TWI426554B - 擺動噴嘴單元及具有擺動噴嘴單元之基板處理設備 - Google Patents
擺動噴嘴單元及具有擺動噴嘴單元之基板處理設備 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI426554B TWI426554B TW099131865A TW99131865A TWI426554B TW I426554 B TWI426554 B TW I426554B TW 099131865 A TW099131865 A TW 099131865A TW 99131865 A TW99131865 A TW 99131865A TW I426554 B TWI426554 B TW I426554B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- nozzle
- tube
- resin tube
- substrate
- flange
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 78
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 75
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 69
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 69
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N (1r,3as,4s,5ar,5br,7r,7ar,11ar,11br,13as,13br)-4,7-dihydroxy-3a,5a,5b,8,8,11a-hexamethyl-1-prop-1-en-2-yl-2,3,4,5,6,7,7a,10,11,11b,12,13,13a,13b-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]chrysen-9-one Chemical compound C([C@@]12C)CC(=O)C(C)(C)[C@@H]1[C@H](O)C[C@]([C@]1(C)C[C@@H]3O)(C)[C@@H]2CC[C@H]1[C@@H]1[C@]3(C)CC[C@H]1C(=C)C HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N 0.000 claims 1
- PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 15alpha-hydroxylup-20(29)-en-3-one Natural products CC(=C)C1CCC2(C)CC(O)C3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N Resinone Natural products CC(=C)C1CCC2(C)C(O)CC3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
依照35 U.S.C. § 119，本美國非臨時專利申請案主張2009年9月21日提出之韓國專利申請案第10-2009-0089121號(藉引用方式使其全文併入本文)的優先權益。
本發明係關於一種基板處理設備，而且更特定言之係關於一種注射處理液以清潔基板之擺動噴嘴單元、及一種具有擺動噴嘴單元之基板處理設備。
通常，隨半導體裝置具有高密度、高整合度及高性能之趨勢，正快速地發展小尺寸的電路圖案。因此殘留在基板表面上之污染物質(如粒子、有機污染物與金屬污染物)，大為影響裝置之性質及製造良率。關於此點，去除各種附著於基板表面之污染物、與不必要薄膜的清潔程序之重要性增加。基板清潔程序係在製造半導體之各單元處理前後實行。
目前用於半導體製造之清潔方法包括乾式清潔及濕式清潔。濕式清潔分成泡洗(bath)型(其藉由將基板浸於化學處理液中而經化學溶解去除污染物)、及單晶圓型(其藉由轉動置於旋轉夾頭上之基板且對基板表面供應化學處理液而去除污染物)。
單晶圓清潔設備依照欲去除之污染物及薄膜種類而使用各型清潔液。清潔液係藉擺動噴嘴或靜止噴嘴選擇性地供應至基板。
擺動噴嘴可由樹脂或金屬製成。儘管剛性低，樹脂噴嘴具有優良之腐蝕抗性。金屬噴嘴具有優良之剛性但易受腐蝕。通常擺動噴嘴係由金屬製成以確保剛性且經表面處理以防止腐蝕。然而金屬管之內徑表面由於表面程序之特徵而無法處理。因此在金屬管之內徑表面處可能發生腐蝕。
