TW201841689A - 基板處理裝置 - Google Patents

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山口貴大
藤田恵理
岩﨑晃久
樋口鮎美
岩畑翔太
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之基板處理裝置具備:共通配管,其將處理液導引至分支部;供給配管,其將處理液自分支部導引至藥液噴嘴;回流配管,其將處理液自分支部沿著與供給配管不同之路徑導引;及噴出閥,其對自共通配管供給至分支部之處理液之流量進行變更。噴出閥使閥體於包含噴出執行位置與噴出停止位置之複數個位置靜止,上述噴出執行位置係以大於抽吸流量之最大值之流量將處理液自共通配管供給至分支部,其中上述抽吸流量係表示自分支部向回流配管流動之處理液之流量;上述噴出停止位置係以抽吸流量之最大值以下之流量將處理液自共通配管供給至分支部。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置。處理對象之基板包括例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display,場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製程中,使用對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行處理之基板處理裝置。 於JP 2009222189 A中揭示有一種對基板逐片進行處理之單片式基板處理裝置。該基板處理裝置具備:旋轉夾盤,其一面將基板保持為水平一面使基板旋轉;及處理液供給裝置,其對保持於旋轉夾盤之基板供給處理液。處理液供給裝置包含:噴嘴,其朝基板噴出處理液;供給配管,其對噴嘴供給處理液;及閥,其介裝於供給配管。流經供給配管之處理液藉由閥之打開而供給至噴嘴。藉此,處理液自噴嘴噴出,而供給至基板。閥係藉由使閥體與閥座接觸而關閉,藉由使閥體與閥座分開而打開。 處理液自噴嘴之噴出執行及噴出停止係藉由將閥打開或關閉而加以切換。然而,若將閥打開或關閉,則閥體會與閥座發生摩擦。因此,閥內會產生微小之微粒。閥內之微粒會與處理液一同自噴嘴噴出。因此,包含微粒之處理液會被供給至基板,從而導致基板之潔淨度降低。
本發明之一實施形態提供一種基板處理裝置,其具備:基板保持單元,其保持基板;噴嘴,其朝保持於上述基板保持單元之基板噴出處理液;送液裝置,其輸送要對保持於上述基板保持單元之基板供給之處理液;共通配管,其始終打開以供處理液流通,且對藉由上述送液裝置輸送而至之處理液進行導引;分支部,其連接於上述共通配管;供給配管,其始終打開以供處理液流通,且將藉由上述共通配管導引而至之處理液自上述分支部導引至上述噴嘴;回流配管,其始終打開以供處理液流通,且將藉由上述共通配管導引而至之處理液自上述分支部沿著與上述供給配管不同之路徑導引;抽吸裝置,其自上述分支部向上述回流配管抽吸處理液;及噴出閥,其設置於上述共通配管,對自上述共通配管供給至上述分支部之處理液之流量進行變更。 上述噴出閥包含:閥主體,其包含環繞供處理液流通之內部流路之環狀閥座;閥體,其配置於上述內部流路,能夠相對於上述閥座而移動;及閥致動器,其使上述閥體於包含噴出執行位置與噴出停止位置之複數個位置靜止,上述噴出執行位置係上述閥體與上述閥座分開,且以大於抽吸流量之最大值之流量將處理液自上述共通配管供給至上述分支部,其中上述抽吸流量係表示於上述抽吸裝置之抽吸力下自上述分支部向上述回流配管流動之處理液之流量;上述噴出停止位置係上述閥體與上述閥座分開,且以上述抽吸流量之最大值以下之流量將處理液自上述共通配管供給至上述分支部。 根據該構成,應供給至噴嘴之處理液被自共通配管導引至分支部。自分支部供給至供給配管之處理液被自噴嘴噴出,而供給至基板。藉此,基板得以處理。另一方面,自分支部供給至回流配管之處理液藉由回流配管而被導引至回收機構或排液機構。 自共通配管供給至分支部之處理液於抽吸裝置之抽吸力下被朝回流配管抽吸。自共通配管供給至分支部之處理液之流量由噴出閥加以變更。噴出閥藉由使閥體於噴出執行位置與噴出停止位置之間移動而對自共通配管供給至分支部之處理液之流量進行變更。藉此,切換處理液向供給配管之供給狀態。 具體而言,在閥體配置於噴出執行位置時,自共通配管供給至分支部之處理液之流量大於自分支部向回流配管流動之處理液之流量的最大值。因此,供給至分支部之處理液之一部分被供給至回流配管,供給至分支部之剩餘處理液被供給至供給配管。藉此,處理液自噴嘴噴出,而供給至基板。 另一方面,在閥體配置於噴出停止位置時,自共通配管供給至分支部之處理液之流量為自分支部向回流配管流動之處理液之流量的最大值以下。因此,供給至分支部之處理液之全部或幾乎全部被供給至回流配管。即便假設一部分處理液自分支部流向供給配管,該處理液亦不會到達噴嘴。因此,不會自噴嘴噴出處理液。 如此,自噴嘴之處理液之噴出執行及噴出停止並非是藉由利用開閉閥將供給配管打開或關閉而加以切換,而是藉由對設置於共通配管之噴出閥之開度進行變更而加以切換。使自噴嘴之處理液之噴出停止之噴出停止位置為閥體與閥座分開之位置。因此,與利用開閉閥將供給配管打開或關閉之情形時相比,供給至噴嘴之處理液中所含之異物之量較少。藉此,可抑制或防止處理液中所含之異物污染基板,從而可提高基板之潔淨度。 進而,由於供給配管及回流配管始終打開,故抽吸裝置之抽吸力經由分支部而傳遞至供給配管。自噴嘴之處理液之噴出剛剛停止而尚殘留於噴嘴及供給配管之處理液會於該抽吸力下被朝回流配管抽吸,而流向回流配管(回吸)。藉此,可減少殘留於噴嘴及供給配管之處理液之量。其結果,可抑制或防止自噴嘴之處理液之噴出被停止後處理液之液滴仍自噴嘴斷斷續續地落下之現象(所謂「滴漏」)之發生。 此外,回流配管並非是利用開閉閥加以打開或關閉而是始終打開。於在要使噴嘴噴出處理液時利用開閉閥將回流配管關閉之情形時,有回流配管內之處理液逆流而被供給至供給配管之虞。於該情形時,包含在開閉閥產生之微粒之處理液會自噴嘴噴出。因此,藉由將回流配管維持為始終打開之狀態,可防止此種處理液之逆流,從而可減少處理液中所含之異物之量。 再者,所謂配管始終打開以供處理液流通係指,至少除異常時以外處理液可通過配管。只要配管除異常時以外始終打開,亦即除異常時以外閥體始終配置於除關閉位置以外之位置,便亦可將使閥體僅於閥體與閥座分開之打開位置及閥體與閥座接觸之關閉位置靜止之開閉閥、或使閥體於3個以上位置靜止之流量調整閥設置於配管。因此,亦可將開閉閥及流量調整閥中之至少一者設置於共通配管、供給配管、回流配管中之至少一者。 異常係指,自噴嘴之處理液之噴出被停止後處理液仍自噴嘴連續地噴出之現象。共通配管、供給配管、及回流配管除上述異常時以外始終打開。滴漏、亦即自噴嘴之處理液之噴出被停止後處理液之液滴仍自噴嘴斷斷續續地落下之現象被排除於該異常之外。亦即,於發生了滴漏時,共通配管、供給配管、及回流配管維持為打開之狀態。 抽吸裝置為回流配管之一部分,其可為自分支部向下方延伸之下降部,可為利用文氏效應產生抽吸力之吸出器,亦可為藉由使轉子等可動構件動作而產生抽吸力之抽吸泵,還可為具備其等中之2者以上。 於上述實施形態中,亦可將以下特徵中之至少一者添加於上述基板處理裝置。 上述供給配管包含自上述分支部向上方延伸之上升部,且上述回流配管包含自上述分支部向下方延伸之下降部。 根據該構成,供給配管自分支部向上方延伸,故處理液難以自分支部流向供給配管。與此相反,回流配管自分支部向下方延伸,故處理液容易自分支部流向回流配管。自共通配管供給至分支部之處理液於重力下欲流向回流配管。因此,可抑制或防止如下情況:於停止自噴嘴之處理液之噴出時,處理液自分支部流向供給配管,而自噴嘴噴出。 供給配管之上升部可為鉛直,亦可朝相對於水平面斜向傾斜之方向延伸。同樣地,回流配管之下降部可為鉛直,亦可朝相對於水平面斜向傾斜之方向延伸。 上述基板處理裝置進而具備:腔室,其收容上述基板保持單元;及流體盒,其配置於上述腔室之側方;且上述分支部配置於上述腔室或流體盒內。 根據該構成,分支部配置於腔室或流體盒內,且靠近噴嘴。因此,自分支部向噴嘴延伸之供給配管得以縮短。藉此,殘留於供給配管之處理液之量減少,故可減少將供給配管內之處理液抽吸至回流配管後殘留於供給配管內之處理液之量。藉此,可抑制或防止滴漏之發生。 上述基板處理裝置進而具備溫度調節器,該溫度調節器藉由加熱及冷卻中之至少一者而於上述供給配管之上游變更要供給至上述噴嘴之處理液之溫度。 根據該構成,要供給至噴嘴之處理液於供給配管之上游即被加熱或冷卻。於停止處理液之噴出時,處理液並不自共通配管供給至供給配管,而是自共通配管供給至回流配管。此時,供給配管之溫度成為室溫或室溫附近之溫度。