JP2017010959A - 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】第２処理液の沸点よりも高い温度の、第１処理液および第２処理液の混合液と第２処理液とが同じ供給管から基板へ供給される場合であっても、スプラッシュの発生を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】実施形態の一態様に係る基板処理方法は、混合液供給工程と、形成工程と、第２処理液供給工程とを含む。混合液供給工程は、第１処理液と第２処理液とを混合して混合液を生成し、第２処理液の沸点より高い温度の混合液を供給管を介して基板へ供給する。形成工程は、混合液供給工程の後、供給管内に混合液以外の流体で充填された非混合液部分を形成する。第２処理液供給工程は、形成工程の後、非混合液部分が形成された供給管を介して第２処理液を基板へ供給する。【選択図】図４

Description

開示の実施形態は、基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体に関する。

半導体デバイスの製造工程では、基板上に形成されたレジストをマスクとして、エッチングやイオン注入等の処理が行われる。その後、不要となったレジストは基板上から除去される。

レジストの除去方法としては、第１処理液である硫酸と第２処理液である過酸化水素水とを混合し、混合液であるＳＰＭ（Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture）を基板に供給することによってレジストを除去するＳＰＭ処理が知られている。なお、混合液は、レジストの除去能力を高めるために高温に加熱された状態で基板に供給される。

また、ＳＰＭ処理後には、基板に対して純水を供給することによって基板に残存する硫酸を洗い流す処理が行われる。

ここで、硫酸は粘度が比較的高いため、単に純水を供給しただけでは硫酸を十分に洗い流すことが困難である。そのため、純水を供給する前に、過酸化水素水を供給する技術が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。

第２処理液である過酸化水素水を供給すると、基板に残存する硫酸が過酸化水素水と反応してカロ酸に変化する。このカロ酸は、硫酸よりも粘度が低く、純水で容易に洗い流すことができるため、ＳＰＭ処理後の基板に対して直接純水を供給する場合と比較して、硫酸を適切に除去することができる。

特開２００７−０５９８１６号公報

しかしながら、上記した従来技術においては、混合液を供給管を介して基板へ供給した後、同じ供給管を用いて第２処理液を基板へ供給している。そのため、従来技術にあっては、供給管から吐出される処理液が混合液から第２処理液へ切り替わる際に、処理液の跳ねであるスプラッシュが生じて周囲を汚染するおそれがあった。

すなわち、第２処理液である過酸化水素水の沸点は、第１処理液である硫酸や混合液の沸点よりも低い。また、混合液は上記したように高温であるため、第２処理液の沸点よりも高温の混合液の場合、第２処理液が供給管内で接すると、混合液と第２処理液との境界付近において、過酸化水素水に含まれる水分が沸騰して気泡が発生するとともに、内圧が上昇することがあった。これにより、供給管から吐出される処理液が混合液から第２処理液へ切り替わる際に、スプラッシュが生じて周囲を汚染するおそれがあった。

実施形態の一態様は、第２処理液の沸点よりも高い温度の、第１処理液および第２処理液の混合液と第２処理液とが同じ供給管から基板へ供給される場合であっても、スプラッシュの発生を抑制することができる基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体を提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る基板処理方法は、混合液供給工程と、形成工程と、第２処理液供給工程とを含む。混合液供給工程は、第１処理液と第２処理液とを混合して混合液を生成し、前記第２処理液の沸点より高い温度の前記混合液を供給管を介して基板へ供給する。形成工程は、前記混合液供給工程の後、前記供給管内に前記混合液以外の流体で充填された非混合液部分を形成する。第２処理液供給工程は、前記形成工程の後、前記非混合液部分が形成された前記供給管を介して前記第２処理液を基板へ供給する。

実施形態の一態様によれば、第２処理液の沸点よりも高い温度の、第１処理液および第２処理液の混合液と第２処理液とが同じ供給管から基板へ供給される場合であっても、スプラッシュの発生を抑制することができる。

図１は、第１の実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。 図３は、処理ユニットの具体的な構成例を示す図である。 図４は、第１の実施形態に係る基板処理システムが実行する基板処理の処理手順を示すフローチャートである。 図５Ａは、処理ユニット内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。 図５Ｂは、処理ユニット内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。 図５Ｃは、処理ユニット内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。 図５Ｄは、処理ユニット内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。 図５Ｅは、処理ユニット内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。 図６は、混合液の粘度と第２所定回転数との関係の一例を示す図である。 図７は、混合液の粘度と不活性ガスの供給量との関係の一例を示す図である。 図８Ａは、第２の実施形態における処理ユニット内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。 図８Ｂは、第２の実施形態における処理ユニット内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。 図９は、第３の実施形態に係る基板処理システムが実行する基板処理の処理手順を示すフローチャートである。 図１０Ａは、第３の実施形態における処理ユニット内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。 図１０Ｂは、第３の実施形態における処理ユニット内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。 図１１は、第４の実施形態に係る処理ユニットの構成例を示す図である。 図１２Ａは、第４の実施形態における処理ユニット内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。 図１２Ｂは、第４の実施形態における処理ユニット内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

＜１．基板処理システムの構成＞
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

なお、上記した基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。次に、基板処理システム１の処理ユニット１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。

図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。

チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。

基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。

処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。

回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。

＜２．処理ユニットの具体的構成＞
次に、上記した処理ユニット１６におけるチャンバ２０、基板保持機構３０および処理流体供給部４０の具体的な構成について図３を参照して説明する。図３は、処理ユニット１６におけるチャンバ２０、基板保持機構３０および処理流体供給部４０の具体的な構成例を示す図である。

図３に示すように、本実施形態に係る処理ユニット１６が備えるチャンバ２０のＦＦＵ２１には、バルブ２２を介して不活性ガス供給源２３が接続される。ＦＦＵ２１は、不活性ガス供給源２３から供給されるＮ２ガス等の不活性ガスをダウンフローガスとしてチャンバ２０内に吐出する。このように、ダウンフローガスとして不活性ガスを用いることにより、ウェハＷが酸化することを防止することができる。

基板保持機構３０の保持部３１上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１１が設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１１によって保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。ウェハＷは、レジストが形成された面を上方に向けた状態で保持部３１に保持される。

処理流体供給部４０は、第１液供給部４０ａと、第２液供給部４０ｂとを備える。第１液供給部４０ａは、第１ノズル４１ａと、第１ノズル４１ａを水平に支持する第１アーム４２ａと、第１アーム４２ａを旋回および昇降させる第１旋回昇降機構４３ａとを備える。

第１ノズル４１ａは、第１供給管４５ａおよび第２供給管４５ｂを介して硫酸供給源７０ａに接続される。なお、第１ノズル４１ａはノズルの一例である。また、第１供給管４５ａは供給管の一例であり、かかる第１供給管４５ａの先端、言い換えると、下流側に第１ノズル４１ａが設けられている。

なお、本明細書において「上流」や「下流」などの表現は、たとえば硫酸供給源７０ａなどの処理流体供給源７０（図２参照）から供給される処理流体の流れ方向における「上流」「下流」を意味する。

図３に示すように、第１供給管４５ａは第２供給管４５ｂの下流側に配設されるとともに、第１供給管４５ａと第２供給管４５ｂとの間には、混合部４６が介挿される。かかる混合部４６は、第３供給管４５ｃを介して過酸化水素水供給源７０ｂに接続される。

また、第２供給管４５ｂにはバルブ６０ａが介挿される一方、第３供給管４５ｃにはバルブ６０ｂが介挿される。

したがって、たとえばバルブ６０ａおよびバルブ６０ｂの両方が開放されると、混合部４６は、硫酸供給源７０ａから供給される硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と、過酸化水素水供給源７０ｂから供給される過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）とを混合する。そして、混合部４６は、混合された混合液であるＳＰＭ（Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture）を生成する。

混合部４６で生成された混合液は、第１供給管４５ａを通って第１ノズル４１ａからウェハＷの上面へ供給される。なお、混合部４６としては、たとえばミキサーを用いることができるが、これに限られるものではない。

また、バルブ６０ｂのみを開放した場合、過酸化水素水供給源７０ｂから供給される過酸化水素水は、第３供給管４５ｃ、混合部４６および第１供給管４５ａを通って第１ノズル４１ａからウェハＷの上面へ供給される。

なお、硫酸供給源７０ａから供給される硫酸は、比較的高温であり、たとえば９０℃である。また、過酸化水素水供給源７０ｂから供給される過酸化水素水は、たとえば常温（２５℃程度）である。また、混合部４６で生成される混合液は、硫酸の希釈熱によって温度が上昇し、硫酸の温度よりも高い温度、たとえば１６０℃程度になる。このように、混合液の温度が比較的高くなることで、ウェハＷの上面に形成されたレジストの除去能力を高めることができる。

なお、上記した硫酸は第１処理液の一例であり、過酸化水素水は第２処理液の一例である。また、第１処理液は、上記した硫酸に限定されるものではなく、たとえば、硝酸などその他の処理流体であってもよい。また、第２処理液は、上記した過酸化水素水に限定されるものではなく、たとえば、ＤＨＦ（希フッ酸）、ＤＩＷ（純水）、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）などその他の処理流体であってもよい。

また、混合部４６の上流側、たとえば、第２供給管４５ｂにおいて混合部４６とバルブ６０ａとの間には、第４供給管４５ｄが接続される。かかる第４供給管４５ｄは、不活性ガス供給源７０ｃに接続される。また、第４供給管４５ｄには、バルブ６０ｃが介挿される。不活性ガス供給源７０ｃから供給される不活性ガスとしては、たとえばＮ２を用いることができるが、これに限られず、たとえばアルゴンなどその他の種類のガスであってもよい。なお、上記した不活性ガス供給源７０ｃやバルブ６０ｃの詳細については、後述する。また、第４供給管４５ｄおよびバルブ６０ｃは、不活性ガス供給部の一例である。

第２液供給部４０ｂは、第２ノズル４１ｂと、第２ノズル４１ｂを水平に支持する第２アーム４２ｂと、第２アーム４２ｂを旋回および昇降させる第２旋回昇降機構４３ｂとを備える。

第２ノズル４１ｂは、第５供給管４５ｅを介してＤＩＷ供給源７０ｄに接続される。また、第５供給管４５ｅには、バルブ６０ｄが介挿される。

したがって、バルブ６０ｄが開放されると、ＤＩＷ供給源７０ｄから供給されるＤＩＷは、第５供給管４５ｅを通って第２ノズル４１ｂからウェハＷの上面へ供給される。なお、ＤＩＷ供給源７０ｄから供給されるＤＩＷは、たとえば常温（２５℃程度）の純水である。なお、ＤＩＷはリンス液の一例である。また、第５供給管４５ｅおよびバルブ６０ｄは、リンス液供給部の一例である。

なお、上記では、第１ノズル４１ａは第１アーム４２ａに、第２ノズル４１ｂは第２アーム４２ｂに支持されるようにしたが、これに限られず、第１、第２ノズル４１ａ，４１ｂが同じアームに支持されるようにしてもよい。また、第１ノズル４１ａと第２ノズル４１ｂとは、別々のノズルであることを要せず、たとえば同じノズルであってもよい。

本実施形態に係る基板処理システム１は、上記のように構成されており、保持部３１に保持されたウェハＷの上面に混合液等の処理流体を供給することによって、ウェハＷの上面に形成されたレジストを除去する。

＜３．基板処理システムの具体的動作＞
次に、本実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の内容について図４および図５Ａ〜５Ｅを参照して説明する。

図４は、本実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の処理手順を示すフローチャートである。図５Ａ〜５Ｅは、処理ユニット１６内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。なお、図４に示す各処理手順は、制御装置４の制御部１８の制御に従って実行される。

まず、基板搬送装置１７（図１参照）によって処理ユニット１６のチャンバ２０（図２参照）内にウェハＷが搬入されて、レジストが形成された面を上方に向けた状態で保持部３１の保持部材３１１に保持される。その後、制御部１８は、駆動部３３を制御し、保持部３１を予め設定された第１所定回転数Ｒ１（たとえば５０ｒｐｍ）で回転させる。

続いて、処理ユニット１６では、図４に示すように、混合液供給処理が行われる（ステップＳ１０１）。かかる混合液供給処理では、制御部１８は、第１旋回昇降機構４３ａを制御し、第１ノズル４１ａをウェハＷの中央上方に位置させる。

その後、制御部１８は、バルブ６０ａおよびバルブ６０ｂを所定時間開放する。これにより、図５Ａに示すように、硫酸と過酸化水素水とが混合部４６へ供給されて混合され、混合液（ＳＰＭ）が生成される。混合部４６で生成された混合液は、第１供給管４５ａおよび第１ノズル４１ａを介して、回転するウェハＷの上面へ供給される。

ウェハＷに供給された混合液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの表面に塗り広げられる。これにより、ウェハＷの上面に形成されたレジストが、混合液に含まれるカロ酸（Ｈ２ＳＯ５：ペルオキソ一硫酸）の強い酸化力によって除去される。

続いて、処理ユニット１６では、ウェハＷの上面の混合液を洗い流す処理が行われる。ここで、上記した混合液に含まれる硫酸は粘度が比較的高いため、ＤＩＷの供給では十分に洗い流すことが困難であった。そのため、従来技術では、混合液供給処理後のウェハＷに対して過酸化水素水を供給することにより、ウェハＷに残存する硫酸を粘度の低いカロ酸に変化させて洗い流しやすくする処理を行っていた。

しかしながら、混合液の温度は、上記したように１６０℃と比較的高温である。一方、過酸化水素水の沸点（３５ｗｔ％で１０８℃）は、混合液や硫酸の沸点よりも低く、また、混合液の温度よりも低い。

そのため、混合液を供給した第１供給管４５ａおよび第１ノズル４１ａから続けて過酸化水素水を供給する場合、過酸化水素水の沸点よりも高い温度の混合液に過酸化水素水が第１供給管４５ａ内で接することとなる。高温の混合液に過酸化水素水が接すると、混合液と過酸化水素水との境界付近において、過酸化水素水に含まれる水分が沸騰して気泡が発生するとともに、第１供給管４５ａの内圧が上昇することがあった。

これにより、たとえば、第１供給管４５ａから第１ノズル４１ａを介して吐出される処理液が混合液から過酸化水素水へ切り替わる際に、スプラッシュが生じ、回収カップ５０やチャンバ２０の内壁など周囲の器具を汚染するおそれがあった。

そこで、本実施形態に係る処理ユニット１６においては、混合液を供給した後の第１供給管４５ａ内に、混合液以外の流体で充填された非混合液部分４７（図５Ｂ参照）を形成する処理を行うこととした（ステップＳ１０２）。その後、過酸化水素水を、非混合液部分４７が形成された第１供給管４５ａを介してウェハＷへ供給する過酸化水素水供給処理を行うこととした（ステップＳ１０３）。

このように、第１供給管４５ａ内に非混合液部分４７を形成することで、混合液と過酸化水素水との接触を抑制することが可能となる。これにより、たとえば混合液と過酸化水素水とが同じ第１供給管４５ａからウェハＷへ供給される場合であっても、過酸化水素水の温度は沸点に到達しにくく、よって上記したスプラッシュの発生を抑制することができる。

以下、ステップＳ１０２の非混合液部分形成処理（以下、「形成処理」という場合がある）、および、ステップＳ１０３の過酸化水素水供給処理の内容について詳しく説明する。

形成処理において、制御部１８は、バルブ６０ａおよびバルブ６０ｂを閉鎖し、硫酸および過酸化水素水の供給を停止した後、バルブ６０ｃを開放する。これにより、図５Ｂに示すように、不活性ガス供給源７０ｃから不活性ガスが第４供給管４５ｄ、第２供給管４５ｂ、混合部４６を介して第１供給管４５ａへ供給される。すなわち、第１供給管４５ａ内などにおいて混合液が残留した部分よりも上流側に、不活性ガスが注入される。

これにより、混合部４６や第１供給管４５ａ内には、不活性ガスで充填された非混合液部分４７が形成されることとなる。なお、第４供給管４５ｄおよびバルブ６０ｃは、非混合液部分４７を形成する形成部の一例である。

さらに、制御部１８は、バルブ６０ｃを所定時間継続して開放する。これにより、不活性ガスがさらに第１供給管４５ａへ供給され、図５Ｃに示すように、第１供給管４５ａに残留した混合液はウェハＷ側へ押し出される。これにより、第１供給管４５ａや第１ノズル４１ａ内に残った混合液を全てウェハＷへ供給することができ、よって混合部４６で生成された混合液を無駄なく有効利用することができる。

また、制御部１８は、上記した非混合液部分４７を形成する際、混合液供給処理におけるウェハＷの回転数（第１所定回転数Ｒ１）よりも低い第２所定回転数Ｒ２（たとえば２０ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ未満）でウェハＷを回転させる。これにより、たとえば、形成処理が行われる間にウェハＷの表面が乾燥することを抑制することができる。

具体的に説明すると、形成処理において、第１供給管４５ａ内の混合液が全てウェハＷに供給されると、次に過酸化水素水が供給されるまでウェハＷには処理液が供給されない。そのため、ウェハＷの表面の混合液がウェハＷの回転による遠心力によって振り切られて乾燥してしまうおそれがある。

そこで、本実施形態では、形成処理におけるウェハＷの回転数を、混合液供給処理におけるウェハＷの回転数よりも低下させ、それによってウェハＷの回転による遠心力を低下させるようにした。これにより、ウェハＷの表面の混合液は遠心力によって振り切られにくくなり、ウェハＷの表面が乾燥することを抑制することができる。

次いで、図４に示すように、処理ユニット１６では、上記した過酸化水素水供給処理が行われる。かかる過酸化水素水供給処理において、制御部１８は、バルブ６０ｃを閉鎖し、不活性ガスの供給を停止した後、バルブ６０ｂを所定時間開放する。これにより、図５Ｄに示すように、過酸化水素水供給源７０ｂから過酸化水素水が第３供給管４５ｃ、混合部４６を介して第１供給管４５ａへ供給される。そして、第１供給管４５ａなどに存在する非混合液部分４７（不活性ガス）は、第１ノズル４１ａからウェハＷ側へ押し出される。

その後、図５Ｅに示すように、過酸化水素水は、第１ノズル４１ａに到達し、第１ノズル４１ａからウェハＷの上面へ供給される。なお、過酸化水素水は第２処理液であるため、上記した過酸化水素水供給処理は、第２処理液供給処理の一例である。

ウェハＷに供給された過酸化水素水は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの表面に塗り広げられる。これにより、ウェハＷ上に残存する硫酸が過酸化水素水と反応して粘度の低いカロ酸に変化し、後段のＤＩＷ供給処理においてウェハＷ上に残存する薬液を洗い流しやすくすることができる。

また、制御部１８は、ウェハＷへの過酸化水素水の供給が開始されると、低下させていたウェハＷの回転数を、第２所定回転数Ｒ２よりも高い第３所定回転数Ｒ３（たとえば５０ｒｐｍ）へ上昇させる。なお、上記では、第３所定回転数Ｒ３の具体的な数値を第１所定回転数Ｒ１と同じ値としたが、これは例示であって限定されるものではなく、たとえば互いに異なる値としてもよい。

過酸化水素水供給処理が完了すると、処理ユニット１６では続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ１０４）。かかるリンス処理では、制御部１８は、第２旋回昇降機構４３ｂを制御し、ウェハＷの中央上方に第２ノズル４１ｂ（図３参照）を位置させる。そして、制御部１８は、バルブ６０ｄを所定時間開放する。これにより、ＤＩＷ供給源７０ｄからＤＩＷが第５供給管４５ｅ、第２ノズル４１ｂを介してウェハＷの上面へ供給される。

ウェハＷに供給されたＤＩＷは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの表面に塗り広げられる。これにより、ウェハＷに残存する薬液がＤＩＷによって洗い流される。

次いで、処理ユニット１６では、乾燥処理が行われる（ステップＳ１０５）。かかる乾燥処理では、制御部１８は、ウェハＷを比較的高い回転数（たとえば、１０００ｒｐｍ）で所定時間回転させる。これにより、ウェハＷに残存するＤＩＷが振り切られて、ウェハＷが乾燥する。その後、制御部１８は、ウェハＷの回転を停止させて、一連の基板処理が終了する。

上述してきたように、本実施形態に係る基板処理方法は、混合液供給工程と、形成工程と、過酸化水素水供給工程（第２処理液供給工程の一例）とを含む。混合液供給工程は、硫酸（第１処理液）と過酸化水素水（第２処理液）とを混合して混合液（ＳＰＭ）を生成し、過酸化水素水の沸点より高い温度の混合液を第１供給管４５ａを介してウェハＷへ供給する。形成工程は、混合液供給工程の後、第１供給管４５ａ内に非混合液部分４７を形成する。過酸化水素水供給工程は、形成工程の後、非混合液部分４７が形成された第１供給管４５ａを介して過酸化水素水をウェハＷへ供給する。

これにより、過酸化水素水の沸点よりも高い温度の混合液と過酸化水素水とが同じ第１供給管４５ａからウェハＷへ供給される場合であっても、スプラッシュの発生を抑制することができる。

また、本実施形態にあっては、形成工程において、第１供給管４５ａ内に不活性ガスを注入することによって、第１供給管４５ａ内に非混合液部分４７を形成するようにした。これにより、第１供給管４５ａ内に非混合液部分４７を容易に形成することができる。

＜４．変形例＞
次に、本実施形態に係る基板処理システム１の第１、第２変形例について説明する。第１変形例における基板処理システム１では、形成処理時のウェハＷの回転数である第２所定回転数Ｒ２を、混合液の粘度に応じて変更するようにした。図６は、混合液の粘度と第２所定回転数Ｒ２との関係の一例を示す図である。

詳説すると、たとえば混合液において、硫酸に対する過酸化水素水の割合が多く、粘度が比較的低い場合、ウェハＷの回転数が高くなると、ウェハＷの表面において乾燥が生じやすくなる。そのため、第１変形例における基板処理システム１では、図６に示すように、混合液の粘度が比較的低い場合、第２所定回転数Ｒ２が低回転となるように設定される。

一方、混合液において、硫酸に対する過酸化水素水の割合が少なく、混合液の粘度が比較的高い場合、ウェハＷの回転数が高くても、ウェハＷの表面に乾燥は生じにくい。そこで、第１変形例においては、混合液の粘度が比較的高い場合、第２所定回転数Ｒ２が高回転となるように設定される。

すなわち、第１変形例では、第２所定回転数Ｒ２は、混合液の粘度が低くなるにつれて、低回転となるように設定される。具体的に制御部１８は、たとえば、硫酸と過酸化水素水との混合比に基づいて混合液の粘度を推定し、推定された混合液の粘度に応じて第２所定回転数Ｒ２を設定する。これにより、第１変形例においては、第２所定回転数Ｒ２を混合液の粘度に応じて変更することができ、よってウェハＷの乾燥を効果的に抑制することができる。

次に、第２変形例について説明する。第２変形例における基板処理システム１では、形成処理時における不活性ガスの供給量を、混合液の粘度に応じて変更するようにした。図７は、混合液の粘度と不活性ガスの供給量との関係の一例を示す図である。

詳説すると、上記したように、粘度が比較的低い場合、ウェハＷの表面において乾燥が生じやすくなる。そのため、第２変形例における基板処理システム１では、図７に示すように、混合液の粘度が比較的低い場合、不活性ガスの供給量が少なくなるように設定される、すなわち、形成処理に要する時間が短くなるように設定される。

一方、混合液の粘度が比較的高い場合、ウェハＷの表面に乾燥は生じにくい。そこで、第２変形例においては、混合液の粘度が比較的高い場合、不活性ガスの供給量が多くなるように設定される。これにより、第１供給管４５ａ内に非混合液部分４７が確実に形成される。

すなわち、第２変形例では、不活性ガスの供給量は、混合液の粘度が低くなるにつれて、少なくなるように設定される。具体的に制御部１８は、たとえば、硫酸と過酸化水素水との混合比に基づいて混合液の粘度を推定し、推定された混合液の粘度に応じて不活性ガスの供給量を設定する。これにより、第２変形例においては、不活性ガスの供給量を混合液の粘度に応じて変更することができ、よってウェハＷの乾燥を効果的に抑制することができる。

なお、上記した第１変形例と第２変形例とを組み合わせるように構成してもよい。すなわち、制御部１８は、硫酸と過酸化水素水との混合比に基づいて混合液の粘度を推定し、推定された混合液の粘度に応じて第２所定回転数Ｒ２および不活性ガスの供給量を設定するようにしてもよい。

（第２の実施形態）
次いで、第２の実施形態に係る基板処理システム１について説明する。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

第２の実施形態に係る基板処理システム１では、第１供給管４５ａ内において混合液が残留した部分よりも上流側に不活性ガスを注入して不活性ガス層を形成し、不活性ガス層を非混合液部分４７として形成するようにした。

以下、第２の実施形態について図８Ａおよび図８Ｂを参照して説明する。図８Ａおよび図８Ｂは、第２の実施形態における処理ユニット１６内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。

上記したように、処理ユニット１６では、混合液供給処理の後、形成処理が行われる（図４参照）。かかる形成処理において、制御部１８は、バルブ６０ｃを開放する。これにより、図８Ａに示すように、不活性ガス供給源７０ｃから不活性ガスが第４供給管４５ｄ、第２供給管４５ｂ、混合部４６を介して第１供給管４５ａへ供給される。すなわち、第１供給管４５ａ内などにおいて混合液が残留した部分よりも上流側に、不活性ガスが注入される。

続いて、制御部１８は、不活性ガスが第１供給管４５ａに残留した混合液をウェハＷ側へ全てを押し出す前に、バルブ６０ｃを閉鎖する一方、バルブ６０ｂを開放する。これにより、過酸化水素水が第３供給管４５ｃおよび混合部４６を介して第１供給管４５ａへ供給される。

したがって、第１供給管４５ａにおいては、図８Ｂに示すように、不活性ガスは、混合液と過酸化水素水との間に層状に充填されることとなる。層状の不活性ガスが「不活性ガス層」であり、第２の実施形態では、かかる不活性ガス層が非混合液部分４７とされる。

これにより、第２の実施形態にあっては、混合液と過酸化水素水とが同じ第１供給管４５ａからウェハＷへ供給される場合であっても、不活性ガス層である非混合液部分４７を形成することで、スプラッシュの発生を抑制することができる。

また、第２の実施形態においては、不活性ガスが第１供給管４５ａに残留した混合液をウェハＷ側へ全てを押し出す前に、バルブ６０ｃを閉鎖することから、比較的少ない不活性ガスで非混合液部分４７（不活性ガス層）を形成することができる。なお、残余の効果は第１の実施形態と同一であるので、説明を省略する。

（第３の実施形態）
次いで、第３の実施形態に係る基板処理システム１について説明する。第３の実施形態に係る処理ユニット１６は、図１に想像線で示すように、チャンバ２０内に収容部８０と、排水路８１とをさらに備える。収容部８０は、たとえば、回収カップ５０の外方に配置されるが、配置位置はこれに限定されない。

また、収容部８０は、図１に破線で示すように、ウェハＷに処理液を吐出していない状態の第１ノズル４１ａ、換言すると、待機中の第１ノズル４１ａを収容する。なお、収容部８０としては、たとえば、第１ノズル４１ａを洗浄するノズルバスなどを用いることができるが、これに限定されるものではない。

排水路８１は、収容部８０に接続され、たとえば収容部８０内で第１ノズル４１ａから吐出された混合液などの処理液を外部へ排水する。なお、第３の実施形態に係る処理ユニット１６においては、第１の実施形態における不活性ガス供給源７０ｃ、第４供給管４５ｄおよびバルブ６０ｃが除去される。

上記のように構成された第３の実施形態に係る処理ユニット１６においては、第１ノズル４１ａを収容部８０に待機させた状態で、形成処理が実行されるようにした。これにより、混合液と過酸化水素水とを同じ第１供給管４５ａからウェハＷへ供給する場合であっても、スプラッシュが生じて周囲が汚染されることを抑制することができる。

以下、第３の実施形態に係る処理ユニット１６内で行われる基板処理の内容について図９および図１０Ａ，１０Ｂを参照して具体的に説明する。図９は、第３の実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図１０Ａ，１０Ｂは、処理ユニット１６内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。

図９に示すように、第３の実施形態に係る処理ユニット１６では、ステップＳ１０１の混合液供給処理後、待機位置移動処理が行われる（ステップＳ１０１ａ）。かかる待機位置移動処理において、制御部１８は、第１旋回昇降機構４３ａを制御し、第１ノズル４１ａを収容部８０に収容して第１ノズル４１ａを待機させる。

続いて、処理ユニット１６では、形成処理が行われる（ステップＳ１０２）。形成処理において、制御部１８は、バルブ６０ｂを開放する。これにより、図１０Ａに示すように、過酸化水素水が第３供給管４５ｃ、混合部４６を介して第１供給管４５ａへ供給される。すなわち、第１供給管４５ａ内などにおいて混合液が残留した部分よりも上流側に、過酸化水素水が注入される。

さらに、制御部１８は、バルブ６０ｂを所定時間継続して開放する。これにより、過酸化水素水がさらに第１供給管４５ａへ供給され、図１０Ｂに示すように、第１供給管４５ａに残留した混合液は収容部８０へ押し出される。なお、収容部８０に押し出された混合液は、排水路８１を通って外部へ排水される。

このように、第３の実施形態では、第１ノズル４１ａを収容部８０に待機させた状態で過酸化水素水を供給して、第１供給管４５ａ内の混合液を押し出し、かかる過酸化水素水を非混合液部分４７として形成するようにした。

形成処理においては、第１ノズル４１ａが収容部８０に収容された状態であるため、仮にスプラッシュが生じた場合であっても、混合液などは収容部８０内に飛散することとなり、よってスプラッシュによって周囲が汚染されることを抑制することができる。なお、第３供給管４５ｃおよびバルブ６０ｂは、形成部の一例である。

次いで、処理ユニット１６では、液供給位置移動処理が行われる（ステップＳ１０２ａ）。かかる液供給位置移動処理において、制御部１８は、たとえば、第１旋回昇降機構４３ａの動作を制御し、収容部８０に収容されていた第１ノズル４１ａを、収容部８０からウェハＷの中央上方の吐出位置、詳しくは過酸化水素水等をウェハＷに供給する位置へ移動させる。

続いて、制御部１８は、上記した過酸化水素水供給処理、ＤＩＷ供給処理および乾燥処理を実行し、一連の基板処理が終了する。

このように、第３の実施形態に係る基板処理システム１においては、第１ノズル４１ａを収容部８０に待機させた状態で、形成処理が実行されることから、スプラッシュが生じて周囲が汚染されることを抑制することができる。なお、残余の効果は従前の実施形態と同一であるので、説明を省略する。

また、上記では、第１供給管４５ａ内などにおいて混合液が残留した部分よりも上流側に、過酸化水素水が注入されるようにしたが、これに限られず、たとえば、不活性ガスが注入されるようにしてもよい。これにより、スプラッシュの発生を効果的に抑えることができるとともに、周囲が汚染されることをより一層抑制することができる。

（第４の実施形態）
次いで、第４の実施形態に係る基板処理システム１について説明する。第４の実施形態では、第１供給管４５ａなどに残留した混合液を処理ユニット１６ａの外部へ排出することで、第１供給管４５ａ内に非混合液部分４７を形成するようにした。

以下、第４の実施形態について図１１および図１２Ａ，１２Ｂを参照して説明する。図１１は、第４の実施形態に係る処理ユニット１６ａの構成例を示す図である。図１２Ａおよび図１２Ｂは、処理ユニット１６ａ内で行われる基板処理の一部を示す模式図である。

図１１に示すように、第４の実施形態に係る処理ユニット１６ａにおいては、第１の実施形態における不活性ガス供給源７０ｃ、第４供給管４５ｄおよびバルブ６０ｃが除去される。

また、処理ユニット１６ａは、排出管９０を備える。排出管９０は、第２供給管４５ｂの途中、詳しくは、第２供給管４５ｂにおいて混合部４６とバルブ６０ａとの間に接続される。したがって、排出管９０は、第２供給管４５ｂを介して、混合部４６および第１供給管４５ａに接続されているともいえる。また、排出管９０には、バルブ９１が介挿される。

上記のように構成された処理ユニット１６ａにおいて、形成処理が行われる。かかる形成処理において、制御部１８は、バルブ６０ａおよびバルブ６０ｂを閉鎖し、硫酸および過酸化水素水の供給を停止した後、バルブ９１を所定時間開放する。これにより、図１２Ａに示すように、第１供給管４５ａや混合部４６、第２供給管４５ｂなどに残留した混合液は、排出管９０を介して外部へ排出される。このとき、第１供給管４５ａにおいては、第１ノズル４１ａ側からエアが吸い込まれることとなるため、第４の実施形態では、かかるエアを非混合液部分４７として形成するようにした。なお、排出管９０およびバルブ９１は、形成部の一例である。

続いて、非混合液部分４７（エア）が形成された状態で、制御部１８は、バルブ９１を閉鎖する一方、バルブ６０ｂを開放する。これにより、図１２Ｂに示すように、過酸化水素水は、第３供給管４５ｃおよび混合部４６を介して第１供給管４５ａへ供給され、第１供給管４５ａ内に残留した非混合液部分４７（エア）をウェハＷ側へ押し出す。その後、第１供給管４５ａに供給された過酸化水素水は、第１ノズル４１ａを介してウェハＷへ供給される。

このように、第４の実施形態にあっては、第１供給管４５ａに残留した混合液を、第１供給管４５ａに接続された排出管９０を介して排出することによって、第１供給管４５ａ内に非混合液部分４７を形成するようにした。

これにより、第１供給管４５ａ内において、混合液と過酸化水素水との接触を抑制することが可能となり、たとえば混合液と過酸化水素水とが同じ第１供給管４５ａからウェハＷへ供給される場合であっても、スプラッシュの発生を抑制することができる。なお、残余の効果は従前の実施形態と同一であるので、説明を省略する。

また、上記した第４の実施形態においては、図１１に想像線で示すように、排出管９０に吸引部９２を設けるようにしてもよい。具体的に説明すると、吸引部９２は、第１供給管４５ａに残留した混合液を吸引し、吸引した混合液を排出管９０を介して外部へ排出させる。なお、吸引部９２としては、たとえば、第１供給管４５ａ等に負圧を発生させるポンプなどの装置を用いることができるが、これに限られない。

そして、制御部１８は、形成処理が開始されると、バルブ９１を開放するとともに、吸引部９２を駆動させる。これにより、第１供給管４５ａに残留した混合液は、排出管９０を介して早期に排出することができ、結果としてウェハＷの処理に要する時間の短縮を図ることが可能となる。

なお、上記した第１、第２の実施形態では、第２供給管４５ｂにおいて混合部４６とバルブ６０ａとの間に、第４供給管４５ｄを接続して不活性ガスを供給するようにしたが、不活性ガスが供給される位置は例示であって、限定されるものではない。すなわち、不活性ガスが供給される位置は、たとえば、第２供給管４５ｂにおいてバルブ６０ａと硫酸供給源７０ａとの間、第３供給管４５ｃにおいて混合部４６とバルブ６０ｂとの間、あるいは、第３供給管４５ｃにおいてバルブ６０ｂと過酸化水素水供給源７０ｂとの間であってもよい。

また、上記では、不活性ガスが供給される位置が、混合部４６の上流側となるように構成したが、混合部４６の下流側であってもよい。

また、第４の実施形態では、排出管９０が、第２供給管４５ｂにおいて混合部４６とバルブ６０ａとの間に接続されるようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、排出管９０が接続される位置は、たとえば、第３供給管４５ｃにおいて混合部４６とバルブ６０ｂとの間など、第１供給管４５ａに残留した混合液を排出可能であれば、どのような位置であってもよい。

また、上記では、非混合液部分４７を形成する際、ウェハＷの回転数を低下させるように構成したが、これに限定されるものではなく、たとえば、回転数を低下させずに、混合液供給処理時の回転数を維持するように構成してもよい。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

１ 基板処理システム
４ 制御装置
１６，１６ａ 処理ユニット
１８ 制御部
４１ａ 第１ノズル
４５ａ 第１供給管
４６ 混合部
４７ 非混合液部分
７０ａ 硫酸供給源
７０ｂ 過酸化水素水供給源
７０ｃ 不活性ガス供給源
７０ｄ ＤＩＷ供給源
Ｗ ウェハ

Claims (18)

1. 第１処理液と第２処理液とを混合して混合液を生成し、前記第２処理液の沸点より高い温度の前記混合液を供給管を介して基板へ供給する混合液供給工程と、
   前記混合液供給工程の後、前記供給管内に前記混合液以外の流体で充填された非混合液部分を形成する形成工程と、
   前記形成工程の後、前記非混合液部分が形成された前記供給管を介して前記第２処理液を基板へ供給する第２処理液供給工程と
   を含むことを特徴とする基板処理方法。
2. 前記形成工程は、
   前記供給管内に不活性ガスを注入することによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
   を特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記形成工程は、
   前記供給管内において前記混合液が残留した部分よりも上流側に不活性ガスを注入し、前記供給管に残留した前記混合液を基板側へ押し出すことによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
   を特徴とする請求項２に記載の基板処理方法。
4. 前記形成工程は、
   前記供給管内において前記混合液が残留した部分よりも上流側に不活性ガスを注入して不活性ガス層を形成し、前記不活性ガス層を前記非混合液部分として形成すること
   を特徴とする請求項２に記載の基板処理方法。
5. 前記混合液供給工程の後、前記供給管の先端に設けられたノズルを収容部に収容して前記ノズルを待機させる待機工程
   を含み、
   前記形成工程は、
   前記待機工程の後、前記ノズルを待機させた状態で前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
   を特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
6. 前記形成工程は、
   前記供給管内において前記混合液が残留した部分よりも上流側に前記第２処理液を注入し、前記供給管に残留した前記混合液を前記収容部側へ押し出すことによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
   を特徴とする請求項５に記載の基板処理方法。
7. 前記形成工程は、
   前記供給管に残留した前記混合液を、前記供給管に接続された排出管を介して排出することによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
   を特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
8. 前記混合液供給工程は、
   回転する基板に対して前記混合液を供給し、
   前記形成工程は、
   前記混合液供給工程における基板の回転数よりも低い回転数で前記混合液供給工程後の基板を回転させつつ、前記非混合液部分を形成すること
   を特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板処理方法。
9. 第１処理液と第２処理液とを混合して混合液を生成する混合部と、
   前記混合部において生成された前記混合液を基板へ供給する供給管と、
   前記供給管内に前記混合液以外の流体で充填された非混合液部分を形成する形成部と、
   前記第１処理液と前記第２処理液とを前記混合部で混合して前記混合液を生成し、前記第２処理液の沸点より高い温度の前記混合液を前記供給管を介して基板へ供給する混合液供給処理と、前記混合液供給処理の後に前記形成部によって前記供給管内に前記非混合液部分を形成する形成処理と、前記形成処理の後に前記非混合液部分が形成された前記供給管を介して前記第２処理液を基板へ供給する第２処理液供給処理とを行う制御部と
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
10. 前記形成部は、
    前記供給管内に不活性ガスを注入する不活性ガス供給部
    を備え、
    前記制御部は、
    前記形成処理において、前記混合液供給処理の後に前記不活性ガス供給部によって前記供給管内に不活性ガスを注入することで、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
    を特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記制御部は、
    前記形成処理において、前記不活性ガス供給部によって前記供給管内において前記混合液が残留した部分よりも上流側に不活性ガスを注入し、前記供給管に残留した前記混合液を基板側へ押し出すことによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
    を特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記制御部は、
    前記形成処理において、前記不活性ガス供給部によって前記供給管内において前記混合液が残留した部分よりも上流側に不活性ガスを注入して不活性ガス層を形成し、前記不活性ガス層を前記非混合液部分として形成すること
    を特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
13. 前記供給管の先端に設けられたノズルを収容して前記ノズルを待機させる収容部
    をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記混合液供給処理の後、前記ノズルを前記収容部へ移動させて待機させる待機位置移動処理を行い、前記待機位置移動処理の後の前記形成処理において、前記ノズルを待機させた状態で前記供給管内に前記非混合液部分を形成するとともに、前記形成処理後で前記第２処理液供給処理前に、前記ノズルを前記収容部から前記第２処理液を基板に供給する位置へ移動させる液供給位置移動処理を行うこと
    を特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
14. 前記制御部は、
    前記形成処理において、前記供給管内において前記混合液が残留した部分よりも上流側に前記第２処理液を注入し、前記供給管に残留した前記混合液を前記収容部側へ押し出すことによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
    を特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
15. 前記供給管に接続され、前記供給管に残留した前記混合液を排出する排出管
    をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記形成処理において、前記供給管に残留した前記混合液を前記排出管を介して排出することによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
    を特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
16. 保持部によって保持された基板を回転させる駆動部
    をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記混合液供給処理において、前記駆動部によって基板を回転させ、回転する基板に対して前記混合液を供給し、前記形成処理において、前記駆動部によって前記混合液供給処理における基板の回転数よりも低い回転数で前記混合液供給処理後の基板を回転させつつ、前記非混合液部分を形成すること
    を特徴とする請求項９〜１５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
17. リンス液を基板へ供給するリンス液供給部
    をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記第２処理液供給処理の後、前記リンス液供給部から基板へリンス液を供給するリンス処理を行うこと
    を特徴とする請求項９〜１６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
18. コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
    前記プログラムは、実行時に、請求項１〜８のいずれか一つに記載の基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させること
    を特徴とする記憶媒体。

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