JP2014124603A - リソグラフィ原版の洗浄方法 - Google Patents
リソグラフィ原版の洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014124603A JP2014124603A JP2012284907A JP2012284907A JP2014124603A JP 2014124603 A JP2014124603 A JP 2014124603A JP 2012284907 A JP2012284907 A JP 2012284907A JP 2012284907 A JP2012284907 A JP 2012284907A JP 2014124603 A JP2014124603 A JP 2014124603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lithography
- cleaning
- original plate
- pattern
- ultrasonic vibration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 274
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 248
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 133
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 213
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 13
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 26
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 11
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 11
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、上記パターン側表面を下向きにして保持する保持工程、上記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して上記リソグラフィ原版の上記パターン側とは反対側の表面に超音波振動を付与する超音波振動付与工程、および上記超音波振動付与工程と同時に行われ、上記リソグラフィ原版の下方から上記リソグラフィ原版の上記パターン側表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程を備える物理的洗浄工程を有することを特徴とするリソグラフィ原版の洗浄方法を提供することにより、上記課題を解決する。
【選択図】図1
Description
また、リソグラフィ原版にダメージが生じない程度の超音波振動を付与した洗浄液を用いた場合は、リソグラフィ原版の表面に付着した異物の除去を十分に行うことができない場合がある。
フォトリソグラフィ法に用いられるリソグラフィ原版とは、露光光を選択的に透過または反射させるマスクをいい、例えば、露光光として紫外光を用いるフォトマスク、露光光として極端紫外光(EUV)を用いるEUVマスクが挙げられる。また、ナノインプリント法に用いられるリソグラフィ原版としては、ナノインプリントテンプレートが挙げられる。
なお、リソグラフィ原版について、詳しくは後述する。
また、異物の大きさについてはリソグラフィ原版に用いられる材料や、リソグラフィ原版を適用する対象物等により変わるものであるが、概ね、5nm〜1000μmレベルの異物が存在する。特に5nm〜300nmレベルのものがパターン間への挟まり異物として生じやすい。
本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、上記パターン側表面を下向きにして保持する保持工程、上記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して上記リソグラフィ原版の上記パターン側とは反対側(以下、バックサイドと称して説明する場合がある。)の表面に超音波振動を付与する超音波振動付与工程、および上記超音波振動付与工程と同時に行われ、上記リソグラフィ原版の下方から上記リソグラフィ原版の上記パターン側表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程を備える物理的洗浄工程を有することを特徴とする方法である。
図1は本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法の一例を示す工程図である。また、図1においては、リソグラフィ原版1が、基板1aが透明基板11aであり、パターン1bが透明基板11aの一方の表面にパターン状に形成された遮光部11bであるフォトマスク11である例について示している。
本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法は、物理的洗浄工程を有することを特徴とする。本発明の物理的洗浄工程においては、まず図1(a)に例示するように、透明基板11aおよび透明基板11aの一方の表面上にパターン状に形成された遮光部11bを有するフォトマスク11を、遮光部11b側表面を下向きにして保持する(保持工程)。
