TWI386986B - 噴嘴及具備該噴嘴之基板處理裝置 - Google Patents
噴嘴及具備該噴嘴之基板處理裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI386986B TWI386986B TW096138169A TW96138169A TWI386986B TW I386986 B TWI386986 B TW I386986B TW 096138169 A TW096138169 A TW 096138169A TW 96138169 A TW96138169 A TW 96138169A TW I386986 B TWI386986 B TW I386986B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- resin
- substrate
- nozzle
- tube
- metal
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 162
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 111
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 193
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 147
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 147
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 108
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 108
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 79
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 28
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 12
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 11
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 9
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 7
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 5
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 5
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 3
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 3
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920013653 perfluoroalkoxyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本發明係關於一種吐出處理液之噴嘴及具備該噴嘴之基板處理裝置。
習知為了對半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板等基板實施各種處理，而使用基板處理裝置。
例如，基板之清洗處理中，自水平方向之噴嘴臂前端所支持之處理液供給噴嘴，依序對旋轉基板上供給作為處理液之清洗液及淋洗液。
作為清洗液，可使用緩衝氫氟酸(BHF，buffered hydrofluoric acid)、稀氫氟酸(DHF，Dilute hydrofluoric acid)、氟酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、草酸及氨水等藥液。
使用藥液作為處理液之基板處理裝置中，當使用金屬製構件時，會產生金屬腐蝕及金屬離子溶出之金屬污染，由此無法使用金屬作為處理液供給噴嘴、噴嘴臂及配管等之材料。因此，處理液供給噴嘴、噴嘴臂及配管等由耐化學性優良之氟樹脂等樹脂材料形成。
例如，於日本專利特開2002－170803號公報之基板處理裝置中，連接流動藥液之藥液混合部之下游側、與處理液供給噴嘴之上游側的配管，由耐化學性優良之氟樹脂所構成之管體而形成。
然而，因氟樹脂等樹脂材料係絕緣性材料，故當處理液於處理液供給噴嘴內流動時，因處理液與處理液供給噴嘴內表面之間之摩擦而產生靜電，使處理液帶電。
當將帶電量(帶電電位之絕對值)較大之處理液供給至作為處理對象之基板時，存在如下情況，即因自處理液瞬間朝基板放電而產生火花，對基板上所形成之電路及元件造成損傷。
又，噴嘴臂係自基板之外側位置水平延伸至基板之中央部上方為止，故為了穩定支持處理液供給噴嘴，噴嘴臂必須有一定強度。如上所述，當由樹脂形成噴嘴臂時，為了確保強度，必須增大噴嘴臂之壁厚。
由此，噴嘴臂之外徑增大，並且重量增大。因此，噴嘴臂之驅動系統之負載增大。又，因噴嘴臂之表面積增大，故飛濺之處理液之附著量亦增多。
當噴嘴臂上所附著之處理液落下至基板上時會導致基板之處理不良。又，亦存在如下情形，即當噴嘴臂上所附著之處理液乾燥時，成為粒子並附著於基板上。
更進一步，由樹脂形成之噴嘴臂具有可撓性，故當處理液因反應而振動時，噴嘴臂及處理液供給噴嘴亦振動。又，處理液供給噴嘴易於因處理液開始自處理液供給噴嘴吐出時之衝力而振動。由此，處理液以不規則衝力供給至基板上之不規則位置，故可能產生基板之處理不良。
本發明之目的在於提供一種噴嘴及具備該噴嘴之基板處理裝置，該噴嘴可抑制帶電之處理液朝基板放電，並且小型、輕量且確保有充分強度。
(1)本發明一態樣之噴嘴係由既定之支持構件支持，且用以對基板供給處理液之噴嘴；其包括：第1樹脂管，由既定之樹脂材料形成，處理液於其內部流通，且於端部具有吐出處理液之吐出口；以及金屬管，以覆蓋第1樹脂管外周之方式設置著，且由既定之金屬材料形成。
該噴嘴中，以覆蓋處理液所流通之第1樹脂管外周之方式設置有金屬管，且自第1樹脂管之吐出口將處理液吐出至基板上。
金屬管具有導電性且覆蓋第1樹脂管外周。藉此，即便於處理液帶電之情形時，亦可藉由將帶電之處理液導入至第1樹脂管中由金屬管覆蓋之部分而降低處理液之靜電量。其結果為，減少處理液與基板之電位差，抑制處理液朝基板放電，防止對基板上所形成之電路或元件等各種圖案造成損傷。
又，金屬管內周面與處理液係藉由第1樹脂管而隔開，故處理液並不與金屬管接觸。藉此，可防止處理液腐蝕金屬管及金屬離子向處理液溶出。
