TWI841135B - 用於處理基板之設備及用於處理基板之方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種用於處理基板之方法。用於處理基板之方法包含：用液體處理基板；及乾燥經液體處理之基板，且液體處理步驟包括：第一液體供應步驟，其將第一液體供應至旋轉基板之上表面；及第二液體供應步驟，其將第二液體供應至旋轉基板之上表面，且在第二液體供應步驟中，調整基板之旋轉速度，使得供應於基板上的第二液體自基板之中心區流動至基板之邊緣區。

Description

用於處理基板之設備及用於處理基板之方法

本發明係關於一種用於處理基板之設備及用於處理基板之方法，更特別地，係關於一種用於處理基板之設備及可藉由供應液體至基板來用液體處理基板的用於處理基板之方法。

一般而言，為了製造半導體裝置，執行諸如光製程、蝕刻製程、離子植入製程、及沉積製程的各種製程。

在執行製程中之各者的過程中，產生諸如顆粒、有機污染物、及金屬雜質的各種異物。產生之異物可導致基板中的缺陷，並作為直接影響半導體裝置之性能及產率的因素發揮作用。因此，在執行半導體裝置的製造製程之前及之後，執行移除殘留於基板上的異物之清洗製程。

清洗製程包括使用化學品移除殘留於基板上的異物的步驟、使用諸如去離子水(deionized water；DIW)的清洗液體移除殘留於基板上的化學品的步驟、使用表面張力低於清洗液體的有機溶劑移除殘留於基板上的清洗液體的步驟、及乾燥殘留於基板之表面上的有機溶劑的步驟。

在執行清洗製程的過程中使用的各種液體具有流動性。因此，在轉移基板以執行乾燥步驟時，存在供應至基板的液體可能偏離基板的問題。此外，當將過量的液體供應至基板以移除殘留於基板上的顆粒時，供應至基板的液體可能偏離基板。偏離基板的液體充當污染源，其在轉移基板的過程中或由於殘留於腔室中的液體而污染後續基板。

本發明致力於提供一種可有效地清洗基板的用於處理基板之設備及用於處理基板之方法。

本發明亦致力於提供一種可最小化供應至基板的液體自基板之上邊緣區之偏差的用於處理基板之設備及用於處理基板之方法。

本發明之目的不限於此，一般技藝人士將自以下描述清楚地理解未提及之其他目的。

本發明之例示性實施例提供一種用於處理基板之方法，包括用液體處理基板，並乾燥經液體處理之基板。液體處理步驟包括將第一液體供應至旋轉基板之上表面的第一液體供應步驟及將第二液體供應至旋轉基板之上表面的第二液體供應步驟，且在第二液體供應步驟中，調整基板之旋轉速度，使得供應至基板上的第二液體僅自基板之中心區流動至基板之邊緣區。

根據例示性實施例，第二液體供應步驟包括用第二液體替換供應至基板的第一液體的替換步驟、補償供應至基板的第二液體的量的補償步驟、及藉由在感應速度範圍內改變基板之旋轉速度來感應供應至基板的第二液體僅流動至基板之邊緣區的感應步驟。

根據例示性實施例，第一清洗腔室可包括經組態以支撐並旋轉基板的支撐單元、經組態以清洗由支撐單元支撐的基板的刷子單元、及經組態以將處理液體供應至由支撐單元支撐的基板的液體供應單元。

根據例示性實施例，感應步驟包括將第二液體供應至以第一感應速度旋轉的基板的第一感應步驟，及停止對基板的第二液體之供應及旋轉基板的第二感應步驟。

根據例示性實施例，在第二感應步驟中，基板之旋轉速度自第一感應速度改變為第二感應速度，且第一感應速度比第二感應轉速快。

根據例示性實施例，在替換步驟中，將第二液體供應至以第一速度旋轉的基板，且在補償步驟中，將第二液體供應至以第二速度旋轉的基板， 且第一速度比第二速度快。

根據例示性實施例，第二速度比第一感應速度快。

根據例示性實施例，第二速度係限制供應至基板的第二液體流動至基板之後表面的速度。

根據例示性實施例，在第二液體供應步驟中，第二液體僅流動至基板之上邊緣區。

根據例示性實施例，乾燥步驟藉由超臨界流體執行，且第二溶液具有比第一溶液更高的超臨界流體溶解度。

根據例示性實施例，在支撐基板之後邊緣區的狀態下執行乾燥步驟。

根據例示性實施例，在液體處理腔室中執行液體處理步驟，在乾燥腔室中執行乾燥步驟，且在液體處理腔室中，藉由轉移機器人將在其上完成液體處理的基板轉移至乾燥腔室。

本發明的另一例示性實施例提供一種用於處理基板之設備，包括經組態以藉由將液體供應至基板來用液體處理基板的液體處理腔室、經組態以自基板移除液體的乾燥腔室、經組態以在液體處理腔室與乾燥腔室之間轉移基板的轉移單元、及經組態以控制液體處理腔室、乾燥腔室、及轉移單元的控制器。液體處理腔室包括具有內部空間的殼體、經組態以在內部空間中支撐及旋轉基板的支撐單元、及經組態以將液體供應至置放於支撐單元上的基板之上表面的液體供應單元，且液體供應單元包括：經組態以將第一液體供應至基板的第一液體供應噴嘴，及經組態以將第二液體供應至基板的第二液體供應噴嘴，且控制器經組態以分別控制第一液體供應噴嘴及第二液體供應噴嘴，從而將第一流體供應至基板，且將第二液體供應至供應有第一液體的基板，並在將第二液體供應至基板期間藉由調整基板之旋轉速度來控制支撐單元，使得供應至基板的第二液體僅流動至基板之邊緣區。

根據例示性實施例，控制器控制支撐單元，使得在將第二液體供應至基板期間，基板之旋轉速度自第一速度改變至比第一速度慢的感應速度，且感應速度係供應至基板的第二液體僅流動至基板之上邊緣區的速度。

根據例示性實施例，感應速度包括第一感應速度及比第一感應速度慢的第二感應速度，且控制器控制支撐單元，使得基板之旋轉速度以第一速度、第一感應速度、及第二感應速度依序改變。

根據例示性實施例，控制器控制第二液體供應噴嘴，使得在基板以第一速度、第一感應速度及第二感應速度中的第一速度及第一感應速度旋轉期間，將第二液體供應至基板。

根據例示性實施例，控制器控制支撐單元，使得基板之旋轉速度改變為第一速度與感應速度之間的比第一速度慢並比感應速度快的第二速度。

根據例示性實施例，控制器控制第二液體供應噴嘴，從而在基板以第二速度旋轉期間將第二液體供應至基板。

根據例示性實施例，乾燥腔室包括用於支撐基板的支撐件，且支撐件支撐基板之後邊緣區，液體處理在基板上完成。

根據例示性實施例，在乾燥腔室中，使用超臨界流體自基板移除第二液體，且第二液體具有比第一液體更高的超臨界流體溶解度。

此外，本發明的另一例示性實施例提供一種用於處理基板之方法，該方法包括液體處理步驟，在液體處理腔室中藉由將液體供應至基板來用液體處理基板；及乾燥步驟，在乾燥腔室中使用超臨界流體自經液體處理之基板移除液體。液體處理步驟包括：第一液體供應步驟，將第一液體供應至旋轉基板之上表面；及第二液體供應步驟，將第二液體供應至旋轉基板之上表面，且在第二液體供應步驟中，在將第二液體供應至基板期間，基板之旋轉速度自第一速度改變為比第一速度慢的第二速度，自第二速度改變為比第二速度慢的第一感應速度，及自第一感應速度改變為比第一感應速度慢的第二感應速度， 使得供應至基板的第二液體經感應，以僅流動至上表面之邊緣區，且在第二液體供應步驟中，在基板以第一速度、第二速度、第一感應速度、及第二感應速度中的第一速度、第二速度及第一感應速度旋轉的同時，供應供應至基板的第二流體。