因此,於開始處理液之噴出後,處理液之溫度立即會於供給配管或噴嘴中發生變化。 藉由縮短供給配管,可降低供給配管中之處理液之溫度變化。分支部配置於腔室或流體盒內,且靠近噴嘴。因此,自分支部向噴嘴延伸之供給配管得以縮短。藉此,可降低供給配管中之處理液之溫度變化。因此,可一開始便將與所期望之溫度接近之處理液供給至基板。 溫度調節器可為以高於室溫(例如20~30℃)之溫度加熱處理液之加熱器,亦可為以低於室溫之溫度冷卻處理液之冷卻器,還可為具有加熱及冷卻兩種功能。又,溫度調節器可設置於共通配管,亦可設置於箱或循環配管等共通配管之上游所配置之構件。 上述基板處理裝置進而具備節流裝置,該節流裝置藉由減少上述回流配管之流路面積而增加上述回流配管中之壓力損失。 根據該構成,回流配管之流路面積減少,回流配管中之壓力損失增加,故會對欲自分支部向回流配管流動之處理液施加阻力。因此,若抽吸裝置之抽吸力固定,則自分支部流向回流配管之處理液之流量減少。於將回流配管內之處理液導引至排液機構之情形時,可減少處理液之消耗量。 節流裝置亦可包含朝處理液流之下游而變細之縮小部、及設置有供處理液通過之至少一個貫通孔之孔口構件中之至少一者。縮小部可為具有朝處理液流之下游而連續地減少之內徑的筒狀之楔形部,亦可為具有朝處理液流之下游而階段性地減少之內徑的筒狀之階差部,還可為具備楔形部及階差部之兩者。流路面積係指供液體流通之空間中與液體流動方向正交之截面之面積。縮小部及孔口構件之流路面積固定,該等兩者與開度(流路面積)會變化之流量調整閥不同。 上述供給配管包含於處理液流之下游向上方延伸之上升部,且上述基板處理裝置進而具備對在上述上升部是否存在處理液進行檢測之液體檢測感測器。 根據該構成,液體檢測感測器對在供給配管之上升部是否存在處理液進行檢測。於停止處理液之噴出時,上升部內之檢測位置(液體檢測感測器檢測有無處理液之位置)成為空閒。又,於執行處理液之噴出時,上升部被處理液充滿。於停止處理液之噴出後,殘留於上升部之處理液於因自共通配管流向回流配管之處理液而產生之抽吸力與重力下流向回流配管,上升部內之檢測位置成為空閒。 若發生處理液之噴出被停止後處理液仍自共通配管向供給配管供給之異常,則處理液之液面於上升部中上升,上升部被處理液充滿。藉由對在上升部中有無處理液進行檢測,可檢測出此種異常。又,可確認到於執行處理液之噴出時處理液供給到了供給配管。進而,可確認到於停止處理液之噴出後供給配管成為了空閒。 上述基板處理裝置進而具備控制裝置,若上述液體檢測感測器於上述噴出閥之閥體配置於上述噴出停止位置時,檢測出於上述上升部存在處理液,則該控制裝置使上述送液裝置停止處理液之輸送。 根據該構成,若發生處理液之噴出被停止後處理液仍自共通配管向供給配管供給之異常,則控制裝置使送液裝置停止處理液之輸送。藉此,可確實地防止處理液之噴出被停止後噴嘴仍連續地噴出處理液。 上述噴出閥之閥致動器係使上述閥體於上述閥體與上述閥座分開之打開位置至上述閥體與上述閥座接觸之關閉位置之範圍內之任意位置靜止之電動致動器。上述噴出執行位置及噴出停止位置係上述打開位置至上述關閉位置之範圍內之位置。上述基板處理裝置進而具備控制裝置,若上述液體檢測感測器於上述噴出閥之閥體配置於上述噴出停止位置時,檢測出於上述上升部存在處理液,則該控制裝置使上述電動致動器將上述閥體移動至上述關閉位置,藉此使處理液於上述共通配管中之流動停止。 根據該構成,將使閥體於包含關閉位置、噴出停止位置、及噴出執行位置之複數個位置靜止之電動致動器設置於噴出閥。關閉位置係閥體與閥座接觸,從而將噴出閥之內部流路封堵之位置。若發生處理液之噴出被停止後處理液仍自共通配管向供給配管供給之異常,則控制裝置使電動致動器將閥體移動至關閉位置。藉此,供給配管被封堵,故可確實地防止處理液之噴出被停止後噴嘴仍連續地噴出處理液。 上述基板處理裝置進而具備:常開閥,其設置於上述供給配管,於除上述噴出閥發生異常時以外始終打開;異常檢測器,其檢測上述噴出閥之異常;及控制裝置,其根據上述異常檢測器之檢測值而對上述噴出閥是否發生了上述異常進行判定,於判定發生了上述異常時,關閉上述常開閥。 若噴出閥發生異常,則有噴出閥之實際開度大於所期望之開度之情形。例如,有如下情形,即,雖已將使噴出閥之閥體位於噴出停止位置之噴出停止指令輸入至噴出閥,但噴出閥之閥體並未到達噴出停止位置。於該情形時,處理液會以較所期望之流量大之流量通過噴出閥,故通過噴出閥後之處理液之一部分會經由分支部及供給配管而供給至噴嘴,從而自噴嘴之噴出口噴出。 根據該構成,將常開閥設置於供給配管。亦即,常開閥配置於噴出閥與噴嘴之間。控制裝置根據異常檢測器之檢測值而監控噴出閥之異常。若噴出閥發生異常,則控制裝置關閉常開閥,使自供給配管向噴嘴之處理液之供給停止。因此,即便噴出閥發生了異常,亦可使自噴嘴之處理液之噴出確實地停止。 常開閥可為使閥體僅於打開位置與關閉位置靜止之開閉閥,亦可為使閥體於3個以上位置靜止之流量調整閥。又,常開閥可為具備空壓致動器之空壓閥,亦可為具備電動致動器之電動閥。 異常檢測器可為對流經共通配管或供給配管之處理液之流量進行檢測之流量計,亦可為對供給配管中是否存在處理液進行檢測之液體檢測感測器,還可為拍攝噴嘴之噴出口之相機,或可為除該等以外者。於異常檢測器為流量計之情形時,異常檢測器亦可配置於噴出閥之上游及下游中之任一者。於將對流經共通配管之處理液之流量進行檢測之流量計安裝於共通配管之情形時,亦可將該流量計用作異常檢測器。 本發明之另一實施形態提供一種基板處理裝置,其具備:複數個基板保持單元,其等將複數個基板分別加以保持;複數個噴嘴,其等與上述複數個基板保持單元一一對應,朝保持於上述複數個基板保持單元之複數個基板噴出處理液;送液裝置,其輸送要對保持於上述複數個基板保持單元之複數個基板供給之處理液;複數個共通配管,其等與上述複數個噴嘴一一對應,始終打開以供處理液流通,且對藉由上述送液裝置輸送而至之處理液進行導引;複數個分支部,其等與上述複數個共通配管分別連接;複數個供給配管,其等與上述複數個共通配管一一對應,始終打開以供處理液流通,且將藉由上述複數個共通配管導引而至之處理液自上述複數個分支部導引至上述複數個噴嘴;複數個回流配管,其等與上述複數個共通配管一一對應,始終打開以供處理液流通,且將藉由上述複數個共通配管導引而至之處理液自上述複數個分支部沿著與上述複數個供給配管不同之路徑導引;至少一個抽吸裝置,其自上述複數個分支部向上述複數個回流配管抽吸處理液;複數個噴出閥,其等分別設置於上述複數個共通配管,對自上述複數個共通配管供給至上述複數個分支部之處理液之流量進行變更;複數個常開閥,其等分別設置於上述複數個供給配管,於除上述複數個噴出閥發生異常時以外始終打開;複數個異常檢測器,其等與上述複數個噴出閥一一對應,檢測上述複數個噴出閥之異常;及控制裝置,其根據上述複數個異常檢測器之檢測值而對上述複數個噴出閥中之至少一者是否發生了上述異常進行判定,於判定發生了上述異常時,關閉上述複數個常開閥中之至少一者。 上述複數個噴出閥之各者包含:閥主體,其包含環繞供處理液流通之內部流路之環狀閥座;閥體,其配置於上述內部流路,能夠相對於上述閥座而移動;及閥致動器,其使上述閥體於包含噴出執行位置與噴出停止位置之複數個位置靜止,上述噴出執行位置係上述閥體與上述閥座分開,且以大於抽吸流量之最大值之流量將處理液自上述共通配管供給至上述分支部,其中上述抽吸流量係表示於上述抽吸裝置之抽吸力下自上述分支部向上述回流配管流動之處理液之流量;上述噴出停止位置係上述閥體與上述閥座分開,且以上述抽吸流量之最大值以下之流量將處理液自上述共通配管供給至上述分支部。 抽吸裝置可針對每一回流配管逐一加以設置,亦可連接於所有回流配管。亦即,基板處理裝置可具備與複數個回流配管分別對應之複數個抽吸裝置,亦可具備連接於複數個回流配管之各者之1個抽吸裝置。 根據該構成,自同一送液裝置輸送而至之處理液經由複數個共通配管、複數個分支部、及複數個供給配管而供給至複數個噴嘴。自複數個噴嘴噴出之處理液分別被供給至複數個基板。藉此,利用處理液對複數個基板進行處理。 與上述同樣地,自噴嘴之處理液之噴出執行及噴出停止並非是藉由利用開閉閥將供給配管打開或關閉而加以切換,而是藉由對設置於共通配管之噴出閥之開度進行變更而加以切換。藉此,可抑制或防止處理液中所含之異物污染基板。 進而,自噴嘴之處理液之噴出剛剛停止而尚殘留於噴嘴及供給配管之處理液會於抽吸裝置之抽吸力下被朝回流配管抽吸,而流向回流配管。藉此,可減少殘留於噴嘴及供給配管之處理液之量。 此外,回流配管並非是利用開閉閥加以打開或關閉而是始終打開。於在要使噴嘴噴出處理液時利用開閉閥將回流配管關閉之情形時,有回流配管內之處理液逆流而被供給至供給配管之虞。因此,可防止此種處理液之逆流,從而可減少處理液中所含之異物之量。 控制裝置根據複數個異常檢測器之檢測值而監控複數個噴出閥之異常。若任一噴出閥發生異常,則控制裝置將與發生了異常之噴出閥對應之常開閥關閉,使自供給配管向噴嘴之處理液之供給停止。因此,即便噴出閥發生了異常,亦可使自噴嘴之處理液之噴出確實地停止。 進而,只要將與發生了異常之噴出閥對應之常開閥關閉即可,剩餘常開閥可不予關閉,故亦可不使與同一送液裝置對應之全部噴嘴停止處理液之噴出。亦即,即便任一噴出閥發生了異常,亦可繼續基板之處理。藉此,既可抑制產出量之降低,又可防止計劃外之處理液之噴出。 本發明之上述或進而其他目的、特徵及效果藉由以下參照隨附圖式而敍述之實施形態之說明可明確瞭解。
