JP2014017393A - 液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体 - Google Patents

液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】基板表面に処理液の液膜を形成して処理を施し、液膜を除去して乾燥する液処理において、液膜と乾燥領域の境界面を制御することにより、基板表面の処理液の残渣防止及び液ちぎれ防止を図ると共に、基板表面の欠陥防止を図れるようにすること。
【解決手段】ウエハＷを回転させながら、第１の洗浄液ノズル６０からウエハの表面中心に洗浄液Ｌを供給して液膜を形成し、ウエハの中心部から周縁に向かって第１のガスノズル７０からＮ２ガスを供給してウエハ表面の液膜を除去して乾燥領域Ｄを形成し、第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない位置に設定された第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、第２の乾燥流体供給開始位置からウエハの周縁に向かって第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域の境界面にＮ２ガスを供給すると共に、第１のガスノズルと第２のガスノズルを同心円状に移動する。
【選択図】 図５

Description

この発明は、液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体に関するものである。
半導体製造工程においては、例えば半導体ウエハ等の基板を水平に保持した状態で回転させながら、基板表面に処理液を供給して液膜を形成して処理を施し、その後基板表面に乾燥流体を供給して液膜を除去して乾燥する液処理装置及び液処理方法が用いられている。
例えば、フォトリソグラフィ工程においては、基板の上にフォトレジストを塗布し、レジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、現像処理することにより回路パターンを形成する。このフォトリソグラフィ工程には、通常、塗布・現像処理装置に露光装置を接続した処理システムが用いられる。
フォトリソグラフィ工程では、基板上に現像液を液盛りし、レジストの可溶性部位を溶解させて回路パターンが形成される。その後、一般に、レジストの溶解生成物を現像液と共に基板表面から除去するために液処理が行われる。
従来、この種の液処理の手法として、水平に保持された基板を回転させながら、基板の中心から周縁に向かって移動する処理液供給ノズルから基板表面に処理液を供給して液膜を形成すると共に、処理液供給ノズルに追従して基板の中心から周縁に向かって移動する乾燥流体例えば不活性ガス等の乾燥ガス供給ノズルから基板表面に乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥する装置（方法）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、別の液処理の手法として、表面が処理液の液膜で覆われた基板を水平に保持した状態で回転させながら、基板の回転中心の上方に設けられた気体噴射手段から基板表面に環状に気体を噴射して液膜を除去して乾燥する装置（方法）が知られている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００１−５３０５１号公報（特許請求の範囲） 特開２００９−１１１２１９号公報（特許請求の範囲）
しかしながら、特許文献１に記載の技術においては、処理液供給ノズルと乾燥ガス供給ノズルを同時に基板の中心から周縁に向かって移動させるため、基板Ｗの回転に対する処理液供給ノズル６０と乾燥ガス供給ノズル７０の位置関係を模式的に示すと、図１７（ａ）のようになる。したがって、処理液供給ノズル６０と乾燥ガス供給ノズル７０が位置する領域Ａにおいては、処理液供給ノズル６０から供給される処理液Ｌの液膜と乾燥ガス供給ノズル７０から供給される乾燥ガスによって液膜が除去される乾燥領域Ｄの境界面が制御される（図１７（ｂ）参照）。しかし、処理液供給ノズル６０と乾燥ガス供給ノズル７０が位置する領域Ａより基板Ｗの中心側の領域Ｂ，Ｃにおいては、領域Ａに近い領域Ｂでは境界面の液膜に若干の崩れが生じ（図１７（ｃ）参照）、領域Ｂより離れた領域Ｃにおいては境界面の液膜が完全に崩れ、場合によっては液膜がちぎれて水滴化する（図１７（ｄ）参照）。このように、液膜の境界面が崩れると、基板面内に残渣が生じて基板Ｗに欠陥を与える。特に、微細かつ高アスペクト比の回路パターンを形成する基板Ｗの洗浄処理においては回路パターン間に処理液（洗浄液）が残り、回路パターン間の処理液（洗浄液）の表面張力が支配的な状態になると、回路パターン間の応力のバランスの影響でパターン倒れが生じる。そして、これが現像欠陥として現れる。
また、基板Ｗが疎水性を有する場合、例えば現像処理後の露光部と未露光部においては、露光部は親水性を有し、未露光部は疎水性を有する。疎水性（未露光部）においては、親水性（露光部）と同様に処理液供給ノズルの近傍では処理液の液膜と乾燥領域の境界面は維持されるが、処理液供給ノズルから離れた部分では、基板が１回転する前に乾燥するため、境界面において液膜がちぎれて水滴化し（図１７（ｄ）参照）、その液滴が基板内面側に飛散して、基板面にしみ等の汚れを来す。そして、これが現像欠陥として現れる。この現象は、特に超撥水性の保護膜を用いて露光、現像処理された後の洗浄処理においては顕著に現れる。
一方、特許文献２に記載の技術は、表面が処理液の液膜で覆われた基板を水平に保持した状態で回転させながら、基板の回転中心の上方に設けられた気体噴射手段から基板表面に環状に気体を噴射して液膜を除去して乾燥するものであるが、気体噴射手段から噴射される気体によって液膜を除去する部分に着目すると、特許文献１に記載の技術と同様であり、液膜の崩れや液ちぎれが生じる。
また、特許文献２に記載の技術は特許文献１に記載の技術と比較すると、液膜と乾燥領域の境界面の制御能力は更に小さく、仮にこの境界面の制御能力を高めようとすると、非常に大量の気体を使う必要が生じて実用的でない上、気体噴射手段が上方に移動することに気体を基板外周に移動させるため外周面に行くほど境界面の制御が困難になる。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板表面に処理液の液膜を形成して処理を施し、液膜を除去して乾燥する液処理において、液膜と乾燥領域の境界面を制御することにより、基板表面の処理液の残渣防止及び液ちぎれ防止を図ると共に、基板表面の欠陥防止を図れるようにした液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、この発明の第１の液処理装置は、基板を水平に保持する基板保持部と、上記基板保持部を回転中心軸回りに回転させる回転機構と、上記基板の表面に処理液を供給する第１の処理液供給部と、上記基板に乾燥流体を供給する第１の乾燥流体供給部と、上記基板に乾燥流体を供給する第２の乾燥流体供給部と、上記第１の乾燥流体供給部を上記基板の中心部から周縁に向けて移動する第１の移動機構と、上記第２の乾燥流体供給部を上記基板の中心部と周縁の間における上記第１の乾燥流体供給部と干渉しない位置に設定された第２の乾燥流体供給開始位置から基板の周縁に向けて移動する第２の移動機構と、上記回転機構、上記処理液供給部、上記第１及び第２の乾燥流体供給部、上記第１及び第２の移動機構の駆動を制御する制御部と、を具備し、上記制御部により、上記基板を回転させながら、上記第１の処理液供給部から基板の表面中心に処理液を供給して液膜を形成し、基板の中心部から周縁に向かって上記第１の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成し、上記第１の乾燥流体供給部が上記第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給開始位置から基板の周縁に向かって上記第２の乾燥流体供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給すると共に、上記第１の乾燥流体供給部と第２の乾燥流体供給部を同心円状に移動する、ことを特徴とする（請求項１）。
請求項１に記載の液処理装置において、上記第２の乾燥流体供給部を複数設け、これら複数の第２の乾燥流体供給部を上記第２の移動機構によって移動可能に形成するのが好ましい（請求項２）。また、上記第２の乾燥流体供給部を基板の周縁に向かって凸状円弧状に形成してもよい（請求項３）。
請求項１ないし３のいずれかに記載の液処理装置において、上記第１の処理液供給部を基板の中心から周縁に向かって移動する第３の移動機構を更に具備し、上記制御部によって上記第３の移動機構の駆動を制御するようにしてもよい（請求項４）。この場合、上記第１の乾燥流体供給部が上記第１の処理液供給部の移動方向に対して後方側に配設され、上記第１の処理液供給部の移動に追従して上記第１の乾燥流体供給部が移動するのが好ましい（請求項５）。また、上記第１の移動機構と第３の移動機構を共通の移動機構とするのが好ましい（請求項６）。
また、請求項１ないし６のいずれかに記載の液処理装置において、上記第２の乾燥流体供給部を上記基板保持部により保持された基板の周縁より外方に待機させる待機位置を具備し、上記制御部により、上記第１の乾燥流体供給部が基板の中心部から周縁に向かって移動の際には、上記第２の乾燥流体供給部は上記待機位置に位置し、上記第１の乾燥流体供給部が上記第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給部を上記第２の乾燥流体供給開始位置に移動し、その後、同心円状に移動するのが好ましい（請求項７）。
また、請求項１ないし７のいずれかに記載の液処理装置において、上記基板の周縁部における上記第２の乾燥流体供給部からの乾燥流体の供給を、上記第１の乾燥流体供給部からの供給より前に停止するのが好ましい（請求項８）。
また、この発明の第２の液処理装置は、請求項１に記載の液処理装置において、上記基板に処理液を供給する第２の処理液供給部と、上記第２の処理液供給部と上記第２の乾燥流体供給部とを上記第２の処理液供給部を先にして基板の中心と周縁の間における上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置から周縁に向けて移動する第２の移動機構と、上記第２の処理液供給部及び第２の移動機構の駆動を制御する制御部と、を更に具備し、上記制御部により、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部が上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置から基板の周縁に向かって上記第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、第２の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給し、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と上記第２の処理液供給部及び第２の乾燥流体供給部を同心円状に移動する、ことを特徴とする（請求項９）。この場合、上記第２の処理液供給部、第２の乾燥流体供給部及び第２の移動機構を複数設けるのが好ましい（請求項１０）。
また、この発明の第３の液処理装置は、基板を水平に保持する基板保持部と、上記基板保持部を回転中心軸回りに回転させる回転機構と、上記基板に処理液を供給する第１及び第２の処理液供給部と、上記基板に乾燥流体を供給する第１の乾燥流体供給部と、上記第１の処理液供給部と上記第１の乾燥流体供給部とを上記第１の処理液供給部を先にして基板の中心から周縁に向けて移動する第１の移動機構と、上記第２の処理液供給部を基板の中心と周縁の間における上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記第２の処理液供給開始位置と同心円上の位置から周縁に向けて移動する第２の移動機構と、上記回転機構、第１及び第２の処理液供給部、第１の乾燥流体供給部、第１及び第２の移動機構の駆動を制御する制御部と、を具備し、上記制御部により、上記基板を回転させながら、上記第１の処理液供給部から基板の表面中心に処理液を供給して液膜を形成すると共に、上記第１の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成し、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部が上記第２の処理液供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から基板の周縁に向かって上記第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給し、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と上記第２の処理液供給部を同心円状に移動する、ことを特徴とする（請求項１１）。この場合、上記第２の処理液供給部及び第２の移動機構を複数設けるのが好ましい（請求項１２）。
この発明の第１の液処理方法は、基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して上記基板の表面に液膜を形成する工程と、上記基板を回転させながら、上記第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない位置に設定された第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の乾燥流体供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給すると共に、上記第１の乾燥流体供給部と第２の乾燥流体供給部を同心円状に移動する工程と、を具備することを特徴とする（請求項１３）。
また、この発明の第２の液処理方法は、請求項１３に記載の液処理方法において、上記基板を回転させながら、上記第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない位置に設定された第２の処理液供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、第２の処理液供給部に追従して上記第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の乾燥流体供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給し、上記第１の乾燥流体供給部と第２の処理液供給部及び第２の乾燥流体供給部を同心円状に移動する工程と、を更に具備することを特徴とする（請求項１４）。
また、この発明の第３の液処理方法は、基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して上記基板の表面に液膜を形成する工程と、上記基板を回転させながら、上記第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない位置に設定された第２の処理液供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、上記第１の乾燥流体供給部と第２の処理液供給部を同心円状に移動する工程と、を具備することを特徴とする（請求項１５）。
請求項１３ないし１５のいずれかに記載の液処理方法において、上記第１の処理液供給部を基板の表面の中心部から周縁に向かって移動し、上記第１の処理液供給部から処理液を供給して上記基板の表面に液膜を形成すると共に、上記第１の処理液供給部に追従する第１の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成するようにしてもよい（請求項１６）。
この発明の液処理用記憶媒体は、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、上記制御プログラムは、実行時に請求項１３ないし１６のいずれかに記載の工程が実行されるように、コンピュータが液処理装置を制御するものである、ことを特徴とする（請求項１７）。
この発明の第１の液処理装置（方法）によれば、基板を水平に保持して中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して基板の表面に液膜を形成し、次いで、基板を回転させながら、第１の乾燥流体供給部から基板の表面中心部から基板の周縁に向かって乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成する。その後、基板を回転させながら、第１の乾燥流体供給部（又は第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部）が第１の乾燥流体供給部と干渉しない位置に設定された第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の乾燥流体供給部から液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給すると共に、第１の乾燥流体供給部（又は第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部）と第２の乾燥流体供給部を同心円状に移動することにより、基板表面に形成された液膜と液膜を除去して形成された乾燥領域の境界面を制御して処理液の残渣や液ちぎれを防止することができる。
この発明の第２の液処理装置（方法）によれば、基板を水平に保持して中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して基板の表面に液膜を形成し、次いで、基板を回転させながら、第１の乾燥流体供給部から基板の表面中心部から基板の周縁に向かって乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成する。その後、基板を回転させながら、第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部が第１の乾燥流体供給部と干渉しない位置に設定された第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の処理液供給部及び第２の乾燥流体供給部から液膜と乾燥領域の境界面に処理液及び乾燥流体を供給すると共に、第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と第２の処理液供給部及び第２の乾燥流体供給部を同心円状に移動することにより、基板表面に形成された液膜と液膜を除去して形成された乾燥領域の境界面を制御して処理液の残渣や液ちぎれを防止することができる。
この発明の第３の液処理装置（方法）によれば、基板を水平に保持して中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して基板の表面に液膜を形成し、次いで、基板を回転させながら、第１の乾燥流体供給部から基板の表面中心部から基板の周縁に向かって乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成する。その後、基板を回転させながら、第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部が第１の乾燥流体供給部と干渉しない位置に設定された第２の処理液供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の処理液供給部から液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と第２の処理液供給部を同心円状に移動することにより、基板表面に形成された液膜と液膜を除去して形成された乾燥領域の境界面を制御して処理液の残渣や液ちぎれを防止することができる。この第３の液処理装置（方法）は、特に基板表面に超撥水性の膜が形成された場合において液膜と乾燥領域の境界面の液ちぎれを抑制できる点で効果的である。
この発明によれば、基板表面に処理液の液膜を形成して処理を施し、液膜を除去して乾燥する液処理において、液膜と乾燥領域の境界面を制御することにより、基板表面の処理液の残渣防止及び液ちぎれの防止を図ることができると共に、基板表面の欠陥防止を図ることができる。
この発明に係る液処理装置を適用した塗布・現像処理装置に露光装置を接続した処理システムの全体を示す概略平面図である。 上記処理システムの概略斜視図である。 この発明の第１実施形態に係る液処理装置を適用した現像処理装置の概略縦断面図である。 上記第１実施形態に係る液処理装置を示す平面図である。 この発明の第１実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。 この発明の第２実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。 この発明の第３実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。 この発明の第４実施形態に係る液処理装置を適用した現像処理装置の概略縦断面図である。 上記第４実施形態に係る液処理装置を示す平面図である。 この発明の第４実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。 この発明の第５実施形態に係る液処理装置を適用した現像処理装置の概略縦断面図である。 上記第５実施形態に係る液処理装置を示す平面図である。 この発明の第５実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。 この発明の第６実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。 この発明の第７実施形態に係る液処理方法の一例の工程を示す概略平面図である。 この発明の第７実施形態に係る液処理方法の別の例の工程を示す概略平面図である。 この発明の第８実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。 第８実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略断面図である。 従来の液処理方法における基板に対する処理液供給ノズルと乾燥ガス供給ノズルの位置関係を示す概略平面図（ａ）及び（ａ）の領域Ａ，Ｂ，Ｃの概略断面図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）である。
以下、この発明の実施形態について、添付図面に基づいて説明する。ここでは、この発明に係る液処理装置を基板洗浄装置に適用し、塗布・現像処理装置に露光処理装置を接続した処理システムに適用した場合について説明する。
上記処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を複数枚例えば２５枚を密閉収納するキャリア１０を搬出入するためのキャリアステーション１と、このキャリアステーション１から取り出されたウエハＷにレジスト塗布，現像処理等を施す処理部２と、ウエハＷの表面に光を透過する液層を形成した状態でウエハＷの表面を液浸露光する露光部４と、処理部２と露光部４との間に接続されて、ウエハＷの受け渡しを行うインターフェース部３とを具備している。
キャリアステーション１は、キャリア１０を複数個並べて載置可能な載置部１１と、この載置部１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリア１０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。
また、キャリアステーション１の奥側には筐体２０にて周囲を囲まれる処理部２が接続されており、この処理部２にはキャリアステーション１から見て左手手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３を配置し、右手に液処理ユニットＵ４，Ｕ５を配置する。棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３の間に、各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２，Ａ３が棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３と交互に配列して設けられている。また、主搬送手段Ａ２，Ａ３は、キャリアステーション１から見て前後方向に配置される棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットＵ４，Ｕ５側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁２１により囲まれる空間内に配設されている。また、キャリアステーション１と処理部２との間、処理部２とインターフェース部３との間には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニット２２が配置されている。
インターフェース部３は、処理部２と露光部４との間に前後に設けられる第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂにて構成されており、それぞれに第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂが設けられている。
棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、その組み合わせはウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット（ＨＰ）、ウエハＷを冷却する冷却ユニット（ＣＰＬ）等が含まれる。また、液処理ユニットＵ４，Ｕ５は、例えば図２に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部の上に反射防止膜を塗布するボトム反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）２３、塗布ユニット（ＣＯＴ）２４、ウエハＷに現像液を供給して現像処理する現像ユニット（ＤＥＶ）２５等を複数段例えば５段に積層して構成されている。この発明に係る液処理装置である基板洗浄装置は現像ユニット（ＤＥＶ）２５に設けられている。
次に、上記の処理システムにおけるウエハＷの流れについて簡単に説明する。先ず外部からウエハＷの収納されたキャリア１０が載置台１１に載置されると、開閉部１２と共にキャリア１０の蓋体が外されて受け渡し手段Ａ１によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニットを介して主搬送手段Ａ２へと受け渡され、棚ユニットＵ１〜Ｕ３内の一つの棚にて、塗布処理の前処理として、反射防止膜の形成や冷却ユニットによる基板の温度調整などが行われる。
その後、主搬送手段Ａ２によりウエハＷは塗布ユニット（ＣＯＴ）２４内に搬入され、ウエハＷの表面にレジスト膜が成膜される。レジスト膜が成膜されたウエハＷは主搬送手段Ａ２により外部に搬出され、加熱ユニットに搬入されて所定の温度でベーク処理がなされる。ベーク処理を終えたウエハＷは、冷却ユニットにて冷却された後、棚ユニットＵ３の受け渡しユニットを経由してインターフェース部３へと搬入され、このインターフェース部３を介して露光部４内に搬入される。なお、液浸露光用の保護膜をレジスト膜の上に塗布する場合には、上記冷却ユニットにて冷却された後、処理部２における図示しないユニットにて保護膜用の薬液の塗布が行われる。その後、ウエハＷは露光部４に搬入されて液浸露光が行われる。このとき、液浸露光の前にインターフェース部３に設けられた図示しないこの発明の基板洗浄装置にて洗浄するようにしてもよい。
液浸露光を終えたウエハＷは第２のウエハ搬送部３０Ｂにより露光部４から取り出され、棚ユニットＵ６の一段をなす加熱ユニット（ＰＥＢ）に搬入される。その後、ウエハＷは第１のウエハ搬送部３０Ａによって加熱ユニット（ＰＥＢ）から搬出され、主搬送手段Ａ３に受け渡される。そしてこの主搬送手段Ａ３により現像ユニット２５内に搬入される。現像ユニット２５では、現像処理に兼用するこの発明に係る基板洗浄装置により基板の現像が行われ、更に洗浄が行われる。その後、ウエハＷは主搬送手段Ａ３により現像ユニット２５から搬出され、主搬送手段Ａ２、受け渡し手段Ａ１を経由して載置台１１上の元のキャリア１０へと戻される。
＜第１実施形態＞
この発明の基板洗浄装置を現像処理装置に組み合わせた実施の形態について図３及び図４を参照して説明する。
図３及び図４に示すように、上記基板洗浄装置１００は、ケーシング２６内に、ウエハＷの裏面中央部を吸引吸着して水平姿勢に保持する基板保持部であるスピンチャック３０を具備している。スピンチャック３０は軸部３１を介して、例えばサーボモータ等の回転機構３２と連結されており、この回転機構３２によりウエハＷを保持した状態で回転可能なように構成されている。なお、回転機構３２は、制御手段である制御コンピュータ９０の制御部９０ａに電気的に接続されており、制御コンピュータ９０からの制御信号に基づいてスピンチャック３０の回転数が制御される。また、ケーシング２６には、ウエハＷの搬入出口２７が設けられ、この搬入出口２７にはシャッタ２８が開閉可能に配設されている。
上記スピンチャック３０上のウエハＷの側方を囲むようにして上方側が開口するカップ体４０が設けられている。このカップ体４０は、円筒状の外カップ４１と、上部側が内側に傾斜した筒状の内カップ４２とからなり、外カップ４１の下端部に接続された例えばシリンダ等の昇降機構４３により外カップ４１が昇降し、更に内カップ４２は外カップ４１の下端側内周面に形成された段部に押し上げられて昇降可能なように構成されている。なお、昇降機構４３は、制御コンピュータ９０に電気的に接続されており、制御コンピュータ９０からの制御信号に基づいて外カップ４１が昇降するように構成されている。
また、スピンチャック３０の下方側には円形板４４が設けられており、この円形板４４の外側には断面が凹部状に形成された液受け部４５が全周に亘って設けられている。液受け部４５の底面にはドレイン排出口４６が形成されており、ウエハＷからこぼれ落ちるか、あるいは振り切られて液受け部４５に貯留された現像液や洗浄液は、このドレイン排出口４６を介して装置の外部に排出される。また円形板４４の外側には断面山形のリング部材４７が設けられている。なお、円形板４４を貫通する例えば３本の基板支持ピンである昇降ピン（図示せず）が設けられており、この昇降ピンと基板搬送手段（図示せず）との協働作用によりウエハＷはスピンチャック３０に受け渡しされるように構成されている。
一方、スピンチャック３０に保持されたウエハＷの上方側には、現像液ノズル５０と、ウエハ表面に処理液例えば洗浄液を供給する第１の処理液供給部である洗浄液ノズル６０と、洗浄液ノズル６０からの洗浄液の供給により形成された液膜に乾燥流体であるガス、例えばＮ２（窒素），Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスを吐出（供給）して乾燥領域Ｄを形成する第１の乾燥流体供給部である第１のガスノズル７０及び乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する溶解生成物を含む洗浄液を除去する第２の乾燥流体供給部である第２のガスノズル８０が昇降可能及び水平移動可能に設けられている。
現像液ノズル５０は、例えば、スピンチャック３０に保持されたウエハＷに、帯状に現像液を供給するスリット状の吐出口５０Ａを備えている。この吐出口５０Ａは、長手方向がウエハＷの直径方向に沿うように配置されている。現像液ノズル５０は、流量調整器５２を介設した現像液供給管５１を介して現像液供給源５３に接続されている。現像液の流量及び供給時間は、例えば流量調整バルブ等の流量調整器５２で調整される。
また、現像液ノズル５０は支持部材であるノズルアーム５５の一端側に支持されており、このノズルアーム５５の他端側は図示しない昇降機構を備えた移動基台５６と接続されている。更に、移動基台５６は、例えばケーシング２６の底面にてＸ方向に伸びるガイド部材５７に沿って、例えば、ボールねじ機構やタイミングベルト機構等からなるノズル移動機構２００により横方向に移動可能なように構成されている。また、カップ４０の一方の外側には、現像液ノズル５０の待機部５８が設けられ、この待機部５８ではノズル先端部の洗浄などが行われる。
また、スピンチャック３０の上方には、洗浄液ノズル６０が設けられ、流量調整器６２を介設した洗浄液供給管６１を介して洗浄液供給源６３に接続されている。洗浄液の流量及び供給時間は、例えば流量調整バルブ等の流量調整器６２で調整される。
洗浄液供給源６３には、例えばヒータなどの加熱機器を搭載した温度調整器（図示せず）が接続され、洗浄液を所定の温度に調整する。また、洗浄液供給管６１は、流量調整器６２を含めて、断熱部材などから構成される温度維持部材（図示せず）で囲まれており、洗浄液ノズル６０からウエハＷ上に洗浄液を供給する時まで、洗浄液は所定の温度に維持されている。
また、洗浄液ノズル６０は、図４に示すように、ノズル保持部６５を介してノズルアーム６６に固定されており、このノズルアーム６６は昇降機構を備えた移動基台６７と接続されている。この移動基台６７は、例えば、ボールねじ機構やタイミングベルト機構等からなるノズル移動機構３００により、例えばガイド部材５７Ａに沿って現像液ノズル５０と干渉しないで横方向に移動可能なように構成されている。また、カップ４０の現像液ノズル５０の待機部５８の他方の外側には、洗浄液ノズル６０の待機部６８が設けられている。
第１のガスノズル７０は、ガス流量調整器７２を介設したガス供給管７１を介してガス供給源７３に接続されている。また第１のガスノズル７０は、例えば洗浄液ノズル６０と共通のノズル保持部６５に固定されており、ノズルアーム６６により洗浄液ノズル６０と一体的に移動するように構成されている。
一方、第２のガスノズル８０は、ガス流量調整器８２を介設したガス供給管８１を介してガス供給源８３に接続されている。また第２のガスノズル８０は、ノズル保持部８５を介してノズルアーム８６に固定されており、このノズルアーム８６は昇降機構を備えた移動基台８７と接続されている。この移動基台８７は、ノズル移動機構４００により、例えば上記ガイド部材５７Ａに沿って現像ノズル５０，洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と干渉しない横方向に移動可能に構成されている。また、カップ４０の洗浄ノズル６０の待機部６８の他方の外側に、第２のガスノズル８０の待機位置８８が設けられている。
現像液ノズル５０を移動させるためのノズル移動機構２００、洗浄液ノズル６０、第１のガスノズル７０及び第２のガスノズル８０を移動させるためのノズル移動機構３００，４００、スピンチャック３０を回転させる回転機構３２及びカップ４０の昇降機構４３、現像液、洗浄液、ガスの流量を調整する流量調整器５２，６２，７２，８２は、制御部９０ａにより制御される。
制御部９０ａは制御コンピュータ９０に内蔵されており、制御コンピュータ９０は、制御部９０ａの他に、基板洗浄装置１００が行う後述の動作における各処理工程を実行するためのプログラムを格納する制御プログラム格納部９０ｂと、読取部９０ｃを内蔵している。また、制御コンピュータ９０は、制御部９０ａに接続された入力部９０ｅと、処理工程を作成するための処理工程画面を表示する表示部９０ｄと、読取部９０ｃに挿着されると共に、制御コンピュータ９０に制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体が備えられており、制御プログラムに基づいて上記各部に制御信号を出力するように構成されている。
また、制御プログラムは、ハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、メモリカードなどの記憶媒体９０ｆに格納され、これら記憶媒体９０ｆから制御コンピュータ９０にインストールされて使用される。
次に、上記のように構成される基板洗浄装置１００の動作態様について説明する。最初に、ウエハＷが基板洗浄装置１００内に搬入されていない時には、外カップ４１、内カップ４２は下降位置にあり、現像液ノズル５０、洗浄液ノズル６０、第１のガスノズル７０及び第２のガスノズル８０は所定の待機位置にて夫々待機している。上記処理システムにおいて、液浸露光された後のウエハＷが、加熱処理された後、主搬送手段Ａ３（図１参照）により基板洗浄装置１００内に搬入されると、主搬送手段Ａ３と図示しない昇降ピンとの協働作用によりウエハＷはスピンチャック３０に受け渡される。
その後、外カップ４１及び内カップ４２が上昇位置に設定されると共に、現像液ノズル５０からウエハＷ上に現像液が供給され、公知の手法により現像液の供給が行われる。この実施形態では、現像液の供給開始の際には、現像液ノズル５０はウエハＷの周縁部上方、例えばウエハＷの表面から数ｍｍ上方に配置される。ウエハＷを例えば１０００〜１２００ｒｐｍの回転速度で回転させると共に、現像液ノズル５０から現像液を帯状に吐出しながら、現像液ノズル５０をウエハＷの周縁から中央部に向かって移動させる。現像液ノズル５０から帯状に吐出された現像液は、ウエハＷの外側から内側に向かって互いに隙間のないように並べられていき、これによりウエハＷの表面全体に螺旋状に現像液が供給される。そしてウエハＷの回転による遠心力によりウエハＷの表面に沿って現像液は外側に広がり、薄膜状の液膜が形成される。こうして、現像液にレジストの溶解性部位が溶解して、不溶解性の部位が残って回路パターンが形成される。
次に、この現像液ノズル５０と入れ替わるようにして洗浄液ノズル６０がウエハＷの中心部上方に配置され、現像液ノズル５０が現像液の供給を停止した直後に速やかに洗浄液ノズル６０から洗浄液Ｌを吐出してウエハＷの表面の洗浄を行う。以下に、この洗浄工程について図５を参照して詳細に説明する。この実施形態の洗浄工程は、以下のステップにより行われる。
（ステップ１）洗浄液ノズル６０をウエハＷの中心部の上方、例えばウエハＷの表面から１５ｍｍの高さの位置に配置する。スピンチャック３０を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、洗浄液ノズル６０からウエハＷの中心部に例えば純水などの洗浄液Ｌを例えば３５０ｍＬ／分の流量で例えば５秒間吐出（供給）する。洗浄液Ｌは遠心力によりウエハＷの中心部から周縁に向かって広がり、現像液が洗浄液Ｌにより置換される。こうして、ウエハＷの表面全体に洗浄液Ｌの液膜が形成される。
（ステップ２）次に、スピンチャック３０を１５００ｒｐｍ以上、例えば２５００ｒｐｍの回転数で回転させながら、図５（ａ）に示すように、ノズルアーム６６（図４参照）を移動させることにより、洗浄液ノズル６０をウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に向かって一定の距離だけ移動させると共に、洗浄液ノズル６０に追従して第１のガスノズル７０からＮ２ガスＧを吐出（供給）しながらウエハＷの中心部から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２のＮ２ガス供給開始位置と同心円上の位置まで移動する。このように、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に向かって洗浄液ノズル６０から洗浄液Ｌを供給して洗浄液Ｌの液膜を形成すると共に、洗浄液Ｌの供給に追従して第１のガスノズル７０からＮ2ガスＧを吹き付けて、液膜を薄くして除去し、乾燥領域Ｄを形成する（図５（ａ）参照）。なお、乾燥領域Ｄとは、洗浄液Ｌが蒸発することによりウエハＷの表面が露出した領域をいい、ここではウエハＷの回路パターン間に洗浄液Ｌが残存している場合も含む。この乾燥領域Ｄのコアは、遠心力により中心部から洗浄液Ｌの供給位置まで広がっていく。
（ステップ３）上記のようにして、洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって第２のＮ２ガス供給開始位置と同心円上の位置まで移動した際、第２のガスノズル８０を待機位置８８から第２のＮ２ガス供給開始位置へ移動し、第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを吐出（供給）しながら、第２のガスノズル８０を洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図５（ｂ）参照）。この場合、洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０の移動速度Ｖと第２のガスノズル８０の移動速度Ｖを同一にして、第１のガスノズル７０と第２のガスノズル８０のＮ２ガスの吐出（供給）位置を同期させている。このようにして、第１及び第２のガスノズル７０，８０をウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を第２のガスノズル８０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去することができる（図５（ｃ）参照）。
なお、ウエハＷの周縁部において、第２のガスノズル８０からのＮ２ガスＧの吐出（供給）の停止を第１のガスノズル７０からのＮ２ガスＧの吐出（供給）の停止前に行ってもよい。このようにしても、第２のガスノズル８０からのＮ２ガスＧの吐出（供給）を停止しても、ウエハＷの周縁部の遠心力によって洗浄液Ｌの残渣を振り切って除去することができる。
以上の一連のステップ１，２，３は、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
第１実施形態によれば、微細かつ高アスペクト比の回路パターンＰが形成されたウエハＷに対して現像した後、ウエハＷを水平に保持して中心軸回りに回転させながら、洗浄液ノズル６０からウエハＷの表面の中心部に洗浄液Ｌを吐出（供給）してウエハＷの表面に液膜を形成し、次いで、ウエハＷを回転させながら、第１のガスノズル７０からウエハＷの表面中心部からウエハＷの周縁に向かってＮ２ガスＧを吐出（供給）してウエハＷ表面の液膜を除去して乾燥領域Ｄを形成する。その後、ウエハＷを回転させながら、洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０が洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２のＮ２ガス供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、第２のＮ２ガス供給開始位置から周縁に向かって移動する第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを供給すると共に、洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０と第２のガスノズル８０を同心円状に移動することにより、ウエハＷ表面に形成された液膜と液膜を除去して形成された乾燥領域Ｄの境界面を制御して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）する。第１実施形態のこの構成により、高い洗浄効果を実現して、現像欠陥を皆無に近い状態まで低減することができる。更に、第１実施形態では、第２のガスノズル８０からＮ２ガスＧを吐出（供給）して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）することによって、ウエハＷの乾燥を促進することができる。これにより、洗浄液ノズル６０の移動速度を上げることができる。こうして、効果的な洗浄をより短時間で行うことができる。
＜第２実施形態＞
第２実施形態は、第２のガスノズル８０を複数（ここでは２個の場合を示す）設けて、乾燥効率の向上及び洗浄液Ｌの残渣の除去を確実に行えるようにした場合である。この場合、２個の第２のガスノズル８０はノズルアーム８６におけるウエハＷの中心線に対して対称の２箇所に設けられており、制御部９０ａの制御により、２個の第２のガスノズル８０が、第１のガスノズル７０の移動に対応してウエハＷの同心円上に位置するように構成されている。
なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
このように構成される第２実施形態の基板洗浄装置（方法）による基板洗浄方法について、図６を参照して簡単に説明する。なお、本実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
（ステップ３ａ）洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２のＮ２ガス供給開始位置と同心円上の位置まで移動した際、２個の第２のガスノズル８０を待機位置８８から第２のＮ２ガス供給開始位置へ移動し、２個の第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを吐出（供給）しながら、２個の第２のガスノズル８０を洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図６（ｂ）参照）。このとき、洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０の移動速度Ｖに対して第２のガスノズル８０の移動速度Ｖａを遅く制御して、第１のガスノズル７０と２個の第２のガスノズル８０がウエハＷの同心円上に位置する。
このようにして、第１のガスノズル７０と２個の第２のガスノズル８０をウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を２個の第２のガスノズル８０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去することができる（図６（ｃ）参照）。したがって、２個の第２のガスノズル８０からウエハＷの表面に吐出（供給）されるＮ２ガスを液膜と乾燥領域Ｄの境界面に効率よく吹き付けることができるので、乾燥効率の向上及び乾燥時間の短縮化が図れる。
以上の一連のステップ１，２，３ａは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
＜第３実施形態＞
第３実施形態は、上記第１実施形態における第２のガスノズル８０に代えて、ウエハＷの周縁に向かって凸状円弧状のガスノズル８０Ａを用いた場合である。このようにウエハＷの周縁に向かって凸状円弧状に形成される第２のガスノズル８０Ａは、吐出孔も同様に凸状円弧状に形成されており、該第２のガスノズル８０Ａから吐出されるＮ２ガスの断面を円弧状にするように構成されている。
なお、第３実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
このように構成される第３実施形態の基板洗浄装置（方法）による基板洗浄方法について、図７を参照して簡単に説明する。なお、本実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
（ステップ３ｂ）洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２のＮ２ガス供給開始位置と同心円上の位置まで移動した際、第２のガスノズル８０Ａを待機位置８８から第２のＮ２ガス供給開始位置へ移動し、第２のガスノズル８０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを断面円弧状の状態で吐出（供給）しながら、第２のガスノズル８０を洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図７（ｂ）参照）。このようにして、第１及び第２のガスノズル７０，８０ＡをウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を第２のガスノズル８０Ａから吐出されるＮ２ガスＧによって除去することができる（図５（ｃ）参照）。したがって、第２のガスノズル８０ＡからウエハＷの表面に吐出（供給）されるＮ２ガスを液膜と乾燥領域Ｄの円弧状の境界面に効率よく吹き付けることができるので、乾燥効率の向上及び乾燥時間の短縮化が図れる。
以上の一連のステップ１，２，３ｂは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
＜第４実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第４実施形態について、図８ないし図１０Ａを参照して説明する。第４実施形態は、第１実施形態で用いられる基板洗浄装置における洗浄液ノズル６０（以下に第１の洗浄液ノズル６０という）と第１のガスノズル７０と第２のガスノズル７０に加えて、液膜と乾燥領域Ｄの境界面にウエハＷの表面に例えば純水等の洗浄液Ｌを吐出（供給）する第２の洗浄ノズル６０Ａを設けた場合である。
この場合、第２の洗浄液ノズル６０Ａは、第２のガスノズル８０と共通のノズル保持部８５に固定されており、ノズルアーム８６により第２のガスノズル８０と一体的に移動するように構成されている。
また、第２の洗浄液ノズル６０Ａは、流量調整器６２Ａを介設した洗浄液供給管６１Ａを介して洗浄液供給源６３Ａに接続されている。洗浄液の流量及び供給時間は、例えば流量調整バルブ等の流量調整器６２Aで調整される。なお、洗浄液供給源６３Ａには、例えばヒータなどの加熱機器を搭載した温度調整器（図示せず）が接続され、洗浄液を所定の温度に調整する。また、洗浄液供給管６１Ａは、流量調整器６２Ａを含めて、断熱部材などから構成される温度維持部材（図示せず）で囲まれており、第２の洗浄液ノズル６０ＡからウエハＷ上に洗浄液を供給する時まで、洗浄液は所定の温度に維持されている。
なお、第４実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
このように構成される第４実施形態の基板洗浄装置（方法）による基板洗浄方法について、図８ないし図１０を参照して簡単に説明する。なお、本実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
（ステップ３ｃ）上記のようにして、第１の洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置と同心円上の位置まで移動した際、第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を待機位置８８から第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置へ移動し、第２の洗浄液ノズル６０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面に洗浄液Ｌを第１の洗浄液ノズル６０からの吐出量（３５０ｍＬ／分）より少ない量（例えば２５０ｍＬ／分）を吐出（供給）すると共に、第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを吐出（供給）しながら、第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図１０（ｂ）参照）。
この場合、第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０の移動速度Ｖと第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０の移動速度Ｖを同一にして、第１のガスノズル７０と第２のガスノズル８０のＮ２ガスの吐出（供給）位置を同期させている。このようにして、第１及び第２の洗浄液ノズル６０，６０Ａと第１及び第２のガスノズル７０，８０をウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を第２のガスノズル８０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去することができる（図１０（ｃ）参照）。
第４実施形態によれば、微細かつ高アスペクト比の回路パターンＰが形成されたウエハＷに対して現像した後、ウエハＷを水平に保持して中心軸回りに回転させながら、第１の洗浄液ノズル６０からウエハＷの表面の中心部に洗浄液Ｌを吐出（供給）してウエハＷの表面に液膜を形成し、次いで、ウエハＷを回転させながら、第１のガスノズル７０からウエハＷの表面中心部からウエハＷの周縁に向かってＮ２ガスＧを吐出（供給）してウエハＷ表面の液膜を除去して乾燥領域Ｄを形成する。その後、ウエハＷを回転させながら、第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０が洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の洗浄液ノズル６０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面に洗浄液Ｌを吐出（供給）すると共に、第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを供給し、第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０と第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を同心円状に移動することにより、ウエハＷ表面に形成された液膜と液膜を除去して形成された乾燥領域Ｄの境界面を制御して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）する。第４実施形態のこの構成により、撥水性の保護膜を用いて露光、現像された後の疎水性を有する露光部に付着する洗浄液Ｌを第２のガスノズル８０から吐出（供給）されるＮ２ガスによって除去でき、疎水性を有する未露光部によって生じる液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液膜の液ちぎれによって不足した量を第２の洗浄液ノズル６０Ａから吐出（供給）される洗浄液Ｌによって補足して液膜と乾燥領域Ｄの境界面を制御することができる。したがって、高い洗浄効果を実現して、現像欠陥を皆無に近い状態まで低減することができる。これにより、洗浄液ノズル６０の移動速度を上げることができ、効果的な洗浄をより短時間で行うことができる。
以上の一連のステップ１，２，３ｃは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
＜第５実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第５実施形態について、図１１ないし図１３を参照して説明する。第５実施形態に係る基板洗浄装置及び方法は、ウエハＷの液処理面が多くの疎水性を有する場合に適用するものであり、第１実施形態で用いられる基板洗浄装置における第２のガスノズル７０に代えて、液膜と乾燥領域Ｄの境界面にウエハＷの表面に例えば純水等の洗浄液Ｌを吐出（供給）する第２の洗浄ノズル６０Ａを設けた場合である。すなわち、第５実施形態の基板洗浄装置は、ウエハ表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズル６０（以下に第１の洗浄液ノズル６０という）と、第１の洗浄液ノズル６０からの洗浄液の供給により形成された液膜に乾燥流体であるガス、例えばＮ２（窒素），Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスを吐出して乾燥領域Ｄを形成する第１のガスノズル７０及び液膜と乾燥領域の境界面に洗浄液を吐出（供給）して境界面の液膜の崩れや液ちぎれを補修する第２の洗浄液ノズル６０Ａを設けた場合である。
この場合、第２の洗浄液ノズル６０Ａは、図１２に示すように、ノズル保持部６５Ａを介してノズルアーム６６Ａに固定されており、このノズルアーム６６Ａは昇降機構を備えた移動基台６７Ａに接続されている。この移動基台６７Ａ、例えば、ボールねじ機構やタイミングベルト機構等からなるノズル移動機構４００により、例えばガイド部材５７Ａに沿って現像液ノズル５０と干渉しないで横方向に移動可能なように構成されている。また、カップ４０の現像液ノズル５０の待機部５８の他方の外側には、第２の洗浄液ノズル６０Ａの待機部（待機位置）６８Ａが設けられている。
また、第２の洗浄液ノズル６０Ａは、流量調整器６２Ａを介設した洗浄液供給管６１Ａを介して洗浄液供給源６３Ａに接続されている。洗浄液の流量及び供給時間は、例えば流量調整バルブ等の流量調整器６２Aで調整される。なお、洗浄液供給源６３Ａには、例えばヒータなどの加熱機器を搭載した温度調整器（図示せず）が接続され、洗浄液を所定の温度に調整する。また、洗浄液供給管６１Ａは、流量調整器６２Ａを含めて、断熱部材などから構成される温度維持部材（図示せず）で囲まれており、第２の洗浄液ノズル６０ＡからウエハＷ上に洗浄液を供給する時まで、洗浄液は所定の温度に維持されている。
なお、第５実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
このように構成される第５実施形態の基板洗浄装置（方法）による基板洗浄方法について、図１１ないし図１３Ａを参照して簡単に説明する。なお、本実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
（ステップ３ｄ）上記のようにして、第１の洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２の洗浄液供給開始位置と同心円上の位置まで移動した際、第２の洗浄液ノズル６０Ａを待機位置６８Ａから第２の洗浄液供給開始位置へ移動し、第２の洗浄液ノズル６０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面に洗浄液Ｌを第１の洗浄液ノズル６０からの吐出量（３５０ｍＬ／分）より少ない量（例えば２５０ｍＬ／分）を吐出（供給）しながら、第２の洗浄液ノズル６０Ａを第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図１３（ｂ）参照）。
この場合、第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０の移動速度Ｖと第２の洗浄液ノズル６０Ａの移動速度Ｖを同一にして、第１の洗浄液ノズル６０と第２の洗浄液ノズル６０Ａの洗浄液Ｌの吐出（供給）位置を同期させている。
このようにして、第１の洗浄液ノズル６０及び第のガスノズル７０と第２のガ洗浄液ノズル６０ＡをウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができる。なお、第１のガスノズル７０から吐出（供給）されたＮ２ガスによって除去しきれなかった洗浄液Ｌは露光部に残存するがウエハＷの回転による遠心力によって除去（排出）される（図１３（ｃ）参照）。
第５実施形態によれば、特に超撥水性のレジストを用いた微細かつ高アスペクト比の回路パターンＰが形成されたウエハＷに対して現像した後、ウエハＷを水平に保持して中心軸回りに回転させながら、第１の洗浄液ノズル６０からウエハＷの表面の中心部に洗浄液Ｌを吐出（供給）してウエハＷの表面に液膜を形成し、次いで、ウエハＷを回転させながら、第１のガスノズル７０からウエハＷの表面中心部からウエハＷの周縁に向かってＮ２ガスＧを吐出（供給）してウエハＷ表面の液膜を除去して乾燥領域Ｄを形成する。その後、ウエハＷを回転させながら、第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０が洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２の洗浄液供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、第２の洗浄液供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の洗浄液ノズル６０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面に洗浄液Ｌを吐出（供給）すると共に、第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０と第２の洗浄液ノズル６０Ａを同心円状に移動することにより、ウエハＷ表面に形成された液膜と液膜を除去して形成された乾燥領域Ｄの境界面を制御して液膜の液崩れや液ちぎれを補修して適正な液膜を形成する。第５実施形態のこの構成により、撥水性の保護膜を用いて露光、現像された後の疎水性を有する疎水性を有する未露光部によって生じる液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液膜の液ちぎれによって不足した量を第２の洗浄液ノズル６０Ａから吐出（供給）される洗浄液Ｌによって補足して液膜と乾燥領域Ｄの境界面を制御することができる。なお、第１のガスノズル７０から吐出（供給）されるＮ２ガスによって除去しきれなかった洗浄液Ｌが露光部に付着するがウエハＷの回転による遠心力によって除去できる。したがって、高い洗浄効果を実現して、現像欠陥を皆無に近い状態まで低減することができる。これにより、洗浄液ノズル６０の移動速度を上げることができ、効果的な洗浄をより短時間で行うことができる。
以上の一連のステップ１，２，３ｄは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
＜第６実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第６実施形態について、図１４を参照して説明する。第６実施形態は、第１の洗浄液ノズル６０をウエハＷの中心から周縁に移動させずに、ウエハＷの中心上方に位置する第１の洗浄液ノズル６０からウエハＷの表面に洗浄液Ｌを吐出（供給）して液膜を形成し、その後、上記実施形態と同様の手法で洗浄液Ｌを除去して乾燥させる場合である。以下に、第６実施形態に係る基板洗浄装置及び方法について、図３及び図４に示す上記第１実施形態と同様の構造の基板洗浄装置を用いた場合について説明する。
なお、第６実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
第６実施形態の洗浄工程は、以下のステップにより行われる。
（ステップ１ａ）洗浄液ノズル６０をウエハＷの中心部の上方、例えばウエハＷの表面から１５ｍｍの高さの位置に配置する。スピンチャック３０を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、洗浄液ノズル６０からウエハＷの中心部に洗浄液Ｌを例えば３５０ｍＬ／分の流量で例えば５秒間吐出（供給）する。洗浄液Ｌは遠心力によりウエハＷの中心部から周縁に向かって広がり、現像液が洗浄液Ｌにより置換される。こうして、ウエハＷの表面全体に洗浄液Ｌの液膜が形成される（図１４（ａ）参照）。
（ステップ２ａ）次に、スピンチャック３０を１５００ｒｐｍ以上、例えば２５００ｒｐｍの回転数で回転させながら、ノズルアーム６６によって第１のガスノズル７０をウエハＷの中心の上方へ移動させ、第１のガスノズル７０からウエハＷの表面にＮ２ガスを吐出（供給）させながら、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に向かって所定の位置まで移動する（図１４（ｂ）参照）。このように、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に向かって第１のガスノズル７０からＮ2ガスＧを吹き付けて、液膜を薄くして除去し、乾燥領域Ｄを形成する（図１４（ｂ）参照）。なお、乾燥領域Ｄとは、洗浄液Ｌが蒸発することによりウエハＷの表面が露出した領域をいい、ここではウエハＷの回路パターン間に洗浄液Ｌが残存している場合も含む。この乾燥領域Ｄのコアは、遠心力により中心部から洗浄液Ｌの供給位置まで広がっていく。
（ステップ３ｅ）上記のようにして、第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２のＮ２ガス供給開始位置と同心円上の位置まで移動した際、第２のガスノズル８０を待機位置８８から第２のＮ２ガス供給開始位置へ移動し、第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを吐出（供給）しながら、第２のガスノズル８０を第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図１４（ｃ）参照）。この場合、第１のガスノズル７０の移動速度Ｖと第２のガスノズル８０の移動速度Ｖを同一にして、第１のガスノズル７０と第２のガスノズル８０のＮ２ガスの吐出（供給）位置を同期させている。このようにして、第１及び第２のガスノズル７０，８０をウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を第２のガスノズル８０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去することができる（図１４（ｄ）参照）。
なお、ウエハＷの周縁部において、第２のガスノズル８０からのＮ２ガスＧの吐出（供給）の停止を第１のガスノズル７０からのＮ２ガスＧの吐出（供給）の停止前に行ってもよい。このようにしても、第２のガスノズル８０からのＮ２ガスＧの吐出（供給）を停止しても、ウエハＷの周縁部の遠心力によって洗浄液Ｌの残渣を振り切って除去することができる。
以上の一連のステップ１ａ，２ａ，３ｅは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
＜第７実施形態＞
上記実施形態では、第２のガスノズル８０又は第２のガスノズル８０及び第２の洗浄液ノズル６０Ａが、１つのノズルアーム８６によって第１の洗浄液ノズル及び第１のガスノズル７０と干渉しない洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２のＮ２ガス供給開始位置と同心円上の位置（及び又は第２の洗浄液供給開始位置と同心円上の位置）からウエハＷの周縁に移動する場合について説明したが、複数の第２のガスノズル８０又は第２のガスノズル８０及び第２の洗浄液ノズル６０Ａをそれぞれノズルアーム８６Ａ，８６Ｂによって互いに干渉しない方向に移動させるようにしてもよい。
例えば、図１５Ａに示すように、２組の第２のガスノズル８０と第２の洗浄液ノズル６０Ａを第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０に対して水平の１２０度の位置に配置する。
このように構成される基板洗浄装置（方法）による基板洗浄方法について、図１５Ａを参照して簡単に説明する。なお、本実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
（ステップ３ｆ）洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置と同心円上の位置まで移動した際、２組の第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０のそれぞれを待機位置８８から第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置（具体的には、第１の洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０に対して水平の１２０度の位置）へ移動し、第２の洗浄液ノズル６０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面に洗浄液Ｌを吐出（供給）すると共に、第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを吐出（供給）し、第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図１５Ａ（ｂ）参照）。このようにして、第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０と２組のを第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を互いに１２０度の間隔をおいてウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を２組の第２のガスノズル８０から吐出されるＮ２ガスによって除去することができる（図１５Ａ（ｃ）参照）。したがって、２個の第２のガスノズル８０からウエハＷの表面に吐出（供給）されるＮ２ガスを液膜と乾燥領域Ｄの境界面に効率よく吹き付けることができるので、乾燥効率の向上及び乾燥時間の短縮化が図れる。
また、上記実施形態に代えて、３組の第２のガスノズル８０と第２の洗浄液ノズル６０Ａを第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０に対して水平の９０度の位置に配置し、３組の第２のガスノズル８０又は第２のガスノズル８０及び第２の洗浄液ノズル６０Ａをそれぞれノズルアーム８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃによって互いに干渉しない方向に移動させるようにしてもよい。
例えば、図１５Ｂに示すように、３組の第２のガスノズル８０と第２の洗浄液ノズル６０Ａを第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０に対して水平の９０度の位置に配置する。
このように構成される基板洗浄装置（方法）による基板洗浄方法について、図１５Ｂを参照して簡単に説明する。なお、本実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
（ステップ３ｇ）第１の洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置と同心円上の位置まで移動した際、３組の第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０のそれぞれを待機位置８８から第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置（具体的には、第１の洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０に対して水平の９０度と１８０度の位置）へ移動し、第２の洗浄液ノズル６０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面に洗浄液Ｌを吐出（供給）すると共に、第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスを吐出（供給）し、第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図１５Ｂ（ｂ）参照）。このようにして、第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０と３組の第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を互いに９０度の間隔をおいてウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を３組の第２のガスノズル８０から吐出されるＮ２ガスによって除去することができる（図１５Ｂ（ｃ）参照）。したがって、２個の第２のガスノズル８０からウエハＷの表面に吐出（供給）されるＮ２ガスを液膜と乾燥領域Ｄの境界面に効率よく吹き付けることができるので、乾燥効率の向上及び乾燥時間の短縮化が図れる。
以上の一連のステップ１，２，３ｆ、１，２，３ｇは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
＜第８実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第８実施形態について、図１６及び図１６Ａを参照して説明する。図１６Ａに示すように、第８実施形態では第２の乾燥流体供給ノズルは、ウエハＷの表面に高揮発性の有機溶剤例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を吐出する有機溶剤吐出ノズル８０Ｇ（以下に、ＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇという）にて形成されている。この場合、ＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇは、流量調整器８０ｊを介設したＩＰＡ供給管８０ｋを介してＩＰＡ供給源８０ｌに接続されている。なお、第８実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
このように構成される第８実施形態によれば、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁にＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇを移動することで、ＩＰＡ吐出ノズル８０ＧからＩＰＡを吐出して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液ＬをＩＰＡに置換してより早く乾燥除去することができる。
このように構成される第８実施形態に係る基板洗浄方法について、図１６及び図１６Ａを参照して簡単に説明する。なお、第８実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
（ステップ３ｈ）図１６（ａ）に示すように、第１の洗浄液ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に向かって移動して、ウエハＷの表面全域に乾燥領域Ｄを形成し、第１の洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しない位置に設定された第２の乾燥流体（ＩＰＡ）供給開始位置と同心円上の位置まで移動した際、ウエハＷを回転したまま、待機位置８８に位置するＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇを待機位置８８から第２の乾燥流体（ＩＰＡ）供給開始位置へ移動し、ＩＰＡ吐出ノズル８０ＧからＩＰＡを吐出（供給）し、ＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇを第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図１６（ｂ）参照）。これにより、乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液ＬをＩＰＡに置換して乾燥除去する（図１６（ｂ）、図１６Ａ参照）。更に、ＩＰＡ吐出ノズル８０ＧはウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを確実に除去（排出）する（図１６（ｃ）参照）。
（ステップ４）ＩＰＡ吐出ノズル８０ＧがウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）した後、ウエハＷの回転数を例えば２０００ｒｐｍに設定したまま、ウエハＷ上のミクロレベルの液滴を遠心力により振り切って乾燥を行う。同時に、第１の洗浄液ノズル６０、第１のガスノズル７０及びＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇは待機位置に戻される。
以上の一連のステップ１，２，３ｈ，４は、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
＜その他の実施形態＞
以上、いくつかの実施形態を参照しながらこの発明を説明したが、この発明は上記の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に含まれる事項の範囲で種々の変形が可能である。
例えば、第１ないし第３実施形態では、第２のガスノズル８０，８０Ａが１つのノズルアーム８６によってウエハＷの所定の位置から周縁に向かって移動する場合について説明したが、第７実施形態と同様に複数（複数組）の第２のガスノズル８０，８０Ａをそれぞれ複数のノズルアームによってウエハＷの中心から放射方向へ移動させるようにしてもよい。
また、上記実施形態において、第１の洗浄液ノズル６０と第１のガスノズル７０は、共通のノズルアーム６６に一体的に固定されていたが、それぞれ個別のノズルアームに固定するようにしてもよい。この場合、第１のガスノズル７０は、Ｎ2ガスを吐出する時にだけウエハＷの表面上方に配置されるため、洗浄液Ｌのミスト等が第１のガスノズル７０に付着して結露が発生するのを防止することができる。
また、上記実施形態では、この発明に係る液処理装置（方法）を基板洗浄装置に適用した場合について説明したが、この発明は、基板洗浄装置以外にウエハ等の基板の表面に処理液供給部から処理液を供給して処理液の液膜を形成し、乾燥流体供給部から基板の表面に乾燥流体を供給して液膜を除去して乾燥領域を形成して乾燥処理する液処理装置にも適用できる。
また、この発明は、シリコンウエハだけでなく、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板に対しても適用することができる。
５０ 現像液ノズル
６０ 第１の洗浄液ノズル（第１の処理液供給部）
６０Ａ 第２の洗浄液ノズル（第２の処理液供給部）
６３，６３Ａ 洗浄液供給源
６５，６５Ａ，８５ ノズル保持部
６６，６６Ａ，８６ ノズルアーム
６８A,８８ 待機位置
７０ 第１のガスノズル（第１の乾燥流体供給部）
７３ Ｎ2ガス供給源
８０ 第２のガスノズル（第２の乾燥流体供給部）
８０Ｇ ＩＰＡ吐出ノズル
９０ 制御コンピュータ（制御手段）
１００ 基板洗浄装置
３００ 第１の洗浄液ノズル・ガスノズル移動機構
４００ 第２の洗浄液ノズル・ガスノズル移動機構

Claims (17)

  1. 基板を水平に保持する基板保持部と、
    上記基板保持部を回転中心軸回りに回転させる回転機構と、
    上記基板の表面に処理液を供給する第１の処理液供給部と、
    上記基板に乾燥流体を供給する第１の乾燥流体供給部と、
    上記基板に乾燥流体を供給する第２の乾燥流体供給部と、
    上記第１の乾燥流体供給部を上記基板の中心部から周縁に向けて移動する第１の移動機構と、
    上記第２の乾燥流体供給部を上記基板の中心部と周縁の間における上記第１の乾燥流体供給部と干渉しない位置に設定された第２の乾燥流体供給開始位置から基板の周縁に向けて移動する第２の移動機構と、
    上記回転機構、上記処理液供給部、上記第１及び第２の乾燥流体供給部、上記第１及び第２の移動機構の駆動を制御する制御部と、を具備し、
    上記制御部により、上記基板を回転させながら、上記第１の処理液供給部から基板の表面中心に処理液を供給して液膜を形成し、基板の中心部から周縁に向かって上記第１の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成し、上記第１の乾燥流体供給部が上記第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給開始位置から基板の周縁に向かって上記第２の乾燥流体供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給すると共に、上記第１の乾燥流体供給部と第２の乾燥流体供給部を同心円状に移動する、ことを特徴とする液処理装置。
  2. 請求項１に記載の液処理装置において、
    上記第２の乾燥流体供給部が複数設けられ、これら複数の第２の乾燥流体供給部が上記第２の移動機構によって移動可能に形成されている、ことを特徴とする液処理装置。
  3. 請求項１に記載の液処理装置において、
    上記第２の乾燥流体供給部が基板の周縁に向かって凸状円弧状に形成されている、ことを特徴とする液処理装置。
  4. 請求項１ないし３のいずれかに記載の液処理装置において、
    上記第１の処理液供給部を基板の中心から周縁に向かって移動する第３の移動機構を更に具備し、上記制御部によって上記第３の移動機構の駆動を制御する、ことを特徴とする液処理装置。
  5. 請求項４に記載の液処理装置において、
    上記第１の乾燥流体供給部が上記第１の処理液供給部の移動方向に対して後方側に配設され、上記第１の処理液供給部の移動に追従して上記第１の乾燥流体供給部が移動する、ことを特徴とする液処理装置。
  6. 請求項４又は５に記載の液処理装置において、
    上記第１の移動機構と第３の移動機構が共通の移動機構である、ことを特徴とする液処理装置。
  7. 請求項１ないし６のいずれかに記載の液処理装置において、
    上記第２の乾燥流体供給部を上記基板保持部により保持された基板の周縁より外方に待機させる待機位置を具備し、上記制御部により、上記第１の乾燥流体供給部が基板の中心部から周縁に向かって移動の際には、上記第２の乾燥流体供給部は上記待機位置に位置し、上記第１の乾燥流体供給部が上記第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給部を上記第２の乾燥流体供給開始位置に移動し、その後、同心円状に移動する、ことを特徴とする液処理装置。
  8. 請求項１ないし７のいずれかに記載の液処理装置において、
    上記基板の周縁部における上記第２の乾燥流体供給部からの乾燥流体の供給が上記第１の乾燥流体供給部からの供給より前に停止される、ことを特徴とする液処理装置。
  9. 請求項１に記載の液処理装置において、
    上記基板に処理液を供給する第２の処理液供給部と、
    上記第２の処理液供給部と上記第２の乾燥流体供給部とを上記第２の処理液供給部を先にして基板の中心と周縁の間における上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置から周縁に向けて移動する第２の移動機構と、
    上記第２の処理液供給部及び第２の移動機構の駆動を制御する制御部と、を更に具備し、
    上記制御部により、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部が上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置から基板の周縁に向かって上記第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、第２の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給し、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と上記第２の処理液供給部及び第２の乾燥流体供給部を同心円状に移動する、ことを特徴とする液処理装置。
  10. 請求項９に記載の液処理装置において、
    上記第２の処理液供給部、第２の乾燥流体供給部及び第２の移動機構が複数設けられていることを特徴とする液処理装置。
  11. 基板を水平に保持する基板保持部と、
    上記基板保持部を回転中心軸回りに回転させる回転機構と、
    上記基板に処理液を供給する第１及び第２の処理液供給部と、
    上記基板に乾燥流体を供給する第１の乾燥流体供給部と、
    上記第１の処理液供給部と上記第１の乾燥流体供給部とを上記第１の処理液供給部を先にして基板の中心から周縁に向けて移動する第１の移動機構と、
    上記第２の処理液供給部を基板の中心と周縁の間における上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記第２の処理液供給開始位置と同心円上の位置から周縁に向けて移動する第２の移動機構と、
    上記回転機構、第１及び第２の処理液供給部、第１の乾燥流体供給部、第１及び第２の移動機構の駆動を制御する制御部と、を具備し、
    上記制御部により、上記基板を回転させながら、上記第１の処理液供給部から基板の表面中心に処理液を供給して液膜を形成すると共に、上記第１の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成し、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部が上記第２の処理液供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から基板の周縁に向かって上記第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給し、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と上記第２の処理液供給部を同心円状に移動する、ことを特徴とする液処理装置。
  12. 請求項１１に記載の液処理装置において、
    上記第２の処理液供給部及び第２の移動機構が複数設けられていることを特徴とする液処理装置。
  13. 基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して上記基板の表面に液膜を形成する工程と、
    上記基板を回転させながら、第１の乾燥流体供給部から上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かって乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成する工程と、
    上記基板を回転させながら、上記第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない位置に設定された第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の乾燥流体供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給すると共に、上記第１の乾燥流体供給部と第２の乾燥流体供給部を同心円状に移動する工程と、
    を具備することを特徴とする液処理方法。
  14. 請求項１３に記載の液処理方法において、
    上記基板を回転させながら、上記第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない位置に設定された第２の処理液供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、第２の処理液供給部に追従して上記第２の乾燥流体供給開始位置と同心円上の位置から周縁に向かって移動する第２の乾燥流体供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給し、上記第１の乾燥流体供給部と第２の処理液供給部及び第２の乾燥流体供給部を同心円状に移動する工程と、
    を更に具備することを特徴とする液処理方法。
  15. 基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して上記基板の表面に液膜を形成する工程と、
    上記基板を回転させながら、第１の乾燥流体供給部から上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かって乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成する工程と、
    上記基板を回転させながら、上記第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない位置に設定された第２の処理液供給開始位置と同心円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、上記第１の乾燥流体供給部と第２の処理液供給部を同心円状に移動する工程と、
    を具備することを特徴とする液処理方法。
  16. 請求項１３ないし１５のいずれかに記載の液処理方法において、
    上記第１の処理液供給部を基板の表面の中心部から周縁に向かって移動し、上記第１の処理液供給部から処理液を供給して上記基板の表面に液膜を形成すると共に、上記第１の処理液供給部に追従する第１の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成する、ことを特徴とする液処理方法。
  17. コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
    上記制御プログラムは、実行時に請求項１３ないし１６のいずれかに記載の工程が実行されるように、コンピュータが液処理装置を制御するものである、ことを特徴とする液処理用記憶媒体。
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