TWI833030B - 基板處理裝置及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
[課題]對於從噴嘴單元所吐出之處理液具有充分的耐蝕性且可確實地防止所吐出之處理液的帶電。
[解決手段]基板處理裝置，係具有噴嘴單元。噴嘴單元，係具備有：配管；及噴嘴尖端，被設置於前述配管之前端，配管，係具有第1層、第2層及第3層。噴嘴尖端，係由具有導電性的耐蝕性樹脂所構成。第3層，係從外方覆蓋第1層及第2層，並且從外方覆蓋噴嘴尖端的一部分。
Description
本揭示，係關於基板處理裝置及其製造方法。
在半導體元件之製造工程中，係以被形成於基板上的光阻作為遮罩，進行蝕刻或離子注入等的處理。其後，不要的光阻，係從基板上被去除。
作為光阻之去除方法，係已知SPM處理，該SPM處理，係將硫酸與過氧化氫水之混合液即SPM (Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture)等的處理液供給至基板，藉此，去除光阻。SPM，係為了提高光阻之去除能力，在被加熱至高溫的狀態下，從噴嘴單元供給至基板(例如，參閱專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-207080號公報
[本發明所欲解決之課題]
然而，以往，在使用了處理液之基板處理的期間，當處理液帶電且帶電之處理液被供給至基板上時，有因處理液與基板之電位差而產生放電的情形。如此一來，吾人認為當在處理液與基板之間產生放電時，則導致基板上的膜或電路圖案被破壞。
本揭示，係考慮像這樣的問題點而進行研究者，其提供一種「對於從噴嘴單元所吐出之處理液具有充分的耐蝕性且可確實地防止所吐出之處理液的帶電」之基板處理裝置及其製造方法。
[用以解決課題之手段]
本揭示，係一種基板處理裝置，其具有保持被處理基板的基板保持機構與對前述基板保持機構所保持之前述被處理基板吐出處理液的噴嘴單元，該基板處理裝置，其特徵係，前述噴嘴單元，係具備有：配管，供給前述處理液；及噴嘴尖端，被設置於前述配管之前端，朝向前述被處理基板吐出處理液，前述配管，係具有從內側起依序配置之由耐蝕性樹脂所構成的第1層、由剛性材料所構成的第2層及由耐蝕性樹脂所構成的第3層，前述噴嘴尖端，係由具有導電性的耐蝕性樹脂所構成，前述第3層，係從外方覆蓋前述第1層及前述第2層，並且從外方覆蓋前述噴嘴尖端的一部分。
[發明之效果]
根據本揭示，噴嘴單元對於所吐出之處理液具有充分的耐蝕性且可確實地防止從噴嘴單元所吐出之處理液的帶電。
＜本揭示之實施形態＞
以下，參閱添附圖面，詳細地說明本申請案所揭示之基板處理裝置的實施形態。另外，該發明並不受以下所示之實施形態所限定。
又，以下，係以處理液為硫酸與過氧化氫水之混合液即SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)的情形為例而進行說明。
圖1，係表示本實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。在以下中，係為了明確位置關係而規定相互正交之X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
如圖1所示般，基板處理系統1，係具備有：搬入搬出站2；及處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係鄰接設置。
搬入搬出站2，係具備有：載體載置部11；及搬送部12。在載體載置部11，係載置有複數個載體C，該載體C，係以水平狀態收容複數片被處理基板例如半導體晶圓(以下為晶圓W)。
搬送部12，係鄰接設置於載體載置部11，在內部具備有基板搬送裝置13與收授部14。基板搬送裝置13，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置13，係可朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，使用晶圓保持機構，在載體C與收授部14之間進行晶圓W的搬送。