根據本發明之例示性實施例，有效地清洗基板係可能的。

此外，根據本發明之例示性實施例，最小化供應至基板的液體自基板之上邊緣區之偏差係可能的。

本發明之效果不限於上述效果，熟習此項技術者將自本說明書及隨附圖式清楚地理解未提及之效果。

1:設備

2:第一方向

4:第二方向

6:第三方向

10:分度模組

20:處理模組

30:控制器

120:裝載埠

140:分度框架

142:分度軌道

144:分度機器人

146:分度手

220:緩衝單元

240:轉移框架

242:導引軌道

244:轉移機器人

246:轉移手

300:液體處理腔室

310:殼體

320:處理容器

321:導引壁

323:收集罐

323a:第一入口

323b:第一出口

323c:收集線

325:收集罐

325a:第二入口

325b:第二出口

325c:收集線

327:收集罐

327a:第三入口

327b:第三出口

327c:收集線

330:支撐單元

331:旋轉卡盤

333:支撐銷

335:卡盤銷

337:旋轉軸

339:驅動器

340:液體供應單元

341:支撐桿

342:臂

343:驅動器

344:第一液體供應噴嘴

345:第二液體供應噴嘴

346:第三液體供應噴嘴

350:提升單元

360:氣流供應單元

370:排氣單元

400:乾燥腔室

401:內部空間

410:殼體

412:第一主體

414:第二主體

416:提升構件

417:提升罐

418:提升桿

419:加熱器

430:支撐件

432:固定桿

434:保持器

450:流體供應單元

451:主供應線

452:第一分支線

453:第一閥

454:第二分支線

455:第二閥

460:排氣線

470:阻擋板

472:支撐件

D1:第一厚度

D2:第二厚度

F:容器

L1:第一液體

L2:第二液體

S10:液體處理步驟

S12:第一液體供應步驟

S14:第二液體供應步驟

S20:轉移步驟

S30:乾燥步驟

S141:替換步驟

S143:補償步驟

S145:感應步驟

S147:第一感應步驟

S149:第二感應步驟

V1:第一速度

V2:第二速度

V3:第一感應速度

V4:第二感應速度

W:基板

圖1係示意性圖示根據本發明的用於處理基板之設備的一個實施例之視圖。

圖2係示意性圖示圖1之液體處理腔室的一個實施例之視圖。

圖3係示意性圖示圖1之乾燥腔室的一個實施例之視圖。

圖4係根據本發明的一個實施例的用於處理基板的方法之流程圖。

圖5係示意性圖示根據圖4的一個實施例的在第一液體供應步驟中處理基板的狀態之視圖。

圖6係根據圖4的一個實施例的第二液體供應步驟之流程圖。

圖7係圖示圖6之第二液體供應步驟中的基板之旋轉速度的一個實施例之視圖。

圖8係示意性圖示根據圖6的一個實施例的在替換步驟中處理基板的狀態之視圖。

圖9係示意性圖示根據圖6的一個實施例在補償步驟中處理基板的狀態之視圖。

圖10係示意性圖示根據圖6的一個實施例的在第一感應步驟中處理基板的狀態之視圖。

圖11及圖12係示意性圖示根據圖6的一個實施例的在第二感應步驟中處理基板的狀態之視圖。

圖13係示意性圖示圖6之第二液體供應步驟完成的基板的狀態之視圖。

圖14係示意性圖示根據圖4的一個實施例的在轉移步驟中轉移基板的狀態之示意圖。

圖15及圖16係示意性圖示根據圖4的一個實施例的在乾燥步驟中處理基板的狀態之視圖。

以下將參考隨附圖式更詳細地描述本發明之例示性實施例。可以各種形式修改本發明之例示性實施例，且不應將本發明之範疇解譯為受下述例示性實施例的限制。提供本例示性實施例係為了向熟習此項技術者更全面地解釋本發明。因此，圖式中組件之形狀經誇大以強調更清晰之描述。

諸如第一及第二的術語用於描述各種組成元件，但組成元件不受這些術語的限制。這些術語僅用於區分一個組成元件與另一組成元件。舉例而言，在不脫離本發明之範疇的情況下，可將第一組成元件命名為第二組成元件，且類似地，可將第二組成元件命名為第一組成元件。

根據例示性實施例，將描述藉由將諸如清洗液體的液體供應至基板W來用液體處理基板W的製程作為實例。然而，這一實施例不限於清洗製程，且可適於使用液體處理基板W的各種製程，諸如蝕刻製程、灰化製程、或顯影製程。

以下將參考圖1至圖16詳細描述本發明的一個實施例。根據本發明的一個實施例的用於處理基板之設備1可執行清洗製程，包括使用製程流體乾 燥基板W的乾燥製程。

圖1係示意性圖示根據本發明的用於處理基板之設備的一個實施例之視圖。參考圖1，用於處理基板之設備1包括分度模組10及處理模組20。根據例示性實施例，分度模組10與處理模組20在一個方向上佈置。以下將分度模組10及處理模組20的佈置方向界定為第一方向2。當自頂部觀察時，將垂直於第一方向2的方向界定為第二方向4，將垂直於包括第一方向2及第二方向4的平面的方向界定為第三方向6。

分度模組10將基板W自容納有基板W的容器F轉移至處理模組20以處理基板W。分度模組10將已在處理模組20中經處理的基板W容納於容器F中。分度模組10之縱向方向在第二方向4上設置。分度模組10具有裝載埠120及分度框架140。

容納有基板W的容器F安置於裝載埠120中。裝載埠120佈置於處理模組20的基於分度框架140的一相對側上。可配置複數個裝載埠120。複數個裝載埠120可在第二方向4上配置成一直線。裝載埠120之數目可根據處理模組20之製程效率及佔地面積條件而增加或減少。

在容器F中形成複數個槽(未圖示)。槽(未圖示)可以基板W相對於地面水平配置的狀態容納基板W。可使用諸如前開式統一艙(front opening unified pod；FOUP)的密封容器作為容器F。容器F可由操作者或諸如高架傳輸機、高架輸送機、或自動導引車輛的傳輸構件(未圖示)置放於裝載埠120中。

分度軌道142及分度機器人144設置於分度框架140內部。分度軌道142之縱向方向沿分度框架140中的第二方向4設置。分度機器人144可轉移基板W。分度機器人144可在分度模組10與下述緩衝單元220之間轉移基板W。

分度機器人144包括分度手146。基板W安置於分度手146上。分度手146設置成在分度軌道142上可在第二方向4上移動。因此，分度手146可沿分度軌道142向前及向後移動。此外，分度手可設置成可以第三方向6為軸旋轉。 此外，分度手146可設置成可在第三方向6上垂直移動。可設置複數個分度手146。複數個分度手146可設置成在垂直方向上彼此間隔開。複數個分度手146可向前及向後移動，並彼此獨立地旋轉。