圖1係自上方觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之模式圖。 基板處理裝置1係對半導體晶圓等圓板狀之基板W逐片進行處理之單片式裝置。基板處理裝置1包含:複數個負載埠LP,其等對收容基板W之複數個載體C予以保持;複數個處理單元2,其等利用處理液或處理氣體等處理流體對自複數個負載埠LP搬送之基板W進行處理;及控制裝置3,其控制基板處理裝置1。控制裝置3係包含記憶程式等資訊之記憶部3m、及依照記憶於記憶部3m之資訊而控制基板處理裝置1之運算部3p的電腦。 基板處理裝置1進而包含於負載埠LP與處理單元2之間搬送基板W之搬送機器人。搬送機器人包含分度機器人IR、及中心機器人CR。分度機器人IR於負載埠LP與中心機器人CR之間搬送基板W。中心機器人CR於分度機器人IR與處理單元2之間搬送基板W。分度機器人IR及中心機器人CR包含支持基板W之手。 基板處理裝置1包含收容下述噴出閥34等流體機器之複數個(例如4個)流體盒4。處理單元2及流體盒4配置於基板處理裝置1之外壁1a之內,由基板處理裝置1之外壁1a加以覆蓋。收容下述供給箱24等之藥液櫃5配置於基板處理裝置1之外壁1a之外。藥液櫃5可配置於基板處理裝置1之側方,亦可配置於設置基板處理裝置1之無塵室之下(地下)。 複數個處理單元2形成以於俯視下環繞中心機器人CR之方式配置之複數個(例如4個)塔。各塔包含上下積層之複數個(例如3個)處理單元2。4個流體盒4分別對應於4個塔。藥液櫃5內之藥液經由任一流體盒4而供給至與該流體盒4對應之塔中所包含之全部處理單元2。 圖2係水平地觀察處理單元2之內部之模式圖。 處理單元2包含:箱形之腔室6,其具有內部空間;旋轉夾盤10,其於腔室6內一面將基板W保持為水平一面使基板繞通過基板W中央部之鉛直之旋轉軸線A1旋轉;及筒狀之承杯14,其承接自基板W排出之處理液。旋轉夾盤10為基板保持單元之一例。 腔室6包含:箱形之間隔壁8,其設置有供基板W通過之搬入搬出口;擋門9,其將搬入搬出口打開或關閉;及FFU(Fan Filter Unit,風機過濾單元)7,其於腔室6內形成經過濾器過濾後之空氣即潔淨空氣之降流。中心機器人CR係通過搬入搬出口向腔室6搬入基板W,且係通過搬入搬出口自腔室6搬出基板W。 旋轉夾盤10包含:圓板狀之旋轉基座12,其係以水平姿勢得到保持;複數個夾盤銷11,其等位於旋轉基座12之上方,將基板W以水平姿勢予以保持;及旋轉馬達13,其藉由使複數個夾盤銷11旋轉而使基板W繞旋轉軸線A1旋轉。旋轉夾盤10並不限於使複數個夾盤銷11與基板W之外周面接觸之夾持式夾盤,亦可為藉由使非元件形成面即基板W之背面(下表面)吸附於旋轉基座12之上表面而將基板W保持為水平之真空式夾盤。 承杯14包含:筒狀之傾斜部14a,其係朝旋轉軸線A1向斜上方延伸;圓筒狀之導引部14b,其係自傾斜部14a之下端部(外端部)向下方延伸;及受液部14c,其形成向上打開之環狀槽。傾斜部14a包含圓環狀之上端,該圓環狀之上端具有較基板W及旋轉基座12大之內徑。傾斜部14a之上端相當於承杯14之上端。承杯14之上端於俯視下環繞基板W及旋轉基座12。 處理單元2包含使承杯14於上位置與下位置之間鉛直地升降之承杯升降單元15,上述上位置係指承杯14之上端位於較旋轉夾盤10保持基板W之保持位置更靠上方的位置(圖2所示之位置),上述下位置係指承杯14之上端位於較保持位置更靠下方的位置。於向基板W供給處理液時,承杯14配置於上位置。自基板W向外側飛散之處理液於被傾斜部14a承接後,被導引部14b收集至受液部14c內。 處理單元2包含沖洗液噴嘴16,該沖洗液噴嘴16將沖洗液朝保持於旋轉夾盤10之基板W之上表面向下方噴出。沖洗液噴嘴16連接於介裝有沖洗液閥18之沖洗液配管17。處理單元2亦可具備使沖洗液噴嘴16於處理位置與退避位置之間水平地移動之噴嘴移動單元,上述處理位置係指向基板W供給自沖洗液噴嘴16噴出之沖洗液的位置,上述退避位置係指沖洗液噴嘴16於俯視下與基板W分開的位置。 若打開沖洗液閥18,則沖洗液自沖洗液配管17供給至沖洗液噴嘴16,且自沖洗液噴嘴16噴出。沖洗液例如為純水(去離子水:Deionized water)。沖洗液並不限於純水,亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及濃度經稀釋後(例如,濃度為10~100 ppm左右)之鹽酸水中之任一者。 處理單元2包含:藥液噴嘴21,其將藥液朝保持於旋轉夾盤10之基板W之上表面向下方噴出;及噴嘴移動單元22,其使藥液噴嘴21於處理位置與退避位置之間水平地移動,上述處理位置係指向基板W之上表面供給自藥液噴嘴21噴出之藥液的位置,上述退避位置係指藥液噴嘴21於俯視下與基板W分開的位置。噴嘴移動單元22例如係使藥液噴嘴21於承杯14之周圍繞鉛直地延伸之揺動軸線A2水平地移動之回轉單元。 基板處理裝置1包含將藥液供給至藥液噴嘴21之藥液供給裝置23。關於藥液供給裝置23,將於下文加以敍述。供給至藥液噴嘴21之藥液例如為含有硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸、乙酸、氨水、雙氧水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH:氫氧化四甲基銨等)、界面活性劑、及防腐劑中之至少一者之液體。除此以外之液體亦可供給至藥液噴嘴21。 圖3係用以對藉由基板處理裝置1而執行之基板W之處理之一例進行說明之製程圖。以下各製程係藉由控制裝置3控制基板處理裝置1而加以執行。換言之,控制裝置3係以執行以下各製程之方式被程式化。以下,參照圖1至圖3。 於基板處理裝置1對基板W進行處理時,執行將基板W搬入至腔室6內之搬入製程(圖3之步驟S1)。 具體而言,於藥液噴嘴21自基板W之上方退避,且承杯14位於下位置之狀態下,中心機器人CR(參照圖1)一面用手支持基板W,一面使手進入至腔室6內。其後,中心機器人CR將手上之基板W以基板W之表面向上之狀態置於旋轉夾盤10之上。於藉由夾盤銷11固持基板W後,旋轉馬達13使基板W之旋轉開始。中心機器人CR於將基板W置於旋轉夾盤10之上後,使手自腔室6之內部退避。 其次,執行將藥液供給至基板W之藥液供給製程(圖3之步驟S2)。 具體而言,噴嘴移動單元22使藥液噴嘴21移動至處理位置,承杯升降單元15使承杯14上升至上位置。其後,藥液供給裝置23開始對藥液噴嘴21供給藥液,藥液噴嘴21噴出藥液。於藥液噴嘴21噴出藥液時,噴嘴移動單元22能使藥液噴嘴21於中央處理位置與外周處理位置之間移動,上述中央處理位置係指自藥液噴嘴21噴出之藥液噴附於基板W之上表面中央部的位置,上述外周處理位置係指自藥液噴嘴21噴出之藥液噴附於基板W之上表面外周部的位置;亦能以使藥液之噴附位置位於基板W之上表面中央部之方式使藥液噴嘴21靜止。 自藥液噴嘴21噴出之藥液噴附於基板W之上表面後,沿著旋轉之基板W之上表面流向外側。藉此,形成覆蓋基板W之上表面全域之藥液之液膜,而對基板W之上表面全域供給藥液。尤其是於噴嘴移動單元22使藥液噴嘴21於中央處理位置與外周處理位置之間移動之情形時,基板W之上表面全域作為藥液之噴附位置而被掃描,故藥液均勻地供給至基板W之上表面全域。藉此,基板W之上表面得以均勻地處理。自開始對藥液噴嘴21供給藥液起經過特定時間後,停止對藥液噴嘴21供給藥液。其後,噴嘴移動單元22使藥液噴嘴21移動至退避位置。 其次,執行將作為沖洗液之一例之純水供給至基板W之上表面之沖洗液供給製程(圖3之步驟S3)。 具體而言,打開沖洗液閥18,沖洗液噴嘴16開始噴出純水。噴附於基板W上表面之純水沿著旋轉之基板W之上表面流向外側。基板W上之藥液被自沖洗液噴嘴16噴出之純水沖走。藉此,形成覆蓋基板W之上表面全域之純水之液膜。自打開沖洗液閥18起經過特定時間後,關閉沖洗液閥18,停止純水之噴出。 其次,執行藉由基板W之旋轉而使基板W乾燥之乾燥製程(圖3之步驟S4)。 具體而言,旋轉馬達13使基板W於旋轉方向加速,以較藥液供給製程及沖洗液供給製程中之基板W之旋轉速度大的高旋轉速度(例如數千rpm)使基板W旋轉。藉此,將液體自基板W去除,使基板W乾燥。