DE4414369C2

DE4414369C2 - Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halbleitereinrichtung vom Mehrschichttyp

Info

Publication number: DE4414369C2
Application number: DE4414369A
Authority: DE
Inventors: Takeo Ishibashi
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1993-04-26
Filing date: 1994-04-25
Publication date: 1996-09-19
Anticipated expiration: 2014-04-26
Also published as: KR0123266B1; JP3229118B2; JPH0794405A; DE4414369A1; US5451479A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halbleitereinrichtung vom Mehrschichttyp.

Da die minimale Verarbeitungsgröße einer Halbleiterein richtung von 1,0 µm auf 0,8 µm und weiter auf 0,5 µm herab verkleinert worden ist, wurde die Genauigkeit beim Überlagern entsprechender Schichten einer durch Stapeln von Mehrfachschichten gebildeten Halbleitereinrichtung wesentlicher. Derzeit wird eine Überlagerungsgenauigkeit von 1/3-1/4 der minimalen Verarbeitungsgröße verlangt.

Hinsichtlich der Ausrichtungseinrichtungen zur Verkleine rungsprojektion werden inzwischen Ausrichtungseinrich tungen zur 1 : 5-Verkleinerungsprojektion anstelle der Ausrichtungseinrichtungen zur 1 : 1-Projektion verwendet.

Bei einem Belichtungsverfahren, das Ausrichtungseinrich tungen zur Verkleinerungsprojektion verwendet, wird zu erst ein aus einer Lichtquelle emittiertes Belichtungs licht durch eine Fotomaske geleitet, in welcher eine vor bestimmte Struktur auf einem transparenten Substrat aus gebildet ist und welche dann durch eine Verkleinerungs linse mit großer Auflösung verkleinert wird (hauptsächlich ein Verkleinerungsverhältnis von 1 : 5) zum Projizieren des Strukturbildes auf in einer Matrix angeordnete Gebiete, sogenannte Chipgebiete 310, einer Halbleiterscheibe 400 (siehe Fig. 20). Dann wird durch wiederholtes Bewegen der Scheibe in X- und Y-Richtung, d. h. durch einen Step- und-Repeat-Betrieb, die Struktur auf Chipgebiete auf der ganzen Oberfläche der Scheibe projiziert.

Da die Projektion der Struktur für jeden Chip ausgeführt wird, der bei diesem Belichtungsverfahren ein Gebiet auf der Halbleiterscheibe bildet, wird die Anzahl der in einer Einheitszeit verarbeitbaren Halbleiterscheiben verkleinert. Jedoch weist dieses Belichtungsverfahren folgende Vorteile auf:

i) die Auflösung der Struktur ist sehr gut,
ii) das Anordnen kann aufgrund eines zum Steuern einer Position der Halbleiterscheibe verwendeten Laser-Meß interferometers mit großer Genauigkeit ausgeführt werden,
iii) die Positionssteuerung kann jederzeit ausgeführt werden, wenn das Strukturbild auf das Chipgebiet proji ziert wird; wobei die Fokussierposition des Struktur bildes jederzeit eingestellt werden kann, wenn die Be lichtung auf dem Chipgebiet ausgeführt wird, und
iv) eine unzureichende Belichtung infolge der Fotomaske wird nicht auftreten, es sei denn, die Fotomaske weist Defekte auf.

Das vorstehend erwähnte Belichtungsverfahren, das Aus richtungseinrichtungen zur Verkleinerungsprojektion ver wendet, ist beispielsweise in der Japani schen Offenlegungsschrift Nr. 1-283927 offenbart. Das eine Aus richtungseinrichtung zur Verkleinerungsprojektion verwen dende Belichtungsverfahren wird nachstehend unter Bezug nahme auf die Zeichnungen kurz beschrieben werden.

Zunächst umfaßt unter Bezugnahme auf Fig. 21 eine Aus richtungseinrichtung zur verkleinernden Projektion 500 eine von einem Hohlspiegel 551 umgebene Quecksilberlampe 550, einen Reflexionsspiegel 552, einen Integrator 553, einen Reflexionsspiegel 554, eine Kondensorlinse 555, eine Fotomaske 556, eine Verkleinerungslinse 557, eine Halbleiterscheibe 558 und eine X-Y-Halteeinrichtung 559.

Aus der Quecksilberlampe 550 emittiertes Belichtungslicht 550a wird durch den Hohlspiegel 551 gesammelt und auf den Reflexionsspiegel 552 gerichtet. Das Belichtungslicht 550a wird vom Reflexionsspiegel 552 reflektiert, derart daß es am Integrator 553 eintritt. Der Integrator 553 enthält eine Mehrzahl von Fresnellinsen (nicht darge stellt) zum gleichmäßigen Verteilen der Lichtintensität des Belichtungslichts 550a.

Das durch den Integrator 553 geleitete Belichtungslicht 550a wird vom Reflexionsspiegel 554 reflektiert, derart, daß es auf die Kondensorlinse 555 fällt. Das Belichtungs licht 550a wird dann auf die Fotomaske 556 gerichtet, in welcher eine vorbestimmte Struktur ausgebildet ist. Das durch den Integrator 553 geleitete Belichtungslicht 550a wird durch die Kondensorlinse 555 gleichmäßig auf die ganze Oberfläche der Fotomaske 556 gerichtet.

Das durch die Fotomaske 556 geleitete Belichtungslicht 550a wird um ein vorbestimmtes Verkleinerungsverhält nis (1 : m) durch die Verkleinerungslinse 557 verkleinert, und das Bild wird auf die Oberfläche der Halbleiter scheibe 558 projiziert, so daß ein Resistfilm auf der Halbleiterscheibe 558 belichtet wird.

Unter Bezugnahme auf Fig. 22 bewegt sich und stoppt die X-Y-Halteeinrichtung 559 danach wiederholt um einen bzw. in einem vorgeschriebenen Abstand in X-Richtung oder Y-Richtung, und wenn die X-Y-Halteeinrichtung stoppt, dann wird ein vorbestimmtes Strukturbild auf das vorbestimmte Chipgebiet 310 mit dem Belichtungslicht 550a projiziert, welches einen Resistfilm auf der Oberfläche der Halb leiterscheibe 400 belichtet. Eine Mehrzahl von in einer Matrix angeordneten Chipgebieten 310 wird somit auf der Halbleiterscheibe 400 gebildet.