該金屬管具有高剛性，故即便不增大金屬管之壁厚，亦可藉由支持構件而可靠地支持噴嘴。其結果為，可獲得小型、輕量且確保有充分強度之噴嘴。
進而，因金屬管具有高剛性，故即便於第1樹脂管內部流通之處理液因反應而振動，位於第1樹脂管端部之吐出口亦不會大幅振動。又，亦不會因吐出開始時之處理液之衝力而導致吐出口大幅振動。其結果為，可將處理液自吐出口良好地供給至基板而防止基板之處理不良。
(2)第1樹脂管之既定之樹脂材料，亦可包含氟樹脂。
此時，金屬管內周面與處理液由耐化學性優良之氟樹脂所形成之第1樹脂管隔開。藉此，更可靠地防止金屬管與處理液接觸。其結果為，更可靠地防止處理液腐蝕金屬管及金屬離子朝處理液溶出。
(3)噴嘴亦可更包括第2樹脂管，該第2樹脂管以覆蓋金屬管外周面之方式設置，且由既定樹脂材料形成。
此時，金屬管外周面藉由第2樹脂管而與噴嘴周圍環境隔開，故飛濺至噴嘴周圍之處理液之飛沫及環境並不與金屬管接觸。藉此，可防止處理液之飛沫及環境腐蝕金屬管。
(4)第2樹脂管之既定之樹脂材料亦可包含導電性樹脂。
此時，第2樹脂管及金屬管均具有導電性，且覆蓋第1樹脂管外周。藉此，即便於處理液帶電之情形時，亦可藉由將帶電之處理液導入至第1樹脂管中由金屬管覆蓋之部分而充分降低處理液之靜電量。其結果為，處理液與基板之電位差減少，可靠地抑制處理液朝基板放電，而可靠地防止對基板上所形成之電路或元件等各種圖案造成損傷。
(5)金屬管亦可接地。此時，金屬管與基板幾乎不存在電位差。即，金屬管及基板之靜電電位均幾乎為0。藉此，藉由將帶電之處理液導入至第1樹脂管中由金屬管覆蓋之部分而更充分地降低處理液之靜電量。其結果為，更可靠地抑制處理液朝基板放電，可靠且充分地防止處理液對基板上所形成之電路或元件等各種圖案造成損傷。
(6)噴嘴亦可更包括覆蓋金屬管表面之樹脂膜。
此時，因金屬管表面由樹脂膜覆蓋，故可靠地防止處理液與金屬管接觸。藉此，可靠地防止處理液腐蝕金屬管及金屬離子朝處理液溶出。
(7)樹脂膜亦可為氟樹脂。此時，因金屬管表面由耐化學性優良之氟樹脂所構成之樹脂膜覆蓋，故更可靠地防止金屬管與處理液接觸。藉此，更可靠地防止處理液腐蝕金屬管及金屬離子朝處理液溶出。
(8)金屬管亦可由不鏽鋼構成。不鏽鋼之耐腐蝕性優良且具有高強度。藉此，可充分防止金屬管受到腐蝕，並且可一邊保持強度一邊充分使金屬管厚度變薄。
(9)第1樹脂管端部亦可自金屬管端部突出。
此時，可由第1樹脂管來更可靠覆蓋金屬管之整個內周面。
又，設置於第1樹脂管端部之吐出口自金屬管端部突出。藉此，自吐出口吐出之處理液，不會與金屬管端部接觸，而良好地供給至基板。
(10)噴嘴亦可更包括密封金屬管端部之樹脂製密封構件。此時，因金屬管端部由樹脂製密封構件密封，故處理液並不與金屬管端部接觸。藉此，防止處理液腐蝕金屬管端部及金屬離子朝處理液溶出。
(11)本發明其他態樣之基板處理裝置係對基板實施既定處理之基板處理裝置；其包括：基板保持部，保持基板；以及噴嘴，用以對由基板保持部所保持之基板供給處理液，且噴嘴由既定之支持構件支持，包括：第1樹脂管，由既定之樹脂材料構成，處理液於其內部流通，並且於其端部具有吐出處理液之吐出口；以及金屬管，以覆蓋第1樹脂管外周之方式設置，且由既定之金屬材料形成。
於該基板處理裝置中，基板由基板保持部保持，且將處理液自噴嘴供給至基板保持部所保持之基板上。
於該噴嘴中，以覆蓋處理液所流通之第1樹脂管外周之方式設置有金屬管，且將處理液自第1樹脂管之吐出口吐出至基板上。
金屬管具有導電性，且覆蓋第1樹脂管外周。藉此，即便於處理液帶電之情形時，亦可藉由將帶電之處理液導入至第1樹脂管中由金屬管覆蓋之部分而降低處理液之靜電量。其結果為，減少處理液與基板之電位差，抑制處理液朝基板放電，防止對基板上所形成之電路或元件等各種圖案造成損傷。
又，金屬管內周面與處理液由第1樹脂管隔開，故處理液並不與金屬管接觸。藉此，可防止處理液腐蝕金屬管及金屬離子朝處理液溶出。
該金屬管具有高剛性，故即便不增大金屬管之壁厚，亦可更可靠地由支持構件來支持噴嘴。其結果為，可獲得小型、輕重且確保有充分強度之噴嘴。
進而，因金屬管具有高剛性，故即便於第1樹脂管內部流通之處理液因反應而振動，位於第1樹脂管端部之吐出口亦不會大幅振動。又，亦不會因吐出開始時之處理液之衝力而導致吐出口大幅振動。其結果為，將處理液自吐出口良好地供給至基板而防止基板之處理不良。
藉此，可提供一種基板處理裝置，其可抑制帶電之處理液朝基板放電，並且可良好地供給處理液，而可靠地防止基板之處理不良。
以下，參照圖式，對本發明一實施形態之噴嘴及具備該噴嘴之基板處理裝置加以說明。
以下之說明中，所謂基板係指半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示面板(PDP，plasma display panel)用玻璃基板、光罩用玻璃基板、以及光碟用基板等。
又，處理液中包含藥液及淋洗液。所謂藥液例如係指緩衝氫氟酸(BHF)、稀氫氟酸(DHF)、氟酸(氟化氫水：HF，hydrogen fluoride)、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、草酸或者氨水等水溶液、或該等之混合溶液。再者，作為混合溶液例如有加熱至高溫之硫酸(H2
SO4
)與過氧化氫水(H2
O2
)之混合液(以下簡稱為SPM，sulfuric acid－hydrogen peroxide mixture)、或者鹽酸(HC1)與過氧化氫水之混合液(以下簡稱為SC2，Standard clean 2)。
所謂淋洗液例如係指純水、碳酸水、臭氧水、磁化水、還原水(氫水)或者離子水、或異丙醇(IPA，isopropyl alcohol)等有機溶劑。
(1)基板處理裝置之構成圖1係本發明一實施形態之基板處理裝置之俯視圖。如圖1所示，基板處理裝置100具有處理區域A、B，及位於處理區域A、B間之搬送區域C。
處理區域A中配置有控制部4，流體箱部2a、2b以及清洗處理部5a、5b。
圖1之流體箱部2a、2b中，收納分別朝清洗處理部5a、5b供給藥液及淋洗液以及排出來自清洗處理部5a、5b之廢棄物(排液)等相關之配管、接頭、閥、流量計、調節器、泵、溫度調節器、處理液儲存槽等流體關聯設備。
清洗處理部5a、5b上，設置有本發明一實施形態之噴嘴裝置。清洗處理部5a、5b中，使用藥液對基板W進行清洗處理(以下稱為藥液處理)及使用淋洗液對基板W進行清洗處理(以下稱為淋洗處理)。本實施形態中，例如清洗處理部5a、5b中所使用之藥液為SPM、SC2或氟酸，淋洗液係純水。噴嘴裝置之詳細部分於下文敍述。
於處理區域B中，配置有流體箱部2c、2d及清洗處理部5c、5d。流體箱部2c、2d及清洗處理部5c、5d具有分別與上述流體箱部2a、2b及清洗處理部5a、5b相同之構成，且清洗處理部5c、5d實施與清洗處理部5a、5b相同之處理。
