JP7344334B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。
一般に、半導体装置のような直接回路素子らは基板として使用される半導体基板に対して一連の単位工程らを繰り返し的に遂行することで製造されることができる。例えば、基板上には蒸着、フォトリソグラフィ、蝕刻、洗浄、乾燥などの単位工程らを遂行することで、直接回路素子らを構成する電気的な回路パターンらが形成されることができる。
単位工程らのうちで蝕刻工程または洗浄工程は回転される基板上に蝕刻液または洗浄液を供給するケミカル処理工程、リンス液を供給するリンス工程、乾燥ガスを供給する乾燥処理工程などの複数の工程を経って基板を処理する。
最近には半導体がますます微細化されることによってパターンの崩壊を阻むために洗浄チャンバでケミカル処理後基板上に乾燥防止液を塗布(Wetting)した状態で乾燥チャンバに返送されて乾燥処理が遂行される。
一方、基板上に乾燥防止液が塗布された状態で乾燥チャンバに問題が起こるなど乾燥チャンバへの返送が不可能な状況が発生される場合基板は、乾燥チャンバに移動することができずに、基板は乾燥防止液が塗布された状態で洗浄チャンバで待機するようになる。
この時、待機時間が経過されるほど基板上に塗布された乾燥防止液が蒸発して基板がますます露出されるようになる問題がある。また、基板が露出された領域のパターンは時間が経過されるほど崩壊または倒壊される問題がある。また、待機時間が増加されることによって表面がすべて露出された基板は費用節減のために追加工程を進行しないで廃棄されるので、収率が著しく低下される問題がある。
韓国特許公開第10-2020-0000814号公報
本発明は、ケミカル処理完了後基板上に乾燥防止液を塗布した状態で基板が乾燥チャンバに返送されることができない状況が発生した場合にパターンの崩壊を防止することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供しようとする。
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。
本発明は、基板を処理する方法を提供する。
基板処理方法は、第１工程チャンバで基板に処理液を供給して基板を洗浄する液処理段階と、前記液処理段階以後に前記基板を第２工程チャンバに返送する返送段階と、前記第２工程チャンバで前記基板上に残留する前記処理液を除去する乾燥段階を含むが、前記方法は前記液処理段階で液処理された基板が前記第２工程チャンバに返送不可能な場合前記液処理された基板が前記第１工程チャンバで待機する待機段階をさらに含み、前記待機段階では前記基板を前記第２工程チャンバに返送可能な時まで前記処理液を吐出することができる。
前記処理液は乾燥防止液を含むことができる。
前記待機段階は、前記乾燥防止液を判別する判別段階と、前記第１工程チャンバで待機中の前記基板で判別された前記乾燥防止液を再供給する供給段階を含むことができる。
前記供給段階では、返送可能な前記第２工程チャンバの発生時点を予測し、予測された前記時点に合わせて前記乾燥防止液の供給が完了されることができる。
前記供給段階は、判別された前記乾燥防止液を待機中の前記基板に供給する第１供給段階と、一定時間経過後前記乾燥防止液の供給を中断し、前記基板を前記第２工程チャンバに返送可能な時まで前記基板に純水（ＤＩＷ）を供給する第２供給段階と、前記第２供給段階以後に前記乾燥防止液を再供給する第３供給段階と、を含むことができる。
前記方法は、返送可能な前記第２工程チャンバの発生時点を予測し、第２供給段階では予測された前記時点に合わせて前記乾燥防止液の再供給が完了されるように予測された前記時点よりあらかじめ前記純水（ＤＩＷ）の供給を中断することができる。
前記乾燥防止液はイソプロピルアルコール(Isopropyl Alcohol、ＩＰＡ)を含むことができる。
前記乾燥段階は、超臨界流体を利用して前記基板上に残留中の前記処理液を除去することができる。
前記液処理段階では、第１液、第２液、そして、第３液を順次に前記基板に供給して前記基板を処理し、前記処理液は前記第３液であり、前記乾燥段階では超臨界流体を利用して前記基板を乾燥し、前記第３液は前記第２液に比べて前記超臨界流体にさらによく溶解される液であることができる。
本発明の基板を処理する装置を開示する。
基板処理装置は基板に処理液を供給して前記基板を液処理する液処理チャンバと、前記基板から前記処理液を除去する乾燥チャンバと、前記液処理チャンバと前記乾燥チャンバとの間に基板を返送する返送ユニットと、前記液処理チャンバ、前記乾燥チャンバ及び前記返送ユニットを制御する制御機を含み、前記制御機は前記液処理チャンバで液処理された基板が前記乾燥チャンバに返送不可能な場合返送可能な前記乾燥チャンバが発生されるまで前記液処理された基板が前記液処理チャンバで待機するように制御し、前記制御機は前記液処理された基板が待機されるうちに前記基板で前記処理液を供給するように制御することができる。
前記処理液は乾燥防止液を含み、前記制御機は前記乾燥防止液を判別し、判別された前記乾燥防止液を前記液処理チャンバで待機中である前記基板に供給することができる。
前記制御機は返送可能な前記乾燥チャンバが発生される時点をあらかじめ予測し、前記制御機は予測された前記時点に前記乾燥防止液の供給が完了されるように制御することができる。
前記制御機は前記判別された前記乾燥防止液を前記基板に供給し始めた時点から一定時間が経過された場合には、前記乾燥防止液の供給を中止して純水（ＤＩＷ）が前記基板に供給されるように制御し、前記制御機は返送可能な前記乾燥チャンバが発生された場合前記純水（ＤＩＷ）の供給を中止して前記判別された乾燥防止液が前記基板に再供給されるように制御することができる。
前記制御機は返送可能な前記乾燥チャンバが発生される時点をあらかじめ予測し、前記制御機は予測された前記時点に前記乾燥防止液の供給が完了されるように前記純水（ＤＩＷ）の供給中止時点と、前記乾燥防止液の再供給時点を制御することができる。
前記乾燥防止液はイソプロピルアルコール(Isopropyl Alcohol、ＩＰＡ)を含むことができる。