次に図1(b)に例示するように、超音波振動付与手段20を用いてフォトマスク11の上方から伝播液層3を介してフォトマスク11の遮光部11b側とは反対側の表面に超音波振動2を付与する(超音波振動付与工程)。超音波振動付与手段20としては、例えば、超音波振動子21aと石英等から構成される振動板21bとを有する超音波振動板21が用いられる。
また、フォトマスク11の下方からフォトマスク11の遮光部11b側表面に洗浄液4を供給する(洗浄液供給工程)。図1(b)においては、ノズル41等の洗浄液供給手段40を用いて、洗浄液4を吹き付けることにより洗浄液4を供給する例について説明している。
本発明においては、超音波振動付与工程と洗浄液供給工程とは同時に行われる。
このような物理的洗浄工程を有することにより、遮光部11b側表面に付着した異物Aを除去することができ、図1(c)に例示するように、遮光部11b側表面の状態が良好なフォトマスク11とすることができる。
なお、図1においてはリソグラフィ原版1としてフォトマスク11を例に説明したが、これに限定されず、図示はしないが上述したEUVマスク、ナノインプリントテンプレート等においても同様に、本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法を適用することができる。
まず、本発明のようにリソグラフィ原版のバックサイド表面に超音波振動を付与する場合は、リソグラフィ原版のパターン側表面に超音波振動を付与する場合に比べて、リソグラフィ原版のパターンが倒壊する等のダメージを生じる超音波振動の出力のしきい値を高くすることが可能となる。そのため、リソグラフィ原版のバックサイド表面に超音波振動を付与する場合は、リソグラフィ原版のパターン層側表面に超音波振動を付与する場合に比べて、超音波振動の出力を大きくすることが可能となる。
また、本発明においては、大きな出力の超音波振動をリソグラフィ原版の基板を介して異物に伝播させることができる。また、超音波振動は伝播液層を介して伝播した場合に比べて、基板を介して伝播した方が異物に伝わりやすくなると推量される。よって、この際に異物に伝播される超音波振動が、リソグラフィ原版のパターン層側表面から伝播液層を介して異物に伝播される超音波振動より大きくなることから、異物を基板から振り落とすことができ、好適に除去することができるものと推量される。
また、本発明においては、リソグラフィ原版のパターン側表面を下向きにして保持することによっても、基板上に付着した異物の好適に除去することが可能となることが推量される。
具体的には、異物の比重が洗浄液の比重よりも大きい場合、異物は洗浄液に沈むこととなるが、この際、リソグラフィ原版のパターン側表面を上向きに保持している場合は、リソグラフィ原版から除去された異物が洗浄液に沈む際に、異物が沈む方向に基板が存在することとなるため、再度、基板上に異物が付着したり、または堆積してしまうことが推量される。
一方、本発明のように、リソグラフィ原版のパターン側表面を下向き保持している場合は、パターンの開口部分が下向きとなることから、異物が沈む方向に基板が存在しないため、基板から除去された異物が基板からより離れ易くなることが推量される。
また、超音波振動の一部が基板に吸収された場合も、固体物である基板から異物全体に対しては、リソグラフィ原版のパターン側表面に伝播液層を介して超音波振動を付与する場合に比べて、より出力の高い超音波振動を伝播させることができるものと推量される。
本発明における物理的洗浄工程について説明する。
上記物理的洗浄工程は、保持工程、超音波振動付与工程、および洗浄液供給工程を備える工程である。
以下、上記物理的洗浄工程において行われる各工程について説明する。
まず、保持工程について説明する。
本工程は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、上記パターン側表面を下向きにして保持する工程である。
本工程においては、なかでもリソグラフィ原版のパターン側表面を水平に保持することがより好ましい。リソグラフィ原版のバックサイド表面に超音波振動を均一に付与することが容易となるからである。また、リソグラフィ原版のパターン側表面にスピン洗浄法を用いて洗浄液を供給することが可能となることから、洗浄液の量を少ないものとすることが可能となる。
本工程において用いられる保持手段としては、例えば、リソグラフィ原版においてパターンが形成されていない周囲に設置できる固定冶具が挙げられる。上記固定冶具としては、リソグラフィ原版をそのパターン側表面を下向きにして保持することが可能なものであれば特に限定されないが、リソグラフィ原版を水平に保持することが可能なものであることが好ましい。また、上記固定冶具としては、リソグラフィ原版を一定位置に固定できるものであってもよく、リソグラフィ原版を水平方向または垂直方向の少なくとも一方の方向に移動させることができるものであってもよい。また、上記固定冶具としては、リソグラフィ原版の面を反転できる反転機能を有するものであってもよい。
また、上記固定冶具は、台座とともに用いることができるものであることが好ましい。この場合、固定冶具は、台座との間に洗浄液を供給できる程度の間隔を開けて配置される。また、固定冶具と台座とは一体であってもよく、別体であってもよい。
上記台座としては、固定冶具とともにリソグラフィ原版を保持することができるものであれば特に限定されないが、なかでも回転機能を有するスピンテーブルであることが好ましい。後述する洗浄液供給工程において、スピン式洗浄法、すなわち洗浄液供給手段から吹き付けられた洗浄液を、遠心力を用いてリソグラフィ原版のパターン側表面全体に供給する方法を用いることができ、洗浄液の量を少なくすることができるからである。