Anschließend wird eine Beschreibung eines Verfahrens zum Belichten einer durch Stapeln einer ersten Schicht mit einer ersten Struktur und einer zweiten Schicht mit einer zweiten Struktur gebildeten Halbleitereinrichtung unter Verwendung der vorstehend beschriebenen Ausrichtungsein richtung zur Verkleinerungsprojektion 500 erfolgen.

Unter Bezugnahme auf Fig. 23 werden eine erste Fotomaske 70 mit einer ersten Struktur und eine zweite Fotomaske 71 mit einer zweiten Struktur beschrieben, welche beide beim Belichtungsverfahren verwendet werden. Markierungs strukturen zur Ausrichtung 70a, 70b, 70c und 70d (71a, 71b, 71c und 71d) sind an vorbestimmten Positionen in den Gebieten gebildet, welche entsprechende strukturbildende Gebiete auf der ersten Fotomaske 70 und der zweiten Foto maske 71 ausschließen.

Eine erste Schicht und ein die erste Schicht abdeckender erster Resistfilm werden auf der Halbleiter scheibe gebildet. Mit einer mit der ersten Fotomaske 70 versehenen ersten Belichtungseinrichtung wird das erste Strukturbild auf die Oberfläche des ersten Resistfilms projiziert. Dann wird der erste Resistfilm entwickelt und die erste Schicht unter Verwendung des ersten Resistfilms als Maske strukturiert.

Die Halbleiterscheibe 400 wird aus der ersten Belich tungseinrichtung entnommen, und eine zweite Schicht und ein zweiter Resistfilm werden auf der Halbleiterscheibe gebildet. Danach wird die Halbleiterscheibe 400 in eine zweite Belichtungseinrichtung gesetzt.

Danach werden die Positionen der auf der ersten Schicht gebildeten Markierungen zur Ausrichtung 70A-70D er mittelt. Die Ermittlung dieser Markierungen zur Ausrich tung 70A-70D wird durch eine optische Messung ausgeführt, wie beispielsweise eine Ermittlung unter Verwendung von einem Laserstrahl im Dunkelfeld, von mehrfarbigem Licht im Hellfeld oder von Überlagerungs-Interferenzlicht.

Unter Bezugnahme auf Fig. 24 wird eine Einrichtung zum Ermitteln der Markierung zur Aus richtung 600 beschrieben, welche den Laserstrahl im Dunkel feld zur Ermittlung verwendet. Zuerst wird die Halblei terscheibe 400 an einer vorbestimmten Position auf eine X-Y-Halteeinrichtung 610 gesetzt. Die X-Y-Halteeinrich tung 610 bewegt sich in X- und Y-Richtung, wobei sie die Koordinaten mit dem Laserinterferometer genau erkennt. Ein von einem LSA-Laser 620 emittierter Laserstrahl läuft durch eine Projektionslinse 630, um ihn auf jede auf dem Chipgebiet 310 auf der Halbleiterscheibe gebildete Markierung zur Ausrichtung (70A-70D) zu konzentrieren. Das von diesen Markierungen zur Ausrichtung (70A-70D) reflektierte Licht wird einer genau angeordneten Er mittlungseinrichtung zugeführt, derart daß zum Erkennen der Positionskoordinaten der Markierungen zur Ausrichtung (70A-70D) nur Refraktionskomponenten ermittelt werden.

Die Projektion des zweiten Strukturbildes wird dann auf Grundlage der Markierungen zur Ausrichtung (70A-70D) aus geführt, deren Positionen wie vorstehend beschrieben er mittelt worden sind, und anschließend wird das Bilden des zweiten Resistfilms und das Strukturieren der zweiten Schicht ausgeführt.

Wenn es gewünscht ist, zusätzliche Schichten mit vorbe stimmten Strukturen zu stapeln, dann sollten die Positionen der Markierungen zur Ausrichtung ermittelt werden, welche auf der Schicht direkt unter einer derartigen unteren Schicht gebildet sind, deren Über lagerungsgenauigkeit wesentlich ist, und dann kann die Projektion des vorbestimmten Strukturbildes auf Grundlage dieser Markierungen zur Ausrichtung ausgeführt werden.

Jedoch weist das vorstehend beschriebene Belichtungsver fahren folgendes Problem auf. Wenn unter Bezugnahme auf Fig. 25 die erste Struktur auf die erste Schicht unter Verwendung der ersten Belichtungseinrichtung projiziert wird, dann wird ein Belichtungsfehler durch die erste Belichtungseinrichtung hervorgerufen. Als wesentlicher Grund für diesen Fehler wird eine Linsenverzerrung ange führt, bei welcher das Strukturbild durch die Linse de formiert wird.

Daher sind die Markierungen zur Ausrichtung (70A-70D) ursprünglich derart vorgesehen, daß sie an den Positionen gebildet werden, die in der Zeichnung durch gestrichelte Linien gekennzeichnet sind. Praktisch werden jedoch die Markierungen zur Ausrichtung (70A′-70D′) während der Be lichtung an den Positionen gebildet, die durch volle Linien gekennzeichnet sind.

Wenn die Ausrichtung auf Grundlage dieser gegenüber den vorgesehenen Positionen versetzten Markierungen zur Ausrichtung (70A′-70D′) ausgeführt wird, dann wird eine Struktur auf einer auszurichtenden Schicht in einer Richtung verschoben sein, in welcher die Markierungen zur Ausrichtung versetzt sind. Das führt zu einer wesentli chen Ausrichtungsversetzung zwischen entsprechenden Schichten, so daß die Miniaturisierungsanforderung der Halbleitereinrichtung nicht erreicht werden kann.

Eine Möglichkeit, ein derartiges Problem zu lösen, zeigt beispielsweise das in der Japanischen Offenlegungsschrift Nr. 63-81818 offenbarte Belichtungsver fahren. Dieses Belichtungsverfahren ist darauf gerichtet, die in der Belichtungseinrichtung hervorgerufene Linsen verzerrung im voraus zu messen. Dieses Belichtungsver fahren wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 26-29 beschrieben werden, welche Herstellungsschritte darstellen.

Unter Bezugnahme auf Fig. 26 sind eine erste Struktur und erste Markierungsstrukturen zur Ausrichtung 600a-600e an vorbestimmten Positionen einer Fotomaske 600 enthalten. Eine zur Messung der Linsenverzerrung vorge sehene erste Schicht wird auf einer Halbleiterscheibe 400 gebildet, und anschließend wird ein erster Resistfilm auf der ersten Schicht gebildet.

Unter Verwendung der Fotomaske 600 werden Bilder der ersten Markierungsstrukturen zur Ausrichtung 600A-600E auf den Resistfilm projiziert, wie in Fig. 27 gezeigt.

Unter Bezugnahme auf Fig. 28 wird die Fotomaske 600 durch eine Blende 700 abgedeckt, um nur die Markierungs struktur zur Ausrichtung 600e zu projizieren. Durch die Positionssteuerung der Halteeinrichtung mit der darauf gesetzten Halbleiterscheibe 400 werden unter Verwendung der Fotomaske 600 die Strukturbilder der Markierungen zur Ausrichtung 700A-700E zum Messen der Fehler auf die vorgesehenen Positionen der Markierungen zur Ausrichtung 600A-600E projiziert.

Unter Bezugnahme auf Fig. 29 wird nach der Entwicklung des Resistfilms die erste Schicht unter Verwendung des Resistfilms als Maske strukturiert zum Bilden der ersten Markierungen zur Ausrichtung 600A-600E und der Markierungen zur Ausrichtung 700A-700E, welche zum Messen der Fehler vorgesehen sind. Zu diesem Zeitpunkt werden die Markierungen zur Ausrichtung 700A-700E zum Messen der Fehler gerade auf den Markierungen zur Ausrichtung 600A-600E gebildet, wenn durch die Belichtungseinrichtung kein Fehler hervorgerufen wird.

Jedoch sind Fehler, wie beispielsweise die in der Belich tungseinrichtung hervorgerufene Linsenverzerrung, empfindlich gegenüber der Verwendungsumgebung, ein schließlich der Temperatur, der Feuchtigkeit und der gleichen Umgebungsänderung. Daher ist es sehr schwierig gewesen, diese in der Belichtungseinrichtung hervorge rufenen Fehler zu steuern.

Folglich ist es bei der Halbleitereinrichtung, bei welcher die Schichten gestapelt sind, kompliziert ge wesen, entsprechende Schichten mit großer Genauigkeit zu überlagern.

Aus der DE 41 08 578 A1 ist ein Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halbleitereinrichtung mit mehreren Schichten be kannt. In diesem Verfahren werden Justiergrundmarken ausge bildet, an denen eine Maske, die eine Anordnung von Justier folgemasken trägt, ausgerichtet wird. Mit Hilfe dieser Ju stiergrundmarken und Justierfolgemarken erfolgt die Kalibrierung des verwendeten Belichtungssystems. Nach der einmaligen Kalibrierung des Systems werden jedoch keine weiteren Korrekturen vorgenommen.

Aus der EP 0 389 209 A2 ist ein Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halbleitereinrichtung mit mehreren Schichten be kannt, in der eine Folgeschicht jeweils an einer in der un mittelbar zuvor aufgebrachten Schicht angeordneten Justiermarke ausgerichtet wird.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Ver fahren zum Bilden von Strukturen einer Halbleitereinrichtung mit mehreren Schichten vorzusehen, in denen die Fehler, die durch einen vorhergehenden, in einer Belichtungseinrichtung ablaufenden Prozeß entstehen, für jede Schicht korrigiert werden können, ohne daß sich diese Fehler dabei addieren.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Gemäß dem Verfahren zum Bilden von Strukturen der Halb leitereinrichtung vom Mehrschichttyp kann selbst beim Bilden von Strukturen der aus Mehrfachschichten gebil deten Halbleitereinrichtung der in der Belichtungsein richtung hervorgerufene Fehler, der während der Bildung von jeder Schicht auftritt, durch Vergleichen der Position der gleichzeitig mit der Struktur der Schicht gebildeten Markierung zur Ausrichtung mit der Position der Referenzmarkierung gemessen werden.

Somit kann die Belichtung der oberen Schichten mit genau erkannten in den unteren Schichten enthaltenen Fehlern der Belichtungseinrichtung ausgeführt werden, wodurch eine Verbesserung der Zuverlässigkeit bei der Herstellung einer durch Stapeln einer Mehrzahl von Schichten gebil deten Halbleitereinrichtung vom Mehrschichttyp erreicht wird.

Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen

Fig. 1 eine Draufsicht, welche eine Struktur von Chipgebieten darstellt, welche auf einer Halbleiterscheibe ausgebildet sind;

Fig. 2 eine Draufsicht einer ersten Fotomaske, die in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird;

Fig. 3 eine Draufsicht einer zweiten Fotomaske, die in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird;

Fig. 4 eine Draufsicht einer dritten Fotomaske, die in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird;

Fig. 5 eine Draufsicht, welche die in der Ausführungsform verwendete erste Fotomaske darstellt, die durch eine Blende abgedeckt ist;

Fig. 6-9 Chipgebiete gemäß ersten bis vierten Schritten eines Verfahrens zur Strukturbildung der vorliegenden Erfindung, bei welchen (a) eine Draufsicht und (b) eine Querschnittansicht derselben darstellen;

Fig. 10 eine Draufsicht einer Halbleiterscheibe, bei welcher eine erste Struktur ausgebildet ist;

Fig. 11-16 Chipgebiete gemäß fünften bis zehnten Schritten des Verfahrens zur Strukturbildung der vorliegenden Erfindung, bei welchen (a) Draufsichten und (b) Querschnittansichten derselben darstellen;

Fig. 17 ein Ablaufdiagramm, welches die Schritte des Verfahrens zur Strukturbildung der vorliegenden Erfindung darstellt;

Fig. 18 eine schematische Darstellung, welche ein Verfahren zum Messen eines Fehlers bei dem Strukturbildungs-Verfahren der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 19 eine Draufsicht, welche die auf allen Chipgebieten gebildeten Referenzmarkierungen darstellt;

Fig. 20 eine Draufsicht, welche strukturbildende Gebiete auf der Halbleiterscheibe des Standes der Technik zeigt;

Fig. 21 ein Schaltbild, welches einen Gesamtaufbau einer Ausrichtungseinrichtung zur Verkleinerungsprojektion darstellt;

Fig. 22 eine vereinfachte Darstellung, welche die Chipgebiete zeigt, die in einer Matrix auf der Halbleiterscheibe gebildet werden;

Fig. 23 eine Draufsicht, welche auf einer herkömmlichen Fotomaske gebildete Markierungsstrukturen zur Ausrichtung darstellt;

Fig. 24 ein Schaltbild, welches ein Verfahren zum Ermitteln von Markierungen zur Ausrichtung zeigt;

Fig. 25 eine schematische Darstellung, welche ein Problem bei einem herkömmlichen Belichtungsverfahren zeigt;

Fig. 26 eine Draufsicht, welche einen Aufbau der herkömmlichen Fotomaske zeigt;

Fig. 27 eine Draufsicht, welche auf einer Halbleiterscheibe gebildete Markierungen zur Ausrichtung des Standes der Technik darstellt;

Fig. 28 eine Draufsicht, welche die durch eine Blende abgedeckte Fotomaske zeigt, die dem Stand der Technik entsprechend verwendet wird; und

Fig. 29 eine Draufsicht, welche auf der Halbleiterscheibe gebildete Markierungen zur Ausrichtung bezüglich von Markierungen zur Ausrichtung zum Messen von Fehlern dem Stand der Technik entsprechend darstellt.

Im folgenden wird eine erste Ausführungsform beschrieben.

Unter Bezugnahme auf Fig. 1 ist zunächst eine Mehrzahl von Chipgebieten 310 in einer Matrix auf einer Halb leiterscheibe 400 angeordnet. Die Referenzmarkierungen S₁, S₂, S₃, S₄ und S₅ sind an allen vorbestimmten gewähl ten Chipgebieten 310a, 310b, 310c, 310d und 310e ent sprechend ausgebildet.

Die nachstehende Beschreibung betrifft ein Verfahren zum Bilden von Strukturen der Halbleitereinrichtung vom Mehr schichttyp, welche durch Stapeln von zwei Schichten in dem Fall gebildet wird, wenn Chipgebiete mit den Referenzmarkierungen S₁-S₅ und Chipgebiete ohne diese Referenzmarkierungen vermischt sind. Der Zweck der Referenzmarkierungen und der Grund des Vermischens von Gebieten mit oder ohne diesen Referenzmarkierungen wird aus der nachstehenden Beschreibung augenscheinlich werden.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 2, 3 und 4 wird die Form einer in der vorliegenden Ausführungsform verwendeten ersten, zweiten und dritten Fotomaske beschrieben werden.

Unter Bezugnahme auf Fig. 2 umfaßt eine erste Fotomaske 100 gemeinsam mit ersten Markierungsstrukturen zur Aus richtung a₁-a₅ eine an einer vorbestimmten Position ge bildete erste Struktur 100a. Es wird angemerkt, daß bei der vorliegenden Ausführungsform ein Belichtungslicht durch Gebiete mit diesen Strukturen tritt, wodurch ein Resistfilm vom Positivtyp belichtet wird.

Unter Bezugnahme auf Fig. 3 umfaßt eine zweite Fotomaske 200 eine an einer vorbestimmten Position ausgebildete zweite Struktur 200b, wobei zweite Markierungsstrukturen zur Ausrichtung b₁-b₅ an Positionskoordinaten ausgebildet sind, welche sich von denjenigen der ersten Markierungs strukturen zur Ausrichtung a₁-a₅ unterscheiden. Bei der zweiten Fotomaske 200 wird angemerkt, daß das Belich tungslicht durch jedes Strukturgebiet tritt, wodurch der Resistfilm vom Positivtyp belichtet wird, wie mit der ersten Fotomaske 100.

Unter Bezugnahme auf Fig. 4 umfaßt eine dritte Fotomaske 300 eine an einer vorbestimmten Position ausgebildete dritte Struktur 300c, und dritte Markierungsstrukturen zur Ausrichtung c₁-c₅ sind an denjenigen Positions koordinaten gebildet, welche sich entweder von denen der ersten Markierungsstrukturen zur Ausrichtung a₁-a₅ oder von denen der zweiten Markierungsstrukturen zur Ausrich tung b₁-b₅ unterscheiden. Belichtungslicht tritt durch entsprechende Strukturgebiete der Fotomaske 300 hindurch, um einen Resistfilm vom Positivtyp zu belichten, wie bei der ersten und zweiten Fotomaske 100, 200.

Nun erfolgt unter Bezugnahme auf die Fig. 5, 10 und 17 eine Beschreibung der Schritte bis zur Bildung der ersten Struktur im Chipgebiet unter Verwendung einer ersten Be lichtungseinrichtung, welche mit der ersten Fotomaske 100 versehen ist. Fig. 17 zeigt ein Ablaufdiagramm des Her stellungsprozesses. Es sollte ferner angemerkt werden, daß die Chipgebiete 310 in einer Matrix auf der Halb leiterscheibe 400 durch das vorstehend beschriebene Step- und-Repeat-Verfahren zur Projektion auf die Halbleiter scheibe 400 gebildet werden, obwohl zur Vereinfachung nur ein Chipgebiet in den Zeichnungen dargestellt ist.

Unter Bezugnahme auf Fig. 5 ist die erste Fotomaske 100 zunächst durch eine Blende 500 abgedeckt worden, derart, daß eine beliebige Struktur der Markierungsstrukturen zur Ausrichtung, beispielsweise nur die Markierungsstruktur zur Ausrichtung a₄, belichtet wird.

Unter Bezugnahme auf Fig. 6 wird eine erste Schicht 2 auf der Halbleiterscheibe 400 gebildet (Schritt 10 (nachstehend als S10 bezeichnet) in Fig. 17). An schließend wird ein erster Resistfilm 4 auf der ersten Schicht 2 gebildet (S20 in Fig. 17).

Unter Bezugnahme auf die Fig. 7-9 werden die Her stellungsschritte des Chipgebiets beschrieben werden, in welchem die Referenzmarkierungen gebildet werden. Der Prozeß für das Chipgebiet ohne Referenzmarkierungen stimmt mit demjenigen im Gebiet mit Referenzmarkierungen überein, abgesehen von einem Schritt zum Bilden der artiger Referenzmarkierungen. Unter Bezugnahme auf Fig. 7 werden unter Verwendung von nur einer Markierungs struktur zur Ausrichtung s₄ der ersten Fotomaske 100 Bilder der Referenz-Markierungsstrukturen (s₁-s₅) an vor bestimmten Positionen auf einem Halbleiter-Chipgebiet projiziert durch Anordnen einer ersten Belichtungsein richtung mit der darauf gelegten Halbleiterscheibe 400 (S30 in Fig. 17). Zu dieser Zeit ist es erwünscht, Positionskoordinaten von Bildern der Referenz- Markierungsstrukturen (s₁-s₅) vorzusehen, welche sich von denjenigen der auf der ersten Fotomaske 100 gebildeten Markierungsstrukturen zur Ausrichtung (a₁-a₅) unterschei den.

Unter Bezugnahme auf Fig. 8 wird die die erste Fotomaske 100 abdeckende Blende 500 entfernt und es werden ein Bild der ersten Struktur 100a der ersten Fotomaske 100 und Bilder der ersten Markierungen zur Ausrichtung a₁-a₅ auf die Oberfläche des ersten Resistfilms 4 unter Verwendung der ersten Belichtungseinrichtung projiziert (S40 in Fig. 17).

Unter Bezugnahme auf Fig. 9 wird der erste Resistfilm 4 entwickelt (S50 in Fig. 17). Unter Verwendung des ent wickelten ersten Resistfilms 4 als Maske wird die erste Schicht 2 strukturiert (S60 in Fig. 17).

Somit werden ein erstes Muster 100A, erste Markierungen zur Ausrichtung A₁-A₅ und Referenzmarkierungen zur Aus richtung S₁-S₅ auf dem gewählten Chipgebiet gebildet. Die Muster werden somit auf der Halbleiterscheibe 400 gebil det, wie in Fig. 10 dargestellt.

Unter Bezugnahme auf Fig. 11 wird eine zweite Schicht 6 auf der Halbleiterscheibe 400 gebildet (S70 in Fig. 17).

Ein zweiter Resistfilm 8 wird anschließend auf der zweiten Schicht 6 gebildet (S80 in Fig. 17).

Die Halbleiterscheibe 400, bei welcher die zweite Schicht 6 und der zweite Resistfilm 8 ausgebildet sind, wird auf eine zweite Belichtungseinrichtung mit der daran ange brachten zweiten Fotomaske 200 gesetzt. Unter Verwendung der zweiten Belichtungseinrichtung wird eine Mehrzahl von Punkten der auf vorbestimmten Chipgebieten vorgesehenen ersten Markierungen zur Ausrichtung A₁-A₅ gemessen zum Korrigieren der Anordnung dem Halbleiterscheibe 400 be züglich des optischen Systems der zweiten Belichtungs einrichtung (S90 in Fig. 17).

Danach wird unter Verwendung der Referenzmarkierungen S₁-S₅ sowie der ersten Markierungen zur Ausrichtung A₁-A₅ ein in der ersten Belichtungseinrichtung hervorgerufener Fehler, eine sogenannte erste Linsenverzerrung (LDI), gemessen (S100 in Fig. 17).

Die Ermittlung der Positionen der Referenzmarkierungen S₁-S₅ und der ersten Markierungen zur Ausrichtung A₁-A₅ wird durch das gleiche beim herkömmlichen Positions- Ermittlungsverfahren beschriebene Verfahren ausgeführt, und LD1 wird berechnet, wie nachstehend angegeben.

Wenn unter Bezugnahme auf Fig. 18 beispielsweise die Positionsdifferenz der vorgesehenen Koordinaten zwischen einer Referenzmarkierung S₁(X₁, Y₁) und einer ersten Markierung zur Ausrichtung A₁(X_A1, Y_A1)

ΔX₁ = X₁-X_A1
ΔY₁ = Y₁-Y_A1

beträgt und wenn vorausgesetzt wird, daß die Position der ersten Markierung zur Ausrichtung A₁′ nach der Struk turierung (X_A1′, Y_A1′) ist, dann beträgt der Abstand von der Referenzmarkierung S₁(X₁, Y₁):

ΔX₁′ = X₁ - X_A1′
ΔY₁′ = Y₁ - Y_A1′.

Somit wird ein erster Linsenverzerrungs-Fehler α₁

α₁ = (Δx₁′, Δy₁′)

betragen, da

Δx₁ = ΔX₁′ - ΔX₁
Δy₁ = ΔY₁′ - ΔY₁.

In der gleichen Weise werden die entsprechenden Fehler α₁, α₂ und α₄ zwischen jeden Referenzmarkierungen S₂-S₅ und jeden ersten Markierungen zur Ausrichtung A₂-A₅ fol gendermaßen berechnet:

α₂ = (Δx₂, Δy₂)
α₃ = (Δx₃, Δy₃)
α₄ = (Δx₄, Δy₄)
α₅ = (Δx₅, Δy₅).

Die erste Linsenverzerrung kann somit gemessen werden.

Bei einem Korrekturverfahren der somit gemessenen ersten Linsenverzerrung kann die Korrektur des Fehlers durch die X-Y-Halteeinrichtung solange ausgeführt werden, bis der gemessene Fehler lediglich durch Translation in X-Rich tung oder Y-Richtung korrigiert ist.

In dem Fall, daß die Verzerrung des Strukturbildes in der X- oder Y-Richtung vergrößert oder verkleinert ist, kann der Fehler infolge der Linsenverzerrung korrigiert werden durch Verfahren, wie beispielsweise zum Korrigieren der Vergrößerung durch Steuern des Innendrucks der Linsen kammer oder zum Deformieren der Fotomaske, wie in der Japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2-310912 offenbart.

Unter Bezugnahme auf Fig. 12 wird die erste Linsenver zerrung (LD1) in der zweiten Belichtungseinrichtung korrigiert und das Bild der Struktur der zweiten Foto maske 200 auf jedes Chipgebiet auf der Oberfläche des zweiten Resistfilms 8 projiziert (S110 in Fig. 17).

Unter Bezugnahme auf Fig. 13 wird unter Verwendung des zweiten Resistfilms 8 als Maske die zweite Schicht 6 strukturiert (S130 in Fig. 17). Die zweite Struktur ist somit auf der ersten Struktur ausgebildet.

Unter Bezugnahme auf Fig. 14 wird danach eine dritte Schicht 10 auf der Halbleiterscheibe 400 gebildet (S140 in Fig. 17). Ein dritter Resistfilm 12 wird auf der dritten Schicht 10 gebildet (S150 in Fig. 17).

Dann wird die Halbleiterscheibe 400, bei welcher die dritte Schicht 10 und der dritte Resistfilm 12 ausgebil det sind, auf eine dritte Belichtungseinrichtung mit der daran angebrachten dritten Fotomaske 300 gesetzt. Unter Verwendung der dritten Belichtungseinrichtung wird eine Mehrzahl von Punkten von zweiten Markierungen zur Aus richtung B₁-B₅ auf vorbestimmten Chipgebieten gemessen zum Korrigieren der Anordnung der Halbleiterscheibe 400 be züglich des optischen Systems der dritten Belichtungsein richtung (S160 in Fig. 17).

Unter Verwendung der Referenzmarkierungen S₁-S₅ sowie der zweiten Markierungen zur Ausrichtung B₁-B₅ wird ein in der zweiten Belichtungseinrichtung hervorgerufener Fehler, das heißt eine zweite Linsenverzerrung (LD2), gemessen (S170 in Fig. 17).

Die zweite Linsenverzerrung (LD2) kann nach dem gleichen Verfahren wie die erste Linsenverzerrung (LD1) berechnet werden.

Unter Bezugnahme auf Fig. 15 wird nach der Korrektur der zweiten Linsenverzerrung (LD2) in der dritten Belich tungseinrichtung das Bild der Struktur der dritten Foto maske 300 auf jedes Chipgebiet auf der Oberfläche des dritten Resistfilms 12 projiziert (S180 in Fig. 17).

Unter Bezugnahme auf Fig. 16 wird der dritte Resistfilm 12 entwickelt (S190 in Fig. 17). Unter Verwendung des entwickelten dritten Resistfilms 12 als Maske wird die dritte Schicht 10 strukturiert (S200 in Fig. 17). Die dritte Struktur ist somit auf der ersten und der zweiten Struktur ausgebildet.

Ferner ist bei der vorliegenden Ausführungsform eine Be schreibung für den Fall erfolgt, daß die Gebiete mit und ohne Referenzmarkierungen vermischt sind, womit beab sichtigt wird, die Anzahl von zum Bilden der Referenz markierungen erforderlichen Schritten soweit wie möglich zu verkleinern, indem die Referenzmarkierungen nur in den gewählten Chipgebieten gebildet werden, wodurch der Her stellungsprozeß der Halbleitereinrichtung verkürzt werden kann und die erste Linsenverzerrung der gesamten Halb leiterscheibe auf Grundlage der in den Gebieten mit Referenzmarkierungen gemessenen Linsenverzerrung erhalten werden kann.

Mit anderen Worten, unabhängig von einer Zunahme der Anzahl von Herstellungsschritten der Halbleitereinrich tung können Referenzmarkierungen in allen Chipgebieten 310 vorgesehen werden, wie in Fig. 19 dargestellt, der art daß die erste Linsenverzerrung in allen Chipgebieten gemessen wird, wodurch die Linsenverzerrung für jedes Chipgebiet gemessen werden kann.

Wie vorstehend beschrieben, werden in dieser Ausführungs form Referenzmarkierungen in vorbestimmten Chipgebieten auf dem Halbleitersubstrat gebildet und werden erste Markierungen zur Ausrichtung gleichzeitig mit der Bildung der Struktur der ersten Schicht gebildet. Somit kann die in der ersten Belichtungseinrichtung hervorgerufene erste Linsenverzerrung gemäß dem Positionsverhältnis zwischen den ersten Markierungen zur Ausrichtung und den Referenz markierungen gemessen werden.

Wenn die zweite Schicht gebildet wird, dann wird die Be lichtung nach der Korrektur des ersten Linsenverzerrungs- Fehlers durch die zweite Belichtungseinrichtung ausge führt und werden die zweiten Markierungen zur Ausrichtung gleichzeitig mit der Bildung der Struktur der zweiten Schicht gebildet. Somit kann die in der zweiten Belich tungseinrichtung hervorgerufene zweite Linsenverzerrung gemäß dem Positionsverhältnis zwischen den zweiten Markierungen zur Ausrichtung und den Referenzmarkierungen gemessen werden.

Somit werden Markierungen, die als Referenz zum Messen der Linsenverzerrung verwendet werden, auf dem Substrat im voraus gebildet und werden Markierungen zur Ausrich tung zum Messen der Linsenverzerrung, welche in den ent sprechenden Schichten enthalten sind, gleichzeitig beim Bilden der Strukturen der entsprechenden Schichten gebil det, so daß die entsprechenden Schichten genau über einander überlagert werden können.

Wie vorstehend beschrieben, werden bei einem Verfahren zum Bilden von Strukturen einer Halbleiterein richtung vom Mehrschichttyp gemäß der vorliegenden Erfin dung Referenzmarkierungen im voraus auf einer Halbleiter scheibe durch Anordnen einer Halteeinrichtung gebildet und werden anschließend die Positionen dieser Referenz markierungen mit Positionen der ersten Markierungen zur Ausrichtung zum Messen eines Fehlers einer ersten Belich tungseinrichtung verglichen.

Ferner wird ein Fehler einer zweiten Belichtungseinrich tung durch Messen der Positionen der Referenzmarkierungen und der zweiten Markierungen zur Ausrichtung gemessen.

Somit kann selbst bei der Strukturbildung einer aus einer Mehrzahl von Schichten gebildeten Halbleitereinrichtung der Fehler gemessen werden, der in der zum Bilden der Schicht verwendeten Belichtungseinrichtung hervorgerufen wird, durch Vergleichen der Positionen der gleichzeitig mit der Struktur von jeder Schicht gebildeten Markierungen zur Ausrichtung mit den Positionen der Referenzmarkierungen.

Das eliminiert den herkömmlichen Schritt zum Bilden von Markierungen zum Messen von Fehlern an jeder Schicht. Folglich kann die Anzahl von Herstellungsschritten der aus Mehrfachschichten gebildeten Halbleitereinrichtung verkleinert werden, und ferner können deren Herstellungs kosten verkleinert werden.

Somit kann die Projektion der Strukturen der oberen Schichten mit dem in den unteren Schichten enthaltenen genau erkannten Fehler der Belichtungseinrichtung ausge führt werden, was eine Verbesserung der Zuverlässigkeit bei der Herstellung der durch eine Mehrzahl von ge stapelten Schichten gebildeten Halbleitereinrichtung vom Mehrschichttyp ergibt.

In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Bilden von Strukturen der Halbleitereinrichtung vom Mehrschichttyp werden im voraus Referenzmarkierungen durch Ausrichten der Halteeinrich tung auf entsprechende in einer Matrix angeordnete Chip gebiete auf der Halbleiterscheibe gebildet und werden die Positionen dieser Referenzmarkierungen mit Positionen der auf jedem Chipgebiet ausgebildeten ersten Markierungen zur Ausrichtung verglichen zum Messen des in jedem Chip gebiet enthaltenen Fehlers der ersten Belichtungsein richtung. Ferner kann der Fehler der zweiten Belichtungs einrichtung in jedem Chipgebiet durch Vergleichen der Positionen der Referenzmarkierungen und der zweiten Markierungen zur Ausrichtung gemessen werden.

Somit werden selbst bei der Bildung der Strukturen von jedem Chipgebiet der aus Mehrfachschichten gebildeten Halbleitereinrichtung die Positionen der gleichzeitig mit der Struktur von jeder Schicht gebildeten Markierungen zur Ausrichtung mit den Positionen der Referenz markierungen verglichen, so daß der Fehler, der in der zum Bilden der Schicht verwendeten Belichtungseinrichtung hervorgerufen wird, für jedes Chipgebiet gemessen werden kann. Ferner kann der Fehler der zweiten Belichtungs einrichtung im gewählten Chipgebiet gewonnen werden durch Vergleichen der Positionen der Referenzmarkierung und der zweiten Markierung zur Ausrichtung, welche im gewählten Gebiet ausgebildet ist.

Der Fehler kann für jedes Chipgebiet korrigiert werden, so daß eine Halbleitereinrichtung von hoher Qualität er halten werden kann.

In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens zum Bilden von Strukturen der Halbleitereinrichtung vom Mehrschichttyp werden im voraus Referenzmarkierungen auf den Chipgebieten, welche aus der Mehrzahl von in einer Matrix angeordneten Chipgebieten gewählt sind, auf der Halbleiterscheibe durch Anordnen der Halteeinrichtung gebildet, wobei die Positionen dieser Referenzmarkierungen mit Positionen der auf diesen gewählten Chipgebieten gebildeten ersten Markierungen zur Ausrichtung zum Messen des Fehlers der ersten Belich tungseinrichtung für die gewählten Chipgebiete verglichen werden. Ferner kann der Fehler der zweiten Belichtungs einrichtung in den gewählten Chipgebieten gemessen werden durch Vergleichen der Positionen der Referenzmarkierungen mit den Positionen der in den gewählten Gebieten gebil deten zweiten Markierungen zur Ausrichtung.

Somit kann der Fehler der gesamten Halbleiterscheibe gemäß dem für die gewählten Chipgebiete gemessenen Fehler der ersten Belichtungseinrichtung näherungsweise gemessen werden. Folglich kann die zum Bilden der Referenz markierungen erforderliche Anzahl von Schritten ver kleinert werden, da die Referenzmarkierungen nicht auf allen Chipgebieten gebildet werden müssen.

Claims

1. Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halb leitereinrichtung vom Mehrschichttyp, welches die Schritte umfaßt:
Bilden einer ersten Schicht (2) auf einem Halbleiter substrat (400);
Bilden eines ersten Resistfilms (4) auf der ersten Schicht (2);
Anordnen des Halbleitersubstrats (400) durch eine Halteeinrichtung Projizieren einer Abbildung einer vorbestimmten Referenzmarkierung (s₁, s₂, s₃, s₄, s₅) an einer vorbestimmten Position auf die Oberfläche des ersten Resistfilms (4);
Projizieren einer Abbildung einer ersten Struktur, welche eine der Referenzmarkierung (s₁, s₂, s₃, s₄, s₅) ent sprechende erste Markierungsstruktur zur Ausrichtung (a₁, a₂, a₃, a₄, a₅) umfaßt, auf die Oberfläche des ersten Resistfilms (4) mit einer ersten Belichtungseinrichtung;
Entwickeln des ersten Resistfilms (4);
Strukturieren der ersten Schicht (2) unter Verwendung des entwickelten ersten Resistfilms (4) als Maske;
Bilden einer zweiten Schicht (6) auf der strukturierten ersten Schicht (4);
Bilden eines zweiten Resistfilms (8) auf der zweiten Schicht (6);
Messen einer Position der durch Strukturieren der ersten Schicht (2) gebildeten ersten Markierung zur Ausrichtung (A₁, A₂, A₃, A₄, A₅) mit einer zweiten Belichtungseinrich tung zum Anordnen des Halbleitersubstrats (400) an einer vorbestimmten Position eines optischen Systems der zweiten Belichtungseinrichtung;
Vergleichen einer Position der Referenzmarkierung (S₁, S₂, S₃, S₄, S₅) mit einer Position der ersten Markierung zur Ausrichtung (A₁, A₂, A₃, A₄, A₅), wobei beide durch Strukturieren der ersten Schicht (4) gebildet sind, zum Messen eines ersten Fehlers der ersten Belichtungsein richtung;
Korrigieren einer Abbildung einer zweiten Struktur auf Grundlage des ersten Fehlers und Projizieren des zweiten Strukturbildes, welches eine der Referenzmarkierung ent sprechende zweite Markierungsstruktur zur Ausrichtung (b₁, b₂, b₃, b₄, b₅) umfaßt, auf die Oberfläche des zweiten Resistfilms (8) mit einer zweiten Belichtungsein richtung;
Entwickeln des zweiten Resistfilms (8);
Strukturieren der zweiten Schicht (6) unter Verwendung des entwickelten zweiten Resistfilms (8) als Maske;
Bilden einer dritten Schicht (10) auf der strukturierten zweiten Schicht (6);
Bilden eines dritten Resistfilms (12) auf der dritten Schicht (10);
Messen einer Position der durch Strukturieren der zweiten Schicht (6) gebildeten zweiten Markierung zur Ausrichtung (B₁, B₂, B₃, B₄, B₅) mit einer dritten Belichtungsein richtung zum Anordnen des Halbleitersubstrats (400) an einer vorbestimmten Position eines optischen Systems der dritten Belichtungseinrichtung;
Vergleichen einer Position der Referenzmarkierung (S₁, S₂, S₃, S₄, S₅) mit einer Position der zweiten Markierung zur Ausrichtung (B₁, B₂, B₃, B₄, B₅) zum Messen eines zweiten Fehlers der zweiten Belichtungseinrichtung;
Projizieren eines dritten Strukturbildes, welches eine der Referenzmarkierung (S₁, S₂, S₃, S₄, S₅) entsprechende dritte Markierungsstruktur zur Ausrichtung (c₁, c₂, c₃, c₄, c₅) umfaßt, auf eine Oberfläche des dritten Resist films (12) mit der dritten Belichtungseinrichtung nach Ausführen einer Korrektur auf Grundlage des zweiten Fehlers;
Entwickeln des dritten Resistfilms (12) und
Strukturieren der dritten Schicht (10) unter Verwendung des entwickelten dritten Resistfilms (12) als Maske.

2. Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halb leitereinrichtung vom Mehrschichttyp nach Anspruch 1, bei welchem der Schritt des Projizierens des Bildes der Referenzmarkierung (s₁, s₂, s₃, s₄, s₅) einen Schritt des Belichtens der Referenzmarkierungen in der Nähe der vier Ecken des Halbleiter substrats (400) umfaßt.

3. Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halbleitereinrichtung vom Mehrschichttyp nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitereinrichtung eine Mehrzahl von in einer Matrix auf einer Halbleiterscheibe (400) angeordnete Chipgebiete (310) umfaßt, und daß Referenzmarkierungen auf (S₁, S₂, S₃, S₄, S₅) in jedem Chipgebiet gebildet werden.

4. Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halbleiterein richtung vom Mehrschichttyp nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitereinrichtung eine Mehrzahl von in einer Matrix auf einer Halbleiterscheibe (400) angeordnete Chipgebiete (310) umfaßt, und daß die Referenzmarkierungen nur in vorbestimmten, ausgewählten Chipgebieten (310a, 310b, 310c, 310d, 310e) gebildet werden.

5. Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halbleitereinrichtung vom Mehrschichttyp nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Referenzmarkierungen jeweils in den vier Eckbereichen der Chipgebiete gebildet werden.

6. Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halb leitereinrichtung vom Mehrschichttyp nach einem der Ansprüche 1-5, bei welchem der Schritt des Projizierens des Bildes der ersten Markierungsstruktur zur Ausrichtung (a₁, a₂, a₃, a₄, a₅) einen Schritt des Belichtens der ersten Markierungsstruktur in der Nähe der Referenzmarkierung (S₁, S₂, S₃, S₄, S₅) umfaßt.

7. Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halb leitereinrichtung vom Mehrschichttyp nach einem der Ansprüche 1-6, bei welchem der Schritt des Projizierens des Bildes der zweiten Markierungsstruktur zur Ausrichtung (b₁, b₂, b₃, b₄, b₅) einen Schritt des Belichtens der zweiten Markierungsstruktur in der Nähe der Referenzmarkierung (S₁, S₂, S₃, S₄, S₅) an einer sich von den Positionskoordinaten der ersten Markierung zur Aus richtung (A₁, A₂, A₃, A₄, A₅) unterscheidenden Position umfaßt.

8. Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halb leitereinrichtung vom Mehrschichttyp nach einem der Ansprüche 1-7, bei welchem der Schritt des Projizierens des Strukturbildes der dritten Markierungsstruktur zur Ausrichtung (c₁, c₂, c₃, c₄, c₅) einen Schritt des Belichtens der dritten Markierungsstruktur in der Nähe der Referenzmarkierung (S₁, S₂, S₃, S₄, S₅) an einer sich von den Positionskoordinaten der ersten und der zweiten Markierung zur Ausrichtung (A₁, A₂, A₃, A₄, A₅, B₁, B₂, B₃, B₄, B₅) unterschiedlichen Position umfaßt.

9. Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halbleitereinrichtung vom Mehrschichttyp nach einem der Ansprüche 1-8, bei welchem der Schritt des Messens des ersten Fehlers der ersten Belichtungseinrichtung einen Schritt des Vergleichens
einer Differnez zwischen Positionskoordinaten der Referenzmarkierung (S₁, S₂, S₃, S₄, S₅) und vorgesehenen Positionskoordinaten der ersten Markierung zur Ausrichtung (A₁, A₂, A₃, A₄, A₅) mit
einer Differenz zwischen Positionskoordinaten der Referenzmarkierung (S₁, S₂, S₃, S₄, S₅) und Positions koordinaten der auf der ersten Schicht (2) gebildeten ersten Markierung zur Ausrichtung (A₁, A₂, A₃, A₄, A₅) umfaßt.

10. Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halb leitereinrichtung vom Mehrschichttyp nach eine der Ansprüche 1-9, bei welchem der Schritt des Messens des zweiten Fehlers der zweiten Belichtungseinrichtung einen Schritt des Ver gleichens
einer Differenz zwischen Positionskoordinaten der Referenzmarkierung (S₁, S₂, S₃, S₄, S₅) und vorgesehenen Positionskoordinaten der zweiten Markierung zur Ausrich tung (B₁, B₂, B₃, B₄, B₅) mit
einer Differenz zwischen Positionskoordinaten der Referenzmarkierung (S₁, S₂, S₃, S₄, S₅) und Positions koordinaten der auf der zweiten Schicht gebildeten zweiten Markierung zur Ausrichtung (B₁, B₂, B₃, B₄, B₅) umfaßt.