自基板W開始高速旋轉起經過特定時間後,旋轉馬達13停止旋轉。藉此,停止基板W之旋轉。 其次,執行將基板W自腔室6搬出之搬出製程(圖3之步驟S5)。 具體而言,承杯升降單元15使承杯14下降至下位置。其後,中心機器人CR(參照圖1)使手進入至腔室6內。於複數個夾盤銷11解除對基板W之固持後,中心機器人CR用手支持旋轉夾盤10上之基板W。其後,中心機器人CR一面用手支持基板W,一面使手自腔室6之內部退避。藉此,將處理完畢之基板W自腔室6搬出。藉由反覆執行至此之前之一系列動作而對被搬送至基板處理裝置1之複數個基板W逐片進行處理。 圖4係表示本發明之第1實施形態之藥液供給裝置23之模式圖。於圖4中,以單點鏈線表示流體盒4,以兩點鏈線表示藥液櫃5。於下述圖9、圖10、圖12、圖13、及圖15中亦同樣如此。以單點鏈線包圍之區域內所配置之構件配置於流體盒4內,以兩點鏈線包圍之區域內所配置之構件配置於藥液櫃5內。 基板處理裝置1包含複數個藥液供給裝置23,該等藥液供給裝置23分別對應於藉由複數個處理單元2而形成之複數個塔。藥液供給裝置23對同一塔中所包含之全部處理單元2供給藥液。圖4示出了1個藥液供給裝置23、及與該藥液供給裝置23對應之3個處理單元2。 藥液供給裝置23包含:供給箱24,其貯存要供給至基板W之藥液;及循環配管25,其形成使供給箱24內之藥液循環之環狀之循環路徑。藥液供給裝置23進而包含:循環泵27,其將供給箱24內之藥液輸送至循環配管25;循環過濾器28,其將微粒等異物自藥液去除;及循環加熱器26,其藉由加熱藥液而調整供給箱24內之藥液之溫度。循環泵27、循環過濾器28、及循環加熱器26介裝於循環配管25。 循環泵27會始終將供給箱24內之藥液輸送至循環配管25內。藥液供給裝置23亦可具備加壓裝置代替具備循環泵27,該加壓裝置藉由使供給箱24內之氣壓上升而將供給箱24內之藥液擠出至循環配管25。循環泵27及加壓裝置均為將供給箱24內之藥液輸送至循環配管25之送液裝置之一例。 循環配管25之上游端及下游端連接於供給箱24。藥液被自供給箱24輸送至循環配管25之上游端,且自循環配管25之下游端返回至供給箱24。藉此,供給箱24內之藥液於循環路徑中循環。於藥液在循環路徑中循環之期間,藥液中所含之異物藉由循環過濾器28得以去除,且藥液藉由循環加熱器26得以加熱。藉此,供給箱24內之藥液會被維持在高於室溫之固定溫度。 藥液供給裝置23包含分別對應於複數個處理單元2之複數組共通配管29、分支部30、供給配管31、及回流配管32。共通配管29、供給配管31、及回流配管32之內徑可彼此相等,亦可互不相同。共通配管29之上游端連接於循環配管25,共通配管29之下游端連接於分支部30。供給配管31之上游端連接於分支部30,供給配管31之下游端連接於藥液噴嘴21。回流配管32之上游端連接於分支部30。設置於回流配管32下游端之排液口32p配置於較分支部30更靠下方。回流配管32內之藥液被自排液口32p排出至回流配管32之外。 流經循環配管25之藥液自循環配管25流向共通配管29,且自共通配管29供給至分支部30。自分支部30供給至供給配管31之藥液自藥液噴嘴21噴出,且被供給至基板W。藉此,基板W得以處理。另一方面,自分支部30供給至回流配管32之藥液自回流配管32之排液口32p排出。自回流配管32排出之藥液被排液機構排出或被回收機構回收。 藥液供給裝置23包含分別對應於複數個處理單元2之複數組流量計33、噴出閥34、液體檢測感測器35、及節流裝置36。流量計33及噴出閥34安裝於共通配管29。液體檢測感測器35安裝於供給配管31。節流裝置36安裝於回流配管32。流量計33對流經共通配管29之藥液之流量(通過流量計33之藥液之每單位時間之量)進行檢測。噴出閥34對自共通配管29供給至分支部30之藥液之流量進行變更。液體檢測感測器35對在供給配管31內之檢測位置是否存在藥液進行檢測。液體檢測感測器35例如為靜電電容感測器。節流裝置36藉由減少回流配管32之流路面積而增加回流配管32中之壓力損失。 共通配管29包含朝分支部30水平延伸之水平部29a。供給配管31包含自分支部30向上方延伸之上升部31a。回流配管32包含自分支部30向下方延伸之下降部32a。下降部32a為使藥液自分支部30向回流配管32落下之抽吸裝置之一例。下降部32a朝回流配管32中之藥液流之下游向下方延伸。上升部31a朝供給配管31中之藥液流之下游向上方延伸。液體檢測感測器35安裝於上升部31a。上升部31a之上端部配置於較液體檢測感測器35更靠上方。 圖5係表示流量調整閥41A之鉛直剖面之模式性剖視圖。噴出閥34係圖5所示之流量調整閥41A。圖5所示之流量調整閥41A係針閥。流量調整閥41A之種類亦可為除此以外者。 流量調整閥41A包含:閥主體42,其形成供藥液流通之內部流路42a;及閥體43,其配置於內部流路42a內。於圖5所示之例中,閥體43係針。閥體43包含:環狀部43a,其與設置於內部流路42a之環狀閥座44接觸;及圓錐部43b,其與閥座44同軸。流量調整閥41A進而包含使閥體43於全開位置(圖5中實線所示之位置)與關閉位置(圖5中兩點鏈線所示之位置)之間移動之閥致動器45。 閥致動器45使閥體43於全開位置至關閉位置之可動範圍內之任意位置靜止。全開位置係閥體43與閥座44分開之位置。關閉位置係藉由閥體43與閥座44之接觸而將內部流路42a封堵之位置。全開位置係流量調整閥41A之開度最大之位置。關閉位置係流量調整閥41A之開度最小(為零)之位置。 於自全開位置至關閉位置之可動範圍內,包含高流量位置及低流量位置。高流量位置及低流量位置均為閥體43與閥座44分開之打開位置。將閥體43配置於高流量位置時之流量調整閥41A之開度大於將閥體43配置於低流量位置時之流量調整閥41A之開度。高流量位置亦可為全開位置。低流量位置為藥液以低流量通過流量調整閥41A之慢漏(slowleak)位置。 圖5所示之閥致動器45例如為藉由電力使閥體43動作之電動致動器。閥致動器45包含:電動馬達52,其產生使閥體43於閥體43之軸向上移動之力;及運動轉換機構53,其將電動馬達52之旋轉轉換為閥體43朝閥體43之軸向之直線運動。閥體43對應於電動馬達52之旋轉而於閥體43之軸向上移動。電動馬達52之旋轉角由控制裝置3加以控制。 若電動馬達52沿正轉方向旋轉則閥體43之環狀部43a靠近閥座44。若電動馬達52沿反轉方向旋轉則閥體43之環狀部43a遠離閥座44。閥體43之圓錐部43b與閥座44之間之環狀空間之面積隨著閥體43之移動而增加或減少。藉此,流量調整閥41A之開度得以變更。又,若閥體43配置於關閉位置,從而閥體43之環狀部43a壓抵於閥座44,則內部流路42a被封堵,流量調整閥41A被關閉。 圖6係表示開閉閥41B之鉛直剖面之模式性剖視圖。噴出閥34亦可為圖6所示之開閉閥41B。開閉閥41B例如為隔膜閥。開閉閥41B之種類亦可為除此以外者。 開閉閥41B包含:閥主體42,其形成供藥液流通之內部流路42a;及閥體43,其配置於內部流路42a內。於圖6所示之例中,閥體43係隔膜。閥體43包含環狀部43a,該環狀部43a與設置於內部流路42a之環狀閥座44相對。開閉閥41B進而包含使閥體43於上述高流量位置與低流量位置(圖6中實線表示之位置)之間移動之閥致動器45。高流量位置係開閉閥41B之開度最大之全開位置。 圖6所示之閥致動器45例如為藉由空氣壓使閥體43動作之空氣壓致動器。閥致動器45包含與閥體43一同動作之桿46、環繞桿46之汽缸47、及將汽缸47之內部分隔為第1室與第2室之活塞48。閥致動器45進而包含:彈簧49,其藉由將活塞48朝閥體43按壓而產生使桿46及閥體43向關閉位置移動之力;第1埠51,其連接於第1室;及第2埠51,其連接於第2室。彈簧49配置於第1室。 閥體43被彈簧49之力朝閥座44按壓。若藉由空氣壓之供給而使第2室之氣壓高於第1室之氣壓,則活塞48朝第1室、亦即與閥體43分開之方向移動。藉此,閥體43遠離閥座44,開閉閥41B之開度增加。若使第2室之氣壓降低,則活塞48於彈簧49之力下朝閥體43返回。藉此,閥體43返回至低流量位置,開閉閥41B之開度減少。 藥液係藉由循環泵27之供給壓而被輸送至藥液噴嘴21。視循環泵27之形式,有時會產生供給壓變動之律動。於該情形時,自藥液噴嘴21噴出之藥液之流量可能會變動。於噴出閥34為圖5所示之流量調整閥41A之情形時,藉由對應於循環泵27之律動而變更噴出閥34之開度,可降低供給至藥液噴嘴21之藥液之流量之變動。於將流量調整閥41A設置於例如回流配管32而非設置於共通配管29之情形時,無法獲得此種效果或此種效果降低。因此,藉由將噴出閥34設置於共通配管29,可使自藥液噴嘴21噴出之藥液之流量穩定。 圖7係表示縮小部37A之剖面之模式性剖視圖。圖7之左側表示與藥液流動方向正交之剖面,圖7之右側表示沿著包含縮小部37A中心線之切斷面之剖面。圖8係表示孔口構件37B之剖面之模式性剖視圖。圖8之左側表示沿藥液流動方向觀察孔口構件37B之圖,圖8之右側表示沿著包含孔口構件37B中心線之切斷面之剖面。 節流裝置36可為圖7所示之縮小部37A,亦可為圖8所示之孔口構件37B。圖7所示之縮小部37A之內徑隨著朝向供給配管31中之藥液流之下游而連續地變細。縮小部37A之內徑亦可階段性地變細。圖5所示之孔口構件37B具有1個以上貫通孔37a,該等貫通孔37a於孔口構件37B之厚度方向、即藥液流動方向上貫通孔口構件37B。圖5示出了複數個貫通孔37a設置於孔口構件37B,且於藥液流動方向上觀察貫通孔37a為六角形之例。 複數個節流裝置36分別設置於複數個回流配管32。節流裝置36藉由減少回流配管32之流路面積而增加回流配管32中之壓力損失。節流裝置36儘管可減少回流配管32之流路面積,但不會將回流配管32完全封堵。因此,藥液可始終通過節流裝置36。回流配管32中之壓力損失大於供給配管31中之壓力損失。 圖9係表示執行藥液之噴出時之藥液供給裝置23之模式圖。圖10係表示停止藥液之噴出時之藥液供給裝置23之模式圖。圖11係表示噴出閥34之閥體43位置及供給至分支部30之藥液流量之經時變化的曲線圖。 於使藥液噴嘴21噴出藥液時,控制裝置3藉由使噴出閥34之閥體43自噴出停止位置移動至噴出執行位置,而將噴出閥34自噴出停止狀態切換為噴出執行狀態。於噴出閥34為流量調整閥41A之情形時,噴出執行位置為全開位置或高流量位置,噴出停止位置為低流量位置。於噴出閥34為開閉閥41B之情形時,噴出執行位置為高流量位置,噴出停止位置為低流量位置。 如圖9所示,若將噴出閥34之閥體43配置於噴出執行位置(圖11之時刻T1),則自共通配管29供給至分支部30之藥液之一部分流向回流配管32。供給至分支部30之剩餘藥液自分支部30流向供給配管31。如圖11所示,其原因在於,自共通配管29供給至分支部30之藥液之流量(供給流量)大於自分支部30流向回流配管32之藥液之流量(抽吸流量)的最大值。供給至藥液噴嘴21之藥液之流量為供給流量減去抽吸流量所得之值。 如圖10所示,若將噴出閥34之閥體43配置於噴出停止位置(圖11之時刻T2),則自共通配管29供給至分支部30之藥液之全部或幾乎全部供給至回流配管32。如圖11所示,其原因在於,自共通配管29供給至分支部30之藥液之流量(供給流量)小於自分支部30流向回流配管32之藥液之流量(抽吸流量)之最大值。即便假設一部分藥液自分支部30流向供給配管31,該藥液亦不會到達液體檢測感測器35。 於將噴出閥34之閥體43配置於噴出執行位置時,藥液噴嘴21及供給配管31之內部會被自分支部30供給之藥液充滿。同樣地,回流配管32之內部會被自分支部30供給之藥液充滿。回流配管32之排液口32p配置於較藥液噴嘴21之噴出口21a更靠下方。若將噴出閥34之閥體43配置於噴出停止位置,則殘留於藥液噴嘴21及供給配管31之藥液會基於虹吸原理而向回流配管32逆流,從而排出至回流配管32。藉此,可抑制或防止滴漏之發生。 如上所述,液體檢測感測器35對在供給配管31之上升部31a內之檢測位置是否存在藥液進行檢測。於停止藥液之噴出時,上升部31a內之檢測位置(液體檢測感測器35檢測有無藥液之位置)成為空閒。又,於執行藥液之噴出時,上升部31a被藥液充滿。於停止藥液之噴出後,殘留於上升部31a之藥液於因自共通配管29流向回流配管32之藥液而產生之抽吸力及重力下流向回流配管32,上升部31a內之檢測位置成為空閒。 若發生藥液之噴出被停止後藥液仍自共通配管29向供給配管31供給之異常,則藥液之液面於上升部31a中上升,上升部31a被藥液充滿。藉由對在上升部31a中有無藥液進行檢測,可檢測出此種異常。又,可確認到於執行藥液之噴出時藥液供給到了供給配管31。進而,可確認到於停止藥液之噴出後供給配管31成為了空閒。 液體檢測感測器35之檢測值被輸入至控制裝置3。於發生上述異常時,控制裝置3可使警報裝置39(參照圖1)產生警報,而將異常通知給基板處理裝置1之管理者。警報裝置39可為顯示訊息之顯示裝置,亦可為發出警報音之聲音產生裝置,還可為使用訊息、音、及光中之兩者以上而通知異常之裝置。 又,於發生上述異常時,控制裝置3亦可使循環泵27停止藥液之輸送。於噴出閥34為圖5所示之流量調整閥41A之情形時,在發生上述異常時,控制裝置3亦可除停止送液之外、或取代停止送液,而使噴出閥34之閥體43移動至關閉位置。藉此,藥液自共通配管29向分支部30之供給得以停止,故可防止藥液之噴出被停止後藥液仍自藥液噴嘴21噴出。 如上所述,於第1本實施形態中,應供給至藥液噴嘴21之藥液被自共通配管29導引至分支部30。自分支部30供給至供給配管31之藥液被自藥液噴嘴21噴出,而供給至基板W。藉此,基板W得以處理。另一方面,自分支部30供給至回流配管32之藥液藉由回流配管32而被導引至回收機構或排液機構。 自共通配管29供給至分支部30之藥液朝回流配管32落下。自共通配管29供給至分支部30之藥液之流量由噴出閥34加以變更。噴出閥34藉由使閥體43於噴出執行位置與噴出停止位置之間移動而對自共通配管29供給至分支部30之藥液之流量進行變更。藉此,切換藥液向供給配管31之供給狀態。 具體而言,在閥體43配置於噴出執行位置時,自共通配管29供給至分支部30之藥液之流量大於自分支部30向回流配管32流動之藥液之流量的最大值。因此,供給至分支部30之藥液之一部分被供給至回流配管32,供給至分支部30之剩餘藥液被供給至供給配管31。藉此,藥液自藥液噴嘴21噴出,而供給至基板W。 另一方面,在閥體43配置於噴出停止位置時,自共通配管29供給至分支部30之藥液之流量為自分支部30向回流配管32流動之藥液之流量的最大值以下。因此,供給至分支部30之藥液之全部或幾乎全部被供給至回流配管32。即便假設一部分藥液自分支部30流向供給配管31,該藥液亦不會到達藥液噴嘴21。因此,不會自藥液噴嘴21噴出藥液。 如此,自藥液噴嘴21之藥液之噴出執行及噴出停止並非是藉由利用開閉閥將供給配管31打開或關閉而加以切換,而是藉由對設置於共通配管29之噴出閥34之開度進行變更而加以切換。使自藥液噴嘴21之藥液之噴出停止之噴出停止位置為閥體43與閥座44分開之位置。因此,與利用開閉閥將供給配管31打開或關閉之情形時相比,供給至藥液噴嘴21之藥液中所含之異物之量較少。藉此,可抑制或防止藥液中所含之異物污染基板W,從而可提高基板W之潔淨度。實際上,確認到殘留於處理完畢之基板W之微粒之數量減少。 進而,由於供給配管31及回流配管32始終打開,故於回流配管32產生之抽吸力經由分支部30而傳遞至供給配管31。自藥液噴嘴21之藥液之噴出剛剛停止而尚殘留於藥液噴嘴21及供給配管31之藥液會於該抽吸力下被朝回流配管32抽吸,而流向回流配管32(回吸)。藉此,可減少殘留於藥液噴嘴21及供給配管31之藥液量。其結果,可抑制或防止滴漏之發生。 此外,回流配管32並非是利用開閉閥加以打開或關閉而是始終打開。於在要使藥液噴嘴21噴出藥液時利用開閉閥將回流配管32關閉之情形時,有回流配管32內之藥液逆流而被供給至供給配管31之虞。於該情形時,包含在開閉閥產生之微粒之藥液會自藥液噴嘴21噴出。因此,藉由將回流配管32維持為始終打開之狀態,可防止此種藥液之逆流,從而可減少藥液中所含之異物量。 於第1本實施形態中,供給配管31自分支部30向上方延伸,故藥液難以自分支部30流向供給配管31。與此相反,回流配管32自分支部30向下方延伸,故藥液容易自分支部30流向回流配管32。自共通配管29供給至分支部30之藥液於重力下欲流向回流配管32。因此,可抑制或防止如下情況:於停止自藥液噴嘴21之藥液之噴出時,藥液自分支部30流向供給配管31,而自藥液噴嘴21噴出藥液。 於第1本實施形態中,分支部30配置於流體盒4內,且靠近藥液噴嘴21。因此,自分支部30向藥液噴嘴21延伸之供給配管31得以縮短。藉此,殘留於供給配管31之藥液量減少,故可減少將供給配管31內之藥液抽吸至回流配管32後殘留於供給配管31內之藥液量。藉此,可抑制或防止滴漏之發生。 於第1本實施形態中,要供給至藥液噴嘴21之藥液於供給配管31之上游即被加熱。於停止藥液之噴出時,藥液並不自共通配管29供給至供給配管31,而是自共通配管29供給至回流配管32。此時,供給配管31之溫度成為室溫或室溫附近之溫度。因此,於開始藥液之噴出後,藥液之溫度立即會於供給配管31或藥液噴嘴21中發生變化。 藉由縮短供給配管31,可降低供給配管31中之藥液之溫度變化。分支部30配置於流體盒4內,且靠近藥液噴嘴21。因此,自分支部30向藥液噴嘴21延伸之供給配管31得以縮短。藉此,可降低供給配管31中之藥液之溫度變化。