JP2015041727A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係る基板処理方法は、混合液供給工程と、冷却工程と、過酸化水素水供給工程とを含む。混合液供給工程は、硫酸と過酸化水素水との混合液を基板に対して供給する。冷却工程は、混合液供給工程後の基板を冷却する。過酸化水素水供給工程は、冷却工程後の基板に対して過酸化水素水を供給する。
【選択図】図4
Description
2 搬入出ステーション
3 処理ステーション
4 制御装置
16 処理ユニット
30 基板保持機構
34,40 処理流体供給部
40a 第1ノズル
40b 第2ノズル
40c 第3ノズル
70a 硫酸供給源
70b 過酸化水素水供給源
70c 過酸化水素水供給源
70d HDIW供給源
70e CDIW供給源
70f HDIW供給源
Claims (10)
- 硫酸と過酸化水素水との混合液を基板に対して供給する混合液供給工程と、
前記混合液供給工程後の基板を冷却する冷却工程と、
前記冷却工程後の基板に対して過酸化水素水を供給する過酸化水素水供給工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記冷却工程は、
前記混合液供給工程後の基板を過酸化水素水の沸点よりも低い温度まで冷却すること
を特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記冷却工程は、
前記過酸化水素水供給工程において供給される過酸化水素水と、前記基板に残存する硫酸とが反応することによって上昇する基板の温度が前記過酸化水素水の沸点よりも低い温度を下回る温度まで前記混合液供給工程後の基板を冷却すること
を特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記冷却工程は、
前記混合液供給工程後の基板を回転させることによって該基板上に残存する液体を振り切りながら該基板を冷却すること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 前記混合液供給工程は、
回転する基板に対して前記混合液を供給するものであって、
前記冷却工程は、
前記混合液供給工程における基板の回転数よりも高い回転数で前記混合液供給工程後の基板を回転させること
を特徴とする請求項4に記載の基板処理方法。 - 前記冷却工程は、
前記混合液供給工程後の基板に対し、前記混合液供給工程において前記混合液が供給される面とは反対側の面に過酸化水素水の沸点未満の液体を供給することによって該基板を冷却すること
を特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 前記冷却工程は、
60℃以上80℃以下の前記液体を供給すること
を特徴とする請求項6に記載の基板処理方法。 - 硫酸と過酸化水素水との混合液を基板に対して供給する混合液供給部と、
前記混合液供給部によって前記混合液が供給された後の基板を冷却する冷却部と、
前記冷却部によって冷却された基板に対して過酸化水素水を供給する過酸化水素水供給部と
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記混合液供給部と前記過酸化水素水供給部とが別体であること
を特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記過酸化水素水供給部は、
前記混合液供給部から供給される過酸化水素水の流量よりも多い流量の過酸化水素水を供給すること
を特徴とする請求項8または9に記載の基板処理装置。
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