CN108461419A - 基板处理装置 - Google Patents
基板处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108461419A CN108461419A CN201810083053.2A CN201810083053A CN108461419A CN 108461419 A CN108461419 A CN 108461419A CN 201810083053 A CN201810083053 A CN 201810083053A CN 108461419 A CN108461419 A CN 108461419A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid
- piping
- valve
- treatment fluid
- branch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B17/00—Methods preventing fouling
- B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
- B08B17/025—Prevention of fouling with liquids by means of devices for containing or collecting said liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/041—Cleaning travelling work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B2203/007—Heating the liquid
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及一种基板处理装置,具有:共用配管,向分支部引导处理液;供给配管,从分支部向药液喷嘴引导处理液;返回配管,沿着与供给配管不同的路径,从分支部引导处理液;喷出阀,变更从共用配管向分支部供给的处理液的流量。喷出阀使阀芯在包括喷出执行位置和喷出停止位置的多个位置静止,其中,所述喷出执行位置指,以大于吸引流量的最大值的流量,从共用配管向分支部供给处理液的位置,所述吸引流量表示,从分支部向返回配管侧流动的处理液的流量,所述喷出停止位置指,以吸引流量的最大值以下的流量,从共用配管向分支部供给处理液的位置。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于处理基板的基板处理装置。作为处理对象的基板,例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板,FED(Field Emission Display,场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中,利用用于处理半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等基板的基板处理装置。
JP2009222189A公开了将基板逐张地处理的单张式的基板处理装置。该基板处理装置具有:旋转卡盘,一边将基板保持为水平,一边使该基板旋转;处理液供给装置,向保持于旋转卡盘的基板供给处理液。处理液供给装置包括:喷嘴,朝向基板喷出处理液;供给配管,向喷嘴供给处理液;阀,安装于供给配管。在供给配管流动的处理液,通过打开阀来供给至喷嘴。由此,从喷嘴喷出处理液,并供给至基板。就阀而言,通过使阀芯与阀座接触来关闭阀,通过使阀芯与阀座分离来打开阀。
通过开闭阀,来切换来自喷嘴的处理液的喷出执行以及喷出停止。但是,当开闭阀时,阀芯与阀座摩擦。因此,在阀内产生微小的颗粒。阀内的颗粒会与处理液一起从喷嘴喷出。因此,包含颗粒的处理液供给至基板,从而使基板的洁净度下降。
发明内容
本发明的一实施方式提供一种基板处理装置,具有:基板保持单元,保持基板;喷嘴,向保持于所述基板保持单元的基板喷出处理液;送液装置,输送用于向保持于所述基板保持单元的基板供给的处理液;共用配管,所述共用配管始终打开以便使处理液流动,引导所述送液装置所输送的处理液;分支部,与所述共用配管连接;供给配管,所述供给配管始终打开以便使处理液流动,将所述共用配管所引导的处理液从所述分支部向所述喷嘴引导;返回配管,所述返回配管始终打开以便使处理液流动,将所述共用配管所引导的处理液,从所述分支部沿着与所述供给配管不同的路径引导;吸引装置,从所述分支部向所述返回配管侧吸引处理液;以及,喷出阀,设置于所述共用配管,变更从所述共用配管向所述分支部供给的处理液的流量。
所述喷出阀包括:阀体,包括环状的阀座,该阀座包围处理液流动的内部流路;阀芯,配置于所述内部流路,能够相对于所述阀座移动;以及,阀促动器,使所述阀芯在包括喷出执行位置和喷出停止位置的多个位置静止,所述喷出执行位置指,所述阀芯与所述阀座分离,且以大于吸引流量的最大值的流量从所述共用配管向所述分支部供给处理液的位置,所述吸引流量表示,借助所述吸引装置的吸引力从所述分支部向所述返回配管侧流动的处理液的流量,所述喷出停止位置指,所述阀芯与所述阀座分离,且以所述吸引流量的最大值以下的流量从所述共用配管向所述分支部供给处理液的位置。
根据该结构,从共用配管向分支部引导应该供给至喷嘴的处理液。从分支部向供给配管供给的处理液从喷嘴喷出,并供给至基板。由此,处理基板。另一方面,从分支部向返回配管供给的处理液,被返回配管引导于回收机构或者排液机构。
借助吸引装置的吸引力,将从共用配管向分支部供给的处理液吸引于返回配管侧。从共用配管向分支部供给的处理液的流量,通过喷出阀进行变更。喷出阀通过使阀芯在喷出执行位置和喷出停止位置之间移动,来变更从共用配管向分支部供给的处理液的流量。由此,切换向供给配管供给处理液的供给状态。
具体地说,在阀芯配置于喷出执行位置时,从共用配管向分支部供给的处理液的流量大于,从分支部向返回配管侧流动的处理液的流量的最大值。因此,向分支部供给的处理液的一部分供给至返回配管,向分支部供给的剩下的处理液供给至供给配管。由此,从喷嘴喷出处理液,并供给至基板。
另一方面,在阀芯配置于喷出停止位置时,从共用配管向分支部供给的处理液的流量为,从分支部向返回配管侧流动的处理液的流量的最大值以下。因此,向分支部供给的全部或者几乎所有的处理液供给至返回配管。假设一部分处理液从分支部向供给配管流动,该处理液也不会到达喷嘴。因此,不会从喷嘴喷出处理液。
这样,来自喷嘴的处理液的喷出执行以及喷出停止,并不是通过利用开闭阀开闭供给配管来进行切换,而是通过变更设置于共用配管的喷出阀的开度来进行切换。来自喷嘴的处理液的喷出停止的喷出停止位置为,阀芯与阀座分离的位置。因此,与利用开闭阀开闭供给配管的情况相比,供给至喷嘴的处理液所包含的异物的量变少。由此,能够抑制或者防止处理液所包含的异物污染基板的情况,能够提高基板的洁净度。
而且,供给配管以及返回配管始终打开,因此吸引装置的吸引力经由分支部传递至供给配管。在刚刚停止来自喷嘴的处理液的喷出之后,残留于喷嘴以及供给配管的处理液,借助该吸引力被吸引于返回配管侧,向返回配管流动(吸回(suck back))。由此,能够减少残留于喷嘴以及供给配管的处理液的量。结果,抑制或者防止发生如下现象(所谓的“滴落”),即,虽然喷嘴停止喷出处理液,但是从喷嘴断断续续地落下处理液的液滴。
而且,并不由开闭阀开闭返回配管,该返回配管始终打开。在使喷嘴喷出处理液时,由开闭阀关闭返回配管的情况下,存在返回配管内的处理液逆流,而供给至供给配管的担忧。此时,包含有开闭阀所产生的颗粒的处理液从喷嘴喷出。因此,通过维持返回配管始终打开的状态,能够防止这样的处理液的逆流,能够减少处理液中含有的异物的量。
此外,配管始终打开以便使处理液流动意味着,至少除了产生异常的情况之外,处理液都能够经过配管。只要除了产生异常的情况之外,始终打开即可,即,只要除了产生异常的情况之外,阀芯始终配置于除了关闭位置之外的位置即可,也可以在配管设置开闭阀或者流量调整阀,所述开闭阀指,使阀芯仅在阀芯与阀座分离的打开位置和阀芯与阀座接触的关闭位置静止的阀,所述流量调整阀指,使阀芯在3个以上的位置静止的阀。因此,也可以在共用配管、供给配管、返回配管中的至少一个,设置开闭阀以及流量调整阀中的至少一种。
异常指,虽然停止来自喷嘴的处理液的喷出,但是还是从喷嘴连续地喷出处理液的现象。除了产生所述异常的情况之外,共用配管、供给配管以及返回配管始终打开。滴落、即、虽然来自喷嘴的处理液的喷出停止,但是处理液的液滴还断断续续地从喷嘴落下的现象,并不属于该异常。即,在产生滴落时,共用配管、供给配管、返回配管维持打开的状态。
就吸引装置而言,可以是作为返回配管的一部分、且从分支部向下方延伸的下降部,可以是利用文丘里效果产生吸引力的抽吸器,可以是通过使转子等可动构件进行动作来产生吸引力的吸引泵,也可以具有上述结构中的两种以上。
在上述实施方式中,所述基板处理装置可追加地具有以下特征中的至少一个。
所述供给配管包括从所述分支部向上方延伸的上升部,所述返回配管包括从所述分支部向下方延伸的下降部。
根据该结构,供给配管从分支部向上方延伸,因此处理液难以从分支部向供给配管流动。相反地,返回配管从分支部向下方延伸,因此处理液容易地从分支部向返回配管流动。从共用配管向分支部供给的处理液,借助重力而要向返回配管流动。因此,能够抑制或者防止:在停止来自喷嘴的处理液的喷出时,处理液从分支部向供给配管流动并从喷嘴喷出的情况。
供给配管的上升部可以是铅垂的,也可以相对于水平面向倾斜方向延伸。同样地,返回配管的下降部可以是铅垂的,也可以相对于水平面向倾斜方向延伸。
所述基板处理装置还具有:腔室,容纳所述基板保持单元,以及,流体箱,配置于所述腔室的侧方;所述分支部配置于所述腔室或者流体箱内。