因此,可一開始便將與所期望之溫度接近之藥液供給至基板W。 於第1本實施形態中,回流配管32之流路面積減少,回流配管32中之壓力損失增加,故會對欲自分支部30向回流配管32流動之藥液施加阻力。因此,若抽吸裝置之抽吸力固定,則自分支部30流向回流配管32之藥液之流量減少。於將回流配管32內之藥液導引至排液機構之情形時,可減少藥液之消耗量。 第2實施形態 圖12係表示本發明之第2實施形態之藥液供給裝置23之模式圖。於圖12中,關於與上述圖1至圖11所示之構成相同之構成,標註與圖1等相同之參照符號並省略相關說明。 於第2實施形態中,吸出器61及回收配管62設置於基板處理裝置1,上述吸出器61係利用文氏效應自分支部30抽吸回流配管32中之藥液者,上述回收配管62係將被吸出器61抽吸之藥液導引至供給箱24者。 圖12示出了回收箱63、回收泵64、及回收過濾器65設置於基板處理裝置1之例,上述回收箱63係將被吸出器61抽吸之藥液於供給箱24之上游加以貯存者,上述回收泵64係將回收箱63內之藥液輸送至供給箱24者,上述回收過濾器65係於吸出器61與供給箱24之間將異物自藥液去除者。於圖12所示之例之情形時,回收配管62包含:上游回收配管62u,其將藥液自吸出器61導引至回收箱63;及下游回收配管62d,其將藥液自回收箱63導引至供給箱24。 吸出器61包含供給流體之供給口、排出流體之排出口、及抽吸流體之抽吸口。供給氣體或液體等流體之流體配管66連接於吸出器61之供給口。上游回收配管62u連接於吸出器61之排出口。回流配管32連接於吸出器61之抽吸口。若自流體配管66供給之流體自供給口流向排出口,則於抽吸口產生抽吸流體之抽吸力。藉此,產生將藥液自分支部30抽吸至回流配管32之抽吸力。 於第2實施形態中,除第1實施形態之作用效果外,可發揮如下作用效果。具體而言,與第1實施形態中分支部30配置於流體盒4之情況相對地,第2實施形態中分支部30配置於腔室6內。因此,自分支部30向藥液噴嘴21延伸之供給配管31進一步縮短。藉此,殘留於供給配管31之藥液量減少,故可減少將供給配管31內之藥液抽吸至回流配管32後殘留於供給配管31內之藥液量。藉此,可更確實地抑制或防止滴漏之發生。 第3實施形態 圖13係表示本發明之第3實施形態之藥液供給裝置之模式圖。於圖13至圖15中,關於與上述圖1至圖12所示之構成相同之構成,標註與圖1等相同之參照符號並省略相關說明。 第3實施形態相對於第1實施形態之主要不同點在於,在複數個供給配管31設置有複數個常開閥71。複數個常開閥71分別對應於複數個噴出閥34。常開閥71除所對應之噴出閥34發生異常時以外始終打開。因此,除異常時以外,不會因常開閥71之閥體與閥座之接觸而產生異物,亦不會有該異物與藥液一同自藥液噴嘴21噴出之情況。 常開閥71為空壓式開閉閥。常開閥71亦可為電動閥。雖未圖示,但常開閥71包含:閥主體,其包含環繞供藥液流通之內部流路之環狀閥座;閥體,其配置於內部流路,能夠相對於閥座而移動;及閥致動器,其使閥體於閥體與閥座分開之打開位置和閥體與閥座接觸之關閉位置之間移動。 其次,對檢測噴出閥34之異常之異常檢測流程進行說明。 圖14係表示檢測到異常發生時之處理流程之流程圖,上述異常係指自藥液噴嘴21之藥液之噴出被停止後藥液仍自藥液噴嘴21連續地噴出。圖15係表示對於同一塔中所包含之3個處理單元2,使1個處理單元2中之藥液噴出停止,執行剩餘2個處理單元2中之藥液噴出時的藥液供給裝置之模式圖。於以下說明中,「噴出停止流量」表示將噴出閥34之閥體43(參照圖5及圖6)配置於噴出停止位置時通過噴出閥34之藥液之流量。以下,參照圖14及圖15。 控制裝置3對作為異常檢測器之一例之流量計33之檢測值進行監控(圖14之步驟S11)。於流量計33之檢測值為噴出停止流量以下之情形時(圖14之步驟S11中為否),控制裝置3於經過一定時間後再次對流量計33之檢測值進行確認。於流量計33之檢測值大於噴出停止流量之情形時(圖14之步驟S11中為是),控制裝置3對噴出閥34是否為噴出停止狀態進行確認(圖14之步驟S12)。即,對剛剛輸入至噴出閥34之指令是否為使噴出閥34之閥體43移動至噴出停止位置之噴出停止指令進行確認。 於儘管剛剛輸入至噴出閥34之指令為噴出停止指令,但流量計33之檢測值超出噴出停止流量之情形時,認為是因噴出閥34之異常,而導致噴出閥34之閥體43未到達噴出停止位置。因此,於剛剛輸入至噴出閥34之指令為噴出停止指令之情形時(圖14之步驟S12中為是),控制裝置3判定噴出閥34發生了異常。於剛剛輸入至噴出閥34之指令並非噴出停止指令之情形時,亦即,為使噴出閥34之閥體43移動至噴出執行位置之噴出執行指令之情形時(圖14之步驟S12中為否),控制裝置3於經過一定時間後再次對流量計33之檢測值進行確認(返回至圖14之步驟S11)。 於控制裝置3判定噴出閥34發生了異常之情形時(圖14之步驟S12中為是),控制裝置3將與發生了異常之噴出閥34對應之常開閥71關閉(圖14之步驟S13)。藉此,可防止自與發生了異常之噴出閥34對應之藥液噴嘴21噴出藥液。進而,控制裝置3使警報裝置39(參照圖1)產生警報,而將噴出閥34發生了異常之訊息通知給基板處理裝置1之使用者(圖14之步驟S14)。警報之產生可為將常開閥71關閉之前或之後,亦可為與關閉常開閥71同時。 圖15示出了與同一塔中所包含之3個處理單元2對應之3個噴出閥34中,僅1個噴出閥34發生了異常之例。於該例之情形時,控制裝置3可維持僅將1個常開閥71(圖15中最上方之常開閥71)關閉,而將剩餘2個常開閥71打開之狀態。但並不限於此,控制裝置3亦可將3個常開閥71關閉。 控制裝置3於判定噴出閥34發生了異常後,對是否殘留有應以自與發生了異常之噴出閥34對應之藥液噴嘴21噴出之藥液進行處理之基板W進行確認(圖14之步驟S15)。於未殘留應處理之基板W,亦即於收容與發生了異常之噴出閥34對應之藥液噴嘴21之腔室6(以下,稱之為「異常腔室6」)內無基板W,亦無應搬入至該異常腔室6之基板W之情形時(圖14之步驟S15中為否),控制裝置3使異常檢測流程結束。 於殘留有應處理之基板W之情形時(圖14之步驟S15中為是),控制裝置3禁止將基板W搬入至異常腔室6(圖14之步驟S16)。又,於異常腔室6內殘留有基板W之情形時(圖14之步驟S15中為是),控制裝置3不執行沖洗液供給製程(圖3之步驟S3)及乾燥製程(圖3之步驟S4),或於執行沖洗液供給製程及乾燥製程中之至少一者後,使中心機器人CR將基板W搬出。 如此,若任一噴出閥34發生異常,則將與該噴出閥34對應之常開閥71關閉,使自與該噴出閥34對應之藥液噴嘴21之藥液之噴出停止。因此,可防止將過剩之藥液供給至基板W,或腔室6之內部及外部被藥液環境污染。進而,於常開閥71關閉後,不再徒勞地進行藥液之噴出,故可減少藥液之浪費。 於第3實施形態中,除第1實施形態之作用效果之外,可發揮以下作用效果。具體而言,控制裝置3根據複數個流量計33之檢測值而監控複數個噴出閥34之異常。若任一噴出閥34發生異常,則控制裝置3將與發生了異常之噴出閥34對應之常開閥71關閉,使自供給配管31向藥液噴嘴21之藥液之供給停止。因此,即便噴出閥34發生了異常,亦可使自藥液噴嘴21之藥液之噴出確實地停止。 進而,只要將與發生了異常之噴出閥34對應之常開閥71關閉即可,剩餘常開閥71可不予關閉,故亦可不使與同一循環泵27對應之全部藥液噴嘴21停止藥液之噴出。亦即,即便任一噴出閥34發生了異常,亦可繼續基板W之處理。藉此,既可抑制產出量(每單位時間之基板W之處理片數)之降低,又可防止計劃外之藥液之噴出。 其他實施形態 本發明並不限定於上述實施形態之內容,而可進行各種變更。 例如,貯存於供給箱24之液體並不限於藥液,亦可為沖洗液等其他液體。 液體檢測感測器35亦可對在除上升部31a以外之供給配管31之一部分是否存在藥液進行檢測。若無需液體檢測感測器35,則亦可省略液體檢測感測器35(參照圖12)。同樣地,亦可省略循環加熱器26、流量計33、及節流裝置36中之至少一者。 若無需關閉流量調整閥41A,則亦可自閥體43省略環狀部43a。 供給配管31亦可不自分支部30向上方延伸(參照圖12)。同樣地,於吸出器61或抽吸泵等抽吸裝置連接於回流配管32之情形時,回流配管32亦可不自分支部30向下方延伸。 於第2實施形態中,亦可省略回收箱63、回收泵64、及回收過濾器65中之至少一者。例如,於以使回收箱63內之藥液藉由自重而流向供給箱24之方式將回收箱63配置於較供給箱24更靠上方之情形時,亦可省略回收泵64。 基板處理裝置1並不限於對圓板狀之基板W進行處理之裝置,亦可為對多角形之基板W進行處理之裝置。 亦可將上述全部構成之兩者以上加以組合。 本申請案對應於2017年2月22日向日本專利廳提出之日本專利特願2017-031485號、及2017年10月26日向日本專利廳提出之日本專利特願2017-207355號,上述申請案之全部揭示內容以引用之方式併入本文。 已對本發明之實施形態詳細地進行了說明,但其等僅為用以明確本發明之技術內容之具體例,本發明不應限定於該等具體例而加以解釋,本發明之精神及範圍僅藉由隨附之申請專利範圍加以限定。
