DE102007024121A1 - Ausrichten zweier Substrate mit jeweils zwei Justiermarken - Google Patents

Ausrichten zweier Substrate mit jeweils zwei Justiermarken Download PDF

Info

Publication number
DE102007024121A1
DE102007024121A1 DE102007024121A DE102007024121A DE102007024121A1 DE 102007024121 A1 DE102007024121 A1 DE 102007024121A1 DE 102007024121 A DE102007024121 A DE 102007024121A DE 102007024121 A DE102007024121 A DE 102007024121A DE 102007024121 A1 DE102007024121 A1 DE 102007024121A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
alignment marks
substrate
substrates
alignment
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102007024121A
Other languages
English (en)
Inventor
Sven Hansen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suess Micro Tec Lithography GmbH
Suess Microtec Lithography GmbH
Original Assignee
Suess Micro Tec Lithography GmbH
Suess Microtec Lithography GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suess Micro Tec Lithography GmbH, Suess Microtec Lithography GmbH filed Critical Suess Micro Tec Lithography GmbH
Priority to DE102007024121A priority Critical patent/DE102007024121A1/de
Publication of DE102007024121A1 publication Critical patent/DE102007024121A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092Signal processing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Abstract

Durch die Erfindung wird ein Verfahren zum Ausrichten zweier flächiger, im Wesentlichen parallel zueinander angeordneter Substrate unter Verwendung einer Bilderkennungssoftware bereitgestellt. Gemäß der Erfindung weisen beide Substrate die jeweils zwei identischen, diagonal zueinander angeordneten Justiermarken auf. Die Justiermarken eines der beiden Substrate sind dabei so angeordnet, dass sie die Justiermarken des anderen Substrates im ausgerichteten Zustand nicht verdecken. Nachdem die Justiermarken durch eine Bilderkennungssoftware erkannt wurden, wird die Position der Justiermarken auf beiden Substraten bestimmt. Anschließend werden die Verbindungslinien zwischen den Justiermarken des einen Substrats und zwischen den Justiermarken des anderen Substrats und deren Mittelpunkte bestimmt. Die beiden Substrate werden zueinander durch Verschieben derart ausgerichtet, dass die Positionen der beiden Mittelpunkte übereinstimmen.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausrichten zweier Substrate, insbesondere einer Maske zu einem Substrat in einem Maskaligner.
  • Vor dem Belichten eines Substrats durch eine Maske im Rahmen der Fertigung von Halbleiterbauelementen muss zunächst die Maske zum Substrat bzw. Wafer positioniert werden. Dies geschieht üblicherweise in einer Maskenpositioniereinrichtung bzw. einem Maskaligner. Sowohl die Maske als auch das Substrat weisen Justiermarken auf, mit deren Hilfe die Maske zum Substrat ausgerichtet werden kann. Während des Ausrichtvorgangs werden die Justiermarken mit einem Justiermikroskop beobachtet. Maske und Substrat sind dann ausgerichtet, wenn die beiden Justiermarken übereinander liegen.
  • Um beide Justiermarken auch im ausgerichteten Zustand von Maske und Wafer gleichzeitig beobachten zu können, kann beispielsweise eine der beiden Justiermarken größer ausgeführt sein. Ist also die Anordnung zum Ausrichten so, dass die Maske zwischen dem Justiermikroskop und dem Wafer angeordnet ist, so ist die Justiermarke des Wafers größer ausgeführt als diejenige der Maske. Die Justiermarke auf der Maske und die auf dem Wafer können auch unterschiedliche Geometrien besitzen, also beispielsweise komplementäre Geometrien auf Maske bzw. Wafer. Es ist lediglich wichtig, dass die Strukturkanten der einen Justiermarke nicht von denen der anderen Justiermarke abgedeckt werden.
  • In einem modernen Maskaligner wird zum Ausrichten der Maske zum Substrat ein Bilderkennungssystem mit einer Bilderkennungssoftware eingesetzt. Diese Software kann mit einer hohen Präzision gelernte Bilder wiedererkennen und deren Lage bestimmen. Die Software wird zunächst so trainiert, dass das Bild der Justiermarke auf dem Wafer bzw. auf der Maske erkannt wird. Dies erfordert zwei unabhängige Trainingssequenzen, da – wie oben beschrieben – die beiden Justiermarken unterschiedlich groß ausgeführt sein können. Zum Trainieren wird ein Bereich um die Justiermarke festgelegt. Das Bild innerhalb dieses Bereichs kann von der Software wiedererkannt werden. Zur Definition der Position der Justiermarken wird innerhalb des definierten Bereichs ein Bezugspunkt, der als "Ursprung" oder "Origin" (nachstehend: ORIGIN) bezeichnet wird, festgelegt. Die Lage eines wiedererkannten Bildes wird anhand von Koordinaten bezogen auf den ORIGIN des trainierten Bildes ausgegeben. Da das Trainieren der Justiermarken von Maske und Wafer unabhängig voneinander erfolgen muss, werden auch die jeweiligen Referenzpunkte unabhängig voneinander gesetzt.