根据该结构,分支部配置于腔室或者流体箱内,接近喷嘴。因此,缩短从分支部向喷嘴延伸的供给配管。由此,减少残留于供给配管的处理液的量,因此能够减少在将供给配管内的处理液向返回配管吸引之后、残留于供给配管内的处理液的量。由此,能够抑制或者防止滴落的产生。
该基板处理装置还具有温度调节器,所述温度调节器执行加热以及冷却中的至少一种处理,在所述供给配管的上游变更向所述喷嘴供给的处理液的温度。
根据该结构,在供给配管的上游,对向喷嘴供给的处理液进行加热或者冷却。在停止喷出处理液时,处理液并不从共用配管向供给配管供给,而从共用配管向返回配管供给。此时,供给配管的温度为室温或者室温附近的温度。因此,在刚刚开始喷出处理液之后,处理液的温度在供给配管或喷嘴发生变化。
通过缩短供给配管,减少供给配管中的处理液的温度变化。分支部配置于腔室或者流体箱内,接近喷嘴。因此,缩短从分支部向喷嘴延伸的供给配管。由此,能够减少供给配管中的处理液的温度变化。因此,刚开始就能够向基板供给接近所希望的温度的处理液。
温度调节器可以是以高于室温(例如20℃~30℃)的温度加热处理液的加热器,也可以是以低于室温的温度冷却处理液的冷却器,也可以具有加热以及冷却的两种功能。另外,温度调节器可以设置于共用配管,也可以设置于罐、循环配管等配置于共用配管的上游的构件。
所述基板处理装置还具有节流装置,所述节流装置通过减小所述返回配管的流路面积,来使所述返回配管中的压力损失增加。
根据该结构,返回配管的流路面积变小,返回配管中的压力损失增加,因此对要从分支部向返回配管侧流动的处理液施加阻力。因此,在吸引装置的吸引力恒定时,从分支部向返回配管流动的处理液的流量减少。在返回配管内的处理液被排液机构引导的情况下,能够降低处理液的消耗量。
节流装置可包括缩小部和节流孔构件中的至少一个,其中,所述缩小部随着朝向处理液的流动的下游而变细,所述节流孔构件设置有用于使处理液经过的至少一个贯通孔。缩小部可以是具有随着朝向处理液的流动的下游而连续地减小的内径的筒状的锥形部,可以是具有随着朝向处理液的流动的下游而阶段性地减小的内径的筒状的段差部,也可以具有锥形部以及段差部这两者。流路面积指,液体流动的空间中的与液体流动的方向垂直的截面的面积。缩小部以及节流孔构件的流路面积恒定,与开度(流路面积)变化的流量调整阀不同。
所述供给配管包括向处理液的流动的下游侧并向上方延伸的上升部;所述基板处理装置还具有液体检测传感器,所述液体检测传感器检测所述上升部是否存在处理液。
根据该结构,通过液体检测传感器检测供给配管的上升部是否存在处理液。在停止喷出处理液时,上升部内的检测位置(液体检测传感器检测是否存在处理液的位置)变空。另外,在执行处理液的喷出时,上升部由处理液充满。在停止喷出处理液之后,残留于上升部的处理液,借助因从共用配管向返回配管流动的处理液而产生的吸引力和重力向返回配管流动,由此上升部内的检测位置变空。
当产生虽然停止喷出处理液但还是从共用配管向供给配管供给处理液的异常时,处理液的液面在上升部上升,上升部由处理液充满。通过检测上升部中是否存在处理液,能够检测这样的异常。另外,在执行处理液的喷出时,能够确认处理液供给至供给配管的情况。而且,在停止喷出处理液之后,能够确认供给配管变空的情况。
所述基板处理装置还包括控制装置,在所述喷出阀的阀芯配置于所述喷出停止位置的情况下,所述液体检测传感器检测到所述上升部存在处理液时,所述控制装置使所述送液装置停止输送处理液。
根据该结构,当产生虽然停止喷出处理液但还是从共用配管向供给配管供给处理液的异常时,控制装置使送液装置停止输送处理液。由此,能够可靠地防止:虽然停止喷出处理液,但是喷嘴连续地喷出处理液的情况。
所述喷出阀的阀促动器为电动促动器,使所述阀芯在从打开位置到关闭位置为止的范围的任意的位置静止,所述打开位置指,所述阀芯与所述阀座分离的位置,所述关闭位置指,所述阀芯与所述阀座接触的位置。所述喷出执行位置以及喷出停止位置为从所述打开位置到所述关闭位置为止的范围内的位置。所述基板处理装置还包括控制装置,在所述喷出阀的阀芯配置于所述喷出停止位置的情况下,所述液体检测传感器检测到所述上升部存在处理液时,所述控制装置利用所述电动促动器使所述阀芯向所述关闭位置移动,来停止所述共用配管中的处理液的流动。
根据该结构,在喷出阀设置有电动促动器,该电动促动器使阀芯在包括关闭位置、喷出停止位置以及喷出执行位置的多个位置静止。关闭位置为,阀芯与阀座接触,喷出阀的内部流路堵塞的位置。当产生虽然停止喷出处理液但还是从共用配管向供给配管供给处理液的异常时,控制装置利用电动促动器使阀芯向关闭位置移动。由此,堵塞供给配管,因此能够可靠地防止:虽然停止喷出处理液,但是喷嘴连续地喷出处理液的情况。
所述基板处理装置还具有:常开阀,设置于所述供给配管,除了所述喷出阀产生异常的情况之外,所述常开阀始终打开;异常检测器,检测所述喷出阀的异常;以及,控制装置,根据所述异常检测器的检测值判断所述喷出阀是否产生所述异常,在判断为产生所述异常时,关闭所述常开阀。
在喷出阀产生异常时,有时喷出阀的实际的开度大于所希望的开度。例如,有时即使向喷出阀输入喷出停止指令,喷出阀的阀芯也不到达喷出停止位置,其中,所述喷出停止指令指,用于使喷出阀的阀芯位于喷出停止位置的指令。此时,处理液以大于所希望的流量的流量经过喷出阀,因此经过喷出阀的处理液的一部分,可能会经由分支部以及供给配管供给至喷嘴,并从喷嘴的喷出口喷出。
根据该结构,将常开阀设置于供给配管。即,常开阀设置于喷出阀和喷嘴之间。控制装置根据异常检测器的检测值检测喷出阀的异常。当喷出阀产生异常时,控制装置关闭常开阀,从而停止从供给配管向喷嘴供给处理液。因此,即使喷出阀产生异常,也能够可靠地停止从喷嘴喷出处理液。
常开阀可以是使阀芯仅在打开位置和关闭位置静止的开闭阀,也可以是使阀芯在3个以上的位置静止的流量调整阀。另外,常开阀可以是具有空压促动器的空压阀,也可以是具有电动促动器的电动阀。
异常检测器可以是用于检测在共用配管或者供给配管流动的处理液的流量的流量计,可以是用于检测供给配管是否存在处理液的液体检测传感器,可以是用于拍摄喷嘴的喷出口的摄像机,也可以是其它构件。在异常检测器为流量计的情况下,异常检测器可配置于喷出阀的上游以及下游中的任何一方。在用于检测在共用配管流动的处理液的流量的流量计安装于共用配管的情况下,也可以将该流量计用作异常检测器。
本发明的其它实施方式提供一种基板处理装置,其中,具有:多个基板保持单元,分别保持多个基板;多个喷嘴,与所述多个基板保持单元一对一地对应,向保持于所述多个基板保持单元的多个基板喷出处理液;送液装置,输送用于向保持于所述多个基板保持单元的多个基板供给的处理液;多个共用配管,与所述多个喷嘴一对一地对应,所述多个共用配管始终打开以便使处理液流动,引导所述送液装置所输送的处理液;多个分支部,分别与所述多个共用配管连接;多个供给配管,与所述多个共用配管一对一地对应,所述多个供给配管始终打开以便使处理液流动,将所述多个共用配管所引导的处理液从所述多个分支部向所述多个喷嘴引导;多个返回配管,与所述多个共用配管一对一地对应,所述多个返回配管始终打开以便使处理液流动,将所述多个共用配管所引导的处理液,从所述多个分支部沿着与所述多个供给配管不同的路径引导;至少一个吸引装置,从所述多个分支部向所述多个返回配管侧吸引处理液;多个喷出阀,分别设置于所述多个共用配管,变更从所述多个共用配管向所述多个分支部供给的处理液的流量;多个常开阀,分别设置于所述多个供给配管,除了所述多个喷出阀产生异常的情况之外,所述多个常开阀始终打开;多个异常检测器,与所述多个喷出阀一对一地对应,检测所述多个喷出阀的异常;以及,控制装置,根据所述多个异常检测器的检测值,判断所述多个喷出阀中的至少一个是否产生所述异常,在判断为产生了所述异常时,关闭所述多个常开阀中的至少一个。
所述多个喷出阀分别包括:阀体,包括环状的阀座,所述阀座包围处理液流动的内部流路,阀芯,配置于所述内部流路,能够相对于所述阀座移动,阀促动器,使所述阀芯在包括喷出执行位置和喷出停止位置的多个位置静止,所述喷出执行位置指,所述阀芯与所述阀座分离,且以大于吸引流量的最大值的流量从所述共用配管向所述分支部供给处理液的位置,所述吸引流量表示,借助所述吸引装置的吸引力从所述分支部向所述返回配管侧流动的处理液的流量,所述喷出停止位置指,所述阀芯与所述阀座分离,且以所述吸引流量的最大值以下的流量从所述共用配管向所述分支部供给处理液的位置。
吸引装置可设置于每个返回配管,也可以与所有返回配管连接。即,基板处理装置可具有与多个返回配管分别对应的多个吸引装置,也可以具有与多个返回配管的各返回配管连接的一个吸引装置。
根据该结构,同一送液装置所输送的处理液,经由多个共用配管、多个分支部以及多个供给配管供给至多个喷嘴。多个喷嘴所喷出的处理液分别供给至多个基板。由此,利用处理液处理多个基板。
与上述同样地,来自喷嘴的处理液的喷出执行以及喷出停止,并不是通过利用开闭阀开闭供给配管来进行切换,而是通过变更设置于共用配管的喷出阀的开度来进行切换。由此,能够抑制或者防止处理液所包含的异物污染基板的情况。
而且,在刚刚停止从喷嘴喷出处理液之后,残留于喷嘴以及供给配管的处理液,借助吸引装置的吸引力被吸引于返回配管侧,向返回配管流动。由此,能够减少残留于喷嘴以及供给配管的处理液的量。
而且,并不由开闭阀开闭返回配管,而该返回配管始终打开。在使喷嘴喷出处理液时,由开闭阀关闭返回配管的情况下,存在返回配管内的处理液逆流,而供给至供给配管的担忧。因此,能够防止这样的处理液的逆流,能够减少处理液中包含的异物的量。
控制装置根据多个异常检测器的检测值监视多个喷出阀的异常。当某一个喷出阀产生异常时,控制装置关闭与产生异常的喷出阀对应的常开阀,停止从供给配管向喷嘴供给处理液。因此,即使喷出阀产生异常,也能够可靠地防止从喷嘴喷出处理液。