1‧‧‧基板處理裝置
1a‧‧‧外壁
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
3m‧‧‧記憶部
3p‧‧‧運算部
4‧‧‧流體盒
5‧‧‧藥液櫃
6‧‧‧腔室
7‧‧‧FFU
8‧‧‧間隔壁
9‧‧‧擋門
10‧‧‧旋轉夾盤
11‧‧‧夾盤銷
12‧‧‧旋轉基座
13‧‧‧旋轉馬達
14‧‧‧承杯
14a‧‧‧傾斜部
14b‧‧‧導引部
14c‧‧‧受液部
15‧‧‧承杯升降單元
16‧‧‧沖洗液噴嘴
17‧‧‧沖洗液配管
18‧‧‧沖洗液閥
21‧‧‧藥液噴嘴
21a‧‧‧噴出口
22‧‧‧噴嘴移動單元
23‧‧‧藥液供給裝置
24‧‧‧供給箱
25‧‧‧循環配管
26‧‧‧循環加熱器
27‧‧‧循環泵
28‧‧‧循環過濾器
29‧‧‧共通配管
29a‧‧‧水平部
30‧‧‧分支部
31‧‧‧供給配管
31a‧‧‧上升部
32‧‧‧回流配管
32a‧‧‧下降部
32p‧‧‧排液口
33‧‧‧流量計
34‧‧‧噴出閥
35‧‧‧液體檢測感測器
36‧‧‧節流裝置
37A‧‧‧縮小部
37B‧‧‧孔口構件
37a‧‧‧貫通孔
39‧‧‧警報裝置
41A‧‧‧流量調整閥
41B‧‧‧開閉閥
42‧‧‧閥主體
42a‧‧‧內部流路
43‧‧‧閥體
43a‧‧‧環狀部
43b‧‧‧圓錐部
44‧‧‧閥座
45‧‧‧閥致動器
46‧‧‧桿
47‧‧‧汽缸
48‧‧‧活塞
49‧‧‧彈簧
51‧‧‧第1埠
51‧‧‧第2埠
52‧‧‧電動馬達
53‧‧‧運動轉換機構
61‧‧‧吸出器
62‧‧‧回收配管
62u‧‧‧上游回收配管
62d‧‧‧下游回收配管
63‧‧‧回收箱
64‧‧‧回收泵
65‧‧‧回收過濾器
66‧‧‧流體配管
71‧‧‧常開閥
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧揺動軸線
C‧‧‧載體
CR‧‧‧中心機器人
IR‧‧‧分度機器人
LP‧‧‧負載埠
S1‧‧‧步驟
S2‧‧‧步驟
S3‧‧‧步驟
S4‧‧‧步驟
S5‧‧‧步驟
S11‧‧‧步驟
S12‧‧‧步驟
S13‧‧‧步驟
S14‧‧‧步驟
S15‧‧‧步驟
S16‧‧‧步驟
W‧‧‧基板
圖1係自上方觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置之模式圖。 圖2係水平地觀察處理單元之內部之模式圖。 圖3係用以對藉由基板處理裝置而執行之基板之處理之一例進行說明之製程圖。 圖4係表示本發明之第1實施形態之藥液供給裝置之模式圖。 圖5係表示流量調整閥之鉛直剖面之模式性剖視圖。 圖6係表示開閉閥之鉛直剖面之模式性剖視圖。 圖7係表示縮小部之剖面之模式性剖視圖。圖7之左側表示與藥液流動方向正交之剖面,圖7之右側表示沿著包含縮小部中心線之切斷面之剖面。 圖8係表示孔口構件之剖面之模式性剖視圖。圖8之左側表示沿藥液流動方向觀察孔口構件之圖,圖8之右側表示沿著包含孔口構件中心線之切斷面之剖面。 圖9係表示執行藥液之噴出時之藥液供給裝置之模式圖。 圖10係表示停止藥液之噴出時之藥液供給裝置之模式圖。 圖11係表示噴出閥之閥體位置及供給至分支部之藥液流量之經時變化的曲線圖。 圖12係表示本發明之第2實施形態之藥液供給裝置之模式圖。 圖13係表示本發明之第3實施形態之藥液供給裝置之模式圖。 圖14係表示檢測到異常發生時之處理流程之流程圖,上述異常係指自藥液噴嘴之藥液之噴出被停止後藥液仍自藥液噴嘴連續地噴出。 圖15係表示對於同一塔中所包含之3個處理單元,使1個處理單元中之藥液之噴出停止,執行剩餘2個處理單元中之藥液之噴出時的藥液供給裝置之模式圖。

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置,其具備: 基板保持單元,其保持基板; 噴嘴,其朝保持於上述基板保持單元之基板噴出處理液; 送液裝置,其輸送要對保持於上述基板保持單元之基板供給之處理液; 共通配管,其始終打開以供處理液流通,且對藉由上述送液裝置輸送而至之處理液進行導引; 分支部,其連接於上述共通配管; 供給配管,其始終打開以供處理液流通,且將藉由上述共通配管導引而至之處理液自上述分支部導引至上述噴嘴; 回流配管,其始終打開以供處理液流通,且將藉由上述共通配管導引而至之處理液自上述分支部沿著與上述供給配管不同之路徑導引; 抽吸裝置,其自上述分支部向上述回流配管抽吸處理液;及 噴出閥,其設置於上述共通配管,對自上述共通配管供給至上述分支部之處理液之流量進行變更;且 上述噴出閥包含: 閥主體,其包含環繞供處理液流通之內部流路之環狀閥座; 閥體,其配置於上述內部流路,能夠相對於上述閥座而移動;及 閥致動器,其使上述閥體於包含噴出執行位置與噴出停止位置之複數個位置靜止,上述噴出執行位置係上述閥體與上述閥座分開,且以大於抽吸流量之最大值之流量將處理液自上述共通配管供給至上述分支部,其中上述抽吸流量係表示於上述抽吸裝置之抽吸力下自上述分支部向上述回流配管流動之處理液之流量;上述噴出停止位置係上述閥體與上述閥座分開,且以上述抽吸流量之最大值以下之流量將處理液自上述共通配管供給至上述分支部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置,其中 上述供給配管包含自上述分支部向上方延伸之上升部,且 上述回流配管包含自上述分支部向下方延伸之下降部。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中 上述基板處理裝置進而具備:腔室,其收容上述基板保持單元;及流體盒,其配置於上述腔室之側方;且 上述分支部配置於上述腔室或流體盒內。
  4. 如請求項3之基板處理裝置,其進而具備溫度調節器,該溫度調節器藉由加熱及冷卻中之至少一者而於上述供給配管之上游變更要供給至上述噴嘴之處理液之溫度。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置,其進而具備節流裝置,該節流裝置藉由減少上述回流配管之流路面積而增加上述回流配管中之壓力損失。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中 上述供給配管包含於處理液流之下游向上方延伸之上升部,且 上述基板處理裝置進而具備對在上述上升部是否存在處理液進行檢測之液體檢測感測器。
  7. 如請求項6之基板處理裝置,其中 上述基板處理裝置進而具備控制裝置,若上述液體檢測感測器於上述噴出閥之閥體配置於上述噴出停止位置時,檢測出於上述上升部存在處理液,則該控制裝置使上述送液裝置停止處理液之輸送。
  8. 如請求項6之基板處理裝置,其中 上述噴出閥之閥致動器係使上述閥體於上述閥體與上述閥座分開之打開位置至上述閥體與上述閥座接觸之關閉位置之範圍內之任意位置靜止之電動致動器, 上述噴出執行位置及噴出停止位置係上述打開位置至上述關閉位置之範圍內之位置, 上述基板處理裝置進而具備控制裝置,若上述液體檢測感測器於上述噴出閥之閥體配置於上述噴出停止位置時,檢測出於上述上升部存在處理液,則該控制裝置使上述電動致動器將上述閥體移動至上述關閉位置,藉此使處理液於上述共通配管中之流動停止。
  9. 如請求項1或2之基板處理裝置,其進而具備: 常開閥,其設置於上述供給配管,於除上述噴出閥發生異常時以外始終打開; 異常檢測器,其檢測上述噴出閥之異常;及 控制裝置,其根據上述異常檢測器之檢測值而對上述噴出閥是否發生了上述異常進行判定,於判定發生了上述異常時,關閉上述常開閥。