  • Zum Ausrichten eines Wafers zu einer Maske wird die Justiermarke auf der Maske mit Hilfe der trainierten Bilderkennungssoftware erkannt. Die Lage bzw. Position der Masken-Justiermarke wird durch die Koordinaten des ORIGIN der Masken-Justiermarke wiedergegeben. Anschließend wird die gegebenenfalls größere oder anders gestaltete (z. B. komplementäre) Justiermarke auf dem Wafer anhand des in dem unabhängigen Trainingsvorgang trainierten Bildes wiedererkannt und danach dessen Position mit Hilfe des ORIGIN der Wafer-Justiermarke wiedergegeben. Wafer und Maske werden dann so zueinander ausgerichtet, dass die Positionen der jeweiligen Referenzpunkte identisch sind. Im allgemeinen werden mindestens je zwei Justiermarken auf Maske bzw. Wafer beim Ausrichten gleichzeitig zur Deckung gebracht, d. h. deren ORIGIN-Punkte müssen nach dem Ausrichten übereinstimmen. Haben jedoch Maske und Wafer unterschiedliche Abmessungen, was beispielsweise in Folge einer thermischen Ausdehnung der Fall sein kann, kann es sein, dass Maske und Wafer nicht so ausgerichtet werden können, dass die Positionen aller jeweiliger ORIGIN-Punkte auf Maske bzw. Wafer identisch sind. In einem solchen Fall wird dann nach dem kleinsten Fehlerquadrat positioniert.
  • Da die ORIGIN-Punkte der Justiermarken von Maske bzw. Wafer, die in zwei unterschiedlichen Trainingsschritten manuell vom Anwender definiert werden, die Lage des wiedererkannten Bildes definieren, ist es wichtig, dass diese ORIGIN-Punkte sowohl für die Justiermarke der Maske als auch für die Justiermarke des Wafers an äquivalenten Positionen bezüglich der Justiermarken liegen. So bietet sich an, die ORIGIN-Punkte möglichst in der Mitte der Justiermarke, die typischerweise als Justierkreuz ausgeführt ist, zu definieren. Jedoch kann es durch die manuelle Definition der ORIGIN-Punkte zu Fehlern in deren Definition und somit zu Fehlern in der Ausrichtung kommen. Ein solcher Fehler kann zwar im Nachhinein mittels eines sogenannten „Offsets", d. h. Versatzes, korrigiert werden. Hierzu wird das Belichtungsergebnis auf den belichteten Wafern untersucht und daraus die zu korrigierende Abweichung bestimmt. Dies kann jedoch erst nachträglich, d. h. unter Verursachung zusätzlicher Kosten, und auch dann nur eingeschränkt geschehen.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Ausrichten zweier flächiger Substrate zueinander, insbesondere einer Maske und eines Wafers in einem Maskaligner anzugeben, das die Nachteile des bekannten Verfahrens überwindet. Insbesondere soll das Verfahren die Bestimmung der Position eines definierten Bezugspunktes (ORIGIN) der Justiermarken erlauben, der zum Ausrichten verwendet werden kann.
  • Diese Aufgaben werden durch die Merkmale der Ansprüche gelöst.
  • Bei der Lösung dieser Aufgabe geht die Erfindung von dem Grundgedanken aus, auf den beiden auszurichtenden Substraten jeweils eine Anordnung von zwei identischen Justiermarken vorzusehen, die diagonal zueinander angeordnet sind. Die Justiermarken eines der beiden Substrate sind dabei so angeordnet, dass sie die Justiermarken des anderen Substrats im ausgerichteten Zustand nicht verdecken. Der Mittelpunkt der Verbindungslinie jeweils zwischen den beiden Justiermarken, die sich auf einem Substrat befinden, kann gemäß der vorliegenden Erfindung als Bezugspunkt (ORIGIN) verwendet werden, der bei Ausrichtung der beiden Substrate übereinander gelegt wird.
  • Zum Erkennen der Justiermarken wird eine Bilderkennungssoftware verwendet. Diese sucht in einem ihr vorliegenden digitalen Bild die Justiermarke. Dies kann beispielsweise dadurch geschehen, dass zunächst ein großer Bildausschnitt gewählt wird, in dem alle auf den Substraten vorhandenen Justiermarken fallen, und so eine grobe Positionsbestimmung der Justiermarken durchgeführt wird. Um die Position der Justiermarken anschließend genauer zu bestimmen, kann der Bildausschnitt entsprechend verkleinert werden, so dass nur eine einzelne Justiermarke in dem durch die Bilderkennungssoftware untersuchten Bildausschnitt liegt. Dieses Vorgehen ist besonders bei einer Verwendung symmetrischer Justiermarken bevorzugt. Werden asymmetrische Justiermarken verwendet, ist es bevorzugt, diese so anzuordnen, dass beide Justiermarken auf einem Substrat um 180° zueinander gedreht sind, wobei die Justiermarken auf dem anderen Substrat wiederum um jeweils 90° gegenüber der Anordnung der Justiermarken auf dem einen Substrat gedreht sind. Somit kann die Bilderkennungssoftware direkt nach den einzelnen Justiermarken suchen, wobei diese in ihrer entsprechend gedrehten Anordnung gesucht werden.
  • Die Bilderkennungssoftware kann vor dem Erkennen auf die jeweilig verwendeten Justiermarken trainiert werden, beispielsweise indem ein Bildausschnitt um die zu erkennende Justiermarke festgelegt wird. Bei der Verwendung von asymmetrischen Justiermarken kann dann zur Unterscheidung der einzelnen Justiermarken der Bilderkennungssoftware der entsprechende Drehwinkel mitgeteilt werden.
