形成させた。

次に基体上面における下地銅層上にPMER・HC600（東京
応化社製、ネガ型フォトレジスト）を約40μｍの厚さ
に、また下面における下地銅層上にPMER・HC40（東京応
化社製、ネガ型フォトレジスト）を約５μｍの厚さにそ
れぞれバーコーターを用いて塗布し、それぞれ70℃で30
分間乾燥処理した後、上面のレジスト層には48mm×48mm
の大きさで、インナーリードピッチ160μｍ、インナー
リード幅70μｍ、リード数244本のTABパターンを田の字
形に配列して形成したガラス製のフォトマスクをレジス
ト面に密着させて900mJの紫外線を照射し、下面のレジ
スト層には上面と同様の大きさのガラス製で、上面のTA
Bパターンに対応したビアホール８個を形成したフォト
マスクを密着させて、200mJの紫外線を照射して露光を
行なった。

なお紫外線の照射は超高圧水銀灯（オーク製作所社製）
を使用した。

次に両面のレジスト層をPMER現像液（東京応化社製）を
用いて上面側は25℃で７分間、下面側は25℃で２分間現
像して所定のTABパターンを得た後、110℃で30分間乾燥
処理を行なった。

次に下面側は塩化銅溶液200g/を用いて50℃で３分間
処理して露出した下地銅層を溶解し、一方上面側は電流
密度2A/dm²で50分間前述した電気銅めっき液を用いて電
解を行ない、厚さ約35μｍの銅によるリード前形体を形
成した。

しかる後に基体を水酸化ナトリウム４％溶液中において
50℃で１分間処理して両面のレジストを除去し、上面の
下地銅層を塩化銅100g/、塩化アンモニウム100g/、
炭酸アンモニウム20g/、アンモニア水400ml/の組成
からなるアンモニア系アルカリ性溶液で溶解して各リー
ドを独立させ、次いで有機樹脂膜としてFSR（富士薬品
社製）を使用して基体上面全体に亘り約10μｍの厚さに
塗布して、130℃で30分乾燥することによって被覆し
た。

次にエチルアルコールと水酸化カリウム１規定溶液を容
量比で1:1に混合した液を用い、50℃で４分間浸漬して
基体下面におけるポリイミド樹脂の露出部分を溶解し
て、ビアホールを形成した。

その後、さらに前述した無電解銅めっきで下面全面に亘
って銅薄膜層を形成後、PMER・HC 600を約20μｍの厚さ
にバーコーターを使用して塗布し、70℃で30分間乾燥処
理した後にデバイスホール、OLBホール、スプロケット
ホール部のみを透光するように形成したフォトマスクを
施して紫外線を400mJ照射し、前述した現像液を用いて2
5℃で３分間処理して、所定のレジストパターンを得た
後、110℃で30分間乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで基体下面の露出した銅層上に
約20μｍの銅グラウンド層を形成した後、残留レジスト
を水酸化ナトリウム４％水溶液中を用いて50℃で１分間
処理して除去し、前述の塩化銅溶液で50℃で３分間処理
して下面のレジストパターン下にあった下地銅層を溶解
除去してポリイミドを露出させた。この溶解操作によっ
て先に形成した約20μｍの銅層は約17μｍに減少してい
た。露出したポリイミドを前記したと同様の溶解条件で
溶解しデバイスホール、OLBホール、スプロケットホー
ルを形成した。

さらに上面の有機樹脂膜をFSR剥離液（富士薬品社製）
を用いて、70℃で15分間の処理を行なって剥離除去し、
上面に所定のリードを有し、下面に銅のグラウンド金属
層を有し、上下の金属部をビアホールによって導通させ
た２層TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されたものが得られた。

実施例２（Ａ・Ａ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きによって上面の下地銅層の厚さを１μｍに、また下面
の下地銅層の厚さを２μｍに調整した基体を用い、実施
例１と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例１
と同様に２層TABを得ることができた。

実施例３（Ａ・Ａ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの銅めっき被膜を形成後、さらに
前述の電気銅めっきで上面の厚さ１μｍ、下面の厚さ２
μｍの下地銅層を形成させた。

次に基体上面の下地銅層上にPMER・HC 600を約40μｍの
厚さに、また下面の下地銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジスト層には
実施例１で用いたリードパターンを有するフォトマスク
をレジスト面に密着させて900mJの紫外線を照射し、下
面のレジスト層には実施例１で用いたビアホールパター
ンを有するフォトマスクを密着させて、200mJの紫外線
を照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して、所定のTABパターンを
得た後、乾燥した。

