JPH04181749A - ２層ｔａｂ製造用フォトマスク - Google Patents
２層ｔａｂ製造用フォトマスクInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電子部品に実装される２層ＴＡＢの製造に際し
て使用される露光現像用のフォトマスクに関し、更に詳
しくは基体上面に金属による所定のリードが形成され、
基体下面にグラウンド金属層が形成され、該リードの一
部と該グラウンド金属層とが基体に形成されたビアホー
ルを介して電気的に導通する構造を有する２層ＴＡＢを
製造するに際して、ビアホールおよびグラウンド金属層
形成の工程の一部として基体下面に対して行なわれる露
光現像処理工程において使用されるフォトマスクに関す
るものである。
て使用される露光現像用のフォトマスクに関し、更に詳
しくは基体上面に金属による所定のリードが形成され、
基体下面にグラウンド金属層が形成され、該リードの一
部と該グラウンド金属層とが基体に形成されたビアホー
ルを介して電気的に導通する構造を有する２層ＴＡＢを
製造するに際して、ビアホールおよびグラウンド金属層
形成の工程の一部として基体下面に対して行なわれる露
光現像処理工程において使用されるフォトマスクに関す
るものである。
（従来の技術）
近年、エレクトロニクス産業界においては低価格、高信
頼度を有する多機能装置の開発が急速に進められており
、これによる高機能、高密度素子の出現に伴って高信頼
性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに対
する要求が高まってきている。これに従って、新しい素
子実装技術の開発が日増しに重要さを加えており、特に
ＩＣパッケージにおける小型化と多様化が重要な課題と
して開発が進められている。このような素子実装技術の
進歩に伴って、小型ＩＣパッケージにおける多ビン化の
要求に応え得るような微細なピン間隔が望まれている。
頼度を有する多機能装置の開発が急速に進められており
、これによる高機能、高密度素子の出現に伴って高信頼
性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに対
する要求が高まってきている。これに従って、新しい素
子実装技術の開発が日増しに重要さを加えており、特に
ＩＣパッケージにおける小型化と多様化が重要な課題と
して開発が進められている。このような素子実装技術の
進歩に伴って、小型ＩＣパッケージにおける多ビン化の
要求に応え得るような微細なピン間隔が望まれている。
ＴＡＢはテープ状に形成されたポリイミド樹脂フィルム
等の電気絶縁性を有する合成樹脂基板上に多数のボンデ
ィング用金属細密リードパターンを施したものてあり、
その特徴としては、テストパッドを有しているので、ホ
ンディング後にホンティング不良やチップ不良の基板実
装前に発見でき、またワイヤーホンディンクに比しＩＣ
パッドの大きさが小さくてよく、−層の多ピン化が可能
であるなどその利点か多い。
等の電気絶縁性を有する合成樹脂基板上に多数のボンデ
ィング用金属細密リードパターンを施したものてあり、
その特徴としては、テストパッドを有しているので、ホ
ンディング後にホンティング不良やチップ不良の基板実
装前に発見でき、またワイヤーホンディンクに比しＩＣ
パッドの大きさが小さくてよく、−層の多ピン化が可能
であるなどその利点か多い。
ＴＡＢはその構造上から１層ＴＡＢ 、 ２層ＴＡＢ及
び３層ＴＡＢの３種類に大別される。１層ＴＡＢはパタ
ーニング処理を施した銅箔等の金属テープのみによって
構成されるものを云うが、金属層自体の厚みがせいぜい
数十μｍ程度であるために機械的強度に乏しく、施し得
るピン数に限界があるので高密度化に適さない。この１
層ＴＡＢの欠点を補うためにプラスチックフィルム基板
上に接着剤を用いて金属箔を張り合せた後、金属箔にパ
ターニング処理を施した３層ＴＡＢが開発されなか、こ
の３層ＴＡＢにおいては中間層として使用する接着剤の
影響によって、基板にポリイミド樹脂のような絶縁性の
高い合成樹脂フィルムを使用していても、ピン間相互の
絶縁性を十分に確保することかできないと云う欠点を有
する。
び３層ＴＡＢの３種類に大別される。１層ＴＡＢはパタ
ーニング処理を施した銅箔等の金属テープのみによって
構成されるものを云うが、金属層自体の厚みがせいぜい
数十μｍ程度であるために機械的強度に乏しく、施し得
るピン数に限界があるので高密度化に適さない。この１
層ＴＡＢの欠点を補うためにプラスチックフィルム基板
上に接着剤を用いて金属箔を張り合せた後、金属箔にパ
ターニング処理を施した３層ＴＡＢが開発されなか、こ
の３層ＴＡＢにおいては中間層として使用する接着剤の
影響によって、基板にポリイミド樹脂のような絶縁性の
高い合成樹脂フィルムを使用していても、ピン間相互の
絶縁性を十分に確保することかできないと云う欠点を有
する。
２層ＴＡＢは、この絶縁性合成樹脂フィルム基板表面に
接着剤によらずに、スパッタ法、真空蒸着法、めっき法
等の金属被覆手法によって直接金属層を形成させて、こ
れにパターニング処理を施したものであって、接着剤を
使用しないで基板上に金属層が形成されるため電気絶縁
性についての問題を生ずることなく安定的に使用するこ
とができるので将来性が期待されている。
接着剤によらずに、スパッタ法、真空蒸着法、めっき法
等の金属被覆手法によって直接金属層を形成させて、こ
れにパターニング処理を施したものであって、接着剤を
使用しないで基板上に金属層が形成されるため電気絶縁
性についての問題を生ずることなく安定的に使用するこ
とができるので将来性が期待されている。
この２層ＴＡＢ表面に形成されるリードは、前述したよ
うなスパッタ法、真空蒸着法の如き乾式表面処理法、ま
たは無電解めっき法の如き湿式表面処理法を用いてポリ
イミド樹脂等の絶縁性合成樹脂基板表面に被着させた下
地金属層上に感光性レジストを形成しようとするリード
の厚み以上の厚さに塗布し、特定のレジストパターンを
露光、現像によって形成した後に電気めっきによってリ
ードを形成するアディティブ法と前述した下地金属層上
にあらかじめリードの厚みまで金属層を電気めっきによ
って形成した後にレジストパターンを形成してエツチン
グによってリードを形成するサブトラクティブ法の何れ
かの手法によって行なわれる。
うなスパッタ法、真空蒸着法の如き乾式表面処理法、ま
たは無電解めっき法の如き湿式表面処理法を用いてポリ
イミド樹脂等の絶縁性合成樹脂基板表面に被着させた下
地金属層上に感光性レジストを形成しようとするリード
の厚み以上の厚さに塗布し、特定のレジストパターンを
露光、現像によって形成した後に電気めっきによってリ
ードを形成するアディティブ法と前述した下地金属層上
にあらかじめリードの厚みまで金属層を電気めっきによ
って形成した後にレジストパターンを形成してエツチン
グによってリードを形成するサブトラクティブ法の何れ
かの手法によって行なわれる。
また、２層ＴＡＢをＩＣチップに連続的にボンディング
するためには、絶縁性合成樹脂基板にテープ搬送用の送
り穴（以下、スプロケットホールと称する。）、リード
先端を露出させＩＣチップと接合させるための穴（以下
、デバイスホールと称する。）、リード後端部の外部回
路と接続するための穴（以下叶Ｂホールと称する。）、
また更にはリード先端をＩＣチップに精度よくホンディ
ングするためにガイドピンを挿入するための穴（以下ツ
ーリングホールと称する。）等を化学的に溶解して設け
ることが必要である。
するためには、絶縁性合成樹脂基板にテープ搬送用の送
り穴（以下、スプロケットホールと称する。）、リード
先端を露出させＩＣチップと接合させるための穴（以下
、デバイスホールと称する。）、リード後端部の外部回
路と接続するための穴（以下叶Ｂホールと称する。）、
また更にはリード先端をＩＣチップに精度よくホンディ
ングするためにガイドピンを挿入するための穴（以下ツ
ーリングホールと称する。）等を化学的に溶解して設け
ることが必要である。
この絶縁性樹脂の溶解方法としては、絶縁性樹脂溶解液
を使用して湿式法によって溶解する方法や、レーザー光
を用いる光学的方法などが考えられる。
を使用して湿式法によって溶解する方法や、レーザー光
を用いる光学的方法などが考えられる。
上記した種々の方法を組み合わせて製造される２層ＴＡ
Ｂは前述したように高性能を有することが確認されてい
るが、実装密度の一層の高度化や処理速度の一層の高速
化により、更にクロストークによる誤動作の防止やイン
ピーダンスマツチング等の機能を具えた２層ＴＡＢの出
現が望まれている。
Ｂは前述したように高性能を有することが確認されてい
るが、実装密度の一層の高度化や処理速度の一層の高速
化により、更にクロストークによる誤動作の防止やイン
ピーダンスマツチング等の機能を具えた２層ＴＡＢの出
現が望まれている。
これらの諸機能を付加した２層ＴＡＢとしてはリードの
形成面と反対側の面にグラウンド金属層を形成し、樹脂
基板にビアホールを穿ってこのビアホールを介してリー
ドの一部とグラウンド金属層を電気的に導通させた構造
を有する２層ＴＡＢが提案されている。
形成面と反対側の面にグラウンド金属層を形成し、樹脂
基板にビアホールを穿ってこのビアホールを介してリー
ドの一部とグラウンド金属層を電気的に導通させた構造
を有する２層ＴＡＢが提案されている。