前記液処理チャンバは、内部に処理空間が形成されるコップと、前記処理空間で基板を支持して回転させる支持ユニットと、前記基板に処理液を供給する液供給ユニットを含み、前記液供給ユニットは第１液を前記基板に供給する第１ノズルと、第２液を前記基板に供給する第２ノズルと、第３液を前記基板に供給する第３ノズルを含み、前記処理液は前記第３液であることができる。
前記乾燥チャンバは、内部に内部空間が形成されるボディーと、前記内部空間で基板を支持する支持体と、前記内部空間で超臨界流体を供給する流体供給ユニットと、前記内部空間内の前記超臨界流体を排気する排気ユニットを含むことができる。
前記第３液は前記第２液に比べて前記超臨界流体にさらによく溶解されることができる。
前記第１液はケミカル(Chemical)を含み、前記第２液は純水（ＤＩＷ）を含み、前記第３液は乾燥防止液を含むことができる。
本発明は、基板を処理する装置を開示する。
基板処理装置は基板に処理液を供給して前記基板を液処理する液処理チャンバと、前記基板から前記処理液を除去する乾燥チャンバと、前記液処理チャンバと前記乾燥チャンバとの間に基板を返送する返送ユニットと、前記液処理チャンバ、前記乾燥チャンバ及び前記返送ユニットを制御する制御機を含み、前記液処理チャンバは、内部に処理空間が形成されるコップと、前記処理空間で基板を支持して回転させる支持ユニットと、前記基板に処理液を供給する液供給ユニットを含み、前記液供給ユニットはケミカル(Chemicla)を前記基板に供給する第１ノズルと、純水（ＤＩＷ）を前記基板に供給する第２ノズルと、乾燥防止液を前記基板に供給する第３ノズルを含み、前記処理液は前記乾燥防止液を含み、前記乾燥チャンバは、内部に内部空間が形成されるボディーと、前記内部空間で基板を支持する支持体と、前記内部空間で超臨界流体を供給する流体供給ユニットと、前記内部空間内の前記超臨界流体を排気する排気ユニットを含み、前記制御機は前記液処理チャンバで処理された基板が前記乾燥チャンバに返送不可能な場合返送可能な前記乾燥チャンバが発生されるまで前記基板で前記乾燥防止液を供給するように制御することができる。
本発明は、ケミカル処理完了後基板上に乾燥防止液を塗布した状態で基板が乾燥チャンバに返送されることができない状況が発生した場合にパターンの崩壊を防止することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
また、本発明は時間当りウェハー処理量(ＵＰＥＨ、Unit Per Equipment Hour)を最大化することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる平面図である。 図１の第１工程チャンバの一実施例を概略的に見せてくれる図面である。 図１の第２工程チャンバの一実施例を概略的に見せてくれる図面である。 本発明の一実施例による基板処理方法を概略的に見せてくれる流れ図である。 本発明の他の実施例による基板処理方法を概略的に見せてくれる流れ図である。 図４または図５の待機段階で基板の処理を概略的に見せてくれる図面である。 同じく、図４または図５の待機段階で基板の処理を概略的に見せてくれる図面である。 同じく、図４または図５の待機段階で基板の処理を概略的に見せてくれる図面である。
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例に限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて同一な符号を使用する。
ある構成要素を‘含む'とは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に、“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないことで理解されなければならない。
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
用語“及び/または”は該当の列挙された項目のうちで何れか一つ及び一つ以上のすべての組合を含む。また、本明細書で“連結される”という意味はＡ部材とＢ部材が直接連結される場合だけではなく、Ａ部材とＢ部材との間にＣ部材が介されてＡ部材とＢ部材が間接連結される場合も意味する。
本発明の実施例はさまざまな形態で変形されることができるし、本発明の範囲が下の実施例らに限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張された。
制御機は基板処理装置の全体動作を制御することができる。制御機はＣＰＵ(Central Processing Unit)、ＲＯＭ(Read Only Memory)及びＲＡＭ(Random Access Memory)を含むことができる。ＣＰＵはこれらの保存領域に保存された各種レシピによって、後述される液処理、乾燥処理などの所望の処理を行う。レシピにはプロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、プロセス圧力、プロセス温度、各種ガス流量などが入力されている。一方、これらプログラムや処理条件を示すレシピは、ハードディスクや半導体メモリーに保存されても良い。また、レシピはＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤなどの可搬性のコンピューターによって判読可能な保存媒体に収容された状態で保存領域の所定位置にセットするようにしても良い。
以下では、本発明による基板処理装置を説明する。
基板処理装置は洗浄液を利用して基板を洗浄する工程と、超臨界流体を工程流体で利用して基板を乾燥処理する超臨界乾燥工程を遂行することができる。ここで、基板は半導体素子や平板ディスプレイ(ＦＰＤ:flat panel display)及びその他に薄膜に回路パターンが形成された品物の製造に利用される基板をすべて含む包括的な概念である。このような基板(Ｗ)の例としては、シリコンウェハー、硝子基板、有機基板などがある。
図１は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる平面構成図である。
図１を参照すれば、基板処理装置１０００はインデックス部１０と工程処理部２０を含むことができる。一実施例によれば、インデックス部１０と工程処理部２０は一方向に沿って配置されることができる。以下、インデックス部１０と工程処理部２０が配置された方向を第１方向９２といって、上部から眺める時第１方向９２と垂直な方向を第２方向９４といって、第１方向９２と第２方向９４にすべて垂直な方向を第３方向９６という。
インデックス部１０は基板(Ｗ)が収納された容器８０から基板(Ｗ)を工程処理部２０に返送し、工程処理部２０で処理が完了された基板(Ｗ)を容器８０で収納する。インデックス部１０の長さ方向は第２方向９４に提供される。インデックス部１０はロードポート（Load Port)１２とインデックスフレーム１４を含むことができる。インデックスフレーム１４を基準でロードポート１２は工程処理部２０の反対側に位置される。基板(Ｗ)らが収納された容器８０はロードポート１２に置かれる。ロードポート１２は複数個が提供されることができるし、複数ロードポート１２は第２方向９４に沿って配置されることができる。
容器８０としては、前面開放一体式ポッド(Front Open Unified Pod、ＦＯＵＰ)のような密閉用容器が使用されることができる。容器８０はオーバーヘッドトランスファー(Overhead Transfer)、オーバーヘッドコンベヤー(Overhead Conveyor)、または自動案内車両(Automatic Guided Vehicle)のような移送手段(図示せず)や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。
インデックスフレーム１４にはインデックスロボット１２０が提供されることができる。インデックスフレーム１４内には長さ方向が第２方向９４に提供されたガイドレール１４０が提供され、インデックスロボット１２０はガイドレール１４０上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１２０は基板(Ｗ)が置かれるハンド１２２を含んで、ハンド１２２は前進移動、後進移動、第３方向９６を軸にした回転、そして、第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド１２２は複数個が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド１２２らはお互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
工程処理部２０はバッファーチャンバ２００、返送ユニット３００、第１工程チャンバ４００、そして第２工程チャンバ５００を含むことができる。
バッファーチャンバ２００はインデックス部１０と工程処理部２０との間に返送される基板(Ｗ)が臨時にとどまる空間を提供する。バッファーチャンバ２００にはバッファースロット２２０が提供されることができる。バッファースロット２２０には基板(Ｗ)が置かれることができる。例えば、インデックスロボット１２０は基板(Ｗ)を容器８０から引き出してバッファースロット２２０におくことができる。返送ユニット３００の基板返送ロボット３２０はバッファースロット２２０に置かれた基板(Ｗ)を引き出して、これを第１工程チャンバ４００や第２工程チャンバ５００に返送することができる。バッファーチャンバ２００には複数のバッファースロット２２０が提供されて複数の基板(Ｗ)が置かれることができる。
返送ユニット３００はそのまわりに配置されたバッファーチャンバ２００、第１工程チャンバ４００、そして、第２工程チャンバ５００の間に基板(Ｗ)を返送する。返送ユニット３００は基板返送ロボット３２０と移送レール３１０を含むことができる。基板返送ロボット３２０は移送レール３１０上に移動して基板(Ｗ)を返送することができる。
第１工程チャンバ４００と第２工程チャンバ５００は、工程流体を利用して洗浄工程を遂行することができる。洗浄工程は第１工程チャンバ４００と第２工程チャンバ５００で順次に遂行されることができる。例えば、第１工程チャンバ３００では洗浄工程が遂行され、第２工程チャンバ５００では超臨界またはイソプロピルアルコール(ＩＰＡ)を利用した乾燥工程が遂行されることができる。
第１工程チャンバ４００と第２工程チャンバ５００は、返送ユニット３００の側面に配置されることができる。例えば、第１工程チャンバ４００と第２工程チャンバ５００は返送ユニット３００の他の側面にお互いに見合わせるように配置されることができる。一例で、第１工程チャンバ４００は返送ユニット３００の第１側面に配置され、第２工程チャンバ５００は返送ユニット３００の第１側面の反対側に位置される第２側面に配置されることができる。また、第１工程チャンバ４００と第２工程チャンバ５００は複数で提供されることができる。複数工程チャンバら４００、５００は返送ユニット３００の側面に一列で配置されることができる。一例で、複数の第１工程チャンバ４００のうちで一部は返送ユニット３００の第１側面に配置され、複数の第１工程チャンバ４００のうちで残りは返送ユニット３００の第２側面に配置されることができる。そして、複数の第２工程チャンバ５００のうちで一部は返送ユニット３００の第１側面に配置され、複数の第２工程チャンバ５００のうちで残りは返送ユニット３００の第２側面に配置されることができる。
第１工程チャンバ４００と第２工程チャンバ５００の配置は上述した例に限定されないし、基板処理装置１０のプップリントや工程効率などを考慮して変更されることができる。基板処理装置１０００は制御機(図示せず)によって制御されることができる。
返送ユニット３００はその長さ方向が第１方向９２に提供されることができる。返送チャンバ３００は基板返送ロボット３２０を有する。返送チャンバ３００内には長さ方向が第１方向９２に提供された移送レール３１０が提供され、基板返送ロボット３２０は移送レール３４０上で移動可能に提供されることができる。
基板返送ロボット３２０は基板(Ｗ)が置かれるハンド３２２らを含んで、ハンド３２２らは前進及び後進移動、第３方向９６を軸にした回転、そして、第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド３２２らは上下方向に離隔されるように提供され、ハンド３２２らはお互いに独立的に前進移動及び後進移動することができる。
図２は、図１の第１工程チャンバの一実施例を概略的に見せてくれる図面である。
図２を参照すれば、第１工程チャンバ４００はハウジング４１０、コップ４２０、支持ユニット４４０、液供給ユニット４６０、そして昇降ユニット４８０を含むことができる。第１工程チャンバ４００は液処理チャンバ４００で称することができる。
ハウジング４１０は概して直方体形状で提供される。コップ４２０、支持ユニット４４０、そして液供給ユニット４６０はハウジング４１０内に配置されることができる。
コップ４２０は上部が開放された処理空間を有して、基板(Ｗ)は処理空間内で液処理される。支持ユニット４４０は処理空間内で基板(Ｗ)を支持する。液供給ユニット４６０は支持ユニット４４０に支持された基板(Ｗ)上に液を供給する。液は複数種類に提供され、基板(Ｗ)上に順次に供給されることができる。昇降ユニット４８０はコップ４２０と支持ユニット４４０との間の相対高さを調節する。
一例によれば、コップ４２０は複数の回収筒４２２、４２４、４２６を含むことができる。回収筒４２２、４２４、４２６はそれぞれ基板処理に使用された液を回収する回収空間を有する。それぞれの回収筒４２２、４２４、４２６は支持ユニット４４０を囲むリング形状で提供される。液処理工程が進行時基板(Ｗ)の回転によって飛散される前処理液は各回収筒４２２、４２４、４２６の流入口４２２a、４２４a、４２６aを通じて回収空間に流入される。一例によれば、コップ４２０は第１回収筒４２２、第２回収筒４２４、そして、第３回収筒４２６を有する。第１回収筒４２２は支持ユニット４４０を囲むように配置され、第２回収筒４２４は第１回収筒４２２を囲むように配置され、第３回収筒４２６は第２回収筒４２４を囲むように配置される。第２回収筒４２４で液を流入する第２流入口４２４aは第１回収筒４２２で液を流入する第１流入口４２２aより上部に位置され、第３回収筒４２６で液を流入する第３流入口４２６aは第２流入口４２４aより上部に位置されることができる。
支持ユニット４４０は支持板４４２と駆動軸４４４を有する。支持板４４２の上面は概して円形で提供されて基板(Ｗ)より大きい直径を有することができる。支持板４４２の中央部には基板(Ｗ)の後面を支持する支持ピン４４２aが提供され、支持ピン４４２aは基板(Ｗ)が支持板４４２から一定距離離隔されるようにその上端が支持板４４２から突き出されるように提供される。支持板４４２の縁部にはチェックピン４４２bが提供される。チェックピン４４２bは支持板４４２から上部に突き出されるように提供され、基板(Ｗ)が回転される時基板(Ｗ)が支持ユニット４４０から離脱されないように基板(Ｗ)の側部を支持する。駆動軸４４４は駆動機４４６によって駆動され、基板(Ｗ)の底面中央と連結され、支持板４４２をその中心軸を基準で回転させる。
一例によれば、液供給ユニット４６０は第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして、第３ノズル４６６を含むことができる。第１ノズル４６２は第１液を基板(Ｗ)上に供給することができる。第１液は基板(Ｗ)上に残存する膜や異物を除去する液であることができる。第２ノズル４６４は第２液を基板(Ｗ)上に供給することができる。第２液は第３液によく溶解される液であることができる。例えば、第２液は第１液に比べて第３液にさらによく溶解される液であることができる。第２液は基板(Ｗ)上に供給された第１液を中和させる液であることができる。また、第２液は第１液を中和させ、それと共に第１液に比べて第３液によく溶解される液であることができる。一例によれば、第２液は純水（ＤＩＷ）であることができる。第３ノズル４６６は第３液を基板(Ｗ)上に供給することができる。第３液は第２工程チャンバ５００で使用される超臨界流体によく溶解される液であることができる。一例によれば、第３液(ウェッティング液)は揮発性有機溶媒、純水（ＤＩＷ）または界面活性剤と純水（ＤＩＷ）の混合液であることができる。有機イソプロピルアルコール(ＩＰＡ)であることができる。一例によれば、超臨界流体は二酸化炭素であることができる。基板(Ｗ)は第３液によって塗布された状態(ウェッティングされた状態)で第１工程チャンバ４００から搬出されて第２工程チャンバ５００に搬入される。
第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして、第３ノズル４６６はお互いに相異なアーム４６１に支持されることができる。アーム４６１らは独立的に移動されることができる。選択的に第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして、第３ノズル４６６は等しいアーム４６１に装着されて同時に移動されることができる。
昇降ユニット４８０はコップ４２０を上下方向に移動させる。コップ４２０の上下移動によってコップ４２０と基板(Ｗ)との間の相対高さが変更される。これによって基板(Ｗ)に供給される液の種類によって前処理液を回収する回収筒４２２、４２４、４２６が変更されるので、液らを分離回収することができる。前述したところと異なり、コップ４２０は固定設置され、昇降ユニット４８０は支持ユニット４４０を上下方向に移動させることができる。
図３は、図１の第２工程チャンバの一実施例を概略的に見せてくれる図面である。
一実施例によれば、第２工程チャンバ５００は超臨界流体を利用して基板(Ｗ)上の液を除去する。第２工程チャンバ５００はボディー５２０、支持体５４０、流体供給ユニット５６０、そして、遮断プレート５８０を有する。第２工程チャンバ５００は乾燥チャンバ５００と称することができる。
ボディー５２０は乾燥工程が遂行される内部空間５０２を提供する。ボディー５２０は上体（upper body)５２２と下体（lower body) ５２４を有して、上体５２２と下体５２４はお互いに組合されて上述した内部空間５０２を提供する。上体５２２は下体５２４の上部に提供される。上体５２２はその位置が固定され、下体５２４はシリンダーのような駆動部材５９０によって昇下降されることができる。下体５２４が上体５２２から離隔されれば内部空間５０２が開放され、この時基板(Ｗ)が搬入または搬出される。工程が進行時には下体５２４が上体５２２に密着されて内部空間５０２が外部から密閉される。第２工程チャンバ５００はヒーター５７０を有する。一例によれば、ヒーター５７０はボディー５２０の壁内部に位置される。ヒーター５７０はボディー５２０の内部空間内に供給された流体が超臨界状態を維持するようにボディー５２０の内部空間５０２を加熱する。