次に下面側は前述の塩化銅溶液で露出した下地銅層を溶
解し、一方上面側は前述の電気銅めっきで、厚さ約35μ
ｍの銅によるリード前形体を形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、上面の下地銅層を
前述のアンモニア系アルカリ性溶液で溶解して各リード
を独立させ、次いで基体上面全体をFSRから成る有機樹
脂膜で被覆した。

次に前述のポリイミド溶解液で基体下面におけるポリイ
ミド樹脂の露出部分を溶解して、ビアホールを形成し
た。

次に前述の無電解銅めっきで下面全体に亘って銅薄膜層
を形成後、前述の電気銅めっき液を用いて電流密度2A/d
m²で25分間電解を行ない、下面全体に約20μｍの銅層を
形成した。この銅層上にPMER・HC 40を約５μｍの厚さ
に塗布し、乾燥後に実施例１で用いたビアホールを除く
ホールパターンの白黒を反転したフォトマスクを介して
200mJの紫外線を照射後、PMER現像液を用いて25℃で３
分間処理して、所定のレジストパターンを得た後、110
℃で30分間乾燥した。

次に前述の塩化銅溶液を用いて50℃で15分間処理して、
下面側の露出した銅層を溶解してポリイミド樹脂を露出
させ、残留レジストを除去した。

露出したポリイミドを前記したと同様の溶解条件で溶解
しデバイスホール、OLBホール、スプロケットホールを
形成した。

さらに上面の有機樹脂膜をFSR剥離液を用いて70℃で15
分間の処理を行なって、剥離除去し、上面に所定のリー
ドを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有し、上下の
金属部をビアホールによって導通させた２層TABを得る
ことができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されたものが得られた。

実施例４（Ａ・Ａ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きによって上面の下地銅層の厚さを１μｍに、また下面
の下地銅層の厚さを２μｍに調整した基体を用い、実施
例３と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例３
と同様に２層TABを得ることができた。

実施例５（Ａ・Ｂ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの銅めっき被膜を形成後、さらに
前述の電気銅めっきで上面に厚さ１μｍの下地銅層を形
成させた。

次に基体上面の下地銅層上にPMER・HC 600を約40μｍの
厚さに、また下面の下地銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジスト層には
実施例１で用いたリードパターンを有するフォトマスク
をレジスト面に密着させて900mJの紫外線を照射し、下
面のレジスト層には実施例１で用いたビアホールパター
ンの白黒を反転させたフォトマスクを密着させて、200m
Jの紫外線を照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して、所定のTABパターンを
得た後、乾燥した。

次に上面は前述した電気銅めっきで、厚さ約35μｍの銅
によるリード前形体を形成した。一方下面は前述の電気
銅めっきを用いて電流密度2A/dm²で13分間電気めっきを
行ない、下面の下地銅層の厚さを約３μｍに調整した。

しかる後に両面のレジストを除去し、上面の下地銅層を
前述のアンモニア系アルカリ性溶液で溶解して各リード
を独立させ、次いで基体上面全体をFSRから成る有機樹
脂膜で被覆した。

下面側は前述の塩化銅溶液を用いて50℃で30秒間浸漬処
理を行なってレジストパターン下にあった下地銅層を溶
解して、ポリイミドを露出させた。

次に前述のポリイミド溶解液で基体下面におけるポリイ
ミド樹脂の露出部分を溶解して、ビアホールを形成し
た。

その後、さらに前述した無電解銅めっきで下面全体に亘
って銅薄膜層を形成後、PMER・HC 600を約20μｍの厚さ
に塗布し、乾燥処理した後に実施例１で用いたビアホー
ルを除くホールパターンを有するフォトマスクを施して
紫外線を400mJ照射後、現像して、所定のレジストパタ
ーンを得た後、乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面側の露出した銅層上に約
18μｍの銅のグラウンド層を形成した後、残留レジスト
を除去し、前述の塩化銅溶液を用いて50℃で30秒間処理
して下面のレジストパターン下にあった下地銅層を溶解
除去してポリイミドを露出させた。この溶解操作によっ
て先に形成した約20μｍの銅層は約17μｍに減少してい
た。

露出したポリイミドを前記したと同様の溶解条件で溶解
しデバイスホール、OLBホール、スプロケットホールを
形成した。

さらに上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に
所定のリードを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されたものが得られた。

実施例６（Ａ・Ｂ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きによって上面の下地銅層の厚さを１μｍに調整した基
体を用い、実施例５と同様の手順で各処理を行なったと
ころ、実施例５と同様に２層TABを得ることができた。

実施例７（Ａ・Ｂ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの銅めっき被膜を形成後、さらに
前述の電気銅めっきで上面に厚さ１μｍの下地銅層を形
成させた。