  • Zur Bestimmung der Position der Justiermarken wird vorzugsweise ein charakteristischer Punkt der Justiermarken ausgewählt und die Position dieses Punktes stellvertretend für die Position der Justiermarke bestimmt. Ein solcher charakteristischer Punkt bzw. Referenzpunkt kann beispielsweise der Schnittpunkt zweier Kanten der Justiermarke sein, den die Bilderkennungssoftware mit hoher Genauigkeit identifizieren kann. Anschließend wird jeweils für die beiden auf einem Substrat befindlichen Justiermarken die Verbindungslinie bestimmt. Wird die Position der Justiermarke durch die Position eines Referenzpunktes dargestellt, ist dies die Verbindungslinie zwischen jeweils diesen Referenzpunkten der beiden Justiermarken. Der Mittelpunkt der Verbindungslinie ist der gesuchte Bezugspunkt, bezüglich dem die beiden Substrate ausgerichtet werden. Dies geschieht durch Verschieben zumindest eines der beiden Substrate gegenüber dem anderen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren wird bevorzugt zum Ausrichten einer Maske zu einem Wafer in einem Maskaligner verwendet. Das Verfahren kann jedoch auch beim Ausrichten mehrerer Substrate zueinander verwendet werden; dies ist beispielsweise beim Bonden von Substraten notwendig.
  • Während in dem bekannten Verfahren zum Ausrichten zweier Substrate die Bestimmung des Mittelpunktes der Justiermarke nur mit einer Pixel-Auflösung erfolgen kann, arbeitet die Bilderkennungssoftware mit einer Subpixelauflösung. Durch das erfindungsgemäße Verfahren kann diese hohe Genauigkeit der Bilderkennungssoftware nicht nur für die Bestimmung der Position einer Justiermarke sondern auch zum Ausrichten zweier Substrate zueinander genutzt werden.
  • Die Erfindung wird im folgenden unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1(a) und (b) die Anordnung von gemäß der vorliegenden Erfindung verwendeten symmetrischen Justiermarken und
  • 2 die Verwendung asymmetrischer Justiermarken, wobei diese gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Form zueinander gedreht sind.
  • In den 1(a) und (b) sind beispielhaft mögliche Anordnungen von Justiermarken gezeigt, wie sie in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden können. In den gezeigten Beispielen sind die Justiermarken symmetrische Justierkreuze. Im in 1(b) gezeigten Beispiel sind die Jusstierkreuze gegenüber dem in 1(a) gezeigten Beispiel um etwa 45° gedreht.
  • Die Justiermarken 10 und 11, die sich diagonal gegenüberliegen, sind auf einem der beiden Substrate angeordnet. Auf dem anderen Substrat sind die Justiermarken 20 und 21 angeordnet. Um die Position der jeweiligen Justiermarken durch die Bilderkennungssoftware genau bestimmen zu können, wird ein eindeutiger Referenzpunkt der Justiermarken gewählt, im vorliegenden Beispiel die Punkte 101, 111, 201 und 211, der für alle Justiermarken äquivalent sein muß. Die Positionen dieser Punkte werden nach dem Erkennen der Justiermarke durch die Bilderkennungssoftware bestimmt.
  • Anschließend werden die Mittelpunkte 30 der Verbindungslinien 12 und 22 bestimmt. Hierbei ist die Verbindungslinie 12 die Verbindung zwischen den Referenzpunkten der Justiermarken 10 und 11, die sich auf dem einen Substrat befinden; die Verbindungslinie 22 verbindet die Referenzpunkte der Justiermarken 20 und 21 auf dem anderen Substrat. In den gezeigten Beispielen fallen die Mittelpunkte 30 der beiden Verbindungslinien 12 und 22 zusammen, da sich die beiden Substrate bereits in ihrem ausgerichteten Zustand befinden.
  • 2 zeigt die Anordnung von asymmetrischen Justiermarken, wie sie gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet werden können. Wiederum befinden sich die Justiermarken 10 und 11 auf einem der beiden Substrate und die Justiermarken 20 und 21 auf dem anderen der beiden Substrate. Gemäß der in 2 gezeigten Ausführungsform sind die Justiermarken 10 und 11 um 180° zueinander gedreht. Gleiches gilt für die Justiermarken 20 und 21. Weiterhin sind die Justiermarken 20 und 21 um 90° gegenüber den Justiermarken 10 und 11 gedreht, so dass alle vier verwendeten Justiermarken einen unterschiedlichen Drehwinkel besitzen, der jedoch jeweils ein Vielfaches von 90° beträgt. Eine solche Anordnung erleichtert der Bilderkennungssoftware die Erkennung und Zuordnung der einzelnen Justiermarken.
  • Wie bereits mit Bezug auf die in den 1(a) und (b) gezeigten Beispiele erläutert, werden als Referenzpunkte Schnittpunkte zweier charakteristischer Kanten der Justiermarken verwendet, im vorliegenden Beispiel ein Eckpunkt der die Justiermarken darstellenden Dreiecke. Wie in 2 gezeigt, muss für jede Justiermarke 10, 11, 20 und 21 ein äquivalenter Referenzpunkt 101, 111, 201 und 211 verwendet werden. Auch in dem in der 2 dargestellten Anordnung fallen die jeweiligen Mittelpunkte 30 der Verbindungslinien 12 und 22 zusammen, da sich auch die in 2 gezeigte Anordnung auf bereits ausgerichtete Substrate bezieht.