而且,只要关闭与产生异常的喷出阀对应的常开阀即可,不必关闭剩下的常开阀,因此,不必使与同一送液装置对应的所有喷嘴停止喷出处理液。即,即使某一个喷出阀产生异常,也能够持续进行基板的处理。由此,能够抑制生产量降低,能够防止喷出不希望的处理液。
参照附图说明下面的实施方式,来明确本发明的上述的或者其它目的、特征以及效果。
附图说明
图1是从上方观察本发明第一实施方式的基板处理装置的示意图。
图2是水平地观察处理单元的内部的示意图。
图3是用于说明基板处理装置所执行的基板的处理的一例的工序图。
图4是示出本发明第一实施方式的药液供给装置的示意图。
图5是示出流量调整阀的铅垂截面的示意性的剖视图。
图6是示出开闭阀的铅垂截面的示意性的剖视图。
图7是示出缩小部的截面的示意性的剖视图。图7的左侧表示与药液流动的方向垂直的截面,图7的右侧表示沿着包括缩小部的中心线的剖面的截面。
图8是示出节流孔构件的截面的示意性的剖视图。图8的左侧表示沿着药液流动的方向观察节流孔构件的图,图8的右侧表示沿着包括节流孔构件的中心线的切剖面的截面。
图9是示出执行药液的喷出时的药液供给装置的示意图。
图10是示出停止喷出药液时的药液供给装置的示意图。
图11是示出喷出阀的阀芯的位置和向分支部供给的药液的流量的随时间发生的变化的曲线图。
图12是示出本发明第二实施方式的药液供给装置的示意图。
图13是示出本发明第三实施方式的药液供给装置的示意图。
图14是示出检测异常产生时的流程的流程图,所述异常指,虽然停止从药液喷嘴喷出药液,但还是从药液喷嘴连续地喷出药液的情况。
图15是示出同一塔所包含的三个处理单元中的一个处理单元停止喷出药液,剩下的两个处理单元执行喷出药液时的、药液供给装置的示意图。
具体实施方式
图1是从上方观察本发明第一实施方式的基板处理装置1的示意图。
基板处理装置1是将半导体晶片等圆板状的基板W逐张地处理的单张式的装置。基板处理装置1包括:多个装载埠LP,保持用于容纳基板W的多个容纳架C;多个处理单元2,通过处理液、处理气体等处理流体,对从多个装载埠LP搬运的基板W进行处理;控制装置3,控制基板处理装置1。控制装置3是包括存储部3m和运算部3p的计算机,其中,所述存储部3m存储程序等信息,所述运算部3p根据存储部3m所存储的信息,控制基板处理装置1。
基板处理装置1还包括搬运机械手,所述搬运机械手在装载埠LP和处理单元2之间搬运基板W。搬运机械手包括索引(index)机械手IR和中央机械手CR。索引机械手IR在装载埠LP和中央机械手CR之间搬运基板。中央机械手CR在索引机械手IR和处理单元2之间搬运基板W。索引机械手IR以及中央机械手CR包括用于支撑基板W的手部。
基板处理装置1还包括用于容纳后述的喷出阀34等流体设备的多个(例如为4个)流体箱4。处理单元2和流体箱4配置于基板处理装置1的外壁1a的内部,通过基板处理装置1的外壁1a覆盖处理单元2和流体箱4。就用于容纳后述的供给罐24等的药液柜5而言,配置于基板处理装置1的外壁1a的外部。药液柜5可以配置于基板处理装置1的侧方,也可以配置于设置有基板处理装置1的无尘室的下方(地下)。
多个处理单元2形成:以在俯视时包围中央机械手CR的方式配置的多个(例如为4个)的塔。各塔包括上下层叠的多个(例如为3个)处理单元2。4个流体箱4分别与4个塔对应。药液柜5内的药液经由某一个流体箱4,供给至与该流体箱4对应的塔所包含的所有处理单元2。
图2是水平地观察处理单元2的内部的示意图。
处理单元2包括:箱型的腔室6,具有内部空间;旋转卡盘10,一边在腔室6内将基板W保持为水平;一边使基板W以穿过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1为中心旋转;筒状的杯14,接收从基板W排出的处理液。旋转卡盘10是基板保持单元的一例。
腔室6包括:箱型的分隔壁8,设置有用于使基板W通过的搬入搬出口;闸门9,对搬入搬出口进行开闭;FFU7(风扇过滤单元),在腔室6内形成作为过滤器所过滤的空气的洁净空气的下降流。中央机械手CR通过搬入搬出口向腔室6搬入基板W,通过搬入搬出口从腔室6搬出基板W。
旋转卡盘10包括:圆板状的旋转基座12,保持为水平的姿势;多个卡盘销11,在旋转基座12的上方将基板W保持为水平的姿势;旋转马达13,通过使旋转基座12旋转,使基板W以旋转轴线A1为中心旋转。旋转卡盘10并不限定于使多个卡盘销11与基板W的外周面接触的夹持式的夹具,也可以是通过使作为非器件形成面的基板W的背面(下表面)吸附于旋转基座12的上表面,来将基板W保持为水平的真空式的夹具。
杯14包括:筒状的倾斜部14a,朝向旋转轴线A1向斜上方延伸;圆筒状的引导部14b,从倾斜部14a的下端部(外端部)向下方延伸;受液部14c,形成朝上打开的环状的槽。倾斜部14a包括具有比基板W以及旋转基座12更大的内径的圆环状的上端。倾斜部14a的上端相当于杯14的上端。在俯视时,杯14的上端包围基板W以及旋转基座12。
处理单元2包括杯升降单元15,该杯升降单元15使杯14在上位置(图2所示的位置)和下位置之间铅垂地升降,其中,所述上位置指,杯14的上端位于比旋转卡盘10保持基板W的保持位置更靠上方的位置的位置,所述下位置指,杯14的上端位于比保持位置更靠下方的位置的位置。在将处理液供给至基板W时,杯14配置于上位置。从基板W向外侧飞散的处理液,被倾斜部14a接收之后,利用引导部14b集中在受液部14c内。
处理单元2包括冲洗液喷嘴16,该冲洗液喷嘴16向保持于旋转卡盘10的基板W的上表面喷出冲洗液。冲洗液喷嘴16与安装有冲洗液阀18的冲洗液配管17连接。处理单元2也可以具有喷嘴移动单元,该喷嘴移动单元可使冲洗液喷嘴16在处理位置和退避位置之间水平地移动,其中,所述处理位置指,冲洗液喷嘴16所喷出的冲洗液供给至基板W的位置,所述退避位置指,在俯视时,冲洗液喷嘴16与基板W分离的位置。
当打开冲洗液阀18时,从冲洗液配管17向冲洗液喷嘴16供给冲洗液,并从冲洗液喷嘴16喷出该冲洗液。冲洗液例如为纯水(去离子水:Deionized water)。冲洗液并不限定于纯水,也可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水以及稀释浓度(例如,10~100ppm左右)的盐酸水中的一种。
处理单元2包括:药液喷嘴21,向保持于旋转卡盘10的基板W的上表面向下方喷出药液;喷嘴移动单元22,使药液喷嘴21在处理位置和退避位置之间水平地移动,其中,所述处理位置指,药液喷嘴21所喷出的药液供给至基板W的上表面的位置,所述退避位置指,在俯视时,药液喷嘴21与基板W分离的位置。喷嘴移动单元22例如为回旋单元,使药液喷嘴21以摆动轴线A2为中心水平地移动,其中,所述摆动轴线A2在杯14的周围铅垂地延伸。
基板处理装置1包括用于向药液喷嘴21供给药液的药液供给装置23。对于药液供给装置23在后面进行说明。供给至药液喷嘴21的药液,例如为包括硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸,磷酸,醋酸、氨水、过氧化氢、有机酸(例如柠檬酸,草酸等)、有机碱(例如,TMAH:四甲基铵氢氧化物等)、表面活性剂以及防腐蚀剂中的至少一种的液体。也可以将除此之外的其它液体供给至药液喷嘴21。
图3是用于说明基板处理装置1所执行的基板W的处理的一例的工序图。控制装置3控制基板处理装置1,来执行下面的各工序。换句话讲,控制装置3设计为执行下面的各工序。下面,参照图1~图3。
在利用基板处理装置1处理基板W时,执行向腔室6内搬入基板W的搬入工序(图3的步骤S1)。
具体地说,在药液喷嘴21从基板W的上方退避、且杯14位于下位置的状态下,中央机械手CR(参照图1)一边利用手部支撑基板W,一边使手部进入腔室6内。然后,中央机械手CR以基板W的表面朝向上方的状态,将手部上的基板W放置于旋转卡盘10上。在利用卡盘销11把持基板W之后,旋转马达13开始使基板W旋转。中央机械手CR在将基板W放置于旋转卡盘10上之后,使手部从腔室6的内部退避。
接着,执行向基板W供给药液的药液供给工序(图3的步骤S2)。
具体地说,喷嘴移动单元22使药液喷嘴21向处理位置移动,杯升降单元15使杯14上升至上位置。然后,药液供给装置23开始向药液喷嘴21供给药液,使药液喷嘴21喷出药液。在药液喷嘴21喷出药液时,喷嘴移动单元22可使药液喷嘴21在中央处理位置和外周处理位置之间移动,也可以使药液喷嘴21静止来使药液的落液位置位于基板W的上表面中央部,其中,所述中央处理位置指,药液喷嘴21所喷出的药液着落至基板W的上表面中央部的位置,所述外周处理位置指,药液喷嘴21所喷出的药液着落至基板W的上表面外周部的位置。
药液喷嘴21所喷出的药液在着落至基板W的上表面之后,沿着旋转的基板W的上表面向外侧流动。由此,形成用于覆盖基板W的上表面的整个区域的药液的液膜,向基板W的上表面的整个区域供给药液。尤其,在喷嘴移动单元22使药液喷嘴21在中央处理位置和外周处理位置之间移动的情况下,基板W的上表面的整个区域被药液的着落位置扫描,因此能够将药液均匀地供给至基板W的上表面的整个区域。由此,对基板W的上表面均匀地进行处理。在开始向药液喷嘴21供给药液起经过规定时间时,停止向药液喷嘴21供给药液。然后,喷嘴移动单元22使药液喷嘴21向退避位置移动。
接着,执行将作为冲洗液的一例的纯水供给至基板W的上表面的冲洗液供给工序(图3的步骤S3)。
具体地说,当打开冲洗液阀18时,冲洗液喷嘴16开始喷出纯水。着落至基板W的上表面的纯水,沿着旋转的基板W的上表面向外侧流动。基板W上的药液被冲洗液喷嘴16所喷出的纯水冲洗。由此,形成用于覆盖基板W的上表面的整个区域的纯水的液膜。在打开冲洗液阀18起经过规定时间时,关闭冲洗液阀18,停止喷出纯水。
接着,执行利用基板W的旋转使基板W干燥的干燥工序(图3的步骤S4)。
具体地说,旋转马达13使基板W向旋转方向加速,使基板W以比药液供给工序以及冲洗液供给工序中的基板W的旋转速度更大的高旋转速度(例如为几千rpm)旋转。由此,从基板W除去液体,使基板W干燥。当开始执行基板W的高速旋转起经过规定时间时,旋转马达13停止旋转。由此,基板W停止旋转。