支持体５４０はボディー５２０の内部空間５０２内で基板(Ｗ)を支持する。支持体５４０は固定ロード５４２と据置台５４４を有する。固定ロード５４２は上体５２２の底面から下に突き出されるように上体５２２に固定設置される。固定ロード５４２はその長さ方向が上下方向に提供される。固定ロード５４２は複数個提供されてお互いに離隔されるように位置される。固定ロード５４２らは人々によって取り囲まれた空間で基板(Ｗ)が搬入または搬出される時、基板(Ｗ)が固定ロード５４２らと干渉しないように配置される。それぞれの固定ロード５４２には据置台５４４が結合される。据置台５４４は固定ロード５４２の下端から固定ロード５４２らによって取り囲まれた空間を向ける方向に延長される。前述した構造によって、ボディー５２０の内部空間５０２に搬入された基板(Ｗ)はその縁領域が据置台５４４上に置かれ、基板(Ｗ)の上面全体領域、基板(Ｗ)の底面のうちで中央領域、そして、基板(Ｗ)の底面のうちで縁領域の一部は内部空間５０２に供給された乾燥用流体に露出される。
流体供給ユニット５６０はボディー５２０の内部空間５０２に乾燥用流体を供給する。一例によれば、乾燥用流体は超臨界状態で内部空間５０２に供給されることができる。これと異なり乾燥用流体はガス状態で内部空間５０２に供給され、内部空間５０２内で超臨界状態に相変化されることができる。一例によれば、流体供給ユニット５６０はメイン供給ライン５６２、上部分岐ライン５６４、そして、下部分岐ライン５６６を有する。上部分岐ライン５６４と下部分岐ライン５６６はメイン供給ライン５６２から分岐される。上部分岐ライン５６４は上体５２２に結合されて支持体５４０に置かれた基板(Ｗ)の上部で乾燥用流体を供給する。一例によれば、上部分岐ライン５６４は上体５２２の中央に結合される。下部分岐ライン５６６は下体５２４に結合されて支持体５４０に置かれた基板(Ｗ)の下部で乾燥用流体を供給する。一例によれば、下部分岐ライン５６６は下体５２４の中央に結合される。下体５２４には排気ライン５５０が結合される。ボディー５２０の内部空間５０２内の超臨界流体は排気ライン５５０を通じてボディー５２０の外部に排気される。
ボディー５２０の内部空間５０２内には遮断プレート(blocking plate)５８０が配置されることができる。遮断プレート５８０は円盤形状で提供されることができる。遮断プレート５８０はボディー５２０の底面から上部に離隔されるように支持台５８２によって支持される。支持台５８２はロード形状で提供され、お互いの間に一定距離離隔されるように複数個が配置される。上部から眺める時遮断プレート５８０は下部分岐ライン５６６の吐出口及び排気ライン５５０の流入口と重畳されるように提供されることができる。遮断プレート５８０は下部分岐ライン５６６を通じて供給された乾燥用流体が基板(Ｗ)を向けて直接吐出されて基板(Ｗ)が損傷されることを防止することができる。
図４は、本発明の一実施例による基板処理方法を概略的に見せてくれる流れ図である。
液処理段階(Ｓ１００）は第１工程チャンバ４００で遂行されることができる。液処理段階(Ｓ１００）では基板(Ｗ)上に液が供給されて基板(Ｗ)を液処理することができる。一例によれば、液処理段階(Ｓ１００）で第１液、第２液、そして、第３液が順次に基板(Ｗ)に供給されて基板(Ｗ)を処理することができる。第１液は硫酸、硝酸、塩酸などのように酸またはアルカリを含むケミカル(Chemical)を含むことができる。第２液は純水（ＤＩＷ）を含むことができる。第３液はイソプロピルアルコール(Isopropyl Alcohol、ＩＰＡ)を含むことができる。初めに基板(Ｗ)上にケミカルを供給して基板(Ｗ)上に残留する薄膜や異物などを除去する。以後、基板(Ｗ)上に純水（ＤＩＷ）を供給し、基板(Ｗ)上でケミカルを純水（ＤＩＷ）に置換する。以後、基板(Ｗ)上にイソプロピルアルコールを供給して基板(Ｗ)上で純水（ＤＩＷ）をイソプロピルアルコールに置換する。純水（ＤＩＷ）はケミカルに比べてイソプロピルアルコールによく溶解されるので置き換えが容易であることができる。また、純水（ＤＩＷ）によって基板(Ｗ)の表面は中和されることができる。イソプロピルアルコールは第２工程チャンバ５００で使用される二酸化炭素によく溶解されるので、第２工程チャンバ５００で超臨界状態の二酸化炭素によって易しく除去されることができる。
本発明の一実施例による基板処理方法は返送段階(Ｓ４００）を含むことができる。返送段階(Ｓ４００）は基板返送ロボット３２０によって遂行されることができる。第１工程チャンバ４００で液処理が完了すれば、基板(Ｗ)を第１工程チャンバ４００から第２工程チャンバ５００に返送する返送段階(Ｓ４００）が遂行されることができる。基板(Ｗ)が基板返送ロボット３２０によって返送される間に基板(Ｗ)上には液が残留することができる。以下、基板返送ロボット３２０によって返送される間に基板(Ｗ)に残留する液を処理液と称する。例えば、前述した例で処理液は第３液であることができる。または、前述した例で処理液はイソプロピルアルコールであることができる。
本発明の一実施例と異なる基板処理方法は、乾燥段階(Ｓ５００）を含むことができる。乾燥段階(Ｓ５００）は第２工程チャンバ５００で遂行されることができる。第２工程チャンバ５００内に搬入された基板(Ｗ)はその縁領域が据置台５４４に置かれた状態で支持体５４０に支持される。初めに二酸化炭素が下部分岐ライン５６６を通じてボディー５２０の内部空間５０２に供給される。ボディー５２０の内部空間５０２が設定圧力に到逹すれば、二酸化炭素は上部分岐ライン５６４を通じてボディー５２０の内部空間５０２に供給される。選択的にボディー５２０の内部空間５０２が設定圧力に到逹すれば、二酸化炭素は上部分岐ライン５６４と下部分岐ライン５６６を通じてそれと共にボディー５２０の内部空間５０２に供給されることができる。工程が進行時ボディー５２０の内部空間５０２に二酸化炭素の供給及び内部空間５０２から二酸化炭素の排出は周期的に複数回進行されることができる。このような方法によって基板(Ｗ)上に残留する処理液が超臨界状態の二酸化炭素に一定量溶解されれば、内部空間５０２から二酸化炭素を排出して新しい二酸化炭素を内部空間５０２に供給することで基板(Ｗ)から処理液の除去率が向上されることができる。
本発明の一実施例による基板処理方法は待機段階(Ｓ２００）をさらに含むことができる。
待機段階(Ｓ２００）は液処理段階(Ｓ１００）が終わった時、第２工程チャンバ５００に返送不可能な場合、液処理が終わった基板(Ｗ)が返送可能な第２工程チャンバ５００が発生されるまで待機する段階であることができる。待機段階(Ｓ２００）は第１工程チャンバ４００で遂行されることができる。但し、これに制限されるものではなくて、待機のための別途のチャンバで待機段階(Ｓ２００）が遂行されることができる。
待機段階(Ｓ２００）は液処理段階(Ｓ１００）と返送段階(Ｓ４００）の間で選択的に遂行されることができる。例えば、第１工程チャンバ４００で液処理段階(Ｓ１００）が終わった後基板(Ｗ)上に乾燥防止液が塗布された状態で第２工程チャンバ５００に返送不可能な状況が発生された場合に待機段階(Ｓ２００）が遂行されることができる。この時、第２工程チャンバ５００に返送不可能な状況とは、第２工程チャンバ５００に問題が発生されて乾燥工程を遂行することができないか、または設備に含まれたすべての第２工程チャンバ５００が乾燥工程が進行中である状況を意味することができる。但し、これに制限されるものではなくて、上述した例示外に第２工程チャンバ５００が液処理が終わった基板(Ｗ)を、返送を受けることができない他の状況、返送ユニット３００が返送不可能な状況、第１工程チャンバ４００で返送不可能な状況が発生された場合など乾燥防止液が塗布された基板(Ｗ)が返送不可能なすべての状況で待機段階(Ｓ２００）が遂行されることができる。また、液処理段階(Ｓ１００）が終わった時返送可能な第２工程チャンバ５００が存在する場合、待機段階(Ｓ２００）は省略されることができる。
待機段階(Ｓ２００）は判別段階(Ｓ２２０）を含むことができる。判別段階(Ｓ２２０）は基板(Ｗ)上に乾燥防止液が塗布された(Wetting)状態で第２工程チャンバ５００に移動することができない場合に待機中の基板(Ｗ)上に塗布された乾燥防止液を判別する。
待機段階(Ｓ２００）は供給段階(Ｓ２４０）を含むことができる。供給段階(Ｓ２４０）では判別段階(Ｓ２００）で判別された乾燥防止液を吐出するノズルが第１工程チャンバ４００に再進入する。再進入されたノズル４６６では判別された乾燥防止液が待機中の基板(Ｗ)に供給される。供給段階(Ｓ２４０）は待機中の基板(Ｗ)が第２工程チャンバ５００に返送可能な時まで乾燥防止液を吐出することができる。また、供給段階(Ｓ２４０）では返送可能な第２工程チャンバ５００の発生時点を予測することができる。供給段階(Ｓ２４０）では予測された第２工程チャンバ５００の発生時点に合わせて乾燥防止液の供給が完了されるように乾燥防止液の供給時間、乾燥防止液の吐出量、基板(Ｗ)の回転数を調節することができる。この場合、返送可能な第２工程チャンバ５００が発生した時点に乾燥防止液の供給が終わるので工程時間を縮めることができるし、時間当り基板処理量(Unit Per Equipment Hour、ＵＰＥＨ)が増大されることができる。
供給段階(Ｓ２４０）が終わった基板(Ｗ)は返送ユニット３００によって第２工程チャンバ５００に返送される返送段階(Ｓ４００）が遂行される。
図５は、本発明の他の実施例による基板処理方法を概略的に見せてくれる流れ図である。
本発明の他の実施例による基板処理方法は、待機段階(Ｓ３００）をさらに含むことができる。他の実施例による待機段階(Ｓ３００）は一実施例による待機段階(Ｓ２００）と供給段階を除きすべて等しいことができる。以下では、重複された説明は略して差異を主として説明する。
待機段階(Ｓ３００）は判別段階(Ｓ３２０）を含むことができる。判別段階(Ｓ３２０）は基板(Ｗ)上に乾燥防止液が塗布された(Wetting)状態で第２工程チャンバ５００に移動することができない場合に待機中の基板(Ｗ)上に塗布された乾燥防止液を判別する。
待機段階(Ｓ２００）は供給段階を含むことができる。
供給段階は第１供給段階(Ｓ３４０)を含むことができる。第１供給段階(Ｓ３４０)は判別された乾燥防止液を待機中の前記基板(Ｗ)に供給することができる。第１供給段階(Ｓ３４０)は乾燥防止液供給段階(Ｓ３４０)と称することができる。
供給段階は第２供給段階(Ｓ３６０)を含むことができる。第２供給段階(Ｓ３６０)では一定時間経過後乾燥防止液の供給を中断することができる。この時、一定時間は４分乃至６分が経過された場合を意味し、望ましくは、５分が経過された時点を意味することができる。但し、これに制限されなくて工程レシピまたは設定によって異なるように設定されることができる。第２供給段階(Ｓ３６０)では乾燥防止液の供給が中断された場合、基板(Ｗ)を第２工程チャンバ５００に返送可能な時まで基板(Ｗ)に純水（ＤＩＷ）を供給することができる。これを通じて、乾燥防止液の使用量を節減することができる。第２供給段階(Ｓ３６０)は純水（ＤＩＷ）供給段階(Ｓ３６０)と称することができる。
供給段階は第３供給段階(Ｓ３８０)を含むことができる。第３供給段階(Ｓ３８０)では第２供給段階(Ｓ３６０)以後に乾燥防止液を基板(Ｗ)に再供給することができる。第３供給段階(Ｓ３８０)では工程レシピによって基板(Ｗ)上に乾燥防止液が吐出されるように、乾燥防止液の吐出量、乾燥防止液の供給時間、基板(Ｗ)の回転数などが設定されることができる。第３供給段階(Ｓ３８０)が終わった以後、基板(Ｗ)は返送ユニット３００によって第２工程チャンバ５００に返送される返送段階(Ｓ４００）が遂行されることができる。第３供給段階(Ｓ３８０)は乾燥防止液再供給段階(Ｓ３８０)と称することができる。
以上では、返送可能な第２工程チャンバ５００が発生されるまで純水（ＤＩＷ）を供給し、第２工程チャンバ５００発生時に乾燥防止液を再供給することで説明した。しかし、他の実施例と異なる基板処理方法は工程時間短縮及び時間当り基板処理量(ＵＰＥＨ)を増大させるために返送可能な第２工程チャンバ５００の発生時点を予測して純水（ＤＩＷ）の供給終了及び乾燥防止液の再供給が遂行されることができる。より詳細には、第２供給段階(Ｓ３６０)では予測された第２工程チャンバ５００の発生時点に合わせて乾燥防止液の再供給が完了されるように予測された時点よりあらかじめ純水（ＤＩＷ）の供給を終了することができる。第３供給段階(Ｓ３８０)では純水（ＤＩＷ）の供給が終わった時乾燥防止液を基板(Ｗ)に再供給することができる。この場合、第３供給段階(Ｓ３８０)の乾燥防止液再供給終了時点は第２工程チャンバ５００の発生時点と等しいか、または第２工程チャンバ５００の発生時点より少し速いことができる。
基板処理装置１０００は基板処理装置１０００を制御する制御機(図示せず)を含むことができる。制御機(図示せず)は第１工程チャンバ４００、第２工程チャンバ５００及び返送ユニット３００を制御することができる。制御機(図示せず)は第１工程チャンバ４００で液処理された基板(Ｗ)が第２工程チャンバ５００に返送不可能な場合返送可能な第２工程チャンバ５００が発生されるまで液処理された基板(Ｗ)が第１工程チャンバ４００で待機するように制御することができる。制御機(図示せず)は液処理された基板(Ｗ)が待機されるうちに基板(Ｗ)に乾燥防止液を供給できるように制御することができる。
図６乃至図８は、図４または図５の待機段階で基板の処理を概略的に見せてくれる図面である。
本発明の一実施例による場合、図６を参照すれば制御機(図示せず)は基板(Ｗ)が第２工程チャンバ５００に返送不可能な場合基板(Ｗ)上に塗布された乾燥防止液を判別することができる。制御機(図示せず)は判別された乾燥防止液を第１工程チャンバ４００で待機中の基板(Ｗ)に供給することができる。制御機(図示せず)は乾燥防止液が返送可能な第２工程チャンバ５００が発生されるまで待機中の基板(Ｗ)に供給されるように制御することができる。
本発明の他の実施例による場合、図６を参考すれば制御機(図示せず)は基板(Ｗ)が第２工程チャンバ５００に返送不可能な場合基板(Ｗ)上に塗布された乾燥防止液を判別し、判別された乾燥防止液を第１工程チャンバ４００で待機中の基板(Ｗ)に供給することができる。図７を参考すれば、制御機(図示せず)は判別された乾燥防止液が供給された後一定時間が経過した時点で乾燥防止液の供給を中断して純水（ＤＩＷ）が基板(Ｗ)に供給されるように制御することができる。図８を参考すれば、制御機(図示せず)は返送可能な第２工程チャンバが発生された場合純水（ＤＩＷ）の供給を中断し、乾燥防止液が基板(Ｗ)に再供給されるように制御することができる。また、制御機(図示せず)は返送可能な第２工程チャンバが発生される時点を予測して純水（ＤＩＷ）の供給終了時点と乾燥防止液の再供給時点を制御することができる。一例で、制御機(図示せず)は返送可能な第２工程チャンバが発生される時点より先に純水（ＤＩＷ）の供給が中断されるように第２ノズル４６４を制御し、純水（ＤＩＷ）の供給中断時点に乾燥防止液が基板(Ｗ)に再供給されるように第３ノズル４６６を制御することができる。この場合、乾燥防止液の再供給が終わった時点に返送可能な第２工程チャンバが発生されるので、基板(Ｗ)は乾燥防止液の再供給が終わることと同時に第２工程チャンバ５００に返送されることができる。これを通じて、全体工程時間の短縮、時間当り基板処理量を増大することができる。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著述した開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著述した実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
１０００ 基板処理装置
４００ 第１工程チャンバ
４１０ ハウジング
４２０ コップ
４４０ 支持ユニット
４６０ 液供給ユニット
４８０ 昇降ユニット
５００ 第２工程チャンバ
５２０ ボディー
５４０ 支持体
５５０ 排気ライン
５６０ 流体供給ユニット
５７０ ヒーター
５８０ 遮断プレート

Claims (20)

  1. 基板処理方法であって、
    第１工程チャンバで基板に処理液を供給して基板を洗浄する液処理段階と、
    前記液処理段階以後に前記基板を第２工程チャンバに返送する返送段階と、
    前記第２工程チャンバで前記基板上に残留する前記処理液を除去する乾燥段階を含むが、
    前記方法は前記液処理段階で液処理された基板が前記第２工程チャンバに返送不可能な場合前記液処理された基板が前記第１工程チャンバで待機する待機段階と、をさらに含み、
    前記待機段階では前記基板を前記第２工程チャンバに返送可能な時まで前記処理液を吐出することを特徴とする基板処理方法。
  2. 前記処理液は乾燥防止液を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記待機段階は、
    前記乾燥防止液を判別する判別段階と、
    前記第１工程チャンバで待機中の前記基板で前記乾燥防止液を供給する供給段階を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理方法。
  4. 前記供給段階では、
    返送可能な前記第２工程チャンバの発生時点を予測し、
    予測された前記時点に合わせて前記乾燥防止液の供給が完了されることを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
  5. 前記供給段階は、
    前記乾燥防止液を待機中の前記基板に供給する第１供給段階と、
    一定時間経過後前記乾燥防止液の供給を中断し、前記基板を前記第２工程チャンバに返送可能な時まで前記基板に純水（ＤＩＷ）を供給する第２供給段階と、
    前記第２供給段階以後に前記乾燥防止液を再供給する第３供給段階と、を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
  6. 前記方法は返送可能な前記第２工程チャンバの発生時点を予測し、
    第２供給段階では予測された前記時点に合わせて前記乾燥防止液の再供給が完了されるように予測された前記時点よりあらかじめ前記純水（ＤＩＷ）の供給を中断することを特徴とする請求項５に記載の基板処理方法。
  7. 前記乾燥防止液はイソプロピルアルコール(Isopropyl Alcohol、ＩＰＡ)を含むことを特徴とする請求項２乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の基板処理方法。
  8. 前記乾燥段階は超臨界流体を利用して前記基板上に残留中の前記処理液を除去することを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 前記液処理段階では、
    第１液、第２液、そして、第３液を順次に前記基板に供給して前記基板を処理し、
    前記処理液は前記第３液であり、
    前記乾燥段階では超臨界流体を利用して前記基板を乾燥し、
    前記第３液は前記第２液に比べて前記超臨界流体にさらによく溶解される液であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
  10. 基板処理装置であって、
    基板に処理液を供給して前記基板を液処理する液処理チャンバと、
    前記基板から前記処理液を除去する乾燥チャンバと、
    前記液処理チャンバと前記乾燥チャンバとの間に基板を返送する返送ユニットと、
    前記液処理チャンバ、前記乾燥チャンバ及び前記返送ユニットを制御する制御機を含み、
    前記制御機は前記液処理チャンバで液処理された基板が前記乾燥チャンバに返送不可能な場合返送可能な前記乾燥チャンバが発生されるまで前記液処理された基板が前記液処理チャンバで待機するように制御し、
    前記制御機は前記液処理された基板が待機されるうちに前記基板に前記処理液を供給するように制御することを特徴とする基板処理装置。
  11. 前記処理液は乾燥防止液を含み、
    前記制御機は前記乾燥防止液を判別し、前記乾燥防止液を前記液処理チャンバで待機中の前記基板に供給することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記制御機は返送可能な前記乾燥チャンバが発生される時点をあらかじめ予測し、
    前記制御機は予測された前記時点に前記乾燥防止液の供給が完了されるように制御することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 前記制御機は前記乾燥防止液を前記基板に供給し始めた時点から一定時間が経過された場合には前記乾燥防止液の供給を中止して純水（ＤＩＷ）が前記基板に供給されるように制御し、
    前記制御機は返送可能な前記乾燥チャンバが発生された場合前記純水（ＤＩＷ）の供給を中止して前記乾燥防止液が前記基板に再供給されるように制御することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
  14. 前記制御機は返送可能な前記乾燥チャンバが発生される時点をあらかじめ予測し、
    前記制御機は予測された前記時点に前記乾燥防止液の供給が完了されるように前記純水（ＤＩＷ）の供給中止時点と、前記乾燥防止液の再供給時点を制御することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 前記乾燥防止液はイソプロピルアルコール(Isopropyl Alcohol、ＩＰＡ)を含むことを特徴とする請求項１１乃至請求項１４のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
  16. 前記液処理チャンバは、
    内部に処理空間が形成されるコップと、
    前記処理空間で基板を支持して回転させる支持ユニットと、
    前記基板に処理液を供給する液供給ユニットを含み、
    前記液供給ユニットは第１液を前記基板に供給する第１ノズルと、第２液を前記基板に供給する第２ノズルと、第３液を前記基板に供給する第３ノズルを含み、
    前記処理液は前記第３液であることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
  17. 前記乾燥チャンバは、
    内部に内部空間が形成されるボディーと、
    前記内部空間で基板を支持する支持体と、
    前記内部空間に超臨界流体を供給する流体供給ユニットと、
    前記内部空間内の前記超臨界流体を排気する排気ユニットを含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 前記第３液は前記第２液に比べて前記超臨界流体にさらによく溶解されることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
  19. 前記第１液はケミカル(Chemical)を含み、
    前記第２液は純水（ＤＩＷ）を含み、
    前記第３液は乾燥防止液を含むことを特徴とする請求項１６乃至請求項１８のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
  20. 基板処理装置であって、
    基板に処理液を供給して前記基板を液処理する液処理チャンバと、
    前記基板から前記処理液を除去する乾燥チャンバと、
    前記液処理チャンバと前記乾燥チャンバとの間に基板を返送する返送ユニットと、
    前記液処理チャンバ、前記乾燥チャンバ及び前記返送ユニットを制御する制御機を含み、
    前記液処理チャンバは、
    内部に処理空間が形成されるコップと、
    前記処理空間で基板を支持して回転させる支持ユニットと、
    前記基板に処理液を供給する液供給ユニットを含み、
    前記液供給ユニットはケミカル(Chemical)を前記基板に供給する第１ノズルと、純水（ＤＩＷ）を前記基板に供給する第２ノズルと、乾燥防止液を前記基板に供給する第３ノズルを含み、
    前記処理液は前記乾燥防止液を含み、
    前記乾燥チャンバは、
    内部に内部空間が形成されるボディーと、
    前記内部空間で基板を支持する支持体と、
    前記内部空間に超臨界流体を供給する流体供給ユニットと、
    前記内部空間内の前記超臨界流体を排気する排気ユニットを含み、
    前記制御機は前記液処理チャンバで処理された基板が前記乾燥チャンバに返送不可能な場合返送可能な前記乾燥チャンバが発生されるまで前記基板に前記乾燥防止液を供給するように制御する基板処理装置。
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