DE102013106320B4

DE102013106320B4 - Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie

Info

Publication number: DE102013106320B4
Application number: DE102013106320.9A
Authority: DE
Inventors: Mario Längle
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2013-06-18
Filing date: 2013-06-18
Publication date: 2021-02-04
Anticipated expiration: 2033-06-19
Also published as: DE102013106320A1; US9366637B2; DE102013106320B9; US20140369592A1

Abstract

Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie, wobei das optische System wenigstens eine Pupillenebene aufweist und wobei die Verzeichnungseigenschaften des optischen Systems auf Basis der Vermessung wenigstens eines Verzeichnungsmusters ermittelt werden, welches das optische System bei Abbildung einer vorgegebenen Struktur in einem Bildfeld erzeugt,dadurch gekennzeichnet, dassdie Ermittlung der Verzeichnungseigenschaften des optischen Systems (100) auf Basis einer Mehrzahl von Vermessungen von Verzeichnungsmustern erfolgt, wobei sich diese Vermessungen hinsichtlich der jeweils in der Pupillenebene (PP2) vorliegenden Intensitätsverteilung voneinander unterscheiden,wobei auf Basis der ermittelten Verzeichnungseigenschaften des optischen Systems eine Korrektur wenigstens eines mit dem optischen System (100) aufgenommenen Messbildes durchgeführt wird, und wobei das korrigierte Messbild zur Ermittlung von Registrationsfehlern und/oder Strukturbreiten auf einer Maske verwendet wird.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie.
Stand der Technik
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Eine Charakterisierung der Strukturen auf der Maske wird sowohl hinsichtlich vorhandener Abweichungen der jeweiligen Struktur auf der Maske von der durch das Design vorgegebenen Soll-Position (sogenannter Platzierungsfehler oder „Registrationsfehler“, engl.: „Registration“) als auch hinsichtlich der Linienbreite der Strukturen (CD= „critical dimension“) vorgenommen.
Für die Bestimmung des Platzierungsfehlers sind verschiedene Methoden im Stand der Technik bekannt. Beispielsweise kann auf den Strukturen des Luftbildes eine „Thresholdbasierte“ (= Schwellwert-basierte) Bildauswertung angewandt werden, wie sie aus US 2012 / 0 063 666 A1 bekannt ist. Alternativ kann mittels einer Positionsmessvorrichtung ein erstes Luftbild eines Ausschnitts der Maske aufgenommen und mit einem simulierten zweiten Luftbild verglichen werden, woraufhin dann der Platzierungsfehler gleich dem Abstand der zu vermessenden Strukturen in dem gemessenen ersten und dem simulierten zweiten Luftbild gesetzt wird.
Ein in der Praxis auftretendes Problem ist jedoch, dass das Messbild aufgrund der Eigenschaften des optischen Systems verzerrt oder verzeichnet ist (also ein Koordinatenraster nicht exakt rechtwinklig auf dem Messbild ist), wohingegen das simulierte Bild als ideales, simuliertes Raster diese Eigenschaft nicht aufweist.
Ein bekannter Ansatz zur Berücksichtigung der Verzeichnung besteht darin, diese zu kalibrieren bzw. „herauszurechnen“, d.h. die Verzeichnung durch eine gezielte Vermessung mit Teststrukturen im Bildfeld messtechnisch zu bestimmen. Hierbei tritt jedoch das weitere Problem auf, dass die bei einer solchen Kalibrierung zugrundegelegte Verzeichnung abhängig ist sowohl von der innerhalb der Abbildungsoptik der Positionsmessvorrichtung konkret verwendeten Pupillenausleuchtung als auch vom Typ der zur Kalibrierung verwendeten Struktur. Dabei wird unter „Pupillenausleuchtung“ hier und im Folgenden die in einer Pupillenebene innerhalb der Abbildungsoptik der Positionsmessvorrichtung erhaltene Intensitätsverteilung verstanden, wobei die Abbildungsoptik von der Maske kommendes Licht auf eine Detektoreinheit abbildet.
Die der vorstehend beschriebenen Kalibrierung zugrundegelegte Verzeichnung ist für beliebige andere mögliche Strukturen nicht mehr exakt gültig, wobei die resultierenden struktur- sowie beleuchtungsabhängigen Unterschiede in der bei der Kalibrierung zugrundegelegten Verzeichnung im Subnanometerbereich messbar sind und signifikant sein können.
Zum Stand der Technik wird beispielhaft auf WO 2011 / 012 265 A1 , DE 10 2007 033 815 A1 und DE 10 2006 059 431 A1 , US 2010 / 0 104 128 A1 , sowie die Publikation M. Längle et al.: „Pattern placement metrology using PROVE high precision optics combined with advanced correction algorithms", Proc. SPIE 8082, 80820J (2011) verwiesen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Vor dem obigen Hintergrund ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie bereitzustellen, welche eine genauere Spezifizierung der Verzeichnungseigenschaften ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst.
Bei einem Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie weist das optische System wenigstens eine Pupillenebene auf, wobei die Verzeichnungseigenschaften des optischen Systems auf Basis der Vermessung wenigstens eines Verzeichnungsmusters ermittelt werden, welches das optische System bei Abbildung einer vorgegebenen Struktur in einem Bildfeld erzeugt.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass die Ermittlung der Verzeichnungseigenschaften des optischen Systems auf Basis einer Mehrzahl von Vermessungen von Verzeichnungsmustern erfolgt, wobei sich diese Vermessungen hinsichtlich der jeweils in der Pupillenebene vorliegenden Intensitätsverteilung voneinander unterscheiden.
Die Erfindung geht zunächst von der Überlegung aus, dass die bei Messung von wenigstens einer Struktur im erzeugten Bildfeld auftretende Verzeichnung von der konkret verwendeten Pupillenausleuchtung in der Abbildungsoptik der Positionsmessvorrichtung abhängig ist, so dass auch die Verarbeitung der mit der Positionsmessvorrichtung aufgenommenen Messbilder unter Berücksichtigung der sich für diese konkrete Pupillenausleuchtung jeweils ergebenden Verzeichnung zu erfolgen hat.
Von dieser Überlegung ausgehend liegt der Erfindung insbesondere das Konzept zugrunde, die Verzeichnungseigenschaften des optischen Systems auf Basis einer Mehrzahl von Vermessungen von Verzeichnungsmustern mit unterschiedlicher Pupillenausleuchtung (d.h. unterschiedlicher Intensitätsverteilung in der Pupillenebene) zu ermitteln. Insbesondere beinhaltet die Erfindung das Konzept, bei der Verarbeitung der Messbilder eine Verzeichnungskorrektur unter Verwendung einer geeigneten Verzeichnungsfunktion durchzuführen, welche die Abhängigkeit der Verzeichnung von der Pupillenausleuchtung beschreibt, so dass auch die im konkreten Falle bei der Aufnahme des betreffenden Messbildes verwendete spezifische Pupillenausleuchtung hinsichtlich ihres Einflusses auf die Verzeichnung berücksichtigt werden kann.
Gemäß einer Ausführungsform wird bei der Mehrzahl von Vermessungen von Verzeichnungsmustern jeweils nur ein Segment von einer Mehrzahl von Segmenten in der Pupillenebene ausgeleuchtet.
Gemäß einer Ausführungsform wird auf Basis der ermittelten Verzeichnungseigenschaften des optischen Systems eine Korrektur eines mit dem optischen System aufgenommenen Messbildes bzw. eines oder mehrerer relevanter Teilbereiche hiervon durchgeführt.
Gemäß einer Ausführungsform wird das korrigierte Messbild zur Ermittlung von Registrationsfehlern und/oder Strukturbreiten auf einer Maske verwendet.
Das korrigierte Messbild kann in unterschiedlicher Weise und mittels jeweils für sich bekannter Verfahren z.B. zur Ermittlung von Registrationsfehlern herangezogen werden. Gemäß einem Anwendungsbeispiel kann das korrigierte Messbild bei einem Bildvergleich mit einem simulierten Bild verwendet werden (so dass mit anderen Worten auf Basis der ermittelten Verzeichnungseigenschaften des optischen Systems bei einem Bildvergleich zwischen Messbild und simuliertem Bild diese Bilder im Hinblick auf Verzeichnungseffekte zur Deckung gebracht werden).
Die Auswertung der korrigierten Messbilder zur Ermittlung von Registrationsfehlern kann in weiteren Anwendungen der Erfindung auch mit anderen Verfahren erfolgen, bei denen jeweils die tatsächliche Position der Struktur auf der Maske ermittelt wird. Beispielsweise kann hierzu eine Symmmetriekorrelation wie in DE 10 2010 047 051 A1 beschrieben durchgeführt werden, bei welcher für ein bereitgestelltes, die zu ermittelnde Struktur umfassendes Bild zumindest eine Symmetrieoperation (z.B. Punktspiegelung oder Spiegelung an einer Bezugsspiegelebene) durchgeführt wird. Alternativ kann auch eine Kantendetektion in dem korrigierten Messbild durchgeführt werden, wobei aus den detektierten Kantenpositionen die Postion der Struktur ermittelt wird. In den beiden zuletzt genannten Verfahren ergibt sich dann der Registrationsfehler als Differenz zwischen der tatsächlich ermittelten Position und der Sollposition der Struktur.
Die Ermittlung einer bei der Verarbeitung bzw. Korrektur des aufgenommenen Messbildes letztlich zu verwendenden Verzeichnungsfunktion kann insbesondere dadurch erfolgen, dass zunächst eine Mehrzahl von Einzel-Verzeichnungsfunktionen ermittelt wird, von denen jede einer (gewissermaßen „elementaren“) Pupillenausleuchtung zugeordnet ist. Dann kann für die jeweilige aktuelle bzw. konkrete Pupillenausleuchtung abhängig davon, inwieweit diese konkrete Pupillenausleuchtung den elementaren Pupillenausleuchtungen entspricht, die resultierende, bei der Verarbeitung der mit der Positionsmessvorrichtung aufgenommenen Messbilder zu verwendende Verzeichnungsfunktion als gewichtete Summe aus den Einzel-Verzeichnungsfunktionen berechnet werden.
Das Verfahren weist somit gemäß einer Ausführungsform insbesondere folgende Schritte auf:

- Ermitteln, für eine Mehrzahl (n) von Segmenten der Pupillenebene, jeweils einer Verzeichnungsfunktion (V_i(x,y), i=1, ..., n)), welche bei Ausleuchtung des jeweiligen Segmentes die von dem optischen System in einer Bildebene erzeugte Verzeichnung angibt; und
- Berechnen, für eine gegebene Intensitätsverteilung in der Pupillenebene, einer Gesamtverzeichnungsfunktion (Vges(x,y) als $V_{g e s} (x, y) = \sum_{i = 1}^{n} w_{i} \cdot V_{i} (x, y),$
wobei $w_{i} = \frac{I_{i}}{I_{g e s}}$
einen dem i-ten Segment in der Pupillenebene zugeordneten Gewichtungsfaktor und I_i die Intensität in dem i-ten Segment für die gegebene Intensitätsverteilung bezeichnet.

Die Ermittlung der Mehrzahl von Einzel-Verzeichnungsfunktionen kann derart erfolgen, dass jede dieser Einzel-Verzeichnungsfunktionen jeweils einem Teilbereich der Pupillenebene innerhalb der Abbildungsoptik, also jeweils einem „Pupillensegment“, zugeordnet ist. Bei der Ermittlung der der bei der Verarbeitung der aufgenommenen Messbilder letztlich zu verwendenden Verzeichnungsfunktion werden sodann die Einzel-Verzeichnungsfunktionen in dem Maße berücksichtigt, in dem das betreffende „Pupillensegment“ zu der tatsächlich eingesetzten Pupillenausleuchtung bzw. dem konkreten Beleuchtungssetting beiträgt.
Bei dem erfindungsgemäßen optischen System kann es sich insbesondere um eine Vorrichtung zur Positionsbestimmung von Strukturen auf einer Maske für die Mikrolithographie, eine Inspektionsmessvorrichtung zur Defektvermessung von Photomasken, eine Vorrichtung zur Bestimmung der Linienbreite in Photomasken, eine Phasenmessvorrichtung für Photomasken oder ein Inspektionsvorrichtung zur Lokalisierung von Defekten von Photomasken handeln.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Figurenliste
Es zeigen:

1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines beispielhaften Aufbaus einer bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendbaren Positionsmessvorrichtung;
2 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des der vorliegenden Erfindung zugrundliegenden Konzepts;
3 ein Flussdiagramm zur Erläuterung einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens; und
4 ein Flussdiagramm zur Erläuterung eines herkömmlichen Verfahrens.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
1 zeigt einen möglichen Aufbau einer Positionsmessvorrichtung 100, in welcher die vorliegende Erfindung realisiert werden kann.
Gemäß 1 ist in einer Positionsmessvorrichtung 100 eine Maske 102 auf einer in drei Raumrichtungen verfahrbaren Plattform 101 gelagert. Die zu vermessenden Strukturen auf der Maske 102 werden mit Beleuchtungslicht beleuchtet, wobei in dem dargestellten Ausführungsbeispiel sowohl eine Beleuchtungseinrichtung 103 zur Durchlichtbeleuchtung der Maske 102 als auch eine Beleuchtungseinrichtung 104 zur Auflichtbeleuchtung der Maske 102 vorgesehen sind. Von der Maske 102 kommendes Licht wird von einer Abbildungsoptik 105 über einen halbdurchlässigen Spiegel 106 auf eine Detektoreinheit 107 abgebildet und detektiert.
Eine Steuereinrichtung 108 dient dazu, sowohl die Bewegung der die Maske 102 tragenden Plattform 101 als auch die Aufnahme der Bilddaten durch die Detektoreinheit 107 zu steuern und ist mit einer Auswerteeinheit 109 verbunden, in welcher die von der Detektoreinheit 107 aufgenommenen Bilddaten zur Positionsbestimmung der Strukturen ausgewertet werden. Die Bilddaten der erzeugten Aufnahmen werden hierzu der Steuereinrichtung 108 zugeführt, von welcher die Daten an die Auswerteeinheit 109 weitergeben werden. Das mittels der Positionsmessvorrichtung 100 ermittelte Messbild (in Form eines ersten Luftbildes) eines Ausschnitts der Maske 102 aufgenommen kann z.B. mit einem simulierten zweiten (Luft-)Bild verglichen werden, woraufhin dann der Platzierungsfehler gleich dem Abstand zwischen dem Messbild und dem simulierten Bild gesetzt wird. Mit „PP1“ ist in 1 lediglich schematisch eine Pupillenebene innerhalb der Beleuchtungseinrichtung 103 angedeutet, und mit „PP2“ ist eine Pupillenebene innerhalb der Abbildungsoptik 105 angedeutet.
Im Weiteren wird nun ein erfindungsgemäßes Verfahren unter Bezugnahme auf 2 und 3 beschrieben. Bei diesem Verfahren wird durch geeignete Kalibrierung erreicht, dass die beim durchgeführten Bildvergleich (z.B. zur Ermittlung von Registrationsfehlern) zu vergleichenden Bilder (nämlich Messbild und simuliertes Bild) auch unter Berücksichtigung der jeweils konkret vermessenen Strukturen sowie der in der Abbildungsoptik der Positionsmessvorrichtung konkret verwendeten Pupillenausleuchtung im Hinblick auf Verzeichnungseffekte übereinstimmen, mit anderen Worten also strukturabhängige sowie pupillenausleuchtungsabhängige Verzeichnungseffekte bzw. Bildfehler jeweils korrekt berücksichtigt werden können.
Zur Veranschaulichung zeigt 2 eine beispielhafte Zerlegung bzw. Segmentierung einer Beleuchtungspupille bzw. der Pupillenebene PP2 innerhalb der Abbildungsoptik 105 der Positionsmessvorrichtung 100 aus 1, wobei die (in 2 lediglich beispielhafte und grundsätzlich beliebige) Anzahl der Segmente mit „n“ bezeichnet ist und wobei „i“ den Index des jeweiligen Segmentes angibt. I, gibt die für die jeweilige Pupillenausleuchtung erhaltene Intensität im i-ten Segment an.
Ausgehend von der in 2 angedeuteten Zerlegung zeigt nun 3 ein Flussdiagramm zur Erläuterung einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Gemäß 3 erfolgt in einem ersten (Kalibrierungs-)-Schritt S10 die Durchführung einer Mehrzahl (n) von Verzeichnungsmessungen zur Ermittlung von einer Mehrzahl (n) von Einzel-Verzeichnungsfunktionen V_i(x,y), wobei jede dieser Einzel-Verzeichnungsfunktionen V_i(x,y) jeweils einem Teilbereich der Pupillenebene PP2 innerhalb der Abbildungsoptik 105 aus 1, also z.B. jeweils einem „Pupillensegment“ gemäß der beispielhaften Zerlegung von 2, zugeordnet ist. Mit „x“ und „y“ sind die Feldkoordinaten, d.h. die Koordinaten im Bildfeld der Abbildungsoptik 105, bezeichnet.
Die Kalibrierung bzw. Durchführung der vorstehend genannten, einzelnen Verzeichnungsmessungen im Schritt S10 (d.h. die Bestimmung der Einzel-Verzeichnungsfunktionen V_i(x,y)) kann mittels des aus US 8,416,412 B2 als solchem bekannten Verfahren erfolgen. Hierbei wird eine Testmaske, welche eine Vielzahl von Justiermarken aufweist, in unterschiedlichen Dreh- oder Verschiebestellungen angeordnet und jeweils ein Messbild erzeugt, wobei sich die für die jeweiligen Justiermarken erhaltenen Positionen im Messbild aus der Stellung der die Maske tragenden Plattform 101, der Position der Justiermarken auf der Maske und der Verzeichnung ergeben (woraus die jeweilige Verzeichnung errechnet werden kann).
Sodann wird im Schritt S20 eine innerhalb der Abbildungsoptik 105 der Positionsmessvorrichtung 100 bei einer aktuellen Messung konkret verwendete Pupillenausleuchtung, d.h. eine konkrete Intensitätsverteilung in der Pupillenebene PP2 gemäß 1, gemessen. Hierbei wird für jedes Pupillensegment‟ (z.B. in der beispielhaften Zerlegung von 2) die zugehörige Intensität I_i bestimmt. Die Gesamtintensität in der Pupillenebene PP2 beträgt $I_{g e s} = \sum_{i = 1}^{n} I_{i}$
Aufgrund der aktuell verwendeten Pupillenausleuchtung kann nun jedem Segment in der Pupillenebene PP2 ein Gewichtungsfaktor w_i zugeordnet werden, wobei gilt: $w_{i} = \frac{I_{i}}{I_{g e s}}$
Im Schritt S30 wird nun mit Hilfe der in Schritt S10 ermittelten (n) Einzel-Verzeichnungsfunktionen V_i(x,y) und der in Schritt S20 gemessenen, aktuell verwendeten Pupillenausleuchtung eine gewichtete Verzeichnungsfunktion bzw. Gesamtverzeichnungsfunktion V_ges(x,y) berechnet. In diese gewichtete Verzeichnungsfunktion bzw. Gesamtverzeichnungsfunktion V_ges(x,y) gehen die Einzel-Verzeichnungsfunktionen V_i(x,y) entsprechend dem für das betreffende Pupillensegment gültigen Gewichtungsfaktor w_i ein. Mit anderen Worten geht jede Einzel-Verzeichnungsfunktionen V_i(x,y) in die Gesamtverzeichnungsfunktion V_ges(x, y) in dem Maße ein, in dem das betreffende, der jeweiligen Einzel-Verzeichnungsfunktionen zugeordnete „Pupillensegment“ zu der in Schritt S20 gemessenen konkret verwendeten Pupillenausleuchtung beiträgt.
Die Gesamtverzeichnungsfunktion V_ges(x,y) ergibt sich nun aus den Einzel-Verzeichnungsfunktionen V_i(x,y) (d.h. den Verzeichnungsfunktionen für die i Segmente als $V_{g e s} (x, y) = \sum_{i = 1}^{n} w_{i} \cdot V_{i} (x, y)$
Im Schritt S40 erfolgt die eigentliche Aufnahme der Messbilder mit der Detektoreinheit 107 aus 1. Auf diese Messbilder wird dann im Schritt S50 eine Verzeichnungskorrektur angewandt, indem die von der Detektoreinheit 107 aufgenommenen Bilddaten unter Berücksichtigung der in Schritt S30 berechneten gewichteten Verzeichnungsfunktion verarbeitet werden.
Bei Verwendung der erfindungsgemäß korrigierten Messbilder kann nun z.B. in einem anschließend zur Ermittlung von Registrationsfehlern durchgeführten Bildvergleich zwischen Messbild und simuliertem Bild eine höhere Genauigkeit erzielt werden, da erfindungsgemäß auch die in der Abbildungsoptik der Positionsmessvorrichtung konkret verwendete Pupillenausleuchtung berücksichtigt wurde, mit anderen Worten also pupillenausleuchtungsabhängige Verzeichnungseffekte bzw. Bildfehler korrekt berücksichtigt worden sind.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.

Claims

Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie, wobei das optische System wenigstens eine Pupillenebene aufweist und wobei die Verzeichnungseigenschaften des optischen Systems auf Basis der Vermessung wenigstens eines Verzeichnungsmusters ermittelt werden, welches das optische System bei Abbildung einer vorgegebenen Struktur in einem Bildfeld erzeugt, dadurch gekennzeichnet, dass die Ermittlung der Verzeichnungseigenschaften des optischen Systems (100) auf Basis einer Mehrzahl von Vermessungen von Verzeichnungsmustern erfolgt, wobei sich diese Vermessungen hinsichtlich der jeweils in der Pupillenebene (PP2) vorliegenden Intensitätsverteilung voneinander unterscheiden, wobei auf Basis der ermittelten Verzeichnungseigenschaften des optischen Systems eine Korrektur wenigstens eines mit dem optischen System (100) aufgenommenen Messbildes durchgeführt wird, und wobei das korrigierte Messbild zur Ermittlung von Registrationsfehlern und/oder Strukturbreiten auf einer Maske verwendet wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Mehrzahl von Vermessungen von Verzeichnungsmustern jeweils nur ein Segment von einer Mehrzahl (n) von Segmenten in der Pupillenebene (PP2) ausgeleuchtet wird.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass auf Basis der ermittelten Verzeichnungseigenschaften des optischen Systems (100) bei einem anschließend durchgeführten Bildvergleich zwischen einem Messbild und einem simulierten Bild diese Bilder im Hinblick auf Verzeichnungseffekte zur Deckung gebracht werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass dieses folgende Schritte aufweist: a) Ermitteln, für eine Mehrzahl (n) von Segmenten der Pupillenebene (PP2), jeweils einer Verzeichnungsfunktion (V_i(x,y), i=1,..., n)), welche bei Ausleuchtung des jeweiligen Segmentes die von dem optischen System (100) in einer Bildebene erzeugte Verzeichnung angibt; und b) Berechnen, für eine gegebene Intensitätsverteilung in der Pupillenebene (PP2), einer Gesamtverzeichnungsfunktion (V_ges(x,y)) als $V_{g e s} (x, y) = \sum_{i = 1}^{n} w_{i} \cdot V_{i} (x, y)$
wobei $w_{i} = \frac{I_{i}}{I_{g e s}}$
einen dem i-ten Segment in der Pupillenebene (PP2) zugeordneten Gewichtungsfaktor und I_i die Intensität in dem i-ten Segment für die gegebene Intensitätsverteilung bezeichnet.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Messvorrichtung eine Vorrichtung zur Positionsbestimmung von Strukturen auf einer Maske für die Mikrolithographie, eine Inspektionsmessvorrichtung zur Defektvermessung von Photomasken, eine Vorrichtung zur Bestimmung der Linienbreite in Photomasken, eine Phasenmessvorrichtung für Photomasken oder ein Inspektionsvorrichtung zur Lokalisierung von Defekten von Photomasken ist.