次に基体上面の下地銅層上にPMER・HC 600を約40μｍの
厚さに、また下面の下地銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジスト層には
実施例１で用いたリードパターンを有するフォトマスク
をレジスト面に密着させて900mJの紫外線を照射し、下
面のレジスト層には実施例５で用いたビアホールパター
ンを有するフォトマスクを密着させて、200mJの紫外線
を照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥した。

次に上面側は前述の電気銅めっきで、厚さ約35μｍの銅
によるリード前形体を形成した。一方下面側は前述の電
気銅めっきで、下面の下地銅層の厚さを約３μｍに調整
した。

しかる後に両面のレジストを除去し、上面の下地銅層を
前述のアンモニア系アルカリ性溶液で溶解して各リード
を独立させ、次いで基体上面全体をFSRから成る有機樹
脂膜で被覆した。

下面側は前述の塩化銅溶液を用いて50℃で30秒間浸漬処
理を行なってレジストパターン下にあった下地銅層を溶
解して、ポリイミドを露出させた。

次に前述のポリイミド溶解液で基体下面におけるポリイ
ミド樹脂の露出部分を溶解して、ビアホールを形成し
た。

次に前述の無電解銅めっきで下面全体に亘って銅薄膜層
を形成後、前述の電気銅めっきで、下面全体に約20μｍ
の銅層を形成した。この銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに塗布し、乾燥後に実施例３で用いたビアホー
ルを除くホールパターンを有するフォトマスクを介して
200mJの紫外線を照射後、現像して、所定のレジストパ
ターンを得た後、乾燥した。

次に前述の塩化銅溶液で、下面側の露出した銅層を溶解
してポリイミド樹脂を露出させ、残留レジストを除去し
た。

露出したポリイミドを前記したと同様の溶解条件で溶解
しデバイスホール、OLBホール、スプロケットホールを
形成した。

さらに上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に
所定のリードを有し、下面に銅のグラウンド層を有し、
上下の金属部をビアホールによって導通させた２層TAB
を得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例８（Ａ・Ｂ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きによって上面の下地銅層の厚さを１μｍに、また下面
の下地銅層の厚さを２μｍに調整した基体を用い、実施
例３と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例３
と同様に２層TABを得ることができた。

実施例９（Ａ・Ｃ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの銅めっき被膜を形成後、さらに
前述の電気銅めっきで上面に厚さ１μｍの下地銅層を形
成させた。

次にその上面の下地銅層上にPMER・HC 600を約40μｍの
厚さに、また下面の下地銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジスト層には
実施例１で用いたリードパターンを有するフォトマスク
をレジスト面に密着させて900mJの紫外線を照射し、下
面のレジスト層には実施例１で用いたビアホールパター
ンを有するフォトマスクを密着させて、200mJの紫外線
を照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像後、乾燥処理を行ない、所定
のTABパターンを得た。

次に下面側は前述の塩化銅溶液を用いて50℃で１分間処
理浸漬処理を行なって露出した下地銅層を溶解し、一方
上面側は前述の電気銅めっきで、厚さ約35μｍの銅によ
るリード前形体を形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、上面の下地銅層を
前述のアンモニア系アルカリ性溶液で溶解して各リード
を独立させ、次いで基体上面全体をFSRから成る有機樹
脂膜で被覆した。

次に下面側は前述の電気銅めっきを用いて、電流密度2A
/dm²で13分間電気めっきを行ない、基体下面の下地銅層
パターンの厚さを約３μｍに調整した。

次に前述のポリイミド溶解液で基体下面におけるポリイ
ミド樹脂の露出部分を溶解して、ビアホールを形成し
た。

その後、さらに前述した無電解銅めっきで下面全体に亘
って銅薄膜層を形成後、PMER・HC 600を約20μｍの厚さ
に塗布し、乾燥処理した後に実施例１で用いたビアホー
ルを除くホールパターンを有するフォトマスクを施して
紫外線を400mJ照射後、現像して、所定のレジストパタ
ーンを得た後、乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面側の銅露出部に約18μｍ
の銅のグラウンド層を形成した後、残留レジストを除去
し、前述の塩化銅溶液で下面のレジストパターン下にあ
った下地銅層を溶解除去してポリイミドを露出させた。
この溶解操作によって先に形成した約20μｍの銅層は約
17μｍに減少していた。

露出したポリイミドを前記したと同様の溶解条件で溶解
したデバイスホール、OLBホール、スプロケットホール
を形成した。

さらに上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に
所定のリードを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されたものが得られた。

実施例10（Ａ・Ｃ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きによって上面の下地銅層の厚さを１μｍに調整した基
体を用い、実施例９と同様の手順で各処理を行なったと
ころ、実施例９と同様に２層TABを得ることができた。

実施例11（Ａ・Ｃ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの銅めっき被膜を形成後、さらに
前述の電気銅めっきで上面に厚さ１μｍの下地銅層を形
成させた。

次にその上面の下地銅層上にPMER・HC 600を約40μｍの
厚さに、また下面の下地銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジスト層には
実施例１で用いたリードパターンを有するフォトマスク
をレジスト面に密着させて900mJの紫外線を照射し、下
面のレジスト層には実施例５で用いたビアホールパター
ンを有するフォトマスクを密着させて、200mJの紫外線
を照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像後、所定のTABパターンを得
た後、乾燥した。

次に下面側は前述の塩化銅溶液で露出した下地銅層を溶
解し、一方上面側は前述の電気銅めっきで、厚さ約35μ
ｍの銅によるリード前形体を形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、上面の下地銅層を
前述のアンモニア系アルカリ性溶液で溶解して各リード
を独立させ、次いで基体上面全体をFSRから成る有機樹
脂膜で被覆した。

次に下面全体に亘って前述の電気銅めっきで、基体下面
の下地銅層パターンの厚さを約３μｍに調整した。

次に前述のポリイミド溶解液で基体下面におけるポリイ
ミド樹脂の露出部分を溶解して、ビアホールを形成し
た。

次に前述の無電解銅めっきで下面全体に亘って銅薄膜層
を形成後、前述の電気銅めっきで、下面全体に約20μｍ
の銅層を形成した。この銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに塗布し、乾燥後に実施例３で用いたビアホー
ルを除くホールパターンを有するフォトマスクを介して
200mJの紫外線を照射後、現像して、所定のレジストパ
ターンを得た後、乾燥した。

次に前述の塩化銅溶液で、下面側の露出した銅層を溶解
してポリイミド樹脂を露出させ、残留レジストを除去し
た。

露出したポリイミドを前記したと同様の溶解条件で溶解
しデバイスホール、OLBホール、スプロケットホールを
形成した。

さらに上面の有機樹脂膜をFSR剥離液を用いて除去し、
上面に所定のリードを有し下面に銅のグラウンド層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例12（Ａ・Ｃ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きによって上面の下地銅層の厚さを１μｍに、また下面
の下地銅層の厚さを２μｍに調整した基体を用い、実施
例11と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例11
と同様に２層TABを得ることができた。

実施例13（Ｂ・Ａ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体両面に対して、前述の無電解
銅めっきで、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成
後、さらに前述の電気銅めっきで上面に厚さ35μｍの銅
層を、下面に厚さ２μｍの下地銅層を形成させた。

次にその上下面における銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに、バーコーターを用いて塗布し、それぞれ70
℃で30分乾燥処理した後、上面のレジスト層には実施例
１で用いたリードパターンの白黒を反転したフォトマス
クをレジスト面に密着させて200mJの紫外線を照射し、
下面のレジスト層には実施例１で用いたビアホールパタ
ーンを有するフォトマスクを密着させて200mJの紫外線
を照射して露光を行なった。

次に両面のレジストをPMER現像液を用いて25℃で２分間
現像してそれぞれ所定のTABパターンを得た後、110℃で
30分間乾燥処理を行った。

次に、下面側は前述の塩化銅溶液を用いて50℃で３分間
浸漬処理を行なって露出した下地銅層を溶解し、一方上
面側は前述の塩化銅溶液を用いて50℃で20分間処理を施
すことによって厚さ約35μｍのリードを形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、次いで基体上面全
体をFSRから成る有機樹脂膜で被覆した。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて基体下面における
ポリイミド樹脂の露出部分を溶解して、ビアホールを形
成した。

その後、さらに前述の無電解銅めっきで下面全面に亘っ
て銅薄膜層を形成後、PMER・HC 600を約20μｍの厚さに
バーコーターで塗布し、70℃で30分間乾燥処理した後に
実施例１で用いたビアホールを除くホールパターンを有
するフォトマスクを施して紫外線を400mJを照射後、現
像して所定のレジストパターンを得た後、乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面の露出した銅層上に約20
μｍの銅のグラウンド層を形成した後、残留レジストを
除去して前述の塩化銅溶液で下面のレジストパターン下
にあった銅層を溶解除去して、ポリイミド樹脂を露出さ
せた。この溶解工程によって先に形成した約20μｍの銅
層は約17μｍに減少していた。露出したポリイミドを前
記したと同様の溶解条件で溶解し、デバイスホール、OL
Bホール、スプロケットホールを形成した。

さらに上面の有機樹脂膜をFSR剥離液を用いて70℃で15
分間の処理を行なって、剥離除去し、上面に所定のリー
ドを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有し、上下の
金属部をビアホールによって導通させた２層TABを得る
ことができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例14（Ｂ・Ａ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きで上面の銅層の厚さを35μｍに、また下面の下地銅層
の厚さを２μｍに調整した基体を用い、実施例13と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例13と同様に２
層TABを得ることができた。

実施例15（Ｂ・Ａ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として用いて基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、無電解銅めっき被膜を形成後、さらに前述の
電気銅めっきで上面は厚さ35μｍの銅層、下面は厚さ２
μｍの下地銅層を形成させた。

次に基体上下面における銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに塗布し、乾燥処理した後、上面のレジスト層
に実施例13で用いたリードパターンを有するフォトマス
クをレジスト面に密着させて200mJの紫外線を照射し、
下面のレジスト層には実施例１で用いたビアホールパタ
ーンを有するフォトマスクを密着させて200mJの紫外線
を照射して露光を行なった。

次の両面のレジストを現像してそれぞれ所定のTABパタ
ーンを得た後、乾燥処理を行なった。

次に、下面側は前述の塩化銅溶液を用いて露出した下地
銅層を溶解し、一方上面側は塩化銅溶液を用いて厚さ約
35μｍのリードを形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、次に基体上面全体
をFSRからなる有機樹脂被膜で被覆した。

次に前述したポリイミド溶解液を用いて基体下面におけ
るポリイミド樹脂の露出部分を溶解して、ビアホールを
形成した。

その後、さらに前述の無電解銅めっきで下面全面に亘っ
て銅薄膜層を形成後、前述の電気銅めっきで下面全体に
約20μｍの銅層を形成した。この銅層上にPMER・HC 40
を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理した後に実施例３
で用いたビアホールを除くホールパターンを有するフォ
トマスクを施して紫外線を200mJ照射し、前述の現像液
を用いて25℃で３分間処理後、110℃で30分間乾燥し、
所定のレジストパターンを得た。

次に前述の塩化銅溶液を用いて50℃で15分間処理して、
下面の露出した銅層を溶解してポリイミド樹脂を露出さ
せた後、残留レジストを除去した。露出したポリイミド
を前記した溶解条件で溶解し、デバイスホール、OLBホ
ール、スプロケットホールを形成した。

さらに上面の有機樹脂膜をFSR剥離液を用いて70℃で15
分間の処理を行なって、剥離除去し、上面に所定のリー
ドを有し、下面に銅のグラウンド金属層を有し、上下の
金属部をビアホールによって導通させた２層TABを得る
ことができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例16（Ｂ・Ａ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きによって上面の銅層の厚さを35μｍに、また下面の下
地銅層の厚さを２μｍに調整した基体を用い、実施例15
と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例15と同
様に２層TABを得ることができた。

実施例17（Ｂ・Ｂ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として用いて基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成後、
さらに前述の電気銅めっきで、上面の銅層の厚さを35μ
ｍにした。

次にその上下面における銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジスト層には
実施例13で用いたリードパターンを有するフォトマスク
をレジスト面に密着させて200mJの紫外線を照射し、下
面のレジスト層には実施例５で用いたビアホールパター
ンを有するフォトマスクを密着させて200mJの紫外線を
照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に上面側は前述の塩化銅溶液で厚さ約35μｍのリード
を形成した。一方下面側は前述の電気めっき液を用いて
電流密度2A/dm²で13分間電気銅めっきを行ない、下面の
銅層の厚みを約３μｍに調整した。

しかる後に両面のレジストを除去し、次に基体上面全体
をFSRよりなる有機樹脂被膜で被覆した。

下面側は前述の塩化銅溶液を用いて50℃で30秒間浸漬処
理を行なってレジストパターン下にあった下地銅層を溶
解して、ポリイミドを露出させた。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて基体下面における
ポリイミド樹脂の露出部分を溶解して、ビアホールを形
成した。

その後、さらに前述の無電解銅めっきで下面全面に亘っ
て銅薄膜層を形成後、PMER・HC 600を約20μｍの厚さに
塗布し、乾燥処理した後に実施例１で用いたビアホール
を除くホールパターンを有するフォトマスクを施して紫
外線を400mJ照射後、現像して、所定のレジストパター
ンを得た後、乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面の露出した銅層上に約20
μｍの銅のグラウンド層を形成した後、残留レジストを
除去して前述の塩化銅溶液で下面のレジストパターン下
にあった下地銅層を溶解除去して、ポリイミド樹脂を露
出させた。この溶解工程によって先に形成した約20μｍ
の銅層は約17μｍに減少していた。

露出したポリイミドを前記したと同様の溶解条件で溶解
し、デバイスホール、OLBホール、スプロケットホール
を形成した。

さらに上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に
所定のリードを有し、下面に銅のグラウンド層を有し、
上下の金属部をビアホールによって導通させた２層TAB
を得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例18（Ｂ・Ｂ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きによって上面の銅層の厚さを35μｍに調整した基体を
用い、実施例17と同様の手順で各処理を行なったとこ
ろ、実施例17と同様に２層TABを得ることができた。

実施例19（Ｂ・Ｂ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として用いて基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成後、
さらに前述の電気銅めっきで上面の銅層の厚さを35μｍ
とした。

次にその上下面における銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジスト層には
実施例13で用いたリードパターンを有するフォトマスク
をレジスト面に密着させて200mJの紫外線を照射し、下
面のレジスト層には実施例５で用いたビアホールパター
ンを有するフォトマスクを密着させて200mJの紫外線を
照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像し、所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に上面側は前述の塩化銅溶液で厚さ約35μｍのリード
を形成した。一方下面側は前述の電気めっきで、下地銅
層の厚みを約３μｍに調整した。

しかる後に両面のレジストを除去し、次に基体上面全体
をFSRよりなる有機樹脂被膜で被覆した。

下面側は前述の塩化銅溶液でレジストパターン下にあっ
た下地銅層を溶解して、ポリイミドを露出させた。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて基体下面における
ポリイミド樹脂の露出部分を溶解して、ビアホールを形
成した。

その後、さらに前述の無電解銅めっきで下面全面に亘っ
て銅薄膜層を形成後、前述の電気銅めっきで下面全体に
約20μｍの銅層を形成した。この銅層上にPMER・HC 40
を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理した後に実施例３
で用いたビアホールを除くホールパターンを有するフォ
トマスクを施して紫外線を200mJ照射後、現像して、所
定のレジストパターンを得た後、乾燥した。

次に前述の塩化銅溶液で下面の露出した銅層を溶解し、
ポリイミド樹脂を露出させた後、残留レジストを除去し
た。

露出ポリイミドを前記した溶解条件で溶解し、デバイス
ホール、OLBホール、スプロケットホールを形成した。

さらに上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に
所定のリードを有し、下面に銅のグラウンド層を有し、
上下の金属部をビアホールによって導通させた２層TAB
を得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例20（Ｂ・Ｂ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きによって上面の銅層の厚さを35μｍに調整した基体を
用い、実施例19と同様の手順で各処理を行なったとこ
ろ、実施例19と同様に２層TABを得ることができた。

実施例21（Ｂ・Ｃ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として用いて基体両面に前述の無電解銅めっき
で、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成後、さらに
前述の電気銅めっきで電解を行ない上面の銅層の厚さを
35μｍにした。

次にその上下面における銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに塗布し、乾燥処理後、上面のレジスト層には
実施例13で用いたリードパターンを有するフォトマスク
をレジスト面に密着させて200mJの紫外線を照射し、下
面のレジスト層には実施例１で用いたビアホールパター
ンを有するフォトマスクを密着させて200mJの紫外線を
照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥した。

次に、下面側は前述の塩化銅溶液を用いて50℃で１分間
浸漬処理を行なって露出した下地銅層を溶解し、一方上
面側は塩化銅溶液で厚さ約35μｍのリードを形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、次に基体上面全体
をFSRよりなる有機樹脂被膜で被覆した。

次に下面全体に亘って前述の電気銅めっきで、基体下面
の下地銅層パターンの厚みを約３μｍとした。

次に前述のポリイミド溶解液で基体下面におけるポリイ
ミド樹脂の露出部分を溶解して、ビアホールを形成し
た。

その後、さらに前述の無電解銅めっきで下面全面に亘っ
て銅薄膜層を形成後、PMER・HC 600を約20μｍの厚さに
塗布し、乾燥処理した後に実施例１で用いたビアホール
を除くホールパターンを有するフォトマスクを施して紫
外線を400mJ照射後、現像して、所定のレジストパター
ンを得た後、乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面の露出した銅層上に約20
μｍの銅のグラウンド層を形成後、残留レジストを除去
して前述の塩化銅溶液で下面のレジストパターン下にあ
った銅層を溶解除去してポリイミドを露出させた。この
溶解操作によって先に形成した約20μｍの銅層は約17μ
ｍに減少していた。露出したポリイミドを前記した溶解
条件で溶解し、デバイスホール、OLBホール、スプロケ
ットホールを形成した。

さらに上面の有機樹脂膜をFSR剥離液で除去し、上面に
所定のリードを有し、下面に銅のグラウンド層を有し、
上下の金属部をビアホールによって導通させた２層TAB
を得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例22（Ｂ・Ｃ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きで上面の銅層の厚さを35μｍに調整した基体を用い、
実施例21と同様の手順で各処理を行なったところ、実施
例21と同様に２層TABを得ることができた。

実施例23（Ｂ・Ｃ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として用いて基体両面に対し、前述の無電解銅
めっきで、約0.2μｍの無電解銅めっき被膜を形成後、
さらに前述の電気銅めっきで上面の銅層の厚さを35μｍ
とした。

次にその上下面における銅層上にPMER・HC 40を約５μ
ｍの厚さに塗布し、乾燥処理した後、上面のレジスト層
には実施例13で用いたリードパターンを有するフォトマ
スクをレジスト面に密着させて200mJの紫外線を照射
し、下面のレジスト層には実施例１で用いたビアホール
パターンを有するフォトマスクを密着させて200mJの紫
外線を照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して所定のTABパターンを得
た後、乾燥処理を行なった。

次に下面は前述の塩化銅溶液で露出した下地銅層を溶解
し、一方上面側は塩化銅溶液で厚さ約35μｍのリードを
形成した。

しかる後に両面のレジストを除去し、次に基体上面全体
をFSRよりなる有機樹脂被膜で被覆した。

次に下面全体に亘って前述の電気銅めっきで、基体下面
の下地銅層パターンの厚みを約３μｍとした。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて基体下面における
ポリイミド樹脂の露出部分を溶解して、ビアホールを形
成した。

その後、さらに前述の無電解銅めっきで下面全面に亘っ
て銅薄膜層を形成後、前述の電気銅めっきで下面全体に
約20μｍの銅層を形成した。この銅層上にPMER・HC 40
を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理した後に実施例３
で用いたビアホールを除くホールパターンを有するフォ
トマスクを施して紫外線を200mJ照射後、現像して所定
のレジストパターンを得た後、乾燥した。

次に前述の塩化銅溶液で下面の露出した銅層を溶解して
ポリイミド樹脂を露出させた後、残留レジストを除去し
た。露出したポリイミドを前記した溶解条件で溶解し、
デバイスホール、OLBホール、スプロケットホールを形
成した。

さらに上面の有機樹脂膜をFSR剥離液を用いて除去し、
上面に所定のリードを有し下面に銅のグラウンド層を有
し、上下の金属部をビアホールによって導通させた２層
TABを得ることができた。

このようにして得られた２層TABは下面に銅のグラウン
ド層が確実に形成されていた。

実施例24（Ｂ・Ｃ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその両面にスパッタ法によりそれ
ぞれ0.25μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きによって上面の銅層の厚さを35μｍに調整した基体を
用い、実施例23と同様の手順で各処理を行なったとこ
ろ、実施例23と同様に２層TABを得ることができた。

（発明の効果） 本発明の２層TABの製造方法によるときは、２層TAB本来
の性能を損なうことなく、確実にリードの反対側に該リ
ードと電気的に導通するグラウンド金属層を形成させる
ことができるので、工業的に優れた発明であると言え
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の２層TABの製造方法における製造工程
を示す工程図、第２図（ａ）および（ｂ）並びに第３図
（ａ）および（ｂ）はそれぞれリード形成法をセミアデ
ィティブ法およびサブトラクティブ法を採用した場合の
２層TABの製造方法における基体の概略状況を工程順に
示した説明図、第４図は本発明によって得られた２層TA
Bの外観平面図、第５図は基体上面に施されるリードパ
ターンを有するフォトマスクの一例を示す平面図、第６
図および第７図は基体下面に施されるビアホールパター
ンを有するフォトマスクの一例およびその反転状態を示
すものの平面図、第８図および第９図はビアホールを除
く所定の各種ホールのホールパターンを有するフォトマ
スクの一例およびその反転状態を示すものの平面図であ
る。 １……上面金属層、２……下面金属層、３……絶縁性樹
脂基体、４……上面レジスト層、５……下面レジスト
層、６……上面レジストパターン、７……下面レジスト
パターン、８……リード、９……有機樹脂被膜、10……
金属層パターン、11……ビアホール、12……金属薄膜
層、13……下面レジスト層（再）、14……下面レジスト
パターン（再）、15……デバイスホール、16……OLBホ
ール、17……スプロケットホール、18……グラウンド金
属層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平1 −339186 (32)優先日 平１(1989)12月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平1 −339187 (32)優先日 平１(1989)12月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ）

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁性樹脂フィルムの両面に接着剤を用い
   ることなく金属層を形成したものを基体とし、該基体両
   面の金属層上に感光性レジスト層を形成した後、基体上
   面におけるレジスト層には主として所定のリードパター
   ンを有するフォトマスクを、また基体下面におけるレジ
   スト層には主として所定のビアホールパターンを有する
   フォトマスクを施して光を照射した後両面のレジストを
   現像し、該基体の両面にそれぞれの形状のレジストパタ
   ーンを形成せしめる工程、基体上面に形成したレジスト
   パターンに従って基体上面にリードを形成する工程、基
   体下面に形成したレジストパターンに従って下面の金属
   層のビアホールに相当する部分の金属層を溶解して絶縁
   性樹脂部を露出させた後、該絶縁性樹脂の露出部を溶解
   して所定のビアホールを形成する工程、ビアホール形成
   後の基体下面に金属薄膜層を形成した後、該金属薄膜層
   上に再び感光性レジストを形成し、該レジスト上にビア
   ホールを除く所定の各種ホールパターンを有するフォト
   マスクを施して光を照射した後現像して基体下面にレジ
   ストパターンを形成し、該レジストパターンに従って基
   体下面の絶縁性樹脂におけるビアホール以外の所定の各
   種ホール部に相当する部分が露出するように、基体下面
   全体に亘ってグラウンド金属層を形成する工程および絶
   縁性樹脂の各種ホール部に相当する露出部を溶解除去し
   て基体下面にビアホール以外の各種ホールを形成する工
   程とよりなる２層TABの製造方法。
2. 【請求項２】基体上面のリードの形成は基体上面に形成
   したレジストパターンに従って露出した金属層上に電気
   めっきにより金属めっき層を積層させてリード前形体を
   形成した後、基体上面のレジストおよびレジスト下に残
   存する金属層を溶解除去することによって行なう請求項
   １記載の２層TABの製造方法。
3. 【請求項３】基体上面のリードの形成は基体上面に形成
   したレジストパターンに従って露出した金属層をエッチ
   ングした後、非エッチング金属層上のレジストを溶解除
   去することによって行なう請求項１記載の２層TABの製
   造方法。
4. 【請求項４】絶縁性樹脂基体に対する所定のビアホール
   の形成は基体下面に形成したレジストパターンに従って
   露出した金属層をエッチングして絶縁性樹脂部を露出さ
   せた後基体下面のレジストを除去し、該絶縁性樹脂の露
   出部を溶解除去することによって行なう請求項１乃至３
   のいずれか１項記載の２層TABの製造方法。
5. 【請求項５】絶縁性樹脂基体に対する所定のビアホール
   の形成は基体下面に形成したレジストパターンに従って
   露出した金属層上に電気めっきにより金属めっき層を積
   層して金属パターンを形成した後、レジストおよびレジ
   スト下に存在する金属層を溶解除去し、これによって露
   出した絶縁性樹脂を溶解除去することによって行なう請
   求項１乃至３のいずれか１項記載の２層TABの製造方
   法。
6. 【請求項６】絶縁性樹脂基体に対する所定のビアホール
   の形成は基体下面に形成したレジストパターンに従って
   露出した金属層をエッチングして絶縁性樹脂部を露出さ
   せた後、基体下面のレジストパターンを除去し、露出し
   た金属層上に電気めっきにより金属めっき層を積層し、
   該絶縁性樹脂の露出部を溶解除去することによって行な
   う請求項１乃至３のいずれか１項記載の２層TABの製造
   方法。
7. 【請求項７】基体下面におけるビアホール以外の各種ホ
   ールを除く部分全体に亘ってのグラウンド金属層の形成
   は、基体下面に再度形成したレジストパターンに従って
   露出した金属薄膜層上に電気めっきにより金属めっき層
   を積層し、次いでレジストを溶解除去し、レジスト下に
   あった金属薄膜層及び金属層を溶解除去することによっ
   て行なう請求項１乃至６のいずれか１項記載の２層TAB
   の製造方法。
8. 【請求項８】基体下面におけるビアホール以外の各種ホ
   ールを除く部分全体に亘ってのグラウンド金属層の形成
   は、基体下面の金属薄膜層上に電気めっきによる金属め
   っき層を積層して後、基体下面に再度形成したレジスト
   パターンに従って露出した金属めっき層とその下に存在
   する金属薄膜層および金属層を溶解除去し、さらに残存
   するレジストを溶解除去することによって行なう請求項
   １乃至６のいずれか１項記載の２層TABの製造方法。
9. 【請求項９】ビアホールを除く各種ホールの形成は基体
   下面にグラウンド金属層を形成することにより露出した
   絶縁性樹脂を溶解除去することによって行なう請求項１
   乃至８のいずれか１項記載の２層TABの製造方法。
10. 【請求項１０】リード形成後からグラウンド金属の形成
    完了までの間、基体上面全体に亘り有機樹脂膜層で被覆
    する請求項１乃至９のいずれか１項記載の２層TABの製
    造方法。