本發明提供一種剛性高及腐蝕抗性高之擺動噴嘴單元、及一種具有擺動噴嘴單元之基板處理設備。
本發明亦提供一種在使用金屬管時可防止腐蝕之擺動噴嘴單元、及一種具有擺動噴嘴單元之基板處理設備。
本發明之目的不限於以上。熟悉此技藝者將由以下之說明清楚地了解在此未述之其他目的、特點及優點。
本發明概念之具體實施例提供一種擺動噴嘴單元，其係包括噴嘴部分，噴嘴部分係包括棒形式噴嘴主體(供應其中配置處理液供應管之內部路徑)，其中噴嘴主體包括內樹脂管；配置成封包內樹脂管之金屬管；及配置成封包金屬管之外樹脂管。
在一些具體實施例中，噴嘴部分係可進一步包括封蓋，其包括配置於其中央以使處理液供應管通過之穿孔，而且其係安裝於內樹脂管之一端與外樹脂管之一端，使得金屬管之一端不暴露於外。
在其他之具體實施例中，噴嘴部分係可包括安裝於封蓋以保持處理液供應管之噴嘴頂端。
在又其他之具體實施例中，內樹脂管之一端與外樹脂管之一端可突出超過金屬管之一端。
在又其他之具體實施例中，噴嘴部分係可進一步包括安裝於噴嘴主體之另一端的凸緣，及擺動噴嘴單元係可進一步包括連接該凸緣以將噴嘴部分轉動及上下移動之噴嘴驅動器。
在又其他之具體實施例中，凸緣係可包括插孔以使噴嘴主體之另一端插入，而且係進一步包括固定構件以固定插入插孔中之噴嘴主體之另一端。
在進一步之其他具體實施例中，固定構件可為自凸緣側面插入之螺絲。
在又進一步之其他具體實施例中，螺絲可通過外樹脂管與金屬管而緊固。
在本發明概念之其他具體實施例中，基板處理設備包括基板支撐構件，其包括旋轉頭以將基板置於其上；處理碗，其配置成包圍旋轉頭且係配接以收集自基板散射之處理液；及擺動噴嘴單元，其係配接以使處理液以擺動動作轉動而注射至置於旋轉頭上之基板，其中各擺動噴嘴單元包括噴嘴部分，噴嘴部分係包括噴嘴主體，噴嘴主體係由內樹脂管(供應其中配置處理液供應管之內部路徑)、金屬管(配置成封包內樹脂管)、與外樹脂管(配置成封包金屬管)組成；及噴嘴驅動器，其係配接以使噴嘴部分轉動及上下移動。
在其他之具體實施例中，噴嘴部分係可包括封蓋，其包括配置於其中央以使處理液供應管通過之穿孔，而且其係安裝於內樹脂管之一端與外樹脂管之一端，使得金屬管之一端不暴露於外。
在又其他之具體實施例中，封蓋可由與內樹脂管及外樹脂管相同之樹脂材料製成，以與內樹脂管及外樹脂管有效率地熱融合。
在又其他之具體實施例中，噴嘴部分係可進一步包括噴嘴頂端，其連接封蓋且係包括固定孔以使處理液供應管之一端插入及固定於其中。
以下參考附圖而詳述單晶圓處理設備之例示具體實施例。相同之元件在全部圖式中係以相同之參考號碼標示。在以下之說明中不詳細解釋已知之結構及功能以免使本揭示難懂。
在下述之具體實施例中，處理液可包括氫氟酸(HF)、硫酸(H3
SO4
)、硝酸(HNO3
)、磷酸(H3
PO4
)、SC-1 soludiont(氫氧化銨(NH4
OH)、過氧化氫(H2
O2
)、與水(H2
O)之混合物)、臭氧水、還原水、離子水、及鹼溶液之水溶液或混合物。
(具體實施例)
圖1為顯示依照本發明概念之一個具體實施例的單晶圓處理設備之結構的平面圖。圖2為顯示依照本發明概念之一個具體實施例的單晶圓處理設備之結構的側視圖。圖3為顯示圖1所示之基板處理設備之碗的橫切面圖。
雖然在此具體實施例中描述及解釋半導體基板作為以單晶圓型基板處理設備1處理之基板的一個實施例，但是本揭示不受其限制而可應用於各種其他型式之基板，包括液晶顯示(LCD)裝置用之玻璃基板。
參考圖1至圖3，單晶圓處理設備1係配接以使用各種處理液去除外來物質、與殘留在基板表面上之膜。基板處理設備1包括室10、處理碗100、基板支撐構件200、第一擺動噴嘴單元300、靜止噴嘴單元500、第二擺動噴嘴單元700、與排氣構件400。
室10提供一氣密內部空間。風扇過濾器單元12係安裝在室10之上部以在室10中產生垂直氣流。
風扇過濾器單元12係模組化成為包括過濾器與空氣供應風扇之單一單元。風扇過濾器單元12濾出潔淨空氣且將經過濾空氣供應至室10中。通過風扇過濾器單元12且供應至室10中之潔淨空氣在室10中形成垂直氣流。垂直氣流對基板之上部均勻地供應氣流。因此使在使用處理液將基板表面處理期間所產生之污染物(煙)連同通過處理碗100之吸力導管之空氣排放至排氣構件400，因而去除彼等。因此在處理碗100中可維持高空氣純度。
室10係藉水平隔板14分隔成處理區域16與維護區域18。雖然在圖式中係部分地顯示，但是維護區域18包括不僅連接處理碗100之排放管線141、143與145、及空氣下方排放管線410，亦及上升單元600之驅動器、第一擺動噴嘴單元300之驅動器300b、進料管線等。其例示了使維護區域18與處理基板之處理區域隔離。
處理碗100為頂部有開口之圓筒形，而且供應處理基板W用之空間。處理容器100之頂部開口係作為基板W之通過路徑。基板支撐構件200係配置於處理碗100中。基板支撐構件200在處理期間支撐及轉動基板W。
以下進一步詳述處理碗100及基板支撐構件200。
圖3為圖1所示處理碗及基板支撐構件之切面圖。
參考圖式，處理碗100包括上部空間132a(其中配置旋轉頭210)、及下部空間132b(藉旋轉頭210而與上部空間132a隔開，而且藉其下端連接排氣導管190以強制排放空氣)。處理碗100之上部空間132a包括第一、第二與第三吸力導管110、120與130，其為環形且以多段方式排列以抽取自轉動基板W所散射之處理液、氣體、煙等。環形第一、第二與第三吸力導管110、120與130各具有通氣口H。通氣口H共同連通對應處理容器100之下部空間的環形空間。下部空間132b包括連接排氣構件400之排氣導管190。
更特定言之，第一至第三吸力導管110、120與130各包括環形下表面、及一自下壁延伸至圓筒形中之側壁。第二吸力導管120以距第一吸力導管110一定之距離包圍第一吸力導管110。第三吸力導管130以距第二吸力導管120一定之距離包圍第二吸力導管120。
第一至第三吸力導管110、120與130各供應第一至第三收集空間RS1、RS2與RS3，自基板W散射之含處理液氣體與煙在其中流動。第一收集空間RS1係由第一吸力導管110界定。第二收集空間RS2係界定成第一吸力導管110與第二吸力導管120間形成之空間。第三收集空間RS3係界定成第二吸力導管120與第三吸力導管130間形成之空間。
第一至第三吸力導管110、120與130之上表面為傾斜表面，其各包括中央之開口且組態成使得自鄰接側壁至對應下表面之距離朝開口增加。因而自基板W散射之處理液可沿第一至第三吸力導管110、120與130之上表面流入收集空間RS1、RS2與RS3中。
流入第一收集空間RS1中之第一處理液係經第一排放管線141排放至外部。流入第二收集空間RS2中之第二處理液係經第二排放管線143排放至外部。流入第三收集空間RS3中之第三處理液係經第三排放管線145排放至外部。
處理碗100係連接上升單元600，其改變處理碗100之垂直位置。即上升單元600將處理碗100線性地上下移動。隨處理碗100上下移動，處理碗100相對旋轉頭210之高度改變。在將基板W自旋轉頭210裝卸時，處理碗100下移使得旋轉頭210自處理碗100上部向上突起。在表面處理期間調整處理碗100之高度，使得處理液可依對基板W供應之處理液的型式流入預定之吸力導管110、120與130中之一者。據此改變處理碗100與基板W間之相對垂直位置。如此處理碗100可依照收集空間RS1、RS2與RS3處理不同型式之處理液及欲收集之污染氣體。
在本具體實施例中，基板處理設備1將處理碗100於垂直方向移動以改變處理碗100與基板支撐構件200間之相對垂直位置。然而基板處理設備1可藉由垂直地移動基板支撐構件200而改變處理碗100與基板支撐構件200間之相對垂直位置。
基板支撐構件200係安裝在處理碗100中。在處理期間支撐基板W之基板支撐構件200可藉後述之驅動器240轉動。基板支撐構件200包括具有圓形上表面之旋轉頭210。旋轉頭210之上表面包括支撐基板W之支撐銷212與夾銷214。支撐銷212沿旋轉頭210之上表面邊緣依預定間隔排列而自旋轉頭210向上突起。支撐銷212支撐基板W之下表面使得基板W自旋轉頭210向上分開。夾銷214係排列在支撐銷212之更外部位置且向上突起。夾銷214使以支撐銷212支撐之基板W對齊旋轉頭210之正確位置。在處理期間，夾銷214接觸基板W之側面，因而防止基板W偏離正確位置。
支撐軸220係連接旋轉頭210之下部以支撐旋轉頭210。支撐軸220係藉連接其下端之驅動器230轉動。驅動器230可為馬達。隨支撐軸220轉動，旋轉頭210與基板W轉動。
排氣構件400在處理期間對第一至第三吸力導管110、120與130供應排放壓力(吸入壓力)。排氣構件400包括連接排氣導管190之空氣下方排放管線410、及阻尼器420。空氣下方排放管線410係由排氣泵(未表示)供應排放壓力，而且連接嵌入半導體生產線(fab)之底部空間的主空氣排放管線。
靜止噴嘴單元500係固定於處理碗100之上端，而且係配接以對基板W之中央供應超純水、臭氧水、氮等。
第二擺動噴嘴單元700係藉擺動移動至基板W之中央上部移動以供應用於乾燥基板W之液體。基板乾燥液可包括異丙醇與高溫氮。
第一擺動噴嘴單元300係配置於處理碗100之外部位置。第一擺動噴嘴單元300係以急劇擺動方式轉動，而且對置於旋轉頭210上之基板W供應用於清潔或蝕刻基板W之處理液(酸液、鹼液、中性液、與乾燥氣體)。如圖1所示，第一擺動噴嘴單元300係平行地排列。由於自處理碗100至各第一擺動噴嘴單元300之距離均不同，第一擺動噴嘴單元300依照其轉動半徑而具有不同之長度。
第一擺動噴嘴單元300各包括噴嘴部分300a(配置於處理區域)、及噴嘴驅動器300b(係配置於維護區域且係配接以於Θ-軸方向轉動及於z-軸方向上下移動)。
噴嘴驅動器300b包括連接噴嘴部分300a之凸緣340的支撐軸382、擺動驅動器384、及上升驅動器386。擺動驅動器384轉動連接支撐軸382之噴嘴部分300a使得噴嘴部分300a擺動至基板W之中央。擺動驅動器384可為由馬達、皮帶與滑輪構成之組合件。上升驅動器386供應驅動力以使噴嘴部分300a於垂直方向線性地移動。上升驅動器386可為線性驅動裝置，如汽缸或線性馬達。上升驅動器386將噴嘴部分300a上下移動以防止噴嘴部分300a在其轉動期間與另一鄰接噴嘴部分300a碰撞。
以下參考圖式詳述擺動噴嘴單元之噴嘴部分。
圖4為噴嘴單元之展開透視圖。圖5為噴嘴單元之切面圖。圖6及圖7為各顯示噴嘴單元之一端與另一端的放大圖。
參考圖4至圖7，噴嘴部分300a包括噴嘴主體310、封蓋320、噴嘴頂端330、與凸緣340。
噴嘴主體310具有長形棒結構之三重管結構以提供沿其配置處理液供應管302之內部路徑。特定言之，噴嘴主體310包括內樹脂管312、包封內樹脂管312之金屬管314、及包封金屬管314之外樹脂管316。內樹脂管312與外樹脂管316係由腐蝕抗性高之樹脂製成，而且例示地係由彼此相同之樹脂材料製成。內樹脂管312具有較金屬管314之內徑稍小的外徑。金屬管314亦具有較外樹脂管316之內徑稍小的外徑。金屬管314藉施熱而被強制套入外樹脂管316之內徑。內樹脂管312被強制套入金屬管314之內徑。因而得到具有三重管結構之噴嘴主體310。例示性地，金屬管314由具高剛性及高腐蝕抗性的金屬所製成。
封蓋320係藉熱融合固定於內樹脂管312之一端與外樹脂管316之一端，使得金屬管314之一端不暴露於外。例示性地，關於噴嘴主體310之一端，內與外樹脂管312與316之一端突出超過金屬管314之一端，以藉熱融合有效率地固定封蓋320。以相同之原理，在噴嘴主體310之另一端，例示性地，內與外樹脂管312與316之另一端突出超過金屬管314之另一端。封蓋320包括穿孔322(配置於其中央以使處理液供應管302通過)、及公螺絲部分324(形成於其下端以螺旋式連接噴嘴頂端330)。封蓋320之外徑等於外樹脂管316之外徑。封蓋320之內徑(即穿孔322之直徑)等於內樹脂管312之內徑。如此將金屬管314之一端以封蓋320完全地密封，因而徹底地防止接觸處理液與在處理期間產生之煙。
噴嘴頂端330包括母螺絲部分334以銜接封蓋320之公螺絲部分324。噴嘴頂端330包括內徑實質上等於處理液供應管302之外徑之孔332，以保持處理液供應管302。處理液供應管302係固定地插入噴嘴頂端330之孔332中。處理液供應管302之一端自噴嘴頂端330突起。
凸緣340係安裝於噴嘴主體310之另一端。凸緣340連接驅動器300b。凸緣340包括使噴嘴主體310之另一端插入的插孔342。插入凸緣340之插孔342的噴嘴主體310之另一端係藉樹脂熔焊308密封使得金屬管314不暴露於外。凸緣340在其側面上包括多個緊固孔344。固定構件348係插入緊固孔344。因此使插入插孔342之噴嘴主體310之另一端固定於凸緣340。插孔342之直徑等於噴嘴主體310之外樹脂管316的外徑。固定構件348可為由凸緣340之側面插入且以穿透方式緊固外樹脂管316與金屬管314的螺絲。如此使用螺絲將噴嘴主體310之另一端穩定地固定於凸緣340，防止噴嘴主體310在擺動動作期間變形。然而螺絲應不將內樹脂管312穿孔。如果螺絲穿透內樹脂管312，則處理液或煙可能滲過由穿孔形成之間隙且造成對金屬管314之腐蝕。其中插入螺絲之緊固孔344充填有整理(finishing)材料。
如上所述，依照具體實施例之第一擺動噴嘴單元300因包括金屬管314而可具有足以作為小直徑管之剛性。因此可防止第一擺動噴嘴單元300在擺動操作期間搖動。特別是由於金屬管314被內與外樹脂管312與316保護且兩端被封蓋320與樹脂熔焊308密封，其完全地防止處理液之滲過。結果有效地防止金屬管之腐蝕。
依照具體實施例，由於改良噴嘴之剛性與抗腐蝕性，其可減小噴嘴大小。亦可防止噴嘴搖動。
以上揭示之標的係視為例示性且非限制性，及所附申請專利範圍意圖涵蓋所有此種在本發明概念之真正精神及範圍內的修改、改進、及其他具體實施例。因此在法規允許之最大程度內，本發明概念之範圍係由以下申請專利範圍及其均等物之最廣義許可解讀者決定，而且不應受以上之詳細說明約束或限制。
1．．．基板處理設備
10．．．室
12．．．風扇過濾器單元
14．．．隔板
16．．．處理區域
18．．．維護區域
100．．．處理碗
110．．．第一吸力導管
120．．．第二吸力導管
130．．．第三吸力導管
132a．．．上部空間
132b．．．下部空間
141．．．第一排放管線
143．．．第二排放管線
145．．．第三排放管線
190．．．排氣導管
200．．．基板支撐構件
210．．．旋轉頭
212．．．支撐銷
214．．．夾銷
220．．．支撐軸
230．．．驅動器
240．．．驅動器
300．．．第一擺動噴嘴單元
300a．．．噴嘴部分
300b．．．驅動器
302．．．處理液供應管
308．．．樹脂熔焊
310．．．噴嘴主體
312．．．內樹脂管
314．．．金屬管
316．．．外樹脂管
320．．．封蓋
322．．．穿孔
324．．．公螺絲部分
330‧‧‧噴嘴頂端
332‧‧‧孔
334‧‧‧母螺絲部分
340‧‧‧凸緣
342‧‧‧插孔
344‧‧‧緊固孔
348‧‧‧固定構件
382‧‧‧支撐軸
384‧‧‧擺動驅動器
386‧‧‧上升驅動器
400‧‧‧排氣構件
410‧‧‧空氣下方排放管線
420‧‧‧阻尼器
500‧‧‧靜止噴嘴單元
600‧‧‧上升單元
700‧‧‧第二擺動噴嘴單元
H‧‧‧通氣口
RS1‧‧‧第一收集空間
RS2‧‧‧第二收集空間
RS3‧‧‧第三收集空間
W‧‧‧基板
本發明包括附圖以提供對本發明概念之進一步了解，而且將附圖併入並組成本說明書之一部分。圖式描述本發明概念之例示具體實施例，而且與說明一起用以解釋本發明概念之原理。在圖式中：
圖1為顯示依照本發明概念之一個具體實施例的單晶圓處理設備之結構的平面圖；
圖2為顯示依照本發明概念之一個具體實施例的單晶圓處理設備之結構的側視圖；
圖3為顯示圖1所示之基板處理設備之碗的橫切面圖；
圖4為噴嘴單元之展開透視圖；
圖5為噴嘴單元之切面圖；及
圖6及圖7為各顯示噴嘴單元之一端與另一端的放大圖。
10．．．室
12．．．風扇過濾單元
14．．．隔板
16．．．處理區域
18．．．維護區域
100．．．處理碗
300．．．第一擺動噴嘴單元
300a．．．噴嘴部分
300b．．．驅動器
310．．．噴嘴主體
320．．．封蓋
330．．．噴嘴頂端
340．．．凸緣
382．．．支撐軸
384．．．擺動驅動器
386．．．上升驅動器
500．．．靜止噴嘴單元
Claims (9)
- 一種擺動噴嘴單元，其係包含：噴嘴部分，其係包含棒形式噴嘴主體和凸緣，該噴嘴主體供應其中配置處理液供應管之內部路徑，該凸緣安裝於該噴嘴主體之另一端；其中該噴嘴主體係包含：內樹脂管；配置成包圍內樹脂管之金屬管；配置成包圍金屬管之外樹脂管；及連接凸緣以使噴嘴部分轉動及上下移動之噴嘴驅動器；其中該凸緣係包含：插孔，以使噴嘴主體之另一端插入；及固定構件，係一螺絲，自凸緣側面插入並以穿透方式銜接噴嘴主體之另一端，緊固外樹脂管與金屬管而不將內樹脂管穿孔。
- 如申請專利範圍第1項之擺動噴嘴單元，其中噴嘴部分係進一步包含一封蓋，其包含配置於其中央以使處理液供應管通過之穿孔，而且安裝於內樹脂管之一端與外樹脂管之一端，使得金屬管之一端不暴露於外。
- 如申請專利範圍第2項之擺動噴嘴單元，其中噴嘴部分係包含安裝於封蓋以保持處理液供應管之噴嘴頂端。
- 如申請專利範圍第2項之擺動噴嘴單元，其中內樹脂管之一端與外樹脂管之一端係突出超過金屬管之一 端。
- 如申請專利範圍第1項之擺動噴嘴單元，其中螺絲係通過外樹脂管與金屬管而緊固。
- 一種基板處理設備，其係包含：基板支撐構件，其係包含旋轉頭以使基板置於其上；處理碗(processing bowl)，其係配置成包圍旋轉頭且配接以收集自基板散射之處理液；及擺動噴嘴單元，其係配接以將處理液以擺動動作轉動而注射至置於旋轉頭上之基板，其中各擺動噴嘴單元係包含：噴嘴部分，包含：噴嘴主體，噴嘴主體係由供應其中配置處理液供應管之內部路徑之內樹脂管、配置成封閉內樹脂管之金屬管、與外樹脂管配置成封閉金屬管之外樹脂管所組成；及凸緣，該凸緣安裝於噴嘴主體之另一端，係包含插孔以使噴嘴主體之另一端插入，而且係進一步包含螺絲以自凸緣側面插入並以穿透方式銜接噴嘴主體之另一端，緊固外樹脂管與金屬管而不將內樹脂管穿孔；及噴嘴驅動器，其係配接以使噴嘴部分轉動及上下移動。
- 如申請專利範圍第6項之基板處理設備，其中噴嘴部分係進一步包含封蓋，其係具有配置於其中央以使處理液供應管通過之穿孔，而且封蓋係安裝於內樹脂 管之一端與外樹脂管之一端，使得金屬管之一端不暴露於外。
- 如申請專利範圍第7項之基板處理設備，其中封蓋係由與內樹脂管及外樹脂管相同之樹脂材料製成，以與內樹脂管及外樹脂管有效率地熱融合。
- 如申請專利範圍第7項之基板處理設備，其中噴嘴部分係進一步包含噴嘴頂端，其係連接封蓋且包含固定孔以使處理液供應管之一端插入及固定於其中。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090089121A KR101099612B1 (ko) | 2009-09-21 | 2009-09-21 | 스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201137956A TW201137956A (en) | 2011-11-01 |
| TWI426554B true TWI426554B (zh) | 2014-02-11 |
Family
ID=43755778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW099131865A TWI426554B (zh) | 2009-09-21 | 2010-09-20 | 擺動噴嘴單元及具有擺動噴嘴單元之基板處理設備 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8881996B2 (zh) |
| JP (1) | JP5158530B2 (zh) |
| KR (1) | KR101099612B1 (zh) |
| CN (1) | CN102019248B (zh) |
| TW (1) | TWI426554B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI704897B (zh) * | 2020-05-08 | 2020-09-21 | 天揚精密科技股份有限公司 | 多段式噴嘴以及使用多段式噴嘴的烹飪烤爐 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6044455B2 (ja) * | 2013-05-28 | 2016-12-14 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法 |
| KR101469547B1 (ko) * | 2013-07-30 | 2014-12-05 | 주식회사 케이씨텍 | 노즐 유닛 및 이를 구비한 기판세정장치 |
| CN104952765B (zh) * | 2014-03-26 | 2017-10-03 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置、喷嘴以及基板处理方法 |
| JP6377030B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2018-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP6618113B2 (ja) * | 2015-11-02 | 2019-12-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| KR101692915B1 (ko) | 2016-03-09 | 2017-01-17 | 주식회사 포톤 | 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템 |
| KR101853372B1 (ko) * | 2016-06-30 | 2018-06-20 | 세메스 주식회사 | 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치 |
| KR20190020541A (ko) | 2017-08-21 | 2019-03-04 | 신진호 | 구조 개선된 반도체 장비용 노즐캡 |
| CN112547349A (zh) * | 2017-11-28 | 2021-03-26 | 日照轩宜信息科技有限公司 | 一种重型喷液装置 |
| JP6855399B2 (ja) * | 2018-01-26 | 2021-04-07 | 株式会社スギノマシン | ノズルの振れの測定方法及びその装置 |
| KR102143432B1 (ko) * | 2018-10-11 | 2020-08-11 | 세메스 주식회사 | 스윙노즐유닛 |
| CN109701943A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-05-03 | 上海提牛机电设备有限公司 | 一种晶片清洗盆 |
| KR20200134352A (ko) * | 2019-05-21 | 2020-12-02 | 삼성전자주식회사 | 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP7297591B2 (ja) * | 2019-08-09 | 2023-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびその製造方法 |
| CN112443917B (zh) * | 2020-12-19 | 2022-03-01 | 上海交蓝科技集团有限公司 | 一种具有空气净化功能的暖通加湿装置及其实施方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080093346A1 (en) * | 2006-10-18 | 2008-04-24 | Komatsu Ltd. | Plasma cutting device, plasma torch, and cooling device for plasma torch |
| TW200828426A (en) * | 2006-10-13 | 2008-07-01 | Dainippon Screen Mfg | Nozzle and a substrate processing apparatus including the same |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2671005B2 (ja) * | 1988-04-13 | 1997-10-29 | 株式会社 新川 | ディスペンサー装置 |
| JPH07211625A (ja) | 1994-01-13 | 1995-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給装置 |
| JP2000070874A (ja) | 1998-08-28 | 2000-03-07 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及びその方法 |
| US6737113B2 (en) * | 2001-01-10 | 2004-05-18 | 3M Innovative Properties Company | Method for improving the uniformity of a wet coating on a substrate using pick-and-place devices |
| JP4180306B2 (ja) | 2001-06-26 | 2008-11-12 | アルプス電気株式会社 | ウエット処理ノズルおよびウエット処理装置 |
| KR100823245B1 (ko) * | 2001-08-21 | 2008-04-17 | 삼성전자주식회사 | 디스크 제조장치 및 그 투과층 형성방법 |
| JP4349606B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2009-10-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法 |
| US20040206373A1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-10-21 | Applied Materials, Inc. | Spin rinse dry cell |
| WO2005015627A1 (en) | 2003-08-07 | 2005-02-17 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus |
| JP3808072B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2006-08-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
-
2009
- 2009-09-21 KR KR1020090089121A patent/KR101099612B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-09-16 US US12/883,433 patent/US8881996B2/en active Active
- 2010-09-17 JP JP2010209709A patent/JP5158530B2/ja active Active
- 2010-09-20 TW TW099131865A patent/TWI426554B/zh active
- 2010-09-21 CN CN201010288906XA patent/CN102019248B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200828426A (en) * | 2006-10-13 | 2008-07-01 | Dainippon Screen Mfg | Nozzle and a substrate processing apparatus including the same |
| US20080093346A1 (en) * | 2006-10-18 | 2008-04-24 | Komatsu Ltd. | Plasma cutting device, plasma torch, and cooling device for plasma torch |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI704897B (zh) * | 2020-05-08 | 2020-09-21 | 天揚精密科技股份有限公司 | 多段式噴嘴以及使用多段式噴嘴的烹飪烤爐 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011066426A (ja) | 2011-03-31 |
| JP5158530B2 (ja) | 2013-03-06 |
| US8881996B2 (en) | 2014-11-11 |
| US20110068200A1 (en) | 2011-03-24 |
| CN102019248B (zh) | 2013-05-15 |
| KR101099612B1 (ko) | 2011-12-29 |
| TW201137956A (en) | 2011-11-01 |
| CN102019248A (zh) | 2011-04-20 |
| KR20110031745A (ko) | 2011-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI426554B (zh) | 擺動噴嘴單元及具有擺動噴嘴單元之基板處理設備 | |
| KR20100045802A (ko) | 매엽식 기판 처리 장치 및 방법 | |
| KR101579507B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP2006114884A (ja) | 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット | |
| KR930005946B1 (ko) | 기판의 세정 처리방법 및 장치 | |
| KR101008340B1 (ko) | 기판 세정 장치 및 방법 | |
| KR100987796B1 (ko) | 매엽식 기판 처리 장치 및 방법 | |
| KR101010311B1 (ko) | 매엽식 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JP3948963B2 (ja) | スピン処理装置 | |
| JP5905666B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR101570167B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR102143432B1 (ko) | 스윙노즐유닛 | |
| KR102030038B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101395248B1 (ko) | 노즐 유닛 | |
| KR102418934B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR20120015664A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP4468785B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP6045849B2 (ja) | 混合ノズルを用いた洗浄装置 | |
| KR20120077516A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101821526B1 (ko) | 배기 장치 | |
| JP6947437B2 (ja) | 半導体基板洗浄装置 | |
| JP2024068610A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20120009712A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR102096948B1 (ko) | 기판 처리 설비 | |
| JP2009049063A (ja) | 基板処理装置 |