Claims (14)

  1. Verfahren zum Ausrichten zweier flächiger, im wesentlichen parallel zueinander angeordneter Substrate, wobei beide Substrate jeweils zwei identische, diagonal zueinander angeordnete Justiermarken aufweisen, wobei die Justiermarken eines der beiden Substrate so angeordnet sind, dass sie die Justiermarken des anderen Substrats im ausgerichteten Zustand nicht verdecken, mit den Schritten: (a) Erkennen der Justiermarken durch eine Bilderkennungssoftware und Bestimmen der Position der Justiermarken auf beiden Substraten, (b) Bestimmen der Verbindungslinie zwischen den Justiermarken des einen Substrats und zwischen den Justiermarken des anderen Substrats, (c) Bestimmen der Mittelpunkte der beiden Verbindungslinien und (d) Ausrichten der beiden Substrate zueinander durch Verschieben, vorzugsweise paralleles Verschieben zumindest eines der beiden Substrate, so, dass die Positionen der beiden in Schritt (c) bestimmten Mittelpunkte übereinstimmen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Position der Justiermarken jeweils durch die Position eines Referenzpunkts der jeweiligen Justiermarke gegeben ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Referenzpunkt durch den Schnittpunkt zweier Kanten der Justiermarke gegeben ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Bilderkennungssoftware auf die zu erkennende Justiermarke trainiert wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Bilderkennungssoftware durch Festlegen eines Bildausschnitts um die zu erkennende Justiermarke trainiert wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Justiermarke im wesentlichen vollständig in dem Bildausschnitt liegt.
  7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Bilderkennungssoftware in Schritt (a) in einem ersten Schritt den Bildausschnitt derart wählt, dass in einem ersten Schritt beide Justiermarken eines Substrats in dem Bildausschnitt liegen und in einem zweiten Schritt zum Bestimmen der Position der Justiermarken der Bildausschnitt verkleinert, so dass jeweils nur eine Justiermarke im Bildausschnitt liegt.
  8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Justiermarken symmetrisch sind.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Justiermarken Justierkreuze sind.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Justiermarken asymmetrisch sind.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die auf einem der beiden Substrate diagonal angeordneten Justiermarken um 180° zueinander gedreht sind.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Justiermarken auf dem anderen Substrat gegenüber den Justiermarken auf dem einen Substrat um 90° gedreht sind.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei die Bilderkennungssoftware in Schritt (a) jeweils Justiermarken erkennt, die um den entsprechenden Winkel gedreht sind.
  14. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei eines der Substrate eine Maske und das andere Substrate ein Wafer ist.
DE102007024121A 2007-05-24 2007-05-24 Ausrichten zweier Substrate mit jeweils zwei Justiermarken Ceased DE102007024121A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007024121A DE102007024121A1 (de) 2007-05-24 2007-05-24 Ausrichten zweier Substrate mit jeweils zwei Justiermarken