上記提案による２層ＴＡＢの製造方法の概略を示すと次
の如くである。即ち、先ずポリイミド等の絶縁性樹脂基
体の両面または片面に銅等の金属層を接着剤を用いるこ
となく形成する。この金属層の形成方法としてはスパッ
タ法に代表される乾式金属層形成法や、無電解めっき法
に代表される湿式金属層形成法等を採用して常法によっ
て行なわれる。次に基体両面にそれぞれ感光性レジスト
層を形成し、基体上面には所定のリードに対応するパタ
ーンを有するフォトマスクを、基体下面には所定のビア
ホールに対応するフォトマスクを施して露光、現像を行
ない、それぞれの面に所定のレジストパターンを形成す
る。
の如くである。即ち、先ずポリイミド等の絶縁性樹脂基
体の両面または片面に銅等の金属層を接着剤を用いるこ
となく形成する。この金属層の形成方法としてはスパッ
タ法に代表される乾式金属層形成法や、無電解めっき法
に代表される湿式金属層形成法等を採用して常法によっ
て行なわれる。次に基体両面にそれぞれ感光性レジスト
層を形成し、基体上面には所定のリードに対応するパタ
ーンを有するフォトマスクを、基体下面には所定のビア
ホールに対応するフォトマスクを施して露光、現像を行
ない、それぞれの面に所定のレジストパターンを形成す
る。
リードの形成は予め基体下面に形成した金属層の厚みに
よって、前述したようにアディティブ法またはサブトラ
クティブ法の何れかを採用して行なわれる。またビアホ
ールの形成は、片面のみに金属層を有する基体を用いた
場合には基体下面に形成したレジストパターンに従って
露出した絶縁性樹脂における露出部を溶解液を使用して
溶解除去することによって形成する。また両面に金属層
を有する基体を用いた場合には、基体下面にビアホール
に相当する部分のみを露出させた金属層パターンをレジ
ストパターン処理によって形成し、次いで上記と同様の
方法で絶縁性樹脂の露出した部分を溶解してビアホール
を形成する。
よって、前述したようにアディティブ法またはサブトラ
クティブ法の何れかを採用して行なわれる。またビアホ
ールの形成は、片面のみに金属層を有する基体を用いた
場合には基体下面に形成したレジストパターンに従って
露出した絶縁性樹脂における露出部を溶解液を使用して
溶解除去することによって形成する。また両面に金属層
を有する基体を用いた場合には、基体下面にビアホール
に相当する部分のみを露出させた金属層パターンをレジ
ストパターン処理によって形成し、次いで上記と同様の
方法で絶縁性樹脂の露出した部分を溶解してビアホール
を形成する。
しかる後にビアホールの側回を含む基体下面全体に亘り
、乾式または湿式金属層形成によって金属薄膜層を形成
し、この金属薄膜層上に直ちにレジスト層を形成するが
、金属薄膜層上に電気めっき等によるめっき金属を積層
後レジスト層を形成する。次にレジスト層を形成した基
体下面にデバイスホール、叶８ホール、スプロケットホ
ール、ツーリングホール等の所定のホールパターンを有
するフォトマスクを施して露光、現像を行ない、所定の
レジストパターンを形成する。
、乾式または湿式金属層形成によって金属薄膜層を形成
し、この金属薄膜層上に直ちにレジスト層を形成するが
、金属薄膜層上に電気めっき等によるめっき金属を積層
後レジスト層を形成する。次にレジスト層を形成した基
体下面にデバイスホール、叶８ホール、スプロケットホ
ール、ツーリングホール等の所定のホールパターンを有
するフォトマスクを施して露光、現像を行ない、所定の
レジストパターンを形成する。
基体下面に金属薄膜層を形成後、直ちにレジスト層を形
成した場合には前述のアディティブ法により、また、基
体下面に金属薄膜層を形成した後めっき金属層を形成し
た場合にはサブトラクティブ法によって所定のパターン
のグラウンド金属層を形成することができる。
成した場合には前述のアディティブ法により、また、基
体下面に金属薄膜層を形成した後めっき金属層を形成し
た場合にはサブトラクティブ法によって所定のパターン
のグラウンド金属層を形成することができる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記した２層ＴＡＢの形成工程において
は、露光工程が２回あり、特に２回目の露光工程におい
ては基体下面に形成したレジスト層とそれに施すフォト
マスクの位置合わせを精度よく行なうことが必要である
が、形成したビアホールの位置とフォトマスクの各種ホ
ールの相対的位置を合わせる基準となるアライメントマ
ークの設定方法については一般的に知られていない。
は、露光工程が２回あり、特に２回目の露光工程におい
ては基体下面に形成したレジスト層とそれに施すフォト
マスクの位置合わせを精度よく行なうことが必要である
が、形成したビアホールの位置とフォトマスクの各種ホ
ールの相対的位置を合わせる基準となるアライメントマ
ークの設定方法については一般的に知られていない。
そこで基体下面に形成したビアホールと該ビアホール形
成後に行なわれる各種ホールの形成位置を精度よく合わ
せるための方法を開発することが望まれている。即ち、
本発明はこれを容易に行ない得るようなフォトマスクを
提供することを目的とするものである。
成後に行なわれる各種ホールの形成位置を精度よく合わ
せるための方法を開発することが望まれている。即ち、
本発明はこれを容易に行ない得るようなフォトマスクを
提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するための本発明は、絶縁性樹脂基体
の片面または両面に接着剤を用いることなく金属層を形
成したものを基体とし、該基体の上面に金属による所定
のリードを形成し、該基体の所定箇所にビアホールを形
成し、更に該基体の下面にグラウンド金属層を形成し、
上面に形成されたリードの一部と下面に形成されたグラ
ウンド金属層とを該ビアホールを介して電気的に導通す
るようにした構造を有する２層ＴＡＢを製造するに際し
て、基体の下面構造を形成するために使用されるフォト
マスクであって、基体下面に対しビアホールを形成する
ために行なわれる第１回目の露光処理工程で使用される
フォトマスクはその所定の複数箇所にアライメントマー
クが設けられており、更に基体下面にグラウンド金属層
を形成するために行なわれる第２回目の露光処理工程で
使用されるフォトマスクはアライメントマークが前記第
１回目のフォトマスクにおけるアライメントマークに対
応した位置に設けられていることを特徴とするものであ
る。
の片面または両面に接着剤を用いることなく金属層を形
成したものを基体とし、該基体の上面に金属による所定
のリードを形成し、該基体の所定箇所にビアホールを形
成し、更に該基体の下面にグラウンド金属層を形成し、
上面に形成されたリードの一部と下面に形成されたグラ
ウンド金属層とを該ビアホールを介して電気的に導通す
るようにした構造を有する２層ＴＡＢを製造するに際し
て、基体の下面構造を形成するために使用されるフォト
マスクであって、基体下面に対しビアホールを形成する
ために行なわれる第１回目の露光処理工程で使用される
フォトマスクはその所定の複数箇所にアライメントマー
クが設けられており、更に基体下面にグラウンド金属層
を形成するために行なわれる第２回目の露光処理工程で
使用されるフォトマスクはアライメントマークが前記第
１回目のフォトマスクにおけるアライメントマークに対
応した位置に設けられていることを特徴とするものであ
る。
（作用）
次に本発明による２層ＴＡＢ製造用フォトマスクについ
ての詳細およびその作用について図面に基づいて説明す
る。
ての詳細およびその作用について図面に基づいて説明す
る。
第１図は本発明における基体下面にビアホールを形成す
るためのフォトマスク（以下、フォトマスクＡという）
の−例を示すものである。
るためのフォトマスク（以下、フォトマスクＡという）
の−例を示すものである。
また第２図は本発明における基体下面にグラウンド金属
層とともにデバイスホール、叶Ｂホール、スプロケット
ホールおよびツーリングホールを形成するためのフォト
マスク（以下、フォトマスクＢという）の−例を示すも
のである。
層とともにデバイスホール、叶Ｂホール、スプロケット
ホールおよびツーリングホールを形成するためのフォト
マスク（以下、フォトマスクＢという）の−例を示すも
のである。
第３図はビアホール形成用フォトマスクＡとグラウンド
金属層形成用フォトマスクＢの所定の位置に設けられた
アライメントマークのパターン例を示したものである。
金属層形成用フォトマスクＢの所定の位置に設けられた
アライメントマークのパターン例を示したものである。
第４図は本発明によるＡ、８２つのフォトマスクを用い
て製造された２層ＴＡＢの一例を示すものである。また
、第５図は２層ＴＡＢ製造において基体上面に施される
リードパターン用フォトマスクの一例を示すものである
。
て製造された２層ＴＡＢの一例を示すものである。また
、第５図は２層ＴＡＢ製造において基体上面に施される
リードパターン用フォトマスクの一例を示すものである
。
第６図は本発明のフォトマスクを用いて２層ＴＡＢを製
造する場合の加工工程の概略を順を追って図示した説明
図であり、第４図におけるＸ−Ｙ断面に相当する部分の
断面図である。
造する場合の加工工程の概略を順を追って図示した説明
図であり、第４図におけるＸ−Ｙ断面に相当する部分の
断面図である。
第１図は基体下面に対する第１回目の露光工程に使用さ
れるフォトマスクＡの一例を示すものであり、第１図中
１は第１回目の露光によって基体下面に所定のビアホー
ルを形成するためのビアホールパターン、２は基体下面
にビアホールを形成すると同時に、第２回目の露光工程
においてフォトマスクＢに設置されたアライメントマー
クｂにアライメントするために基体下面に基準となるべ
きマークを形成するためのアライメントマークａである
。
れるフォトマスクＡの一例を示すものであり、第１図中
１は第１回目の露光によって基体下面に所定のビアホー
ルを形成するためのビアホールパターン、２は基体下面
にビアホールを形成すると同時に、第２回目の露光工程
においてフォトマスクＢに設置されたアライメントマー
クｂにアライメントするために基体下面に基準となるべ
きマークを形成するためのアライメントマークａである
。
このアライメントマークａのパターン形状には特に制約
はないが、例えば第３図Ｇこ示すように明瞭にマーキン
グ位置が確認し得るようなパターン形状であればよい。
はないが、例えば第３図Ｇこ示すように明瞭にマーキン
グ位置が確認し得るようなパターン形状であればよい。
アライメントマークａの大きさは爾後の工程においてビ
アホールを除くデバイスホール等の所定の各種ホールが
形成される場合には各種ホール形成部分に相当する範囲
内に収まる大きさであることが必要である。
アホールを除くデバイスホール等の所定の各種ホールが
形成される場合には各種ホール形成部分に相当する範囲
内に収まる大きさであることが必要である。
第２図は第２回目の露光工程において使用されるフォト
マスクＢを示すものであるが、第２図において、３は第
１回目の露光を経てアライメントマークａにより基体下
面に形成されたビアホールパターン１およびフォトマス
クＢが有するビアホールパターンを除く所定の各種ホー
ルパターンのアライメントを行なわせるなめに設けられ
たアライメントマークｂである。４．５．６および７は
それぞれデバイスホール、叶Ｂホール、スプロケットホ
ールおよびツーリングホールを形成するための各種ホー
ルパターンである。
マスクＢを示すものであるが、第２図において、３は第
１回目の露光を経てアライメントマークａにより基体下
面に形成されたビアホールパターン１およびフォトマス
クＢが有するビアホールパターンを除く所定の各種ホー
ルパターンのアライメントを行なわせるなめに設けられ
たアライメントマークｂである。４．５．６および７は
それぞれデバイスホール、叶Ｂホール、スプロケットホ
ールおよびツーリングホールを形成するための各種ホー
ルパターンである。
アライメントマークｂの形状は特に制限はなく、第３図
に示したアライメントマークａのパターン形状に準じて
定められる。
に示したアライメントマークａのパターン形状に準じて
定められる。
アライメントマークｂの大きさは、該アライメントマー
クｂがビアホールを除く所定の各種ホールパターン内に
設けられる場合には、各種ホールの形成部分の範囲内に
収まる大きさであることが必要である。
クｂがビアホールを除く所定の各種ホールパターン内に
設けられる場合には、各種ホールの形成部分の範囲内に
収まる大きさであることが必要である。
それぞれのフォトマスクＡとＢとに形成されるアライメ
ントマークａとアライメントマークｂとは、アライメン
トマークｂが第１回目の露光によってアライメントマー
クａにより基体下面に形成された基準となるべきマーク
パターンに対して第２回目の露光によってアライメント
し易い組み合わせを選択すればよく、またフォトマスク
Ａにアライメントａを設けるに際しては、基体上面に形
成するリードと基体下面に形成するグラウンド層の位置
精度を正確に整合させるために、少なくとも爾後の工程
によってデバイスホールが形成される部分に相当する領
域内に１個設けることによって両面のパターンの中心を
合せるようにし、更に０［８ホール、スプロケットホー
ルおよびツーリングホール等の各種ホールパターンが形
成される領域外、即ちＴＡＢパターンの形成領域外の任
意の異なる箇所に数個設けることが望ましい。しかしフ
ォトマスクＡに複数個ＴＡ＆パターンを連続して設ける
ようにした場合には、アライメントマークａをそれぞれ
のＴＡＢパターンのデバイスホール形成部に相当する部
分に設けてもよい。
ントマークａとアライメントマークｂとは、アライメン
トマークｂが第１回目の露光によってアライメントマー
クａにより基体下面に形成された基準となるべきマーク
パターンに対して第２回目の露光によってアライメント
し易い組み合わせを選択すればよく、またフォトマスク
Ａにアライメントａを設けるに際しては、基体上面に形
成するリードと基体下面に形成するグラウンド層の位置
精度を正確に整合させるために、少なくとも爾後の工程
によってデバイスホールが形成される部分に相当する領
域内に１個設けることによって両面のパターンの中心を
合せるようにし、更に０［８ホール、スプロケットホー
ルおよびツーリングホール等の各種ホールパターンが形
成される領域外、即ちＴＡＢパターンの形成領域外の任
意の異なる箇所に数個設けることが望ましい。しかしフ
ォトマスクＡに複数個ＴＡ＆パターンを連続して設ける
ようにした場合には、アライメントマークａをそれぞれ
のＴＡＢパターンのデバイスホール形成部に相当する部
分に設けてもよい。
フォトマスクＢに設けるアライメントマークｂは上記の
フォトマスクＡに設けたアライメントマークａに対応し
た箇所に設ける。即ち、フォトマスクＡおよびフォトマ
スクＢにそれぞれアライメントマークａおよびアライメ
ントマークｂを設ける方法としては、所望のＴＡＢパタ
ーンに応じて最も効果的に第１回目の露光工程によって
基体下面に形成したビアホールパターンと第２回目の露
光工程によってビアホールを除く各種ホールパターンが
アライメントしやすい方法を選べばよい。
フォトマスクＡに設けたアライメントマークａに対応し
た箇所に設ける。即ち、フォトマスクＡおよびフォトマ
スクＢにそれぞれアライメントマークａおよびアライメ
ントマークｂを設ける方法としては、所望のＴＡＢパタ
ーンに応じて最も効果的に第１回目の露光工程によって
基体下面に形成したビアホールパターンと第２回目の露
光工程によってビアホールを除く各種ホールパターンが
アライメントしやすい方法を選べばよい。
次に、基体上面に金属層が形成された基体を出発材料と
して本発明に基づいて２層ＴＡＢを製造する場合につい
て、フォトマスクＡおよびフォトマスクＢにそれぞれ設
けられたアライメントマークａおよびアライメントマー
クｂの作用について第６図に示す概略加工工程図によっ
て説明する。
して本発明に基づいて２層ＴＡＢを製造する場合につい
て、フォトマスクＡおよびフォトマスクＢにそれぞれ設
けられたアライメントマークａおよびアライメントマー
クｂの作用について第６図に示す概略加工工程図によっ
て説明する。
第６図において、８はポリイミド等の絶縁性樹脂をフィ
ルム状に加工した基体、９はレジストパターニング処理
後に基体８の上面にセミアデイティブ法若しくはサブト
ラクティブ法によって形成したリード、１０は基体８の
下面に第１回目の露光処理を施すことにより形成された
ビアホール形成のためのレジストパターン、１１はレジ
ストパターン１０の形成によって露出した絶縁性樹脂の
露出部分、１２は基体８の下面に第２回目の露光工程に
おけるアライメントの基準となるべきマークを形成する
ためにフォトマスクＡに設けたアライメントマークａを
介して形成された絶縁性樹脂の露出部である。１３は絶
縁性樹脂露出部１１を溶解除去することにより形成した
ビアホール、１４は絶縁性樹脂露出部１２を溶解除去す
ることによって形成した基準マークである。
ルム状に加工した基体、９はレジストパターニング処理
後に基体８の上面にセミアデイティブ法若しくはサブト
ラクティブ法によって形成したリード、１０は基体８の
下面に第１回目の露光処理を施すことにより形成された
ビアホール形成のためのレジストパターン、１１はレジ
ストパターン１０の形成によって露出した絶縁性樹脂の
露出部分、１２は基体８の下面に第２回目の露光工程に
おけるアライメントの基準となるべきマークを形成する
ためにフォトマスクＡに設けたアライメントマークａを
介して形成された絶縁性樹脂の露出部である。１３は絶
縁性樹脂露出部１１を溶解除去することにより形成した
ビアホール、１４は絶縁性樹脂露出部１２を溶解除去す
ることによって形成した基準マークである。
１５は基体下面に形成された金属薄膜層、１６は金属薄
膜層１５上に形成されたレジスト層である。１７は基体
下面に形成されたレジスト層１６にフォトマスクＢを介
して露光を行なった後、現像処理を施すことによって形
成されたレジストパターンである。
膜層１５上に形成されたレジスト層である。１７は基体
下面に形成されたレジスト層１６にフォトマスクＢを介
して露光を行なった後、現像処理を施すことによって形
成されたレジストパターンである。
また１８は基体下面に形成されたレジストパターン１７
によって露出した金属薄膜層１５上に電気めっきにより
形成されためっき金属層である。
によって露出した金属薄膜層１５上に電気めっきにより
形成されためっき金属層である。
１９は基体下面のレジストパターンを除去後、更にレジ
ストパターン１８の下に存在する金属薄膜層を溶解除去
して形成したグラウンド金属層である。
ストパターン１８の下に存在する金属薄膜層を溶解除去
して形成したグラウンド金属層である。