  10. 一種基板處理裝置,其具備: 複數個基板保持單元,其等將複數個基板分別加以保持; 複數個噴嘴,其等與上述複數個基板保持單元一一對應,朝保持於上述複數個基板保持單元之複數個基板噴出處理液; 送液裝置,其輸送要對保持於上述複數個基板保持單元之複數個基板供給之處理液; 複數個共通配管,其等與上述複數個噴嘴一一對應,始終打開以供處理液流通,且對藉由上述送液裝置輸送而至之處理液進行導引; 複數個分支部,其等與上述複數個共通配管分別連接; 複數個供給配管,其等與上述複數個共通配管一一對應,始終打開以供處理液流通,且將藉由上述複數個共通配管導引而至之處理液自上述複數個分支部導引至上述複數個噴嘴; 複數個回流配管,其等與上述複數個共通配管一一對應,始終打開以供處理液流通,且將藉由上述複數個共通配管導引而至之處理液自上述複數個分支部沿著與上述複數個供給配管不同之路徑導引; 至少一個抽吸裝置,其自上述複數個分支部向上述複數個回流配管抽吸處理液; 複數個噴出閥,其等分別設置於上述複數個共通配管,對自上述複數個共通配管供給至上述複數個分支部之處理液之流量進行變更; 複數個常開閥,其等分別設置於上述複數個供給配管,於除上述複數個噴出閥發生異常時以外始終打開; 複數個異常檢測器,其等與上述複數個噴出閥一一對應,檢測上述複數個噴出閥之異常;及 控制裝置,其根據上述複數個異常檢測器之檢測值而對上述複數個噴出閥中之至少一者是否發生了上述異常進行判定,於判定發生了上述異常時,關閉上述複數個常開閥中之至少一者;且 上述複數個噴出閥之各者包含: 閥主體,其包含環繞供處理液流通之內部流路之環狀閥座; 閥體,其配置於上述內部流路,能夠相對於上述閥座而移動;及 閥致動器,其使上述閥體於包含噴出執行位置與噴出停止位置之複數個位置靜止,上述噴出執行位置係上述閥體與上述閥座分開,且以大於抽吸流量之最大值之流量將處理液自上述共通配管供給至上述分支部,其中上述抽吸流量係表示於上述抽吸裝置之抽吸力下自上述分支部向上述回流配管流動之處理液之流量;上述噴出停止位置係上述閥體與上述閥座分開,且以上述抽吸流量之最大值以下之流量將處理液自上述共通配管供給至上述分支部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115069640A (zh) * 2022-06-14 2022-09-20 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 一种用于化学机械抛光工艺的清洗系统

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7312304B2 (ja) * 2018-09-21 2023-07-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、及び基板処理方法
JP7132054B2 (ja) * 2018-09-21 2022-09-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、及び基板処理方法
CN111326437B (zh) * 2018-12-14 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 喷淋装置、半导体加工设备以及清洗方法
KR102346529B1 (ko) * 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
JP7487006B2 (ja) 2020-05-19 2024-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP2023007053A (ja) * 2021-07-01 2023-01-18 株式会社Sumco 洗浄装置、洗浄方法、ウェーハの洗浄方法、およびシリコンウェーハの製造方法
JP2023098079A (ja) * 2021-12-28 2023-07-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
KR102657375B1 (ko) * 2021-12-30 2024-04-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3990567B2 (ja) 2001-12-18 2007-10-17 大日本スクリーン製造株式会社 ダイヤフラムバルブ、基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP4247386B2 (ja) 2003-11-28 2009-04-02 旭有機材工業株式会社 流量調節弁
US8464736B1 (en) * 2007-03-30 2013-06-18 Lam Research Corporation Reclaim chemistry
JP5319942B2 (ja) 2008-03-18 2013-10-16 大日本スクリーン製造株式会社 ダイヤフラムバルブおよびこれを備えた基板処理装置
US8950414B2 (en) 2009-07-31 2015-02-10 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
KR101478859B1 (ko) * 2009-12-09 2015-01-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 이 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체
JP5753352B2 (ja) * 2010-07-20 2015-07-22 株式会社Screenホールディングス ダイヤフラムバルブおよびこれを備えた基板処理装置
WO2012049913A1 (ja) * 2010-10-14 2012-04-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法
TWI480937B (zh) * 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP5887089B2 (ja) 2011-09-14 2016-03-16 アドバンス電気工業株式会社 液体供給装置
JP5893592B2 (ja) * 2013-08-23 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
KR102049193B1 (ko) * 2014-03-10 2019-11-26 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 시스템 및 배관 세정 방법
JP6320805B2 (ja) 2014-03-17 2018-05-09 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置
JP6385714B2 (ja) 2014-05-16 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体
JP6439964B2 (ja) * 2014-09-17 2018-12-19 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6359925B2 (ja) * 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6553353B2 (ja) 2014-12-16 2019-07-31 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法及びその装置
JP6624599B2 (ja) * 2015-08-05 2019-12-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および処理液吐出方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115069640A (zh) * 2022-06-14 2022-09-20 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 一种用于化学机械抛光工艺的清洗系统

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Publication number Publication date
CN108461419A (zh) 2018-08-28
KR102104165B1 (ko) 2020-04-23
US20200290101A1 (en) 2020-09-17
JP2018137419A (ja) 2018-08-30
TWI664026B (zh) 2019-07-01
JP6975018B2 (ja) 2021-12-01
CN108461419B (zh) 2022-04-08
KR102141333B1 (ko) 2020-08-04
US11260436B2 (en) 2022-03-01
KR20200044753A (ko) 2020-04-29

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