處理站3，係鄰接設置於搬送部12。處理站3，係具備有搬送部15與複數個處理單元(本揭示之基板處理裝置)16。複數個處理單元16，係被排列設置於搬送部15的兩側。
搬送部15，係在內部具備有基板搬送裝置17。基板搬送裝置17，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置17，係可朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，使用晶圓保持機構，在收授部14與處理單元16之間進行晶圓W的搬送。
處理單元16，係對藉由基板搬送裝置17所搬送之晶圓W進行預定的基板處理。
又，基板處理系統1，係具備有控制裝置4。控制裝置4，係例如包含電腦，並具備有控制部18與記憶部19。在記憶部19，係儲存有程式，該程式，係控制基板處理系統1中所執行的各種處理。控制部18，係藉由讀出並執行被記憶於記憶部19之程式的方式，控制基板處理系統1的動作。
另外，該程式，係亦可為被記錄於電腦可讀取之記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體被安裝於控制裝置4的記憶部19者。作為電腦可讀取之記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在如上述般所構成之基板處理系統1中，係首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13從被載置於載體載置部11的載體C取出晶圓W，並將取出的晶圓W載置於收授部14。收授部14所載置之晶圓W，係藉由處理站3的基板搬送裝置17，從收授部14被取出且搬入至處理單元16。
搬入至處理單元16之晶圓W，係在藉由處理單元16進行處理後，藉由基板搬送裝置17，從處理單元16被搬出且載置於收授部14。而且，收授部14所載置之處理完畢的晶圓W，係藉由基板搬送裝置13，返回到載體載置部11之載體C。
其次，參閱圖2，說明關於處理單元(本揭示之基板處理裝置)16的概略構成。圖2，係表示處理單元16之構成的平面示意圖。
如圖2所示般，處理單元(基板處理裝置)16，係具備有：腔室21；基板保持機構22，旋轉自如地保持被配置於腔室21內的晶圓W；回收罩杯23；及噴嘴單元30，對晶圓W吐出處理液。
其中，基板保持機構22，係水平地保持晶圓W，並且使保持的晶圓W繞著垂直軸周圍旋轉。又，回收罩杯23，係配置成包圍基板保持機構22，接取因伴隨著旋轉之離心力而朝晶圓W之外方飛散的處理液並加以回收。
噴嘴單元30，係被配置於腔室21內，從晶圓W的上方朝向晶圓W供給處理液。像這樣的噴嘴單元30，係具備有：配管30A，供給處理液；噴嘴尖端40，被設置於配管30A之前端，朝向晶圓W吐出處理液；及噴嘴支撐部25，保持噴嘴單元30的配管30A，噴嘴支撐部25，係被構成為可升降及可旋轉。
其次，藉由圖2及圖3A~圖3C，闡述噴嘴單元30的構造。
如圖2及圖3A~圖3C所示般，噴嘴單元30，係具備有：配管30A，供給處理液；噴嘴尖端40，被設置於配管30A之前端；及噴嘴支撐部25，可升降及可旋轉地支撐配管30A，噴嘴單元30，係朝向晶圓W吐出SPM。
在此，SPM，係例如在被使用於去除光阻的情況下，以160℃前後之高溫，從噴嘴尖端40朝向晶圓W吐出。
進一步敍述關於噴嘴單元30。噴嘴單元30之配管30A，係被形成為從側面觀看呈大致L字狀，具有從內側起依序配置之由耐蝕性樹脂所構成的第1層31、由剛性材料所構成的第2層32及由耐蝕性樹脂所構成的第3層33。又，噴嘴單元30之噴嘴尖端40，係被構成為與配管30A不同個體，由被嵌入於配管30A的前端之具備導電性的耐蝕性樹脂所構成。
具體而言，作為配管30A之第1層31，可使用對SPM具有耐化學性及耐熱性的熱可塑性材料，例如具有導電性的PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚)管。
又，作為第2層32，可使用「作為用以保持配管30A之剛性的骨架而發揮功能並且具有導電性」的SUS(不銹鋼)管。
而且，作為第3層33，可使用對SPM具有耐化學性及耐熱性的熱可塑性材料例如PFA管。
而且，噴嘴尖端40，係可使用具有導電性之PFA材料者。
圖3A~圖3C所示般，噴嘴單元30，係更具有被設置於配管30A的基端側之具有導電性的導電體50，並在配管30A之基端安裝具有導電性例如具有導電性之PFA材料製的接頭51。而且，配管30A，係經由其基端所安裝之具有導電性的接頭51，被插裝於噴嘴支撐部25。在該情況下，噴嘴支撐部25，係具有導電性，配管30A，係經由接頭51，可拆卸自如地被插裝於具有導電性的噴嘴支撐部25。因此，藉由將新的配管30A及噴嘴尖端40插裝於噴嘴支撐部25的方式，可輕易地更換配管30A及噴嘴尖端40。
又，設置於配管30A之基端側的導電體50，係從外方密封且覆蓋配管30A者。又，去除藉由導電體50所覆蓋的配管30A中之第2層32的一部分，在導電體50中之去除了第2層32的部分設置將導電體50安裝於配管30A的安裝構件50a。
而且，在配管30A中之藉由導電體50所覆蓋的部分，配管30A之具有導電性的第1層31之外面與導電體50導通。
在該情況下，如圖3A及圖3C所示般，配管30A中之第1層31，係貫通導電體50且進一步朝向基端側(圖3A之右側)延伸而構成配管30A的基端，並且在第1層31之基端安裝具有導電性的接頭51。
又，第2層32雖係在導電體50內朝向配管30A之基端側(圖3A之右側)延伸，但在導電體50內往右方向通過安裝構件50a而朝向了圖3C的右方向處結束。
而且，第3層33雖係在導電體50內朝向配管30A之基端側(圖3A之右側)延伸，但在導電體50內，於安裝構件50a之前(圖3C之左側)結束。
其次，進一步敍述關於配管30A之第1層31~第3層33及噴嘴尖端40的材料及構造。配管30A之第1層31，係如上述般，由具有導電性的PFA管所構成，可使用例如如圖5A所示般的NE(Non Explosion)型之PFA管。由該NE型之PFA管所構成的第1層31，係具有：PFA製之管本體31a；及4根碳製導電部31b，被設置於該PFA製之管本體31a的外面，且延伸於管本體31a的長邊方向，4根導電部31b，係沿著圓周方向，以間隔90°被設置於管本體31a的外面。因此，第1層31，係在其外面，沿著長邊方向具有導電性。
又，第2層32，係如上述般，由SUS管所構成，第2層32，係整體具有導電性。
第3層33，係如上述般，由PFA管所構成，其雖對SPM具有耐化學性及耐熱性，但不具有導電性。然而，並不限於此，第3層33，係亦可由PFA管所構成，並且對SPM具有耐化學性及耐熱性，除此之外，具有導電性。在該情況下，係除了第1層31及第2層32以外，亦可藉由第3層33，將處理液中之電荷釋放至外部。
而且，噴嘴尖端40，係被嵌入於配管30A的前端側，基本上被設置為與配管30A不同個體。
噴嘴尖端40之前端41，係朝向晶圓W側。又，至少噴嘴尖端40之內面，係如後述般，從前端41朝向配管30A側具有導電性，並進行從噴嘴尖端40的前端41朝向晶圓W所吐出之處理液的除電，且可確實地防止朝向晶圓W所吐出之處理液的帶電。
像這樣的噴嘴尖端40，係由具有導電性的PFA材料所構成，例如如圖5B所示般，可使用AS(Anti-Static)型之PFA材料。具體而言，係如圖5B所示般，噴嘴尖端40，係具有：PFA製之圓筒狀本體40a；4根碳製導電部40b，被設置於本體40a的外面42，且延伸於PFA製之本體40a的長邊方向；及4根碳製導電部40c，被設置於本體40a的內面43，且延伸於本體40a的長邊方向。
在該情況下，4根導電部40b，係沿著圓周方向，以間隔90°被設置於本體40a的外面42，4根導電部40c，係沿著圓周方向，以間隔90°被設置於本體40a的內面43。而且，噴嘴尖端40之各導電部40b，係相對於分別對應的導電部40c，被設置於圓周方向之相同位置，各導電部40b，係經由通電部40d與所對應的導電部40c連接，該通電部40d，係貫通本體40a而設置。
因此，噴嘴尖端40，係具有耐化學性及耐熱性，並且在其內面及外面，沿著其長邊方向具有導通性。
又，如圖3B所示般，噴嘴尖端40雖係被嵌入於配管30A之前端，但在該情況下，配管30A之第1層31的前端，係與噴嘴尖端40的基端對接。而且，第1層31之前端與噴嘴尖端40之基端，係藉由熔接被接合而形成接合部36。而且，在外面具有導電性之第1層31與在外面具有導電性之噴嘴尖端40可經由接合部36導通。
而且，配管30A之第2層32的前端，係延伸至噴嘴尖端40之中間附近，並形成第2層32與噴嘴尖端40的接合部37。而且，第2層32與在外面具有導電性之噴嘴尖端40可彼此導通。
又，配管30A之第3層33的前端，係比第2層32更延伸至噴嘴尖端40之前端側，且第3層33的前端與噴嘴尖端40藉由熔接被接合而形成接合部38。
在圖3B中，在內面具有導電性之噴嘴尖端40，係可將通過其內面的處理液進行除電。同時，在外面具有導電性之噴嘴尖端40，係可在其外面，經由第1層31的外面與接合部36導通。又，噴嘴尖端40，係可在其外面，與第2層32導通。
再者，在噴嘴尖端40之外面設置有與噴嘴尖端40導通而進行處理液之除電的導線48。該導線48，係與噴嘴尖端40導通而進行通過噴嘴尖端40內之處理液的除電者，如圖3D所示般，具有：金屬線(銅線)48a；及耐化學性之保護層48b，保護該金屬線不受處理液影響。
該導線48，係被直接連接於噴嘴尖端40，並沿著配管30A延伸並且在所期望的接地位置60接地。
另外，如圖3A所示般，如上述般，在噴嘴單元30之配管30A的基端側雖係設置有導電體50，但該導電體50，係例如包含有所混入的碳且整體由具有導電性之PTFE(聚四氟乙烯)所構成。在該情況下，由於配管30A之第2層32及第3層33，係皆延伸至基端側且在導電體50內結束，因此，第1層31，係在導電體50內向外方露出，且具有導電性之第1層31的外面，係與導電體50導通。
又，由於第3層33在導電體50內延伸至安裝構件50a的左側而結束，因此，第2層32，係露出於導電體50內且與導電體50導通。而且，該第2層32，係在導電體50內延伸至安裝構件50a的右側而結束。
而且，配管30A之第1層31，係貫通導電體50且朝向配管30A的基端側(圖3A之右側)延伸，並在第1層31安裝有接頭51。該接頭51，係例如由具有導電性的PFA材料所構成。具體而言，接頭51，係可使用在內面與外面具有導電性之例如如圖5B所示般的AS型之PFA管，或包含有所混入的碳且整體具有導電性之PTFE管。另一方面，在噴嘴支撐部25內，係設置有連通管52，該連通管52，係具有與具有導電性之第1層31相同的構造。該連通管52，係由在外面具有導電性的NE型之PFA管所構成，且藉由在內面與外面具有導電性的接頭51，從外方夾持第1層31與連通管52，藉此，可將第1層31的內部與連通管52的內部連通。在該情況下，第1層31與連通管52，係經由接頭51亦電性導通。由像這樣的構成所形成之噴嘴支撐部25內的連通管52，係經由未圖示之導線接地。
又，如圖3B所示般，在配管30A之前端側，第3層33，係從外側完全覆蓋第1層31及第2層32，並且從外方亦覆蓋噴嘴尖端40的一部分。由於第3層33，係具有高耐化學性及耐熱性，因此，藉由該具有高耐化學性及耐熱性之第3層33，可有效地保護第1層31、第2層32及噴嘴尖端40不受例如包含高溫之SPM的處理液影響。
其次，說明關於由像這樣的構成所形成之本實施形態的作用。
首先，如圖2所示般，在處理單元(本揭示之基板處理裝置)16內，藉由基板保持機構22保持晶圓W。其次，藉由基板保持機構22所保持之晶圓W，係藉由該基板保持機構22旋轉，並在晶圓W旋轉的期間，從噴嘴單元30之噴嘴尖端40對晶圓W吐出例如由SPM所構成的處理液。
在該期間，因伴隨著晶圓W旋轉之離心力而朝晶圓W之外方飛散的處理液，係藉由回收罩杯23接取且回收。
在從噴嘴單元30的噴嘴尖端40對晶圓W吐出處理液之際，吾人亦認為該處理液帶電而具有電荷。
根據本實施形態，由於噴嘴尖端40之內面具有導電性，因此，通過噴嘴尖端40之處理液中的電荷，係被放電至噴嘴尖端40的內面。
其次，放電至噴嘴尖端40之內面的電荷，係通過以下3種通電路徑(1)~(3)被放電至外方而適當地進行除電。
(1)放電至噴嘴尖端40之具有導電性的內面之電荷，係流向噴嘴尖端40之具有導電性的外面，其後，從噴嘴尖端40之外面通過第2層32流向導電體50。其次，流向導電體50之電荷，係到達第1層31的外面，其後，經由接頭51從噴嘴支撐部25流向外方而接地，如此一來，將處理液中之電荷適當地除電。
(2)放電至噴嘴尖端40之具有導電性的內面之電荷，係流向噴嘴尖端40之具有導電性的外面。其後，電荷，係從噴嘴尖端40之外面通過第1層31之具有導電性的外面到達接頭51，其後，從噴嘴支撐部25流向外方而接地，將處理液中之電荷適當地除電。
(3)放電至噴嘴尖端之具有導電性的內面之電荷，係流向噴嘴尖端40之具有導電性的外面。其後，電荷，係從噴嘴尖端40之外面通過導線48而接地至所期望的接地位置60。如此一來，將處理液中之電荷適當地除電。
如以上般，根據本實施形態，在使通過噴嘴尖端40的處理液中之電荷放電至噴嘴尖端40的內面後，可接地至外方，並可將處理液中之電荷適當地進行除電。
又，在配管30A之前端側，藉由具有高耐化學性及耐熱性的第3層33，可完全覆蓋第1層31及第2層32，且可覆蓋噴嘴尖端40的一部分。藉此，可有效且確實地保護第1層31、第2層32及噴嘴尖端40不受包含高溫之SPM的處理液影響。
再者，在配管30A之前端嵌入導電性的噴嘴尖端40，藉此，可輕易且簡單地製造「具有配管30A與被設置於配管30A之前端之導電性的噴嘴尖端40」之噴嘴單元30，如此一來，可獲得基板處理裝置。
又，噴嘴尖端40，係藉由熔接被接合於第1層31，且藉由熔接被接合於第3層33。因此，可將噴嘴尖端40接合於配管30A之第1層31及第3層33，藉此，可將噴嘴尖端40堅固地固定於配管30A的前端。
又，在使通過噴嘴尖端40的處理液中之電荷放電至噴嘴尖端40的內面後，可通過上述3種通電路徑(1)~(3)被放電至外方。因此，與使位於噴嘴尖端40之內面的電荷例如僅從1部位之路徑放電至外方的情形相比，可將處理液中之電荷迅速且確實地進行除電。
＜本揭示之變形例＞
其次，藉由圖6，說明關於本發明的變形例｡在上述實施形態中，雖表示了在噴嘴單元30之配管30A的前端嵌入被設置為與配管30A不同個體之噴嘴尖端40的例子，但並不限於此，亦可使配管30A之第1層31進一步延長至前端側而形成延長部分46，並在該延長部分46之周圍設置從外方覆蓋延長部分46的覆蓋部分47，藉由延長部分46與覆蓋部47構成噴嘴尖端40。
具體而言，作為配管30A之第1層31，可使用對SPM具有耐化學性及耐熱性的熱可塑性材料，例如具有導電性的PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚)管。在該情況下，作為配管30A之第1層31，可使用在內面及外面具有導電性的AS型之PFA管(參閱圖5B)。再者，作為第1層31，亦可使用包含有CNT(Carbon Nano Tube)的PFA管，使整體具有導電性。
又，作為第2層32，可使用「作為用以保持配管30A之剛性的骨架而發揮功能並且具有導電性」的SUS(不銹鋼)管。
而且，作為第3層33，可使用對SPM具有耐化學性及耐熱性的熱可塑性材料例如PFA管。
如此一來，配管30A之第1層31，係在內面及外面具有導電性，並朝向配管30A的基端側延伸而構成延長部分46。又，覆蓋延長部分46之覆蓋部分47亦由PFA材料所構成，覆蓋部分47，係包含有所混入的碳，藉由在內面及外面具有導電性之延長部分46與覆蓋部分47，構成噴嘴尖端40。
在圖6中，通過噴嘴尖端40的處理液中之電荷，係從具有導電性之延長部分46的內面向外面通電，其後，到達了延長部分46之外面的電荷，係到達包含有所混入的碳之覆蓋部分47的外面。
然而，在圖1~圖5B所示的實施形態中，雖表示了「由AS型之PFA材料構成噴嘴尖端40，並在內面與外面具有導電性的噴嘴尖端40」之例子，但並不限於此，亦可由包含有所混入的碳之PFA材料構成噴嘴尖端40，使包含內面及外面的噴嘴尖端40整體具有導通性。
再者，在圖1~圖5B所示的實施形態及圖6所示的變形例中，雖表示了使用SUS管作為第2層32的例子，但並不限於此，亦可使用具有導電性的硬質樹脂作為第2層32。而且，亦可使用陶瓷材料作為第2層32。
上述實施形態及各變形例中之構成，係只要不相互矛盾，則可適當地進行組合。
16:處理單元(基板處理裝置)
21:腔室
22:基板保持機構
30:噴嘴單元
30A:配管
31:第1層
32:第2層
33:第3層
40:噴嘴尖端
41:前端
42:外面
43:內面
48:導線
50:導電體
50a:安裝構件
51:接頭
60:接地位置
[圖1]圖1，係表示實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。
[圖2]圖2，係表示處理單元(基板處理裝置)之構成的平面示意圖。
[圖3A]圖3A，係表示本揭示之實施形態之噴嘴單元的側剖面圖，且為沿著圖2A-A’線的圖。
[圖3B]圖3B，係表示除電作用的放大圖。
[圖3C]圖3C，係表示除電作用的放大圖。
[圖3D]圖3D，係表示導線的剖面圖。
[圖4]圖4，係表示噴嘴單元之前端部分的放大圖。
[圖5A]圖5A，係表示第1層之一例的剖面圖。
[圖5B]圖5B，係表示噴嘴尖端之一例的剖面圖。
[圖6]圖6，係表示本揭示之變形例之噴嘴單元的側剖面圖。
30:噴嘴單元
30A:配管
31:第1層
32:第2層
33:第3層
40:噴嘴尖端
41:前端
42:外面
43:內面
50:導電體
50a:安裝構件
51:接頭
52:連通管
Claims (11)
- 一種基板處理裝置，係具有保持被處理基板的基板保持機構與對前述基板保持機構所保持之前述被處理基板吐出處理液的噴嘴單元，該基板處理裝置，其特徵係，前述噴嘴單元，係具備有：配管，供給前述處理液；及噴嘴尖端，被設置於前述配管之前端，朝向前述被處理基板吐出前述處理液，前述配管，係具有從內側起依序配置之由耐蝕性樹脂所構成的第1層、由剛性材料所構成的第2層及由耐蝕性樹脂所構成的第3層，前述噴嘴尖端，係由具有導電性的耐蝕性樹脂所構成，前述第3層，係從外方覆蓋前述第1層及前述第2層，並且從外方覆蓋前述噴嘴尖端的一部分。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述噴嘴尖端，係被嵌入於前述配管內。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述第1層具有導電性且前述第1層與前述噴嘴尖端被接合，或前述第2層具有導電性且前述第2層與前述噴嘴尖端被接合。
- 如請求項1~3中任一項之基板處理裝置，其中，導線被連接於前述噴嘴尖端。
- 如請求項2、3中任一項之基板處理裝置，其中，前述噴嘴尖端被熔接於前述第1層及前述第3層。
- 如請求項1~3中任一項之基板處理裝置，其中，前述第1層，係由具有導電性的PFA管所構成。
- 如請求項1~3中任一項之基板處理裝置，其中，前述第2層，係由SUS管所構成。
- 如請求項1~3中任一項之基板處理裝置，其中，前述第3層，係由PFA管所構成。
- 如請求項1~3中任一項之基板處理裝置，其中，前述噴嘴尖端，係由具有導電性的PFA製材料所構成。
- 如請求項1、2中任一項之基板處理裝置，其中，前述噴嘴尖端，係具有前述配管之前述第1層的延長部分與從外方覆蓋該延長部分的覆蓋部分。
- 一種基板處理裝置之製造方法，係具有「保持被處理基板的基板保持機構與對前述基板保持機構所保持之前述被處理基板吐出處理液的噴嘴單元」之基板處理裝置之製造方法，其特徵係，具備有：準備供給前述處理液之配管的工程，前述配管，係具有從內側起依序配置之由耐蝕性樹脂所構成的第1層、由剛性材料所構成的第2層及由耐蝕性樹脂所構成的第3層；準備噴嘴尖端的工程，該噴嘴尖端，係由具有導電性的耐蝕性樹脂所構成，朝向前述被處理基板吐出前述處理液；及在前述配管之前端嵌入前述噴嘴尖端的工程，前述第3層，係從外方覆蓋前述第1層及前述第2層，並且從外方覆蓋前述噴嘴尖端的一部分。
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