接着,执行从腔室6搬出基板W的搬出工序(图3的步骤S5)。
具体地说,杯升降单元15使杯14下降至下位置。然后,中央机械手CR(参照图1)使手部进入腔室6内。在多个卡盘销11解除基板W的把持之后,中央机械手CR利用手部支撑旋转卡盘10上的基板W。然后,中央机械手CR一边利用手部支撑基板W,一边使手部从腔室6的内部退避。由此,从腔室6搬出已处理的基板W。通过反复执行这样的一系列的动作,对搬运至基板处理装置1的多个基板W逐张地进行处理。
图4是示出本发明第一实施方式的药液供给装置23的示意图。在图4中,用点划线表示流体箱4,用双点划线表示药液柜5。在后述的图9、图10、图12、图13以及图15中也同样。配置于点划线所包围的区域的构件,配置于流体箱4内,配置于双点划线所包围的区域的构件,配置于药液柜5内。
基板处理装置1包括多个药液供给装置23,多个药液供给装置23与利用多个处理单元2形成的多个塔分别对应。药液供给装置23向包含于同一塔的所有处理单元2供给药液。图4示出了一个药液供给装置23和与该药液供给装置23对应的三个处理单元2。
药液供给装置23包括:供给罐24,贮存向基板W供给的药液;循环配管25,形成用于使供给罐24内的药液循环的环状的循环路。药液供给装置23还包括:循环泵27,将供给罐24内的药液输送至循环配管25;循环过滤器28,从药液中除去颗粒等异物;循环加热器26,通过加热药液来调整供给罐24内的药液的温度。循环泵27、循环过滤器28以及循环加热器26安装于循环配管25。
循环泵27总是将供给罐24内的药液输送至循环配管25内。药液供给装置23也可以具有通过使供给罐24内的气压上升来将供给罐24内的药液推送至循环配管25的加压装置,来代替循环泵27。循环泵27以及加压装置均是用于将供给罐24内的药液输送至循环配管25的送液装置的一例。
循环配管25的上游端以及下游端与供给罐24连接。药液从供给罐24输送至循环配管25的上游端,从循环配管25的下游端返回供给罐24。由此,使供给罐24内的药液在循环路循环。在药液在循环路循环的期间,利用循环过滤器28除去药液中包含的异物,利用循环加热器26加热药液。由此,将供给罐24内的药液维持为比室温更高的规定的温度。
药液供给装置23包括与多个处理单元2分别对应的多组共用配管29、分支部30、供给配管31以及返回配管32。共用配管29、供给配管31以及返回配管32的内径可以彼此相等,也可以彼此不同。共用配管29的上游端与循环配管25连接,共用配管29的下游端与分支部30连接。供给配管31的上游端与分支部30连接,供给配管31的下游端与药液喷嘴21连接。返回配管32的上游端与分支部30连接。设置于返回配管32的下游端的排液口32p配置于比分支部30更靠下方的位置。返回配管32内的药液从排液口32p向返回配管32的外部排出。
在循环配管25流动的药液,从循环配管25向共用配管29流动,从共用配管29供给至分支部30。从分支部30向供给配管31供给的药液,会从药液喷嘴21喷出,并供给至基板W。由此,处理基板W。另一方面,从分支部30向返回配管32供给的药液,会从返回配管32的排液口32p排出。从返回配管32排出的药液,向排液机构排出或者被回收机构回收。
药液供给装置23包括与多个处理单元2分别对应的多组流量计33、喷出阀34、液体检测传感器35以及节流装置36。流量计33以及喷出阀34安装于共用配管29。液体检测传感器35安装于供给配管31。节流装置36安装于返回配管32。流量计33检测在共用配管29流动的药液的流量(单位时间内经过流量计33的药液的量)。喷出阀34变更从共用配管29向分支部30供给的药液的流量。液体检测传感器35检测供给配管31内的检测位置是否存在药液。液体检测传感器35例如为静电容量传感器。节流装置36通过减小返回配管32的流路面积,来使返回配管32中的压力损失增加。
共用配管29包括向分支部30水平地延伸的水平部29a。供给配管31包括从分支部30向上方延伸的上升部31a。返回配管32包括从分支部30向下方延伸的下降部32a。下降部32a为用于使药液从分支部30向返回配管32侧落下的吸引装置的一例。下降部32a向返回配管32的药液的流动的下游侧向下方延伸。上升部31a向供给配管31的药液的流动的下游侧向上方延伸。液体检测传感器35安装于上升部31a。上升部31a的上端部配置于比液体检测传感器35更靠上方的位置。
图5是示出流量调整阀41A的铅垂截面的示意性的剖视图。喷出阀34为图5所示的流量调整阀41A。图5所示的流量调整阀41A为针型阀。流量调整阀41A也可以是除此之外的种类。
流量调整阀41A包括:阀体42,形成用于使药液流动的内部流路42a;阀芯43,配置于内部流路42a内。在图5所示的例子中,阀芯43为针。包括:环状部43a,与设置于阀芯43内部流路42a的环状的阀座44接触;圆锥部43b,与阀座44同轴。流量调整阀41A还包括阀促动器45,该阀促动器45使阀芯43在全开位置(图5中实线表示的位置)和关闭位置(图5中双点划线表示的位置)之间移动。
阀促动器45使阀芯43在从全开位置到关闭位置为止的可动范围的任意的位置静止。全开位置为阀芯43与阀座44分离的位置。关闭位置为通过使阀芯43和阀座44接触来堵塞内部流路42a的位置。全开位置为流量调整阀41A的开度最大的位置。关闭位置为流量调整阀41A的开度最小(零)的位置。
从全开位置到关闭位置为止的可动范围,包括高流量位置以及低流量位置。高流量位置以及低流量位置均为阀芯43与阀座44分离的打开位置。阀芯43配置于高流量位置时的流量调整阀41A的开度,比阀芯43配置于低流量位置时的流量调整阀41A的开度更大。高流量位置也可以是全开位置。低流量位置为使药液以低流量经过流量调整阀41A的慢漏(slow leak)位置。
图5所示的阀促动器45例如为利用电力使阀芯43进行动作的电动促动器。阀促动器45包括:电动马达52,产生用于使阀芯43沿着阀芯43的轴向移动的力;运动转换机构53,将电动马达52的旋转转换为沿着阀芯43的轴向进行的阀芯43的直线运动。阀芯43根据电动马达52的旋转沿着阀芯43的轴向移动。通过控制装置3控制电动马达52的旋转角。
当电动马达52向正转方向旋转时,阀芯43的环状部43a接近阀座44。当电动马达52向逆转方向旋转时,阀芯43的环状部43a远离阀座44。阀芯43的圆锥部43b和阀座44之间的环状的空间的面积,随着阀芯43的移动而增加或者减小。由此,变更流量调整阀41A的开度。另外,在将阀芯43配置于关闭位置,将阀芯43的环状部43a按压于阀座44时,内部流路42a被堵塞,流量调整阀41A被关闭。
图6是示出开闭阀41B的铅垂截面的示意性的剖视图。喷出阀34也可以是图6所示的开闭阀41B。开闭阀41B例如为隔膜阀。开闭阀41B也可以是除此之外的种类。
开闭阀41B包括:阀体42,形成用于使药液流动的内部流路42a;阀芯43,配置于内部流路42a内。在图6所示的例子中,阀芯43为隔膜。阀芯43包括环状部43a,该环状部43a与设置于内部流路42a的环状的阀座44相向。开闭阀41B还包括阀促动器45,该阀促动器45使阀芯43在上述的高流量位置和低流量位置(图6中用实线表示的位置)之间移动。高流量位置为开闭阀41B的开度最大的全开位置。
图6所示的阀促动器45例如为利用空气压使阀芯43进行动作的空气压促动器。阀促动器45包括:杆46,与阀芯43一起进行动作;缸体47,包围杆46;活塞48,将缸体47的内部划分为第一室和第二室。阀促动器45还包括:弹簧49,通过向阀芯43侧按压活塞48,产生用于使杆46以及阀芯43向关闭位置侧移动的力;与第一室连接的第一口50;与第二室连接的第二口51。弹簧49配置于第一室。
借助弹簧49的力将阀芯43按压于阀座44侧。通过供给空气压,使第二室的气压大于第一室的气压,使活塞48向第一室侧、即、与阀芯43分离的方向移动。由此,阀芯43远离阀座44,使开闭阀41B的开度增加。当使第二室的气压降低时,活塞48借助弹簧49的力返回阀芯43侧。由此,阀芯43返回低流量位置,开闭阀41B的开度减小。
药液利用循环泵27的供给压输送至药液喷嘴21。根据循环泵27的形式不同,产生供给压变动的脉动。此时,药液喷嘴21所喷出的药液的流量可变动。在喷出阀34为图5所示的流量调整阀41A的情况下,根据循环泵27的脉动变更喷出阀34的开度,从而能够降低向药液喷嘴21供给的药液的流量的变动。在流量调整阀41A不设置于共用配管29,而例如设置于返回配管32的情况下,无法得到这样的效果或者效果会下降。因此,通过在共用配管29设置喷出阀34,能够使药液喷嘴21所喷出的药液的流量稳定。
图7是示出缩小部37A的截面的示意性的剖视图。图7的左侧表示与药液流动的方向垂直的截面,图7的右侧表示沿着包括缩小部37A的中心线的剖面的截面。图8是示出节流孔构件37B的截面的示意性的剖视图。图8的左侧表示沿着药液流动的方向观察节流孔构件37B的图,图8的右侧表示沿着包括节流孔构件37B的中心线的切剖面的截面。
节流装置36可以是图7所示的缩小部37A,也可以是图8所示的节流孔构件37B。图7所示的缩小部37A的内径,随着朝向供给配管31的药液的流动的下游而连续地变细。缩小部37A的内径也可以阶段性地变细。图8所示的节流孔构件37B具有一个以上的贯通孔37a,该贯通孔37a在节流孔构件37B的厚度方向、即、药液流动的方向上,贯通节流孔构件37B。图5为如下例子:多个贯通孔37a设置于节流孔构件37B,在沿着药液流动的方向观察时,贯通孔37a为六边形。
多个节流装置36分别设置于多个返回配管32。节流装置36通过减小返回配管32的流路面积,使返回配管32中的压力损失增加。节流装置36虽然使返回配管32的流路面积减小,但是并不完全堵塞返回配管32。因此,药液能够始终经过节流装置36。返回配管32中的压力损失大于供给配管31中的压力损失。
图9是示出执行药液的喷出时的药液供给装置23的示意图。图10是示出停止喷出药液时的药液供给装置23的示意图。图11是示出喷出阀34的阀芯43的位置和供给至分支部30的药液的流量随时间发生的变化的曲线图。
在使药液喷嘴21喷出药液时,控制装置3使喷出阀34的阀芯43从喷出停止位置向喷出执行位置移动,从而使喷出阀34从喷出停止状态向喷出执行状态切换。在喷出阀34为流量调整阀41A的情况下,喷出执行位置为全开位置或者高流量位置,喷出停止位置为低流量位置。在喷出阀34为开闭阀41B的情况下,喷出执行位置为高流量位置,喷出停止位置为低流量位置。
如图9所示,当喷出阀34的阀芯43配置于喷出执行位置(图11的时刻T1)时,从共用配管29向分支部30供给的药液的一部分会向返回配管32流动。向分支部30供给的剩下的药液,从分支部30向供给配管31流动。如图11所示,这是因为从共用配管29向分支部30供给的药液的流量(供给流量)大于,从分支部30向返回配管32流动的药液的流量(吸引流量)的最大值。向药液喷嘴21供给的药液的流量为,从供给流量减去吸引流量而得到的值。
如图10所示,当喷出阀34的阀芯43配置于喷出停止位置(图11的时刻T2)时,从共用配管29向分支部30供给的全部或者几乎所有的药液供给至返回配管32。如图11所示,这是因为从共用配管29向分支部30供给的药液的流量(供给流量)小于,从分支部30向返回配管32流动的药液的流量(吸引流量)的最大值。假设,一部分药液从分支部30向供给配管31流动,该药液也不到达液体检测传感器35。
当喷出阀34的阀芯43配置于喷出执行位置时,药液喷嘴21以及供给配管31的内部由分支部30所供给的药液充满。同样,返回配管32的内部由分支部30所供给的药液充满。返回配管32的排液口32p配置于比药液喷嘴21的喷出口21a更靠下方的位置。当喷出阀34的阀芯43配置于喷出停止位置时,残留于药液喷嘴21以及供给配管31的药液,利用虹吸的原理向返回配管32侧逆流,向返回配管32排出。由此,能够抑制或者防止滴落的产生。
如上所述,液体检测传感器35检测供给配管31的上升部31a内的检测位置是否存在药液。在停止喷出药液时,上升部31a内的检测位置(液体检测传感器35检测是否存在药液的位置)为空。另外,在执行药液的喷出时,上升部31a由药液充满。在停止喷出药液之后,残留于上升部31a的药液,借助因从共用配管29向返回配管32流动的药液而产生的吸引力和重力,向返回配管32流动,使上升部31a内的检测位置变空。
当产生虽然停止喷出药液但从共用配管29向供给配管31供给药液的异常时,药液的液面在上升部31a上升,上升部31a由药液充满。通过检测上升部31a中是否存在药液,能够检测这样的异常。另外,当执行药液的喷出时,能够确认药液供给至供给配管31的情况。而且,能够确认在停止喷出药液之后供给配管31变空的情况。
液体检测传感器35的检测值输入至控制装置3。在产生上述的异常时,控制装置3使警报装置39(参照图1)产生警报,向基板处理装置1的管理者通知异常。警报装置39可以是用于显示信息的显示装置,可以是产生警报音的发音装置,也可以是利用信息、声音及光中的两种以上来告知异常的装置。
另外,当产生上述的异常时,控制装置3可以使循环泵27停止输送药液。在喷出阀34为图5所示的流量调整阀41A的情况下产生上述的异常时,控制装置3也可以在停止送液的基础上,使喷出阀34的阀芯43向关闭位置移动,或者使喷出阀34的阀芯43向关闭位置移动来代替停止送液。这样,停止从共用配管29向分支部30供给药液,因此能够防止虽然停止喷出药液但从药液喷嘴21喷出药液的情况。
在上述第一本实施方式中,应该供给至药液喷嘴21的药液,从共用配管29引导至分支部30。从分支部30向供给配管31供给的药液,从药液喷嘴21喷出,并供给至基板W。由此,处理基板W。另一方面,从分支部30向返回配管32供给的药液,经由返回配管32引导至回收机构或者排液机构。
从共用配管29向分支部30供给的药液,向返回配管32侧落下。从共用配管29向分支部30供给的药液的流量,根据喷出阀34来变更。喷出阀34使阀芯43在喷出执行位置和喷出停止位置之间移动,来变更从共用配管29向分支部30供给的药液的流量。由此,切换向供给配管31供给药液的供给状态。
具体地说,当阀芯43配置于喷出执行位置时,从共用配管29向分支部30供给的药液的流量大于,从分支部30向返回配管32侧流动的药液的流量的最大值。因此,向分支部30供给的药液的一部分供给至返回配管32,向分支部30供给的剩下的药液供给至供给配管31。由此,从药液喷嘴21喷出药液,并供给至基板W。
另一方面,当阀芯43配置于喷出停止位置时,从共用配管29向分支部30供给的药液的流量为,从分支部30向返回配管32侧流动的药液的流量的最大值以下。因此,向分支部30供给的全部或者几乎所有的药液供给至返回配管32。假设一部分药液从分支部30向供给配管31流动,该药液也不会到达药液喷嘴21。因此,不会从药液喷嘴21喷出药液。
这样,就来自药液喷嘴21的药液的喷出执行以及喷出停止而言,并不是通过利用开闭阀开闭供给配管31来切换,而是通过变更设置于共用配管29的喷出阀34的开度来切换。来自药液喷嘴21的药液的喷出停止的喷出停止位置为,阀芯43与阀座44分离的位置。因此,与利用开闭阀开闭供给配管31的情况相比,供给至药液喷嘴21的药液所包含的异物的量变少。由此,能够抑制或者防止因药液所包含的异物而使基板W污染的情况,能够提高基板W的洁净度。实际上,确认出:使残留于已处理的基板W的颗粒的数量减少的情况。
而且,供给配管31以及返回配管32始终打开,因此在返回配管32中产生的吸引力经由分支部30传递至供给配管31。在刚刚停止来自药液喷嘴21的药液的喷出之后,残留于药液喷嘴21以及供给配管31的药液,借助该吸引力被吸引于返回配管32侧,向返回配管32流动(吸回(suck back))。由此,能够减少残留于药液喷嘴21以及供给配管31的药液的量。结果,能够抑制或者防止滴落的产生。
而且,并不由开闭阀开闭返回配管32,而是使返回配管32始终打开。在使药液喷嘴21喷出药液时,用开闭阀关闭返回配管32的情况下,存在返回配管32内的药液逆流而供给至供给配管31的担忧。此时,包含有开闭阀所产生的颗粒的药液从药液喷嘴21喷出。因此,通过使返回配管32始终维持打开的状态,能够防止这样的药液的逆流,能够减少药液中包含的异物的量。
在第一本实施方式中,供给配管31从分支部30向上方延伸,因此药液难以从分支部30向供给配管31流动。相反地,返回配管32从分支部30向下方延伸,因此药液容易从分支部30向返回配管32流动。从共用配管29向分支部30供给的药液,因重力而要向返回配管32流动。因此,在停止从药液喷嘴21喷出药液时,能够抑制或者防止药液从分支部30向供给配管31流动并从药液喷嘴21喷出的情况。
在该第一实施方式中,分支部30配置于流体箱4内,接近药液喷嘴21。因此,能够缩短从分支部30向药液喷嘴21延伸的供给配管31。由此,能够减少残留于供给配管31的药液的量,因此能够减少在将供给配管31内的药液向返回配管32吸引之后、残留于供给配管31内的药液的量。由此,能够抑制或者防止滴落的产生。
在该第一实施方式中,在供给配管31的上游,加热向药液喷嘴21供给的药液。在停止喷出药液时,药液并不从共用配管29向供给配管31供给,而从共用配管29向返回配管32供给。此时,供给配管31的温度为室温或者室温附近的温度。因此,在刚刚开始喷出药液之后,药液的温度在供给配管31或药液喷嘴21发生变化。
通过缩短供给配管31,降低供给配管31中的药液的温度变化。分支部30配置于流体箱4内,接近药液喷嘴21。因此,能够缩短从分支部30向药液喷嘴21延伸的供给配管31。由此,能够降低供给配管31中的药液的温度变化。因此,刚开始就能够向基板W供给接近所希望的温度的药液。
在该第一实施方式中,返回配管32的流路面积减小,返回配管32中的压力损失增加,因此对要从分支部30向返回配管32侧流动的药液施加阻力。因此,若吸引装置的吸引力恒定,则从分支部30向返回配管32流动的药液的流量减少。在返回配管32内的药液被排液机构引导的情况下,能够降低药液的消耗量。
第二实施方式
图12是示出本发明的第二实施方式的药液供给装置23的示意图。在图12中,与上述的图1~图11所示的结构相同的结构,标注与图1等相同的附图标记并省略其说明。
在第二实施方式中,在基板处理装置1设置有:抽吸器61,利用文丘里效果吸引从分支部30向返回配管32侧的药液;回收配管62,将抽吸器61所吸引的药液引导至供给罐24。
图12示出了如下例子,即,在基板处理装置1设置有:回收罐63,将抽吸器61所吸引的药液贮存于供给罐24的上游;回收泵64,将回收罐63内的药液输送至供给罐24侧;回收过滤器65,在抽吸器61和供给罐24之间从药液中除去异物。在图12所示的例子的情况下,回收配管62包括:上游回收配管62a,从抽吸器61向回收罐63引导药液;下游回收配管62d,从回收罐63向供给罐24引导药液。
抽吸器61包括用于供给流体的供给口、用于排出流体的排出口、用于吸引流体的吸引口。用于供给气体、液体等流体的流体配管66,与抽吸器61的供给口连接。上游回收配管62a与抽吸器61的排出口连接。返回配管32与抽吸器61的吸引口连接。若流体配管66所供给的流体从供给口向排出口流动,则产生用于向吸引口吸引流体的吸引力。由此,产生从分支部30向返回配管32吸引药液的吸引力。
在第二实施方式中,在第一实施方式的作用效果的基础上,还能够获得如下作用效果。具体地说,在第一实施方式中,分支部30配置于流体箱4,但是在第二实施方式中,分支部30配置于腔室6内。因此,能够进一步缩短从分支部30向药液喷嘴21延伸的供给配管31。由此,能够减少残留于供给配管31的药液的量,因此能够减少在将供给配管31内的药液向返回配管32吸引之后、残留于供给配管31内的药液的量。由此,能够更可靠地抑制或者防止滴落的产生。
第三实施方式
图13是示出本发明的第三实施方式的药液供给装置的示意图。在图13~图15中,对于与上述的图1~图12所示的结构相同的结构,标注与图1等相同的附图标记,并省略其说明。
第三实施方式与第一实施方式的主要的不同点在于,在多个供给配管31设置有多个常开阀71。多个常开阀71分别与多个喷出阀34对应。常开阀71除了对应的喷出阀34发生异常的情况之外始终打开。因此,除了在产生异常的情况之外,不会因常开阀71的阀芯以及阀座接触而产生异物,该异物也不会与药液一起从药液喷嘴21喷出。
常开阀71是空压式的开闭阀。常开阀71可以是电动阀。虽然未图示,但是常开阀71包括:阀体,包括包围药液流动的内部流路的环状的阀座;阀芯,配置于内部流路,能够相对于阀座移动;阀促动器,使阀芯在打开位置和关闭位置之间移动,其中,所述打开位置指,阀芯与阀座分离的位置,所述关闭位置指,阀芯与阀座接触的位置。
接着,对于检测喷出阀34的异常的异常检测流程进行说明。
图14是示出检测异常产生时的流程的流程图,所述异常指,虽然停止从药液喷嘴21喷出药液,但还是从药液喷嘴21连续地喷出药液的情况。图15是示出同一塔所包含的三个处理单元2中的一个处理单元2停止喷出药液,剩下的两个处理单元2执行喷出药液时的、药液供给装置的示意图。在以下的说明中,“喷出停止流量”表示,在喷出阀34的阀芯43(参照图5以及图6)配置于喷出停止位置时,经过喷出阀34的药液的流量。下面,参照图14以及图15。
控制装置3监视作为异常检测器的一例的流量计33的检测值(图14的步骤S11)。在流量计33的检测值为喷出停止流量以下的情况(在图14的步骤S11中为“否”)下,控制装置3在经过规定时间之后再次确认流量计33的检测值。在流量计33的检测值大于喷出停止流量的情况(在图14的步骤S11中为“是”)下,控制装置3确认喷出阀34是否处于喷出停止状态(图14的步骤S12)。即,确认向喷出阀34输入的最近的指令是否为喷出停止指令,所述喷出停止指令为用于使喷出阀34的阀芯43向喷出停止位置移动的指令。
虽然向喷出阀34输入的最近的指令为喷出停止指令,但是流量计33的检测值超过喷出停止流量的情况下,认为由于喷出阀34异常而喷出阀34的阀芯43未到达喷出停止位置。因此,在向喷出阀34输入的最近的指令为喷出停止指令的情况(在图14的步骤S12中为“是”)下,控制装置3判断为喷出阀34产生了异常。向喷出阀34输入的最近的指令不是喷出停止指令的情况下,即,在用于使喷出阀34的阀芯43向喷出执行位置移动的喷出执行指令的情况(在图14的步骤S12中为“否”)下,控制装置3在经过规定时间之后,再次确认流量计33的检测值(返回图14的步骤S11)。
当控制装置3判断为喷出阀34产生异常的情况(在图14的步骤S12中为“是”)下,控制装置3关闭与产生异常的喷出阀34对应的常开阀71(图14的步骤S13)。由此,能够防止从与产生异常的喷出阀34对应的药液喷嘴21喷出药液的情况。而且,控制装置3使警报装置39(参照图1)产生警报,向基板处理装置1的用户告知喷出阀34产生异常的情况(图14的步骤S14)。可在关闭常开阀71之前或者关闭常开阀71之后产生警报,或者在关闭常开阀71的同时产生警报。
图15示出了在与同一塔所包括的三个处理单元2对应的三个喷出阀34中,仅有一个喷出阀34产生异常的例子。在该例子的情况下,控制装置3仅关闭一个常开阀71(在图15中最上侧的常开阀71),维持剩下的两个常开阀71打开的状态。也可以并不限定于此,控制装置3也可以关闭三个常开阀71。
在判断为喷出阀34产生异常之后,控制装置3判断是否剩下应该用与产生异常的喷出阀34对应的药液喷嘴21所喷出的药液处理的基板W(图14的步骤S15)。在没有剩下应该处理的基板W、即、用于容纳与产生异常的喷出阀34对应的药液喷嘴21的腔室6(以下,称为“异常腔室6”)内不存在基板W,也不存在应该搬入该异常腔室6的基板W的情况(在图14的步骤S15中为“否”)下,控制装置3结束异常检测流程。
在剩下应该处理的基板W的情况(在图14的步骤S15中为“是”)下,控制装置3禁止向异常腔室6搬入基板W(图14的步骤S16)。另外,在异常腔室6内剩下基板W的情况(在图14的步骤S15中为“是”)下,控制装置3并不执行冲洗液供给工序(图3的步骤S3)以及干燥工序(图3的步骤S4),或者,在执行冲洗液供给工序以及干燥工序的至少一种之后,使中央机械手CR搬出基板W。
这样,当某一个喷出阀34产生异常时,关闭与该喷出阀34对应的常开阀71,停止从与该喷出阀34对应的药液喷嘴21喷出药液。因此,能够防止向基板W供给过量的药液,或者腔室6的内部以及外部被药液环境气体污染的情况。而且,在关闭常开阀71之后,不会喷出无益的药液,因此减少药液的浪费。
在第三实施方式中,在第一实施方式的作用效果的基础上,还能够获得如下作用效果。具体地说,控制装置3根据多个流量计33的检测值监视多个喷出阀34的异常。当某一个喷出阀34产生异常时,控制装置3关闭与产生异常的喷出阀34对应的常开阀71,停止从供给配管31向药液喷嘴21供给药液。因此,即使喷出阀34产生异常,也能够可靠地停止从药液喷嘴21喷出药液。
而且,仅关闭与产生异常的喷出阀34对应的常开阀71即可,不必关闭剩下的常开阀71,因此不必使与相同的循环泵27对应的所有药液喷嘴21停止喷出药液。即,即使某一个喷出阀34产生异常,也能够持续进行基板W的处理。由此,能够一边抑制生产量(单位时间内的基板W的处理张数)降低,一边防止产生不希望的药液的喷出。
其它实施方式
本发明并不限定于上述的实施方式的内容,能够进行各种变更。
例如,贮存于供给罐24的液体并不限定于药液,也可以是冲洗液等其它液体。
液体检测传感器35也可以检测除了上升部31a之外的供给配管31的一部分中是否存在药液。若不需要液体检测传感器35,则也可以省略液体检测传感器35(参照图12)。同样地,也可以省略循环加热器26、流量计33以及节流装置36的至少一种。
若不需要关闭流量调整阀41A,则也可以从阀芯43省略环状部43a。
供给配管31也可以不从分支部30向上方延伸(参照图12)。同样地,在抽吸器61、吸引泵等吸引装置与返回配管32连接的情况下,返回配管32也可以不从分支部30向下方延伸。
在第二实施方式中,也可以省略回收罐63、回收泵64以及回收过滤器65中的至少一种。例如,在回收罐63位于比供给罐24更靠上方的位置、而回收罐63内的药液可借助自重向供给罐24流动的情况下,也可以省略回收泵64。
基板处理装置1并不限定于用于处理圆板状的基板W的装置,也可以是用于处理多边形的基板W的装置。
也可以组合上述所有结构中的两个以上。
该申请与2017年2月22日向日本专利厅提出的特愿2017-031485号、2017年10月26日向日本专利厅提出的特愿2017-207355号对应,将该申请的全部公开内容通过引用编入于此。
对于本发明的实施方式进行了详细说明,但是这些仅仅是用于明确本发明的技术内容的具体例,本发明并不限定于这些具体例,本发明的精神以及范围由权利要求书限定。
Claims (10)
1.一种基板处理装置,其中,
具有:
基板保持单元,保持基板,
喷嘴,向保持于所述基板保持单元的基板喷出处理液,
送液装置,输送用于向保持于所述基板保持单元的基板供给的处理液,
共用配管,所述共用配管始终打开以便使处理液流动,引导所述送液装置所输送的处理液,
分支部,与所述共用配管连接,
供给配管,所述供给配管始终打开以便使处理液流动,将所述共用配管所引导的处理液从所述分支部向所述喷嘴引导,
返回配管,所述返回配管始终打开以便使处理液流动,将所述共用配管所引导的处理液,从所述分支部沿着与所述供给配管不同的路径引导,
吸引装置,从所述分支部向所述返回配管侧吸引处理液,以及,
喷出阀,设置于所述共用配管,变更从所述共用配管向所述分支部供给的处理液的流量;
所述喷出阀包括:
阀体,包括环状的阀座,该阀座包围处理液流动的内部流路,
阀芯,配置于所述内部流路,能够相对于所述阀座移动,以及,
阀促动器,使所述阀芯在包括喷出执行位置和喷出停止位置的多个位置静止,所述喷出执行位置指,所述阀芯与所述阀座分离,且以大于吸引流量的最大值的流量从所述共用配管向所述分支部供给处理液的位置,所述吸引流量表示,借助所述吸引装置的吸引力从所述分支部向所述返回配管侧流动的处理液的流量,所述喷出停止位置指,所述阀芯与所述阀座分离,且以所述吸引流量的最大值以下的流量从所述共用配管向所述分支部供给处理液的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述供给配管包括从所述分支部向上方延伸的上升部,
所述返回配管包括从所述分支部向下方延伸的下降部。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具有:腔室,容纳所述基板保持单元,以及,流体箱,配置于所述腔室的侧方,
所述分支部配置于所述腔室或者流体箱内。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
还具有温度调节器,所述温度调节器执行加热以及冷却中的至少一种处理,在所述供给配管的上游变更向所述喷嘴供给的处理液的温度。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
还具有节流装置,所述节流装置通过减小所述返回配管的流路面积,来使所述返回配管中的压力损失增加。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述供给配管包括向处理液的流动的下游侧并向上方延伸的上升部,
所述基板处理装置还具有液体检测传感器,所述液体检测传感器检测所述上升部是否存在处理液。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还包括控制装置,在所述喷出阀的阀芯配置于所述喷出停止位置的情况下,所述液体检测传感器检测到所述上升部存在处理液时,所述控制装置使所述送液装置停止输送处理液。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
所述喷出阀的阀促动器为电动促动器,使所述阀芯在从打开位置到关闭位置为止的范围的任意的位置静止,所述打开位置指,所述阀芯与所述阀座分离的位置,所述关闭位置指,所述阀芯与所述阀座接触的位置,
所述喷出执行位置以及喷出停止位置为从所述打开位置到所述关闭位置为止的范围内的位置,
所述基板处理装置还包括控制装置,在所述喷出阀的阀芯配置于所述喷出停止位置的情况下,所述液体检测传感器检测到所述上升部存在处理液时,所述控制装置利用所述电动促动器使所述阀芯向所述关闭位置移动,来停止所述共用配管中的处理液的流动。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
还具有:
常开阀,设置于所述供给配管,除了所述喷出阀产生异常的情况之外,所述常开阀始终打开;
异常检测器,检测所述喷出阀的异常;以及,
控制装置,根据所述异常检测器的检测值判断所述喷出阀是否产生所述异常,在判断为产生所述异常时,关闭所述常开阀。
10.一种基板处理装置,其中,
具有:
多个基板保持单元,分别保持多个基板,
多个喷嘴,与所述多个基板保持单元一对一地对应,向保持于所述多个基板保持单元的多个基板喷出处理液,
送液装置,输送用于向保持于所述多个基板保持单元的多个基板供给的处理液,
多个共用配管,与所述多个喷嘴一对一地对应,所述多个共用配管始终打开以便使处理液流动,引导所述送液装置所输送的处理液,
多个分支部,分别与所述多个共用配管连接,
多个供给配管,与所述多个共用配管一对一地对应,所述多个供给配管始终打开以便使处理液流动,将所述多个共用配管所引导的处理液从所述多个分支部向所述多个喷嘴引导,
多个返回配管,与所述多个共用配管一对一地对应,所述多个返回配管始终打开以便使处理液流动,将所述多个共用配管所引导的处理液,从所述多个分支部沿着与所述多个供给配管不同的路径引导,
至少一个吸引装置,从所述多个分支部向所述多个返回配管侧吸引处理液,
多个喷出阀,分别设置于所述多个共用配管,变更从所述多个共用配管向所述多个分支部供给的处理液的流量,
多个常开阀,分别设置于所述多个供给配管,除了在所述多个喷出阀产生异常的情况之外,所述多个常开阀始终打开,
多个异常检测器,与所述多个喷出阀一对一地对应,检测所述多个喷出阀的异常,以及,
控制装置,根据所述多个异常检测器的检测值,判断所述多个喷出阀中的至少一个是否产生所述异常,在判断为产生了所述异常时,关闭所述多个常开阀中的至少一个;
所述多个喷出阀分别包括:,
阀体,包括环状的阀座,所述阀座包围处理液流动的内部流路,
阀芯,配置于所述内部流路,能够相对于所述阀座移动,
阀促动器,使所述阀芯在包括喷出执行位置和喷出停止位置的多个位置静止,所述喷出执行位置指,所述阀芯与所述阀座分离,且以大于吸引流量的最大值的流量从所述共用配管向所述分支部供给处理液的位置,所述吸引流量表示,借助所述吸引装置的吸引力从所述分支部向所述返回配管侧流动的处理液的流量,所述喷出停止位置指,所述阀芯与所述阀座分离,且以所述吸引流量的最大值以下的流量从所述共用配管向所述分支部供给处理液的位置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-031485 | 2017-02-22 | ||
JP2017031485 | 2017-02-22 | ||
JP2017207355A JP6975018B2 (ja) | 2017-02-22 | 2017-10-26 | 基板処理装置 |
JP2017-207355 | 2017-10-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108461419A true CN108461419A (zh) | 2018-08-28 |
CN108461419B CN108461419B (zh) | 2022-04-08 |
Family
ID=63367072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810083053.2A Active CN108461419B (zh) | 2017-02-22 | 2018-01-29 | 基板处理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11260436B2 (zh) |
JP (1) | JP6975018B2 (zh) |
KR (2) | KR102104165B1 (zh) |
CN (1) | CN108461419B (zh) |
TW (1) | TWI664026B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111326437A (zh) * | 2018-12-14 | 2020-06-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 喷淋装置、半导体加工设备以及清洗方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7312304B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2023-07-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP7132054B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2022-09-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
KR102346529B1 (ko) * | 2019-06-24 | 2021-12-31 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 |
JP7487006B2 (ja) * | 2020-05-19 | 2024-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
JP2023007053A (ja) * | 2021-07-01 | 2023-01-18 | 株式会社Sumco | 洗浄装置、洗浄方法、ウェーハの洗浄方法、およびシリコンウェーハの製造方法 |
JP2023098079A (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR102657375B1 (ko) * | 2021-12-30 | 2024-04-12 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102681072B1 (ko) * | 2022-04-01 | 2024-07-04 | 세메스 주식회사 | 약액 공급 장치 및 약액 공급 시스템 |
CN115069640A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-20 | 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 | 一种用于化学机械抛光工艺的清洗系统 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110013251A (ko) * | 2009-07-31 | 2011-02-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치, 액처리 방법 및 기록 매체 |
KR20110065340A (ko) * | 2009-12-09 | 2011-06-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 이 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 |
US20120175819A1 (en) * | 2011-01-06 | 2012-07-12 | Katsuhiko Miya | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US8464736B1 (en) * | 2007-03-30 | 2013-06-18 | Lam Research Corporation | Reclaim chemistry |
US20140148006A1 (en) * | 2010-10-14 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment apparatus and liquid treatment method |
KR20150022687A (ko) * | 2013-08-23 | 2015-03-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 |
TW201606907A (zh) * | 2014-05-16 | 2016-02-16 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板液體處理裝置、基板液體處理裝置之清洗方法及記錄媒體 |
TW201613012A (en) * | 2014-09-18 | 2016-04-01 | Screen Holdings Co Ltd | Substrate processing device |
JP2016063035A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2017034188A (ja) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および処理液吐出方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3990567B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2007-10-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ダイヤフラムバルブ、基板処理ユニットおよび基板処理装置 |
JP4247386B2 (ja) | 2003-11-28 | 2009-04-02 | 旭有機材工業株式会社 | 流量調節弁 |
JP5319942B2 (ja) | 2008-03-18 | 2013-10-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ダイヤフラムバルブおよびこれを備えた基板処理装置 |
JP5753352B2 (ja) * | 2010-07-20 | 2015-07-22 | 株式会社Screenホールディングス | ダイヤフラムバルブおよびこれを備えた基板処理装置 |
JP5887089B2 (ja) | 2011-09-14 | 2016-03-16 | アドバンス電気工業株式会社 | 液体供給装置 |
US20170014873A1 (en) | 2014-03-10 | 2017-01-19 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing system and pipe cleaning method |
JP6320805B2 (ja) | 2014-03-17 | 2018-05-09 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置 |
JP6553353B2 (ja) | 2014-12-16 | 2019-07-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及びその装置 |
-
2017
- 2017-10-26 JP JP2017207355A patent/JP6975018B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-25 TW TW107102664A patent/TWI664026B/zh active
- 2018-01-29 CN CN201810083053.2A patent/CN108461419B/zh active Active
- 2018-01-30 KR KR1020180011363A patent/KR102104165B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-04-17 KR KR1020200046346A patent/KR102141333B1/ko active IP Right Grant
- 2020-05-28 US US16/885,899 patent/US11260436B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8464736B1 (en) * | 2007-03-30 | 2013-06-18 | Lam Research Corporation | Reclaim chemistry |
KR20110013251A (ko) * | 2009-07-31 | 2011-02-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치, 액처리 방법 및 기록 매체 |
KR20110065340A (ko) * | 2009-12-09 | 2011-06-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 이 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 |
US20140148006A1 (en) * | 2010-10-14 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment apparatus and liquid treatment method |
US20120175819A1 (en) * | 2011-01-06 | 2012-07-12 | Katsuhiko Miya | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
KR20150022687A (ko) * | 2013-08-23 | 2015-03-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 |
TW201606907A (zh) * | 2014-05-16 | 2016-02-16 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板液體處理裝置、基板液體處理裝置之清洗方法及記錄媒體 |
JP2016063035A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
TW201613012A (en) * | 2014-09-18 | 2016-04-01 | Screen Holdings Co Ltd | Substrate processing device |
JP2016063074A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2017034188A (ja) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および処理液吐出方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111326437A (zh) * | 2018-12-14 | 2020-06-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 喷淋装置、半导体加工设备以及清洗方法 |
CN111326437B (zh) * | 2018-12-14 | 2024-05-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 喷淋装置、半导体加工设备以及清洗方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018137419A (ja) | 2018-08-30 |
US20200290101A1 (en) | 2020-09-17 |
KR102104165B1 (ko) | 2020-04-23 |
US11260436B2 (en) | 2022-03-01 |
KR102141333B1 (ko) | 2020-08-04 |
TWI664026B (zh) | 2019-07-01 |
KR20200044753A (ko) | 2020-04-29 |
CN108461419B (zh) | 2022-04-08 |
TW201841689A (zh) | 2018-12-01 |
JP6975018B2 (ja) | 2021-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108461419A (zh) | 基板处理装置 | |
CN108461418B (zh) | 基板处理装置 | |
TWI709169B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP7312656B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102525270B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
CN109545704B (zh) | 药液生成方法、药液生成装置及基板处理装置 | |
US10717117B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TWI695425B (zh) | 處理液除電方法、基板處理方法以及基板處理系統 | |
CN108630572A (zh) | 基板处理装置 | |
KR102378913B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
TW202131437A (zh) | 基板處理裝置 | |
JP6624599B2 (ja) | 基板処理装置および処理液吐出方法 | |
JP2015228410A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2017212335A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2023127493A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |