CN108630567A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置包括：压力控制单元，通过根据压力传感器的检测值使作为压力控制阀的一例的释放阀变更个别配管内的处理液的压力，而使连接位置上的处理液的压力维持在压力设定值；以及控制装置，通过于未处理的基板在基板处理装置内的处理期间的至少一部分内，将压力设定值设定为处理用设定值，于未处理的基板没有在基板处理装置内的待机期间的至少一部分内，将压力设定值设定为小于处理用设定值的待机用设定值，而使待机期间内在循环配管内流动的处理液的流量与处理期间内在循环配管内流动的处理液的流量相一致或相近。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。在作为处理对象的基板中，例如，包含半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、场发射显示器(Field Emission Display，FED)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中，会使用对半导体晶片或液晶显示装置用玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。在日本特开2015-141980号公报中，揭示了一种对基板一片片地进行处理的单片式基板处理装置。
日本特开2015-141980号公报中所述的基板处理装置包括贮存要被供给至基板的处理液的处理液槽(tank)、使处理液槽内的处理液循环的循环路径、将处理液槽内的处理液输送至循环路径的循环泵、以及对在循环路径内流动的处理液进行加热的加热器。所述基板处理装置进而包括对从循环路径向多个处理单元的处理液的供给进行控制的多个喷出阀、以及在多个处理单元的下游配置在循环路径上的释放阀(relief valve)。
在日本特开2015-141980号公报中，是将作为压力控制阀之一的释放阀在多个处理单元的下游配置在循环路径上。当释放阀的设定释放压力不变时，在所有喷出阀被关闭的待机期间内在循环路径内流动的处理液的流量少于任一喷出阀被打开的基板的处理期间内的流量。
在循环路径内流动的处理液的温度会受到循环路径的周围的温度的影响而发生变动。影响的程度取决于在循环路径内流动的处理液的流量。即，当处理液的流量多时，处理液几乎不受其周围的温度的影响，而当处理液的流量少时，处理液则会受到周围的温度的影响，温度产生大幅变动。因此，当如日本特开2015-141980号公报，循环液的流量根据喷出阀的开闭状态而发生大幅变动时，存在循环液的温度也会据此产生大幅变动的问题。
并且，在循环路径内流动的处理液的温度也取决于待机期间的长度。从基板的处理期间转移至待机期间后不久，处理液的温度几乎不变。然而，随着待机期间变长，处理液的温度会与基板处理期间内的处理液的温度逐渐背离。因此，如果在长时间的待机期间之后执行对基板的处理液的供给，则会将与预期的温度大不相同的温度的处理液供给至基板。
当如上所述，将与所预期的温度不同的温度的处理液供给至基板时，会对蚀刻量或图案倒塌率等基板处理的质量造成不良影响。并且，还存在如下问题：当对在相同的处理条件下应处理的多块基板供给温度不同的处理液时，在多块基板间会产生质量偏差。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种即使喷出阀的开闭状态发生变化，在循环路径内流动的处理液的温度也不会大幅变动，从而可以向基板供给稳定的温度的处理液的基板处理装置及基板处理方法。
本发明的另一目的在于提供一种能够降低被供给至多块基板的处理液的温度的偏差，从而可以降低多块基板间的质量的偏差的基板处理装置及基板处理方法。
本发明的实施方式提供一种基板处理装置，包括：槽，贮存处理液；基板保持机构，水平地保持基板；喷嘴，朝向保持于所述基板保持机构上的基板喷出从所述槽供给的处理液；循环配管，使所述槽内的处理液循环；送液装置，将所述槽内的处理液输送至所述循环配管；温度调节器，通过加热及冷却中的至少一者而变更由所述送液装置输送至所述循环配管的所述处理液的温度；供给配管，从所述循环配管将处理液引导至所述喷嘴；喷出阀，插装于所述供给配管，在喷出执行状态与喷出停止状态之间进行切换，所述喷出执行状态是执行从所述供给配管向所述喷嘴供给处理液的状态，所述喷出停止状态是停止从所述供给配管向所述喷嘴供给处理液的状态；压力控制单元，包括检测所述循环配管及供给配管相互连接着的连接位置上的处理液的压力的压力传感器、以及在所述连接位置的下游的插装位置上插装于所述循环配管的压力控制阀，通过使所述压力控制阀根据所述压力传感器的检测值变更所述循环配管内的处理液的压力，而使所述连接位置上的处理液的压力维持在压力设定值；以及控制装置，通过于未处理的基板在所述基板处理装置内的处理期间的至少一部分内，将所述压力设定值设定为处理用设定值，于所述未处理的基板没有在所述基板处理装置内的待机期间的至少一部分内，将所述压力设定值设定为小于所述处理用设定值的待机用设定值，而使所述待机期间内在所述循环配管内流动的处理液的流量与所述处理期间内在所述循环配管内流动的处理液的流量相一致或相近。
根据所述构成，槽内的处理液通过送液装置而输送至循环配管，并从循环配管返回至槽内。槽内的处理液的温度通过温度调节器而调节成高于或低于室温的温度。当喷出阀变为喷出执行状态时，利用供给配管将在循环配管内流动的处理液的一部分引导至喷嘴，并从喷嘴向基板喷出。当喷出阀变为喷出停止状态时，停止从供给配管向喷嘴供给处理液，并且停止从喷嘴喷出处理液。
压力控制阀是在循环配管及供给配管相互连接着的连接位置的下游的插装位置上插装于循环配管。压力控制阀的一次侧压力，即，从循环配管中的送液装置到插装位置为止的部分的液压是通过压力控制阀而维持在压力设定值。在压力控制阀的一次侧流动的处理液的流量不但根据喷出阀的开度，而且根据压力控制阀的开度而发生变化。
当基板处理装置内有未处理的基板，即，有未经基板处理装置处理的基板时，控制装置将表示循环配管及供给配管相互连接着的连接位置上的处理液的压力的设定值的压力设定值设定为处理用设定值。当基板处理装置内没有未处理的基板时，控制装置将压力设定值设定为待机用设定值。待机用设定值小于处理用设定值。因此，当基板处理装置内没有未处理的基板时，压力控制阀内的压力损耗减少，在循环配管内流动的处理液的流量增加。
待机用设定值是以整个待机期间内在循环配管内流动的处理液的流量与整个处理期间内在循环配管内流动的处理液的流量相一致或相近的方式来设定。因此，两个期间内的流量的差减少至零或接近于零的值为止。因此，即使待机期间变长，在循环路径内流动的处理液的温度也几乎不变。由此，即使在长时间的待机期间结束后，也可以将稳定的温度的处理液供给至多块基板，从而可以降低多块基板间的质量的偏差。
再者，处理是指将槽内的处理液经由循环路径供给至基板，然后使所述基板干燥。待机期间是基板处理装置内没有未处理的基板的期间。基板处理装置内只有处理完毕的基板的期间不属于待机期间。
控制装置既可以在整个处理期间内将压力设定值设定为处理用设定值，也可以只在一部分处理期间内将压力设定值设定为处理用设定值。同样地，控制装置既可以在整个待机期间内将压力设定值设定为待机用设定值，也可以只在一部分待机期间内将压力设定值设定为待机用设定值。
整个处理期间内在循环配管内流动的处理液的流量是根据喷嘴是否正在喷出处理液，即，根据喷出阀的开闭状态而发生变化。整个处理期间内在循环配管内流动的处理液的流量既可以是整个处理期间内在循环配管内流动的处理液的流量的平均值(平均流量)，也可以是整个处理期间内在循环配管内流动的处理液的流量的最大值(最大流量)。
压力控制阀既可以是开度根据一次侧压力而自动变化的释放阀，也可以是通过电动致动器而使开度变更的电动阀。
释放阀是当释放阀的一次侧压力上升至设定释放压力为止时使一次侧压力下降至小于设定释放压力为止的阀。设定释放压力是根据施加至释放阀的操作空气压力而发生变化。当压力控制阀为释放阀时，压力控制单元进而包含对施加至释放阀的操作空气压力进行变更的电动气动调节器(electro-pneumatic regulator)。控制装置通过根据压力传感器所检测到的处理液的压力与压力设定值的差，使电动气动调节器变更操作空气压力，而使连接位置上的处理液的压力维持在压力设定值。
当压力控制阀为电动阀时，不需要电动气动调节器。电动阀包括：阀主体(valvebody)，包括环绕处理液所流动的内部流路的环状的阀座；阀体，配置在所述内部流路上，能够相对于所述阀座而移动；以及电动致动器，使所述阀体在三个以上的多个位置上静止。电动阀的开度，即，阀体相对于阀座的位置是通过电动致动器来变更。控制装置通过根据压力传感器所检测到的处理液的压力与压力设定值的差，使电动致动器变更电动阀的开度，而使连接位置上的处理液的压力维持在压力设定值。
在所述实施方式中，也可以将以下特征中的至少一者添加至所述基板处理装置。
所述基板处理装置进而包括：第二喷嘴，喷出从所述槽供给的处理液；第二供给配管，在所述连接位置与所述插装位置之间的第二连接位置上与所述循环配管连接，并从所述循环配管将处理液引导至所述第二喷嘴；以及第二喷出阀，插装于所述第二供给配管，在喷出执行状态与喷出停止状态之间进行切换，所述喷出执行状态是执行从所述第二供给配管向所述第二喷嘴供给处理液的状态，所述喷出停止状态是停止从所述第二供给配管向所述第二喷嘴供给处理液的状态。
根据所述构成，将在循环配管内流动的处理液经由供给配管供给至喷嘴，并经由第二供给配管供给至第二喷嘴。喷嘴及第二喷嘴两者正在喷出处理液时在循环配管内流动的处理液的流量，多于只有喷嘴及第二喷嘴中的一者正在喷出处理液时的所述流量。在所述构成中，整个处理期间内在循环配管内流动的处理液的流量的最大值(最大循环流量)增加，所以如果压力设定值为固定，则在处理期间与待机期间之间的处理液的流量的差会扩大。因此，通过在待机期间内使压力设定值减少至待机用设定值为止，可以有效减少两个期间内的流量的差。
所述第二喷嘴既可以朝向保持于所述基板保持机构上的基板喷出从所述槽供给的处理液，也可以朝向水平地保持于与所述基板保持机构不同的第二基板保持机构上的基板喷出从所述槽供给的处理液。即，从所述喷嘴及第二喷嘴喷出的处理液既可以供给至相同的基板，也可以供给至分别不同的基板。
所述基板保持机构设置有多个，所述喷嘴是以与多个所述基板保持机构一一对应的方式而设置有多个，所述循环配管包含对通过所述送液装置而从所述槽输送的处理液进行引导的上游配管、以及从所述上游配管分支的多个个别配管，所述供给配管是以与多个所述个别配管一一对应的方式而设置有多个，并从所述个别配管延伸至所述喷嘴，所述喷出阀是以与多个所述供给配管一一对应的方式而设置有多个，所述压力传感器是以与多个所述供给配管一一对应的方式而设置有多个，所述压力控制阀是以与多个所述供给配管一一对应的方式而设置有多个，并且在所述个别配管及供给配管相互连接着的所述连接位置的下游的所述插装位置上插装于所述个别配管，所述控制装置通过在所述处理期间的至少一部分内，将多个所述个别配管中的至少一者的所述压力设定值设定为所述处理用设定值，在所述待机期间的至少一部分内，将多个所述个别配管中的至少一者的所述压力设定值设定为所述待机用设定值，而使所述待机期间内在所述个别配管内流动的处理液的流量与所述处理期间内在所述个别配管内流动的处理液的流量相一致或相近。
根据所述构成，可以使整个待机期间内在个别配管内流动的处理液的流量与整个处理期间内在个别配管内流动的处理液的流量相一致或相近。由此，能够使整个待机期间内在个别配管内流动的处理液的温度与整个处理期间内在个别配管内流动的处理液的温度大致相同。
处理液从槽流通到喷嘴为止的流路的长度通常针对每个喷嘴而不同。这意味着压力损耗在每个流路中各不相同。在此情况下，即使以相同的供给压力将处理液输送至多个流路，处理液的流量也在每个流路中各不相同。当想要减少多个流路间的流量的差时，必须针对每个流路设定处理液的供给压力。然而，这意味着供给压力的设定变得复杂。
如果在多个个别配管间容许某种程度的流量的差，那么所述控制装置也可以在至少一部分所述处理期间内，将所有所述个别配管内的所述压力设定值设定为所述处理用设定值。同样地，如果在多个个别配管间容许某种程度的流量的差，那么所述控制装置也可以在至少一部分所述待机期间内，将所有所述个别配管内的所述压力设定值设定为所述待机用设定值。在这些情况下，可以简化压力设定值的设定。
或者，如果想要在多个个别配管间减少流量的差，那么所述控制装置也可以将多个所述个别配管内的所述压力设定值设定为针对每个所述个别配管分别确定的多个所述处理用设定值。同样地，如果想要在多个个别配管间减少流量的差，那么所述控制装置也可以将多个所述个别配管内的所述压力设定值设定为针对每个所述个别配管分别确定的多个所述待机用设定值。
所述基板处理装置进而包括装载埠，所述装载埠包括放置收容有所述未处理的基板的载体的载体载置台、以及检测所述载体载置台上是否有所述载体的载体检测传感器，所述控制装置在将收容有所述未处理的基板的所述载体载置在所述载体载置台上之后，将所述压力设定值从所述待机用设定值变更为所述处理用设定值。
根据所述构成，将收容有未处理的基板的载体放置在装载埠的载体载置台上。由此，将未处理的基板配置在基板处理装置内。控制装置在确认到已将载体放置在载体载置台上的同时或其后，使压力设定值从待机用设定值增加至处理用设定值。由此，使压力控制阀的一次侧压力提高至适合于处理液的喷出的压力。
如果在所述基板处理装置内所存在的所有基板的处理完成后预定的待机时间经过之前，没有将另外的未处理的基板搬入至所述基板处理装置，则所述控制装置将所述压力设定值从所述处理用设定值变更为所述待机用设定值。
根据所述构成，控制装置在对基板处理装置内所存在的所有基板进行处理之后，监视是否已将另外的未处理的基板搬入至基板处理装置。然后，如果到预定的待机时间经过之前没有搬入另外的未处理的基板，则控制装置将压力设定值从处理用设定值变更为待机用设定值。因此，即使在对所有基板进行处理后不久，搬入了另外的未处理的基板，也可以不用频繁地变更压力设定值。
所述控制装置包含与所述基板处理装置以外的外部装置进行通信的通信装置，当从所述外部装置向所述通信装置输入如下的预告信息之后，将所述压力设定值从所述待机用设定值变更为所述处理用设定值，所述预告信息是预告将所述未处理的基板搬入至所述基板处理装置的信息。
根据所述构成，将主计算机(host computer)等基板处理装置以外的外部装置与控制装置的通信装置连接。当预告将未处理的基板搬入至基板处理装置的预告信息通过有线通信或无线通信而从外部装置输入至通信装置时，控制装置在与此同时或其后，使压力设定值从待机用设定值增加至处理用设定值。由此，将压力控制阀的一次侧压力提高至适合于处理液的喷出的压力。
所述基板处理装置进而包括检测在所述循环配管内流动的处理液的流量的流量计。
根据所述构成，在处理期间及待机期间内利用流量计检测在循环配管内流动的处理液的流量。由此，可以监视处理液的流量是否稳定，并且可以监视处理液的温度是否稳定。
所述基板处理装置进而包括检测在所述循环配管内流动的处理液的温度的温度传感器。
根据所述构成，在处理期间及待机期间内利用温度传感器检测在循环配管内流动的处理液的温度。由此，可以监视处理液的温度是否稳定。
本发明的另一实施方式提供一种基板处理方法，包括如下工序：在槽内贮存处理液；利用基板保持机构水平地保持基板；使喷嘴朝向保持于所述基板保持机构上的基板喷出从所述槽供给的处理液；在循环配管内使所述槽内的处理液循环；使送液装置将所述槽内的处理液输送至所述循环配管；使进行加热及冷却中的至少一者的温度调节器变更通过所述送液装置而输送至所述循环配管的所述处理液的温度；使供给配管将处理液从所述循环配管引导至所述喷嘴；使插装于所述供给配管的喷出阀在喷出执行状态与喷出停止状态之间进行切换，所述喷出执行状态是执行从所述供给配管向所述喷嘴供给处理液的状态，所述喷出停止状态是停止从所述供给配管向所述喷嘴供给处理液的状态；利用压力传感器对所述循环配管及供给配管相互连接着的连接位置上的处理液的压力进行检测；通过使在所述连接位置的下游的插装位置上插装于所述循环配管的压力控制阀，根据所述压力传感器的检测值变更所述循环配管内的处理液的压力，而使所述连接位置上的处理液的压力维持在压力设定值；于未处理的基板在基板处理装置内的处理期间的至少一部分内，将所述压力设定值设定为处理用设定值；通过于所述未处理的基板没有在所述基板处理装置内的待机期间的至少一部分内，将所述压力设定值设定为小于所述处理用设定值的待机用设定值，而使整个所述待机期间内在所述循环配管内流动的处理液的流量与整个所述处理期间内在所述循环配管内流动的处理液的流量相一致或相近。根据所述构成，可以获得与以上所述的效果同样的效果。
本发明的以上所述的目的或进而其它目的、特征及效果是通过以下参照附图而描述的实施方式的说明来阐明。
附图说明
图1是从上方观察本发明的一个实施方式的基板处理装置的示意图。
图2是水平地观察基板处理装置中所含的处理单元的内部的示意图。
图3是表示基板处理装置的电气构成的框图。
图4是用于说明通过基板处理装置而进行的基板的处理的一例的工序图。
图5是表示基板处理装置的药液供给系统的示意图。
图6是用于说明表示循环配管及供给配管相互连接着的连接位置上的处理液的压力的设定值的压力设定值的变更顺序的一例的工序图。
图7是表示与相同的塔相对应的三个喷出阀的状态的随时间的变化、在个别配管内流动的处理液的流量的随时间的变化、及压力设定值的随时间的变化的一例的时序图。
图8是表示循环配管内的各位置上的药液的温度的概况的曲线图。
[符号的说明]
1：基板处理装置
1a：外壁
2：处理单元
3：控制装置
4：流体箱
5：柜体(药液柜体)
6：腔室
7：风机过滤单元
8：隔壁
9：挡板
10：自旋夹头
11：夹头销
12：自旋底座
13：自旋马达
14：杯体
14a：倾斜部
14b：引导部
14c：收液部
15：杯体升降单元
16：漂洗液喷嘴
17：漂洗液配管
18：漂洗液阀
21：药液喷嘴
22：供给配管
23：喷出阀
23A：第一喷出阀
23B：第二喷出阀
23C：第三喷出阀
24、48：流量计
25：流量调整阀
26：喷嘴移动单元
30：计算机本体
31：CPU
32：主存储装置
33：周边装置
34：辅助存储装置
35：读取装置
36：通信装置
37：输入装置
38：显示装置
40：槽
41：循环配管
42：上游配管
43：个别配管
44：下游配管
45：泵
46：过滤器
47：温度调节器
49：温度传感器
51：压力控制单元
52：压力传感器
53：释放阀
54：电动气动调节器
A1：旋转轴线
A2：摆动轴线
C：载体
CR：中心机器人
H1、H2：手部
HC：主计算机
IR：分度器机器人
LP：装载埠
LPa：载体载置台
LPb：载体检测传感器
M：可移动介质
P：程序
P1：检测位置
P2：连接位置
P3：插装位置
P4：下游位置
R1：载体搬送机器人
S1～S5、S11～S19：：步骤
t1、t2、t3：温度
W：基板
具体实施方式
图1是从上方观察本发明的一个实施方式的基板处理装置1的示意图。
基板处理装置1是对半导体晶片等圆板状的基板W一片片地进行处理的单片式的装置。基板处理装置1包括前端开启式晶圆传送盒(Front-Opening Unified Pod，FOUP)等保持载体C的多个装载埠(load port)LP、以及利用处理液或处理气体等处理流体对从多个装载埠LP搬送来的基板W进行处理的多个处理单元2。装载埠LP包括放置载体C的载体载置台LPa、以及检测载体载置台LPa上是否有载体C的载体检测传感器LPb。
基板处理装置1进而包含在装载埠LP与处理单元2之间搬送基板W的搬送机器人。搬送机器人包括分度器机器人(indexer robot)IR及中心机器人(center robot)CR。分度器机器人IR是在装载埠LP与中心机器人CR之间搬送基板W。中心机器人CR是在分度器机器人IR与处理单元2之间搬送基板W。分度器机器人IR包含支撑基板W的手部Hi。同样地，中心机器人CR包含支撑基板W的手部H2。
基板处理装置1包含收容后述喷出阀23等流体设备的多个(例如四个)流体箱4。处理单元2及流体箱4配置在基板处理装置1的外壁1a中，由基板处理装置1的外壁1a覆盖。收容后述槽40等的柜体(cabinet)5配置在基板处理装置1的外壁1a之外。柜体5也可以配置在基板处理装置1的侧方，还可以配置在设置基板处理装置1的洁净室(clean room)的下方(地下)。
多个处理单元2形成了俯视时以环绕中心机器人CR的方式而配置的多个(例如四个)塔(tower)。各塔包含上下层叠着的多个(例如三个)处理单元2。四个流体箱4分别与四个塔相对应。柜体5内的药液是经由任一个流体箱4，供给至与所述流体箱4相对应的塔中所含的所有处理单元2。
收容有未处理的基板W的载体C通过制造半导体装置等的制造工厂内设置的载体搬送机器人R1而放置到装载埠LP上。然后，将载体C内的基板W，通过分度器机器人IR及中心机器人CR搬送至任一个处理单元2，并利用处理单元2进行处理。将经处理单元2处理的处理完毕的基板W通过分度器机器人IR及中心机器人CR而搬送至装载埠LP上的相同的载体C。收容有处理完毕的基板W的载体C通过载体搬送机器人R1而搬送至进行下一个处理的装置。
图2是水平观察基板处理装置1中所含的处理单元2的内部的示意图。
处理单元2包括具有内部空间的箱型的腔室6、在腔室6内一边水平地保持基板W一边使基板W围绕着穿过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1旋转的自旋夹头(spin chuck)10、以及接住从基板W排出的处理液的筒状的杯体(cup)14。自旋夹头10是基板保持机构及基板保持单元的一例。
腔室6包括设置有基板W所经过的搬入搬出口的箱型的隔壁8、使搬入搬出口开闭的挡板(shutter)9、以及在腔室6内形成通过过滤器而过滤的空气即洁净空气(clean air)的向下流(down flow)的风机过滤单元(fan filter unit，FFU)7。中心机器人CR通过搬入搬出口将基板搬入至腔室6，并通过搬入搬出口从腔室6搬出基板W。
自旋夹头10包括以水平姿势而受到保持的圆板状的自旋底座12、在自旋底座12的上方将基板W以水平姿势加以保持的多个夹头销(chuck pin)11、以及通过使夹头销11及自旋底座12旋转而使基板W围绕旋转轴线A1旋转的自旋马达13。自旋夹头10并不限于使多个夹头销11与基板W的外周面接触的夹持式的夹头，还可以是通过使非器件形成面即基板W的背面(下表面)吸附于自旋底座12的上表面而水平地保持基板W的真空(vacuum)式的夹头。
杯体14包括朝向旋转轴线A1向斜上方延伸的筒状的倾斜部14a、从倾斜部14a的下端部(外端部)向下方延伸的圆筒状的引导部14b、以及形成朝向上方敞开的环状的沟槽的收液部14c。倾斜部14a包含具有大于基板W及自旋底座12的内径的圆环状的上端。倾斜部14a的上端相当于杯体14的上端。杯体14的上端在俯视时环绕着基板W及自旋底座12。
处理单元2包含使杯体14在上位置(图2所示的位置)与下位置之间铅垂地升降的杯体升降单元15，所述上位置是指杯体14的上端位于比自旋夹头10保持基板W的保持位置更上方的位置，所述下位置是指杯体14的上端位于比保持位置更下方的位置。当将处理液供给至基板W时，杯体14配置在上位置。从基板W飞散至外侧的处理液在被倾斜部14a接住之后，通过引导部14b而收集至收液部14c内。
处理单元2包含朝向保持于自旋夹头10上的基板W的上表面向下方喷出漂洗液(rinse solution)的漂洗液喷嘴16。漂洗液喷嘴16与插装有漂洗液阀18的漂洗液配管17连接。处理单元2也可以包括在处理位置与退避位置之间使漂洗液喷嘴16水平地移动的喷嘴移动单元，在所述处理位置，将从漂洗液喷嘴16喷出的漂洗液供给至基板W，在所述退避位置，漂洗液喷嘴16在俯视时远离基板W。
当打开漂洗液阀18时，将漂洗液从漂洗液配管17供给至漂洗液喷嘴16，并从漂洗液喷嘴16喷出。漂洗液例如为纯水(去离子水：Deionized water)。漂洗液并不限于纯水，还可以是碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水及稀释浓度(例如，10ppm～100ppm程度)的盐酸水中的任一者。
处理单元2包含朝向保持于自旋夹头10上的基板W的上表面向下方喷出药液的药液喷嘴21。药液喷嘴21连接于插装有喷出阀23、流量计24及流量调整阀25的供给配管22。对药液喷嘴21的药液的供给及供给停止是通过喷出阀23来切换。供给至药液喷嘴21的药液的流量是通过流量计24来检测。所述流量是通过流量调整阀25来变更。
当打开喷出阀23时，将药液以与流量调整阀25的开度相对应的流量从供给配管22供给至药液喷嘴21，并从药液喷嘴21喷出。供给至药液喷嘴21的药液是包含例如硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、磷酸、醋酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，氢氧化四甲基铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide，TMAH)等)、界面活性剂及防腐剂中的至少一种的液体。也可以将除此以外的液体供给至药液喷嘴21。
喷出阀23是在喷出执行状态与喷出停止状态之间进行切换，所述喷出执行状态是执行从供给配管22向药液喷嘴21供给药液的状态，所述喷出停止状态是停止从供给配管22向药液喷嘴21供给药液的状态。喷出停止状态也可以是阀体远离阀座的状态。虽然没有图示，但喷出阀23包括包含环绕着药液所流动的内部流路的环状的阀座的阀主体、以及配置在内部流路内可相对于阀座移动的阀体。喷出阀23既可以是利用空气压力变更开度的气动阀(airoperated valve)，也可以是利用电力变更开度的电动阀。
处理单元2包括使药液喷嘴21在处理位置与退避位置之间水平地移动的喷嘴移动单元26，在所述处理位置，将从药液喷嘴21喷出的药液供给至基板W的上表面，在所述退避位置，药液喷嘴21在俯视时远离基板W。喷嘴移动单元26例如是使药液喷嘴21在杯体14的周围围绕着铅垂地延伸的摆动轴线A2水平地移动的回旋单元。
图3是表示基板处理装置1的电气构成的框图。
基板处理装置1包含对基板处理装置1进行控制的控制装置3。控制装置3包含计算机本体30、以及与计算机本体30连接的周边装置33。计算机本体30包含执行各种命令的中央处理装置(central processing unit，CPU)31、以及存储信息的主存储装置32。周边装置33包括存储程序P等信息的辅助存储装置34、从可移动介质M读取信息的读取装置35、以及与主计算机HC等控制装置3以外的装置进行通信的通信装置36。
控制装置3与输入装置37及显示装置38连接。输入装置37是在用户或维护负责人等操作者将信息输入至基板处理装置1时被操作。信息显示在显示装置38的画面上。输入装置37既可以是键盘、定点设备(pointing device)及触控面板中的任一者，也可以是这些以外的装置。也可以将兼作输入装置37及显示装置38的触控面板显示器设置在基板处理装置1中。
CPU 31执行辅助存储装置34中所存储的程序P。辅助存储装置34内的程序P既可以预先安装在控制装置3中，也可以经过读取装置35从可移动介质M发送至辅助存储装置34，还可以从主计算机HC等外部装置经过通信装置36发送至辅助存储装置34。
辅助存储装置34及可移动介质M是即使没有被供电，也保持存储的非易失性存储器。辅助存储装置34例如是硬盘驱动器等磁性存储装置。可移动介质M例如是高密度磁盘(compact disk)等光盘或存储卡等半导体存储器。可移动介质M是记录有程序P的计算机可读取的记录介质的一例。
控制装置3是以按照通过主计算机HC而指定的方案(recipe)处理基板W的方式来控制基板处理装置1。辅助存储装置34存储有多个方案。方案是规定基板W的处理内容、处理条件及处理顺序的信息。多个方案在基板W的处理内容、处理条件及处理顺序中的至少一者上互不相同。方案中包含供给至基板W的药液的流量及温度。辅助存储装置34存储有与多个药液的流量分别相对应的多个组的处理用设定值及待机用设定值。关于处理用设定值及待机用设定值将在后文描述。
图4是用于说明通过基板处理装置1而进行的基板W的处理的一例的工序图。以下，参照图1、图2及图4。以下的各工序是通过控制装置3控制基板处理装置1来执行。换言之，控制装置3是以执行以下的各工序的方式而编程。
当利用基板处理装置1处理基板W时，进行将基板W搬入至腔室6内的搬入工序(图4的步骤S1)。
具体来说，在药液喷嘴21从基板W的上方退避，杯体14位于下位置的状态下，中心机器人CR(参照图1)一边利用手部H2支撑基板W，一边使手部H2进入至腔室6内。然后，中心机器人CR在基板W的表面朝向上方的状态下将手部H2上的基板W放置在自旋夹头10上。自旋马达13在利用夹头销11握持基板W之后，使基板W开始旋转。中心机器人CR在将基板W放置在自旋夹头10上之后，使手部H2从腔室6的内部退避。
其次，进行药液供给工序，将药液供给至基板W(图4的步骤S2)。
具体来说，喷嘴移动单元26使药液喷嘴21移动至处理位置，杯体升降单元15使杯体14上升至上位置为止。然后，打开喷出阀23，药液喷嘴21开始喷出药液。在药液喷嘴21喷出药液时，喷嘴移动单元26既可使药液喷嘴21在中央处理位置与外周处理位置之间移动，也可以药液的附着位置位于基板W的上表面中央部的方式使药液喷嘴21静止，在所述中央处理位置，从药液喷嘴21喷出的药液附着在基板W的上表面中央部，在所述外周处理位置，从药液喷嘴21喷出的药液附着在基板W的上表面外周部。
从药液喷嘴21喷出的药液附着在基板W的上表面之后，沿正在旋转的基板W的上表面向外侧流动。由此，形成覆盖基板W的上表面整个区域的药液的液膜，对基板W的上表面整个区域供给药液。特别是当喷嘴移动单元26使药液喷嘴21在中央处理位置与外周处理位置之间移动时，会在药液的附着位置上对基板W的上表面整个区域进行扫描，因此将药液均匀地供给至基板W的上表面整个区域。由此，对基板W的上表面均匀地进行处理。当打开喷出阀23之后经过规定时间时，关闭喷出阀23，停止从药液喷嘴21喷出药液。然后，喷嘴移动单元26使药液喷嘴21移动至退避位置。
其次，进行漂洗液供给工序，将作为漂洗液的一例的纯水供给至基板W的上表面(图4的步骤S3)。
具体来说，打开漂洗液阀18，漂洗液喷嘴16开始喷出纯水。附着在基板W的上表面的纯水沿正在旋转的基板W的上表面向外侧流动。基板W上的药液是利用从漂洗液喷嘴16喷出的纯水来冲洗。由此，形成覆盖基板W的上表面整个区域的纯水的液膜。当打开漂洗液阀18之后经过规定时间时，关闭漂洗液阀18，停止喷出纯水。
其次，进行干燥程序，通过基板W的高速旋转而使基板W干燥(图4的步骤S4)。
具体来说，自旋马达13使基板W沿旋转方向加速，从而使基板W以大于药液供给工序及漂洗液供给工序中的基板W的旋转速度的高旋转速度(例如数千rpm)旋转。由此，将液体从基板W去除，使基板W干燥。当基板W开始高速旋转后经过规定时间时，自旋马达13停止旋转。由此，基板W停止旋转。
其次，进行搬出工序，从腔室6搬出基板W(图4的步骤s5)。
具体来说，杯体升降单元15使杯体14下降至下位置为止。然后，中心机器人CR(参照图1)使手部H2进入至腔室6内。中心机器人CR在多个夹头销11解除对基板W的握持之后，利用手部H2支撑自旋夹头10上的基板W。然后，中心机器人CR一边利用手部H2支撑基板W，一边使手部H2从腔室6的内部退避。由此，从腔室6搬出处理完毕的基板W。
图5是表示基板处理装置1的药液供给系统的示意图。图5中，利用一点链线表示流体箱4，利用两点链线表示药液柜体5。配置在以一点链线围成的区域内的构件配置在流体箱4内，配置在以两点链线围成的区域内的构件配置在药液柜体5内。
基板处理装置1包括贮存供给至基板W的药液的槽40、以及使槽40内的药液循环的循环配管41。循环配管41包括从槽40延伸至下游的上游配管42、从上游配管42分支的多个个别配管43、以及从各个别配管43向下游延伸至槽40为止的下游配管44。
上游配管42的上游端与槽40连接。下游配管44的下游端与槽40连接。上游配管42的上游端相当于循环配管41的上游端，下游配管44的下游端相当于循环配管41的下游端。各个别配管43从上游配管42的下游端延伸至下游配管44的上游端。也可以代替下游配管44的下游端，将个别配管43的下游端与槽40连接。即，也可以省略下游配管44。
多个个别配管43分别与多个塔相对应。图5表示一个个别配管43的整体与剩下三个个别配管43的一部分。图5表示相同的塔中所含的三个处理单元2。与相同的塔中所含的三个处理单元2相对应的三个供给配管22与相同的个别配管43连接。三个供给配管22与个别配管43相互连接着的三个连接位置P2在药液流动的方向上排列。
基板处理装置1包括将槽40内的药液输送至循环配管41的泵45、从在循环配管41内流动的药液中去除异物的过滤器46、以及对槽40内的药液的温度进行调整的温度调节器47。基板处理装置1进而包括检测在循环配管41内流动的药液的流量的流量计48、以及检测在循环配管41内流动的药液的温度的温度传感器49。泵45、过滤器46及温度调节器47插装于上游配管42。流量计48及温度传感器49插装于个别配管43。
槽40内的药液通过泵45而输送至上游配管42，并从上游配管42流向多个个别配管43。个别配管43内的药液流向下游配管44，并从下游配管44返回到槽40内。在此期间，利用过滤器46将药液中所含的异物加以去除。并且，对槽40内的药液，利用温度调节器47进行加热或冷却以达到由方案规定的温度，并送入至上游配管42。由此，将槽40内的药液至少在温度调节器47的正后方的下游位置P4，一边维持在高于或低于处理单元2内的环境的温度(例如20℃～30℃)的固定温度，一边送入至上游配管42(循环配管41)。
温度调节器47既可以是对在循环配管41内流动的药液进行加热的加热器，也可以是对在循环配管41内流动的药液进行冷却的冷却器(cooler)，还可以是对在循环配管41内流动的药液进行加热及冷却的冷热装置。图5表示温度调节器47为加热器的示例。温度调节器47既可以设置在循环配管41上，也可以设置在槽40内。
泵45不论基板处理装置1内是否有基板W，都以固定的压力将槽40内的药液持续送入至循环配管41。基板处理装置1也可以包含加压装置来代替泵45，所述加压装置是通过使槽40内的气压上升而将槽40内的药液挤出至循环配管41。泵45及加压装置均是将槽40内的药液输送至循环配管41的送液装置的一例。
基板处理装置1包括压力控制单元51，所述压力控制单元51是对个别配管43与多个供给配管22相互连接着的多个连接位置P2上的处理液的压力进行控制。压力控制单元51包括检测个别配管43内的处理液的压力的压力传感器52、在多个连接位置P2的下游的插装位置P3上插装于个别配管43的释放阀53、以及通过变更施加至释放阀53的操作空气压力来变更释放阀53的设定释放压力的电动气动调节器(electro-pneumatic regulator)54。
压力传感器52在个别配管43上的检测位置P1上检测个别配管43内的处理液的压力。个别配管43及供给配管22相互连接着的连接位置P2上的处理液的压力大概等于检测位置P1上的处理液的压力。因此，在检测位置P1上利用压力传感器52检测个别配管43内的处理液的压力，可以看成与在连接位置P2上检测处理液的压力实质上等效。检测位置P1是多个连接位置P2的上游的位置。如果是释放阀53的上游，那么检测位置P1也可以是多个连接位置P2的下游。
释放阀53是在一次侧压力，即，释放阀53的上游的压力上升至设定释放压力为止时，使一次侧压力下降至小于设定释放压力的阀。设定释放压力根据施加至释放阀53的操作空气压力而发生变化。电动气动调节器54使施加至释放阀53的操作空气压力增减。当操作空气压力增加时，设定释放压力也增加，当操作空气压力减少时，设定释放压力也减少。
泵45将槽40内的药液以固定的压力输送至循环配管41。如果可以忽视泵45的脉动，那么在关闭与相同的塔相对应的所有喷出阀23，并且释放阀53的设定释放压力相同时，在个别配管43内流动的处理液的压力在个别配管43内的任一部位均相同。控制装置3是以如上所述的方式根据压力传感器52的检测值监视个别配管43内的处理液的压力。
控制装置3通过对压力控制单元51进行控制，而将连接位置P2上的处理液的压力维持在压力设定值。具体来说，当压力传感器52所检测到的处理液的压力，即，实际的处理液的压力发生变动时，控制装置3使电动气动调节器54变更操作空气压力，以使实际的处理液的压力与压力设定值相一致或相近。由此，压力传感器52的检测值得到反馈，使实际的处理液的压力维持在压力设定值或其附近。
图6是用于说明表示循环配管41及供给配管22相互连接着的连接位置P2上的处理液的压力的设定值的压力设定值的变更顺序的一例的工序图。以下的各工序是通过控制装置3对基板处理装置1进行控制来执行。换言之，控制装置3是以执行以下的各工序的方式而编程。
当最初设定应用于基板W的方案时，或者，当变更应用于基板W的方案时，在将未处理的基板W搬送至基板处理装置1之前，将供给至基板W的药液的流量输入至控制装置3(图6的步骤S11)。药液的流量既可以从主计算机HC等外部装置输入至控制装置3的通信装置36，也可以通过用户来输入至控制装置3的输入装置37。
当将药液的流量输入至控制装置3的通信装置36或输入装置37时，控制装置3从存储于辅助存储装置34中的多个组的处理用设定值及待机用设定值之中，选择与所输入的药液的流量相对应的处理用设定值及待机用设定值。然后，控制装置3将表示循环配管41及供给配管22相互连接着的连接位置P2上的处理液的压力的设定值的压力设定值设定为待机用设定值，直到将未处理的基板W搬送至基板处理装置1为止(图6的步骤S12)。
控制装置3在将所有塔的压力设定值设定为待机用设定值的状态下，根据载体检测传感器LPb的检测值，监视收容有未处理的基板W的载体C是否位于任一个装载埠LP(图6的步骤S13)。当载体搬送机器人R1(参照图1)将收容有未处理的基板W的载体C放置在任一个装载埠LP上时，控制装置3判定为装载埠LP上存在收容有未处理的基板W的载体C(图6的步骤S13中为是(Yes))。然后，控制装置3使所有塔的压力设定值从待机用设定值增加至处理用设定值(图6的步骤S14)。
当将收容有未处理的基板W的载体C放置在任一个装载埠LP上之后，如以上所述，将载体C内的基板W通过分度器机器人IR及中心机器人CR搬送至任一个处理单元2，并在处理单元2中进行处理(图6的步骤S15)。经处理单元2处理的基板W通过分度器机器人IR及中心机器人CR而搬送至装载埠LP上的相同的载体C(图6的步骤S15)。当对载体C内的所有基板W进行处理，并收容于载体C之后，将装载埠LP上的载体C通过载体搬送机器人R1而搬送至下一个装置。
当相同的载体C内的所有基板W的处理完成后(图6的步骤S16中为是)，控制装置3确认收容有未处理的基板W的新的载体C没有存在于任一个装载埠LP上(图6的步骤S17)。当在载体C内的所有基板W的处理完成后预定的待机时间经过之前，将新的载体C搬送至任一个装载埠LP时(图6的步骤S17中为是)，控制装置3仍旧使所有塔的压力设定值维持在处理用设定值，进行基板W的搬送及处理(返回到图6的步骤S15)。
另一方面，如果在载体C内的所有基板W的处理完成后预定的待机时间经过之前，没有将收容有未处理的基板W的新的载体C搬入至任一个装载埠LP(图6的步骤S18中为是)，则控制装置3使所有压力设定值从处理用设定值减少至待机用设定值(图6的步骤S19)。然后，控制装置3监视收容有未处理的基板W的载体C是否已搬送至任一个装载埠LP(返回到图6的步骤S13)。
图7是表示与相同的塔相对应的三个喷出阀23的状态的随时间的变化、在个别配管43内流动的处理液的流量的随时间的变化、与压力设定值的随时间的变化的一例的时序图。在图7中，为了对与相同的塔相对应的三个喷出阀23进行区分，将三个喷出阀23表示为第一喷出阀23A、第二喷出阀23B及第三喷出阀23C。
如果能够忽视泵45的脉动，那么在释放阀53的设定释放压力相同，并且所有喷出阀23已关闭时，在个别配管43内流动的药液的流量为固定而不随时间发生变化。
即使释放阀53的设定释放压力相同，如果打开任一个喷出阀23时，在个别配管43内流动的药液的流量也会增加。在个别配管43内流动的药液的流量会随着打开的喷出阀23的数量增加而增加。例如，如图7所示，当将第一喷出阀23A、第二喷出阀23B及第三喷出阀23C依次打开，然后依次关闭时，在个别配管43内流动的药液的流量会阶段性地增加，然后阶段性地减少。
当使压力设定值从处理用设定值减少至待机用设定值时，即，当使释放阀53的设定释放压力下降时，在个别配管43内流动的药液的流量会增加。此时，在个别配管43内流动的药液的流量多于压力设定值为处理用设定值，并且与相同的塔相对应的所有喷出阀23已关闭时的所述流量。待机用设定值是以整个待机期间内在个别配管43内流动的药液的流量与整个处理期间内在个别配管43内流动的药液的平均流量或最大流量相一致或相近的方式来设定。因此，两个期间内的流量的差减少至零或接近于零的值为止。再者，使压力设定值减少至待机用设定值时在个别配管43内流动的药液的流量，也可以等于压力设定值为处理用设定值，并且与相同的塔相对应的所有喷出阀23已关闭时的所述流量。
图8是用于说明本实施方式的效果的曲线图。图8是表示循环配管41内的各位置上的药液的温度的概况的曲线图。曲线图的横轴表示循环配管41内的位置，更具体来说，表示从温度调节器47到循环配管41内的任意的位置为止的距离。曲线图的纵轴表示在循环配管41内流动的药液的温度。图8中的实线表示处理期间内的药液的温度，虚线表示待机期间内的药液的温度。
当温度调节器47为加热器及冷却器中的任一者时，温度调节器47对药液进行加热或冷却，以使经过温度调节器47的药液达到设定温度。因此，温度调节器47的正后方的下游位置P4的温度t1不论经过温度调节器47的药液的流量如何均为固定。处理液的温度会随着所述检测位置变为下游，受环境的影响而发生变动(下降或上升)。如以上所述，处理液的温度的变动的程度会受到在循环配管41内流动的处理液的流量的影响。
在图8的示例中，待机期间(药液的流量少的状态)内的温度的下降程度(温度t1→温度t3)大于处理期间(药液的流量多的状态)内的温度的下降程度(温度t1→温度t2)。如果药液的温度大幅下降，那么从待机期间恢复至处理期间时无法将所需温度的药液供给至基板。因此，在本实施方式中，通过调整待机期间内的释放阀53的设定释放压力来使处理期间内及待机期间内的流量的差减少，由此，抑制待机期间内的比温度调节器47更下游位置(例如连接位置P2)上的药液温度的下降程度。
如以上所述，在本实施方式中，当基板处理装置1内有未处理的基板W，即，有未经基板处理装置1处理的基板W时，控制装置3将表示循环配管41及供给配管22相互连接着的连接位置P2上的药液的压力的设定值的压力设定值设定为处理用设定值。当基板处理装置1内没有未处理的基板W时，控制装置3将压力设定值设定为待机用设定值。待机用设定值小于处理用设定值。因此，当基板处理装置1内没有未处理的基板W时，作为压力控制阀的一例的释放阀53内的压力损耗减少，在循环配管41内流动的药液的流量增加。
待机用设定值是以整个待机期间内在循环配管41内流动的药液的流量与整个处理期间内在循环配管41内流动的药液的流量相一致或相近的方式来设定。因此，两个期间内的流量的差减少至零或接近于零的值为止。因此，即使待机期间变长，槽40内的药液的温度也几乎不变。由此，即使在长时间的待机期间结束后，也可以将稳定的温度的药液供给至多块基板W，从而可以降低多块基板W之间的质量的偏差。
在本实施方式中，在相同的个别配管43上连接着多个药液喷嘴21。在对与相同的个别配管43连接的三个药液喷嘴21进行区分的情况下，将三个药液喷嘴21称为第一药液喷嘴21、第二药液喷嘴21及第三药液喷嘴21。第一药液喷嘴21、第二药液喷嘴21及第三药液喷嘴21正在喷出药液时在个别配管43内流动的药液的流量多于只有第一药液喷嘴21、第二药液喷嘴21及第三药液喷嘴21中的两者正在喷出药液时的所述流量。
在多个药液喷嘴21与相同的个别配管43连接的构成中，与只有一个药液喷嘴21与个别配管43连接的构成相比，整个处理期间内在个别配管43内流动的药液的流量的最大值(最大循环流量)增加。因此，如果压力设定值为固定，那么处理期间与待机期间之间的药液的流量的差会扩大。因此，通过在待机期间内使压力设定值减少至待机用设定值为止，可以有效减少两个期间内的流量的差。
在本实施方式中，将槽40内的药液通过作为送液装置的一例的泵45而输送至上游配管42，并从上游配管42引导至多个个别配管43。在这种情况下，处理期间与待机期间之间的药液的流量的差容易扩大，但是通过在待机期间内使压力设定值减少至待机用设定值为止，可以有效减少两个期间内的流量的差。
在本实施方式中，将收容有未处理的基板W的载体C放置在装载埠LP的载体载置台LPa上。由此，将未处理的基板W配置在基板处理装置1内。控制装置3在确认到已将载体C放置在载体载置台LPa上的同时或其后，使压力设定值从待机用设定值增加至处理用设定值。由此，使释放阀53的一次侧压力提高至适合于药液的喷出的压力。
在本实施方式中，控制装置3在对基板处理装置1内所存在的所有基板W进行处理之后，监视是否已将另外的未处理的基板W搬入至基板处理装置1。然后，如果到预定的待机时间经过之前没有搬入另外的未处理的基板W，则控制装置3将压力设定值从处理用设定值变更为待机用设定值。因此，即使在对所有基板W进行处理后不久，搬入了另外的未处理的基板W，也可以不用频繁地变更压力设定值。
其它实施方式
本发明并不限定于以上所述的实施方式的内容，而可以进行各种变更。
例如，贮存于槽40内的液体并不限于药液，还可以是漂洗液等其它液体。
压力控制阀并不限于释放阀53，还可以是电动针形阀(needle valve)等电动阀。
与相同的个别配管43连接的供给配管22的数量既可以小于两根，也可以是四根以上。
设置在循环配管41中的个别配管43的数量既可以小于三根，也可以为五根以上。
控制装置3也能够以将收容有未处理的基板W的载体C已放置在装载埠LP这一情况以外为契机，将压力设定值从待机用设定值变更为处理用设定值。
例如，当预告将未处理的基板W搬入至基板处理装置1的预告信息通过有线通信或无线通信而从主计算机HC等外部装置输入至通信装置36时，控制装置3也可以在将预告信息输入至通信装置36的同时或其后，使压力设定值从待机用设定值增加至处理用设定值。在此情况下，可以在将载体C放置在装载埠LP上之前，变更压力设定值。
当基板处理装置1内所存在的所有基板W的处理完成时，也可以不等待待机随时间的经过，而将压力设定值从处理用设定值变更为待机用设定值。
也可以省略所有的流量计48。同样地，也可以省略所有的温度传感器49。并且，还可以省略所有的流量计48及所有的温度传感器49。或者，也可以从小于四根的个别配管43中省略流量计48及温度传感器49中的至少一者，只在剩下的个别配管43上设置有流量计48及温度传感器49中的至少一者。
基板处理装置1并不限于对圆板状的基板W进行处理的装置，还可以是对多边形的基板W进行处理的装置。
也可以将以上所述的所有构成的两个以上加以组合。
此外，还可以在权利要求所描述的事项的范围内实施各种设计变更。

Claims (9)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
槽，贮存处理液；
基板保持机构，水平地保持基板；
喷嘴，朝向保持于所述基板保持机构上的所述基板喷出从所述槽供给的处理液；
循环配管，使所述槽内的处理液循环；
送液装置，将所述槽内的处理液输送至所述循环配管；
温度调节器，通过加热及冷却中的至少一者来变更由所述送液装置输送至所述循环配管的所述处理液的温度；
供给配管，从所述循环配管将处理液引导至所述喷嘴；
喷出阀，插装于所述供给配管，在喷出执行状态与喷出停止状态之间进行切换，所述喷出执行状态是执行从所述供给配管向所述喷嘴供给处理液的状态，所述喷出停止状态是停止从所述供给配管向所述喷嘴供给处理液的状态；
压力控制单元，包括检测所述循环配管及所述供给配管相互连接着的连接位置上的处理液的压力的压力传感器、及在所述连接位置的下游的插装位置上插装于所述循环配管上的压力控制阀，通过根据所述压力传感器的检测值使所述压力控制阀变更所述循环配管内的处理液的压力，而使所述连接位置上的处理液的压力维持在压力设定值；以及
控制装置，通过于未处理的基板在所述基板处理装置内的处理期间的至少一部分内，将所述压力设定值设定为处理用设定值，于所述未处理的基板没有在所述基板处理装置内的待机期间的至少一部分内，将所述压力设定值设定为小于所述处理用设定值的待机用设定值，而使所述待机期间内在所述循环配管内流动的处理液的流量与所述处理期间内在所述循环配管内流动的处理液的流量相一致或相近。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，进而包括：
第二喷嘴，喷出从所述槽供给的处理液；
第二供给配管，在所述连接位置与所述插装位置之间的第二连接位置上与所述循环配管连接，从所述循环配管将处理液引导至所述第二喷嘴；以及
第二喷出阀，插装于所述第二供给配管，在喷出执行状态与喷出停止状态之间进行切换，所述喷出执行状态是执行从所述第二供给配管向所述第二喷嘴供给处理液的状态，所述喷出停止状态是停止从所述第二供给配管向所述第二喷嘴供给处理液的状态。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述基板保持机构设置有多个，
所述喷嘴是以与多个所述基板保持机构一一对应的方式而设置有多个，
所述循环配管包括引导通过所述送液装置而从所述槽输送的处理液的上游配管、以及从所述上游配管分支的多个个别配管，
所述供给配管是以与多个所述个别配管一一对应的方式而设置有多个，并从所述个别配管延伸至所述喷嘴，
所述喷出阀是以与多个所述供给配管一一对应的方式而设置有多个，
所述压力传感器是以与多个所述供给配管一一对应的方式而设置有多个，
所述压力控制阀是以与多个所述供给配管一一对应的方式而设置有多个，并且在所述个别配管及供给配管相互连接着的所述连接位置的下游的所述插装位置上插装于所述个别配管，
所述控制装置通过在所述处理期间的至少一部分内，将多个所述个别配管中的至少一者的所述压力设定值设定为所述处理用设定值，在所述待机期间的至少一部分内，将多个所述个别配管中的至少一者的所述压力设定值设定为所述待机用设定值，而使所述待机期间内在所述个别配管内流动的处理液的流量与所述处理期间内在所述个别配管内流动的处理液的流量相一致或相近。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述基板处理装置进而包括装载埠，所述装载埠包括放置收容有所述未处理的基板的载体的载体载置台、以及检测所述载体载置台上是否有所述载体的载体检测传感器，
所述控制装置在收容有所述未处理的基板的所述载体被载置在所述载体载置台上时，使所述压力设定值从所述待机用设定值变更为所述处理用设定值。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：如果在所述基板处理装置内所存在的所有基板的处理完成后预定的待机时间经过之前，没有将另外的所述未处理的基板搬入至所述基板处理装置，则所述控制装置将所述压力设定值从所述处理用设定值变更为所述待机用设定值。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：所述控制装置包含与所述基板处理装置以外的外部装置进行通信的通信装置，当从所述外部装置向所述通信装置输入如下的预告信息之后，将所述压力设定值从所述待机用设定值变更为所述处理用设定值，所述预告信息是预告将所述未处理的基板搬入至所述基板处理装置的信息。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，进而包括：流量计，检测在所述循环配管内流动的处理液的流量。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，进而包括：温度传感器，检测在所述循环配管内流动的处理液的温度。
9.一种基板处理方法，其特征在于，包括如下工序：
在槽内贮存处理液；
利用基板保持机构水平地保持基板；
使喷嘴朝向保持于所述基板保持机构上的所述基板喷出从所述槽供给的处理液；
在循环配管内使所述槽内的处理液循环；
使送液装置将所述槽内的处理液输送至所述循环配管；
通过进行加热及冷却中的至少一者的温度调节器而变更由所述送液装置输送至所述循环配管的所述处理液的温度；
使供给配管将处理液从所述循环配管引导至所述喷嘴；
使插装于所述供给配管的喷出阀在喷出执行状态与喷出停止状态之间进行切换，所述喷出执行状态是执行从所述供给配管向所述喷嘴供给处理液的状态，所述喷出停止状态是停止从所述供给配管向所述喷嘴供给处理液的状态；
利用压力传感器检测所述循环配管及供给所述配管相互连接着的连接位置上的处理液的压力；
通过使在所述连接位置的下游的插装位置上插装于所述循环配管的压力控制阀，根据所述压力传感器的检测值变更所述循环配管内的处理液的压力，而使所述连接位置上的处理液的压力维持在压力设定值；
于未处理的基板在基板处理装置内的处理期间的至少一部分内，将所述压力设定值设定为处理用设定值；以及
通过于所述未处理的基板没有在所述基板处理装置内的待机期间的至少一部分内，将所述压力设定值设定为小于所述处理用设定值的待机用设定值，而使所述待机期间内在所述循环配管内流动的处理液的流量与所述处理期间内在所述循环配管内流动的处理液的流量相一致或相近。
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