２０．２１および２２はそれぞれグラウンド金属層１９
の形成によって基体下面に露出した絶縁性樹脂の露出部
を溶解して形成したデバイスホール、０［８ホール、ス
プロケットホールである。
の形成によって基体下面に露出した絶縁性樹脂の露出部
を溶解して形成したデバイスホール、０［８ホール、ス
プロケットホールである。
以下に本発明の実施に際して行なわれる２層ＴＡＢの製
造法の概略について説明する。２層ＴＡＢの製造におい
ては、ポリイミド等の絶縁性樹脂フィルムの両面あるい
は片面に接着剤を用いることなく、銅等の金属層を被着
形成したものを基体として用い、次の工程を組み合わせ
て行なう。
造法の概略について説明する。２層ＴＡＢの製造におい
ては、ポリイミド等の絶縁性樹脂フィルムの両面あるい
は片面に接着剤を用いることなく、銅等の金属層を被着
形成したものを基体として用い、次の工程を組み合わせ
て行なう。
（１）基体両面に、それぞれリード形成およびビアホー
ル形成のための各レジストパターンを形成する工程。
ル形成のための各レジストパターンを形成する工程。
（２）基体上面に形成されたレジストパターンに従って
行なわれるリードの形成工程。
行なわれるリードの形成工程。
（３）基体下面に形成されたレジストパターンに従って
行なわれるビアホールの形成工程。
行なわれるビアホールの形成工程。
（４）ビアホール形成後の基体下面に行なわれるグラウ
ンド金属層の形成工程。
ンド金属層の形成工程。
そして、上記の（２）および（４）の工程中におけるリ
ードの形成およびグラウンド金属層の形成手段としては
セミアデイティブ法またはサブトラクティブ法の何れか
を選択し採用することができる。
ードの形成およびグラウンド金属層の形成手段としては
セミアデイティブ法またはサブトラクティブ法の何れか
を選択し採用することができる。
上記した工程において、本発明によるフォトマスフは基
体下面に対して２度に亘って行なわれる各種のレジスト
パターン形成に際して用いられるものであり、フォトマ
スクＡは工程（１）において、ビアホール形成のための
レジストパターンを形成する際に用いられるものであり
、フォトマスクＢは工程（４）において、グラウンド金
属層形成のためのレジストパターンを形成する際に用い
られる。
体下面に対して２度に亘って行なわれる各種のレジスト
パターン形成に際して用いられるものであり、フォトマ
スクＡは工程（１）において、ビアホール形成のための
レジストパターンを形成する際に用いられるものであり
、フォトマスクＢは工程（４）において、グラウンド金
属層形成のためのレジストパターンを形成する際に用い
られる。
次に本発明において各フォトマスクに施されるアライメ
ントマークの２層ＴＡＢの製造工程における作用につい
て順を追って説明する。
ントマークの２層ＴＡＢの製造工程における作用につい
て順を追って説明する。
本発明を実施するに際しては、前述したように基本的に
テープ状の絶縁性樹脂フィルムの両面若しくは上面に接
着剤によることなく金属層を被着形成したものを基体出
発材料として用いるが、ここでは説明の重複を避けるた
めに基体の上面のみに金属層を被着形成したいわゆる片
面基体を出発材料として用いた場合について説明する。
テープ状の絶縁性樹脂フィルムの両面若しくは上面に接
着剤によることなく金属層を被着形成したものを基体出
発材料として用いるが、ここでは説明の重複を避けるた
めに基体の上面のみに金属層を被着形成したいわゆる片
面基体を出発材料として用いた場合について説明する。
本発明において絶縁性樹脂フィルム基体８に使用される
絶縁性樹脂はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フッ化炭
素樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリイミドアミド樹脂、
シリコン樹脂等である。
絶縁性樹脂はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フッ化炭
素樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリイミドアミド樹脂、
シリコン樹脂等である。
絶縁性樹脂フィルム基体８の上面への金属層の形成は該
基体表面にスパッタ法、真空蒸着法等の乾式金属被着法
によるか、または無電解めっき法等の湿式金属被着法に
よるか、あるいはこれらの方法を組み合わせ使用するこ
とによって行なわれ、更にこれらの方法に電気めっき法
を組み合わせて行なってもよく、要は絶縁性樹脂基体８
の上面に接着剤を施すことなく直接的に金属層を被着形
成せしめる方法であれば何れの方法を採用し７てもよい
。
基体表面にスパッタ法、真空蒸着法等の乾式金属被着法
によるか、または無電解めっき法等の湿式金属被着法に
よるか、あるいはこれらの方法を組み合わせ使用するこ
とによって行なわれ、更にこれらの方法に電気めっき法
を組み合わせて行なってもよく、要は絶縁性樹脂基体８
の上面に接着剤を施すことなく直接的に金属層を被着形
成せしめる方法であれば何れの方法を採用し７てもよい
。
また、絶縁性樹脂基体８上に形成する金属層は電気的性
能およびコスト面から一般には銅が採用されるが、基体
８と銅との間にクロム、ニッケル等他金属の薄膜層が存
在していても何等差し支えない。
能およびコスト面から一般には銅が採用されるが、基体
８と銅との間にクロム、ニッケル等他金属の薄膜層が存
在していても何等差し支えない。
基体上面に形成する金属層の厚さはリードの形成がセミ
アデイティブ法によって行なわれる場合には、リードの
形成に際して施される金属電気めっき層の形成時におけ
る前処理に際してソフトエツチング液に耐え得る厚さで
あればよく特に制限はないが、更に後述するように基体
上面に形成された各リードを電気的に独立した状態にす
るなめに行なわれるリード間に存在する金属層の溶解に
際しての作業性に鑑み０．５〜２μｍの範囲にすること
が望ましい。
アデイティブ法によって行なわれる場合には、リードの
形成に際して施される金属電気めっき層の形成時におけ
る前処理に際してソフトエツチング液に耐え得る厚さで
あればよく特に制限はないが、更に後述するように基体
上面に形成された各リードを電気的に独立した状態にす
るなめに行なわれるリード間に存在する金属層の溶解に
際しての作業性に鑑み０．５〜２μｍの範囲にすること
が望ましい。
またリード形成がサブトラクティブ法によって行なわれ
る場合には、上面金属層の厚さはレジスト層が形成され
る前に所望のリード厚さと同等にしておく必要がある。
る場合には、上面金属層の厚さはレジスト層が形成され
る前に所望のリード厚さと同等にしておく必要がある。
従って金属層は前述したスパッタ法等によって先ず絶縁
性樹脂基体８の上面に金属薄膜層を形成した後、更にそ
の上面に電気めっきによって所定の厚さになるまでめっ
き金属を被着させて肉盛りするのがよい。通常要求され
るリード厚さは３５μｍ程度までである（第６図（イ）
参照〉。
性樹脂基体８の上面に金属薄膜層を形成した後、更にそ
の上面に電気めっきによって所定の厚さになるまでめっ
き金属を被着させて肉盛りするのがよい。通常要求され
るリード厚さは３５μｍ程度までである（第６図（イ）
参照〉。
次に基体８の上下面にレジスト層の形成を行なうが、上
面に形成するレジスト層の厚さはリードの形成がセミア
デイティブ法で行なわれる場合には、リードの厚さが前
述の如く３５μｍ程度であることが要求されていること
から、それ以上の厚さとすることが必要である。また、
リードの形成がサブトラクティブ法で行なわれる場合に
は特に厚さの制限はないが、金属層溶解に際しての溶解
後のパターン精度を考慮すると１〜１０ＡＬｍ程度とす
るのが適当て′ある。
面に形成するレジスト層の厚さはリードの形成がセミア
デイティブ法で行なわれる場合には、リードの厚さが前
述の如く３５μｍ程度であることが要求されていること
から、それ以上の厚さとすることが必要である。また、
リードの形成がサブトラクティブ法で行なわれる場合に
は特に厚さの制限はないが、金属層溶解に際しての溶解
後のパターン精度を考慮すると１〜１０ＡＬｍ程度とす
るのが適当て′ある。
レジストの種類は上記の厚さに塗布し得るものであって
、且つ上面におけるリードの形成に際して行なわれる金
属電気めっきにおけるめっき液やその後に行なわれる金
属層の溶解に際しての金属溶解液に耐え得るものであれ
ば一般市販のレジスト剤で十分であり、例えばアクリル
樹脂等に感光性の官能基を付与することによって光照射
部分か現像時に未溶解部分として残るネガ型レジスト、
ノボラック樹脂等に感光性の官能基を付与することによ
って光照射部分が現像時に溶解するポジ型レジストがあ
るが、何れの型のレジストでも使用可能である。また、
レジストの状態としては液状のものでも固形化してドラ
イフィルム状としたものでも何れも使用できる。
、且つ上面におけるリードの形成に際して行なわれる金
属電気めっきにおけるめっき液やその後に行なわれる金
属層の溶解に際しての金属溶解液に耐え得るものであれ
ば一般市販のレジスト剤で十分であり、例えばアクリル
樹脂等に感光性の官能基を付与することによって光照射
部分か現像時に未溶解部分として残るネガ型レジスト、
ノボラック樹脂等に感光性の官能基を付与することによ
って光照射部分が現像時に溶解するポジ型レジストがあ
るが、何れの型のレジストでも使用可能である。また、
レジストの状態としては液状のものでも固形化してドラ
イフィルム状としたものでも何れも使用できる。
なお、金属溶解液としては、−船釣には塩酸、硫酸、硝
酸等の酸性溶液、塩化鉄溶液、塩化銅溶液等の金属塩化
物溶液、過酸化アンモニウム等の過酸化物溶液等が用い
られるのであるから、レジストはこれらの溶液に耐え得
るものであればよいということになる。また時には溶解
液としてアルカリ性溶液を使用することもあるが、この
場合においては耐アルカリ性のレジストを使用すればよ
い。
酸等の酸性溶液、塩化鉄溶液、塩化銅溶液等の金属塩化
物溶液、過酸化アンモニウム等の過酸化物溶液等が用い
られるのであるから、レジストはこれらの溶液に耐え得
るものであればよいということになる。また時には溶解
液としてアルカリ性溶液を使用することもあるが、この
場合においては耐アルカリ性のレジストを使用すればよ
い。
基体下面の樹脂上に形成されるレジスト層は次工程以降
に使用される樹脂の溶解液に耐えられるものであれば何
れでもよく、樹脂としてポリイミド樹脂を使用する場合
にはポリイミド樹脂の溶解液は通常強アルカリ性のもの
であるからゴム系レジストの採用が望ましい。
に使用される樹脂の溶解液に耐えられるものであれば何
れでもよく、樹脂としてポリイミド樹脂を使用する場合
にはポリイミド樹脂の溶解液は通常強アルカリ性のもの
であるからゴム系レジストの採用が望ましい。
次に基体上面の金属層上に形成したレジスト層に対して
第５図に示すような所望のリードパターンを有するフォ
トマスクを施し、該フォトマスクを介して光を照射して
露光を行なった後、現像処理を施すことによって、金属
層にリード形成のなめのレジストパターンを、また基体
下面の樹脂上に形成したレジスト層に対して所定のビア
ホールパターンを有し、更にアライメントマークａを設
けた本発明によるフォトマスクＡを施して、露光を行な
った後、現像処理を施して所定のビアホールパターンを
有するレジストパターン１０を形成する。この操作によ
り基体下面にはビアホールを形成しようとする所定の部
分およびアライメントマークａに対応した所定のパター
ン部分のみ樹脂部分が露出するレジストパターン１０が
形成されるのである（第６図（ロ）参照）。
第５図に示すような所望のリードパターンを有するフォ
トマスクを施し、該フォトマスクを介して光を照射して
露光を行なった後、現像処理を施すことによって、金属
層にリード形成のなめのレジストパターンを、また基体
下面の樹脂上に形成したレジスト層に対して所定のビア
ホールパターンを有し、更にアライメントマークａを設
けた本発明によるフォトマスクＡを施して、露光を行な
った後、現像処理を施して所定のビアホールパターンを
有するレジストパターン１０を形成する。この操作によ
り基体下面にはビアホールを形成しようとする所定の部
分およびアライメントマークａに対応した所定のパター
ン部分のみ樹脂部分が露出するレジストパターン１０が
形成されるのである（第６図（ロ）参照）。
なお、ここでいうフォトマスクＡおよび後述するフォト
マスクＢとはガラスや透光性のプラスチックフィルムに
銀等を含む乳剤やクロム等の金属を焼き付けたものをい
う。
マスクＢとはガラスや透光性のプラスチックフィルムに
銀等を含む乳剤やクロム等の金属を焼き付けたものをい
う。
露光方法としてはレジスト面とフォトマスクを密着させ
て露光を行なう密着露光法と、レジスト面とフォトマス
クとを一定の距離を隔てて平行に並べて露光を行なう投
影露光法とがあるが、何れの方法を採択してもよい。
て露光を行なう密着露光法と、レジスト面とフォトマス
クとを一定の距離を隔てて平行に並べて露光を行なう投
影露光法とがあるが、何れの方法を採択してもよい。
基体上面におけるリードの形成方法は常法によるセミア
デイティブ法あるいはサブトラクティブ法の何れも採用
可能である。
デイティブ法あるいはサブトラクティブ法の何れも採用
可能である。
リード形成後、基体上面全体に亘って有機樹脂液Ｍ（図
示せず〉を被覆する措置が取られることもある。この有
機樹脂被膜による被覆は、これに続く絶縁性樹脂の部分
的な溶解処理工程によって表面に露出した絶縁性樹脂を
保護する役割を有するものであり、これに用いられる有
機樹脂としては、絶縁性樹脂にポリイミド樹脂を採用す
る場合には、ゴム系、エポキシ系、シリコン系の有機樹
脂を使用すればよい。
示せず〉を被覆する措置が取られることもある。この有
機樹脂被膜による被覆は、これに続く絶縁性樹脂の部分
的な溶解処理工程によって表面に露出した絶縁性樹脂を
保護する役割を有するものであり、これに用いられる有
機樹脂としては、絶縁性樹脂にポリイミド樹脂を採用す
る場合には、ゴム系、エポキシ系、シリコン系の有機樹
脂を使用すればよい。
続いて、基体下面にフォトマスクＡを施して露光、現像
を行なうことによって、下面に形成されたレジストパタ
ーンに従って露出しな絶縁性樹脂の露出部を溶解して所
定のビアホール１３および基準マーク１４を形成する（
第６図（用参照）。
を行なうことによって、下面に形成されたレジストパタ
ーンに従って露出しな絶縁性樹脂の露出部を溶解して所
定のビアホール１３および基準マーク１４を形成する（
第６図（用参照）。
この絶縁性樹脂の溶解は絶縁性樹脂にポリイミド樹脂を
使用する場合には抱水しドラジン、水酸化アルカリ等の
強アルカリ性溶液を単独若しくは混合した溶液に、更に
メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコ
ール等のアルコール類を混合した溶液を使用して行なう
。
使用する場合には抱水しドラジン、水酸化アルカリ等の
強アルカリ性溶液を単独若しくは混合した溶液に、更に
メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコ
ール等のアルコール類を混合した溶液を使用して行なう
。
次に基体下面のレジストパターン１０を除去した後、導
電処理法を用いてビアホール１３および基準マーク１４
の側面を含めた基体下面の絶縁性樹脂の露出部をメタラ
イズしつつ、下面全体に亘って金属薄膜層１５を形成す
る。
電処理法を用いてビアホール１３および基準マーク１４
の側面を含めた基体下面の絶縁性樹脂の露出部をメタラ
イズしつつ、下面全体に亘って金属薄膜層１５を形成す
る。
金属薄膜層１５の形成にあたっては、スパッタ法、真空
蒸着等の乾式金属被着法、無電解めっき法等の湿式金属
被着法の何れをも採用することができる。
蒸着等の乾式金属被着法、無電解めっき法等の湿式金属
被着法の何れをも採用することができる。
更に、基体下面の金属薄膜層１５上にレジスト層１６を
形成し、該レジスト層１６に対して本発明によるところ
のアライメントマークｂを有し、更にビアホールを除く
各種所定のホールパターンを有するフォトマスクＢを施
して基体下面における第２回目の露光、および現像を行
ない所定のレジストパターン１７を形成する。
形成し、該レジスト層１６に対して本発明によるところ
のアライメントマークｂを有し、更にビアホールを除く
各種所定のホールパターンを有するフォトマスクＢを施
して基体下面における第２回目の露光、および現像を行
ない所定のレジストパターン１７を形成する。
上記の操作の中で、金属１膜層１５上にレジスト層を形
成した基体８の下面とフォトマスクＢとのアライメント
を行なうために、予め基体下面に形成された基準マーク
１４とアライメントマークｂのとのアライメントを行な
う。このアライメントを行なう手順としては、先ず、使
用するＴＡＢパターンの中心にアライメントマークａの
１個を、更にそれ以外の所定の複数箇所の位置に対応し
てアライメントマークａの複数個を設けたフォトマスク
Ａにより、前記のレジストパターン１７の形成から基体
下面の絶縁性樹脂露出部の溶解によって形成された標準
マーク１４を用い、最初に中心に形成された基準マーク
１４とフォトマスクＢに設けたアライメントマークｂで
、基体８のＴＡＢパターンの中心とフォトマスクＢにお
けるＴＡＢパターンの中心を精度よく合せる。次に、基
体８またはフォトマスクＢをそれぞれのＴＡＢパターン
の中心を回転軸として回転させて、その他の位置に設け
た基準マーク１４とアライメントマークｂの位置合せを
行なうことによって基体８とフォトマスクＢとのアライ
メントを行なう。勿論基体８とフォトマスクＢとのアラ
イメント方法には、使用する機器や所望の１ＡＲパター
ン等に応じて種々の手法が考えられ、上記した方法はそ
の一例を示すものである。
成した基体８の下面とフォトマスクＢとのアライメント
を行なうために、予め基体下面に形成された基準マーク
１４とアライメントマークｂのとのアライメントを行な
う。このアライメントを行なう手順としては、先ず、使
用するＴＡＢパターンの中心にアライメントマークａの
１個を、更にそれ以外の所定の複数箇所の位置に対応し
てアライメントマークａの複数個を設けたフォトマスク
Ａにより、前記のレジストパターン１７の形成から基体
下面の絶縁性樹脂露出部の溶解によって形成された標準
マーク１４を用い、最初に中心に形成された基準マーク
１４とフォトマスクＢに設けたアライメントマークｂで
、基体８のＴＡＢパターンの中心とフォトマスクＢにお
けるＴＡＢパターンの中心を精度よく合せる。次に、基
体８またはフォトマスクＢをそれぞれのＴＡＢパターン
の中心を回転軸として回転させて、その他の位置に設け
た基準マーク１４とアライメントマークｂの位置合せを
行なうことによって基体８とフォトマスクＢとのアライ
メントを行なう。勿論基体８とフォトマスクＢとのアラ
イメント方法には、使用する機器や所望の１ＡＲパター
ン等に応じて種々の手法が考えられ、上記した方法はそ
の一例を示すものである。
上記の如くしてレジストパターン１７を形成することに
よって生じた金属薄膜層１５の露出部分に金属電気めっ
き層１８を積層することによって、基体下面にめっき金
属層を形成し、次にレジストパターン１０によるレジス
トを除去した後、その下に存在する金属薄膜層１５の露
出部分を溶解除去することによって、基体下面にグラウ
ンド金属層１９を有する基体８を得ることができる（第
６図（ニ）および（ホ）参照）。
よって生じた金属薄膜層１５の露出部分に金属電気めっ
き層１８を積層することによって、基体下面にめっき金
属層を形成し、次にレジストパターン１０によるレジス
トを除去した後、その下に存在する金属薄膜層１５の露
出部分を溶解除去することによって、基体下面にグラウ
ンド金属層１９を有する基体８を得ることができる（第
６図（ニ）および（ホ）参照）。
また、グラウンド金属層１９の形成をサブトラクティブ
法によって行なう場合には、先ず、金属薄膜層１５上に
電気めっきによってめっき金属層１８を形成した後に、
該めっき金属層１８上にレジスト層１６を形成し、前述
の場合と同様の手順により基体下面に形成された基準マ
ーク１４とフォトマスクＢに設けられたアライメントマ
ークｂとを用いてアライメントを行ない、しかる後第２
回目の露光および現像を行なってレジストパターン１γ
を形成する。次いで、レジストパターン１１の形成によ
って露出しためっき金属層１８の露出部分およびその下
に存在する金属薄膜層１５を溶解除去することによって
、基体下面にグラウンド金属層１９を形成することがで
きる。
法によって行なう場合には、先ず、金属薄膜層１５上に
電気めっきによってめっき金属層１８を形成した後に、
該めっき金属層１８上にレジスト層１６を形成し、前述
の場合と同様の手順により基体下面に形成された基準マ
ーク１４とフォトマスクＢに設けられたアライメントマ
ークｂとを用いてアライメントを行ない、しかる後第２
回目の露光および現像を行なってレジストパターン１γ
を形成する。次いで、レジストパターン１１の形成によ
って露出しためっき金属層１８の露出部分およびその下
に存在する金属薄膜層１５を溶解除去することによって
、基体下面にグラウンド金属層１９を形成することがで
きる。
このグラウンド金属層１９の形成工程において用いられ
るレジストは先のビアホール形成工程において用いられ
たレジストと同様のものが用いられる。またレジストパ
ターン形成のための露光および現像の手順も先のレジス
トパターン形成に際して行なわれた手順に準じて行なえ
ばよい。
るレジストは先のビアホール形成工程において用いられ
たレジストと同様のものが用いられる。またレジストパ
ターン形成のための露光および現像の手順も先のレジス
トパターン形成に際して行なわれた手順に準じて行なえ
ばよい。
最後に基体下面に露出した絶縁性樹脂の露出部を溶解し
てビアホールを除く所定の各種ホール、即ちデバイスホ
ール２０．ＯＬＢホール２１、スプロケットホール２２
およびツーリングホール等を形成し、更にリード形成後
の基体上面に有機樹脂被膜を形成した場合には、適当な
樹脂剥離剤を用いて該有機樹脂被膜を！−ＩＪ離除去し
て、上面に所定のリードを、また下面にグラウンド金属
層を有し、上面のリードと下面のグラウンド金属層とか
ビアホールを介して電気的に導通する構造の２層ＴＡＢ
を確実に、且つ精度よく得ることができる〈第６図（へ
）参照）。
てビアホールを除く所定の各種ホール、即ちデバイスホ
ール２０．ＯＬＢホール２１、スプロケットホール２２
およびツーリングホール等を形成し、更にリード形成後
の基体上面に有機樹脂被膜を形成した場合には、適当な
樹脂剥離剤を用いて該有機樹脂被膜を！−ＩＪ離除去し
て、上面に所定のリードを、また下面にグラウンド金属
層を有し、上面のリードと下面のグラウンド金属層とか
ビアホールを介して電気的に導通する構造の２層ＴＡＢ
を確実に、且つ精度よく得ることができる〈第６図（へ
）参照）。
（実施例）
次に本発明の実施例について述べる。
１５ｃｎＸ１５■の大きさのポリイミド樹脂フィルム状
基体（東し・デュポン社製、カプトン２００）１、厚さ
５０ｔｔｍ ）の上面に対し、硫酸銅１０ｇ／ｆ） 、
ＥＤＴＡ６０ｇ／ｆｌ 、ホルマリン６ｍｅ／Ｅ、ジピ
リジル３０ｒｎｇ／Ｊ７ 、ポリエチレングリコール０
．５ｇ／ｆ）の組成を有する無電解銅めっき液を用いて
ｐＨ１２，５として７０℃で１０分間の浸漬処理を行な
い、銅の無電解めっき被覆を形成した後、更に硫酸銅１
００ｇ／ｌ）、硫酸１８０ｇ／ｆｌ、の組成を有する電
気銅めっき液を用いて電流密度２ Ａ／ｄｍ２で電解を
行ない上面に厚さ１μｍの銅による下地金属層を形成さ
せた。
基体（東し・デュポン社製、カプトン２００）１、厚さ
５０ｔｔｍ ）の上面に対し、硫酸銅１０ｇ／ｆ） 、
ＥＤＴＡ６０ｇ／ｆｌ 、ホルマリン６ｍｅ／Ｅ、ジピ
リジル３０ｒｎｇ／Ｊ７ 、ポリエチレングリコール０
．５ｇ／ｆ）の組成を有する無電解銅めっき液を用いて
ｐＨ１２，５として７０℃で１０分間の浸漬処理を行な
い、銅の無電解めっき被覆を形成した後、更に硫酸銅１
００ｇ／ｌ）、硫酸１８０ｇ／ｆｌ、の組成を有する電
気銅めっき液を用いて電流密度２ Ａ／ｄｍ２で電解を
行ない上面に厚さ１μｍの銅による下地金属層を形成さ
せた。
次に基体上面における下地金属層上に、感光性レジスト
としてＰＨＥＲ，ＨＣ６００（東京応化社製、ネガ型フ
ォトレジスト）を用いて約４０μｍの厚さに、また基体
下面には感光性レジストとしてＦＲ８（富士薬品社製、
ネガ型レジスト〉を約７μｍの厚さに、それぞれバーコ
ーターを用いて塗布し、それぞれ７０℃で３０分間乾燥
処理した後、上面のレジスト層に７０ｍｍ Ｘ ７０薗
の大きさで、インナーリードピッチ１６０μｍ 、リー
ド幅８０μｍ 、リード数２４４本のＴＡＢパターンを
有するガラス製のフォトマスクをレジスト面に密着させ
て、該フォトマスクを介して９００ ｍＪの紫外線を照
射した。
としてＰＨＥＲ，ＨＣ６００（東京応化社製、ネガ型フ
ォトレジスト）を用いて約４０μｍの厚さに、また基体
下面には感光性レジストとしてＦＲ８（富士薬品社製、
ネガ型レジスト〉を約７μｍの厚さに、それぞれバーコ
ーターを用いて塗布し、それぞれ７０℃で３０分間乾燥
処理した後、上面のレジスト層に７０ｍｍ Ｘ ７０薗
の大きさで、インナーリードピッチ１６０μｍ 、リー
ド幅８０μｍ 、リード数２４４本のＴＡＢパターンを
有するガラス製のフォトマスクをレジスト面に密着させ
て、該フォトマスクを介して９００ ｍＪの紫外線を照
射した。
また下面のレジスト層には上面のＴＡＢパターンに対応
してビアホール１２２個を有し、長さ３刷、幅６０μｍ
の長方形２本を十字に組み合わせた形状を有するアライ
メントマーク４個を、１個はＴＡＢパターンの中心でデ
バイスホール形成部分に相当する位置に、また他の３個
はＴＡＢパターンの領域外でＴＡＢパターンの中心から
等距離で、且つ各アライメントマークの中心とＴＡＢマ
ークの中心とを結ぶ直線が互いに１２０度の角度になる
ような位置に設けたフォトマスクをレジスト面に密着さ
せ、該フォトマスクを介して１００ ｍＪの紫外線を照
射して露光を行なった。
してビアホール１２２個を有し、長さ３刷、幅６０μｍ
の長方形２本を十字に組み合わせた形状を有するアライ
メントマーク４個を、１個はＴＡＢパターンの中心でデ
バイスホール形成部分に相当する位置に、また他の３個
はＴＡＢパターンの領域外でＴＡＢパターンの中心から
等距離で、且つ各アライメントマークの中心とＴＡＢマ
ークの中心とを結ぶ直線が互いに１２０度の角度になる
ような位置に設けたフォトマスクをレジスト面に密着さ
せ、該フォトマスクを介して１００ ｍＪの紫外線を照
射して露光を行なった。
なお、紫外線の照射は超高圧水銀灯（オーク製作所社製
）を使用した。
）を使用した。
次に上面のレジスト層を現像液としてＰＨＥＲ現像液（
東京応化社製）を用いて２５℃で７分間現像し、１１０
℃で３０分間乾燥処理を施し所定のリードパターンを有
するレジストパターンを形成した。
東京応化社製）を用いて２５℃で７分間現像し、１１０
℃で３０分間乾燥処理を施し所定のリードパターンを有
するレジストパターンを形成した。
続いて基体上面の露出した下地銅層上に前述の電気銅め
っき液を用いて電流密度２Ａ／ｄｍ２で５０分間電解を
行ない、厚さ３５μ■の銅層としてリード前形体を形成
した。
っき液を用いて電流密度２Ａ／ｄｍ２で５０分間電解を
行ない、厚さ３５μ■の銅層としてリード前形体を形成
した。
次に下面のレジスト層を現像液としてＦＳＲ−Ｄ（富士
薬品社製）を用いて２５℃で５０秒間現像した後、１１
０℃で３０分間の乾燥処理を行なって所定のビアホール
パターンと４個のアライメントマークによる基準マーク
パターンを有するレジストパターンを得た。
薬品社製）を用いて２５℃で５０秒間現像した後、１１
０℃で３０分間の乾燥処理を行なって所定のビアホール
パターンと４個のアライメントマークによる基準マーク
パターンを有するレジストパターンを得た。
続いて上面のレジストを水酸化ナトリウム４％溶液を用
い、５０℃で１分間処理を行なうことによって除去し、
更に上面の下地銅層を塩化銅１００ｇ７／ｇ、塩化アン
モニウム１００ｇ／ｆＪ、炭酸アンモニウム２０ｇ／ｌ
、アンモニア水４００ｍＮ ／ｌの組成を有するアン
モニア系アルカリ性溶液を用い、２５°Ｃで１分間処理
して各リードを電気的に独立した状態に形成し、次いで
有機樹脂膜としてＦＳＲ（富士薬品社製）を使用して基
体上面全体に亘って約１０μｍの厚さに塗布して、１３
０℃で３０分間の加熱処理を行なって有機樹脂被膜を被
覆した。
い、５０℃で１分間処理を行なうことによって除去し、
更に上面の下地銅層を塩化銅１００ｇ７／ｇ、塩化アン
モニウム１００ｇ／ｆＪ、炭酸アンモニウム２０ｇ／ｌ
、アンモニア水４００ｍＮ ／ｌの組成を有するアン
モニア系アルカリ性溶液を用い、２５°Ｃで１分間処理
して各リードを電気的に独立した状態に形成し、次いで
有機樹脂膜としてＦＳＲ（富士薬品社製）を使用して基
体上面全体に亘って約１０μｍの厚さに塗布して、１３
０℃で３０分間の加熱処理を行なって有機樹脂被膜を被
覆した。
次に基体をエチルアルコールと水酸化カリウム１規定溶
液を容量比で１：１に混合した液を用いて、５０℃で４
分間浸漬処理することによって、露出部のポリイミド樹
脂を溶解して下面にビアホールおよび基準マークを形成
し、残留するレジストを樹脂剥離液としてＦＲ３剥離液
（富士薬品社製）／ を用いて、７０℃に１５分間処理して剥離除去した。
液を容量比で１：１に混合した液を用いて、５０℃で４
分間浸漬処理することによって、露出部のポリイミド樹
脂を溶解して下面にビアホールおよび基準マークを形成
し、残留するレジストを樹脂剥離液としてＦＲ３剥離液
（富士薬品社製）／ を用いて、７０℃に１５分間処理して剥離除去した。
−次に、前述の無電解銅めっき液を用いて下面全ｊに銅
薄膜層を形成後、この上に感光性レジストとしてＰＨＥ
Ｒ−ＨＣ６００（東京応化社製、ネガ型レジスト）をバ
ーコーターを使用して約２０μｍの厚さに塗布し、７０
℃で３０分間乾燥処理した。このレジスト面上に、先の
露光工程で用いたＴＡＢパターンに対応し、その対角線
の交点がＴＡＢパターンの中心と一致するような一辺１
１爾の正方形の形状をしたデバイスホール１個、ＴＡＢ
パターンの中心に対して互いに対称の位置に上底２２ｍ
ｍ、下底３２ｆｆＩ！１１、高さ５ＴＩｔＩＢの台形の
形状をした叶Ｂホール４個、ＴＡＢパターンの両側に等
間隔に２Ｗ１１×３ｍｍの長方形の形状をしたスプロケ
ットホールを片面に付いて１２個配列し、更にＴＡＢパ
ターンの中心からデバイスホールの各頂点に延ばした直
線上でＴＡＢパターンの領域内４か所に一辺２１１１１
１１の正方形のツーリングホール４個を形成した各種ホ
ールパターンを有し、且つ先に用いたビアホールパター
ンを有するフォトマスクに施されたアライメントマーク
に対応する所定の位置、即ちデバイスホール内に１か所
、ＴＡＢパターン領域外に３か所に前述と同様の十字Ｉ
状のアライメントマークを設けたフォトマスクを施し、
該フォトマスクを介して４００ ｍＪの紫外線を照射し
露光を行なった後、前述の現像液を使用して２５℃で３
分間処理し、次いで１１０℃で３０分間乾燥処理して所
定のレジストパターンを形成した。
薄膜層を形成後、この上に感光性レジストとしてＰＨＥ
Ｒ−ＨＣ６００（東京応化社製、ネガ型レジスト）をバ
ーコーターを使用して約２０μｍの厚さに塗布し、７０
℃で３０分間乾燥処理した。このレジスト面上に、先の
露光工程で用いたＴＡＢパターンに対応し、その対角線
の交点がＴＡＢパターンの中心と一致するような一辺１
１爾の正方形の形状をしたデバイスホール１個、ＴＡＢ
パターンの中心に対して互いに対称の位置に上底２２ｍ
ｍ、下底３２ｆｆＩ！１１、高さ５ＴＩｔＩＢの台形の
形状をした叶Ｂホール４個、ＴＡＢパターンの両側に等
間隔に２Ｗ１１×３ｍｍの長方形の形状をしたスプロケ
ットホールを片面に付いて１２個配列し、更にＴＡＢパ
ターンの中心からデバイスホールの各頂点に延ばした直
線上でＴＡＢパターンの領域内４か所に一辺２１１１１
１１の正方形のツーリングホール４個を形成した各種ホ
ールパターンを有し、且つ先に用いたビアホールパター
ンを有するフォトマスクに施されたアライメントマーク
に対応する所定の位置、即ちデバイスホール内に１か所
、ＴＡＢパターン領域外に３か所に前述と同様の十字Ｉ
状のアライメントマークを設けたフォトマスクを施し、
該フォトマスクを介して４００ ｍＪの紫外線を照射し
露光を行なった後、前述の現像液を使用して２５℃で３
分間処理し、次いで１１０℃で３０分間乾燥処理して所
定のレジストパターンを形成した。
次に、前述の電気銅めっき液を用いて電流密度２Ａ／ｄ
ｍ２で２５分間電解を行ない、下面の露出した銅薄膜層
上に１８μｍの銅グラウンド層を形成後、残留レジスト
を水酸化ナトリウム４％溶液中において５０″Ｃで１分
間処理して除去した。
ｍ２で２５分間電解を行ない、下面の露出した銅薄膜層
上に１８μｍの銅グラウンド層を形成後、残留レジスト
を水酸化ナトリウム４％溶液中において５０″Ｃで１分
間処理して除去した。
次いで、基体を塩化銅２００ｇ／Ｎ溶液を用いて５０℃
で１分間処理することによって、基体下面のレジストパ
ターン下に存在する銅薄膜層を溶解除去してビアホール
を除く所定の各種ホール形成部に相当する部分のポリイ
ミド樹脂を露出させた。
で１分間処理することによって、基体下面のレジストパ
ターン下に存在する銅薄膜層を溶解除去してビアホール
を除く所定の各種ホール形成部に相当する部分のポリイ
ミド樹脂を露出させた。
次に前述のポリイミド溶解液を用いてポリイミド樹脂露
出部を溶解して各種ホールを形成した後、基体上面の有
機樹脂被膜を樹脂剥離液としてＦＳＲ剥離液（富士薬品
社製）を用いて７０℃で１５分間処理して剥離除去し、
基体両面における金属パターυの位置精度が極めて良好
で、且つ上下面の金属部を電気的に導通させた２層ＴＡ
Ｂを容易に得ることができた。
出部を溶解して各種ホールを形成した後、基体上面の有
機樹脂被膜を樹脂剥離液としてＦＳＲ剥離液（富士薬品
社製）を用いて７０℃で１５分間処理して剥離除去し、
基体両面における金属パターυの位置精度が極めて良好
で、且つ上下面の金属部を電気的に導通させた２層ＴＡ
Ｂを容易に得ることができた。
（発明の効果）
本発明による基体下面露光現像用のフォトマスクを使用
するときは、下面にグラウンド金属層を有し、ビアホー
ルによって上面のリードとグラウンド金属層が電気的に
導通した構造を有する２層ＴＡＢの製造において、基体
下面に行なわれる２度の露光工程において基体とフォト
マスクとの相対位置を精度よく合せることができ、従っ
て品質的に優れた性能を有する２層ＴＡＢを確実容易に
製造することができるので極めて効果的である。
するときは、下面にグラウンド金属層を有し、ビアホー
ルによって上面のリードとグラウンド金属層が電気的に
導通した構造を有する２層ＴＡＢの製造において、基体
下面に行なわれる２度の露光工程において基体とフォト
マスクとの相対位置を精度よく合せることができ、従っ
て品質的に優れた性能を有する２層ＴＡＢを確実容易に
製造することができるので極めて効果的である。
第１図は本発明における基体下面にビアホールを形成す
るためのフォトマスクＡの一例を示す図、第２図は本発
明における基体下面にデバイスホール、叶Ｂホール、ス
プロケットホールおよびツーリングホールを形成するた
めのフォトマスクＢの一例を示す図、第３図はビアホー
ル形成用フォトマスクＡとグラウンド金属層形成用フォ
Ｉ・マスクＢの所定の位置に設けられたアライメントマ
ークのパターン例を示した図、第４図は本発明によるＡ
、８２つのフォトマスクを用いて製造された２層ＴＡＢ
の一例を示す図、第５図は２層ＴＡＢ製造において基体
上面に施されるリードパターンマスクの一例を示す図、
第６図（イ）〜（へ）は本発明のフォトマスクを用いて
２層ＴＡＢを製造する場合の加工工程の概略を順を追っ
て図示した説明図である。 １・・・ビアホールパターン、２・・・アライメントマ
ークａ、３・・・アライメントマークｂ、４・・・デバ
イスホールパターン、５・・・ＯＬＢホールパターン、
６・・・スプロケットホールパターン、７・・・ツーリ
ングホールパターン、８・・・絶縁性樹脂基体、９・・
・リード、１０．１１・・・レジストパターン、１１．
１２・・・絶縁性樹脂露出部、１３・・・ビアホール、
１４・・・基準マーク、１５・・・金属薄膜層、１６・
・・レジスト層、１８・・・めっき金属層、１９・・・
グラウンド金属層、２０・・・デバイスホール、２１・
・・ＯＬＢホール、２２・・・スズロケットホール。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 代 理 人 押 １） 良 久護第１図 フ４１・マスクΔ 第２図 フすトマスクＢ 第３図 マーク１［珂大例 第４図 第５図
るためのフォトマスクＡの一例を示す図、第２図は本発
明における基体下面にデバイスホール、叶Ｂホール、ス
プロケットホールおよびツーリングホールを形成するた
めのフォトマスクＢの一例を示す図、第３図はビアホー
ル形成用フォトマスクＡとグラウンド金属層形成用フォ
Ｉ・マスクＢの所定の位置に設けられたアライメントマ
ークのパターン例を示した図、第４図は本発明によるＡ
、８２つのフォトマスクを用いて製造された２層ＴＡＢ
の一例を示す図、第５図は２層ＴＡＢ製造において基体
上面に施されるリードパターンマスクの一例を示す図、
第６図（イ）〜（へ）は本発明のフォトマスクを用いて
２層ＴＡＢを製造する場合の加工工程の概略を順を追っ
て図示した説明図である。 １・・・ビアホールパターン、２・・・アライメントマ
ークａ、３・・・アライメントマークｂ、４・・・デバ
イスホールパターン、５・・・ＯＬＢホールパターン、
６・・・スプロケットホールパターン、７・・・ツーリ
ングホールパターン、８・・・絶縁性樹脂基体、９・・
・リード、１０．１１・・・レジストパターン、１１．
１２・・・絶縁性樹脂露出部、１３・・・ビアホール、
１４・・・基準マーク、１５・・・金属薄膜層、１６・
・・レジスト層、１８・・・めっき金属層、１９・・・
グラウンド金属層、２０・・・デバイスホール、２１・
・・ＯＬＢホール、２２・・・スズロケットホール。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 代 理 人 押 １） 良 久護第１図 フ４１・マスクΔ 第２図 フすトマスクＢ 第３図 マーク１［珂大例 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）絶縁性樹脂基体の片面または両面に接着剤を用い
ることなく金属層を形成したものを基体とし、該基体の
上面に金属による所定のリードを形成し、該基体の所定
箇所にビアホールを形成し、更に該基体の下面にグラウ
ンド金属層を形成し、上面に形成されたリードの一部と
下面に形成されたグラウンド金属層とを該ビアホールを
介して電気的に導通するようにした構造を有する２層Ｔ
ＡＢを製造するに際して基体下面のグラウンド金属層を
形成するために行なわれる２度の露光処理工程において
使用されるフォトマスクであって、基体にビアホールを
形成するために行なわれる第１回目の露光処理工程で使
用されるフォトマスクは所定の複数箇所にアライメント
マークが設けられており、更に基体下面にグラウンド金
属層を形成するために行なわれる第２回目の露光処理工
程で使用されるフォトマスクはアライメントマークが前
記第１回目のフォトマスクにおけるアライメントマーク
に対応した位置に設けられていることを特徴とする２層
ＴＡＢ製造用フォトマスク。 - （２）第１回目の露光処理に使用されるフォトマスクに
設けられた複数箇所のアライメントマークのうちの少な
くとも１つは、爾後の処理によって基板にデバイスホー
ル、ＯＬＢホール、スプロケットホールおよびツーリン
グホールが形成される箇所に対応する箇所に設けられて
いることを特徴とする請求項１記載の２層ＴＡＢ製造用
フォトマスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311132A JPH04181749A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | ２層ｔａｂ製造用フォトマスク |
| US07/791,179 US5284725A (en) | 1990-11-16 | 1991-11-13 | Photo-mask for manufacture of two-layer tab |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311132A JPH04181749A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | ２層ｔａｂ製造用フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181749A true JPH04181749A (ja) | 1992-06-29 |
Family
ID=18013513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2311132A Pending JPH04181749A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | ２層ｔａｂ製造用フォトマスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5284725A (ja) |
| JP (1) | JPH04181749A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997050121A1 (fr) * | 1996-06-25 | 1997-12-31 | Seiko Epson Corporation | Procede servant a transferer une configuration de conducteurs sur un substrat, masque utilise dans ce procede et substrat |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100276781B1 (ko) * | 1992-02-03 | 2001-01-15 | 비센트 비. 인그라시아 | 리드-온-칩 반도체장치 및 그 제조방법 |
| JPH06338544A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 改良されたｔａｂテープ |
| KR0128828B1 (ko) * | 1993-12-23 | 1998-04-07 | 김주용 | 반도체 장치의 콘택홀 제조방법 |
| JP2571677B2 (ja) * | 1994-11-22 | 1997-01-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 半導体装置の製造方法 |
| JP3339473B2 (ja) * | 1999-08-26 | 2002-10-28 | 日本電気株式会社 | パッケージ基板、該パッケージ基板を備える半導体装置及びそれらの製造方法 |
| US6699395B1 (en) * | 2000-10-18 | 2004-03-02 | Storage Technology Corporation | Method of forming alignment features for conductive devices |
| DE102007024121A1 (de) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Süss Micro Tec Lithography GmbH | Ausrichten zweier Substrate mit jeweils zwei Justiermarken |
| TWI495915B (zh) * | 2009-10-21 | 2015-08-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Optical waveguide substrate having a positioning structure, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing the photoelectric hybrid substrate |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4944850A (en) * | 1989-12-18 | 1990-07-31 | Hewlett-Packard Company | Tape automated bonded (tab) circuit and method for making the same |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP2311132A patent/JPH04181749A/ja active Pending
-
1991
- 1991-11-13 US US07/791,179 patent/US5284725A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997050121A1 (fr) * | 1996-06-25 | 1997-12-31 | Seiko Epson Corporation | Procede servant a transferer une configuration de conducteurs sur un substrat, masque utilise dans ce procede et substrat |
| US6040093A (en) * | 1996-06-25 | 2000-03-21 | Seiko Epson Corporation | Method and transferring conductor patterns to a film carrier, and masks and film carriers to be used therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5284725A (en) | 1994-02-08 |
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