また、必要に応じて行われる乾燥工程において、スピン式乾燥法を用いることができる。なお、乾燥工程については後述する。
上記固定冶具、台座については一般的なものを用いることができるので、具体的な説明については省略する。
次に、超音波振動付与工程について説明する。
本工程は、上記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して上記リソグラフィ原版の上記パターン側とは反対側の表面に超音波振動を付与する工程である。
上記超音波振動付与手段としては、伝播液層を介してリソグラフィ原版のバックサイド表面に所望の超音波振動を付与することができれば特に限定されない。
例えば、超音波振動子と、石英等の振動板とから構成される超音波振動板を挙げることができる。
超音波振動子、振動板、および超音波振動板については、一般的なものを用いることができるため、ここでの説明は省略する。
具体的な超音波の出力(W)としては、パターンが後述する高さおよび幅を有する場合、0.5W〜50Wの範囲内であることが好ましい。上記超音波の出力が小さすぎる場合は、バックサイド表面に付与した超音波振動を基板を介して異物に十分に伝播させることが困難となる可能性があるからであり、上記超音波の出力が大きすぎる場合は、バックサイド表件から超音波振動を付与した場合も、パターンにダメージが生じる可能性があるからである。
具体的な超音波の照射時間としては、1sec.〜1200sec.の範囲内であることが好ましい。上記超音波の照射時間が少なすぎる場合は、異物を十分に除去することが困難となる可能性があるからである。一方、上記超音波の照射時間が多すぎる場合は、本工程にかかる時間が多くなり、効率よくリソグラフィ原版の洗浄を行うことが困難となる場合や、超音波振動により基板、パターン等が劣化する可能性があるからである。
本工程においては、なかでも、上記伝播液層が液体膜から構成されるものであることが好ましい。伝播液層に用いられる伝播液層用液の量を少ないものとすることができる。
上述した伝播液層用液供給手段については一般的なものを用いることができるため、ここでの説明は省略する。
一方、例えば伝播液層が浸漬液から構成されるものである場合は、リソグラフィ原版および超音波振動付与手段の表面を伝播液層用液に浸漬する方法が挙げられる。このような伝播液層の形成方法においては、例えば洗浄槽等を用いることによりリソグラフィ原版および超音波振動付与手段の表面を伝播液層用液に浸漬することができる。上記洗浄槽については、一般的なものを用いることができるため、ここでの説明は省略する。
次に、洗浄液供給工程について説明する。
本工程は、上述の超音波振動付与工程と同時に行われ、上記リソグラフィ原版の下方から上記リソグラフィ原版の上記パターン側表面に洗浄液を供給する工程である。
薬液を用いた場合は、後述する化学的洗浄工程を本工程と同時に行うことが可能となる。
また例えば、図2に例示するように、リソグラフィ原版1のパターン1b側表面を洗浄液4に浸漬させることにより洗浄液4を供給してもよい。なお、この場合、リソグラフィ原版1の下方に洗浄液4を保持する洗浄槽50を配置することにより、洗浄液4の供給が行われる。洗浄槽50については一般的なものを用いることができる。
なお、図2は、本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法の他の例を説明する図である。
また、異物の比重が洗浄液の比重よりも大きい場合は、洗浄槽の底部分に異物が沈殿するが、上述した超音波振動付与工程により付与された超音波振動はリソグラフィ原版を通過した後、洗浄槽の底面や側面等に反射するため、上記反射された超音波振動により、沈殿していた異物が舞い上がり、リソグラフィ原版のパターン側表面に再付着しやすくなることも懸念される。
また、洗浄槽を用いないことから超音波振動の反射による影響についても生じないものとすることが可能となる。よって、より好適にリソグラフィ原版の洗浄を行うことが可能となる。
上記洗浄液供給手段としては、リソグラフィ原版の下方からリソグラフィ原版のパターン側表面に洗浄液を吹き付けることが可能なものであれば特に限定されず、具体的には、ノズル、シャワー等が挙げられ、なかでもノズルが好ましい。上述したスピンテーブルとともに用いることにより、リソグラフィ原版のパターン側表面にスピン洗浄法を用いて洗浄液を供給することが可能となることから、洗浄液の量を少ないものとすることが可能となる。
本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法は、上述した物理的洗浄工程を有する方法であれば特に限定されず、必要に応じて他の工程を追加することができる。
以下、このような工程について説明する。
本発明における化学的洗浄工程は、リソグラフィ原版のパターン側表面を薬液を用いて洗浄する工程である。
本発明における化学的洗浄とは、異物に薬液を接触させることにより、異物を溶解させるといった化学的作用によってリソグラフィ原版のパターン側表面から異物を除去することをいう。
本工程に用いられるリソグラフィ原版の保持手段としては一般的なものを用いることができる。なかでも、上述した「1.物理的洗浄工程 (1)保持工程」の項で説明した保持手段を用いることが好ましい。
本発明においては、物理的洗浄工程の後、または必要に応じて行われる化学的洗浄工程の後にリソグラフィ原版にリンス処理を行うリンス処理工程を有していることが好ましい。
本工程に用いられるリンス液、および具体的な処理方法については公知のものと同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
本発明においては、物理的洗浄工程の後、または必要に応じて行われる化学的洗浄工程もしくはリンス処理工程の後に、リソグラフィ原版に乾燥処理を行う乾燥処理工程を有していることが好ましい。
本工程に用いられる乾燥方法としては、公知の方法とすることができ、例えばスピン式乾燥法、エアーナイフ式乾燥法等を挙げることができる。
本発明においては、上述した化学的洗浄工程、リンス処理工程、および乾燥処理工程以外にも、任意の工程を行うことができる。
本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法が適用されるリソグラフィ原版は、基板と、基板の一方に形成されたパターンとを有するものである。
また、EUV、ナノインプリント用のリソグラフィ原版の場合、パターンの高さとしては30nm〜300nmの範囲内であることが好ましい。上記高さが上記範囲内である場合、従来のリソグラフィ原版の洗浄方法を用いた場合には特にパターンにダメージを生じやすくなることから、本発明における作用効果を高く発揮することが可能となる。
なお、パターンの高さとは、基板からパターン表面までの最短距離をいい、図1(c)中、pで表わされる距離をいう。
また、EUV、ナノインプリント用のリソグラフィ原版の場合、パターンの幅としては、10nm〜500nmの範囲内、なかでも10nm〜300nmの範囲内、特に10nm〜100nmの範囲内であることが好ましい。
上記幅が上記範囲内である場合、従来のリソグラフィ原版の洗浄方法を用いた場合には特にパターンにダメージを生じやすくなることから、本発明における作用効果を高く発揮することが可能となる。
なお、パターンの幅とは、図1(c)中、qで表わされる距離をいう。
またフォトマスクとしては、基板として透明基板を有し、パターンとして基板上にパターン状に形成された遮光部、または紫外光の透過率が調整された半透明膜等を有するものであってもよい。
特に、フォトマスクの場合はSRAF(Sub-resolution assist feature: 解像補助パターン)を有するフォトマスクにおいては、解像する寸法幅を有するメインパターンと異なり、解像限界以下の寸法であるSRAFの欠けが従来の洗浄方法においては生じやすい。したがって、本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法はSRAFを有するフォトマスクの洗浄に好適に用いることができる。
本発明のリソグラフィ原版の製造方法は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、上記パターン側表面を下向きにして保持する保持工程、上記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して上記リソグラフィ原版の上記パターン側とは反対側の表面に超音波振動を付与する超音波振動付与工程、および上記超音波振動付与工程と同時に行われ、上記リソグラフィ原版の下方から上記リソグラフィ原版の上記パターン側表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程を備える物理的洗浄工程を有するリソグラフィ原版の洗浄方法を行うことにより、リソグラフィ原版を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする製造方法である。
図3は、本発明のリソグラフィ原版の製造方法の一例を示す工程図である。図3においては、リソグラフィ原版1としてフォトマスク11を用いる例について示している。
本発明のリソグラフィ原版の製造方法においては、通常、リソグラフィ原版準備工程と、洗浄工程とを有する。
リソグラフィ原版準備工程においては、まず図3(a)に例示するように、リソグラフィ原版用ブランクとして、石英基板等の透明基板11a上にCr膜等の遮光膜11b’が形成されたものを準備する。次に、遮光膜11’にレジスト膜13’を形成して、電子線60描画および現像を行い、図3(b)に示すようにレジストパターン13を形成する。次いで、レジストパターン13をマスクとして遮光膜11b’をエッチングした後、レジストパターン13を除去し、図3(c)に示すように、パターン状に遮光部11bを形成して、フォトマスク11を得る。
次に、洗浄工程においては、図3(d)〜(f)に例示するように、上述したリソグラフィ原版の洗浄方法を行うことによりフォトマスク11を洗浄する。
なお、図3(d)〜(f)の各工程については、図1(a)〜(c)において説明した工程と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
本発明においては、通常、リソグラフィ原版準備工程が行われる。そこで、まず、リソグラフィ原版準備工程について説明する。
本発明におけるリソグラフィ原版準備工程は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を準備する工程である。
リソグラフィ原版が新たに製造されたものである場合は、上述したようにパターン側表面に異物の付着等が少ない良好な状態のリソグラフィ原版を得ることが可能となる。
一方、リソグラフィ原版が使用後のものである場合は、パターンへのダメージを抑制してパターン側表面の異物を除去し、上記パターン側表面の状態が良好な再生リソグラフィ原版を製造することが可能となる。