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007024121A DE102007024121A1 (de) 2007-05-24 2007-05-24 Ausrichten zweier Substrate mit jeweils zwei Justiermarken

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007024121A1 true DE102007024121A1 (de) 2008-11-27

Family

ID=39877099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007024121A Ceased DE102007024121A1 (de) 2007-05-24 2007-05-24 Ausrichten zweier Substrate mit jeweils zwei Justiermarken

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102007024121A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111624861A (zh) * 2019-02-28 2020-09-04 上海微电子装备(集团)股份有限公司 掩模对准标记组合、掩模对准系统及对准方法、光刻装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2536263A1 (de) * 1974-09-16 1976-03-25 Ibm Anordnung zum orten von teilen, zum ausrichten von masken und zum feststellen der richtigen ausrichtung einer maske
JPS63197953A (ja) * 1987-02-10 1988-08-16 Orc Mfg Co Ltd マスクフイルムとワ−ク基板との自動位置決め方法
US5284725A (en) * 1990-11-16 1994-02-08 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Photo-mask for manufacture of two-layer tab
US20010008442A1 (en) * 1998-08-06 2001-07-19 Eiichi Miyake Positioning mark and alignment method using the same
US20030027342A1 (en) * 2001-06-29 2003-02-06 Richard Sheridan Method and apparatus for accessing a site on a biological substrate
JP2004151654A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Seiko Epson Corp 電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法並びに電子機器
JP2004252313A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 露光装置
DE102004032933B3 (de) * 2004-07-07 2006-01-05 Süss Microtec Lithography Gmbh Mittelpunktbestimmung von drehsymmetrischen Justiermarken
KR20070047099A (ko) * 2005-11-01 2007-05-04 오리온오엘이디 주식회사 얼라인먼트 방법

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2536263A1 (de) * 1974-09-16 1976-03-25 Ibm Anordnung zum orten von teilen, zum ausrichten von masken und zum feststellen der richtigen ausrichtung einer maske
JPS63197953A (ja) * 1987-02-10 1988-08-16 Orc Mfg Co Ltd マスクフイルムとワ−ク基板との自動位置決め方法
US5284725A (en) * 1990-11-16 1994-02-08 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Photo-mask for manufacture of two-layer tab
US20010008442A1 (en) * 1998-08-06 2001-07-19 Eiichi Miyake Positioning mark and alignment method using the same
US20030027342A1 (en) * 2001-06-29 2003-02-06 Richard Sheridan Method and apparatus for accessing a site on a biological substrate
JP2004151654A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Seiko Epson Corp 電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法並びに電子機器
JP2004252313A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 露光装置
DE102004032933B3 (de) * 2004-07-07 2006-01-05 Süss Microtec Lithography Gmbh Mittelpunktbestimmung von drehsymmetrischen Justiermarken
KR20070047099A (ko) * 2005-11-01 2007-05-04 오리온오엘이디 주식회사 얼라인먼트 방법

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Abstract & JP 2004151654 A *
Abstract & JP 2004252313 A *
Abstract & JP 63197953 A *
JP 2004-151 654 A mit Abstract
JP 2004-252 313 A mit Abstract
JP 63-197 953 A mit Abstract

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111624861A (zh) * 2019-02-28 2020-09-04 上海微电子装备(集团)股份有限公司 掩模对准标记组合、掩模对准系统及对准方法、光刻装置
CN111624861B (zh) * 2019-02-28 2021-08-27 上海微电子装备(集团)股份有限公司 掩模对准标记组合、掩模对准系统及对准方法、光刻装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2905636C2 (de) Verfahren zum Kopieren von Masken auf ein Werkstück
AT500499B1 (de) Mittelpunktbestimmung von justiermarken
DE19825829C2 (de) Verfahren zur Bestimmung des Abstandes P einer Kante eines Strukturelementes auf einem Substrat
DE4210774B4 (de) Verfahren zum Ausrichten eines Halbleiterchips, der mit Hilfe eines Reparatursystems repariert werden soll, sowie Laser-Reparaturtarget zur Verwendung für dieses Verfahren
DE4414369C2 (de) Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halbleitereinrichtung vom Mehrschichttyp
DE19736959C2 (de) Zwischenmaske, dadurch übertragenes Muster und Korrekturverfahren
DE102019007720A1 (de) Robotervorrichtung
DE19625669A1 (de) Übereinstimmungsgenauigkeitsmeßmarke, Verfahren zum Reparieren eines Defektes dieser Marke, Photomaske, Verfahren zur Herstellung der Photomaske und Verfahren zur Belichtung
DE112015001699T5 (de) Verfahren zum Bewerten des Verzugs eines Wafers und Verfahren zum Einordnen von Wafern
DE4221080A1 (de) Struktur und verfahren zum direkten eichen von justierungsmess-systemen fuer konkrete halbleiterwafer-prozesstopographie
DE102011086195A1 (de) Inspektionsverfahren
DE102004055250A1 (de) Verfahren zur Inspektion eines Wafers
DE19751544A1 (de) Fehleranalysator
DE10250845A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Messen von Verfahrensfehler und Verfahren und Vorrichtung zur Messung einer Überdeckung unter Verwendung derselben
DE102017126495A1 (de) Kalibrierung eines stationären Kamerasystems zur Positionserfassung eines mobilen Roboters
DE10147880A1 (de) Verfahren zur Messung einer charakteristischen Dimension wenigstens einer Struktur auf einem scheibenförmigen Objekt in einem Meßgerät
DE102007024121A1 (de) Ausrichten zweier Substrate mit jeweils zwei Justiermarken
EP1700169B1 (de) Direkte justierung in maskalignern
DE10311821B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten von Substrat und Druckschablone beim Lotpastendruck
DE102013207599A1 (de) Platziervorrichtung und Platzierverfahren zum lagegenauen Ausrichten und /oder Bestücken eines Substrates mit einem Bauelement
DE10303902A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske
DE10248224B4 (de) Verfahren zur Justage und zur Belichtung eines Halbleiterwafers
DE102017219217B4 (de) Masken für die Mikrolithographie, Verfahren zur Bestimmung von Kantenpositionen der Bilder der Strukturen einer derartigen Maske und System zur Durchführung eines derartigen Verfahrens
DE102013106320B4 (de) Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie
DE10128269A1 (de) Eine Chipflächen-Justierstruktur

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection