JPH06140472A - バンプ付きテープの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＴＡＢテープと外部回路を直接ボンディング
をしなくとも、実装後に検査を可能とし、さらに、多ピ
ン、狭ピッチ化に対応した寸法安定性に優れたバンプを
有するバンプ付きテープの新規な製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 ポリイミド樹脂フィルムに金属層を形成した
基体を使用し、ＴＡＢテープの製造技術を応用して、バ
ンプおよび各種ホールを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＴＡＢ（テープ オウト
メイティドゥ ボンディング）やＦＰＣ（フレキシブル
プリント サーキット）等の実装用基板と外部回路と
を接合することに用いるバンプ付きテープの製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の分野において軽薄短小
化および高機能化の傾向が急速に強まりつつある。この
傾向に対し、電子機器の小型化や高機能化に伴って多ピ
ン化、薄型化するチップを搭載することがパッケージに
要求されている。このようなチップの多ピン化に対応可
能な実装技術としてＴＡＢが用いられる。ＴＡＢに要求
されている多ピン化のレベルとしては１０００ピンクラ
スのものであり、それによって狭ピッチ化がさらに進
み、インナーリードでは７０μｍピッチのＴＡＢが開発
されている。

【０００３】ＴＡＢテープと外部回路とを接続する技術
は、一般的にＴＡＢテープのアウターリードを用いて行
うが、リードが柔らかく、曲がり易いことや外部回路お
よび電極の種類が多様なため、ＱＦＰ（クワッド フラ
ット パッケージ）等と比較して非常に難しいものであ
り、この技術はＴＡＢ技術の分野でも遅れている分野で
ある。

【０００４】ＴＡＢテープのアウターリードと外部回路
を接続する方法としては主に次の３つが挙げられる。１
つははんだ付けによる方法である。これは、ＴＡＢテー
プのアウターリードと外部回路の電極にめっき処理を施
し、お互いを熱圧着させることにより接続するものであ
る。２つめは異方性導伝性シートによる方法である。こ
の方法は分散させたシートをＴＡＢテープのアウターリ
ードと外部回路の電極の間に介在させ、熱圧着させるこ
とにより樹脂を軟化させ、それによりリードと電極間を
分散させた微粒子で電気的に接触させるものである。こ
の方法ではリードピッチが１００μｍピッチの接続が実
験室レベルで完成した程度であり、狭ピッチ化に適さな
いという問題や電極間にも金属微粒子が存在するため、
電極間の絶縁抵抗が低下し、クロストークを発生させる
という問題などがある。もう１つは、光硬化性絶縁樹脂
による方法である。この方法はＴＡＢテープのアウター
リードと外部回路の電極との間を光硬化性絶縁樹脂を介
在させ、これを硬化させることにより接続する方法であ
る。しかし、これらの方法では、ＴＡＢテープと外部回
路をボンディングしなくては電気的検査が困難であるた
め、接続後外部回路に不具合が生じてもＴＡＢテープと
外部回路を切り放すことは不可能であり、ＴＡＢテープ
とＴＡＢテープに搭載したチップが無駄になってしまう
という問題点がある。

【０００５】又、本発明で対象とする様なバンプ付きテ
ープは種々提案されているが、それらの効率的な製造方
法はいまだ確立されていない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、２層
ＴＡＢの製造方法についての技術（例えば、特開平０３
−８３３５４号公報に記載された技術）を応用して、Ｔ
ＡＢテープのアウターリードを用いず、ＴＡＢテープに
形成したパッド裏面のホールとバンプ付きテープのバン
プを接続したものを用いることとし、ＴＡＢテープと外
部回路のバンプ付きテープを介する接続において、ＴＡ
Ｂテープと外部回路を直接ボンディングをしなくとも、
実装後に検査を可能とし、さらに、多ピン、狭ピッチ化
に対応した寸法安定性に優れたバンプを有するバンプ付
きテープの新規な製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のバンプ付きテープの製造方法は、ポリイミド
樹脂フィルムの上面に直接に金属層を形成したものを基
体とし、金属層のある基体上面および基体下面に感光性
レジスト層を形成し、次いで基体上面におけるレジスト
層には所定のランドおよび回路パターンを有するフォト
マスクを施し、基体下面におけるレジスト層には所定の
各種ホールパターンを有するフォトマスクを施し、基体
上面および基体下面に光を照射し、次いで基体上面のレ
ジストを現像して該基体の上面にレジストパターンを形
成する第１の工程、基体上面に形成したレジストパター
ンに従って基体上面にランドおよび回路パターンを形成
し、次いで基体下面にレジストパターンを形成する第２
の工程、基体上面全体にわたって有機樹脂被膜を形成す
る第３の工程、基体下面に形成したレジストパターンに
従って露出したポリイミド樹脂を溶解除去することによ
り所定の部分に所定の各種ホールを形成する第４の工
程、基体下面に形成された各種ホールのうち特定のホー
ルのみを有機樹脂被膜で被覆し、しかる後、基体下面に
形成された各種ホールのうち有機樹脂被膜で被覆されて
いないホールに電気めっきにより所定のバンプを形成す
る第５の工程、基体上面および基体下面の有機樹脂被膜
を除去する第６の工程よりなる点に特徴がある。

【０００８】又、本発明の方法は、前記のバンプ付きテ
ープの製造方法において、基体上面にランドおよび回路
パターンを形成し、次いで基体下面のレジストパターン
を形成する第２の工程が、基体上面に形成されたレジス
トパターンに従って露出した金属層上に電気めっきによ
り金属めっき層を積層させて回路前形体を形成し、次い
で基体下面のレジストを現像して基体下面にレジストパ
ターンを形成し、次いで基体上面のレジストを溶解除去
し、次いで基体上面の溶解除去されたレジストの下に残
存する金属層を溶解除去する工程である点に特徴があ
る。

【０００９】又、本発明の方法は、前記のバンプ付きテ
ープの製造方法において、基体上面にランドおよび回路
パターンを形成し、次いで基体下面のレジストパターン
を形成する第２の工程が、基体下面のレジストを現像し
て該基体下面にレジストパターンを形成し、次いで基体
上面に形成されたレジストパターンに従って露出した金
属層をエッチングした後、エッチングされなかった金属
層上のレジストを溶解除去する工程である点に特徴があ
る。

【００１０】

【作用】次に本発明によるバンプ付きテープの製造方法
の詳細とその作用について、図２，図３，図４，図５に
示すものに基づいて説明する。上面金属層および基体上面レジストパターン形成工程：
本発明においては基本的に上面にのみ上面金属層１を接
着剤によらず被着形成されたテープ状のポリイミド樹脂
フィルムをポリイミド樹脂基体２として用いる。ポリイ
ミド樹脂基体２と上面金属層１の間に接着剤を介してい
ないため、熱による軟化のための位置ズレが起こらず寸
法精度がよい。

【００１１】ポリイミド樹脂基体２の上面に上面金属層
１は該基体表面にスパッタ法、真空蒸着法または無電解
めっき法によるかあるいはこれらの方法を組み合わせて
金属層を形成されるか、これらの方法にさらに電解めっ
き法を組み合わせてよく、要はポリイミド樹脂基体２上
に接着剤を施すことなく直接的に金属層を形成する方法
ならば何れの方法によるものも採用することができる。
ポリイミド樹脂基体２上に形成する上面金属層１は電気
的性質や経済的面を考慮すると一般的には銅が採用され
るがポリイミド樹脂基体２と銅との間にクロム、ニッケ
ル等の薄膜層が存在しても何ら差し支えない。

【００１２】基体上面に形成する上面金属層１の厚みは
導通用の配線を有するリード付きランド６の形成が、無
電解めっきを行った後電気めっきによって回路パターン
を形成するセミアディティブ法によって行う場合はリー
ド付きランド６の形成に際して行われる電気めっきにお
ける前処理でのエッチングに耐え得る厚みであれば、特
に制約はないがさらに後述するようなランドを独立させ
るための上面金属層１の部分的な溶解工程の作業を考慮
すると０．１〜２μｍの範囲にあることが望ましい。

【００１３】リード付きランド６の形成がエッチングに
より配線パターンを形成するサブトラクティブ法によっ
て行われる場合には、所望する厚みを有する銅箔にポリ
イミドワニスを塗布し固めるキャスティング法等の方法
で形成した基体を除いて、感光性レジスト層３が形成さ
れる前に上面金属層１の厚みを所望のリード付きランド
６の厚さにしておく必要がある。その方法としては前述
したように絶縁樹脂基体上にスパッタ法等でまず薄膜金
属層を形成した後、さらにその上面に電気めっきにより
所望のリード付きランドの厚さまで金属めっき層を積層
することがよい。通常要求されるリード付きランド６の
厚さは１０〜４０μｍである。

【００１４】また上面金属層１上に形成される感光性レ
ジスト層３の厚みは、リード付きランド６の形成がセミ
アディティブ法により行われる場合には、リード付きラ
ンド６の厚さが１０〜４０μｍであることから１０〜４
０μｍ以上であることが必要とされる。リード付きラン
ド６の形成をサブトラクティブ法で行う場合は特に厚さ
の制限はないが、レジストパターン５形成後の上面金属
層１の溶解に際しての溶解後のパターン精度を考慮する
と１〜１０μｍ程度が適当である。ただし、リード付き
ランド６の形成をセミアディティブ法により行うとリー
ド付きランド６の断面が矩形となり、ランドの断面が台
形となるサブトラクティブ法と比べると同じランド幅で
も前者の方が断面積が大きくなるため機械的強度や許容
電流が高くなり、狭ピッチ化に適している。

【００１５】レジストの種類は上記の厚さに塗布し得る
ものであって、かつ上面におけるリード付きランド６の
形成に際して行われる電気めっき液に耐え得るものであ
れば一般市販のもので十分であり、アクリル樹脂等に感
光性の官能基を付与することによって、光照射部分が未
溶解部として残るネガ型レジスト、ノボラック樹脂等に
感光性の官能基を付与することによって光照射部分が現
像時に溶解するポジ型レジストがあるが、フォトマスク
のパターンを反転することによって何れの型のレジスト
でも使用可能である。またレジストの状態としては液状
のものでも固形化してドライフィルムとしたものでも差
し支えない。液状レジストを使用する場合には基体の金
属層上への塗布はバーコート法、ディップ法、スピンコ
ート法等の一般的塗布方法の他、レジスト液を帯電させ
噴霧状に塗布する静電塗布法も採用してよい。

【００１６】またポリイミド樹脂基体２の下面に形成す
る感光性レジスト層４はホール形成に際して用いられる
ポリイミド樹脂溶解液に耐え得るものであれば何れでも
よく、一般的にはポリイミド樹脂の溶解液には強アルカ
リ液が使用されることからゴム系レジストの採用が望ま
しい。ポリイミド基体下面に形成される感光性レジスト
層４の厚みは特に制限はないが、ポリイミド樹脂溶解後
のホールのパターン精度を考慮すれば２〜１０μｍ程度
がよい。

【００１７】一般的にレジストによってパターンを形成
するにはレジストを塗布後レジストに含まれる溶剤を除
去する必要がある。これはレジスト自体の強度を向上さ
せると同時にレジストと金属層との密着性を高めるため
に行われるものであり、溶剤の除去は通常乾燥処理によ
って行われるが、この際に処理温度はレジストの解像度
を低下させない範囲で高めにするのがよい。また露光そ
して現像後に形成したパターンをより強固にするために
加熱処理を行うこともあるがこの場合には前述した溶剤
除去処理のときの温度よりも高い温度が採用される。

【００１８】次に、上面金属層１およびポリイミド樹脂
基体２上に形成したレジスト層３および４に対して所望
のパターンのフォトマスクを施して、それぞれに適量の
光を照射し、まずは該基体上面のレジストを現像して、
上面金属層１上にレジストパターン５を形成するが、基
体上面の感光性レジスト層３にはリード付きランド形成
のためのフォトマスクを、また下面の感光性レジスト層
４には所定の各種ホール形成のためのフォトマスクが使
用される。基体上面のレジストパターンを形成するため
のフォトマスクは例えば図４に示すようなものが挙げら
れる。また基体下面のレジストパターン形成のためのフ
ォトマスクは、例えば図５に示すようなものを例として
挙げられることができ、主として、ツーリングホールお
よびブラインドホール等のホール形成のためのレジスト
パターンを形成することができるものである。

【００１９】レジストの感光のために照射する光の波長
等はレジストの特性によって決定されるが、一般的には
紫外線が使用される。またここで云うフォトマスクとは
ガラスや透光性のプラスチックフィルムに銀等を含む乳
剤やクロム等の金属を焼き付けたものをいう。露光方法
としてはレジスト面とフォトマスクを密着させて行う密
着露光法と、レジスト面とフォトマスクを一定の距離を
隔てて並行に並べて行う投影露光法とがあるが、本発明
において何れの方法を採用してもよい。（以上図２
（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ),（ｂ′),（ｃ′),（ｄ′）参
照）

【００２０】リード付きランド形成および基体下面レジ
ストパターンの形成工程 リード付きランド６の形成をセミアディティブ法で行わ
れる場合にはレジストパターン５によって生じた上面金
属層１の露出部分に電気めっきを施し、所望の厚みに積
層してリード付きランド６の前形体を形成した後、基体
下面のレジストを現像し、ポリイミド樹脂基体２上にレ
ジストパターン７を形成し、上面金属層１（下地金属
層）およびレジストパターン５を溶解除去することによ
ってリード付きランド６を形成する。この下地金属層の
溶解除去は基体上面に形成されたリード付きランド６を
電気的に独立させるためのものである。

【００２１】リード付きランド６の形成をサブトラクテ
ィブ法で行われる場合にはレジストパターン５によって
生じた上面金属層１の露出部分をエッチングした後、上
面金属層１上の非エッチング部分のレジストを溶解除去
することによってリード付きランド６を形成する。

【００２２】リード付きランド６のリード部分はランド
および後に形成されるバンプ部分の電気的導通を保つ役
割を果たす。

【００２３】上面金属層１を溶解するための溶解液とし
ては、一般的には塩酸、硫酸、硝酸等の酸性溶液、塩化
鉄溶液、塩化銅溶液等の金属塩化物溶液、過硫酸アンモ
ニウム溶液等の過酸化溶液等が用いられる。

【００２４】リード付きランド６の形成を行った後、直
ちに基体上面全体に亘って有機樹脂被膜８を被膜する。
この有機樹脂被膜８による被膜はその後のポリイミド樹
脂の溶解によるホール形成工程の際に、基体上面に露出
したポリイミド樹脂基体２を保護する役割、基体を補強
する役割と後述するバンプ形成の際のマスキングの役割
を果たすためのものである。この有機樹脂被膜はポリイ
ミド樹脂の溶解液と後述するバンプ形成工程での電気め
っき液に耐え得るものであれば何でもよく、ポリイミド
樹脂の溶解液として強アルカリ性溶液が用いられること
からゴム系、エポキシ系、シリコン系の有機樹脂等を使
用すればよい。（以上図２（ｅ),（ｆ),（ｇ),（ｅ′）
参照）

【００２５】ホール形成工程 各種ホールの形成には、基体下面に形成されたレジスト
パターン７に従って露出したポリイミド樹脂を溶解する
ことにより、この部分の樹脂を開孔してバンプめっき形
成用のブラインドホール９、ツーリングホール１０を形
成する。この場合において、ポリイミド樹脂の溶解には
抱水ヒドラジン、水酸化アルカリ等の強アルカリ性溶液
を単独もしくは混合し、さらにはメチルアルコール、エ
チルアルコール、プロピルアルコール等を混合した溶液
を用いるとよい。またこの工程において形成されるバン
プめっき形成用のホールの形状は真円、方形、楕円等、
いずれの形状でも構わない。（以上図２（ｈ）参照）

【００２６】バンプ形成工程 各種ホールを形成した後、ツーリングホール１０のみに
基体下面から有機樹脂被膜１１でマスキングを施す。こ
の有機樹脂被膜１１によるマスキングはその後のバンプ
形成工程における電気めっきによりツーリングホール１
０に金属層が積層されるのを防ぐためのものである。従
って、この有機樹脂被膜１１はバンプ形成工程における
前処理液や電気めっき液に耐えるものであれば、一般に
市販されているものでもよく、有機樹脂被膜１１の厚み
も前処理液や電気めっき液に耐え得るものであれば特に
制限はない。

【００２７】バンプを形成するには、基体下面に形成さ
れたバンプ形成用のブラインドホール９内の基体上面に
形成されたリード付きランド６裏面に電気めっきを施
し、所定の厚さまで金属層を積層することによって行わ
れる。バンプの高さは接続するＴＡＢテープのホールの
深さ以上であることが要求される。ＴＡＢテープのポリ
イミド樹脂フィルムの厚みが５０μｍであるときには、
バンプの高さは５０μｍ以上最低必要であるが、接合で
の歩留まりを考慮すると６０μｍ以上が必要である。
（以上図２（ｉ）参照）

【００２８】各種レジストの溶解除去工程 バンプの形成および各種ホール形成を終了した基体は基
体上下各面に形成された各種レジストの除去を行うと、
図３に示した様なバンプ付きテープが得られる。各種レ
ジストの除去する際の溶解液は市販のものを使用すれば
よい。（以上図２（ｊ）参照）

【００２９】以上述べたように本発明の方法によるとき
は、各工程において状況に応じ、種々の手段を活用する
ことによって的確に基体上面のリードの形成、ポリイミ
ド樹脂基体に対する各種ホールの形成および基体下面の
バンプの形成を行うことができる。上述した方法で製造
されたバンプ付きテープはその使用目的に応じてバンプ
およびリード付きランドの表面に錫、ニッケル或いは金
めっきを施すことが可能である。錫、ニッケルおよび金
めっきを施す方法としては、バンプおよびランド部がリ
ードにより電気的導通が取られているため、電気めっき
方法と無電解めっき方法の両方を採用することができ
る。

【００３０】図１にバンプ付きテープを実装した場合の
断面図を示す。すなわち、外部回路１４、ＴＡＢテープ
１３との間に本発明の方法により製造したバンプ付きテ
ープを挾んだ構造になっている。

【００３１】

【実施例】（実施例１）出発材料として１８ｃｍ×１５
ｃｍの大きさ、厚さ５０μｍのポリイミド樹脂フィルム
に厚さ０．６μｍの無電解銅めっき被膜を有するエスパ
ーフレックス（住友金属鉱山（株）製）を用い、無電解
銅めっき被膜を下地銅層とした。次に下地銅層上にＰＭ
ＥＲ・ＨＣ ６００（東京応化社製、ネガ型フォトレジ
スト）をスピンコーターにより４０μｍの厚さに塗布
後、７０℃で３０分間乾燥処理を行った。ついで反対面
にＦＳＲ（富士薬品社製、ネガ型フォトレジスト）をス
ピンコーターにより７μｍの厚さに塗布後、７０℃で３
０分間乾燥処理した。下地銅層上のレジスト層には、直
径３００μｍのリード付きランドパターンを直列に１７
１個配列したパターンを１０列配列したガラス製のフォ
トマスクをレジスト面に密着させて９００ｍＪの紫外線
を照射し、反対面のレジストには上面のリード付きラン
ドパターンに対応したツーリングホールパターン４個、
ブラインドホールパターン２００個を有するフォトマス
クを密着させて１００ｍＪ紫外線を照射して露光を施し
た。なお、紫外線の照射は超高圧水銀燈（オーク製作所
社製）を使用した。次に上面のレジスト層をＰＭＥＲ現
像液（東京応化社製）を用いて２５℃、５分間現像して
所定のレジストパターンを得た後、１１０℃で３０分間
乾燥処理を施した。

【００３２】続いて基体上面の露出した下地銅層上に硫
酸銅１００ｇ／ｌ、硫酸１８０ｇ／ｌの組成を有する電
気銅めっき液を用いて電流密度２Ａ／ｄｍ² として２５
℃で５０分間電解を行い厚さ３５μｍのリード付きラン
ドパターンを形成した。次に基体下面のレジスト層を、
ＦＳＲ−Ｄ（富士薬品社製）を用いて、２５℃で５０秒
間現像して所定のレジストパターンを得た後、１３０℃
で３０分間乾燥し、続いて基体上面のレジストを水酸化
ナトリウム４ｗｔ％溶液を用いて、５０℃、１分間処理
して除去した後、基体上面の下地銅層を塩化銅２００ｇ
／ｌ溶液を用いて溶解除去した。

【００３３】次に基体上面全体に前述したＦＳＲをスピ
ンコーターを用いて、厚さ４０μｍに塗布し、１３０℃
で３０分間乾燥処理を施した。

【００３４】続いて４規定の水酸化カリウム溶液とエチ
ルアルコールを容量比で１：１に混合した液を使用して
５０℃で６分間基体下面の露出したポリイミド樹脂の溶
解を行い、ツーリングホールおよびブラインドホールを
形成した。

【００３５】次に基体下面に形成されたツーリングホー
ルのみを前述したＦＳＲでマスキングを行い、１３０℃
で３０分間乾燥処理を施した。次に基体下面に形成され
たブラインドホール内の露出した下地銅裏面に前述した
電気めっき液を用いて電流密度４Ａ／ｄｍ² で５０分間
電解を行い、ポリイミド面から高さ８０μｍのバンプを
形成した。

【００３６】続いて上下面に形成されているＦＳＲをＦ
ＳＲ剥離液（富士薬品社製）を用いて７０℃、１０分間
で溶解剥離させ、バンプ付きテープを製造することがで
きた。

【００３７】このバンプの高さを光学的な段差測定機に
より測定したところ±５μｍの精度であった。また、こ
のバンプ付きテープを用いて実装後、送風定温恒温器Ｔ
ＹＰＥ ＤＮ−４３（大和科学（株））を用いて、１５
０℃、５００時間の耐環境試験を施したところ、ピッチ
のずれは０．０５％以下であった。

【００３８】（実施例２）出発材料として実施例１と同
様の大きさ、厚さのポリイミド樹脂フィルムにスパッタ
法により形成した厚さ０．６μｍの下地銅層を有するエ
ッチャーフレックス（三井東圧化学（株）製）を用い、
その他は実施例１と同様の方法で各処理を行ったところ
実施例１と同様にバンプ付きテープを製造することがで
きた。このバンプの高さを光学的な段差測定機により測
定したところ±５μｍの精度であった。また、このバン
プ付きテープを用いて実装後、送風定温恒温器ＴＹＰＥ
ＤＮ−４３（大和科学（株））を用いて、１５０℃、
５００時間の耐環境試験を施したところ、ピッチのずれ
は０．０５％以下であった。

【００３９】（実施例３）出発材料として実施例１と同
様の大きさ、厚さのポリイミド樹脂フィルムにスパッタ
法により形成した厚さ０．２５μｍの下地銅層を有する
エッチャーフレックス（三井東圧化学（株）製）を用
い、その他は実施例１と同様の方法で各処理を行ったと
ころ実施例１と同様にバンプ付きテープを製造すること
ができた。このバンプの高さを光学的な段差測定機によ
り測定したところ±５μｍの精度であった。また、この
バンプ付きテープを用いて実装後、送風定温恒温器ＴＹ
ＰＥ ＤＮ−４３（大和科学（株））を用いて、１５０
℃、５００時間の耐環境試験を施したところ、ピッチの
ずれは０．０５％以下であった。

【００４０】（実施例４）出発材料として実施例１と同
様の大きさ、厚さのポリイミド樹脂フィルムに厚さ０．
２５μｍの無電解銅めっき被膜を有するエスパーフレッ
クス（住友金属鉱山（株）製）を用い、さらに電気銅め
っきで下地銅層の厚さを１μｍに調整した基体を用い、
その他は実施例１と同様の方法で各処理を行ったところ
実施例１と同様にバンプ付きテープを製造することがで
きた。このバンプの高さを光学的な段差測定機により測
定したところ±５μｍの精度であった。また、このバン
プ付きテープを用いて実装後、送風定温恒温器ＴＹＰＥ
ＤＮ−４３（大和科学（株））を用いて、１５０℃、
５００時間の耐環境試験を施したところ、ピッチのずれ
は０．０５％以下であった。

【００４１】（実施例５）出発材料として実施例１と同
様の大きさ、厚さのポリイミド樹脂フィルムにスパッタ
法により形成した厚さ０．２５μｍの下地銅層を有する
エッチャーフレックス（三井東圧化学（株）製）を用
い、さらに電気銅めっきで下地銅層の厚さを１μｍに調
整した基体を用い、その他は実施例１と同様の方法で各
処理を行ったところ実施例１と同様にバンプ付きテープ
を製造することができた。このバンプの高さを光学的な
段差測定機により測定したところ±５μｍの精度であっ
た。また、このバンプ付きテープを用いて実装後、送風
定温恒温器ＴＹＰＥ ＤＮ−４３（大和科学（株））を
用いて、１５０℃、５００時間の耐環境試験を施したと
ころ、ピッチのずれは０．０５％以下であった。

【００４２】（実施例６）出発材料として実施例１と同
様の基板を用いた。次に前述の電気めっき液を用いて電
流密度を２Ａ／ｄｍ² とし２５℃で５０分間電気めっき
を施し、３５μｍの厚さの銅層を形成した。この銅層上
にＰＭＥＲ・ＨＣ ４０（東京応化社製 ネガ型フォト
レジスト）をスピンコーターを用いて、５μｍの厚さに
塗布し、７０℃、１５分間乾燥処理を施した。次に反対
面にＦＳＲを塗布することから銅層上のＰＭＥＲを現像
し所望のレジストパターンを形成するまでを実施例１と
同様に施した。次に基体下面のレジスト層を実施例１と
同様の処理を施し所定のレジストパターンを形成した
後、基体上面の露出した銅層に塩化銅２００ｇ／ｌ溶液
を用いてエッチングを施し、基体上面の非露出銅層上の
レジストを前述の剥離液を用いて５０℃で１分間処理し
て除去した。その後の工程を実施例１と同様の方法で行
い、バンプ付きテープを製造することができた。このバ
ンプの高さを光学的な段差測定機により測定したところ
±５μｍの精度であった。また、このバンプ付きテープ
を用いて実装後、送風定温恒温器ＴＹＰＥ ＤＮ−４３
（大和科学（株））を用いて、１５０℃、５００時間の
耐環境試験を施したところ、ピッチのずれは０．０５％
以下であった。

【００４３】（実施例７）出発材料として実施例２と同
様の基板を用い、その他は実施例６と同様の方法で各処
理を行ったところ実施例１と同様にバンプ付きテープを
製造することができた。このバンプの高さを光学的な段
差測定機により測定したところ±５μｍの精度であっ
た。また、このバンプ付きテープを用いて実装後、送風
定温恒温器ＴＹＰＥ ＤＮ−４３（大和科学（株））を
用いて、１５０℃、５００時間の耐環境試験を施したと
ころ、ピッチのずれは０．０５％以下であった。

【００４４】（実施例８）出発材料として実施例３と同
様の基板を用い、さらに電気銅めっきで厚さを１μｍに
調整した基体を用い、その他は実施例６と同様の方法で
各処理を行ったところ実施例１と同様にバンプ付きテー
プを製造することができた。このバンプの高さを光学的
な段差測定機により測定したところ±５μｍの精度であ
った。また、このバンプ付きテープを用いて実装後、送
風定温恒温器ＴＹＰＥ ＤＮ−４３（大和科学（株））
を用いて、１５０℃、５００時間の耐環境試験を施した
ところ、ピッチのずれは０．０５％以下であった。

【００４５】（実施例９）出発材料として実施例４と同
様の基板を用い、さらに電気銅めっきで厚さを１μｍに
調整した基体を用い、その他は実施例６と同様の方法で
各処理を行ったところ実施例１と同様にバンプ付きテー
プを製造することができた。このバンプの高さを光学的
な段差測定機により測定したところ±５μｍの精度であ
った。また、このバンプ付きテープを用いて実装後、送
風定温恒温器ＴＹＰＥ ＤＮ−４３（大和科学（株））
を用いて、１５０℃、５００時間の耐環境試験を施した
ところ、ピッチのずれは０．０５％以下であった。

【００４６】

【発明の効果】本発明の方法によれば、通常知られてい
る２層ＴＡＢの製造方法を応用することにより、ＴＡＢ
テープと外部回路の接続において、ＴＡＢテープと外部
回路を直接ボンディングをしなくとも、実装後に検査を
可能とし、さらに、多ピン、狭ピッチ化に対応した寸法
安定性に優れたバンプを有するバンプ付きテープを確実
に製造することができ、経済性にも工業的にも優れた高
性能電子部品を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】外部回路とバンプ付きテープとＴＡＢテープと
を接続させたときの断面図である。

【図２】バンプ付きテープの製造方法の概略を順を追っ
て図示した工程説明図である。

【図３】本発明により得られたバンプ付きテープの１例
を示してある外観を示す部分平面図である。

【図４】本発明において使用されるホールおよび回路パ
ターン形成用のフォトマスクの１例を示す図である。

【図５】本発明において使用される各種ホールパターン
形成用のフォトマスクの１例を示した図である。

【符号の説明】

１ 上面金属層 ２ ポリイミド樹脂基体 ３ 感光性レジスト層 ４ 感光性レジスト層 ５ レジストパターン ６ リード付きランド ７ レジストパターン ８ 有機樹脂被膜層 ９ ブラインドホール １０ ツーリングホール １１ 有機樹脂被膜層 １２ バンプ １３ ＴＡＢテープ １４ 外部回路 １５ 電極パッド １６ リード（リード付きランド）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ポリイミド樹脂フィルムの上面に直接に
   金属層を形成したものを基体とし、金属層のある基体上
   面および基体下面に感光性レジスト層を形成し、次いで
   基体上面におけるレジスト層には所定のランドおよび回
   路パターンを有するフォトマスクを施し、基体下面にお
   けるレジスト層には所定の各種ホールパターンを有する
   フォトマスクを施し、基体上面および基体下面に光を照
   射し、次いで基体上面のレジストを現像して該基体の上
   面にレジストパターンを形成する第１の工程、基体上面
   に形成したレジストパターンに従って基体上面にランド
   および回路パターンを形成し、次いで基体下面にレジス
   トパターンを形成する第２の工程、基体上面全体にわた
   って有機樹脂被膜を形成する第３の工程、基体下面に形
   成したレジストパターンに従って露出したポリイミド樹
   脂を溶解除去することにより所定の部分に所定の各種ホ
   ールを形成する第４の工程、基体下面に形成された各種
   ホールのうち特定のホールのみを有機樹脂被膜で被覆
   し、しかる後、基体下面に形成された各種ホールのうち
   有機樹脂被膜で被覆されていないホールに電気めっきに
   より所定のバンプを形成する第５の工程、基体上面およ
   び基体下面の有機樹脂被膜を除去する第６の工程よりな
   ることを特徴とするバンプ付きテープの製造方法。
2. 【請求項２】 基体上面にランドおよび回路パターンを
   形成し、次いで基体下面のレジストパターンを形成する
   第２の工程が、基体上面に形成されたレジストパターン
   に従って露出した金属層上に電気めっきにより金属めっ
   き層を積層させて回路前形体を形成し、次いで基体下面
   のレジストを現像して基体下面にレジストパターンを形
   成し、次いで基体上面のレジストを溶解除去し、次いで
   基体上面の溶解除去されたレジストの下に残存する金属
   層を溶解除去する工程である請求項１記載のバンプ付き
   テープの製造方法。
3. 【請求項３】 基体上面にランドおよび回路パターンを
   形成し、次いで基体下面のレジストパターンを形成する
   第２の工程が、基体下面のレジストを現像して該基体下
   面にレジストパターンを形成し、次いで基体上面に形成
   されたレジストパターンに従って露出した金属層をエッ
   チングした後、エッチングされなかった金属層上のレジ
   ストを溶解除去する工程である請求項１記載のバンプ付
   きテープの製造方法。