リソグラフィ原版用ブランクは、上述のリソグラフィ原版の種類に応じて適宜選択される。例えば、リソグラフィ原版がナノインプリントテンプレートの場合、リソグラフィ原版用ブランクには、合成石英、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム等から構成される透明基板や、透明基板上にCr膜等の導電膜が形成されたもの等を用いることができる。
リソグラフィ原版がフォトマスクの場合、リソグラフィ原版用ブランクには、例えば透明基板上にCr膜等の遮光膜、または半透明膜が形成されたものや、透明基板上に半透明膜および遮光膜が順に積層されたもの等を用いることができる。
リソグラフィ原版がフォトマスクのうちハーフトーン型位相シフトマスクの場合、リソグラフィ原版用ブランクには、例えば透明基板上に位相シフト層が形成されたものや、透明基板上に位相シフト層および遮光層が順に積層されたもの等を用いることができる。
リソグラフィ原版がEUVマスクの場合、リソグラフィ原版用ブランクには、例えば支持基板上に多層反射層および吸収層が順に積層されたものや、支持基板上に多層反射層、バッファー層および吸収層が順に積層されたもの等を用いることができる。
これらのリソグラフィ原版用ブランクとしては、一般的なものを適用することができる。
本発明におけるリソグラフィ原版の洗浄工程は、上述したリソグラフィ原版の洗浄方法を行うことにより、リソグラフィ原版を洗浄する工程である。
なお、リソグラフィ原版の洗浄方法については、上述した「A.リソグラフィ原版の洗浄方法」の項で説明したため、ここでの説明は省略する。
本発明のリソグラフィ原版の製造方法は、上述した洗浄工程を有するものであれば特に限定されない。
本発明のリソグラフィ原版用洗浄装置は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を保持する保持部と、上記保持部の上方に配置され、上記保持部側に超音波振動を付与する超音波振動付与部と、上記リソグラフィ原版および上記超音波振動付与部の間に伝播液層用液を供給して伝播液層を形成する伝播液層用液供給部と、上記保持部の下方に配置され、上記保持部側に洗浄液を吹き付けることにより洗浄液を供給する洗浄液供給部と、を有することを特徴とするものである。
図4に例示するように、本発明のリソグラフィ原版用洗浄装置100は、透明基板11aおよび透明基板11aの一方の表面上にパターン状に形成された遮光部11bを有するフォトマスク11を保持する保持部110と、保持部110の上方に配置され、保持部110側に超音波振動2を付与する超音波振動付与部120と、リソグラフィ原版1および超音波振動付与部120の間に伝播液層用液を供給して伝播液層3を形成する伝播液層用液供給部130と、保持部110の下方に配置され、保持部110側に洗浄液4を吹き付けることにより洗浄液4を供給する洗浄液供給部140と、を有することを特徴とする。
図4においては、保持部110が、スピンテーブル111とスピンテーブル111と一体で形成された固定冶具112とを有する例について示している。また、超音波振動供給部120が、超音波振動子121aと振動板121bとを有する超音波振動板121である例について示している。また、伝播液層用液供給部130および洗浄液供給部140がノズル131、141である例について示している。
また、図4において説明していない符号については図1等で説明した符号と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
本発明における保持部は、上述したリソグラフィ原版を保持するものである。
上記保持部としては、リソグラフィ原版を保持することが可能なものであれば特に限定されず、一般的なものを用いることが可能である。なかでも、上述した「A.リソグラフィ原版の洗浄方法」の項で説明した保持手段と同様であることが好ましい。
本発明における超音波振動付与部、伝播液層用液供給部、および洗浄液供給部については上述した「A.リソグラフィ原版の洗浄方法」の項で説明した超音波振動付与手段、伝播液供給手段、および洗浄液供給手段と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
本発明のリソグラフィ原版用洗浄装置を用いたリソグラフィ原版の洗浄方法については、上述した「A.リソグラフィ原版の洗浄方法」の項で説明した方法と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
6インチ□の合成石英基板上に、MoSiを主成分とするハーフトーン位相シフト層を厚さ70nmで有し、そのハーフトーン位相シフト層上に2層クロム遮光膜(低反射クロム/遮光クロム)が厚み50nmで設けられたブランクスを用意した。
次に電子線硬化性のレジストを厚み150nmで塗布し、描画、現像を行い所望のパターンをレジストに形成した。
次に、レジストパターンをエッチング用マスクとし、ドライエッチング装置にて、2層クロム遮光膜を塩素系ガスでエッチングし、2層クロム遮光膜パターンを形成した。さらに続けて、フッ素系のエッチングガスを用いてハーフトーン位相シフト層をエッチングし、ハーフトーン位相シフト層パターンを形成した。
次に剥膜装置にて残ったレジストパターンをプラズマアッシングにて剥膜し、2層クロム遮光膜パターンを塩素系ガスを用いたエッチングで全面剥離することで、ハーフトーン位相シフトフォトマスク(以下フォトマスク)を得た。