控制器30可控制用於處理基板之設備1。控制器30具有由執行用於處理基板之設備1的控制的微處理器(即，電腦)、操作者經由其執行命令輸入操作以管理用於處理基板之設備1的鍵盤、由可視化並顯示用於處理基板之設備1的操作狀態的顯示器組成的使用者介面、及儲存用於在製程控制器之控制下執行在用於處理基板的設備1中執行的處理的控製程式的儲存單元、或用於根據各種資料及處理條件(即，處理配方)在各個組件中執行處理的程式。此外，使用者介面及儲存單元可連接至製程控制器。處理配方可儲存於儲存單元之儲存媒體中，且儲存媒體可係硬碟、諸如CD-ROM或DVD的可攜式碟、或諸如快閃記憶體的半導體記憶體。

控制器30可控制用於處理基板之設備1，以執行用於下述處理基板之方法。舉例而言，控制器30可藉由控制設置於下述液體處理腔室300中的組件來執行下述用於處理基板之方法。

處理模組20包括緩衝單元220、轉移框架240、液體處理腔室300、及乾燥腔室400。緩衝單元220提供緩衝空間，帶入處理模組20中的基板W及自處理模組20取出的基板W暫時停留於緩衝空間中。轉移框架240提供用於在緩衝單元220、液體處理腔室300、及乾燥腔室400之間轉移基板W的轉移空間。

液體處理腔室300可藉由將液體供應至基板W來執行用液體處理基板W的液體處理製程。乾燥腔室400可執行乾燥處理以移除殘留於基板W上的液體。液體處理腔室300及乾燥腔室400可執行清洗製程。可按照液體處理腔室300及乾燥腔室400之次序執行清洗製程。舉例而言，在液體處理腔室300中，基板W可藉由對基板W供應化學品、沖洗液體、及/或有機溶劑來進行處理。舉例而言，在乾燥腔室400中，可使用超臨界流體執行乾燥處理以移除殘留於基板W 上的液體。

緩衝單元220可佈置於分度框架140與轉移框架240之間。緩衝單元220可佈置於轉移框架240的一個末端上。緩衝單元220內部設置有置放基板W於其上的槽(未圖示)。設置有複數個槽(未圖示)。複數個槽(未圖示)可在第三方向6上彼此間隔開。在緩衝單元220中，正面及背面係打開的。前表面可係面對分度模組10的表面，後表面可係面對轉移框架240的表面。分度機器人144可經由前表面存取緩衝單元220，且以下將描述可經由後表面存取緩衝單元220的轉移機器人244。

轉移框架240之長度方向可沿第一方向2設置。液體處理腔室300及乾燥腔室400可佈置於轉移框架240之相對兩側上。液體處理腔室300及乾燥腔室400可佈置於轉移框架240之側部中。轉移框架240及液體處理腔室300在第二方向4上佈置。此外，轉移框架240及乾燥腔室400可在第二方向4上佈置。

根據例示性實施例，液體處理腔室300佈置於轉移框架240的相對兩側上，且乾燥腔室400佈置於轉移框架240的相對兩側上。液體處理腔室300可佈置於比乾燥腔室400相對靠近緩衝單元220的位置處。液體處理腔室300可在轉移框架240的一側中在第一方向2與第三方向6上以A X B之陣列(A及B中之各者均係1或大於1之自然數)設置。此處，A係在第一方向2上設置成一直線的液體處理腔室300之數目，B係在第三方向6上設置成一直線的液體處理腔室300之數目。舉例而言，當在轉移框架240的一側中設置四個液體處理腔室時，液體處理腔室300可以2 X 2之陣列配置。液體處理腔室之數目可增加或減少。與上述描述不同，液體處理腔室300可僅設置於轉移框架240的一側中，且僅乾燥腔室400可佈置於與一側相對的另一側中。此外，液體處理腔室300及乾燥腔室400可設置於轉移框架240的一側及相對兩側中的單個層中。

轉移框架240具有導引軌道242及轉移機器人244。導引軌道242之長度方向在第一方向2上設置於轉移框架240中。轉移機器人244可設置成在導引 軌道242上可在第一方向2上線性移動。轉移機器人244在緩衝單元220、液體處理腔室300、及乾燥腔室400之間轉移基板W。

轉移機器人244包括轉移手246，基板W置放於轉移手246上。轉移手246可設置成在導引軌道242上可在第一方向2上移動。因此，轉移手246可沿導引軌道242向前及向後移動。此外，轉移手246可設置成繞第三方向6作為軸旋轉，並可在第三方向6上移動。可設置複數個轉移手246。複數個轉移手246可設置成在垂直方向上彼此間隔開。複數個轉移手246可向前及向後移動，並彼此獨立地旋轉。

液體處理腔室300在基板W上執行液體處理製程。舉例而言，液體處理腔室300可係執行移除附著於基板W上的製程副產物的清洗製程的腔室。液體處理腔室300可具有不同的結構，這取決於處理基板W的製程之類型。或者，液體處理腔室300中之各者可具有相同的結構。

圖2係示意性圖示圖1之液體處理腔室的一個實施例之視圖。參考圖2，液體處理腔室300包括殼體310、處理容器320、支撐單元330、及液體供應單元340。

殼體310具有內部空間。殼體310設置成大體矩形的平行六面體形狀。在殼體310的一側中形成開口(未圖示)。開口(未圖示)用作入口，基板W經由入口藉由轉移機器人244帶入或帶出殼體310之內部空間。處理容器320、支撐單元330、及液體供應單元340佈置於殼體310之內部空間中。

處理容器320具有上部打開的處理空間。處理容器320可係具有處理空間的碗。處理容器320可設置成圍繞處理空間。處理容器320之處理空間設置為一空間，其中下述支撐單元330支撐並旋轉基板W。處理空間設置為一空間，其中後述液體供應單元340將液體供應至基板W並對基板W進行處理。

根據例示性實施例，處理容器320可具有導引壁321及複數個收集罐323、325及327。收集罐323、325及327中之各者自用於處理基板W的液體分 離並收集不同之液體。收集罐323、325及327中之各者可具有用於收集用於處理基板W的液體的收集空間。

導引壁321及收集罐323、325、及327以圍繞支撐單元330的圓環形狀設置。當將液體供應至基板W時，藉由基板W之旋轉而散射的液體可經由下述收集罐323、325及327中之各者的入口，亦即，第一入口323a、第二入口325a及第三入口327a引入收集空間中。不同類型之液體可引入收集罐323、325及327中之各者中。

處理容器320具有導引壁321、第一收集罐323、第二收集罐325、及第三收集罐327。導引壁321以圍繞支撐單元330的圓環形狀設置。第一收集罐323以圍繞導引壁321的圓環形狀設置。第二收集罐325以圍繞第一收集罐323的圓環形狀設置。第三收集罐327以圍繞第二收集罐325的圓環形狀設置。

導引壁321與第一收集罐323之間的空間用作液體經由其引入的第一入口323a。第一收集罐323與第二收集罐325之間的空間用作液體經由其引入的第二入口325a。第二收集罐325與第三收集罐327之間的空間用作液體經由其引入的第三入口327a。第二入口325a可佈置於第一入口323a之上，第三入口327a可佈置於第二入口325a之上。引入第一入口323a中的液體、引入第二入口325a中的液體、及引入第三入口327a中的液體可係不同類型之液體。

導引壁321之下部末端與第一收集罐323之間的空間用作第一出口323b，空氣及產生自液體的煙氣經由第一出口323b排放。第一收集罐323之下部末端與第二收集罐325之間的空間用作第二出口325b，空氣及產生自液體的煙氣經由第二出口325b排放。第二收集罐325之下部末端與第三收集罐327之間的空間用作第三出口327b，空氣及產生自液體的煙氣經由第三出口327b排放。自第一出口323b、第二出口325b、及第三出口327b排放的煙氣及空氣經由下述排氣單元370排出至液體處理腔室300外部。

在向下方向上垂直延伸的收集線323c、325c及327c連接至收集罐 323、325及327中之各者的底表面。收集線323c、325c及327c中之各者將經由收集罐323、325及327中之各者引入的液體排放。排放之處理液體可經由外部液體再生系統(未圖示)來重新使用。

支撐單元330在處理空間內支撐並旋轉基板W。支撐單元330可具有旋轉卡盤331、支撐銷333、卡盤銷335、旋轉軸337、及驅動器339。

當自頂部觀察時，旋轉卡盤331具有以大體圓形形狀設置的上表面。旋轉卡盤331之上表面可具有比基板W之直徑更大的直徑。

設置複數個支撐銷333。支撐銷333佈置於旋轉卡盤331之上表面上。支撐銷333在旋轉卡盤331之上表面邊緣部分上以預定間隔彼此間隔開。支撐銷333形成為自旋轉卡盤331之上表面向上突出。支撐銷333藉由其組合佈置成在整體上具有圓環形狀。支撐銷333支撐基板W之後邊緣區，使得基板W與旋轉卡盤331之上表面以預定距離間隔開。

設置複數個卡盤銷335。卡盤銷335比支撐銷333相對遠離旋轉卡盤331之中心區地佈置。卡盤銷335自旋轉卡盤331之上表面向上突出。卡盤銷355支撐基板W之側部，從而在基板W旋轉時不會在側向方向上自常規位置偏離。卡盤銷335設置成在旋轉卡盤331之徑向方向上可在等待位置與支撐位置之間線性移動。等待位置界定為當自轉移機器人244接收基板W或基板W移交至轉移機器人244時卡盤銷335的位置。支撐位置界定為當在基板W上執行製程時卡盤銷335之位置。在支撐位置中，卡盤銷335與基板W之側部接觸。等待位置比支撐位置相對遠離旋轉卡盤331之中心區地佈置。

旋轉軸337耦接至旋轉卡盤331。旋轉軸337耦接至旋轉卡盤331之下表面。旋轉軸之縱向方向可設置成面對第三方向6。旋轉軸337設置成藉由自驅動器339接收動力而可旋轉。旋轉軸337藉由驅動器339旋轉，且旋轉卡盤331經由旋轉軸337旋轉。驅動器339旋轉旋轉軸337。驅動器339可改變旋轉軸337之旋轉速度。驅動器339可係提供驅動力的馬達。然而，本發明不限於此，且可對 驅動器進行各種修改，並將其設置為提供驅動力的已知裝置。

液體供應單元340將液體供應至基板W。液體供應單元340將液體供應至由支撐單元330支撐的基板W。複數個液體藉由液體供應單元340供應至基板W。根據例示性實施例，藉由液體供應單元340供應至基板W的液體可包括第一液體及第二液體。第一液體及第二液體可依序供應至基板W。

液體供應單元340可包括支撐桿341、臂342、驅動器343、第一液體供應噴嘴344、及第二液體供應噴嘴345。

支撐桿341佈置於殼體310之內部空間中。支撐桿341可佈置於內部空間中處理容器320之一側中。支撐桿341之縱向方向可具有面對第三方向6的桿狀。支撐桿341設置成可藉由下述驅動器343旋轉。

臂342耦接至支撐桿341之上部末端。臂342在支撐桿341中的長度方向上垂直延伸。臂342之縱向方向可在第三方向6上形成。將在下文描述的第一液體供應噴嘴344及第二液體供應噴嘴345可固定耦接至臂342的一末端。

臂342可設置成在縱向方向上前後移動。臂342可藉由驅動器343旋轉支撐桿341而經由支撐桿341擺動。藉由臂342之旋轉，第一液體供應噴嘴344及第二液體供應噴嘴345亦可擺動，以允許在製程位置與等待位置之間運動。

製程位置可係第一液體供應噴嘴344及第二液體供應噴嘴345中之一者面對由支撐單元330支撐的基板W的位置。根據例示性實施例，製程位置可係第一液體供應噴嘴344及第二液體供應噴嘴345中之一者之中心面對由支撐單元330支撐的基板W之中心的位置。等待位置可係第一液體供應噴嘴344及第二液體供應噴嘴345兩者自製程位置偏離的位置。

驅動器343耦接至支撐桿341。驅動器343可佈置於殼體310之底表面上。驅動器343提供用以旋轉支撐桿341的驅動力。驅動器343可作為提供驅動力的已知馬達提供。

第一液體供應噴嘴344在基板W上供應第一液體。第一液體供應 噴嘴344可將第一液體供應至由支撐單元330支撐的基板W。第一液體可係移除殘留於基板W上的薄膜或異物的液體。根據例示性實施例，第一液體可係包括酸或鹼的化學品，諸如硫酸(H2SO4)、硝酸(HNO3)、鹽酸(HCl)等。

第二液體供應噴嘴345在基板W上供應第二液體。第二液體供應噴嘴345將第二液體供應至由支撐單元330支撐的基板W。根據例示性實施例，第二液體可係中和第一液體的液體。根據例示性實施例，第二液體可係容易溶解於製程流體中的液體。此外，第二液體可係容易溶解於在下述乾燥腔室400中使用的超臨界流體中的液體。根據例示性實施例，第二液體可係比第一液體相對更易溶於下述製程流體中的液體。根據一個實施例的第二液體可提供為純水及諸如異丙醇(IPA)的醇中之任意者。

根據本發明之例示性實施例的液體供應單元340已描述為其中第一液體供應噴嘴344及第二液體供應噴嘴345兩者均耦接至臂342的實例，但本發明不限於此。舉例而言，第一液體供應噴嘴344及第二液體供應噴嘴345中之各者可獨立地具有臂、支撐桿、及驅動器，並可獨立地向前及向後擺動及移動，以允許在製程位置與等待位置之間的運動。

根據本發明之例示性實施例的液體供應單元340已描述為具有第一液體供應噴嘴344及第二液體供應噴嘴345，但本發明不限於此。舉例而言，液體供應單元340可包括第一液體供應噴嘴344、第二液體供應噴嘴345、及第三液體供應噴嘴346。自第一液體供應噴嘴344供應至基板W的第一液體可係化學品。自第二液體供應噴嘴345供應至基板W的第二液體可係純水。自第三液體供應噴嘴346供應至基板W的第三液體可係含異丙醇等的有機溶劑。

提升單元350佈置於殼體310之內部空間中。提升單元350調整處理容器320與支撐單元330之間的相對高度。提升單元350可在第三方向6上線性移動處理容器320。因此，由於收集液體的收集罐323、325及327之高度根據供應至基板W的液體之類型而不同，故液體可經分離並收集。與上述描述不同， 處理容器320經固定安裝，且提升單元350可藉由垂直移動支撐單元330來改變支撐單元330與處理容器320之間的相對高度。

氣流供應單元360將氣流供應至殼體310之內部空間。氣流供應單元360可供應降流至內部空間。氣流供應單元360可作為風扇過濾器單元設置。氣流供應單元360可安裝於殼體310之上部部分上。經由氣流供應單元360供應至殼體310之內部空間的氣體在內部空間中形成降流。製程推進期間在處理空間中產生的副產物或類似者藉由在內部空間及處理空間中形成的降流經由下述排氣單元370排放至殼體310外部。

排氣單元370排出在處理空間中產生的製程副產物，諸如煙氣及氣體。在用液體處理基板W期間，藉由設置於排氣單元370中的減壓單元(未圖示)產生的諸如煙氣及氣體的製程副產物經排出。排氣單元370可耦接至處理容器320之底表面。舉例而言，排氣單元370可佈置於旋轉軸337與處理容器320之內壁之間的空間中。

乾燥腔室400使用製程流體移除殘留於基板W上的液體。根據例示性實施例，乾燥腔室400使用超臨界流體移除殘留於基板W上的第二液體。在乾燥腔室400中，使用超臨界流體的特性執行超臨界製程。其代表性實例包括超臨界乾燥製程及超臨界蝕刻製程。以下將基於超臨界乾燥製程來描述超臨界製程。然而，由於這僅係為了便於描述，故乾燥腔室400可執行除超臨界乾燥製程以外的另一超臨界製程。根據例示性實施例，超臨界二氧化碳(scCO2)可用作超臨界流體。

圖3係示意性地圖示圖1之乾燥腔室的一個實施例之視圖。參考圖3，乾燥腔室400可包括殼體410、支撐件430、流體供應單元450、排氣線460、及阻擋板470。殼體410提供內部空間401，在內部空間401中在基板W上執行乾燥處理。殼體410可包括第一主體412、第二主體414、及提升構件416。

第一主體412與第二主體414彼此組合以提供內部空間401。第一 主體412可佈置於第二主體414之上。第一主體412之位置係固定的，而第二主體414可藉由下述提升構件416來提升。

當第二主體414下降並與第一主體412間隔開時，內部空間401打開。當內部空間401打開時，基板W可帶入內部空間401中，或基板W可自內部空間401帶出。帶入內部空間401中的基板W可係已在液體處理腔室300中用液體處理過的基板W。根據例示性實施例，第二液體可保留於帶入內部空間401中的基板W中。

當第二主體414上升並與第一主體412緊密接觸時，內部空間401經密封。當內部空間401處於密封狀態時，可藉由供應製程流體來對基板W進行乾燥處理。

提升構件416使第二主體414上升及下降。提升構件416可包括提升罐417及提升桿418。提升罐417可耦接至第二主體414。提升罐417可在基板W的乾燥期間克服高於內部空間401之臨界壓力的高壓，並藉由使第一主體412與第二主體414彼此靠近來密封內部空間401。

提升桿418在垂直方向上產生提升力。舉例而言，提升桿418可產生在第三方向6上移動的力。提升桿418中的長度方向可在垂直方向上形成。提升桿418之一個末端可插入提升罐417中。提升桿418之另一末端可耦接至第一主體412。第二主體414可藉由提升罐417與提升桿418之間的相對提升運動在垂直方向上移動。當第二主體414在垂直方向上移動時，提升桿418防止第一主體412及第二主體414在水平方向上移動。提升桿418導引第二主體414之垂直運動方向。提升桿418可防止第一主體412及第二主體414自常規位置偏離。

根據上述本發明之例示性實施例，其已描述第二主體414垂直移動以密封內部空間401，但本發明不限於此。舉例而言，第一主體412及第二主體414可分別在垂直方向上移動。此外，第一主體412可在垂直方向上移動，而第二主體414之位置可係固定的。

與上述實例不同，殼體410可設置為單個殼體410，其中在殼體410的一側處形成開口(未圖示)，基板W經由開口帶入及帶出。可在殼體410中設置門(未圖示)。門(未圖示)可垂直移動以打開及關閉開口(未圖示)，並可保持殼體410密封。

加熱器419可安裝於殼體410中。根據例示性實施例，加熱器419可嵌入並安裝於第一主體412及第二主體414中之至少一者內。加熱器419將供應至內部空間401的製程流體加熱至臨界溫度之上，並將其保持在超臨界流體相，或可在製程流體經液化時，將製程流體再次加熱至超臨界流體相。

支撐件430在內部空間401中支撐基板W。支撐件430可固定地安裝於第一主體412之下表面上。支撐件430可具有固定桿432及保持器434。

固定桿432可固定地安裝於第一主體412上，從而自第一主體412之底表面向下突出。固定桿432中的長度方向設置於垂直方向上。可設置複數個固定桿432。複數個固定桿432彼此間隔開。當將基板W帶入或帶出由複數個固定桿432圍繞的空間時，複數個固定桿432佈置於其不會干擾基板W的位置中。保持器434耦接至固定桿432中之各者。

保持器434自固定桿432延伸。保持器434可自固定桿432之下部末端延伸至由固定桿432圍繞的空間。保持器434支撐基板W之後邊緣區。舉例而言，基板W之後表面可係其上未形成圖案的表面，而基板W之上表面可係其上形成有圖案的表面。由於上述結構，帶入內部空間401中的基板W之邊緣區可置放於保持器434上。此外，基板W之整個上表面區的部分、基板W之底表面之中心區、及基板W之底表面之邊緣區可曝光於供應至內部空間401中的製程流體。

流體供應單元450將製程流體供應至內部空間401。根據一個實施例的製程流體可以超臨界狀態供應至內部空間401。然而，本發明不限於此，製程流體可以氣態供應至內部空間401，並在內部空間401中相改變為超臨界狀態。流體供應單元450可具有主供應線451、第一分支線452、及第二分支線454。

主供應線451之一個末端連接至其中儲存製程流體的供應源(未圖示)。主供應線451之另一末端分支成第一分支線452及第二分支線454。第一分支線452連接殼體410之上表面。根據例示性實施例，第一分支線452可連接至第一主體412。舉例而言，第一分支線452可耦接至第一主體412之中心部分。第一分支線452可佈置於置放於支撐件430上的基板W之上部中心區中。第一閥453可安裝於第一分支線452上。第一閥453可提供為打開/關閉閥。製程流體可根據第一閥453之打開或關閉選擇性地供應至內部空間401。

第二分支線454連接至殼體410之下表面。根據例示性實施例，第二分支線454可連接至第二主體414。舉例而言，第二分支線454可耦接至第二主體414之中心部分。第二分支線454可垂直佈置於置放於支撐件430上的基板W之中心區之下。第二閥455可安裝於第二分支線454中。第二閥455可提供為打開/關閉閥。製程流體可根據第二閥455之打開或關閉選擇性地供應至內部空間401。

排氣線460排出內部空間401的氣氛。排氣線460可耦接至第二主體414。根據例示性實施例，當自頂部觀察時，排氣線460可自第二主體414的下表面之中心錯位。流動經過內部空間401的超臨界流體經由排氣線460排放至殼體410外部。

阻擋板470佈置於內部空間401中。阻擋板470可設置成當自頂部觀察時與第二分支線454之出口及排氣線460之入口重疊。阻擋板470可藉由將經由第二分支線454供應的製程流體朝向基板W直接排放來防止對基板W的損壞。

阻擋板470可與殼體410之底表面以預定距離向上間隔開。舉例而言，阻擋板470可由支撐件472支撐，以在向上方向上與殼體410之底表面間隔開。支撐件472可以桿狀提供。可設置複數個支撐件472。複數個支撐件472以預定距離彼此間隔開。

以下將詳細描述根據本發明之例示性實施例的用於處理基板之方法。下述用於處理基板之方法可由轉移機器人244、液體處理腔室300、及乾 燥腔室400來執行。此外，控制器30可藉由控制轉移機器人244、液體處理腔室300、及乾燥腔室400之組件來執行下述用於處理基板之方法。

圖4係根據本發明的一個實施例的用於處理基板之方法之流程圖。參考圖4，根據例示性實施例的用於處理基板之方法包括液體處理步驟S10、轉移步驟S20、及乾燥步驟S30。依序執行液體處理步驟S10、轉移步驟S20、及乾燥步驟S30。此外，液體處理步驟S10、轉移步驟S20、及乾燥步驟S30可共同界定為清洗製程。

在液體處理腔室300中執行液體處理步驟S10。在液體處理步驟S10中，將液體供應至基板W以用液體處理基板W。根據例示性實施例，液體處理步驟S10可包括第一液體供應步驟S12及第二液體供應步驟S14。

在第一液體供應步驟S12中，可藉由將第一液體供應至基板W來處理基板W。第一液體可係化學品，包括諸如硫酸(H2SO4)、硝酸(HNO3)及鹽酸(HCl)的酸或鹼。在第二液體供應步驟S14中，可藉由將第二液體供應至基板W來處理基板W。第二液體可提供為純水及諸如異丙醇(IPA)的醇中之任意者。第一液體及第二液體可依序供應至基板W。

轉移步驟S20由轉移機器人244執行。在轉移步驟S20中，轉移機器人244將基板W自液體處理腔室300轉移至乾燥腔室400。在轉移步驟S20中，將在液體處理腔室300中在其上完成液體處理步驟S10的基板W轉移至乾燥腔室400。

乾燥步驟S30在乾燥腔室400中執行。在轉移步驟S20中，將由轉移機器人244轉移的基板W帶入乾燥腔室400之內部空間401中。在乾燥步驟S30中，將供應至基板W的製程流體帶入乾燥腔室400中以移除殘留於基板W上的液體。

以下將參考圖5至圖16詳細描述根據本發明之例示性實施例的經由液體處理步驟S10、轉移步驟S20、及乾燥步驟S30處理基板W的製程。

圖5係示意性圖示根據圖4的一個實施例的在第一液體供應步驟中處理基板的狀態之視圖。參考圖5，在第一液體供應步驟S12中，將第一液體L1供應至基板W。在第一液體供應步驟S12中，第一液體供應噴嘴344可佈置於與旋轉基板W之中心區相對的區中，且第一液體供應噴嘴344可將第一液體供應至基板W之中心區。根據例示性實施例，在第一液體供應步驟S12中，第一液體可供應至基板之中心。

圖6係根據圖4之例示性實施例的第二液體供應步驟之流程圖。圖7係圖示圖6之第二流體供應步驟中基板之旋轉速度的例示性實施例之示意圖。圖8至圖13係依序圖示在第二液體供應步驟中包括的各個步驟中處理基板的狀態之視圖。

以下將參考圖6至圖13詳細描述在第二液體處理步驟中處理基板W的製程。

在第二液體供應步驟S14中，將第二液體L2供應至基板W。在第二液體供應步驟S14中，第二液體供應噴嘴345佈置於與旋轉基板W之中心區相對的區中，且第二液體供應噴嘴345將第二液體L2供應至基板W之中心區。根據例示性實施例，在第二液體供應步驟S14中，第二液體L2可供應至基板W之中心。在第二液體供應步驟S14中，調整基板W之旋轉速度，使得供應至基板W之中心區的第二液體L2僅自基板W之中心區流動至基板W之邊緣區。

參考圖6，第二液體供應步驟S14可包括替換步驟S141、補償步驟S143、及感應步驟S145。感應步驟S145可包括第一感應步驟S147及第二感應步驟S149。替換步驟S141、補償步驟S143、及第一感應步驟S147、以及第二感應步驟S149可在液體處理腔室300中依序執行。

在替換步驟S141中，將第二液體L2供應至旋轉基板W。根據例示性實施例，在替換步驟S141中，可將第二液體L2供應至以第一速度V1旋轉的基板之中心區。在補償步驟S143中，將第二液體L2供應至旋轉基板W。根據例示 性實施例，可將第二液體L2供應至以第二速度V2旋轉的基板之中心區。

在感應步驟S145中，可藉由改變基板W之旋轉速度來調整供應至基板W的第二液體L2之流動區。根據示例性實施例，在感應步驟S145中，可在感應速度範圍內改變基板W之旋轉速度，以感應供應至基板W的第二液體L2僅流動至基板W之邊緣區。

第一感應步驟S147將第二液體L2供應至旋轉基板W。根據例示性實施例，第一感應步驟S147可將第二液體L2供應至以第一感應速度V3旋轉的基板之中心區。在第二感應步驟S149中，基板W可旋轉。舉例而言，在第二感應步驟S149中，可停止對基板W供應第二液體L2，且基板W可以第二感應速度V4旋轉。

以下根據參考圖7描述的本發明之例示性實施例的在替換步驟S141、補償步驟S143、第一感應步驟S147、及第二感應步驟S149中的基板之旋轉速度將基於相對數字關係而非絕對值來描述，以便於解釋。

參考圖7，在替換步驟S141中，基板W可以第一速度V1旋轉。在補償步驟S143中，基板W可以第二速度V2旋轉。在第一感應步驟S147中，基板可以第一感應速度V3旋轉。在第二感應步驟S149中，基板W可以第二感應速度V4旋轉。根據例示性實施例，第一速度V1可比第二速度V2快。此外，第二速度V2可比第一感應速度V3快。此外，第一感應速度V3可比第二感應速度V4快。可選地，第一感應速度V3可與第二感應速度V4相同。

參考圖8，在替換步驟S141中，將第二液體L2供應至以第一速度V1旋轉的基板W，且將在第一液體供應步驟S12中先前供應至基板W的第一液體L1替換為第二液體L2。在替換步驟S141中，可以不超出基板W之邊緣的量將第二液體L2供應至基板W。根據例示性實施例，可執行替換步驟S141，直到先前供應至基板的第一液體L1全部由第二液體L2替換。在替換步驟S141完成之後，供應至基板W之上表面的第二液體L2可具有第一厚度D1。

參考圖9，在補償步驟S143中，可將第二液體L2供應至以第二速度V2旋轉的基板W，以補償在替換步驟S141中先前供應的第二液體的量。在補償步驟S143中，可將第二液體L2進一步供應至基板W，以增加先前供應至基板之上表面的第二液體L2之厚度。舉例而言，在完成補償步驟S143之後，供應至基板W之上表面的第二液體L2可具有第二厚度D2。根據例示性實施例，在補償步驟S143中供應至基板W的第二液體L2的量可相對小於在替換步驟S141中供應至基板W的第二液體L2的量。

在補償步驟S143中，藉由將第二液體L2供應至基板W之上表面來增加先前供應至基板W的第二液體L2的量，但可調整供應至基板W的第二液體L2的量，使得第二液體L2不會滲透基板W之後表面。此外，在補償步驟S143中基板W旋轉的第二速度V2可係限制供應至基板W的第二液體L2流動至基板W之後表面的速度。

參考圖10，在第一感應步驟S147中，可將第二液體L2供應至以第一感應速度V3旋轉的基板W。舉例而言，在第一感應步驟S147中，可將第二液體L2供應至包括基板W之中心的區。第一感應速度V3比第一速度V1及第二速度V2慢。供應至相對緩慢旋轉的基板W的第二液體L2可僅在包括基板W之中心的區中流動。

參考圖11及圖12，在第二感應步驟S149中，停止對基板W供應第二液體L2，且第二液體供應噴嘴345可自製程位置移動至等待位置。在第二感應步驟S149中，基板W可以第二感應速度V4旋轉。第二感應速度V4可係限制在第一感應步驟S147中先前供應至基板W的第二液體L2滲透至基板W之後表面的速度。亦即，第二感應速度V4可係在第一感應步驟S147中先前供應至基板W之中心區的第二液體L2僅流動至基板W之上邊緣的速度。因此，在第二感應步驟S149中，基板W可以等於或低於第一感應速度V3的速度旋轉，以允許供應至基板W之中心區的第二液體L2在第一感應步驟S149中流動至基板W之邊緣區。舉例而 言，在第二感應步驟S149中，在第一感應步驟S147中排放至包括基板W之中心的區的第二液體L2可僅流動至基板W之上邊緣區。由於在第二感應步驟S149中基板W以低速旋轉，故可藉由離心力形成熔池，在熔池中形成於基板W之中心區中的第二液體L2比形成於基板之邊緣區中的第二液體L2相對更厚。

參考圖13，在第二感應步驟S149期間在基板W之中心區流動的第二液體L2逐漸移動至基板W之邊緣區。由於基板W在第二感應步驟S149中以第二感應速度V4的緩慢速度旋轉，故供應至基板W之中心區的第二液體L2可不自基板W之邊緣區偏離。此外，由於在第二感應步驟S149期間第二液體L2自基板W之中心區流動至基板W之邊緣區，故在完成第二感應步驟S149之後，基板W之邊緣區可具有比基板W之中心區相對高的第二液體L2厚度。

圖14係示意性圖示根據圖4的一個實施例的在轉移步驟中轉移基板的狀態之示意圖。參考圖14，轉移步驟S20由轉移機器人244執行。在轉移步驟S20中，在液體處理腔室300中在基板W上完成液體處理之後，將基板W自液體處理腔室300轉移至乾燥腔室400。當基板W由轉移機器人244轉移時，液體保留於基板W上。根據根據本發明之例示性實施例的液體處理步驟S10，當轉移機器人244轉移基板W時，由於可最小化液體滲透至基板W之後表面中，故液體可不殘留於基板W之後表面中。

圖15及圖16係示意性圖示根據圖4的一個實施例的在乾燥步驟中處理基板的狀態之視圖。參考圖15，在乾燥步驟S30中，基板W經乾燥。在乾燥步驟S30中，對在其上完成液體處理步驟S10的基板W進行乾燥。舉例而言，在乾燥步驟S30中，可移除供應至基板W的第二液體L2。在乾燥腔室400中執行乾燥步驟S30。在乾燥步驟S30中，在內部空間401打開的狀態下將基板W轉移至支撐件430。轉移至支撐件430的基板W可係在其上完成第二感應步驟S149的基板W。

參考圖16，當基板W安置於支撐件430上時，第一主體412與第二 主體414彼此緊密接觸，且內部空間401密封於外部。舉例而言，當基板W安置於保持器434上且基板W之後邊緣區由保持器434支撐時，內部空間401切換至密封狀態。在密封內部空間401之後，流體供應單元450將製程流體供應至內部空間401。根據例示性實施例，流體供應單元450可將超臨界流體供應至內部空間401。藉由將製程流體供應至內部空間401，基板W經乾燥。亦即，藉由將製程流體供應至內部空間401，存在於基板W之上表面上的第二液體L2經移除。

在密封內部空間401之後，打開第二閥455，使得製程流體可先前經由第二分支線454供應至內部空間401。在將製程流體供應至內部空間401之下部區之後，可打開第一閥453，使得製程流體可經由第一分支線452供應至內部空間401。

由於基板可在內部空間401低於臨界壓力的狀態下的初始階段經乾燥，故供應至內部空間401的製程流體可經液化。當在乾燥基板的初始階段經由第一分支線452將製程流體供應至內部空間401時，製程流體可經液化並藉由重力而下落至基板W，導致基板W受損。因此，在根據本發明之例示性實施例的乾燥步驟S30中，藉由先前經由第二分支線454將製程流體供應至內部空間401，在內部空間401中的壓力達到臨界壓力之後，開始在第一分支線452中供應製程流體，接著供應至內部空間401的製程流體可經液化，從而最小化對基板W的損壞。

在乾燥步驟S30的稍後階段，內部空間401的內部氣氛經由排氣線460排出。當內部空間401中的壓力降低至臨界壓力之下時，製程流體可經液化。經液化之製程流體可藉由重力經由排氣線460排出。

當用液體處理基板W時，供應至基板W的液體具有流動性。在將液體供應至基板W的過程中，供應至基板W的液體可能自基板W之邊緣區偏離並滲透至基板W之後表面中。滲透至基板W之後表面中的液體需要很長時間來自然乾燥。此外，當對基板W執行液體處理時，由於基板W通常由支撐件支撐，故難 以人為地將滲透至基板W之後表面中的液體輕易移除。滲透至基板W之後表面中的液體充當污染源，在執行基板之轉移製程或在轉移之後執行其他處理製程時會污染後續基板。

根據上述本發明之例示性實施例，當將液體供應至基板W以執行液體處理時，基板W之旋轉速度經改變，以最小化液體滲透至基板W之後表面中。因此，可最小化由於液體滲透至基板W之後表面中而對後續基板的污染。

具體地，根據本發明之例示性實施例，在液體處理腔室300中在基板W上執行液體處理之後，將液體處理轉移至乾燥腔室400，在乾燥腔室400中執行乾燥處理，以移除供應至基板W的液體。在乾燥腔室400中，在支撐件430支撐基板W之後邊緣區的狀態下在基板W上執行乾燥處理。藉由在用液體處理基板W時抑制基板W之後表面上的液體之流動，支撐件430可在乾燥腔室400中支撐其上沒有液體的基板W之後邊緣區。因此，在乾燥腔室400中可能發生的污染後續基板W的污染源可經預先阻斷。

上述詳細描述說明了本發明。此外，上述內容圖示並描述本發明之例示性實施例，且本發明可用於各種其他組合、修改、及環境中。亦即，上述內容可在本說明書中揭示之本發明概念的範疇內、等效於本揭示內容之範疇的範疇內、及/或本領域的技術或知識之範疇內進行修改或校正。上述例示性實施例描述用於實施本發明之技術精神的最佳狀態，且在本發明之特定應用領域及用途中所需的各種改變係可能的。因此，以上對本發明的詳細描述並不旨在將本發明限制於所揭示之例示性實施例。此外，隨附申請專利範圍應解譯為亦包括其他例示性實施例。

S10、S12、S14、S20、S30:步驟

Claims (17)

1. 一種用於處理基板之方法，前述方法包含以下步驟：用液體對前述基板進行處理之步驟；及對經液體處理之前述基板進行乾燥之步驟，其中前述處理之步驟包括：第一液體供應步驟，其將第一液體供應至旋轉的前述基板之上表面；及第二液體供應步驟，其將第二液體供應至旋轉的前述基板之中心區的前述上表面，且其中在前述第二液體供應步驟中，調整前述基板之旋轉速度，使得供應於前述基板上的前述第二液體僅自前述基板之前述中心區流動至前述基板之邊緣區，其中前述第二液體供應步驟包括：替換步驟，其用前述第二液體替換供應至前述基板的前述第一液體；補償步驟，其補償供應至前述基板的前述第二液體的量；及感應步驟，其藉由在感應速度範圍內改變前述基板之前述旋轉速度而感應供應至前述基板的前述第二液體僅流動至前述基板之前述邊緣區。
2. 如請求項1所記載之用於處理基板之方法，其中前述感應步驟包括：第一感應步驟，其將前述第二液體供應至以第一感應速度旋轉的前述基板；及第二感應步驟，其停止對前述基板供應前述第二液體並旋轉前述基板。
3. 如請求項2所記載之用於處理基板之方法，其中在前述第二感應步驟中，前述基板之前述旋轉速度自前述第一感應速度改變為第二感應速度，且 前述第一感應速度比前述第二感應速度快。
4. 如請求項3所記載之用於處理基板之方法，其中在前述替換步驟中，將前述第二液體供應至以第一速度旋轉的前述基板，且在前述補償步驟中，將前述第二液體供應至以第二速度旋轉的前述基板，其中前述第一速度比前述第二速度快。
5. 如請求項4所記載之用於處理基板之方法，其中前述第二速度比前述第一感應速度快。
6. 如請求項4所記載之用於處理基板之方法，其中前述第二速度係限制供應至前述基板的前述第二液體流動至前述基板之後表面的速度。
7. 如請求項1所記載之用於處理基板之方法，其中在前述第二液體供應步驟中，前述第二液體僅流動至前述基板之上邊緣區。
8. 如請求項1所記載之用於處理基板之方法，其中前述乾燥之步驟藉由超臨界流體執行，且前述第二液體具有比前述第一液體更高的超臨界流體溶解度。
9. 如請求項8所記載之用於處理基板之方法，其中前述乾燥之步驟在前述基板之後邊緣區經支撐的狀態下執行。
10. 如請求項1所記載之用於處理基板之方法，其中前述處理之步驟在液體處理腔室中執行，且前述乾燥之步驟在乾燥腔室中執行，且在前述液體處理腔室中，藉由轉移機器人將在其上完成前述處理之步驟的前述基板轉移至前述乾燥腔室。
11. 一種用於處理基板之設備，其包含：液體處理腔室，其經組態以藉由將液體供應至基板來用前述液體處理前述基板；乾燥腔室，其經組態以自前述基板移除前述液體；轉移單元，其經組態以在前述液體處理腔室與前述乾燥腔室之間轉移前述 基板；及控制器，其經組態以控制前述液體處理腔室、前述乾燥腔室、及前述轉移單元，其中前述液體處理腔室包括：殼體，其具有內部空間；支撐單元，其經組態以在前述內部空間中支撐並旋轉前述基板；及液體供應單元，其經組態以將液體供應至置放於前述支撐單元上的前述基板之上表面，前述液體供應單元包括：第一液體供應噴嘴，其經組態以將第一液體供應至前述基板；及第二液體供應噴嘴，其經組態以將第二液體供應至前述基板，且前述控制器經組態以：分別控制前述第一液體供應噴嘴及前述第二液體供應噴嘴，從而將前述第一液體供應至前述基板，並將前述第二液體供應至供應有前述第一液體的前述基板，及控制前述支撐單元，使得在將前述第二液體供應至前述基板期間，藉由調整前述基板之旋轉速度，使得供應至前述基板的前述第二液體僅流動至前述基板之邊緣區，其中前述控制器控制前述支撐單元，使得在將前述第二液體供應至前述基板期間，前述基板之前述旋轉速度自第一速度改變為比前述第一速度慢的感應速度，其中前述感應速度係供應至前述基板的前述第二液體僅流動至前述基板之上邊緣區的速度，其中前述感應速度包括第一感應速度及比前述第一感應速度慢的第二感應速度，且 前述控制器控制前述支撐單元，使得前述基板之前述旋轉速度以前述第一速度、前述第一感應速度、及前述第二感應速度依序改變。
12. 如請求項11所記載之用於處理基板之設備，其中前述控制器控制前述第二液體供應噴嘴，使得在前述基板以前述第一速度、前述第一感應速度及前述第二感應速度中的前述第一速度及前述第一感應速度旋轉期間，將前述第二液體供應至前述基板。
13. 如請求項11所記載之用於處理基板之設備，其中前述控制器控制前述支撐單元，使得前述基板之前述旋轉速度改變為在前述第一速度與前述感應速度之間的比前述第一速度慢且比前述感應速度快的第二速度。
14. 如請求項13所記載之用於處理基板之設備，其中前述控制器控制前述第二液體供應噴嘴，從而在前述基板以前述第二速度旋轉期間將前述第二液體供應至前述基板。
15. 如請求項11所記載之用於處理基板之設備，其中前述乾燥腔室包括用於支撐前述基板的支撐件，其中前述支撐件支撐在其上完成前述液體處理的前述基板之後邊緣區。
16. 如請求項11至15中任一項所記載之用於處理基板之設備，其中在前述乾燥腔室中，使用超臨界流體自前述基板移除前述第二液體，且前述第二液體具有比前述第一液體更高的超臨界流體溶解度。
17. 一種用於處理基板之方法，前述方法包含以下步驟：液體處理步驟，其藉由在液體處理腔室中將液體供應至基板來用前述液體處理前述基板；轉移步驟，其將經液體處理之前述基板轉移至乾燥腔室；及乾燥步驟，其在前述乾燥腔室中使用超臨界流體自經液體處理之前述基板移除前述液體，其中前述液體處理步驟包括： 第一液體供應步驟，其將第一液體供應至旋轉的前述基板之上表面；及第二液體供應步驟，其將第二液體供應至旋轉的前述基板之前述上表面，其中在前述第二液體供應步驟中，在將前述第二液體供應至前述基板期間，前述基板之旋轉速度自第一速度改變為比前述第一速度慢的第二速度，自前述第二速度改變為比前述第二速度慢的第一感應速度，及自前述第一感應速度改變為比前述第一感應速度慢的第二感應速度，使得供應至前述基板的前述第二液體經感應而僅流動至前述上表面之邊緣區，且在前述第二液體供應步驟中，在前述基板以前述第一速度、前述第二速度、前述第一感應速度、及前述第二感應速度中的前述第一速度、前述第二速度及前述第一感應速度旋轉的同時將供應至前述基板的前述第二液體進行供應。