以下，將清洗處理部5a、5b，5c、5d總稱為處理單元。搬送區域C中設置有基板搬送機器人CR。
於處理區域A、B之一端部側配置有分度器ID，該分度器ID進行基板W之搬入及搬出，且分度機器人IR被設置於分度器ID內部。於分度器ID上載置有收納基板W之載體1。
分度器ID之分度機器人IR沿箭頭U方向移動，自載體1中取出基板W並將其傳遞至基板搬送機器人CR上，反之，自基板搬送機器人CR接受經一系列處理之基板W而使其返回載體1。
基板搬送機器人CR將自分度機器人IR傳遞來之基板W搬送至所指定之處理單元，或者將自處理單元接受之基板W搬送至其他處理單元或分度機器人IR。
本實施形態中，於清洗處理部5a~5d中之任一者對基板W進行藥液處理及淋洗處理後，藉由基板搬送機器人CR而自清洗處理部5a~5d搬出基板W，並經由分度機器人IR將該基板W搬入載體1。
控制部4係由包含CPU(中央運算處理裝置)之電腦等構成，其控制處理區域A、B之各處理單元之動作、搬送區域C之基板搬送機器人CR之動作及分度器ID之分度機器人IR之動作。
(2)清洗處理部及噴嘴裝置之構成圖2係用以說明本發明一實施形態之基板處理裝置100之清洗處理部5a~5d及流體箱部2a~2d之構成圖。圖3係設置於圖2之清洗處理部5a~5d上之噴嘴裝置之外觀立體圖。
圖2之清洗處理部5a~5d於藉由藥液處理而除去附著於基板W表面上之有機物等雜質後，對基板W實施淋洗處理。
如圖2所示，清洗處理部5a~5d具備旋轉夾盤21，該旋轉夾盤21用以將基板W保持為水平，並且使基板W圍繞通過基板W中心之垂直旋轉軸旋轉。旋轉夾盤21被固定於旋轉軸25之上端部，該旋轉軸25藉由夾盤旋轉驅動機構36而旋轉。
基板W於進行藥液處理及淋洗處理之情形時，以由旋轉夾盤21保持為水平之狀態旋轉。再者，如圖2所示，本實施形態中係使用吸附式旋轉夾盤21，但亦可使用僅夾持基板W周緣部之多個部位來保持基板W之機械式旋轉夾盤。
於旋轉夾盤21之外側，以藉由噴嘴裝置移動機構64而可旋轉且可上下移動之方式設置有自上方延伸之轉動軸63。於轉動軸63之下端部，以位於較旋轉夾盤21所保持之基板W更上方之方式安裝有噴嘴裝置600。
旋轉夾盤21收容於處理罩23內。於處理罩23內側設置有筒狀間壁33。又，以包圍旋轉夾盤21周圍之方式形成有廢棄物空間31，該廢棄物空間31用以回收基板W之淋洗處理中使用之淋洗液之廢棄物。廢棄物空間31以沿旋轉夾盤21外周之方式形成為環狀槽狀。
進而，以包圍廢棄物空間31之方式，於處理罩23與間壁33之間形成循環液空間32，該循環液空間32用以回收在基板W之藥液處理中所使用之藥液，並使其於基板處理裝置100內循環。循環液空間32以沿廢棄物空間31外周之方式形成為環狀槽狀。
與廢棄物空間31連接有用以將淋洗液引向未圖示之工廠之廢棄物設備之廢棄物管34，且與循環液空間32連接有用以將藥液引向未圖示之藥液回收裝置之回收管35。
於處理罩23上方設置有防濺板24，該防濺板24用以防止來自基板W之藥液或淋洗液向外側飛濺。該防濺板24由相對於旋轉軸25呈旋轉對稱之形狀所形成。於防濺板24之上端部內表面，環狀形成有剖面為“ㄑ”字狀之廢棄物導引槽41。
又，於防濺板24之下端部內表面形成有回收液導引部42，該回收液導引部42由向外側下方傾斜之傾斜面構成。於回收液導引部42之上端部附近，形成有用以收納處理罩23之間壁33之間壁收納槽43。
防濺板24係由滾珠螺桿機構等形成之保護升降驅動機構(未圖示)支持。保護升降驅動機構使防濺板24於搬入搬出位置P1、循環位置P2、以及廢棄物位置P3之間上下移動，上述搬入搬出位置P1之上端部與旋轉夾盤21之上端部位於相同位置或低於旋轉夾盤21之上端部，循環位置P2係回收液導引部42與由旋轉夾盤21所保持之基板W外周端面對向之位置，廢棄物位置P3係廢棄物導引槽41與由旋轉夾盤21所保持之基板W外周端面對向之位置。
將基板W搬入至旋轉夾盤21上時、以及自旋轉夾盤21上搬出基板W時，防濺板24下降至搬入搬出位置P1。
當防濺板24位於循環位置P2時，藉由回收液導引部42而將自基板W朝外側飛濺之藥液導入至循環液空間32，且通過回收管35輸送至未圖示之藥液回收裝置。再者，藉由藥液回收裝置而回收之藥液於基板處理裝置100內循環，再次用於藥液處理。
另一方面，當防濺板24位於廢棄物位置P3時，藉由廢棄物導引槽41而將自基板W朝外側飛濺之淋洗液導入至廢棄物空間31，且通過廢棄物管34輸送至未圖示之工廠之廢棄物設備。
如圖3所示，噴嘴裝置600包括3根噴嘴60a、60b、60c，塊狀連結構件61，固持器62以及旋轉台62S。
噴嘴60a~60c具有相同形狀。噴嘴60a~60c分別由上游管部N1、臂管部N2及下游管部N3而一體構成。
臂管部N2於水平方向上延伸，上游管部N1以自臂管部N2一端向上方彎曲之方式於垂直方向延伸，下游管部N3以自臂管部N2另一端朝下方彎曲之方式於垂直方向延伸。
在塊狀連結構件61上形成有3個貫通孔(未圖示)，且噴嘴60a~60c之上游管部N1插入該等貫通孔中。
藉此，3個噴嘴60a~60c藉由塊狀連結構件61而被固定為一體。
旋轉台62S由圓形部S1及矩形部S2構成。旋轉台62S之圓形部S1連接於上述轉動軸63(圖2)之下端部。另一方面，在旋轉台62S之矩形部S2上安裝有固持器62。
在固持器62上安裝有塊狀連結構件61。藉此，3個噴嘴60a~60c經由塊狀連結構件61、固持器62及旋轉台62S而由轉動軸63以可旋轉之方式支持。
如圖2之箭頭R所示，噴嘴60a~60c之下游管部N3，藉由旋轉軸63之旋轉而於由旋轉夾盤21所保持之基板W之中央部上方位置(以下稱為基板上方位置)、與設置於基板W外側之區域之噴嘴待機罐210之上方位置(以下稱為噴嘴待機上方位置)之間移動。噴嘴待機罐210為上部開口之箱型形狀。
於圖3之噴嘴裝置600中，塊狀連結構件61、固持器62及旋轉台62S例如由耐熱性聚氯乙稀(HTPVC，polyvinyl chloride)、聚丙烯(PP，polypropylene)及玻璃纖維強化聚丙烯(FRPP，Flame Retardant Polypropylene)等樹脂形成。
自噴嘴60a、60b、60c之上游管部N1上端部，分別延伸出流體供給管70a、70b、70c。自噴嘴60a~60c之臂管部N2，分別延伸出接地用佈線er。
如圖2所示，流體供給管70a、70b、70c，分別與設置於流體箱部2a~2d內之第1藥液供給源81、切換裝置82及第3藥液供給源85連接。流體箱部2a~2d之切換裝置82更進一步經由流體供給管82a而與第2藥液供給源83連接，並且經由流體供給管82b而與純水供給源84連接。又進而，於流體供給管70a、70b、70c之途中部，分別安裝有可開閉之吐出閥71a、71b、71c，該等吐出閥71a、71b、71c用以允許及禁止藥液或純水之流通。
藉此，當吐出閥71a打開時，第1藥液自第1藥液供給源81經由流體供給管70a供給至噴嘴60a。
切換裝置82具備例如閥等，且將自第2藥液供給源83供給之第2藥液、或自純水供給源84供給之純水中之任一者選擇性地供給至噴嘴60b。如此，當吐出閥71b打開時，第2藥液或純水經由流體供給管70b供給至噴嘴60b。
當吐出閥71c打開時，第3藥液自第3藥液供給源85經由流體供給管70c供給至噴嘴60c。
再者，第1藥液供給源81、第2藥液供給源83、第3藥液供給源85及純水供給源84，並非必須設置於流體箱部2a~2d內。
第1藥液供給源81、第2藥液供給源83、第3藥液供給源85及純水供給源84，例如亦可為未圖示之工廠之藥液供給設備或純水供給設備。
自噴嘴60a、60b、60c延伸出之接地用佈線er，連接於基板處理裝置100之接地線。
本實施形態中，使用SPM作為第1藥液，使用SC2作為第2藥液，使用HF作為第3藥液。
藉此，於除去基板W上之抗蝕劑殘渣時，將作為第1藥液之SPM或作為第2藥液之SC2供給至基板W上。於除去基板W上之氧化膜時，將作為第3藥液之HF供給至基板W上。於基板W由第1~第3中之任一藥液之藥液處理後，將純水供給至基板W上，藉此進行淋洗處理。
(3)噴嘴裝置之動作對藥液處理及淋洗處理時之噴嘴裝置600之動作加以說明。於藥液處理開始前，將噴嘴60a~60c之下游管部N3之下端部收容於噴嘴待機罐210內。
於藥液處理開始時，藉由噴嘴裝置移動機構64而使旋轉軸63上升。藉此，噴嘴60a~60c上升，噴嘴60a~60c之下游管部N3自噴嘴待機罐210內朝噴嘴待機上方位置移動。
然後，如上所述藉由噴嘴裝置移動機構64使旋轉軸63旋轉，噴嘴60a~60c之下游管部N3自噴嘴待機上方位置移動至基板上方位置。
而且，藉由噴嘴裝置移動機構64使旋轉軸63下降。藉此，噴嘴60a~60c下降，噴嘴60a~60c之下游管部N3之下端部接近於基板W表面。
於該狀態下，自噴嘴60a~60c對基板W供給第1~第3藥液中之任一者，進行藥液處理。
當藥液處理結束時，停止對基板W供給藥液。然後，自噴嘴60b對基板W供給純水。藉此，進行淋洗處理。
當淋洗處理結束時，停止對基板W供給純水。而且，藉由噴嘴裝置移動機構64使噴嘴60a~60c上升，噴嘴60a~60c之下游管部N3自接近於基板W表面之位置移動至基板上方位置。
其次，藉由噴嘴裝置移動機構64使旋轉軸63再次旋轉，噴嘴60a~60c之下游管部N3自基板上方位置移動至噴嘴待機上方位置。其後，藉由噴嘴裝置移動機構64使噴嘴60a~60c下降，將下游管部N3之下端部收容於噴嘴待機罐210內。
於該狀態下，噴嘴待機罐210回收自藥液處理及淋洗處理後之噴嘴60a~60c滴下之處理液(第1~第3藥液或純水)。
於噴嘴待機罐210下端部形成有開口210h。與該開口210h連接有配管211，該配管211將藉由清洗用罐210而回收之處理液引向未圖示之藥液回收裝置或工廠之廢棄物設備。藉此，由噴嘴待機罐210回收之處理液通過配管211而回收或作為廢棄物排出。
(4)噴嘴之詳細構造對圖2及圖3之噴嘴60a~60d之構造加以詳細說明。圖4係圖3之噴嘴裝置600中之噴嘴60a之局部放大剖視圖。
圖4(a)係表示圖3之粗虛線表示之噴嘴60a之部分Q1(前端部)的放大剖視圖。圖4(b)係表示圖3之粗虛線表示之噴嘴60a之部分Q2(接地用佈線er之連接部)的放大剖視圖。
如圖4(a)所示，噴嘴60a包括金屬管91、第1樹脂管92、第2樹脂管93及圓筒狀之軸套94。
第1樹脂管92具有處理液所流通之內部流路fc，形成自其前端部(下端部)之開口吐出處理液之構造，且其外徑略小於金屬管91之內徑。第1樹脂管92插通金屬管91內部。第1樹脂管92前端部自金屬管91前端突出既定長度。
第2樹脂管93之內徑略大於金屬管91之外徑。金屬管91插通第2樹脂管93內部。於該狀態下，第1樹脂管92前端部自第2樹脂管93前端突出既定長度。
軸套94之內徑與第1樹脂管92之外徑大致相等，並且其外徑與金屬管91之外徑大致相等。藉此，將軸套94安裝於第2樹脂管93內部之金屬管91前端部。
於噴嘴60a之前端部，藉由熔接用樹脂95而熔接有第1樹脂管92之外周面、第2樹脂管93之端面及軸套94的端面。
根據上述構造，金屬管91由第1樹脂管92、第2樹脂管93、軸套94及熔接用樹脂95更可靠地覆蓋。
如圖3所示，自噴嘴60a之上游管部N1之上端部，延伸出流體供給管70a，該流體供給管70a係圖4(a)及圖4(b)之第1樹脂管92之延長者。
如圖4(b)所示，於噴嘴60a之臂管部N2，於第2樹脂管93之一部分上形成有貫通孔，且於金屬管91之一部分上設置有螺孔。
於金屬管91之螺孔中，安裝有連接接地線96之螺桿N。藉此，接地線96與金屬管91連接。
此處，接地線96之除與金屬管91之連接部以外之部分，覆蓋有樹脂製管體97。接地線96及覆蓋其之樹脂製管體97構成圖2及圖3之接地用佈線er。
於第2樹脂管93之外周面上，藉由熔接用樹脂95而熔接有樹脂製管體97之一端部。藉此，藉由樹脂而更可靠地覆蓋金屬管91與接地線96之連接部。
如圖2所示，與噴嘴60a連接之接地用佈線er，連接於基板處理裝置100之接地線。藉此，使金屬管91可靠地接地。
於本實施形態中，上述金屬管91使用具有高強度之導電性金屬材料。作為該金屬材料，例如可使用不鏽鋼、鐵、銅、青銅、黃銅、鋁、銀、或金等，更佳為使用如不鏽鋼般之具有高耐腐蝕性之金屬材料。
又，第1樹脂管92、第2樹脂管93、軸套94、熔接用樹脂95、及樹脂製管體97使用耐化學性優良之氟樹脂或氯乙烯樹脂等材料，較佳為使用氟樹脂。
作為氟樹脂，例如有四氟乙烯(PTFE，tetrafluoroethylene)及四氟乙烯．全氟烷氧基乙烯共聚物(PFA，perfluoroalkoxyethylene)。
此處，第1樹脂管92、第2樹脂管93、熔接用樹脂95、及樹脂製管體97更佳為使用具有柔軟性之PFA，軸套94更佳為使用較PFA更硬之四氟乙烯。藉此易於製作噴嘴60a。
圖4表示噴嘴60a之內部構造，其他噴嘴60b、60c亦具有相同之內部構造。
(5)實施形態之效果噴嘴60a~60c係藉由具有高強度之金屬管91而製作成者。藉此，如圖2及圖3所示，無須增大噴嘴60a~60c之臂管部N2之壁厚，即可獲得用以支持下游管部N3之必需強度。
又，因無須增大噴嘴60a~60c之臂管部N2之壁厚，故可減小噴嘴60a~60c之重量，而減輕噴嘴裝置移動機構64之負載。
更進一步，因無須增大噴嘴60a~60c之臂管部N2之壁厚，故可減小噴嘴60a~60c之外徑。藉此，可使噴嘴60a~60c小型化，並減小噴嘴60a~60c之表面積，故可充分降低處理液朝臂管部N2之附著。
其結果為，防止因臂管部N2上附著之處理液落下至基板W上而產生基板W之處理不良，並且充分防止因臂管部N2上附著之處理液乾燥後產生微粒而導致基板W之污染。
再者，形成噴嘴60a~60c之金屬管91具有剛性。藉此，即便噴嘴60a~60c內部之處理液因反應而振動，噴嘴60a~60c亦不會大幅振動。又，亦不會因吐出開始時之處理液之衝力而導致噴嘴60a~60c振動。藉此，可防止因噴嘴60a~60c之振動而導致基板之處理不良。
更進一步，形成噴嘴60a~60c之金屬管91，由耐化學性優良之第1樹脂管92、第2樹脂管93、軸套94及熔接用樹脂95覆蓋，且與金屬管91連接之接地線96亦由耐化學性優良之熔接用樹脂95及樹脂製管體97覆蓋。又，於噴嘴60a~60c上分別設置有樹脂製之流體供給管70a~70c(圖2)，該等流體供給管70a~70c與第1樹脂管92連接，且將處理液導入至噴嘴60a~60c。
藉此，即便於清洗處理部5a~5d內實施藥液處理之情形時，金屬管91及接地線96亦不接觸於藥液及藥液環境。藉此，可防止藥液腐蝕金屬管91及接地線96、以及因金屬離子之溶出而導致金屬污染。
如上所述，對基板W實施藥液處理時，帶電之處理液通過流體供給管70a~70c(圖2)而供給至噴嘴60a~60c。
此處，金屬管91具有導電性，且覆蓋第1樹脂管92之外周。藉此，將帶電之處理液導入至具有被金屬管91覆蓋之部分之噴嘴60a~60c，藉此降低上述處理液之靜電量。藉此，於將處理液自噴嘴60a~60c供給至基板W時，抑制處理液朝基板W放電。其結果為，可靠地防止對基板W上所形成之電路或元件等各種圖案造成損傷。
再者，根據申請人之實驗可知，藉由降低處理液之靜電量而抑制處理液朝基板W放電之效果，無法僅由例如直接使金屬線接觸於第1樹脂管92之極少一部分來實現，必須用特定之金屬材料或導電性材料來覆蓋第1樹脂管92之外周。
(6)噴嘴之其他構造例本實施形態中，噴嘴60a~60c亦可具有以下構造。圖5(a)及圖5(b)係表示設置於圖2及圖3之噴嘴裝置600上之噴嘴之其他構造例之圖。就圖5(a)所示之構造例及圖5(b)所示之構造例，與圖4(a)之噴嘴60a之不同方面加以說明。
首先，就圖5(a)所示之構造例加以說明。如圖5(a)所示，本例之噴嘴中，使用導電性樹脂管93b來代替圖4(a)之插通金屬管91之第2樹脂管93。作為該導電性樹脂管93b之樹脂，例如使用具有耐化學性之導電性氟樹脂(導電性PTFE或導電性PFA等)。
藉此，充分降低於第1樹脂管92之內部流路fc中流動之處理液之靜電量。藉此，於將處理液自噴嘴60a~60c供給至基板W時，可靠地抑制自處理液朝基板W放電。其結果為，更可靠地防止對基板W上所形成之圖案造成損傷。
然後，對圖5(b)所示之構造例加以說明。如圖5(b)所示，於本例之噴嘴中，金屬管91之整個表面由耐化學性優良之樹脂膜91c覆蓋。作為該樹脂膜91c，例如使用氟樹脂(PTFE或PFA等)。
藉此，被具有耐化學性之樹脂膜91c覆蓋之金屬管91，更進一步由第1樹脂管92、第2樹脂管93、軸套94及熔接用樹脂95覆蓋。其結果為，於對基板W實施藥液處理時，可靠地防止金屬管91接觸於藥液及藥液環境。藉此，可靠地防止藥液腐蝕金屬管91以及因金屬離子之溶出而導致金屬污染。
再者，於本實施形態之噴嘴裝置600中，噴嘴60a~60d之金屬管91經由接地用佈線er而與基板處理裝置100之接地線連接，但金屬管91並非必須與接地線連接。
又，於本實施形態之噴嘴裝置600中，設置有噴嘴60a~60d之第2樹脂管93，但第2樹脂管93並非必需，於使用不腐蝕金屬管91之處理液時可省略。例如，當處理液為濃度比較低之藥液、純水、或功能水(包括氫水、溶氮水、電解離子水)等時，亦可省略第2樹脂管93。此時，亦可藉由上述樹脂膜91c而覆蓋金屬管91。
本發明者測定並比較於噴嘴60a~60c之金屬管91未接地之狀態下，通過噴嘴60a~60c前之處理液之靜電電位、與通過噴嘴60a~60c後之處理液(吐出之處理液)之靜電電位。
通過噴嘴60a~60c前之處理液之靜電電位為－4.00 kv，相對於此，通過噴嘴60a~60c後之處理液之靜電電位為－0.14 kv。
根據該結果可知，即便於噴嘴60a~60c之金屬管91未與接地線連接之情形時，亦可降低通過內部流路fc之處理液之靜電量。再者，因基板W預先不帶電，故靜電電位通常為0 kv。
(7)其他實施形態於上述實施形態之噴嘴裝置600中，設置有3根對基板W供給處理液之噴嘴60a~60c，但噴嘴裝置600上所設置之噴嘴個數並無限制。例如，於噴嘴裝置600上可設置有1個噴嘴，亦可設置有2個或4個以上之噴嘴。
上述實施形態中使用SPM、SC2及HF作為第1~第3藥液，但亦可使用其他藥液作為第1~第3藥液。又，雖說明了使用純水作為淋洗液之內容，但亦可使用其他淋洗液。
作為其他藥液，亦可使用緩衝氫氟酸(BHF)、稀氫氟酸(DHF)、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、草酸、氨水、檸檬酸、過氧化氫水或者氫氧化四甲基銨(TMAH，Tetramethylammonium hydroxide)等水溶液、或該等之混合溶液。
作為其他淋洗液，例如亦可使用碳酸水、臭氧水、磁化水、還原水(氫水)、溶氮水、或者離子水、或IPA(異丙醇〉等有機溶劑。
於上述實施形態之基板處理裝置100中，亦可藉由將純水等供給至噴嘴裝置600之噴嘴60a~60c而清洗噴嘴60a~60c。
於圖3之第2樹脂管93由氟樹脂形成之情形時，因噴嘴60a~60c之外表面具有高撥水性，故可於短時間內清洗噴嘴60a~60c，提高清洗處理部5a~5d內之潔淨度。
(8)申請專利範圍之各構成要素與實施形態之各部分的對應關係以下，對申請專利範圍之各構成要素與實施形態之各部分的對應示例加以說明，但本發明並不限於下述示例。
上述實施形態中，第2樹脂管93及導電性樹脂管93b為第2樹脂管之示例，第1樹脂管92之前端部開口為吐出口之示例，第1樹脂管92為第1樹脂管之示例。又，軸套94及熔接用樹脂95為密封構件之示例，旋轉夾盤21為基板保持部之示例。
作為申請專利範圍之各構成要素，可使用具有申請專利範圍中所揭示之構成或功能之其他各種要素。
1．．．載體
2a、2b、2c、2d．．．流體箱部
4．．．控制部
5a、5b、5c、5d．．．清洗處理部
21．．．旋轉夾盤
23．．．處理罩
24．．．防濺板
25．．．旋轉軸
31．．．廢棄物空間
32．．．循環液空間
33．．．間壁
34．．．廢棄物管
35．．．回收管
36．．．夾盤旋轉驅動機構
41．．．廢棄物導引槽
42．．．回收液導引部
43．．．間壁收納槽
60a、60b、60c．．．噴嘴
61．．．塊狀連結構件
62．．．固持器
62S．．．旋轉台
63．．．轉動軸
64．．．噴嘴裝置移動機構
70a、70b、70c．．．流體供給管
71a、71b、71c．．．吐出閥
81．．．第1藥液供給源
82．．．切換裝置
82a、82b．．．流體供給管
83．．．第2藥液供給源
84．．．純水供給源
85．．．第3藥液供給源
91．．．金屬管
92．．．第1樹脂管
93．．．第2樹脂管
94．．．軸套
95．．．熔接用樹脂
96．．．接地線
97．．．樹脂製管體
100．．．基板處理裝置
210．．．噴嘴待機罐
210h．．．開口
211．．．連接配管
600．．．噴嘴裝置
A、B．．．處理區域
C．．．搬送區域
CR．．．基板搬送機器人
er．．．接地用佈線
ID．．．分度器
IR．．．分度機器人
N．．．螺桿
N1．．．上游管部
N2．．．臂管部
N3．．．下游管部
P1．．．搬入搬出位置
P2．．．循環位置
P3．．．廢棄物位置
Q1．．．前端部
Q2．．．接地用佈線er之連接部
S1．．．圓形部
S2．．．矩形部
U．．．箭頭
W．．．基板
圖1係本發明一實施形態之基板處理裝置之俯視圖。
圖2係用以說明本發明一實施形態中之基板處理裝置之清洗處理部及流體箱部之構成圖。
圖3係圖2之清洗處理部中所設置之噴嘴裝置之外觀立體圖。
圖4(a)及(b)係圖3之噴嘴裝置中之噴嘴之局部放大剖視圖。
圖5(a)及(b)係表示圖2及圖3之噴嘴裝置中所設置之噴嘴之其他構造例的圖。
60a、60b、60c．．．噴嘴
91．．．金屬管
92．．．第1樹脂管
93．．．第2樹脂管
94．．．軸套
95．．．熔接用樹脂
96．．．接地線
97．．．樹脂製管體
N．．．螺桿
er．．．接地用佈線
fc．．．內部流路
Claims (10)
- 一種噴嘴，其係由既定支持構件支持且用以對基板供給處理液之噴嘴；其包括：第1樹脂管，由既定樹脂材料形成，上述處理液於其內部流通，且於端部具有吐出上述處理液之吐出口；金屬管，由特定金屬材料形成，且以覆蓋上述第1樹脂管外周之方式設置；以及第2樹脂管，由既定樹脂材料形成，且以覆蓋上述金屬管外周面之方式設置；上述第1樹脂管端部自上述金屬管端部突出。
- 如申請專利範圍第1項之噴嘴，其中，上述第1樹脂管之既定樹脂材料包含氟樹脂。
- 如申請專利範圍第1項之噴嘴，其中，上述第2樹脂管之既定樹脂材料包含導電性樹脂。
- 如申請專利範圍第1項之噴嘴，其中，上述金屬管接地。
- 如申請專利範圍第1項之噴嘴，其中，更包括覆蓋上述金屬管表面之樹脂膜。
- 如申請專利範圍第5項之噴嘴，其中，上述樹脂膜為氟樹脂。
- 如申請專利範圍第1項之噴嘴，其中，上述金屬管由不鏽鋼形成。
- 如申請專利範圍第1項之噴嘴，其中，更包括密封上述金屬管端部之樹脂製密封構件。
- 一種基板處理裝置，其係對基板實施既定處理之基板處理裝置；其包括：基板保持部，保持基板；以及噴嘴，用以對由上述基板保持部所保持之基板供給處理液；上述噴嘴由既定支持構件支持，且包括：第1樹脂管，由既定樹脂材料形成，上述處理液於其內部流通，且於端部具有吐出上述處理液之吐出口；金屬管，由既定金屬材料形成，且以覆蓋上述第1樹脂管外周之方式設置；以及第2樹脂管，由既定樹脂材料形成，且以覆蓋上述金屬管外周面之方式設置；上述第1樹脂管端部自上述金屬管端部突出。
- 一種噴嘴，係由既定支持構件支持且用以對基板供給處理液之噴嘴，其包括：第1樹脂管，由既定樹脂材料形成，上述處理液於其內部流通，且於端部具有吐出上述處理液之吐出口；金屬管，由既定金屬材料形成，且以覆蓋上述第1樹脂管外周之方式設置；以及樹脂膜，用以覆蓋上述金屬管表面；上述第1樹脂管端部自上述金屬管端部突出。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006280001 | 2006-10-13 | ||
| JP2007219835A JP4989370B2 (ja) | 2006-10-13 | 2007-08-27 | ノズルおよびそれを備える基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200828426A TW200828426A (en) | 2008-07-01 |
| TWI386986B true TWI386986B (zh) | 2013-02-21 |
Family
ID=39503776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW096138169A TWI386986B (zh) | 2006-10-13 | 2007-10-12 | 噴嘴及具備該噴嘴之基板處理裝置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9027577B2 (zh) |
| JP (1) | JP4989370B2 (zh) |
| KR (1) | KR100907588B1 (zh) |
| TW (1) | TWI386986B (zh) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101099612B1 (ko) * | 2009-09-21 | 2011-12-29 | 세메스 주식회사 | 스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 |
| JP5954096B2 (ja) * | 2012-10-11 | 2016-07-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
| JP6180811B2 (ja) * | 2013-06-19 | 2017-08-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
| KR101640669B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2016-07-18 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| JP6045041B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2016-12-14 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| US10074547B2 (en) * | 2013-12-19 | 2018-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist nozzle device and photoresist supply system |
| JP6600470B2 (ja) | 2014-04-01 | 2019-10-30 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
| JP2016167568A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP6496171B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-04-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6377030B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2018-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP6794730B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2020-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給装置の運用方法並びに記憶媒体 |
| CN108780746B (zh) | 2016-03-08 | 2024-03-22 | 株式会社荏原制作所 | 基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置 |
| JP6933448B2 (ja) * | 2016-04-22 | 2021-09-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
| CN105870040B (zh) * | 2016-04-05 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种喷嘴和刻蚀装置 |
| US10388537B2 (en) * | 2016-04-15 | 2019-08-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning apparatus, chemical mechanical polishing system including the same, cleaning method after chemical mechanical polishing, and method of manufacturing semiconductor device including the same |
| KR102338647B1 (ko) * | 2016-05-09 | 2021-12-13 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 세정 장치 |
| KR20170128801A (ko) | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
| JP6685197B2 (ja) | 2016-07-26 | 2020-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびノズル |
| JP6702082B2 (ja) * | 2016-08-18 | 2020-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び配管の監視方法 |
| US10864533B2 (en) | 2017-06-27 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit |
| US11056358B2 (en) | 2017-11-14 | 2021-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer cleaning apparatus and method |
| JP6971949B2 (ja) * | 2018-10-05 | 2021-11-24 | 三菱電機株式会社 | 液体吐出ノズルおよび半導体製造装置 |
| KR102175119B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2020-11-05 | 세메스 주식회사 | 처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR20200134352A (ko) * | 2019-05-21 | 2020-12-02 | 삼성전자주식회사 | 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP7297591B2 (ja) * | 2019-08-09 | 2023-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6520222B2 (en) * | 2000-07-31 | 2003-02-18 | Catlow, Inc. | Fuel dispensing nozzle having a dripless spout |
| US20030178047A1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-09-25 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate cleaning method |
| JP2004016878A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理液供給用ノズル装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3592700A (en) * | 1968-08-05 | 1971-07-13 | Mc Donnell Douglas Corp | Polymer coating of metals |
| JPS57174168A (en) | 1981-04-06 | 1982-10-26 | Hokko Chem Ind Co Ltd | Spraying pipe for agricultural medicine sprayer which is prevented of electrostatic charge |
| JPS5883066A (ja) * | 1981-11-12 | 1983-05-18 | Daikin Ind Ltd | 非粘着導電性フツ素ゴム塗料 |
| JPH0679213A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-22 | Tosoh Corp | ディスペンス用ノズル |
| JPH11165115A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光ディスク製造用スピンコート装置 |
| JP2002170803A (ja) | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP4180306B2 (ja) * | 2001-06-26 | 2008-11-12 | アルプス電気株式会社 | ウエット処理ノズルおよびウエット処理装置 |
| JP2003086557A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および装置 |
| CN1230041C (zh) | 2002-12-30 | 2005-11-30 | 友达光电股份有限公司 | 静电消除器 |
| JP4247890B2 (ja) | 2003-08-12 | 2009-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布ノズル及び塗布装置 |
| KR100708037B1 (ko) | 2003-12-24 | 2007-04-16 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 유체공급노즐, 기판처리장치 및 기판처리방법 |
-
2007
- 2007-08-27 JP JP2007219835A patent/JP4989370B2/ja active Active
- 2007-10-08 KR KR1020070100880A patent/KR100907588B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-12 US US11/871,595 patent/US9027577B2/en active Active
- 2007-10-12 TW TW096138169A patent/TWI386986B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6520222B2 (en) * | 2000-07-31 | 2003-02-18 | Catlow, Inc. | Fuel dispensing nozzle having a dripless spout |
| US20030178047A1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-09-25 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate cleaning method |
| JP2004016878A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理液供給用ノズル装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100907588B1 (ko) | 2009-07-14 |
| JP4989370B2 (ja) | 2012-08-01 |
| KR20080034077A (ko) | 2008-04-18 |
| US9027577B2 (en) | 2015-05-12 |
| TW200828426A (en) | 2008-07-01 |
| US20080251107A1 (en) | 2008-10-16 |
| JP2008118109A (ja) | 2008-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI386986B (zh) | 噴嘴及具備該噴嘴之基板處理裝置 | |
| JP4845463B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR100881964B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| US20060108068A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| TWI727573B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| JP2006269677A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2011066426A (ja) | スイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置 | |
| TWI661500B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| JP2006253210A (ja) | 基板保持装置、基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2013211533A (ja) | 基板洗浄装置及び洗浄方法 | |
| JP2007184363A (ja) | 基板処理装置および基板除電方法 | |
| US8015985B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same | |
| JP2007234814A (ja) | 基板処理装置および処理液の除電方法 | |
| JPH07142438A (ja) | 洗浄装置、半導体製造装置及び半導体製造ライン | |
| JP2018041754A (ja) | 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置 | |
| JP4731377B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| CN100518948C (zh) | 喷嘴及具有该喷嘴的基板处理装置 | |
| JP7348021B2 (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
| KR101966814B1 (ko) | 처리액 공급 유닛 및 기판 처리 장치 | |
| JP2011077145A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR200476530Y1 (ko) | 노즐모듈 및 이를 구비한 세정장치 | |
| JPH08316183A (ja) | 洗浄方法及びその装置 | |
| JP3013909B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2001296186A (ja) | 温度測定装置及び方法 | |
| JP7040870B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 |