上記の手順により、図5におけるW1=W2=W3=55nm(設計値)のL&Sパターンを有するフォトマスクを作製した。なお、図5は、実施例で作製されたフォトマスクのL&Sパターンについて説明する図である。
また、同様の手順により、W1=W2=W3=60nm(設計値)のL&Sパターンを有するフォトマスク、およびW1=W2=W3=65nm(設計値)のL&Sパターンを有するフォトマスクを作製した。
メガソニックの照射条件としては、超音波の周波数を1MHzとし、伝播液層として、厚み1.5mmの水から構成される液体層を用い、超音波振動の付与時間は120分とした。また、洗浄液としては、アンモニア添加水素水を用いた。洗浄液の供給はノズルを用いて行った。
また、伝播液層用液および洗浄液の液温については、25℃とした。
上述した手順により、W1=W2=W3=50nm(設計値)のL&Sパターンを有するフォトマスクを作製した。
得られたフォトマスクのパターン側表面全体を以下のようにして汚染処理をした。
異物として、大きさが1nm〜5nmの範囲内の有機物を用い、これをフォトマスクのパターン側表面全体に散布することにより汚染処理をした。
洗浄においては、実施例1と同様の照射条件でメガソニックを照射した。
汚染前後の異物個数については、以下のように求めた。
基板を汚染後、光学式異物検査装置に投入し、異物個数を検査した。検査後の基板を洗浄し、再度、光学式異物検査装置に投入し、異物個数を検査した。
なお、実施例2および比較例2においてパターンにダメージを生じたものについては、表1において×を用いて示している。
1a … 基板
1b … パターン
2 … 超音波振動
3 … 伝播液層
4 … 洗浄液
100 … リソグラフィ原版用洗浄装置
110 … 保持部
120 … 超音波振動付与部
130 … 伝播液層用液供給部
140 … 洗浄液供給部
A … 異物
Claims (4)
- 基板および前記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、前記パターン側表面を下向きにして保持する保持工程、
前記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して前記リソグラフィ原版の前記パターン側とは反対側の表面に超音波振動を付与する超音波振動付与工程、および
前記超音波振動付与工程と同時に行われ、前記リソグラフィ原版の下方から前記リソグラフィ原版の前記パターン側表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程
を備える物理的洗浄工程
を有することを特徴とするリソグラフィ原版の洗浄方法。 - 前記洗浄液供給工程では、前記リソグラフィ原版の前記パターン側表面に前記洗浄液を吹き付けることにより、前記洗浄液を供給することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ原版の洗浄方法。
- 基板および前記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、前記パターン側表面を下向きにして保持する保持工程、
前記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して前記リソグラフィ原版の前記パターン側とは反対側の表面に超音波振動を付与する超音波振動付与工程、および
前記超音波振動付与工程と同時に行われ、前記リソグラフィ原版の下方から前記リソグラフィ原版の前記パターン側表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程
を備える物理的洗浄工程
を有するリソグラフィ原版の洗浄方法を行うことにより、リソグラフィ原版を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とするリソグラフィ原版の製造方法。 - 基板および前記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を保持する保持部と、
前記保持部の上方に配置され、前記保持部側に超音波振動を付与する超音波振動付与部と、
前記リソグラフィ原版および前記超音波振動付与部の間に伝播液層用液を供給して伝播液層を形成する伝播液層用液供給部と、
前記保持部の下方に配置され、前記保持部側に洗浄液を吹き付けることにより洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
を有することを特徴とするリソグラフィ原版用洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012284907A JP6123292B2 (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | リソグラフィ原版の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012284907A JP6123292B2 (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | リソグラフィ原版の洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014124603A true JP2014124603A (ja) | 2014-07-07 |
JP6123292B2 JP6123292B2 (ja) | 2017-05-10 |
Family
ID=51404578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012284907A Active JP6123292B2 (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | リソグラフィ原版の洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6123292B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000133626A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2007273806A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
JP2008288541A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-27 | Pre-Tech Co Ltd | 枚葉式洗浄装置 |
JP2011077144A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2012
- 2012-12-27 JP JP2012284907A patent/JP6123292B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000133626A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2007273806A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
JP2008288541A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-27 | Pre-Tech Co Ltd | 枚葉式洗浄装置 |
JP2011077144A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6123292B2 (ja) | 2017-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101957090B1 (ko) | Euv 마스크 세정 시스템 및 방법 | |
US20060250588A1 (en) | Immersion exposure tool cleaning system and method | |
JP4484980B2 (ja) | フォトマスクの洗浄方法、洗浄装置およびフォトマスクの洗浄液 | |
JP5736615B2 (ja) | 基板の洗浄方法 | |
KR20100119482A (ko) | 포토마스크 | |
JP2005353763A (ja) | 露光装置及びパターン形成方法 | |
KR101216797B1 (ko) | 기판 처리 방법, euv 마스크의 제조 방법 및 euv 마스크 | |
JP6123292B2 (ja) | リソグラフィ原版の洗浄方法 | |
WO2007052545A1 (ja) | 洗浄液および洗浄方法 | |
JP2018045253A (ja) | ガラス再生処理方法および再生ガラス基板とそれを用いたフォトマスクブランクスとフォトマスク | |
JP4922858B2 (ja) | パターン形成方法及び洗浄装置 | |
JP5951566B2 (ja) | モールド洗浄装置及びモールド洗浄方法 | |
KR101129023B1 (ko) | 반사형 포토마스크의 세정방법 | |
KR20120081661A (ko) | 자기조립단분자층을 이용한 포토마스크의 형성방법 | |
JP2005107340A (ja) | フォトマスク版およびその作成方法 | |
KR100591156B1 (ko) | 스핀 코터 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | |
JP2008083509A (ja) | フォトマスク曇り抑制方法 | |
TWI626516B (zh) | Manufacturing method of micron-sized imprinting mold and imprinting mold | |
JP2005241698A (ja) | ペリクル | |
JP5462140B2 (ja) | ペリクルフレームの洗浄方法 | |
JP2002169271A (ja) | レチクル洗浄方法および洗浄装置 | |
JP2011070068A (ja) | フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法 | |
KR20100027821A (ko) | 하이브리드 위상반전마스크 및 그 형성방법 | |
KR20090074566A (ko) | 포토마스크 후면 세정 방법 | |
KR20100081607A (ko) | 위상반전마스크의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151029 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170320 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6123292 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |